JP2005271111A

JP2005271111A - 基板研磨装置及び基板研磨方法

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Publication number: JP2005271111A
Application number: JP2004085758A
Authority: JP
Inventors: Yu Ishii; 遊石井
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2004-03-23
Filing date: 2004-03-23
Publication date: 2005-10-06

Abstract

【課題】基板の被研磨面を上向きにし、基板を回転させないことによって、大型の基板や任意形状の基板に対して、装置の小型化、研磨パッドの小型化が可能で、且つ研磨液の使用量を削減できる基板研磨装置及び基板研磨方法を提供すること。
【解決手段】基板１１を保持し移動させる搬送機構（ベルトコンベア１３）と、研磨面を具備し該研磨面が回転軸を中心に平面上を回転し且つ基板１１の移動方向と交差する方向に揺動する研磨ヘッド１５を具備し、搬送機構に被研磨面を上向きにして保持され移動する基板１１の被研磨面に回転・揺動する研磨ヘッドの研磨面を当接し、基板１１と研磨ヘッドの研磨面の相対的運動により該基板を研磨する。研磨液１９を回転軸１６を貫通する貫通穴１８を通して研磨ヘッド１５の中心部に供給する。
【選択図】図２

Description

本発明は、パッケージ用の方形基板又は半導体ウエハ等の円形基板、その他の任意形状の基板を研磨する基板研磨装置及び基板研磨方法に関するものである。

従来この種の基板研磨装置は、回転する研磨テーブルに設けた研磨パッドの上面に、回転する基板保持ベッドに保持された基板の被研磨面を下方に向け、該被研磨面を前記研磨パット上面に押圧すると共に、該研磨パッド上面に研磨液を供給しながら、基板と研磨パッドの相対的運動により、研磨を行うのが一般的である。

上記従来の基板研磨装置は、基板と研磨テーブルを共に回転させていることと、基板の被研磨面が下方を向いて保持され研磨パッドの研磨面が上を向いているため、基板が大型化し、若しくは円形以外の形状の場合に、装置や研磨パッドが大型化し、研磨液も多量に必要とするという問題があった。

本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、上記問題を除去し、基板の被研磨面を上向きにし、基板を回転させないことによって、大型の基板や任意形状の基板に対して、装置の小型化、研磨パッドの小型化が可能で、且つ研磨液の使用量を削減できる基板研磨装置及び基板研磨方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、基板を保持し移動させる搬送機構と、研磨面を具備し該研磨面が回転軸を中心に平面上を回転し且つ基板の移動方向と交差する方向に揺動する研磨ヘッドを具備し、搬送機構に被研磨面を上向きにして保持され移動する基板の該被研磨面に前記回転し揺動する研磨ヘッドの研磨面を当接し、該基板と該研磨面の相対的運動により該基板を研磨することを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板研磨装置において、研磨ヘッドはその揺動範囲、研磨面が基板の被研磨面を押圧する荷重、回転数、揺動速度を任意に設定制御できる設定制御手段を具備することを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の基板研磨装置において、研磨ヘッドの回転軸に軸方向に貫通穴が設けられており、該貫通穴を通して基板の被研磨面に研磨液を供給するようになっていることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板研磨装置において、研磨ヘッドは搬送機構の基板移動方向に沿って複数配置されていることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板研磨装置において、搬送機構は基板を保持する保持手段を具備し、該保持手段で保持された該基板の外周に該基板縁部の過研磨を防止する固定式若しくは研磨ヘッドの押圧力によって高さ調整又は加圧力調整が可能なリテーナを設けたことを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板研磨装置において、研磨終了後の基板を洗浄する基板洗浄手段を設けたことを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の基板研磨装置において、洗浄後の基板を乾燥する基板乾燥手段を設けたことを特徴とする。

請求項８に記載の発明は、搬送機構に被研磨面を上向きにして保持され移動する基板の該被研磨面に、平面上を回転し且つ該基板の移動方向と交差する方向に揺動する研磨ヘッドの研磨面を基板の被研磨面に当接させ、該基板と該研磨面の相対的運動により該基板を研磨することを特徴とする基板研磨方法にある。

