CN114300509A - 显示面板和显示设备 - Google Patents

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CN114300509A CN202111170442.7A CN202111170442A CN114300509A CN 114300509 A CN114300509 A CN 114300509A CN 202111170442 A CN202111170442 A CN 202111170442A CN 114300509 A CN114300509 A CN 114300509A
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金铉镐
崔忠硕
金建熙
沈栋
张常希
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本公开涉及一种显示面板和显示设备。所述显示面板包括：基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；主子像素和主像素电路，所述主子像素位于所述基底上在所述主显示区域中，并且所述主像素电路连接到所述主子像素；多个辅助子像素，位于所述基底上在所述组件区域中；多个辅助像素电路，位于所述基底上在所述外围区域中；多条连接线，将所述多个辅助子像素分别连接到所述多个辅助像素电路；以及虚拟线，在所述组件区域中在所述多条连接线延伸的方向上延伸。

Description

显示面板和显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月8日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0130452号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或多个实施例的各方面涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示设备。
背景技术
显示设备已被用于各种目的。另外，随着技术的进步，因为显示设备的厚度和重量已经减小，所以显示设备的潜在用途范围增加了。
根据显示设备的使用，已经开发了设计显示设备的不同的形状的方法并且更多的功能已经嵌入或链接到显示设备。
本背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个实施例的各方面涉及一种显示面板和包括所述显示面板的显示设备，并且例如，涉及一种具有扩大的显示区域以在组件(即电子元件)位于的区域中显示图像的显示面板，以及包括所述显示面板的显示设备。
一个或多个实施例的各方面可以包括一种具有扩大的显示区域以在提供组件(即电子元件)的区域上显示图像的显示面板，以及包括所述显示面板的显示设备。然而，上述技术特征仅仅是示例，并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得明显，或者可以通过本公开的所呈现的示例实施例的实践而获知。
根据一些实施例，一种显示面板包括：主显示区域、组件区域和外围区域，所述显示面板包括：基底；主子像素和主像素电路，所述主子像素位于所述基底上在所述主显示区域中并且所述主像素电路连接到所述主子像素；多个辅助子像素，位于所述基底上在所述组件区域中；多个辅助像素电路，位于所述基底上在所述外围区域中；多条连接线，将所述多个辅助子像素分别连接到所述多个辅助像素电路；以及虚拟线，在所述组件区域中在所述多条连接线延伸的方向上延伸。
根据一些实施例，所述虚拟线可以与所述多条连接线中的一条一体地提供。
根据一些实施例，所述多条连接线可以包括多条第一连接线和多条第二连接线，所述多条第一连接线和所述多条第二连接线可以位于彼此不同的层处，并且所述多条第一连接线中的至少一条可以位于所述多条第二连接线中相邻的两条第二连接线之间。
根据一些实施例，所述多条第一连接线可以至少部分地与所述多条第二连接线重叠。
根据一些实施例，所述主子像素和所述辅助子像素可以发射相同颜色的光，并且所述辅助子像素可以具有大于所述主子像素的尺寸的尺寸。
根据一些实施例，所述显示面板还可以包括用于将所述连接线连接到所述辅助像素电路的附加连接线，其中，所述附加连接线可以包括与所述连接线中的材料不同的材料。
根据一些实施例，所述连接线和所述虚拟线可以包括透明导电材料。
根据一些实施例，一种显示面板包括：主显示区域、组件区域以及外围区域，所述显示面板包括：基底；主子像素和主像素电路，所述主子像素位于所述基底上在所述主显示区域中并且所述主像素电路连接到所述主子像素；多个辅助子像素，位于所述基底上在所述组件区域中；多个辅助像素电路，位于所述基底上在所述外围区域中；以及多条连接线，将所述多个辅助子像素分别连接到所述多个辅助像素电路，其中，所述多条连接线包括彼此相邻的第一连接线和第二连接线，并且在所述组件区域中包括在所述第一连接线的中心和所述第二连接线的中心之间具有彼此不同的间隔的部分。
根据一些实施例，所述第一连接线可以具有彼此不同的第一宽度和第二宽度。
根据一些实施例，所述第一连接线和所述第二连接线各自可以包括弯曲部分。
根据一些实施例，所述第一连接线可以提供为多条第一连接线，所述第二连接线可以提供为多条第二连接线，所述多条第一连接线可以与所述多条第二连接线位于不同的层处，并且所述多条第一连接线中的至少一条可以位于所述多条第二连接线中相邻的两条第二连接线之间。
根据一些实施例，所述多条第一连接线可以至少部分地与所述多条第二连接线重叠。
根据一些实施例，所述主子像素和所述辅助子像素可以发射相同颜色的光，并且所述辅助子像素可以具有大于所述主子像素的尺寸的尺寸。
根据一些实施例，所述显示面板还可以包括用于将所述连接线连接到所述辅助像素电路的附加连接线，其中，所述附加连接线可以包括与所述连接线中的材料不同的材料。
根据一些实施例，一种显示设备包括：显示面板，包括主显示区域、组件区域以及外围区域；和组件，位于所述显示面板下方以对应于所述组件区域，其中，所述显示面板包括：基底；主子像素和主像素电路，所述主子像素位于所述基底上在所述主显示区域中并且所述主像素电路连接到所述主子像素；多个辅助子像素，位于所述基底上在所述组件区域中；多个辅助像素电路，位于所述基底上在所述外围区域中；多条连接线，将所述多个辅助子像素分别连接到所述多个辅助像素电路；以及虚拟线，在所述组件区域中在所述多条连接线延伸的方向上延伸。
根据一些实施例，所述虚拟线可以与所述多条连接线中的一条一体地提供。
根据一些实施例，所述主子像素和所述辅助子像素可以发射相同颜色的光，并且所述辅助子像素可以具有大于所述主子像素的尺寸的尺寸。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括用于将所述多条连接线分别连接到所述多个辅助像素电路的多条附加连接线，其中，所述多条附加连接线可以包括与所述多条连接线中的材料不同的材料。
根据一些实施例，所述多条连接线可以包括彼此相邻的第一连接线和第二连接线，并且在所述组件区域中可以包括在所述第一连接线的中心和所述第二连接线的中心之间具有彼此不同的间隔的部分。
根据一些实施例，所述第一连接线可以具有彼此不同的第一宽度和第二宽度。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和特性将更加明显，在附图中：
图1是根据一些实施例的显示设备的透视图；
图2A是部分地示出根据一些实施例的显示设备的截面图；
图2B是部分地示出根据一些实施例的显示设备的截面图；
图3A和图3B是可以包括在图1的显示设备中的显示面板的平面图；
图4A和图4B是示出根据一些实施例的显示面板的部分区域的平面布局图；
图5是部分地示出根据一些实施例的显示面板的截面图；
图6A至图6D是沿着图4A的线I-I'截取的显示面板的截面图；
图7A是部分地示出根据一些实施例的显示面板的截面图；
图7B是部分地示出根据一些实施例的显示面板的截面图；
图8是部分地示出根据一些实施例的显示面板的截面图；
图9是示出根据一些实施例的显示面板的部分区域的平面布局图；
图10是示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面布局图；
图11是示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面布局图；
图12是示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面布局图；以及
图13是示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面布局图。
具体实施方式
