KR20190078115A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치는, 기판이 거치되는 기판거치부와, 기판의 둘레 주변을 감싸도록 기판거치부의 상면에 돌출되게 배치되는 리테이너와, 기판에 대해 이동하며 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛과, 기판에 대한 리테이너의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부를 포함하는 것에 의하여, 리테이너의 수명을 연장할 수 있으며, 연마 균일도와 연마 안정성을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 연마 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.
이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.
일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.
일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.
이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 기판의 연마 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 리테이너의 수명을 연장하고, 교체 주기를 늦출 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 가장자리 부위를 효과적으로 연마할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판에 대한 리테이너의 배치 높이가 선택적으로 조절되도록 하는 것에 의하여, 리테이너의 수명을 연장하고, 연마 균일도와 연마 안정성을 높일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 연마 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
특히, 본 발명에 따르면 리테이너의 수명을 연장하고, 교체 주기를 늦추는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 기판에 대한 리테이너의 배치 높이를 신속하고 정확하게 조절하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 기판의 가장자리 부위에서 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상을 최소화할 수 있으며, 기판의 가장자리 부위를 보다 효과적으로 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 기판의 가장자리 부위에서의 연마가 행해지지 않는 비연마 영역(dead zone)이 발생되는 것을 최소할 수 있으며, 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 기판의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 제조 비용을 절감하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 측면도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판거치부를 설명하기 위한 사시도,
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 조절부를 설명하기 위한 평면도,
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너가 마모된 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너의 배치 높이 조절 공정을 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로의 다른 예를 설명하기 위한 평면도,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 감지부를 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 측면도이다. 또한, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판거치부를 설명하기 위한 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 조절부를 설명하기 위한 평면도이다. 그리고, 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너가 마모된 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너의 배치 높이 조절 공정을 설명하기 위한 도면이며, 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도이고, 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로의 다른 예를 설명하기 위한 평면도이다. 그리고, 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이며, 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 감지부를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(100)와, 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 기판거치부(100)의 상면에 돌출되게 배치되는 리테이너(130)와, 기판(W)에 대해 이동하며 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(200)과, 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부(400)를 포함한다.
이는, 기판(W)의 연마 균일도를 높이고, 연마 안정성을 향상시키기 위함이다.
즉, 기판거치부에 기판이 거치된 상태에서는 기판이 거치되는 기판거치부의 거치면으로부터 기판이 돌출되게 배치되며, 기판의 내측 영역(기판의 상면)과 기판의 외측 영역의 경계(기판의 가장자리)에서는 단차가 발생하게 된다. 그런데, 연마 유닛에 의한 기판의 연마가 행해지는 중에 연마 유닛의 기판의 가장자리를 통과하게 되면 기판의 가장자리에서의 단차에 의해 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하는 문제점이 있다.
특히, 연마 유닛이 기판의 외측 영역에서 기판의 상면보다 낮은 높이에 배치되어 있다가 기판의 내측 영역으로 진입하게 되면, 기판의 가장자리에서의 단차(연마 유닛의 저면과 기판의 상면 간의 높이차)에 의해 연마 유닛이 기판에 부딪히며 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하게 된다. 이와 같이, 기판의 가장자리 영역에서 연마 유닛의 리바운드 현상이 발생하게 되면, 기판의 가장자리 영역에서의 연마 균일도가 보장되지 못하고, 심한 경우에는 기판의 가장자리 영역에서 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)이 발생하게 되는 문제점이 있다. 일 예로, 기판의 가장자리로부터 기판의 내측으로 10㎜ 정도 영역(패턴이 형성되어 있는 영역)에 해당되는 기판의 가장자리 영역이 연마 유닛에 의해 연마되지 못하는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 가장자리 주변에 기판과 비슷한 높이를 갖는 리테이너(130)를 마련하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마 유닛이 기판의 외측 영역에서 기판의 내측 영역으로 이동하거나, 기판의 내측 영역에서 기판의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마 유닛의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
그런데, 반복적인 연마에 의해 리테이너(130)의 마모가 일정 이상 커지면, 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 증가하여 연마 공정 중에 다시 연마 유닛의 리바운딩 현상이 발생하게 되는 문제점이 있다. 더욱이, 연마 유닛의 리바운딩 현상을 억제하기 위해서는, 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 일정 이상 커지기 전에 리테이너(130)를 자주 교체해주어야 하므로, 처리 효율이 저하되고, 생산성 및 수율이 저하되는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명은 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이가 선택적으로 조절되도록 하는 것에 의하여, 리테이너(130)에 마모가 발생하더라도 기판(W)과 리테이너(130)의 높이 편차를 정해진 범위로 조절할 수 있으므로, 연마 유닛(200)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있고, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 리테이너(130)에 마모가 발생하더라도 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절하는 것에 의하여, 리테이너(130)의 교체 주기를 늦출 수 있을 뿐만 아니라, 처리 효율을 높이고 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
기판거치부(100)는 로딩 파트(미도시)와 언로딩 파트(미도시)의 사이에 배치되고, 로딩 파트에 공급된 기판(W)은 기판거치부(100)로 이송되어 기판거치부(100)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트를 통해 언로딩된다.
