JP2019049701A - 酸発生剤および同剤を含むフォトレジスト - Google Patents
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Abstract
【課題】フォトレジスト組成物成分として特に有用な酸発生剤化合物を提供する。【解決手段】1つの好ましい態様では、(i)ポリマーと;(ii)フォトレジスト組成物が活性化放射線に露光すると第1の酸を生成する第1のオニウム塩酸発生剤と;(iii)(1)共有結合した酸不安定性部分を含み、(2)フォトレジスト組成物が活性化放射線に露光すると第2の酸を生成する、第2のオニウム塩酸発生剤と;を含むフォトレジストであって、前記第1の酸および前記第2の酸は少なくとも0.5異なるpKa値を有する、フォトレジスト組成物。【選択図】なし
Description
一態様では、本発明は第1のオニウム塩酸発生剤と;共有結合した酸不安定性部分を含む第2のオニウム塩酸発生剤とを含む新規なフォトレジスト組成物であって、第1および第2のオニウム塩は活性化放射線に露光すると、異なるpKa値を有する酸を生成するフォトレジスト組成物に関する。
フォトレジストは、画像を基板に移すための感光性フィルムである。これらはネガまたはポジ画像を形成する。基板にフォトレジストをコーティングした後、コーティングは、パターン化フォトマスクを通して紫外線などの活性化エネルギー源に露光されてフォトレジストコーティングに潜像を形成する。フォトマスクは、下にある基板に移すことが望まれている画像を規定する活性化放射線に不透明および透明な領域を有する。レリーフ像は、レジストコーティングの潜像パターンの現像により得られる。
既知のフォトレジストは、多くの既存の商業的用途に十分な解像度および寸法を有するフィーチャを提供することができる。しかしながら、多くの他の用途のためには、サブミクロン寸法の高解像画像を提供することができる新規なフォトレジストへの必要性が存在する。
機能的特性の性能を改善するためにフォトレジスト組成物の構造を変える種々の試みがなされてきた。中でも、種々の光活性化合物がフォトレジスト組成物への使用について報告されてきた。米国特許出願公開第20070224540号明細書および欧州特許第1906241号明細書を参照されたい。米国特許出願公開第2012/0065291号明細書も参照されたい。極端紫外線(EUV)およびe−ビーム撮像技術も使用されてきた。米国特許第7459260号明細書を参照されたい。EUVは、典型的には1nm〜40nmの間の短波長放射線を利用し、13.5nm放射線が通常使用される。
EUVフォトレジストの開発は、EUVリソグラフィ(EUVL)技術の実施のための難しい課題であり続けている。低いライン幅ラフネス(LWR)およびウエハースループットを与えるのに十分な感度を含む、高解像微細フィーチャを提供することができる材料を開発することが要求されている。
ここで本発明者らは酸発生剤のブレンドを含む新規なフォトレジスト組成物であって、酸発生剤は活性化放射線に露光すると異なるpKa値の酸を生成し、少なくとも1種の酸発生剤は共有結合した酸不安定性部分を含むフォトレジスト組成物を発見した。
理論により拘束されるものではないが、特定の好ましい系では、弱酸アニオン成分を含む酸発生剤が光破壊可能なクエンチャー化合物の一種として機能し、それによって露光領域中の非複合型塩基濃度を低下させ、より高いコントラストおよび例えば、改善したLWR(ライン幅ラフネス)、CDUおよびCERをもたらすことができる。他の認知された利益には、より速いフォトスピードおよび改善した露光寛容度が含まれ得る。
好ましい態様では、本発明の酸発生剤化合物およびフォトレジストは、EUV撮像に特に有用である。
1つの好ましい態様では、(i)ポリマーと;(ii)第1のオニウム塩酸発生剤と;(iii)共有結合した酸不安定性部分を含む第2のオニウム塩酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物であって、第1および第2のオニウム塩は活性化放射線に露光すると、少なくとも0.5異なるpKa値を有する別個の酸を生成するフォトレジスト組成物が提供される。第1および第2のオニウム塩はまた適当にはより多量のpKa値が異なるそれぞれの酸を生成し、例えば、ここでは第1のオニウム塩が活性化放射線に露光して生成される酸(第1の酸)は第2のオニウム塩が活性化放射線に露光して生成される酸(第2の酸)のpKaに対して少なくとも0.5、1、1.2、1.5、1.7、2、2.2、2.5、2.7、3、3.2、3.5、3.7または4.0、pKa値が異なる。
さらに、一態様では、第1のオニウム塩により生成される第1の酸のpKa値は、第2のオニウム塩により生成される第2の酸のpKa値よりも低い。別の態様では、第2のオニウム塩により生成される第2の酸のpKa値は、第1のオニウム塩により生成される第1の酸のpKa値よりも低い。
別の好ましい態様では、(i)ポリマーと;(ii)スルホン酸部分のα位に少なくとも1個の電子求引置換基を有するスルホン酸アニオンを含む第1のオニウム塩酸発生剤と;(iii)(a)共有結合した酸不安定性部分と(b)スルホン酸、カルボン酸またはスルファミン酸部分に対してα位に電子求引基を含まないスルホン酸、カルボン酸またはスルファミン酸アニオンとを含む第2のオニウム塩酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物が提供される。
特定の態様では、酸発生剤の1つは比較的弱酸アニオン成分、例えば、1.0以上、1.5以上、2.0以上、2.5以上、3.0以上または4.0以上のpKaを有するアニオン成分を有するであろう。
特定の態様では、酸発生剤の1つは比較的強酸アニオン成分、例えば、1.0未満(より負)のpKa、または0未満(より負)のpKa、または−1.0未満(より負)のpKa、または−3.0未満(より負)のpKa、または−5.0未満(より負)のpKa、または−10.0未満(より負)のpKa、または−12.5未満(より負)のpKa、または−15未満(より負)のpKaを有するアニオン成分を有するであろう。
モルPAG対クエンチャー比(低いpKa PAGと高いpKa PAGの比)は5〜40、より好ましくは8〜30、より好ましくは10〜25であり得る。モルPAG対クエンチャー比は、伝統的なクエンチャーを使用することにより補助され得る。ここでは伝統的なクエンチャーに由来するクエンチャーの全割合は1%〜99%、より好ましくは10%〜75%、より好ましくは25〜60%である。このような伝統的なクエンチャーは、水酸化物、カルボン酸塩、アミン、イミンおよびアミドに基づくものである。好ましくは、このようなクエンチャーには、C1〜30有機アミン、イミン、またはアミドが含まれ、これは強塩基(例えば、水酸化物またはアルコキシド)または弱塩基(例えば、カルボン酸塩)のC1〜30第四級アンモニウム塩であり得る。代表的なクエンチャーには、トリプロピルアミン、ドデシルアミン、トリス(2−ヒドロキシプロピル)アミン、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンなどのアミン;ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、アミノフェノールおよび2−(4−アミノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンなどのアリールアミン、トレーガー塩基、ジアザビシクロウンデセン(DBU)またはジアザビシクロノネン(DBN)などのヒンダードアミン、tert−ブチル1,3−ジヒドロキシ−2−(ヒドロキシメチル)プロパン−2−イルカルバメートおよびtert−ブチル4−ヒドロキシピペリジン−1−カルボキシレートのようなアミド;あるいはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド(TBAH)または乳酸テトラブチルアンモニウムなどの第四級アルキルアンモニウムを含むイオン性クエンチャーが含まれる。
本発明のレジスト組成物では、第1および第2の酸発生剤は、好ましくは独立にヨードニウムまたはスルホニウム化合物のいずれかである。特定の態様では、第1と第2の酸発生剤の両方がスルホニウム化合物である。
別の好ましい態様では、本発明のフォトレジスト組成物は、
(i)ポリマーと;
(ii)以下の式(I):
(式中、R1、R2およびR3は同一のまたは異なる非水素置換基であり、R1、R2およびR3のいずれかが一緒になって環を形成してもよく、Zはスルホン酸部分のα位に少なくとも1個の電子求引置換基を有するスルホン酸アニオンである)
に相当する酸発生剤と;
(iii)以下の式(II):
(式中、R4およびR5は同一のまたは異なる非水素置換基であり、一緒になって環を形成してもよく;あるいはR4またはR5のいずれかが芳香族置換基と共に環を形成してもよく;Aは水素または非水素置換基であり;mは0〜4の整数であり;Tは酸不安定性部分を提供する非水素置換基であり;Qはカルボン酸、スルホン酸またはスルファミン酸部分に対するα位に電子求引基を含まないカルボン酸、スルホン酸またはスルファミン酸アニオンである)
に相当する酸発生剤と
を含んでもよい。
(i)ポリマーと;
(ii)以下の式(I):
に相当する酸発生剤と;
(iii)以下の式(II):
に相当する酸発生剤と
を含んでもよい。
好ましい実施形態では、上記式(I)の酸発生剤は以下の式(III):
(式中、R2およびR3は同一のまたは異なる非水素置換基であり、一緒になって環を形成してもよく;あるいはR2またはR3のいずれかが芳香族置換基と共に環を形成してもよく;Aは水素または非水素置換基であり;mは0〜4の整数であり;Tは酸不安定性部分を提供する非水素置換基であり;Zはスルホン酸のα位に少なくとも1個の電子求引置換基を有するスルホン酸アニオンである)
に相当する。
に相当する。
さらに好ましい態様では、上記式(II)の酸発生剤は以下の式(IV):
(式中、R4およびR5は同一のまたは異なる非水素置換基であり、一緒になって環を形成してもよく;あるいはR4またはR5のいずれかが芳香族置換基と共に環を形成してもよく;Aは水素または非水素置換基であり;mは0〜4の整数であり;R6は酸不安定性部分を提供する非水素置換基であり;Qはカルボン酸、スルホン酸またはスルファミン酸部分に対するα位に電子求引基を含まないカルボン酸、スルホン酸またはスルファミン酸アニオンである)
に相当する。
に相当する。
特定の好ましい態様では、上記式(I)〜(IV)のいずれかで、適当にはZがポリマーに結合していてもよく、および/またはQがポリマーに結合していてもよい。
