JP2018509766A - 光電子素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
光電子素子（１０）は、第１の表面（１４）及び第２の表面（１６）を有する第１の基板（１２）と、第２の表面（１６）上に位置する下層（１８）と、下層（１８）上の第１の導電層（２０）と、第１の導電層（２０）上の上層（２２）と、第１の導電層（２０）上の半導体層（２４）と、半導体層（２４）上の第２の導電層（２６）と、を含む。第１の導電層（２０）は、導電性酸化物と、タングステン、モリブデン、ニオブ及びフッ素からなる群から選択された少なくとも１つのドーパントとを含み、及び／又は、上層（２２）は、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム及びマグネシウムからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含むバッファ層（４２）を含む。【選択図】図１
Description
（政府支援の通知）
本発明は、エネルギー省によって授与された契約第ＤＥ−ＥＥ０００４７３６号の下で政府の支援によりなされたものである。米国政府は、本発明に特定の権利を有し得る。
本発明は、エネルギー省によって授与された契約第ＤＥ−ＥＥ０００４７３６号の下で政府の支援によりなされたものである。米国政府は、本発明に特定の権利を有し得る。
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１５年３月１２日に出願された米国特許仮出願第６２／１３１,９３８号に対する優先権を主張する。本出願はまた、全て２０１５年１２月９日に出願された、米国特許出願第１４／９６３，７３６号、第１４／９６３，７７８号、第１４／９６３，７９９号、及び第１４／９６３，８３２号に対する優先権も主張する。上記出願の全ては、その全体について本明細書に参照により組み込まれる。
本出願は、２０１５年３月１２日に出願された米国特許仮出願第６２／１３１,９３８号に対する優先権を主張する。本出願はまた、全て２０１５年１２月９日に出願された、米国特許出願第１４／９６３，７３６号、第１４／９６３，７７８号、第１４／９６３，７９９号、及び第１４／９６３，８３２号に対する優先権も主張する。上記出願の全ては、その全体について本明細書に参照により組み込まれる。
本発明は一般に光電子素子、例えば太陽電池、発光ダイオード、有機発光ダイオード、及びその製造方法に関する。
光電子素子は、電気／光又は光／電気変換器である。光電子素子の例には、太陽電池（即ち、光電池）、発光ダイオード、及び有機発光ダイオードが含まれる。
太陽電池又は光（ＰＶ：photovoltaic）電池は、太陽光を電気に直接変換する光電子素子である。太陽電池を照らしている光が、電流及び電圧を発生して電力を作り出す。太陽電池中で、太陽光の光子が、半導体材料によって吸収される。電子は、原子から弾き出され自由になり、電位差が生じる。電流が、電位差を相殺するように半導体材料を通って、そして導電層へと流れる。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、有機半導体材料の有機薄膜、例えば、電界発光放射層を有する活性スタックを組み込んだ多層構造を有する光電子素子である。活性スタックは、２つの導電性電極（アノード及びカソード）の間に位置する。電流をアノードとカソードとの間に通すと、放射層は電流の印加に反応して、光、通常は可視光を発する。
光散乱又は「ヘイズ」は、光電子素子の活性領域中に光を閉じ込めるために用いられる。より多くの光を素子に閉じ込めるほど、得られる効率はより高い。しかしながら、ヘイズは、導電層を通過する光の透過率に悪影響を与えるほど大きくすることができない。
また、最大量の電磁放射が、半導体層へ又は半導体層から通過できるよう、導電層は非常に透明であることが望ましい。導電層は、電子の移動を容易にするため導電性が高くなければならない。
向上された導電性及び／又は光透過性及び／又は光散乱性を有する導電層を有する光電子素子を提供することは望ましい。これらの要因の１つ以上に影響を及ぼす（例えば、増加させる又は減少させる）ように、導電層を変更する方法を提供することは望ましい。光電子素子に有用な導電層を提供することは望ましい。基板の製造に有用な成膜装置及び／又は光電子素子に有用な成膜基板を提供することは望ましい。光電子素子において有用な成膜基板を提供するために、一方又は両方の主表面上でガラス基板に成膜する方法を提供することは望ましい。上記結果のうちの１つ以上達成するために、物品及び／又は方法を提供することは望ましい。
光電子素子は、第１の表面と第２の表面を有する第１の基板を備える。光電子被膜は、基板の少なくとも一方の表面に位置する。光電子被膜は、例えば第２の表面の上に位置する、下層を含む。第１の導電層が、下層の上に位置する。上層が、第１の導電層の上に位置する。半導体層が、導電性酸化物層の上に位置する。第２の導電層が、半導体層の上に位置する。第１の導電層は、導電性酸化物及びタングステン、モリブデン、ニオブ、及び／又はフッ素からなる群から選択された少なくとも１つのドーパントを含むことができる。例えば、第１の導電層は、タングステンをドープされた酸化スズを含むことができる。例えば、上層は、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム及びマグネシウムからなる群から選択された少なくとも一つの材料とを含んだバッファ層を含むことができる。
光電子素子のための透明な導電性酸化物層は、タングステンをドープされた金属酸化物を含む。例えば、タングステンをドープされた酸化スズである。
蒸着装置は、注入口プレナム及び排出口プレナムを備えたプレナム組立品と、放出面を備えたノズルブロックを備える。放出チャネルは、注入口プレナムと流体連通している。排出口導管は、排出口プレナムと流体連通している。放出チャネルは、成膜ブロックの放出面に対して角度を付けられている。
ガラス製造システムにおいてガラス基板上に被膜を形成する方法は、第１の成膜前駆体材料を、第１の注入口プレナムが第１の放出チャネルと流体連通し、第１の放出チャネルが第１の放出経路を定めている、放出面を有する蒸着装置の第１の注入口プレナムに提供することと、第２の成膜前駆体材料を、第２の注入口プレナムが第２の放出チャネルと流体連通し、第２の放出チャネルが第２の放出経路を定めている、蒸着装置の第２の注入口プレナムに提供することと、を備える。第１の放出経路は、（ａ）ガラスリボンの表面より上方、又は（ｂ）ガラスリボンの表面、又は（ｃ）ガラスリボンの表面より下方、から選択される位置で第２の放出経路と交わる。
ドローダウン組立品は、ガラスリボン経路の第１の側面及び／又は第２の側面に隣接して位置付けられる、蒸着装置などの少なくとも１つの成膜装置を備える。ドローダウン組立品は、ガラスリボン経路の第１の側面又は第２の側面に隣接して位置付けられる、溶射装置などの少なくとも１つのナノ粒子堆積装置を含むことができる。
ドローダウン法で成膜ガラス物品を形成する方法は、少なくとも１つの第２の成膜装置をガラスリボン経路の第２の側面に隣接して位置付けることと、任意選択で、少なくとも１つの第１の成膜装置をガラスリボン経路の第１の側面に隣接して位置付けることと、ガラスリボンの第２の側面の上に第２の被膜を適用するために第２の成膜装置を用いることと、任意選択で、ガラスリボンの第１の側面の上に第１の被膜を適用するために任意選択の第１の成膜装置を用いることと、を備える。
ドローダウン法によって形成される両面を成膜した物品は、第１の表面と、対向する第２の表面とを有するガラス基板を備える。第１の被膜は、第１の表面に隣接した第１の化学気相成長装置によって、第１の表面上に形成される。第２の被膜は、第２の表面に隣接した第２の化学気相成長装置によって、第２の表面上に形成される。内部光抽出領域は、少なくとも１つの粒子堆積装置によって、ガラス基板の第２の表面上に及び／又はこれに隣接して形成される。
本発明の完全な理解は、全体を通じて同様の参照番号が同様の部分を特定している添付の図面に関連して、以下の説明から得られる。
本明細書で用いられるように、「左」、「右」、「内」、「外」、「上方」、「下方」などの空間又は方向の用語は、図面に示されるような本発明と関連している。しかしながら、本発明はさまざまな代替的方向を仮定することができ、したがって、このような用語は制限的なものとみなすべきではない。