보다 구체적으로, 로딩 파트는 연마 처리될 기판(W)을 연마 파트에 로딩하기 위해 마련된다.
로딩 파트는 연마 파트에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 로딩 파트는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(미도시)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 로딩 파트가 로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.
아울러, 로딩 파트에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.
참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 다르게는 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.
기판거치부(100)와, 연마 유닛(200)은 로딩 파트와 언로딩 파트의 사이에서 연마 파트(미도시)를 구성하도록 마련된다.
기판거치부(100)는 기판(W)을 거치 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있으며, 기판거치부(100)의 구조 및 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
일 예로, 도 1 내지 도 12를 참조하면, 기판거치부(100)는, 기판의 저면을 지지하는 기판 지지부(112)와, 기판 지지부(112)와 개별적으로 마련되며 리테이너(130)의 저면을 지지하는 리테이너 지지부(114)를 포함한다.
참고로, 본 발명에서 기판(W)을 연마한다 함은, 기판(W)에 대한 기계적 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다. 이때, 슬러리는 연마 패드의 내측 영역에서 공급되거나 연마 패드의 외측 영역에서 공급될 수 있다.
기판 지지부(112)는 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.
기판 지지부(112)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판(W)을 지지하도록 구성될 수 있다.
이하에서는 기판 지지부(112)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판 지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판 지지부를 이용하여 기판을 저면을 지지하는 것도 가능하다.
아울러, 기판 지지부(112)로서는 석정반이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판 지지부가 금속 재질 또는 다공성 재질로 형성될 수 있으며, 기판 지지부의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
또한, 기판 지지부(112)의 상면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드(120)가 구비되고, 기판(W)은 표면패드(120)의 상면에 안착된다.
이와 같이, 기판 지지부(112)의 상면에 표면패드(120)를 마련하고, 기판(W)이 표면패드(120)의 외표면에 안착되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)이 기판 지지부(112)에 거치된 상태에서, 기판 지지부(112)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
표면패드(120)는 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 표면패드(120)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 표면패드(120)은 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 폴리우레탄, 엔지니어링 플라스틱, 실리콘 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 표면패드를 논슬립 기능을 갖는 다른 재질로 형성하는 것도 가능하다.
또한, 표면패드(120)는 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다. 여기서, 표면패드(120)가 비교적 높은 압축율을 갖도록 형성된다 함은, 표면패드(120)가 비교적 높은 연신율을 갖는 것으로도 표현될 수 있으며, 표면패드(120)가 쉽게 압축될 수 있는 푹신푹신한 재질로 형성된 것으로 정의된다.
바람직하게, 표면패드(120)는 20~50%의 압축율을 갖도록 형성된다. 이와 같이, 표면패드(120)가 20~50%의 압축율을 갖도록 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 표면패드(120)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 표면패드(120)가 쉽게 압축될 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 최소화할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 기판 지지부가 접촉 방식으로 기판을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판 지지부가 기판의 저면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.
일 예로, 기판 지지부는 기판의 저면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 기판의 저면(또는 표면패드의 저면)을 지지하도록 구성될 수 있다. 이때, 기판 지지부는 기판의 저면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
경우에 따라서는, 기판 지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 기판의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.
리테이너 지지부(114)는 기판 지지부(112)와 개별적으로 마련되어 리테이너(130)의 저면을 지지한다.