さらなる特定の好ましい態様では、式(I)と(II)のいずれかまたは両方がチオキサントンまたはジベンゾチオフェン部分のいずれかを含む。
特定の好ましい態様では、本発明の酸発生剤がポリマーに共有結合していてもよい。このようなポリマーは、フォトレジスト組成物の成分として適当に利用され得る(化学増幅型ポジレジストの場合には、酸不安定性基を有するマトリクスポリマーに結合させられる)。したがって、ポリマーは、共有結合した酸発生剤化合物に加えて酸不安定性基を含んでもよい。このような態様では、適当には本発明のイオン性酸発生剤化合物のカチオン成分は除いてアニオン成分がポリマーに共有結合され得るか、または酸発生剤のアニオン成分は除いてカチオン成分がポリマーに共有結合され得るか、または酸発生剤のアニオンおよびカチオン成分の各々がポリマーに共有結合され得る。
好ましい態様では、酸発生剤化合物は、共有結合した酸不安定性基を含むカチオン成分を含んでもよく、ここでは酸不安定性基切断産物は、比較的かさ高い部分、例えば、炭素脂環式(全炭素環原子を有する非芳香環)、ヘテロ脂環式(1個または複数のN、OまたはS環原子を有する非芳香環)、任意選択により置換されたフェニル、ナフチルおよびアントラセニルなどの芳香族基を含む。例えば、好ましいのは、任意選択により置換されたシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、アダマンチル、フェニル、ナフチルまたは単一もしくは複数−環構造の5〜20個またはそれ以上の環原子を有する他の基を含むような酸不安定性基である。
本発明の特に好ましいフォトレジストは、撮像有効量の2種以上の本明細書に開示する酸発生剤化合物と、適当なポリマー成分とを含んでもよい。
本発明のフォトレジスト組成物のレリーフ像(50nm下または20nm下の寸法を有するパターン化ラインを含む)を形成する方法も提供される。本発明のフォトレジスト組成物が上にコーティングされたマイクロ電子ウエハーなどの基板も提供される。
本明細書に言及するように、酸発生剤は、EUV放射線、e−ビーム放射線または193nm波長放射線などの他の放射線源などの活性化放射線に露光すると、酸を生成することができる。本明細書に言及する酸発生剤化合物は、光酸発生剤化合物とも呼ばれ得る。
酸発生剤から生成された酸のpKa値についての本明細書における言及は、ACD Lab(Advanced Chemistry Development,Inc.、トロント、カナダ)構造設計ソフトウェアバージョン12.5を用いて計算される値を示す。
また、理解されるべきであるように、本明細書に言及するように、式(I)、(II)、(III)および/または(IV)についての言及を含めて、スルホン酸部分のα位の電子求引部分は、ハロゲン(フルオロを含む)、シアノ、ニトロなどの1個または複数の電子求引置換基を有する炭素原子がスルホン酸部分に直接結合している(炭素原子とスルホン酸のSとの間に介在している原子がない)場合を含む。したがって、例えば、−CF2−SO3 −および−CH(CN)−SO3 −基がスルホン酸部分のα位に少なくとも1個の電子求引置換基を有するスルホン酸部分の例である。−CH2−SO3 −、−CF2−CH2−SO3 −、−CH2−COO−および−CF2−CH2−(SO3NH2 −)は、それぞれスルホン酸、カルボン酸またはスルファミン酸部分に対するα位に電子求引基を含まないスルホン酸、カルボン酸またはスルファミン酸アニオンの例である。
酸発生剤
上記のように、1つの好ましい態様では、活性化放射線に露光すると異なるpKa値の酸を生成し、少なくとも1種の酸発生剤は共有結合した酸不安定性部分を含む、2種以上の酸発生剤のブレンドが提供される。
上記のように、1つの好ましい態様では、活性化放射線に露光すると異なるpKa値の酸を生成し、少なくとも1種の酸発生剤は共有結合した酸不安定性部分を含む、2種以上の酸発生剤のブレンドが提供される。
酸発生剤の適当な酸不安定性基は、任意選択により置換されたエチルシクロペンチルエステル、メチルアダマンチルエステル、エチルアダマンチルエステル、t−ブチルエステル、フェニルエステル、ナフチルエステルなどの酸不安定性エステルおよびアセタールを含む種々の部分であってもよい。本明細書に言及するように、酸不安定性部分または基(酸不安定性エステルおよびアセタールを含む)は、任意の放射線露光後の熱曝露を含む典型的なリソグラフィ工程中に(レジスト中の酸発生剤化合物から)生成された酸の存在下で反応を受ける。本明細書に言及する酸不安定性基はまた、光酸不安定性基とも呼ばれ得る。
本酸発生剤の好ましい酸不安定性基は、式−C(=O)O(CH2)n(C=O)O−ALG(nは1〜12の整数であり、好ましくは、nは1、2、3または4であり、ALGはt−ブチルまたは1−エチルシクロペンチルもしくはメチルアダマンチルなどの結合した四級炭素を有する環系などの酸不安定性部分をもたらす基(例えば、エステルに結合した四級炭素をもたらす)である)の基などの酸不安定性エステル部分を含んでもよい。
特定の態様では、本明細書に開示する酸発生剤は、式(V):
−(C=O)OR3 (V)
(式(V)中、R3はカルバメート、酸不安定性エステルまたはアセタール基などの酸不安定性部分を提供する非水素置換基である)
の酸不安定性エステル結合を含んでもよい。例えば、代表的な好ましいR3基には、t−ブチル、より好ましくはR3が−(CH2)n(C=O)O−ALG(nは1〜12の整数であり、好ましくは、nは1、2、3または4であり、ALGはt−ブチルまたは1−エチルシクロペンチルもしくはメチルアダマンチルなどの結合した四級炭素を有する環系などの酸不安定性部分をもたらす基(例えば、エステルに結合した四級炭素をもたらす)である)であるようなさらなるエステル結合が含まれる。
−(C=O)OR3 (V)
(式(V)中、R3はカルバメート、酸不安定性エステルまたはアセタール基などの酸不安定性部分を提供する非水素置換基である)
の酸不安定性エステル結合を含んでもよい。例えば、代表的な好ましいR3基には、t−ブチル、より好ましくはR3が−(CH2)n(C=O)O−ALG(nは1〜12の整数であり、好ましくは、nは1、2、3または4であり、ALGはt−ブチルまたは1−エチルシクロペンチルもしくはメチルアダマンチルなどの結合した四級炭素を有する環系などの酸不安定性部分をもたらす基(例えば、エステルに結合した四級炭素をもたらす)である)であるようなさらなるエステル結合が含まれる。
別の特定の態様では、本明細書に開示する酸発生剤は、式(VI):
−O(CXY)nR3 (VI)
(式(VI)中、XおよびYは独立に水素またはハロゲン(F、Cl、Br、I)、C1〜10アルキル、C1〜10アルコキシなどの非水素置換基であり;R3はカルバメート、酸不安定性エステルまたはアセタール基などの酸不安定性基を提供する非水素置換基であり;nは1〜20のいずれかなどの正の整数であり、より典型的にはnは1〜10または1〜4のいずれかである)
の酸不安定性エステル結合を含んでもよい。代表的な好ましいR3基には、t−ブチル、より好ましくはR3が−(CH2)n(C=O)O−ALG(nは1〜12の整数であり、好ましくは、nは1、2、3または4であり、ALGはt−ブチルまたは1−エチルシクロペンチルもしくはメチルアダマンチルなどの結合した四級炭素を有する環系などの酸不安定性部分をもたらす基(例えば、エステルに結合した四級炭素をもたらす)である)であるようなさらなるエステル結合が含まれる。
−O(CXY)nR3 (VI)
(式(VI)中、XおよびYは独立に水素またはハロゲン(F、Cl、Br、I)、C1〜10アルキル、C1〜10アルコキシなどの非水素置換基であり;R3はカルバメート、酸不安定性エステルまたはアセタール基などの酸不安定性基を提供する非水素置換基であり;nは1〜20のいずれかなどの正の整数であり、より典型的にはnは1〜10または1〜4のいずれかである)
の酸不安定性エステル結合を含んでもよい。代表的な好ましいR3基には、t−ブチル、より好ましくはR3が−(CH2)n(C=O)O−ALG(nは1〜12の整数であり、好ましくは、nは1、2、3または4であり、ALGはt−ブチルまたは1−エチルシクロペンチルもしくはメチルアダマンチルなどの結合した四級炭素を有する環系などの酸不安定性部分をもたらす基(例えば、エステルに結合した四級炭素をもたらす)である)であるようなさらなるエステル結合が含まれる。
このようなエステル含有酸不安定性基(式Vのものなど)またはエーテル含有酸不安定性基(式VIのものなど)は、酸発生剤の任意の種々の利用可能な位置で置換基となり得る。特定の好ましい態様では、エステル含有酸不安定性基は、酸発生剤化合物のフェニルまたはナフチルもしくはアントラセニル環などの多環芳香環などの炭素環式アリール基の環置換基であるであろう。
特定の態様では、酸発生剤はまた、複数の別個の酸不安定性基を含む、複数の酸不安定性基を含んでもよく、例えば、少なくとも1個のエステル含有酸不安定性基(式Vのものなど)ならびに少なくとも1個のエーテル含有酸不安定性基(式VIのものなど)を含む酸発生剤を含む。
上記式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)および(VI)では、適当な非水素置換基は、ハロ(F、Cl、BrまたはI);シアノ、ニトロ、ヒドロキシ、任意選択により置換されたC1〜20アルキル、任意選択により置換されたC1〜20アルコキシ、例えば任意選択により置換されたアルキル(例えば、任意選択により置換されたC1〜C10アルキル)、アリルなどの好ましくは2〜約20個の炭素原子を有する任意選択により置換されたアルケニルまたはアルキニル;好ましくは1〜約20個の炭素原子を有する任意選択により置換されたケトン;好ましくは1〜約20個の炭素原子を有する任意選択により置換されたアルキルチオ;好ましくは1〜約20個の炭素原子を有する任意選択により置換されたアルキルスルフィニル;好ましくは1〜約20個の炭素原子を有する任意選択により置換されたアルキルスルホニル;好ましくは1〜約20個の炭素原子を有する任意選択により置換されたカルボキシ(光酸と実質的に非反応性のエステルを含む、−COOR’(R’はHまたはC1〜8アルキルである)などの基を含む);任意選択により置換されたベンジル、任意選択により置換されたフェニル、ナフチル、アセナフチルなどの任意選択により置換された炭素環式アリール、またはピリジル、フラニル、ピロール、チオフェン、フラン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、トリアゾール、フランザン、オキサジアゾール、チアジアゾール、ジチアゾール、テトラゾール、ピラン、チオピラン、ジアジン、オキサジン、チアジン、ジオキシン、ジチンおよびトリアジンなどの任意選択により置換されたヘテロ脂環式もしくはヘテロ芳香族基、およびこのような部分の1種または複数を含むポリ芳香族基などの非水素置換基であり得る。
