TW201708918A - 電場驅動顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之目標為提供一種可顯示高品質影像之電場驅動顯示裝置，及提供一種電場驅動顯示裝置，其中避免發生像素之輪廓中的殘留影像。絕緣膜係形成於第二電極之上，及複數第一電極係配置於該絕緣膜之上。該第一電極之每一者電連接至該第二電極。該第二電極經配置而與該相鄰二第一電極間之區域局部重疊。換言之，檢視該顯示裝置之該頂部及該底部，該相鄰第一電極經配置而彼此相離，且該第二電極經配置而嵌入該相鄰第一電極間之空間。

Description

電場驅動顯示裝置

本發明關於半導體裝置、顯示裝置、及反射顯示裝置、其驅動方法、及其製造方法。尤其，本發明關於藉由於液體或氣體中轉移粒子而驅動之半導體裝置、顯示裝置、及反射顯示裝置、其驅動方法、及其製造方法。另一方面，本發明關於利用電泳現象之半導體裝置、顯示裝置、及反射顯示裝置、其驅動方法、及其製造方法。另一方面，本發明關於包括半導體裝置、顯示裝置、或反射顯示裝置之電子設備。

近年來，顯示裝置已被廣泛研究，且作為可以低電力驅動之顯示裝置之一，電場驅動顯示裝置(例如，電子紙)已吸引注意。電場驅動顯示裝置具有消耗低電力及甚至在關閉之後保持影像之優點；因此，其已預期應用於電子書閱讀器或海報。

到目前為止已提出使用各種方法之各種電場驅動顯示裝置。例如，專利文獻1及2各揭露使用微膠囊之電泳電 場驅動顯示裝置。專利文獻3揭露使用微杯之電泳電場驅動顯示裝置。專利文獻4揭露使用電子液態粉末(註冊商標)之粒子移動電場驅動顯示裝置。

[參考文獻]

[專利文獻1]日本公開專利申請案No.2008-276153

[專利文獻2]日本公開專利申請案No.2009-086153

[專利文獻3]日文版之PCT國際申請案No.2006-518881

[專利文獻4]日本公開專利申請案No.2009-139855

本發明之實施例之目標為提供一種可顯示高品質影像之電場驅動顯示裝置。另一方面，本發明之實施例之目標為提供一種電場驅動顯示裝置，其中顯示缺點(例如，像素之輪廓中產生殘留影像之現象)減少。另一方面，本發明之實施例之目標為提供一種電場驅動顯示裝置，其中顯示媒體中所包括之粒子聚集減輕。另一方面，本發明之實施例之目標為提供一種電場驅動顯示裝置，其中改進如何施加電場於顯示媒體。另一方面，本發明之實施例之目標為提供一種電場驅動顯示裝置，其中改進顯示裝置之對比。

請注意，該些目標之說明不妨礙其他目標之存在。本發明之實施例不需達到所有以上目標。從本說明書中說 明、圖式、申請專利範圍等，非以上之目標自動變得清晰。非以上之目標可從本說明書中說明、圖式、申請專利範圍等提取。

本發明之實施例為一種電場驅動顯示裝置，其中輔助電極係配置於一像素之像素電極與該像素相鄰之另一像素之像素電極之間。

另一方面，本發明之實施例為一種電場驅動顯示裝置，其包括彼此相鄰之二第一電極、第二電極、第三電極、及配置於二第一電極與第二電極之間之充電粒子。第三電極係配置於二第一電極與第二電極之間，並電連接至二第一電極之一。第三電極與絕緣膜配置於其間之二第一電極之一之至少部分重疊。第三電極與絕緣膜配置於其間之二第一電極之另一者之至少部分重疊。

另一方面，本發明之實施例為一種電場驅動顯示裝置，其包括彼此相鄰之二第一電極、第二電極、第三電極、及配置於二第一電極與第二電極之間之充電粒子。第三電極係配置於二第一電極與第二電極之間，並電連接至二第一電極之一。第三電極與絕緣膜配置於其間之二第一電極之一之至少部分重疊。第三電極未與絕緣膜配置於其間之二第一電極之另一者重疊。

另一方面，本發明之實施例為一種電場驅動顯示裝置，其包括彼此相鄰之二第一電極、第二電極、第三電極、及配置於二第一電極與第二電極之間之充電粒子。二第一電極係配置於第三電極與第二電極之間。第三電極電 連接至二第一電極之一。第三電極與絕緣膜配置於其間之二第一電極之一之至少部分重疊。第三電極與絕緣膜配置於其間之二第一電極之另一者之至少部分重疊。

另一方面，本發明之實施例為一種電場驅動顯示裝置，其包括彼此相鄰之二第一電極、第二電極、第三電極、及配置於二第一電極與第二電極之間之充電粒子。二第一電極係配置於第三電極與第二電極之間。第三電極電連接至二第一電極之一。第三電極與絕緣膜配置於其間之二第一電極之一之至少部分重疊。第三電極未與絕緣膜配置於其間之二第一電極之另一者重疊。

請注意，圖中尺寸、層厚度、或區域有時為求簡化而予誇大。因此，本發明之實施例不侷限於該等比例尺。

請注意，圖式為理想範例之示意圖，且形狀等不侷限於圖式中所描繪者。例如，圖式可包括因製造技術或尺寸偏離之形狀變化。

在許多狀況下使用技術術語以說明特定實施例等。請注意，本發明之一實施例不解譯為侷限於技術術語。

未定義之用語(包括用於科學及技術之用語，諸如技術術語及學術用法)可用作具有等同於熟悉本技藝之一般人士理解之一般意義之意義的用語。較佳的是藉由字典等定義之用語解譯為與相關技藝之背景一致之意義。

本發明之實施例可提供可顯示高品質影像之電場驅動顯示裝置。另一方面，本發明之實施例可提供一種電場驅動顯示裝置，其中顯示缺點(例如，像素之輪廓中產生殘 留影像之現象)減少。另一方面，本發明之實施例可提供一種電場驅動顯示裝置，其中顯示媒體中所包括之粒子聚集減少。另一方面，本發明之實施例可提供一種電場驅動顯示裝置，其中改進如何施加電場至顯示媒體。另一方面，本發明之實施例可提供一種電場驅動顯示裝置，其中改進顯示裝置之對比。

100、101、114、200、202、204、301-303、316-318、322、338-340、345-347、404、406、501、503、505、511、513、515、522、524、526、605、607、608、704、706、707、807-810、812、813、815、851-861、903、 904、907、909、911、924、925、927、929、931、945、946、948、950、952、1001、1003、1005、1006、1101、1102、1109a-1109e、1114、1115、1201、1217、1218、1301、1302、1309a-1309e、1312、1313、1319b、1319d、1410-1417、1460-1467‧‧‧電極

102、203、319、405、504、514、521、525、814、908、928、949、1004、1116、1212、1314‧‧‧層

103、321、1117、1316‧‧‧分散劑

104、320、1118、1315‧‧‧微膠囊

105‧‧‧正充電粒子

106‧‧‧負充電粒子

107-109‧‧‧電場

110、112、115、201、206、305、315、401、403、500、502、506R、506G、506B、51OR、510G、510B、512、512R、512G、512B、516、523、606、705、803、806、811、906、926、947、1002、1103、1111-1113、1203、1207、1209、1303、1310、1311‧‧‧絕緣膜

111、205、304、341、1202、1219‧‧‧佈線

113、116‧‧‧接觸孔

300、323、520、527、600、609、700、708、800、816、900、920、932、940、1100、1120、1200、1300、1318‧‧‧基板

306-308、306a、306b、307a、307b、308a、308b、332-334、801、802、905、923、943、1107、1108、1204、 1204a、1204b、1220-1224、1306、1405、1406、1455、1456‧‧‧半導體層

309-314、335-337、342-344、400、402、817-820、912、953、1121、1122、1205、1206、1208、1210、1211、1213、1225-1243、1319、1320‧‧‧導電層

330、331、1215、1216、1403、1404、1453、1454‧‧‧閘極線

350‧‧‧面積

351-353‧‧‧區域

528、529‧‧‧偏光板

530R、530G、530B、531R、531G、531B‧‧‧濾色器

601‧‧‧微杯

602‧‧‧介電溶劑

603‧‧‧充電染色粒子

604‧‧‧密封層

701‧‧‧隔板

702、703‧‧‧電子液態粉末

804、805、901、921、941、1401、1402、1451、1452‧‧‧閘極電極

902、922、942‧‧‧閘極絕緣膜

910、930、951、1214‧‧‧保護器

944‧‧‧通道保護膜

1104、1105、1304‧‧‧半導體膜

1106、1110、1305、1308‧‧‧遮罩

1109、1119、1307、1309、1317‧‧‧導電膜

1407、1409、1457、1459‧‧‧源極電極

1408、1458‧‧‧汲極電極

1500、1501、1600、1601、1611、1621、1631‧‧‧外殼

1501‧‧‧海報

1502‧‧‧廣告

1504‧‧‧鉸鏈

1602、1603、1612、1622、1632‧‧‧顯示部

1605‧‧‧電力開關

1606‧‧‧操作鍵

1607、1635‧‧‧揚聲器

1623‧‧‧支架

1633、1637‧‧‧操作按鈕

1634‧‧‧外部連接埠

1636‧‧‧麥克風

圖1為根據本發明之實施例之截面圖。

圖2為根據本發明之實施例之截面圖。

圖3為根據本發明之實施例之截面圖。

圖4為根據本發明之實施例之截面圖。

圖5為根據本發明之實施例之截面圖。

圖6A至6D為根據本發明之實施例之俯視圖。

圖7為根據本發明之實施例之截面圖。

圖8為根據本發明之實施例之截面圖。

圖9為根據本發明之實施例之截面圖。

圖10A及10B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖11A及11B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖12A及12B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖13A及13B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖14A及14B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖15A及15B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖16A及16B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖17A及17B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖18A及18B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖19為根據本發明之實施例之俯視圖。

圖20A及20B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖21A及21B為根據本發明之實施例之俯視圖。

圖22為根據本發明之實施例之俯視圖。

圖23為根據本發明之實施例之截面圖。

圖24為根據本發明之實施例之截面圖。

圖25為根據本發明之實施例之截面圖。

圖26A至26C為根據本發明之實施例之截面圖。

圖27為根據本發明之實施例之截面圖。

圖28為根據本發明之實施例之截面圖。

圖29為根據本發明之實施例之截面圖。

圖30為根據本發明之實施例之俯視圖。

圖31為根據本發明之實施例之截面圖。

圖32A及32B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖33A及33B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖34A及34B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖35A及35B為根據本發明之實施例之截面圖。

圖36A至36E為根據本發明之實施例之截面圖。

圖37為根據本發明之實施例之截面圖。

圖38A至38E為根據本發明之實施例之截面圖。

圖39為根據本發明之實施例之截面圖。

圖40A及40B為根據本發明之實施例之俯視圖。

圖41A及41B各描繪包括根據本發明之實施例之顯示裝置的電子設備。

圖42A至42D各描繪包括根據本發明之實施例之顯示裝置的電子設備。

圖43A至43D為根據本發明之實施例之顯示裝置之俯視圖。

以下，將參照附圖詳細說明本發明之實施例。請注意，本發明不侷限於以下說明，且熟悉本技藝之人士易於理解可在不偏離本發明之精神及範圍下，進行各種改變及修改。因此，本發明將不侷限於以下實施例之說明。在以下提供之結構中，於不同圖式中具有類似功能之相同部分標示相同代號，且其說明將不重複。

請注意，一實施例中所說明者(或其部分)可應用於相同實施例中另一內容及/或另一實施例或其他實施例中所說明者(或其部分)，或與其組合，或與其交換。

請注意，在每一實施例中，實施例中所說明之內容為參照各種圖說明之內容或以本說明書中所揭露之段落說明之內容。

請注意，藉由組合一實施例中所說明之圖、相同實施例中所說明之不同圖(或其部分)、及/或在一或複數不同實施例中所說明之圖(或其部分)，可形成更多圖。此外，藉由組合一實施例中所說明之圖(或其部分)與圖之 另一部分、相同實施例中所說明之不同圖(或其部分)、及/或在一或複數不同實施例中所說明之圖(或其部分)，可形成更多圖。

(實施例1)

在本實施例中，將參照圖式說明本發明之電場驅動顯示裝置之實施例。

圖1為本發明之電場驅動顯示裝置之截面示意圖。絕緣膜110係形成於複數電極109之上。接觸孔係配置於絕緣膜110中，且形成於絕緣膜110上之複數電極100各連接至複數電極109。配置電極109以便與相鄰二電極100之間之區域之至少部分重疊。換言之，檢視顯示裝置之頂部及底部，相鄰二電極100經配置而彼此相離，且電極109位於相鄰二電極100之間之空間。此處，電極100可充當像素電極，及電極109可充當輔助電極。在本說明書中，輔助電極具有與像素電極相同或較小面積。

形成層102，配置或附著於電極100與電極101之間。電極101可充當相對電極。層102包括顯示媒體。當層102形成時，層102可包括粒子。另一方面，層102中所包括之粒子可充電。該等粒子在本說明書中稱為充電粒子。層102具有一結構其中微膠囊104分散於分散劑103中並予固定，作為一範例。在此狀況下，黏著層、結合層等可形成於電極100與層102之間或電極101與層102之間。

微膠囊104可為例如其中存在二色粒子之膠囊。在圖1中，單色之正充電粒子105及不同色之負充電粒子106分散於溶劑中。請注意，例如透明液體可用作溶劑。當電極100與電極101之間之電力線藉由施加電壓至電極100及電極101而改變時，單色之正充電粒子105與不同色之負充電粒子106根據電力線之方向(電場方向)而移動。換言之，單色之正充電粒子105與不同色之負充電粒子106移動至電極100側或電極101側，藉此層102之反射比改變。因此，對比隨每一像素而異以顯示影像。請注意，溶劑可為有色。此處，說明使用二種粒子之狀況，即二色粒子；然而，亦可為一種粒子(所有粒子具有單色)。

圖2顯示顯示表面為顯示裝置之頂部表面的狀況。圖3顯示顯示表面為顯示裝置之底部表面的狀況。當從電極100至電極101之電力線藉由施加電壓至電極100及電極101而改變時，配置於電極100上之微膠囊中粒子根據從電極100所施加幾乎垂直於電極101之電場107而移動；此外，配置於相鄰電極100之間之區域上之微膠囊中粒子根據從電極109所施加幾乎垂直於電極101之電場108而移動(圖2及圖3)。

以此方式，在本發明之實施例之範例中，利用電泳現象，其中充電目標(例如，粒子、棒、及管)於液體中根據電場而移動或轉動。因此，利用電泳現象之裝置可稱為電泳裝置。此外，利用電泳現象之顯示裝置可稱為電泳顯 示裝置。

另一方面，在本發明之實施例的範例中，利用一現象，藉此充電目標(例如，粒子、棒、及管)於液體或氣體中根據電場而移動或轉動。因此，利用該等現象之裝置可稱為粒子移動裝置。此外，利用該等現象之顯示裝置可稱為粒子移動顯示裝置。

另一方面，在本發明之實施例之範例中，利用一現象，藉此充電目標(例如，粒子、棒、及管)於液體中根據電場而轉動。因此，利用該等現象之裝置可稱為粒子轉動裝置。此外，利用該等現象之顯示裝置可稱為粒子轉動顯示裝置。

另一方面，在本發明之實施例之範例中，利用一現象，藉此充電目標(例如，粒子、棒、及管)於液體中根據電場而移動或轉動。因此，利用該等現象之裝置可稱為電場驅動裝置。此外，利用該等現象之顯示裝置可稱為電場驅動顯示裝置。

另一方面，在本發明之實施例之範例中，利用一現象，藉此充電目標(例如，粒子、棒、及管)於諸如微膠囊之微小膠囊中根據電場而移動或轉動。因此，利用該等現象之裝置可稱為微膠囊裝置。此外，利用該等現象之顯示裝置可稱為微膠囊顯示裝置。

因此，圖1中所描繪之裝置可稱為電泳裝置、粒子移動裝置、粒子轉動裝置、電場驅動裝置、或微膠囊裝置。

為減少顯示缺點，若如圖2中所示，顯示表面係在電 極101側，重要的是控制電極101側之粒子聚集。若如圖3中所示，顯示表面係在電極100側，重要的是控制電極100側之粒子聚集。當可控制粒子聚集時，可獲得顯示缺點減少之顯示裝置而未配置蔽光膜。請注意，若如圖3中所示，顯示表面係在電極100側，連接至電極100或電極109之電晶體及佈線較佳地為透明，以便用於形成顯示裝置。

