JP2003229388A - 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 - Google Patents

研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法

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JP2003229388A
JP2003229388A JP2002025059A JP2002025059A JP2003229388A JP 2003229388 A JP2003229388 A JP 2003229388A JP 2002025059 A JP2002025059 A JP 2002025059A JP 2002025059 A JP2002025059 A JP 2002025059A JP 2003229388 A JP2003229388 A JP 2003229388A
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polishing
polished
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wafer
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JP2002025059A
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English (en)
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Susumu Hoshino
進 星野
Eiichi Yamamoto
栄一 山本
Yutaka Hayashi
豊 林
Yutaka Uda
豊 宇田
Osamu Shimoda
治 下田
Akihiro Takezawa
昭宏 竹澤
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッジイクスクルージョンを小さくする。 【解決手段】 支持部14aは、ウエハ2の研磨時にウ
エハからその周囲へはみ出すウエハのはみ出し部分を支
持する。高さ調整機構18は、支持部14aの高さを調
整して設定する。変位計23は、ウエハ2の被研磨面の
高さを計測する。制御部24は、変位計23からの計測
結果に基づいて、ウエハ2の被研磨面の高さを基準とし
た支持部14aの支持面の相対的な高さが、所望の相対
的な高さとなるように、高さ調整機構18を作動させ
る。研磨ヘッド7の研磨パッド10のリバウンディング
弾性変形によるウエハ2への影響の低減効果を、ウエハ
2の厚さのばらつきに応じて最適化して得ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ULSI
などの半導体デバイスを製造する方法において、半導体
デバイスの平坦化研磨等に用いるのに好適な研磨装置及
び研磨方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイス等の表面のグロー
バル平坦化技術として、化学的機械的研磨(Chemical M
echanical Polishing又はChemical Mechanical Planari
zation、以下ではCMPと称す)技術が採用されてい
る。CMPは、物理的研磨に化学的な作用(研磨剤、溶
液による溶かし出し)を併用してウエハの表面凹凸を除
いていく工程である。CMPによる研磨を行う研磨装置
は、研磨パッド等の研磨体と、ウエハ等の被研磨物を保
持するチャック等の保持部とを備え、研磨体と前記被研
磨物との間に研磨剤を介在させた状態で、研磨体と被研
磨物との間に荷重を加え、かつ相対移動させることによ
り、被研磨物を研磨する。
【0003】この種の研磨装置には、被研磨物の研磨時
に、研磨体と被研磨物との相対移動により、研磨体の一
部を一時的に又は常時、被研磨物からその周囲へはみ出
せるものがある。従来から、例えば、第1のタイプの研
磨装置として、チャックにフェイスアップで真空吸着さ
れたウエハを、角度追従性のあるフレキシブルな研磨ヘ
ッド部に取り付けたスモールパッド(ウエハよりも小径
の研磨パッド)で研磨する場合、ウエハから研磨パッド
を一時的にはみ出させる研磨装置が提供されている。ま
た、例えば、第2のタイプの研磨装置として、チャック
にフェイスダウンで真空吸着されたウエハを、研磨定盤
に取り付けたラージパッド(ウエハよりも大径の研磨パ
ッド)で研磨する場合、ウエハから研磨パッドを常時は
み出させる研磨装置が提供されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ウエハ等の被研磨物の
研磨時に、研磨パッド等の研磨体を被研磨物からその周
囲へ一時的又は常時はみ出させる、前述した従来の研磨
装置では、ウエハ等からの研磨パッドのはみ出しに起因
して、エッジイクスクルージョン(Edge Exclusion)が
比較的大きく、当該ウエハから得られるチップの収率を
さほど高めることができなかった。なお、エッジイクス
クルージョンは、研磨後のウエハ等の面内均一性を評価
する場合における評価範囲外とするウエハ等の外周部の
幅である。ウエハから得られるチップの収率を高めるた
めには、極力ウエハのエッジに近い部分まで均一に平坦
化研磨する必要があり、エッジイクスクルージョンが小
さいほどチップの収率が高まる。
【0005】すなわち、前記第1のタイプのような研磨
装置においても、前記第2のタイプのような研磨装置に
おいても、ウエハ等からのパッドのはみ出しにより、パ
ッドに段差が生ずる。ウエハからはみ出していない箇所
のパッドは加圧力により押しつぶされているが、はみ出
した箇所はパッド材の復元力により前者よりも厚くなっ
ている。加圧力から解放されてこの厚みに復元した領域
は、ヘッド部の回転により再びウエハに接触する。この
段差部がウエハに乗り上げる瞬間は、解放されていたパ
ッド面が再び急激に圧縮されるために、ウエハが受ける
加圧状態はエッジ付近で不均一になる。押しつぶされて
いたパッドが加圧力から解放される瞬間にも同様のこと
が起きる。このような現象は、リバウンディング弾性変
形と呼ばれる。この現象に起因して、ウエハのエッジ近
傍では、研磨レートの低い特異点等が生じて所望の研磨
が得られず、エッジイクスクルージョンが大きくなって
いた。
【0006】また、前記第1のタイプのような研磨装置
では、ウエハ等からのパッドのはみ出しによりパッドが
ウエハ等からオーバーハングすることによって、研磨ヘ
ッドの傾きが生ずる。前記第1のタイプのような研磨装
置では、加工組立に起因するパッド面とチャック面の平
行度誤差や、ウエハ表面のうねりなどを吸収するため
に、ヘッド部は角度追従性のあるフレキシブルな機構を
採用している。このため、パッドが揺動中にウエハから
はみ出すと、逆にこのフレキシブルさが裏目に出てしま
い研磨ヘッドはパッドがはみ出した側に比較的大きく傾
く結果、ウエハの中心側部分の加圧力が低下する一方、
ウエハの周辺側部分で加圧力が増大し、しかもその加圧
力の差が比較的大きくなってしまう。したがって、ウエ
ハの中心側部分の研磨レートが比較的大きく低下すると
ともにウエハの周辺側部分の研磨レートが比較的大きく
増大し、結果的にウエハの端部が一番多く削れてしまう
エッジファーストが生じてしまい、エッジイクスクルー
ジョンが大きくなっていた。
【0007】前記第2のタイプのような研磨装置では、
リバウンディング弾性変形により生ずるエッジイクスク
ルージョンを低減するため、実際には、ウエハの周囲に
配置されたリテーナリングに、パッドのはみ出し部分を
支持する支持部材を兼用させることが行われている。こ
のリテーナリングのパッド支持面は全面に渡って同一平
面からなり、このリテーナリングは、そのパッド支持面
の高さが、パッド支持面の全面に渡って、チャックに保
持されたウエハの研磨面の高さとほぼ同一になるよう
に、チャックに対して固定されている。また、ウエハの
チャックへのローディング及びアンローディングを可能
にするべく、リテーナリングとウエハとの間にはかなり
大きい隙間が設けられている。この場合、リテーナリン
グのパッド支持面の幅を適切に設定すれば、リテーナリ
ングがダミーのウエハとして作用することにより、この
ようなリテーナリングを設けない場合に比べて、リバウ
ンディング弾性変形によるウエハへの影響を低減するこ
とができ、エッジイクスクルージョンを小さくすること
ができる。
【0008】しかし、前記第2のタイプのような研磨装
置では、従来は、前記リテーナリングはチャックに対し
て固定されており、リテーナリングのパッド支持面の高
さを調整することは不可能であった。ところが、ウエハ
等の被研磨物の厚さは個々のウエハ毎に異なるため、ウ
エハの研磨面の高さとリテーナリングのパッド支持面と
の高さに差が生じてしまい、この差に起因して、必ずし
もリバウンディング弾性変形のウエハ等への影響を十分
に低減することは困難であり、さほどエッジイクスクル
ージョンを小さくすることはできなかった。
【0009】前記第1のタイプのような研磨装置におい
ても、前記第2のタイプにような研磨装置における前記
リテーナリングと同様に、パッドのはみ出し部分を支持
する支持部材を設けることにより、エッジイクスクルー
ジョンの改善を図ることが行われている。この支持部材
のパッド支持面は全面に渡って同一平面からなり、この
支持部材は、そのパッド支持面の高さが、パッド支持面
の全面に渡って、チャックを基準として常に一定の高さ
となるように、設けられている。また、ウエハのチャッ
クへのローディング及びアンローディングを可能にする
べく、支持部材とウエハとの間にはかなり大きい隙間が
設けられている。この場合、支持部材のパッド支持面の
幅を適切に設定すれば、支持部材がダミーのウエハとし
て作用することにより、このような支持部材を設けない
場合に比べて、リバウンディング弾性変形によるウエハ
への影響を低減することができ、エッジイクスクルージ
ョンを小さくすることができる。また、支持部材のパッ
ド支持面の幅を十分に広く設定すれば、オーバーハング
による研磨ヘッドの傾きが生じなくなるため、支持部材
を設けない場合に比べて、エッジファーストが低減さ
れ、この点からも、エッジイクスクルージョンを小さく
することができる。
【0010】しかし、前記第1のタイプのような研磨装
置では、従来は、支持部材のパッド支持面の高さがチャ
ックを基準として常に一定の高さなるように構成されて
おり、支持部材のパッド支持面の高さを調整することは
不可能であった。ところが、ウエハ等の被研磨物の厚さ
は個々のウエハ毎に異なるため、ウエハの研磨面の高さ
とリテーナリングのパッド支持面との高さに差が生じて
しまい、この差に起因して、必ずしもリバウンディング
弾性変形のウエハ等への影響を十分に低減することは困
難であり、さほどエッジイクスクルージョンを小さくす
ることはできなかった。
