JP6886862B2 - 研磨方法 - Google Patents
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Description
実施例1では、常圧焼結で製作した炭化ケイ素焼結体を直径50mm、厚さ5mmに粗加工して、片面を研削砥石にて、表面粗さRa0.1μm、平面度2μmに研削した後、サンドブラストによるエッチングを施している。被研磨処理面は、前述のエッチング処理により直径0.2mm、高さ0.1mmの凸部が複数形成される。
比較例1として、加工物として、炭化ケイ素焼結体を用い、研磨部材として、炭化ケイ素焼結体を用いて、押圧力及び摺動距離を実施例1と同一に設定した研磨後の加工物の表面粗さRaを測定したが、表面粗さRaは1000nmを超えていた。
なお、研磨部材7として純度99.5%の酸化アルミニウム焼結体を用いて説明したが、本発明の研磨部材7は、セラミックス焼結体であり、加工物5の硬度以下の硬度を備えるものであれば、他のものであってもよい。例えば、ムライト、スピネル、ジルコニアであってもよい。
Claims (6)
- 半導体製造装置用部品となるセラミックス焼結体からなる加工物を、セラミックス焼結体からなり、且つ、前記加工物よりも硬度の小さい研磨部材に摺動させて研磨する研磨方法であって、
表面粗さRaを0.1μm以下に予め調整した前記研磨部材の表面を、表面粗さRaが0.1μm以下の前記加工物の表面に摺動させて、前記加工物の表面を研磨することを特徴とする研磨方法。 - 請求項1に記載の研磨方法であって、
前記加工物は、炭化ケイ素の焼結体であり、
前記研磨部材は、酸化アルミニウム、ムライト、スピネル、ジルコニアのいずれか1つの焼結体であることを特徴とする研磨方法。 - 請求項2に記載の研磨方法であって、
前記研磨部材は、酸化アルミニウムの焼結体であることを特徴とする研磨方法。 - 請求項1から請求項3の何れか1項に記載の研磨方法であって、
乾式研磨であることを特徴とする研磨方法。 - 請求項1から請求項4の何れか1項に記載の研磨方法であって、
前記研磨部材と前記加工物とを直線的に相対移動させて研磨することを特徴とする研磨方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の研磨方法によって、基板を支持するための複数の凸部が表面に設けられた基材を前記加工物として準備し、前記複数の凸部の頂面を研磨する支持部材の製造方法。
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