CN114256309A - 显示设备 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示设备。所述显示设备包括：基底；组件区域，布置在基底之上，组件区域包括第一组件区域和第二组件区域，第一组件区域包括多个第一像素组和布置在第一像素组之间的第一透射区域，第二组件区域包括多个第二像素组和布置在第二像素组之间的第二透射区域；主显示区域，布置在基底之上，主显示区域包括主显示元件和分别连接到主显示元件的主像素电路；以及组件，布置在组件区域中。第一透射区域的平面形状可以与第二透射区域的平面形状不同。

Description

显示设备

本申请要求于2020年9月24日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2020-0123993号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及一种设备，更具体地，涉及一种显示设备。

背景技术

移动电子设备被广泛地使用。例如，小型电子设备(例如，移动电话)和较大型电子设备(例如，平板个人计算机(PC))最近已经被广泛地使用。

为了支持各种功能，移动电子设备包括向用户提供诸如图像的视觉信息的显示设备。最近，因为用于驱动显示设备的部件已经被小型化，所以显示设备在电子设备中的比例已经逐渐地增大。此外，可以相对于平坦状态弯曲设定或预定角度的结构也在开发中。

发明内容

通常，显示设备可以包括各种组件。组件可以布置在显示面板下方，使得图像可以显示在显示面板的与组件对应的区域中，因此，图像可以显示在整个显示面板上。在这种情况下，被组件接收的数据可以通过显示面板的像素之间的区域入射到组件上或被组件接收。在这种情况下，会发生失真。一个或更多个实施例的方面涉及一种其中数据(例如，精确数据)可以在被组件感测或接收的数据的失真减少的情况下被保护的显示设备。

附加的方面将在下面的描述中部分地阐明，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过公开的给出的实施例的实践来获知。

根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底；组件区域，布置在基底之上，组件区域包括第一组件区域和第二组件区域，第一组件区域包括多个第一像素组和布置在多个第一像素组之间的第一透射区域，第二组件区域包括多个第二像素组和布置在多个第二像素组之间的第二透射区域，其中，多个第一像素组包括第一辅助显示元件和分别连接到第一辅助显示元件的第一辅助像素电路，并且其中，多个第二像素组包括第二辅助显示元件和分别连接到第二辅助显示元件的第二辅助像素电路；主显示区域，布置在基底之上，主显示区域包括主显示元件和分别连接到主显示元件的主像素电路；以及组件，布置在组件区域中，其中，第一透射区域的平面形状与第二透射区域的平面形状不同。

第一透射区域的平面形状可以包括拐角。

第二透射区域的平面形状可以是圆形的或椭圆形的。

显示设备还可以包括布置在基底之上的底部金属层，底部金属层限定第一透射区域和第二透射区域。

底部金属层可以包括与第一透射区域和第二透射区域对应的孔。

第一组件区域可以布置在第二组件区域内部。

显示设备还可以包括电连接到第一辅助像素电路和第二辅助像素电路中的至少一个的布线。

布线可以布置为避开第一透射区域和第二透射区域。

显示设备还可以包括布置在基底之上的光学功能层，光学功能层限定多个第一像素组、多个第二像素组、第一透射区域和第二透射区域。

根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底；组件区域，布置在基底之上，组件区域包括多个像素组和多个区域，多个像素组包括辅助显示元件和分别连接到辅助显示元件的辅助像素电路，其中，多个区域包括布置在多个像素组之间的多个透射区域；主显示区域，布置在基底之上，主显示区域包括主显示元件和分别连接到主显示元件的主像素电路；以及组件，布置在组件区域中，其中，多个透射区域之中的一透射区域的形状与多个透射区域之中的另一透射区域的形状不同。

多个透射区域之中的每个透射区域的平面形状可以根据距组件的中心的距离而不同。

多个透射区域之中的布置在组件的中心处的透射区域的平面形状可以包括拐角。

多个透射区域之中的靠近组件的中心的透射区域的平面形状可以是多边形的，并且多个透射区域之中的布置在组件区域的最外部处的透射区域的平面形状可以是圆形的或椭圆形的。

多个透射区域之中的每个透射区域的平面形状的边缘可以从组件的中心朝向组件区域的最外部增大。

显示设备还可以包括电连接到辅助像素电路的布线。

布线可以布置为避开多个透射区域。

显示设备还可以包括布置在基底之上的光学功能层，光学功能层限定多个像素组和多个透射区域。

光学功能层可以包括：基体层；滤色器，布置在基体层上；以及黑矩阵，布置在滤色器之间，黑矩阵与多个像素组和多个透射区域之间的区域对应。

多个透射区域的面积在组件区域的各个位置处可以彼此不同。

组件可以包括相机。

通过以下实施例的详细描述、附图和权利要求，这些和/或其它方面将变得明显且更容易地理解。

附图说明

通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加明显，在附图中：

图1是根据实施例的显示设备的透视图；

图2是图1中所示的显示设备的分解透视图；

图3是根据实施例的显示面板的平面图；

图4是图3中所示的显示面板的剖视图；

图5是根据另一实施例的显示面板的平面图；

图6是图5中所示的显示面板的剖视图；

图7A至图7C是根据实施例的显示设备的剖视图；

图8是根据另一实施例的显示面板的平面图；

图9A和图9B是根据实施例的驱动子像素的像素电路的等效电路图；

图10是根据实施例的显示面板的主显示区域中的像素布置结构的布置图；

图11A至图11D是根据实施例的显示面板的组件区域中的像素布置结构的布置图；

图12A和图12B是根据实施例的组件区域的第一组件区域中的底部金属层的形状的平面图；

图13A和图13B是根据实施例的组件区域的第二组件区域中的底部金属层的形状的平面图；

图14是根据实施例的显示面板的一部分的剖视图；

图15是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；

图16是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；

图17是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；

图18A是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；

图18B是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；

图18C是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；

图18D是根据另一实施例的显示面板的一部分的剖视图；

图19是根据实施例的显示面板的子像素和布线的布置关系的平面图；

图20是根据实施例的显示面板的子像素和布线的布置关系的平面图；

图21是沿着图20的线V-V'截取的子像素和布线的剖视图；

图22是根据另一实施例的显示面板的平面图；以及

图23是布置在图22中所示的第一组件区域、第二组件区域和第三组件区域中的透射区域的平面形状的平面图。

具体实施方式

现在将更详细地参照实施例，实施例的示例示出在附图中，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述实施例，以解释本描述的实施例的方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或者它们的变型。

由于本公开允许不同地改变和许多实施例，因此将在附图中示出且在书面描述中描述某些实施例。将参照以下参照附图更详细地描述的实施例来阐明公开的效果和特征及其实现方法。然而，公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实施。

在下文中，将参照附图描述实施例，其中，同样的附图标记始终指同样的元件，并且省略其重复描述。

还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，当在描述本公开的实施例时，“可以(可)”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。

虽然诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种组件，但是这样组件不必限于以上术语。以上术语用于将一个组件与另一组件区分开。

除非上下文另有明确说明，否则如在此所使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。

将理解的是，如在此所使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除添加一个或更多个其它特征或组件。

还将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一层、区域或组件时，它可以直接或间接在所述另一层、区域或组件上、直接或间接连接或者直接或间接结合到所述另一层、区域或组件。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。

为了便于解释，可以夸大或缩小附图中的元件的尺寸。例如，因为为了便于解释而任意地示出附图中的元件的尺寸和厚度，所以公开不限于此。

在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”、“底部”、“顶部”等的空间相对术语，来描述如附图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的除了附图中描绘的方位以外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并且应相应地解释在此所使用的空间相对描述语。

如在此所使用的，术语“基本上”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。

除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义来解释，除非在此被明确地这样定义。

在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

当可以不同地实现实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行某个工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。

图1是根据实施例的显示设备1的透视图。图2是图1中所示的显示设备1的分解透视图。

参照图1和图2，显示设备1可以包括用于显示运动图像或静态图像的设备，并且可以用作各种合适的产品的显示屏幕，所述各种合适的产品包括电视、笔记本计算机、监视器、广告板、物联网(IOT)设备以及包含移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子管理器、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航和/或超移动个人计算机(UMPC)的便携式电子设备。另外，显示设备1可以用在包括智能手表、手表电话、眼镜型显示器和/或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。另外，显示设备1可以用作用于汽车的仪表盘、用于汽车的中央仪表板或布置在仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替汽车的侧镜的室内镜显示器以及布置在前座的后侧上作为用于汽车的后座的娱乐设施的显示器。

为了便于描述，图1和图2将根据实施例的显示设备1示出为智能电话作为示例。根据实施例的显示设备1包括覆盖窗50、显示面板10、显示电路板30、显示驱动器32、触摸传感器驱动器33、支架60、主电路板70、电池80和底盖90。

在说明书中，“顶部”表示覆盖窗50相对于显示面板10布置所沿的方向(例如，(+)z方向)，“底部”表示底盖90相对于显示面板10布置所沿的方向(例如，(-)z方向)。另外，“左”、“右”、“上”和“下”分别表示显示面板10的在平面图中的方向。作为示例，“左”表示(-)x方向，“右”表示(+)x方向，“上”表示(+)y方向，“下”表示(-)y方向。

显示设备1在平面图中可以具有矩形形状。作为示例，如在图1中，显示设备1可以具有矩形平面形状，所述矩形平面形状具有在第一方向(例如，x方向)上的短边和在第二方向(例如，y方向)上的长边。第一方向(例如，x方向)上的短边与第二方向(例如，y方向)上的长边交汇的边缘(edge，也被称为边)可以以设定或预定曲率倒圆或者以直角形成。显示设备1的平面形状不限于矩形，并且可以是其它合适的多边形形状、椭圆形形状或不规则形状。

覆盖窗50可以布置在显示面板10上以覆盖显示面板10。用这种构造，覆盖窗50可以保护显示面板10的顶表面。

覆盖窗50可以包括透射盖部DA50和阻光盖部NDA50，透射盖部DA50与显示面板10对应，阻光盖部NDA50与除了显示面板10之外的区域对应。阻光盖部NDA50可以包括阻挡光的不透明材料。阻光盖部NDA50可以包括在其中不显示图像的情况下用户可以看到的图案。

显示面板10可以布置在覆盖窗50下面。显示面板10可以与覆盖窗50的透射盖部DA50叠置。

显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。主显示区域MDA和组件区域CA两者是其上显示有图像的区域。组件区域CA可以是在其下方布置有组件40的区域。组件40可以是使用可见光、红外线和/或声音的传感器或相机。在实施例中，组件区域CA可以是具有比主显示区域MDA高的透光率和/或高的声音透过率的区域。在实施例中，在其中光穿过组件区域CA的情况下，透光率可以是25％或更大、30％或更大，更优选地，50％或更大、75％或更大、80％或更大、85％或更大或者90％或更大。

组件区域CA可以包括第一组件区域CA1和第二组件区域CA2。第一组件区域CA1和第二组件区域CA2可以具有各种合适的形状。作为示例，第一组件区域CA1的平面形状可以是圆形、椭圆形、多边形等。另外，第二组件区域CA2的平面形状可以是圆形、椭圆形、多边形和/或条形。在这种情况下，第二组件区域CA2可以布置在第一组件区域CA1的外围的至少一部分中。在下文中，为了便于描述，下面更详细地描述其中第一组件区域CA1布置在第二组件区域CA2内部的情况。

第一组件区域CA1和第二组件区域CA2中的至少一者可以设置为多个。换句话讲，本公开的一个或更多个实施例可以包括多个第一组件区域CA1和多个第二组件区域CA2中的至少一个。作为示例，多个第一组件区域CA1可以包括第一组件区域CA1，多个第一组件区域CA1中的每个第一组件区域CA1可以布置为与组件40对应。在这种情况下，可以仅设置一个第二组件区域CA2，各个第一组件区域CA1可以在第二组件区域CA2中彼此分开(例如，分隔开)。在另一实施例中，第一组件区域CA1和第二组件区域CA2可以均设置为多个。在这种情况下，每个第一组件区域CA1和每个第二组件区域CA2可以布置为与对应的组件40的位置对应。第二组件区域CA2可以彼此分开(例如，分隔开)。在下文中，为了便于描述，下面更详细地描述其中设置一个第一组件区域CA1和一个第二组件区域CA2的情况。