在圖1、圖2、及圖3中，由於電極109電連接至電極100，施加於電極109及電極100之電壓彼此相等。此外，因為絕緣膜110之厚度為若干nm至2μm，同時層102之厚度為40μm至100μm，例如電極109與電極101之間之距離及電極100與電極101之間之距離可視為實質上相同。因此，當執行重寫顯示影像之作業時，施加於電極101之電場107及電場108實質上相同。因此，如同在配置於電極100上之微膠囊的顯示區域(施加電場107之區域)中，可減少配置於相鄰二電極100之間之區域上(電極109之上)之微膠囊的顯示區域(施加電場108之區域)之微膠囊中粒子移動及粒子聚集。因此，可執行重寫顯示影像之顯示反映作業。因而，可組裝其中極不可能發生殘留影像之電場驅動顯示裝置、電泳顯示裝置、粒子移動顯示裝置、粒子轉動顯示裝置、或微膠囊顯示裝置。

在無電極109之狀況下，從電極100至電極101彎曲施加電場之區域(電極100上之區域)的電場強度低於從電極100幾乎垂直於電極101施加電場之區域(未與二相 鄰電極100重疊之區域)的電場強度。因此，存在著執行重寫顯示影像之作業前保持狀態之狀況，及執行重寫顯示影像之作業前拖拉狀態之狀況，使得在從電極100至電極101彎曲施加電場之區域中，當執行重寫顯示影像之作業時，影像未完全重寫。此時，可能發生粒子聚集，且顯示之影像有時具有殘留影像。該等現象可能發生於未存在電極100之區域，即相鄰二像素電極之間之區域。基於圖1、圖2、及圖3中所示之結構，可減少殘留影像及粒子聚集。

請注意，較佳的是完整形成電極101，但本實施例之範例不侷限於此結構。例如，電極101可形成為條狀。此外，電極101及電極100可形成為條狀並正交(圖4)。因此，本實施例之範例可為被動矩陣顯示裝置。

圖6A至6D顯示被動矩陣顯示裝置之俯視圖範例。此外，形成電極109(圖4及圖6A)。電極109可充當輔助電極。絕緣膜110係形成於電極109之上(圖4)。接觸孔113係形成於絕緣膜110中，且電連接至電極109之電極100係形成為條狀(圖4及圖6B)。電極100可充當像素電極。包括顯示媒體之層102係形成於電極100之上(圖4)。條狀之電極101係形成於包括顯示媒體之層102之上(在面對配置電極109之基板的基板之下)(圖4及圖6C)。電極101可充當相對電極。圖4為沿圖6C中線A-B之截面。圖6D中摘錄圖6B中接觸孔113及電極100。圖43A摘錄圖6C中條狀電極101。

從頂部或底部檢視被動矩陣顯示裝置，電極109或電極100係形成於整個像素部中。換言之，電極109或電極100係形成於面對形成電極101之區域的區域中(圖6B)。基於該等結構，電場幾乎均勻地施加於與可充當相對電極之電極101重疊之區域；因此，可獲得顯示缺點減少之顯示裝置。

請注意，可充當輔助電極之電極可配置用於電極101。圖43C顯示其中配置電連接至電極101之電極114的被動矩陣顯示裝置之俯視圖範例。圖5為沿圖43C中線K-L之截面圖。絕緣膜110係形成於電極109之上。接觸孔113係形成於絕緣膜110中，並形成電連接至電極109之電極100。包括顯示媒體之層102係形成於電極100之上。電極101係形成於包括顯示媒體之層102之上(在面對配置電極109之基板的基板之下)(圖5及圖43B)。絕緣膜115係形成於電極101之上。形成電極114以便經由形成於絕緣膜115中之接觸孔116而電連接至電極101(圖5及圖43C)。以此方式，組裝被動矩陣顯示裝置，其中電極101或電極114係形成於整個像素部中。換言之，在面對形成電極100之區域的整個區域中，可形成電極101或電極114。基於該等結構，電場幾乎均勻地施加於像素部；因此，可獲得顯示缺點減少之顯示裝置。請注意，圖43D摘錄圖43C中接觸孔116及電極114。

如圖7，電極109可充當儲存電容器之電極。圖7顯示一結構，其中圖1中結構添加佈線111及絕緣膜112。 請注意，佈線111可具有電容器佈線之功能。其他結構類似於圖1中結構，且其他結構之說明省略。在圖7中，電極109經配置而與相鄰電極100之間之區域之至少部分重疊，並與佈線111重疊且絕緣膜112配置於其間。在該等結構中，電極109可具有儲存電容器之電極的功能及輔助電極的功能。

電極100之面積與電極109之面積可彼此約略相等。圖7中截面圖藉由描繪彼此約略相等之電極109(A')之寬度及電極100(B')之寬度，而顯示該等結構。另一方面，相鄰電極109(A)之間之距離及相鄰電極100(B)之間之距離可彼此約略相等。基於該等結構，電極109之面積及電極100之面積可較大。因此，電容值可較大。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

絕緣膜112(D)之厚度較佳地小於絕緣膜110(C)之厚度。因而，電容可較大。另一方面，可改進電極100之表面平坦。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

相鄰電極109(A)之間之距離較佳地大於絕緣膜112(D)之厚度。因而，電容可較大。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

相鄰電極100(B)之間之距離較佳地大於絕緣膜110(C)之厚度。另一方面，相鄰電極100(B)之間之距離較佳地大於電極100(H)之厚度。另一方面，相鄰電極100(B)之間之距離較佳地大於電極109(G)之厚度。另一方面，相鄰電極100(B)之間之距離較佳地大於佈 線111(F)之厚度。基於相鄰電極100(B)之間之大距離，甚至當灰塵附著於相鄰電極100之間時，可避免短路。根據本實施例之範例，甚至當相鄰電極100(B)之間之距離大時，電場均勻地施加於像素部。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

粒子(E)之直徑較佳地小於相鄰電極109(A)之間之距離。另一方面，粒子(E)之直徑較佳地小於相鄰電極100(B)之間之距離。因而，可體現高解析度顯示。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

佈線111(F)之厚度較佳地大於電極100(H)之厚度。另一方面，佈線111(F)之厚度較佳地大於電極101(I)之厚度。因而，佈線111之電阻可減少。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

電極109(G)之厚度較佳地大於電極100(H)之厚度。另一方面，電極109(G)之厚度較佳地大於電極101(I)之厚度。因而，電極109之電阻可減少。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

電極101(I)之厚度較佳地大於電極100(H)之厚度。因而，電極101之電阻可減少。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

如圖8中所示，本發明之電場驅動顯示裝置範例可為一結構如下：絕緣膜係形成於電極200之上；接觸孔係配置於絕緣膜201中；及形成於絕緣膜201上之電極202連接至電極200。電極202經配置以便與相鄰二電極200之 間之區域之至少部分重疊。換言之，檢視顯示裝置之頂部及底部，相鄰二電極200經配置而彼此相離，且電極202係在相鄰二電極200之間之空間。此處，電極200可充當像素電極，及電極202可充當輔助電極。在本說明書中，輔助電極具有與像素電極相同或較小之面積。

層203係形成、配置、或附著於電極202與電極204之間。電極204可充當相對電極。層203包括顯示媒體。當層203形成時，層203可包括粒子。另一方面，層203中所包括之粒子可充電。該等粒子稱為充電粒子。層203具有一結構，其中微膠囊係分散於分散劑中並予固定。黏著層、結合層等例如可形成於電極202與層203之間或電極204與層203之間。

在圖8中，由於電極200電連接至電極202，施加於電極200及電極202之電壓彼此相等。此外，因為絕緣膜110之厚度為若干nm至2μm，同時層102之厚度為40μm至100μm，例如電極200與電極204之間之距離及電極202與電極204之間之距離可視為實質上相同。因此，當執行重寫顯示影像之作業時，從電極200施加於電極204之電場及從電極202施加於電極204之電場實質上相同。因此，如同在配置於電極200上之微膠囊的顯示區域中，可減少配置於相鄰二電極200之間之區域上(電極202之上)之微膠囊中粒子移動及粒子聚集。換言之，在配置於電極200上之微膠囊的顯示區域及配置於電極202上之微膠囊的顯示區域二者中，可執行重寫顯示影像之顯 示反映作業。因而，可組裝其中極不可能發生殘留影像之電場驅動顯示裝置等。

如圖9，電極202可充當儲存電容器之電極。圖9顯示一結構，其中圖8中結構添加佈線205及絕緣膜206。請注意，佈線205可具有電容器佈線之功能。其他結構類似於圖1中結構，且其他結構之說明省略。在圖9中，電極202經配置而與相鄰電極200之間之區域之至少部分重疊，並與佈線205重疊且絕緣膜201及206配置於其間。在該等結構中，電極202可具有儲存電容器之電極的功能及輔助電極的功能。

電極200之面積與電極202之面積可彼此約略相等。圖9中截面圖藉由描繪彼此約略相等之電極202(B'2)之寬度及電極200(A'2)之寬度，而顯示該等結構。另一方面，相鄰電極202(B2)之間之距離及相鄰電極200(A2)之間之距離可彼此約略相等。基於該等結構，電極202之面積及電極200之面積可較大。因此，電容值可較大。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

絕緣膜206(D2)之厚度較佳地小於絕緣膜201(C2之厚度。因而，電容可較大。另一方面，可改進電極200之表面平坦。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

相鄰電極200(A2)之間之距離較佳地大於絕緣膜206(D2)之厚度。因而，電容可較大。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

相鄰電極202(B2)之間之距離較佳地大於絕緣膜 110(C2)之厚度。另一方面，相鄰電極202(B2)之間之距離較佳地大於電極202(H2)之厚度。另一方面，相鄰電極202(B2)之間之距離較佳地大於電極200(G2)之厚度。另一方面，相鄰電極202(B2)之間之距離較佳地大於佈線205(F2)之厚度。基於相鄰電極202(B2)之間之大距離，可避免短路。根據本實施例之範例，甚至當相鄰電極202(B2)之間之距離大時，電場均勻地施加於像素部。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

粒子(E2)之直徑較佳地小於相鄰電極200(A2)之間之距離。另一方面，粒子(E2)之直徑較佳地小於相鄰電極202(B2)之間之距離。因而，可體現高解析度顯示。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

佈線205(F2)之厚度較佳地大於電極202(H2)之厚度。另一方面，佈線205(F2)之厚度較佳地大於電極204(I2)之厚度。因而，佈線205之電阻可減少。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

電極200(G2)之厚度較佳地大於電極202(H2)之厚度。電極200(G2)之厚度較佳地大於電極204(I2)之厚度。因而，電極200之電阻可減少。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

電極204(I2)之厚度較佳地大於電極202(H2)之厚度。因而，電極204之電阻可減少。請注意，實施例之範例不侷限於此結構。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中 所說明之結構適當組合。

(實施例2)

在本實施例中，將說明本發明之電場驅動顯示裝置的結構範例。

電場驅動顯示裝置之顯示元件類型範例為採用電泳模式、轉動粒子模式、移動粒子模式等之顯示元件。以此方式，在電場驅動顯示裝置中，粒子、棒、及管根據電場而移動或轉動，藉此可改變反射比，並表示灰階。在實施例1中，已說明應用微膠囊電泳模式之電場驅動顯示裝置。在本實施例中，將說明微杯電泳模式及電子液態粉末(註冊商標)模式。

參照圖10A及10B、圖11A及11B、圖12A及12B、圖13A及13B、圖14A及14B、及圖15A及15B說明微杯電泳模式。可以下列方式形成微杯陣列：使用UV固化樹脂等形成並具有複數凹部之微杯601填注分散於介電溶劑602中之充電染色粒子603，並以密封層604執行密封。圖10A及10B顯示一顯示裝置，其中電極605係形成於基板600之上，絕緣膜606係形成於電極605之上，接觸孔係形成於絕緣膜606中，形成電連接至電極605之電極607，微杯陣列係形成於電極607之上，電極608係形成於微杯陣列之上，及基板609係形成於電極608之上。電極607可充當像素電極。電極605可充當輔助電極。在圖10A中，介電溶劑602為未染色溶劑。在圖10B 中，介電溶劑602為染色溶劑，具有紅、藍等色。圖10A及10B顯示使用一種充電染色粒子之狀況；另一方面，可使用二或更多種充電染色粒子。

微杯具有壁藉此格被分隔，因而具有充分高耐震及耐壓。再者，由於微杯之組件緊密密封，因環境改變之不利影響可減少。在採用微杯電泳模式之電場驅動顯示裝置中，充電染色粒子根據可充當像素電極之電極與可充當相對電極之電極之間之電場改變而移動；因此，粒子有時聚集在微杯角落，並可能發生殘留影像。

圖10A及10B中所描繪之每一電場驅動顯示裝置具有一結構，其中微杯之間距P1及可充當像素電極之電極的間距P2幾乎彼此相等。此處，在本實施例中，微杯之上側長度與壁之上部厚度的總和對應於微杯之間距。例如，在圖10A及10B中，微杯之間距P2對應於微杯上側之長度J1與壁上部之厚度L的總和。請注意，若藉由重複配置複數結構單元而形成微杯陣列，結構單元之縱向長度或橫向長度有時稱為微杯之間距。在此狀況下，結構單元包括複數凹部之一。

電極607經形成而具有對應於微杯之上表面之尺寸。換言之，電極607經形成而與微杯之上表面重疊，且約等於截面圖中微杯上側之長度J1。形成電連接至電極607之電極605。基於該等結構，電場均勻施加於微杯之壁並環繞該壁。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域，藉此可減少粒子聚集。

微杯上壁之厚度L大於微杯下壁之厚度K。因而，微杯之壁的強度增加。

微杯上壁之厚度L及彼此相鄰之電極607之間之距離M約相等。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域。

圖11A及11B中所描繪之每一電場驅動顯示裝置具有一結構，其中微杯之間距P1及可充當像素電極之電極的間距P2幾乎彼此相等。請注意，圖11A及11B中結構與圖10A及10B中結構不同。

在圖11A中，介電溶劑602為未染色溶劑。在圖11B中，介電溶劑602為染色溶劑，具有紅、藍等色等。

電極607經形成而具有對應於微杯之底部表面的尺寸。換言之，電極607經形成而與微杯之底部表面重疊，並約等於截面圖中微杯之底部側的長度J2。形成電連接至電極607之電極605。基於該等結構，電場均勻施加於微杯之壁。因此，可減少粒子聚集。

彼此相鄰之電極607之間之距離M小於微杯上壁之厚度L。因此，電場均勻施加於微杯之壁。因此，可減少粒子聚集。另一方面，微杯之壁的強度增加。

微杯上壁之厚度L大於微杯下壁之厚度K。因而，微杯之壁的強度增加。

微杯下壁之厚度K與彼此相鄰之電極607之間之距離M約彼此相等。因而，電場可有效地施加。

在圖10A及10B與圖11A及11B中，電場驅動顯示裝置具有一結構，其中微杯之間距P1及可充當像素電極 的電極之間距P2幾乎彼此相等。圖12A及12B描繪一電場驅動顯示裝置，其中微杯之間距P1為可充當像素電極的電極之間距P2的兩倍。請注意，圖12A及12B描繪該結構，其中間距P1為間距P2的兩倍，但間距P1可為間距P2的整數倍(兩倍或更多)；因此，可更容易地執行均勻顯示。

在圖12A中，介電溶劑602為未染色溶劑。在圖12B中，介電溶劑602為染色溶劑，具有紅、藍等色。

在圖12A及12B中，形成電極607使得電極607之末端對應於微杯之上壁之末端。

微杯上壁之厚度L大於微杯下壁之厚度K。因而，微杯之壁的強度增加。

微杯上壁之厚度L小於彼此相鄰之電極607之間之距離M。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域。

彼此相鄰之電極607之間之距離M小於微杯下壁之厚度K。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域。

圖12A及12B中所描繪之每一電場驅動顯示裝置具有一結構，其中微杯之間距P1為可充當像素電極的電極之間距P2之兩倍。請注意，圖13A及13B中結構與圖12A及12B中結構不同。

在圖13A中，介電溶劑602為未染色溶劑。在圖13B中，介電溶劑602為染色溶劑，具有紅、藍等色。

在圖13A及13B中，形成電極607，使得電極607之末端對應於微杯下壁之末端。

微杯上壁之厚度L大於微杯下壁之厚度K。因而，微杯之壁的強度增加。

微杯上壁之厚度L小於彼此相鄰之電極607之間之距離M。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域。

彼此相鄰之電極607之間之距離M小於微杯下壁之厚度K。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域。

圖14A及14B中所描繪之每一電場驅動顯示裝置具有一結構，其中微杯之間距P1為可充當像素電極的電極之間距P2之一半。請注意，圖14A及14B描繪該結構，其中間距P1為間距P2之一半，但間距P1可為間距P2之l/n(n為2以上之整數)；因此，可更容易地執行均勻顯示。

在圖14A中，介電溶劑602為未染色溶劑。在圖14B中，介電溶劑602為染色溶劑，具有紅、藍等色。

電極607經形成而具有對應於二微杯之上表面之尺寸。換言之，電極607經形成而約等於截面圖中二微杯上側與存在於二微杯之間之壁上側之寬度之總和之長度J3。基於該等結構，電場均勻施加於微杯之壁，並環繞該壁。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域，藉此可減少粒子聚集。

微杯上壁之厚度L大於微杯下壁之厚度K。因而，微杯之壁的強度增加。

微杯上壁之厚度L及彼此相鄰之電極607之間之距離M約相等。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域。