上記のように、酸発生剤(式(I)、(II)、(III)、(IV)の酸発生剤を含む)は、適当には例えば、Cl、BrまたはFなどのハロゲン(Fが好ましい)、ペルフルオロアルキルを含むC1〜20ハロアルキル(フルオロアルキルが好ましい);シアノ;ニトロ;C1〜20アルキルスルホニル、−COOH;および>C=Oであり得る電子求引部分を含んでもよい。
上記のように、酸発生剤および他の材料の種々の部分は任意選択により置換されていてもよい。「置換された」置換基は、例えば、ハロゲン(特に、F、ClまたはBr);シアノ;ニトロ;C1〜8アルキル;C1〜8アルコキシ;C1〜8アルキルチオ;C1〜8アルキルスルホニル;C2〜8アルケニル;C2〜8アルキニル;水酸基;ニトロ;C1〜6アルカノイルなどのアルカノイル、例えば、アシル、ハロアルキル、特にCF3などのハロアルキル;−CONHR、−CONRR’(RおよびR’は任意選択により置換されたC1〜8アルキルである);−COOH、COC、>C=Oなどの1個または複数の適当な基により、1個または複数の利用可能な位置、典型的には1、2または3個の位置で置換されていてもよい。
本発明の酸発生剤は容易に調製され得る。代表的な好ましい合成は以下の実施例に示される。したがって、例えば、ジベンゾチオフェンオキシドは、適当にはイートン試薬の存在下で置換されたフェニル試薬との反応によるなどして、官能化されてスルホニウム塩を提供することができる。こうして形成されたスルホニウム塩は、所望のようにさらに官能化されて、例えば1個または複数の共有結合した酸不安定性基を提供することができる。
フォトレジスト組成物
上記のように、本明細書に開示する酸発生剤は、ポジ型とネガ型化学増幅型レジスト組成物の両方を含む、フォトレジスト組成物における感放射線性成分として有用である。
上記のように、本明細書に開示する酸発生剤は、ポジ型とネガ型化学増幅型レジスト組成物の両方を含む、フォトレジスト組成物における感放射線性成分として有用である。
本発明のフォトレジストは、典型的には本明細書に開示するようにポリマーと2種以上の酸発生剤とを含む。好ましくは、ポリマーはアルカリ水溶液現像性をレジスト組成物に与える官能基を有する。例えば、好ましいのは水酸基もしくはカルボン酸などの極性官能基、またはリソグラフィ工程でこのような極性部分を遊離させることができる酸不安定性基を含むポリマーである。好ましくは、ポリマーは、レジストをアルカリ水溶液で現像可能にするのに十分な量でレジスト組成物に使用される。
酸発生剤はまた、適当にはフェノールを含む任意選択により置換されたフェニル、任意選択により置換されたナフチルおよび任意選択により置換されたアントラセンなどの芳香族基を含む反復単位を含むポリマーと共に使用される。任意選択により置換されたフェニル(フェノールを含む)含有ポリマーは、EUVおよびe−ビーム放射線で撮像されるものを含む多くのレジスト系に特に適している。ポジ型レジストについては、ポリマーはまた、好ましくは酸不安定性基を含む1個または複数の反復単位を含む。例えば、任意選択により置換されたフェニルまたは他の芳香族基を含むポリマーの場合、ポリマーは、アクリレートまたはメタクリレート化合物のモノマーと酸不安定性エステル(例えば、t−ブチルアクリレートまたはt−ブチルメタクリレート)の重合により形成されるポリマーなどの、1個以上の酸不安定性部分を含む反復単位を含んでもよい。このようなモノマーは、任意選択によりフェニルなどの芳香族基(複数可)を含む1種または複数の他のモノマー、例えば、スチレンまたはビニルフェノールモノマーと共重合されてもよい。
このようなポリマーを形成するために使用される好ましいモノマーには、以下の式(V)を有する酸脱保護可能モノマー、以下の式(VI)のラクトン含有モノマー、アルカリ性現像液中での溶解速度を調節するための以下の式(VII)の塩基可溶モノマー、および以下の式(VIII)の光酸発生モノマー、または前記モノマーの少なくとも1種を含む組み合わせが含まれる:
(式中、各Raは独立にH、F、−CN、C1〜10アルキルまたはC1〜10フルオロアルキルである)。式(V)の酸脱保護可能モノマー中、Rbは独立にC1〜20アルキル、C3〜20シクロアルキル、C6〜20アリールまたはC7〜20アラルキルであり、各Rbは別々であるか、または少なくとも1個のRbは隣接Rbと結合して環構造を形成する。式(VI)のラクトン含有モノマー中、Lは単環、多環または縮合多環C4〜20ラクトン含有基である。式(VII)の塩基可溶モノマー中、Wは12以下のpKaを有するハロゲン化または非ハロゲン化、芳香族または非芳香族C2〜50水酸基含有有機基である。式(VIII)の光酸発生モノマー中、Qはエステル含有または非エステル含有およびフッ化または非フッ化であり、C1〜20アルキル、C3〜20シクロアルキル、C6〜20アリールまたはC7〜20アラルキル基であり、Aはエステル含有または非エステル含有およびフッ化または非フッ化であり、C1〜20アルキル、C3〜20シクロアルキル、C6〜20アリールまたはC7〜20アラルキルであり、Z−はカルボン酸、スルホン酸、スルホンアミドのアニオン、またはスルホンイミドのアニオンを含むアニオン性部分であり、G+はスルホニウムまたはヨードニウムカチオンである。
適当なラクトンモノマーは、以下の式(IX):
(式中、RaはH、F、−CN、C1〜6アルキルまたはC1〜6フルオロアルキルであり、RはC1〜10アルキル、シクロアルキルまたはヘテロシクロアルキルであり、wは0〜5の整数である)
のものであり得る。式(IX)中、Rはラクトン環に直接結合しているあるいはラクトン環および/または1個または複数のR基に一般的に結合しており、エステル部分はラクトン環に直接またはRを通して間接的に結合している。
のものであり得る。式(IX)中、Rはラクトン環に直接結合しているあるいはラクトン環および/または1個または複数のR基に一般的に結合しており、エステル部分はラクトン環に直接またはRを通して間接的に結合している。
適当な塩基可溶モノマーは、以下の式(X):
(式中、各Raは独立にH、F、−CN、C1〜10アルキルまたはC1〜10フルオロアルキルであり、Aは水酸基含有または非水酸基含有、エステル含有または非エステル含有、フッ化または非フッ化C1〜20アルキレン、C3〜20シクロアルキレン、C6〜20アリーレンまたはC7〜20アラルキレンであり、xは1〜4の整数であり、式中xが0である場合、Aは水酸基含有C6〜20アリーレンである)
のものであり得る。
のものであり得る。
好ましい光酸発生モノマーには、式(XI)または(XII):
(式中、各Raは独立にH、F、−CN、C1〜6アルキルまたはC1〜6フルオロアルキルであり、Aはフッ素置換C1〜30アルキレン基、フッ素置換C3〜30シクロアルキレン基、フッ素置換C6〜30アリーレン基またはフッ素置換C7〜30アルキレン−アリーレン基であり、G+はスルホニウムまたはヨードニウムカチオンである)
のものが含まれる。
のものが含まれる。
好ましくは、式(XI)および(XII)中、Aは−[(C(R1)2)xC(=O)O]b−C((R2)2)y(CF2)z基、またはo−、m−もしくはp−置換−C6F4基(各R1およびR2はそれぞれ独立にH、F、−CN、C1〜6フルオロアルキルまたはC1〜6アルキルであり、bは0または1であり、xは1〜10の整数であり、yおよびzは独立に0〜10の整数であり、y+zの和は少なくとも1である)である。
代表的な好ましい光酸発生モノマーには、
または前記の少なくとも1種を含む組み合わせ(各Raは独立にH、F、−CN、C1〜6アルキルまたはC1〜6フルオロアルキルであり、kは0〜5の整数であり、G+はスルホニウムまたはヨードニウムカチオンである)
が含まれる。
が含まれる。
好ましい光酸発生モノマーは、スルホニウムまたはヨードニウムカチオンを含んでもよい。好ましくは、式(IV)中、G+は式(XIII):
(式中、XはSまたはIであり、各R0はハロゲン化または非ハロゲン化であり、独立にC1〜30アルキル基;多環または単環C3〜30シクロアルキル基;多環または単環C4〜30アリール基;または前記の少なくとも1種を含む組み合わせであり、式中、XがSである場合、R0基の少なくとも1個は任意選択により単結合により1個の隣接R0基に結合しており、aは2または3であり、式中、XがIである場合aは2であるか、あるいはXがSである場合、aは3である)
のものである。
のものである。
本発明のポジ型化学増幅型フォトレジストに使用するための酸不安定性分解基を有する特に適当なポリマーは、欧州特許出願公開第0829766A2号明細書(アセタールを有するポリマーおよびケタールポリマー)および欧州特許出願公開第EP0783136A2号明細書((1)スチレン;(2)ヒドロキシスチレン;および酸不安定性基、特にアルキルアクリレート酸不安定性基の単位を含むターポリマーおよび他のコポリマー)に開示されている。
本発明のフォトレジストに使用するためのポリマーは、適当には分子量および多分散度が広く変化し得る。適当なポリマーには、約3以下の分子量分布、より典型的には約2以下の分子量分布で、約1000〜約50000、より典型的には約2000〜約30000のMwを有するものが含まれる。
本発明の好ましいネガ型組成物は、本明細書に開示するように、酸に露光すると硬化(cure)、架橋または硬化(harden)する材料の混合物と、2種以上の光酸発生剤とを含む。好ましいネガ型組成物は、フェノール系または非芳香族ポリマーなどのポリマーバインダーと、架橋剤成分と、本発明の光酸成分とを含む。このような組成物およびその使用は、欧州特許出願公開第0164248号明細書およびThackerayらの米国特許第5128232号明細書に開示されている。ポリマーバインダー成分として使用するための好ましいフェノール系ポリマーには、ノボラックおよび上記のものなどのポリ(ビニルフェノール)が含まれる。好ましい架橋剤には、メラミン、グリコールウリルを含むアミン系材料、ベンゾグアナミン系材料および尿素系材料が含まれる。メラミン−ホルムアルデヒドポリマーが、通常特に適している。このような架橋剤は市販されており、例えば、CytecからCymel301、303、1170、1171、1172、1123および1125ならびにBeetle60、65および80という商品名で販売されているものなどのメラミンポリマー、グリコールウリルポリマー、尿素系ポリマー、およびベンゾグアナミンポリマーがある。