显示面板10可以是包括发光元件的发光显示面板。作为示例，显示面板10可以包括使用包括有机发射层的有机发光二极管的有机发光显示面板、使用微型发光二极管的超小型化发光二极管显示面板、使用包括量子点发射层的量子点发光二极管的量子点发光显示面板以及使用包括无机半导体的无机发光元件的无机发光显示面板。

显示面板10可以是具有强度的刚性显示面板，并且因此不容易弯曲，并且/或者显示面板10可以是柔性显示面板，并且因此容易地可弯曲、可折叠和/或卷曲。作为示例，显示面板10可以包括可以折叠或展开的可折叠显示面板、其中显示表面被弯曲的弯曲显示面板、其中除了显示表面之外的区域可以弯曲的可弯曲显示面板、可以卷曲或打开的可卷曲显示面板以及/或者可伸展的可伸展显示面板。

显示面板10可以是透明的以允许从显示面板10的顶表面观看到布置在显示面板10下方的物体或背景的透明显示面板。可选地，显示面板10可以是可以反射在显示面板10的顶表面之上或面对显示面板10的顶表面的物体或背景的反射显示面板。

第一软膜34可以附着到显示面板10的一侧处的边缘。第一软膜34的一侧可以通过使用各向异性导电膜附着到显示面板10的一侧处的边缘。第一软膜34可以是可弯曲的柔性膜。

显示驱动器32可以布置在第一软膜34上。显示驱动器32可以接收控制信号和电力电压，并且产生并输出用于驱动显示面板10的信号和电压。显示驱动器32可以包括集成电路(IC)。

显示电路板30可以附着到第一软膜34的另一侧(例如，与第一软膜34的可以附着到显示面板10的一侧处的边缘的一侧不同的一侧)。第一软膜34的另一侧可以通过使用各向异性导电膜附着到显示电路板30的顶表面。显示电路板30可以是可弯曲的柔性印刷电路板(FPCB)、不容易弯曲的刚性印刷电路板(PCB)(例如，坚固的刚性印刷电路板)或者包括刚性PCB和FPCB两者的复合印刷电路板。

触摸传感器驱动器33可以布置在显示电路板30上。触摸传感器驱动器33可以包括IC。触摸传感器驱动器33可以附着到显示电路板30。触摸传感器驱动器33可以通过显示电路板30连接(例如，电连接)到显示面板10的触摸屏层的触摸电极。

显示面板10的触摸屏层可以通过使用电阻层法和电容法中的至少一种来感测用户的触摸输入。作为示例，在其中显示面板10的触摸屏层通过使用电容法来感测用户的触摸的情况下，触摸传感器驱动器33可以通过将驱动信号施加到触摸电极的驱动电极且通过触摸电极的感测电极感测在驱动电极与感测电极之间的互电容中充入的电压来确定用户是否触摸显示面板10。用户的触摸可以包括接触触摸和接近触摸。接触触摸表示用户的手指或诸如笔的物体接触(例如，直接接触)布置在触摸屏层上的覆盖窗50。接近触摸表示用户的手指或诸如笔的物体定位为靠近覆盖窗50但与覆盖窗50分开(例如，用户的手指或诸如笔的物体悬停在覆盖窗50之上)。触摸传感器驱动器33根据感测的电压将感测数据传输到主处理器710，主处理器710可以通过分析感测数据来计算其中发生触摸输入的触摸坐标。

电源单元可以附加地布置在显示电路板30上。电源单元可以被构造为供应用于驱动显示面板10的像素、扫描驱动器和显示驱动器32的驱动电压。可选地，电源单元可以与显示驱动器32集成。在这种情况下，显示驱动器32和电源单元可以形成为一个IC。

用于支撑显示面板10的支架60可以布置在显示面板10下方。支架60可以包括塑料、金属或者塑料和金属两者。第一相机孔CMH1、电池孔BH和电缆孔CAH可以形成在支架60中，相机设备731可以插入到第一相机孔CMH1中，电池80可以布置在电池孔BH中，电缆35可以连接到显示电路板30且穿过电缆孔CAH。另外，组件孔CPH可以布置在支架60中，组件孔CPH与显示面板10的组件区域CA叠置。组件孔CPH可以在第三方向(例如，z方向或厚度方向)上与主电路板70的组件40叠置。因此，显示面板10的组件区域CA可以在第三方向(例如，z方向或厚度方向)上与主电路板70的组件40叠置。在实施例中，组件孔CPH可以不形成在支架60中。在这种情况下，支架60可以布置为在第三方向(例如，z方向或厚度方向)上不与显示面板10的组件区域CA叠置。

在实施例中，包括组件40的多个组件可以与显示面板10的组件区域CA叠置。作为示例，第一组件至第四组件(即，第一组件41、第二组件42、第三组件43和第四组件44)可以布置为与组件区域CA叠置。第一组件至第四组件41、42、43和44可以分别是接近传感器、照度传感器、虹膜传感器和相机(或图像传感器)。显示面板10的组件区域CA可以具有设定或预定的透光率。因此，使用红外线的接近传感器可以检测布置为靠近显示设备1的顶表面的物体，照度传感器可以感测入射在显示设备1的顶表面上的光的亮度。另外，虹膜传感器可以拍摄人的虹膜，所述人的虹膜布置在显示设备1的顶表面之上或面对显示设备1的顶表面，相机可以拍摄布置在显示设备1的顶表面上或面对显示设备1的顶表面的物体。与显示面板10的组件区域CA叠置的组件40不限于接近传感器、照度传感器、虹膜传感器和/或相机。各种合适的传感器可以布置在组件区域CA中。

第一组件至第四组件41、42、43和44中的一个组件可以与第一组件区域CA1对应。第一组件至第四组件41、42、43和44中的剩余组件可以与第二组件区域CA2对应。在这种情况下，第一组件至第四组件41、42、43和44中的与第一组件区域CA1对应的一个组件可以是相机。在另一实施例中，设置多个第一组件区域CA1，第一组件至第四组件41、42、43和44中的每个可以与多个第一组件区域CA1中的各个组件区域对应。

主电路板70和电池80可以布置在支架60下方。主电路板70可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。

主电路板70可以包括主处理器710、相机设备731、主连接器75和组件40。主处理器710可以包括IC。相机设备731可以布置在主电路板70的顶表面和底表面两者上。主处理器710和主连接器75可以布置在主电路板70的顶表面和底表面中的一个上。例如，如图2中所示，主处理器710和主连接器75可以布置在主电路板70的底表面上。

主处理器710可以控制显示设备1的所有功能。作为示例，主处理器710可以通过显示电路板30将数字视频数据输出到显示驱动器32，以允许显示面板10显示图像。另外，主处理器710接收来自触摸传感器驱动器33的感测数据。主处理器710可以根据感测数据来确定用户是否触摸显示面板10，并且运行与用户的直接触摸或接近触摸对应的操作。作为示例，主处理器710可以分析感测数据以计算用户的触摸坐标，然后运行由用户触摸的图标指示的应用或执行对应的操作。主处理器710可以是包括IC、中央处理单元或系统芯片的应用处理器。

相机设备731处理在相机模式期间通过图像传感器获得的诸如静态图像或运动图像的图像帧，并且将图像帧输出到主处理器710。相机设备731可以包括相机传感器(例如，电荷耦合装置(CCD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)等)、光传感器(或图像传感器)和激光传感器中的至少一个。相机设备731可以连接到与组件区域CA叠置的组件40之中的图像传感器，以处理输入到图像传感器的图像。

穿过支架60的电缆孔CAH的电缆35可以连接到主连接器75，因此，主电路板70可以连接(例如，电连接)到显示电路板30。

电池80可以使用基于磁感应的感应耦合和基于电磁共振的共振耦合中的至少一个从外部无线电力发送器接收电力。电池80可以在第三方向(例如，z方向或厚度方向)上不与主电路板70叠置。电池80可以与支架60的电池孔BH叠置。

底盖90可以布置在主电路板70和电池80下方。底盖90可以结合且固定到支架60。底盖90可以构成显示设备1的底部。底盖90可以包括塑料、金属或者塑料和金属两者。

相机设备731的底表面通过其暴露的第二相机孔CMH2可以形成在底盖90中。相机设备731的位置以及与相机设备731对应的第一相机孔CMH1和第二相机孔CMH2的位置不限于图2中所示的实施例。

图3是根据实施例的显示面板10的平面图。图4是图3中所示的显示面板10的剖视图。

参照图3和图4，显示面板10可以包括基底100、显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和面板保护构件PB。

基底100可以包括诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以是刚性基底以及/或者可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性基底。作为示例，基底可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构。作为示例，基底100可以包括包含聚合物树脂的两个层和位于其间的无机阻挡层。

显示层DISL可以布置在基底100上。显示层DISL可以包括像素且是被构造为显示图像的层。显示层DISL可以包括电路层、显示元件层和封装构件。电路层可以包括薄膜晶体管。在实施例中，显示元件(也被称为发光元件)可以布置在显示元件层中，封装构件可以封装显示元件层。

显示层DISL可以被划分为显示区域DA和外围区域DPA。显示区域DA可以是其中布置有像素以显示图像的区域。外围区域DPA可以是布置在显示区域DA外部或周围且其中不显示图像的区域。外围区域DPA可以围绕显示区域DA。外围区域DPA可以是从显示区域DA的外部到显示面板10的边缘的区域。在显示区域DA中不仅可以布置像素，还可以布置像素电路、扫描线、数据线、电力线等。像素电路可以驱动像素，扫描线、数据线和电力线可以连接到像素电路。扫描驱动器、扇出线等可以布置在外围区域DPA中。扫描驱动器可以被构造为将扫描信号施加到扫描线，扇出线可以将数据线连接到显示驱动器32。

触摸屏层TSL可以布置在显示层DISL上。触摸屏层TSL可以包括触摸电极，并且可以是被构造为感测用户是否触摸显示面板10的层。触摸屏层TSL可以形成(例如，直接形成)在显示层DISL的封装构件上。可选地，触摸屏层TSL可以单独地形成，然后通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合到显示层DISL的封装构件。

光学功能层OFL可以布置在触摸屏层TSL上。光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部入射在显示设备1上的光(例如，外部光)的反射率。

在实施例中，抗反射层可以包括偏振膜。偏振膜可以包括诸如四分之一波片(λ/4)的相位延迟膜。相位延迟膜可以布置在触摸屏层TSL上。线偏振板可以布置在相位延迟膜上。

在实施例中，抗反射层可以包括包含黑矩阵和滤色器的滤光层。滤色器可以通过考虑从显示设备1的像素发射的光的颜色来布置。作为示例，滤光层可以包括红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。

在实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，因此可以降低外部光的反射率。

覆盖窗50可以布置在光学功能层OFL上。覆盖窗50可以通过诸如OCA的透明粘合构件附着在光学功能层OFL上。

面板保护构件PB可以布置在基底100下面。面板保护构件PB可以通过粘合构件附着在基底100的底表面上。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。面板保护构件PB可以包括用于吸收从外部入射的光的光吸收层、用于吸收来自外部的冲击的垫层和用于有效地消散显示面板10的热的散热层中的至少一个。

光吸收层可以布置在显示面板10下面。光吸收层阻挡光透射，并且防止或基本上防止从显示面板10上方观看到在光吸收层下面的元件(例如，显示电路板30等)。光吸收层可以包括诸如黑色颜料或黑色染料的光吸收材料。

垫层可以布置在光吸收层下面。垫层吸收外部冲击以防止或基本上防止显示面板10被破坏。垫层可以包括单层或多层。作为示例，垫层可以包括诸如聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯和聚乙烯的聚合物树脂，并且/或者包括诸如通过使橡胶发泡形成的海绵、氨基甲酸乙酯类材料和/或丙烯酰类材料的具有弹性的材料。

散热层可以布置在垫层下面。散热层可以包括第一散热层和第二散热层。第一散热层可以包括石墨和/或碳纳米管。第二散热层可以屏蔽电磁波且包括诸如铜、镍、铁素体和/或银的包括任何合适的材料的金属薄膜。

面板保护构件PB可以包括与组件区域CA对应的开口PB_OP。面板保护构件PB的开口PB_OP可以改善组件区域CA的透光率。

组件区域CA的面积可以比其中布置有组件40的区域大。因此，面板保护构件PB的开口PB_OP的面积可以与组件区域CA的面积不一致。组件40可以与面板保护构件PB的开口PB_OP叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)。在实施例中，组件40可以插入到开口PB_OP中。