여기서, 리테이너 지지부(114)가 기판 지지부(112)와 개별적으로 마련된다 함은, 리테이너 지지부(114)와 기판 지지부(112)가 독립적으로 분리된 것으로 정의된다.
리테이너 지지부(114)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 리테이너(130)를 지지하도록 구성될 수 있다.
일 예로, 리테이너 지지부(114)는 독립적으로 분할된 복수개의 분할지지부(114a~114d)를 포함한다. 이하에서는 4개의 분할지지부114a~114d가 상호 협조적으로 리테이너 지지부(114)를 형성하도록 구성된 예를 들어 설명하기로 한다.
보다 구체적으로, 리테이너 지지부(114)는, 리테이너(130)의 제1영역의 저면을 지지하는 제1분할지지부(114a)와, 리테이너(130)의 제2영역의 저면을 지지하는 제2분할지지부(114b)와, 리테이너(130)의 제3영역의 저면을 지지하는 제3분할지지부(114c)와, 리테이너(130)의 제4영역의 저면을 지지하는 제4분할지지부(114d)를 포함하며, 제1분할지지부(114a) 내지 제4분할지지부(114d)가 상호 협조적으로 중공의 사각링 형태의 리테이너 지지부(114)를 형성하도록 구성된다. 경우에 따라서는 리테이너 지지부가 3개 이하의 분할지지부를 포함하여 구성되거나, 5개 이상의 분할지지부를 포함하는 것도 가능하다.
리테이너 지지부(114)를 구성하는 복수개의 분할지지부(114a~114d)의 분할 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 각 분할지지부의 분할 형태에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
아울러, 리테이너 지지부(114)로서는 석정반이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 리테이너 지지부를 금속 재질, 다공성 재질 또는 여타 다른 재질로 형성하는 것도 가능하다.
리테이너(130)는 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 리테이너 지지부(114)의 상면에 돌출된 형태로 배치된다.
일 예로, 리테이너(130)는 리테이너 지지부(114)에 대응하는 중공의 사각링 형상의 단일체(single body)로 형성될 수 있다.
리테이너(130)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(200)의 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(210)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(210)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.
보다 구체적으로, 리테이너(130)에는 기판(W)의 형태에 대응하는 기판수용부(130a)가 관통 형성되고, 기판(W)은 기판수용부(130a)의 내부에서 표면패드(120)의 외표면에 안착된다.
기판(W)이 기판수용부(130a)에 수용된 상태에서 리테이너(130)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(리테이너(130) 영역)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(210)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
아울러, 리테이너(130)는 리테이너(130)가 지지되는 리테이너 지지부(114)의 상면으로부터 돌출되게 마련되고, 연마 유닛(200)의 연마패드(210)는 리테이너(130)의 상면과 기판(W)의 상면에 함께 접촉된 상태로 기판(W)의 가장자리를 통과하며 기판(W)의 상면을 연마하도록 구성된다.
바람직하게, 연마 유닛(200)의 연마패드(210)에 의한 기판(W)의 연마 공정이 시작되는 연마시작위치에서, 연마패드(210)의 일부는 리테이너(130)의 상면에 접촉되고, 연마패드(210)의 다른 일부는 기판(W)의 상면에 접촉된 상태로 배치된다.
이와 같이, 연마시작위치에서 연마 유닛(200)의 연마패드(210)가 기판(W)의 상면과 리테이너(130)의 상면에 동시에 접촉된 상태에서 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(200)의 연마패드(210)가 기판(W)의 가장자리를 통과할 시 연마패드(210)가 기판(W)으로부터 리바운드되는 현상을 보다 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
바람직하게, 리테이너(130)는 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T1≥T2)를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 리테이너(130)를 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T2)를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(210)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(210)와 리테이너(130)의 충돌에 의한 리바운드 현상의 발생을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
리테이너(130)는 요구되는 조건에 따라 다양한 재질로 형성될 수 있다. 다만, 리테이너(130)에는 연마 패드(232)가 접촉되므로, 연마 공정시 비교적 갈림이 적은 폴리에틸렌(PE), 불포화 폴리에스테르(unsaturated polyester ; UPE) 등과 같은 재질로 리테이너(130)를 형성하는 것이 바림직하다.
연마 유닛(200)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하며 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.
일 예로, 연마 유닛(200)은 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(210)를 포함한다.