本発明のフォトレジストはまた他の材料を含んでもよい。例えば、他の任意の添加剤には、光線性およびコントラスト染料、抗紋理剤(anti−striation agent)、可塑剤、速度向上剤および増感剤が含まれる。このような任意の添加剤は、典型的にはフォトレジスト組成物中に微量濃度で存在するであろう。
あるいは、またはさらに、他の添加剤には、例えば、水酸化物、カルボン酸塩、アミン、イミンおよびアミドに基づくものなどの非光破壊可塩基であるクエンチャーが含まれ得る。好ましくは、このようなクエンチャーにはC1〜30有機アミン、イミンまたはアミドが含まれ、あるいは強塩基(例えば、水酸化物もしくはアルコキシド)または弱塩基(例えば、カルボン酸塩)のC1〜30第四級アンモニウム塩であってもよい。代表的なクエンチャーには、トリプロピルアミン、ドデシルアミン、トリス(2−ヒドロキシプロピル)アミン、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンなどのアミン;ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、アミノフェノールおよび2−(4−アミノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンなどのアリールアミン、トレーガー塩基、ジアザビシクロウンデセン(DBU)またはジアザビシクロノネン(DBN)などのヒンダードアミン、あるいはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド(TBAH)または乳酸テトラブチルアンモニウムなどの四級アルキルアンモニウムを含むイオン性クエンチャーが含まれる。
界面活性剤には、フッ化および非フッ化界面活性剤が含まれ、好ましくは非イオン性である。代表的なフッ化非イオン性界面活性剤には、3M Corporationから市販されているFC−4430およびFC−4432界面活性剤などのペルフルオロC4界面活性剤;ならびにOmnova製のPOLYFOX PF−636、PF−6320、PF−656およびPF−6520フルオロ界面活性剤などのなどのフルオロジオールが含まれる。
フォトレジストは、フォトレジストに使用される成分を溶解、分散およびコーティングするのに一般的に適した溶媒をさらに含む。代表的な溶媒にはアニソール、乳酸エチル、1−メトキシ−2−プロパノールおよび1−エトキシ−2−プロパノールを含むアルコール、n−ブチルアセテート、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、エトキシエトキシプロピオネートを含むエステル、シクロヘキサノンおよび2−ヘプタノンを含むケトン、ならびに前記溶媒の少なくとも1種を含む組み合わせが含まれる。
このようなフォトレジストは、固形総重量基準で、50〜99重量%、具体的には55〜95重量%、より具体的には60〜90重量%、なおより具体的には65〜90重量%の量のポリマーを含んでもよい。光破壊可能塩基は、固形総重量基準で、0.01〜5重量%、具体的には0.1〜4重量%、なおより具体的には0.2〜3重量%の量でフォトレジスト中に存在してもよい。界面活性剤は、固形総重量基準で、0.01〜5重量%、具体的には0.1〜4重量%、なおより具体的には0.2〜3重量%の量で含まれてもよい。クエンチャーは、例えば、固形総重量基準で、0.03〜5重量%の比較的少量で含まれてもよい。他の添加剤は、固形総重量基準で、50重量%以下、具体的には35重量%以下、より具体的には25重量%以下の量で含まれてもよい。フォトレジスト組成物の全固形分は、固形分および溶媒の総重量基準で、0.5〜50重量%、具体的には1〜45重量%、より具体的には2〜40重量%、なおより具体的には5〜30重量%であり得る。酸発生剤は、レジストのコーティング層で潜像を形成することを可能にするのに十分な量で存在すべきである。より具体的には、2種以上の酸発生剤は、適当にはレジストの全固形分の約1〜50重量%の量で存在するであろう。固形分にはポリマー、クエンチャー、界面活性剤、および溶媒を除く任意の添加剤が含まれることが理解されるであろう。
コーティングされた基板は、レジストおよび酸発生剤のコーティング層で潜像を形成することを可能にするのに十分な量で存在すべきである酸発生剤を含むフォトレジストから形成され得る。このようなコーティングされた基板は、(a)1つまたは複数の層が表面上にパターン化された基板;および(b)パターン化された1つまたは複数の層の上の酸発生剤化合物を含むフォトレジスト組成物の層を含む。EUVまたはe−ビーム撮像については、フォトレジストは、適当には比較的高い含量の酸発生剤化合物を有し、例えば、1種または複数の酸発生剤がレジストの全固形分の5〜10〜約65重量%を構成する。典型的にはより少量の光活性成分が化学増幅型レジストに適しているであろう。
本発明のフォトレジストは、一般的に、本発明の1種または複数の酸発生剤化合物がこのようなフォトレジストの形成に使用される従来の光活性化合物に置き換えられることを除いて、既知の手順に従って調製される。本発明のフォトレジストは、既知の手順にしたがって使用され得る。
基板は、任意の寸法および形状であってもよく、好ましくはシリコン、二酸化シリコン、シリコンオンインシュレーター(SOI)、ストレインドシリコン、ヒ化ガリウムなどのフォトリソグラフィに有用なもの、窒化シリコン、酸窒化シリコン、窒化チタン、窒化タンタル、酸化ハフニウムなどの極薄ゲート酸化物でコーティングされたものを含む基板、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、タングステン、これらの合金およびこれらの組み合わせでコーティングされたものを含む金属または金属コーティング基板である。好ましくは、本明細書の基板の表面は、例えば、半導体製造用の基板上に1つまたは複数のゲートレベル層または他の限界寸法層を含む、パターン化される限界寸法層を含む。このような基板は、好ましくは、例えば、20cm、30cmまたはより大きな直径、またはウエハー組み立て製造に有用な他の寸法などの寸法を有する円形ウエハーとして形成される、シリコン、SOI、ストレインドシリコン、および他のこのような基板材料を含んでもよい。
さらに、電子デバイスを形成する方法は、(a)基板の表面にフォトレジスト組成物の層を塗布するステップと;(b)フォトレジスト組成物層を活性化放射線にパターン露光するステップと;(c)露光したフォトレジスト組成物層を現像してレジストレリーフ像を得るステップとを含む。
塗布は、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、ドクターブレード法などを含む任意の適当な方法により達成され得る。フォトレジストの層の塗布は、好ましくはコーティングトラックを使用して溶媒中のフォトレジストをスピンコーティングすることにより達成され、ここではフォトレジストは回転しているウエハー上に分配される。分配中、ウエハーは、最大4000rpmまで、好ましくは約500〜3000rpm、より好ましくは1000〜2500rpmの速度で回転され得る。コーティングされたウエハーは回転して溶媒を除去され、ホットプレート上で焼かれてフィルムから残留溶媒および自由体積を除去されて均一に密にされる。
次いで、ステッパなどの露光器具を使用してパターン露光が行われ、ここではフィルムがパターンマスクを通して照射され、それによってパターン露光される。この方法は、好ましくは極端紫外線(EUV)またはe−ビーム放射線を含む、高解像度が可能である波長での活性化放射線を発生させる先端露光器具を使用する。活性化放射線を使用した露光は、露光領域のPAGを分解し、酸および分解副産物を生成すること、ならびに次いで酸がポリマー中の化学変化をもたらす(露光領域中で酸感受性基を分解して塩可溶基を生成する、あるいは架橋反応を触媒する)ことが認識されるであろう。このような露光器具の解像度は30nm未満であり得る。
次いで、露光フォトレジスト層を現像することは、露光層を、フィルムの露光部分を選択的に除去する(フォトレジストがポジ型である場合)またはフィルムの非露光部分を除去する(フォトレジストが露光領域で架橋性、すなわち、ネガ型である場合)ことができる適当な現像液で処理することにより達成される。好ましくは、フォトレジストは酸感受性(脱保護可能)基を有するポリマーに基づくポジ型であり、現像液は好ましくは例えば、0.26Nテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液などの金属イオンを含まないテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド溶液である。現像することによりパターンが形成する。
さらに、ポジ型レジストについては、非露光領域がネガ型現像に適した非極性溶媒により処理により選択的に除去され得る。ポジ型フォトレジストのネガ型現像に適した手順については米国特許出願公開第2011/0294069号明細書を参照されたい。ネガ型現像用の典型的な非極性溶媒は、ケトン、エステル、炭化水素およびこれらの混合物、例えば、アセトン、2−ヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ブチルおよびテトラヒドロフランから選択される溶媒などの有機現像液である。
フォトレジストは、1つまたは複数のこのようなパターン形成工程に使用される場合、メモリデバイス、プロセッサチップ(CPU)、グラフィックチップ、および他のこのようなデバイスなどの電子および光電子デバイスを組み立てるために使用され得る。
E−sizeおよび露光寛容度%(EL%)を、100nmの焦点深度(DoF)に制限した10%限界寸法(CD)境界を用いて露光量および焦点(FEM)を通してCDデータから計算した。表4および5について、CDUを、1つのFOV(視野)当たり20のCHを測定し、最良焦点および最良エネルギー周りで測定した9つのFOV視野を使用して計算した。表2、3および6については、FOV CDUは、全て最良露光/最良焦点以内で、各FOVについて36のCHを測定し、10のFOVについて計算した3シグマである。
実施例1:カンファースルホン酸銀塩の調製
酸化銀(2.74g、11.8mmol)をカンファースルホン酸(5.00g、21.5mmol)のアセトニトリル(50mL)中溶液に添加し、室温で一晩撹拌し、濾過および濃縮して白色固体として標記化合物(7.00g、95%)を得た。1H NMR(300MHz、(CD3)2SO)δ:2.94(d、J=14.6Hz、1H)、2.60〜2.72(m、1H)、2.43(d、J=14.6Hz、1H)、2.25(dt、J=14.6、3.6Hz、1H)、1.96(t、J=4.5Hz、1H)、1.76〜1.91(m、2H)、1.25〜1.37(m、2H)、1.06(s、3H)、0.76(s、3H)。
