JP2019031629A - シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】厚膜微細パターンが形成でき、耐クラック性、フィルム特性、皮膜信頼性に優れるシリコーン骨格含有高分子化合物、該化合物を含む感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、これらを用いた積層体、及びパターン形成方法の提供。【解決手段】式ａ１で表される繰り返し単位及び式ｂ１で表される繰り返し単位を含むシリコーン骨格含有高分子化合物。［Ｘ1は式１で表される２価の基；（Ｙ1は単結合又はある特定の２価有機基）］【選択図】なし

Description

本発明は、シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、これらを用いたパターン形成方法、及び前記組成物又はドライフィルムを用いて得られる積層体に関する。

従来、感光性を有する半導体素子保護膜や多層プリント基板用絶縁膜としては、感光性ポリイミド組成物、感光性エポキシ樹脂組成物、感光性シリコーン組成物等が利用されてきた。このような基板や回路の保護用に適用される感光性材料として、特に可とう性に優れる感光性シリコーン組成物が提案されている（特許文献１）。この感光性シリコーン組成物は、低温で硬化可能であり、かつ耐湿接着性等の信頼性に優れた皮膜を形成することができるが、Ｎ−メチル−２−ピロリドンのような溶解力の強いフォトレジスト剥離液等への耐薬品性に劣るという問題があった。

それに対して、シルフェニレン骨格含有シリコーン型高分子化合物を主成分とした感光性シリコーン組成物が提案されている（特許文献２）。この感光性シリコーン組成物は、フォトレジスト剥離液等への耐薬品性が向上するが、ヒートサイクル試験（−２５℃で１０分間保持、１２５℃で１０分間保持を１,０００サイクル繰り返す）時に基板から硬化物が剥離したり、硬化物にクラックが入ったりする等の問題があり、信頼性の更なる向上が望まれていた。

特開２００２−８８１５８号公報 特開２００８−１８４５７１号公報

本発明は、前記事情に鑑みなされたもので、厚膜で微細なパターン形成を容易に行うことができ、かつ、耐クラック性や、基板、電子部品や半導体素子等、特には回路基板に使用される基材に対する密着性等の各種フィルム特性に優れ、電気・電子部品保護用皮膜や、基板接合用皮膜等としての信頼性に優れる樹脂皮膜（樹脂層）を形成することができるシリコーン骨格含有高分子化合物、該高分子化合物を含む感光性樹脂組成物、該組成物から得られる感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、これらを用いた積層体、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、分子中に架橋基又は架橋反応が生じる反応点を有する所定のシリコーン骨格含有高分子化合物が、十分なフィルム形成能を与えるものとして機能すること、これを含む組成物を用いて幅広い膜厚範囲で感光性樹脂皮膜を形成することができること、該感光性樹脂皮膜が、基板、電子部品や半導体素子等への密着性に優れ、良好なパターン形成能、優れた耐クラック性、耐熱性、電気絶縁性、絶縁保護膜としての信頼性を有する樹脂皮膜であること、及び該樹脂皮膜が電気・電子部品保護用皮膜や基板接合用皮膜として優れることを見出し、本発明をなすに至った。

したがって、本発明は、下記シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法を提供する。
１．下記式（ａ１）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ１）で表される繰り返し単位を含むシリコーン骨格含有高分子化合物。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の１価炭化水素基である。ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０〜３００の整数である。Ｘ¹は、下記式（１）で表される２価の基である。

（式中、Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜８の１価炭化水素基であり、該１価炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒ¹²は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜８のアルキレン基であり、該アルキレン基を構成するメチレン基の一部が、エーテル結合又はフェニレン基で置換されていてもよい。Ｒ¹³は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜８の１価炭化水素基、ヒドロキシ基又はグリシジル基である。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。Ｙ¹は、単結合、又は下記式（１−１）、（１−２）若しくは（１−３）で表される２価の有機基である。）

（式中、Ｒ¹⁴は、炭素数１〜８の１価炭化水素基であり、該１価炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｙ²は、２価の有機基である。ｒ及びｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。）］
２．Ｙ²が、下記式で表される基から選ばれる基である１のシリコーン骨格含有高分子化合物。

（式中、Ｒは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜８のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基である。ｗは、１〜６の整数である。ｘは、０〜４の整数である。ｙ及びｚは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。）
３．更に、下記式（ａ２）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ２）で表される繰り返し単位を含む１又は２のシリコーン骨格含有高分子化合物。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。Ｘ²は、下記式（２）で表される２価の基である。

（式中、Ｚ¹は、単結合又は

から選ばれる２価の有機基である。Ｒ²¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ²²及びＲ²³は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルコキシ基である。ａは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。ｂ及びｃは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。）］
４．更に、下記式（ａ３）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ３）で表される繰り返し単位を含む１〜３のいずれかのシリコーン骨格含有高分子化合物。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。Ｘ³は、下記式（３）で表される２価の基である。

（式中、Ｚ²は、単結合又は

から選ばれる２価の有機基である。Ｒ³¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ³²及びＲ³³は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルコキシ基である。ｄは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。ｅ及びｆは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。）］
５．更に、下記式（ａ４）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ４）で表される繰り返し単位を含む１〜４のいずれかのシリコーン骨格含有高分子化合物。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。Ｘ⁴は、下記式（４）で表される２価の基である。

（式中、Ｒ⁴¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。ｇは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。）］
６．更に、下記式（ａ５）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ５）で表される繰り返し単位を含む１〜５のいずれかのシリコーン骨格含有高分子化合物。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。Ｘ⁵は、下記式（５）で表される２価の基である。

（式中、Ｒ⁵¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ⁵²及びＲ⁵³は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の１価炭化水素基である。ｊ及びｋは、それぞれ独立に、０〜３００の整数である。ｈは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。）］
７．（Ａ）１〜６のいずれかのシリコーン骨格含有高分子化合物を含むベース樹脂、及び（Ｂ）光酸発生剤を含む感光性樹脂組成物。
８．更に、（Ｃ）架橋剤を含む７の感光性樹脂組成物。
９．（Ｃ）架橋剤が、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれる少なくとも１種である８の感光性樹脂組成物。
１０．更に、（Ｄ）溶剤を含む７〜９のいずれかの感光性樹脂組成物。
１１．更に、（Ｅ）塩基性化合物を含む７〜１０のいずれかの感光性樹脂組成物。
１２．７〜１１のいずれかの感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜。
１３．支持フィルムと、該支持フィルム上に１２の感光性樹脂皮膜とを備える感光性ドライフィルム。
１４．開口幅が１０〜１００μｍであり、かつ深さが１０〜１２０μｍである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有する基板と、１２の感光性樹脂皮膜とを備える積層体。
１５．（ｉ）７〜１１のいずれかの感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ii）前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
（iii）前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
１６．（ｉ）１３の感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付け、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ii）前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
（iii）前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
１７．更に、（iv）現像によりパターン形成された樹脂皮膜を、１００〜２５０℃の温度で後硬化する工程を含む１５又は１６のパターン形成方法。
１８．前記基板が、開口幅が１０〜１００μｍであり、かつ深さが１０〜１２０μｍである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有するものである１５〜１７のいずれかのパターン形成方法。
１９．前記感光性樹脂組成物が、電気・電子部品保護用皮膜の材料である７〜１１のいずれかの感光性樹脂組成物。
２０．前記感光性樹脂組成物が、２つの基板を接合するための基板接合用皮膜の材料である７〜１１のいずれかの感光性樹脂組成物。

本発明のシリコーン骨格含有高分子化合物を含む感光性樹脂組成物又は感光性ドライフィルムを用いることで、厚膜で微細なパターン形成を容易に行うことができ、感光性材料として十分な特性を示す。また、本発明の感光性樹脂組成物から得られる樹脂皮膜は、基板、電子部品や半導体素子、特には回路基板に使用される基材に対する密着性、機械的特性及び電気絶縁性に優れ、その絶縁保護膜としての信頼性が高く、更に保護膜のクラック発生を防止可能であるため、回路基板、半導体素子、表示素子等の各種電気・電子部品保護用皮膜の形成や、基板接合用皮膜の形成に好適に用いることができる。また、本発明の感光性樹脂組成物や感光性ドライフィルムを使用して製造した積層体は、高い平坦性を有するものとなる。

［シリコーン骨格含有高分子化合物］
本発明のシリコーン骨格含有高分子化合物（以下、シリコーン骨格含有高分子化合物Ａともいう。）は、下記式（ａ１）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ａ１ともいう。）及び下記式（ｂ１）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ｂ１ともいう。）を含むものである。

式（ａ１）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の１価炭化水素基であり、炭素数１〜６のものが好ましい。前記１価炭化水素基としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基等が挙げられ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、及びフェニル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基及びフェニル基が原料の入手の容易さから好ましい。

式（ａ１）中、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０〜３００の整数であり、０〜２００が好ましく、０〜１００がより好ましい。

式（ａ１）及び（ｂ１）中、Ｘ¹は、下記式（１）で表される２価の基である。

式（１）中、Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜８の１価炭化水素基であり、該１価炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換されていてもよい。前記１価炭化水素基としては、Ｒ¹〜Ｒ⁴として例示したものや、これらの水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子（塩素、臭素、フッ素、ヨウ素）で置換されたものが挙げられる。

式（１）中、Ｒ¹²は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜８のアルキレン基であり、該アルキレン基を構成するメチレン基の一部が、エーテル結合又はフェニレン基で置換されていてもよい。

式（１）中、Ｒ¹³は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜８の１価炭化水素基、ヒドロキシ基又はグリシジル基である。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。