第一软膜34可以在显示面板10的一侧处的边缘处布置在外围区域DPA中。第一软膜34可以在显示面板10下方弯曲。显示电路板30可以布置在面板保护构件PB的底表面之上。显示电路板30可以通过第一粘合元件39附着且固定到面板保护构件PB的底表面。第一粘合元件39可以是PSA。

显示面板10的显示区域DA包括组件区域CA和主显示区域MDA。组件40可以布置在组件区域CA下方。组件区域CA可以布置在主显示区域MDA的一侧处。在实施例中，如图3中所示，组件区域CA布置为条型，所述条型具有与主显示区域MDA的在x方向上的宽度相同的宽度。组件区域CA可以布置在外围区域DPA与主显示区域MDA之间，使得组件区域CA的上侧、右侧和左侧接触外围区域DPA，组件区域CA的底侧接触主显示区域MDA。

在这种情况下，组件区域CA可以包括具有彼此不同的形状的第一组件区域CA1和第二组件区域CA2。第二组件区域CA2可以围绕第一组件区域CA1。即，第一组件区域CA1可以布置在第二组件区域CA2内部。第一组件区域CA1的外围可以接触第二组件区域CA2。

在这种情况下，在平面图中，第一组件区域CA1可以与组件40叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)。例如，在平面图中，第一组件区域CA1的中心可以与组件40的中心重合或靠近组件40的中心。在这种情况下，组件40的除了其中心之外的区域可以与第二组件区域CA2对应。

图5是根据另一实施例的显示面板10的平面图。图6是图5中所示的显示面板10的剖视图。

图5和图6的实施例与图3和图4的实施例的不同之处在于，显示面板10的一侧上的第一弯曲区域BA1被弯曲，并且因此第一垫(pad，或被称为“焊盘”)区域PDA1布置在面板保护构件PB的底表面上。即，显示面板10可以是其中其一侧被弯曲的弯曲显示面板。

参照图5和图6，第一弯曲区域BA1和第一垫区域PDA1可以在显示面板10的一侧上从外围区域DPA沿(-)y方向突出。如图5中，第一弯曲区域BA1和第一垫区域PDA1的在x方向上的长度可以比显示区域DA的在x方向上的长度小。

显示面板10可以在第一弯曲区域BA1中弯曲，第一垫区域PDA1可以布置在面板保护构件PB的底表面上。第一垫区域PDA1可以在显示面板10的厚度方向(例如，z方向或厚度方向)上与显示区域DA叠置。显示驱动器32和显示电路板30可以布置在第一垫区域PDA1中。

虽然在图3和图5中示出了显示区域DA的组件区域CA以条型(例如，呈条形形状)设置，但是本公开不限于此。作为示例，组件区域CA的形状可以是圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形。组件区域CA的位置可以以合适的方式进行各种修改。另外，显示设备1可以包括两个或更多个组件区域CA，多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。

组件区域CA可以包括第一组件区域CA1和第二组件区域CA2。在这种情况下，第一组件区域CA1和第二组件区域CA2与上述的第一组件区域CA1和第二组件区域CA2相同或相似，因此，可以不重复其详细描述。

图7A至图7C是根据实施例的显示设备1的剖视图。

参照图7A至图7C，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)的组件40。显示面板10包括组件区域CA和主显示区域MDA。组件区域CA可以与组件40叠置。在实施例中，图像可以显示在主显示区域MDA中。

显示面板10可以包括基底100、显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和面板保护构件PB。显示层DISL可以在基底100上，面板保护构件PB可以布置在基底100下面。显示层DISL可以包括电路层PCL、显示元件层EDL和封装构件ENCM。电路层PCL可以包括主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'。显示元件层EDL可以包括主发光元件ED和辅助发光元件ED'。封装构件ENCM可以是薄膜封装层TFEL或封装基底ENS。绝缘层IL和IL'可以布置在基底100与显示层DISL之间以及显示层DISL内部。

如上所述，基底100可以包括诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以是刚性基底以及/或者可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性基底。

主薄膜晶体管TFT和连接到其的主发光元件ED可以布置在显示面板10的主显示区域MDA中，以实现主子像素Pm。辅助薄膜晶体管TFT'和连接到其的辅助发光元件ED'可以布置在组件区域CA中，以实现辅助子像素Pa。

另外，透射区域TA可以布置在组件区域CA中，显示元件不布置在透射区域TA中。透射区域TA可以是从与组件区域CA对应的组件40发射的光和/或信号以及/或者入射在组件40上的光和/或信号可以通过其的区域。

底部金属层BML可以布置在组件区域CA中。底部金属层BML可以布置为与辅助薄膜晶体管TFT'下方对应。作为示例，底部金属层BML可以布置在辅助薄膜晶体管TFT'与基底100之间。底部金属层BML可以阻挡或基本上阻挡外部光到达辅助薄膜晶体管TFT'。在实施例中，恒定的电压或信号可以施加到底部金属层BML，因此，可以防止或减少由于静电放电而对像素电路的损坏。在实施例中，包括底部金属层BML的多个底部金属层BML可以布置在组件区域CA内部。根据情况，不同的电压可以施加到底部金属层BML。包括与透射区域TA对应的孔的一个底部金属层BML可以布置在组件区域CA内部。

在这种情况下，形成在底部金属层BML中的孔的形状可以根据其在组件区域CA中的位置而改变。作为示例，形成在底部金属层BML中的孔可以限定透射区域TA的平面形状。在这种情况下，形成在布置在第一组件区域CA1中的底部金属层BML中的孔的平面形状可以与形成在布置在第二组件区域CA2中的底部金属层BML中的孔的平面形状不同。

如上所述，底部金属层BML可以布置在辅助子像素Pa下方，或者布置在辅助子像素Pa的对电极123(见图12A)与透射区域TA之间的空间中。在这种情况下，底部金属层BML可以布置为形成透射区域TA的外围。

显示元件层EDL可以被薄膜封装层TFEL或封装基底ENS覆盖。在实施例中，如图7A中所示，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及位于第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。

在实施例中，如图7B中所示，封装基底ENS可以面对基底100，并且显示元件层EDL位于封装基底ENS与基底100之间。封装基底ENS与显示元件层EDL之间可以存在间隙。封装基底ENS可以包括玻璃。密封剂可以布置在基底100与封装基底ENS之间，密封剂包括玻璃料。密封剂可以布置在外围区域DPA中。布置在外围区域DPA中的密封剂可以在显示区域DA周围或围绕显示区域DA，并且可以防止或基本上防止湿气通过显示区域DA的侧表面渗透到显示区域DA中。

触摸屏层TSL可以获得与外部输入(例如，触摸事件)对应的坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸布线。触摸屏层TSL可以通过自电容法或互电容法感测外部输入。

触摸屏层TSL可以形成(例如，直接形成)在薄膜封装层TFEL上。可选地，触摸屏层TSL可以单独地形成在触摸屏上，然后通过诸如OCA的粘合层结合到薄膜封装层TFEL。在实施例中，如图7A中所示，触摸屏层TSL可以形成(例如，直接形成)在薄膜封装层TFEL上。在这种情况下，粘合层可以不布置在触摸屏层TSL与薄膜封装层TFEL之间。

光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部入射在显示设备1上的光(例如，外部光)的反射率。

在实施例中，光学功能层OFL可以包括偏振膜。光学功能层OFL可以包括与透射区域TA对应的开口OFL_OP。因此，可以改善(例如，显著地改善)透射区域TA的透光率。诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料可以填充开口OFL_OP。

在实施例中，如图7C中所示，光学功能层OFL可以包括包含黑矩阵和滤色器的滤光板180。滤光板180可以包括基体层181、基体层181上的滤色器182、黑矩阵183和盖层184。

滤色器182可以通过考虑从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置。作为示例，滤色器182可以根据从主发光元件ED和辅助发光元件ED'发射的光的颜色而具有红色颜色、绿色颜色或蓝色颜色。在实施例中，在透射区域TA中没有滤色器182和黑矩阵183。作为示例，包括滤色器182和黑矩阵183的层可以包括与透射区域TA对应的孔183OP。盖层184可以填充孔183OP的至少一部分。盖层184可以包括诸如树脂的有机材料，有机材料可以是透明的。

孔183OP可以限定透射区域TA的外围。在这种情况下，孔183OP与透射区域TA的外围之间的关系与上述的底部金属层BML的孔与透射区域TA的外围之间的关系相同或相似，因此，可以不重复其详细描述。

在这种情况下，虽然在图7C中示出了设置底部金属层BML和黑矩阵183两者，但是可以仅设置黑矩阵183。

图8是根据另一实施例的显示面板10的平面图。

参照图8，构成显示面板10的各种合适类型的元件布置在基底100上。基底100包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域DPA。显示区域DA包括主显示区域MDA和组件区域CA。在实施例中，主图像可以显示在主显示区域MDA中，辅助图像可以显示在包括透射区域TA的组件区域CA中。辅助图像可以与主图像协同构成整个图像，或者可以是独立于主图像的图像。

多个主子像素Pm布置在主显示区域MDA中。主子像素Pm可以均通过诸如有机发光二极管OLED(例如，见图14)的显示元件来实现。每个主子像素Pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。可以通过被封装构件ENCM覆盖来保护主显示区域MDA免受外部空气或湿气的影响。

如上所述，组件区域CA可以布置在主显示区域MDA的一侧处，或者布置在显示区域DA内部且被主显示区域MDA围绕。多个辅助子像素Pa布置在组件区域CA中。多个辅助子像素Pa可以均通过诸如有机发光二极管OLED的显示元件来实现。每个辅助子像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。可以通过被封装构件ENCM覆盖来保护组件区域CA免受外部空气或湿气的影响。

组件区域CA可以包括透射区域TA。透射区域TA可以布置为围绕多个辅助子像素Pa。可选地，透射区域TA可以与多个辅助子像素Pa以格子构造布置。

组件区域CA包括透射区域TA，因此，组件区域CA的分辨率可以比主显示区域MDA的分辨率小。作为示例，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的约1/2、约3/8、约1/3、约1/4、约2/9、约1/8、约1/9和约1/16。作为示例，主显示区域MDA的分辨率可以是400ppi或更大，组件区域CA的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。

组件区域CA可以包括彼此相邻的第一组件区域CA1和第二组件区域CA2。在这种情况下，第一组件区域CA1可以布置在第二组件区域CA2内部。在这种情况下，第一组件区域CA1和第二组件区域CA2可以具有各种合适的形状。作为示例，第一组件区域CA1或第二组件区域CA2可以是圆形、多边形、椭圆形或条形的。在下文中，为了便于描述，下面更详细地描述其中第一组件区域CA1和第二组件区域CA2两者是圆形的情况。

第一组件区域CA1的中心可以不与第二组件区域CA2的中心重合。作为示例，在其中第一组件区域CA1的中心与第二组件区域CA2的中心重合的情况下，第一组件区域CA1可以布置在第二组件区域CA2的中心处。相反，在其中第一组件区域CA1的中心不与第二组件区域CA2的中心重合的情况下，第一组件区域CA1可以偏向于第二组件区域CA2内部的一侧。在这种情况下，第一组件区域CA1可以与组件40的中心对应。作为示例，第一组件区域CA1的中心可以与组件40的中心重合。

第一组件区域CA1的分辨率可以与第二组件区域CA2的分辨率相同或相等。即，第一组件区域CA1中的相同面积中的第一像素组的数量可以与第二组件区域CA2中的相同面积中的第二像素组的数量相同或相等。换句话说，第一组件区域CA1中的每单位面积内的第一像素组的数量可以与第二组件区域CA2中的每单位面积内的第二像素组的数量相同或相等。

驱动子像素(例如，主子像素Pm和辅助子像素Pa)的像素电路可以连接(例如，电连接)到布置在外围区域DPA中的电路(例如，外部电路)。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部PAD、驱动电压供应线11和共电压供应线13可以布置在外围区域DPA中。