実施例2:3−ヒドロキシアダマンタンカルボン酸銀塩の調製
酸化銀(5.79g、49.8mmol)を3−ヒドロキシアダマンタンカルボン酸(10.0g、51mmol)のアセトン(250mL)および水(250mL)中溶液に添加し、室温で一晩撹拌した。沈殿を濾過し、1:1アセトン:水(3×250mL)、MTBE(3×200mL)で洗浄し、乾燥させて灰白色固体として標記化合物(13.2g、86%)を得た。1H NMR(300MHz、(CD3)2SO)δ:2.94(d、J=14.6Hz、1H)、2.60〜2.72(m、1H)、4.36(s、1H)、2.50〜2.54(m、2H)、1.20〜1.78(m、12H)。
実施例3:5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウムカンファースルホン酸塩の調製
メタノール(50mL)および水(5mL)中カンファースルホン酸銀塩(2.84g、8.34mmol)を5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム臭化物のメタノール(100mL)中溶液に添加し、室温で一晩撹拌した。反応混合物を濾過、濃縮し、ジクロロメタン(200mL)で希釈し、水(3×200mL)で洗浄し、濃縮して白色固体として標記化合物(4.4g、76%)を得た。1H NMR(300MHz、(CD3)2CO)δ:8.87〜8.55(m、4H)、7.96(dt、J=7.5、0.5Hz、2H)、7.74(dt、J=7.5、0.5Hz、2H)、7.59(s、2H)、4.53(s、2H)、3.13(d、J=15.5Hz、1H)、3.00、3.09(m、1H)、2.61(d、J=15Hz、1H)、2.28(s、6)、1.90〜2.12(m、7H)、1.76(d、J=15Hz、1H)、1.55〜1.72(m、6H)、1.35〜1.43(m、1H)、1.23〜1.33(m、1H)、1.22(s、3H)、1.12(s、3H)、0.84(t、J=7.5Hz、3H)。
実施例4:5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタンカルボン酸塩の調製
メタノール(250mL)中5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム臭化物(14.283g、26.47mmol)をメタノール(250mL)および水(62.5mL)中3−ヒドロキシアダマンタンカルボン酸銀塩(8.024g、26.47mmol)の不均一溶液に添加し、室温で一晩撹拌した。反応混合物を真空中50℃で濾過、濃縮および乾燥させて白色固体として標記化合物(16.9g、98%)を得た。1H NMR(300MHz、(CD3)2SO)δ:8.52(d、J=8Hz、2H)、8.36(d、J=8.5Hz、2H)、7.96(t、J=7.5Hz、2H)、7.76(t、J=7.5Hz、2H)、7.33(s、2H)、4.52(s、2H)、4.0〜4.2(brs、1OH)、2.49〜2.55(m、2H)、2.22(s、6H)、1.90〜2.04(m、6H)、1.37〜1.79(m、18H)、0.80(t、7Hz、3H)。
実施例5:10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル)−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−9,10−ジヒドロチオキサンチリウムカンファースルホン酸塩の調製
10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル)−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−9,10−ジヒドロチオキサンチリウムヨウ化物(0.500g、0.773mmol)およびカンファースルホン酸銀塩(0.262g、0.773mmol)をメタノール(20mL)に溶解し、室温で一晩撹拌した。反応混合物を濾過および濃縮して白色固体として標記化合物(0.581g、76%)を得た。1H NMR(300MHz、(CD3)2CO)δ:9.04(d、J=1.8Hz、1H)、8.65(dd、J=9.3、1.8Hz、1H)、8.37〜8.49(m、3H)、8.02〜8.15(m、4H)、7.46(d、J=9.0Hz、1H)、4.87(s、2H)、3.41(s、3H)、2.89〜3.08(m、2H)、2.48(d、J=14.8Hz、1H)、1.95〜2.28(m、8H)、1.56〜1.80(m、6H)、1.20〜1.33(m、1H)、1.17(s、3H)、1.13(s、3H)、0.92(t、J=6.9Hz、3H)。
実施例6:10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル)−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−2−(トリフルオロメチル)−9,10−ジヒドロチオキサンチリウムカンファースルホン酸塩の調製
(((1S,4S)−7,7−ジメチル−2−オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン−1−イル)メチルスルホニルオキシ)銀(0.0171g、0.00503mmol)を10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル)−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−2−(トリフルオロメチル)−9,10−ジヒドロチオキサンチリウムヨウ化物(0.0360g、0.00503mmol)のメタノール(3mL)中溶液に添加し、室温で5時間撹拌した。反応混合物を濾過および濃縮してオレンジ色固体として標記化合物(0.033g、80%)を得た。1H NMR(300MHz、(CD3)2CO)δ:9.19(vis s、1H)、8.84(vis s、1H)、8.52〜8.77(m、2H)、8.49(d、J=8.7Hz、1H)、8.32〜8.45(m、2H)、8.02〜8.28(m、2H)、7.45(d、J=8.7Hz、1H)、4.89(s、2H)、3.67(s、3H)、2.89〜3.08(m、2H)、2.42(d、J=14.8Hz、1H)、1.95〜2.28(m、8H)、1.56〜1.80(m、6H)、1.20〜1.33(m、1H)、1.17(s、3H)、1.13(s、3H)、0.96(t、J=6.9Hz、3H)。
実施例7:5−フェニル−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタンカルボン酸塩の調製
メタノール(50mL)中5−フェニル−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム臭化物(4.00g、11.7mmol)をメタノール(50ml)および水(12.5mL)中3−ヒドロキシアダマンタンカルボン酸銀塩(3.55g、11.7mmol)の不均一溶液に添加し、室温で一晩撹拌した。反応混合物を濾過、濃縮し、メチルtert−ブチルエーテルから沈殿させて白色固体として標記化合物(4.91g、91%)を得た。1H NMR(300MHz、(CD3)2SO)δ:8.53(d、J=7.5Hz、2H)、8.43(d、J=8Hz、2H)、7.96(t、J=7Hz、2H)、7.76(t、J=8Hz、2H)、7.54〜7.79(m、5H)、2.48〜2.55(brs、1OH)、1.46〜2.05(m、2H)、1.33〜1.56(m、12H)。
実施例8:5−フェニル−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム((1S,4S)−7,7−ジメチル−2−オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン−1−イル)メタンスルホン酸塩の調製
5−フェニル−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム臭化物(2.00g、5.86mmol)および(((1S,4S)−7,7−ジメチル−2−オキソビシクロ[2.2.1]ヘプタン−1−イル)メチルスルホニルオキシ)銀(1.99g、5.86mmol)をメタノール(30mL)および水(1mL)に溶解し、室温で一晩撹拌した。反応混合物を濾過および濃縮して白色固体として標記化合物(2.87g、99%)を得た。1H NMR(300MHz、(CD3)2SO)δ:8.52(d、J=7.5Hz、2H)、8.38(d、J=7.5Hz、2H)、7.96(t、J=7Hz、2H)、7.76(t、J=7.5Hz、2H)、7.70(t、J=7.5Hz、1H)、7.56〜7.67(m、4H)、2.85(d、J=14.5Hz、1H)、2.65〜2.77(m、1H)、2.35(d、J=15Hz、1H)、2.19〜2.28(m、1H)、1.78〜1.88(m、3H)、1.26(m、2H)、1.05(s、3H)、0.74(s、3H)。
実施例9:酸発生剤単位を使用したポリマーの調製
2−フェニルプロパン−2−イルメタクリレート(0.39g)、2−オキソテトラヒドロフラン−3−イルメタクリレート(0.33g)、3,5−ビス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−2−イル)シクロヘキシルメタクリレート(0.57g)および5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム1,1−ジフルオロ−2−(メタクリロイルオキシ)エタンスルホネート(0.31g)をアセトニトリル/テトラヒドロフラン(2/1v/v)12.81gに溶解することによりヒール溶液(heel solution)を作成した。2−フェニルプロパン−2−イルメタクリレート(185.54g、0.967mol)、2−オキソテトラヒドロフラン−3−イルメタクリレート(204.27g、1.26mol)、3,5−ビス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−2−イル)シクロヘキシルメタクリレート(127.98g、0.29mol)および5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム1,1−ジフルオロ−2−(メタクリロイルオキシ)エタンスルホネート(81.5g、0.132mol)を乳酸エチル:γ−ブチルラクトン(30/70v/v)606gに溶解することにより供給溶液を調製した。開始剤(V−65)65.96gをアセトニトリル/テトラヒドロフラン(2/1v/v)66gに溶解することにより開始剤溶液を調製した。水凝縮器およびフラスコ中の反応を監視するための温度計を備えた2L三つ口丸底フラスコ中で重合を行った。内容物を、オーバーヘッド攪拌機を使用して撹拌した。反応器にヒール溶液を充填し、内容物を75℃に加熱した。供給溶液および開始剤溶液を、シリンジポンプを使用して4時間の期間にわたって反応器に供給した。次いで、内容物をさらに2時間撹拌し、それによって、ヒドロキノン(2.0g)を使用して反応をクエンチした。内容物を室温に冷却し、10×(重量による)IPE/MeOH95/5(w/w)から2回沈殿させた。得られたポリマーを各沈殿ステップ後に50℃で24時間、真空中で乾燥させてポリマー500gを得た。