式（１）中、Ｙ¹は、単結合、又は下記式（１−１）、（１−２）若しくは（１−３）で表される２価の有機基である。

式中、Ｒ¹⁴は、炭素数１〜８の１価炭化水素基であり、該１価炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換されていてもよい。前記１価炭化水素基としては、Ｒ¹〜Ｒ⁴として例示したものや、これらの水素原子の一部がハロゲン原子（塩素、臭素、フッ素、ヨウ素）で置換されたものが挙げられる。ｒ及びｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。

式（１−１）中、Ｙ²は、２価の有機基である。Ｙ²としては、以下に示すものが好ましい。

式中、Ｒは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜８のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基である。ｗは、１〜６の整数である。ｘは、０〜４の整数であるが、好ましくは０〜２である。ｙ及びｚは、それぞれ独立に、０〜４の整数であるが、好ましくは０〜２である。

これらのうち、Ｙ²としては、以下に示すものがより好ましい。

（式中、Ｒ、ｘ、ｙ及びｚは、前記と同じ。）

シリコーン骨格含有高分子化合物Ａは、更に、下記式（ａ２）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ａ２ともいう。）及び下記式（ｂ２）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ｂ２ともいう。）を含んでもよい。

式（ａ２）及び（ｂ２）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じであり、Ｘ²は、下記式（２）で表される２価の基である。

式（２）中、Ｚ¹は、単結合又は

から選ばれる２価の有機基である。Ｒ²¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ²²及びＲ²³は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルコキシ基である。ａは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。ｂ及びｃは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。

シリコーン骨格含有高分子化合物Ａは、更に、下記式（ａ３）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ａ３ともいう。）及び下記式（ｂ３）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ｂ３ともいう。）を含んでもよい。

式（ａ３）及び（ｂ３）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じであり、Ｘ³は、下記式（３）で表される２価の基である。

式（３）中、Ｚ²は、単結合又は

から選ばれる２価の有機基である。Ｒ³¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ³²及びＲ³³は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルコキシ基である。ｄは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。ｅ及びｆは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。

シリコーン骨格含有高分子化合物Ａは、更に、下記式（ａ４）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ａ４ともいう。）及び下記式（ｂ４）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ｂ４ともいう。）を含んでもよい。

式（ａ４）及び（ｂ４）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じであり、Ｘ⁴は、下記式（４）で表される２価の基である。

式（４）中、Ｒ⁴¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。ｇは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。

シリコーン骨格含有高分子化合物Ａは、更に、下記式（ａ５）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ａ５ともいう。）及び下記式（ｂ５）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ｂ５ともいう。）を含んでもよい。

式（ａ５）及び（ｂ５）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じであり、Ｘ⁵は、下記式（５）で表される２価の基である。

式（５）中、Ｒ⁵¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ⁵²及びＲ⁵³は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の１価炭化水素基である。前記１価炭化水素基としては、Ｒ¹〜Ｒ⁴として例示したものが挙げられる。ｊ及びｋは、それぞれ独立に、０〜３００の整数であり、０〜２００が好ましく、０〜１００がより好ましい。ｈは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。

シリコーン骨格含有高分子化合物Ａは、フィルム形成能を与えるものとして機能する。また、これを用いて得られた樹脂フィルムは、基板等への良好な密着性、良好なパターン形成能、耐クラック性と耐熱性を与える。なお、シリコーン骨格含有高分子化合物Ａは、分子中に、エポキシ基、ヒドロキシ基等の架橋基又は架橋反応が生じる反応点を有するものである。

前述した各繰り返し単位は、ランダムに結合していても、ブロック重合体として結合していてもよい。また、前記シリコーン骨格含有高分子化合物において、シリコーン（シロキサン単位）含有率は、３０〜８０質量％であることが好ましい。

シリコーン骨格含有高分子化合物Ａ中、繰り返し単位ａ１、ａ２、ａ３、ａ４、ａ５、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４及びｂ５の含有比率は、０＜ａ１＜１.０、０≦ａ２＜１.０、０≦ａ３＜１.０、０≦ａ４＜１.０、０≦ａ５＜１.０、０＜ｂ１＜１.０、０≦ｂ２＜１.０、０≦ｂ３＜１.０、０≦ｂ４＜１.０、０≦ｂ５＜１.０、及び０＜ａ１＋ｂ１≦１.０を満たすことが好ましく、更に０＜ａ２＋ｂ２＋ａ３＋ｂ３＋ａ４＋ｂ４≦０.９５であることが好ましく、また０.１≦ａ１＋ｂ１≦０.６、０＜ａ２＋ｂ２≦０.７、０＜ａ３＋ｂ３≦０.９、０＜ａ４＋ｂ４≦０.４、０≦ａ５＋ｂ５≦０.４、０＜ａ２＋ｂ２＋ａ３＋ｂ３＋ａ４＋ｂ４≦０.９、０.１≦ａ１＋ａ２＋ａ３＋ａ４＋ａ５≦０.７、及び０.３≦ｂ１＋ｂ２＋ｂ３＋ｂ４＋ｂ５≦０.９を満たすことがより好ましい。なお、ａ１＋ａ２＋ａ３＋ａ４＋ａ５＋ｂ１＋ｂ２＋ｂ３＋ｂ４＋ｂ５＝１である。

シリコーン骨格含有高分子化合物Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）は、３,０００〜５００,０００であることが好ましく、５,０００〜２００,０００であることがより好ましい。なお、本発明においてＭｗは、テトラヒドロフランを溶出溶剤として用いた、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算測定値である。

［シリコーン骨格含有高分子化合物の製造方法］
シリコーン骨格含有高分子化合物Ａは、下記式（６）で表される化合物と、下記式（７）で表される化合物と、下記式（８）で表される化合物と、必要に応じて下記式（９）、（１０）及び（１１）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種と、更に必要に応じて下記式（１２）で表される化合物とを、金属触媒存在下、付加重合させることにより製造することができる。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。）

（式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³、Ｙ¹、ｐ及びｑは、前記と同じ。）

（式中、Ｒ²¹〜Ｒ²³、Ｒ³¹〜Ｒ³³、Ｒ⁴¹、Ｚ¹、Ｚ²、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、前記と同じ。）

（式中、Ｒ⁵¹〜Ｒ⁵³、ｈ、ｊ及びｋは、前記と同じ。）

前記金属触媒としては、白金（白金黒を含む）、ロジウム、パラジウム等の白金族金属単体；H₂PtCl₄・xH₂O、H₂PtCl₆・xH₂O、NaHPtCl₆・xH₂O、KHPtCl₆・xH₂O、Na₂PtCl₆・xH₂O、K₂PtCl₄・xH₂O、PtCl₄・xH₂O、PtCl₂、Na₂HPtCl₄・xH₂O（ここで、ｘは、０〜６の整数が好ましく、特に０又は６が好ましい。）等の塩化白金、塩化白金酸及び塩化白金酸塩；アルコール変性塩化白金酸（例えば、米国特許第3,220,972号明細書に記載のもの）；塩化白金酸とオレフィンとの錯体（例えば、米国特許第3,159,601号明細書、米国特許第3,159,662号明細書、及び米国特許第3,775,452号明細書に記載のもの）；白金黒やパラジウム等の白金族金属をアルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させたもの；ロジウム−オレフィン錯体；クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム（いわゆるウィルキンソン触媒）；塩化白金、塩化白金酸又は塩化白金酸塩とビニル基含有シロキサン（特に、ビニル基含有環状シロキサン）との錯体等を使用することができる。

前記触媒の使用量は触媒量であり、通常、前記付加重合反応において使用する溶剤以外の化合物の総質量中、白金族金属として０.００１〜０.１質量％であることが好ましく、０.０１〜０.１質量％であることがより好ましい。

前記付加重合反応においては、必要に応じて溶剤を使用してもよい。溶剤としては、例えばトルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤が好ましい。

反応温度は、触媒が失活せず、かつ短時間で重合の完結が可能という観点から、４０〜１５０℃が好ましく、６０〜１２０℃がより好ましい。重合時間は、得られる樹脂の種類及び量にもよるが、重合系中に湿気の介入を防ぐため、およそ０.５〜１００時間が好ましく、０.５〜３０時間がより好ましい。反応終了後、溶剤を使用した場合はこれを留去することにより、シリコーン骨格含有高分子化合物Ａを得ることができる。

反応方法は、特に限定されないが、例えば、式（６）で表される化合物と、式（７）で表される化合物と、式（８）で表される化合物と、式（９）で表される化合物と、式（１０）で表される化合物と、式（１１）で表される化合物と、式（１２）で表される化合物とを反応させる場合、まず、式（８）、（９）、（１０）、（１１）及び（１２）で表される化合物を混合して加熱した後、前記混合液に金属触媒を添加し、次いで式（６）及び（７）で表される化合物を０.１〜５時間かけて滴下する方法が挙げられる。

各化合物は、式（８）、（９）、（１０）、（１１）及び（１２）で表される化合物が有するアルケニル基の合計に対し、式（６）及び（７）で表される化合物が有するヒドロシリル基の合計が、モル比で、好ましくは０.６７〜１.６７、より好ましくは０.８３〜１.２５となるように配合するのがよい。

ここで、式（６）及び（７）で表される化合物の配合量は、モル比で、好ましくは（６）：（７）＝５：９５〜２０：８０、より好ましくは１０：９０〜７０：３０となるように配合するのがよい。