圖15A及15B中所描繪之每一電場驅動顯示裝置具有一結構，其中微杯之間距P1為可充當像素電極的電極之間距P2之一半。請注意，圖15A及15B中結構與圖14A及14B中結構不同。

電極607經形成而具有對應於二微杯之底部表面之尺寸。換言之，電極607經形成而約等於截面圖中二微杯底部側與存在於二微杯之間之壁底部側之寬度之總和之長度J4。基於該等結構，電場均勻施加於微杯之壁，並環繞該壁。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域，藉此可減少粒子聚集。

微杯下壁之厚度K小於微杯上壁之厚度L。因而，微杯之壁的強度增加。

微杯下壁之厚度K及彼此相鄰之電極607之間之距離M彼此相等。因而，電場可有效施加。

如圖10A及10B、圖11A及11B、圖12A及12B、圖13A及13B、圖14A及14B、及圖15A及15B中所示，電極605經形成而與相鄰電極607之間之區域之至少部分重疊。因此，可減少充電染色粒子603聚集於微杯601之角落，並可組裝極不可能發生殘留影像之電場驅動顯示裝置。請注意，可應用本發明之電泳模式電場驅動顯示裝置不需使用微杯；只要藉由特定目標阻擋從側面至側面及上、下之粒子移動使得侷限粒子移動，任一均可使用。

將參照圖16A及16B、圖17A及17B、及圖18A及18B說明電子液態粉末模式。電子液態粉末為具流動性之 極粉固態，並為具有液體屬性及粒子屬性之物質。在此方法中，格藉由隔板701而予分隔，且電子液態粉末702及電子液態粉末703置於格中。

圖16A及16B中電場驅動顯示裝置各具有一結構，其中格之間距P1及可充當像素電極的電極之間距P2幾乎彼此相等。此處，在本實施例中，格之長度(寬度)與隔板之長度(寬度)的總和對應於格之間距。例如，在圖16A及16B中，格之間距P1對應於格之長度(寬度)J5及對應於格之間距之隔板之長度(寬度)N的總和。

圖16A及16B顯示裝置，其每一者形成如下：電極704係形成於基板700之上，絕緣膜705係形成於電極704之上，接觸孔係形成於絕緣膜705中，形成電連接至電極704之電極706，包括電子液態粉末之格係配置於電極706之上，電極707係形成於格之上，及基板708係形成於電極707之上。有關電子液態粉末702及電子液態粉末703，白粒子及黑粒子用於圖16A，及非白及黑之二色粒子用於圖16B；然而，結構不侷限於此，且可僅使用一種粒子。

電極706經形成而具有對應於格之尺寸。換言之，電極706經形成為約等於截面圖中格之長度(寬度)J5。形成電連接至電極706之電極704。基於該等結構，電場均勻施加以環繞格之隔板。因而，電場均勻施加於粒子移動之整個區域，藉此可減少粒子聚集。

隔板(寬度)之長度N及彼此相鄰之電極706之間之 距離M約相等。因而，電場均勻施加於電子液態粉末移動之整個區域。

圖17A及17B中電場驅動顯示裝置具有一結構，其中格之間距P1為可充當像素電極的電極之間距P2的兩倍。換言之，格之長度(寬度)J5為可充當像素電極的電極之間距P2寬度的兩倍。請注意，圖17A及17B描繪該結構，其中間距P1為間距P2之兩倍，但間距P1可為間距P2之整數倍(兩倍或更多)；因此，可更容易地執行均勻顯示。

有關電子液態粉末702與電子液態粉末703，白粒子及黑粒子用於圖17A中，且非白及黑之二色粒子用於圖17B中；然而，結構不侷限於此，可僅使用一種粒子。

彼此相鄰之電極706之間之距離M小於隔板(寬度)之長度N。因而，電場均勻施加於電子液態粉末移動之整個區域。

圖18A及18B中電場驅動顯示裝置具有一結構，其中格之間距P1為可充當像素電極的電極之間距P2之一半。換言之，電極706之長度經形成為等於二格之長度及二格之間之隔板長度之總和的長度(J6)。請注意，圖18A及18B描繪該結構，其中間距P1為間距P2之一半，但間距P1可等於間距P2之1以上之整數倍，其為二或更多；因此，可更容易地執行均勻顯示。

有關電子液態粉末702與電子液態粉末703，白粒子及黑粒子用於圖18A中，且非白及黑之二色粒子用於圖 18B中；然而，結構不侷限於此，可僅使用一種粒子。

隔板(寬度)之長度N及彼此相鄰之電極706之間之距離M約為相等。因而，電場均勻施加於電子液態粉末移動之整個區域。

在採用電子液態粉末模式之電場驅動顯示裝置中，電子液態粉末根據像素電極與相對電極之間之電場改變而移動；因此，當格配置於像素電極之上時，可能發生殘留影像。如圖16A及16B、圖17A及17B、及圖18A及18B中所示，電極704經形成而與彼此相鄰之電極706之間之區域之至少部分重疊。因此，藉由均勻施加電場至格中電子液態粉末，可組裝極不可能發生殘留影像之電場驅動顯示裝置。

本實施例說明微杯電泳模式及電子液態粉末(註冊商標)模式，但可應用於本發明之實施例的模式不限於此。例如，可使用電潤濕模式、調色劑模式、及扭球模式。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中所說明之結構適當組合。

(實施例3)

在本實施例中，將參照圖式說明本發明之電場驅動顯示裝置範例。

圖19為具圖7中所示結構之主動矩陣電場驅動顯示裝置的俯視圖範例。圖20A顯示圖19之截面C-D，及圖20B顯示圖19之截面E-F。請注意，圖19顯示電極301 至303、佈線304、導電層309至314、導電層335至337、佈線341、導電層342至344、半導體層306至308、半導體層332至334、電極316至318、電極338至340、電極345至347、及閘極線330及331；並省略其他元件。

請注意，電極301至303可充當閘極電極。佈線304與佈線341可充當電容器佈線。導電層310、導電層312、導電層313、導電層335至337、及導電層342至344可充當輔助電極。電極316至318、電極338至340、及電極345至347可充當像素電極。導電層309、導電層311、及導電層314可充當源極線。

將說明圖20A及20B中所示結構。首先，導電膜係形成於基板300之上。導電膜被定形而具有所欲形狀，使得形成電極301至303與佈線304。基板300可為玻璃基板、塑料基板等。將為電極301至303及佈線304之導電膜可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、氧化銦錫(以下稱為ITO)、氧化銦及氧化鋅(以下稱為IZO)、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)而形成為單層或多層。在導電膜形成之前，基膜可形成於基板300之上。基膜可形成為諸如氧化矽基材料膜或氮化矽基材料之絕緣膜的單層或堆疊層。請注意，氧化矽基材料係指包含氧及矽作為主要成分之氧化矽；或氧氮化矽，其係包含氮之氧化矽，其中氧含量高於氮。氮化矽基材料係指包含氮 及矽作為主要成分之氮化矽；或氮氧化矽，其係包含氧之氮化矽，其中氮含量高於氧。請注意，圖19中所示之閘極線330、閘極線331、及佈線341係以與電極301至303及佈線304相同程序形成。

絕緣膜305係形成於電極301至303、佈線304、及基板300之上。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等而形成絕緣膜305。絕緣膜305可充當閘極絕緣膜或電容器之絕緣膜。

半導體層306(半導體層306a及半導體層306b)、半導體層307(半導體層307a及半導體層307b)、及半導體層308(半導體層308a及半導體層308b)係形成於絕緣膜305之上。半導體層306經形成而與電極301重疊，且絕緣膜305配置於其間。半導體層307經形成而與電極302重疊，且絕緣膜305配置於其間。半導體層308經形成而與電極303重疊，且絕緣膜305配置於其間。請注意，圖19中半導體層332至334係以與半導體層306至308相同程序形成。

半導體層306至308可為諸如非結晶矽之非結晶半導體層；微晶矽；多晶矽；單晶矽；諸如砷化鎵(GaAs)之化合物半導體；諸如氧化鋅(ZnO)及In-Ga-Zn-O基材料之氧化物半導體；有機半導體材料等。此處，將說明使用非結晶矽之範例。

藉由光刻、噴墨、印刷等並使用非結晶矽而可形成半導體層306a、半導體層307a、及半導體層308a。請注 意，半導體層306a、半導體層307a、及半導體層308a可各包括充當電晶體之通道區之部分。

當非結晶矽用於半導體層306a、半導體層307a、及半導體層308a時，存在電晶體特性之一致性高及製造成本低之優點。尤其，該些優點在於對角線長度超過500mm之大基板上形成電晶體是有效的。

對於半導體層306b、半導體層307b、及半導體層308b而言，可使用包括磷等之矽、具高於半導體層306a、半導體層307a、及半導體層308a之導電率的半導體材料等。半導體層306b、半導體層307b、與半導體層308b可因為其功能而各表示為緩衝器層或n⁺層。請注意，半導體層306b、半導體層307b、及半導體層308b可各包括充當源極及汲極之部分。

其次，形成導電層309至314。導電層309可包括充當源極及汲極之一之部分。導電層310可包括充當源極及汲極之另一者之部分。導電層311可包括充當源極及汲極之一之部分。導電層312可包括充當源極及汲極之另一者之部分。導電層313可包括充當源極及汲極之一之部分。導電層314可包括充當源極及汲極之另一者之部分。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)而形成單層或多層之導電層309至314。請注意，圖19中所示之導電層335至337及導電層342至344係以與導電層309至314相同程 序形成。

於導電層309至314之上形成單層或多層之絕緣膜315。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成絕緣膜315。可使用有機材料而形成單層或多層之絕緣膜315；例如可使用丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並環丁烯、及環氧樹脂。絕緣膜315可為有機材料及無機材料之堆疊層。絕緣膜315可包括具防光屬性之材料或濾色器。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。

接觸孔係配置於絕緣膜315中。接著，形成電連接至導電層310之電極316、電連接至導電層312之電極317、及電連接至電極318之導電層313。請注意，圖19中所示之電極338至340及電極345至347係以與電極316至318相同程序形成。

若於相對電極側顯示影像，較佳地使用吸光材料形成電極316至318；例如，諸如鉻、鈦、氮化鈦、鉬、鎢、鉭、及氮化鉭之低反射比材料較佳。另一方面，可使用透明材料形成電極316至318，及可使用吸光材料形成絕緣膜315。

若於像素電極側顯示影像，較佳地使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)而形成單層或多層之電極316至318。

此處，檢視顯示裝置之頂部與底部，可充當輔助電極 之導電層310與電極316與電極317之間之空間重疊。基於該等結構，可獲得顯示缺點減少之電場驅動顯示裝置。

於電極316至318之上形成層319。層319為包括顯示媒體之層。有關層319，於電極316至318之上形成微膠囊320分散及固定之分散劑321。電極322及基板323係形成於層319之上。電極322可充當相對電極。結合層可夾於層319與電極316至318之間。結合層可夾於層319與電極322之間。

若於相對電極側顯示影像，諸如ITO或IZO之透光材料用於電極322。

若於像素電極側顯示影像，因為佈線電阻可減少，金屬材料較佳地用作電極322。有關金屬材料，可使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺等。

基板323配置於電極322之上。基板323可具有保護層319之功能。此外，塑料基板、樹脂基板、膜基板、玻璃基板、陶瓷基板、不鏽鋼基板、不鏽鋼箔基板等可用於基板323。

在圖19中，配置導電層313以便與電極316、電極318、電極338、及電極339局部重疊。從頂部與底部檢視電場驅動顯示裝置，其係本實施例中範例，配置導電層313以便嵌入電極318與電極316之間之空間，及電極318與電極338之間之空間。

在圖19中，配置導電層310以便與電極316、電極 317、電極339、及電極340局部重疊。從頂部與底部檢視電場驅動顯示裝置，其係本實施例中範例，配置導電層310以便嵌入電極316與電極317之間之空間，及電極316與電極339之間之空間。

在圖19中，配置導電層312以便與電極317及電極340局部重疊。從頂部與底部檢視電場驅動顯示裝置，其係本實施例中範例，配置導電層312以便嵌入電極317與電極340之間之空間。

在圖19中，配置導電層342以便與電極316、電極318、電極345、及電極346局部重疊。從頂部與底部檢視電場驅動顯示裝置，其係本實施例中範例，配置導電層342以便嵌入電極345與電極346之間之空間，及電極345與電極318之間之空間。

在圖19中，配置導電層343以便與電極316、電極317、電極346、及電極347局部重疊。從頂部與底部檢視電場驅動顯示裝置，其係本實施例中範例，配置導電層343以便嵌入電極346與電極347之間之空間，及電極346與電極316之間之空間。

在圖19中，配置導電層344以便與電極317及電極347局部重疊。從頂部與底部檢視電場驅動顯示裝置，其係本實施例中範例，配置導電層344以便嵌入電極317與電極347之間之空間。

另一方面，為避免相鄰像素電極與相鄰像素之相鄰輔助電極之間之短路，可稍微呈現未配置像素電極及輔助電 極之區域。

圖21A及21B為圖19之一像素及像素週邊之放大圖。請注意，為簡化圖21A及21B，佈線304與佈線341省略，此外，在圖21A及21B中，一像素之面積係依據可充當輔助電極之每一者，導電層310、導電層312、導電層313、導電層335至337、及導電層342至344，之中之間距(可充當輔助電極之相鄰導電層之間之區域)而設定。圖21A及21B中包括一像素之面積的區域定義為面積350。

在圖21A中，區域351係藉由電極339、導電層310、電極316、及導電層313圍繞，且不包括可充當像素電極之電極，及可充當輔助電極之導電層。區域352係藉由導電層310、電極317、導電層343、及電極316圍繞，且不包括可充當像素電極之電極，及可充當輔助電極之導電層。

在圖21B中，區域353不包括電極339、電極340、電極316、及電極317，及包括導電層310。

不包括電極339、電極340、電極316、電極317、與導電層310之區域(區域351與區域352)為避免相鄰像素之間之短路的區域。然而，為獲得顯示缺點減少之顯示裝置，可充當輔助電極之像素電極或導電層需配置於較寬區域中。由此原因，較佳的是不包括電極339、電極340、電極316、電極317、及導電層310之區域的面積，小於不包括電極339、電極340、電極316、及電極317 及包括導電層310之區域的面積。意即，區域351及區域352之面積的總和較佳地小於區域353之面積。請注意，本實施例說明包括可充當輔助電極之導電層310的區域353之範例；然而，區域353可包括可充當像素電極之導電層、可充當輔助電極之導電層、及非充當源極線之佈線的導電層之導電層。

請注意，導電層310、導電層312、導電層313、導電層335至337、及導電層342至344，係配置於閘極線330及331之層與電極316至318、電極338至340、及電極345至347之層之間，而可充當像素電極。此時，較佳地配置閘極線使得與導電層310、導電層312、導電層313、導電層335至337、及導電層342至344重疊之閘極線的面積，大於與電極316至318、電極338至340、及電極345至347重疊之閘極線的面積，而可充當像素電極。因為像素電極係形成於配置於輔助電極上之絕緣膜之上，藉由形成閘極線以便與像素電極重疊，可減少寄生電容。

藉由圖19、圖20A、及圖20B中所示結構，粒子聚集可減少，使得可執行重寫顯示影像之顯示反映作業；因而，可組裝極不可能發生殘留影像之電場驅動顯示裝置。

儘管本實施例中說明使用具有通道蝕刻結構之薄膜電晶體(TFT)作為範例，亦可使用具有通道保護結構、頂閘結構等之TFT。

圖22為包括具有頂閘結構之TFT之電場驅動顯示裝 置的俯視圖範例。圖23顯示圖22之截面G-H。

半導體層801及半導體層802係形成於基板800之上。基底絕緣膜可形成於基板800之上。可藉由光刻、噴墨、印刷等並使用多晶矽，而形成半導體層801與半導體層802。

絕緣膜803係形成於半導體層801及半導體層802之上。絕緣膜803可充當閘極絕緣膜。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成絕緣膜803。

閘極電極804及閘極電極805係形成於絕緣膜803之上。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)，而形成單層或多層之閘極電極804與閘極電極805。

絕緣膜806係形成於閘極電極804、閘極電極805、及絕緣膜803之上。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成絕緣膜806。可使用有機材料形成單層或多層之絕緣膜806；例如可使用丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並環丁烯、及環氧樹脂。絕緣膜806可為有機材料及無機材料之堆疊層。絕緣膜806可包括具防光屬性之材料或濾色器。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。

接觸孔係形成於絕緣膜803及絕緣膜806中。形成電 連接至半導體層801之電極807及電極808，及電連接至半導體層802之電極809及電極810。可使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)形成單層或多層電極807至810。電極807及電極809可各充當源極線。電極808及電極810可各充當輔助電極。請注意，圖22中所示電極851至854係以與電極807至810相同程序形成。