2−フェニルプロパン−2−イルメタクリレート(0.39g)、2−オキソテトラヒドロフラン−3−イルメタクリレート(0.33g)、3,5−ビス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−2−イル)シクロヘキシルメタクリレート(0.57g)および5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム1,1−ジフルオロ−2−(メタクリロイルオキシ)エタンスルホネート(0.31g)をアセトニトリル/テトラヒドロフラン(2/1v/v)12.81gに溶解することによりヒール溶液(heel solution)を作成した。2−フェニルプロパン−2−イルメタクリレート(185.54g、0.967mol)、2−オキソテトラヒドロフラン−3−イルメタクリレート(204.27g、1.26mol)、3,5−ビス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−2−イル)シクロヘキシルメタクリレート(127.98g、0.29mol)および5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム1,1−ジフルオロ−2−(メタクリロイルオキシ)エタンスルホネート(81.5g、0.132mol)を乳酸エチル:γ−ブチルラクトン(30/70v/v)606gに溶解することにより供給溶液を調製した。開始剤(V−65)65.96gをアセトニトリル/テトラヒドロフラン(2/1v/v)66gに溶解することにより開始剤溶液を調製した。水凝縮器およびフラスコ中の反応を監視するための温度計を備えた2L三つ口丸底フラスコ中で重合を行った。内容物を、オーバーヘッド攪拌機を使用して撹拌した。反応器にヒール溶液を充填し、内容物を75℃に加熱した。供給溶液および開始剤溶液を、シリンジポンプを使用して4時間の期間にわたって反応器に供給した。次いで、内容物をさらに2時間撹拌し、それによって、ヒドロキノン(2.0g)を使用して反応をクエンチした。内容物を室温に冷却し、10×(重量による)IPE/MeOH95/5(w/w)から2回沈殿させた。得られたポリマーを各沈殿ステップ後に50℃で24時間、真空中で乾燥させてポリマー500gを得た。
実施例10:酸発生剤単位を使用したポリマーのさらなる調製
5−フェニル−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム1,1−ジフルオロ−2−(メタクリロイルオキシ)エタンスルホネートを5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム1,1−ジフルオロ−2−(メタクリロイルオキシ)エタンスルホネートの代わりに使用したことを除いて、実施例9に使用したのと同一工程をポリマーの調製に使用した。
5−フェニル−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム1,1−ジフルオロ−2−(メタクリロイルオキシ)エタンスルホネートを5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム1,1−ジフルオロ−2−(メタクリロイルオキシ)エタンスルホネートの代わりに使用したことを除いて、実施例9に使用したのと同一工程をポリマーの調製に使用した。
実施例11:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液55.432g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液94.235g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液13.304g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液1.109g、乳酸エチル48.170gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル87.750gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液55.432g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液94.235g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液13.304g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液1.109g、乳酸エチル48.170gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル87.750gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例12:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液8.050g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.404g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液1.225g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.161g、乳酸エチル9.460gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液8.050g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.404g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液1.225g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.161g、乳酸エチル9.460gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例13:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.615g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム4−((4R)−4−((8R,9S,10S,13R,14S,17R)−10,13−ジメチル−3,7,12−トリオキソヘキサデカヒドロ−1H−シクロペンタ[a]フェナントレン−17−イル)ペンタノイルオキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液11.013g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.892g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液0.651g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.152g、乳酸エチル7.976gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.700gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.615g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム4−((4R)−4−((8R,9S,10S,13R,14S,17R)−10,13−ジメチル−3,7,12−トリオキソヘキサデカヒドロ−1H−シクロペンタ[a]フェナントレン−17−イル)ペンタノイルオキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液11.013g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.892g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液0.651g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.152g、乳酸エチル7.976gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.700gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例14:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.952g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.289g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.932g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液0.680g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.159g、乳酸エチル9.287gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.700gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.952g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.289g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.932g