請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の基板研磨方法において、研磨ヘッドの揺動範囲、研磨面が基板の被研磨面を押圧する荷重、回転数、揺動速度を任意に設定して研磨することを特徴とする。

請求項１０に記載の発明は、請求項８又は９に記載の基板研磨方法において、研磨ヘッドの回転軸に設けた貫通穴を通して基板の被研磨面に研磨液を供給することを特徴とする。

請求項１１に記載の発明は、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の基板研磨方法において、基板の研磨は搬送機構の基板移動方向に沿って配置された複数の研磨ヘッドにより複数段の研磨工程を経て行われることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、搬送機構に被研磨面を上向きにして保持され移動する基板の被研磨面に回転し揺動する研磨ヘッドの研磨面を当接し、該基板と該研磨面の相対的運動により該基板を研磨するので、基板を回転させないから、大型の基板や任意形状の基板に対して、装置の小型化、研磨パッドの小型化が達成できる。

請求項２に記載の発明によれば、研磨ヘッドはその揺動範囲、研磨面が基板の研磨面を押圧する荷重、回転数、揺動速度を任意に設定制御できる設定制御手段を具備するので、基板の研磨プロファイルを最適化することが可能となる。

請求項３に記載の発明によれば、研磨ヘッドの回転軸に軸方向に貫通穴が設けられており、該貫通穴を通して基板の被研磨面に研磨液を供給するので、研磨ヘッドの中心部に位置する基板の被研磨面に研磨液が供給されることになり、研磨液が無駄なく有効に使用され、研磨液の使用量を低減させることが可能となる。

請求項４に記載の発明によれば、研磨ヘッドは搬送機構の基板移動方向に沿って複数配置されているので、最初の研磨ヘッドで１次の粗研磨、次の研磨ヘッドで２次研磨、最後の研磨ヘッドで仕上げ研磨というように、複数の研磨工程を経て研磨することができ、研磨される材料等の研磨条件に適した研磨を行うことが可能となる。

請求項５に記載の発明によれば、基板の外周に固定式若しくは研磨ヘッドの押圧力によって高さ調整又は加圧力調整が可能なリテーナを設けたので、基板の外周縁部の過研磨を防止することができる。

請求項６に記載の発明によれば、基板洗浄手段を設けたので、同じ基板研磨装置内で基板の研磨及び洗浄を連続して行うことができ、装置全体を小型化できる。

請求項７に記載の発明によれば、基板乾燥手段を設けたので、同じ基板研磨装置内で基板の研磨、洗浄、乾燥を連続して行うことができ、装置全体を小型化できる。

請求項８に記載の発明によれば、搬送機構に被研磨面を上向きに保持され移動する基板の被研磨面に、平面上を回転し且つ該基板の移動方向と交差する方向に揺動する研磨ヘッドの研磨面を基板の被研磨面に当接させ、該基板と該研磨面の相対的運動で該基板を研磨するので、基板を回転させないから、大型の基板や任意形状の基板に対して、小さいスペースで、且つ小さい研磨パッドで基板を研磨することが可能となる。

請求項９に記載の発明によれば、研磨ヘッドの揺動範囲、研磨面が基板の研磨面を押圧する荷重、回転数、揺動速度を任意に設定して研磨するので、基板の研磨プロファイルを最適化することが可能となる。

請求項１０に記載の発明によれば、研磨ヘッドの回転軸に設けた貫通穴を通して基板の被研磨面に研磨液を供給するので、研磨ヘッドの中心部に位置する基板の被研磨面に研磨液が供給されることになり、研磨液が無駄なく有効に使用されることになり、研磨液の使用量を低減させることが可能となる。

請求項１１に記載の発明によれば、基板の研磨は搬送機構の基板移動方向に沿って配置された複数の研磨ヘッドにより複数段の研磨工程を経て行われるので、研磨される材料等の研磨条件に適した研磨を行うことが可能となる。