现在将更详细地参照在附图中示出的一些示例实施例的各方面，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这方面，根据本公开的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在本文中阐述的描述。因此，下面仅仅通过参照附图描述实施例以解释本说明书的各方面。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，a、b和c的全部，或者其变型。
由于本公开允许各种改变和诸多实施例，所以将在附图中示出具体实施例并且在书面描述中更详细描述具体实施例。为了获得关于本公开的优点以及通过实施而实现的目的的充分理解，参照了用于示出一个或多个实施例的附图。然而，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在本文中阐述的描述。
下面将参照附图更详细地描述一些实施例的各方面。不管图号如何，都用相同的附图标记描述那些相同或对应的组件，并省略多余的解释。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为放置在另一元件“上”时，所述元件可以直接放置在其他元件上，或者也可以存在(多个)居间元件。为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于解释而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，因此下述实施例不限于此。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据本公开的一些实施例的显示设备1的透视图。
参照图1，显示设备1包括显示区域DA和在显示区域DA的外部(例如，在显示区域DA的外围中，或在显示区域DA的覆盖区的外部)上的外围区域DPA。显示区域DA可以包括组件区域CA和至少部分地围绕组件区域CA的主显示区域MDA。即，组件区域CA和主显示区域MDA可以单独或一起显示图像。例如，在某些情况下，组件区域CA和主显示区域MDA可以共同显示图像的整体，其中组件区域CA显示图像的第一部分，并且主显示区域MDA显示图像的第二部分，但图像的第一部分和第二部分一起形成了整个图像。可替代地，在一些情况下，组件区域CA可以显示与在主显示区域MDA中显示的图像分开且不同的图像。外围区域DPA可以是其中没有布置像素的非显示区域(例如，边框区域)。显示区域DA可以整体被外围区域DPA围绕。
在图1中，一个组件区域CA在主显示区域MDA中。根据一些实施例，显示设备1可以包括两个或更多个组件区域CA，并且多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。当从垂直于显示设备1的上表面的方向观察时，组件区域CA可以具有各种形状，例如圆形形状、椭圆形状、诸如正方形形状、星形形状、菱形形状等的多边形形状，但组件区域CA的形状不限于上面列出的形状，并且可以包括根据显示设备1的设计的任何合适的形状。另外，在图1中，当从垂直于显示设备1的上表面的方向观察时，组件区域CA被示出为位于具有矩形形状的主显示区域MDA的(在+y方向上的)上部中心处，但是组件区域CA的位置不限于此，并且组件区域CA可以位于具有矩形形状的主显示区域MDA的一侧(例如，右上侧或左上侧)处，或根据显示设备1的设计的任何其他合适的位置。另外，根据一些实施例，显示设备1可以包括多个组件区域CA。
显示设备1可以通过使用主显示区域MDA中的多个主子像素Pm和组件区域CA中的多个辅助子像素Pa来显示图像。
如稍后参照图2A和图2B更详细地描述的，组件40，即电子元件，可以在显示面板10下方以对应于与组件区域CA。组件40(即，电子元件)可以包括配置为从/向外部装置或环境接收或发射信号(例如，光、无线电波或其他无线频谱信号)的传感器或发射器。例如，组件40可以包括使用红外光谱或可见光谱的相机，并且可以包括成像装置。可替代地，组件40可以包括太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器或虹膜传感器。可替代地，组件40可以具有接收声音的功能。为了减少组件40的功能限制，组件区域CA可以包括透射区域TA，从组件40输出到外部或从外部向组件40行进的光和/或声音可以穿过透射区域TA。在根据一些实施例的显示面板或包括显示面板的显示设备中，当光穿过组件区域CA时，透光率可以是大约10％或更大，例如，40％或更大、25％或更大、50％或更大、85％或更大、或90％或更大。
多个辅助子像素Pa可以位于组件区域CA中。多个辅助子像素Pa发射光以提供某图像。显示在组件区域CA中的图像是辅助图像，并且可以具有可能低于显示在主显示区域MDA中的图像的分辨率的分辨率。即，组件区域CA可以包括透射区域TA，光和声音可以经过该透射区域TA透射，并且当透射区域TA中不存在子像素时，组件区域CA中每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于主显示区域MDA中每单位面积的主子像素Pm的数量。
图2A和图2B是部分地示出根据一些实施例的显示设备1的截面图。
参照图2A，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10重叠的组件40。用于保护显示面板10的覆盖窗可以进一步位于显示面板10上方。
显示面板10包括作为与组件40重叠的区域的组件区域CA和显示主图像的主显示区域MDA。显示面板10可以包括基底100、基底100上的显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和基底100下方的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括包含薄膜晶体管TFTm和TFTa的电路层PCL、包含作为显示元件的发光元件EDm和EDa的显示元件层EDL以及诸如薄膜封装层TFEL的封装构件ENCM或密封基底。绝缘层IL可以在显示层DISL中，并且绝缘层IL'可以位于基底100和显示层DISL之间。
基底100可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英和聚合物树脂。基底100可以包括刚性基底或可以是可弯曲、可折叠和可卷曲的柔性基底。
主像素电路PCm和连接到主像素电路PCm的主发光元件EDm可以位于显示面板10的主显示区域MDA中。主像素电路PCm包括至少一个薄膜晶体管TFTm并且可以控制来自主发光元件EDm的发光。主子像素Pm可以通过主发光元件EDm的发光来实现。
辅助发光元件EDa位于显示面板10的组件区域CA中以实现辅助子像素Pa。根据一些实施例，驱动辅助发光元件EDa的辅助像素电路PCa可以不位于组件区域CA中，而位于作为非显示区域的外围区域DPA中。根据一些实施例，辅助像素电路PCa可以部分位于主显示区域MDA中，或者可以位于主显示区域MDA和组件区域CA之间。即，辅助像素电路PCa可以提供为不与辅助发光元件EDa重叠。
辅助像素电路PCa可以包括至少一个薄膜晶体管TFTa并且可以经由连接线TWL电连接到辅助发光元件EDa。连接线TWL可以包括透明导电材料。辅助像素电路PCa可以控制来自辅助发光元件EDa的发光。辅助子像素Pa可以通过来自辅助发光元件EDa的发光来实现。在组件区域CA中，提供辅助发光元件EDa的区域可以被称为辅助显示区域ADA。
而且，在组件区域CA中，未提供作为显示元件的辅助发光元件EDa的区域可以被称为透射区域TA。透射区域TA可以是从对应于组件区域CA的组件40发射的光/信号或入射到对应于组件区域CA的组件40中的光/信号可以透射经过的区域。辅助显示区域ADA和透射区域TA可以交替地布置在组件区域CA中。连接辅助像素电路PCa和辅助发光元件EDa的连接线TWL可以在透射区域TA中。连接线TWL可以包括具有相对高透射率的透明导电材料，并且因此，即使当连接线TWL在透射区域TA中时，也可以确保透射区域TA的透射率。
根据一些实施例，因为辅助像素电路PCa不在组件区域CA中，所以可以确保透射区域TA的面积并且可以进一步改善透光率。
显示元件层EDL可以被薄膜封装层TFEL或被封装基底覆盖。在一个或多个实施例中，如图2A和图2B中所示，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些实施例，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及在第一无机封装层131和第二无机封装层133之间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133各自可以包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)，并且可以通过化学气相沉积(CVD)方法等形成。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。有机封装层132可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料可以包括硅基树脂、丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以一体地提供以覆盖主显示区域MDA和组件区域CA。
