JP2018526822A5 - - Google Patents
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Description
現在の設計は、より多くのスクラッチを生成することで表面積が減少していく点で制限されており、この条件下では、局所的に大きな圧力と減少した支持面積のために、ウェハチャックは摩耗しやすくなる。表面が粗くなるほど、摩耗が増大する可能性が大きくなる。
一実施形態においては、処理ツールは、直径が27mmである。視覚的には、接触表面は、フラットな円板であるように見えるが、実際には、接触表面は、フラットな表面との接触状態となった際に、接触のエリアが、円板のものではなく、円又は環帯のものとなるように、わずかに円環体の形状を有する。処理ツールの接触表面が環帯又はリングとして成形される場合には、これも、わずかに円環体の形状を特徴とすることができる。
本発明に従って実施されたラッピングにおいては、約180グラムの自重負荷下における、且つ、約3メートル/分の平均速度において動作する、28ミリメートルの円環体の形状のSiC包含処理ツールを利用した。視覚的には、処理ツールは、円板形状であるように見えたが、円板のエッジ及び中心領域は、わずかに円環体の形状を処理ツールに対して付与するべく、フラットな状態から離れるように高くなっていた。
次に、ツールが方向性を表面粗度に付与しうるかどうかを確認するべく、処理ツールの運動を変更した。具体的には、処理ツールの最後のストローク又はパスを特定の軸に沿って、即ち、Y軸に沿って、実施した。図7A〜図7Dにおいて観察されるように、確かに、ツールによって付与されたスクラッチは、方向性を有している。
これらのスクラッチを作製するための好ましい方法は、小さなツールラップを用いるものであり、このラップを表面上に適応して「浮遊」するような多少の環状の形状とすることで、すべての湾曲の影響を最小限にする。これを実現するための1つの技術は、例えば玉継ぎ手によって、処理ツールをラッピング機械のホルダに取り付けるための処理ツールの制限を最小化することである。
Claims (12)
- 半導体ウエハを支持するためのウエハチャックにおいて、ウエハを支持するように構成された表面を有し、前記表面が、(i)均一な高さで規則的に離間した複数のピンを有し、(ii)周囲方向におけるよりも半径方向において小さな摩擦係数を有し、(iii)前記ピンの座面にスクラッチを有し、当該スクラッチは主には半径方向において方向付けられており、
前記ウエハチャックの中心を通って移動するように構成されたラッピングツールによって製造されることを特徴とするウエハチャック。 - 請求項1に記載のウエハチャックにおいて、前記ウエハチャックとほぼ同一の硬度を有するラッピングツールによって製造されることを特徴とするウエハチャック。
- 請求項1に記載のウエハチャックにおいて、SiCを有するラッピングツールによって製造されることを特徴とするウエハチャック。
- 請求項1に記載のウエハチャックにおいて、ドーナツ形の形状を有するラッピングツールによって製造されることを特徴とするウエハチャック。
- 請求項4に記載のウエハチャックにおいて、前記ラッピングツールは、28ミリメートルの直径を有し、且つ、180グラムの負荷を前記ウエハチャックに印加することを特徴とするウエハチャック。
- 請求項5に記載のウエハチャックにおいて、前記ラッピングツールは、3メートル/分の速度において前記ウエハチャック上において運動することを特徴とするウエハチャック。
- 請求項1に記載のウエハチャックにおいて、前記支持表面は、反応接合炭化ケイ素を含むことを特徴とするウエハチャック。
- 被加工物を研削、ラッピング、または研磨する方法において、
(a)処理ツールを提供するステップと、
(b)前記処理ツールの接触表面を、前記被加工物と物理的に接触させるステップと、
(c)前記処理ツールの接触表面を、前記被加工物上において運動させ、これにより、前記被加工物にスクラッチを生成し、研磨によって材料を除去するステップとを有し、
前記処理ツールの接触表面は側面と垂直に交わらずに円環体の形状を有しており、
前記被加工物は、半導体ウエハを支持する表面を有するウエハチャックを具え、
前記運動させるステップは、前記処理ツールが前記ウエハチャックの中心を通って移動させることを含むことを特徴とする方法。 - 請求項8に記載の方法において、前記ウエハチャックのウエハ支持表面にはピンが存在することを特徴とする方法。
- 請求項8に記載の方法において、前記運動させるステップは、自重負荷の状況の下で行われることを特徴とする方法。
- 請求項8に記載の方法において、前記運動させるステップは、前記ウエハチャックに対して主に半径方向に向けられた前記処理ツールの最後のパスを有することを特徴とする方法。
- 請求項8に記載の方法において、前記運動させるステップは、前記処理ツールの最後のパスが前記ウエハチャックの周囲に沿ってジグザグパターンを描くようにすることを含むことを特徴とする方法。
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US4692836A (en) * | 1983-10-31 | 1987-09-08 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Electrostatic chucks |
US5342068A (en) * | 1993-08-26 | 1994-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Laminar flow vacuum chuck |
JPH07171747A (ja) | 1993-12-21 | 1995-07-11 | Ricoh Co Ltd | 研削研磨装置 |
US5692873A (en) | 1995-03-31 | 1997-12-02 | Motorola, Inc. | Apparatus for holding a piece of semiconductor |
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US6217655B1 (en) | 1997-01-31 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck |
US6063202A (en) * | 1997-09-26 | 2000-05-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for backside and edge exclusion of polymer film during chemical vapor deposition |
JP2000061842A (ja) * | 1998-08-18 | 2000-02-29 | Toshiba Mach Co Ltd | 研磨装置 |
US6215642B1 (en) | 1999-03-11 | 2001-04-10 | Nikon Corporation Of Japan | Vacuum compatible, deformable electrostatic chuck with high thermal conductivity |
US6264467B1 (en) * | 1999-04-14 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Micro grooved support surface for reducing substrate wear and slip formation |
US6439986B1 (en) * | 1999-10-12 | 2002-08-27 | Hunatech Co., Ltd. | Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same |
US6353271B1 (en) | 1999-10-29 | 2002-03-05 | Euv, Llc | Extreme-UV scanning wafer and reticle stages |