【0011】また、前記第1のタイプのような研磨装置
では、従来は、オーバーハングによる研磨ヘッドの傾き
が全くないことが理想と考えられており、これに従い、
支持部材のパッド支持面は全面に渡って同一高さとされ
ていた。本発明の研究の結果、このような従来の技術常
識に反して、研磨ヘッドの傾きが常にエッジファースト
をもたらすものではなく、研磨ヘッドの傾きをウエハ等
のグローバル均一性を向上させるために設定する研磨条
件の設定パラメータの1つとして積極的に利用し得るこ
とが、判明した。すなわち、オーバーハングによる研磨
ヘッドの傾きが、前記支持部材がない場合のように大き
ければ、前述したようにエッジファーストが生じてしま
うが、研磨ヘッドの傾きがさほど大きくない範囲であれ
ば、研磨ヘッドの傾きに応じてウエハの中心側部分の加
圧力が低下するとともにウエハの周辺側部分で加圧力が
増大するが、その差が比較的小さくなることから、他の
研磨条件の設定パラメータ(例えば、プレストンの式に
おける研磨時間(滞在時間)など)との関係で、エッジ
ファーストを十分に低減することができる。むしろ、他
の研磨条件の設定パラメータと相俟って、研磨ヘッドの
傾きに応じて生ずる、中心側部分の加圧力と周辺側部分
の加圧力との差(勾配)を適切に設定することによっ
て、グローバル均一性を向上させることが可能である。
【0012】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、エッジイクスクルージョンを小さくすること
ができる研磨装置及び研磨方法を提供することを目的と
する。
【0013】また、本発明は、エッジイクスクルージョ
ンを小さくすることができるとともに、研磨ヘッドの傾
きを研磨条件の設定パラメータの1つとして積極的に利
用することができる研磨装置及び研磨方法を提供するこ
とを目的とする。
【0014】さらに、本発明は、低コストで半導体デバ
イスを製造することができる半導体デバイス製造方法、
及び低コストの半導体デバイスを提供することを目的と
する。
【0015】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第1の態様による研磨装置は、研磨体と、
被研磨物を保持する保持部とを備え、前記研磨体と前記
被研磨物との間に荷重を加え、前記研磨体及び前記被研
磨物を相対移動させることにより、前記被研磨物を研磨
する研磨装置において、前記被研磨物の研磨時に少なく
とも一時的に前記被研磨物からその周囲へはみ出す前記
研磨体のはみ出し部分を支持する支持部と、前記支持部
における前記はみ出し部分を支持する支持面の高さを調
整して設定し得る高さ調整機構と、を備えたものであ
る。
【0016】本発明の第2の態様による研磨装置は、前
記第1の態様において、前記保持部に保持された状態に
おける前記被研磨物の被研磨面の面の高さに応じた情報
に基づいて、前記被研磨物の前記被研磨面の高さを基準
とした前記支持面の相対的な高さが、所望の相対的な高
さとなるように、前記高さ調整機構を作動させる制御部
を、備えたものである。
【0017】本発明の第3の態様による研磨装置は、前
記第2の態様において、前記情報を取得する計測部を備
えたものである。
【0018】本発明の第4の態様による研磨装置は、前
記第1乃至第3のいずれかの態様において、前記支持面
は、全面に渡ってほぼ同一の高さを有するものである。
【0019】本発明の第5の態様による研磨装置は、前
記第1乃至第3のいずれかの態様において、前記支持面
における前記被研磨物に近い側の領域の高さと前記被研
磨物から遠い側の領域の高さとが異なるものである。
【0020】本発明の第6の態様による研磨装置は、前
記第5の態様において、前記遠い側の領域は、前記近い
側の領域に比べて、前記研磨体の側に突出していないも
のである。
【0021】本発明の第7の態様による研磨装置は、前
記第5又は第6の態様において、前記支持部は、前記近
い側の領域を形成する第1の部材と、前記遠い側の領域
を形成する第2の部材とを有し、前記支持部は、前記第
1及び第2の部材のうちの少なくとも一方を当該領域の
高さが異なるものに交換し得るように、構成されたもの
である。
【0022】本発明の第8の態様による研磨装置は、研
磨体と、被研磨物を保持する保持部とを備え、前記研磨
体と前記被研磨物との間に荷重を加え、前記研磨体及び
前記被研磨物を相対移動させることにより、前記被研磨
物を研磨する研磨装置において、前記被研磨物の研磨時
に少なくとも一時的に前記被研磨物からその周囲へはみ
出す前記研磨体のはみ出し部分を支持する支持部を備
え、前記支持部における前記はみ出し部分を支持する支
持面のうちの前記被研磨物に近い側の領域の高さと前記
被研磨物から遠い側の領域の高さとが異なるものであ
る。
【0023】本発明の第9の態様による研磨装置は、前
記第8の態様において、前記遠い側の領域は、前記近い
側の領域に比べて、前記研磨体の側に突出していないも
のである。
【0024】本発明の第10の態様による研磨装置は、
前記第8又は第9の態様において、前記近い側の領域の
高さが前記被研磨物の被研磨面の高さとほぼ同一である
ものである。
【0025】本発明の第11の態様による研磨装置は、
前記第8乃至第10のいずれかの態様において、前記支
持部は、前記近い側の領域を形成する第1の部材と、前
記遠い側の領域を形成する第2の部材とを有し、前記支
持部は、前記第1及び第2の部材のうちの少なくとも一
方を当該領域の高さが異なるものに交換し得るように、
構成されたものである。
【0026】本発明の第12の態様による研磨装置は、
前記第8乃至第10のいずれかの態様において、前記支
持部は、前記近い側の領域を形成する第1の部材と、前
記遠い側の領域を形成する第2の部材とを有し、前記第
2の部材の前記遠い側の領域の高さを調整して設定し得
る高さ調整機構を備えたものである。
【0027】本発明の第13の態様による研磨装置は、
研磨体と、被研磨物を保持する保持部とを備え、前記研
磨体と前記被研磨物との間に荷重を加え、前記研磨体及
び前記被研磨物を相対移動させることにより、前記被研
磨物を研磨する研磨装置において、(a)前記被研磨物
の研磨時に少なくとも一時的に前記被研磨物からその周
囲へはみ出す前記研磨体のはみ出し部分を支持する支持
部であって、当該支持部における前記はみ出し部分を支
持する支持面のうちの前記被研磨物に近い側の領域を形
成する第1の部材、及び、前記支持面のうちの前記被研
磨物から遠い側の領域を形成する第2の部材を有する支
持部と、(b)前記第1の部材の前記近い側の領域の高
さを調整して設定し得る第1の高さ調整機構と、(c)
前記第1の部材の前記近い側の領域の高さと独立して、
前記第2の部材の前記遠い側の領域の高さを調整して設
定し得る第2の高さ調整機構と、を備えたものである。
【0028】本発明の第14の態様による研磨装置は、
前記第13の態様において、前記保持部に保持された状
態における前記被研磨物の被研磨面の高さに応じた情報
に基づいて、前記被研磨物の前記被研磨面の高さを基準
とした前記支持面の前記各領域の相対的な高さが、それ
ぞれ所望の相対的な高さとなるように、前記第1及び第
2の高さ調整機構をそれぞれ作動させる制御部を、備え
たものである。
【0029】本発明の第15の態様による研磨装置は、
前記第14の態様において、前記情報を取得する計測部
を備えたものである。
【0030】本発明の第16の態様による研磨装置は、
前記第1乃至第15のいずれかの態様において、前記支
持部は、前記被研磨物の周囲に沿って順次配置され互い
に分離した複数の個別支持部を含み、前記各個別支持部
を、前記被研磨物の被研磨面にほぼ沿った方向であって
略々放射状の内側方向の第1の位置と、前記被研磨物の
被研磨面にほぼ沿った方向であって略々放射状の外側方
向の第2の位置との間で、それぞれ移動させる移動機構
を備えたものである。
【0031】本発明の第17の態様による研磨装置は、
前記第16の態様において、前記第1の位置は、前記被
研磨物の周囲と前記各個別支持部との間に実質的に隙間
がない位置であるものである。
【0032】本発明の第18の態様による研磨装置は、
複数の研磨ゾーンを備え、前記各研磨ゾーンにおいて、
研磨体と保持部に保持された被研磨物との間に荷重を加
え、前記研磨体及び前記被研磨物を相対移動させること
により、前記被研磨物を異なる研磨条件で研磨する、研
磨装置であって、(a)前記各保持部に対応してそれぞ
れ設けられて、対応する保持部に保持された前記被研磨
物の研磨時に少なくとも一時的に当該被研磨物からその
周囲へはみ出す前記研磨体のはみ出し部分を支持する支
持部を備え、(b)前記各支持部における前記はみ出し
部分を支持する支持面は、前記被研磨物に近い側の領域
と、当該近い領域の高さとは異なる高さを持つ前記被研
磨物から遠い側の領域を持つように、前記各領域の高さ
が設定され、(c)前記複数の研磨ゾーンのうちの1つ
の研磨ゾーンに位置する前記保持部に対応して設けられ
た前記支持部の前記各領域間の高さの差と、前記複数の
研磨ゾーンのうちの他の1つ以上の研磨ゾーンに位置す
る前記保持部に対応して設けられた前記支持部の前記各
領域間の高さの差とが、互いに異なるように設定される
ものである。
【0033】本発明の第19の態様による研磨装置は、
前記第18の態様において、前記各保持部を略々同一の
円周上に配置し、かつ前記各保持部を当該円周に沿って
一体に回動し得るように設けられたインデックステーブ
ルを備え、前記インデックステーブルの回動により、前
記各保持部のうちの所定数の保持部が前記複数の研磨ゾ
ーンにそれぞれ1つずつ位置するものである。
【0034】本発明の第20の態様による研磨方法は、
研磨体と被研磨物との間に荷重を加え、前記研磨体及び
前記被研磨物を相対移動させることにより、前記被研磨
物を研磨する研磨方法において、前記被研磨物の研磨時
に少なくとも一時的に前記被研磨物からその周囲へはみ
出す前記研磨体のはみ出し部分を支持部で支持し、前記
支持部における前記はみ出し部分を支持する支持面のう
ちの前記被研磨物に近い側の領域の高さと前記被研磨物
から遠い側の高さとを異ならせた状態で、前記被研磨物
を研磨するものである。
【0035】本発明の第21の態様による研磨方法は、
前記第20の態様において、前記遠い側の領域は、前記
近い側の領域に比べて、前記研磨体の側に突出していな
い状態で、前記被研磨物を研磨するものである。
【0036】本発明の第22の態様による研磨方法は、
前記第20又は第21の態様において、前記近い側の領
域の高さを前記被研磨物の被研磨面の高さとほぼ同一に
した状態で、前記被研磨物を研磨するものである。
【0037】本発明の第23の態様による半導体デバイ
ス製造方法は、前記第1乃至第19のいずれかの態様に
よる研磨装置を用いて、あるいは、前記第20乃至第2
2のいずれかの態様による研磨方法を用いて、半導体ウ
エハの表面を平坦化する工程を有するものである。
【0038】本発明の第24の態様による半導体デバイ