当显示元件层EDL被封装基底密封时，封装基底可以面向基底100，显示元件层EDL介于封装基底和基底100之间。封装基底与显示元件层EDL之间可以存在间隙。封装基底可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以位于基底100和封装基底之间，并且密封剂可以在外围区域DPA中。外围区域DPA中的密封剂可以围绕显示区域DA以防止或减少湿气或其他污染物通过侧表面渗入的情况。
触摸屏层TSL可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSL可以根据自电容方法或互电容方法感测外部输入。
触摸屏层TSL可以在薄膜封装层TFEL上。可替代地，触摸屏层TSL可以单独形成在触摸基底上，并且然后可以经由诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层耦接到薄膜封装层TFEL上。根据一些实施例，触摸屏层TSL可以直接在薄膜封装层TFEL上，并且在这种情况下，在触摸屏层TSL和薄膜封装层TFEL之间可以不提供粘合层。
光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部入射到显示设备1中的光(外部光)的反射率。
在一些实施例中，光学功能层OFL可以包括偏振膜。光学功能层OFL可以包括对应于透射区域TA的开口OFL_OP。因此，透射区域TA的透光率可以显著改善。可以在开口OFL_OP中填充诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料。
在一些实施例中，光学功能层OFL可以包括滤光片，该滤光片包括黑矩阵和滤色器。
面板保护构件PB附接到基底100的下部以支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以包括对应于组件区域CA的开口PB_OP。当面板保护构件PB包括开口PB_OP时，可以改善组件区域CA的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
组件区域CA的面积可以大于布置组件40的区域的面积。因此，面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以不等于组件区域CA的面积。
此外，多个组件40可以在组件区域CA中。多个组件40可以具有彼此不同的功能。例如，多个组件40可以包括来自相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯或灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
在图2A中，在组件区域CA的辅助发光元件EDa下方没有底部金属层BML，但是如图2B中所示，根据实施例的显示设备1可以包括底部金属层BML。
底部金属层BML可以在基底100和辅助发光元件EDa之间以与辅助发光元件EDa重叠。底部金属层BML可以阻挡外部光到达辅助发光元件EDa。另外，底部金属层BML可以整体地对应于组件区域CA，并且可以包括对应于透射区域TA的下孔。在这种情况下，下孔可以提供为各种形状，例如，多边形形状、圆形形状或非限定形状，以调整外部光的折射特性。
图3A和图3B是可以包括在图1的显示设备1中的显示面板10的平面图。
参照图3A，显示面板10的各种元件位于基底100上。基底100包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域DPA。显示区域DA包括显示主图像的主显示区域MDA和具有透射区域TA并显示辅助图像的组件区域CA。辅助图像可以与主图像形成一个总图像，或者可以是独立于主图像的图像。
多个主子像素Pm布置在主显示区域MDA中。多个主子像素Pm中的每一个可以实现为显示元件，诸如有机发光二极管OLED(参见图5)。驱动主子像素Pm的主像素电路PCm位于主显示区域MDA中，并且主像素电路PCm可以与主子像素Pm重叠。主子像素Pm中的每一个可以发射例如，红光、绿光、蓝光或白光。主显示区域MDA被封装构件覆盖以保护其免受外部空气或湿气的影响。
组件区域CA可以如上所述在主显示区域MDA的一侧，或者可以在显示区域DA中以被主显示区域MDA围绕。多个辅助子像素Pa布置在组件区域CA中。辅助子像素Pa中的每一个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。驱动辅助子像素Pa的辅助像素电路PCa可以位于与组件区域CA相邻的外围区域DPA中。例如，在平面图中，当组件区域CA在显示区域DA的上侧时，辅助像素电路PCa可以在外围区域DPA的上侧。辅助像素电路PCa和包括在辅助子像素Pa中的显示元件可以经由在y方向上延伸的连接线TWL彼此连接。
辅助子像素Pa中的每一个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。组件区域CA被封装构件覆盖以保护其免受外部空气或湿气的影响。
另外，组件区域CA可以包括透射区域TA。透射区域TA可以围绕多个辅助子像素Pa。可替代地，透射区域TA可以与多个辅助子像素Pa布置为光栅。
因为组件区域CA具有透射区域TA，所以组件区域CA的分辨率可以小于主显示区域MDA的分辨率。例如，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。例如，主显示区域MDA可以具有大约400ppi的分辨率，并且组件区域CA可以具有大约200ppi或大约100ppi的分辨率。
驱动子像素Pm和Pa的像素电路PCm和PCa中的每一个可以电连接到外围区域DPA中的外部电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13可以在外围区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以经由主扫描线SLm将扫描信号施加到驱动主子像素Pm的主像素电路PCm中的每一个。第一扫描驱动电路SDRV1可以经由主发射控制线ELm将发射控制信号施加到主像素电路PCm中的每一个。第二扫描驱动电路SDRV2可以基于主显示区域MDA与第一扫描驱动电路SDRV1相对，并且可以与第一扫描驱动电路SDRV1平行。主显示区域MDA中的主子像素Pm的一些主像素电路PCm可以与第一扫描驱动电路SDRV1电连接，并且其他主像素电路PCm可以与第二扫描驱动电路SDRV2电连接。
端子部分PAD可以位于基底100的一侧处。端子部分PAD可以不被绝缘层覆盖，而是可以暴露以连接到显示电路板30。显示驱动器32可以在显示电路板30上。
显示驱动器32可以产生将被传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可以产生数据信号，并且数据信号可以经由扇出线FW和连接到扇出线FW的主数据线DLm传输到主像素电路PCm。
而且，显示驱动器32可以将驱动电压ELVDD供应给驱动电压供应线11并且可以将公共电压ELVSS供应给公共电压供应线13。驱动电压ELVDD可以经由连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PCm和PCa，并且公共电压ELVSS可以通过公共电压供应线13施加到显示元件的对电极。
驱动电压供应线11可以在主显示区域MDA下方在x方向上延伸。公共电压供应线13可以具有环形形状，该环形形状具有一个开口侧以部分地围绕主显示区域MDA。
图3A示出了一个组件区域CA，但是可以提供多个组件区域CA。在这种情况下，多个组件区域CA彼此分离，并且第一相机可以对应于一个组件区域CA并且第二相机可以对应于另一组件区域CA。可替代地，相机可以对应于一个组件区域CA并且红外线传感器可以对应于另一组件区域CA。多个组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。
此外，组件区域CA可以具有圆形形状、椭圆形状、多边形形状或未定义的形状。在一些实施例中，组件区域CA可以具有八边形形状。组件区域CA可以具有各种多边形形状，例如矩形形状、六边形形状等。组件区域CA可以被主显示区域MDA围绕。