また、式（８）、（９）、（１０）、（１１）及び（１２）で表される化合物の配合量をそれぞれＮ⁸、Ｎ⁹、Ｎ¹⁰、Ｎ¹¹及びＮ¹²（モル）とすると、０＜Ｎ⁸／Ｘ≦１.０、０≦Ｎ⁹／Ｘ＜１.０、０≦Ｎ¹⁰／Ｘ＜１.０、０≦Ｎ¹¹／Ｘ＜１.０及び０≦Ｎ¹²／Ｘ＜１.０を満たすことが好ましく、０.１≦Ｎ⁸／Ｘ≦０.６、０＜Ｎ⁹／Ｘ≦０.７、０＜Ｎ¹⁰／Ｘ≦０.９、０＜Ｎ¹¹／Ｘ≦０.４、０≦Ｎ⁹＋Ｎ¹⁰＋Ｎ¹¹／Ｘ≦０.９及び０≦Ｎ¹²／Ｘ≦０.４を満たすことがより好ましい。ただし、Ｘ＝Ｎ⁸＋Ｎ⁹＋Ｎ¹⁰＋Ｎ¹¹＋Ｎ¹²である。

得られる高分子化合物のＭｗは、ｏ−アリルフェノールのようなモノアリル化合物又はトリエチルヒドロシランのようなモノヒドロシランやモノヒドロシロキサンを、分子量調整剤として使用することにより制御することが可能である。

式（６）〜（１２）で表される化合物としては、市販品を使用することができ、又は従来公知の方法に従って合成することができる。

［感光性樹脂組成物］
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）シリコーン骨格含有高分子化合物Ａを含むベース樹脂、及び（Ｂ）１９０〜５００ｎｍの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤を含むものである。このような感光性樹脂組成物は、幅広い膜厚範囲で皮膜形成でき、後述するパターン形成方法により微細かつ垂直性に優れたパターンを形成することが可能である。また、このような感光性樹脂組成物及びこのドライフィルムを用いたパターン形成方法により得られる硬化皮膜は、パターン性、耐熱性、電気絶縁性、絶縁保護膜としての信頼性、特に基板等との密着性に優れた皮膜となる。

［（Ａ）ベース樹脂］
（Ａ）成分のベース樹脂は、シリコーン骨格含有高分子化合物Ａに加えて、更に、他のシリコーン骨格含有高分子化合物を含んでもよい。他のシリコーン骨格含有高分子化合物としては、繰り返し単位ａ２及び繰り返し単位ｂ２を含むシリコーン骨格含有高分子化合物（以下、シリコーン骨格含有高分子化合物Ｂともいう。）、繰り返し単位ａ３及び繰り返し単位ｂ３を含むシリコーン骨格含有高分子化合物（以下、シリコーン骨格含有高分子化合物Ｃともいう。）、繰り返し単位ａ４及び繰り返し単位ｂ４を含むシリコーン骨格含有高分子化合物（以下、シリコーン骨格含有高分子化合物Ｄともいう。）、並びに繰り返し単位ａ５及び繰り返し単位ｂ５を含むシリコーン骨格含有高分子化合物（以下、シリコーン骨格含有高分子化合物Ｅともいう。）から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。

（Ａ）成分のベース樹脂がシリコーン骨格含有高分子化合物Ｂ〜Ｅを含む場合、シリコーン骨格含有高分子化合物Ａは、繰り返し単位ａ１及びｂ１のみを含むものであることが好ましい。このとき、繰り返し単位ａ１及びｂ１の含有比率は、０＜ａ１＜１.０、０＜ｂ１＜１.０（ただし、ａ１＋ｂ１＝１.０）であるが、０.１≦ａ１＜０.７、０.３≦ｂ１≦０.９（ただし、ａ１＋ｂ１＝１.０）であることが好ましい。

シリコーン骨格含有高分子化合物Ｂにおいて、繰り返し単位ａ２及びｂ２の含有比率は、０＜ａ２＜１.０、０＜ｂ２＜１.０（ただし、ａ２＋ｂ２＝１.０）であるが、０.１≦ａ２＜０.７、０.３≦ｂ２≦０.９（ただし、ａ２＋ｂ２＝１.０）であることが好ましい。シリコーン骨格含有高分子化合物Ｃにおいて、繰り返し単位ａ３及びｂ３の含有比率は、０＜ａ３＜１.０、０＜ｂ３＜１.０（ただし、ａ３＋ｂ３＝１.０）であるが、０.１≦ａ３＜０.７、０.３≦ｂ３≦０.９（ただし、ａ３＋ｂ３＝１.０）であることが好ましい。シリコーン骨格含有高分子化合物Ｄにおいて、繰り返し単位ａ４及びｂ４の含有比率は、０＜ａ４＜１.０、０＜ｂ４＜１.０（ただし、ａ４＋ｂ４＝１.０）であるが、０.１≦ａ４＜０.７、０.３≦ｂ４≦０.９（ただし、ａ４＋ｂ４＝１.０）であることが好ましい。シリコーン骨格含有高分子化合物Ｅにおいて、繰り返し単位ａ５及びｂ５の含有比率は、０＜ａ５＜１.０、０＜ｂ５＜１.０（ただし、ａ５＋ｂ５＝１.０）であるが、０.１≦ａ５＜０.７、０.３≦ｂ５≦０.９（ただし、ａ５＋ｂ５＝１.０）であることが好ましい。

（Ａ）成分のベース樹脂がシリコーン骨格含有高分子化合物Ｂ〜Ｅを含む場合、それらの含有量は、シリコーン骨格含有高分子化合物Ａ１００質量部に対し、それぞれ、０を超え１００質量部以下が好ましい。

［（Ｂ）光酸発生剤］
（Ｂ）成分である光酸発生剤は、好ましくは１９０〜５００ｎｍの光によって分解し、酸を発生するものである。前記発生した酸は、硬化触媒となる。本発明の感光性樹脂組成物は、酸発生剤の相溶性が優れるため、幅広い光酸発生剤を使用することができる。そのような光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド−イル−スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体等が挙げられる。

前記オニウム塩としては、下記式（１３）で表されるスルホニウム塩、下記式（１４）で表されるヨードニウム塩等が挙げられる。

式（１３）及び（１４）中、Ｒ¹⁰¹は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜１２のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素数７〜１２のアラルキル基である。Ａ^-は、非求核性対向イオンである。

前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。前記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。前記アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル等が挙げられる。

前記置換基としては、オキソ基、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜１２のアルコキシ基、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２４のアリール基、炭素数７〜２５のアラルキル基、炭素数６〜２４のアリールオキシ基、炭素数６〜２４のアリールチオ基等が挙げられる。

Ｒ¹⁰¹としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、２−オキソシクロヘキシル基等の置換基を有してもよいアルキル基；フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ｏ−、ｍ−又はｐ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｍ−又はｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、２−、３−又は４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ターフェニリル基、ビフェニリルオキシフェニル基、ビフェニリルチオフェニル基等の置換基を有してもよいアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の置換基を有してもよいアラルキル基が好ましい。これらのうち、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基がより好ましい。

前記非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン；トリフレートイオン、１,１,１−トリフルオロエタンスルホネートイオン、ノナフルオロブタンスルホネートイオン等のフルオロアルカンスルホネートイオン；トシレートイオン、ベンゼンスルホネートイオン、４−フルオロベンゼンスルホネートイオン、１,２,３,４,５−ペンタフルオロベンゼンスルホネートイオン等のアリールスルホネートイオン；メシレートイオン、ブタンスルホネートイオン等のアルキルスルホネートイオン；トリフルオロメタンスルホンイミドイオン等のフルオロアルカンスルホンイミドイオン；トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチドイオン等のフルオロアルカンスルホニルメチドイオン等が挙げられる。

前記ジアゾメタン誘導体としては、下記式（１５）で表される化合物等が挙げられる。

式（１５）中、Ｒ¹⁰²は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜１２のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基である。

前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。前記ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、１,１,１−トリフルオロエチル基、１,１,１−トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。

前記置換基を有してもよいアリール基としては、フェニル基；ｏ−、ｍ−又はｐ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｍ−又はｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基；２−、３−又は４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基；フルオロフェニル基、クロロフェニル基、１,２,３,４,５−ペンタフルオロフェニル基等のハロゲン化アリール基が挙げられる。前記アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。

前記オニウム塩として具体的には、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル)フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸(ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル)フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス(ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス(ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル)スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸(ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス(ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス(ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル)スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル(２−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル(２−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ビス(４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル(４−チオフェノキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、[４−(４−ビフェニリルチオ)フェニル]−４−ビフェニリルフェニルスルホニウムトリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチド等が挙げられる。

前記ジアゾメタン誘導体として具体的には、ビス(ベンゼンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(ｐ−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(キシレンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロペンチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(ｎ−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(ｓｅｃ−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(ｎ−プロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(ｎ−ペンチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソペンチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(ｓｅｃ−ペンチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(ｔｅｒｔ−ペンチルスルホニル)ジアゾメタン、１−シクロへキシルスルホニル−１−(ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−(ｔｅｒｔ−ペンチルスルホニル)ジアゾメタン、１−ｔｅｒｔ−ペンチルスルホニル−１−(ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。