本明細書及び本特許請求の範囲で使用されるすべての数字は、「約」という用語によって全ての場合において変更されるものとして理解されるべきである。「約」とは、述べられた値のプラス又はマイナス１０パーセントの範囲を意味する。本明細書で開示されたすべての範囲は、始めと終わりの範囲値を包含し、そしてあらゆる部分範囲がその中に包括される。本明細書に開示された範囲は、具体的に挙げられた範囲の平均値を表す。
本明細書で記述される被膜層又は薄膜に関して、「上」の用語は、議論されている被膜層又は薄膜が載っている基板（又は基層）からより遠くを意味する。例えば、第１の層の「上」に位置している第２の層は、第２の層が第１の層よりも基板（又は基層）からより遠くに位置していることを意味する。第２の層は、第１の層と直接接触していてもよい。あるいは、１つ以上のその他の層が、第１の層と第２の層との間に位置していてもよい。
「薄膜」の用語は、化学的に異なった及び／又は均質な組成を有する領域を意味する。「層」は、１つ以上の「薄膜」を備える。「被膜」は、１つ以上の「層」を備える。
「ポリマー」又は「重合体」の用語は、オリゴマー、ホモポリマー、コポリマー及びターポリマーを含み、例えば、２種類以上のモノマー又はポリマーから形成されたポリマーを含む。
「紫外放射」の用語は、１００ｎｍ〜３８０ｎｍ未満の範囲内の波長を有する電磁放射線を意味する。「可視放射線」又は「可視光」の用語は、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射線を意味する。「赤外放射線」の用語は、７８０ｎｍ超〜１００，０００ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射線を意味する。「太陽光の赤外放射線」の用語は、１，０００ｎｍ〜３，０００ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射線を意味する。「熱赤外放射線」の用語は、３，０００ｎｍ超〜２０，０００ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射線を意味する。
本明細書で参照するすべての文書は、その完全が「参考として組み込まれる」。
「光学厚さ」の用語は、５５０ｎｍの基準波長での材料の屈折率によって乗算される材料の物理厚さを意味する。例えば、５ｎｍの物理厚さと、５５０ｎｍの基準波長で屈折率２を有する材料は、１０ｎｍの光学厚さを有する。
「鍛えられた」又は「熱処理された」などの用語は、物品の熱的強化（thermal tempering）、加熱曲げ加工（heat bending）、及び／又は加熱強化（heat strengthening）を成すために十分な温度まで、議論されている物品を加熱することを意味する。この定義は、例えば、熱的強化、加熱曲げ、及び／又は加熱強化を成すために、少なくとも６００℃、少なくとも６２０℃など、少なくとも５８０℃の温度でオーブン又は炉内で、一定期間、例えば、１〜５分など、１〜１５分の範囲で一定期間、物品を加熱することを含む。
シリコンは従前、金属とみなさない場合があるとしても、伝統的に認知されている金属及び金属酸化物と同様に、「金属」及び「金属酸化物」の用語は、それぞれ、シリコン及びシリカを含む。
「少なくとも」は、「以上」を意味する。「せいぜい」は、「以下」を意味する。
光学的値（例えば、可視光透過率）は、特にそうではないと明記しない限り、パーキンエルマー社（Perkin Elmer, Inc.）製１０５０分光光度計を使用して決定される。シート抵抗値は、特にそうではないと明記しない限り、４探針（例えば、ナジーインスツルメンツ社（Nagy Instruments, GmbH）製ＳＤ−６００測定装置）を使用して決定されるものである。表面粗さの値は、特にそうではないと明記しない限り、ビーコインスツルメンツ社（Veeco Instruments Inc.）製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ３１００原子間力顕微鏡を使用して決定されるものである。
量に対する全ての言及は、特にそうではないと明記しない限り、「重量％」である。
膜厚値は、特にそうではないと明記しない限り、物理厚さの値である。
「ドーパント」は、５重量％未満、４重量％未満、２重量％未満などの、１０重量％未満の量で存在することができる。例えば、１重量％未満である。例えば、０．５重量％未満である。例えば、０．１重量％未満である。
「含む」の用語は、「備える」と同義であることを考慮されなければならない。
「硬化可能」の用語は、重合又は架橋可能な組成を意味する。「硬化した」とは、材料が少なくとも部分的に重合又は架橋されるか、好ましくは完全に重合又は架橋されることを意味する。「上流」及び「下流」の用語は、ガラスリボンの移動方向に関する。
本発明の説明では、特定の特徴、特定の限界の範囲内で「特に」又は「好ましくは」のように（例えば、特定の限界の範囲内で、「好ましくは」、「より好ましくは」、又は「更に好ましくは」）記載する場合がある。本発明は、これらの特定の又は好適な限界に制限されないが、本開示の全ての範囲を包含することを理解すべきである。
本発明は、本発明の以下の態様を、任意の組み合わせで、備え、から成り、又は、から本質的に成る。本発明のさまざまな態様は、別々の図面にて図示される。しかしながら、これは、単に図解及び説明の容易さのためであることを理解すべきである。本発明の実施に際して、ある図面に示される本発明の１つ以上の態様は、１つ以上のその他の図面に示される本発明の１つ以上の態様と組み合わせることができる。
本発明は、太陽電池に関して記載される。しかしながら、本発明が他の光電子素子、例えば、有機発光ダイオード、発光ダイオード、表示装置及び／又は電子スイッチによって実施し得ることを理解すべきである。
本発明の特徴を組み込んでいる典型的な光電子素子１０を、太陽電池の形態で、図１に示す。光電子素子１０は、第１の（例えば、外側の）主表面１４及び第２の（例えば、内側の）主表面１６を有する第１の（例えば、外側の）基板１２を含む。「外側の」とは、入射光、例えば、太陽光に向かう表面を意味する。光電子被膜１７は、基板１２の表面上、例えば、第２の主表面１６上に位置する。光電子被膜１７は、第２の表面１６上に位置する下層１８を含む。第１の導電層２０は、下層１８上に位置する。上層２２は、第１の導電層２０上に位置する。半導体層２４は、上層２２上に位置する。第２の導電層２６は、半導体層２４上に位置する。任意の第２の（例えば、内側の）基板２８は、第２の導電層２６上に位置することができる。例えば、任意の第２の基板２８は、任意のポリマー中間層３０によって第２の導電層２６に接続されることができる。任意の機能層３２は、基板１２の第１の表面１４上に位置することができる。任意の内部光抽出層又は領域３４は、基板１２の表面の上に及び／又は隣接して位置することができる。
第１の基板１２は、高い可視光透過率を有するのが好ましい。「高い可視光透過率」とは、５５０ナノメートル（ｎｍ）の基準波長及び２ミリメートル（ｍｍ）の基準厚さで、少なくとも８７％のような、少なくとも８５％の可視光透過率を意味する。例えば、少なくとも９０％である。例えば、少なくとも９１％である。例えば、少なくとも９２％である。例えば、少なくとも９３％である。
第１の基板１２は、低濃度鉄含有ガラスであることができる。「低濃度の鉄」とは、３５０百万分率（ｐｐｍ）未満のような、４００ｐｐｍ未満の総鉄含有量を有することを意味する。例えば、総鉄含有量は、３００ｐｐｍ未満であってよい。例えば、総鉄含有量は、２００ｐｐｍ未満であってよい。
第１の基板１２に好適な材料の実施例としては、ソーダライムシリケートガラス、例えばフロートガラスが含まれる。
本発明に使用可能なガラスの実例は、Starphire（登録商標）、Solarphire（登録商標）、Solarphire（登録商標） PV、及びCLEAR（商標）ガラスといった、ペンシルバニア州ピッツバーグのＰＰＧインダストリーズ社（PPG Industries, Inc.）から市販されているすべてを含む。
第１の基板１２は、任意の所望の厚さであることができる。例えば、第１の基板１２は、１ｍｍ〜１０ｍｍ、１ｍｍ〜４ｍｍなどの、０．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲の物理厚さを有することができる。例えば、第１の基板１２は、２ｍｍ〜３．２ｍｍの範囲の物理厚さを有することができる。