而且，在图3A中，辅助像素电路PCa被布置为与组件区域CA的外侧相邻，但是根据本公开的实施例不限于此。如图3B中所示，辅助像素电路PCa可以布置为与主显示区域MDA的外侧相邻。在一些实施例中，连接线TWL可以经由附加连接线TWL'连接到辅助像素电路PCa。在这种情况下，连接线TWL可以在组件区域CA中，并且附加连接线TWL'可以在外围区域DPA中。连接线TWL可以包括透明导电材料，并且附加连接线TWL'可以包括高导电金属。在一些实施例中，附加连接线TWL'可以与连接线TWL位于相同的层处。根据一些实施例，附加连接线TWL'可以与连接线TWL位于不同的层处并且可以经由接触孔连接到连接线TWL。
图4A和图4B是示出根据一些实施例的显示面板10的部分区域的平面布局图。例如，图4A和图4B各自示出组件区域CA、组件区域CA周围的主显示区域MDA以及外围区域DPA的一部分。
参照图4A，多个主子像素Pm可以位于主显示区域MDA中。在本说明书中，子像素是用于实现或产生图像的最小单位，并且表示由显示元件发射光的发光区域。当有机发光二极管用作显示元件时，发光区域可以由像素限定层的开口限定。这将在稍后更详细地描述。多个主子像素Pm中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
在一些实施例中，主显示区域MDA中的主子像素Pm可以包括第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb。第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb可以分别发射红光、绿光和蓝光。主子像素Pm可以布置成PentileTM结构。
例如，来自以第二子像素Pg的中心点作为正方形的中心点的虚拟正方形的顶点中，第一子像素Pr位于第一顶点和第三顶点处，并且第三子像素Pb可以位于位于第二顶点和第四顶点处。第二子像素Pg的尺寸可以小于第一子像素Pr和第三子像素Pb的尺寸。
这种像素布置结构被称为PentileTM矩阵结构或PentileTM结构。通过应用施加渲染(其中像素的颜色通过共享其相邻像素的颜色来呈现)，可以经由少量像素获得相对高的分辨率。
图4A示出了多个主子像素Pm布置成PentileTM矩阵结构，但一个或多个实施例不限于此。例如，多个主子像素Pm可以布置成各种形状，例如条纹结构、马赛克布置结构、三角形布置结构等。
在主显示区域MDA中，主像素电路PCm可以与主子像素Pm重叠，并且主像素电路PCm可以在x和y方向上以矩阵的形式布置。在本说明书中，主像素电路PCm表示包括在一个主子像素Pm中的像素电路的单元。
多个辅助子像素Pa可以在组件区域CA中。多个辅助子像素Pa中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。辅助子像素Pa可以包括第一子像素Pr'、第二子像素Pg'和第三子像素Pb'。第一子像素Pr'、第二子像素Pg'和第三子像素Pb'可以分别发射红光、绿光和蓝光。
组件区域CA中每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于主显示区域MDA中每单位面积的主子像素Pm的数量。例如，相同面积内的辅助子像素Pa的数量与主子像素Pm的数量的比例可以为1:2、1:4、1:8或1:9。即，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的1/2、1/4、1/8或1/9。图4A示出了组件区域CA具有是主显示区域MDA的分辨率的大约1/8的分辨率的示例。
组件区域CA中的辅助子像素Pa可以布置为各种形状。一些辅助子像素Pa可以被分组为像素组，并且在像素组中，辅助子像素Pa可以布置为各种形状，例如条纹结构、马赛克布置结构和三角形布置结构等。这里，像素组中的辅助子像素Pa之间的距离可以等于主子像素Pm之间的距离。
可替代地，如图4A中所示，辅助子像素Pa可以分布在组件区域CA中。即，辅助子像素Pa之间的距离可以大于主子像素Pm之间的距离。另外，组件区域CA中未提供辅助子像素Pa的区域可以是具有高透光率的透射区域TA。
实现从辅助子像素Pa发光的辅助像素电路PCa可以位于外围区域DPA中。因为辅助像素电路PCa不在组件区域CA中，组件区域CA可以具有相对大的透射区域TA。而且，将恒定电压和信号施加到辅助像素电路PCa的线不在组件区域CA中，并且因此可以在不考虑线的布置的情况下自由布置辅助子像素Pa。
辅助像素电路PCa可以经由连接线TWL连接到辅助子像素Pa。连接线TWL可以包括透明导电材料。例如，连接线TWL可以包括透明导电氧化物(TCO)。连接线TWL可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
连接线TWL连接到辅助子像素Pa可以表示连接线TWL电连接到包括在辅助子像素Pa中的显示元件的像素电极。
扫描线SL可以包括连接到主像素电路PCm的主扫描线SLm和连接到辅助像素电路PCa的辅助扫描线SLa。主扫描线SLm在x方向上延伸以连接到相同的行中的主像素电路PCm。主扫描线SLm可以不在组件区域CA中。即，主扫描线SLm可以在组件区域CA处断开。在这种情况下，在组件区域CA的左侧处的主扫描线SLm可以接收来自第一扫描驱动电路SDRV1(参见图3A)的信号，并且在组件区域CA的右侧处的主扫描线SLm可以接收来自第二扫描驱动电路SDRV2(参见图3A)的信号。
辅助扫描线SLa可以连接到相同的行中的辅助像素电路PCa中的驱动相同的行中的辅助子像素Pa的辅助像素电路PCa。
主扫描线SLm和辅助扫描线SLa连接到扫描连接线SWL，并且因此，相同的信号可以施加到驱动相同的行中的主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PCm和PCa。
扫描连接线SWL可以与主扫描线SLm和辅助扫描线SLa在不同的层处，并且因此，扫描连接线SWL可以经由接触孔分别连接到主扫描线SLm和辅助扫描线SLa。扫描连接线SWL可以位于外围区域DPA中。
数据线DL可以包括连接到主像素电路PCm的主数据线DLm和连接到辅助像素电路PCa的辅助数据线DLa。主数据线DLm在y方向上延伸并且可以连接到相同的列中的主像素电路PCm。辅助数据线DLa在y方向上延伸并且可以连接到相同的列中的辅助像素电路PCa。
主数据线DLm和辅助数据线DLa可以彼此分离，组件区域CA介于主数据线DLm和辅助数据线DLa之间。主数据线DLm和辅助数据线DLa连接到数据连接线DWL，并且因此，相同的信号可以施加到驱动相同的列中的主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PCm和PCa。
数据连接线DWL可以绕过组件区域CA。数据连接线DWL可以与主显示区域MDA中的主像素电路PCm重叠。因为数据连接线DWL位于主显示区域MDA中，所以不需要用于布置数据连接线DWL的额外的空间，并且因此，可以减少无用空间的面积。
数据连接线DWL可以与主数据线DLm和辅助数据线DLa处于不同的层处，并且因此，数据连接线DWL可以经由接触孔分别连接到主数据线DLm和辅助数据线DLa。
图4A示出了连接线TWL从外围区域DPA一体地提供到组件区域CA中的辅助子像素Pa，但一个或多个实施例不限于此。如图4B中所示，连接线TWL可以经由附加连接线TWL'连接到辅助像素电路PCa。
附加连接线TWL'可以在外围区域DPA中并且连接到辅助像素电路PCa。附加连接线TWL'可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有单层或多层结构。多条附加连接线TWL'可以在辅助像素电路PCa之间。在一些实施例中，附加连接线TWL'可以包括在不同层处的第一附加连接线TWL1'和第二附加连接线TWL2'。例如，第一附加连接线TWL1'可以与数据线DL位于相同的层处，并且可以包括与数据线DL的材料相同的材料。第二附加连接线TWL2'和第一附加连接线TWL1'可以布置成绝缘层介于第二附加连接线TWL2'和第一附加连接线TWL1'之间。例如，第二附加连接线TWL2'可以与有机发光二极管OLED(参见图5)的像素电极121(参见图5)在相同的层处，并且可以包括与像素电极121(参见图5)的材料相同的材料。可替代地，第二附加连接线TWL2'可以与连接电极CM(参见图5)在相同的层处，并且可以包括与连接电极CM(参见图5)的材料相同的材料。在平面上，第一附加连接线TWL1'和第二附加连接线TWL2'可以位于辅助像素电路PCa之间并且至少部分地弯曲。可以有在彼此不同的层处的多条第一附加连接线TWL1'和多条第二附加连接线TWL2'，并且第一附加连接线TWL1'和第二附加连接线TWL2'可以交替地布置在多个辅助像素电路PCa之间的空间中。