第一扫描驱动电路SDRV1可以通过扫描线SL将扫描信号施加到驱动子像素(例如，主子像素Pm和辅助子像素Pa中的每个)的像素电路。第一扫描驱动电路SDRV1可以通过发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可以在主显示区域MDA周围与第一扫描驱动电路SDRV1相对地布置，并且与第一扫描驱动电路SDRV1大致平行。主显示区域MDA中的主子像素Pm的像素电路中的一些可以连接(例如，电连接)到第一扫描驱动电路SDRV1，像素电路中的剩余像素电路可以连接(例如，电连接)到第二扫描驱动电路SDRV2。组件区域CA中的辅助子像素Pa的像素电路中的一些可以连接(例如，电连接)到第一扫描驱动电路SDRV1，像素电路中的剩余像素电路可以连接(例如，电连接)到第二扫描驱动电路SDRV2。在实施例中，可以省略第二扫描驱动电路SDRV2。

端子部PAD可以布置在基底100的一侧处。端子部PAD可以通过不被绝缘层覆盖而暴露，并且因此连接到显示电路板30。显示驱动器32可以布置在显示电路板30上。显示驱动器32可以产生传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。另外，显示驱动器32可以将驱动电压ELVDD(见图9A)供应到驱动电压供应线11，并且将共电压ELVSS(见图9A)供应到共电压供应线13。驱动电压ELVDD可以通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到子像素(例如，主子像素Pm和辅助子像素Pa中的每个)的像素电路。共电压ELVSS可以通过共电压供应线13施加到显示元件的对电极。显示驱动器32产生数据信号。产生的数据信号可以通过扇出布线FW和连接到扇出布线FW的数据线DL传输到子像素(例如，主子像素Pm和辅助子像素Pa中的每个)的像素电路。

驱动电压供应线11可以在主显示区域MDA下方在x方向上延伸。共电压供应线13可以通过具有具备一个开口侧的环形形状来部分地围绕主显示区域MDA。

图9A和图9B是根据实施例的驱动子像素的像素电路PC的等效电路图。

参照图9A，像素电路PC可以连接到发光元件ED以实现子像素的光发射。像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。数据信号Dm可以通过数据线DL输入。

存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2传输的电压与通过驱动电压线PL供应的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。

驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过发光元件ED的驱动电流。发光元件ED可以根据驱动电流来发射具有设定或预定亮度的光。

虽然图9A示出了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是本公开不限于此。

参照图9B，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。

虽然图9B示出了其中信号线(例如，扫描线SL、前一扫描线SL-1、下一扫描线SL+1、发射控制线EL、数据线DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL)针对每个像素电路PC设置的情况，但是本公开不限于此。在另一实施例中，信号线中的至少一条(例如，扫描线SL、前一扫描线SL-1、下一扫描线SL+1、发射控制线EL、数据线DL和/或初始化电压线VL中的至少一条)可以被相邻的像素电路PC共享。

驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以通过发射控制薄膜晶体管T6连接(例如，电连接)到发光元件ED。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关操作来接收数据信号Dm，并且将驱动电流供应到发光元件ED。

开关薄膜晶体管T2的栅电极连接到扫描线SL，源电极连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。

开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL传输的扫描信号Sn导通，并且执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。

补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且通过发射控制薄膜晶体管T6连接到发光元件ED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可以连接到存储电容器Cst的电极中的一个，连接到第一初始化薄膜晶体管T4的源电极，并且连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL传输的扫描信号Sn导通，并且通过将驱动薄膜晶体管T1的栅电极连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极来使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。

第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以连接到存储电容器Cst的电极中的一个，连接到补偿薄膜晶体管T3的漏电极，并且连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1导通，并且可以通过将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的栅电极来执行使驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压初始化的初始化操作。

操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。

发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以连接(例如，电连接)到发光元件ED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL传输的发射控制信号En并发地(例如，同时地)导通，驱动电压ELVDD传输到发光元件ED，驱动电流流过发光元件ED。

第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到下一扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接到发光元件ED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以根据通过下一扫描线SL+1传输的下一扫描信号Sn+1导通，并且可以使发光元件ED的像素电极初始化。

虽然图9B示出了其中第一初始化薄膜晶体管T4(例如，第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极)和第二初始化薄膜晶体管T7(例如，第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极)两者分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1的情况，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4(例如，第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极)和第二初始化薄膜晶体管T7(例如，第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极)两者可以连接到前一扫描线SL-1且根据前一扫描信号Sn-1驱动。

存储电容器Cst的电极中的另一个可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的电极中的一个可以连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极，连接到补偿薄膜晶体管T3的漏电极，并且连接到第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。

发光元件ED的对电极(例如，阴极)可以接收共电压ELVSS。发光元件ED可以通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流来发射光。

像素电路PC不限于参照图9A和图9B描述的薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量，薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计可以以合适的方式进行不同地改变。

驱动主子像素Pm的像素电路PC可以与驱动辅助子像素Pa的像素电路PC相同或不同。作为示例，驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可以是图9B中所示的像素电路PC。在另一实施例中，驱动主子像素Pm的像素电路PC可以采用图9B中所示的像素电路PC，驱动辅助子像素Pa的像素电路PC可以采用图9A中所示的像素电路PC。

图10是根据实施例的显示面板10的主显示区域MDA中的像素布置结构(排列结构)的布置图。

参照图10，多个主子像素Pm可以布置在主显示区域MDA中。在本说明书中，子像素是显示图像且表示发射区域的最小单元。在其中有机发光二极管作为显示元件的情况下，发射区域可以由像素限定层的开口限定。下面更详细地描述。

如图10中所示，布置在主显示区域MDA中的主子像素Pm可以以

结构布置(

是韩国的三星显示有限公司的注册商标)。红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以分别实现红色颜色、绿色颜色和蓝色颜色。

多个红色子像素Pr和多个蓝色子像素Pb在第一行1N上彼此交替地布置。相邻的第二行2N上的多个绿色子像素Pg彼此分开(例如，分隔开)设定或预定间隔。蓝色子像素Pb和红色子像素Pr在相邻的第三行3N上彼此交替地布置。相邻的第四行4N上的多个绿色子像素Pg彼此分开(例如，分隔开)设定或预定间隔。这种像素布置重复至第N行N。在这种情况下，蓝色子像素Pb和红色子像素Pr的尺寸可以比绿色子像素Pg大。

第一行1N上的多个红色子像素Pr和蓝色子像素Pb以及第二行2N上的多个绿色子像素Pg可以彼此交替地布置。因此，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb在第一列1M上彼此交替地布置。相邻的第二列2M上的多个绿色子像素Pg彼此分开(例如，分隔开)设定或预定间隔。蓝色子像素Pb和红色子像素Pr在相邻的第三列3M上彼此交替地布置。相邻的第四列4M上的多个绿色子像素Pg彼此分开(例如，分隔开)设定或预定间隔。这种像素布置重复至第M列M。

像素布置结构可以以不同的方式表示，其中：红色子像素Pr分别布置在虚设四边形VS的顶点之中的第一顶点和第三顶点上，并且绿色子像素Pg以四边形的中心为中心，蓝色子像素Pb分别布置在作为顶点中的剩余顶点的第二顶点和第四顶点上。在这种情况下，虚设四边形VS可以以合适的方式不同地改变为矩形、菱形、正方形等。

这种像素布置结构被称为

矩阵结构或

结构。通过应用渲染(其中像素的颜色通过共享其相邻的像素的颜色来呈现)，可以经由小数量的像素来获得高分辨率。

虽然在图10中示出了多个主子像素Pm以

矩阵结构布置，但是本公开不限于此。作为示例，多个主子像素Pm可以以诸如条纹结构、马赛克布置结构和/或三角形布置结构的各种合适的构造来布置。

图11A至图11D是根据实施例的显示面板10的组件区域CA中的像素布置结构的布置图。

参照图11A至图11D，多个辅助子像素Pa可以布置在组件区域CA中。每个辅助子像素Pa可以发射红光、绿光、蓝光或白光。

组件区域CA可以包括像素组PG和透射区域TA，像素组PG包括至少一个辅助子像素Pa。像素组PG和透射区域TA在y方向上彼此交替地布置，并且例如以格子构造布置。在这种情况下，组件区域CA可以包括多个像素组PG和多个透射区域TA。

像素组PG可以被限定为将基于预先设定的多个辅助子像素Pa捆绑的子像素集合。作为示例，如图11A中所示，一个像素组PG可以包括以

结构布置的八个辅助子像素Pa。即，一个像素组PG可以包括两个红色子像素Pr、四个绿色子像素Pg和两个蓝色子像素Pb。

基本单元U可以在组件区域CA中沿x方向和y方向重复布置，设定或预定数量的像素组PG以及设定或预定数量的透射区域TA被捆绑在基本单元U中。在图11A中，基本单元U可以具有其中两个像素组PG和布置在其周围的两个透射区域TA以四边形形状被捆绑的形状。基本单元U表示被划分的重复形状，并且不指构造中的断开。

对应的单元U'可以设定在主显示区域MDA中，对应的单元U'可以具有与基本单元U的面积相同或相等的面积(例如，见图10)。在这种情况下，包括在对应的单元U'中的主子像素Pm的数量可以比包括在基本单元U中的辅助子像素Pa的数量大。即，每相同面积内的辅助子像素Pa的数量与主子像素Pm的数量的比可以是1:2，其中包括在基本单元U中的辅助子像素Pa的数量是16，并且包括在对应的单元U'中的主子像素Pm的数量是32。

图11A中所示的辅助子像素Pa的布置结构是

结构，具有是主显示区域MDA的分辨率的1/2的分辨率的组件区域CA的像素布置结构被称为

结构。包括在像素组PG中的辅助子像素Pa的数量或辅助子像素Pa的布置方法可以根据组件区域CA的分辨率而改变。

参照图11B，组件区域CA的像素布置结构可以是S条结构。在示出的实施例中，包括在一个像素组PG中的辅助子像素Pa可以包括包含红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb的总共三个辅助子像素Pa。

在示出的实施例中，红色子像素Pr和绿色子像素Pg可以在第一列1l上彼此交替地布置。蓝色子像素Pb可以布置在相邻的第二列2l上。在这种情况下，红色子像素Pr和绿色子像素Pg可以以在x方向上具有长边的四边形形状设置。蓝色子像素Pb可以以在y方向上具有长边的四边形形状布置。蓝色子像素Pb的在y方向上的长度可以等于或大于红色子像素Pr的在y方向上的长度与绿色子像素Pg的在y方向上的长度的和。因此，蓝色子像素Pb的尺寸可以比红色子像素Pr和绿色子像素Pg的尺寸大。

在示出的实施例中，基本单元U的被一个像素组PG占据的面积可以是基本单元U的面积的约1/4。虽然在图11B和图11C中示出了基本单元U仅包括一个像素组PG，但是在另一实施例中，基本单元U可以包括两个或更多个像素组PG。另外，包括在像素组PG中的辅助子像素Pa的面积可以以合适的方式进行不同地改变。

参照图11C，组件区域CA的像素布置结构可以是条带结构。即，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在x方向上并排布置。在这种情况下，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以均在y方向上具有长边。

可选地，与图11C中所示的实施例不同，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在y方向上并排布置。在这种情况下，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以均在x方向上具有长边。

参照图11D，组件区域CA可以包括具有不同的像素布置的至少两个辅助像素组PG-a和PG-b。在图11A至图11C中作为示例描述的像素布置结构可应用于至少两个辅助像素组PG-a和PG-b。作为示例，至少两个辅助像素组PG-a和PG-b中的一个可以以

结构布置，至少两个辅助像素组PG-a和PG-b中的另一个可以以S条结构布置。

辅助子像素Pa在组件区域CA中的布置不限于此。作为示例，辅助子像素Pa可以以圆形形状布置，并且/或者辅助子像素Pa的数量可以是任何合适的数量(例如，比上述辅助子像素Pa的数量小)。

另外，上述透射区域TA的形状可以根据组件区域CA的位置而彼此不同。下面更详细地描述。

图12A和图12B是根据实施例的组件区域CA的第一组件区域CA1中的底部金属层BML的形状的平面图。

参照图12A和图12B，底部金属层BML可以布置为与组件区域CA对应，并且可以包括底孔BMLH。底部金属层BML和底孔BMLH的形状和尺寸可以以合适的方式不同地设置。

在这种情况下，底部金属层BML可以包括布置在第一组件区域CA1中的第一底孔BMLH1。在这种情况下，第一底孔BMLH1可以与布置在第一组件区域CA1中的第一透射区域TA1对应。第一底孔BMLH1可以具有各种合适的形状。第一底孔BMLH1可以具有包括具有顶点的角的形状。作为示例，第一底孔BMLH1的平面形状可以是十字形状、多边形形状等。在下文中，为了便于描述，下面更详细地描述其中第一底孔BMLH1是多边形的情况。

