JP2019012269A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高品質な表示が可能な電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。また、画素の輪郭において残像が生じることを防止した電界駆動型表示装置を提供する。【解決手段】第２の電極１０９上に絶縁膜１１０が形成され、絶縁膜１１０上に複数の第１の電極１００が形成されている。第１の電極１００はそれぞれ第２の電極１０９と電気的に接続されており、第２の電極１０９は隣りあう２つの第１の電極１００の間の領域と一部が重なるように配置されている。すなわち、表示装置を上面または下面から見たとき、第１の電極１００と隣接する第１の電極１００とが離れて設けられており、第１の電極１００と第１の電極１００との隙間を埋めるように第２の電極１０９が設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、表示装置、反射型表示装置、又はそれらの駆動方法、又はそれ
らの作製方法に関する。特に、粒子を液体中または気体中で移動させて動作させる、半導
体装置、表示装置、反射型表示装置、又はそれらの駆動方法、又はそれらの作製方法に関
する。または、電気泳動現象を利用する、半導体装置、表示装置、反射型表示装置、又は
それらの駆動方法、又はそれらの作製方法に関する。または、当該半導体装置、当該表示
装置、又は当該反射型表示装置を有する電子機器に関する。
近年、表示装置に関する研究が盛んに行われており、低消費電力で駆動可能な表示装置
のひとつとして電界駆動型表示装置（例えば、電子ペーパー）が注目されている。電界駆
動型表示装置は、低消費電力化が可能なことや、電源を切っても画像を保持できるという
利点を有しており、電子書籍やポスターへの利用が期待されている。
これまでに様々な種類・方式を用いた電界駆動型表示装置が提案されている。例えば、
特許文献１及び２にはマイクロカプセルを用いた電気泳動方式の電界駆動型表示装置が開
示されている。特許文献３にはマイクロカップを用いた電気泳動方式の電界駆動型表示装
置が開示されている。特許文献４には電子粉流体（登録商標）を用いた粒子移動方式の電
界駆動型表示装置が開示されている。
特開２００８−２７６１５３号公報 特開２００９−８６１５３号公報 特表２００６−５１８８８１号公報 特開２００９−１３９８５５号公報
本発明の一態様は、高品質な表示が可能な電界駆動型表示装置を提供することを課題と
する。または、本発明の一態様は、表示不良（例えば、画素の輪郭において残像が生じる
現象）を低減した電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一
態様は、表示媒体に含まれる粒子の凝集を低減した電界駆動型表示装置を提供することを
課題とする。または、本発明の一態様は、表示媒体に対する電界のかかり方を改善した電
界駆動型表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、コントラス
トを向上した電界駆動型表示装置を提供することを課題とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、特許請求の範囲などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、
明細書、図面、特許請求の範囲などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能
である。
本発明の一態様は、一の画素の画素電極と、一の画素に隣接する画素の画素電極との隙
間に、補助電極を設けた電界駆動型表示装置である。
または、本発明の一態様は、隣り合う２つの第１の電極と、第２の電極と、第３の電極
と、２つの第１の電極と第２の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、第３の電極
は、２つの第１の電極と第２の電極との間に設けられ、且つ、２つの第１の電極の一方と
電気的に接続され、第３の電極は、絶縁膜を介して、２つの第１の電極の一方と少なくと
も一部が重なり、第３の電極は、絶縁膜を介して、２つの第１の電極の他方と少なくとも
一部が重なる電界駆動型表示装置である。
または、本発明の一態様は、隣り合う２つの第１の電極と、第２の電極と、第３の電極
と、２つの第１の電極と第２の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、第３の電極
は、２つの第１の電極と第２の電極との間に設けられ、且つ、２つの第１の電極の一方と
電気的に接続され、第３の電極は、絶縁膜を介して、２つの第１の電極の一方と少なくと
も一部が重なり、第３の電極は、絶縁膜を介して、２つの第１の電極の他方と重ならない
電界駆動型表示装置である。
または、本発明の一態様は、隣り合う２つの第１の電極と、第２の電極と、第３の電極
と、２つの第１の電極と第２の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、２つの第１
の電極は、第３の電極と第２の電極との間に設けられ、第３の電極は、２つの第１の電極
の一方と電気的に接続され、第３の電極は、絶縁膜を介して、２つの第１の電極の一方と
少なくとも一部が重なり、第３の電極は、絶縁膜を介して、２つの第１の電極の他方と少
なくとも一部が重なる電界駆動型表示装置である。
または、本発明の一態様は、隣り合う２つの第１の電極と、第２の電極と、第３の電極
と、２つの第１の電極と第２の電極との間に配置された荷電粒子と、を有し、２つの第１
の電極は、第３の電極と第２の電極との間に設けられ、第３の電極は、２つの第１の電極
の一方と電気的に接続され、第３の電極は、絶縁膜を介して、２つの第１の電極の一方と
少なくとも一部が重なり、第３の電極は、絶縁膜を介して、２つの第１の電極の他方と重
ならない電界駆動型表示装置である。
なお、図において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場
合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
なお、図は、理想的な例を模式的に示したものであり、図に示す形状などに限定されな
い。例えば、製造技術による形状のばらつき、誤差による形状のばらつきなどを含むこと
が可能である。
なお、専門用語は、特定の実施の形態などを述べる目的で用いられる場合が多い。ただ
し、発明の一態様は、専門用語によって、限定して解釈されるものではない。
なお、定義されていない文言（専門用語又は学術用語などの、科学技術文言を含む）は
、通常の当業者が理解する一般的な意味と同等の意味として用いることが可能である。辞
書等により定義されている文言は、関連技術の背景と矛盾がないような意味に解釈される
ことが好ましい。
本発明の一態様は、高品質な表示が可能な電界駆動型表示装置を提供することができる
。または、本発明の一態様は、表示不良（例えば、画素の輪郭において残像が生じる現象
）を低減した電界駆動型表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、
表示媒体に含まれる粒子の凝集を低減した電界駆動型表示装置を提供することができる。
または、本発明の一態様は、表示媒体に対する電界のかかり方を改善した電界駆動型表示
装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、コントラストを向上した電界
駆動型表示装置を提供することができる。
本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の上面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の上面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の上面図。 本発明の一態様に係る表示装置の上面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の上面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の断面図。 本発明の一態様に係る表示装置の上面図。 本発明の一態様に係る表示装置を用いた電子機器。 本発明の一態様に係る表示装置を用いた電子機器。 本発明の一態様に係る表示装置の上面図。
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以
下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態およ
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発
明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に
説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分については同一の符号を異
なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の
形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実
施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換
えなどを行うことができる。
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用い
て述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図は、その実施の形態において述べる別の
図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図
（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させること
ができる。なお、ある一つの実施の形態において述べる図の一部は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることができる。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明
する。
図１は、本発明の電界駆動型表示装置の一態様の断面模式図である。複数の電極１０９
上に絶縁膜１１０が形成される。絶縁膜１１０にコンタクトホールが設けられ、絶縁膜１
１０上に形成された複数の電極１００と複数の電極１０９とがそれぞれ電気的に接続され
る。電極１０９は、隣り合う２つの電極１００の間の領域と少なくとも一部が重なるよう
に配置されている。すなわち、表示装置の上面または下面から見たとき、隣り合う２つの
電極１００が離れて設けられており、隣り合う２つの電極１００の隙間に電極１０９が設
けられている。ここで、電極１００は画素電極として機能し、電極１０９は補助電極とし
て機能することが可能である。本明細書において、補助電極とは画素電極の面積と同等ま
たは画素電極の面積よりも小さい電極を意味する。
電極１００と電極１０１との間に層１０２が形成され、または配置され、または貼り付
けられている。電極１０１は対向電極として機能することが可能である。層１０２は表示
媒体を含む層である。層１０２は粒子を含んで形成することが可能である。または、層１
０２に含まれる粒子は帯電していることが可能である。このような粒子を本明細書では荷
電粒子という。層１０２の一例としては、マイクロカプセル１０４を分散剤１０３に分散
して固定した構成等が挙げられる。電極１００と層１０２との間または電極１０１と層１
０２との間には、粘着層、接着層などを形成することが可能である。
マイクロカプセル１０４の一例として、カプセル内に２色の粒子が存在する物体を用い
ることが可能である。図１では、正に帯電したある色の粒子１０５と、負に帯電した異な
る色の粒子１０６とが、カプセル内に含まれる溶媒中に分散して存在している様子を示し
ている。なお、溶媒の一例として、透明な液体を用いることが可能である。電極１００お
よび電極１０１に電圧を印加し、電極１００と電極１０１との間の電気力線に変化が生じ
ると、正に帯電したある色の粒子１０５および負に帯電した異なる色の粒子１０６が電気
力線の方向（電界方向）に応じて移動する。すなわち、正に帯電したある色の粒子１０５
及び負に帯電した異なる色の粒子１０６がそれぞれ電極１００側又は電極１０１側に移動
し、層１０２の反射率が変化する。これにより、画素毎にコントラストが変わり、画像が
表示される。なお、溶媒は着色していてもよい。ここでは、２種類の粒子が存在する場合
について２色の粒子を用いて説明しているが、１種類（１色）の粒子のみを用いてもよい
。
図２は表示装置の上面を表示面とした場合を示し、図３は表示装置の下面を表示面とし
た場合を示している。電極１００および電極１０１に電圧を印加して、電極１００から電
極１０１に向かう電気力線に変化が生じたとき、電極１００上に配置されたマイクロカプ
セル内の粒子は、電極１００から電極１０１にほぼ垂直に向かう電界１０７に応じて移動
する。また、電極１００と隣接する電極１００との間の領域上に配置されたマイクロカプ
セル内の粒子は、電極１０９から電極１０１にほぼ垂直に向かう電界１０８に応じて移動
する（図２及び図３）。
このように、本発明の実施の形態の一態様は、液体の中において、帯電したもの（粒子
状のもの、棒状のもの、筒状のものなど）が電界に応じて移動または回転するという電気
泳動現象を利用している。したがって、電気泳動現象を利用している装置のことを、電気
泳動装置（または電気泳動型装置）と呼ぶことができる。さらに、電気泳動現象を利用し
ている表示装置のことを、電気泳動表示装置（または電気泳動型表示装置）と呼ぶことが
できる。
または、本発明の実施の形態の一態様は、液体または気体の中において、帯電したもの
（粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなど）が電界に応じて移動または回転するとい
う現象を利用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、粒子
移動装置（または粒子移動型装置）と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用
している表示装置のことを、粒子移動表示装置（または粒子移動型表示装置）と呼ぶこと
ができる。
または、本発明の実施の形態の一態様は、液体または気体の中において、帯電したもの
（粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなど）が電界に応じて回転するという現象を利
用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、粒子回転装置（
または粒子回転型装置）と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用している表
示装置のことを、粒子回転表示装置（または粒子回転型表示装置）と呼ぶことができる。
または、本発明の実施の形態の一態様は、液体または気体の中において、帯電したもの
（粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなど）が電界に応じて移動または回転するとい
う現象を利用している。したがって、このような現象を利用している装置のことを、電界
駆動装置（または電界駆動型装置）と呼ぶことができる。さらに、このような現象を利用
している表示装置のことを、電界駆動表示装置（または電界駆動型表示装置）と呼ぶこと
ができる。
または、本発明の実施の形態の一態様は、マイクロカプセルのような小さなカプセルの
中を、帯電したもの（粒子状のもの、棒状のもの、筒状のものなど）が電界に応じて移動
または回転するという現象を利用している。したがって、このような現象を利用している
装置のことを、マイクロカプセル装置（またはマイクロカプセル型装置）と呼ぶことがで
きる。さらに、このような現象を利用している表示装置のことを、マイクロカプセル表示
装置（またはマイクロカプセル型表示装置）と呼ぶことができる。
したがって、図１に示すような装置は、電気泳動装置、粒子移動装置、粒子回転装置、
電界駆動装置、または、マイクロカプセル装置と呼ぶことができる。
表示不良を低減させるために、図２のように電極１０１側を表示面とする場合には、電
極１０１側における粒子の凝集を制御できることが重要である。また、図３のように電極
１００側を表示面とする場合には、電極１００側における粒子の凝集を制御できることが
重要である。粒子の凝集を制御することができれば、遮光膜を設けなくとも表示不良が低
減された表示装置を得ることができる。なお、図３のように、電極１００側を表示面とす
る場合には、電極１００または電極１０９に接続されるトランジスタ及び配線として、透
明なトランジスタ及び透明な配線を用いて表示装置を構成することが望ましい。
図１〜図３において、電極１０９は電極１００と電気的に接続されているため、電極１
０９と電極１００とに印加される電圧は同等である。また、層１０２の厚さは一例として
４０μｍ〜１００μｍ程度であるのに対し、絶縁膜１１０の膜厚は一例として数ｎｍ〜２
μｍ程度であるため、電極１０９から電極１０１までの距離と、電極１００から電極１０
１までの距離は、実質的にはほぼ同じであるとみなすことができる。したがって、表示画
像を書き換える動作を行った際、電極１０１にかかる電界１０７と電界１０８は同等にな
る。このため、隣り合う２つの電極１００間の領域上（電極１０９上）に配置されたマイ
クロカプセルの表示領域（電界１０８がかかる領域）においても、電極１００上に配置さ
れたマイクロカプセルの表示領域（電界１０７がかかる領域）と同じように、マイクロカ
プセル内の粒子が移動し、粒子の凝集を低減できるため、書き換え動作を反映した表示を
行うことができる。これにより、残像が生じにくい、電界駆動型表示装置、電気泳動型表
示装置、粒子移動型表示装置、粒子回転型表示装置、又はマイクロカプセル型表示装置を
作製することができる。
仮に電極１０９がない場合、電極１００から電極１０１にほぼ垂直に向かう電界がかか
る領域（電極１００上の領域）と、電極１００から電極１０１に湾曲して向かう電界がか
かる領域（隣り合う２つの電極１００と重ならない領域）とでは、電極１００から電極１
０１に湾曲して向かう電界がかかる領域における電界強度の方が弱い。したがって、表示
画像を書き換える動作を行った際、電極１００から電極１０１に湾曲して向かう電界がか
かる領域では、書き換え動作を行う前の状態を保持してしまう場合や、書き換え動作を行
う前の状態を引きずって、中間的な状態となってしまう場合などがある。このとき、粒子
の凝集が生じる可能性があり、表示された画像は残像が生じた状態となることがある。こ
のような現象は、電極１００が存在しない領域、すなわち画素電極と隣り合う画素電極と
の境界部分で起きやすい。そこで、図１〜図３のような構成にすることにより、残像や粒
子の凝集を低減することができる。
なお、電極１０１を全面に形成することが望ましいが、本実施の形態の一態様はこれに
限定されない。例えば、電極１０１をストライプ状にしてもよい。また、電極１０１をス
トライプ状に形成し、電極１００を電極１０１と直交する方向に延びるストライプ状に設
けることが可能である（図４）。そのため、例えば、パッシブマトリクス型表示装置とす
ることもできる。
パッシブマトリクス型表示装置の上面図の一例を図６に示す。まず、電極１０９を形成
する（図４、図６（Ａ））。電極１０９は補助電極として機能することが可能である。電
極１０９上に絶縁膜１１０を形成する（図４）。絶縁膜１１０にコンタクトホール１１３
を形成し、電極１０９に電気的に接続されたストライプ状の電極１００を形成する（図４
、図６（Ｂ））。電極１００は画素電極として機能することが可能である。電極１００上
に表示媒体を含む層１０２を形成する（図４）。表示媒体を含む層１０２上（電極１０９
が設けられた基板に対向する基板の下）にストライプ状の電極１０１を形成する（図４、
図６（Ｃ））。電極１０１は対向電極として機能することが可能である。なお、図４は図
６（Ｃ）のＡ−Ｂ断面を示した図である。なお、図６（Ｄ）は、図６（Ｂ）のコンタクト
ホール１１３及び電極１００を抜粋して示した図、図４３（Ａ）は、図６（Ｃ）のストラ
イプ状の電極１０１を抜粋して示した図である。
パッシブマトリクス型表示装置を上面または下面から見ると、画素部全体に電極１０９
又は電極１００が形成された状態になっている。言い換えると、電極１０１が形成される
領域に対向する領域全てに電極１０９又は電極１００が形成されている（図６（Ｂ））。
このような構成を有することにより、対向電極として機能することが可能な電極１０１と
重なる領域に、ほぼ均一な電界がかかり、表示不良を低減した表示装置を得ることができ
る。
なお、電極１０１にも補助電極として機能することが可能な電極を設けることが可能で
ある。電極１０１に電気的に接続された電極１１４を設けたパッシブマトリクス型表示装
置の上面図の一例を図４３（Ｃ）に示す。図５は図４３（Ｃ）のＫ−Ｌ断面を示した図で
ある。電極１０９上に絶縁膜１１０を形成する。絶縁膜１１０にコンタクトホール１１３
を形成し、電極１０９に電気的に接続された電極１００を形成する。電極１００上に表示
媒体を含む層１０２を形成する。表示媒体を含む層１０２上（電極１０９が設けられた基
板に対向する基板の下）に電極１０１を形成する（図５、図４３（Ｂ））。電極１０１上
に絶縁膜１１５を形成し、絶縁膜１１５に形成したコンタクトホール１１６において電極
１０１と電気的に接続するように電極１１４を形成する（図５、図４３（Ｃ））。このよ
うに、画素部全体に電極１０１又は電極１１４が形成されたパッシブマトリクス型表示装
置が作製できる。言い換えると、電極１００が形成される領域に対向する領域全てに電極
１０１又は電極１１４を形成することができる。このような構成を有することにより、画
素部全体に、ほぼ均一な電界がかかり、表示不良を低減した表示装置を得ることができる
。なお、図４３（Ｄ）は、図４３（Ｃ）のコンタクトホール１１６及び電極１１４を抜粋
して示した図である。
図７に示すように、電極１０９を保持容量の電極として機能させることも可能である。
図７は、前述した図１に配線１１１と絶縁膜１１２とを加えた構成である。なお、配線１
１１は容量配線としての機能を有していても良い。その他の構成については図１と同様で
あるため省略する。図７において、電極１０９は、電極１００と隣接する電極１００との
間の領域と少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ、絶縁膜１１２を介して配線１
１１と重なる位置に配置されている。このようにして、電極１０９は保持容量の電極とし
ての機能と補助電極としての機能とを両方有することが可能である。
電極１００の面積と電極１０９の面積が概ね等しくてもよい。図７に示す断面図では、
電極１０９の幅Ａ’と、電極１００の幅Ｂ’とが概ね等しいことでこれを表現している。
または、電極１０９と隣接する電極１０９との距離Ａと、電極１００と隣接する電極１０
０との距離Ｂとが概ね等しくてもよい。このような構造にすることにより、電極１０９及
び電極１００の面積を大きくすることができる。そのため、容量値を大きくすることが可
能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
絶縁膜１１２の膜厚Ｄが絶縁膜１１０の膜厚Ｃよりも小さいことが望ましい。これによ
り、容量値を大きくすることが可能となる。または、これにより、電極１００の表面をよ
り平坦にすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されない。
電極１０９と隣接する電極１０９との距離Ａは、絶縁膜１１２の膜厚Ｄよりも大きいこ
とが好ましい。これにより、容量値を大きくすることが可能となる。ただし、本実施の形
態の一態様はこれに限定されない。
電極１００と隣接する電極１００との距離Ｂは、絶縁膜１１０の膜厚Ｃよりも大きいこ
とが好ましい。または、電極１００と隣接する電極１００との距離Ｂは、電極１００の膜
厚Ｈよりも大きいことが好ましい。または、電極１００と隣接する電極１００との距離Ｂ
は、電極１０９の膜厚Ｇよりも大きいことが好ましい。または、電極１００と隣接する電
極１００との距離Ｂは、配線１１１の膜厚Ｆよりも大きいことが好ましい。電極１００と
隣接する電極１００との距離Ｂを大きくすることで、たとえ電極１００と隣接する電極１
００との間にゴミが入っても、短絡を防止することができる。電極１００と隣接する電極
１００との距離Ｂが大きくても、本実施の形態の一態様によれば均一に電界をかけること
ができる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
粒子の直径Ｅは、電極１０９と隣接する電極１０９との距離Ａよりも小さいことが好ま
しい。または、粒子の直径Ｅは、電極１００と隣接する電極１００との距離Ｂよりも小さ
いことが好ましい。これにより、高精細な表示を実現することが可能となる。ただし、本
実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
配線１１１の膜厚Ｆは、電極１００の膜厚Ｈよりも大きいことが好ましい。または、配
線１１１の膜厚Ｆは、電極１０１の膜厚Ｉよりも大きいことが好ましい。これにより、配
線１１１の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限
定されない。
電極１０９の膜厚Ｇは、電極１００の膜厚Ｈよりも大きいことが好ましい。または、電
極１０９の膜厚Ｇは、電極１０１の膜厚Ｉよりも大きいことが好ましい。これにより、電
極１０９の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限
定されない。
電極１０１の膜厚Ｉは、電極１００の膜厚Ｈよりも大きいことが好ましい。これにより