보다 구체적으로, 연마패드 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.
연마패드 캐리어는 연마패드(210)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드 캐리어에는 연마패드(210)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드(210)를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.
연마패드(210)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(210)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(210)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
바람직하게 연마패드(210)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(210)가 사용된다. 즉, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드를 사용하여 기판을 연마하는 것도 가능하나, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드를 사용하게 되면, 연마패드를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게, 연마패드(210)는 기판(W)의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응하는 직경을 갖도록 형성되거나, 기판(W)의 가로 길이 또는 세로 길이의 1/2 보다 작은 직경을 갖도록 형성될 수 있다.
실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(210)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(210)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(210)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
연마 유닛(200)은 갠트리(gantry) 유닛(20)에 의해 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동하도록 구성된다.
보다 구체적으로, 갠트리 유닛(20)은, X축 방향을 따라 직선 이동하는 X축 갠트리(22)와, X축 갠트리(22)에 장착되어 X축 방향에 직교하는 Y축 방향을 따라 직선 이동하는 Y축 갠트리(24)를 포함하며, 연마 유닛(200)은 Y축 갠트리(24)에 장착되어 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동하면서 기판(W)을 연마 한다.
X축 갠트리(22)는 "U"자 형상으로 형성될 수 있으며, X축 방향을 따라 배치된 가이드 레일(22a)을 따라 이동하도록 구성된다. 가이드 레일(22a)에는 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, X축 갠트리(22)는 X축 갠트리(22)의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.
이때, 연마 유닛(200)의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
일 예로, 도 8을 참조하면, 연마패드(210)는 기판(W)의 일변에 대해 경사진 제1사선경로(L1)와, 제1사선경로(L1)의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성된다.
여기서, 제1사선경로(L1)라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변에 대해 소정 각도(θ)로 경사진 경로를 의미한다. 또한, 제2사선경로(L2)라 함은, 제1사선경로(L1)와 교차하도록 제1사선경로(L1)의 반대 방향을 향해 소정 각도로 경사진 경로를 의미한다.
또한, 본 발명에서 연마패드(210)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동한다 함은, 연마패드(210)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에 기판(W)에 대한 연마패드(210)의 이동 경로가 중단되지 않고 다른 방향으로 전환(제1사선경로에서 제2사선경로로 전환)되는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 연마패드(210)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 연속적으로 이동하며 연속적으로 연결된 파도 형태의 이동 궤적을 형성한다.
보다 구체적으로, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)는 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이며, 연마패드(210)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하며 기판(W)의 표면을 연마한다. 이때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이라 함은, 기판(W)의 일변(11)을 중심으로 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 대칭시켰을 때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 완전히 겹쳐지는 것을 의미하고, 기판(W)의 일변과 제1사선경로(L1)가 이루는 각도와, 기판(W)의 일변과 제2사선경로(L2)가 이루는 각도가 서로 동일한 것으로 정의된다.
바람직하게, 연마패드(210)는, 연마패드(210)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 왕복 이동한다. 이하에서는 연마패드(210)가 연마패드(210)의 직경 만큼의 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 규칙적으로 왕복 이동하는 예를 설명하기로 한다.
이때, 연마 유닛(200)은 겐트리(Gantry)와 같은 구조물(미도시)에 의해 선형 이동하도록 구성될 수 있으며, 연마 유닛(200)을 이동시키는 구조물의 종류 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 겐트리는 기판(W)을 사이에 두고 기판(W)의 양측에 배치되며 기판(W)의 이송 방향을 따라 직선 이동 가능하게 마련되는 제1지지축과 제2지지축, 및 제1지지축과 제2지지축을 연결하는 연결축을 포함할 수 있으며, 연마 유닛(200)은 연결축 상에 장착될 수 있다.
이와 같이, 기판(W)에 대해 연마패드(210)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하되, 연마패드(210)가 연마패드(210)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 기판(W)에 대해 전진 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(210)에 의한 연마가 누락되는 영역없이 기판(W)의 전체 표면을 규칙적으로 균일하게 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
여기서, 기판(W)에 대해 연마패드(210)가 전진 이동한다 함은, 연마패드(210)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 이동하면서 기판(W)의 전방을 향해(예를 들어, 도 8을 기준으로 기판의 밑변에서 윗변을 향해) 직진 이동하는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 밑변, 빗변, 대변으로 이루어진 직각삼각형을 예를 들면, 직각삼각형의 밑변은 기판(W)의 밑변으로 정의되고, 직각삼각형의 빗변은 제1사선경로(L1) 또는 제2사선경로(L2)로 정의될 수 있으며, 직각삼각형의 대변은 기판(W)에 대한 연마패드(210)의 전진 이동 거리로 정의될 수 있다.