参照图12A，第一底孔BMLH1以八边形设置，并且可以不与第一像素组PG1对应。在这种情况下，第一透射区域TA1的形状和尺寸可以由第一底孔BMLH1的形状和尺寸限定。在平面图中，可以每基本单元U设置两个第一底孔BMLH1，并且两个第一底孔BMLH1与第一像素组PG1交替地布置。

底部金属层BML可以以各种合适的形状布置。作为示例，如图12A中所示，在平面图中，底部金属层BML可以布置为与第一像素组PG1叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)，并且可以不布置在第一透射区域TA1中。在另一实施例中，底部金属层BML可以仅布置在除了图12A中所示的第一像素组PG1和第一透射区域TA1之外的区域中。在这种情况下，在平面图中，底部金属层BML可以布置在第一像素组PG1的对电极123与第一透射区域TA1之间的区域中，以限定第一透射区域TA1。在这种情况下，第一透射区域TA1的外围可以由第一像素组PG1的对电极123和底部金属层BML中的至少一个限定。

在这种情况下，对电极123可以包括第一对电极123-1和第二对电极123-2。第一对电极123-1可以布置在第一像素组PG1中，第二对电极123-2可以连接彼此分开(例如，分隔开)的第一对电极123-1。在这种情况下，第二对电极123-2可以布置在相对于第一方向(例如，x方向和y方向中的一个)或第二方向(例如，x方向和y方向中的另一个)的倾斜方向上，以连接相邻的第一对电极123-1。

在这种情况下，如上所述，底部金属层BML可以在基底100之上布置为在平面图中与第一对电极123-1和第二对电极123-2叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)。在这种情况下，在平面图中，第一对电极123-1和第二对电极123-2可以布置在底部金属层BML内部。

在实施例中，布线可以布置在其中布置有底部金属层BML的区域中。即，布线可以绕过第一透射区域TA1而不布置在第一透射区域TA1中。在这种情况下，布线中的至少一条在其至少一部分中可以是弯曲的或圆形的。

参照图12B，底部金属层BML可以包括第一底部金属层BMLa和第二底部金属层BMLb。第一底部金属层BMLa可以与第一像素组PG1对应，第二底部金属层BMLb可以布置在第一像素组PG1中的一个与第一像素组PG1中的另一个之间(例如，在第一像素组PG1中的相邻的第一像素组PG1之间)。第二底部金属层BMLb的宽度可以比第一底部金属层BMLa的宽度小。第一底部金属层BMLa和第二底部金属层BMLb可以设置为一个整体。换句话说，第一底部金属层BMLa和第二底部金属层BMLb可以彼此成一体化(例如，形成一个单个结构)。因此，在这种情况下，第一底孔BMLH1的形状可以以(+)形状设置。

在这种情况下，布线WL可以布置在其中布置有底部金属层BML的区域中。在这种情况下，可以阻挡由于形成在布线WL之间的狭缝引起的光的衍射。在这种情况下，布线WL可以包括各种合适的布线。作为示例，布线WL可以是诸如数据线、驱动电压线和/或扫描线的各种合适的线。

在平面图中，布线WL可以与其中布置有底部金属层BML的区域叠置且穿过其中布置有第一像素组PG1的区域。在这种情况下，布线WL可以绕过第一透射区域TA1。即，布线WL在平面图中可以不与第一透射区域TA1叠置。因此，布线WL不穿过第一透射区域TA1，并且因此可以不影响第一透射区域TA1的透射率且可以防止或基本上防止由于布线WL引起的在第一透射区域TA1处发生的衍射。布线WL可以限定第一透射区域TA1的外围。即，布线WL可以布置在第一透射区域TA1的外围外部，以限定第一透射区域TA1。在下文中，为了便于描述，下面更详细地描述其中底部金属层BML限定第一透射区域TA1的情况。

关于底部金属层BML的布置，在实施例中，在其中设置有图7C中所示的光学功能层OFL的情况下，代替底部金属层BML的光学功能层OFL的黑矩阵183可以具有与底部金属层BML的形状相同或相似的形状，并且因此限定第一透射区域TA1。在这种情况下，底部金属层BML可以具有与黑矩阵183相同的形状。即，在这种情况下，如图7C中所示，黑矩阵183可以包括限定第一透射区域TA1的孔183OP。

图13A和图13B是根据实施例的组件区域CA的第二组件区域CA2中的底部金属层BML的形状的平面图。

参照图13A和图13B，除了第一组件区域CA1之外，底部金属层BML也可以布置在第二组件区域CA2中。在这种情况下，布置在第二组件区域CA2中的底部金属层BML可以包括与第二透射区域TA2对应的第二底孔BMLH2。第二底孔BMLH2可以与第一底孔BMLH1不同。

在实施例中，第二底孔BMLH2可以以圆形形状设置。当第二透射区域TA2以大致圆形形状(例如，圆形形状)设置时，光的衍射特性降低，因此，在其中布置在第二组件区域CA2下方的组件是相机的情况下，第二透射区域TA2可以以大致圆形形状(例如，圆形形状)设置。第二底孔BMLH2可以基本上以圆形形状或椭圆形形状设置。单个第二底孔BMLH2可以设置在第二像素组PG2之间，或者多个第二底孔BMLH2可以设置在第二像素组PG2之间。可以进行各种合适的修改。

第二底孔BMLH2可以限定第二组件区域CA2的第二透射区域TA2。在这种情况下，第二透射区域TA2可以具有基本上圆形形状或椭圆形形状，以与第二底孔BMLH2的形状对应。

在这种情况下，第一组件区域CA1具有具备成角的拐角的形状，以增大第一组件区域CA1的透射率，并且因此可以增大由与第一组件区域CA1对应的组件40感测的数据的量。具体地，在其中组件40是相机的情况下，通过第一透射区域TA1入射的光的量增大，因此，可以改善分辨率。

另外，在其中第二组件区域CA2具有诸如圆形形状或椭圆形形状的基本上不具备成角的拐角的形状的情况下，衍射减小，因此，由与第二组件区域CA2的位置对应的组件40感测的数据可以不失真。具体地，在其中组件40是相机的情况下，可以解决由与第二组件区域CA2的位置对应的相机拍摄的图像模糊的问题。

因此，在这种情况下，显示面板10可以在布置在组件区域CA中的组件40的中心部分处获得最大的或改善的精度和清晰度的数据，并且减少在组件40的外部部分处的数据的失真。

在实施例中，底部金属层BML可以应用于黑矩阵183以限定透射区域TA。

图14是根据实施例的显示面板10的一部分的剖视图。图14是主显示区域MDA和组件区域CA的剖视图。

参照图14，显示面板10包括主显示区域MDA和组件区域CA。主子像素Pm布置在主显示区域MDA中。辅助子像素Pa和透射区域TA布置在组件区域CA中。主像素电路PC和作为显示元件的主有机发光二极管OLED可以布置在主显示区域MDA中。主像素电路PC可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，主有机发光二极管OLED可以连接到主像素电路PC。辅助像素电路PC'和作为显示元件的辅助有机发光二极管OLED'可以布置在组件区域CA中。辅助像素电路PC'可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'，辅助有机发光二极管OLED'可以连接到辅助像素电路PC'。

在这种情况下，第一辅助像素电路和作为第一显示元件的第一辅助有机发光二极管可以布置在第一组件区域中。第一辅助像素电路可以包括第一辅助薄膜晶体管和第一辅助存储电容器，第一辅助有机发光二极管可以连接到第一辅助像素电路。另外，第二辅助像素电路和作为第二显示元件的第二辅助有机发光二极管可以布置在第二组件区域中。第二辅助像素电路可以包括第二辅助薄膜晶体管和第二辅助存储电容器，第二辅助有机发光二极管可以连接到第二辅助像素电路。在这种情况下，包括第一辅助薄膜晶体管和第一辅助存储电容器的第一辅助像素电路以及连接到第一辅助像素电路的作为第一显示元件的第一辅助有机发光二极管与包括第二辅助薄膜晶体管和第二辅助存储电容器的第二辅助像素电路以及连接到第二辅助像素电路的作为第二显示元件的第二辅助有机发光二极管相同或相似。因此，在下文中，为了便于描述，更详细地描述图14中所示的组件区域CA。

在示出的实施例中，将其中有机发光二极管作为显示元件的情况用作示例。在另一实施例中，无机发光元件或量子点发光元件可以用作显示元件。

在下文中，更详细地描述其中堆叠有包括在显示面板10中的元件的结构。显示面板10可以包括堆叠的基底100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL。

如上所述，基底100可以包括诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以是刚性基底以及/或者可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性基底。

缓冲层111可以布置在基底100上，可以减少或阻挡外来物质、湿气和/或外部空气从基底100下方渗透，并且在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合材料以及包含无机材料和/或有机材料的单层或多层结构。阻挡层还可以布置在基底100与缓冲层111之间。阻挡层可以减少或阻挡外部空气的渗透。在实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)。缓冲层111可以包括堆叠的第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。

在组件区域CA中，底部金属层BML可以布置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。在另一实施例中，底部金属层BML可以布置在基底100与第一缓冲层111a之间。底部金属层BML可以布置在辅助像素电路PC'下方，以防止或基本上防止辅助薄膜晶体管TFT'的特性由于从组件发射的光等而劣化。另外，底部金属层BML可以防止或基本上防止光通过连接到辅助像素电路PC'的布线之间的窄间隙衍射、防止光从组件等发射或防止光朝向组件传播。在实施例中，在透射区域TA中不存在底部金属层BML。

另外，底部金属层BML可以通过接触孔连接到布置在不同的层上的线GCL。底部金属层BML可以从线GCL接收恒定的电压或信号。作为示例，底部金属层BML可以接收驱动电压ELVDD或扫描信号。底部金属层BML接收恒定的电压或信号，并且因此可以降低(例如，显著地降低)静电放电发生的可能性。底部金属层BML可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。底部金属层BML可以包括包含以上材料的单层或多层结构。

电路层PCL可以布置在缓冲层111上，并且可以包括像素电路(例如，主像素电路PC和/或辅助像素电路PC')、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115和平坦化层117。主像素电路PC可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst。辅助像素电路PC'可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。

主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。辅助薄膜晶体管TFT'包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以连接到主有机发光二极管OLED以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到辅助有机发光二极管OLED'以驱动辅助有机发光二极管OLED'。

第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括非晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区可以掺杂有杂质。

第二半导体层A2可以与底部金属层BML叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)，并且第二缓冲层111b位于第二半导体层A2与底部金属层BML之间。在实施例中，第二半导体层A2的宽度可以比底部金属层BML的宽度小。因此，当在与基底100垂直的方向上投影时，第二半导体层A2可以与底部金属层BML完全地叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)。

第一栅极绝缘层112可以覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO_x)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。第一栅极绝缘层112可以包括包含以上无机绝缘材料的单层或多层结构。

第一栅电极G1和第二栅电极G2布置在第一栅极绝缘层112上以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种，并且包括单层或多层结构。作为示例，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以均包括单个Mo层。

第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和/或氧化锌(ZnO_x)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。第二栅极绝缘层113可以包括包含以上无机绝缘材料中的一种或更多种的单层或多层结构。

主存储电容器Cst的第一顶电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二顶电极CE2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。

在主显示区域MDA中，第一顶电极CE2可以与其下方的第一栅电极G1叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第一栅电极G1和第一顶电极CE2可以构成主存储电容器Cst。第一栅电极G1可以作为主存储电容器Cst的第一底电极CE1。

在组件区域CA中，第二顶电极CE2'可以与其下方的第二栅电极G2叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第二栅电极G2和第二顶电极CE2'可以构成辅助存储电容器Cst'。第二栅电极G2可以作为辅助存储电容器Cst'的第二底电极CE1'。

第一顶电极CE2和第二顶电极CE2'可以均包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且包括包含以上材料的单层或多层结构。

层间绝缘层115可以覆盖第一顶电极CE2和第二顶电极CE2'。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和/或氧化锌(ZnO_x)。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。层间绝缘层115可以包括包含以上无机绝缘材料的单层或多层结构。