、電極１０１の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに
限定されない。
本発明の電界駆動型表示装置の一態様は、図８に示すように、電極２００上に絶縁膜２
０１が形成され、絶縁膜２０１にコンタクトホールが設けられ、絶縁膜２０１上に形成さ
れた電極２０２と電極２００とが電気的に接続された構造であってもよい。電極２０２は
、隣り合う２つの電極２００の間の領域と少なくとも一部が重なるように配置されている
。すなわち、表示装置の上面または下面から見たとき、隣り合う２つの電極２００が離れ
て設けられており、隣り合う２つの電極２００の隙間に電極２０２が設けられている。こ
こで、電極２００は画素電極として機能し、電極２０２は補助電極として機能することが
可能である。本明細書において、補助電極とは画素電極の面積と同等または画素電極の面
積よりも小さい電極を意味する。
電極２０２と電極２０４との間に層２０３が形成され、または配置され、または貼り付
けられている。電極２０４は対向電極として機能することが可能である。層２０３は表示
媒体を含む層である。層２０３は粒子を含んで形成することが可能である。または、層２
０３に含まれる粒子は帯電していることが可能である。このような粒子を本明細書では荷
電粒子という。層２０３の一例としては、マイクロカプセルを分散剤に分散して固定した
構成等が挙げられる。電極２０２と層２０３との間または電極２０４と層２０３との間に
は、粘着層、接着層などを形成することが可能である。
図８において、電極２００と電極２０２とは電気的に接続されているため、電極２００
と電極２０２とに印加される電圧は同等である。また、層２０３の厚さは一例として４０
μｍ〜１００μｍ程度であるのに対し、絶縁膜２０１の膜厚は一例として数ｎｍ〜２μｍ
程度であるため、電極２００から電極２０４までの距離と、電極２０２から電極２０４ま
での距離は、実質的にはほぼ同じであるとみなすことができる。したがって、表示画像を
書き換える動作を行った際、電極２００から電極２０４に向かう電界と、電極２０２から
電極２０４に向かう電界とは同等になる。このため、電極２００上に配置されたマイクロ
カプセル内の粒子と同様に、隣り合う２つの電極２００の間の領域上（電極２０２上）に
配置されたマイクロカプセル内の粒子も移動し、粒子の凝集を低減することができる。す
なわち、電極２００上に配置されたマイクロカプセルの表示領域と、電極２０２上に配置
されたマイクロカプセルの表示領域とは、双方とも書き換え動作を反映した表示を行うこ
とができる。これにより、残像が生じにくい電界駆動型表示装置等を作製することができ
る。
なお、図９に示すように、電極２０２を保持容量の電極として機能させることも可能で
ある。図９は、前述した図８に配線２０５と絶縁膜２０６とを加えた構成である。なお、
配線２０５は容量配線としての機能を有していても良い。その他の構成については図８と
同様であるため省略する。図９において、電極２０２は、電極２００と隣接する電極２０
０との間の領域と少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ、絶縁膜２０１及び絶縁
膜２０６を介して配線２０５と重なる位置に配置されている。このようにして、電極２０
２は保持容量の電極としての機能と補助電極としての機能とを両方有することが可能であ
る。
電極２００の面積と電極２０２の面積が概ね等しくても良い。図９に示す断面図では、
電極２０２の幅Ｂ’２と、電極２００の幅Ａ’２とが概ね等しいことでこれを表現してい
る。または、電極２０２と隣接する電極２０２との距離Ｂ２と、電極２００と隣接する電
極２００との距離Ａ２とが概ね等しくてもよい。このような構造にすることにより、電極
２００及び電極２０２の面積を大きくすることができる。そのため、容量値を大きくする
ことが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
絶縁膜２０６の膜厚Ｄ２が絶縁膜２０１の膜厚Ｃ２よりも小さいことが望ましい。これ
により、容量値を大きくすることが可能となる。または、これにより、電極２００の表面
をより平坦にすることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこれに限定されな
い。
電極２００と隣接する電極２００との距離Ａ２は、絶縁膜２０６の膜厚Ｄ２よりも大き
いことが好ましい。これにより、容量値を大きくすることが可能となる。ただし、本実施
の形態の一態様はこれに限定されない。
電極２０２と隣接する電極２０２との距離Ｂ２は、絶縁膜２０１の膜厚Ｃ２よりも大き
いことが好ましい。または、電極２０２と隣接する電極２０２との距離Ｂ２は、電極２０
２の膜厚Ｈ２よりも大きいことが好ましい。または、電極２０２と隣接する電極２０２と
の距離Ｂ２は、電極２００の膜厚Ｇ２よりも大きいことが好ましい。または、電極２０２
と隣接する電極２０２との距離Ｂ２は、配線２０５の膜厚Ｆ２よりも大きいことが好まし
い。電極２０２と隣接する電極２０２との距離Ｂ２を大きくすることで、電極２０２と隣
接する電極２０２とのショートを低減することができる。電極２０２と隣接する電極２０
２との距離Ｂ２が大きくても、本実施の形態の一態様によれば均一に電界をかけることが
できる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
粒子の直径Ｅ２は、電極２００と隣接する電極２００との距離Ａ２よりも小さいことが
好ましい。または、粒子の直径Ｅ２は、電極２０２と隣接する電極２０２との距離Ｂ２よ
りも小さいことが好ましい。これにより、高精細な表示を実現することが可能となる。た
だし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。
配線２０５の膜厚Ｆ２は、電極２０２の膜厚Ｈ２よりも大きいことが好ましい。または
、配線２０５の膜厚Ｆ２は、電極２０４の膜厚Ｉ２よりも大きいことが好ましい。これに
より、配線２０５の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこ
れらに限定されない。
電極２００の膜厚Ｇ２は、電極２０２の膜厚Ｈ２よりも大きいことが好ましい。または
、電極２００の膜厚Ｇ２は、電極２０４の膜厚Ｉ２よりも大きいことが好ましい。これに
より、電極２００の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこ
れらに限定されない。
電極２０４の膜厚Ｉ２は、電極２０２の膜厚Ｈ２よりも大きいことが好ましい。これに
より、電極２０４の抵抗を下げることが可能となる。ただし、本実施の形態の一態様はこ
れに限定されない。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の構成例について説明する。
電界駆動型表示装置の構成例には、一例として、電気泳動方式、粒子回転方式、粒子移
動方式等がある。このように、電界駆動型表示装置では、電界に応じて粒子、棒、または
筒が動くこと、または回転すること等によって、反射率を変化させることができる。これ
により階調を表現する。実施の形態１では、マイクロカプセル型電気泳動方式を適用した
電界駆動型表示装置について説明する。本実施の形態では、マイクロカップ型電気泳動方
式及び電子粉流体（登録商標）方式について説明する。
マイクロカップ型電気泳動方式について図１０〜図１５を用いて説明する。マイクロカ
ップアレイは、ＵＶ硬化樹脂等からなり複数の凹部を有するマイクロカップ６０１に、誘
電性溶媒６０２に分散させた帯電色素粒子６０３を充填し、封止層６０４で封止すること
により作製できる。図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すのは、基板６００上に電極６０５を形
成し、電極６０５上に絶縁膜６０６を形成し、絶縁膜６０６にコンタクトホールを形成し
、電極６０５と電気的に接続された電極６０７を形成し、電極６０７上にマイクロカップ
アレイを配置し、マイクロカップアレイ上に電極６０８を形成し、電極６０８上に基板６
０９を形成した表示装置である。電極６０７は画素電極として機能することが可能である
。電極６０５は補助電極として機能することが可能である。図１０（Ａ）は誘電性溶媒６
０２として無着色溶媒を用いたものを示している。図１０（Ｂ）は誘電性溶媒６０２とし
て赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。図１０（Ａ）及び（Ｂ）では、帯電
色素粒子を１種類有する場合を図示したが、帯電色素粒子を２種類以上有していてもよい
。
マイクロカップはセルを区切る壁構造を有するため、衝撃や圧力にも十分な耐久性があ
る。また、マイクロカップの内容物は密閉されているため、環境変化の影響を受けない。
マイクロカップ型電気泳動方式を適用した電界駆動型表示装置についても、画素電極とし
て機能することが可能な電極と対向電極として機能することが可能な電極との間の電界の
変化に応じて帯電色素粒子が移動するため、マイクロカップの隅には粒子が凝集する場合
があり、残像が発生する場合がある。
図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示す電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチＰ１と
、画素電極として機能することが可能な電極のピッチＰ２とが概ね等しい構造を有する。
ここで、本実施の形態において、マイクロカップの上辺の長さとマイクロカップの上側の
壁の厚さとの和が、マイクロカップのピッチに相当する。例えば、図１０（Ａ）及び（Ｂ
）において、マイクロカップのピッチＰ２は、マイクロカップの上辺の長さＪ１とマイク
ロカップの上側の壁の厚さＬとの和に相当する。なお、複数の構成単位を繰り返し配置す
ることによってマイクロカップアレイが構成される場合に、当該構成単位の縦又は横の長
さを、マイクロカップのピッチということもある。この場合、構成単位には、マイクロカ
ップが有する複数の凹部のうちの一つの凹部が含まれるものとする。
マイクロカップの上面に対応する大きさで電極６０７が形成されている。すなわち、マ
イクロカップの上面と重なり、断面図においてマイクロカップの上辺の長さＪ１と概ね等
しくなるように電極６０７が形成されている。電極６０７と電気的に接続された電極６０
５が形成されている。このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも
電界が均一にかかる。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることが
でき、粒子の凝集を低減することができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬは、マイクロカップの下側の壁の厚さＫよりも大き
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬと、電極６０７と隣接する電極６０７との距離Ｍが
概ね等しくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
図１１（Ａ）及び（Ｂ）に示した電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチＰ１
と、画素電極として機能することが可能な電極のピッチＰ２とが概ね等しい構造を有する
が、図１０（Ａ）及び（Ｂ）と異なる構造となっている。
図１１（Ａ）は誘電性溶媒６０２として無着色溶媒を用いたものを示している。図１１
（Ｂ）は誘電性溶媒６０２として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。
マイクロカップの底面に対応する大きさで電極６０７が形成されている。すなわち、マ
イクロカップの底面と重なり、断面図においてマイクロカップの底辺の長さＪ２と概ね等
しくなるように電極６０７が形成されている。電極６０７と電気的に接続された電極６０
５が形成されている。このような構造にすることで、マイクロカップの壁にも均一に電界
がかかる。これにより、粒子の凝集を低減することができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬよりも電極６０７と隣接する電極６０７との距離Ｍ
が小さくなっている。これにより、マイクロカップの壁にも電界がかかり、粒子の凝集を
低減することができる。または、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬは、マイクロカップの下側の壁の厚さＫよりも大き
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
マイクロカップの下側の壁の厚さＫと、電極６０７と隣接する電極６０７との距離Ｍと
が概ね等しくなっている。これにより、効率的に電界を加えることができる。
図１０及び図１１では、マイクロカップのピッチＰ１と、画素電極として機能すること
が可能な電極のピッチＰ２とが等しい構造の電界駆動型表示装置について説明したが、図
１２では、マイクロカップのピッチＰ１が、画素電極として機能することが可能な電極の
ピッチＰ２の２倍となる構造の電界駆動型表示装置について説明する。なお、図１２では
ピッチＰ１がピッチＰ２の２倍となる場合について図示しているが、２以上の整数倍とす
ることが可能である。整数倍にすることにより、表示を均一にしやすくなる。
図１２（Ａ）は誘電性溶媒６０２として無着色溶媒を用いたものを示している。図１２
（Ｂ）は誘電性溶媒６０２として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。
図１２（Ａ）及び（Ｂ）では、電極６０７の端部をマイクロカップの上側の壁の端部に
対応する位置に形成している。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬは、マイクロカップの下側の壁の厚さＫよりも大き
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬよりも、電極６０７と隣接する電極６０７との距離
Ｍが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
マイクロカップの下側の壁の厚さＫよりも、電極６０７と隣接する電極６０７との距離
Ｍが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示した電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチＰ１
が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチＰ２の２倍となる構造を有するが
、図１２（Ａ）及び（Ｂ）と異なる構造となっている。
図１３（Ａ）は誘電性溶媒６０２として無着色溶媒を用いたものを示している。図１３
（Ｂ）は誘電性溶媒６０２として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。
図１３（Ａ）及び（Ｂ）では、電極６０７の端部をマイクロカップの下側の壁の端部に
対応する位置に形成している。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬは、マイクロカップの下側の壁の厚さＫよりも大き
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬよりも、電極６０７と隣接する電極６０７との距離
Ｍが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
マイクロカップの下側の壁の厚さＫよりも、電極６０７と隣接する電極６０７との距離
Ｍが小さくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
図１４（Ａ）及び（Ｂ）に示した電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチＰ１
が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチＰ２の２分の１倍となる構造を有
する。なお、図１４ではピッチＰ１がピッチＰ２の２分の１倍となる場合について図示し
ているが、２以上の整数分の１倍とすることが可能である。２以上の整数分の１倍とする
ことにより、表示を均一にしやすくなる。
図１４（Ａ）は誘電性溶媒６０２として無着色溶媒を用いたものを示している。図１４
（Ｂ）は誘電性溶媒６０２として赤や青などの着色溶媒を用いたものを示している。
２つのマイクロカップの上面に対応する大きさで電極６０７が形成されている。すなわ
ち、断面図における２つのマイクロカップの上辺及び２つのマイクロカップの間に存在す
る壁の上側の幅の合計の長さＪ３と概ね等しくなるように電極６０７が形成されている。
このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも電界が均一にかかる。
これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができ、粒子の凝集を低
減することができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬは、マイクロカップの下側の壁の厚さＫよりも大き
くなっている。これにより、マイクロカップの壁の強度を強くすることができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬと、電極６０７と隣接する電極６０７との距離Ｍが
概ね等しくなっている。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけること
ができる。
図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示した電界駆動型表示装置は、マイクロカップのピッチＰ１
が、画素電極として機能することが可能な電極のピッチＰ２の２分の１となる構造を有す
るが、図１４（Ａ）及び（Ｂ）と異なる構造となっている。
２つのマイクロカップの底面に対応する大きさで電極６０７が形成されている。すなわ
ち、断面図における２つのマイクロカップの底辺及び２つのマイクロカップの間に存在す
る壁の下側の幅の合計の長さＪ４と概ね等しくなるように電極６０７が形成されている。
このような構造にすることで、マイクロカップの壁及び壁周辺にも電界が均一にかかる。
これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をかけることができ、粒子の凝集を低
減することができる。
マイクロカップの上側の壁の厚さＬよりも、マイクロカップの下側の壁の厚さＫが薄く
なっている。
マイクロカップの下側の壁の厚さＫと、電極６０７と隣接する電極６０７との距離Ｍと
が等しくなっている。これにより、効率的に電界を加えることができる。
図１０〜図１５に示すように、電極６０７と隣接する電極６０７との間の領域に少なく
とも一部が重なるように電極６０５を形成することによって、帯電色素粒子６０３がマイ
クロカップ６０１の隅に凝集するのを低減することができ、残像が生じにくい電界駆動型
表示装置を作製することができる。ただし、本発明の一態様を適用できる電気泳動方式の
電界駆動型表示装置は、マイクロカップを使用することに限定されない。粒子の上下左右
への移動を何らかの物体によって遮断し、粒子の移動が制限されるようになっている構造
を有するもの全てに使用できる。
電子粉流体（登録商標）方式について図１６〜図１８を用いて説明する。電子粉流体（
登録商標）は非常にさらさらとした固体であり、流動性を示し、流体と粒子の特性を兼ね
備えた物質である。この方式では、隔壁７０１でセルを区切り、セル内に電子粉流体（登
録商標）７０２及び電子粉流体（登録商標）７０３を配置する。
図１６（Ａ）及び（Ｂ）に示す電界駆動型表示装置は、セルのピッチＰ１と、画素電極
として機能することが可能な電極のピッチＰ２とが概ね等しい構造を有する。ここで、本
実施の形態において、セルの長さ（幅）と隔壁の長さ（幅）との和が、セルのピッチに相
当する。例えば、図１６（Ａ）及び（Ｂ）においては、セルのピッチＰ１は、セルの長さ
（幅）Ｊ５と隔壁の長さ（幅）Ｎとの和に相当する。
図１６（Ａ）及び（Ｂ）は、基板７００上に電極７０４を形成し、電極７０４上に絶縁
膜７０５を形成し、絶縁膜７０５にコンタクトホールを形成し、電極７０４に電気的に接
続された電極７０６を形成し、電極７０６上に電子粉流体（登録商標）を備えたセルを配
置し、セル上に電極７０７を形成し、電極７０７上に基板７０８を形成した表示装置であ
る。図１６（Ａ）は電子粉流体（登録商標）７０２及び電子粉流体（登録商標）７０３と
して、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図１６（Ｂ）では電子粉流体（
登録商標）７０２及び電子粉流体（登録商標）７０３として、白及び黒以外の２色の有色
粒子を用いたものを示しているが、これに限定されず、１種類の粒子のみを用いてもよい
。
セルに対応する大きさで電極７０６が形成されている。すなわち、断面図においてセル
の長さ（幅）Ｊ５と概ね等しくなるように電極７０６が形成されている。電極７０６と電
気的に接続された電極７０４が形成されている。このような構造にすることで、セルの隔
壁周辺にも電界が均一にかかる。これにより、粒子が移動する領域全体に均一な電界をか
けることができ、粒子の凝集を低減することができる。
隔壁の長さ（幅）Ｎと、電極７０６と隣接する電極７０６の距離Ｍが概ね等しくなって
いる。これにより、電子粉流体（登録商標）が移動する領域全体に均一な電界をかけるこ
とができる。
図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示す電界駆動型表示装置は、セルのピッチＰ１が、画素電極
として機能することが可能な電極のピッチＰ２の２倍となる構造を有する。すなわち、セ
ルの長さ（幅）Ｊ５は、電極７０６の大きさの２倍である。なお、図１７ではピッチＰ１
がピッチＰ２の２倍となる場合について図示しているが、２以上の整数倍とすることが可
能である。整数倍にすることにより、表示を均一にしやすくなる。
図１７（Ａ）は電子粉流体（登録商標）７０２及び電子粉流体（登録商標）７０３とし
て、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図１７（Ｂ）では電子粉流体（登
録商標）７０２及び電子粉流体（登録商標）７０３として、白及び黒以外の２色の有色粒
子を用いたものを示しているが、これに限定されず、１種類の粒子のみを用いてもよい。
隔壁の長さ（幅）Ｎよりも、電極７０６と隣接する電極７０６との距離Ｍが小さくなっ
ている。これにより、電子粉流体（登録商標）が移動する領域全体に均一な電界をかける
ことができる。
図１８（Ａ）及び（Ｂ）に示す電界駆動型表示装置は、セルのピッチＰ１が、画素電極
として機能することが可能な電極のピッチＰ２の２分の１倍となる構造を有する。すなわ
ち、２つのセルとその間の隔壁の合計の長さＪ６と概ね等しくなるように電極７０６が形
成されている。なお、図１８ではピッチＰ１がピッチＰ２の２分の１倍となる場合につい
て図示しているが、２以上の整数分の１倍とすることが可能である。２以上の整数分の１
倍とすることにより、表示を均一にしやすくなる。
図１８（Ａ）は電子粉流体（登録商標）７０２及び電子粉流体（登録商標）７０３とし
て、白色粒子と黒色粒子とを用いたものを示しており、図１８（Ｂ）では電子粉流体（登
録商標）７０２及び電子粉流体（登録商標）７０３として、白及び黒以外の２色の有色粒
子を用いたものを示しているが、これに限定されず、１種類の粒子のみを用いてもよい。
隔壁の長さ（幅）Ｎと、電極７０６と隣接する電極７０６の距離Ｍが概ね等しくなって
いる。これにより、電子粉流体（登録商標）が移動する領域全体に均一な電界をかけるこ
とができる。
電子粉流体（登録商標）方式を適用した電界駆動型表示装置についても、画素電極と対
向電極との間の電界の変化に応じて電子粉流体（登録商標）が移動するため、セルが画素
電極上に配置されていない場合には残像が発生しやすい。図１６〜図１８に示すように、
電極７０６と隣接する電極７０６との間の領域に少なくとも一部が重なるように電極７０
４を形成することによって、セル内の電子粉流体（登録商標）に均一に電界がかかり、残
像が生じにくい電界駆動型表示装置を作製することができる。
本実施の形態では、マイクロカップ型電気泳動方式及び電子粉流体（登録商標）方式に
ついて説明したが、本発明の一態様を適用できる方式はこれらに限定されない。例えば、
エレクトロウェッティング方式、トナー方式、ツイストボール方式などを適用することが
可能である。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明
する。
図１９は、図７の構成を適用したアクティブマトリクス型の電界駆動型表示装置の上面
図の一態様である。図１９のＣ−Ｄ断面を図２０（Ａ）に、Ｅ−Ｆ断面を図２０（Ｂ）に
示す。なお、図１９には電極３０１〜電極３０３、配線３０４、導電層３０９〜導電層３
１４、導電層３３５〜導電層３３７、配線３４１、導電層３４２〜導電層３４４、半導体
層３０６〜半導体層３０８、半導体層３３２〜半導体層３３４、電極３１６〜電極３１８
、電極３３８〜電極３４０、電極３４５〜電極３４７、ゲート線３３０及びゲート線３３
１について示し、これら以外の構成については省略する。
なお、電極３０１〜電極３０３はゲート電極として機能することが可能である。配線３
０４及び配線３４１は容量配線として機能することが可能である。導電層３１０、導電層
３１２、導電層３１３、導電層３３５〜導電層３３７、及び導電層３４２〜導電層３４４
は補助電極として機能することが可能である。電極３１６〜電極３１８、電極３３８〜電
極３４０、及び電極３４５〜電極３４７は画素電極として機能することが可能である。導
電層３０９、導電層３１１、及び導電層３１４はソース線として機能することが可能であ
る。