絕緣膜811係形成於電極807至810之上。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化基矽材料等形成絕緣膜811。可使用有機材料形成單層或多層之絕緣膜811；例如可使用丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並環丁烯、及環氧樹脂。絕緣膜811可為有機材料及無機材料之堆疊層。絕緣膜811可包括具防光屬性之材料或濾色器。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。

接觸孔係形成於絕緣膜811中。電極812電連接至電極808及電極813電連接至電極810。可使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)形成單層或多層之電極812及電極813。電極812及電極813可各充當像素電極。圖22中所示電極855至861係以與電極812及電極813相同程序形成。電極855電連接至電極851。電極859電連接至電極852。電 極860電連接至電極853。電極861電連接至電極854。

層814、電極815、及基板816係形成、配置、或附著於電極812及電極813之上。層814包括顯示媒體。此處，有關層814之範例，描繪包括微膠囊之層。

電極815可包括金屬材料，諸如鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、或鍺。電極815可充當相對電極。

塑料基板、樹脂基板、膜基板、玻璃基板、陶瓷基板、不鏽鋼基板、不鏽鋼箔基板等可用於基板816。

圖24為具一結構之電場驅動顯示裝置之截面圖範例，其中以與閘極電極804相同材料及相同程序形成之導電層817及導電層818，附加至圖23中之結構。導電層817與至少部分電極808重疊且絕緣膜806配置於其間，並可充當電容器之一電極。導電層818與至少部分電極810重疊且絕緣膜806配置於其間，並可充當電容器之一電極。

圖25為具一結構之電場驅動顯示裝置之截面圖範例，其中以與閘極電極804相同材料及相同程序形成之導電層819及導電層820，附加至圖23中之結構。導電層819與至少部分半導體層801重疊且絕緣膜803配置於其間，並可充當電容器之一電極。導電層820與至少部分半導體層802重疊且絕緣膜803配置於其間，並可充當電容器之一電極。

在圖22中，配置電極808以便與電極812、電極 813、電極857、及電極858局部重疊。從頂部及底部檢視本實施例中範例之電場驅動顯示裝置，配置電極808以便嵌入電極812與電極813之間之空間，及電極857與電極812之間之空間。

在圖22中，配置電極810以便與電極858及電極813局部重疊。從頂部及底部檢視本實施例中範例之電場驅動顯示裝置，配置電極810以便嵌入電極858與電極813之間之空間。

在圖22中，配置電極851以便與電極856、電極855、電極857、及電極812局部重疊。從頂部及底部檢視本實施例中範例之電場驅動顯示裝置，配置電極851以便嵌入電極855與電極812之間之空間，及電極855與電極851之間之空間。

在圖22中，配置電極852以便與電極855、電極859、電極812、及電極860局部重疊。從頂部及底部檢視本實施例中範例之電場驅動顯示裝置，配置電極852以便嵌入電極859與電極860之間之空間，及電極859與電極860之間之空間。

在圖22中，配置電極853以便與電極812、電極860、電極813、及電極861局部重疊。從頂部及底部檢視本實施例中範例之電場驅動顯示裝置，配置電極853以便嵌入電極860與電極861之間之空間，及電極812與電極860之間之空間。

在圖22中，配置電極854以便與電極813及電極 861局部重疊。從頂部及底部檢視本實施例中範例之電場驅動顯示裝置，配置電極854以便嵌入電極813與電極861之間之空間。

基於該等結構，可獲得顯示缺點減少之電場驅動顯示裝置。

此外，多晶矽用於圖22、圖23、圖24、及圖25中所示電場驅動顯示裝置中半導體層801及半導體層802；因此，存在電晶體之移動性高及製造成本低之優點。再者，由於隨時間幾乎不發生特性惡化，可獲得高度可靠裝置。

請注意，電極807至810及電極851至854係配置於包括閘極電極804與閘極電極805之閘極線層與可充當像素電極之電極812、電極813、及電極855至861層之間。此時，較佳地配置閘極線使得與電極807至810及電極851至854重疊之閘極線面積，大於與可充當像素電極之電極812、電極813、及電極855至861重疊之閘極線面積。因為像素電極係形成於配置於輔助電極上之絕緣膜之上，當形成閘極線以與像素電極重疊時，寄生電容可減少。

此外，電場驅動顯示裝置可包括其中包括氧化物半導體之TFT。圖26A至26C顯示具有底閘結構並包括氧化物半導體之TFT範例。

在圖26A中，閘極電極901及導電層912係形成於基板900之上。基底絕緣膜可形成於基板900之上。閘極絕 緣膜902係形成於閘極電極901及導電層912之上。電極903及電極904係形成於閘極絕緣膜902之上。電極903可充當源極電極或汲極電極。電極904可充當輔助電極。包括氧化物半導體之半導體層905係形成於電極903、電極904、及閘極絕緣膜902之上。絕緣膜906係形成於半導體層905之上。接觸孔係形成於絕緣膜906中，並形成電連接至電極904之電極907。電極907可充當像素電極。層908係形成於電極907之上，並包括顯示媒體。電極909係形成於層908之上。電極909可充當相對電極。保護器910係形成於電極909之上。電極904經形成以與至少部分電極907，及電極907與以與電極907相同程序形成之電極911之間之部分區域重疊。導電層912與電極904重疊，且閘極絕緣膜902配置於其間，並可充當電容器之一電極。

本實施例可採用圖26A中所示TFT結構，即具有底部接觸結構之TFT，其中源極電極或汲極電極係形成於包括氧化物半導體之半導體層之下。

在圖26B中，閘極電極921及導電層912係形成於基板932之上。基底絕緣膜可形成於基板920之上。閘極絕緣膜922係形成於閘極電極921及導電層932之上。包括氧化物半導體之半導體層923係形成於閘極絕緣膜922之上。電極924及電極925係形成於半導體層923之上。電極924可充當源極電極或汲極電極。電極925可充當輔助電極。絕緣膜926係形成於電極924及電極925之上。接 觸孔係形成於絕緣膜926中，並形成電連接至電極925之電極927。電極927可充當像素電極。層928係形成於電極927之上，並包括顯示媒體。電極929係形成於層928之上。電極929可充當相對電極。保護器930係形成於電極929之上。電極925經形成以與至少部分電極927，及電極927與以與電極927相同程序形成之電極931之間之部分區域重疊。導電層932與電極925重疊，且閘極絕緣膜922配置於其間，並可充當電容器之一電極。

本實施例可採用圖26B中所示TFT結構，即具有頂部接觸結構之TFT，其中源極電極或汲極電極係形成於包括氧化物半導體之半導體層之上。

在圖26C中，閘極電極941及導電層953係形成於基板940之上。基底絕緣膜可形成於基板940之上。閘極絕緣膜942係形成於閘極電極941及導電層953之上。包括氧化物半導體之半導體層943係形成於閘極絕緣膜942之上。通道保護膜944係形成於半導體層943之上，以便與閘極電極941重疊。電極945及電極946係形成於通道保護膜944及半導體層943之上。電極945可充當源極電極或汲極電極。電極946可充當輔助電極。絕緣膜947係形成於電極945及電極946之上。接觸孔係形成於絕緣膜947中，並形成電連接至電極946之電極948。電極948可充當像素電極。層949係形成於電極948之上，並包括顯示媒體。電極950係形成於層949之上。電極950可充當相對電極。保護器951係形成於電極950之上。電極 946經形成以與至少部分電極948，及電極948與以與電極948相同程序形成之電極952之間之部分區域重疊。導電層953與電極946重疊，且閘極絕緣膜配置於其間。

本實施例可採用圖26C中所示TFT結構，即具有通道保護結構之TFT，其中通道保護膜係形成於包括氧化物半導體之半導體層之上。

如圖26A至26C中所示，當氧化物半導體用作半導體層時，場效移動性可高於使用非結晶矽之薄膜電晶體之場效移動性。藉由濺鍍等以300℃或更低之溫度可形成氧化物半導體膜，且其製造程序可較包括多晶矽之薄膜電晶體的半導體膜簡單。

請注意，可用於本說明書之氧化物半導體範例包括InMO₃(ZnO)_m(m>0)。此處，M標示選自鎵(Ga)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、錳(Mn)、及鈷(Co)之一或更多金屬元素。例如，當M為Ga時，僅包括Ga，或除了Ga以外包括更多金屬元素，例如M包括Ga及Na、Ga、及Fe等。此外，以上氧化物半導體可包含Fe或Ni、另一過渡金屬元素、或過渡金屬之氧化物作為除了包含作為M之金屬元素以外之雜質元素。在本說明書中，在以上氧化物半導體之中，包括至少鎵作為M之氧化物半導體稱為In-Ga-Zn-O基氧化物半導體，且使用該材料之薄膜有時稱為In-Ga-Zn-O基非單晶膜。

此外，儘管本實施例中說明主動矩陣電場驅動顯示裝置，本實施例中顯示裝置可為被動矩陣電場驅動顯示裝 置。

圖4及圖5顯示被動矩陣電場驅動顯示裝置之截面圖，及圖6A至6D顯示其俯視圖。電極109及電極100經形成為條狀。電極101經形成為條狀並與電極109及電極100正交。電極109可充當輔助電極。電極100可充當像素電極。電極101可充當相對電極。

從頂部或底部檢視被動矩陣電場驅動顯示裝置，電極109或電極100係形成於整個像素部分中。換言之，電極109或電極100係形成於面對形成電極101之區域的區域中(圖6B)。意即，基於該等結構，可獲得顯示缺點減少之電場驅動顯示裝置。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中所說明之結構適當組合。

(實施例4)

在本實施例中，將說明本發明之電場驅動顯示裝置的結構範例。

圖27為本實施例之範例的示意截面圖。導電層400係以與電晶體之源極及汲極相同材料及相同程序形成。導電層400可充當電容器電極。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO)而形成單層或多層之導電層400。

絕緣膜401係形成於導電層400之上。絕緣膜401可 充當平面化膜。絕緣膜401較佳地包括諸如黑樹脂或炭黑之具防光屬性之材料，及諸如丙烯酸、聚醯亞胺、或聚醯胺等之樹脂材料。此外，光敏丙烯酸等可用於絕緣膜401。此外，絕緣膜401可為具防光屬性之材料或樹脂材料及諸如氮化矽之無機材料的堆疊。

導電層402係形成於絕緣膜401之上。導電層402可充當輔助電極。導電層402可包括導電材料，諸如鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO)。

導電層400或導電層402經配置以嵌入圖21A中區域351與區域352。結果，諸如像素電極及輔助電極之電極可無間距地配置於平行於基板之平面中像素部的整個區域。

絕緣膜403係形成於導電層402之上。可藉由電漿CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成單層或多層之絕緣膜403。

接觸孔係同時形成於絕緣膜401及絕緣膜403中。

電極404經形成以電連接至導電層400及導電層402。電極404可充當像素電極。電極404較佳地包括吸光材料；例如，較佳地使用低反射比材料，諸如鉻、鈦、氮化鈦、鉬、鎢、鉭、及氮化鉭。請注意，可以相同材料形成導電層402及電極404。因此，可簡化製造程序。

可充當平面化膜之絕緣膜401的厚度為1μm至2 μm。絕緣膜403之厚度為若干nm至2μm。絕緣膜401係形成於導電層400之上，使得其上形成充當輔助電極之導電層402及電極404的表面粗糙度可減少。藉由形成絕緣膜401，導電層400與導電層402之間之電容及電極404與導電層400之間之電容可減少；因此，可避免雜訊及串音。

層405及電極406係形成於電極404之上。層405包括顯示媒體。此處，層405包括例如微膠囊；然而，可使用微杯或電子液態粉末。諸如ITO及IZO之透光材料用於電極406。

在本實施例中，因為增加形成充當輔助電極之導電層402之程序，遮罩數量增加。另一方面，因為藉由同時蝕刻絕緣膜401及絕緣膜403而形成接觸孔，形成接觸孔之程序所需遮罩數量未增加。

參照圖28說明本實施例之另一範例。

在圖28中所示結構中，導電層400、導電層402、及電極404之間電連接與圖27中不同。除此之外，圖28類似於圖27，此處並省略說明。

在圖27中，於形成導電層400與導電層402之後，形成接觸孔以暴露部分導電層400及導電層402。另一方面，在圖28中，接觸孔係形成於絕緣膜401中，其中絕緣膜401係形成於導電層400之上，並形成導電層402。此處，導電層402及導電層400彼此電連接。相繼地，絕緣膜403係形成於導電層402之上，並形成接觸孔。電極 404經形成而電連接至接觸孔中之導電層402。

導電層400或導電層402經配置以嵌入圖21A中區域351與區域352。結果，諸如像素電極及輔助電極之電極可無間距地配置於平行於基板之平面中像素部的整個區域。

參照圖29說明本實施例之另一範例。

在圖29中所示結構中，導電層400、導電層402、及電極404之間電連接與圖27及圖28中不同。除此之外，圖29類似於圖27及圖28，此處並省略說明。

在圖29中，接觸孔係形成於絕緣膜401中，其中絕緣膜401係形成於導電層400之上，並形成導電層402。此處，導電層402及導電層400彼此電連接。相繼地，絕緣膜403係形成於導電層402之上，並於絕緣膜401及絕緣膜403中形成達到導電層400之接觸孔。電極404經形成而電連接至接觸孔中之導電層400。

導電層400或導電層402經配置以嵌入圖21A中區域351與區域352。結果，諸如像素電極及輔助電極之電極可無間距地配置於平行於基板之平面中像素部的整個區域。

參照圖30及圖31說明本實施例之範例。

圖30為本實施例之範例的俯視圖。圖31顯示圖30之截面I-J。請注意，圖30顯示閘極線1215、閘極線1216、電極1201、電極1217、電極1218、佈線1202、佈線1219、半導體層1204、半導體層1220至1224、導電 層1205、導電層1206、導電層1208、導電層1210、導電層1211、及導電層1225至1243；其他元件省略。

電極1201、電極1217、及電極1218可充當閘極電極。佈線1202及佈線1219可充當電容器佈線。導電層1205、導電層1225、及導電層1226可充當源極線。導電層1206、導電層1227、及導電層1228可充當汲極電極或電容器佈線。導電層1208、及導電層1229至1236可充當輔助電極。導電層1210、導電層1211、及導電層1237至1243可充當像素電極。

導電膜係形成於基板1200之上。導電膜經定形以具有所欲形狀，使得形成電極1201及佈線1202。基板1200可為玻璃基板、塑料基板等。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、氧化銦錫(以下稱為ITO)、氧化銦及氧化鋅(以下稱為IZO)、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)，而形成單層或多層將作為電極1201與佈線1202之導電膜。在導電膜形成之前，基膜可形成於基板1200之上。基膜可形成作為單層或堆疊層之諸如氧化矽基材料膜或氮化矽基材料之絕緣膜。請注意，氧化矽基材料係指包含氧及矽作為主要成分之氧化矽，或包含氮之氧化矽的氧氮化矽，其中氧之含量高於氮之含量。氮化矽基材料係指包含氮及矽作為主要成分之氮化矽，或包含氧之氮化矽的氮氧化矽，其中氮之含量高於氧之含量。請注意，圖30中所示電極1217、電極1218、閘極線1215、 閘極線1216、及佈線1219係以與電極1201及佈線1202相同程序形成。

絕緣膜1203係形成於電極1201及佈線1202之上。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等而形成絕緣膜1203。絕緣膜1203可充當閘極絕緣膜或電容器之絕緣膜。

半導體層1204(半導體層1204a及半導體層1204b)係形成於絕緣膜1203之上。半導體層1204a及半導體層1204b經形成而與電極1201重疊，且絕緣膜1203配置於其間。請注意，圖30中半導體層1220至1224係以與半導體層1204a及半導體層1204b相同程序形成。

半導體層1204可為諸如非結晶矽之非結晶半導體；微晶矽；多晶矽；單晶矽；諸如砷化鎵(GaAs)之化合物半導體；諸如氧化鋅(ZnO)及In-Ga-Zn-O基材料之氧化物半導體；有機半導體材料等。此處，將說明使用非結晶矽之狀況。

可藉由光刻、噴墨、印刷等並使用非結晶矽而形成半導體層1204a。請注意，半導體層1204a可各包括充當電晶體之通道區之部分。

當非結晶矽用於半導體層1204a時，存在電晶體特性之一致性高及製造成本低之優點。尤其，該些優點在於對角線長度超過500mm之大基板上形成電晶體是有效的。

對於半導體層1204b而言，可使用包括磷等之矽、具高於半導體層1204a之導電率的半導體材料等。半導體層 1204b可因為其功能而各表示為緩衝器層或n⁺層。請注意，半導體層1204b可各包括充當源極及汲極之部分。

其次，形成導電層1205及導電層1206。導電層1205可包括充當源極及汲極之一之部分。導電層1206可包括充當源極及汲極之另一者之部分。導電層1206經形成以與佈線1202局部重疊。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)而形成單層或多層之導電層1205及導電層1206。請注意，圖30中所示之導電層1225至1228係以與導電層1205及導電層1206相同程序形成。