下層１８は、単一層、均質層、勾配層であるか、又は複数の層を含むことができる。「均質層」とは、材料が被膜の全体にわたってランダムに分布した層を意味する。「勾配層」とは、基板１２からの距離が変わるにつれて、成分の濃度比率が変化する（例えば、連続的変化又は段階的変化）、２つ以上の成分を有する層を意味する。
下層１８は、任意選択の底部光学層３６であるか又はそれを含むことができる。底部光学層３６は、１つ以上の金属酸化物層を含むことができる。好適な酸化物材料の実例には、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、リン、ハフニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、及び／若しくは合金の酸化物並びに／又はこれらの混合物が含まれる。例えば、底部光学層３６は、亜鉛、シリコン、スズ、アルミニウム及び／又はチタンの酸化物を含むことができる。例えば、底部光学層３６は、亜鉛及び／又はスズの酸化物を含むことができる。
酸化亜鉛膜をスパッタするための亜鉛ターゲットは、亜鉛ターゲットのスパッタリング特性を向上させるために、１つ以上の他の材料を含み得る。例えば、亜鉛ターゲットは，５重量％以下などの、１０重量％以下のそのような材料を含むことができる。得られた酸化亜鉛層は、添加した材料の酸化物を、例えば、１０重量％以下の酸化物材料、例えば、５重量％以下の酸化物材料といった、小さな割合で含むことになる。添加した材料（又は添加した材料の酸化物）が少量存在し得るとしても、亜鉛ターゲットのスパッタリング特性を高めるために、１０重量％以下の添加材料を有する亜鉛ターゲットから堆積された層は、本明細書において「酸化亜鉛層」と呼ばれる。このような材料の一例が、スズである。
底部光学層３６は、スズ酸亜鉛層であるが、又はこれを含むことができる。「スズ酸亜鉛」とは、「ｘ」が０より大きく１未満の範囲で変化するときに、ＺｎｘＳｎ１−ｘＯ２−ｘ（式１）の式の組成物を意味する。例えば、「ｘ」は、０よりも大きいことができ、そして０より大きく１未満の間のいかなる分数又は小数であり得る。スズ酸亜鉛層は、式１の１つ以上の形態を、支配的な量で有する。ｘ＝２／３であるスズ酸亜鉛層は、通常、「Ｚｎ２ＳｎＯ４」と称される。
下層１８は、任意選択のナトリウムイオンバリヤー層３８であるか又はこれを含むことができる。ナトリウムイオンバリヤー層３８に好適な材料の例としては、金属酸化物及び金属合金酸化物材料が含まれる。例えば、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、リン、ハフニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、及び合金の酸化物並びにこれらの混合物である。例えば、ナトリウムイオンバリヤー層３８は、酸化シリコンを含むことができる。例えば、ナトリウムイオンバリヤー層３８は、少なくともシリカ及びチタニアの混合物を含むことができる。例えば、ナトリウムイオンバリヤー層３８は、シリカ、チタニア、及びリン酸化物の混合物を含むことができる。
図１において、ナトリウムイオンバリヤー層３８は、底部光学層３６上に図示される。しかしながら、あるいは、ナトリウムイオンバリヤー層３８は、第１の基板１２と底部光学層３６との間に配置されることがあり得る。
下層１８は、任意選択の底部光学層３６と任意選択のナトリウムイオンバリヤー層３８の両方を備えることができる。あるいは、底部光学層３６又はナトリウムイオンバリヤー層３８の１つのみ、存在し得る。
下層１８は、２０ｎｍ〜４００ｎｍなどの、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の物理厚さを有することができる。例えば、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の物理厚さである。
下層１８は、４０ｎｍ〜８００ｎｍなどの、２０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の光学厚さを有することができる。例えば、４０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲の光学厚さである。
第１の導電層２０は、単層であるか若しくは複数の層又は領域を有することができる。第１の導電層２０は、少なくとも１つの導電性酸化物層を含むことができる。例えば、第１の導電層２０は、ドーピングした酸化物層を備えることができる。例えば、第１の導電層２０は、１つ以上の金属酸化物材料を含むことができる。例えば、第１の導電性層２０は、スズ酸亜鉛などの、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｉｎの１つ以上の酸化物の１つ以上、又はこれらの材料の内の２つ以上の合金を含むことができる。例えば、第１の導電層２０は、酸化スズを含むことができる。
第１の導電層２０は、Ｆ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｇａ、Ｍｇ、及び／又はＳｂなどであるがこれらに限定されない、１つ以上のドーパント材料を含むことができる。例えば、ドーパントは、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、及び／又はＦであることができる。例えば、ドーパントは、Ｗ又はＦであることができる。例えば、ドーパントは、Ｗであることができる。
例えば、第１の導電層２０は、Ｗ及び酸化物材料を含むことができる。例えば、第１の導電層は、タングステンをドープされた酸化スズを含むことができる。
「ドーパント」は、５重量％未満、４重量％未満、２重量％未満などの、１０重量％未満の量で存在することができる。例えば、１重量％未満である。例えば、０．５重量％未満である。例えば、０．１重量％未満である。
第１の導電層２０は、第１の層又は領域、及び第１の層上に位置する第２の層又は領域を備える多層膜であることができる。例えば、第１の層又は領域は、タングステンドープ酸化スズであることができる。例えば、第２の層又は領域は、フッ素ドープ酸化スズであることができる。
第１の導電層２０は、２００ｎｍ〜６００ｎｍ、２００ｎｍ〜５００ｎｍなどの、１５０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲の物理厚さを有することができる。例えば、第１の導電層２０は、２００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲の物理厚さを有することができる。
第１の導電層２０は、４００ｎｍ〜１２００ｎｍ、４００ｎｍ〜１０００ｎｍなどの、３００ｎｍ〜１４００ｎｍの範囲の光学厚さを有することができる。例えば、第１の導電層２０は、４００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲の光学厚さを有することができる。
第１の導電層２０は、１０Ω／ｓｑ．〜２０Ω／ｓｑ．などの、８オーム／スクエア（Ω／ｓｑ．）〜２５Ω／ｓｑ．の範囲のシート抵抗を有することができる。例えば、１０Ω／ｓｑ．〜１７Ω／ｓｑ．などである。
第１の導電層２０は、５ｎｍ〜４０ｎｍ、５ｎｍ〜３０ｎｍ、１０ｎｍ〜３０ｎｍ、１０ｎｍ〜２０ｎｍなどの、５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲の表面粗さ（二乗平均）を有することができる。例えば、１０ｎｍ〜１５ｎｍなどである。例えば、１１ｎｍ〜１５ｎｍなどである。
上層２２は、均質層、勾配層であり、及び／若しくは複数の層又は薄膜を含むことができる。
上層２２は、任意選択のバッファ層４２であるか又はこれを含むことができる。バッファ層４２は、半導体層２４への電磁エネルギー量を向上させることができる。
バッファ層４２は、１つ以上の酸化物材料を含むことができる。バッファ層４２に好適な材料の実例としては、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、リン、ハフニウム、マグネシウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、ガリウム、鉛、インジウム、及び／若しくはスズの酸化物、並びに／若しくは合金類並びに／又はこれらの混合物が含まれる。例えば、バッファ層４２は、亜鉛、インジウム、ガリウム、及び／又はスズの酸化物を含むことができる。例えば、バッファ層４２は、酸化スズを含むことができる。