スは、前記第23の態様による半導体デバイス製造方法
により製造されるものである。
【0039】前述した各態様において、前記研磨体の径
が前記被研磨物の径と略同一であるかあるいはそれより
大きくてもよいし、また、前記被研磨物の径が前記研磨
体の径より大きくてもよい。
【0040】また、前述した各態様において、前記支持
部は、前記保持部に対して固定されていてもよいし、前
記保持部に対して固定されていなくてもよい。
【0041】
【発明の実施の形態】以下、本発明による研磨装置、研
磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法に
ついて、図面を参照して説明する。
【0042】[第1の実施の形態]
【0043】図1は、本発明の第1の実施の形態による
研磨装置のインデックステーブル1の付近を模式的に示
す概略平面図である。図2は、図1中のA−B矢視の概
略断面と図1に示す研磨装置の制御系統を模式的に示す
図である。
【0044】本実施の形態による研磨装置は、図1に示
すように、図示しない固定部に対して中心軸O回りに回
動自在に支持され、電動モータ(図示せず)により図1
中の矢印Cの方向に回動されるインデックステーブル1
を、備えている。インデックステーブル1には、軸Oを
中心とする同一の円周上に90゜間隔で配置された4つ
のウエハ保持部3〜6が設けられている。本実施の形態
では、ウエハ保持部3〜6は、それらの上部に被研磨物
としてのウエハ2を保持し、ウエハ2の上面が被研磨面
となる。
【0045】インデックステーブル1が回動することに
よって、ウエハ保持部3〜6がそれぞれ、ローディング
ゾーンZ1、第1の研磨ゾーンZ2、第2の研磨ゾーン
Z3及びアンローディングゾーンZ4に、順次位置する
ようになっている。本実施の形態では、第1の研磨ゾー
ンZ2でウエハ2の被研磨面を粗研磨して平坦化し、第
2の研磨ゾーンZ3で、平坦化処理後のウエハ2の被研
磨面を仕上げ研磨する。
【0046】ウエハ保持部4は、略々円盤状に構成され
て公知の真空吸着可能な構造(図示せず)を持ち、ウエ
ハ2を真空吸着することによってウエハ2を上面に保持
し得るようになっている。ウエハ保持部4の下部には支
持筒11が固定され、支持筒11がベアリング等(図示
せず)によりインデックステーブル1に回転自在に支持
され、アクチュエータとして電動モータを用いた図示し
ない機構によって、図1中の矢印Dの方向に回転できる
ようになっている。ウエハ保持部4は、このようにイン
デックステーブル1に対して矢印Dの方向に回転できる
が、インデックステーブル1に対して図2中の上下方向
には移動しないようになっている。以上、インデックス
テーブル1に搭載された1つのウエハ保持部4に関して
説明したが、図1中の他のウエハ保持部3,5,6につ
いても同様に構成されている。
【0047】また、図1に示すように、研磨ゾーンZ
2,Z3には、研磨ヘッド(研磨部材)7,8がそれぞ
れ設けられている。研磨ゾーンZ2の研磨ヘッド7は、
図2に示すように、研磨定盤9の下面に研磨体としての
研磨パッド10を設置したものである。図2に示す例で
は、研磨パッド10としては、2層のスタッキングパッ
ドが用いられているが、これに限定されるものではな
い。本実施の形態では、研磨パッド10は、粗研磨の平
坦化処理に適した材質、層数及び表面の溝構造等を持つ
ものを適宜選択すればよい。
【0048】研磨ヘッド7は、アクチュエータとして電
動モータを有する図示しない機構によって、図2中の矢
印E,F,Gで示すように、回転、上下動及び左右に揺
動(往復動)できるようになっている。また、図面には
示していないが、研磨定盤9は角度追従性を持つように
支持されている。研磨ヘッド7の研磨パッド10の径
は、ウエハ2の径より小さくされている。もっとも、研
磨パッド10の径は、ウエハ2の径より大きくしてもよ
い。研磨ゾーンZ2に位置しているウエハ保持部(図1
及び図2の状態では、ウエハ保持部4)に保持されたウ
エハ2の研磨時に、研磨ヘッド7の矢印Gの方向の揺動
によって、図1及び図2に示すように、研磨パッド10
の一部が一時的にウエハ2の図1及び図2中の右側の周
囲へはみ出すようになっている。図2は、研磨パッド1
0が最も右側へはみ出した状態を示している。また、図
面には示していないが、研磨ヘッド7は、研磨剤(スラ
リー)供給構造を持ち、研磨定盤9の下面の回転中心に
形成された給液孔から研磨パッド10にひいてはウエハ
2上に研磨剤を供給し得るように構成されている。本実
施の形態では、この研磨剤として、粗研磨の平坦化処理
に適した種類のものが用いられている。
【0049】以上、研磨ゾーンZ2の研磨ヘッド7に関
して説明したが、研磨ゾーンZ3の研磨ヘッド8につい
ても同様に構成されている。ただし、研磨ヘッド8で
は、ウエハ2の被研磨面の仕上げ研磨に適した研磨パッ
ドが用いられ、また、この仕上げ研磨に適した種類の研
磨剤が供給されるようになっている。さらに、研磨ヘッ
ド8も研磨ヘッド7と同様に、回転、上下動及び左右に
揺動(往復動)できるようになっているが、本実施の形
態では、研磨ヘッド8の揺動によって、図1に示すよう
に、研磨ヘッド8の研磨パッドの一部が一時的にウエハ
2の図1中の左側の周囲へはみ出すようになっている。
【0050】そして、本実施の形態による研磨装置で
は、図1に示すように、各ウエハ保持部3〜6に対応し
て、2つずつの支持部13aと13b、14aと14
b、15aと15b、16aと16bがそれぞれ設けら
れている。各ウエハ保持部3〜6に対応して設けられた
一方の支持部13a,14a,15a,16aは、対応
するウエハ保持部が研磨ゾーンZ2に位置し当該ウエハ
保持部に保持されたウエハ2が研磨ヘッド7で研磨され
る時に、当該ウエハ保持部に保持されたウエハ2からそ
の周囲の右側へ一時的にはみ出す研磨ヘッド7の研磨パ
ッド10のはみ出し部分を支持するように、インデック
ステーブル1上に配置されている。各ウエハ保持部3〜
6に対応して設けられた他方の支持部13b,14b,
15b,16bは、対応するウエハ保持部が研磨ゾーン
Z3に位置し当該ウエハ保持部に保持されたウエハ2が
研磨ヘッド8で研磨される時に、当該ウエハ保持部に保
持されたウエハ2からその周囲の左側へ一時的にはみ出
す研磨ヘッド8の研磨パッドのはみ出し部分を支持する
ように、インデックステーブル1上に配置されている。
【0051】本実施の形態では、ウエハ保持部4に対応
する一方の支持部14aは、図1及び図2に示すよう
に、ウエハ保持部4に保持されたウエハ2の外周に若干
隙間Sをあけて沿った平面視円弧状をなすとともに断面
長方形状の単一の部材17で構成されている。この部材
17の上面は、研磨ヘッド7の研磨パッド10のはみ出
し部分を支持する支持面をなし、全体に渡って同一の高
さを持つ平面、すなわち、ウエハ保持部4におけるウエ
ハ保持面と実質的に平行な平面となっている。部材17
は、例えば、ジルコニアやアルミナ等の耐摩耗性に優れ
たセラミック材料で構成される。ウエハ保持部4に対応
する他方の支持部14bも、部材17と同様の単一の部
材で構成され、その部材の上面は、研磨ヘッド8の研磨
パッドのはみ出し部分を支持する支持面をなし、全体に
渡って同一の高さを持つ平面となっている。
【0052】また、本実施の形態では、図2に示すよう
に、支持部14aにおける研磨パッド10の前記はみ出
し部分を支持する支持面の高さ(本実施の形態では、部
材17の上面の図2中の上下方向の位置)を調整して設
定し得る高さ調整機構18が、設けられている。本実施
の形態では、高さ調整機構18は、そのベース側がイン
デックステーブル1に対して固定されたベース部材19
に固定され、その可動側が部材17に対して機械的に連
係されており、インデックステーブル1を基準として支
持部14aの支持面の高さを調整して設定し得るように
構成されている。本実施の形態では、支持部14aは、
ウエハ保持部4と独立しており、ウエハ保持部4と一緒
に回転することはない。
【0053】図3は、この高さ調整機構18の一具体例
を示す概略断面図である。図3に示す例では、高さ調整
機構18は、ベース部材19に固定され部材17を上下
方向にのみ案内し部材17の他の動きを規制する案内部
材20と、ベース部材19に固定された電動モータ21
と、電動モータ21の出力軸に連結され上方に延びた精
密ねじ軸22とから構成されている。ねじ軸22は、部
材17に形成されたねじ孔27に螺合されている。この
高さ調整機構18によれば、部材17は、電動モータ2
1を回転させると、案内部材20により上下方向に案内
されつつ、ねじ軸22により上下方向に移動され、電動
モータ21を停止させるとその位置で停止する。したが
って、電動モータ21の回転方向及び回転量に応じて、
部材17の上下方向の位置を調整して設定することがで
きる。もっとも、高さ調整機構18の具体的な構成は、
図3に示す構成に限定されるものではなく、種々の機構
を採用し得ることは言うまでもない。
【0054】ウエハ保持部4に対応する他方の支持部1
4bに対しても、図面には示していないが、支持部高さ
調整機構18に相当する高さ調整機構が設けられてい
る。なお、本実施の形態では、支持部14a,14bに
対してそれぞれ高さ調整機構が設けられ、両者の高さを
それぞれ独立して調整して設定できるようになっている
が、例えば、支持部14a,14bを機械的に連結して
おき、両者の高さを1つの高さ調整機構で同時に調整し
て設定し得るように構成してもよい。
【0055】以上、ウエハ保持部4に対応する支持部1
4a,14b及びこれらに対してそれぞれ設けられた高
さ調整機構について説明したが、他のウエハ保持部3,
5,6に対応して設けられた支持部13a,13b,1
5a,15b,16a,16bも支持部14a,14b
と同様に構成され、これらの支持部13a,13b,1
5a,15b,16a,16bに対しても高さ調整機構
18に相当する高さ調整機構がそれぞれ設けられてい
る。
【0056】また、本実施の形態による研磨装置では、
図1及び図2に示すように、ウエハ保持部に保持された
状態におけるウエハ2の被研磨面の高さに応じた情報を
取得する計測部として、接触子を用いた機械式あるいは
光学式などの非接触式の変位計23が、ローディングゾ
ーンZ1に設けられている。本実施の形態では、この変
位計23は、ローディングゾーンZ1に位置しているウ
エハ保持部(図1に示す状態では、ウエハ保持部3)に
保持されているウエハ2の被研磨面の高さを、インデッ
クステーブル1の所定箇所を基準として計測するように
なっている。もっとも、前記計測部はこれに限定される
ものではなく、例えば、ローディングゾーンZ1のウエ
ハ保持部4にローディングされる前のウエハ2の厚さを
測定する測定器を前記計測部として用い、前記情報とし
て当該測定器から得られるウエハ2の厚さを用いてもよ
い。ウエハ保持部4の上面の高さは既知であるので、ウ
エハ2の厚さからウエハ2の上面の高さを知ることがで
きる。なお、現状では、個々のウエハ2の厚さのばらつ
きは、かなり大きい。変位計23からの計測結果(ウエ