於導電層1205及導電層1206之上形成單層或多層之絕緣膜1207。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成絕緣膜1207。可使用有機材料而形成單層或多層之絕緣膜1207；例如可使用丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並環丁烯、及環氧樹脂。絕緣膜1207可為有機材料及無機材料之堆疊層。絕緣膜1207可包括具防光屬性之材料或濾色器。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。

其次，導電層1208係形成於絕緣膜1207之上。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)，而形成單層或多層之 導電層1208。圖30中所示之導電層1229至1236係以與導電層1208相同程序形成。

絕緣膜1209係形成於導電層1208之上。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成絕緣膜1209。可使用有機材料而形成單層或多層之絕緣膜1209；例如可使用丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並環丁烯、及環氧樹脂。絕緣膜1209可為有機材料及無機材料之堆疊層。絕緣膜1209可包括具防光屬性之材料。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。

接著，絕緣膜1207及絕緣膜1209經蝕刻而同時形成達到導電層1206之接觸孔及達到導電層1208之接觸孔。相繼地，形成電連接至導電層1206及導電層1208之導電層1210。圖30中所示之導電層1211、導電層1237至1243係以與導電層1210相同程序形成。

此處，檢視顯示裝置之頂部與底部，可充當輔助電極之導電層1208係配置於導電層1210與導電層1211之間之空間。基於該等結構，可獲得顯示缺點減少之電場驅動顯示裝置。

層1212係形成於導電層1210及導電層1211之上。層1212包括顯示媒體。層1212之結構範例為其中微膠囊分散及固定之結構。

相繼地，導電層1213係形成於層1212之上。導電層1213可包括金屬材料，諸如鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、 釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、或鍺；諸如ITO或IZO之透光材料等。

保護器1214係形成於導電層1213之上。對保護器1214而言，可使用塑料基板、樹脂基板、膜基板、玻璃基板等。

可充當平面化膜之絕緣膜1207的厚度為1μm至2μm。絕緣膜1209之厚度為若干nm至2μm。絕緣膜1207係形成於導電層1205及1206之上，使得其上形成充當輔助電極之導電層1208的表面粗糙度可減少。藉由形成絕緣膜1207，導電層1206與導電層1208之間之電容及導電層1206與導電層1210之間之電容可減少；因此，可避免雜訊及串音。

在圖30中，導電層1231經形成以與導電層1238及導電層1211局部重疊。導電層1231經形成以與導電層1238、導電層1239、導電層1211、及導電層1210局部重疊。導電層1233經形成以與導電層1239、導電層1240、導電層1210、及導電層1237局部重疊。導電層1229經形成以與導電層1211及導電層1241局部重疊。導電層1208經形成以與導電層1211、導電層1210、導電層1241、及導電層1242局部重疊。導電層1230經形成以與導電層1210、導電層1237、導電層1242、及導電層1243局部重疊。導電層1234經形成以與導電層1241局部重疊。導電層1235經形成以與導電層1241及導電層1242局部重疊。導電層1236經形成以與導電層1242及導電層 1243局部重疊。

藉由採用該等結構，可獲得其中顯示缺點減少之顯示裝置。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中所說明之結構適當組合。

(實施例5)

圖40A及40B為本發明之一範例之電場驅動顯示裝置的俯視圖。在本實施例中，說明充當輔助電極之電極位置。

如圖40A中所示，形成閘極電極1401、閘極電極1402、閘極線1403、及閘極線1404。半導體層1405係形成於閘極電極1401之上。半導體層1406係形成於閘極電極1402之上。源極電極1407及汲極電極1408係形成於半導體層1405之上。源極電極1409及汲極電極(未顯示)係形成於半導體層1406之上。源極電極1407及源極電極1409亦稱為源極線。電連接至汲極電極1408且絕緣膜配置其間之電極1410係形成於汲極電極1408之上。電極1411至1413係以與電極1410相同程序形成。電連接至電極1410且絕緣膜配置其間之電極1414係形成於電極1410之上。電極1415至1417係以與電極1414相同程序形成。電極1410至1413可充當像素電極。電極1414至1417可充當輔助電極。

相鄰像素電極之間之空間係沿閘極線及源極線配置。 例如，若為電極1410，電極1410與電極1412之間之空間係沿閘極線配置，及電極1410與電極1413之間之空間係沿源極線配置。如圖40A中所示，輔助電極可配置於沿源極線配置之相鄰像素電極之間之空間中。在圖40A中，電極1414係配置於電極1410與電極1413之間之空間中，且電極1415係配置於電極1411與電極1412之間之空間中。電極1416係配置於電極1412與經形成以緊挨著電極1412右邊之電極(未顯示)之間之空間中。電極1417係配置於電極1410與經形成以緊挨著電極1410右邊之電極(未顯示)之間之空間中。

圖40B顯示輔助電極係配置於沿閘極線配置之空間中的範例。

如圖40A中所示，形成閘極電極1451、閘極電極1452、閘極線1453、及閘極線1454。半導體層1455係形成於閘極電極1451之上。半導體層1456係形成於閘極電極1452之上。源極電極1457及汲極電極1458係形成於半導體層1455之上。源極電極1459及汲極電極(未顯示)係形成於半導體層1456之上。源極電極1457及源極電極1459亦稱為源極線。電連接至汲極電極1458且絕緣膜配置其間之電極1460係形成於汲極電極1458之上。電極1461至1463係以與電極1460相同程序形成。電連接至電極1460且絕緣膜配置於其間之電極1464係形成於電極1460之上。電極1465至1467係以與電極1464相同程序形成。電極1460至1463可充當像素電極。電極1464 至1467可充當輔助電極。電極1465係配置於電極1460與電極1462之間之空間中。

藉由採用該等結構，可獲得顯示缺點減少之顯示裝置。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中所說明之結構適當組合。

(實施例6)

圖32A及32B、圖33A及33B、及圖34A及34B各為本發明之電場驅動顯示裝置之範例的示意截面圖。

圖32A及32B顯示於電極505側顯示影像之結構。電極505可充當相對電極。

說明圖32A中所示結構。電極501係形成於絕緣膜500之上。絕緣膜502係形成於電極501之上。接觸孔係形成於絕緣膜502中，並形成電連接至電極501之電極503。層504係形成於電極503之上，並包括顯示媒體。電極505係形成於層504之上。絕緣膜506R、絕緣膜506G、及絕緣膜506B係形成於電極505之上。請注意，電極501可充當輔助電極。電極503可充當像素電極。電極505可充當相對電極。

在圖32A中，絕緣膜500與絕緣膜502之一或二者可包括具防光屬性之材料。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。絕緣膜506R可充當紅色濾色器。絕緣膜506G可充當綠色濾色器。絕緣膜506B可充 當藍色濾色器。

在圖32B中，絕緣膜506R、絕緣膜506G、及絕緣膜506B之位置與圖32A中不同。在圖32B中，絕緣膜506R、絕緣膜506G、及絕緣膜506B係配置於電極503之上。

圖33A及33B顯示於電極513側顯示影像之結構。電極513可充當像素電極。

說明圖33A中所示之結構。電極511係形成於絕緣膜510R、絕緣膜510G、及絕緣膜510B之上。絕緣膜512係形成於電極511之上。接觸孔係形成於絕緣膜512中，並形成電連接至電極511之電極513。層514係形成於電極513之上，並包括顯示媒體。電極515係形成於層514之上。絕緣膜516係形成於電極515之上。請注意，電極511可充當輔助電極。電極513可充當像素電極。電極515可充當相對電極。絕緣膜510R可充當紅色濾色器。絕緣膜510G可充當綠色濾色器。絕緣膜510B可充當藍色濾色器。絕緣膜516可包括具防光屬性之材料。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。

說明圖33B中所示之結構。電極511係形成於絕緣膜510之上。絕緣膜512R、絕緣膜512G、及絕緣膜512B係形成於電極511之上。接觸孔係形成於絕緣膜512R、絕緣膜512G、及絕緣膜512B之每一者中，並形成電連接至電極511之電極513。層514係形成於電極513之上，並包括顯示媒體。電極515係形成於層514之上。絕緣膜 516係形成於電極515之上。請注意，電極511可充當輔助電極。電極513可充當像素電極。電極515可充當相對電極。絕緣膜512R可充當紅色濾色器。絕緣膜512G可充當綠色濾色器。絕緣膜512B可充當藍色濾色器。絕緣膜516可包括具防光屬性之材料。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。

圖34A及34B顯示於電極526側及電極524側顯示影像之結構。電極526可充當相對電極及電極524可充當像素電極。偏光板可配置於顯示裝置之二表面之上，以便當從任一側觀看顯示裝置時，經由顯示裝置可看不到。

說明圖34A中所示結構。層521係形成於基板520之上。層521包括TFT等。電極522係形成於層521之上。請注意，在圖34A中，電極522係形成於層521之上；然而，電極522可為層521中所包括之TFT的源極電極或汲極電極。電極522電連接至層521中所包括之TFT的源極電極或汲極電極。絕緣膜523係形成於電極522之上。接觸孔係形成於絕緣膜523中，並形成電連接至電極522之電極524。層525係形成於電極524之上，並包括顯示媒體。電極526係形成於層525之上。基板527係形成於電極526之上。基板520及基板527可為玻璃基板、塑料基板等。電極522可充當輔助電極。電極524可充當像素電極。電極526可充當相對電極。偏光板528經配置而接觸基板520。偏光板529經配置而接觸基板527。偏光板528之偏光軸及偏光板529之偏光軸彼此 正交(正交尼科爾稜晶)。

圖34B顯示濾色器附加至圖34A中所示結構之結構。在圖34B中，濾色器530R、濾色器530G、及濾色器530B係形成於基板520與層521之間。濾色器531R、濾色器531G、及濾色器531B係配置於基板527與電極526之間。濾色器530R及濾色器531R為紅色濾色器。濾色器530G與濾色器531G為綠色濾色器。濾色器530B與濾色器531B為藍色濾色器。

偏光板係配置用於上述二基板，藉此可獲得經此而看不到偏光板之顯示裝置。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中所說明之結構適當組合。請注意，本實施例中說明為範例，並非本發明之實施例的所有說明。

(實施例7)

在本實施例中，將參照圖式說明本發明之電場驅動顯示裝置的像素電極與輔助電極之間之位置關係。

在圖35A中，絕緣膜1002係形成於電極1001之上。接觸孔係形成於絕緣膜1002中，並形成電連接至電極1001之電極1003。層1004係形成於電極1003之上，並包括顯示媒體。電極1005係形成於層1004之上。電極1006係以與電極1003相同程序形成，且該些電極為相鄰像素中所包括之電極。電極1001經配置而與電極1003與電極1006之間之區域重疊，並與電極1006局部重疊。電 極1001可充當輔助電極。電極1003及電極1006可充當像素電極。電極1005可充當相對電極。在本說明書中，輔助電極具有與像素電極相同或較小面積。

電極1001及電極1006彼此重疊之區域的長度標示為Q1。電極1006及電極1003之間之區域的長度標示為Q2。絕緣膜1002之厚度標示為Q3。此時，可配置電極1001及電極1006彼此重疊(Q1>0)之區域，及滿足Q1<Q2之區域。因而，製造變化可減少。此外，電場可幾乎均勻施加於層1004中所包括之顯示媒體；因此，可組裝極不可能發生殘留影像之電場驅動顯示裝置。請注意，本實施例之範例不侷限於此結構。請注意，考量電極1001與電極1006重疊造成之寄生電容的影響，可配置滿足Q1<Q3之區域。

藉由從接觸部分(配置電連接電極1003及電極1001之佈線的區域)與電極1006之間之長度減去電極1001未與電極1003重疊之區域的長度(電極1006與電極1003之間之長度稱為Q2)而獲得之長度，即電極1001與電極1003重疊之區域的長度標示為Q4。從電極1003之接觸部分至電極1001之末端的距離標示為Q5。有關Q4及Q5，考量遮罩失調，較佳地配置較佳地滿足Q4>0及Q5>0之區域。此時，較佳地配置滿足Q1<Q4及Q1<Q5之區域。請注意，本實施例之範例不侷限於此結構。

參照圖35B說明另一範例。有關電極1001之位置，圖35B與圖35A不同。電極1001電連接至電極1003。電 極1001經配置而與電極1003與電極1006之間之區域局部重疊，且未與電極1006重疊。在圖35B中，電極1001可充當輔助電極，電極1003及電極1006可充當像素電極，及電極1005可充當相對電極。

電極1003與電極1006之間之區域的長度標示為Q6。電極1001與電極1003與電極1006之間之區域重疊之區域的長度標示為Q7，且電極1001未與該區域重疊之區域的長度標示為Q8。請注意，滿足Q6>Q7及Q6>Q8。為幾乎均勻施加電場至層1004中所包括之顯示媒體，較佳地配置滿足Q7>Q8之區域；但本發明之實施例不侷限於此。此外，可配置一區域，其中電極1001未與電極1003與電極1006之間之區域重疊(Q8>0)，及配置滿足Q3>Q8之區域。因而，可減少像素(包括電極1003之像素)與相鄰像素(包括電極1006之像素)之間之串音的影響。

藉由從接觸部分(配置電連接電極1003及電極1001之佈線的區域)與電極1006之間之區域的長度減去電極1003與電極1006之間之區域的長度(Q6)而獲得之長度，即電極1001與電極1003重疊之區域的長度標示為Q9。從電極1003之接觸部分至電極1001之末端的距離標示為Q10。有關Q9及Q10，考量遮罩失調，較佳地配置滿足Q9>0及Q10>0之區域；然而，本發明之實施例不侷限於此。此時，較佳地配置滿足Q8<Q9、Q8<Q10、Q7<Q9、及Q7<Q10之區域；然而，本實施例之範例不 侷限於此結構。

如以上說明，電極1001可經配置而與彼此相鄰之電極1003與電極1006之間之全部或部分區域重疊。甚至當電極1001經形成以與電極1003與電極1006之間之部分區域重疊時，藉由電極1001產生電極1003與電極1006之間之電場。因此，相較於未配置電極1001之狀況，可組裝極不可能發生殘留之電場驅動顯示裝置。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中所說明之結構適當組合。

(實施例8)

在本實施例中，說明使用包括非結晶矽之TFT之顯示裝置的製造程序。

如圖36A中所示，導電膜係形成於基板1100之上，接著導電膜被處理(定形)而具有所欲形狀，使得形成電極1101、電極1102、導電層1121、及導電層1122。基板1100可為例如諸如鋇硼矽酸鹽玻璃基板及鋁硼矽酸鹽玻璃基板之玻璃基板、陶瓷基板、及塑料基板。電極1101及電極1102可充當閘極電極。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、氧化銦錫(以下、ITO)、氧化銦及氧化鋅(以下稱為IZO)、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)，而形成單層或多層之將成為電極1101、電極1102、導電層1121、及導電層1122之導電膜。

絕緣膜1103經形成以覆蓋電極1101、電極1102、導電層1121、及導電層1122及。可藉由電漿CVD、濺鍍等並單層或多層使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成絕緣膜1103。絕緣膜1103可充當閘極絕緣膜。若導電層1121及導電層1122充當電容器之電極，經形成而接觸導電層之絕緣膜1103可充當電容器之絕緣膜。

半導體膜1104係形成於絕緣膜1103之上。半導體膜1104具有20nm至200nm(較佳地為50nm至150nm)之厚度。半導體膜1104係藉由光刻、噴墨、印刷等並使用非結晶矽而予形成。

接著，半導體膜1105係形成於半導體膜1104之上。對半導體膜1105而言，可使用包括磷等之矽、具高於半導體膜1104之導電率的半導體材料等。

絕緣膜1103、半導體膜1104、及半導體膜1105可接連地形成而未暴露於空氣。即，由於可形成堆疊之每一介面而未受空氣成分或漂浮於空氣中之雜質元素污染，可減少電晶體特性之變化。

如圖36B中所示，形成遮罩1106，且半導體膜1104及半導體膜1105被處理(定形)而具有所欲形狀。半導體膜1104及半導體膜1105被劃分為島形，使得形成半導體層1107及半導體層1108。

如圖36C中所示，導電膜1109係於遮罩1106移除之後形成。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、 鍺、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO)，而形成單層或多層之導電膜1109。

如圖36D中所示，形成遮罩1110。遮罩1110為一種遮罩用於定形導電膜1109並形成可充當源極電極或汲極電極之電極。同時，遮罩1110用作蝕刻遮罩，以蝕刻部分半導體層1108而形成通道形成區域。導電膜1109經定形而形成電極1109a至1109e。電極1109b及電極1109d可充當輔助電極。

如圖36E中所示，絕緣膜1111係於遮罩1110移除之後形成。可藉由濺鍍或生長釋出分解並使用氮化矽等而形成絕緣膜1111。藉由形成絕緣膜1111，可保護通道區。

請注意，半導體層1107可包括充當電晶體之通道區的部分。半導體層1108可包括充當電晶體之源極區及汲極區的部分。

接著，形成絕緣膜1112。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成絕緣膜1112。可使用有機材料形成單層或多層之絕緣膜1112；例如可使用丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並環丁烯、及環氧樹脂。絕緣膜1112可為有機材料及無機材料之堆疊層。絕緣膜1112可包括具防光屬性之材料。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。此外，絕緣膜1113較佳地配置於絕緣膜1112之上。藉由形成絕緣膜1113，可避免濕氣進入。絕緣膜1113較佳地包括氮化矽等。