前記グリオキシム誘導体として具体的には、ビス−ｏ−(ｐ−トルエンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｐ−トルエンスルホニル)−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｐ−トルエンスルホニル)−α−ジシクロへキシルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｐ−トルエンスルホニル)−２,３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−(ｐ−トルエンスルホニル)−２−メチル−３,４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−(ｎ−ブタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｎ−ブタンスルホニル)−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｎ−ブタンスルホニル)−α−ジシクロへキシルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｎ−ブタンスルホニル)−２,３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−(ｎ−ブタンスルホニル)−２−メチル−３,４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−(メタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(トリフルオロメタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(１,１,１−トリフルオロエタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(パーフルオロオクタンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(シクロヘキサンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(ベンゼンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｐ−フルオロベンゼンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(キシレンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−(カンファースルホニル)−α−ジメチルグリオキシム等が挙げられる。

前記β−ケトスルホン誘導体として具体的には、２−シクロヘキシルカルボニル−２−(ｐ−トルエンスルホニル)プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−(ｐ−トルエンスルホニル)プロパン等が挙げられる。

前記ジスルホン誘導体として具体的には、ジフェニルジスルホン、ジシクロへキシルジスルホン等が挙げられる。

前記ニトロベンジルスルホネート誘導体として具体的には、ｐ−トルエンスルホン酸２,６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２,４−ジニトロベンジル等が挙げられる。

前記スルホン酸エステル誘導体として具体的には、１,２,３−トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、１,２,３−トリス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゼン、１,２,３−トリス(ｐ−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼン等が挙げられる。

前記イミド−イル−スルホネート誘導体として具体的には、フタルイミド−イル−トリフレート、フタルイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−２,３−ジカルボキシイミド−イル−トリフレート、５−ノルボルネン−２,３−ジカルボキシイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−２,３−ジカルボキシイミド−イル−ｎ−ブチルスルホネート、ｎ−トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド等が挙げられる。

前記オキシムスルホネート誘導体として具体的には、α−(ベンゼンスルホニウムオキシイミノ)−４−メチルフェニルアセトニトリル等が挙げられる。

前記イミノスルホネート誘導体として具体的には、(５−(４−メチルフェニル)スルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン)−(２−メチルフェニル)アセトニトリル、(５−(４−(４−メチルフェニルスルホニルオキシ)フェニルスルホニルオキシイミノ)−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン)−(２−メチルフェニル)−アセトニトリル等が挙げられる。

また、２−メチル−２−[(４−メチルフェニル)スルホニル]−１−[(４−メチルチオ)フェニル]−１−プロパン等も好適に使用できる。

（Ｂ）成分の光酸発生剤としては、特に前記オニウム塩が好ましく、前記スルホニウム塩がより好ましい。

（Ｂ）成分の含有量は、光硬化性の観点から、（Ａ）成分１００質量部に対し、０.０５〜２０質量部が好ましく、０.０５〜５質量部がより好ましい。前記光酸発生剤の配合量が０.０５質量部以上であれば、十分な酸が発生して架橋反応が十分に進行し、２０質量部以下であれば、酸発生剤自身の吸光度が増大するのを抑制することができ、透明性が低下するといった問題が生じるおそれがないために好ましい。（Ｂ）成分は、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

［（Ｃ）架橋剤］
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、（Ｃ）成分として架橋剤を含んでもよい。前記架橋剤は、（Ａ）成分の式（１）中のＲ¹³と縮合反応を起こし、パターンの形成を容易になし得るための成分であるとともに、光硬化後の樹脂皮膜の強度を更に上げるものである。

前記架橋剤としては、Ｍｗが１５０〜１０,０００の樹脂が好ましく、２００〜３,０００の樹脂がより好ましい。Ｍｗが１５０以上であれば、十分な光硬化性を得ることができ、１０,０００以下であれば組成物の光硬化後の耐熱性を悪化させるおそれがないために好ましい。このような樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アルコキシ基含有樹脂等が挙げられる。

前記架橋剤としては、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物も好ましい。これらの化合物は、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。

前記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物としては、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたメラミン縮合物、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールより変性された尿素縮合物等が挙げられる。

前記変性メラミン縮合物としては、下記式（１６）で表される変性メラミン又はこの多量体（例えば二量体、三量体等のオリゴマー体）と、ホルムアルデヒドとを所望の分子量になるまで付加縮合重合させて得られるものが挙げられる。

式（１６）中、Ｒ¹⁰³は、それぞれ独立に、メチロール基、炭素数２〜５のアルコキシメチル基、又は水素原子であるが、少なくとも１つはメチロール基又はアルコキシメチル基である。前記アルコキシメチル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基等が挙げられる。

式（１６）で表される変性メラミンとしては、トリメトキシメチルモノメチロールメラミン、ジメトキシメチルモノメチロールメラミン、トリメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチロールメラミン等が挙げられる。

式（１６）で表される変性メラミンは、例えば、まず公知の方法に従ってメラミンモノマーをホルムアルデヒドでメチロール化して変性させ、又はこれを更にアルコールでアルコキシ化して変性させることで得ることができる。なお、前記アルコールとしては、低級アルコール、例えば炭素数１〜４のアルコールが好ましい。

なお、前記付加縮合重合方法としては、従来公知の方法を採用し得る。また、式（１６）で表される変性メラミンは、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性された尿素縮合物としては、メトキシメチル化尿素縮合物、エトキシメチル化尿素縮合物、プロポキシメチル化尿素縮合物等が挙げられる。

前記変性尿素縮合物は、例えば公知の方法に従って所望の分子量の尿素縮合物をホルムアルデヒドでメチロール化して変性させ、又はこれを更にアルコールでアルコキシ化して変性させることで得ることができる。

前記１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物としては、(２−ヒドロキシ−５−メチル)−１,３−ベンゼンジメタノール、２,２',６,６'−テトラメトキシメチルビスフェノールＡ等が挙げられる。

前記２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂等が挙げられる。

（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０〜１００質量部であるが、含有する場合は０.５〜１００質量部が好ましく、０.５〜５０質量部がより好ましく、１〜３０質量部が更に好ましい。（Ｃ）成分の含有量が、０.５質量部以上であれば光照射時に十分な硬化性が得られ、１００質量部以下であれば感光性樹脂組成物中の（Ａ）成分の割合が低下しないため、硬化物に十分な本発明の効果を発現させることができる。（Ｃ）成分は、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

［（Ｄ）溶剤］
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、（Ｄ）成分として溶剤を含んでもよい。前記溶剤としては、前述した各成分や、後述する（Ｅ）成分及び添加剤を溶解し得るものであれば、特に限定されない。溶剤を配合することによって、感光性樹脂組成物の塗布性を向上させることができる。

このような溶剤としては、有機溶剤がこれらの成分の溶解性に優れていることから好ましい。前記有機溶剤としては、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−２−ｎ−ペンチルケトン等のケトン類；３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種単独で、又は２種以上を混合して使用することができる。特に、光酸発生剤の溶解性に優れている乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン及びこれらの混合溶剤が好ましい。

（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し、０〜５,０００質量部であるが、含有する場合は、感光性樹脂組成物の相溶性及び粘度の観点から５０〜２,０００質量部が好ましく、５０〜１,０００質量部がより好ましく、５０〜１００質量部が更に好ましい。

［（Ｅ）塩基性化合物］
更に、本発明の感光性樹脂組成物は、（Ｅ）成分として塩基性化合物を含んでもよい。前記塩基性化合物としては、光酸発生剤より発生した酸が感光性樹脂皮膜内を拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適している。前記塩基性化合物を配合することにより、解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制し、基板依存性又は環境依存性を小さくし、露光余裕度やパターン形状を向上させることができる。

前記塩基性化合物としては、第１級、第２級又は第３級脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。

前記第１級脂肪族アミン類としては、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−ペンチルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が挙げられる。

前記第２級の脂肪族アミン類としては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ,Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ,Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ,Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミン等が挙げられる。

前記第３級の脂肪族アミン類としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が挙げられる。

前記混成アミン類としては、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が挙げられる。

前記芳香族アミン類及び複素環アミン類としては、アニリン誘導体（例えば、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリン、２,４−ジニトロアニリン、２,６−ジニトロアニリン、３,５−ジニトロアニリン、Ｎ,Ｎ−ジメチルトルイジン等）、ジフェニル(ｐ−トリル)アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体（例えば、ピロール、２Ｈ−ピロール、１−メチルピロール、２,４−ジメチルピロール、２,５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサゾール誘導体（例えば、オキサゾール、イソオキサゾール等）、チアゾール誘導体（例えば、チアゾール、イソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えば、ピロリン、２−メチル−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えば、ピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えば、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４−(１−ブチルペンチル)ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリジン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−(１−エチルプロピル)ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えば、キノリン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１,１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が挙げられる。

前記カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体（例えば、ニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシアラニン等）等が挙げられる。

前記スルホニル基を有する含窒素化合物としては、３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム等が挙げられる。

前記ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物及びアルコール性含窒素化合物としては、２−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２−キノリンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ,Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２,２'−イミノジエタノール、２−アミノエタノール、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−(２−ヒドロキシエチル)モルホリン、２−(２−ヒドロキシエチル)ピリジン、１−(２−ヒドロキシエチル)ピペラジン、１−[２−(２−ヒドロキシエトキシ)エチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、１−(２−ヒドロキシエチル)ピロリジン、１−(２−ヒドロキシエチル)−２−ピロリジノン、３−ピペリジノ−１,２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１,２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロリジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−(２−ヒドロキシエチル)フタルイミド、Ｎ−(２−ヒドロキシエチル)イソニコチンアミド等が挙げられる。