ハ2の被研磨面の高さ)は、後述する制御部24によ
り、図2中の高さ調整機構18などの前述した各高さ調
整機構を制御するために用いられる。
【0057】さらに、本実施の形態による研磨装置は、
図2に示すように装置全体を制御する制御部24も備え
ており、制御部24が、前述した各部のモータや、変位
計23や、ローディングゾーンZ1に位置しているウエ
ハ保持部に対してウエハ2をローディングする搬送装置
(図示せず)や、アンローディングゾーンZ4に位置し
ているウエハ保持部に対してウエハ2をアンローディン
グする搬送装置(図示せず)などを、制御することによ
って、以下に説明する動作を行う。
【0058】各ゾーンZ1〜Z4での動作は並行して行
われるが、各ウエハ保持部3〜6に関する動作は各ゾー
ンZ1〜Z4ごとに同じであるので、ここでは、ウエハ
保持部4に着目して動作を説明する。
【0059】ウエハ保持部4がゾーンZ1に位置してい
るときに、図示しない搬送装置により、ウエハ2がウエ
ハ保持部4上にローディングされる。そして、ウエハ保
持部4上にウエハ2が保持された状態で、変位計23に
より当該ウエハ2の被研磨面の高さが計測される。制御
部24は、このウエハ2の被研磨面の高さに基づいて、
支持部14aに対応して設けられた高さ調整機構18及
び支持部14bに対応して設けられた高さ調整機構をそ
れぞれ作動させて、支持部14aの支持面(部材17の
上面)の高さ及び支持部14bの支持面の高さを、それ
ぞれ調整して所望の高さに設定する。この支持部14
a,14bの支持面の高さの設定とそれによる効果につ
いては、後に詳述する。
【0060】なお、本実施の形態では、ゾーンZ1で設
定された高さは、次回にゾーンZ1で新たに設定される
まで、研磨ゾーンZ2,Z3においても維持される。も
っとも、支持部14aの支持面の高さの設定は、ウエハ
保持部4に保持されたウエハ2が研磨ゾーンZ2で研磨
が開始される前に行えばよいし、支持部14bの支持面
の高さの設定は、ウエハ保持部4に保持されたウエハ2
が研磨ゾーンZ3で研磨が開始される前に行えばよい。
【0061】次に、インデックステーブル1が回動し
て、ウエハ2を保持したウエハ保持部4が第1の研磨ゾ
ーンZ2に位置する。この研磨ゾーンZ2では、図1及
び図2に示すように、研磨ヘッド7は、回転しながら揺
動して、ウエハ保持部4上のウエハ2の被研磨面に所定
の圧力(荷重)で押し付けられる。ウエハ保持部4を回
転させてウエハ2も回転させ、ウエハ2と研磨ヘッド7
との間で相対運動を行わせる。この状態で、前述したよ
うに研磨剤が研磨ヘッド7からウエハ2上に供給され、
研磨剤はウエハ2上で拡散し、研磨ヘッド7とウエハ2
の相対運動に伴って研磨パッド10とウエハ2との間に
入り込み、ウエハ2の被研磨面を研磨する。すなわち、
研磨ヘッド7とウエハ2の相対運動による機械的研磨
と、研磨剤の化学的作用が相乗的に作用して、研磨が行
われる。このとき、研磨剤の種類や研磨パッド10の種
類の他にも、研磨ヘッド7及びウエハ保持部4の回転速
度や、研磨ヘッド7の揺動速度や揺動量などの研磨条件
は、粗研磨の平坦化処理に適した条件とされる。
【0062】この粗研磨の平坦化処理の後、インデック
ステーブル1が回動して、ウエハ2を保持したウエハ保
持部4が第2の研磨ゾーンZ3に位置する。この研磨ゾ
ーンZ2では、研磨ゾーンZ4での研磨と基本的に同様
の研磨が行われる。すなわち、研磨ヘッド8は、回転し
ながら揺動して、ウエハ保持部4上のウエハ2の被研磨
面に所定の圧力(荷重)で押し付けられる。ウエハ保持
部4を回転させてウエハ2も回転させ、ウエハ2と研磨
ヘッド8との間で相対運動を行わせる。この状態で、研
磨剤が研磨ヘッド8からウエハ2上に供給され、研磨剤
はウエハ2上で拡散し、研磨ヘッド8とウエハ2の相対
運動に伴って研磨ヘッド8の研磨パッドとウエハ2との
間に入り込み、ウエハ2の被研磨面を研磨する。すなわ
ち、研磨ヘッド8とウエハ2の相対運動による機械的研
磨と、研磨剤の化学的作用が相乗的に作用して、研磨が
行われる。このとき、研磨剤の種類や研磨パッド10の
種類の他にも、研磨ヘッド8及びウエハ保持部4の回転
速度や、研磨ヘッド8の揺動速度や揺動量などの研磨条
件は、仕上げ研磨に適した条件とされる。したがって、
第1の研磨ゾーンZ2での研磨と第2の研磨ゾーンZ3
での研磨とでは、研磨条件が異なる。
【0063】この仕上げ研磨の後、インデックステーブ
ル1が回動して、ウエハ2を保持したウエハ保持部4が
アンローディングゾーンZ4に位置する。研磨が終了し
たウエハ2がゾーンZ4でアンローディングされ、搬送
装置(図示せず)により洗浄工程等を行う図示しない場
所に搬送される。
【0064】その後、インデックステーブル1が回動し
て、ウエハ保持部4がローディングゾーンZ1へ戻り、
このウエハ保持部4に次のウエハ2がローディングさ
れ、以上の動作を繰り返す。
【0065】ここで、前述したローディングゾーンZ1
での支持部14a,14bの支持面の高さの設定の例と
それによる効果について、説明する。説明の便宜上、ウ
エハ2の被研磨面の高さを基準として、ウエハ2の被研
磨面と同じ高さをゼロ、ウエハ2の高さより研磨パッド
側(本実施の形態では上側)の高さを+、ウエハ2の高
さより研磨パッドと反対側(本実施の形態では下側)の
高さを−とする。
【0066】まず、支持部14aの支持面の高さについ
て説明する。
【0067】第1に、支持部14aの支持面の高さを実
質的にゼロに設定してもよい。この場合、研磨ゾーンZ
2での研磨時において、研磨ヘッド7の研磨パッド10
のリバウンディング弾性変形によるウエハ2への影響が
最も低減され、この点からエッジイクスクルージョンを
小さくすることができる。また、研磨ヘッド7の傾きも
実質的に生じないので、エッジファーストが低減され、
この点からもエッジイクスクルージョンが小さくなる。
【0068】第2に、支持部14aの支持面の高さを、
実質的にゼロから−側の所定の値までの範囲で、研磨ゾ
ーンZ2での他の研磨条件のパラメータと相俟ってウエ
ハ2のグローバル均一性を向上させることができるよう
な高さに設定してもよい。ここで、前記所定の値は、研
磨ゾーンZ2での研磨時において、支持部14aがない
場合に比べて、研磨ヘッド7の傾きが抑制され、エッジ
ファーストが低減されるような値である。この第2の場
合には、支持部14aの支持面の高さの−側の値が小さ
い(又は大きい)ほど研磨ゾーンZ2での研磨時におけ
る研磨ヘッド7の傾きが小さく(又は大きく)なり、そ
れに応じて、ウエハ2の中心側部分の加圧力と周辺側部
分の加圧力との差(勾配)が決まる。したがって、前記
範囲内で、支持部14aの支持面の高さを適切に設定す
ることによって、他の研磨条件のパラメータと相俟っ
て、ウエハ2のグローバル均一性を向上させることがで
きる。また、支持部14aの支持面の高さが、前記範囲
内における比較的ゼロに近い範囲の値であれば、研磨ヘ
ッド7の研磨パッド10のリバウンディング弾性変形に
よるウエハ2への影響もある程度低減され、エッジイク
スクルージョンを小さくすることができる。ただし、支
持部14aの支持面の高さが、前記範囲内であっても比
較的ゼロに近い範囲を越える値であれば、研磨ヘッド7
の研磨パッド10のリバウンディング弾性変形によるウ
エハ2への影響の低減効果はほとんど得られなくなる。
すなわち、本実施の形態では、支持部14aの支持面の
高さを調整して比較的広い範囲内でウエハ2のグローバ
ルプロファイルを調整することと、研磨ヘッド7の研磨
パッド10のリバウンディング弾性変形によるウエハ2
への影響の低減効果とは、トレードオフの関係にある。
【0069】本実施の形態では、変位計23により得ら
れたウエハ2の被研磨面の高さに基づいて、支持部14
aの高さが調整されるので、前記第1及び第2のいずれ
の場合にも、個々のウエハ2の厚さのばらつきにも拘わ
らず、ウエハ2の被研磨面を基準として支持部14aの
高さを前述した所望の高さに設定することができ、前述
した効果を適切に得ることができる。すなわち、研磨ヘ
ッド7の研磨パッド10のリバウンディング弾性変形に
よるウエハ2への影響の低減効果を、ウエハ2の厚さの
ばらつきに応じて最適化して得ることができる。
【0070】以上、支持部14aの支持面の高さの設定
に関して説明したが、支持部14bの高さの設定につい
ても同様である。すなわち、第1に、支持部14bの支
持面の高さを実質的にゼロに設定してもよい。第2に、
支持部14bの支持面の高さを、実質的にゼロから−側
の所定の値までの範囲で、研磨ゾーンZ3での他の研磨
条件のパラメータと相俟ってウエハ2のグローバル均一
性を向上させることができるような高さに設定してもよ
い。なお、支持部14aの設定の仕方と支持部14bの
設定の仕方は必ずしも同様にする必要はない。例えば、
支持部14aの支持面の高さを前記第1の場合の設定に
し、支持部14bの支持面の高さを前記第2の場合の設
定にしてもよい。
【0071】なお、研磨ゾーンZ3での研磨は、研磨ゾ
ーンZ2の研磨後に行われるので、支持部14bの高さ
の設定は、研磨ゾーンZ2での研磨による研磨量を予め
見込んで行うことが、好ましい。すなわち、変位計23
により得られたウエハ2の被研磨面の高さから、研磨ゾ
ーンZ2での研磨による研磨量を差し引いた高さを基準
として、支持部14bの高さを設定することが好まし
い。もっとも、支持部14bの高さの設定に際して、必
ずしも研磨ゾーンZ2での研磨による研磨量を見込む必
要はない。これらの点は、後述する各実施の形態につい
ても同様である。
【0072】本実施の形態では、ウエハ保持部4に対し
て研磨ヘッド7,8の研磨パッドのウエハ2からのはみ
出し箇所にのみ支持部14a,14bがそれぞれ設けら
れているが、例えば、これらの支持部14a,14bに
代えて、ウエハ保持部4に保持されるウエハ2の外周の
全体に沿ってリング状に配置した支持部を設けてもよ
い。この場合、この支持部は、前記支持部14a,14
bと同様にウエハ保持部4と独立しウエハ保持部4と一
緒に回転しないようにしてもよいし、ウエハ保持部4と
一緒に回転するようにしてもよい。後者の場合、当該支
持部に対して設けられる前記高さ調整機構18に相当す
る高さ調整機構のベースを、ウエハ保持部4に対して固
定すればよい。このように、ウエハ保持部4に保持され
るウエハ2の外周の全体に沿ってリング状に配置した支
持部を用い、この支持部をウエハ保持部4と一緒に回転
するようにした場合、例えば、研磨ヘッド7,8(及び
その研磨パッド)径がウエハ2よりかなり大きく、ウエ
ハ2の全周囲から研磨パッドが常時はみだしているよう
な研磨装置(研磨ヘッドとウエハ保持部4との上下関係
は逆でもよい。)を、構成することもできる。この研磨
装置では、研磨ヘッドの傾き調整によるウエハ2のグロ
ーバルプロファイルの調整機能を得ることはできない
が、ウエハ2の厚さのばらつきに拘わらず、当該支持部
の支持面の高さをウエハ2の被研磨面の高さを実質的に
同一にして、研磨パッドのリバウンディング弾性変形に