以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。図１及び図２は本発明に係る基板研磨装置の概略構成を示す図であり、図１は概略平面構成を、図２は概略側面構成を示す。本基板研磨装置１０は研磨対象である基板１１を移送するための搬送機構として複数の回転支持ローラ１２で支持されたベルトコンベア１３を具備する。該ベルトコンベア１３には基板１１を保持する保持手段として複数の真空チャック１４、即ち真空吸引力で基板１１を吸着保持する保持手段がその両側を固定具３０を介して取付けられている。各真空チャック１４には１枚の基板１１がその被研磨面を上向きにした裏面を真空吸引保持されるようになっている。ここで使用するベルトの材質は、基板１１や真空チャック１４を汚染したり、腐食等をしない材質であり、且つベルトが水や洗浄液、研磨液に浸されない材質である。具体的にはゴム系（バイトン、シリコンゴム等）、樹脂系（ＰＶＣ、ＰＣ、ＰＰＳ等）が挙げられる。

ベルトコンベア１３の上方には複数台（図では３台）の研磨ヘッド１５が基板１１の移動方向Ａ（ベルトコンベア１３の移動方向）に沿って配置されており、また、各研磨ヘッド１５は回転軸１６で回転自在に支持されている。また、研磨ヘッド１５の下面には環状に形成された研磨パッド１７が装着されている。また、回転軸１６には貫通穴１８が形成されており、該貫通穴１８を通して研磨液１９が基板１１の上面、即ち研磨ヘッド１５の中心部に位置する基板１１の被研磨面上に供給されるようになっている。また、各研磨ヘッド１５は基板１１の移動方向Ａに交差する方向（図１の矢印Ｂ、Ｃ、Ｄの方向）に揺動するようになっている。

また、最後の研磨ヘッド１５の後流側には研磨の終了した基板１１に洗浄液２０を噴射して洗浄するための洗浄ノズル２１が配置され、更にその後流側には洗浄後の基板１１に乾燥用空気２２（又は不活性ガス（例えば、乾燥したＮ₂ガス））を吹き付け乾燥させるための乾燥用エアノズル２３が配置されている。なお、洗浄ノズル２１から吹き付けられた洗浄液２０が研磨ヘッド１５が位置する研磨部に流れ込む研磨液１９が薄まり、研磨に支障をきたし、乾燥用空気２２が吹き付けられる乾燥部に流れ込むと乾燥を妨げることになるので、洗浄ノズル２１からの洗浄液２０は研磨部と乾燥部の間に吹き付けられ、そこから基板１１の側方に向けて流す（例えばこの部分のベルトコンベアを側方に向けて傾斜させる）ことで、前後洗浄及び乾燥工程を邪魔しないように配慮する必要がある。

上記構成の基板研磨装置１０において、図２のロード部２４にある基板１１は、ベルトコンベア１３の上流側の真空チャック１４に被研磨面を上向きにして保持され、ベルトコンベア１３の移動に伴って後流側へと移動する。この移動する基板１１の被研磨面に回転し、且つ基板１１の移動方向と交差する方向に揺動する研磨ヘッド１５の研磨パッド１７の下面が所定の圧力で当接される。その時回転軸１６に設けられた貫通穴１８を通してスラリー等の研磨液１９が基板１１の被研磨面上に供給される。この研磨液１９と基板１１と研磨パッド１７の相対的運動により、基板１１の研磨面は研磨される。研磨パッド１５はベルトコンベア１３の移動方向に沿って複数台（図では３台）配置されているから、上流側から１次研磨、２次研磨、３次研磨（仕上げ研磨）を行い、３次研磨終了後の基板１１の被研磨面を洗浄ノズル２１から噴射される洗浄液２０で洗浄し、続いて乾燥用エアノズル２３から噴射される乾燥用空気２２で乾燥させる。乾燥した基板１１はアンロード部２５に収容される。

また、各研磨ヘッド毎に研磨プロセスが異なることによって研磨液、洗浄液等が異なる場合には、各研磨ヘッドの間、若しくは１次研磨、２次研磨、洗浄・乾燥等の間に図示しない仕切り板を設けて、液体の混合を防ぐこともある。また、研磨液、洗浄液がベルトから流出するように装置全体若しくは基板１１を斜めに設置することでベルト表面から液体が流出するようにすることも考えられる。

上記のようにベルトコンベア１３の真空チャック１４で被研磨面を上向きに保持された基板１１を移動させながら、該基板１１の移動方向に沿って配置された複数の研磨ヘッド１５の研磨パッド１７で基板１１の被研磨面を研磨するので、基板１１が回転しないで一方向に移動するだけであるから、大型の基板１１や任意形状の基板１１を研磨するのに好適で、基板研磨装置の小型化が可能となると共に、研磨パッド１７も研磨ヘッド１５の下面をリング状に覆うだけであるから、小さくできる。