假设第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115被统称为无机绝缘层IIL，无机绝缘层IIL可以具有与透射区域TA对应的第一孔H1。第一孔H1可以暴露缓冲层111或基底100的顶表面的一部分。第一孔H1可以包括彼此叠置(例如，在z方向或厚度方向上彼此叠置)且与透射区域TA对应的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口。这些开口可以分别通过单独的工艺形成，或者通过同一工艺并发地(例如，同时地)形成。在其中这些开口通过单独的工艺形成的情况下，第一孔H1的内表面会不光滑，并且会具有诸如台阶形状的台阶差。

在另一实施例中，无机绝缘层IIL可以包括凹槽而不是暴露缓冲层111的第一孔H1。可选地，无机绝缘层IIL可以不包括与透射区域TA对应的第一孔H1或凹槽。无机绝缘层IIL可以具有具备优异的透光率的无机绝缘材料，因此，即使无机绝缘层IIL不包括与透射区域TA对应的第一孔H1或凹槽，无机绝缘层IIL也可以具有足够的透光率以允许组件40(例如，见图2)透射和/或接收足够量的光。

源电极(例如，第一源电极S1和第二源电极S2)和漏电极(例如，第一漏电极D1和第二漏电极D2)可以布置在层间绝缘层115上。源电极(例如，第一源电极S1和第二源电极S2)和漏电极(例如，第一漏电极D1和第二漏电极D2)可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且包括包含以上材料的单层或多层结构。作为示例，源电极(例如，第一源电极S1和第二源电极S2)和漏电极(例如，第一漏电极D1和第二漏电极D2)可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

平坦化层117可以覆盖源电极(例如，第一源电极S1和第二源电极S2)和漏电极(例如，第一漏电极D1和第二漏电极D2)。平坦化层117可以包括平坦的顶表面，使得布置在其上的第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成为平坦。

平坦化层117可以包括有机材料或无机材料，并且包括单层或多层结构。平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物以及/或者乙烯醇类聚合物。平坦化层117可以包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和/或氧化锌(ZnO_x)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。当形成平坦化层117以在形成平坦化层117之后提供平坦的顶表面时，可以对平坦化层117的顶表面执行化学和机械抛光。

平坦化层117可以具有与透射区域TA对应的第二孔H2。第二孔H2可以与第一孔H1叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)。在实施例中，如图14中所示，第二孔H2的尺寸(例如，宽度或面积)比第一孔H1大。在另一实施例中，可以设置平坦化层117以覆盖无机绝缘层IIL的第一孔H1的边缘，因此，第二孔H2的面积可以比第一孔H1的面积小。

平坦化层117包括暴露主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的一个的通孔。第一像素电极121可以通过经由通孔接触第一源电极S1或第一漏电极D1而连接(例如，电连接)到主薄膜晶体管TFT。另外，平坦化层117包括暴露辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的一个的通孔。第二像素电极121'可以通过经由通孔接触第二源电极S2或第二漏电极D2而连接(例如，电连接)到辅助薄膜晶体管TFT'。

第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射层。作为示例，第一像素电极121和第二像素电极121'可以均具有在反射层上/下面包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的结构。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'可以均具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。

平坦化层117上的像素限定层119可以覆盖第一像素电极121和第二像素电极121'中的每个的边缘，并且包括分别暴露第一像素电极121和第二像素电极121'的中心部分的第一开口OP1和第二开口OP2。有机发光二极管(例如，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED)的发射区域以及子像素(例如，主子像素Pm和辅助子像素Pa)的尺寸和形状由第一开口OP1和第二开口OP2限定。

像素限定层119可以通过增大第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘与第一像素电极121和第二像素电极121'之上的对电极123之间的距离来防止或基本上防止在第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘处发生电弧等。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和/或酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等形成。

像素限定层119可以包括布置在透射区域TA中的第三孔H3。第三孔H3可以与第一孔H1和第二孔H2叠置(例如，在z方向或厚度方向上叠置)。可以通过第一孔H1至第三孔H3(即，第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3)来改善透射区域TA的透光率。虽然在图14中示出了缓冲层111连续地布置为与透射区域TA对应，但是缓冲层111可以包括布置在透射区域TA中的孔。对电极123的一部分可以布置在第一孔H1至第三孔H3的内表面上。

第一发射层122b和第二发射层122b'可以布置在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2内部，第一发射层122b和第二发射层122b'分别与第一像素电极121和第二像素电极121'对应。第一发射层122b和第二发射层122b'可以包括聚合物材料或低分子量材料，并且发射红光、绿光、蓝光或白光。

有机功能层122e可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上和/或下面。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。

第一功能层122a可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'下面。第一功能层122a可以包括包含有机材料的单层或多层结构。第一功能层122a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可选地，第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。第一功能层122a可以形成为与有机发光二极管(例如，主显示区域MDA中的主有机发光二极管OLED和组件区域CA中的辅助有机发光二极管OLED')对应的一个整体。

第二功能层122c可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上。第二功能层122c可以包括包含有机材料的单层或多层结构。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以形成为与有机发光二极管(例如，主显示区域MDA中的主有机发光二极管OLED和组件区域CA中的辅助有机发光二极管OLED')对应的一个整体。

对电极123布置在第二功能层122c上。对电极123可以包括具有低逸出功的导电材料。作为示例，对电极123可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。可选地，对电极123还可以包括在包括以上材料的(半)透明层上的层，所述层包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃。对电极123可以形成为与有机发光二极管(例如，主显示区域MDA中的主有机发光二极管OLED和组件区域CA中的辅助有机发光二极管OLED')对应的一个整体。

主显示区域MDA中从第一像素电极121到对电极123的层可以构成主有机发光二极管OLED。组件区域CA中从第二像素电极121'到对电极123的层可以构成辅助有机发光二极管OLED'。

上层150可以形成在对电极123上。上层150可以包括有机材料。上层150可以是制备或定位为保护对电极123且增大光提取效率的层。上层150可以包括具有比对电极123高的折射率的有机材料。可选地，上层150可以包括堆叠的层，堆叠的层具有不同的折射率。作为示例，上层150可以包括堆叠的高折射率层/低折射率层/高折射率层。在这种情况下，高折射率层的折射率可以是约1.7或更大(例如，至少是1.7)，低折射率层的折射率可以是约1.3或更小(例如，至多是1.3)。

上层150可以附加地包括LiF。可选地，上层150可以附加地包括诸如氧化硅(SiO₂)和/或氮化硅(SiN_x)的无机绝缘材料。

第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150可以均包括与透射区域TA对应的透射孔TAH。即，第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150可以分别包括均与透射区域TA对应的开口。开口的面积可以基本上相同。作为示例，对电极123的开口的面积可以与透射孔TAH的面积基本上相同或相等。

当透射孔TAH与透射区域TA对应时，可以理解的是，透射孔TAH与透射区域TA叠置。在这种情况下，透射孔TAH的面积可以比形成在无机绝缘层IIL中的第一孔H1的面积小。为了这个目的，如图14中所示，透射孔TAH的宽度Wt比第一孔H1的宽度小。这里，透射孔TAH的面积可以被定义为构成透射孔TAH的开口之中的具有最小面积的开口的面积。第一孔H1的面积可以被定义为构成第一孔H1的开口之中的具有最小面积的开口的面积。

由于透射孔TAH，从透射区域TA去除对电极123的一部分，因此，可以增大(例如，显著地增大)透射区域TA的透光率。包括透射孔TAH的对电极123可以通过各种合适的方法形成。在实施例中，包括透射孔TAH的对电极123可以通过在基底100的整个表面上形成构成对电极123的材料然后通过激光剥离去除对电极123的与透射区域TA对应的部分来形成。在另一实施例中，具有透射孔TAH的对电极123可以通过金属自图案化来形成。在另一实施例中，具有透射孔TAH的对电极123可以通过经由使用精细金属掩模(FMM)沉积对电极123来形成。

图15是根据另一实施例的显示面板10的一部分的剖视图。在图15中，与图14的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此，可以不重复其描述。

参照图15，图15的实施例与图14的实施例的不同之处在于，显示面板10的辅助像素电路PC'包括包含氧化物半导体的薄膜晶体管和包含多晶硅的薄膜晶体管。虽然图15仅示出了组件区域CA，但是组件区域CA中的辅助像素电路PC'的特性同样地适用于主显示区域MDA中的主像素电路PC。

在这种情况下，第一辅助像素电路和作为第一显示元件的第一辅助有机发光二极管可以布置在第一组件区域中。第一辅助像素电路可以包括第一辅助薄膜晶体管和第一辅助存储电容器，第一辅助有机发光二极管可以连接到第一辅助像素电路。另外，第二辅助像素电路和作为第二显示元件的第二辅助有机发光二极管可以布置在第二组件区域中。第二辅助像素电路可以包括第二辅助薄膜晶体管和第二辅助存储电容器，第二辅助有机发光二极管可以连接到第二辅助像素电路。在这种情况下，包括第一辅助薄膜晶体管和第一辅助存储电容器的第一辅助像素电路以及连接到第一辅助像素电路的作为第一显示元件的第一辅助有机发光二极管与包括第二辅助薄膜晶体管和第二辅助存储电容器的第二辅助像素电路以及连接到第二辅助像素电路的作为第二显示元件的第二辅助有机发光二极管相同或相似。因此，在下文中，为了便于描述，更详细地描述图15中所示的组件区域CA。

参照图15，显示面板10的像素电路PC'可以包括第一薄膜晶体管TFT'p和第二薄膜晶体管TFT'o，第一薄膜晶体管TFT'p包括包含多晶硅的第二半导体层A2，第二薄膜晶体管TFT'o包括包含氧化物半导体的第三半导体层A3。

第一薄膜晶体管TFT'p包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。第一薄膜晶体管TFT'p与参照图14描述的辅助薄膜晶体管TFT'基本上相同。第一薄膜晶体管TFT'p的第二半导体层A2可以包括多晶硅。

示出的实施例的电路层PCL与图14的电路层PCL的不同之处在于，层间绝缘层115包括第一层间绝缘层115a和第二层间绝缘层115b。

第二薄膜晶体管TFT'o可以包括第三半导体层A3、第三栅电极G3、第三源电极S3和第三漏电极D3。第三半导体层A3可以布置在第一层间绝缘层115a上。即，第三半导体层A3可以布置在与第二半导体层A2不同的层上。第三半导体层A3可以包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区可以布置在沟道区的各个侧(例如，相对侧)处。在实施例中，第三半导体层A3可以包括氧化物半导体。例如，第三半导体层A3可以包括Zn氧化物基材料，并且包括Zn氧化物、In-Zn氧化物和Ga-In-Zn氧化物。可选地，第三半导体层A3可以包括在ZnO中包含诸如铟(In)、镓(Ga)和/或锡(Sn)的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。

第三半导体层A3的源区和漏区可以通过调整氧化物半导体的载流子浓度且使源区和漏区导电来形成。例如，第三半导体层A3的源区和漏区可以通过经由对氧化物半导体执行使用氢(H)基气体、氟(F)基气体或这些气体的组合的等离子体处理来增大载流子浓度而形成。

第三栅电极G3与第三半导体层A3的沟道区叠置。第三栅极绝缘层116可以布置在第三半导体层A3与第三栅电极G3之间。即，第三栅电极G3可以通过第三栅极绝缘层116与第三半导体层A3绝缘。第三栅极绝缘层116可以沿着第三栅电极G3的形状被图案化。

第三栅极绝缘层116可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。作为示例，第三栅极绝缘层116可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO_x)。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。第三栅电极G3可以布置在第三栅极绝缘层116上，可以包括钼(Mo)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种且包括单层或多层结构。

第二层间绝缘层115b可以覆盖第二薄膜晶体管TFT'o的第三栅电极G3，并且遍及基底100的顶表面布置。第三源电极S3和第三漏电极D3可以布置在第二层间绝缘层115b上。

第三源电极S3和第三漏电极D3可以通过穿过第二层间绝缘层115b的接触孔分别接触第三半导体层A3的源区和漏区。第三源电极S3和第三漏电极D3可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料且包括包含以上材料的单层或多层结构。

包括包含多晶硅的半导体层的薄膜晶体管具有高可靠性，因此，可以通过采用包括包含多晶硅的半导体层的薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管来实现高质量的显示面板。