连接线TWL可以在组件区域CA中并且可以在组件区域CA的边缘处连接到附加连接线TWL'。连接线TWL可以包括透明导电材料。例如，连接线TWL可以包括透明导电氧化物(TCO)。连接线TWL可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
附加连接线TWL'和连接线TWL可以在相同的层或不同的层处。当附加连接线TWL'和连接线TWL在彼此不同的层处时，附加连接线TWL'和连接线TWL可以经由接触孔彼此连接。
附加连接线TWL'可以具有比连接线TWL的导电率更高的导电率。因为附加连接线TWL'位于外围区域DPA中，所以无需保证透光率。因此，附加连接线TWL'可以包括具有比连接线TWL的透光率更低的透光率和比连接线TWL的导电率更高的导电率的材料。因此，可以减小连接线TWL的电阻。
图5是示出了根据一些实施例的显示面板10的一部分的截面图，并且部分地示出了主显示区域MDA、组件区域CA和外围区域DPA。
参照图5，主子像素Pm位于主显示区域MDA中，并且组件区域CA包括辅助子像素Pa和透射区域TA。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的主像素电路PCm以及作为连接到主像素电路PCm的显示元件的主有机发光二极管OLED可以位于主显示区域MDA中。辅助有机发光二极管OLED'可以在组件区域CA中。包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以位于外围区域DPA中。另外，用于连接辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'的连接线TWL可以位于组件区域CA和外围区域DPA中。
根据一些实施例，采用有机发光二极管作为显示元件，但根据一些实施例，可以采用无机发光二极管或量子点发光二极管作为显示元件。
在下文中，下面将描述显示面板10中的元件堆叠的结构。显示面板10可以包括堆叠的基底100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL。
基底100可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英和聚合物树脂。基底100可以包括刚性基底或可以是可弯曲、可折叠和可卷曲的柔性基底。
缓冲层111位于基底100上以减少或阻止杂质、湿气或外部空气从基底100的下部渗入，并在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物材料或氮化物材料的无机材料、有机材料或无机-有机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。可以在基底100和缓冲层111之间进一步提供用于防止或减少外部空气渗入的阻挡层。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
电路层PCL在缓冲层111上并且可以包括主像素电路PCm和辅助像素电路PCa、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115和平坦化层117。主像素电路PCm可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，并且辅助像素电路PCa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1以及第一漏极电极D1。主薄膜晶体管TFT连接到主有机发光二极管OLED并且可以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'连接到辅助有机发光二极管OLED'并且可以驱动辅助有机发光二极管OLED'。辅助薄膜晶体管TFT'具有与主薄膜晶体管TFT的配置相似的配置，并且因此，关于主薄膜晶体管TFT的描述将代替关于辅助薄膜晶体管TFT'的描述。
第一半导体层A1在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。根据一些实施例，第一半导体层A1可以包括非晶硅。根据一些实施例，第一半导体层A1可以包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一种的氧化物。第一半导体层A1可以包括沟道区域以及掺杂有杂质的源极区域和漏极区域。
第一栅极绝缘层112可以覆盖第一半导体层A1。第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。第一栅极绝缘层112可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一栅极电极G1在第一栅极绝缘层112上以与第一半导体层A1重叠。第一栅极电极G1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有单层或多层结构。例如，第一栅极电极G1可以具有包括Mo的单层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅极电极G1。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。第二栅极绝缘层113可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
主存储电容器Cst的上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以在第二栅极绝缘层113上。
在主显示区域MDA中，主存储电容器Cst的上电极CE2可以与上电极CE2下方的第一栅极电极G1重叠。彼此重叠且第二栅极绝缘层113介于之间的第一栅极电极G1和上电极CE2可以构成主存储电容器Cst。第一栅极电极G1可以是主存储电容器Cst的下电极CE1。
在外围区域DPA中，辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以与上电极CE2'下方的辅助薄膜晶体管TFT'的栅极电极重叠。辅助薄膜晶体管TFT'的栅极电极可以是辅助存储电容器Cst'的第一下电极CE1a。辅助存储电容器Cst'还可以包括与第一下电极CE1a处于相同的层处的第二下电极CE1b。辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以与第一下部电极CE1a和第二下电极CE1b重叠。第一下电极CE1a和第二下电极CE1b可以彼此电连接。根据上述配置，辅助存储电容器Cst'的电容可以大于主存储电容器Cst的电容。
上电极CE2和CE2'各自可以具有包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)的单层或多层结构。
层间绝缘层115可以覆盖上电极CE2和CE2'。层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)的绝缘材料。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。层间绝缘层115可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。在一些实施例中，层间绝缘层115可以包括彼此堆叠的第一层间绝缘层115a和第二层间绝缘层115b。在这种情况下，第一层间绝缘层115a可以包括氧化硅SiOx，并且第二层间绝缘层115b可以包括氮化硅SiNx。
源极电极S1和漏极电极D1可以在层间绝缘层115上。源极电极S1和漏极电极D1可以包括导电材料，包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，源极电极S1和漏极电极D1各自可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
连接到辅助像素电路PCa的连接线TWL可以在层间绝缘层115上。连接线TWL从外围区域DPA延伸到组件区域CA并且可以将辅助有机发光二极管OLED'连接到辅助像素电路PCa。数据线DL可以在层间绝缘层115上。
连接线TWL可以连接到附加连接线TWL'。附加连接线TWL'位于外围区域DPA中，并且可以连接到辅助像素电路PCa，例如辅助薄膜晶体管TFT'。连接线TWL可以位于组件区域CA的透射区域TA中。连接线TWL可以与附加连接线TWL'处于相同的层处并且可以包括与附加连接线TWL'的材料不同的材料。连接线TWL的一端可以覆盖附加连接线TWL'的一端。
附加连接线TWL'可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有单层或多层结构。附加连接线TWL'可以包括与数据线DL的材料相同的材料。