また、図示は省略するが設定制御装置を設け、各研磨ヘッド１５の揺動範囲、研磨パッド１７が基板１１の被研磨面を押圧する荷重（圧力）、回転数、揺動速度を任意に設定し、制御することにより、基板１１の研磨プロファイルを最適化することが可能となる。例えば、図６に示すように、研磨ヘッド１５の移動方向Ｆの前方又は後方又は両方にモニター３１、３２をセットし、研磨前又は研磨後又は両方の膜厚を測定して研磨条件を決める。そして研磨後の状態を確認する。この方法は、光学式膜測、音波式膜測、四端子式膜測、粗さ測定器（触針式、光学式）で粗さ検出し、制御部にフィードバックをかけ、荷重（圧力）、回転数、揺動速度を制御して行なう。

また、研磨ヘッド１５の中や、真空チャック１４に埋め込んだ摩擦力測定用ピックアップ、振動測定用ピックアップ、光学式膜測、音波式膜測、ＥＣＭ（渦電流式膜測）光学式粗さ計を使い、又は研磨ヘッドを回転するモータのトルクを検出することで、膜厚や研磨終点（エンドポイント）を検出し、研磨条件にフィードバックすることも可能である。被研磨物である基板の大きさに比べて、研磨ヘッド１５の大きさが小径であり、また従来のＣＭＰ装置に比べて基板の研磨ヘッドに対する移動速度を小さくすることによって、研磨プロセス継続中に被研磨面が連続して研磨ヘッドより露わになった時点で、四端子式膜測、触針式粗さ測定器で研磨直後の研磨面をモニターすることも可能である。

また、研磨ヘッド１５の回転軸１６に設けた貫通穴１８を通して基板１１の被研磨面にスラリー等の研磨液１９を供給するので、研磨液は研磨ヘッド１５の中心部、即ちリング状の研磨パッド１７の中心部に位置する基板１１の被研磨面に供給されることになり、研磨液１９が基板１１に有効に供給され、無駄なく必要最小限の量の研磨液１９で研磨することが可能となり、研磨液１９の使用量を大幅に低減させることができる。

また、基板の移動方向に沿って配置された複数台の研磨ヘッド１５で研磨するので、最初の研磨ヘッド１５で１次の粗研磨、次の研磨ヘッドで２次研磨、最後の研磨ヘッドで仕上げ研磨というように、複数の研磨工程を経て研磨することができ、研磨される材料等の研磨条件に適した研磨を行うことが可能となる。なお、本実施形態では、研磨ヘッド１５を３台としているが、３台に限定されるものではないことは当然である。また、場合によっては１台であってもよい。

上記のように基板１１の被研磨面を回転・揺動する研磨ヘッド１５の研磨パッド１７で研磨した場合、被研磨面の縁部が過研磨される傾向がある。そこでここでは、図３に示すように、真空チャック１４で保持される基板１１の外周に位置する部分に固定式のリテーナ２６を設けることにより、基板１１の被研磨面の縁部の過研磨を防止できる。また、リテーナは固定式に限定されるものではなく、図４に示すように、リテーナ２７の高さ又は加圧力を調整できる高さ又は加圧力調整機構２８で支持するように構成してもよい。これにより、より適切に基板１１の被研磨面の縁部の過研磨を防止できる。

図５（ａ）に示すように、研磨終了後の研磨基板１１を、洗浄ノズル２１から基板１１の被研磨面に洗浄液２０を噴射して洗浄する例を示したが、これに限定されるものではなく、図５（ｂ）に示すように、ロールブラシ２９を設け、洗浄ノズル２１から洗浄液２０を噴射しながらロールブラシ２９を回転し、基板１１の被研磨面を洗浄、即ちスクラブ洗浄してもよい。また、図示は省略するが、洗浄液のジェット噴射等により洗浄するようにしてもよい。洗浄液としては純水や薬液等がある。