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液0.680g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.159g、乳酸エチル9.287gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.700gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例15:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.906g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.235g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液1.195g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.158g、乳酸エチル9.805gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.906g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.235g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液1.195g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.158g、乳酸エチル9.805gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
以下の表1〜3について、LWR、Esize、CDU、CERおよびEL%は全て以下のように評価する:比較実施例を1に標準化し、結果として「◇」;良好なメトリックと示し、それぞれの比較に対して少なくとも10%の改善を表すものを「□」;改善したメトリックと示し、それぞれの比較に対して0%〜10%の間の改善を表すものを「▲」と示し、基準より低いものを「○」と示す。表4〜5について、1つの実験データセットの比較のために複数の比較実施例が存在する。実験データセットを1に標準化し、結果として「◇」と示す。実験データより優れている比較実施例を
と示す一方で、少なくとも10%基準より低いデータを「□」と示し、0〜10%基準より低いデータを「■」と表す。
表6のデータは、クエンチャーとして実施例3を使用した場合と実施例8を使用した場合の比較を表す。実施例14を1に標準化し、実施例26を実施例14と参照して性能の類似性を示す。
実施例16:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液8.044g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.506g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.943g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.161g、乳酸エチル9.647gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液8.044g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.506g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.943g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.161g、乳酸エチル9.647gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例17:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.940g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.383g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.818g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液0.675g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.159g、乳酸エチル9.326gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.940g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.383g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.818g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液0.675g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.159g、乳酸エチル9.326gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例18:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.829g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.252g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液1.566g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.157g、乳酸エチル9.497gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.829g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.252g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液1.566g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.157g、乳酸エチル9.497gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例19:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.976g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.947g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.538g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.160g、乳酸エチル9.680gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.976g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.947g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.538g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.160g、乳酸エチル9.680gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例20:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.975g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.947g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.552g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.160g、乳酸エチル9.667gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.975g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.947g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.552g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.160g、乳酸エチル9.667gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例21:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.779g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液10.930g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.538g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.156g、乳酸エチル8.897gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.779g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液10.930g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.538g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.156g、乳酸エチル8.897gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例22:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液8.176g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液8.953