连接线TWL可以包括透明导电材料。例如，连接线TWL可以包括透明导电氧化物(TCO)。连接线TWL可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
附加连接线TWL'可以具有比连接线TWL的导电率更高的导电率。因为附加连接线TWL'位于外围区域DPA中，所以无需保证透光率。因此，附加连接线TWL'可以包括具有比连接线TWL的透光率更低的透光率和比连接线TWL的导电率更高的导电率的材料。
平坦化层117可以覆盖源极电极S1、漏极电极D1以及连接线TWL、附加连接线TWL'和数据线DL。平坦化层117可以具有平坦的上表面，使得将布置在平坦化层117上的第一像素电极121和第二像素电极121'可以被平坦化。
平坦化层117可以包括有机材料或无机材料并且可以具有单层或多层结构。平坦化层117可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b。因此，可以在第一平坦化层117a和第二平坦化层117b之间提供诸如布线的导电图案，并且可以实现高集成度。连接电极CM和CM'以及数据连接线DWL可以在第一平坦化层117a上。
平坦化层117可以包括一般通用聚合物(苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酰基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物等。平坦化层117可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。当形成平坦化层117时，在布置层之后，可以在层的上表面上执行化学和机械抛光以提供平坦的上表面。
第一平坦化层117a可以覆盖主像素电路PCm和辅助像素电路PCa。第二平坦化层117b在第一平坦化层117a上并且可以具有平坦的上表面，使得像素电极121和121'可以形成为平坦的。
主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'位于第二平坦化层117b上。有机发光二极管OLED和OLED'的像素电极121和121'可以分别经由第一平坦化层117a上的连接电极CM和CM'连接到主像素电路PCm和辅助像素电路PCa。
第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。第一像素电极121和第二像素电极121'各自可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'各自可以具有包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜位于上述反射层上/下方的结构。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'各自可以具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119在平坦化层117上并覆盖第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘，并且可以包括分别暴露第一像素电极121和第二像素电极121'的中心部分的第一开口OP1和第二开口OP2。有机发光二极管OLED和OLED'中的发光区域(即子像素Pm和Pa)的大小和形状分别由第一开口OP1和第二开口OP2限定。
像素限定层119增加第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘与像素电极121和121'上的对电极123之间的距离，以防止或减少在像素电极121和121'的边缘处产生电弧。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂形成。
分别与第一像素电极121和第二像素电极121'相对应的第一发射层122b和第二发射层122b'分别位于像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2中。第一发射层122b和第二发射层122b'可以分别包括聚合物材料或低分子材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层122e可以在第一发射层122b和第二发射层122b'上和/或下方。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可以在第一发射层122b和第二发射层122b'下方。第一功能层122a可以具有包括有机材料的单层或多层结构。第一功能层122a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可替代地，第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可以一体地提供以对应于主显示区域MDA和组件区域CA中的有机发光二极管OLED和OLED'。
第二功能层122c可以在第一发射层122b和第二发射层122b'上。第二功能层122c可以具有包括有机材料的单层或多层结构。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。可以一体地提供第二功能层122c以对应于主显示区域MDA和组件区域CA中的有机发光二极管OLED和OLED'。
对电极123在第二功能层122c上。对电极123可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极123可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。可替代地，对电极123还可以包括位于包括上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。可以一体地提供对电极123以对应于主显示区域MDA和组件区域CA中的有机发光二极管OLED和OLED'。
主显示区域MDA中的从第一像素电极121到对电极123的层可以构成主有机发光二极管OLED。组件区域CA中的从第二像素电极121'到对电极123的层可以构成辅助有机发光二极管OLED'。
包括有机材料的上层150可以在对电极123上。可以提供上层150以保护对电极123并改善光提取效率。上层150可以包括具有比对电极123的折射率高的折射率的有机材料。可替代地，上层150可以包括具有不同折射率的堆叠层。例如，上层150可以包括高折射率层/低折射率层/高折射率层。高折射率层可以具有1.7或更大的折射率并且低折射率层可以具有1.3或更小的折射率。
上层150可以另外包括LiF。可替代地，上层150可以另外包括诸如氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料。
图6A至图6D是沿着图4A的线I-I'截取的显示面板的截面图。在图6A至图6D中，相同的附图标记表示与图5的元件相同的元件。
参照图6A，组件区域中的连接线TWL可以在相同的层处(或，在相同的层上)。例如，如图6A中所示，连接线TWL可以在层间绝缘层115上。根据一些实施例，连接线TWL可以在第一栅极绝缘层112或第二栅极绝缘层113上。当连接线TWL在相同的层处时，连接线TWL之间的间隔可以为大约2μm至大约6μm。另外，每条连接线TWL在x方向上的宽度可以为大约2μm至约6μm。
参照图6B，连接线TWL可以包括第一连接线TWL1和第二连接线TWL2。第一连接线TWL1和第二连接线TWL2可以彼此相邻。不同层处的第一连接线TWL1和第二连接线TWL2在x方向上交替地布置，即，在平面上，第二连接线TWL2可以在两条第一连接线TWL1之间。同样地，在平面上，第一连接线TWL1可以在两条第二连接线TWL2之间。
由于这种布置，可以降低光衍射强度。因为使用光的组件40可能在显示面板中的组件区域CA下方，所以可能希望减少入射到组件40中或从组件40发射的光的衍射。根据一些实施例，第一连接线TWL1与第二连接线TWL2交替地布置并且可以分别位于第一连接线TWL1之间以及第二连接线TWL2之间，以减少光衍射效应。
在一些实施例中，第一连接线TWL1可以在层间绝缘层115上并且第二连接线TWL2可以在第一栅极绝缘层112上。然而，一个或多个实施例不限于此。第二连接线TWL2可以不同地布置，例如，可以在第一层间绝缘层115a和第二层间绝缘层115b之间或可以在第二栅极绝缘层113上。
第一连接线TWL1和第二连接线TWL2可以包括透明导电材料并且各自可以具有大约400埃至大约1200埃的厚度。当第一连接线TWL1和第二连接线TWL2中的每一者的厚度等于或小于400埃时，可能由于布线中的电阻而发生RC延迟。当第一连接线TWL1和第二连接线TWL2中的每一者的厚度等于或大于1200埃时，可能由于光路增加而增加光衍射。另外，考虑到衍射效应，第一连接线TWL1和第二连接线TWL2中的每一者的侧表面的锥角可以为60°或更大。
