JP2018531399A - モノリシックに集積された信号処理部を有する高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ - Google Patents
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Abstract
Description
VV 前置増幅器
TPF 低域通過フィルタ
ADC アナログ/デジタル変換器
K1…KN 信号処理チャネル
SE 画素
SP センサチップ
RAM メモリ領域
CRTL 制御回路
DIO デジタルポート
CLK クロック発生器
VREF 基準電圧
VDD ドレイン電圧
VSS ソース電圧
MUX マルチプレクサ
REF/PTAT 基準温度
a 画素数
TSV ビア
ROIC 独立チップ
CAP キャップウェハ
SEF 放射線入射窓
BD ボンドワイヤ
Claims (15)
- モノリシックに集積された信号処理部と1つのセンサアレイの複数の画素の信号のための並列な複数の信号処理チャネルとこれらの画素の信号をシリアルに出力するための1つのデジタルポートとを有する高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイであって、前記センサアレイが、1つ又は複数のセンサチップ上に存在する当該高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイにおいて、
それぞれの信号処理チャネル(K1…KN)が、前記センサチップ(SP)上に又はこのセンサチップ(SP)の近くに配置されていて、少なくとも1つのアナログ/デジタル変換器(ADC)を有すること、及び
前記アナログ/デジタル変換器(ADC)の結果を記憶するため、1つのメモリの1つのメモリ領域(RAM)が、それぞれの信号処理チャネル(K1…KN)に割り当てられていることを特徴とする高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。 - 前記センサアレイ(TPA)の個々の画素(SE)間の中心間隔は、300μm未満と100μm未満との間にあることを特徴とする請求項1に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- それぞれの信号処理チャネル(K1…KN)に、少なくとも1つの画素(SE)が割り当てられていて、最大で16個の数(a)の画素(SE)が割り当てられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- それぞれの信号処理チャネル(K1…KN)に対して、1つの信号マルチプレクサ(MUX)が、前記信号処理チャネル(K1…KN)に割り当てられた前記センサアレイ(TPA)の前記画素(SP)を選択するために設けられていることを特徴とする請求項3に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 1つの前置増幅器(VV)が、前記信号処理チャネル(K1…KN)内の前記アナログ/デジタル変換器(ADC)の前方に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 前記前置増幅器(VV)は、500未満と100未満との間にある増幅率を有する請求項5に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 前記アナログ/デジタル変換器(ADC)は、少なくとも10ビットと少なくとも16ビットとの間の分解能を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 前記アナログ/デジタル変換器(ADC)は、電荷平衡又はシグマ/デルタの方式にしたがって作動することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- それぞれの信号処理チャネル(K1…KN)は、雑音帯域幅を限定するために1つの低域通過フィルタ(TPF)を有し、この低域通過フィルタ(TPF)のカットオフ周波数は、前記サーモパイル赤外線センサ(TPA)の画像レートと信号処理チャネル(K1…KN)ごとの前記画素(SE)の数との積に少なくとも相当するが、最大で前記積の3倍の値に相当することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 前記低域通過フィルタ(TPF)は、集積するアナログ/デジタル変換器(ADC)の構成要素であることを特徴とする請求項9に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- それぞれの信号処理チャネル(K1…KN)の雑音帯域幅が、それぞれの画像レートに応じて、集積する1つのアナログ/デジタル変換器(ADC)の使用によって、且つ外部に設けられているか又は内部で生成されるマスタークロックと前記アナログ/デジタル変換器(ADC)の予め設定されている変換速度とによって設定されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 複数の前記信号処理チャネル(K1…KN)の一部がそれぞれ、前記複数の画素(SE)間の中間空間内に配置されていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 複数の前記信号処理チャネル(K1…KN)の少なくとも一部が、別の電子機器と一緒に、前記センサアレイ(TPA)を包囲する前記センサチップ(SP)の外側の縁領域内の領域に配置されていることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 前記信号処理チャネル(K1…KN)と信号マルチプレクサ(MUX)とに加えて、基準電圧部(VREF)、電圧供給部(VDD,VSS)、温度基準部、基準データメモリ(REF/PTAT)、基準データメモリ、クロック発生器(CLK)、I/Oデジタルポート(DIO)及び信号処理部のような別の電子部品が、前記センサチップ(SP)上に集積されていて、前記サーモパイル赤外線センサチップ(SP)と独立チップ(ROIC)とが互いに固定して接合されていることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
- 複数の前記信号処理チャネル(K1…KN)の少なくとも一部が、センサ素子(SE)を有する前記センサチップ(SP)の下の独立チップ上に配置されていて、
前記画素(SE)が、前記センサチップ(SP)を貫通するビア(VIA)又は迂回配線のような別の電気接続手段によって前記信号処理チャネル(K1…KN)又は/及び別の電子部品に電気接続されていて、
前記サーモパイル赤外線センサチップ(SP)と独立チップ(ROIC)とが互いに固定して接合されていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載の高解像度のサーモパイル赤外線センサアレイ。
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