다시 말해서, 연마패드(210)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 기판(W)에 대해 연마패드(210)가 반복적으로 지그재그 이동(제1사선경로와 제2사선경로를 따라 이동)하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(210)에 의한 연마가 누락되는 영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 균일하게 제어하고, 기판(W)의 두께 분포를 2차원 판면에 대하여 균일하게 조절하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
다른 일 예로, 도 9를 참조하면, 연마패드(210)는 기판(W)의 일변 방향을 따른 제1직선경로(L1')와, 제1직선경로(L1')의 반대 방향인 제2직선경로(L2')를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하는 것도 가능하다.
여기서, 제1직선경로(L1')라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변의 일단에서 다른 일단을 향하는 방향을 따른 경로를 의미한다. 또한, 제2직선경로(L2')라 함은, 제1직선경로(L1')와 반대 방향을 향하는 경로를 의미한다.
한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는, 연마 유닛(200)이 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(210)에 의해 기판(W)을 연마하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 유닛이 무한 루프 방식으로 순환 회전하는 연마 벨트를 이용하여 기판을 연마하는 것도 가능하다.
참고로, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 연마 파트가 단 하나의 연마 유닛(200)으로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 파트가 2개 이상의 연마 유닛을 포함하는 것을 가능하다. 도 10을 참조하면, 연마 파트는 2개 이상의 연마 유닛(200,200')을 포함할 수 있다. 이때, 복수개의 연마 유닛(200,200')은 각각 연마패드(210,210')를 구비하며, 서로 동일한 경로 또는 서로 반대 방향 경로를 향해 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성될 수 있다.
또한, 기판 처리 장치는 연마패드(210)의 외표면(기판(W)에 접촉되는 표면)을 개질하는 컨디셔너(미도시)를 포함할 수 있다.
일 예로, 컨디셔너는 기판(W)의 외측 영역에 배치될 수 있으며, 연마패드(210)의 표면(저면)을 미리 정해진 가압력으로 가압하며 미세하게 절삭하여 연마패드(210)의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 개질한다. 다시 말해서, 컨디셔너는 연마패드(210)의 외표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 연마패드(210)의 외표면을 미세하게 절삭하여, 연마패드(210)의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 기판(W)에 원활하게 공급되도록 한다. 바람직하게 컨디셔너는 회전 가능하게 구비되며, 연마패드(210)의 외표면(저면)에 회전 접촉한다.
조절부(400)는 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하도록 마련된다.
이는, 리테이너(130)가 일정 이상 마모되어 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 증가함에 따라 연마 공정 중에 연마 유닛의 리바운딩 현상이 발생하는 것을 방지하기 위함이다.
즉, 반복적인 연마에 의해 리테이너(130)의 마모가 일정 이상 커지면, 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 증가하여 연마 공정 중에 다시 연마 유닛의 리바운딩 현상이 발생하게 되는 문제점이 있다. 더욱이, 연마 유닛의 리바운딩 현상을 억제하기 위해서는, 기판과 리테이너(130) 간의 높이차가 일정 이상 커지기 전에 리테이너(130)를 자주 교체해주어야 하므로, 처리 효율이 저하되고, 생산성 및 수율이 저하되는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명은 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이가 선택적으로 조절되도록 하는 것에 의하여, 리테이너(130)에 마모가 발생하더라도 기판과 리테이너(130)의 높이 편차를 정해진 범위로 조절할 수 있으므로, 연마 유닛의 리바운드 현상을 최소화할 수 있고, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 리테이너(130)에 마모가 발생하더라도 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절하는 것에 의하여, 리테이너(130)의 교체 주기를 늦출 수 있을 뿐만 아니라, 처리 효율을 높이고 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)의 높이를 조절하여 기판의 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절할 수 있으므로, 리테이너(130)를 보다 두꺼운 두께로 형성하는 것이 가능하며, 리테이너(130)의 교체 주기를 보다 늦추는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
보다 구체적으로, 조절부(400)는 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)의 높이를 선택적으로 조절하도록 마련된다.