g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.497g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.164g、乳酸エチル10.510gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液8.176g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液8.953g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液0.497g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.164g、乳酸エチル10.510gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例23:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.951g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.916g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液0.289g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.159g、乳酸エチル9.984gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液7.951g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液9.916g、実施例4の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液0.289g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.159g、乳酸エチル9.984gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル11.70gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例24:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液11.832g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液14.757g、実施例5の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液1.021g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.237g、乳酸エチル14.60gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル17.55gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液11.832g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液14.757g、実施例5の化合物の乳酸エチル中2重量%溶液1.021g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.237g、乳酸エチル14.60gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル17.55gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例25:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液11.947g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液14.900g、tert−ブチル1,3−ジヒドロキシ−2−(ヒドロキシメチル)プロパン−2−イルカルバメートの乳酸エチル中0.5重量%溶液1.219g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.239g、乳酸エチル14.145gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル17.55gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例9からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液11.947g、酸発生剤10−(5−((2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)カルボニル−2−メトキシフェニル)−9−オキソ−4,4a,9,10−テトラヒドロチオキサンチリウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液14.900g、tert−ブチル1,3−ジヒドロキシ−2−(ヒドロキシメチル)プロパン−2−イルカルバメートの乳酸エチル中0.5重量%溶液1.219g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.239g、乳酸エチル14.145gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル17.55gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例26:フォトレジスト組成物のさらなる調製および処理
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液9.973g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液11.65g、実施例8の乳酸エチル中2重量%溶液0.640g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液1.167g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.199g、乳酸エチル11.742gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル14.625gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例10からのポリマーの乳酸エチル中10重量%溶液9.973g、酸発生剤5−(4−(2−(1−エチルシクロペンチルオキシ)−2−オキソエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)−5H−ジベンゾ[b,d]チオフェニウム3−ヒドロキシアダマンタン−アセトキシ−1,1,2,2−テトラフルオロブタン−1−スルホネートの乳酸エチル中2重量%溶液11.65g、実施例8の乳酸エチル中2重量%溶液0.640g、テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンの乳酸エチル中0.5重量%溶液1.167g、フッ化界面活性剤(Omnova PF656)の乳酸エチル中0.5重量%溶液0.199g、乳酸エチル11.742gおよび2−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル14.625gを混ぜ合わせることにより、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。配合したレジストを0.01μm PTFEフィルターに通過させた。こうして調製したレジストをシリコンウエハー上にスピンコーティングし、穏やかに焼いて担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してEUV放射線に露光した。次いで、撮像したレジスト層を110℃で60秒間焼き、次いでアルカリ性組成物水溶液で現像した。
実施例27:光発生酸のpKa値の決定
pKa値をACD Lab(Advanced Chemistry Development,Inc.、トロント、カナダ)構造設計ソフトウェアバージョン12.5を用いて、発生した酸に基づいて計算した。結果を以下の表7に示す。
pKa値をACD Lab(Advanced Chemistry Development,Inc.、トロント、カナダ)構造設計ソフトウェアバージョン12.5を用いて、発生した酸に基づいて計算した。結果を以下の表7に示す。
Claims (10)
- (i)ポリマーと;
(ii)フォトレジスト組成物が活性化放射線に露光すると第1の酸を生成する第1のオニウム塩酸発生剤と;
(iii)(1)共有結合した酸不安定性部分を含み、(2)フォトレジスト組成物が活性化放射線に露光すると第2の酸を生成する、第2のオニウム塩酸発生剤と;
を含むフォトレジスト組成物であって、
前記第1の酸および前記第2の酸は少なくとも0.5異なるpKa値を有する、フォトレジスト組成物。 - 前記第1の酸のpKa値が前記第2の酸のpKa値よりも低い、請求項1記載のフォトレジスト組成物。
- 前記第2の酸のpKa値が前記第1の酸のpKa値よりも低い、請求項1記載のフォトレジスト組成物。
- (i)ポリマーと;
(ii)以下の式(I):
に相当する酸発生剤と;
(iii)以下の式(II):
に相当する酸発生剤と
を含む、フォトレジスト組成物。 - Zが前記ポリマーに結合している、請求項4から6のいずれか一項記載のフォトレジスト組成物。
- 式(I)、(II)、(III)および(IV)のいずれかまたは両方の酸発生剤がチオキサントンまたはジベンゾチオフェン部分のいずれかを含む、請求項4記載のフォトレジスト組成物。
- a)請求項1から8のいずれか一項記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を基板に塗布するステップと;
b)前記フォトレジスト組成物層を活性化放射線に露光し、前記露光したフォトレジスト組成物コーティング層を現像するステップと
を含む、フォトレジストレリーフ像を得る方法。 - 前記フォトレジスト組成物層がEUVまたはe−ビーム放射線に露光される、請求項9記載の方法。
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