前記アミド誘導体としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が挙げられる。

前記イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が挙げられる。

前記塩基性化合物として、下記式（１７）で表される塩基性化合物を使用することもできる。

式（１７）中、ｖは、１、２又は３である。Ｒ¹⁰⁴は、下記式（１８）〜（２０）で表される置換基から選ばれるいずれかの置換基である。Ｒ¹⁰⁵は、水素原子、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜２０のアルキル基であり、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでもよい。また、Ｒ¹⁰⁴が２以上存在する場合は、２つのＲ¹⁰⁴が、互いに結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。また、Ｒ¹⁰⁴が２以上存在する場合は、これらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ¹⁰⁵が２以上存在する場合は、これらは同一でも異なっていてもよい。

式（１８）〜（２０）中、Ｒ¹⁰⁶、Ｒ¹⁰⁸及びＲ¹¹¹は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルキレン基である。Ｒ¹⁰⁷及びＲ¹¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜２０のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合及び／又はラクトン環を１つ又は複数含んでいてもよい。Ｒ¹⁰⁹は、単結合、又は直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜４のアルキレン基である。Ｒ¹¹²は、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜２０のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合及び／又はラクトン環を１つ又は複数含んでいてもよい。

式（１７）で表される化合物としては、トリス[２−(メトキシメトキシ)エチル]アミン、トリス[２−(２−メトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[２−(２−メトキシエトキシメトキシ)エチル]アミン、トリス[２−(１−メトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[２−(１−エトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[２−(１−エトキシプロポキシ)エチル]アミン、トリス[２−{２−(２−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、４,７,１３,１６,２１,２４−ヘキサオキサ−１,１０−ジアザビシクロ[８.８.８]ヘキサコサン、４,７,１３,１８−テトラオキサ−１,１０−ジアザビシクロ[８.５.５]エイコサン、１,４,１０,１３−テトラオキサ−７,１６−ジアザビシクロオクタデカン、１−アザ−１２−クラウン−４、１−アザ−１５−クラウン−５、１−アザ−１８−クラウン−６、トリス(２−ホルミルオキシエチル)アミン、トリス(２−アセトキシエチル)アミン、トリス(２−プロピオニルオキシエチル)アミン、トリス(２−ブチリルオキシエチル)アミン、トリス(２−イソブチリルオキシエチル)アミン、トリス(２−バレリルオキシエチル)アミン、トリス(２−ピバロイルオキシエチル)アミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)２−(アセトキシアセトキシ)エチルアミン、トリス(２−メトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス(２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス[２−(２−オキソプロポキシ)エチル]アミン、トリス[２−(メトキシカルボニルメチル)オキシエチル]アミン、トリス[２−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス[２−(シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス(２−メトキシカルボニルエチル)アミン、トリス(２−エトキシカルボニルエチル)アミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−(メトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)−２−(メトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−(エトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)−２−(エトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−(２−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)−２−(２−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−(２−ヒドロキシエトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)−２−(２−アセトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)−２−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−(２−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)−２−(２−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)−２−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−[(２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−アセトキシエチル)−２−[(２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ヒドロキシエチル)−２−(４−ヒドロキシブトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ホルミルオキシエチル)−２−(４−ホルミルオキシブトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−ホルミルオキシエチル)−２−(２−ホルミルオキシエトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ,Ｎ−ビス(２−メトキシエチル)−２−(メトキシカルボニル)エチルアミン、Ｎ−(２−ヒドロキシエチル)ビス[２−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−(２−アセトキシエチル)ビス[２−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−(２−ヒドロキシエチル)ビス[２−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−(２−アセトキシエチル)ビス[２−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−(３−ヒドロキシ−１−プロピル)ビス[２−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−(３−アセトキシ−１−プロピル)ビス[２−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−(２−メトキシエチル)ビス[２−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−ブチルビス[２−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−ブチルビス[２−(２−メトキシエトキシカルボニル)エチル]アミン、Ｎ−メチルビス(２−アセトキシエチル)アミン、Ｎ−エチルビス(２−アセトキシエチル)アミン、Ｎ−メチルビス(２−ピバロイルオキシエチル)アミン、Ｎ−エチルビス[２−(メトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、Ｎ−エチルビス[２−(ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、トリス(メトキシカルボニルメチル)アミン、トリス(エトキシカルボニルメチル)アミン、Ｎ−ブチルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、Ｎ−ヘキシルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、及びβ−(ジエチルアミノ)−δ−バレロラクトンが挙げられるが、これらに限定されない。

（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０〜３質量部であるが、含有する場合は、感度の観点から０.０１〜２質量部が好ましく、０.０５〜１質量部がより好ましい。

［その他の添加剤］
本発明の感光性樹脂組成物は、前述した各成分以外に、その他の添加剤を含んでもよい。その他の添加剤としては、例えば、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤が挙げられる。

前記界面活性剤としては、非イオン性のものが好ましく、例えば、フッ素系界面活性剤、具体的にはパーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。これらは、市販されているものを用いることができ、例えば、Ｆｌｕｏｒａｄ（登録商標）「ＦＣ−４３０」（スリーエム社製）、サーフロン（登録商標）「Ｓ−１４１」及び「Ｓ−１４５」（ＡＧＣセイミケミカル(株)製）、ユニダイン（登録商標）「ＤＳ−４０１」、「ＤＳ−４０３１」及び「ＤＳ−４５１」（ダイキン工業(株)製）、メガファック（登録商標）「Ｆ−８１５１」（ＤＩＣ(株)製）、「Ｘ−７０−０９３」（信越化学工業(株)製）等が挙げられる。これらの中でも、Ｆｌｕｏｒａｄ「ＦＣ−４３０」及び「Ｘ−７０−０９３」が好ましい。前記界面活性剤の含有量は、０.０５〜１質量部が好ましい。

本発明の感光性樹脂組成物は、その他の添加剤として、シランカップリング剤を含んでもよい。シランカップリング剤を含むことにより、該組成物から得られる樹脂皮膜の被接着体への密着性を更に高めることができる。シランカップリング剤としては、エポキシ基含有シランカップリング剤、芳香族基含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。前記シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、含有する場合は、本発明の感光性樹脂組成物中、０.０１〜５質量％が好ましい。

本発明の感光性樹脂組成物の調製方法は、特に限定されない。その一例としては、例えば、前記各成分を攪拌混合し、その後必要に応じてフィルター等により濾過する方法が挙げられる。

本発明の感光性樹脂組成物は、例えば、フォトリソグラフィー用のレジスト材料、半導体素子の保護膜、配線の保護膜、カバーレイフィルム、ソルダーマスク、貫通電極用絶縁膜（ＴＳＶ用）の材料、更には、三次元積層における積層基板間の接着剤として好適に用いられる。

［感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法］
本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法は、
（ｉ）前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ii）前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
（iii）前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むものである。

まず、（ｉ）本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する。前記基板としては、例えばシリコンウェハ、貫通電極用シリコンウェハ、裏面研磨により薄膜化したシリコンウェハ、プラスチック基板、セラミック基板、イオンスパッタリング法やめっき法等により基板全面又は一部にＮｉ、Ａｕ等の金属を有する基板等が挙げられる。開口幅が１０〜１００μｍかつ深さが１０〜１２０μｍである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有する基板が使用されることもある。

塗布方法としては、ディップ法、スピンコート法、ロールコート法等が挙げられる。塗布量は、目的に応じて適宜選択することができるが、得られる感光性樹脂皮膜の膜厚が好ましくは０.１〜２００μｍ、より好ましくは１〜１５０μｍとなるように塗布することが好ましい。基板面における膜厚均一性を向上させる目的で、感光性樹脂組成物を塗布する前に溶剤を基板に滴下してもよい（プリウェット法）。滴下する溶剤及びその量は、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコール類、シクロヘキサノン等のケトン類、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール類等が好ましいが、前記感光性樹脂組成物に使用される溶剤を用いることも可能である。

ここで、光硬化反応を効率的に行うため、必要に応じて予備加熱（プリベーク）により溶剤等を予め揮発させておいてもよい。予備加熱は、例えば、４０〜１４０℃で１分〜１時間程度行うことができる。

次いで、（ii）前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光する。露光波長としては、一般的には１〜６００ｎｍ、好ましくは１０〜６００ｎｍ、より好ましくは１９０〜５００ｎｍである。この場合、フォトマスクは、例えば所望のパターンをくりぬいたものでもよい。なお、フォトマスクの材質は、特に限定されないが、前記波長の光を遮蔽するものが好ましく、例えばクロム等が好適に用いられる。前記波長の光としては、例えば放射線発生装置により発生された種々の波長の光、例えば、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の紫外線光、遠紫外線光（２４８ｎｍ、１９３ｎｍ）等が挙げられる。これらのうち、波長２４８〜４３６ｎｍの光が特に好ましい。露光量は、１０〜１０,０００ｍＪ／ｃｍ²が好ましい。

更に、現像感度を高めるために、露光後加熱処理（ＰＥＢ）を行う。ＰＥＢは、４０〜１５０℃で０.５〜１０分間とすることが好ましい。ＰＥＢによって、露光部分が架橋して現像液である有機溶剤に不溶な不溶化パターンが形成される。

（iii）ＰＥＢ後、現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する。現像液としては、例えば、ＩＰＡ等のアルコール類、シクロヘキサノン等のケトン類、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール類等の有機溶剤が好ましいが、前記感光性樹脂組成物に使用される溶剤を用いることも可能である。現像方法としては、通常の方法、例えばパターン形成された基板を前記現像液に浸漬する方法等が挙げられる。その後、必要に応じて、洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンを有する皮膜が得られる。