其次，絕緣膜1111、絕緣膜1112、及絕緣膜1113定形，並形成開口以暴露電極1109b及電極1109d。接著，在開口中，形成電連接至電極1109b之電極1114及電連接至電極1109d之電極1115。電極1114及電極1115可充當像素電極。

如圖37中所示，層1116、導電膜1119、及基板1120係形成、配置、或附著於之上/至電極1114及電極1115。層1116包括顯示媒體。微膠囊1118係固定於分散劑1117中。

可使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO)而形成單層或多層之導電膜1119。導電膜1119可充當相對電極。

塑料基板、樹脂基板、膜基板、玻璃基板、陶瓷基板、不鏽鋼基板、不鏽鋼箔基板等，可用於基板1120。

經由以上步驟，可組裝使用包括非結晶矽之TFT的顯示裝置。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中所說明之結構適當組合。請注意，本實施例中說明為範例而非本發明之實施例的所有說明。

(實施例9)

在本實施例中，說明使用包括氧化物半導體之TFT之顯示裝置的製造程序。

如圖38A中所示，導電膜係形成於基板1300之上，接著導電膜被處理(定形)而具有所欲形狀，使得形成電極1301、電極1302、導電層1319、及導電層1320。基板1300可為例如諸如鋇硼矽酸鹽玻璃基板及鋁硼矽酸鹽玻璃基板之玻璃基板、陶瓷基板、及塑料基板。電極1301及電極1302可充當閘極電極。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、氧化銦錫(以下稱為ITO)、氧化銦及氧化鋅(以下稱為IZO)、氧化鋅(ZnO)、及氧化錫(SnO)，而形成單層或多層之將作為電極1301、電極1302、導電層1319、及導電層1320之導電膜。

絕緣膜1303經形成以覆蓋電極1301、電極1302、導電層1319、及導電層1320。可藉由電漿CVD或濺鍍並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成單層或多層之絕緣膜1303。絕緣膜1303可充當閘極絕緣膜。若導電層1319及導電層1320充當電容器之電極，經形成而接觸導電層之絕緣膜1303可充當電容器之絕緣膜。

半導體膜1304係形成於絕緣膜1303之上。半導體膜1304經形成作為包括透光材料或具高透光性之材料之單層或多層。半導體膜1304係使用氧化物半導體而予形成。可使用之氧化物半導體範例為In-Ga-Zn-O基材料、In-Sn-Zn-O基材料、In-Al-Zn-O基材料、Sn-Ga-Zn-O基材料、Al-Ga-Zn-O基材料、Sn-Al-Zn-O基材料、In-Zn-O基材料、Sn-Zn-O基材料、Al-Zn-O基材料、In-O基材 料、Sn-O基材料、或Zn-O基材料。氧化物半導體膜可藉由濺鍍法於稀有氣體(典型為氬)、氧氣、或包含稀有氣體(典型為氬)及氧之氣體中形成。在濺鍍之狀況下，較佳的是使用包括2重量%至10重量%之氧化矽的靶材以包括抑制結晶之氧化矽，而形成氧化物半導體膜；因而，可抑制結晶。此外，在氧化物半導體膜1304形成之前，較佳地藉由其中氬氣導入濺鍍設備並產生電漿之反向濺鍍，移除附著於絕緣膜1303表面之灰塵。反向濺鍍係指一種方法，其中電壓未施加於靶材側，RF電源用於在氬氣中施加電壓於基板側，而於基板附近產生電漿並修改表面。請注意，除了氬氣以外，可使用氮氣、氦氣、氧氣等。

如圖38B中所示，形成遮罩1305，半導體膜1304經處理(定形)而具有所欲形狀。半導體膜1304被劃分為島形，使得形成半導體層1306。

如圖38C中所示，導電膜1307係於遮罩1305移除之後形成。可藉由濺鍍、CVD等並使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO)，而形成單層或多層之導電膜1307。

如圖38D中所示，形成遮罩1308。遮罩1308為一種遮罩，用於定形導電膜1307並形成可充當源極電極或汲極電極之電極。導電膜1309經定形而形成電極1309a至1309e。電極1309b及電極1309d可充當輔助電極。

如圖38E中所示，絕緣膜1310係於遮罩1308移除之後形成。可藉由電漿增強CVD、濺鍍等並使用氧化矽基材料、氮化矽基材料等，而形成絕緣膜1310。可使用有機材料形成單層或多層之絕緣膜1310；例如可使用丙烯酸、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並環丁烯、及環氧樹脂。絕緣膜1310可為有機材料及無機材料之堆疊層。絕緣膜1310可包括具防光屬性之材料。具防光屬性之材料的範例為炭黑及包括黑顏料之有機樹脂。此外，絕緣膜1311較佳地配置於絕緣膜1310之上。藉由形成絕緣膜1311，可避免濕氣進入。絕緣膜1311較佳地包括氮化矽等。

其次，絕緣膜1310及絕緣膜1311被定形，並形成開口以暴露部分電極1309b及電極1309d。接著，於開口中，形成電連接至電極1309b之電極1312及電連接至電極1309d之電極1313。電極1312及電極1313可充當像素電極。

如圖39中所示，層1314、導電膜1317、及基板1318係形成、配置、或附著於之上/至電極1312及電極1313。層1314包括顯示媒體。微膠囊1315係固定於分散劑1316中。

可使用鈦、鉬、鉭、鉻、鎢、鋁、釹、銅、銀、金、鉑、鈮、矽、鋅、鐵、鋇、鍺、ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、或氧化錫(SnO)而形成單層或多層之導電膜1317。導電膜1317可充當相對電極。

塑料基板、樹脂基板、膜基板、玻璃基板、陶瓷基板、不鏽鋼基板、不鏽鋼箔基板等，可用於基板1318。

經由以上步驟，可組裝使用包括氧化物半導體之TFT的顯示裝置。

包括氧化物半導體之TFT較包括非結晶矽等之TFT具有更高透光性。若使用包括氧化物半導體之TFT，藉由使用透光材料或具高透光性之材料作為佈線材料，顯示裝置於TFT基板側具有顯示表面。

可使用透明導電材料形成導電層1319、導電層1320、電極1319b、及電極1319d，及可使用金屬材料形成電極1301及電極1302。透明材料用於像素中元件，藉此可改進孔徑比。此外，當使用金屬材料形成充當佈線之部分時，可減少電阻。

請注意，本實施例可與本說明書中任一其他實施例中所說明之結構適當組合。請注意，本實施例中說明為範例而非本發明之實施例的所有說明。

(實施例10)

以上實施例所示之顯示裝置可應用於顯示資訊之各種電子設備。例如，以上實施例所示之顯示裝置可應用於電子書閱讀器(電子書)、海報、諸如火車之車廂廣告、或諸如信用卡之各種卡上顯示器。

圖41A顯示使用顯示裝置之海報1501。藉由手改變印刷廣告。然而，若使用以上實施例所示之顯示裝置，可 於短時間內改變廣告之顯示。此外，可獲得穩定影像而無顯示缺點。請注意，海報可具有可無線傳輸及接收資料之組態。

圖41B描繪諸如火車之車廂廣告1502。藉由手改變印刷廣告。然而，若使用以上實施例所示之顯示裝置，可於短時間內以較少人力改變廣告之顯示。此外，可獲得穩定影像而無顯示缺點。請注意，海報可具有可無線傳送及接收資料之組態。

圖14A顯示電子書裝置之範例。圖14A中所示之電子書裝置包括二外殼，外殼1500及外殼1501。外殼1500與外殼1501係與鉸鏈1504組合，使得電子書裝置可以鉸鏈1504開啟及關閉。基於該等結構，電子書裝置可如紙本書般操作。

顯示部1602及顯示部1603分別併入外殼1600及外殼1601。顯示部1602及顯示部1603可顯示一影像或可顯示不同影像。當顯示部1602及顯示部1603顯示不同影像時，例如右側顯示部(圖42A中顯示部1602)可顯示正文，及左側顯示部(圖42A中顯示部1603)可顯示圖形。

圖42A顯示一範例，其中外殼1600配置作業部等。例如，外殼1600配置電力開關1605、操作鍵1606、揚聲器1607等。基於操作鍵1606，可翻頁。請注意，鍵盤、指向裝置等可配置於與外殼之顯示部相同表面。此外，外部連接端子(耳機端子、USB端子、可連接至AC適配器 或諸如USB電纜之各種電纜等)、記錄媒體嵌入部等可配置於外殼之背面或側面。此外，圖42A中所示之電子書裝置可充當電子字典。

圖42A中所示之電子書裝置可無線傳送及接收資料。經由無線通訊，可從電子書伺服器採購及下載所欲書籍資料等。

圖42B顯示數位相框之範例。例如，在圖42B中所示之數位相框中，顯示部1612併入外殼1611。顯示部1612可顯示各種影像，例如以數位相機等拍攝之影像資料，使得數位相框可以類似於一般相框的方式作動。

請注意，圖42B中所示之數位相框可配置作業部、外部連接端子(USB端子、可連接至諸如USB電纜之各種電纜等)、記錄媒體嵌入部等。儘管該些組件可配置於配置顯示部之表面，為數位相框之設計，較佳地將其配置於側面或背面。例如，儲存以數位相機拍攝之影像資料的記憶體被插入數位相框之儲存媒體嵌入部，並載入將顯示於顯示部1612之影像資料。

圖42B中所示之數位相框可無線傳送及接收資料。可採用一結構，其中無線載入將顯示之所欲影像資料。

圖42C顯示電視裝置之範例。在圖42C中所示電視裝置中，顯示部1622併入外殼1621。顯示部1622可顯示影像。此外，外殼1621係藉由圖42C中支架1623支撐。

圖42C中所示電視裝置可以外殼1621之操作開關或 個別遙控器操作。頻道及音量可藉由遙控器之操作鍵控制，使得可控制顯示部1622上顯示之影像。此外，遙控器可配置顯示部以顯示從遙控器輸出之資料。

請注意，圖42C中所示之電視裝置較佳地配置接收器、數據機等。使用接收器，可接收一般電視廣播。再者，電視裝置經由數據機而有線或無線連接至通訊網路時，可執行單向(從發送端至接收端)或雙向(發送端與接收端之間或接收端之間)資訊通訊。

圖42D顯示行動電話之範例。圖42D中所示之行動電話配置併入外殼1631之顯示部1632、操作按鈕1633及1637、外部連接埠1634、揚聲器1635、麥克風1636等。

圖42D中所示之行動電話之顯示部1632為觸控螢幕。當以手指等碰觸顯示部1632時，可控制顯示部1632中所顯示之內容。此外，可藉由以手指等碰觸顯示部1632而執行諸如打電話及撰寫郵件之作業。

顯示部1632主要有三種螢幕模式。第一模式為主要用於顯示影像之顯示模式。第二模式為主要用於輸入諸如正文之資料之輸入模式。第三模式為顯示模式及輸入模式之二模式組合之模式。

例如，在打電話及撰寫郵件中，針對顯示部1632選擇主要用於輸入正文之輸入模式，並可藉由碰觸螢幕上顯示之字元而執行輸入作業。在此狀況下，較佳地於顯示部1632之螢幕的大面積上顯示鍵盤或數字按鈕。

當圖42D中所示檢測裝置包括用於檢測傾斜度之感測器，諸如陀螺儀或加速感測器，配置於行動電話內部時，顯示部1632之模式(或顯示資料)可藉由決定行動電話之方位(行動電話係針對風景模式或肖像模式而水平或垂直置放)而自動切換。

此外，藉由碰觸顯示部1632或操作外殼1631之操作按鈕1637而切換螢幕模式。另一方面，可依據顯示部1632上顯示之影像種類而切換螢幕模式。例如，當顯示部上顯示之影像的信號為一種移動影像資料時，螢幕模式可切換為顯示模式。當信號為一種正文資料時，螢幕模式可切換為輸入模式。

此外，在輸入模式中，若未執行藉由碰觸顯示部1632之輸入達某時期，當檢測到藉由顯示部1632中光感測器檢測之信號時，可控制螢幕模式以便從輸入模式切換至顯示模式。

顯示部1632可充當影像感測器。例如，當以手掌或手指碰觸顯示部1632時，藉由影像感測器拍攝掌紋、指紋等影像，藉此可執行人員驗證。此外，藉由於顯示部中配置背光或發射近紅外光之感應光源，可拍攝手指靜脈、首長靜脈等之影像。

本實施例可與其他實施例中所說明之結構適當組合而予實施。

(實施例11)

在其他實施例中，顯示各種範例。本實施例顯示執行其他實施例中所說明之部分或全部內容之修改、修正、附加、刪除、置換、及應用之狀況的範例。另一方面，本實施例顯示說明不同於另一實施例之內容的另一範例。另一方面，本實施例顯示詳細說明另一實施例之內容的範例。另一方面，本實施例顯示一範例，說明另一實施例之更寬的內容概念。另一方面，本實施例顯示說明另一實施例之內容定義的範例。

因此，本發明之實施例的範例不侷限於本實施例中所說明之內容。

例如，顯示元件、具有顯示元件之裝置的顯示裝置、發光元件、及具有發光元件之裝置的發光裝置，可使用各種類型並可包括各種元件。例如，顯示媒體，其對比、亮度、反射性、透射率等藉由電磁作用而改變，諸如電致發光(EL)元件(例如，包括有機及無機材料之EL元件，有機EL元件，或無機EL元件)、發光二極體(LED)(例如，白色LED、紅色LED、綠色LED、或藍色LED)、電晶體(依據電流量而發光之電晶體)、電子發射體、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵亮度閥(GLV)、數位微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、或碳奈米管，可用於顯示元件、顯示裝置、發光元件、或發光裝置。請注意，具有EL元件之顯示裝置範例為EL顯示器。包括電子發射體之顯示裝置範例為場發射顯示器(FED)及SED型平板顯示器(SED：表面傳導電子發射 體顯示器)。具有液晶元件之顯示裝置包括液晶顯示器(例如，透射式液晶顯示器、半透射式液晶顯示器、反射式液晶顯示器、直視式液晶顯示器、或投射式液晶顯示器)等。具有電子墨水或電泳元件之顯示裝置範例為電子紙。

EL元件之範例為包括陽極、陰極、及插入陽極與陰極之間之EL層的元件。EL層之範例為利用來自單態激發之光發射(螢光)之層、利用來自三重態激發之光發射(磷光)之層、利用來自單態激發之光發射(螢光)及來自三重態激發之光發射(磷光)之層、使用有機材料形成之層、使用無機材料形成之層、使用有機材料及無機材料形成之層、包括高分子材料之層、包括低分子材料之層、包括高分子材料及低分子材料之層等。請注意，本發明不侷限於此，可使用各種EL元件。

電子發射體之範例為一種元件，其中電子係藉由聚集於陰極之高電場提取。具體地，電子發射體之範例為Spindt型、碳奈米管(CNT)型、其中金屬、絕緣體、及金屬堆疊之金屬-絕緣體-金屬(MIM)型、其中金屬、絕緣體、及半導體堆疊之金屬-絕緣體-半導體(MIS)型、MOS型、矽型、薄膜二極體型、鑽石型、其中、金屬、絕緣體、半導體、及金屬堆疊之薄膜型、HEED型、EL型、多孔矽型、表面傳導(SCE)型等。然而，本發明不侷限於此，各種元件可用作電子發射體。

電子紙之範例為藉由分子而顯示影像之裝置(利用光 學各向異性、染料分子方位等之裝置)、藉由粒子而顯示影像之裝置(利用電泳、粒子移動、粒子轉動、相位改變等之裝置)、藉由膜之一端的移動而顯示影像之裝置、藉由使用分子之著色屬性或相位改變而顯示影像之裝置、藉由使用分子光學吸收而顯示影像之裝置、及藉由使用電子及電洞之組合的半光發射而顯示影像之裝置。電子紙之顯示方法、材料、及元件之特定範例為微膠囊電泳、水平電泳、垂直電泳、球形扭球、磁性扭球、圓柱扭球、充電調色劑、電液態粉末、磁泳、磁性熱敏型、電潤濕、光散射(透明-不透明改變)、膽固醇液晶及光導層、膽固醇液晶、雙穩態向列液晶、鐵電液晶、具二向色染料之液晶分散型、可動膜、隱色體染料之著色及去色屬性、光致變色、電致變色、電極位置、及彈性有機EL。請注意，本發明不侷限於此，可使用各種類型電子紙及其各種顯示方法。藉由使用微膠囊電泳，可解決粒子之聚集或沈澱。電液態粉末具有諸如高速反應、高反射性、寬視角、低電力消耗、及記憶體屬性之優點。