図２０（Ａ）及び（Ｂ）の構成について説明する。まず、基板３００上に導電膜を形成
する。導電膜は所望の形状に加工し、電極３０１〜電極３０３及び配線３０４となる。基
板３００は、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極３０１〜電極
３０３及び配線３０４となる導電膜は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タング
ステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バ
リウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛
（以下、ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッタリ
ング法又はＣＶＤ法等により単層または多層で形成することができる。また、導電膜を形
成する前に基板３００上に下地膜を形成してもよい。下地膜としては、酸化シリコン系材
料膜又は窒化シリコン系材料膜等により絶縁膜を単層で、又は積層して形成することがで
きる。なお、酸化シリコン系材料とは、酸素とシリコンとを主成分とする酸化シリコン、
又は酸化シリコンが窒素を含有し、且つ、酸素の含有量が窒素の含有量よりも多い酸化窒
化シリコンをいう。窒化シリコン系材料とは、窒素とシリコンとを主成分とする窒化シリ
コン、又は窒化シリコンが酸素を含有し、窒素の含有量が酸素の含有量よりも多い窒化酸
化シリコンをいう。なお、図１９に示すゲート線３３０、ゲート線３３１、及び配線３４
１は、電極３０１〜電極３０３及び配線３０４と同工程で形成される。
電極３０１〜電極３０３、配線３０４、及び基板３００上に絶縁膜３０５を形成する。
絶縁膜３０５は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶＤ
法又はスパッタリング法等により形成することができる。絶縁膜３０５は、ゲート絶縁膜
としての機能を有することが可能である。また、絶縁膜３０５は、保持容量の絶縁膜とし
ての機能を有することが可能である。
絶縁膜３０５上に半導体層３０６（半導体層３０６ａ及び半導体層３０６ｂ）、半導体
層３０７（半導体層３０７ａ及び半導体層３０７ｂ）、半導体層３０８（半導体層３０８
ａ及び半導体層３０８ｂ）を形成する。半導体層３０６は絶縁膜３０５を介して電極３０
１と重なる位置に形成する。半導体層３０７は絶縁膜３０５を介して電極３０２と重なる
位置に形成する。半導体層３０８は絶縁膜３０５を介して電極３０３と重なる位置に形成
する。なお、図１９に示す半導体層３３２〜半導体層３３４は、半導体層３０６〜半導体
層３０８と同工程で形成される。
半導体層３０６〜半導体層３０８としては、アモルファスシリコン等の非結晶性を有す
る半導体層、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ヒ化ガリウム（ＧａＡ
ｓ）等の化合物半導体、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系等の酸化物半導体
、又は有機半導体材料等を用いることが可能であるが、ここでは一例としてアモルファス
シリコンを用いた場合について説明する。
半導体層３０６ａ、半導体層３０７ａ、及び半導体層３０８ａは、アモルファスシリコ
ンを用いて、フォトリソグラフィ法、インクジェット法又は印刷法等により形成すること
ができる。なお、半導体層３０６ａ、半導体層３０７ａ、及び半導体層３０８ａは、トラ
ンジスタのチャネル領域として機能する部分を含むことが可能である。
アモルファスシリコンを半導体層３０６ａ、半導体層３０７ａ、及び半導体層３０８ａ
として用いる場合は、トランジスタの特性の均一性が高く、且つ、製造コストが小さいと
いう利点がある。特に、対角の長さが５００ｍｍを超えるような大型の基板にトランジス
タを作製する場合に有効である。
半導体層３０６ｂ、半導体層３０７ｂ、及び半導体層３０８ｂは、リン等を含んだシリ
コン、半導体層３０６ａ、半導体層３０７ａ、及び半導体層３０８ａよりも導電率の高い
半導体材料等を用いることができる。半導体層３０６ｂ、半導体層３０７ｂ、及び半導体
層３０８ｂは、その機能により、バッファ層又はｎ＋層と表すこともできる。なお、半導
体層３０６ｂ、半導体層３０７ｂ、及び半導体層３０８ｂは、ソース及びドレインとして
機能する部分を含むことが可能である。
次に、導電層３０９〜導電層３１４を形成する。導電層３０９はソース及びドレインの
一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層３１０はソース及びドレインの
他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層３１１はソース及びドレインの
一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層３１２はソース及びドレインの
他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層３１３はソース及びドレインの
一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層３１４はソース及びドレインの
他方として機能する部分を含むことが可能である。導電層３０９〜導電層３１４は、チタ
ン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、
金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッタリング法又はＣＶＤ法等
により単層または多層で形成することができる。なお、図１９に示す導電層３３５〜導電
層３３７及び導電層３４２〜導電層３４４は、導電層３０９〜導電層３１４と同工程で形
成される。
導電層３０９〜導電層３１４上に絶縁膜３１５を単層または多層で形成する。絶縁膜３
１５は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はス
パッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜３１５として、有機材料を
単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜３１
５は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜３１５として遮光性を
有する材料またはカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボ
ンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。
絶縁膜３１５にコンタクトホールを開口し、導電層３１０と電気的に接続する電極３１
６、導電層３１２と電気的に接続する電極３１７、及び導電層３１３と電気的に接続する
電極３１８を形成する。なお、図１９に示す電極３３８〜電極３４０及び電極３４５〜電
極３４７は、電極３１６〜電極３１８と同工程で形成される。
対向電極側に表示させる構造の場合、電極３１６〜電極３１８は光を吸収する材料で形
成することが好ましい。例えば、クロム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステ
ン、タンタル、窒化タンタル等の反射率の低い材料が好適である。または、電極３１６〜
電極３１８を透明な材料で形成し、絶縁膜３１５を光を吸収する材料で形成することも可
能である。
画素電極側に表示させる構造の場合、電極３１６〜電極３１８はチタン、モリブデン、
タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ
、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、単層または多層で形成することが好ましい。
ここで、補助電極としても機能することが可能な導電層３１０は、表示装置の上面又は
下面から見て、電極３１６と電極３１７との隙間の領域と重なっている。このような構造
にすることによって、表示不良が起こりにくい電界駆動型表示装置が得られる。
電極３１６〜電極３１８上に層３１９を形成する。層３１９は表示媒体を含む層である
。層３１９として、例えば、マイクロカプセル３２０が分散されて固定された分散剤３２
１を電極３１６〜電極３１８上に設ける。なお、層３１９上には電極３２２や基板３２３
が形成されている。電極３２２は対向電極として機能することが可能である。層３１９と
電極３１６〜電極３１８との間には、接着層を設けることが可能である。層３１９と電極
３２２との間には接着層を設けることが可能である。
対向電極側に表示させる構造の場合、電極３２２にはＩＴＯ、ＩＺＯ等の透光性材料を
用いる。
画素電極側に表示させる構造の場合には、電極３２２として金属材料を用いることが好
ましい。金属材料を用いることにより配線抵抗を下げることができる。金属材料としては
、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅
、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等を用いること
ができる。
電極３２２上には基板３２３が配置されている。基板３２３は、層３１９を保護する機
能を有することが可能である。そして、基板３２３には、プラスチック基板、樹脂基板、
フィルム基板、ガラス基板、セラミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等
を用いることができる。
図１９において、導電層３１３は、電極３１６、電極３１８、電極３３８、及び電極３
３９と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表
示装置を上面または下面から見ると、導電層３１３は、電極３１８と電極３１６との隙間
を埋めるように配置されている。導電層３１３は、電極３１８と電極３３８との隙間を埋
めるように配置されている。
図１９において、導電層３１０は、電極３１６、電極３１７、電極３３９、及び電極３
４０と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表
示装置を上面または下面から見ると、導電層３１０は、電極３１６と電極３１７との隙間
を埋めるように配置されている。導電層３１０は、電極３１６と電極３３９との隙間を埋
めるように配置されている。
図１９において、導電層３１２は、電極３１７及び電極３４０と一部が重なるように配
置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から
見ると、導電層３１２は、電極３１７と電極３４０との隙間を埋めるように配置されてい
る。
図１９において、導電層３４２は、電極３１６、電極３１８、電極３４５、及び電極３
４６と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表
示装置を上面または下面から見ると、導電層３４２は、電極３４５と電極３４６との隙間
を埋めるように配置されている。導電層３４２は、電極３４５と電極３１８との隙間を埋
めるように配置されている。
図１９において、導電層３４３は、電極３１６、電極３１７、電極３４６、及び電極３
４７と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表
示装置を上面または下面から見ると、導電層３４３は、電極３４６と電極３４７との隙間
を埋めるように配置されている。導電層３４３は、電極３４６と電極３１６との隙間を埋
めるように配置されている。
図１９において、導電層３４４は、電極３１７及び電極３４７と一部が重なるように配
置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から
見ると、導電層３４４は、電極３１７と電極３４７との隙間を埋めるように配置されてい
る。
または、隣接する画素の画素電極や補助電極とショートすることを防ぐため、画素電極
も補助電極も配置されない領域がわずかに存在することが可能である。
図２１は図１９の一画素とその周辺を拡大した図である。なお、図の簡略化のため、配
線３０４及び配線３４１を省略している。図２１においては、説明の簡略化のため、一画
素の面積を、補助電極として機能することが可能な、導電層３１０、導電層３１２、導電
層３１３、導電層３３５〜導電層３３７、及び導電層３４２〜導電層３４４のピッチ（隣
接する、補助電極として機能することが可能な導電層までの間隔）をもとに規定している
。一画素の面積を有する領域を、図２１においては領域３５０と定義する。
図２１（Ａ）において、領域３５１は、電極３３９、導電層３１０、電極３１６、導電
層３１３に囲まれた領域であって、画素電極として機能することが可能な電極及び補助電
極として機能することが可能な導電層が配置されない領域である。領域３５２は、導電層
３１０、電極３１７、導電層３４３、電極３１６に囲まれた領域であって、画素電極とし
て機能することが可能な電極及び補助電極として機能することが可能な導電層が配置され
ない領域である。
図２１（Ｂ）において、領域３５３は、電極３３９、電極３４０、電極３１６、及び電
極３１７が配置されない領域であって、導電層３１０が配置された領域である。
電極３３９、電極３４０、電極３１６、電極３１７、及び導電層３１０が配置されない
領域（領域３５１及び領域３５２）は、隣接する画素とのショートを防ぐために、存在す
る領域である。しかし、表示不良を低減した表示装置を得るためには、より多くの範囲に
画素電極又は補助電極として機能することができる導電層を配置する必要がある。したが
って、電極３３９、電極３４０、電極３１６、電極３１７、及び導電層３１０が配置され
ない領域の面積は、電極３３９、電極３４０、電極３１６、及び電極３１７が配置されな
い領域であって、導電層３１０が配置された領域の面積よりも小さいことが望ましい。す
なわち、領域３５１と領域３５２の合計面積が領域３５３の面積よりも小さいことが望ま
しい。なお、領域３５３に補助電極として機能することが可能な導電層３１０が形成され
た例について説明したが、領域３５３には、画素電極として機能することが可能な導電層
、補助電極として機能することが可能な導電層、及びソース線となる配線以外の導電層を
設けてもよい。
なお、導電層３１０、導電層３１２、導電層３１３、導電層３３５〜導電層３３７、導
電層３４２〜導電層３４４が、ゲート線３３０及びゲート線３３１のレイヤーと、画素電
極として機能することが可能な電極３１６〜電極３１８、電極３３８〜電極３４０、及び
電極３４５〜電極３４７のレイヤーとの間に位置している。このとき、ゲート線と、導電
層３１０、導電層３１２、導電層３１３、導電層３３５〜導電層３３７、導電層３４２〜
導電層３４４に重なる面積よりも、ゲート線と、画素電極として機能することが可能な電
極３１６〜電極３１８、電極３３８〜電極３４０、及び電極３４５〜電極３４７に重なる
面積のほうが大きくなるように、ゲート線が配置されることが望ましい。画素電極は、補
助電極上に設けられた絶縁膜上に形成されているため、画素電極と重なる位置にゲート線
を配置することで、寄生容量を低減することができる。
図１９、図２０（Ａ）、及び図２０（Ｂ）の構成を有することにより、粒子の凝集を低
減することができるため、書き換え動作を反映した表示を行うことができ、残像が生じに
くい電界駆動型表示装置を作製することができる。
本実施の形態では、チャネルエッチ型ＴＦＴを例として説明したが、チャネル保護型Ｔ
ＦＴやトップゲート型ＴＦＴ等を用いることも可能である。
図２２はトップゲート型ＴＦＴを用いた電界駆動型表示装置の上面図の一態様である。
図２２のＧ−Ｈ断面を図２３に示す。
基板８００上に半導体層８０１及び半導体層８０２を形成する。基板８００上に下地絶
縁膜を形成してもよい。半導体層８０１及び半導体層８０２は、多結晶シリコンを用いて
フォトリソグラフィ法、インクジェット法又は印刷法等により形成することができる。
半導体層８０１及び半導体層８０２上に絶縁膜８０３を形成する。絶縁膜８０３はゲー
ト絶縁膜として機能することが可能である。絶縁膜８０３は酸化シリコン系材料又は窒化
シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により形成するこ
とができる。
絶縁膜８０３上にゲート電極８０４及びゲート電極８０５を形成する。ゲート電極８０
４及びゲート電極８０５は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、ア
ルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲ
ルマニウム、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛（以下、Ｉ
ＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッタリング法又は
ＣＶＤ法等により単層または多層で形成することができる。
ゲート電極８０４、ゲート電極８０５、及び絶縁膜８０３上に絶縁膜８０６を形成する
。絶縁膜８０６は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶ
Ｄ法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜８０６として、
有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、
絶縁膜８０６は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜８０６とし
ては、遮光性を有する材料またはカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料と
しては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。
絶縁膜８０３及び絶縁膜８０６にコンタクトホールを形成し、半導体層８０１と電気的
に接続された電極８０７及び電極８０８と、半導体層８０２と電気的に接続された電極８
０９及び電極８１０とを形成する。電極８０７〜電極８１０は、チタン、モリブデン、タ
ンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、
シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、
または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、単層または多層で形成することができる。電極８０７
及び電極８０９はソース線として機能し、電極８０８及び電極８１０は、補助電極として
機能することが可能である。なお、図２２に示す電極８５１〜電極８５４は、電極８０７
〜電極８１０と同工程で形成される。
電極８０７〜電極８１０上に絶縁膜８１１を形成する。絶縁膜８１１は酸化シリコン系
材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等によ
り形成することができる。また、絶縁膜８１１として、有機材料を単層または多層で形成
してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシ
クロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜８１１は有機材料と無機材
料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜８１１として遮光性を有する材料を用いても
よい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙
げられる。
絶縁膜８１１にコンタクトホールを形成し、電極８０８に電気的に接続された電極８１
２と、電極８１０に電気的に接続された電極８１３とを形成する。電極８１２及び電極８
１３は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジ
ム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ＩＴＯ
、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、単層または多層で形
成することができる。電極８１２及び電極８１３は、画素電極として機能することが可能
である。なお、図２２に示す電極８５５〜電極８６１は、電極８１２及び電極８１３と同
工程で形成される。電極８５５は電極８５１と電気的に接続されている。電極８５９は電
極８５２に電気的に接続されている。電極８６０は電極８５３に電気的に接続されている
。電極８６１は電極８５４に電気的に接続されている。
電極８１２及び電極８１３上に、層８１４、電極８１５、及び基板８１６が形成され、
または配置され、または貼り付けられている。層８１４は表示媒体を含む層である。ここ
では、層８１４としてマイクロカプセルを有する層を例示している。
電極８１５はチタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、
ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等
の金属材料を用いることができる。電極８１５は、対向電極として機能することが可能で
ある。
基板８１６としては、プラスチック基板、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板、セラ
ミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。
図２４は、図２３に、ゲート電極８０４と同材料・同工程で形成した導電層８１７及び
導電層８１８を加えた構造の電界駆動型表示装置の断面図の一例である。導電層８１７は
絶縁膜８０６を介して電極８０８と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極とし
て機能することが可能である。導電層８１８は絶縁膜８０６を介して電極８１０と少なく
とも一部が重なり、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。
図２５は、図２３に、ゲート電極８０４と同材料・同工程で形成した導電層８１９及び
導電層８２０を加えた構造の電界駆動型表示装置の断面図の一例である。導電層８１９は
絶縁膜８０３を介して半導体層８０１と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極
として機能することが可能である。導電層８２０は絶縁膜８０３を介して半導体層８０２
と少なくとも一部が重なり、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。
図２２において、電極８０８は、電極８１２、電極８１３、電極８５７及び電極８５８
と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装
置を上面または下面から見ると、電極８０８は、電極８１２と電極８１３との隙間を埋め
るように配置されている。電極８０８は、電極８５７と電極８１２との隙間を埋めるよう
に配置されている。
図２２において、電極８１０は、電極８５８及び電極８１３と一部が重なるように配置
されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見
ると、電極８１０は、電極８５８と電極８１３との隙間を埋めるように配置されている。
図２２において、電極８５１は、電極８５６、電極８５５、電極８５７及び電極８１２
と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装
置を上面または下面から見ると、電極８５１は、電極８５５と電極８１２との隙間を埋め
るように配置されている。電極８５１は、電極８５５と電極８５６との隙間を埋めるよう
に配置されている。
図２２において、電極８５２は、電極８５５、電極８５９、電極８１２及び電極８６０
と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装
置を上面または下面から見ると、電極８５２は、電極８５９と電極８６０との隙間を埋め
るように配置されている。電極８５２は、電極８５９と電極８６０との隙間を埋めるよう
に配置されている。
図２２において、電極８５３は、電極８１２、電極８６０、電極８１３及び電極８６１
と一部が重なるように配置されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装
置を上面または下面から見ると、電極８５３は、電極８６０と電極８６１との隙間を埋め
るように配置されている。電極８５３は、電極８１２と電極８６０との隙間を埋めるよう
に配置されている。
図２２において、電極８５４は、電極８１３及び電極８６１と一部が重なるように配置
されている。本実施の形態の一態様における電界駆動型表示装置を上面または下面から見
ると、電極８５４は、電極８１３と電極８６１との隙間を埋めるように配置されている。
このような構造にすることによって、表示不良が起こりにくい電界駆動型表示装置が得
られる。
また、図２２〜図２５に示す電界駆動型表示装置は、半導体層８０１及び半導体層８０
２として多結晶シリコンを用いているため、トランジスタの移動度が高く、且つ、製造コ
ストが小さいという利点がある。さらに、特性の経年劣化が小さいため、信頼性の高い装
置を得ることができる。
なお、電極８０７〜電極８１０及び電極８５１〜電極８５４が、ゲート線（ゲート電極
８０４及びゲート電極８０５を有する）のレイヤーと、画素電極として機能することが可
能な電極８１２、電極８１３、及び電極８５５〜電極８６１のレイヤーとの間に位置して
いる。このとき、ゲート線と、電極８０７〜電極８１０及び電極８５１〜電極８５４に重
