JP2018526822A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018526822A5
JP2018526822A5 JP2018507638A JP2018507638A JP2018526822A5 JP 2018526822 A5 JP2018526822 A5 JP 2018526822A5 JP 2018507638 A JP2018507638 A JP 2018507638A JP 2018507638 A JP2018507638 A JP 2018507638A JP 2018526822 A5 JP2018526822 A5 JP 2018526822A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer chuck
wafer
tool
processing tool
manufactured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018507638A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018526822A (ja
JP7041051B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2016/046436 external-priority patent/WO2017030873A1/en
Publication of JP2018526822A publication Critical patent/JP2018526822A/ja
Publication of JP2018526822A5 publication Critical patent/JP2018526822A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7041051B2 publication Critical patent/JP7041051B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

現在の設計は、より多くのスクラッチを生成することで表面積が減少していく点で制限されており、この条件下では、局所的に大きな圧力と減少した支持面積のために、ウェハチャックは摩耗しやすくなる。表面が粗くなるほど、摩耗が増大する可能性が大きくなる。
一実施形態においては、処理ツールは、直径が27mmである。視覚的には、接触表面は、フラットな円板であるように見えるが、実際には、接触表面は、フラットな表面との接触状態となった際に、接触のエリアが、円板のものではなく、円又は環帯のものとなるように、わずかに円環体の形状を有する。処理ツールの接触表面が環帯又はリングとして成形される場合には、これも、わずかに円環体の形状を特徴とすることができる。
本発明に従って実施されたラッピングにおいては、約180グラムの自重負荷下における、且つ、約3メートル/分の平均速度において動作する、28ミリメートルの円環体の形状のSiC包含処理ツールを利用した。視覚的には、処理ツールは、円板形状であるように見えたが、円板のエッジ及び中心領域は、わずかに円環体の形状を処理ツールに対して付与するべく、フラットな状態から離れるように高くなっていた。
次に、ツールが方向性を表面粗度に付与しうるかどうかを確認するべく、処理ツールの運動を変更した。具体的には、処理ツールの最後のストローク又はパスを特定の軸に沿って、即ち、Y軸に沿って、実施した。図7A〜図7Dにおいて観察されるように、確かに、ツールによって付与されたスクラッチは、方向性を有している。
これらのスクラッチを作製するための好ましい方法は、小さなツールラップを用いるものであり、このラップを表面上に適応して「浮遊」するような多少の環状の形状とすることで、すべての湾曲の影響を最小限にする。これを実現するための1つの技術は、例えば玉継ぎ手によって、処理ツールをラッピング機械のホルダに取り付けるための処理ツールの制限を最小化することである。

Claims (12)

  1. 半導体ウエハを支持するためのウエハチャックにおいて、ウエハを支持するように構成された表面を有し、前記表面が、(i)均一な高さで規則的に離間した複数のピンを有し、(ii)周囲方向におけるよりも半径方向において小さな摩擦係数を有し、(iii)前記ピンの座面にスクラッチを有し、当該スクラッチは主には半径方向において方向付けられており、
    前記ウエハチャックの中心を通って移動するように構成されたラッピングツールによって製造されることを特徴とするウエハチャック
  2. 請求項1に記載のウエハチャックにおいて、前記ウエハチャックとほぼ同一の硬度を有するラッピングツールによって製造されることを特徴とするウエハチャック。
  3. 請求項1に記載のウエハチャックにおいて、SiCを有するラッピングツールによって製造されることを特徴とするウエハチャック。
  4. 請求項1に記載のウエハチャックにおいて、ドーナツ形の形状を有するラッピングツールによって製造されることを特徴とするウエハチャック。
  5. 請求項に記載のウエハチャックにおいて、前記ラッピングツールは、28ミリメートルの直径を有し、且つ、180グラムの負荷を前記ウエハチャックに印加することを特徴とするウエハチャック。
  6. 請求項に記載のウエハチャックにおいて、前記ラッピングツールは、3メートル/分の速度において前記ウエハチャック上において運動することを特徴とするウエハチャック。
  7. 請求項1に記載のウエハチャックにおいて、前記支持表面は、反応接合炭化ケイ素を含むことを特徴とするウエハチャック。
  8. 被加工物を研削、ラッピング、または研磨する方法において、
    (a)処理ツールを提供するステップと、
    (b)前記処理ツールの接触表面を、前記被加工物と物理的に接触させるステップと、
    (c)前記処理ツールの接触表面を、前記被加工物上において運動させ、これにより、前記被加工物にスクラッチを生成し、研磨によって材料を除去するステップとを有し、
    前記処理ツールの接触表面は側面と垂直に交わらずに円環体の形状を有しており、
    前記被加工物は、半導体ウエハを支持する表面を有するウエハチャックを具え、
    前記運動させるステップは、前記処理ツールが前記ウエハチャックの中心を通って移動させることを含むことを特徴とする方法。
  9. 請求項に記載の方法において、前記ウエハチャックのウエハ支持表面にはピンが存在することを特徴とする方法。
  10. 請求項に記載の方法において、前記運動させるステップは、自重負荷の状況の下で行われることを特徴とする方法。
  11. 請求項に記載の方法において、前記運動させるステップは、前記ウエハチャックに対して主に半径方向に向けられた前記処理ツールの最後のパスを有することを特徴とする方法。
  12. 請求項に記載の方法において、前記運動させるステップは、前記処理ツールの最後のパスが前記ウエハチャックの周囲に沿ってジグザグパターンを描くようにすることを含むことを特徴とする方法。
JP2018507638A 2015-08-14 2016-08-10 摩擦が低減された支持表面を特徴とするウエハチャック Active JP7041051B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562205425P 2015-08-14 2015-08-14
US62/205,425 2015-08-14
PCT/US2016/046436 WO2017030873A1 (en) 2015-08-14 2016-08-10 Wafer chuck featuring reduced friction support surface