バッファ層４２は、酸化物材料をドープ又は合金化された、１つ以上の他の材料を含むことができる。他の材料の実例としては、亜鉛、マグネシウム、及び／又はスズが含まれる。
例えば、バッファ層４２は、スズ酸亜鉛を含むことができる。例えば、バッファ層４２は、亜鉛及び／又はマグネシウムをドープされた酸化スズを含むことができる。例えば、バッファ層４２は、亜鉛をドープされた酸化スズを含むことができる。
上層２２は、任意選択の絶縁層４４であるか又はこれを含むことができる。絶縁層４４に好適な材料は、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムが含まれる。絶縁層４４は、テルル化カドミウム太陽電池に特に有用である。
上層２２は、任意選択のバッファ層４２と任意選択の絶縁層４４の両方を備えることができる。あるいは、任意選択のバッファ層４２及び任意選択の絶縁層４４の１つのみが、存在し得る。
上層２２は、２０ｎｍ〜４００ｎｍ、２０ｎｍ〜３００ｎｍなどの、２０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の物理厚さを有することができる。例えば、上層２２は、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の物理厚さを有することができる。
半導体層２４は、いかなる従来の光電子素子半導体材料も含むことができる。太陽電池用では、半導体材料の実例としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、テルル化カドミウム、及び／又はセレン化／硫化銅インジウムが含まれる。ＯＬＥＤ用では、材料の実例としては、低分子、例えば、有機金属キレート（例えば、Ａｌｑ３）、蛍光及びリン光性色素、複合型デンドリマー、エレクトロルミネセンス高分子材料、並びにリン光材料が含まれる。
半導体層２４は、２００ｎｍ〜８００ｎｍ、３００ｎｍ〜５００ｎｍなどの、２００ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲の物理厚さを有することができる。例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の物理厚さである。例えば、３５０ｎｍの物理厚さである。
第２の導電層２６は望ましくは金属層である。第２の導電層２６に好適な材料の実例としては、銀、バリウム、カルシウム及びマグネシウムが含まれる。第２の導電層２６は、比較的厚い層であることができる。例えば、第２の導電層２６は、５５０ｎｍの波長を有する光に不透明であることができる。「不透明」とは、５５０ｎｍの波長で、５％未満、３％未満などの、１０％未満透過率を有することを意味する。例えば、１％未満などである。例えば、０％である。
任意選択の第２の基板２８は、第１の基板１２について上で記述したいかなる材料であることもできる。第１の基板１２及び第２の基板２８は、同一の又は異なる材料及び同一の又は異なる厚さであることができる。例えば、第２基板２８は、フロートガラスを備えることができる。
任意選択の中間層３０は、エラストマー系ポリマーであることができる。実例としては、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、及びポリビニルブチラール（ＰＶＢ）が含まれる。
任意選択の機能層３２は、均質層、勾配層であり、及び／若しくは複数の層又は薄膜を含むことができる。
任意選択の機能層３２は、任意選択の反射防止層３３であるか又はこれを含むことができる。例えば、反射防止層３３は、単層であるか、若しくは反射防止材料及び／又は誘電材料の複数の薄膜を備えることができる。実例としては、金属酸化物、合金の酸化物、窒化物、酸窒化物、又はこれらの混合物が含まれる。反射防止層３３に好適な金属酸化物の実例としては、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズの酸化物、及び／又はこれらの混合物が含まれる。これらの金属酸化物は、例えば、酸化ビスマス中のマンガン、酸化インジウム中のスズなど、少量の他の材料を有することができる。加えて、亜鉛及びスズを含んでいる酸化物（例えば、スズ酸亜鉛）、スズインジウム合金の酸化物、窒化シリコン、窒化アルミニウムシリコン、又は窒化アルミニウムなどの、合金又は金属混合物の酸化物を使用することができる。更に、例えば、アンチモン若しくはインジウムをドープされた酸化スズ又はニッケル若しくはホウ素をドープされた酸化シリコンなどの、ドープされた金属酸化物を使用することができる。
反射防止層３３は、１０ｎｍ〜５００ｎｍ、２０ｎｍ〜４００ｎｍ、２５ｎｍ〜３００ｎｍ、２５ｎｍ〜２００ｎｍ、２５ｎｍ〜１００ｎｍなどの、５ｎｍ〜６００ｎｍの範囲の物理厚さを有することができる。例えば、２５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲の物理厚さである。例えば、３０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲の物理厚さである。
反射防止層３３は、２０ｎｍ〜１０００ｎｍ、４０ｎｍ〜８００ｎｍ、５０ｎｍ〜６００ｎｍ、５０ｎｍ〜４００ｎｍ、５０ｎｍ〜２００ｎｍなどの、１０ｎｍ〜１２００ｎｍの範囲の光学厚さを有することができる。例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の光学厚さである。例えば、６０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲の光学厚さである。
任意選択の機能層３２は、任意選択の外部抽出層３５であるか又はこれを含むことができる。荒くした外面を有する、金属酸化物被膜などの被膜によって、外部抽出層３５を形成することができる。外部抽出層３５に有用な酸化物の実例としては、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及び／又はこれらの混合物が含まれる。
外部抽出層３５は、５ｎｍ〜５００ｎｍ、５０ｎｍ〜５００ｎｍなどの、５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の平均表面粗さ（Ｒａ）を有することができる。例えば、５０ｎｍ〜２００ｎｍなどである。例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍなどである。
外部抽出層３５は、１００ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲の二乗平均粗さ（Ｒｑ）を有することができる。例えば、１５０ｎｍ〜２００ｎｍなどである。
外部抽出層３５は、５０ｎｍ〜５００ｎｍなどの、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の物理厚さを有することができる。例えば、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の物理厚さである。外部抽出層３５は、単層又は任意選択により多層被膜であることができる。
外部抽出層３５は、１００ｎｍ〜１０００ｎｍなどの、２０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の光学厚さを有することができる。例えば、２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の光学厚さである。
任意選択の機能層３２は、反射防止層３３及び外部抽出層３５の両方を備えることができる。あるいは、任意選択の機能層３２は、反射防止層３３及び外部抽出層３５の１つのみを備えることができる。あるいは、機能層３２は、存在しなくてもよい。
以上に記述した１つ以上の層は、いかなる従来の成膜法によっても形成されることができる。実例としては、噴霧熱分解（spray pyrolysis）、化学気相成長（ＣＶＤ）のような蒸着（vapor deposition）、充填層蒸発（packed-bed vaporization）、平台型蒸発（flat-bed vaporization）、及び流下膜式蒸発（falling film vaporization）、及び／又はマグネトロンスパッタリング真空蒸着（magnetron sputtered vacuum deposition、ＭＳＶＤ）が含まれる。層は全て同じ方法によって形成されるか、又は異なる層を異なる方法によって形成することができる。例えば、１つ以上のその他の層が、例えば、ＭＳＶＤ又は噴霧熱分解により形成される一方で、１つ以上の層をＣＶＤ法により形成することができる。