なる面積よりも、ゲート線と、画素電極として機能することが可能な電極８１２、電極８
１３、及び電極８５５〜電極８６１に重なる面積のほうが大きくなるように、ゲート線を
配置されることが望ましい。画素電極は補助電極上に設けられた絶縁膜上に形成されてい
るため、画素電極と重なる位置にゲート線を配置することで、寄生容量を低減することが
できる。
また、酸化物半導体を用いたＴＦＴを用いて電界駆動型表示装置を構成してもよい。図
２６（Ａ）〜（Ｃ）は、酸化物半導体を用いたボトムゲート型ＴＦＴの一態様である。
図２６（Ａ）において、基板９００上にゲート電極９０１及び導電層９１２が形成され
ている。基板９００上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極９０１及び導電層９１
２上にゲート絶縁膜９０２が形成されている。ゲート絶縁膜９０２上に電極９０３及び電
極９０４が形成されている。電極９０３はソース電極またはドレイン電極として機能する
ことが可能である。電極９０４は補助電極として機能することが可能である。電極９０３
、電極９０４、及びゲート絶縁膜９０２上に酸化物半導体でなる半導体層９０５が形成さ
れている。半導体層９０５上に絶縁膜９０６が形成されている。絶縁膜９０６にコンタク
トホールが形成され、電極９０４に電気的に接続された電極９０７が形成されている。電
極９０７は画素電極として機能することが可能である。電極９０７上に層９０８が形成さ
れている。層９０８は表示媒体を含む層である。層９０８上に電極９０９が形成されてい
る。電極９０９は対向電極として機能することが可能である。電極９０９上に保護体９１
０が形成されている。電極９０４は、電極９０７と、電極９０７と同工程で形成された電
極９１１との間の領域に少なくとも一部が重なるように形成される。導電層９１２は、ゲ
ート絶縁膜９０２を介して電極９０４と重なっており、保持容量の一方の電極として機能
することが可能である。
図２６（Ａ）に示したＴＦＴ構造、すなわち、酸化物半導体を用いた半導体層の下にソ
ース電極又はドレイン電極が形成されたボトムコンタクト型と呼ばれる構造のＴＦＴを本
実施の形態に適用することができる。
図２６（Ｂ）において、基板９２０上にゲート電極９２１及び導電層９３２が形成され
ている。基板９２０上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極９２１及び導電層９３
２上にゲート絶縁膜９２２が形成されている。ゲート絶縁膜９２２上に酸化物半導体でな
る半導体層９２３が形成されている。半導体層９２３上に電極９２４及び電極９２５が形
成されている。電極９２４はソース電極またはドレイン電極として機能することが可能で
ある。電極９２５は補助電極として機能することが可能である。電極９２４及び電極９２
５上に絶縁膜９２６が形成されている。絶縁膜９２６にコンタクトホールが形成され、電
極９２５に電気的に接続された電極９２７が形成されている。電極９２７は画素電極とし
て機能することが可能である。電極９２７上に層９２８が形成されている。層９２８は表
示媒体を含む層である。層９２８上に電極９２９が形成されている。電極９２９は対向電
極として機能することが可能である。電極９２９上に保護体９３０が形成されている。電
極９２５は、電極９２７と、電極９２７と同工程で形成された電極９３１との間の領域に
少なくとも一部が重なるように形成される。導電層９３２は、ゲート絶縁膜９２２を介し
て電極９２５と重なっており、保持容量の一方の電極として機能することが可能である。
図２６（Ｂ）に示したＴＦＴ構造、すなわち、酸化物半導体を用いた半導体層の上にソ
ース電極又はドレイン電極が形成されたトップコンタクト型と呼ばれる構造のＴＦＴを本
実施の形態に適用することができる。
図２６（Ｃ）において、基板９４０上にゲート電極９４１及び導電層９５３が形成され
ている。基板９４０上に下地絶縁膜を形成してもよい。ゲート電極９４１及び導電層９５
３上にゲート絶縁膜９４２が形成されている。ゲート絶縁膜９４２上に酸化物半導体でな
る半導体層９４３が形成されている。半導体層９４３上であって、ゲート電極９４１と重
なる位置にチャネル保護膜９４４が形成されている。チャネル保護膜９４４及び半導体層
９４３上に電極９４５及び電極９４６が形成されている。電極９４５はソース電極または
ドレイン電極として機能することが可能である。電極９４６は補助電極として機能するこ
とが可能である。電極９４５及び電極９４６上に絶縁膜９４７が形成されている。絶縁膜
９４７にコンタクトホールが形成され、電極９４６に電気的に接続された電極９４８が形
成されている。電極９４８は画素電極として機能することが可能である。電極９４８上に
層９４９が形成されている。層９４９は表示媒体を含む層である。層９４９上に電極９５
０が形成されている。電極９５０は対向電極として機能することが可能である。電極９５
０上に保護体９５１が形成されている。電極９４６は、電極９４８と、電極９４８と同工
程で形成された電極９５２との間の領域に少なくとも一部が重なるように形成される。導
電層９５３は、ゲート絶縁膜９４２を介して電極９４６と重なっており、保持容量の一方
の電極として機能することが可能である。
図２６（Ｃ）に示したＴＦＴ構造、すなわち、酸化物半導体を用いた半導体層の上にチ
ャネル保護膜を形成したチャネル保護型と呼ばれる構造のＴＦＴを本実施の形態に適用す
ることができる。
図２６（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、半導体層として酸化物半導体を用いる場合は、ア
モルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタよりも高い移動度を得ることができる。酸
化物半導体膜はスパッタリング法等によって３００℃以下の温度で膜形成が可能であり、
多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタよりも製造工程が簡単である。
なお、本明細書中で用いることができる酸化物半導体の一例としては、ＩｎＭＯ３（Ｚ
ｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記されるものがある。ここで、Ｍは、ガリウム（Ｇａ）、鉄（Ｆ
ｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）及びコバルト（Ｃｏ）から選ばれた一の金属
元素又は複数の金属元素を示す。例えば、ＭとしてＧａが選択される場合には、Ｇａのみ
の場合の他に、ＧａとＮｉや、ＧａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記金属元素が選択される場
合を含む。また、上記酸化物半導体において、Ｍとして含まれる金属元素の他に、不純物
元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているも
のがある。本明細書においては、上記酸化物半導体のうち、Ｍとして少なくともガリウム
を含むものをＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体と呼び、当該材料を用いた薄膜をＩｎ
−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜と呼ぶことがある。
また、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の電界駆動型表示装置について説明
したが、本実施の形態の表示装置はパッシブマトリクス型の電界駆動型表示装置でもよい
。
パッシブマトリクス型の電界駆動型表示装置の断面図は図４及び図５に、上面図は図６
に示したとおりである。電極１０９及び電極１００をストライプ状に形成し、電極１０１
を電極１０９及び電極１００と直交する方向に延びたストライプ状に形成する。電極１０
９は補助電極として機能することができ、電極１００は画素電極として機能することがで
き、電極１０１は対向電極として機能することが可能である。
パッシブマトリクス型の電界駆動型表示装置を上面または下面から見ると、画素部全体
に電極１０９又は電極１００が形成された状態になっている。言い換えると、電極１０１
が形成される領域に対向する領域全てに電極１０９又は電極１００が形成されている。す
なわち、このような構成を有することにより、表示不良を低減した電界駆動型表示装置を
得ることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の一態様について図面を参照して説明
する。
図２７は、本実施の形態の一態様の断面模式図である。導電層４００はトランジスタの
ソース及びドレインと同じ材料を用いて同じ工程で作製する。導電層４００は容量電極の
機能を有することが可能である。導電層４００は、チタン、モリブデン、タンタル、クロ
ム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜
鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫
（ＳｎＯ）を用いて、スパッタリング法又はＣＶＤ法等により単層または多層で形成する
ことができる。
導電層４００上に絶縁膜４０１を形成する。絶縁膜４０１は平坦化膜として機能するこ
とが可能である。絶縁膜４０１には黒色樹脂やカーボンブラック等の遮光性材料、アクリ
ル、ポリイミド、ポリアミド等の樹脂材料等を用いることが好ましい。また、絶縁膜４０
１として、感光性アクリル等を用いることも可能である。また、絶縁膜４０１は、遮光性
材料または樹脂材料と、窒化シリコン等の無機材料との積層構造としてもよい。
絶縁膜４０１上に導電層４０２を形成する。導電層４０２は補助電極として機能するこ
とが可能である。導電層４０２にはチタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステ
ン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウ
ム、ゲルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）等の
導電性材料を用いることができる。
導電層４００または導電層４０２は、図２１の領域３５１や領域３５２を埋めるように
配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたっ
て隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。
導電層４０２上に絶縁膜４０３を形成する。絶縁膜４０３は、酸化シリコン系材料又は
窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により単層ま
たは多層で形成することができる。
絶縁膜４０１及び絶縁膜４０３に同時にコンタクトホールを形成する。
導電層４００及び導電層４０２に電気的に接続するように電極４０４を形成する。電極
４０４は画素電極として機能することが可能である。電極４０４は光を吸収する材料で形
成することが好ましい。例えば、クロム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステ
ン、タンタル、窒化タンタル等の反射率の低い材料が好適である。なお、導電層４０２と
電極４０４とを同じ材料で形成することが可能である。これにより作製工程を簡略化でき
る。
平坦化膜として機能することが可能な絶縁膜４０１の膜厚は１μｍ〜２μｍ程度である
。また、絶縁膜４０３の膜厚は数ｎｍ〜２μｍ程度である。導電層４００上に絶縁膜４０
１を形成することによって、補助電極として機能する導電層４０２及び電極４０４を形成
する面の凹凸を低減することができる。絶縁膜４０１を形成することによって、導電層４
００と導電層４０２との容量または電極４０４と導電層４００との容量を低減することが
でき、ノイズの混入やクロストークを防止することができる。
電極４０４上に層４０５及び電極４０６を形成する。層４０５は表示媒体を含む層であ
る。ここでは、層４０５としてマイクロカプセルを用いる例を示しているが、マイクロカ
ップや電子粉流体（登録商標）を用いることも可能である。電極４０６にはＩＴＯ、ＩＺ
Ｏ等の透光性材料を用いる。
本実施の形態では、補助電極として機能する導電層４０２を形成する工程が増え、必要
なマスク数が増加するが、絶縁膜４０１及び絶縁膜４０３を同時にエッチングしてコンタ
クトホールを形成するため、コンタクトホール形成工程に必要なマスク数は増加しない。
本実施の形態の別の一態様について、図２８を用いて説明する。
図２８では、図２７に示す導電層４００、導電層４０２、及び電極４０４の電気的な接
続の方法が異なっている。それ以外は図２７と同様であるため、ここでは説明を省略する
。
図２７では、導電層４００及び導電層４０２を形成した後、それぞれの一部が露出する
ようにコンタクトホールを形成しているが、図２８では、導電層４００上に形成した絶縁
膜４０１にコンタクトホールを形成して、導電層４０２を形成している。ここで導電層４
０２と導電層４００が電気的に接続される。続いて、導電層４０２上に絶縁膜４０３を形
成し、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールにおいて導電層４０２と電気的に
接続されるように電極４０４を形成する。
導電層４００または導電層４０２は、図２１の領域３５１や領域３５２を埋めるように
配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたっ
て隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。
本実施の形態の別の一態様について、図２９を用いて説明する。
図２９では、図２７及び図２８に示す導電層４００、導電層４０２、及び電極４０４の
電気的な接続の方法が異なっている。それ以外は図２７及び図２８と同様であるため、こ
こでは説明を省略する。
図２９では、導電層４００上に形成した絶縁膜４０１にコンタクトホールを形成して、
導電層４０２を形成している。ここで導電層４０２と導電層４００とが電気的に接続され
る。続いて、導電層４０２上に絶縁膜４０３を形成し、絶縁膜４０１及び絶縁膜４０３に
導電層４００に達するコンタクトホールを形成する。コンタクトホールにおいて導電層４
００と電気的に接続されるように電極４０４を形成する。
導電層４００または導電層４０２は、図２１の領域３５１や領域３５２を埋めるように
配置することが可能である。その結果、基板に平行な面において画素領域の全面にわたっ
て隙間無く画素電極や補助電極のような電極を設けることが可能となる。
本実施の形態の一態様について、図３０及び図３１を用いて説明する。
図３０は、本実施の形態の一態様の上面図である。図３１は、図３０のＩ−Ｊ断面を示
した図である。なお、図３０には、ゲート線１２１５及びゲート線１２１６、電極１２０
１、電極１２１７、及び電極１２１８、配線１２０２及び配線１２１９、半導体層１２０
４、半導体層１２２０〜半導体層１２２４、導電層１２０５、導電層１２０６、導電層１
２０８、導電層１２１０、導電層１２１１、導電層１２２５〜導電層１２４３について示
し、これら以外の構成については省略する。
なお、電極１２０１、電極１２１７、及び電極１２１８はゲート電極として機能するこ
とが可能である。配線１２０２及び配線１２１９は容量配線として機能することが可能で
ある。導電層１２０５、導電層１２２５、及び導電層１２２６はソース線として機能する
ことが可能である。導電層１２０６、導電層１２２７、及び導電層１２２８は、ドレイン
電極または容量配線として機能することが可能である。導電層１２０８、導電層１２２９
〜導電層１２３６は補助電極として機能することが可能である。導電層１２１０、導電層
１２１１、及び導電層１２３７〜導電層１２４３は画素電極として機能することが可能で
ある。
基板１２００上に導電膜を形成する。導電膜は所望の形状に加工し、電極１２０１及び
配線１２０２となる。基板１２００としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いる
ことができる。電極１２０１及び配線１２０２となる導電膜は、チタン、モリブデン、タ
ンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、
シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯ）、
酸化インジウム酸化亜鉛（以下、ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ
）を用いて、スパッタリング法又はＣＶＤ法等により単層または多層で形成することがで
きる。また、導電膜を形成する前に基板１２００上に下地膜を形成してもよい。下地膜と
しては、酸化シリコン系材料膜又は窒化シリコン系材料膜等により絶縁膜を単層で、又は
積層して形成することができる。なお、酸化シリコン系材料とは、酸素とシリコンとを主
成分とする酸化シリコン、又は酸化シリコンが窒素を含有し、且つ、酸素の含有量が窒素
の含有量よりも多い酸化窒化シリコンをいう。窒化シリコン系材料とは、窒素とシリコン
とを主成分とする窒化シリコン、又は窒化シリコンが酸素を含有し、窒素の含有量が酸素
の含有量よりも多い窒化酸化シリコンをいう。なお、図３０に示す電極１２１７及び電極
１２１８、ゲート線１２１５及びゲート線１２１６、及び配線１２１９は、電極１２０１
及び配線１２０２と同工程で形成される。
電極１２０１及び配線１２０２上に絶縁膜１２０３を形成する。絶縁膜１２０３は酸化
シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリン
グ法等により形成することができる。絶縁膜１２０３は、ゲート絶縁膜としての機能を有
することが可能である。また、絶縁膜１２０３は、保持容量の絶縁膜としての機能を有す
ることが可能である。
絶縁膜１２０３上に半導体層１２０４（半導体層１２０４ａ及び半導体層１２０４ｂ）
を形成する。半導体層１２０４ａ及び半導体層１２０４ｂは絶縁膜１２０３を介して電極
１２０１と重なる位置に形成する。なお、図３０に示す半導体層１２２０〜半導体層１２
２４は、半導体層１２０４ａ及び半導体層１２０４ｂと同工程で形成される。
半導体層１２０４としては、アモルファスシリコン等の非結晶性を有する半導体、微結
晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）等の化合物半
導体、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系等の酸化物半導体、又は有機半導体
材料等を用いることが可能であるが、ここではアモルファスシリコンを用いた場合につい
て説明する。
半導体層１２０４ａは、アモルファスシリコンをフォトリソグラフィ法、インクジェッ
ト法又は印刷法等により形成することができる。なお、半導体層１２０４ａは、トランジ
スタのチャネル領域として機能する部分を含むことが可能である。
アモルファスシリコンを半導体層１２０４ａとして用いる場合は、トランジスタの特性
の均一性が高く、且つ、製造コストが小さいという利点がある。特に、対角の長さが５０
０ｍｍを超えるような大型の基板にトランジスタを作製する場合に有効である。
半導体層１２０４ｂは、リン等を含んだシリコン、半導体層１２０４ａよりも導電率の
高い半導体材料等を用いることができる。半導体層１２０４ｂは、その機能により、バッ
ファ層又はｎ＋層と表すこともできる。なお、半導体層１２０４ｂは、ソース及びドレイ
ンとして機能する部分を含むことが可能である。
次に、導電層１２０５及び導電層１２０６を形成する。導電層１２０５はソース及びド
レインの一方として機能する部分を含むことが可能である。導電層１２０６はソース及び
ドレインの他方として機能する部分を含むことが可能である。また、導電層１２０６は、
配線１２０２と一部が重なるように形成する。導電層１２０５及び導電層１２０６は、チ
タン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀
、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッタリング法又はＣＶＤ法
等により単層または多層で形成することができる。なお、図３０に示す導電層１２２５〜
導電層１２２８は、導電層１２０５及び導電層１２０６と同工程で形成される。
導電層１２０５及び導電層１２０６上に絶縁膜１２０７を単層または多層で形成する。
絶縁膜１２０７は酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶ
Ｄ法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜１２０７として
、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また
、絶縁膜１２０７は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜１２０
７として遮光性を有する材料又はカラーフィルタを用いてもよい。遮光性を有する材料と
しては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。
絶縁膜１２０７上に導電層１２０８を形成する。導電層１２０８はチタン、モリブデン
、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオ
ブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ
）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッタリング法又はＣＶＤ法等により単層また
は多層で形成することができる。図３０に示す導電層１２２９〜導電層１２３６は、導電
層１２０８と同工程で形成される。
導電層１２０８上に絶縁膜１２０９を形成する。絶縁膜１２０９としては、酸化シリコ
ン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等
により形成することができる。また、絶縁膜１２０９として、有機材料を単層または多層
で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベ
ンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜１２０９は有機材料
と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜１２０９として遮光性を有する材料
を用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機
樹脂等が挙げられる。
次に、絶縁膜１２０７及び絶縁膜１２０９をエッチングし、導電層１２０６に達するコ
ンタクトホールと、導電層１２０８に達するコンタクトホールとを同時に形成する。続い
て、導電層１２０６及び導電層１２０８と電気的に接続された導電層１２１０を形成する
。導電層１２１０と同工程で、導電層１２１１、図３０に示す導電層１２３７〜導電層１
２４３が形成される。
ここで、補助電極として機能することが可能な導電層１２０８は、上面又は下面から見
て、導電層１２１０と導電層１２１１との隙間の領域にも形成されている。このような構
造にすることによって、表示不良が起こりにくい電界駆動型表示装置が得られる。
導電層１２１０及び導電層１２１１上に層１２１２を形成する。層１２１２は表示媒体
を含む層である。層１２１２として、例えば、マイクロカプセルが分散されて固定された
構成等が挙げられる。
続いて、層１２１２上に導電層１２１３を形成する。導電層１２１３としては、チタン
、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニウム、ネオジム、銅、銀、金
、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニウム等の金属材料、ＩＴＯ、
ＩＺＯ等の透光性材料等を用いることができる。
導電層１２１３上に保護体１２１４を形成する。保護体１２１４には、プラスチック基
板や、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板等を用いることができる。
平坦化膜として機能することが可能な絶縁膜１２０７の膜厚は１μｍ〜２μｍ程度であ
る。また、絶縁膜１２０９の膜厚は数ｎｍ〜２μｍ程度である。導電層１２０５及び導電
層１２０６上に絶縁膜１２０７を形成することによって、補助電極として機能する導電層
１２０８を形成する面の凹凸を低減することができる。絶縁膜１２０７を形成することに
よって、導電層１２０６と導電層１２０８との容量または導電層１２０６と導電層１２１
０との容量を低減することができ、ノイズの混入やクロストークを防止することができる
。
図３０において、導電層１２３１は、導電層１２３８及び導電層１２１１と一部が重な
るように配置されている。また、導電層１２３２は、導電層１２３８、導電層１２３９、
導電層１２１１、及び導電層１２１０と一部が重なるように配置されている。また、導電
層１２３３は、導電層１２３９、導電層１２４０、導電層１２１０、及び導電層１２３７
と一部が重なるように配置されている。また、導電層１２２９は、導電層１２１１及び導
電層１２４１と一部が重なるように配置されている。また、導電層１２０８は、導電層１
２１１、導電層１２１０、導電層１２４１、及び導電層１２４２と一部が重なるように配
置されている。また、導電層１２３０は、導電層１２１０、導電層１２３７、導電層１２
４２、及び導電層１２４３と一部が重なるように配置されている。また、導電層１２３４
は、導電層１２４１と一部が重なるように配置されている。また、導電層１２３５は、導
電層１２４１及び導電層１２４２と一部が重なるように配置されている。また、導電層１
２３６は、導電層１２４２及び導電層１２４３と一部が重なるように配置されている。
このような構成にすることによって、表示不良を低減した表示装置を得ることができる