KR100804006B1 (ko) | 2000-01-28 | 2008-02-18 | 히다치 도쿄 에렉트로닉스 가부시키가이샤 | 웨이퍼 척 |
JP2002057209A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置および枚葉式処理方法 |
JP3859937B2 (ja) | 2000-06-02 | 2006-12-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック |
US6717159B2 (en) | 2000-10-18 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Low distortion kinematic reticle support |
KR100422444B1 (ko) | 2001-05-29 | 2004-03-12 | 삼성전자주식회사 | 정전 척에 설치되는 웨이퍼 공간 지지장치 및 그 제조방법 |
JP4988202B2 (ja) | 2002-12-20 | 2012-08-01 | マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッド | 工作物の支持及び熱処理の方法とシステム |
CN100467210C (zh) * | 2004-03-25 | 2009-03-11 | 揖斐电株式会社 | 真空卡盘和吸附板 |
US7150677B2 (en) | 2004-09-22 | 2006-12-19 | Mitsubishi Materials Corporation | CMP conditioner |
JP4049172B2 (ja) | 2005-07-13 | 2008-02-20 | 住友電気工業株式会社 | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP4756583B2 (ja) | 2005-08-30 | 2011-08-24 | 株式会社東京精密 | 研磨パッド、パッドドレッシング評価方法、及び研磨装置 |
EP1772901B1 (en) * | 2005-10-07 | 2012-07-25 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Wafer holding article and method for semiconductor processing |
US8057633B2 (en) * | 2006-03-28 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Post-etch treatment system for removing residue on a substrate |
WO2007145505A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Xycarb Ceramics B.V. | Method for manufacturing a device for supporting a substrate during the manufacture of semiconductor components, as well as such a device |
NL1031985C2 (nl) * | 2006-06-12 | 2007-12-13 | Xycarb Ceramics B V | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het ondersteunen van een substraat tijdens de vervaardiging van halfgeleider-componenten alsmede een dergelijke inrichting. |
US20080100812A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having a wafer chuck made of a porous material |
JP5099476B2 (ja) | 2006-12-28 | 2012-12-19 | 株式会社ニコン | 清掃装置及び清掃システム、パターン形成装置、清掃方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4864757B2 (ja) * | 2007-02-14 | 2012-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びその表面処理方法 |
JP5018249B2 (ja) | 2007-06-04 | 2012-09-05 | 株式会社ニコン | クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP5428171B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2014-02-26 | 東ソー株式会社 | 研磨方法 |
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JP5402391B2 (ja) | 2009-01-27 | 2014-01-29 | 信越化学工業株式会社 | 半導体用合成石英ガラス基板の加工方法 |
NL2004153A (en) | 2009-02-24 | 2010-08-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, a method for removing material of one or more protrusions on a support surface, and an article support system. |
US20100330890A1 (en) | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Zine-Eddine Boutaghou | Polishing pad with array of fluidized gimballed abrasive members |
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EP2791034B1 (en) * | 2011-12-16 | 2021-01-27 | Brooks Automation, Inc. | Transport apparatus |
EP3683627A1 (en) | 2012-02-03 | 2020-07-22 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder and lithographic apparatus |
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JP6034717B2 (ja) | 2013-02-22 | 2016-11-30 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサの研磨部材上の摺動距離分布の取得方法、ドレッサの研磨部材上の摺動ベクトル分布の取得方法、および研磨装置 |
JP2014128877A (ja) | 2014-03-03 | 2014-07-10 | Femutekku:Kk | 表面加工装置及び方法 |
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JP2017537480A (ja) | 2014-11-23 | 2017-12-14 | エム キューブド テクノロジーズM Cubed Technologies | ウェハピンチャックの製造及び補修 |
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