여기서, 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)의 높이를 조절한다 함은, 기판이 지지되는 기판 지지부(112)의 상면 높이에 대해 리테이너(130)가 지지되는 리테이너 지지부(114)의 상면 높이를 높거나 낮게 조절하는 것으로 정의된다.
이하에서는 조절부(400)가 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)를 승강시켜 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절하는 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 조절부가 리테이너 지지부에 대해 기판 지지부를 승강시켜 기판에 대한 리테이너의 배치 높이를 조절하는 것도 가능하다.
보다 구체적으로, 도 5 및 도 6을 참조하면, 리테이너(130)의 상면 높이가 기판의 상면 높이보다 미리 정해진 범위보다 낮아지면, 조절부(400)는 기판 지지부(112)에 대해 리테이너 지지부(114)를 상부 방향으로 이동시켜, 기판 지지부(112)에 대한 리테이너 지지부(114)의 높이가 높아지도록 하는 것에 의하여, 리테이너(130)의 상면 높이를 기판(W)의 상면 높이와 비슷한 높이로 조절할 수 있다.
조절부(400)는 기판 지지부(112)에 대한 리테이너 지지부(114)의 높이를 선택적으로 조절 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있다. 일 예로, 조절부(400)는 리테이너 지지부(114)의 하부에 배치되며 리테이너 지지부(114)를 선택적으로 승강시키는 승강 유닛(401)을 포함한다. 경우에 따라서는 조절부가 리테이너 지지부의 상부 또는 측부에서 리테이너 지지부를 선택적으로 승강시키도록 구성되는 것도 가능하다.
이하에서는 승강 유닛(401)이 리테이너 지지부(114)를 구성하는 복수개의 분할지지부(114a~114d)의 높이를 개별적으로 조절하는 예를 들어 설명하기로 한다.
보다 구체적으로, 승강 유닛(401)은, 리테이너 지지부(114)의 일변(제1분할지지부)의 높이를 조절하는 제1사이드승강부(410)와, 일변을 마주하는 리테이너 지지부(114)의 다른 일변(제2분할지지부)의 높이을 조절하는 제2사이드승강부(420)와, 제1사이드승강부(410)와 제2사이드승강부(420)의 사이에 배치되는 리테이너 지지부(114)의 일측변(제3분할지지부)의 높이를 조절하는 제3사이드승강부(430)와, 일측변을 마주하는 리테이너 지지부(114)의 다른 일측변(제4분할지지부)의 높이를 조절하는 제4사이드승강부(440)를 포함하고, 제1사이드승강부(410) 내지 제4사이드승강부(440)는 개별적으로 작동한다.
이때, 제1사이드승강부(410) 내지 제4사이드승강부(440)로서는 통상의 솔레노이드, 에어 실린더 등이 사용될 수 있으며, 제1사이드승강부(410) 내지 제4사이드승강부(440)의 구조 및 종류에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 구성에 의하여, 리테이너 지지부(114)의 일변(제1분할지지부)에 지지된 리테이너(130)의 상면 높이가 기판보다 일정 이상 낮으면, 제1사이드승강부(410)를 이용하여 리테이너 지지부(114)의 일변의 높이를 높게 조절할 수 있다. 같은 방식으로, 리테이너 지지부(114)의 일측변(제3분할지지부)에 지지된 리테이너(130)의 상면 높이가 기판보다 일정 이상 낮으면, 제3사이드승강부(430)를 이용하여 리테이너 지지부(114)의 일측변의 높이를 높게 조절할 수 있다.
바람직하게, 조절부(400)는 연마 유닛(200)이 기판(W)을 가압하며 연마 공정을 행하는 중에 실시간으로 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 조절한다. 이와 같이, 기판(W)의 연마 공정이 행해지는 중에 실시간으로 리테이너(130)의 배치 높이를 조절하는 것에 의하여, 기판(W)의 연마 균일도 및 연마 안정성을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
한편, 언로딩 파트는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트에서 언로딩하기 위해 마련된다.
언로딩 파트는 연마 파트에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 언로딩 파트는 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(미도시)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.