。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。
（実施の形態５）
図４０は、本発明の電界駆動型表示装置の一態様の上面図である。本実施の形態では、
補助電極として機能する電極の配置について説明する。
図４０（Ａ）に示すように、ゲート電極１４０１及びゲート電極１４０２、ゲート線１
４０３及びゲート線１４０４が形成されている。ゲート電極１４０１上に半導体層１４０
５が形成され、ゲート電極１４０２上に半導体層１４０６が形成されている。半導体層１
４０５上にソース電極１４０７及びドレイン電極１４０８が形成されている。半導体層１
４０６上にソース電極１４０９及びドレイン電極（図示せず）が形成されている。ソース
電極１４０７及びソース電極１４０９はソース線ともいう。ドレイン電極１４０８上に絶
縁膜を介して、ドレイン電極１４０８と電気的に接続された電極１４１０が形成されてい
る。電極１４１０と同工程で電極１４１１〜電極１４１３が形成される。電極１４１０上
に絶縁膜を介して、電極１４１０と電気的に接続された電極１４１４が形成されている。
電極１４１４と同工程で電極１４１５〜電極１４１７が形成される。電極１４１０〜電極
１４１３は画素電極として機能することが可能である。電極１４１４〜電極１４１７は補
助電極として機能することが可能である。
画素電極と隣接する画素電極との隙間はゲート線方向及びソース線方向に存在する。例
えば、電極１４１０を中心に見た場合、電極１４１０と電極１４１２との隙間はゲート線
方向に延びており、電極１４１０と電極１４１３との隙間はソース線方向に延びている。
図４０（Ａ）に示すように、画素電極と隣接する画素電極との隙間のうち、ソース線方向
に延びた隙間に、補助電極を配置してもよい。図４０（Ａ）では、電極１４１０と電極１
４１３との隙間に電極１４１４が配置され、電極１４１１と電極１４１２との隙間に電極
１４１５が配置されている。電極１４１６は電極１４１２と電極１４１２の右隣の電極（
図示せず）との隙間に配置されている。電極１４１７は、電極１４１０と電極１４１０の
右隣の電極（図示せず）との隙間に配置されている。
図４０（Ｂ）には、ゲート線方向に延びた隙間に補助電極を配置する一例を示す。
図４０（Ｂ）において、ゲート電極１４５１及びゲート電極１４５２、ゲート線１４５
３及びゲート線１４５４が形成されている。ゲート電極１４５１上に半導体層１４５５が
形成され、ゲート電極１４５２上に半導体層１４５６が形成されている。半導体層１４５
５上にソース電極１４５７及びドレイン電極１４５８が形成されている。半導体層１４５
６上にソース電極１４５９及びドレイン電極（図示せず）が形成されている。ソース電極
１４５７及びソース電極１４５９はソース線ともいう。ドレイン電極１４５８上に絶縁膜
を介して、ドレイン電極１４５８と電気的に接続された電極１４６０が形成されている。
電極１４６０と同工程で電極１４６１〜電極１４６３が形成されている。電極１４６０上
に絶縁膜を介して、電極１４６０と電気的に接続された電極１４６４が形成されている。
電極１４６４と同工程で電極１４６５〜電極１４６７が形成される。電極１４６０〜電極
１４６３は画素電極として機能することが可能である。電極１４６４〜電極１４６７は補
助電極として機能することが可能である。電極１４６０と電極１４６２との隙間に電極１
４６５が配置されている。
このような構成にすることによって、表示不良を低減した表示装置を得ることができる
。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。
（実施の形態６）
図３２〜図３４は、本発明の電界駆動型表示装置の一態様の断面模式図である。
図３２（Ａ）及び（Ｂ）は、対向電極として機能することが可能な電極５０５側に表示
させる構造を示している。
図３２（Ａ）に示す構造について説明する。絶縁膜５００上に電極５０１を形成する。
電極５０１上に絶縁膜５０２を形成する。絶縁膜５０２にコンタクトホールを形成し、電
極５０１に電気的に接続される電極５０３を形成する。電極５０３上に層５０４を形成す
る。層５０４は表示媒体を含む層である。層５０４上に電極５０５を形成する。電極５０
５上に絶縁膜５０６Ｒ、絶縁膜５０６Ｇ、及び絶縁膜５０６Ｂを形成する。なお、電極５
０１は補助電極として機能し、電極５０３は画素電極として機能し、電極５０５は対向電
極として機能することが可能である。
図３２（Ａ）において、絶縁膜５００及び絶縁膜５０２の一方または両方を、遮光性を
有する材料を用いて形成してもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、
黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。絶縁膜５０６Ｒは赤色のカラーフィルタとして
機能することが可能である。絶縁膜５０６Ｇは緑色のカラーフィルタとして機能すること
が可能である。絶縁膜５０６Ｂは青色のカラーフィルタとして機能することが可能である
。
図３２（Ｂ）は、絶縁膜５０６Ｒ、絶縁膜５０６Ｇ、及び絶縁膜５０６Ｂを形成する位
置が図３２（Ａ）とは異なっている。図３２（Ｂ）では、電極５０３上に絶縁膜５０６Ｒ
、絶縁膜５０６Ｇ、及び絶縁膜５０６Ｂを形成する。
図３３（Ａ）及び（Ｂ）は、画素電極として機能することが可能な電極５１３側に表示
させる構造を示している。
図３３（Ａ）について説明する。絶縁膜５１０Ｒ、絶縁膜５１０Ｇ、及び絶縁膜５１０
Ｂ上に電極５１１を形成する。電極５１１上に絶縁膜５１２を形成する。絶縁膜５１２に
コンタクトホールを形成し、電極５１１に電気的に接続される電極５１３を形成する。電
極５１３上に層５１４を形成する。層５１４は表示媒体を含む層である。層５１４上に電
極５１５を形成する。電極５１５上に絶縁膜５１６を形成する。なお、電極５１１は補助
電極として機能し、電極５１３は画素電極として機能し、電極５１５は対向電極として機
能することが可能である。絶縁膜５１０Ｒは赤色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜
５１０Ｇは緑色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜５１０Ｂは青色のカラーフィルタ
として機能することが可能である。また、絶縁膜５１６は、遮光性を有する材料を用いて
形成してもよい。遮光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機
樹脂等が挙げられる。
図３３（Ｂ）について説明する。絶縁膜５１０上に電極５１１を形成する。電極５１１
上に絶縁膜５１２Ｒ、絶縁膜５１２Ｇ、及び絶縁膜５１２Ｂを形成する。絶縁膜５１２Ｒ
、絶縁膜５１２Ｇ、及び絶縁膜５１２Ｂにコンタクトホールを形成し、電極５１１に電気
的に接続される電極５１３を形成する。電極５１３上に層５１４を形成する。層５１４は
表示媒体を含む層である。層５１４上に電極５１５を形成する。電極５１５上に絶縁膜５
１６を形成する。なお、電極５１１は補助電極として機能し、電極５１３は画素電極とし
て機能し、電極５１５は対向電極として機能することが可能である。絶縁膜５１２Ｒは赤
色のカラーフィルタとして機能し、絶縁膜５１２Ｇは緑色のカラーフィルタとして機能し
、絶縁膜５１２Ｂは青色のカラーフィルタとして機能することが可能である。また、絶縁
膜５１６は、遮光性を有する材料を用いて形成してもよい。遮光性を有する材料としては
、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。
図３４（Ａ）及び（Ｂ）は対向電極として機能することが可能な電極５２６側及び画素
電極として機能することが可能な電極５２４側に表示させる構造の場合を示している。ど
ちらか一方の面から見たときに背景が透けにくくするため、偏光板を両面に配置すること
が可能である。
図３４（Ａ）について説明する。基板５２０上に層５２１を形成する。層５２１はＴＦ
Ｔ等を含む層である。層５２１上に電極５２２を形成する。なお、層５２１上に電極５２
２が形成された図を示しているが、電極５２２は層５２１に含まれるＴＦＴのソース電極
又はドレイン電極であってもよい。また、電極５２２は層５２１に含まれるＴＦＴのソー
ス電極又はドレイン電極と電気的に接続されている。電極５２２上に絶縁膜５２３を形成
する。絶縁膜５２３にコンタクトホールを形成し、電極５２２に電気的に接続される電極
５２４を形成する。電極５２４上に層５２５を形成する。層５２５は表示媒体を含む層で
ある。層５２５上に電極５２６を形成する。電極５２６上に基板５２７を形成する。基板
５２０及び基板５２７はガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。電極５
２２は補助電極として機能し、電極５２４は画素電極として機能し、電極５２６は対向電
極として機能することが可能である。基板５２０に接して偏光板５２８が設けられ、基板
５２７に接して偏光板５２９が設けられている。偏光板５２８と偏光板５２９とは、偏光
軸が直交したクロスニコルとなっている。
図３４（Ｂ）は、図３４（Ａ）の構成にカラーフィルタを加えたものである。図３４（
Ｂ）では基板５２０と層５２１との間にカラーフィルタ５３０Ｒ、カラーフィルタ５３０
Ｇ、カラーフィルタ５３０Ｂを設け、基板５２７と電極５２６との間にカラーフィルタ５
３１Ｒ、カラーフィルタ５３１Ｇ、カラーフィルタ５３１Ｂを設けている。カラーフィル
タ５３０Ｒ及びカラーフィルタ５３１Ｒは赤色のカラーフィルタであり、カラーフィルタ
５３０Ｇ及びカラーフィルタ５３１Ｇは緑色のカラーフィルタであり、カラーフィルタ５
３０Ｂ及びカラーフィルタ５３１Ｂは青色のカラーフィルタである。
このように偏光板を両側の基板に配置することによって、背景の透けにくい表示装置を
得ることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されな
い。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の電界駆動型表示装置の画素電極と補助電極との位置関係に
ついて図面を参照して説明する。
図３５（Ａ）において、電極１００１上に絶縁膜１００２を形成する。絶縁膜１００２
にコンタクトホールが形成され、電極１００１に電気的に接続されるように電極１００３
を形成する。電極１００３上に層１００４を形成する。層１００４は表示媒体を含む層で
ある。層１００４上に電極１００５を形成する。電極１００６は電極１００３と同工程で
形成される、隣接する画素の電極である。電極１００１は電極１００３と電極１００６と
の間の領域と重なり、且つ、電極１００６と一部が重なるように形成されている。電極１
００１は補助電極として機能し、電極１００３及び電極１００６は画素電極として機能し
、電極１００５は対向電極として機能することが可能である。本明細書において、補助電
極とは画素電極の面積と同等または画素電極の面積よりも小さい電極を意味する。
電極１００１と電極１００６とが重なっている長さをＱ１とする。電極１００６と電極
１００３との間の長さをＱ２とする。絶縁膜１００２の膜厚をＱ３とする。このとき、電
極１００１と電極１００６とが重なるような領域を有するように形成する（Ｑ１＞０）こ
と、及びＱ１＜Ｑ２となるような領域を有するように形成することが可能である、これに
より、製造ばらつきを低減することができる。さらに、層１００４に含まれる表示媒体に
電界をほぼ均一に加えることができるので、残像が生じにくい電界駆動型表示装置を製造
することができる。ただし、本実施の形態の一態様はこれらに限定されない。なお、電極
１００１と電極１００６とが重なることによって生じる寄生容量の影響を考慮して、Ｑ１
＜Ｑ３となるような領域を有するように形成することが好ましい。
また、電極１００３と電極１００１とを電気的に接続する配線が設けられた部分（コン
タクト部）から電極１００６までの長さから、電極１００１が電極１００３と重なってい
ない長さ（電極１００６と電極１００３との間の長さをＱ２とする）を引いた長さ、すな
わち、電極１００３と電極１００１が重なっている長さをＱ４とする。電極１００３のコ
ンタクト部から電極１００１の端部までの距離をＱ５とする。Ｑ４及びＱ５は、マスクず
れ等を考慮して、Ｑ４＞０、Ｑ５＞０となるような領域を有することが好ましい。このと
き、Ｑ１＜Ｑ４及びＱ１＜Ｑ５となるような領域を有することが好ましい。ただし、本実
施の形態の一態様はこれらに限定されない。
別の例について、図３５（Ｂ）を用いて説明する。図３５（Ｂ）では電極１００１の形
成位置が図３５（Ａ）と異なっている。電極１００１は電極１００３に電気的に接続され
、電極１００３と電極１００６との間の領域と一部が重なり、電極１００６とは重ならな
いように形成されている。図３５（Ｂ）においても、電極１００１は補助電極として機能
し、電極１００３及び電極１００６は画素電極として機能し、電極１００５は対向電極と
して機能することが可能である。
電極１００３と電極１００６との間の長さをＱ６とする。電極１００３と電極１００６
との間の領域と重なる位置において、電極１００１が形成された領域の長さをＱ７とし、
電極１００１が形成されていない領域の長さをＱ８とする。なお、Ｑ６＞Ｑ７、かつ、Ｑ
６＞Ｑ８である。また、層１００４に含まれる表示媒体に電界をほぼ均一に加えるため、
Ｑ７＞Ｑ８となるような領域を有することが好ましいが、これに限定されない。また、電
極１００３と電極１００６との間の領域と重なる位置において、電極１００１が形成され
ない領域を設け（Ｑ８＞０）、Ｑ３＞Ｑ８となるような領域を有するように形成すること
が可能である。これにより、画素（電極１００３を含む画素）と隣接する画素（電極１０
０６を含む画素）とのクロストークの影響を低減することができる。
また、電極１００３と電極１００１とを電気的に接続する配線が設けられた部分（コン
タクト部）から電極１００６までの長さから、電極１００３と電極１００６との間の長さ
（Ｑ６）を引いた長さ、すなわち、電極１００３と電極１００１が重なっている長さをＱ
９とする。電極１００３のコンタクト部から電極１００１の端部までの距離をＱ１０とす
る。Ｑ９及びＱ１０は、マスクずれ等を考慮して、Ｑ９＞０、Ｑ１０＞０となるような領
域を有することが好ましいが、これらに限定されない。このとき、Ｑ８＜Ｑ９、Ｑ８＜Ｑ
１０、Ｑ７＜Ｑ９、及びＱ７＜Ｑ１０を満たすような領域を有するようことが好ましいが
、これらに限定されない。
このように、電極１００３と隣接する電極１００６との間の領域全体に重なるように電
極１００１を形成してもよいし、一部に重なるように電極１００１を形成してもよい。電
極１００３と隣接する電極１００６との間の領域の一部に重なるように電極１００１を形
成した場合であっても、電極１００３と隣接する電極１００６との間に、電極１００１に
よって生じる電界が発生するため、電極１００１を形成しない場合に比べて残像が生じに
くい電界駆動型表示装置を製造することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。
（実施の形態８）
本実施の形態では、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴを適用した表示装置の作製工
程について説明する。
図３６（Ａ）に示すように、基板１１００上に導電膜を形成した後、該導電膜を所望の
形状に加工（パターニング）することで、電極１１０１、電極１１０２、導電層１１２１
、及び導電層１１２２を形成する。基板１１００には、例えば、バリウムホウケイ酸ガラ
スや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板
等を用いることができる。電極１１０１及び電極１１０２はゲート電極として機能するこ
とが可能である。電極１１０１、電極１１０２、導電層１１２１、及び導電層１１２２と
なる導電膜としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニ
ウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニ
ウム、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛（以下、ＩＺＯ）
、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッタリング法又はＣＶＤ
法等により単層または多層で形成することができる。
電極１１０１、電極１１０２、導電層１１２１、及び導電層１１２２を覆うように絶縁
膜１１０３を形成する。絶縁膜１１０３は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料
等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により単層または多層で形成する
ことができる。絶縁膜１１０３は、ゲート絶縁膜としての機能を有することが可能である
。また、導電層１１２１及び導電層１１２２を保持容量の電極として機能させる場合、当
該導電層に接して形成された絶縁膜１１０３は、保持容量の絶縁膜としての機能を有する
ことが可能である。
絶縁膜１１０３上に半導体膜１１０４を形成する。半導体膜１１０４の膜厚は２０ｎｍ
〜２００ｎｍ（好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ）とする。半導体膜１１０４としては、
フォトリソグラフィ法、インクジェット法、又は印刷法等によりアモルファスシリコンを
形成する。
次に、半導体膜１１０４上に半導体膜１１０５を形成する。半導体膜１１０５は、リン
等を含んだシリコン、半導体膜１１０４よりも導電率の高い半導体材料等を用いることが
できる。
絶縁膜１１０３から半導体膜１１０５までは、大気に触れさせることなく連続して形成
することが可能である。すなわち、大気成分や大気中に浮遊する不純物元素に汚染される
ことなく、各積層界面を形成することができるので、トランジスタ特性のばらつきを低減
することができる。
図３６（Ｂ）に示すように、マスク１１０６を形成し、半導体膜１１０４及び半導体膜
１１０５を所望の形状に加工（パターニング）して、半導体膜１１０４及び半導体膜１１
０５が島状に分離され、半導体層１１０７及び半導体層１１０８が形成される。
図３６（Ｃ）に示すように、マスク１１０６を除去した後、導電膜１１０９を形成する
。導電膜１１０９は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニ
ウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニ
ウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッ
タリング法又はＣＶＤ法等により単層または多層で形成することができる。
図３６（Ｄ）に示すように、マスク１１１０を形成する。マスク１１１０は、導電膜１
１０９をパターニングすることで、ソース電極またはドレイン電極として機能することが
可能な電極を形成するためのマスクであり、同時に半導体層１１０８の一部を取り除き、
チャネル領域を形成するためのエッチングマスクとして併用されるものである。導電膜１
１０９はパターニングされ、電極１１０９ａ〜電極１１０９ｅとなる。電極１１０９ｂ及
び電極１１０９ｄは補助電極として機能することが可能である。
図３６（Ｅ）に示すように、マスク１１１０を除去した後、絶縁膜１１１１を形成する
。絶縁膜１１１１としては、スパッタリング法やグロー放電分解法により窒化シリコン等
を形成する。絶縁膜１１１１を形成することにより、チャネル領域を保護することができ
る。
なお、半導体層１１０７はトランジスタのチャネル領域として機能する部分を含むこと
が可能であり、半導体層１１０８はトランジスタのソース領域及びドレイン領域として機
能する部分を含むことが可能である。
次に、絶縁膜１１１２を形成する。絶縁膜１１１２は、酸化シリコン系材料又は窒化シ
リコン系材料等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により形成すること
ができる。また、絶縁膜１１１２として、有機材料を単層または多層で形成してもよい。
例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、
エポキシ等を用いることができる。また、絶縁膜１１１２は有機材料と無機材料との積層
構造としてもよい。また、絶縁膜１１１２として遮光性を有する材料を用いてもよい。遮
光性を有する材料としては、カーボンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる
。さらに、絶縁膜１１１２上に絶縁膜１１１３を設けることが好ましい。絶縁膜１１１３
を形成することにより、水分の侵入等を防ぐことができる。絶縁膜１１１３としては窒化
シリコン等を用いることが好ましい。
次に、絶縁膜１１１１、絶縁膜１１１２、及び絶縁膜１１１３をパターニングして、電
極１１０９ｂ及び電極１１０９ｄが一部露出するように開口部を形成する。そして該開口
部において電極１１０９ｂに電気的に接続する電極１１１４と、電極１１０９ｄに電気的
に接続する電極１１１５とを形成する。電極１１１４及び電極１１１５は画素電極として
機能することが可能である。
図３７に示すように、電極１１１４及び電極１１１５上に層１１１６、導電膜１１１９
、及び基板１１２０が形成され、または配置され、または貼り付けられている。層１１１
６は表示媒体を含む層である。ここでは、分散剤１１１７にマイクロカプセル１１１８を
固定した構成を示している。
導電膜１１１９としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、ア
ルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲ
ルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、
単層または多層で形成することができる。導電膜１１１９は対向電極として機能すること
が可能である。
基板１１２０には、プラスチック基板、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板、セラミ
ック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。
以上より、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴを適用した表示装置が作製できる。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されな
い。
（実施の形態９）
本実施の形態では、酸化物半導体を用いたＴＦＴを適用した表示装置の作製工程につい
て説明する。
図３８（Ａ）に示すように、基板１３００上に導電膜を形成した後、該導電膜を所望の
形状に加工（パターニング）することで、電極１３０１、電極１３０２、導電層１３１９
、及び導電層１３２０を形成する。基板１３００には、例えば、バリウムホウケイ酸ガラ
スや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板
等を用いることができる。電極１３０１及び電極１３０２はゲート電極として機能するこ
とが可能である。電極１３０１、電極１３０２、導電層１３１９、及び導電層１３２０と
なる導電膜としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニ
ウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニ
ウム、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛（以下、ＩＺＯ）
、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッタリング法又はＣＶＤ
法等により単層または多層で形成することができる。
電極１３０１、電極１３０２、導電層１３１９、及び導電層１３２０を覆うように絶縁
膜１３０３を形成する。絶縁膜１３０３は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料
等を用いて、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により単層または多層で形成する
ことができる。絶縁膜１３０３は、ゲート絶縁膜としての機能を有することが可能である
。また、導電層１３１９及び導電層１３２０を保持容量の電極として機能させる場合、当
該導電層に接して形成された絶縁膜１３０３は、保持容量の絶縁膜としての機能を有する
ことが可能である。
絶縁膜１３０３上に半導体膜１３０４を形成する。半導体膜１３０４は、透光性を有す
る材料または光透過率が高い材料を用いて、単層または多層で形成する。半導体膜１３０
４は、酸化物半導体を用いて形成する。酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ
−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、
Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ
系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いることができ
る。酸化物半導体膜は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希
ガス（代表的にはアルゴン）及び酸素雰囲気下において、スパッタリング法により形成す
ることができる。また、スパッタリング法を用いる場合、酸化シリコンを２重量％以上１
０重量％以下の割合で含むターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜に結晶化を阻
害する酸化シリコンを含ませることが好ましい。これによって、結晶化を抑制することが