例えば、１つ以上の層又は領域をフロートガラス法で形成することができる。他の実例において、１つ以上の層又は領域をドローダウン法で形成することができる。
フロートガラス法において、ガラスバッチ材料が炉内で溶融され、フロート浴中の溶融金属プールの上面上に流される。ガラス溶解物は溶融金属の表面全体に広がって、ガラスリボンを形成する。ガラスリボンはフロート浴から搬出され、制御された冷却のための徐冷窯に運ばれることができる。化学気相成長（ＣＶＤ）装置又は粒子堆積装置、溶射装置などの１つ以上の成膜装置が、フロート浴に位置することができる。
揮発性の前駆体を適用するに特に適している蒸着装置４６を図２に示す。成膜装置４６は、プレナム組立品４８及びノズルブロック５０を含む。ノズルブロック５０は、例えばガラスリボン９６である、成膜される基板の方へ向けられた放出面５１を有する。図示された典型的なプレナム組立品４８は、第１の注入口プレナム５２、第２の注入口プレナム５４及び第３の注入口プレナム５６を有する。プレナム組立品４８は、第１の排出口プレナム５８及び第２の排出口プレナム６０を有する。典型的なノズルブロック５０は、ボルトなどによって、プレナム組立品４８に接続されている。
第１の注入口プレナム５２は、第１の放出口（スロット）６４を有する第１の放出チャネル６２と流体連通している。第２の注入口プレナム５４は、第２の放出口（スロット）６８を有する第２の放出チャネル６６と流体連通している。第３の注入口プレナム５６は、第３の放出口（スロット）７２を有する第３の放出チャネル７０と流体連通している。注入口混合チャンバ７４が、放出チャネルに位置することができる。
第１の排気導管７６は、放出面５１から第１の排出口プレナム５８に及ぶ。第２の排気導管７８は、放出面５１から第２の排出口プレナム６０に及ぶ。排出口チャンバ８０が、排気導管７６、７８に位置することができる。
図示された例では、第２の放出チャネル６６は、放出面５１に垂直である（すなわち、第２の放出チャネル６６の中心線軸は、放出面５１の平面に垂直である）。しかしながら、第１の放出チャネル６２及び第３の放出チャネル７０は、放出面５１に対して角度を付けられている。第１の放出チャネル６２及び第３の放出チャネル７０の中心線軸は、放出面５１の下の位置で交差する。この為、放出口６４、６８、７２からの前駆体蒸気は、ノズルブロック５０から放出する後まで混合されない。これは、前駆体の予混合が早すぎる反応を引き起こす、揮発性の前駆体に対して特に有用である。
２つ以上の放出チャネル６２、６６、７０の中心線軸が所望の場所（例えば、放出面５１からの間隔及び／又は下に横たわる基板に対する位置）で交差するように、放出面５１に対する１つ以上の放出チャネル６２、６６、７０の角度を変更することができる。例えば、異なる放出チャネルの角度を有する異なるノズルブロック５０を提供することができる。所望の放出チャネルの角度を有するノズルブロック５０を選択し、プレナム組立品４８上にボルト締めすることができる。あるいは、ノズルブロック５０を別々の区間により形成することができる。第１の排気導管７６はある区間に在ることができ、第２の排気導管７８は他の区間に在ることができ、そして放出チャネル６２、６６、７０は第３の区間に在ることができる。異なる区間は、プレナム組立品４８と個別に接続可能であることができる。この態様では、放出チャネル６２、６６、７０を伴うノズルブロック５０の区間だけが、所望の放出チャネルの角度を有する区間と置き換えられることを必要とする。あるいは、第１の放出チャネル６２、第２の放出チャネル６６、及び第３の放出チャネル７０は、ノズルブロック５０の別々の区間に位置し、プレナム組立品４８に、例えば摺動可能に接続するというように、移動可能に接続されることができる。例えば、図２を参照すると、第１の放出チャネル６２がある摺動可能な区間に位置し、第３の放出チャネル７０が別個の摺動可能な区間に位置する場合、第１の放出チャネルを含む摺動可能な区間及び／又は第３の放出チャネル７０を含む他の摺動可能な区間を、図２に関して左又は右に摺動させることは、放出チャネルの中心線の交点を変えることになる。例えば、図２において、第１の放出チャネル６２を含んでいる区間を左に摺動させ、第３の放出チャネル７０を含んでいる区間を右に摺動させることは、放出面５１に対する交点の距離を増すことになる。
基板、例えばガラスリボン９６の表面より上で、若しくは基板表面で、又は基板表面より下で中心線軸が交差するように、放出チャネル６２及び／又は７０の角度を変更することができる。算出された交点が基板表面より下にある場合、放出面５１に垂直な第２の放出チャネル６６からの蒸気は、ガラスリボン上に単分子層を形成し、第１の放出チャネル６２及び第３の放出チャネル７０からの材料が、それと反応する。図２において、放出チャネルの中心線軸は、ガラスリボン９６より上で交差する。
修正された成膜装置４７の修正されたノズルブロック５０の中央部分を図３に示す。この修正において、第１の放出口６４及び第３の放出口７２は、放出面５１より上で第２の放出チャネル６６と流体連通している。この為、第２の放出口６８から放出される前に、３つの放出チャネルからの蒸気が混合する。
複数の放出スロットを有する成膜装置４６、４７は、上記の層の１つ以上を施すことに対して特に有用である。
上述した層の１つ以上を、複数の前駆体材料の選択蒸着によって作製することができる。例えば、第１の導電層２０を２つ以上の異なる前駆体材料を使用して形成することができる。三塩化モノブチルスズ（monobutyltin trichloride、ＭＢＴＣ）によって作成される酸化スズ被膜は概して、四塩化スズ（tin tetrachloride、ＴＴＣ）などの他のスズ前駆体より少ないヘイズを有する被膜を提供する。しかしながら、ＴＴＣの堆積効率は、ＭＢＴＣより良好である。また、ＴＴＣは、ＭＢＴＣから作製される被膜より低いシート抵抗を伴う被膜をもたらす傾向がある。従って、第１の導電層２０を、最初にＭＢＴＣを使用して（ヘイズのため）形成し、続いて、第１の導電層２０の残部を形成するために、前駆体材料をＴＴＣへ切り替えることができる。全体的な効率は増し、得られた被膜は、ＭＢＴＣのヘイズの利点及びＴＴＣのシート抵抗の利点を有する。
他の実例では、ＭＢＴＣ及びジブチルスズジアセテート（dibutyltin diacetate、ＤＢＴＡ）を使用して、第１の導電層２０を形成することができる。ＭＢＴＣで形成されたスズ被膜は、通常はＤＢＴＡで形成されたスズ被膜より大きな表面粗さを有する。しかしながら、ＤＢＴＡは、より遅い堆積速度を有する。ＭＢＴＣをＤＢＴＡと混合した場合、得られた被膜は、ＭＢＴＣ単体でよりも滑らかであり、堆積速度はＤＢＴＡ単体ほど低くはない。
第１の導電層２０は、複数の層及び／又は領域を有するように形成されることができる。例えば、第１の導電層２０の第１の領域は、スズ前駆体及びタングステン前駆体を使用して、タングステンをドープされた酸化スズ被膜を提供するように形成することができる。例えば、スズの前駆体は、ＭＢＴＣ又はＴＴＣであることができる。タングステン前駆体は、四塩化タングステンであることができる。例えば、第１の導電層２０の第２の領域を、スズ前駆体及びフッ素前駆体を使用して、フッ素をドープされた酸化スズ領域を提供するように堆積することができる。
スズ前駆体及び亜鉛又はマグネシウムのための前駆体を使用して、バッファ層４２を作製することができる。例えば、スズ前駆体は、ＭＢＴＣ又はＴＴＣであることができる。亜鉛前駆体は、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ）、亜鉛アセチルアセテート（zincacetyl acetate）又はアルキル亜鉛アルコキシド（alkzinc alkoxide）であることができる。マグネシウム前駆体は、ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム（bis(cyclopentadienyl)magnesium）であることができる。例えば、ＭＢＴＣと混合した塩化マグネシウムを使用して、バッファ層４２を作製することができる。