よるウエハ2への影響が大きく低減することができる点
で、その効果を著しい。
【0073】なお、本実施の形態は、前述したように、
インデックステーブル1を用いて複数のウエハ保持部3
〜6と複数の研磨ヘッド7,8とを有する研磨装置の例
であったが、例えば、インデックステーブル1を用いず
に、1組のウエハ保持部及び研磨ヘッドのみ持つように
変形してもよい。また、例えば、事前にウエハ2の厚さ
を計測しておき、その情報を図示しない入力装置で制御
部に入力するようにしてもよい。この場合、研磨装置自
身が変位計23を持つ必要はない。これらの点は、後述
する各実施の形態についても同様である。
【0074】[第2の実施の形態]
【0075】図4は、本発明の第2の実施の形態による
研磨装置の一部の概略断面と制御系統を模式的に示す図
であり、図2に対応している。図5は、図4中の支持部
14aの支持面付近を拡大して模式的に示す図である。
図4及び図5において、図1及び図2中の要素と同一又
は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明
は省略する。図4及び図5は、研磨パッド10が最も右
側へはみ出した状態を示している。
【0076】本実施の形態が前記第1の実施の形態と異
なる所は、以下に説明する点のみである。
【0077】前記第1の実施の形態では、支持部14a
を構成する単一の部材17の、研磨ヘッド7の研磨パッ
ド10のはみ出し部分を支持する支持面をなす上面が、
全体に渡って同一の高さを持つ平面とされ、他の支持部
14b,13a,13b,15a,15b,16a,1
6bも同様である。これに対し、本実施の形態では、支
持部14aを構成する単一の部材17の、研磨ヘッド7
の研磨パッド10のはみ出し部分を支持する支持面をな
す上面における、ウエハ2に近い側の領域R1の高さと
ウエハ2から遠い側の領域の高さとが、異なっている。
本実施の形態では、具体的には、領域R2の高さが領域
R1の高さより低くされ、各領域R1,R2は、それぞ
れウエハ保持部4におけるウエハ保持面と実質的に平行
な平面とされ、これにより、領域R2が領域R1に比べ
て研磨パッド10の側に突出しないようになっている。
領域R1の幅は、研磨パッドのリバウンディング弾性変
形によるウエハ2への影響を抑えるに足る程度の幅に設
定されている。また、本実施の形態では、他の各支持部
14b,13a,13b,15a,15b,16a,1
6bについても支持部14aと同様に構成されている。
【0078】ローディングゾーンZ1での支持部14a
の支持面の高さの設定について説明すると、本実施の形
態では、部材17の上面の領域R1の高さが、ウエハ2
の被研磨面の高さと実質的に同一に設定される。その結
果、図5に示すように、研磨ゾーンZ2での研磨ヘッド
7の研磨パッド10のはみ出し部分のウエハ2側の部分
が、ウエハ2の被研磨面と同一高さの領域R1で支持さ
れることから、領域R1と領域R2との高さの差Δhの
大きさに拘わらずに、研磨ヘッド7の研磨パッド10の
リバウンディング弾性変形によるウエハ2への影響が大
きく低減され、この点からエッジイクスクルージョンを
小さくすることができる。
【0079】また、領域R2の高さが領域R1より低い
ものの、領域R2も研磨パッド10のはみ出し部分を支
持する支持面の一部を形成しており、領域R2が研磨パ
ッド10のはみ出し部分のウエハ2から遠い側の部分を
支持することから、研磨ヘッド7の傾きは、支持部14
aがない場合に比べて低減される。このため、エッジフ
ァーストが低減され、この点からもエッジイクスクルー
ジョンが小さくなる。
【0080】そして、領域R2の高さが領域R1の高さ
よりΔhだけ低くされているので、研磨ヘッド7は、図
5に示すように、領域R1と領域R2の高さの差Δhに
応じた角度θだけ傾き、それに応じて、ウエハ2の中心
側部分の加圧力と周辺側部分の加圧力との差(勾配)が
決まる。したがって、領域R1と領域R2の高さの差Δ
hを適切に設定することによって、他の研磨条件のパラ
メータと相俟って、ウエハ2のグローバル均一性を向上
させることができる。このとき、前述したように、研磨
パッド10のリバウンディング弾性変形によるウエハ2
への影響を低減させる効果は、差Δhの大きさにほとん
ど依存しないので、差Δhを比較的広い範囲で自由に設
定することができ、グローバル均一性を向上させるため
に必要な値に比較的自由に設定することができる。
【0081】このように、本実施の形態では、領域R1
が研磨パッド10のリバウンディング弾性変形にによる
ウエハ2への影響を低減させる機能を担い、領域R2が
研磨ヘッド7の傾きθを設定する機能を担い、両者の機
能は互いに独立している。したがって、本実施の形態に
よれば、前記第1の実施の形態と異なり、比較的広い範
囲内でウエハ2のグローバルプロファイルを調整するこ
とと、研磨ヘッド7の研磨パッド10のリバウンディン
グ弾性変形によるウエハ2への影響の低減効果とが、両
立され、より好ましい。なお、領域R2は、研磨ヘッド
7の傾きを設定する機能を担うものであるので、必ずし
もウエハ保持部4におけるウエハ保持面と実質的に平行
である必要はなく、例えば、図4中の右側下がりの傾斜
面としてもよい。また、必要に応じて、領域R2の高さ
を領域R1の高さより若干高く設定することも可能であ
る。
【0082】そして、本実施の形態では、変位計23に
より得られたウエハ2の被研磨面の高さに基づいて、支
持部14aの高さが調整されるので、個々のウエハ2の
厚さのばらつきにも拘わらず、ウエハ2の被研磨面を基
準として支持部14aの高さを前述した所望の高さに設
定することができ、前述した効果を適切に得ることがで
きる。
【0083】以上、支持部14aの支持面の高さの設定
に関して説明したが、支持部14bの高さの設定につい
ても同様である。ただし、研磨ゾーンZ2と研磨ゾーン
Z3とでは、研磨剤や研磨パッドの種類やその他の研磨
条件のパラメータとが異なるので、両ゾーンにおいてグ
ローバル均一性を高めるために、通常は、支持部14a
の前記差Δhとこれに相当する支持部14bの差とは、
異なる値に設定される。なお、支持部13a,13b、
支持部15a,15b及び支持部16a,16bの支持
面の高さの設定が、支持部14a,14bの支持面の高
さの設定と同様に行われることは、言うまでもない。
【0084】本実施の形態では、ウエハ保持部4に対し
て研磨ヘッド7,8の研磨パッドのウエハ2からのはみ
出し箇所にのみ支持部14a,14bがそれぞれ設けら
れているが、例えば、これらの支持部14a,14bに
代えて、ウエハ保持部4に保持されるウエハ2の外周の
全体に沿ってリング状に配置した支持部を設けてもよ
い。この場合、この支持部は、前記支持部14a,14
bと同様にウエハ保持部4と独立しウエハ保持部4と一
緒に回転しないようにしてもよいし、ウエハ保持部4と
一緒に回転するようにしてもよい。これらの点は、後述
する各実施の形態についても同様である。
【0085】[第3の実施の形態]
【0086】図6は、本発明の第3の実施の形態による
研磨装置の一部の概略断面と制御系統を模式的に示す図
であり、図2及び図4に対応している。図6において、
図1及び図2並びに図4中の要素と同一又は対応する要
素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
図6は、研磨パッド10が最も右側へはみ出した状態を
示している。
【0087】本実施の形態が前記第2の実施の形態と異
なる所は、以下に説明する点のみである。前記第2の実
施の形態では、支持部14aが単一の部材17で構成さ
れ、他の支持部14b,13a,13b,15a,15
b,16a,16bも同様である。これに対し、本実施
の形態では、支持部14aは、図6に示すように、図4
中の部材17を2つに分割したような断面L字状の部材
17aと断面長方形状の部材17bとで構成され、部材
17bが部材17aに対してねじ30でねじ止めされて
いる。図6からわかるように、部材17aが前記領域R
1を形成し、部材17bが前記領域R2を形成してい
る。本実施の形態では、部材17bが部材17aに対し
てねじ30でねじ止めされることにより、部材17bを
領域R2の高さが異なるもの(本実施の形態では上下方
向の厚みの異なるもの)に交換し得るように、構成され
ている。もっとも、部材17bの交換を可能にする構造
は、ねじ止め構造に限定されるものではない。また、本
実施の形態では、他の各支持部14b,13a,13
b,15a,15b,16a,16bについても支持部
14aと同様に構成されている。
【0088】本実施の形態によっても、前記第2の実施
の形態と同様の利点が得られる。さらに、本実施の形態
では、領域R2を形成する部材17bが当該領域R2の
高さが異なるものに交換し得るように構成されているの
で、部材17bを領域R2の高さを異なるものに交換す
ることによって、比較的容易に、領域R1の高さと領域
R2の高さとの差Δhを適宜異なる値に調整することが
できる。したがって、比較的容易に、研磨ヘッド7の傾
きΔθを調整してグローバルプロファイルの調整を行う
ことができる。
【0089】[第4の実施の形態]
【0090】図7は、本発明の第4の実施の形態による
研磨装置の一部の概略断面と制御系統を模式的に示す図
であり、図2、図4及び図6に対応している。図7にお
いて、図1、図2、図4及び図6中の要素と同一又は対
応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省
略する。図7は、研磨パッド10が最も右側へはみ出し
た状態を示している。
【0091】本実施の形態が前記第2の実施の形態と異
なる所は、以下に説明する点のみである。
【0092】前記第2の実施の形態では、支持部14a
が単一の部材17で構成され、他の支持部14b,13
a,13b,15a,15b,16a,16bも同様で
ある。これに対し、本実施の形態では、支持部14a
は、図7に示すように、図4中の部材17を縦割りに2
つに分割したような断面長方形状の部材17cと断面長
方形状の部材17dとで構成されている。そして、図7
からわかるように、部材17cの上面が前記領域R1を
形成し、部材17dの上面が前記領域R2を形成してい
る。
【0093】また、本実施の形態では、図4中の高さ調
整機構18に代えて、部材17cの領域R1の高さを調
整して設定し得る高さ調整機構18cと、部材17cの
領域R1の高さと独立して、部材17dの領域R2の高
さを調整して設定し得る高さ調整機構18dとが、設け
られている。高さ調整機構18cは、そのベース側がイ
ンデックステーブル1に対して固定されたベース部材1
9に固定され、その可動側が部材17cに対して機械的
に連係されており、インデックステーブル1を基準とし
て領域R1の高さを調整して設定し得るように構成され
ている。同様に、高さ調整機構18dは、そのベース側
がインデックステーブル1に対して固定されたベース部
材19に固定され、その可動側が部材17dに対して機