한편, 전술한 본 발명의 실시예에서는 리테이너가 사각링 형상의 단일체로 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 리테이너가 독립적으로 분할된 복수개의 분할리테이너를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.
일 예로, 도 11을 참조하면, 리테이너(130)는 분할지지부(114a~114d)에 대응되게 분할된 4개의 분할리테이너(132,134,136,138)를 포함하여 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 리테이너가 3개 이사의 분할리테이너 또는 5개 이상의 분할리테이너를 포함하는 것도 가능하다.
또한, 도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(100)와, 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 기판거치부(100)의 상면에 돌출되게 배치되는 리테이너(130)와, 기판(W)에 대해 이동하며 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛(200)과, 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하는 감지부(300)와, 감지부(300)에서 감지된 신호에 기초하여 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부(400)를 포함한다.
감지부(300)는 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하도록 마련된다.
여기서, 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지한다 함은, 기판의 상면 높이와 리테이너(130)의 상면 높이 간의 편차를 감지하는 것으로 정의된다.
감지부(300)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하도록 구성될 수 있다. 가령, 감지부(300)는 접촉식 감지 방식 또는 비접촉식 감지 방식으로 기판에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하도록 구성된다.
일 예로, 감지부(300)는 기준위치에서 리테이너(130)에 결정된 측정위치 사이의 거리 변화를 감지하여 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지할 수 있다. 경우에 따라서는 감지부가 접촉 센서(예를 들어, 다이얼 게이지)를 이용하여 기판에 대한 리테이너의 배치 높이를 감지하는 것도 가능하다.
바람직하게, 감지부(300)는 연마 공정을 행하는 중에 실시간으로 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 감지하고, 조절부(400)는 감지부(300)에서 감지된 신호에 기초하여 기판(W)의 연마 공정이 행해지는 중에 실시간으로 리테이너(130)의 배치 높이를 조절한다.
한편, 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 처리 장치는, 정해진 경로를 따라 이동하며 외표면에 기판(W)과 리테이너(130)가 안착되는 이송 벨트(120')와, 이송 벨트(120')의 내부에 배치되며 이송 벨트(120')를 사이에 두고 기판(W)과 리테이너(130)의 저면을 지지하는 기판거치부(100)와, 기판(W)에 대해 이동하며 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(200)과, 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부(400)를 포함한다.
참고로, 전술한 실시예와 마찬가지로, 조절부(400)는 기판(W)에 대한 리테이너(130)의 배치 높이를 선택적으로 조절하도록 구성될 수 있다.
이송 벨트(120')는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 정해진 경로를 따라 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(120')는 정해진 경로를 따라 순환 회전하도록 구성될 수 있다.
이송 벨트(120')의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(120')는 롤러 유닛(150)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(120')의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(120')에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.
이송 벨트(120')의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(150)은 제1롤러(152)와, 제1롤러(152)로부터 평행하게 이격되게 배치되는 제2롤러(154)를 포함하며, 이송 벨트(120')는 제1롤러(152)와 제2롤러(154)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.
참고로, 이송 벨트(120')의 외표면이라 함은, 이송 벨트(120')의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(120')의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(120')의 내표면이라 함은, 제1롤러(152)와 제2롤러(154)가 접촉되는 이송 벨트(120')의 내측 표면을 의미한다.
또한, 제1롤러(152)와 제2롤러(154) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(152)는 고정되는 제2롤러(154)는 제1롤러(152)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(152)에 대해 제2롤러(154)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(120')의 장력을 조절할 수 있다.
여기서, 이송 벨트(120')의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(120')를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.