氧化物半导体具有高的载流子迁移率和低的漏电流，因此，即使驱动时间长，电压降也不大。即，即使在低频驱动期间，根据电压降的图像的颜色变化也不大，因此，可以执行低频驱动。氧化物半导体具有小漏电流的优点，因此，通过将氧化物半导体用作除了驱动薄膜晶体管之外的其它薄膜晶体管中的至少一个，可以防止或基本上防止漏电流，并且可以降低功耗。

图16是根据另一实施例的显示面板10的一部分的剖视图。在图16中，与图14的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此，可以不重复其描述。

图16的实施例与图14的实施例的不同之处在于，平坦化层117包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b，第一金属层BML1布置在主显示区域MDA中，透射区域TA由底部金属层BML的底孔BMLH限定。

在这种情况下，第一辅助像素电路和作为第一显示元件的第一辅助有机发光二极管可以布置在第一组件区域中。第一辅助像素电路可以包括第一辅助薄膜晶体管和第一辅助存储电容器，第一辅助有机发光二极管可以连接到第一辅助像素电路。另外，第二辅助像素电路和作为第二显示元件的第二辅助有机发光二极管可以布置在第二组件区域中。第二辅助像素电路可以包括第二辅助薄膜晶体管和第二辅助存储电容器，第二辅助有机发光二极管可以连接到第二辅助像素电路。在这种情况下，包括第一辅助薄膜晶体管和第一辅助存储电容器的第一辅助像素电路以及连接到第一辅助像素电路的作为第一显示元件的第一辅助有机发光二极管与包括第二辅助薄膜晶体管和第二辅助存储电容器的第二辅助像素电路以及连接到第二辅助像素电路的作为第二显示元件的第二辅助有机发光二极管相同或相似。因此，在下文中，为了便于描述，更详细地描述图16中所示的组件区域CA。

参照图16，显示面板10的电路层PCL可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b。因此，诸如布线的导电图案可以形成在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间，因此，其增强(或有利于)高集成度。

第一平坦化层117a可以布置为覆盖像素电路(例如，主像素电路PC和辅助像素电路PC')。第二平坦化层117b可以布置在第一平坦化层117a上，并且可以具有平坦的顶表面，使得像素电极(例如，第一像素电极121和第二像素电极121')形成为平坦。第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以均包括有机材料或无机材料且包括单层或多层结构。第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以均包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以均包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO_x)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。当形成第一平坦化层117a和第二平坦化层117b以在形成第一平坦化层117a和第二平坦化层117b之后提供平坦的顶表面时，可以对第一平坦化层117a和第二平坦化层117b的顶表面执行化学和机械抛光。

有机发光二极管(例如，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED')可以布置在第二平坦化层117b上。有机发光二极管(例如，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED')的像素电极(例如，第一像素电极121和第二像素电极121')可以通过连接金属CM和CM'连接到像素电路(例如，主像素电路PC和辅助像素电路PC')。

连接金属CM和CM'可以布置在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间。连接金属CM和CM'可以包括包含钼(Mo)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且包括包含以上材料的单层或多层结构。作为示例，连接金属CM和CM'可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

显示面板10可以包括布置在主显示区域MDA中的第一金属层BML1。第一金属层BML1可以布置为与主显示区域MDA的在基底100与主像素电路PC之间的主薄膜晶体管TFT对应。在实施例中，第一金属层BML1可以布置为与主显示区域MDA的一部分对应。可选地，第一金属层BML1可以布置为与整个主显示区域MDA对应。可选地，第一金属层BML1可以与组件区域CA的底部金属层BML形成为一个整体。恒定的电压或信号可以施加到第一金属层BML1，因此，可以防止或基本上防止由于静电放电而对主像素电路PC的损坏。

第一金属层BML1可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。第一金属层BML1可以包括包含以上材料的单层或多层结构。

组件区域CA的底部金属层BML可以与整个组件区域CA对应。在这种情况下，底部金属层BML可以包括与透射区域TA叠置的底孔BMLH。在实施例中，透射区域TA的形状和尺寸可以由底孔BMLH的形状和尺寸限定。

显示面板10可以包括布置在不同的层上的第一布线至第四布线(即，第一布线WL1、第二布线WL2、第三布线WL3和第四布线WL4)。

第一布线WL1可以布置在第一栅极绝缘层112上的层中，以用作被构造为将扫描信号Sn传输到像素电路PC和PC'的扫描线SL。第一布线WL1可以与栅电极G1和G2形成或布置在同一层上或同一层处。可选地，第一布线WL1可以用作发射控制线EL。

第二布线WL2可以布置在第二栅极绝缘层113上的层中，以用作扫描线SL和/或发射控制线EL。第二布线WL2可以与存储电容器Cst和Cst'的顶电极CE2和CE2'形成或布置在同一层上或同一层处。

第三布线WL3可以布置在层间绝缘层115上，以用作被构造为将数据信号Dm传输到像素电路PC和PC'的数据线DL。可选地，第三布线WL3可以用作被构造为将驱动电压ELVDD传输到像素电路PC和PC'的驱动电压线PL。

第四布线WL4可以布置在第一平坦化层117a上的层中(例如，第四布线WL4可以布置在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间)，以用作被构造为将驱动电压ELVDD传输到像素电路PC和PC'的驱动电压线PL或被构造为将数据信号Dm传输到像素电路PC和PC'的数据线DL。第四布线WL4可以与连接金属CM和CM'布置在同一层处或同一层上。

第一布线至第四布线WL1、WL2、WL3和WL4可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料且包括包含以上材料的单层或多层结构。可选地，第一布线至第四布线WL1、WL2、WL3和WL4可以包括透明导电材料。第一布线至第四布线WL1、WL2、WL3和WL4可以包括彼此相同的材料或包括彼此不同的材料。

图17是根据另一实施例的显示面板10的一部分的剖视图。

参照图17，显示面板10的基底100可以包括第一基体层101、第一无机阻挡层102、第二基体层103和第二无机阻挡层104。第一基体层101和第二基体层103可以均包括以上聚合物树脂。第一无机阻挡层102和第二无机阻挡层104可以均是构造为防止或基本上防止杂质从外部渗透的阻挡层。在实施例中，第一无机阻挡层102和第二无机阻挡层104可以均包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料且包括单层或多层结构。

在示出的实施例中，基底100可以包括与透射区域TA对应的凹槽100GR。凹槽100GR可以表示其中基底100的一部分在向下方向(例如，(-)z方向)上被去除且基底100的一部分被保留的区域。作为示例，第一基体层101和第一无机阻挡层102可以遍及透射区域TA是连续的。另外，第二基体层103和第二无机阻挡层104可以分别包括均与透射区域TA对应的开口103OP和104OP。用这种构造，基底100可以包括凹槽100GR。即，基底100的凹槽100GR可以包括第二无机阻挡层104的开口104OP、第二基体层103的开口103OP以及第一无机阻挡层102的被开口104OP和103OP暴露的顶表面102S。

基底100可以包括呈各种合适的形状的凹槽100GR。作为示例，可以去除第一无机阻挡层102的顶表面的(在(+)z方向上的)一部分。与此不同，第二基体层103的(在(+)z方向上的)底部可以被保留而不被去除。基底100的在透射区域TA中的厚度可以由于基底100的凹槽100GR(例如，凹槽100GR的在厚度方向上的深度)而减小。通过这种构造，可以增大(例如，显著地增大)透射区域TA的透光率。另外，在示出的实施例中，缓冲层111还可以包括与透射区域TA对应的缓冲孔111H。

在以上实施例中，缓冲孔111H、第一孔至第三孔(即，第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3)和/或形成在基底100中的凹槽100GR可以增大透射区域TA的透光率。虽然作为示例，缓冲孔111H以及第一孔至第三孔H1、H2和H3分别形成在与透射区域TA对应的缓冲层111、无机绝缘层IIL、平坦化层117和像素限定层119中，但是本公开不限于此。

例如，显示面板10的基底100、缓冲层111、无机绝缘层IIL、平坦化层117和像素限定层119可以均包括具有高透光率的材料，因此，可以根据布置在组件区域CA下方的组件40(例如，见图2)的类型而不设置缓冲孔111H以及第一孔至第三孔H1、H2和H3。

显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。在这种情况下，组件区域CA可以与上述的组件区域CA相同或相似。

图18A至图18D是根据另一实施例的显示面板10的一部分的剖视图。图18A至图18D示出显示面板10的组件区域CA的一部分。

参照图18A，无机绝缘层IIL可以连续地布置，以与透射区域TA对应。可选地，无机绝缘层IIL的第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115中的至少一个可以连续地布置，以与透射区域TA对应。平坦化层117和像素限定层119可以分别包括均暴露无机绝缘层IIL的与透射区域TA对应的顶表面的第二孔H2和第三孔H3。

参照图18B，无机绝缘层IIL和平坦化层117可以连续地布置，以与透射区域TA对应。像素限定层119可以包括暴露无机绝缘层IIL的与透射区域TA对应的顶表面的第三孔H3。在实施例中，像素限定层119也可以连续地布置，以与透射区域TA对应。

参照图18C，对电极123可以连续地布置，以与透射区域TA对应。另外，对电极123可以包括具有高透光率的材料，因此，即使对电极123不包括与透射区域TA对应的透射孔，透射区域TA也可以具有设定或预定的透光率。

参照图18D，无机绝缘层IIL可以包括与透射区域TA对应的第一孔H1。第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以填充第一孔H1的内部。在实施例中，第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以包括具有与基底100和缓冲层111的折射率类似的折射率的透明有机材料。作为示例，第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以包括具有高透光率的硅氧烷类有机材料。硅氧烷类有机材料可以包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和/或聚二甲基硅氧烷。

具有与基底100和缓冲层111的折射率相似的折射率的平坦化层117布置为与透射区域TA对应，因此，可以减少由于折射率差引起的透光率的损失。

显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。在这种情况下，主显示区域MDA可以与上述的主显示区域MDA相同或相似。另外，组件区域CA可以与上述的组件区域CA相同或相似。

图19是根据实施例的显示面板10的子像素和布线的布置关系的平面图。

参照图19，扫描线SL可以在x方向上延伸，以将扫描信号传输到主像素组PGM(见图20)中的主子像素Pm的像素电路、第一像素组PG1中的第一辅助子像素的第一像素电路和第二像素组PG2中的第二辅助子像素的第二像素电路。数据线DL可以在y方向上延伸，以将数据信号Dm传输到主子像素Pm的像素电路、第一辅助子像素的第一像素电路和第二辅助子像素的第二像素电路。

扫描线SL可以包括多条扫描线SL。在这种情况下，多条扫描线SL中的一些扫描线SL可以在x方向上延伸，连接(例如，电连接)布置在主显示区域MDA内部的同一行上的主子像素Pm的像素电路，可以不连接到第一辅助子像素的第一像素电路和第二辅助子像素的第二像素电路，并且可以避开第一组件区域CA1的第一透射区域TA1和第二组件区域CA2的第二透射区域TA2。多条扫描线SL中的其它扫描线SL可以在x方向上延伸，以连接(例如，电连接)布置在主显示区域MDA和组件区域CA中的同一行上的主子像素Pm的像素电路和辅助子像素的像素电路。

显示面板可以包括在y方向上交叉的多条布线。在这种情况下，多条布线可以是各种合适的类型。作为示例，多条布线可以全部是数据线DL。在另一实施例中，多条布线中的一些可以是数据线DL，其它布线可以是驱动电压线PL。在下文中，为了便于描述，下面更详细地描述其中多条布线全部是数据线DL的情况。

数据线DL可以包括第一数据线和第二数据线。第一数据线在大致y方向上延伸，以连接(例如，电连接)布置在主显示区域MDA中的同一列上的主子像素Pm的像素电路，避开组件区域CA的透射区域TA，并且延伸到外围区域DPA。第一数据线DL1的端部可以布置在组件区域CA或外围区域DPA的上端的边缘中。

第二数据线可以在y方向上延伸，以将布置在同一列上的主子像素Pm的像素电路连接(例如，电连接)到主显示区域MDA和组件区域CA中的辅助子像素Pa的像素电路。

数据线DL可以布置在与扫描线SL不同的层上。在实施例中，扫描线SL可以与第一布线WL1(例如，见图16)或第二布线WL2布置在同一层上。数据线DL可以与第三布线WL3或第四布线WL4布置在同一层上。