更に、（iv）パターンを形成した皮膜を、オーブンやホットプレートを用いて、好ましくは１００〜２５０℃、より好ましくは１５０〜２２０℃で後硬化してもよい。本発明の感光性樹脂組成物を用いれば、２００℃前後の比較的低温の後硬化であっても、各種フィルム特性に優れた樹脂皮膜を得ることができる。なお、後硬化温度が１００〜２５０℃であれば、感光性樹脂組成物の架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去でき、基板に対する密着力、耐熱性や強度、電気特性、更に接合強度の観点から好ましい。後硬化時間は、好ましくは１０分間〜１０時間、より好ましくは１０分間〜３時間である。後硬化後の樹脂皮膜の膜厚は、通常１〜２００μｍ、好ましくは５〜５０μｍである。これらの工程を経て、最終目的の電気・電子部品保護用等の皮膜を得ることができる。

パターンを形成する必要のない場合、例えば単なる均一な皮膜を形成したい場合は、前記のパターン形成方法における（ii）において、前記フォトマスクを介さずに、適切な波長の光で露光して皮膜形成を行えばよい。

［基板の接合方法］
本発明の感光性樹脂組成物は、２つの基板を接合するための接着剤として使用できる。基板の接合方法としては、熱及び圧力の好適な条件下で、２つの基板間に接着性結合が形成されるように、本発明の組成物で皮膜を形成した基板を第２の基板と接合させる方法が挙げられる。皮膜を形成した基板及び第２の基板のいずれか一方又は両方が、ダイシング加工等によりチップ化されることもある。接合条件として、加熱温度は５０〜２００℃が好ましく、加熱時間は１〜６０分間が好ましい。接合装置として、ウェハボンダ装置を使用し、荷重を加えながら減圧下でのウェハ同士の貼り付け、あるいはフリップチップボンダ装置を用いたチップ−ウェハ又はチップ−チップ接合を行うこともできる。基板間に形成された接着層は、後述する後硬化処理により結合力が高まり、永久接合となる。

貼り付け（接合）を行った基板を前述した工程（iv）と同じ条件で後硬化処理することで前記樹脂皮膜の架橋密度が増し、基板接着力を高めることができる。なお、接合時の加熱によって架橋反応が起こるが、前記架橋反応においては脱ガスを伴う副反応が生じないため、特に基板接着剤として使用した場合において、貼り合わせ欠陥（ボイド）を誘起しない。

［感光性ドライフィルム］
本発明の感光性ドライフィルムは、支持フィルムと、該支持フィルム上に前記感光性樹脂皮膜とを備えるものである。

前記感光性ドライフィルム（支持フィルム及び感光性樹脂皮膜）は固体であり、感光性樹脂皮膜は溶剤を含まないため、その揮発による気泡が前記感光性樹脂皮膜の内部及び凹凸のある基板との間に残留するおそれがない。凹凸のある基板上での平坦性と段差被覆性あるいは基板積層間隔を考慮すると、適切な膜厚範囲は存在する。したがって、前記感光性樹脂皮膜の膜厚は、その平坦性及び段差被覆性、基板積層間隔の観点から、５〜２００μｍが好ましく、１０〜１００μｍがより好ましい。

また、前記感光性樹脂皮膜の粘度と流動性とは密接に関係しており、前記感光性樹脂皮膜は、適切な粘度範囲において適切な流動性を発揮でき、狭い隙間の奥まで入っていったり、樹脂が軟化することにより基板との接着性を強くしたりすることができる。したがって、前記感光性樹脂皮膜の粘度は、前記感光性樹脂皮膜の流動性の観点から、温度８０〜１２０℃において、好ましくは１０〜５,０００Ｐａ・ｓ、より好ましくは３０〜２,０００Ｐａ・ｓ、更に好ましくは５０〜３００Ｐａ・ｓである。なお、本発明において粘度は、回転粘度計による測定値である。

本発明の感光性ドライフィルムは、凹凸のある基板（例えば、開口幅が１０〜１００μｍかつ深さが１０〜１２０μｍである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有する基板）に密着させる際に、感光性樹脂皮膜が前記凹凸に追随して被覆され、高い平坦性を達成できる。特に、本発明の感光性樹脂組成物は、低い表面張力が特徴であるため、より高い平坦性を達成できる。更に、前記感光性樹脂皮膜を真空環境下で前記基板に密着させると、それらの隙間の発生をより効果的に防止できる。

次に、本発明の感光性ドライフィルムは、前記感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、乾燥させて感光性樹脂皮膜を形成することによって製造することができる。前記感光性ドライフィルムの製造装置としては、一般的に粘着剤製品を製造するためのフィルムコーターが使用できる。前記フィルムコーターとしては、例えば、コンマコーター、コンマリバースコーター、マルチコーター、ダイコーター、リップコーター、リップリバースコーター、ダイレクトグラビアコーター、オフセットグラビアコーター、３本ボトムリバースコーター、４本ボトムリバースコーター等が挙げられる。

支持フィルムを前記フィルムコーターの巻出軸から巻き出し、前記フィルムコーターのコーターヘッドを通過させるとき、前記支持フィルム上に前記感光性樹脂組成物を所定の厚みで塗布した後、所定の温度及び時間で熱風循環オーブンを通過させ、前記支持フィルム上で乾燥させて感光性樹脂皮膜とすることで、感光性ドライフィルムを製造することができる。また、必要に応じて、感光性ドライフィルムを前記フィルムコーターの別の巻出軸から巻き出された保護フィルムとともに、所定の圧力でラミネートロールを通過させて前記支持フィルム上の前記感光性樹脂皮膜と保護フィルムとを貼り合わせた後、前記フィルムコーターの巻取軸に巻き取ることによって、保護フィルム付き感光性ドライフィルムを製造することができる。この場合、前記温度としては２５〜１５０℃が好ましく、前記時間としては１〜１００分間が好ましく、前記圧力としては０.０１〜５ＭＰａが好ましい。

本発明の感光性ドライフィルムにおいて使用される支持フィルムは、単一のフィルムからなる単層フィルムであっても、複数のフィルムを積層した多層フィルムであってもよい。前記フィルムの材質としてはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げられる。これらのうち、適度の可とう性、機械的強度及び耐熱性を有するポリエチレンテレフタレートが好ましい。これらのフィルムは、コロナ処理や剥離剤塗布等の各種処理が行われたものでもよい。これらは市販品を使用することができ、例えばセラピールWZ(RX)、セラピールBX8(R)（以上、東レフィルム加工(株)製）、E7302、E7304（以上、東洋紡(株)製）、ピューレックスG31、ピューレックスG71T1（以上、帝人デュポンフィルム(株)製）、PET38×1-A3、PET38×1-V8、PET38×1-X08（以上、ニッパ(株)製）等が挙げられる。

前記保護フィルムとしては、前述した支持フィルムと同様のものを用いることができるが、適度の可とう性を有するポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンが好ましい。これらは市販品を使用することができ、ポリエチレンテレフタレートとしてはすでに例示したもの、ポリエチレンとしては、例えばGF-8（タマポリ(株)製）、ＰＥフィルム０タイプ（ニッパ(株)製）等が挙げられる。

前記支持フィルム及び保護フィルムの厚みは、感光性ドライフィルム製造の安定性、及び巻き芯に対する巻き癖、所謂カール防止の観点から、いずれも好ましくは１０〜１００μｍ、より好ましくは２５〜５０μｍである。

［感光性ドライフィルムを用いたパターン形成方法］
本発明の感光性ドライフィルムを用いたパターン形成方法は、
（ｉ）前記感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付け、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
（ii）前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
（iii）前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むものである。

まず、工程（ｉ）においては、保護フィルムが積層されている場合には、感光性ドライフィルムから保護フィルムを剥がした後、感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付ける。貼り付けは、例えばフィルム貼り付け装置を用いて行うことができる。

前記基板としては、前述した感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法において用いられるものと同じものが挙げられる。

前記フィルム貼り付け装置としては、真空ラミネーターが好ましい。例えば、前記感光性ドライフィルムの保護フィルムを剥離し、露出した前記感光性樹脂皮膜を所定真空度の真空チャンバー内において、所定の圧力の貼り付けロールを用いて、所定の温度のテーブル上で前記基板に密着させる。なお、前記温度としては６０〜１２０℃が好ましく、前記圧力としては０〜５.０ＭＰａが好ましく、前記真空度としては５０〜５００Ｐａが好ましい。

必要な厚さの感光性樹脂皮膜を得るために、必要に応じてフィルムを複数回貼り付けてもよい。貼り付け回数は、例えば１〜１０回程度で、膜厚が１０〜１,０００μｍ程度、特に１００〜５００μｍ程度の感光性樹脂皮膜を形成することができる。

前記感光性樹脂皮膜の光硬化反応を効率的に行うため、及び感光性樹脂皮膜と基板との密着性を向上させるため、必要に応じて予備加熱を行ってもよい。予備加熱は、例えば、４０〜１４０℃で１分間〜１時間程度行うことができる。基板に貼り付けた感光性樹脂皮膜は、前記感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法の場合と同様に、（ii）前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、（iii）前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程、及び必要に応じて（iv）後硬化加熱処理をすることでパターンを形成することができる。なお、感光性ドライフィルムの支持フィルムは、プロセスに応じて予備加熱前又はＰＥＢ前に剥がすか、他の方法で除去する。

本発明の感光性樹脂組成物及び感光性ドライフィルムから得られる樹脂皮膜は、耐熱性、可とう性、電気絶縁性、機械的特性及び基板等との密着性に優れ、半導体素子等の電気・電子部品保護用皮膜や基板接合用皮膜として好適に用いられる。