請注意，電致發光、冷陰極螢光燈、熱陰極螢光燈、LED、雷射光源、水銀燈等可用作需要光源之顯示裝置的光源範例。該等顯示器裝置之範例為液晶顯示器(例如，透射式液晶顯示器、半透射式液晶顯示器、反射式液晶顯示器、直視式液晶顯示器、或投射式液晶顯示器)、包括光柵亮度閥(GLV)之顯示裝置、及包括數位微鏡裝置(DMD)之顯示裝置。請注意，本發明不侷限於此，可使 用各種光源。

將使用之電晶體可具有各種結構。因此，對於將使用之電晶體不限制其種類。例如，可使用包括以非結晶矽、多晶矽，微晶(亦稱為微晶體、奈米晶體、或半非晶)矽等為代表之非單晶半導體膜的薄膜電晶體(TFT)。若使用該等TFT，存在各種優點。例如，由於可以低於使用單晶矽之狀況的溫度形成TFT，製造成本可減少且製造裝置可更大。由於製造裝置可更大，可使用大基板形成TFT。因此，可同時形成許多顯示裝置，使得可以低成本形成顯示裝置。另一方面，因為低製造溫度，可使用具有低耐熱性之基板。因此，可使用透光基板形成電晶體。另一方面，藉由使用形成於透光基板上之電晶體，可控制顯示元件中光之傳輸。另一方面，因為電晶體薄，電晶體中所包括之部分膜可透光。因此，可改進孔徑比。

請注意，若形成多晶矽，藉由使用觸媒(例如鎳)，可進一步改進結晶性，並可形成具有極佳電氣特性之電晶體。因此，可使用與像素部相同基板形成閘極驅動器電路(例如，掃描線驅動器電路)、源極驅動器電路(例如，信號線驅動器電路)、及信號處理電路(例如，信號產生電路、伽瑪校正電路、或DA轉換器電路)。

請注意，若形成微晶矽，藉由使用觸媒(例如鎳)，可進一步改進結晶性，並可形成具有極佳電氣特性之電晶體。在此狀況下，藉由僅執行熱處理而未執行雷射輻照，可改進結晶性。因此，可使用與像素部相同基板形成閘極 驅動器電路(例如，掃描線驅動器電路)及部分源極驅動器電路(例如，類比開關)。請注意，若未針對結晶執行雷射輻照，可抑制矽之結晶性中不平坦。因此，可顯示高品質影像。請注意，可形成多晶矽或微晶矽而未使用觸媒(例如鎳)。

請注意，較佳的是改進矽之結晶性以於整個面板中形成多晶、微晶等；然而，本發明不侷限於此。可僅於部分面板中改進矽之結晶性。可藉由選擇性雷射輻照等而選擇性改進結晶性。例如，可以雷射光僅輻照像素以外週邊驅動器電路區域。另一方面，可以雷射光僅輻照閘極驅動器電路、源極驅動器電路等區域。另一方面，可以雷射光僅輻照部分源極驅動器電路(例如，類比開關)。因此，可僅於電路需以高速操作之區域中改進矽之結晶性。由於像素區未特別需要以高速操作，即使結晶性未改進，像素電路可操作而無問題。因而，結晶性改進之區域小，使得製造步驟可減少。因而，產量可增加且製造成本可減少。另一方面，由於所需製造設備之數量可較小，製造成本可減少。

請注意，例如包括化合物半導體之電晶體或諸如ZnO、InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO、ITO、SnO、TiO、或AIZnSnO(AZTO)之氧化物半導體，藉由使該等化合物半導體或氧化物半導體薄化所獲得之薄膜電晶體等，可用作電晶體。因而，製造溫度可更低，例如，該等電晶體可於室溫形成。因此，電晶體可直接形成於具有低耐熱性 之基板上，諸如塑料基板或膜基板。請注意，該等化合物半導體或氧化物半導體不僅可用於電晶體之通道部分，亦用於其他應用。例如，該等化合物半導體或氧化物半導體可用於佈線、電阻器、像素電極、透光電極等。由於該等元件可同時形成作為電晶體，成本可減少。

請注意，例如藉由噴墨或印刷形成之電晶體等可用作電晶體。因而，電晶體可於室溫形成、可於低真空形成、或可使用大基板形成。因此，可形成電晶體而不需遮罩(光罩)，使得電晶體之佈局可輕易改變。另一方面，由於可形成電晶體而未使用抗蝕劑，材料成本減少，並可減少步驟數量。另一方面，由於可於需要處形成膜，相較於在整個表面上形成膜之後執行蝕刻之製造方法，不浪費材料，使得可減少成本。

請注意，例如包括有機半導體或碳奈米管之電晶體等可用作電晶體。因而，該等電晶體可形成於彈性基板之上。使用該等電晶體形成之半導體裝置可耐震。

請注意，具各種不同結構之電晶體可用作電晶體。例如，MOS電晶體、接面電晶體、雙極電晶體等可用作電晶體。藉由使用MOS電晶體作為電晶體，電晶體之尺寸可減少。因而，可安裝複數電晶體。藉由使用雙極電晶體作為電晶體，可流動大電流量。因而，可以高速操作電路。請注意，MOS電晶體及雙極電晶體可形成於一基板之上。因而，可達成電力消耗減少、尺寸減少、高速作業等。

例如，具有二或更多閘極電極之多閘結構的電晶體可用作電晶體。基於多閘結構，因為通道區係串聯連接，配置複數電晶體串聯連接之結構。因而，基於多閘結構，可減少關閉狀態電流量，並可增加電晶體之耐受電壓(可改進可靠性)。另一方面，基於多閘結構，當電晶體於飽和區中操作時，甚至當汲極-源極電壓波動，汲極-源極電流未極大波動，使得可獲得電壓-電流特性之緩坡。藉由利用電壓-電流特性緩坡，可體現理想電流源電路或具有極大電阻值之有源負載。因此，可體現具有極佳屬性之差動電路、電流鏡電路等。

請注意，例如具閘極電極形成於通道以上及以下之結構的電晶體可用作電晶體。基於閘極電極形成於通道以上及以下之結構，配置複數電晶體並聯連接之電路結構。因而，通道區增加，使得電流量可增加。另一方面，基於閘極電極形成於通道以上及以下之結構，可輕易形成空乏層，使得可改進亞閾擺動。

請注意，例如具閘極電極形成於通道區以上之結構、閘極電極形成於通道區以下之結構、交錯結構之結構、反向交錯結構之結構、通道區劃分為複數區域之結構、通道區並聯或串聯連接之結構等之電晶體可用作電晶體。

請注意，例如具源極電極或汲極電極與通道區(或其部分)重疊之結構之電晶體可用作電晶體。基於源極電極或汲極電極與通道區(或其部分)重疊之結構，可避免因部分通道區中電荷累積之不穩定作業。

請注意，例如具配置LDD區域之結構之電晶體可用作電晶體。藉由配置LDD區域，關閉狀態電流量可減少，或電晶體之耐受電壓可增加(可改進可靠性)。另一方面，藉由配置LDD區域，當電晶體於飽和區中操作時，甚至當汲極-源極電壓波動，汲極-源極電流未極大波動，使得可獲得電壓-電流特性之緩坡。

請注意，可使用各種基板形成電晶體，不侷限於某類型。有關基板，可使用例如半導體基板(例如，單晶基板或矽基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、金屬基板、不鏽鋼基板、包括不鏽鋼箔之基板、鎢基板、包括鎢箔之基板、彈性基板、附著膜、包括纖維材料之紙、基底材料膜等。有關玻璃基板，可使用例如鋇硼矽酸鹽玻璃基板、鋁硼矽酸鹽玻璃基板、鈉鈣玻璃基板等。對於彈性基板而言，可使用例如彈性合成樹脂，諸如以聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、或聚硫醚(PES)為代表之塑料，或丙烯酸。對於附著膜而言，可使用例如聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、聚氯乙烯等。對於基底材料膜而言，可使用例如聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、無機蒸氣沈積膜、紙等。尤其，藉由使用半導體基板(例如單晶基板)、SOI基板等形成之電晶體，可形成具較少特性、尺寸、形狀等變化、具高電流供應能力、及具小尺寸之電晶體。藉由使用該等電晶體形成之電路，電路之電力消耗可減少，或電路可高度整合。

請注意，可使用一基板形成電晶體，接著電晶體可轉移至另一基板。除了其上可形成電晶體之以上基板外，紙基板、玻璃紙基板、石基板、木基板、布基板(包括天然纖維(例如，絲、棉、或麻)、合成纖維(例如，尼龍、聚氨酯、或聚酯)、再生纖維(例如，醋酸纖維、彭帛、人造絲、或再生聚酯)等)、皮基板、橡膠基板等，可用作供電晶體轉移之基板。藉由使用該等基板，可形成具極佳屬性之電晶體或具低電力消耗之電晶體、可配置具高耐久性及高耐熱性之裝置、或可達成重量或厚度減少。

請注意，可使用相同基板(例如，玻璃基板、塑料基板、單晶基板、或SOI基板)形成需體現預定功能之所有電路。因而，藉由減少組件數量可減少成本，或藉由減少至電路組件之連接數量可改進可靠性。

請注意，無法形成需於相同基板之上體現預定功能之所有電路。即，可使用一基板形成需體現預定功能之一些電路，及可使用另一基板形成需體現預定功能之一些電路。例如，可使用玻璃基板形成需體現預定功能之一些電路，及可使用單晶基板(或SOI基板)形成需體現預定功能之一些電路。其上為需體現預定功能之一些電路的單晶基板(該等基板亦稱為IC晶片)可藉由COG(玻璃上晶片)連接至玻璃基板，且IC晶片可配置於玻璃基板之上。另一方面，IC晶片可藉由TAB(帶自動接合)、COF(膜上晶片)、SMT(表面安裝技術)、印刷電路板等連接至玻璃基板。當以此方式使用與像素部相同基板而 形成一些電路時，藉由減少組件數量可減少成本，或藉由減少至電路組件之連接數量可改進可靠性。尤其，於許多狀況下消耗大量電力之具高驅動電壓之電路、具高驅動頻之電路等。因而，該等電路係使用與其上形成像素部之基板(例如單晶基板)不同之基板而予形成，並形成IC晶片。基於IC晶片，可避免電力消耗增加。

例如，一像素為可控制其明度之一元件。例如，一像素為單色元件並以單色元件表示明度。因而，若為具有R(紅)、G(綠)、及B(藍)色元件之彩色顯示裝置，影像之最小單元包括三像素：R像素、G像素、及B像素。請注意，彩色元件不侷限於三色，並可使用三色以上之彩色元件，或可使用非R、G、及B之顏色。例如，藉由附加白色而可使用R、G、B、及W(W對應於白色)。另一方面，例如黃、青綠、紅紫、翠綠、朱紅等一或更多色可附加於R、G、及B。另一方面，類似於R、G、及B之至少之一的顏色可附加於R、G、及B。例如，可使用R、G、B1、及B2。儘管B1及B2二者為藍，其具有略微不同波長。類似地，可使用R1、R2、G、及B。藉由使用該等彩色元件，可執行更接近真實目標之顯示，並可減少電力消耗。

請注意，若使用複數區域控制單色元件之明度，一區域可對應於一像素。例如，當執行面積比灰階顯示或包括子像素時，有時控制明度之複數區域係配置於每一彩色元件，並以整個區域表示層次。在此狀況下，控制明度之一 區域可對應於一像素。即，單色元件包括複數像素。請注意，甚至當控制明度之複數區域配置於單色元件中時，可統稱為一像素。在此狀況下，單色元件包括一像素。請注意，若使用複數區域控制單色元件之明度，有助於顯示之區域可依據像素而具有不同尺寸。在控制每一彩色元件之明度的複數區域中，供應至複數區域之信號可彼此略微不同，使得視角可變寬。換言之，每一彩色元件之複數區域中像素電極之電位可彼此不同。因此，施加於液晶分子之電壓可依據像素電極而異。因而，視角可變寬。

請注意，「一像素(針對三色)」之明確說明對應於R、G、及B之三像素被視為一像素之狀況。「一像素(針對單色)」之明確說明對應於複數區域配置於每一彩色元件中且視為一像素之狀況。

例如，像素可以矩陣配置(排列)。此處，像素以矩陣配置(排列)之說明包括沿縱向或橫向，像素以直線排列之狀況，及像素以鋸齒線排列之狀況。因而，例如當以三彩色元件(例如，R、G、及B)執行全彩顯示時，包括下列狀況：像素以條狀排列之狀況、三彩色元件之點以三角排列之狀況、三彩色元件之點配置於拜耳佈置之狀況、及三彩色元件之點配置於鑲嵌圖樣之狀況。請注意，顯示區域之尺寸於彩色元件之點之間可不同。因而，電力消耗可減少，顯示元件之壽命可延長。

請注意，可使用主動元件包括於像素中之主動矩陣方法，或主動元件未包括於像素中之被動矩陣方法。

在主動矩陣方法中，有關主動元件(非線性元件)，不僅電晶體，亦可使用各種主動元件(非線性元件)。例如，亦可使用MIM(金屬絕緣體金屬)、TFD(薄膜二極體)等。由於該等元件具有少量製造步驟，可減少製造成本，或可改進產量。另一方面，由於元件之尺寸小，可改進孔徑比，使得可減少電力消耗，或可達成較高亮度。

有關非主動矩陣方法之方法，可使用其中未使用主動元件(非線性元件)之被動矩陣方法。由於未使用主動元件(非線性元件)，製造步驟數量少，使得可減少製造成本，或可改進產量。另一方面，由於未使用主動元件(非線性元件)，例如可改進孔徑比，使得可減少電力消耗，或可達成較高亮度。

例如，電晶體為具有至少三端子之元件：閘極、汲極、及源極。此外，電晶體具有汲極(汲極端子、汲極區、或汲極電極)與源極(源極端子、源極區、或源極電極)之間之通道區，且電流可流經汲極區、通道區、及源極區。此處，由於電晶體之源極及汲極依據電晶體之結構、操作狀況等而改變，難以定義何者為源極或汲極。因而，充當源極之部分或充當汲極之部分有時並不稱為源極或汲極。在此狀況下，例如源極及汲極之一可稱為第一端子、第一電極、或第一區域，及源極及汲極之另一者可稱為第二端子、第二電極、或第二區域。

請注意，電晶體可為具有至少三端子之元件：基極、射極、及集極。亦在此狀況下，例如射極及集極之一可稱 為第一端子、第一電極、或第一區域，及射極及集極之另一者可稱為第二端子、第二電極、或第二區域。請注意，若雙極電晶體用作電晶體，用語「閘極」可以用語「基極」替換。

例如，閘極對應於全部或一些閘極電極及閘極佈線(亦稱為閘極線、閘極信號線、掃描線、掃描信號線等)。閘極電極對應於部分導電膜，其與形成通道區之半導體重疊，且閘極絕緣膜插於其間。請注意，部分閘極電極可與LDD(略微摻雜汲極)區域或源極區(或汲極區)重疊，且閘極絕緣膜插於其間。閘極佈線對應於與電晶體之閘極電極彼此連接之佈線、與像素之閘極電極彼此連接之佈線、或使閘極電極連接另一佈線之佈線。

請注意，存在充當閘極電極及閘極佈線二者之部分(區域、導電膜、佈線等)。該等部分(區域、導電膜、佈線等)可稱為閘極電極或閘極佈線。即，存在一區域，其中閘極電極及閘極佈線彼此無法清楚區分。例如，若通道區與部分延伸之閘極佈線重疊，重疊部分(區域、導電膜、佈線等)充當閘極佈線及閘極電極二者。因而，該等部分(區域、導電膜、佈線等)可稱為閘極電極或閘極佈線。

請注意，使用與閘極電極相同材料形成之部分(區域、導電膜、佈線等)形成與閘極電極相同之島，連接至閘極電極，並可稱為閘極電極。類似地，使用與閘極佈線相同材料形成之部分(區域、導電膜、佈線等)形成與閘 極佈線相同之島，連接至閘極佈線，並可稱為閘極佈線。嚴格說來，該等部分(區域、導電膜、佈線等)未與通道區重疊，或有時不具有連接閘極電極至另一閘極電極之功能。然而，存在一部分(區域、導電膜、佈線等)，其使用與閘極電極或閘極佈線相同材料形成與閘極電極或閘極佈線相同之島，且因為製造中規格等而連接至閘極電極或閘極佈線。因而，該等部分(區域、導電膜、佈線等)可稱為閘極電極或閘極佈線。

例如，在多閘電晶體中，例如閘極電極通常藉由使用與閘極電極相同材料形成之導電膜而連接至另一閘極電極。由於該等部分(區域、導電膜、佈線等)為使閘極電極連接至另一閘極電極之部分(區域、導電膜、佈線等)，因為多閘電晶體可視為一電晶體，該部分可稱為閘極佈線，或該部分可稱為閘極電極。即，使用與閘極電極或閘極佈線相同材料形成之部分(區域、導電膜、佈線等)形成與閘極電極或閘極佈線相同之島，連接至閘極電極或閘極佈線，並可稱為閘極電極或閘極佈線。此外，有關另一範例，部分導電膜連接閘極電極及閘極佈線，係使用與閘極電極或閘極佈線不同材料形成，並可稱為閘極電極或閘極佈線。