できる。また、半導体膜１３０４を成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発
生させる逆スパッタを行い、絶縁膜１３０３の表面に付着しているゴミを除去することが
好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板
側にＲＦ電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法
である。なお、アルゴン雰囲気に代えて、窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。
図３８（Ｂ）に示すように、マスク１３０５を形成し、半導体膜１３０４を所望の形状
に加工（パターニング）して、半導体膜１３０４が島状に分離され、半導体層１３０６が
形成される。
図３８（Ｃ）に示すように、マスク１３０５を除去した後、導電膜１３０７を形成する
。導電膜１３０７は、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、アルミニ
ウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲルマニ
ウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、スパッ
タリング法又はＣＶＤ法等により単層または多層で形成することができる。
図３８（Ｄ）に示すように、マスク１３０８を形成する。マスク１３０８は、導電膜１
３０７をパターニングすることで、ソース電極またはドレイン電極として機能することが
可能な電極を形成するためのマスクである。導電膜１３０７がパターニングされ、電極１
３０９ａ〜電極１３０９ｅとなる。電極１３０９ｂ及び電極１３０９ｄは補助電極として
機能することが可能である。
図３８（Ｅ）に示すように、マスク１３０８を除去した後、絶縁膜１３１０を形成する
。絶縁膜１３１０は、酸化シリコン系材料又は窒化シリコン系材料等を用いて、プラズマ
ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により形成することができる。また、絶縁膜１３１０と
して、有機材料を単層または多層で形成してもよい。例えば、アクリル、ポリイミド、ポ
リアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ等を用いることができる。
また、絶縁膜１３１０は有機材料と無機材料との積層構造としてもよい。また、絶縁膜１
３１０として遮光性を有する材料を用いてもよい。遮光性を有する材料としては、カーボ
ンブラック、黒色顔料を含む有機樹脂等が挙げられる。さらに、絶縁膜１３１０上に絶縁
膜１３１１を設けることが好ましい。絶縁膜１３１１を形成することにより、水分の侵入
等を防ぐことができる。絶縁膜１３１１としては窒化シリコン等を用いることが好ましい
。
次に、絶縁膜１３１０及び絶縁膜１３１１をパターニングして、電極１３０９ｂ及び電
極１３０９ｄが一部露出するように開口部を形成する。そして該開口部において電極１３
０９ｂに電気的に接続する電極１３１２と、電極１３０９ｄに電気的に接続する電極１３
１３とを形成する。電極１３１２及び電極１３１３は画素電極として機能することが可能
である。
図３９に示すように、電極１３１２及び電極１３１３上に層１３１４、導電膜１３１７
、及び基板１３１８が形成され、または配置され、または貼り付けられている。層１３１
４は表示媒体を含む層である。ここでは、分散剤１３１５にマイクロカプセル１３１６を
固定した構成を示している。
導電膜１３１７としては、チタン、モリブデン、タンタル、クロム、タングステン、ア
ルミニウム、ネオジム、銅、銀、金、白金、ニオブ、シリコン、亜鉛、鉄、バリウム、ゲ
ルマニウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化錫（ＳｎＯ）を用いて、
単層または多層で形成することができる。導電膜１３１７は対向電極として機能すること
が可能である。
基板１３１８としては、プラスチック基板、樹脂基板、フィルム基板、ガラス基板、セ
ラミック基板、ステンレス基板、ステンレスホイル基板等を用いることができる。
以上より、酸化物半導体を用いたＴＦＴを適用した表示装置が作製できる。
酸化物半導体を用いたＴＦＴは、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴ等に比べて光透
過率が高い。酸化物半導体を用いたＴＦＴを適用した場合、配線材料に透光性を有する材
料または光透過率が高い材料を用いて、ＴＦＴ基板側を表示面とする表示装置としてもよ
い。
導電層１３１９、導電層１３２０、電極１３０９ｂ、及び電極１３０９ｄを透明導電材
料で形成し、電極１３０１及び電極１３０２を金属材料で形成することも可能である。画
素内の素子を透明な材料で形成することにより、開口率を向上させることができる。さら
に、配線となる部分を金属材料で形成することにより、抵抗を下げることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した構成と適宜組み合わせて実
施することができる。なお、本実施の形態で述べる内容は一例であり、これに限定されな
い。
（実施の形態１０）
上記実施の形態で示した表示装置は、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子
機器に用いることが可能である。例えば、上記実施の形態で示した表示装置を用いて、電
子書籍（電子ブック）、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の
各種カードにおける表示等を行うことができる。
図４１（Ａ）は、表示装置を具備するポスター１５０１を示している。広告媒体が紙の
印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、上記実施の形態で示した
表示装置を用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩れること
なく安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構成としても
よい。
また、図４１（Ｂ）は、電車などの乗り物の車内広告１５０２を示している。広告媒体
が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、上記実施の形態で
示した表示装置を用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えることが
できる。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、車内広告は無線で
情報を送受信できる構成としてもよい。
図４２（Ａ）は、電子書籍の一例を示している。図４２（Ａ）に示す電子書籍は、筐体
１６００および筐体１６０１の２つの筐体で構成されている。筐体１６００および筐体１
６０１は、蝶番１６０４により一体となっており、開閉動作を行うことができる。このよ
うな構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
筐体１６００には表示部１６０２が組み込まれ、筐体１６０１には表示部１６０３が組
み込まれている。表示部１６０２および表示部１６０３は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば、右側の表示部（図４２（Ａ）では表示部１６０２）に文章を表示し、左
側の表示部（図４２（Ａ）では表示部１６０３）に画像を表示することができる。
また、図４２（Ａ）では、筐体１６００に操作部などを備えた例を示している。例えば
、筐体１６００は、電源１６０５、操作キー１６０６、スピーカ１６０７などを備えてい
る。操作キー１６０６により、ページを送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面
にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏
面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵ
ＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える
構成としてもよい。さらに、図４２（Ａ）に示す電子書籍は、電子辞書としての機能を持
たせた構成としてもよい。
また、図４２（Ａ）に示す電子書籍は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。
無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構
成とすることも可能である。
図４２（Ｂ）は、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、図４２（Ｂ）
に示すデジタルフォトフレームは、筐体１６１１に表示部１６１２が組み込まれている。
表示部１６１２は、各種画像を表示することが可能であり、例えば、デジタルカメラなど
で撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることがで
きる。
なお、図４２（Ｂ）に示すデジタルフォトフレームは、操作部、外部接続用端子（ＵＳ
Ｂ端子、ＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部な
どを備える構成とするとよい。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよ
いが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォ
トフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記録したメモリ
を挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部１６１２に表示させる
ことができる。
また、図４２（Ｂ）に示すデジタルフォトフレームは、無線で情報を送受信できる構成
としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることも
できる。
図４２（Ｃ）は、テレビジョン装置の一例を示している。図４２（Ｃ）に示すテレビジ
ョン装置は、筐体１６２１に表示部１６２２が組み込まれている。表示部１６２２により
映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド１６２３により筐体１６２
１を支持した構成をしている。
図４２（Ｃ）に示すテレビジョン装置の操作は、筐体１６２１が備える操作スイッチや
別体のリモコン操作機により行うことができる。リモコン操作機が備える操作キーにより
、チャンネルや音量の操作を行うことができる。また、リモコン操作機が備える操作キー
により、表示部１６２２に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作
機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい
。
なお、図４２（Ｃ）に示すテレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とし
てもよい。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介し
て有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受
信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士など）の情報通信を行うこ
とも可能である。
図４２（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。図４２（Ｄ）に示す携帯電話機は、
筐体１６３１に組み込まれた表示部１６３２の他、操作ボタン１６３３、操作ボタン１６
３７、外部接続ポート１６３４、スピーカ１６３５、マイク１６３６などを備えている。
図４２（Ｄ）に示す携帯電話機は、表示部１６３２がタッチパネルになっており、指な
どの接触により、表示部１６３２の表示内容を操作することができる。また、電話の発信
、或いはメールの作成は、表示部１６３２を指などで接触することにより行うことができ
る。
表示部１６３２の画面は主として３つのモードがある。第１のモードは、画像の表示を
主とする表示モードである。第２のモードは、文字などの情報の入力を主とする入力モー
ドである。第３のモードは、表示モードと入力モードの２つのモードが混合したモードで
ある。
例えば、電話の発信、或いはメールを作成する場合は、表示部１６３２を文字の入力を
主とする入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表
示部１６３２の画面の大部分の領域にキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
また、図４２（Ｄ）に示す携帯電話機の内部に、ジャイロ、加速度センサなどの傾きを
検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦または横）を判
断して、表示部１６３２のモード（または表示情報）を自動的に切り替えるようにするこ
とができる。
また、画面のモードの切り替えは、表示部１６３２への接触、または筐体１６３１の操
作ボタン１６３７の操作により行われる。また、表示部１６３２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替えることがで
きる。
また、入力モードにおいて、表示部１６３２の光センサで検出される信号を検知し、表
示部１６３２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部１６３２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部１
６３２を掌や指で触れることで、掌紋、指紋などをイメージセンサで撮像することで、本
人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤
外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもでき
る。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態１１）
他の実施の形態において、様々な例が示されているが、本実施の形態では、他の実施の
形態において示す内容の一部または全部について、変更、修正、追加、削除、置き換え、
適用、応用などを行う場合の一例を示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態に
おいて示す内容とは、別の例について示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態
において示す内容の詳細な例について示す。または、本実施の形態では、他の実施の形態
において示す内容の上位概念の例について示す。または、本実施の形態では、本実施の形
態および他の実施の形態において示す内容の定義の一例について示す。
したがって、本発明の実施の形態の一態様は、本実施の形態に記載されている内容に限
定されない。
例えば、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、及び発光素子を
有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有することが
できる。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置の一例としては、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子
）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（
電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動
素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭ
Ｄ）、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によ
り、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。
ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子
を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又は
ＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装
置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプ
レイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）な
どがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパー
などがある。
ＥＬ素子の一例としては、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に挟まれたＥＬ層と、を
有する素子などがある。ＥＬ層の一例としては、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用
するもの、３重項励起子からの発光（燐光）を利用するもの、１重項励起子からの発光（
蛍光）を利用するものと３重項励起子からの発光（燐光）を利用するものとを含むもの、
有機物によって形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成さ
れたものと無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料を含むもの、低分
子の材料の材料を含むもの、又は高分子の材料と低分子の材料とを含むもの、などがある
。ただし、これに限定されず、ＥＬ素子として様々なものを用いることができる。
電子放出素子の一例としては、陰極に高電界を集中して電子を引き出す素子などがある
。具体的には、電子放出素子の一例としては、スピント型、カーボンナノチューブ（ＣＮ
Ｔ）型、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅ
ｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、ＭＯＳ型、シリコン型、薄膜ダイオード型、ダイヤ
モンド型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型、ＨＥＥＤ型、ＥＬ型、ポーラスシ
リコン型、又は表面伝導（ＳＣＥ）型などがある。ただし、これに限定されず、電子放出
素子として様々なものを用いることができる。
電子ペーパーの一例としては、分子により表示されるもの（光学異方性、染料分子配向
など）、粒子により表示されるもの（電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化など）、フ
ィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色／相変化により表示され
るもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発光により
表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの駆動方式、材料
、及び素子としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電
気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナ
ー、電子粉流体（登録商標）、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッティング、光
散乱（透明白濁変化）、コレステリック液晶／光導電層、コレステリック液晶、双安定性
ネマチック液晶、強誘電性液晶、２色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料発
消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブ
ル有機ＥＬなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法とし
て様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いること
によって、粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体（登録商標）は、高速
応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。
なお、光源を必要とする表示装置、例えば、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレ
イ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投
射型液晶ディスプレイ）、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）を用いた表示装置、デ
ジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた表示装置などの光源の一例としては、
エレクトロルミネッセンス、冷陰極管、熱陰極管、ＬＥＤ、レーザー光源、水銀ランプな
どを用いることができる。ただし、これに限定されず、光源して様々なものを用いること
ができる。
例えば、トランジスタとして、様々な構造のトランジスタを用いることができる。よっ
て、用いるトランジスタの種類に限定はない。トランジスタの一例としては、非晶質シリ
コン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリスタル、ナノクリスタル、セミアモルファ
スとも言う）シリコンなどに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）などを用いることができる。ＴＦＴを用いる場合、様々なメリットがある。例えば
、単結晶シリコンの場合よりも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、又は製造
装置の大型化を図ることができる。製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造でき
る。そのため、同時に多くの個数の表示装置を製造できるため、低コストで製造できる。
または、製造温度が低いため、耐熱性の弱い基板を用いることができる。そのため、透光
性を有する基板上にトランジスタを製造できる。または、透光性を有する基板上のトラン
ジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することができる。または、トランジスタの
膜厚が小さいため、トランジスタを形成する膜の一部は、光を透過させることができる。
そのため、開口率を向上させることができる。
なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、
結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。そ
の結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）、ソースドライバ回路（信号線駆動回路
）、及び信号処理回路（信号生成回路、ガンマ補正回路、ＤＡ変換回路など）を基板上に
一体形成することができる。
なお、微結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、
結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。こ
のとき、レーザー照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させること
も可能である。その結果、ソースドライバ回路の一部（アナログスイッチなど）及びゲー
トドライバ回路（走査線駆動回路）を基板上に一体形成することができる。なお、結晶化
のためにレーザー照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができる
。そのため、画質の向上した画像を表示することができる。ただし、触媒（ニッケルなど
）を用いずに、多結晶シリコン又は微結晶シリコンを製造することは可能である。
なお、シリコンの結晶性を向上させて、多結晶又は微結晶などとすることは、パネル全
体で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シ
リコンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザー光を
選択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領
域にのみ、ゲートドライバ回路及びソースドライバ回路などの領域にのみ、又はソースド
ライバ回路の一部（例えば、アナログスイッチ）の領域にのみ、レーザー光を照射しても
よい。その結果、回路を高速に動作させる必要がある領域のみにおいて、シリコンの結晶
化を向上させることができる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性
が向上されなくても、問題なく画素回路を動作させることができる。こうすることによっ