械的に連係されており、インデックステーブル1を基準
として領域R2の高さを調整して設定し得るように構成
されている。これらの高さ調整機構18c,18dは、
具体的には、例えば、図2及び図4中の高さ調整機構1
8と同様に構成することができる。
【0094】また、本実施の形態では、他の各支持部1
4b,13a,13b,15a,15b,16a,16
bについても支持部14aと同様に構成され、これらの
各支持部に対しても高さ調整機構18c,18dに相当
する2つの高さ調整機構がそれぞれ設けられている。制
御部24は、変位計23により計測された、対応するウ
エハ2の被研磨面の高さに基づいて、これらの高さ調整
機構をそれぞれ作動させて、各支持部の各部材の各領域
の高さを、それぞれ調整して所望の高さに設定する。
【0095】ローディングゾーンZ1での支持部14a
の支持面の高さの設定について説明すると、本実施の形
態では、部材17cの領域R1の高さが、ウエハ2の被
研磨面の高さと実質的に同一に設定される。また、部材
17dの領域R2の高さは、領域R1と領域R2との差
Δhが所望の値となるように、自由に設定することがで
きる。以上、支持部14aの支持面の高さの設定に関し
て説明したが、他の支持部の高さの設定についても同様
である。
【0096】本実施の形態によっても、前記第3の実施
の形態と同様の利点が得られる。さらに、本実施の形態
では、領域R1の高さを領域R2の高さと独立して自由
に調整して設定することができるので、一層容易に、領
域R1の高さと領域R2の高さとの差Δhを適宜異なる
値に調整することができる。したがって、一層容易に、
研磨ヘッド7の傾きΔθを調整してグローバルプロファ
イルの調整を行うことができる。
【0097】[第5の実施の形態]
【0098】図8は、本発明の第5の実施の形態による
研磨装置の一部の概略断面と制御系統を模式的に示す図
であり、図2、図4、図6及び図7に対応している。図
8において、図1、図2、図4、図6及び図7中の要素
と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複
する説明は省略する。図8は、研磨パッド10が最も右
側へはみ出した状態を示している。
【0099】本実施の形態が前記第4の実施の形態と異
なる所は、以下に説明する点のみである。本実施の形態
では、支持部14aに関して、図7中の高さ調整機構1
8cが除去され、部材17cの領域R1の高さがウエハ
保持部4に保持されるウエハ2の被研磨面の高さとほぼ
同一となるように、部材17cがインデックステーブル
1に対して固定されたベース部材19に固定されてい
る。また、他の各支持部14b,13a,13b,15
a,15b,16a,16bについても、支持部14a
と同様である。
【0100】本実施の形態によれば、研磨ヘッド7の研
磨パッド10のリバウンディング弾性変形によるウエハ
2への影響の低減効果を、ウエハ2の厚さのばらつきに
応じて最適化して得ることはできないが、容易に、研磨
ヘッド7の傾きΔθを調整してグローバルプロファイル
の調整を行うことができる。
【0101】[第6の実施の形態]
【0102】図9は、本発明の第6の実施の形態による
研磨装置の一部の概略断面と制御系統を模式的に示す図
であり、図2に対応している。図10(a)(b)は、
支持部34の各状態を示す図9中のJK矢視図である。
図9及び図10において、図1及び図2中の要素と同一
又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説
明は省略する。図9は、研磨パッド10が最も右側へは
み出した状態を示している。
【0103】本実施の形態が前記第1の実施の形態と異
なる所は、以下に説明する点のみである。
【0104】本実施の形態では、ウエハ保持部4に関し
て、図1及び図2中の支持部14a,14bに代えて、
ウエハ保持部4に保持されたウエハ2の研磨ヘッド7,
8による研磨時にウエハ2からその周囲へはみ出す研磨
ヘッド7の研磨パッドのはみ出し部分を支持する支持部
34が、設けられている。
【0105】支持部34は、図10に示すように、ウエ
ハ2の周囲に沿って順次配置され互いに分離した3つの
個別支持部34a,34b,34cで構成されている。
個別支持部34aは、図9及び図10に示すように、ウ
エハ保持部4に保持されたウエハ2の外周に内周側が適
合する平面視円弧状をなすとともに断面長方形状の単一
の部材35で構成されている。この部材35の上面は、
研磨ヘッド7,8の研磨パッドのはみ出し部分を支持す
る支持面の一部をなし、全体に渡って同一の高さを持つ
平面、すなわち、ウエハ保持部4におけるウエハ保持面
と実質的に平行な平面となっている。個別支持部34
b,34cも、個別支持部34aと同様に構成されてい
る。3つの個別支持部34a,34b,34cは、ウエ
ハ2の外周に沿って実質的に隙間をあけることなく配置
された断面長方形状のリング部材が、ウエハ保持部4の
中心軸を通る面に沿って120゜ずつに分離されたよう
な、形状を有している。
【0106】また、本実施の形態では、図2中の高さ調
整機構18及びベース部材19は取り除かれ、個別支持
部34aに対して、個別移動機構36及び個別高さ調整
機構37が設けられている。個別移動機構36は、個別
支持部34aを、ウエハ2の径方向の第1の位置(個別
支持部34aの内周側がウエハ2の外周と実質的に隙間
をあけない位置)と第2の位置(個別支持部34aの内
周側がウエハの外周から所定距離離れる位置)との間
で、個別支持部34aをウエハ2の径方向へ移動させる
ものである。個別高さ調整機構37は、個別支持部34
aの上面の高さを調整して設定し得るものである。本実
施の形態では、個別移動機構36のベース側がウエハ保
持部4に対して固定されたベース部材40に固定され、
個別移動機構36の可動側が個別高さ調整機構37のベ
ース側に機械的に連係され、個別高さ調整機構37の可
動側が部材35に連係されている。したがって、本実施
の形態では、部材35、個別移動機構36及び個別高さ
調整機構37は、ウエハ保持部4と一緒に回転する。
【0107】図11は、この個別移動機構36及び個別
高さ調整機構37の一具体例を示す概略断面図である。
図11に示す例では、個別移動機構36は、エアシリン
ダ41と、連結部材42と、ストッパ43とから構成さ
れている。エアシリンダ41のシリンダ本体44は、ベ
ース部材40により案内されて図11中の左右方向(ウ
エハ2の径方向に相当)に移動可能となっている。エア
シリンダ41のピストンロッド45の先端とベース部材
40とが、連結部材42により連結されている。連結部
材42は、シリンダ本体44の図11中の右方向への移
動を規制するストッパを兼ねている。シリンダ本体44
が連結部材42で規制される位置が、前記第2の位置に
相当している。ストッパ43は、ベース部材40に固定
され、シリンダ本体44の図11中の左方向への移動を
規制する。シリンダ本体44がストッパ43で規制され
る位置が、前記第1の位置に相当している。シリンダ本
体44内におけるピストン46により画成される両側の
室47,48にはそれぞれ図示しない通気路が連通して
いる。これらの通気路を利用して、切替弁(図示せず)
により、室47を真空に引くとともに室48を大気に解
放して部材35を前記第1の位置(シリンダ本体44が
ストッパ43に当接する位置)まで移動させた状態と、
室47を大気に解放するとともに室48を真空に引いて
部材35を前記第2の位置(シリンダ本体44が連結部
材42に当接する位置)まで移動させた状態とを、切り
替えることができるようになっている。
【0108】また、図11に示す例では、個別高さ調整
機構37は、シリンダ本体44に固定され部材35を上
下方向にのみ案内し部材35の他の動きを規制する案内
部材50と、シリンダ本体44に固定された電動モータ
51と、電動モータ51の出力軸に連結され上方に延び
た精密ねじ軸52とから構成されている。ねじ軸52
は、部材35に形成されたねじ孔57に螺合されてい
る。この個別高さ調整機構37によれば、部材35は、
電動モータ51を回転させると、案内部材50により上
下方向に案内されつつ、ねじ軸52により上下方向に移
動され、電動モータ51を停止させるとその位置で停止
する。したがって、電動モータ51の回転方向及び回転
量に応じて、部材35の上下方向の位置を調整して設定
することができる。もっとも、個別移動機構36及び個
別高さ調整機構37の具体的な構成は、図11に示す構
成に限定されるものではなく、種々の機構を採用し得る
ことは言うまでもない。
【0109】個別支持部34b,34cに対しても、図
面には示していないが、個別移動機構36及び個別高さ
調整機構37に相当する個別移動機構及び個別高さ調整
機構が、それぞれ設けられている。各個別移動機構によ
る移動方向は、図10に示すように、ウエハ2の被研磨
面にほぼ沿った放射状の方向となっている。
【0110】本実施の形態では、制御部24は、前記各
個別移動機構の前記切替弁及び前記各個別高さ調整機構
も制御する。この点について、ウエハ保持部4に着目し
て、以下に説明する。他のウエハ保持部3,5,6につ
いても、ウエハ保持部4と同様である。
【0111】ウエハ保持部4がローディングゾーンZ1
に位置しているときに、図示しない搬送装置により、ウ
エハ2がウエハ保持部4上にローディングされる。この
とき、各個別支持部34a,34b,34cが図10
(b)に示すように前記第2の位置に移動された状態
で、ウエハ2がローディングされる。このため、個別支
持部34a,34b,34cがウエハ2のローディング
の邪魔になるようなことがなく、そのローディングが容
易となる。そして、ウエハ保持部4上にウエハ2が保持
された状態で、変位計23により当該ウエハ2の被研磨
面の高さが計測される。制御部24は、このウエハ2の
被研磨面の高さに基づいて、各個別支持部34a,34
b.34cに対応して設けられた各個別高さ調整機構を
それぞれ作動させて、各個別支持部34a,34b.3
4cの上面の高さを、それぞれ調整して所望の高さに設
定する。これらの高さの設定については、前記第1の実
施の形態における支持部14aの高さの設定と同様に行
われる。その後、制御部24は、前記切替弁を切り替え
て、各個別支持部34a,34b,34cを、図10
(a)に示すように前記第1の位置に移動させる。その
結果、個別支持部34a,34b,34cの内周側とウ
エハ2の外周との間には、実質的に隙間がなくなる。こ
の状態は、研磨ゾーンZ2での研磨が終了するまで、継
続される。
【0112】次に、インデックステーブル1が回動し
て、ウエハ2を保持したウエハ保持部4が第1の研磨ゾ
ーンZ2に位置する。この研磨ゾーンZ2では、前記第
1の実施の形態と同様に、粗研磨の平坦化処理が行われ
る。
【0113】この粗研磨の平坦化処理の後、インデック
ステーブル1が回動して、ウエハ2を保持したウエハ保
持部4が第2の研磨ゾーンZ3に位置する。その後、各
個別支持部34a,34b,34cが図10(b)に示