本基板研磨装置は、上記のように洗浄ノズル２１、乾燥用エアノズル２３を設け、研磨が終了した基板１１を、ベルトコンベア１３で移動させながら連続して洗浄、乾燥させるから、装置全体を小型化できる。なお、上記例では、洗浄後の基板に乾燥用空気を吹付ける方法を採用しているが、乾燥用気体としては空気に限定されるものではなく、例えばＮ₂ガス等の不活性ガスを吹付ける方法でもよい。

また、ベルトコンベア１３のベルトの材質としては基板１１や真空チャック１４を汚染したり、腐食等をさせず、逆にベルトが洗浄液２０や研磨液１９に侵されることがなければよい。また、ベルトコンベア１３や真空チャック１４の洗浄は、例えば図２において、ベルトコンベア１３や真空チャック１４が下方を向いているときに、洗浄水を噴射し、表面、裏面及び側面を洗浄する。また、真空チャック１４が下方を向いているときに裏面から洗浄水を流し、内側を洗浄したり、更に真空チャック１４の表面にブラシを当てることで洗浄する。

また、上記例では、研磨ベッド１５をベルトコンベア１３の移動方向に３台配置し、１次の研磨（粗研磨）、２次研磨、３次研磨（仕上げ研磨）を行なっているが、これら各研磨工程で用いる研磨液等の具体例を図７に示す。図７において、（１）及び（２）は研磨目的が固定砥粒で基板１１の被研磨面の大きなうねりを取る場合、（３）は研磨目的が２段研磨で基板１１の被研磨面の大きなうねりを取る場合、（４）は基板１１の被研磨面に大きなうねりがない場合である。

（１）の固定砥粒で大きなうねりを取る場合は、１次研磨で固定砥粒を用い、２次研磨で不織布研磨材はを用い、３次研磨でＣｕＣＭＰの１次スラリーを用いる。また、（２）の固定砥粒で大きなうねりを取る場合は、１次研磨で固定砥粒を用い、２次研磨でＣｕＣＭＰの１次スラリーを用い、３次研磨でＣｕＣＭＰの２次スラリーを用いる。また、（３）の２段研磨で大きなうねりを取る場合は、１次研磨で固定砥粒を用い、２次研磨でＣｕの１次スラリーを用いる。また、（４）の初めに大きなうねりが内場合は、１次研磨でＣｕＣＭＰの１次スラリー、２次研磨でＣｕＣＭＰの２次スラリーを用いる。

上記１次研磨に用いる固定砥粒としては、下記のものがある。酸化セリウム（ＣｅＯ₂）、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＭｎＯ₂、Ｍｎ₂Ｏ₃等が用いられる。絶縁膜を研磨する場合には、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）、Ａｌ₂Ｏ₃が金属膜を研磨する場合には、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等が好適である。これらの砥粒として微細な砥粒を使用すればスクラッチの無い研磨を実現できることが分かっており、微細な砥粒を少しの力で分散可能な造粒粉に加工し、固定砥粒に用い、スクラッチの無い研磨を実現することができる。砥粒は、平均粒径１．０μｍ以下、最大粒径３μｍ以下である。これらの砥粒を硬質又は軟質バインダを用いて固定する。

また、２次研磨に用いる不織布研磨材としては、例えばスコッチブライト（登録商標）に代表されるように、合成繊維の１本１本に研磨砥粒を接着剤でつなぎ止めたものからできていて、不織布研磨材はその繊維構造によって、研磨のために加えられた力が繊維のスプリング効果（弾力性）によって分散される為、削りすぎや深いスクラッチが入ることがない。

また、１次、２次、３次研磨に用いるＣｕＣＭＰの１次スラリー及び２次スラリーとしては、例えば、２−キノリンカルボン酸、酸化剤、ポリシロキサン被膜などの界面活性剤で表面が覆われた硬質無機化合物粒子（材質：アルミナや酸化セリウムもしくは、Ａｌ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｃ，Ｆｅのうちの少なくとも１種類の元素を主成分とする酸化物、炭化物、又は窒化物、あるいはこれら各化合物の混合物または混晶物）からなる研磨砥粒および水とを含有する。前記酸化剤としては、例えば過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂ ）、次亜塩素酸ソーダ（ＮａＣｌＯ）等を用いることができる。前記研磨砥粒の含有量は、０．１〜５０重量％にすることが好ましい。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。例えば、本実施形態例で、基板を保持して移動させる搬送機構として真空チャック１４を備えたベルトコンベア１３を使用する例を示したが、搬送機構はこれに限定されるものではなく、基板をその被研磨面を上向きにして保持し、研磨ヘッドの回転や揺動に対して基板を安定して保持し、移動できるものであればどのような搬送機構でもよい。