本発明は、フロートガラス法に制限されない。１つ以上の層を、ガラスドローダウン製造法を使用して形成することができる。ドローダウン法においては、溶融ガラスは、受け皿内に位置する。溶融ガラスは、受け皿から流出して、重力の影響を受けて下方へ移動するガラスリボンを形成する。ドローダウン法の実例としては、スロットドローダウン法（slot drawdown process）及び融合ドローダウン法（fusion drawdown process）が含まれる。スロットドローダウン法においては、受け皿は、トラフの底部に開いた放出スロットを有する細長いトラフである。溶融ガラスは放出スロットを通って流れ出て、ガラスリボンを形成する。融合ドローダウン法においては、受け皿は、開口頂部を有するトラフである。溶融ガラスは、トラフの最上部から流出し、トラフの対向した外側を下り、トラフの下方でガラスリボンを形成する。図４は、融合ドローダウン組立品として構成したドローダウン組立品８１を示す。しかしながら、ドローダウン組立品８１は、スロットドローダウン組立品として例示することもできる。
図４に示す例示的融合ドローダウン法においては、溶融ガラス８２は、チャネル８４及び対向した側面８８、９０を有する成形トラフ（forming trough）８６の形状の受け皿８３に位置する。溶融ガラス８２は、チャネル８４を溢れ出て、側面８８、９０の外部表面に沿ってそれぞれ下方へ流れ、トラフ８６の下で互いに結合してガラスリボン９６を形成する２つのガラスのフィルム９２、９４を形成する。ガラスリボン９６は、重力のもとで下方へ移動する。融合ドローダウン法又はスロットドローダウン法などのガラスドローダウン法において、ガラスリボン９６がこれに沿って移動する垂直面によって、ドローダウン法のガラスリボン経路９８が定められる。ガラスリボン経路９８は、ガラスリボン９６の第１の表面１１４及び第２の表面１１６をそれぞれ定める、第１の側面１０６及び第２の側面１０８を有する。上述のように、スロットドローダウン法では、受け皿８３は、ガラスリボン９６が現出するスロットをトラフの底部に有する、細長いトラフの形状であり、ガラスリボン９６の垂直面を定める。
１つ以上の成膜装置が、ガラスリボン９６に隣接して（すなわち、ガラスリボン経路９８の片面又は両面１０６、１０８に）位置している。成膜装置は、例えば、ＣＶＤ成膜装置及び／又はスプレー式成膜装置及び／又は溶射式成膜装置及び／又は蒸発式成膜装置であることができる。図示された例では、少なくとも１つの成膜装置１００は、ガラスリボン９６の第２の表面１１６に隣接して（即ち、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８上に）位置している。任意選択で、少なくとも１つの他の成膜装置１０２が、ガラスリボン９６の第１の表面１１４に隣接して（即ち、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６上に）位置することができる。この為、光電子被膜１７及び／又は機能層３２の上述した層の１つ以上を、ガラスリボン９６の片面又は両面に形成することができる。例えば、成膜装置１００、１０２は、ＣＶＤ成膜装置などの、従来の蒸着成膜装置であることができる。例えば、１つ以上の成膜装置１００、１０２は、上に記載した、成膜装置４６又は成膜装置４７であることができる。
図１に示すとおり、基板１２は、任意選択の内部光抽出領域３４を含むことができる。基板１２の第２の表面１６上に組み込まれる、及び／又は第２の表面１６に隣接した基板１２の領域内に埋め込まれるか若しくは組み込まれるナノ粒子４０により、内部光抽出領域３４を形成することができる。好適なナノ粒子４０の実例としては、これに限定されるものではないが、酸化物ナノ粒子が含まれる。例えば、これらに限定されないが、アルミナ、チタニア、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化スズ、シリカ及びジルコニアである。その他の実例としては、金属ナノ粒子が含まれる。例えば、これらに限定されないが、鉄、鋼、銅、銀、金及びチタンである。更なる実例としては、２つ以上の材料の合金を含有した合金ナノ粒子が含まれる。追加の実例としては、硫化物含有ナノ粒子及び窒化物含有ナノ粒子が含まれる。これらのナノ粒子は、基板表面から０マイクロメートル〜１０マイクロメートル、０マイクロメートル〜５マイクロメートルなどの、０マイクロメートル〜５０マイクロメートルの範囲の深さで、基板１２（例えば、ガラスリボン９６）に組み込もれ得る。例えば、０マイクロメートル〜３マイクロメートルなどである。
ナノ粒子は、成膜装置又は粒子堆積装置から基板１２に向かってナノ粒子を進ませることによって、基板１２の上に及び／又はその中に組み込むことができる。例えば、フロートガラス法では、上記のフロート法におけるＣＶＤ成膜装置の上流のフロートチャンバー内に、粒子堆積装置（燃焼堆積装置（combustion deposition device）又は溶射装置など）を取り付けることができる。好適な溶射装置は、フィンランドのヴァンター（Vantaa）にあるベネク社（Beneq-Oy）から市販されている。他の好適な溶射装置は、特許文献１に記載されている。溶射装置において成膜材料は、粉砕され、燃焼され、続いて熱いガラスリボン上に直接吹き付けられる。粒子は、リボンの表面の上に形成及び／若しくはその中に拡散されるか、又は表面に突き刺さり、ガラスリボンの上部に組み込まれる。金属酸化物ナノ粒子などのこれらの粒子は、ガラスの表面に存在するか、又はガラス中に拡散され、ガラスマトリックスと反応する。この工程は、フロートチャンバーの任意の好適な場所で実施されることができるが、しかし、ガラスリボンの温度が、５００℃〜９００℃、５００℃〜８００℃、６００℃〜８００℃などの、４００℃〜１，０００℃の範囲である位置でより実際的であると考えられている。例えば、７００℃〜８００℃などである。表面の上及び／又はその中でのナノ粒子の堆積後、ガラスリボンは、１つ以上の上記被膜層の適用のため、ＣＶＤ成膜装置の下に移動することができる。
図４に示されるドローダウン法において、１つ以上の粒子堆積装置１０４が、ガラスリボン経路９８に隣接して位置することができる。例えば、粒子堆積装置１０４は、従来の溶射装置であることができる。例えば、粒子堆積装置１０４は、成膜装置１００、１０２の一方又は両方の上流に（即ち上方に）位置することができる。ガラスリボン９６の片面又は両面１１４、１１６の上、及び／又はその中に、ナノ粒子４０を堆積することができる。その後、成膜装置１００、１０２によって、ガラスリボン９６の片方又は両方の表面１１４、１１６上に、１つ以上の上記被膜層を適用することができる。例えば、粒子堆積装置１０４は、ガラスリボン９６の第２の表面１１６（例えば、基板１２の第２の表面１６に対応している）の上に及び／又はその中に、ナノ粒子４０を堆積させることができる。その後、１つ以上の成膜装置１００が、ガラスリボン９６の第２の側面１１６の上に光電子被膜１７の、１つ以上のその他の層を適用することができる。１つ以上のその他の成膜装置１０２は、ガラスリボン９６の第１の側面１１４の上に、任意選択の機能層３２の１つ以上の層を適用することができる。
任意の従来の方法によってナノ粒子を生成することができる。ある具体的実例では、蒸気を形成するために、液体の前駆体を蒸発器内で加熱することができる。所望のナノ粒子を形成するために、蒸気を反応域へ向かわせることができる。液体反応蒸発器の実例は、特許文献２、特許文献３、特許文献４に開示されている。例えば、四塩化チタンなどの金属塩化物が蒸発器内で加熱され、前駆体蒸気を形成することができる。蒸気は、散布器又は捕集器へ向かうことができる。例えば、溶射装置などの粒子堆積装置に、蒸発器を接続することができる。四塩化チタンの蒸気は、二酸化チタンナノ粒子を形成するように、加水分解又は酸化させることができる。有機金属化合物などの他の前駆体を使用することができる。オルトチタン酸テトライソプロピル（titanium isopropoxide）は、二酸化チタンナノ粒子を形成するために蒸発させられることができる別の材料の実例である。純粋な組成物、混相及び／若しくは混合組成物を伴う組成物、又は単一若しくは多数の相の均一な合金を有するナノ粒子が形成できるように、前駆体流は、１つ、２つ、又はそれ以上の、異なる組成の液体反応材料で構成され得る。当業者には理解されるように、所望の組成のナノ粒子を形成するために、液体反応材料を様々な比率で供給することができる。更に、所望の組成のナノ粒子を形成するために、１つ以上の前駆体をガス源から供給し得る。この実例としては、硫化物含有ナノ粒子を形成するために硫黄含有前駆体として硫化水素を供給することや、又は窒化物含有ナノ粒子を形成するためにアンモニア（ＮＨ３）を供給することが含まれる。