第一连接线TWL1和第二连接线TWL2各自可以具有大约1.8至2的折射率。为了减少光衍射效应，第一平坦化层117a可以包括具有类似于第一连接线TWL1的折射率的折射率的材料。在一些实施例中，第一平坦化层117a的折射率与第一连接线TWL1的折射率之间的差可以为大约0.4或更小。例如，第一平坦化层117a可以具有大约1.6至1.7的折射率。在一些实施例中，第一平坦化层117a可以包括聚酰亚胺(PI)。
图6B示出了第一连接线TWL1与第二连接线TWL2不重叠，但一个或多个实施例不限于此。如图6C中所示，第一连接线TWL1可以至少部分地与第二连接线TWL2重叠。即使当第一连接线TWL1与第二连接线TWL2部分重叠时，第一连接线TWL1也位于第二连接线TWL2之间，并且因此，可以减少由于第二连接线TWL2之间的空间引起的光衍射。
然而，一个或多个实施例不限于此。在某些情况下，如图6D中所示，第一连接线TWL1可以与第二连接线TWL2完全重叠。
图7A和图7B是部分地示出根据一些实施例的显示面板10的截面图。在图7A和图7B中，相同的附图标记表示与图5的元件相同的元件，并且省略其详细描述。
参照图7A，显示面板10可以包括主显示区域MDA、组件区域CA和外围区域DPA。主子像素Pm位于主显示区域MDA中，并且组件区域CA包括辅助子像素Pa和透射区域TA。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的主像素电路PCm以及作为连接到主像素电路PCm的显示元件的主有机发光二极管OLED可以位于主显示区域MDA中。辅助有机发光二极管OLED'可以在组件区域CA中。包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以位于外围区域DPA中。另外，用于连接辅助像素电路PCa和辅助有机发光二极管OLED'的连接线TWL可以位于组件区域CA和外围区域DPA中。
根据一些实施例，显示面板10的无机绝缘层IL可以具有对应于组件区域CA的孔。
例如，当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层IL时，无机绝缘层IL可以包括对应于透射区域TA的第一孔H1。第一孔H1可以部分地暴露缓冲层111或基底100的上表面。或者，如图7A和图7B中所示，第一孔H1可以部分地暴露第一栅极绝缘层112的上表面。在当第二栅极绝缘层113的开口以及层间绝缘层115的开口彼此重叠时，可以形成第一孔H1，其中所述开口对应于组件区域CA。开口可以通过单独的工艺单独形成或通过相同的工艺同时形成。当通过单独的工艺单独形成开口时，第一孔H1的内表面可以不平滑地形成，而是可以具有台阶。
根据一些实施例，连接线TWL可以在第一孔H1中。连接线TWL可以在组件区域CA中在缓冲层111上。连接线TWL可以经由接触孔连接到第一平坦化层117a上的附加连接线TWL'，并且可以经由附加连接线TWL'连接到辅助像素电路PCa。连接线TWL的相对端经由接触孔连接到连接电极CM'，并且可以经由连接电极CM'连接到第二像素电极121'。
在图7A中，附加连接线TWL'位于第一平坦化层117a上，但一个或多个实施例不限于此。如图7B中所示，附加连接线TWL'可以在第二平坦化层117b上。即，附加连接线TWL'可以与像素电极121位于相同的层处。另外，附加连接线TWL'的位置可以有多种修改，即附加连接线TWL'可以与薄膜晶体管TFT的栅极电极G1位于相同的层处或与存储电容器Cst的上电极CE2位于相同的层处。
图8是部分地示出根据一些实施例的显示面板10的截面图。在图8中，相同的附图标记表示与图5的元件相同的元件，并且省略其详细描述。
参照图8，显示面板10的无机绝缘层IL可以具有对应于组件区域CA的凹槽GR。例如，当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层IL时，第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113连续布置在整个组件区域CA，并且层间绝缘层115可以包括对应于组件区域CA的开口115c。可替代地，与图8中示出的例子不同，第一栅极绝缘层112或第二栅极绝缘层113可以包括对应于组件区域CA的开口。因此，可以通过部分地去除无机绝缘层IL来获得凹槽GR。可以通过从无机绝缘层IL中包括的层中去除包括氮化硅(SiNx)的层来获得凹槽GR。因为氮化硅(SiNx)具有高反射率，所以可以通过去除包括氮化硅(SiNx)的层来改善组件区域CA的透光率。
根据一些实施例，连接线TWL可以在凹槽GR中在第二栅极绝缘层113上。连接线TWL可以经由第一平坦化层117a上的附加连接线TWL'连接到辅助像素电路PCa。
图9是示出根据一些实施例的显示面板的部分区域的平面布局图。
参照图9，辅助像素电路PCa(参见图4A和图4B)不在显示面板的组件区域CA中，并且实现为显示元件的辅助子像素Pa仅在组件区域CA中。而且，将辅助像素电路PCa连接到辅助子像素Pa的连接线TWL位于组件区域CA和外围区域DPA中。连接线TWL可以包括透明导电材料。
根据一些实施例，辅助子像素Pa的尺寸可以大于发射相同颜色的主子像素Pm的尺寸。例如，辅助子像素Pa中发射红光的第一子像素Pr'可以具有大于主子像素Pm中发射红光的第一子像素Pr的尺寸的尺寸。辅助子像素Pa中发射绿光的第二子像素Pg'可以具有大于主子像素Pm中发射绿光的第二子像素Pg的尺寸的尺寸。辅助子像素Pa中的发射蓝光的第三子像素Pb'可以具有大于主子像素Pm中的发射蓝光的第三子像素Pb的尺寸的尺寸。可以考虑组件区域CA和主显示区域MDA的亮度和/或分辨率之间的差异来设计尺寸差异。而且，辅助子像素Pa以PentileTM结构布置并且可以全部分布在组件区域CA中。
多条连接线TWL可以在-y方向上从位于组件区域CA上侧的外围区域DPA延伸。在一些实施例中，连接线TWL可以延伸到辅助子像素Pa的位置以分别连接辅助子像素Pa。即，连接线TWL可以连接到实现辅助子像素Pa的第二像素电极121'(参见图5)。根据一些实施例(未示出)，连接线TWL可以越过辅助子像素Pa延伸到组件区域CA的下部。
图10是示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面布局图。在图10中，相同的附图标记表示与图9的元件相同的元件。
参照图10，辅助像素电路PCa(参见图4A和图4B)不在显示面板的组件区域CA中，并且实现为显示元件的辅助子像素Pa仅在组件区域CA中。而且，将辅助像素电路PCa连接到辅助子像素Pa的连接线TWL位于组件区域CA和外围区域DPA中。连接线TWL可以包括透明导电材料。连接线TWL可以延伸到其连接到的辅助子像素Pa的位置。
根据一些实施例，虚拟线DUWL可以在组件区域CA中。虚拟线DUWL可以包括透明导电材料。虚拟线DUWL可以位于组件区域CA的没有连接线TWL位于其中的区域中。虚拟线DUWL可以与连接线TWL间隔开并且可以在y方向上延伸。虚拟线DUWL可以与连接线TWL位于相同的线上。可替代地，虚拟线DUWL可以在相同的列中的第一子像素Pr'和第三子像素Pb'之间在y方向上延伸。
当没有虚拟线DUWL时，每条连接线TWL延伸到与其连接到的辅助子像素Pa的位置，并且因此，在相同的列中的第一子像素Pr'和第三子像素Pb'之间可以存在空的空间。由于空的空间，光的衍射可能不均匀地发生。根据一些实施例，采用虚拟线DUWL，使得在组件区域CA中光衍射强度可以是均匀的。因此，可以根据光衍射效应容易地补偿组件或组件区域CA的图像。
图11是示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面布局图。在图11中，相同的附图标记表示与图9的元件相同的元件。
参照图11，辅助像素电路PCa(参见图4A和图4B)不在显示面板的组件区域CA中，并且实现为显示元件的辅助子像素Pa仅在组件区域CA中。而且，将辅助像素电路PCa连接到辅助子像素Pa的连接线TWL位于组件区域CA和外围区域DPA中。连接线TWL可以包括透明导电材料。连接线TWL可以延伸到其连接到的辅助子像素Pa的位置。
根据一些实施例，虚拟线DUWL可以在组件区域CA中。虚拟线DUWL可以包括透明导电材料。虚拟线DUWL可以位于组件区域CA的没有连接线TWL位于其中的区域中。虚拟线DUWL可以与连接线TWL一体地提供。即，虚拟线DUWL可以从连接线TWL的一部分分支并且可以在y方向上延伸。因为虚拟线DUWL与连接线TWL一体地提供，所以可以减小连接线TWL的电阻。可替代地，分支的虚拟线DUWL可以在相同的列中的第一子像素Pr'和第三子像素Pb'之间在y方向上延伸。