在示出的实施例中，第二数据线的端部可以与第一数据线的端部布置在同一条线上。作为示例，第二数据线可以布置在组件区域CA或外围区域DPA的边缘上。这旨在使第二数据线的电负载与第一数据线的电负载处于同一电平。

在示出的实施例中，扫描线SL和数据线DL可以均包括透明导电材料。作为示例，扫描线SL和数据线DL可以均包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的透明导电氧化物。布置在透射区域TA中的布线包括透明导电材料，因此，可以保持透射区域TA的透光率(例如，保持透射区域TA的高透光率)。

在另一实施例中，扫描线SL和数据线DL可以包括不透明金属。

虽然在图19中示出了扫描线SL和数据线DL连续地布置在主显示区域MDA和组件区域CA中，但是如图20中所示，扫描线SL和数据线DL可以通过部分区域中的接触孔连接到布置在不同的层上的扫描桥接线和数据桥接线。

布置在组件区域CA中的扫描线SL和数据线DL可以避开透射区域TA且偏向一侧以增大组件区域CA的透光率。为了这个目的，布置在组件区域CA中的扫描线SL和数据线DL可以适当地或合适地弯曲。

在其中布置在组件区域CA中的布线之间的间隔窄的情况下，根据情况会发生光的衍射。因此，如图19中，底部金属层BML可以与布置在组件区域CA中的布线叠置。在实施例中，底部金属层BML可以布置为与整个主显示区域MDA和整个组件区域CA对应，并且可以包括分别与第一透射区域TA1和第二透射区域TA2对应的第一底孔BMLH1和第二底孔BMLH2。第一底孔BMLH1和第二底孔BMLH2可以以如上所述的合适的方式不同地设置。

在其中设置有黑矩阵(见例如图7C的183)的情况下，第一透射区域TA1和第二透射区域TA2可以通过使用黑矩阵而不是底部金属层BML来限定。可选地，在其中设置有黑矩阵和底部金属层BML两者的情况下，第一透射区域TA1和第二透射区域TA2可以通过黑矩阵和底部金属层BML限定。

图20是根据实施例的显示面板10的子像素和布线的布置关系的平面图。图21是沿着图20的线V-V'截取的子像素和布线的剖视图。在图20中，与图19的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此，可以不重复其描述。

参照图20和图21，显示面板10可以包括在y方向上交叉的多条布线。在这种情况下，下面更详细地描述其中多条布线中的一些是数据线DL且多条布线的一部分是驱动电压线PL的情况。数据线DL可以从主显示区域MDA到组件区域CA连续地布置，但是驱动电压线PL可以通过接触孔CNT连接到桥接线PBL。桥接线PBL可以在组件区域CA的边缘中或边缘处布置在与驱动电压线PL不同的层上。数据线DL可以与驱动电压线PL布置在同一层上。

桥接线PBL布置在与数据线DL不同的层上，因此，桥接线PBL可以与数据线DL相邻或与数据线DL叠置。作为示例，如图21中，桥接线PBL和数据线DL可以在一个方向上彼此交替地布置。可选地，桥接线PBL可以与数据线DL至少部分地叠置。

用这种构造，可以减小组件区域CA中的被布线占据的区域，因此，可以相对地扩展第一透射区域TA1、第二透射区域TA2和第三透射区域TA3中的至少一个的面积。因此，可以改善组件区域CA的透光率。

在这种情况下，底部金属层BML可以包括第一底孔BMLH1和第二底孔BMLH2，以限定第一透射区域TA1和第二透射区域TA2。在这种情况下，第一底孔BMLH1和第二底孔BMLH2可以形成为分别与第一透射区域TA1和第二透射区域TA2对应。

在其中设置有黑矩阵的情况下，第一透射区域TA1和第二透射区域TA2可以通过使用黑矩阵而不是底部金属层BML来限定。可选地，在其中设置有黑矩阵和底部金属层BML两者的情况下，第一透射区域TA1和第二透射区域TA2可以通过黑矩阵和底部金属层BML限定。

图22是根据另一实施例的显示面板10的平面图。图23是布置在图22中所示的第一组件区域CA1、第二组件区域CA2和第三组件区域CA3中的透射区域TA的平面形状的平面图。

参照图22和图23，显示面板10包括主显示区域MDA和组件区域CA。在这种情况下，组件区域CA可以包括多个组件区域。作为示例，组件区域CA可以包括两个或更多个组件区域。在这种情况下，多个组件区域CA中的一个可以布置在组件的中心部分上，多个组件区域CA中的另一个组件区域CA可以布置在多个组件区域CA中的一个组件区域CA外部，多个组件区域CA中的又一个可以布置在多个组件区域CA中的所述另一个组件区域CA外部。即，多个组件区域CA中的一个可以布置在多个组件区域CA中的另一个组件区域CA外部，在平面图中，多个组件区域CA中的一个可以布置在多个组件区域CA中的另一个组件区域CA内部。在下文中，为了便于描述，下面更详细地描述其中组件区域CA包括第一组件区域CA1、第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的情况。

在这种情况下，第一组件区域CA1可以布置在组件区域CA的中心部分上，第二组件区域CA2可以布置在第一组件区域CA1外部，第三组件区域CA3可以布置在第二组件区域CA2外部。在这种情况下，外围区域DPA或主显示区域MDA可以布置在第三组件区域CA3外部。

像素组和透射区域可以布置在第一组件区域CA1至第三组件区域CA3中的每个中。与参照图11A至图11D描述的辅助子像素相同或相似的辅助子像素可以布置在第一像素组PG1、第二像素组PG2和第三像素组PG3中。

第一透射区域TA1、第二透射区域TA2和第三透射区域TA3的平面形状可以彼此不同。作为示例，第一透射区域TA1的平面形状可以包括成角的边缘(或拐角)。

在这种情况下，第一透射区域TA1的平面形状可以是各种合适的形状。作为示例，第一透射区域TA1的平面形状可以包括十字形状、多边形形状等以及其中其一部分是凹形且其一部分突出的形状。

与第一透射区域TA1的平面形状相比，第二透射区域TA2的平面形状可以包括比第一透射区域TA1的平面形状的更多成角的边缘，或者包括椭圆形形状。第二透射区域TA2的形状在比第一透射区域TA1接近圆形的情况下是可变的。作为示例，在其中第一透射区域TA1的平面形状是具有N个顶点(N是等于或大于3的自然数)的多边形的情况下，第二透射区域TA2的平面形状可以是具有(N+1)个或更多个顶点的多边形。另外，在其中第一透射区域TA1的平面形状包括突出部和凹入部的情况下，第二透射区域TA2的与第一透射区域TA1的平面形状的突出部对应的平面形状可以是凹入的，第二透射区域TA2的与第一透射区域TA1的平面形状的凹入部对应的平面形状可以包括突出形状。即，第二透射区域TA2的平面形状可以具有其中其外围接近具有平面形状的虚设的第一透射区域TA1的内切圆或外接圆的外围的形状。

第三透射区域TA3的平面形状可以是基本上圆形。在其中第二透射区域TA2是多边形或具有具备成角的边缘的形状的情况下，第三透射区域TA3可以具有椭圆形形状。

在其中设置有多个透射区域TA的情况下，透射区域TA的平面形状可以越从组件区域CA的与组件的中心对应的部分朝向组件区域CA的外侧越接近圆。具体地，多个透射区域TA之中，布置在组件区域CA的与组件的中心对应的部分中的透射区域TA的形状可以具有成角的边缘。多个透射区域TA之中，布置在组件区域CA的最外部中的透射区域TA的平面形状可以基本上接近圆或者是圆。在这种情况下，布置在组件区域CA的与组件的中心对应的部分与组件区域CA的最外部之间的透射区域TA的平面形状可以从布置在组件区域CA的与组件的中心对应的部分中的透射区域TA的平面形状逐渐地变化到布置在组件区域CA的最外部中的透射区域TA的平面形状。即，第二透射区域TA2可以具有其中第一透射区域TA1的平面形状与第三透射区域TA3的平面形状混合的平面形状。在这种情况下，第一透射区域TA1的平面面积、第二透射区域TA2的平面面积和第三透射区域TA3的平面面积可以彼此不同。作为示例，第一透射区域TA1的平面面积可以比第二透射区域TA2的平面面积小。另外，第二透射区域TA2的平面面积可以比第三透射区域TA3的平面区域小。在另一实施例中，第一透射区域TA1的平面面积可以比第二透射区域TA2的平面面积大。另外，第二透射区域TA2的平面面积可以比第三透射区域TA3的平面面积大。

在这种情况下，与其中没有第二组件区域CA2的情况相比，可以防止或基本上防止第一组件区域CA1与第三组件区域CA3之间的数据的急剧失真。

具体地，在其中组件是相机的情况下，可以防止或基本上防止与第一组件区域CA1和第三组件区域CA3对应的图像的图像质量的巨大差异，因此，可以确保自然的图像质量。

根据实施例的显示设备可以通过组件收集数据(例如，精确的数据)。

在其中组件是相机的情况下，根据实施例的显示设备可以获得清晰的无失真图像。

应理解的是，在此描述的实施例应仅以描述性意义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：

基底；

组件区域，布置在所述基底之上，所述组件区域包括第一组件区域和第二组件区域，所述第一组件区域包括多个第一像素组和布置在所述多个第一像素组之间的第一透射区域，所述第二组件区域包括多个第二像素组和布置在所述多个第二像素组之间的第二透射区域，其中，所述多个第一像素组包括第一辅助显示元件和分别连接到所述第一辅助显示元件的第一辅助像素电路，并且其中，所述多个第二像素组包括第二辅助显示元件和分别连接到所述第二辅助显示元件的第二辅助像素电路；

主显示区域，布置在所述基底之上，所述主显示区域包括主显示元件和分别连接到所述主显示元件的主像素电路；以及

组件，布置在所述组件区域中，

其中，所述第一透射区域的平面形状与所述第二透射区域的平面形状不同。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一透射区域的所述平面形状包括拐角。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二透射区域的所述平面形状是圆形的或椭圆形的。

4.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：

底部金属层，布置在所述基底之上，所述底部金属层限定所述第一透射区域和所述第二透射区域。

5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述底部金属层包括与所述第一透射区域和所述第二透射区域对应的孔。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一组件区域布置在所述第二组件区域内部。

7.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括电连接到所述第一辅助像素电路和所述第二辅助像素电路中的至少一个的布线。

8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述布线布置为避开所述第一透射区域和所述第二透射区域。

9.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括布置在所述基底之上的光学功能层，所述光学功能层限定所述多个第一像素组、所述多个第二像素组、所述第一透射区域和所述第二透射区域。

10.一种显示设备，所述显示设备包括：

基底；

组件区域，布置在所述基底之上，所述组件区域包括多个像素组和多个区域，所述多个像素组包括辅助显示元件和分别连接到所述辅助显示元件的辅助像素电路，其中，所述多个区域包括布置在所述多个像素组之间的多个透射区域；

主显示区域，布置在所述基底之上，所述主显示区域包括主显示元件和分别连接到所述主显示元件的主像素电路；以及

组件，布置在所述组件区域中，

其中，所述多个透射区域之中的一透射区域的形状与所述多个透射区域之中的另一透射区域的形状不同。

11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述多个透射区域之中的每个透射区域的平面形状根据距所述组件的中心的距离而不同。

12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述多个透射区域之中的布置在所述组件的所述中心处的透射区域的平面形状包括拐角。

13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述多个透射区域之中的靠近所述组件的所述中心的透射区域的平面形状是多边形的，并且

其中，所述多个透射区域之中的布置在所述组件区域的最外部处的透射区域的平面形状是圆形的或椭圆形的。

14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述多个透射区域之中的每个透射区域的所述平面形状的边缘从所述组件的所述中心朝向所述组件区域的所述最外部增大。

15.根据权利要求10所述的显示设备，所述显示设备还包括电连接到所述辅助像素电路的布线。

16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述布线布置为避开所述多个透射区域。

17.根据权利要求10所述的显示设备，所述显示设备还包括布置在所述基底之上的光学功能层，所述光学功能层限定所述多个像素组和所述多个透射区域。

18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述光学功能层包括：

基体层；

滤色器，布置在所述基体层上；以及

黑矩阵，布置在所述滤色器之间，所述黑矩阵与所述多个像素组和所述多个透射区域之间的区域对应。

19.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述多个透射区域的面积在所述组件区域的各个位置处彼此不同。

20.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述组件包括相机。

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