請注意，閘極端子對應於電連接至閘極電極之部分閘極電極部分(區域、導電膜、佈線等)，或部分閘極佈線部分(區域、導電膜、佈線等)。

若佈線稱為閘極佈線、閘極線、閘極信號線、掃描 線、掃描信號線等，有時電晶體之閘極未連接至佈線。在此狀況下，閘極佈線、閘極線、閘極信號線、掃描線、或掃描信號線有時對應於以與電晶體之閘極相同層形成之佈線、使用與電晶體之閘極相同材料形成之佈線、或與電晶體之閘極同時形成之佈線。範例為儲存電容器、電源線、及參考電位供應線之佈線。

源極對應於所有或一些源極區、源極電極、及源極佈線(亦稱為源極線、源極信號線、資料線、資料信號線等)。源極區對應於包含大量p型雜質(例如，硼或鎵)或n型雜質(例如，磷或砷)之半導體區域。因此，源極區中鮮少包括包含少量p型雜質或n型雜質之區域，即LDD(略微摻雜汲極)區域。源極電極為使用與源極區不同材料形成之部分導電層，並電連接至源極區。請注意，有時源極電極及源極區統稱為源極電極。源極佈線對應於使電晶體之源極電極彼此連接之佈線、使像素之源極電極彼此連接之佈線、或使源極電極連接至另一佈線之佈線。

然而，存在充當源極電極及源極佈線二者之部分(區域、導電膜、佈線等)。該等部分(區域、導電膜、佈線等)可稱為源極電極或源極佈線。即，存在一區域，其中源極電極及源極佈線彼此無法清楚區分。例如，若通道區與部分延伸之源極佈線重疊，重疊部分(區域、導電膜、佈線等)充當源極佈線及源極電極二者。因而，該等部分(區域、導電膜、佈線等)可稱為源極電極或源極佈線。

請注意，使用與源極電極相同材料形成之部分(區 域、導電膜、佈線等)形成與源極電極相同之島，並連接至源極電極；連接源極電極及其他源極電極之部分(區域、導電膜、佈線等)；或與源極區重疊之部分可稱為源極電極。類似地，使用與源極佈線相同材料形成之區域形成與源極佈線相同之島，連接至源極佈線，並可稱為源極佈線。嚴格說來，該等部分(區域、導電膜、佈線等)有時不具有連接源極電極至另一源極電極之功能。然而，存在一部分(區域、導電膜、佈線等)，其使用與源極電極或源極佈線相同材料形成與源極電極或源極佈線相同之島，且因為製造中規格等而連接至源極電極或源極佈線。因而，該等部分(區域、導電膜、佈線等)可稱為源極電極或源極佈線。

例如，部分導電膜連接源極電極及源極佈線，係使用與源極電極或源極佈線不同材料形成，並可稱為源極電極或源極佈線。

源極端子對應於電連接至源極電極之部分源極區、部分源極電極、或部分源極佈線部分(區域、導電膜、佈線等)。

若佈線稱為源極佈線、源極線、源極信號線、資料線、資料信號線等，有時電晶體之源極(汲極)未連接至佈線。在此狀況下，源極佈線、源極線、源極信號線、資料線、或資料信號線有時對應於以與電晶體之源極(汲極)相同層形成之佈線、使用與電晶體之源極(汲極)相同材料形成之佈線、或與電晶體之源極(汲極)同時形成 之佈線。範例為儲存電容器、電源線、及參考電位供應線之佈線。

請注意，相同可應用於汲極。

例如，半導體裝置對應於具有包括半導體元件(例如，電晶體、二極體、或閘流體)之電路的裝置。半導體裝置亦可對應於可藉由利用半導體特性而作動之所有裝置及具有半導體材料之所有裝置。

請注意，顯示裝置對應於具有顯示元件之裝置。顯示裝置可包括各具有顯示元件之複數像素。請注意，顯示裝置可包括用於驅動複數像素之週邊驅動器電路。可使用與複數像素相同基板，而形成用於驅動複數像素之週邊驅動器電路。顯示裝置包括藉由引線接合或凹凸接合，即藉由玻璃上晶片(COG)連接之IC晶片或藉由TAB連接之IC晶片等，而配置於基板之上之週邊驅動器電路。顯示裝置可包括IC晶片、電阻器、電容器、電感器、電晶體等附著之軟性印刷電路(FPC)。請注意，顯示裝置包括經由軟性印刷電路(FPC)而連接，且IC晶片、電阻器、電容器、電感器、電晶體等附著之印刷佈線板(PWB)。顯示裝置可包括諸如偏光板或遲延板之光學薄片。顯示裝置可包括照明裝置、外殼、音頻輸入及輸出裝置、光感測器等。

請注意，照明裝置可包括背光單元、光導板、稜鏡薄片、擴散薄片、反射薄片、光源(例如，LED或冷陰極螢光燈)、冷卻裝置(例如，水冷卻裝置或空氣冷卻裝置) 等。

請注意，發光裝置對應於具有發光元件等之裝置。若發光裝置包括發光元件作為顯示元件，發光裝置為顯示裝置之一特定範例。

請注意，反射裝置對應於具有反光元件、光衍射元件、反光電極等之裝置。

請注意，液晶顯示裝置對應於包括液晶元件之顯示裝置。液晶顯示裝置包括直視式液晶顯示器、投射式液晶顯示器、透射式液晶顯示器、反射式液晶顯示器、半透射式液晶顯示器等。

請注意，驅動裝置對應於具有半導體元件、電路、或電子電路之裝置。例如，控制從源極信號線輸入像素之信號之電晶體(亦稱為選擇電晶體、切換電晶體等)、供應電壓或電流至像素電極之電晶體、供應電壓或電流至發光元件之電晶體等為驅動裝置之範例。供應信號至閘極信號線之電路(亦稱為閘極驅動器、閘極線驅動器電路等)、供應信號至源極信號線之電路(亦稱為源極驅動器、源極線驅動器電路等)等亦為驅動裝置之範例。

請注意，顯示裝置、半導體裝置、照明裝置、冷卻裝置、發光裝置、反射裝置、驅動裝置等，有時彼此重疊。例如，顯示裝置有時包括半導體裝置及發光裝置。另一方面，半導體裝置有時包括顯示裝置及驅動裝置。

請注意，當明確說明「X及Y連接」時，「X及Y電連接」之狀況、「X及Y功能上連接」之狀況、及「X及 Y直接連接」之狀況均包括於其中。此處，每一X及Y為目標(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、或層)。因此，另一元件可插於具有圖式及正文中所描繪之連接關係之元件之間，而不侷限於預定連接關係，例如圖式及正文中所描繪之連接關係。

例如，若X及Y係電連接，啟動X及Y之間之電連接的一或更多元件(例如，開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、及/或二極體)可連接至X及Y之間。

例如，若X及Y係功能上連接，啟動X及Y之間之功能上連接的一或更多電路(例如，邏輯電路，諸如反向器、NAND電路、或NOR電路；信號轉換器電路，諸如DA轉換器電路、AD轉換器電路、或伽瑪校正電路；電位位準轉換器電路，諸如電源電路(例如，直流-直流轉換器、遞增直流-直流轉換器、或遞減直流-直流轉換器)、或位準移位器電路以改變信號之電位位準；電壓源極；電流源極；切換電路；放大器電路，諸如可增加信號振幅、電流量等之電路、運算放大器、差動放大器電路、源極隨耦電路、或緩衝器電路；信號產生電路；記憶體電路；及/或控制電路)可連接至X及Y之間。請注意，例如若信號從X輸出並傳送至Y，甚至當另一電路插於X及Y之間，X及Y為功能上連接。

請注意，當明確說明「X及Y電連接」時，「X及Y連接」之狀況(即X及Y連接且另一元件或另一電路插於其間之狀況)、「X及Y功能上連接」之狀況(即X 及Y功能上連接且另一電路插於其間之狀況)、及「X及Y直接連接」之狀況(即X及Y連接且無另一元件或另一電路插於其間之狀況)均包括於其中。即，當明確說明「X及Y電連接」時，說明與明確說明「X及Y連接」之狀況相同。

請注意，當明確說明「Y形成於X上」或「Y形成於X之上」時，並非必然意即Y經形成而直接接觸X。說明包括X及Y未彼此直接接觸之狀況，即另一目標插於X及Y之間之狀況。此處，每一X及Y為目標(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、或層)。

因此，例如當明確說明「層Y形成於層X上(或之上)」時，包括層Y經形成而直接接觸層X之狀況，及另一層(例如層Z)經形成而直接接觸層X且層Y經形成而直接接觸層Z之狀況。請注意，另一層(例如層Z)可為單層或複數層(堆疊層)。

以類似方式，當明確說明「Y形成於X以上」時，並非必然意即Y經形成而直接接觸X，且另一目標可插於其間。因而，例如當說明「層Y形成於層X以上」時，包括層Y經形成而直接接觸層X之狀況，及另一層(例如層Z)經形成而直接接觸層X且層Y經形成而直接接觸層Z之狀況。請注意，另一層(例如層Z)可為單層或複數層(堆疊層)。

請注意，當明確說明「Y形成於X上」、「Y形成於X之上」、或「Y形成於X以上」時，包括Y係傾斜地形 成於X之上/以上。

請注意，當明確說明「Y形成於X之下」、或「Y形成於X以下」時，適於相同論述。

請注意，當目標係明確地以單數形式說明時，目標較佳地為單數。請注意，本發明不侷限於此，且目標可為複數。以類似方式，當目標係明確地以複數形式說明時，目標較佳地為複數。請注意，本發明不侷限於此，且目標可為單數。

請注意，用語諸如「第一」、「第二」、「第三」等用於相互區分各種元件、構件、區域、層、及面積。因此，用語諸如「第一」、「第二」、「第三」等不侷限於元件、構件、區域、層、面積等之數量。此外，例如，用語「第一」可以用語「第二」、「第三」等替代。

例如，用於說明空間佈局之用語，諸如「之上」、「以上」、「之下」、「以下」、「橫向」、「右」、「左」、「傾斜」、「之後」、「之前」、「內部」、「外部」、及「之中」通常用於參照圖式而簡短顯示元件與另一元件之間或特徵與另一特徵之間之關係。請注意，本發明之實施例不侷限於此，且用於說明空間佈局之該等用語不僅可表示圖中所描繪之方向，亦可表示另一方向。例如，當明確說明「Y在X之上」時，並非必然意即Y係置於X之上，並可包括Y置於X之下之狀況，因為圖中裝置可反向或轉動180°。因此，「之上」除了「之上」說明之方向外，可指「之下」說明之方向。請注意，本發 明之實施例不侷限於此，且除了「之上」及「之下」說明之方向外，「之上」可指「橫向」、「右」、「左」、「傾斜」、「之後」、「之前」、「內部」、「外部」、及「之中」說明之其他方向，因為圖中裝置可以各種方向轉動。即，用於說明空間佈局之用語可依據情況而適當解譯。

請注意，在一實施例中所說明之圖或正文中，取出部分圖或正文，而可組建本發明可之一實施例。因而，若說明有關某部分之圖或正文，從部分圖或正文取出之上下文亦揭露為本發明之一實施例，並可組建本發明可之一實施例。因此，例如在圖(例如，截面圖、平面圖、電路圖、方塊圖、流程圖、程序圖、透視圖、立方圖、佈局圖、時序圖、結構圖、示意圖、圖表、列表、射線圖、向量圖、相位圖、波形圖、相片、或化學方程式)或正文中，說明一或更多主動元件(例如，電晶體或二極體)、佈線、被動元件(例如，電容器或電阻器)、導電層、絕緣層、半導體層、有機材料、無機材料、組件、基板、模組、裝置、固體、液體、氣體、操作方法、製造方法等，取出部分圖或正文，並可組建本發明之一實施例。例如，從其中配置N項電路元件(例如，電晶體或電容器)(N為整數)之電路圖中取出M項電路元件(例如，電晶體或電容器)(M為整數，其中M<N)，並可組建本發明之一實施例。有關另一範例，從其中配置N項層(N為整數)之截面圖中取出M項層(M為整數，其中M<N)，並 可組建本發明之一實施例。有關另一範例，從其中配置N項元件(N為整數)之流程圖中取出M項元件(M為整數，其中M<N)，並可組建本發明之一實施例。

請注意，在一實施例中所說明之圖或正文中，若說明至少一特定範例，熟悉本技藝之人士將輕易理解可獲得特定範例之更廣泛概念。因此，在一實施例中所說明之圖或正文中，若說明至少一特定範例，便揭露特定範例之更廣泛概念作為本發明之一實施例，並可組建本發明之一實施例。

請注意，揭露至少圖(或部分圖)中所說明之內容作為本發明之一實施例，並可組建本發明之一實施例。因此，當圖中說明某內容時，甚至當未以正文說明內容時，內容被揭露作為本發明之一實施例，並可組建本發明之一實施例。以類似方式，從圖中取出之部分圖被揭露作為本發明之一實施例，並可組建本發明之一實施例。

本申請案係依據2010年7月1日向日本專利處提出申請之序號2010-151026日本專利申請案，其整個內容係以提及方式併入本文。

100、101‧‧‧電極

102‧‧‧層

103‧‧‧分散劑

104‧‧‧微膠囊

105‧‧‧正充電粒子

106‧‧‧負充電粒子

109‧‧‧電場

110‧‧‧絕緣膜

Claims (12)

1. 一種顯示裝置，包含：基板；各在該基板上之第一半導體層與第二半導體層；該第一半導體層與該第二半導體層上之第一絕緣膜；該第一絕緣膜上之第二絕緣膜；第一電極，在該第二絕緣膜上且電連接至該第一半導體層；第二電極，在該第二絕緣膜上且電連接至該第二半導體層；該第一電極與該第二電極上之第三絕緣膜；第三電極，在該第三絕緣膜上且電連接至該第一電極；第四電極，在該第三絕緣膜上且電連接至該第二電極；該第三絕緣膜、該第三電極、以及該第四電極上之層，該層包含膠囊；以及該層上之第五電極，其中，該第一電極與該第三電極及該第四電極重疊。
2. 一種顯示裝置，包含：基板；各在該基板上之第一半導體層與第二半導體層；該第一半導體層與該第二半導體層上之第一絕緣膜；該第一絕緣膜上之導電層； 該第一絕緣膜與該導電層上之第二絕緣膜；第一電極，與該導電層重疊且其間夾置有該第二絕緣膜，且電連接至該第一半導體層；第二電極，在該第二絕緣膜上且電連接至該第二半導體層；該第一電極與該第二電極上之第三絕緣膜；該第三絕緣膜上之第三電極與第四電極，其中，該第三電極與該第四電極分別電連接至該第一電極與該第二電極；該第三絕緣膜、該第三電極、以及該第四電極上之層，該層包含膠囊；以及該層上之第五電極，其中，該第一電極與該第三電極及該第四電極重疊。
3. 如申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，包含：第一閘極電極，與該第一半導體層重疊且其間夾置有該第一絕緣膜；以及第二閘極電極，與該第二半導體層重疊且其間夾置有該第一絕緣膜，其中，該第二絕緣膜在該第一閘極電極與該第二閘極電極上。
4. 如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該導電層與該第一半導體層係以夾置於其間的該第一絕緣膜而彼此重疊。
5. 一種顯示裝置，包含： 基板；該基板上之第一閘極電極與第二閘極電極；該第一閘極電極與該第二閘極電極上之第一絕緣膜；第一半導體層，在該第一閘極電極上且其間夾置有該第一絕緣膜；第二半導體層，在該第二閘極電極上且其間夾置有該第一絕緣膜；第一導電層，在該第一半導體層與該第一絕緣膜上且電連接至該第一半導體層；該第一半導體層、該第二半導體層、以及該第一導電層上之第二絕緣膜；第一電極，在該第二絕緣膜上且電連接至該第一導電層；第二電極，在該第二絕緣膜上且電連接至該第二半導體層；該第二絕緣膜、該第一電極、以及該第二電極上之層，該層包含膠囊；以及該層上之第五電極，其中，該第一導電層與該第一電極及該第二電極重疊。
6. 如申請專利範圍第5項之顯示裝置，包含該基板上之第二導電層，其中，該第一導電層與該第二導電層係以夾置於其間的該第一絕緣膜而彼此重疊。
7. 如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中該第一 導電層係與該第一半導體層接觸。
8. 如申請專利範圍第1、2及5項中任一項之顯示裝置，其中該第一半導體層與該第二半導體層各包含矽。
9. 如申請專利範圍第1、2及5項中任一項之顯示裝置，其中該第一半導體層與該第二半導體層各包含氧化物半導體。
10. 如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該氧化物半導體包含銦、鋅及氧。
11. 如申請專利範圍第10項之顯示裝置，其中該氧化物半導體包含鎵。
12. 如申請專利範圍第1、2及5項中任一項之顯示裝置，其中該膠囊包含充電粒子。