图12和图13是示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面布局图。在图12和图13中，相同的附图标记表示与图9的元件相同的元件。
参照图12，辅助像素电路PCa(参见图4A和图4B)不在显示面板的组件区域CA中，并且实现为显示元件的辅助子像素Pa仅在组件区域CA中。而且，将辅助像素电路PCa连接到辅助子像素Pa的连接线TWL位于组件区域CA和外围区域DPA中。连接线TWL可以包括透明导电材料。连接线TWL可以延伸到其连接到的辅助子像素Pa的位置。
根据一些实施例，相邻连接线TWL的中心之间的间隔可以不一致。例如，在与辅助像素电路PCa(参见图4)或外围区域DPA相邻的区域中，彼此相邻的第一连接线TWL1和第二连接线TWL2在其中心之间可以具有第一距离d1。另外，在远离外围区域DPA的区域中，第一连接线TWL1和第二连接线TWL2在其中心之间可以具有第二距离d2，其中第二距离d2大于第一距离d1。通过使连接线TWL之间的在x方向上的间隔恒定，可以提供该布置以确保x方向上的均匀光衍射强度。
由于上述布置，连接线TWL在-y方向上延伸，并且至少一些连接线TWL可以包括弯曲部分。可替代地，至少一些连接线TWL可以是弯曲的。
在图12中，连接线TWL的宽度是恒定的，但一个或多个实施例不限于此。如图13中所示，基于弯曲部分，连接线TWL可以具有具有第一宽度W1的区域和具有第二宽度W2的区域，其中第二宽度W2大于第一宽度W1。连接线TWL中具有第一宽度W1的区域可以与外围区域DPA相邻。连接线TWL中具有第二宽度W2的区域可以远离外围区域DPA。因为连接线TWL具有大于第一宽度W1的第二宽度W2，所以可以减小连接线TWL的电阻。
另外，在图12和图13中，连接线TWL延伸到其连接到的辅助子像素Pa的位置，但一或多个实施例不限于此。连接线TWL可以从组件区域CA的一端延伸到相对端。
而且，图10和图11中示出的虚拟线可以应用于图12和图13中示出的实施例。
虽然本公开已经参照其一些示例实施例的各方面被具体地示出和描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由权利范围限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。因此，本公开寻求保护的范围应由所附权利范围及它们的等同物来限定。
应当理解，本文描述的实施例应当仅被认为是描述性的，并且不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或各方面的描述通常应被视为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由权利范围以及它们的等同物限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，其中，所述显示面板包括：
基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；
主子像素和主像素电路，所述主子像素位于所述基底上在所述主显示区域中，并且所述主像素电路连接到所述主子像素；
多个辅助子像素，位于所述基底上在所述组件区域中；
多个辅助像素电路，位于所述基底上在所述外围区域中；
多条连接线，将所述多个辅助子像素分别连接到所述多个辅助像素电路；以及
虚拟线，在所述组件区域中在所述多条连接线延伸的方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述虚拟线与所述多条连接线中的一条一体地形成。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多条连接线包括多条第一连接线和多条第二连接线，所述多条第一连接线和所述多条第二连接线位于彼此不同的层处，并且所述多条第一连接线中的至少一条位于所述多条第二连接线中相邻的两条第二连接线之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多条第一连接线至少部分地与所述多条第二连接线重叠。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，在所述多个辅助子像素中，与所述主子像素发射相同颜色的光的辅助子像素具有大于所述主子像素的尺寸的尺寸。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括将所述多条连接线分别连接到所述多个辅助像素电路的多条附加连接线，其中，所述多条附加连接线包括与所述多条连接线中的材料不同的材料。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述连接线和所述虚拟线包括透明导电材料。
8.一种显示面板，其中，所述显示面板包括：
基底，包括主显示区域、组件区域和外围区域；
主子像素和主像素电路，所述主子像素位于所述基底上在所述主显示区域中，并且所述主像素电路连接到所述主子像素；
多个辅助子像素，位于所述基底上在所述组件区域中；
多个辅助像素电路，位于所述基底上在所述外围区域中；以及
多条连接线，将所述多个辅助子像素分别连接到所述多个辅助像素电路；
其中，所述多条连接线包括彼此相邻的第一连接线和第二连接线，并且在所述组件区域中包括在所述第一连接线的中心和所述第二连接线的中心之间具有彼此不同的间隔的部分。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第一连接线具有彼此不同的第一宽度和第二宽度。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第一连接线和所述第二连接线各自包括弯曲部分。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第一连接线包括多条第一连接线，所述第二连接线包括多条第二连接线，
所述多条第一连接线与所述多条第二连接线位于不同的层处，并且
所述多条第一连接线中的至少一条位于所述多条第二连接线中相邻的两条第二连接线之间。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述多条第一连接线至少部分地与所述多条第二连接线重叠。
13.根据权利要求8所述的显示面板，其中，在所述多个辅助子像素中，与所述主子像素发射相同颜色的光的辅助子像素具有大于所述主子像素的尺寸的尺寸。
14.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括将所述多条连接线分别连接到所述多个辅助像素电路的多条附加连接线，其中，所述多条附加连接线包括与所述多条连接线中的材料不同的材料。
15.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
显示面板，包括主显示区域、组件区域、以及外围区域；和
组件，位于所述显示面板下方并且对应于所述组件区域，其中所述显示面板包括：
基底；
主子像素和主像素电路，所述主子像素位于所述基底上在所述主显示区域中，并且所述主像素电路连接到所述主子像素；
多个辅助子像素，位于所述基底上在所述组件区域中；
多个辅助像素电路，位于所述基底上在所述外围区域中；
多条连接线，将所述多个辅助子像素分别连接到所述多个辅助像素电路；以及
虚拟线，在所述组件区域中在所述多条连接线延伸的方向上延伸。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述虚拟线与所述多条连接线中的一条一体地形成。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，在所述多个辅助子像素中，与所述主子像素发射相同颜色的光的辅助子像素具有大于所述主子像素的尺寸的尺寸。
18.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括将所述多条连接线分别连接到所述多个辅助像素电路的多条附加连接线，其中，所述多条附加连接线包括与所述多条连接线中的材料不同的材料。
19.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述多条连接线包括彼此相邻的第一连接线和第二连接线，并且在所述组件区域中包括在所述第一连接线的中心和所述第二连接线的中心之间具有彼此不同的间隔的部分。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述第一连接线具有彼此不同的第一宽度和第二宽度。
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