本発明に係る基板研磨装置の概略構成を示す平面図である。本発明に係る基板研磨装置の概略構成を示す概略側面図である。本発明に係る基板研磨装置のリテーナ取付部分を示す図である。本発明に係る基板研磨装置のリテーナ取付部分を示す図である。本発明に係る基板研磨装置の洗浄部を示す図である。本発明に係る基板研磨装置の研磨ヘッドとモニターの関係を示す図である。本発明に係る基板研磨における各段の研磨条件を示す図である。

符号の説明

１１基板
１２回転支持ローラ
１３ベルトコンベア
１４真空チャック
１５研磨ヘッド
１６回転軸
１７研磨パッド
１８貫通穴
１９研磨液
２０洗浄液
２１洗浄ノズル
２２乾燥用空気
２３乾燥用エアノズル
２４ロード部
２５アンロード部
２６リテーナ
２８高さ又は加圧力調整機構
２９ロールブラシ
３０固定具
３１モニター
３２モニター

Claims

基板を保持し移動させる搬送機構と、研磨面を具備し該研磨面が回転軸を中心に平面上を回転し且つ前記基板の移動方向と交差する方向に揺動する研磨ヘッドを具備し、
前記搬送機構に被研磨面を上向きにして保持され移動する基板の該被研磨面に前記回転し揺動する研磨ヘッドの研磨面を当接し、該基板と該研磨面の相対的運動により該基板を研磨することを特徴とする基板研磨装置。
請求項１に記載の基板研磨装置において、
前記研磨ヘッドはその揺動範囲、研磨面が前記基板の被研磨面を押圧する荷重、回転数、揺動速度を任意に設定制御できる設定制御手段を具備することを特徴とする基板研磨装置。
請求項１又は２に記載の基板研磨装置において、
前記研磨ヘッドの回転軸に軸方向に貫通穴が設けられており、該貫通穴を通して前記基板の被研磨面に研磨液を供給するようになっていることを特徴とする基板研磨装置。
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板研磨装置において、
前記研磨ヘッドは前記搬送機構の基板移動方向に沿って複数配置されていることを特徴とする基板研磨装置。
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板研磨装置において、
前記搬送機構は基板を保持する保持手段を具備し、該保持手段で保持された該基板の外周に該基板縁部の過研磨を防止する固定式若しくは前記研磨ヘッドの押圧力によって高さ調整又は加圧力調整が可能なリテーナを設けたことを特徴とする基板研磨装置。
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板研磨装置において、
研磨終了後の前記基板を洗浄する基板洗浄手段を設けたことを特徴とする基板研磨装置。
請求項６に記載の基板研磨装置において、
洗浄後の前記基板を乾燥する基板乾燥手段を設けたことを特徴とする基板研磨装置。
搬送機構に被研磨面を上向きにして保持され移動する基板の被研磨面に、平面上を回転し且つ該基板の移動方向と交差する方向に揺動する研磨ヘッドの研磨面を前記基板の被研磨面に当接させ、該基板と該研磨面の相対的運動により該基板を研磨することを特徴とする基板研磨方法。
請求項８に記載の基板研磨方法において、
前記研磨ヘッドの揺動範囲、研磨面が前記基板の被研磨面を押圧する荷重、回転数、揺動速度を任意に設定して研磨することを特徴とする基板研磨方法。
請求項８又は９に記載の基板研磨方法において、
前記研磨ヘッドの回転軸に設けた貫通穴を通して前記基板の被研磨面に研磨液を供給することを特徴とする基板研磨方法。
請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の基板研磨方法において、
前記基板の研磨は前記搬送機構の基板移動方向に沿って配置された複数の研磨ヘッドにより複数段の研磨工程を経て行われることを特徴とする基板研磨方法。