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018526822A JP2018526822A (ja) 2018-09-13
JP2018526822A5 true JP2018526822A5 (ja) 2021-05-13
JP7041051B2 JP7041051B2 (ja) 2022-03-23

Family

ID=58050865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018507638A Active JP7041051B2 (ja) 2015-08-14 2016-08-10 摩擦が低減された支持表面を特徴とするウエハチャック

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10790181B2 (ja)
EP (1) EP3334566B1 (ja)
JP (1) JP7041051B2 (ja)
WO (1) WO2017030873A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020094387A1 (en) * 2018-11-05 2020-05-14 Asml Holding N.V. A method to manufacture nano ridges in hard ceramic coatings

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4551192A (en) 1983-06-30 1985-11-05 International Business Machines Corporation Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography
US4692836A (en) * 1983-10-31 1987-09-08 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Electrostatic chucks
US5342068A (en) * 1993-08-26 1994-08-30 Texas Instruments Incorporated Laminar flow vacuum chuck
JPH07171747A (ja) 1993-12-21 1995-07-11 Ricoh Co Ltd 研削研磨装置
US5692873A (en) 1995-03-31 1997-12-02 Motorola, Inc. Apparatus for holding a piece of semiconductor
JPH0936070A (ja) 1995-07-21 1997-02-07 Nippon Steel Corp 半導体ウエハの研磨装置
JPH09191015A (ja) * 1996-01-11 1997-07-22 Canon Inc 熱処理装置
JPH1071562A (ja) * 1996-05-10 1998-03-17 Canon Inc 化学機械研磨装置および方法
US6179695B1 (en) 1996-05-10 2001-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Chemical mechanical polishing apparatus and method
US6217655B1 (en) 1997-01-31 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck
US6063202A (en) * 1997-09-26 2000-05-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus for backside and edge exclusion of polymer film during chemical vapor deposition
JP2000061842A (ja) * 1998-08-18 2000-02-29 Toshiba Mach Co Ltd 研磨装置
US6215642B1 (en) 1999-03-11 2001-04-10 Nikon Corporation Of Japan Vacuum compatible, deformable electrostatic chuck with high thermal conductivity
US6264467B1 (en) * 1999-04-14 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Micro grooved support surface for reducing substrate wear and slip formation
US6439986B1 (en) * 1999-10-12 2002-08-27 Hunatech Co., Ltd. Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
US6353271B1 (en) 1999-10-29 2002-03-05 Euv, Llc Extreme-UV scanning wafer and reticle stages
KR100804006B1 (ko) 2000-01-28 2008-02-18 히다치 도쿄 에렉트로닉스 가부시키가이샤 웨이퍼 척
JP2002057209A (ja) * 2000-06-01 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd 枚葉式処理装置および枚葉式処理方法
JP3859937B2 (ja) 2000-06-02 2006-12-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
US6717159B2 (en) 2000-10-18 2004-04-06 Nikon Corporation Low distortion kinematic reticle support
KR100422444B1 (ko) 2001-05-29 2004-03-12 삼성전자주식회사 정전 척에 설치되는 웨이퍼 공간 지지장치 및 그 제조방법
JP4988202B2 (ja) 2002-12-20 2012-08-01 マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッド 工作物の支持及び熱処理の方法とシステム
CN100467210C (zh) * 2004-03-25 2009-03-11 揖斐电株式会社 真空卡盘和吸附板
US7150677B2 (en) 2004-09-22 2006-12-19 Mitsubishi Materials Corporation CMP conditioner
JP4049172B2 (ja) 2005-07-13 2008-02-20 住友電気工業株式会社 ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
JP4756583B2 (ja) 2005-08-30 2011-08-24 株式会社東京精密 研磨パッド、パッドドレッシング評価方法、及び研磨装置
EP1772901B1 (en) * 2005-10-07 2012-07-25 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Wafer holding article and method for semiconductor processing
US8057633B2 (en) * 2006-03-28 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Post-etch treatment system for removing residue on a substrate
WO2007145505A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-21 Xycarb Ceramics B.V. Method for manufacturing a device for supporting a substrate during the manufacture of semiconductor components, as well as such a device
NL1031985C2 (nl) * 2006-06-12 2007-12-13 Xycarb Ceramics B V Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het ondersteunen van een substraat tijdens de vervaardiging van halfgeleider-componenten alsmede een dergelijke inrichting.
US20080100812A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 Nikon Corporation Immersion lithography system and method having a wafer chuck made of a porous material
JP5099476B2 (ja) 2006-12-28 2012-12-19 株式会社ニコン 清掃装置及び清掃システム、パターン形成装置、清掃方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4864757B2 (ja) * 2007-02-14 2012-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及びその表面処理方法
JP5018249B2 (ja) 2007-06-04 2012-09-05 株式会社ニコン クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5428171B2 (ja) * 2008-03-12 2014-02-26 東ソー株式会社 研磨方法
JP2010153407A (ja) 2008-12-23 2010-07-08 Nikon Corp 清掃方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP5402391B2 (ja) 2009-01-27 2014-01-29 信越化学工業株式会社 半導体用合成石英ガラス基板の加工方法
NL2004153A (en) 2009-02-24 2010-08-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, a method for removing material of one or more protrusions on a support surface, and an article support system.
US20100330890A1 (en) 2009-06-30 2010-12-30 Zine-Eddine Boutaghou Polishing pad with array of fluidized gimballed abrasive members
JP5810517B2 (ja) 2010-12-02 2015-11-11 富士電機株式会社 吸着装置および吸着方法
JP2013095973A (ja) 2011-11-02 2013-05-20 Tocalo Co Ltd 半導体製造装置用部材
EP2791034B1 (en) * 2011-12-16 2021-01-27 Brooks Automation, Inc. Transport apparatus
EP3683627A1 (en) 2012-02-03 2020-07-22 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and lithographic apparatus
JP6085152B2 (ja) 2012-11-22 2017-02-22 日本特殊陶業株式会社 真空チャック
US20140184003A1 (en) 2012-12-31 2014-07-03 Cascade Microtech, Inc. Systems and methods for rotational alignment of a device under test
JP6034717B2 (ja) 2013-02-22 2016-11-30 株式会社荏原製作所 ドレッサの研磨部材上の摺動距離分布の取得方法、ドレッサの研磨部材上の摺動ベクトル分布の取得方法、および研磨装置
JP2014128877A (ja) 2014-03-03 2014-07-10 Femutekku:Kk 表面加工装置及び方法
NL2014516A (en) * 2014-04-30 2016-03-08 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2016058675A (ja) 2014-09-12 2016-04-21 株式会社東芝 研磨装置および半導体ウェハの研磨方法
JP2017537480A (ja) 2014-11-23 2017-12-14 エム キューブド テクノロジーズM Cubed Technologies ウェハピンチャックの製造及び補修
EP3262677A1 (en) * 2015-02-23 2018-01-03 M Cubed Technologies Inc. Film electrode for electrostatic chuck