図５は、本発明のドローダウン法によって作製された成膜物品１１０を示す。成膜物品１１０は、第１の側面１１４の上に形成される第１の被膜１１８及び第２の側面１１６の上に形成される第２の被膜１２０を伴う基板１１２、例えば、ガラスリボン９６を含む。第１の被膜１１８は、上述した１以上の機能性被膜３２の層を備えることができる。第２の被膜１２０は、上述した１つ以上の光電子被膜１７の層を備えることができる。
本発明は、以下の番号付けた条項に更に記載され得る。
（条項１）
第１の表面１４と第２の表面１６とを有する第１の基板１２と、第２の表面１６の上に位置する下層１８を備える光電子被膜１７と、下層１８の上の第１の導電層２０と、第１の導電層２０の上の上層２２と、第１の導電層２０の上の半導体層２４と、半導体層２４の上の第２の導電層２６と、を備える、光電子素子１０。第１の導電層２０は、導電性酸化物と、タングステン、モリブデン、ニオブ、及び／又はフッ素からなる群から選択された少なくとも１つのドーパントとを備えることができる。
第１の表面１４と第２の表面１６とを有する第１の基板１２と、第２の表面１６の上に位置する下層１８を備える光電子被膜１７と、下層１８の上の第１の導電層２０と、第１の導電層２０の上の上層２２と、第１の導電層２０の上の半導体層２４と、半導体層２４の上の第２の導電層２６と、を備える、光電子素子１０。第１の導電層２０は、導電性酸化物と、タングステン、モリブデン、ニオブ、及び／又はフッ素からなる群から選択された少なくとも１つのドーパントとを備えることができる。
（条項２）
第１の基板１２が、低濃度鉄含有ガラス１２を備える、条項１の光電子素子１０。
第１の基板１２が、低濃度鉄含有ガラス１２を備える、条項１の光電子素子１０。
（条項３）
下層１８が、酸化シリコンを含むナトリウムイオンバリヤー層３８を備える、条項１又は２の光電子素子１０。
下層１８が、酸化シリコンを含むナトリウムイオンバリヤー層３８を備える、条項１又は２の光電子素子１０。
（条項４）
下層１８が、スズ、亜鉛、シリコン、アルミニウム、チタンの酸化物、及び／又はこれらの混合物を含む底部光学層３６を備える、条項１〜３のいずれか一項の光電子素子１０。
下層１８が、スズ、亜鉛、シリコン、アルミニウム、チタンの酸化物、及び／又はこれらの混合物を含む底部光学層３６を備える、条項１〜３のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５）
下層１８が、酸化シリコンを含むナトリウムバリヤー層３８と、スズ及び亜鉛の酸化物を含む底部光学層３６とを備える、条項１〜４のいずれか一項の光電子素子１０。
下層１８が、酸化シリコンを含むナトリウムバリヤー層３８と、スズ及び亜鉛の酸化物を含む底部光学層３６とを備える、条項１〜４のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項６）
第１の導電層２０が、酸化スズとタングステンとを含む、条項１〜５のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の導電層２０が、酸化スズとタングステンとを含む、条項１〜５のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項７）
第１の導電層２０が、酸化スズとタングステンとを含む第１の層と、酸化スズとフッ素とを含む第２の層とを備える、条項１〜６のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の導電層２０が、酸化スズとタングステンとを含む第１の層と、酸化スズとフッ素とを含む第２の層とを備える、条項１〜６のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項８）
上層２２が、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、マグネシウム、及び窒素のうち少なくとも１つとを含むバッファ層４２を備える、条項１〜７のいずれか一項の光電子素子１０。
上層２２が、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、マグネシウム、及び窒素のうち少なくとも１つとを含むバッファ層４２を備える、条項１〜７のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項９）
上層２２が、酸化スズと亜鉛とを含むバッファ層４２を備える、条項１〜８のいずれか一項の光電子素子１０。
上層２２が、酸化スズと亜鉛とを含むバッファ層４２を備える、条項１〜８のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項１０）
上層２２が、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４を備える、条項１〜９のいずれか一項の光電子素子１０。
上層２２が、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４を備える、条項１〜９のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項１１）
上層２２が、酸化スズと亜鉛並びに／又はマグネシウムとを含むバッファ層４２と、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４とを備える、条項１〜１０のいずれか一項の光電子素子１０。
上層２２が、酸化スズと亜鉛並びに／又はマグネシウムとを含むバッファ層４２と、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４とを備える、条項１〜１０のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項１２）
半導体層２４が、テルル化カドミウムを含む、条項１〜１１のいずれか一項の光電子素子１０。
半導体層２４が、テルル化カドミウムを含む、条項１〜１１のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項１３）
第２の導電層２６が、金属層を備える、条項１〜１２のいずれか一項の光電子素子１０。
第２の導電層２６が、金属層を備える、条項１〜１２のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項１４）
第２の導電層２６が、銀を備える、条項１〜１３のいずれか一項の光電子素子１０。
第２の導電層２６が、銀を備える、条項１〜１３のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項１５）
第２の導電層２６の上の第２の基板２８を含み、第２の基板２８がガラスを備える、条項１〜１４のいずれか一項の光電子素子１０。
第２の導電層２６の上の第２の基板２８を含み、第２の基板２８がガラスを備える、条項１〜１４のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項１６）
第１の基板１２の第２の表面１６の中に及び／又はその上に内部光抽出領域３４を含む、条項１〜１５のいずれか一項の光電子素子１０。内部光抽出領域３４は、ナノ粒子を含むことができる。
第１の基板１２の第２の表面１６の中に及び／又はその上に内部光抽出領域３４を含む、条項１〜１５のいずれか一項の光電子素子１０。内部光抽出領域３４は、ナノ粒子を含むことができる。
（条項１７）
第１の基板１２の第１の表面１４の上の機能層３２を含み、機能層３２が、反射防止層３３及び外部光抽出層３５からなる群から選択される、条項１〜１６のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の基板１２の第１の表面１４の上の機能層３２を含み、機能層３２が、反射防止層３３及び外部光抽出層３５からなる群から選択される、条項１〜１６のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項１８）
反射防止層３３が、チタン、ジルコニウム、亜鉛、スズ及びこれらの混合物からなる群から選択される酸化物材料を含む、条項１７の光電子素子１０。
反射防止層３３が、チタン、ジルコニウム、亜鉛、スズ及びこれらの混合物からなる群から選択される酸化物材料を含む、条項１７の光電子素子１０。
（条項１９）
外部光抽出層３５が、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、条項１７又は１８の光電子素子１０。