て、結晶性を向上させる領域が少なくて済むため、製造工程も短くすることができる。そ
のため、スループットが向上し、製造コストを低減させることができる。または、必要と
される製造装置の数も少なくして製造できるため、製造コストを低減させることができる
。
なお、トランジスタの一例としては、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡ
ｓ、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ、ＴｉＯ、ＡｌＺｎＳｎＯ（ＡＺＴＯ）などの化合物半導体
又は酸化物半導体を有するトランジスタ又は、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を
薄膜化した薄膜トランジスタなどを用いることができる。これらにより、製造温度を低く
できるので、例えば、室温でトランジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱
性の低い基板、例えば、プラスチック基板又はフィルム基板などに直接トランジスタを形
成することができる。なお、これらの化合物半導体又は酸化物半導体を、トランジスタの
チャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることもできる。例えば、これ
らの化合物半導体又は酸化物半導体を配線、抵抗素子、画素電極、又は透光性を有する電
極などとして用いることができる。それらをトランジスタと同時に成膜又は形成すること
が可能なため、コストを低減できる。
なお、トランジスタの一例としては、インクジェット法又は印刷法を用いて形成したト
ランジスタなどを用いることができる。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又
は大型基板上に製造することができる。よって、マスク（レチクル）を用いなくても製造
することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することができる。
または、レジストを用いずに製造することが可能なので、材料費が安くなり、工程数を削
減できる。または、必要な部分にのみ膜を設けることが可能なので、全面に成膜した後で
エッチングする製法よりも、材料が無駄にならず、低コストにできる。
なお、トランジスタの一例としては、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトラ
ンジスタ等を用いることができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジ
スタを形成することができる。このようなトランジスタを用いた半導体装置は、衝撃に強
くすることができる。
なお、トランジスタとしては、他にも様々な構造のトランジスタを用いることができる
。例えば、トランジスタとして、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポー
ラトランジスタなどを用いることができる。トランジスタとしてＭＯＳ型トランジスタを
用いることにより、トランジスタのサイズを小さくすることができる。よって、複数のト
ランジスタを搭載することができる。トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用い
ることにより、大きな電流を流すことができる。よって、高速に回路を動作させることが
できる。なお、ＭＯＳ型トランジスタとバイポーラトランジスタとを１つの基板に混在さ
せて形成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することが
できる。
例えば、トランジスタの一例としては、ゲート電極が２個以上のマルチゲート構造のト
ランジスタを用いることができる。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接
続されるため、複数のトランジスタが直列に接続された構造となる。よって、マルチゲー
ト構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上（信頼性の向上）を図ることが
できる。または、マルチゲート構造により、飽和領域で動作する時に、ドレインとソース
との間の電圧が変化しても、ドレインとソースとの間の電流があまり変化せず、傾きがフ
ラットである電圧・電流特性の傾きを得ることができる。傾きがフラットである電圧・電
流特性を利用すると、理想的な電流源回路、又は非常に高い抵抗値をもつ能動負荷を実現
することができる。その結果、特性のよい差動回路又はカレントミラー回路などを実現す
ることができる。
なお、トランジスタの一例としては、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構
造のトランジスタを適用することができる。チャネルの上下にゲート電極が配置される構
造にすることにより、複数のトランジスタが並列に接続されたような回路構成となる。よ
って、チャネル領域が増えるため、電流値の増加を図ることができる。または、チャネル
の上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、空乏層ができやすくなるた
め、Ｓ値の改善を図ることができる。
なお、トランジスタの一例としては、チャネル領域の上にゲート電極が配置されている
構造、チャネル領域の下にゲート電極が配置されている構造、正スタガ構造、逆スタガ構
造、チャネル領域を複数の領域に分けた構造、チャネル領域を並列に接続した構造、又は
チャネル領域を直列に接続する構造などのトランジスタを用いることができる。
なお、トランジスタの一例としては、チャネル領域（またはその一部）にソース電極や
ドレイン電極が重なっている構造のトランジスタを用いることができる。チャネル領域（
またはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なる構造にすることによって、チャネ
ル領域の一部に電荷が溜まることにより動作が不安定になることを防ぐことができる。
なお、トランジスタの一例としては、ＬＤＤ領域を設けた構造を適用できる。ＬＤＤ領
域を設けることにより、オフ電流の低減、又はトランジスタの耐圧向上（信頼性の向上）
を図ることができる。または、ＬＤＤ領域を設けることにより、飽和領域で動作する時に
、ドレインとソースとの間の電圧が変化しても、ドレイン電流があまり変化せず、傾きが
フラットな電圧・電流特性を得ることができる。
例えば、様々な基板を用いて、トランジスタを形成することができる。基板の種類は、
特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば、単
結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、
金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タング
ステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊
維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウ
ムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。
可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフ
タレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、又
はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせフィルムの一例としては
、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、又は塩化ビニルなどがあ
る。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、無機蒸着フ
ィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板（例えば、単結晶基板）、又はＳＯＩ基
板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのば
らつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる
。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の
高集積化を図ることができる。
なお、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転
置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板の一
例としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロフ
ァン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン
、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、
再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を
用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形
成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
なお、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てを、同一の基板（例えば、ガラ
ス基板、プラスチック基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板など）に形成することが可能で
ある。こうして、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減
による信頼性の向上を図ることができる。
なお、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てを同じ基板に形成しないことが
可能である。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ある基板に形
成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、別の基板に形成されて
いることが可能である。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ガ
ラス基板に形成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、単結晶基
板（又はＳＯＩ基板）に形成されることが可能である。そして、所定の機能を実現させる
ために必要な回路の別の一部が形成される単結晶基板（ＩＣチップともいう）を、ＣＯＧ
（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）によって、ガラス基板に接続して、ガラス基板にそのＩ
Ｃチップを配置することが可能である。または、ＩＣチップを、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）、ＳＭＴ（Ｓ
ｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、又はプリント基板などを用いてガ
ラス基板と接続することが可能である。このように、回路の一部が画素部と同じ基板に形
成されていることにより、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点
数の低減による信頼性の向上を図ることができる。特に、駆動電圧が大きい部分の回路、
又は駆動周波数が高い部分の回路などは、消費電力が大きくなってしまう場合が多い。そ
こで、このような回路を、画素部とは別の基板（例えば、単結晶基板）に形成して、ＩＣ
チップを構成する。このＩＣチップを用いることによって、消費電力の増加を防ぐことが
できる。
例えば、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。例えば、一画
素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そ
のときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素を有するカラー表示装置の場合には、画像
の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるものとする。た
だし、色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、ＲＧＢ以外の色を用い
ても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としても可能である。または、Ｒ
ＧＢに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以
上追加することが可能である。または、ＲＧＢの中の少なくとも一色に類似した色を、Ｒ
ＧＢに追加することが可能である。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ
２とは、どちらも青色であるが、少し波長が異なっている。同様に、Ｒ１、Ｒ２、Ｇ、Ｂ
とすることも可能である。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を
行うことができる。このような色要素を用いることにより、消費電力を低減することがで
きる。
なお、一つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、その領域
一つ分を一画素とすることが可能である。例えば、面積階調を行う場合または副画素（サ
ブ画素）を有している場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、そ
の全体で階調を表現することがある。その場合、明るさを制御する領域の一つ分を一画素
とすることが可能である。つまり、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる
。ただし、明るさを制御する領域が一つの色要素の中に複数あっても、それらをまとめて
、一つの色要素を１画素としてもよい。その場合は、一つの色要素は、一つの画素で構成
されることとなる。なお、一つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する
場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。なお、一
つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、各々に供給する信号を僅か
に異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。つまり、一つの色要素につ
いて、複数個ある領域が各々有する画素電極の電位が、各々異なっていることも可能であ
る。その結果、液晶分子に加わる電圧が各画素電極によって各々異なる。よって、視野角
を広くすることができる。
なお、一画素（三色分）と明示的に記載する場合は、ＲとＧとＢの三画素分を一画素と
考える場合であるとする。一画素（一色分）と明示的に記載する場合は、一つの色要素に
つき、複数の領域がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。
例えば、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合がある。ここで、画素が
マトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向または横方向において、画素が直線上
に並んで配置されている場合、又はギザギザな線上に配置されている場合を含むものとす
る。よって、例えば、三色の色要素（例えば、ＲＧＢ）でフルカラー表示を行うとすると
、ストライプ配置されている場合、三つの色要素のドットがデルタ配置されている場合、
ベイヤー配置されている場合、モザイク配列されている場合も含むものとする。なお、色
要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、低消費電力
化、又は表示素子の長寿命化を図ることができる。
例えば、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子
を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子
）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素
子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とができる。
例えば、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの
端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイ
ン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間にチャネル領域を有
しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものであ
る。ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わる
ため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソ
ースとして機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソース又はドレインと呼
ばない場合がある。その場合、一例として、ソースとドレインとの一方を、第１端子、第
１電極、又は第１領域と表記し、ソースとドレインとの他方を、第２端子、第２電極、又
は第２領域と表記する場合がある。
なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を
有する素子であってもよい。この場合も同様に、一例として、エミッタとコレクタとの一
方を、第１端子、第１電極、又は第１領域と表記し、エミッタとコレクタとの他方を、第
２端子、第２電極、又は第２領域と表記する場合がある。なお、トランジスタとしてバイ
ポーラトランジスタが用いられる場合、ゲートという表記をベースと言い換えることが可
能である。
例えば、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線、ゲート信号線、走査線、走
査信号線等とも言う）とを含んだ全体、又は、それらの一部のことを言う。ゲート電極と
は、チャネル領域を形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部
分の導電膜のことを言う。ただし、ゲート電極の一部は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏ
ｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域、又はソース領域（またはドレイン領域）と、ゲート絶縁膜を
介してオーバーラップしていることが可能である。ゲート配線とは、各トランジスタのゲ
ート電極の間を接続するための配線、各画素の有するゲート電極の間を接続するための配
線、又はゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
ただし、ゲート電極としても機能し、且つゲート配線としても機能するような部分（領
域、導電膜、配線など）も存在する。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲ
ート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配
線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲ
ート配線の一部とチャネル領域がオーバーラップしている場合、その部分（領域、導電膜
、配線など）はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していること
になる。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極と呼んでも
良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
なお、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極と同じ島（アイランド）を形成し
てつながっている部分（領域、導電膜、配線など）も、ゲート電極と呼んでも良い。同様
に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつ
ながっている部分（領域、導電膜、配線など）も、ゲート配線と呼んでも良い。このよう
な部分（領域、導電膜、配線など）は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップ
していない場合、又は別のゲート電極と接続させる機能を有していない場合がある。しか
し、製造時の仕様などの関係で、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲ
ート電極またはゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域
、導電膜、配線など）がある。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）もゲ
ート電極またはゲート配線と呼んでも良い。
例えば、マルチゲート構造のトランジスタにおいて、１つのゲート電極と、別のゲート
電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのよう
な部分（領域、導電膜、配線など）は、あるゲート電極と別のゲート電極とを接続させる
ための部分（領域、導電膜、配線など）であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マル
チゲート構造のトランジスタを１つのトランジスタと見なすこともできるため、ゲート電
極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート
電極またはゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導
電膜、配線など）は、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。別の例として、ゲート電
極とゲート配線とを接続させている部分の導電膜であって、ゲート電極またはゲート配線
とは異なる材料で形成された導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼ん
でも良い。
なお、ゲート端子とは、ゲート電極の部分（領域、導電膜、配線など）、又はゲート電
極と電気的に接続されている部分（領域、導電膜、配線など）について、その一部分のこ
とを言う。
なお、ある配線を、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、又は走査信号線な
どと呼ぶ場合、その配線にトランジスタのゲートが接続されていない場合もある。この場
合、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、又は走査信号線は、トランジスタの
ゲートと同じ層で形成された配線、トランジスタのゲートと同じ材料で形成された配線、
又はトランジスタのゲートと同時に成膜された配線などを意味している場合がある。その
一例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線などがある。
なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線、ソース信号線、
データ線、データ信号線等とも言う）とを含んだ全体、または、それらの一部のことを言
う。ソース領域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）又はＮ型不純物（リンやヒ素
など）が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純
物が含まれる領域、いわゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域
は、ソース領域には含まれない場合が多い。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で
形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。
ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線と
は、各トランジスタのソース電極の間を接続するための配線、各画素の有するソース電極
の間を接続するための配線、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを
言う。
しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分（
領域、導電膜、配線など）も存在する。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、
ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース
配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されている
ソース配線の一部とソース領域とがオーバーラップしている場合、その部分（領域、導電
膜、配線など）はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能しているこ
とになる。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ソース電極と呼んで
も良いし、ソース配線と呼んでも良い。
なお、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極と同じ島（アイランド）を形成し
てつながっている部分（領域、導電膜、配線など）、ソース電極とソース電極とを接続す
る部分（領域、導電膜、配線など）、又はソース領域とオーバーラップしている部分（領
域、導電膜、配線など）も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料
で形成され、ソース配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている領域も、ソー
ス配線と呼んでも良い。このような部分（領域、導電膜、配線など）は、厳密な意味では
、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の仕様な
どの関係で、ソース電極またはソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極またはソー
ス配線とつながっている部分（領域、導電膜、配線など）がある。よって、そのような部
分（領域、導電膜、配線など）もソース電極またはソース配線と呼んでも良い。
なお、例えば、ソース電極とソース配線とを接続させている部分の導電膜であって、ソ
ース電極またはソース配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ソース電極と呼んでも
良いし、ソース配線と呼んでも良い。
なお、ソース端子とは、ソース領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続され
ている部分（領域、導電膜、配線など）について、その一部分のことを言う。
なお、ある配線を、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線な
どと呼ぶ場合、その配線にトランジスタのソース（ドレイン）が接続されていない場合も
ある。この場合、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線は、ト
ランジスタのソース（ドレイン）と同じ層で形成された配線、トランジスタのソース（ド
レイン）と同じ材料で形成された配線またはトランジスタのソース（ドレイン）と同時に
成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準
電位供給配線などがある。
なお、ドレインについては、ソースと同様である。
例えば、半導体装置とは、半導体素子（トランジスタ、ダイオード、サイリスタなど）
を含む回路を有する装置のことをいう。ただし、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般、又は半導体材料を有する装置のことを半導体装置と呼んでもよい。
なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことを言う。なお、表示装置は、表示素
子を含む複数の画素を含んでいても良い。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周
辺駆動回路を含んでいても良い。なお、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の
画素と同一基板上に形成されてもよい。なお、表示装置は、ワイヤボンディングやバンプ
などによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる、チップオングラス（ＣＯＧ）
で接続されたＩＣチップ、または、ＴＡＢなどで接続されたＩＣチップを含んでいても良
い。なお、表示装置は、ＩＣチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタな
どが取り付けられたフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）を含んでもよい。なお、
表示装置は、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などを介して接続され、ＩＣチ
ップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配
線基板（ＰＷＢ）を含んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの
光学シートを含んでいても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、
光センサなどを含んでいても良い。
なお、照明装置は、バックライトユニット、導光板、プリズムシート、拡散シート、反
射シート、光源（ＬＥＤ、冷陰極管など）、冷却装置（水冷式、空冷式）などを有してい
ても良い。
なお、発光装置とは、発光素子などを有している装置のことをいう。表示素子として発
光素子を有している場合は、発光装置は、表示装置の具体例の一つである。
なお、反射装置とは、光反射素子、光回折素子、光反射電極などを有している装置のこ
とをいう。
なお、液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置には、
直視型、投写型、透過型、反射型、半透過型などがある。
なお、駆動装置とは、半導体素子、電気回路、電子回路を有する装置のことを言う。例
えば、ソース信号線から画素内への信号の入力を制御するトランジスタ（選択用トランジ
スタ、スイッチング用トランジスタなどと呼ぶことがある）、画素電極に電圧または電流
を供給するトランジスタ、発光素子に電圧または電流を供給するトランジスタなどは、駆
動装置の一例である。さらに、ゲート信号線に信号を供給する回路（ゲートドライバ、ゲ
ート線駆動回路などと呼ぶことがある）、ソース信号線に信号を供給する回路（ソースド
ライバ、ソース線駆動回路などと呼ぶことがある）などは、駆動装置の一例である。
なお、表示装置、半導体装置、照明装置、冷却装置、発光装置、反射装置、駆動装置な
どは、互いに重複して有している場合がある。例えば、表示装置が、半導体装置および発
光装置を有している場合がある。あるいは、半導体装置が、表示装置および駆動装置を有
している場合がある。
例えば、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に
接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続
されている場合とを含むものとする。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、
回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。したがって、所定の接続関
係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接
続関係以外のものも含むものとする。
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可
能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオードなど）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。
ＸとＸとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可
能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号
変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（
電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など
）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きくでき
る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生
成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能で
ある。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ａから出力された信
号がＢへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電
気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続
されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に
別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合
（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含
むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接
続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
例えば、Ｘの上にＹが形成されている、あるいは、Ｘ上にＹが形成されている、と明示
的に記載する場合は、Ｘの上にＹが直接接して形成されていることに限定されない。直接
接してはいない場合、つまり、ＸとＹと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする
。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
従って、例えば、層Ｘの上に（または層Ｘ上に）、層Ｙが形成されている、と明示的に
記載されている場合は、層Ｘの上に直接接して層Ｙが形成されている場合と、層Ｘの上に
直接接して別の層（例えば、層Ｚなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｙが形
成されている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば、層Ｚなど）は、単層でも
よいし、複層（積層）でもよい。
さらに、Ｘの上方にＹが形成されている、と明示的に記載されている場合についても同
様であり、Ｘの上にＹが直接接していることに限定されず、ＸとＹとの間に別の対象物が
介在する場合も含むものとする。従って、例えば、層Ｘの上方に、層Ｙが形成されている
、という場合は、層Ｘの上に直接接して層Ｙが形成されている場合と、層Ｘの上に直接接
して別の層（例えば、層Ｚなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｙが形成され
ている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば、層Ｚなど）は、単層でもよいし
、複層（積層）でもよい。
なお、Ｘの上にＹが形成されている、Ｘ上にＹが形成されている、又はＸの上方にＹが
形成されている、と明示的に記載する場合、Ｘの斜め上にＹが形成される場合も含むこと
とする。
なお、Ｘの下にＹが、あるいは、Ｘの下方にＹが、の場合についても、同様である。
例えば、明示的に単数として記載されているものについては、単数であることが望まし
い。ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数と
して記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定さ
れず、単数であることも可能である。
例えば、第１、第２、第３などの語句は、様々な要素、部材、領域、層、区域を他のも
のと区別して記述するために用いられる。よって、第１、第２、第３などの語句は、要素
、部材、領域、層、区域などの数を限定するものではない。さらに、例えば、「第１の」
を「第２の」又は「第３の」などと置き換えることが可能である。
例えば、「上に」、「上方に」、「下に」、「下方に」、「横に」、「右に」、「左に
」、「斜めに」、「奥に」、「手前に」、「内に」、「外に」、又は「中に」などの空間
的配置を示す語句は、ある要素又は特徴と、他の要素又は特徴との関連を、図によって簡
単に示すために用いられる場合が多い。ただし、これに限定されず、これらの空間的配置
を示す語句は、図に描く方向に加えて、他の方向を含むことが可能である。例えば、Ｘの
上にＹ、と明示的に示される場合は、ＹがＸの上にあることに限定されない。図中のデバ
イスは反転、又は１８０°回転することが可能なので、ＹがＸの下にあることを含むこと
が可能である。このように、「上に」という語句は、「上に」の方向に加え、「下に」の
方向を含むことが可能である。ただし、これに限定されず、図中のデバイスは様々な方向
に回転することが可能なので、「上に」という語句は、「上に」、及び「下に」の方向に
加え、「横に」、「右に」、「左に」、「斜めに」、「奥に」、「手前に」、「内に」、
「外に」、又は「中に」などの他の方向を含むことが可能である。つまり、状況に応じて
適切に解釈することが可能である。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、その一部分を取り
出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、ある部分を述べる図ま
たは文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り出した内容も、発明の
一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であるもの
とする。そのため、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素
子（容量素子、抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品
、基板、モジュール、装置、固体、液体、気体、動作方法、製造方法などが単数又は複数
記載された図面（断面図、平面図、回路図、ブロック図、フローチャート、工程図、斜視
図、立面図、配置図、タイミングチャート、構造図、模式図、グラフ、表、光路図、ベク
トル図、状態図、波形図、写真、化学式など）または文章において、その一部分を取り出
して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。一例としては、Ｎ個（Ｎは
整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（
Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の一例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構
成される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構
成することは可能である。別の一例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成され
るフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態様
を構成することは可能である。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、少なくとも一つの
具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは、当業者であれば容易
に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において
、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念も、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
なお、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。したがって、あ
る内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていなくても、その内容は、
発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であ
る。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様として開示されているも
のであり、発明の一態様を構成することが可能である。
１００ 電極
１０１ 電極
１０２ 層
１０３ 分散剤
１０４ マイクロカプセル
１０５ 粒子
１０６ 粒子
１０７ 電界
１０８ 電界
１０９ 電極
１１０ 絶縁膜
１１１ 配線
１１２ 絶縁膜
１１３ コンタクトホール
１１４ 電極
１１５ 絶縁膜
１１６ コンタクトホール
２００ 電極
２０１ 絶縁膜
２０２ 電極
２０３ 層
２０４ 電極
２０５ 配線
２０６ 絶縁膜
３００ 基板
３０１ 電極
３０２ 電極
３０３ 電極
３０４ 配線
３０５ 絶縁膜
３０６ 半導体層
３０６ａ 半導体層
３０６ｂ 半導体層
３０７ 半導体層
３０７ａ 半導体層
３０７ｂ 半導体層
３０８ 半導体層
３０８ａ 半導体層
３０８ｂ 半導体層
３０９ 導電層
３１０ 導電層
３１１ 導電層
３１２ 導電層
３１３ 導電層
３１４ 導電層
３１５ 絶縁膜
３１６ 電極
３１７ 電極
３１８ 電極
３１９ 層
３２０ マイクロカプセル
３２１ 分散剤
３２２ 電極
３２３ 基板
３３０ ゲート線
３３１ ゲート線
３３２ 半導体層
３３３ 半導体層
３３４ 半導体層
３３５ 導電層
３３６ 導電層
３３７ 導電層
３３８ 電極
３３９ 電極
３４０ 電極
３４１ 配線
３４２ 導電層
３４３ 導電層
３４４ 導電層
３４５ 電極
３４６ 電極
３４７ 電極
３５０ 領域
３５１ 領域
３５２ 領域
３５３ 領域
４００ 導電層
４０１ 絶縁膜
４０２ 導電層
４０３ 絶縁膜
４０４ 電極
４０５ 層
４０６ 電極
５００ 絶縁膜
５０１ 電極
５０２ 絶縁膜
５０３ 電極
５０４ 層
５０５ 電極
５０６Ｂ 絶縁膜
５０６Ｇ 絶縁膜
５０６Ｒ 絶縁膜
５１０ 絶縁膜
５１０Ｂ 絶縁膜
５１０Ｇ 絶縁膜
５１０Ｒ 絶縁膜
５１１ 電極
５１２ 絶縁膜
５１２Ｂ 絶縁膜
５１２Ｇ 絶縁膜
５１２Ｒ 絶縁膜
５１３ 電極
５１４ 層
５１５ 電極
５１６ 絶縁膜
５２０ 基板
５２１ 層
５２２ 電極
５２３ 絶縁膜
５２４ 電極
５２５ 層
５２６ 電極
５２７ 基板
５２８ 偏光板
５２９ 偏光板
５３０Ｂ カラーフィルタ
５３０Ｇ カラーフィルタ
５３０Ｒ カラーフィルタ
５３１Ｂ カラーフィルタ
５３１Ｇ カラーフィルタ
５３１Ｒ カラーフィルタ
６００ 基板
６０１ マイクロカップ
６０２ 誘電性溶媒
６０３ 帯電色素粒子
６０４ 封止層
６０５ 電極
６０６ 絶縁膜
６０７ 電極
６０８ 電極
６０９ 基板
７００ 基板
７０１ 隔壁
７０２ 電子粉流体（登録商標）
７０３ 電子粉流体（登録商標）
７０４ 電極
７０５ 絶縁膜
７０６ 電極
７０７ 電極
７０８ 基板
８００ 基板
８０１ 半導体層
８０２ 半導体層
８０３ 絶縁膜
８０４ ゲート電極
８０５ ゲート電極
８０６ 絶縁膜
８０７ 電極
８０８ 電極
８０９ 電極
８１０ 電極
８１１ 絶縁膜
８１２ 電極
８１３ 電極
８１４ 層
８１５ 電極
８１６ 基板
８１７ 導電層
８１８ 導電層
８１９ 導電層
８２０ 導電層
８５１ 電極
８５２ 電極
８５３ 電極
８５４ 電極
８５５ 電極
８５６ 電極
８５７ 電極
８５８ 電極
８５９ 電極
８６０ 電極
８６１ 電極
９００ 基板
９０１ ゲート電極
９０２ ゲート絶縁膜
９０３ 電極
９０４ 電極
９０５ 半導体層
９０６ 絶縁膜
９０７ 電極
９０８ 層
９０９ 電極
９１０ 保護体
９１１ 電極
９１２ 導電層
９２０ 基板
９２１ ゲート電極
９２２ ゲート絶縁膜
９２３ 半導体層
９２４ 電極
９２５ 電極
９２６ 絶縁膜
９２７ 電極
９２８ 層
９２９ 電極
９３０ 保護体
９３１ 電極
９３２ 導電層
９４０ 基板
９４１ ゲート電極
９４２ ゲート絶縁膜
９４３ 半導体層
９４４ チャネル保護膜
９４５ 電極
９４６ 電極
９４７ 絶縁膜
９４８ 電極
９４９ 層
９５０ 電極
９５１ 保護体
９５２ 電極
９５３ 導電層
１００１ 電極
１００２ 絶縁膜
１００３ 電極
１００４ 層
１００５ 電極
１００６ 電極
１１００ 基板
１１０１ 電極
１１０２ 電極
１１０３ 絶縁膜
１１０４ 半導体膜
１１０５ 半導体膜
１１０６ マスク
１１０７ 半導体層
１１０８ 半導体層
１１０９ 導電膜
１１０９ａ 電極
１１０９ｂ 電極
１１０９ｃ 電極
１１０９ｄ 電極
１１０９ｅ 電極
１１１０ マスク
１１１１ 絶縁膜
１１１２ 絶縁膜
１１１３ 絶縁膜
１１１４ 電極
１１１５ 電極
１１１６ 層
１１１７ 分散剤
１１１８ マイクロカプセル
１１１９ 導電膜
１１２０ 基板
１１２１ 導電層
１１２２ 導電層
１２００ 基板
１２０１ 電極
１２０２ 配線
１２０３ 絶縁膜
１２０４ 半導体層
１２０４ａ 半導体層
１２０４ｂ 半導体層
１２０５ 導電層
１２０６ 導電層
１２０７ 絶縁膜
１２０８ 導電層
１２０９ 絶縁膜
１２１０ 導電層
１２１１ 導電層
１２１２ 層
１２１３ 導電層
１２１４ 保護体
１２１５ ゲート線
１２１６ ゲート線
１２１７ 電極
１２１８ 電極
１２１９ 配線
１２２０ 半導体層
１２２１ 半導体層
１２２２ 半導体層
１２２３ 半導体層
１２２４ 半導体層
１２２５ 導電層
１２２６ 導電層
１２２７ 導電層
１２２８ 導電層
１２２９ 導電層
１２３０ 導電層
１２３１ 導電層
１２３２ 導電層
１２３３ 導電層
１２３４ 導電層
１２３５ 導電層
１２３６ 導電層
１２３７ 導電層
１２３８ 導電層
１２３９ 導電層
１２４０ 導電層
１２４１ 導電層
１２４２ 導電層
１２４３ 導電層
１３００ 基板
１３０１ 電極
１３０２ 電極
１３０３ 絶縁膜
１３０４ 半導体膜
１３０５ マスク
１３０６ 半導体層
１３０７ 導電膜
１３０８ マスク
１３０９ａ 電極
１３０９ｂ 電極
１３０９ｃ 電極
１３０９ｄ 電極
１３０９ｅ 電極
１３１０ 絶縁膜
１３１１ 絶縁膜
１３１２ 電極
１３１３ 電極
１３１４ 層
１３１５ 分散剤
１３１６ マイクロカプセル
１３１７ 導電膜
１３１８ 基板
１３１９ 導電層
１３２０ 導電層
１４０１ ゲート電極
１４０２ ゲート電極
１４０３ ゲート線
１４０４ ゲート線
１４０５ 半導体層
１４０６ 半導体層
１４０７ ソース電極
１４０８ ドレイン電極
１４０９ ソース電極
１４１０ 電極
１４１１ 電極
１４１２ 電極
１４１３ 電極
１４１４ 電極
１４１５ 電極
１４１６ 電極
１４１７ 電極
１４５１ ゲート電極
１４５２ ゲート電極
１４５３ ゲート線
１４５４ ゲート線
１４５５ 半導体層
１４５６ 半導体層
１４５７ ソース電極
１４５８ ドレイン電極
１４５９ ソース電極
１４６０ 電極
１４６１ 電極
１４６２ 電極
１４６３ 電極
１４６４ 電極
１４６５ 電極
１４６６ 電極
１４６７ 電極
１５０１ ポスター
１５０２ 車内広告
１６００ 筐体
１６０１ 筐体
１６０２ 表示部
１６０３ 表示部
１６０４ 蝶番
１６０５ 電源
１６０６ 操作キー
１６０７ スピーカ
１６１１ 筐体
１６１２ 表示部
１６２１ 筐体
１６２２ 表示部
１６２３ スタンド
１６３１ 筐体
１６３２ 表示部
１６３３ 操作ボタン
１６３４ 外部接続ポート
１６３５ スピーカ
１６３６ マイク
１６３７ 操作ボタン

Claims (1)

  1. 第１の画素と、前記第１の画素と隣接する第２の画素と、第１の電極と、を有し、
    前記第１の画素は、
    第１のゲート電極と、第１の半導体層と、前記第１のゲート電極と前記第１の半導体層との間の第１のゲート絶縁膜と、を有し、
    前記第１の半導体層と電気的に接続された第１のドレイン電極及び第１のソース電極を有し、
    前記第１のドレイン電極又は前記第１のソース電極の一方は、第１のデータ線と電気的に接続され、
    前記第１のドレイン電極又は前記第１のソース電極の他方は、第１の画素電極と電気的に接続され、
    前記第２の画素は、
    第２のゲート電極と、第２の半導体層と、前記第２のゲート電極と前記第２の半導体層との間の第２のゲート絶縁膜と、を有し、
    前記第２の半導体層と電気的に接続された第２のドレイン電極及び第２のソース電極を有し、
    前記第２のドレイン電極又は前記第２のソース電極の一方は、第２のデータ線と電気的に接続され、
    前記第２のドレイン電極又は前記第２のソース電極の他方は、第２の画素電極と電気的に接続され、
    前記第１の電極は、前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極と重なる領域を有し、
    前記第１の電極は、容量電極として機能する領域を有することを特徴とする表示装置。
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