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10242905B2 (en) Wafer pin chuck fabrication and repair
TWI355984B (en) Retaining ring with shaped surface
US11623319B2 (en) Machine for finishing a work piece, and having a highly controllable treatment tool
JP6360750B2 (ja) ウエーハの加工方法
CN105390413A (zh) 磨削装置
JP6271339B2 (ja) 研削研磨装置
JP7032307B2 (ja) チャック表面の決定論的な仕上げのための方法
JP2018526822A5 (ja)
TW201912311A (zh) 吸盤載台的洗淨裝置以及具有該洗淨裝置的研削裝置
JP2016212946A5 (ja) 基板の製造方法、基板端面の加工装置、基板端面の加工方法、及び研削用砥石
JP6141153B2 (ja) 異物除去工具及び異物除去方法
JP2011036974A (ja) 研磨加工方法および研磨加工装置
JP2019034357A (ja) ワークキャリア、両頭平面研削盤及びワークの両面研磨加工方法
JP7041051B2 (ja) 摩擦が低減された支持表面を特徴とするウエハチャック
EP3334560B1 (en) Method for removing contamination from a chuck surface
KR101285923B1 (ko) 연마장치 및 연마장치의 드레싱기어
JP6886862B2 (ja) 研磨方法
JP2010284776A (ja) 研削装置
JP2008091665A (ja) Cmp装置
KR20170087300A (ko) 에지 그라인딩 장치
JP2017026000A (ja) ころ軸受転走面の超仕上げ加工方法
JP2006043787A (ja) 平面研削用セグメント砥石
JP5085273B2 (ja) チャックテーブル洗浄装置
JP2009269105A (ja) 研磨ホイール
TW201908064A (zh) 用於研磨、拋光及/或切割物件之裝置