本発明の感光性樹脂組成物や感光性ドライフィルムを用いたパターン形成方法により、厚膜で微細なパターン形成を容易に行うことができる。

［積層体］
本発明の積層体は、基板に、本発明の感光性樹脂組成物から得られる樹脂皮膜又は本発明の感光性ドライフィルムから得られる樹脂皮膜が形成されたものである。前記基板としては、通常の平坦な基板のほか、凹凸のある基板（例えば、開口幅が１０〜１００μｍかつ深さが１０〜１２０μｍである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有する基板）も好適に使用し得る。本発明の積層体は、基板と樹脂皮膜との密着性に優れ、また、基板がこのような凹凸を持つ場合にも高い平坦性を有する。

以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。なお、Ｍｗは、カラムとしてTSKgel Super HZM-H（東ソー(株)製）を用い、流量０.６ｍＬ／分、溶出溶剤テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするＧＰＣにより測定した。

下記実施例及び比較例において使用した化合物（Ｓ−１）〜（Ｓ−７）は、以下のとおりである。

［１］シロキサン骨格含有高分子化合物の合成
［実施例１］樹脂１の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコに、化合物（Ｓ−１）１９.６ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−２）１３.３ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−３ａ）１６２.５ｇ（０.２５モル）及び化合物（Ｓ−７）６４.５ｇ（０.１５モル）を加えた後、トルエン２,０００ｇを加え、７０℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０.５質量％）１.０ｇを投入し、化合物（Ｓ−５）５８.２ｇ（０.３０モル）及び化合物（Ｓ−６）（ｙ¹＝４０、信越化学工業(株)製）６０４.０ｇ（０.２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／アルケニル基の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱し、６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂１を得た。樹脂１は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（Bruker社製）により、式（ａ１）〜（ａ４）及び式（ｂ１）〜（ｂ４）で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、ＧＰＣにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂１のＭｗは４２,０００、シリコーン含有率は６５.５質量％であった。

［実施例２］樹脂２の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコに、化合物（Ｓ−１）１９.６ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−２）１３.３ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−３ｂ）１３３.０ｇ（０.２５モル）及び化合物（Ｓ−７）６４.５ｇ（０.１５モル）を加えた後、トルエン２,０００ｇを加え、７０℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０.５質量％）１.０ｇを投入し、化合物（Ｓ−５）５８.２ｇ（０.３０モル）及び化合物（Ｓ−６）（ｙ¹＝４０、信越化学工業(株)製）６０４.０ｇ（０.２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／アルケニル基の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱し、６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂２を得た。樹脂２は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（Bruker社製）により、式（ａ１）〜（ａ４）及び式（ｂ１）〜（ｂ４）で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、ＧＰＣにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂２のＭｗは４３,０００、シリコーン含有率は６７.７質量％であった。

［実施例３］樹脂３の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコに、化合物（Ｓ−１）１９.６ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−２）１３.３ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−３ｃ）１３５.５ｇ（０.２５モル）及び化合物（Ｓ−７）６４.５ｇ（０.１５モル）を加えた後、トルエン２,０００ｇを加え、７０℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０.５質量％）１.０ｇを投入し、化合物（Ｓ−５）５８.２ｇ（０.３０モル）及び化合物（Ｓ−６）（ｙ¹＝４０、信越化学工業(株)製）６０４.０ｇ（０.２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／アルケニル基の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱し、６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂３を得た。樹脂３は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（Bruker社製）により、式（ａ１）〜（ａ４）及び式（ｂ１）〜（ｂ４）で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、ＧＰＣにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂３のＭｗは４２,０００、シリコーン含有率は６７.５質量％であった。

［実施例４］樹脂４の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコに、化合物（Ｓ−１）３９.２ｇ（０.１０モル）、化合物（Ｓ−２）２６.５ｇ（０.１０モル）、化合物（Ｓ−３ａ）３２.５ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−４）９.３ｇ（０.０５モル）及び化合物（Ｓ−７）８６.０ｇ（０.２０モル）を加えた後、トルエン２,０００ｇを加え、７０℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０.５質量％）１.０ｇを投入し、化合物（Ｓ−５）５８.２ｇ（０.３０モル）及び化合物（Ｓ−６）（ｙ¹＝２０、信越化学工業(株)製）３１７.０ｇ（０.２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／アルケニル基の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱し、６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂４を得た。樹脂４は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（Bruker社製）により、式（ａ１）〜（ａ５）及び式（ｂ１）〜（ｂ５）で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、ＧＰＣにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂４のＭｗは４３,０００、シリコーン含有率は５５.７質量％であった。

［実施例５］樹脂５の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコに、化合物（Ｓ−１）３９.２ｇ（０.１０モル）、化合物（Ｓ−２）２６.５ｇ（０.１０モル）、化合物（Ｓ−３ｂ）２６.６ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−４）９.３ｇ（０.０５モル）及び化合物（Ｓ−７）８６.０ｇ（０.２０モル）を加えた後、トルエン２,０００ｇを加え、７０℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０.５質量％）１.０ｇを投入し、化合物（Ｓ−５）５８.２ｇ（０.３０モル）及び化合物（Ｓ−６）（ｙ¹＝２０、信越化学工業(株)製）３１７.０ｇ（０.２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／アルケニル基の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱し、６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂５を得た。樹脂５は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（Bruker社製）により、式（ａ１）〜（ａ５）及び式（ｂ１）〜（ｂ５）で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、ＧＰＣにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂５のＭｗは４５,０００、シリコーン含有率は５６.３質量％であった。

［実施例６］樹脂６の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコに、化合物（Ｓ−１）３９.２ｇ（０.１０モル）、化合物（Ｓ−２）２６.５ｇ（０.１０モル）、化合物（Ｓ−３ｃ）２７.１ｇ（０.０５モル）、化合物（Ｓ−４）９.３ｇ（０.０５モル）及び化合物（Ｓ−７）８６.０ｇ（０.２０モル）を加えた後、トルエン２,０００ｇを加え、７０℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０.５質量％）１.０ｇを投入し、化合物（Ｓ−５）５８.２ｇ（０.３０モル）及び化合物（Ｓ−６）（ｙ¹＝２０、信越化学工業(株)製）３１７.０ｇ（０.２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／アルケニル基の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱し、６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂６を得た。樹脂６は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び²⁹Ｓｉ−ＮＭＲ（Bruker社製）により、式（ａ１）〜（ａ５）及び式（ｂ１）〜（ｂ５）で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、ＧＰＣにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂６のＭｗは４４,０００、シリコーン含有率は５６.３質量％であった。

［比較例１］樹脂７の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコに、化合物（Ｓ−１）７８.４ｇ（０.２０モル）、化合物（Ｓ−２）３９.８ｇ（０.１５モル）及び化合物（Ｓ−７）６４.５ｇ（０.１５モル）を加えた後、トルエン２,０００ｇを加え、７０℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０.５質量％）１.０ｇを投入し、化合物（Ｓ−５）５８.２ｇ（０.３０モル）及び化合物（Ｓ−６）（ｙ¹＝４０、信越化学工業(株)製）６０４.０ｇ（０.２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／アルケニル基の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱し、６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂７を得た。樹脂７のＭｗは４２,０００、シリコーン含有率は７１.５質量％であった。

［比較例２］樹脂８の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコに、化合物（Ｓ−１）５８.８ｇ（０.１５モル）、化合物（Ｓ−２）２６.５ｇ（０.１０モル）、化合物（Ｓ−４）９.３ｇ（０.０５モル）及び化合物（Ｓ−７）８６.０ｇ（０.２０モル）を加えた後、トルエン２,０００ｇを加え、７０℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０.５質量％）１.０ｇを投入し、化合物（Ｓ−５）５８.２ｇ（０.３０モル）及び化合物（Ｓ−６）（ｙ＝２０、信越化学工業(株)製）３１７.０ｇ（０.２０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計／アルケニル基の合計＝１／１（モル比））。滴下終了後、１００℃まで加熱し、６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂８を得た。樹脂８のＭｗは４５,０００、シリコーン含有率は５７.０質量％であった。

［２］感光性樹脂組成物の調製
［実施例７〜１７、比較例３〜４］
下記表１に記載の組成になるように、樹脂１〜８、光酸発生剤、架橋剤、溶剤及び塩基性化合物を混合し、その後常温にて攪拌して溶解させた後、テフロン（登録商標）製１.０μｍフィルターで精密濾過を行い、感光性樹脂組成物を調製した。

表１中、光酸発生剤ＰＡＧ−１、架橋剤ＣＬ−１、ＣＬ−２、及び塩基性化合物ＡＭ−１は、以下のとおりである。

［３］感光性ドライフィルムの作製
フィルムコーターとしてダイコーター、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）を用いて、表１に記載した感光性樹脂組成物をそれぞれ前記支持フィルム上に塗布した。次いで、１００℃に設定された熱風循環オーブン（長さ４ｍ）を５分間で通過させることにより乾燥し、支持フィルム上に感光性樹脂皮膜を形成し、感光性ドライフィルムを得た。前記感光性樹脂皮膜の上から、保護フィルムとしてのポリエチレンフィルム（厚さ５０μｍ）をラミネートロールで圧力１ＭＰａにて貼り合わせ、保護フィルム付き感光性ドライフィルムを作製した。各感光性樹脂皮膜の膜厚は表２に記載した。なお、感光性樹脂皮膜の膜厚は光干渉式厚膜測定機により測定した。