す状態とされる。この状態で、ローディングゾーンZ1
で計測されたウエハ2の被研磨面に基づいて、各個別支
持部34a,34b.34cに対応して設けられた各個
別高さ調整機構をそれぞれ作動させて、各個別支持部3
4a,34b.34cの上面の高さを、それぞれ調整し
て所望の高さに設定する。これらの高さの設定について
は、前記第1の実施の形態における支持部14bの高さ
の設定と同様に行われる。その後、各個別支持部34
a,34b,34cが図10(a)に示す状態とされ、
この状態で、前記第1の実施の形態と同様に、仕上げ研
磨が行われる。
【0114】この仕上げ研磨の後、インデックステーブ
ル1が回動して、ウエハ2を保持したウエハ保持部4が
アンローディングゾーンZ4に位置する。研磨が終了し
たウエハ2がゾーンZ4でアンローディングされ、搬送
装置(図示せず)により洗浄工程等を行う図示しない場
所に搬送される。このアンローディングは、各個別支持
部34a,34b,34cが図10(b)に示すように
前記第2の位置に移動された状態で、ウエハ2がアンロ
ーディングされる。このため、個別支持部34a,34
b,34cがウエハ2のローディングの邪魔になるよう
なことがなく、そのアンローディングが容易となる。
【0115】その後、インデックステーブル1が回動し
て、ウエハ保持部4がローディングゾーンZ1へ戻り、
このウエハ保持部4に次のウエハ2がローディングさ
れ、以上の動作を繰り返す。
【0116】以上の説明からわかるように、本実施の形
態によれば、前記第1の実施の形態と同様の利点が得ら
れる。
【0117】さらに、本実施の形態によれば、前記第1
の実施の形態に比べて、ウエハ2の外縁で生ずる研磨パ
ッドのリバウンディング弾性変形の影響を低減すること
ができる。すなわち、第1の実施の形態では、支持部1
4a等とウエハ2との間に隙間S(図2参照)が生じて
いるので、この隙間のために、少ないながらも、ウエハ
2の外縁で生ずる研磨パッドのリバウンディング弾性変
形の影響を受ける。これに対し、本実施の形態では、研
磨ゾーンZ2,Z3での研磨は、図9及び図10(a)
に示すように、個別支持部34a,34b,34cの内
周側とウエハ2の外周との間に実質的に隙間がない状態
で行われるので、ウエハ2の外縁で生ずる研磨パッドの
リバウンディング弾性変形の影響を更に低減することが
でき、エッジイクスクルージョンをより小さくすること
ができる。
【0118】そして、本実施の形態によれば、ウエハ2
のローディング及びアンローディングは、図10(b)
に示すように、個別支持部34a,34b.34cがウ
エハ2外周から離れた位置に位置した状態で行われるの
で、ウエハ2のローディング及びアンローディングを容
易に行うことができる。
【0119】なお、本発明では、前記第1の実施の形態
を変形して第2乃至第5の実施の形態をそれぞれ得たの
と同様の変形を、前記第6の実施の形態に適用してもよ
い。
【0120】[第7の実施の形態]
【0121】図12は、本発明の第7の実施の形態によ
る研磨装置の一部の概略断面と制御系統を模式的に示す
図であり、図2、図6及び図9に対応している。図13
(a)(b)は、支持部34の各状態を示す図12中の
LM矢視図であり、図10(a)(b)に対応してい
る。図12及び図13において、図1、図2、図6、図
9及び図10中の要素と同一又は対応する要素には同一
符号を付し、その重複する説明は省略する。図12は、
研磨パッド10が最も右側へはみ出した状態を示してい
る。
【0122】本実施の形態が前記第6の実施の形態と異
なる所は、以下に説明する点のみである。
【0123】本実施の形態では、個別支持部34aに関
して、図9中の個別高さ調整機構37が除去され、個別
移動機構36の可動側が個別支持部34を構成する部材
35aに固定され、部材35aの領域R1の高さがウエ
ハ保持部4に保持されるウエハ2の被研磨面の高さとほ
ぼ同一とされている。個別支持部34aは、図6中の部
材17a,17bにそれぞれ対応する部材35a,35
bで構成されている。領域R1は、個別支持部34aの
支持面におけるウエハ2に近い側の領域であり、領域R
2は、個別支持部34aの支持面におけるウエハ2から
遠い側の領域である。図6に示す第3の実施の形態と同
様に、領域R2の高さが領域R1の高さより低くされて
いる。部材35bが部材35aに対してねじ60でねじ
止めされている。図12からわかるように、部材35a
が前記領域R1を形成し、部材35bが前記領域R2を
形成している。また、他の個別支持部34b,34cに
ついても、個別支持部34aと同様である。さらに、本
実施の形態では、図9中の変位計23は除去されてい
る。
【0124】本実施の形態によれば、研磨ヘッド7の研
磨パッド10のリバウンディング弾性変形によるウエハ
2への影響の低減効果を、ウエハ2の厚さのばらつきに
応じて最適化して得ることはできないが、比較的容易
に、研磨ヘッド7の傾きΔθを調整してグローバルプロ
ファイルの調整を行うことができる。また、前記第5の
実施の形態と同様に、ウエハ2の外縁で生ずる研磨パッ
ドのリバウンディング弾性変形の影響を低減することが
できるとともに、ウエハ2のローディング及びアンロー
ディングが容易となる。
【0125】なお、前記第2の実施の形態と同様に、部
材35a,35bを一体化したような単一部材で、個別
支持部34aを構成してもよい。
【0126】[第8の実施の形態]
【0127】図14は、半導体デバイス製造プロセスを
示すフローチャートである。半導体デバイス製造プロセ
スをスタートして、まずステップS200で、次に挙げ
るステップS201〜S204の中から適切な処理工程
を選択する。選択に従って、ステップS201〜S20
4のいずれかに進む。
【0128】ステップS201はシリコンウエハの表面
を酸化させる酸化工程である。ステップS202はCV
D等によりシリコンウエハ表面に絶縁膜を形成するCV
D工程である。ステップS203はシリコンウエハ上に
電極膜を蒸着等の工程で形成する電極形成工程である。
ステップS204はシリコンウエハにイオンを打ち込む
イオン打ち込み工程である。
【0129】CVD工程もしくは電極形成工程の後で、
ステップS209に進み、CMP工程を行うかどうかを
判断する。行わない場合はステップS206に進むが、
行う場合はステップS205に進む。ステップS205
はCMP工程であり、この工程では、本発明に係る研磨
装置を用いて、層間絶縁膜の平坦化や、半導体デバイス
の表面の金属膜の研磨によるダマシン(damascene)の
形成等が行われる。
【0130】CMP工程または酸化工程の後でステップ
S206に進む。ステップS206はフォトリソ工程で
ある。フォトリソ工程では、シリコンウエハへのレジス
トの塗布、露光装置を用いた露光によるシリコンウエハ
への回路パターンの焼き付け、露光したシリコンウエハ
の現像が行われる。さらに次のステップS207は、現
像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、
その後レジスト剥離を行い、エッチングが済んで不要と
なったレジストを取り除くエッチング工程である。
【0131】次にステップS208で必要な全工程が完
了したかを判断し、完了していなければステップS20
0に戻り、先のステップを繰り返して、シリコンウエハ
上に回路パターンが形成される。ステップS208で全
工程が完了したと判断されればエンドとなる。
【0132】本発明に係る半導体デバイス製造方法で
は、CMP工程において本発明に係る研磨装置を用いて
いるため、CMP工程でのチップ収率が向上し、従来の
半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバ
イスを製造することができるという効果がある。
【0133】なお、前記の半導体デバイス製造プロセス
以外の半導体デバイス製造プロセスのCMP工程に本発
明に係る研磨装置を用いても良い。
【0134】本発明に係る半導体デバイスは、本発明に
係る半導体デバイス製造方法により製造される。これに
より、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コスト
で半導体デバイスを製造することができ、半導体デバイ
スの製造原価を低下することができるという効果があ
る。
【0135】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるもの
ではない。
【0136】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッジイクスクルージョンを小さくすることができる研
磨装置及び研磨方法を提供することができる。
【0137】また、本発明によれば、エッジイクスクル
ージョンを小さくすることができるとともに、研磨ヘッ
ドの傾きを研磨条件の設定パラメータの1つとして積極
的に利用することができる研磨装置及び研磨方法を提供
することができる。
【0138】さらに、本発明によれば、低コストで半導
体デバイスを製造することができる半導体デバイス製造
方法、及び低コストの半導体デバイスを提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による研磨装置のイ
ンデックステーブルの付近を模式的に示す概略平面図で
ある。
【図2】図1中のA−B矢視の概略断面と図1に示す研
磨装置の制御系統を模式的に示す図である。
【図3】高さ調整機構の一具体例を示す概略断面図であ
る。
【図4】本発明の第2の実施の形態による研磨装置の一
部の概略断面と制御系統を模式的に示す図である。
【図5】図4中の支持部の支持面付近を拡大して模式的
に示す図である。
【図6】本発明の第3の実施の形態による研磨装置の一
部の概略断面と制御系統を模式的に示す図である。
【図7】本発明の第4の実施の形態による研磨装置の一
部の概略断面と制御系統を模式的に示す図である。
【図8】本発明の第5の実施の形態による研磨装置の一
部の概略断面と制御系統を模式的に示す図である。
【図9】本発明の第6の実施の形態による研磨装置の一
部の概略断面と制御系統を模式的に示す図である。
【図10】支持部の各状態を示す図9中のJK矢視図で
ある。
【図11】個別移動機構及び個別高さ調整機構の一具体
例を示す概略断面図である。
【図12】本発明の第7の実施の形態による研磨装置の
一部の概略断面と制御系統を模式的に示す図である。
【図13】支持部の各状態を示す図12中のLM矢視図
である。
【図14】半導体デバイス製造プロセスを示すフローチ
ャートである。
【符号の説明】
1 インデックステーブル 2 ウエハ 3〜6 ウエハ保持部 7,8 研磨ヘッド 10 研磨パッド 13a,13b,14a,14b,15a,15b,1
6a,16b 支持部 17,17a,17b,17c,17d,35,35
a,35b 部材 18,18c,18d 高さ調整機構 19 ベース部材 23 変位計 24 制御部 34 支持部 34a,34b,34c 個別支持部 36 個別移動機構 37 個別高さ調整機構 R1 支持面におけるウエハに近い側の領域 R2 支持面におけるウエハから遠い側の領域