기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명은 로딩 파트에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(120')로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(120') 상에서 직접 언로딩 파트로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(120')를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
이송 벨트의 다른 일 예로, 이송 벨트는 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 것도 가능하다.(미도시)
여기서, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이송 벨트가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 기판 처리 장치 20 : 갠트리 유닛
22 : X축 갠트리 24 : Y축 갠트리
100 : 기판거치부 112 : 기판 지지부
114 : 리테이너 지지부 114a~114d : 분할지지부
120 : 표면패드 120' : 이송 벨트
130 : 리테이너 130a : 기판수용부
200 : 연마 유닛 210 : 연마패드
300 : 감지부 400 : 조절부
401 : 승강 유닛 410 : 제1사이드승강부
420 : 제2사이드승강부 430 : 제3사이드승강부
440 : 제4사이드승강부

Claims (18)

  1. 기판의 연마 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서,
    기판이 거치되는 기판거치부와;
    상기 기판의 둘레 주변을 감싸도록 상기 기판거치부의 상면에 돌출되게 배치되는 리테이너와;
    상기 기판에 대해 이동하며, 상기 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛과;
    상기 기판에 대한 상기 리테이너의 배치 높이를 선택적으로 조절하는 조절부를;
    포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판거치부는,
    상기 기판의 저면을 지지하는 기판 지지부와;
    상기 기판 지지부와 개별적으로 마련되며, 상기 리테이너의 저면을 지지하는 리테이너 지지부를; 포함하고,
    상기 조절부는 상기 기판 지지부에 대해 상기 리테이너 지지부의 높이를 선택적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 리테이너 지지부는 독립적으로 분할된 복수개의 분할지지부를 포함하고,
    상기 조절부는 상기 분할지지부의 높이를 개별적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 리테이너는 상기 분할지지부에 대응되게 분할된 복수개의 분할리테이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 조절부는 상기 리테이너 지지부의 하부에 배치되며 상기 리테이너 지지부를 선택적으로 승강시키는 승강 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 승강 유닛은,
    상기 리테이너 지지부의 일변의 높이를 조절하는 제1사이드승강부와;
    상기 일변을 마주하는 상기 리테이너 지지부의 다른 일변의 높이를 조절하는 제2사이드승강부와;
    상기 제1사이드승강부와 상기 제2사이드승강부의 사이에 배치되는 상기 리테이너 지지부의 일측변의 높이를 조절하는 제3사이드승강부와;
    상기 일측변을 마주하는 상기 리테이너 지지부의 다른 일측변의 높이를 조절하는 제4사이드승강부를; 포함하고,
    상기 제1사이드승강부 내지 상기 제4사이드승강부는 개별적으로 작동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 기판 지지부의 상면에 구비되며, 상기 기판에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 표면패드를 포함하고,
    상기 기판은 상기 표면패드의 상면에 안착된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 리테이너는 상기 기판보다 얇거나 같은 두께를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 연마 유닛은 상기 리테이너의 상면에 접촉된 상태로 상기 기판의 상면을 연마하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 조절부는 상기 연마 유닛이 상기 기판을 가압하며 연마하는 중에 실시간으로 상기 리테이너의 배치 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 연마 유닛은,
    상기 기판보다 작은 사이즈로 형성되며, 상기 기판에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에 대한 상기 리테이너의 배치 높이를 감지하는 감지부를 포함하고,
    상기 조절부는 상기 감지부에서 감지된 신호에 기초하여 상기 리테이너의 배치 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 감지부는 접촉식으로 상기 리테이너의 배치 높이를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 감지부는 비접촉식으로 상기 리테이너의 배치 높이를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 감지부는 기준위치에서 상기 리테이너에 결정된 측정위치 사이의 거리 변화를 감지하여 상기 리테이너의 배치 높이를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    정해진 경로를 따라 이동하며 외표면에 상기 기판과 상기 리테이너가 안착되는 이송 벨트를 포함하고,
    상기 기판거치부는 이송 벨트의 하부에 배치되며, 상기 이송 벨트를 사이에 두고 상기 기판과 상기 리테이너의 저면을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제18항에 있어서,
    상기 이송 벨트는 정해진 경로를 따라 순환 회전하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229388A (ja) * 2002-02-01 2003-08-15 Nikon Corp 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
JP2003282493A (ja) * 2001-08-14 2003-10-03 Sony Corp 研磨装置および研磨方法
JP2005271111A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Ebara Corp 基板研磨装置及び基板研磨方法
KR100776014B1 (ko) * 2006-06-29 2007-11-15 주식회사 싸이노스엔지니어링 인라인 연마 시스템

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282493A (ja) * 2001-08-14 2003-10-03 Sony Corp 研磨装置および研磨方法
JP2003229388A (ja) * 2002-02-01 2003-08-15 Nikon Corp 研磨装置、研磨方法、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
JP2005271111A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Ebara Corp 基板研磨装置及び基板研磨方法
KR100776014B1 (ko) * 2006-06-29 2007-11-15 주식회사 싸이노스엔지니어링 인라인 연마 시스템

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