［４］樹脂皮膜の評価
（１）パターン形成及びその評価
前記保護フィルム付き感光性ドライフィルムは、保護フィルムを剥離し、真空ラミネーターTEAM-100RF（(株)タカトリ製）を用いて、真空チャンバー内の真空度を８０Ｐａに設定し、支持フィルム上の感光性樹脂皮膜をマイグレーション試験用基板（導電材料が銅、導電部間隔及び導電部幅が２０μｍ、導電部厚み４μｍの櫛形電極基板）に密着させた。温度条件は１１０℃とした。常圧に戻した後、前記基板を真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、基板との密着性を高めるため、ホットプレートにより１３０℃で５分間予備加熱を行った。得られた感光性樹脂皮膜に対してラインアンドスペースパターン及びコンタクトホールパターンを形成するためにマスクを介し、４０５ｎｍの露光条件でコンタクトアライナ型露光装置を使用して露光した。光照射後、ホットプレートにより１２０℃で５分間ＰＥＢを行った後冷却し、前記基板をＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）にて３００秒間スプレー現像を行い、パターンを形成した。

前記方法によりパターンを形成した基板上の感光性樹脂皮膜をオーブンを用いて１８０℃で２時間、窒素パージしながら後硬化した。その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、形成した１００μｍ、８０μｍ、６０μｍ、４０μｍ、２０μｍのコンタクトホールパターン断面を観察し、フィルム底部までホールが貫通している最小のホールパターンを限界解像性とした。更に得られた断面写真から、８０μｍのコンタクトホールパターンの垂直性を評価し、垂直なパターンは◎、やや逆テーパー形状は○、逆テーパー形状は△、開口不良は×とした。

（２）電気特性（絶縁破壊強さ）の評価
感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂皮膜の絶縁破壊強さを評価するため、表１に記載した各感光性樹脂組成物を１３ｃｍ×１５ｃｍ、厚さ０.７ｍｍの鉄板上にバーコーターにて塗布し、１８０℃のオーブンで２時間加熱して、感光性樹脂皮膜を得た。感光性樹脂組成物は、得られる皮膜の膜厚が０.２μｍとなるよう塗布した。この感光性樹脂皮膜を使用して、絶縁破壊試験機ＴＭ−５０３１ＡＭ（多摩電測(株)製）により、各皮膜の絶縁破壊強さを測定した。

（３）信頼性（密着性、耐クラック性）の評価
前述したパターン形成した硬化後の実施例１〜６及び比較例１〜２の感光性樹脂フィルム付きウェハをダイシングブレードを備えるダイシングソー（ＤＡＤ６８５、ＤＩＳＣＯ社製、スピンドル回転数は４０,０００ｒｐｍ、切断速度は２０ｍｍ／ｓｅｃ）を使用して１０ｍｍ×１０ｍｍ角の試験片を得た。得られた試験片（各１０片づつ）をヒートサイクル試験（−２５℃で１０分間保持、１２５℃で１０分間保持を１,０００サイクル繰り返した。）に供し、ヒートサイクル試験後の樹脂フィルムのウェハからの剥離状態、クラックの有無を確認した。全く剥離・クラックを生じなかったものを良好、１つでも剥離を生じたものを剥離、１つでもクラックが生じたものをクラックとした。

（４）耐熱性の評価
前述した信頼性評価で作製した試験片の試験前質量を測定し、その後、試験片を２００℃に加熱したオーブンに１,０００時間放置した後、試験片をオーブンから取り出し、試験後質量を測定した。試験前後の質量変化率が０.５％未満だった場合を良好、試験前後の質量変化率が０.５％以上だった場合を不良として判定した。

（５）耐薬品性の評価
感光性樹脂皮膜の耐薬品性、特に半導体素子等を形成する場合に多用されるＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に対する耐溶剤性を調査するため、各組成物につき、（３）信頼性の評価と同様の方法で、１０ｍｍ×１０ｍｍのパターンをウェハ上に形成した。このウェハをＮＭＰ中に室温で１時間浸漬したのち、膜厚変化、外観を調査し、耐薬品性を評価した。外観や膜厚に変化がなかったものを○とし、膜厚増加や膨潤がみられたものは×として判定した。

表１に記載した各感光性樹脂組成物を用いて得られた樹脂皮膜の評価結果を、表２に示す。

以上の結果より、本発明の感光性樹脂組成物から得られる樹脂皮膜は、膜べりもほとんどなく、良好な解像力を示し、感光性材料として十分な特性を示すとともに、絶縁耐圧といった電気特性や耐熱性、耐薬品性を有し、更には、ヒートサイクル試験時における密着性や耐クラック性といった特性にも優れ、回路や電子部品の保護膜として有用であるという結果が得られた。これにより、より信頼性の高い感光性ドライフィルムを提供することが可能となった。

Claims (20)

1. 下記式（ａ１）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ１）で表される繰り返し単位を含むシリコーン骨格含有高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の１価炭化水素基である。ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０〜３００の整数である。Ｘ¹は、下記式（１）で表される２価の基である。
   

   

   （式中、Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜８の１価炭化水素基であり、該１価炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒ¹²は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜８のアルキレン基であり、該アルキレン基を構成するメチレン基の一部が、エーテル結合又はフェニレン基で置換されていてもよい。Ｒ¹³は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜８の１価炭化水素基、ヒドロキシ基又はグリシジル基である。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。Ｙ¹は、単結合、又は下記式（１−１）、（１−２）若しくは（１−３）で表される２価の有機基である。）
   

   

   （式中、Ｒ¹⁴は、炭素数１〜８の１価炭化水素基であり、該１価炭化水素基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｙ²は、２価の有機基である。ｒ及びｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。）］
2. Ｙ²が、下記式で表される基から選ばれる基である請求項１記載のシリコーン骨格含有高分子化合物。
   

   

   （式中、Ｒは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜８のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基である。ｗは、１〜６の整数である。ｘは、０〜４の整数である。ｙ及びｚは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。）
3. 更に、下記式（ａ２）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ２）で表される繰り返し単位を含む請求項１又は２記載のシリコーン骨格含有高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。Ｘ²は、下記式（２）で表される２価の基である。
   

   

   （式中、Ｚ¹は、単結合又は
   

   

   から選ばれる２価の有機基である。Ｒ²¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ²²及びＲ²³は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルコキシ基である。ａは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。ｂ及びｃは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。）］
4. 更に、下記式（ａ３）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ３）で表される繰り返し単位を含む請求項１〜３のいずれか１項記載のシリコーン骨格含有高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。Ｘ³は、下記式（３）で表される２価の基である。
   

   

   （式中、Ｚ²は、単結合又は
   

   

   から選ばれる２価の有機基である。Ｒ³¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ³²及びＲ³³は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルキル基、又は直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜４のアルコキシ基である。ｄは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。ｅ及びｆは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。）］
5. 更に、下記式（ａ４）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ４）で表される繰り返し単位を含む請求項１〜４のいずれか１項記載のシリコーン骨格含有高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。Ｘ⁴は、下記式（４）で表される２価の基である。
   

   

   （式中、Ｒ⁴¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。ｇは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。）］
6. 更に、下記式（ａ５）で表される繰り返し単位及び下記式（ｂ５）で表される繰り返し単位を含む請求項１〜５のいずれか１項記載のシリコーン骨格含有高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍ及びｎは、前記と同じ。Ｘ⁵は、下記式（５）で表される２価の基である。
   

   

   （式中、Ｒ⁵¹は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ⁵²及びＲ⁵³は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の１価炭化水素基である。ｊ及びｋは、それぞれ独立に、０〜３００の整数である。ｈは、それぞれ独立に、０〜７の整数である。）］
7. （Ａ）請求項１〜６のいずれか１項記載のシリコーン骨格含有高分子化合物を含むベース樹脂、及び（Ｂ）光酸発生剤を含む感光性樹脂組成物。
8. 更に、（Ｃ）架橋剤を含む請求項７記載の感光性樹脂組成物。
9. （Ｃ）架橋剤が、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれる少なくとも１種である請求項８記載の感光性樹脂組成物。
10. 更に、（Ｄ）溶剤を含む請求項７〜９のいずれか１項記載の感光性樹脂組成物。
11. 更に、（Ｅ）塩基性化合物を含む請求項７〜１０のいずれか１項記載の感光性樹脂組成物。
12. 請求項７〜１１のいずれか１項記載の感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜。
13. 支持フィルムと、該支持フィルム上に請求項１２記載の感光性樹脂皮膜とを備える感光性ドライフィルム。
14. 開口幅が１０〜１００μｍであり、かつ深さが１０〜１２０μｍである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有する基板と、請求項１２記載の感光性樹脂皮膜とを備える積層体。
15. （ｉ）請求項７〜１１のいずれか１項記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
    （ii）前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
    （iii）前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
    を含むパターン形成方法。
16. （ｉ）請求項１３記載の感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付け、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
    （ii）前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
    （iii）前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
    を含むパターン形成方法。
17. 更に、（iv）現像によりパターン形成された樹脂皮膜を、１００〜２５０℃の温度で後硬化する工程を含む請求項１５又は１６記載のパターン形成方法。
18. 前記基板が、開口幅が１０〜１００μｍであり、かつ深さが１０〜１２０μｍである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有するものである請求項１５〜１７のいずれか１項記載のパターン形成方法。
19. 前記感光性樹脂組成物が、電気・電子部品保護用皮膜の材料である請求項７〜１１のいずれか１項記載の感光性樹脂組成物。
20. 前記感光性樹脂組成物が、２つの基板を接合するための基板接合用皮膜の材料である請求項７〜１１のいずれか１項記載の感光性樹脂組成物。