フロントページの続き (72)発明者 林 豊 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン本社内 (72)発明者 宇田 豊 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン本社内 (72)発明者 下田 治 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン本社内 (72)発明者 竹澤 昭宏 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン本社内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA11 AA12 AA13 AA16 AC01 CB01 DA17

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨体と、被研磨物を保持する保持部と
    を備え、前記研磨体と前記被研磨物との間に荷重を加
    え、前記研磨体及び前記被研磨物を相対移動させること
    により、前記被研磨物を研磨する研磨装置において、 前記被研磨物の研磨時に少なくとも一時的に前記被研磨
    物からその周囲へはみ出す前記研磨体のはみ出し部分を
    支持する支持部と、 前記支持部における前記はみ出し部分を支持する支持面
    の高さを調整して設定し得る高さ調整機構と、 を備えたことを特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記保持部に保持された状態における前
    記被研磨物の被研磨面の面の高さに応じた情報に基づい
    て、前記被研磨物の前記被研磨面の高さを基準とした前
    記支持面の相対的な高さが、所望の相対的な高さとなる
    ように、前記高さ調整機構を作動させる制御部を、備え
    たことを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
  3. 【請求項3】 前記情報を取得する計測部を備えたこと
    を特徴とする請求項2記載の研磨装置。
  4. 【請求項4】 前記支持面は、全面に渡ってほぼ同一の
    高さを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれ
    かに記載の研磨装置。
  5. 【請求項5】 前記支持面における前記被研磨物に近い
    側の領域の高さと前記被研磨物から遠い側の領域の高さ
    とが異なることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか
    に記載の研磨装置。
  6. 【請求項6】 前記遠い側の領域は、前記近い側の領域
    に比べて、前記研磨体の側に突出していないことを特徴
    とする請求項5記載の研磨装置。
  7. 【請求項7】 前記支持部は、前記近い側の領域を形成
    する第1の部材と、前記遠い側の領域を形成する第2の
    部材とを有し、 前記支持部は、前記第1及び第2の部材のうちの少なく
    とも一方を当該領域の高さが異なるものに交換し得るよ
    うに、構成されたことを特徴とする請求項5又は6記載
    の研磨装置。
  8. 【請求項8】 研磨体と、被研磨物を保持する保持部と
    を備え、前記研磨体と前記被研磨物との間に荷重を加
    え、前記研磨体及び前記被研磨物を相対移動させること
    により、前記被研磨物を研磨する研磨装置において、 前記被研磨物の研磨時に少なくとも一時的に前記被研磨
    物からその周囲へはみ出す前記研磨体のはみ出し部分を
    支持する支持部を備え、 前記支持部における前記はみ出し部分を支持する支持面
    のうちの前記被研磨物に近い側の領域の高さと前記被研
    磨物から遠い側の領域の高さとが異なることを特徴とす
    る研磨装置。
  9. 【請求項9】 前記遠い側の領域は、前記近い側の領域
    に比べて、前記研磨体の側に突出していないことを特徴
    とする請求項8記載の研磨装置。
  10. 【請求項10】 前記近い側の領域の高さが前記被研磨
    物の被研磨面の高さとほぼ同一であることを特徴とする
    請求項8又は9記載の研磨装置。
  11. 【請求項11】 前記支持部は、前記近い側の領域を形
    成する第1の部材と、前記遠い側の領域を形成する第2
    の部材とを有し、 前記支持部は、前記第1及び第2の部材のうちの少なく
    とも一方を当該領域の高さが異なるものに交換し得るよ
    うに、構成されたことを特徴とする請求項8乃至10の
    いずれかに記載の研磨装置。
  12. 【請求項12】 前記支持部は、前記近い側の領域を形
    成する第1の部材と、前記遠い側の領域を形成する第2
    の部材とを有し、 前記第2の部材の前記遠い側の領域の高さを調整して設
    定し得る高さ調整機構を備えたことを特徴とする請求項
    8乃至10のいずれかに記載の研磨装置。
  13. 【請求項13】 研磨体と、被研磨物を保持する保持部
    とを備え、前記研磨体と前記被研磨物との間に荷重を加
    え、前記研磨体及び前記被研磨物を相対移動させること
    により、前記被研磨物を研磨する研磨装置において、 前記被研磨物の研磨時に少なくとも一時的に前記被研磨
    物からその周囲へはみ出す前記研磨体のはみ出し部分を
    支持する支持部であって、当該支持部における前記はみ
    出し部分を支持する支持面のうちの前記被研磨物に近い
    側の領域を形成する第1の部材、及び、前記支持面のう
    ちの前記被研磨物から遠い側の領域を形成する第2の部
    材を有する支持部と、 前記第1の部材の前記近い側の領域の高さを調整して設
    定し得る第1の高さ調整機構と、 前記第1の部材の前記近い側の領域の高さと独立して、
    前記第2の部材の前記遠い側の領域の高さを調整して設
    定し得る第2の高さ調整機構と、 を備えたことを特徴とする研磨装置。
  14. 【請求項14】 前記保持部に保持された状態における
    前記被研磨物の被研磨面の高さに応じた情報に基づい
    て、前記被研磨物の前記被研磨面の高さを基準とした前
    記支持面の前記各領域の相対的な高さが、それぞれ所望
    の相対的な高さとなるように、前記第1及び第2の高さ
    調整機構をそれぞれ作動させる制御部を、備えたことを
    特徴とする請求項13記載の研磨装置。
  15. 【請求項15】 前記情報を取得する計測部を備えたこ
    とを特徴とする請求項14記載の研磨装置。
  16. 【請求項16】 前記支持部は、前記被研磨物の周囲に
    沿って順次配置され互いに分離した複数の個別支持部を
    含み、 前記各個別支持部を、前記被研磨物の被研磨面にほぼ沿
    った方向であって略々放射状の内側方向の第1の位置
    と、前記被研磨物の被研磨面にほぼ沿った方向であって
    略々放射状の外側方向の第2の位置との間で、それぞれ
    移動させる移動機構を備えたことを特徴とする請求項1
    乃至15のいずれかに記載の研磨装置。
  17. 【請求項17】 前記第1の位置は、前記被研磨物の周
    囲と前記各個別支持部との間に実質的に隙間がない位置
    であることを特徴とする請求項16記載の研磨装置。
  18. 【請求項18】 複数の研磨ゾーンを備え、前記各研磨
    ゾーンにおいて、研磨体と保持部に保持された被研磨物
    との間に荷重を加え、前記研磨体及び前記被研磨物を相
    対移動させることにより、前記被研磨物を異なる研磨条
    件で研磨する、研磨装置であって、 前記各保持部に対応してそれぞれ設けられて、対応する
    保持部に保持された前記被研磨物の研磨時に少なくとも
    一時的に当該被研磨物からその周囲へはみ出す前記研磨
    体のはみ出し部分を支持する支持部を備え、 前記各支持部における前記はみ出し部分を支持する支持
    面は、前記被研磨物に近い側の領域と、当該近い領域の
    高さとは異なる高さを持つ前記被研磨物から遠い側の領
    域を持つように、前記各領域の高さが設定され、 前記複数の研磨ゾーンのうちの1つの研磨ゾーンに位置
    する前記保持部に対応して設けられた前記支持部の前記
    各領域間の高さの差と、前記複数の研磨ゾーンのうちの
    他の1つ以上の研磨ゾーンに位置する前記保持部に対応
    して設けられた前記支持部の前記各領域間の高さの差と
    が、互いに異なるように設定されることを特徴とする研
    磨装置。
  19. 【請求項19】 前記各保持部を略々同一の円周上に配
    置し、かつ前記各保持部を当該円周に沿って一体に回動
    し得るように設けられたインデックステーブルを備え、 前記インデックステーブルの回動により、前記各保持部
    のうちの所定数の保持部が前記複数の研磨ゾーンにそれ
    ぞれ1つずつ位置することを特徴とする請求項18記載
    の研磨装置。
  20. 【請求項20】 研磨体と被研磨物との間に荷重を加
    え、前記研磨体及び前記被研磨物を相対移動させること
    により、前記被研磨物を研磨する研磨方法において、 前記被研磨物の研磨時に少なくとも一時的に前記被研磨
    物からその周囲へはみ出す前記研磨体のはみ出し部分を
    支持部で支持し、 前記支持部における前記はみ出し部分を支持する支持面
    のうちの前記被研磨物に近い側の領域の高さと前記被研
    磨物から遠い側の高さとを異ならせた状態で、前記被研
    磨物を研磨することを特徴とする研磨方法。
  21. 【請求項21】 前記遠い側の領域は、前記近い側の領
    域に比べて、前記研磨体の側に突出していない状態で、
    前記被研磨物を研磨することを特徴とする請求項20記
    載の研磨方法。
  22. 【請求項22】 前記近い側の領域の高さを前記被研磨
    物の被研磨面の高さとほぼ同一にした状態で、前記被研
    磨物を研磨することを特徴とする請求項20又は21記
    載の研磨方法。
  23. 【請求項23】 請求項1乃至19のいずれかに記載の
    研磨装置を用いて、あるいは、請求項20乃至22のい
    ずれかに記載の研磨方法を用いて、半導体ウエハの表面
    を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバ
    イス製造方法。
  24. 【請求項24】 請求項23記載の半導体デバイス製造
    方法により製造されることを特徴とする半導体デバイ
    ス。
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