外部光抽出層３５が、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、条項１７又は１８の光電子素子１０。
（条項２０）
第１の導電層２０が、第１の前駆体材料から堆積した第１の領域と、第２の前駆体材料から堆積した第２の領域とを備える、条項１〜１９のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の導電層２０が、第１の前駆体材料から堆積した第１の領域と、第２の前駆体材料から堆積した第２の領域とを備える、条項１〜１９のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項２１）
第１の前駆体材料がＭＢＴＣを含み、第２の前駆体材料が、ＴＴＣ及びＤＢＴＡからなる群から選択される、条項２０の光電子素子１０。
第１の前駆体材料がＭＢＴＣを含み、第２の前駆体材料が、ＴＴＣ及びＤＢＴＡからなる群から選択される、条項２０の光電子素子１０。
（条項２２）
酸化スズ及びタングステン、好ましくはタングステンをドープされた酸化スズを含む、物品、例えば、光電子素子１０のための透明な導電性酸化物層２０。
酸化スズ及びタングステン、好ましくはタングステンをドープされた酸化スズを含む、物品、例えば、光電子素子１０のための透明な導電性酸化物層２０。
（条項２３）
少なくとも一つの注入口プレナム５２、５４、５６と、少なくとも一つの排出口プレナム５８、６０とを備えているプレナム組立品４８と、放出面５１と、少なくとも一つの注入口プレナム５２、５４、５６と流体連通した少なくとも一つの放出チャネル６２、６６、７０と、少なくとも一つの排出口プレナム５８、６０と流体連通した少なくとも一つの排出口導管７６とを備えているノズルブロック５０とを備える、蒸着装置４６、４７。少なくとも一つの放出チャネル６２、６６、７０は、ノズルブロック５０の放出面５１に対して角度を付けられている。
少なくとも一つの注入口プレナム５２、５４、５６と、少なくとも一つの排出口プレナム５８、６０とを備えているプレナム組立品４８と、放出面５１と、少なくとも一つの注入口プレナム５２、５４、５６と流体連通した少なくとも一つの放出チャネル６２、６６、７０と、少なくとも一つの排出口プレナム５８、６０と流体連通した少なくとも一つの排出口導管７６とを備えているノズルブロック５０とを備える、蒸着装置４６、４７。少なくとも一つの放出チャネル６２、６６、７０は、ノズルブロック５０の放出面５１に対して角度を付けられている。
（条項２４）
少なくとも一つの排出口導管７６が、放出面５１に対して角度を付けられている、条項２３の蒸着装置４６、４７。
少なくとも一つの排出口導管７６が、放出面５１に対して角度を付けられている、条項２３の蒸着装置４６、４７。
（条項２５）
第１の放出チャネル６２と流体連通した第１の注入口プレナム５２と、第２の放出チャネル６６と流体連通した第２の注入口プレナム５４と、第３の放出チャネル７０と流体連通した第３の注入口プレナム５６と、を含み、放出チャネル６２、６６、７０の少なくとも１つが、放出面５１対して角度を付けられ、放出チャネル６２、６６、７０の少なくとも１つが、放出面５１に対して垂直である、条項２３又は２４の蒸着装置４６、４７。
第１の放出チャネル６２と流体連通した第１の注入口プレナム５２と、第２の放出チャネル６６と流体連通した第２の注入口プレナム５４と、第３の放出チャネル７０と流体連通した第３の注入口プレナム５６と、を含み、放出チャネル６２、６６、７０の少なくとも１つが、放出面５１対して角度を付けられ、放出チャネル６２、６６、７０の少なくとも１つが、放出面５１に対して垂直である、条項２３又は２４の蒸着装置４６、４７。
（条項２６）
第１の排出口導管７６と流体連通した第１の排出口プレナム５８と、第２の排出口導管７８と流体連通した第２の排出口プレナム６０とを含み、第１の排出口導管７６と第２の排出口導管７８とが、放出面５１に対して角度を付けられている、条項２３〜２５のいずれか一項の蒸着装置４６、４７。
第１の排出口導管７６と流体連通した第１の排出口プレナム５８と、第２の排出口導管７８と流体連通した第２の排出口プレナム６０とを含み、第１の排出口導管７６と第２の排出口導管７８とが、放出面５１に対して角度を付けられている、条項２３〜２５のいずれか一項の蒸着装置４６、４７。
（条項２７）
注入口プレナム５２、５４、５６と放出面５１との間の放出チャネル６２、６６、７０に位置する少なくとも一つの混合チャンバ７４、を含む、条項２３〜２６のいずれか一項の蒸着装置４６、４７。
注入口プレナム５２、５４、５６と放出面５１との間の放出チャネル６２、６６、７０に位置する少なくとも一つの混合チャンバ７４、を含む、条項２３〜２６のいずれか一項の蒸着装置４６、４７。
（条項２８）
排出口プレナム５８、６０と放出面５２との間の排出口導管７６、７８に位置する少なくとも一つの排出口チャンバ８０、を含む、条項２３〜２７のいずれか一項の蒸着装置４６、４７。
排出口プレナム５８、６０と放出面５２との間の排出口導管７６、７８に位置する少なくとも一つの排出口チャンバ８０、を含む、条項２３〜２７のいずれか一項の蒸着装置４６、４７。
（条項２９）
第１の放出チャネル６２が、第１の放出口６４を有し、第２の放出チャネル６６が、第２の放出口６８を有し、第３の放出チャネル７０が、第３の放出口７２を有し、第１の放出口６４と、第２の放出口６８と、第３の放出口７２とが、放出面５１上に位置する、条項２５の蒸着装置４６、４７。
第１の放出チャネル６２が、第１の放出口６４を有し、第２の放出チャネル６６が、第２の放出口６８を有し、第３の放出チャネル７０が、第３の放出口７２を有し、第１の放出口６４と、第２の放出口６８と、第３の放出口７２とが、放出面５１上に位置する、条項２５の蒸着装置４６、４７。
（条項３０）
第１の放出チャネル６２が、第１の放出口６４を有し、第２の放出チャネル６６が、第２の放出口６８を有し、第３の放出チャネル７０が、第３の放出口７２を有し、第２の放出口６８が、放出面５１上に位置し、第１の放出口６４と第３の放出口７２とが、放出面５１からある距離をおいて、例えば、放出面５１より上で、第２の放出チャネル６６と流体連通している、条項２５の蒸着装置４６、４７。
第１の放出チャネル６２が、第１の放出口６４を有し、第２の放出チャネル６６が、第２の放出口６８を有し、第３の放出チャネル７０が、第３の放出口７２を有し、第２の放出口６８が、放出面５１上に位置し、第１の放出口６４と第３の放出口７２とが、放出面５１からある距離をおいて、例えば、放出面５１より上で、第２の放出チャネル６６と流体連通している、条項２５の蒸着装置４６、４７。
（条項３１）
少なくとも一つの放出チャネル６２、６６、７０の角度が、放出面５１に対して調整可能である、条項２３〜３０のいずれか一項の蒸着装置４６、４７。
少なくとも一つの放出チャネル６２、６６、７０の角度が、放出面５１に対して調整可能である、条項２３〜３０のいずれか一項の蒸着装置４６、４７。
（条項３２）
ガラス製造法においてガラス基板１２、１１２上に被膜を形成する方法であって、第１の成膜前駆体材料を、放出面５１を有する蒸着装置４６、４７の第１の注入口プレナム５２に提供するステップであって、第１の注入口プレナム５２が第１の放出チャネル６２と流体連通しており、第１の放出チャネル６２が第１の放出経路を定めるステップと、第２の成膜前駆体材料を、蒸着装置４６、４７の第２の注入口プレナム５４に提供するステップであって、第２の注入口プレナム５４が第２の放出チャネル７０と流体連通しており、第２の放出チャネル７０が第２の放出経路を定めるステップと、からなり、第１の放出経路は、（ａ）ガラスリボン９６の表面より上方、又は（ｂ）ガラスリボン９６の表面、又は（ｃ）ガラスリボン９６の表面より下方、から選択される位置で第２の放出経路と交わる、方法。
ガラス製造法においてガラス基板１２、１１２上に被膜を形成する方法であって、第１の成膜前駆体材料を、放出面５１を有する蒸着装置４６、４７の第１の注入口プレナム５２に提供するステップであって、第１の注入口プレナム５２が第１の放出チャネル６２と流体連通しており、第１の放出チャネル６２が第１の放出経路を定めるステップと、第２の成膜前駆体材料を、蒸着装置４６、４７の第２の注入口プレナム５４に提供するステップであって、第２の注入口プレナム５４が第２の放出チャネル７０と流体連通しており、第２の放出チャネル７０が第２の放出経路を定めるステップと、からなり、第１の放出経路は、（ａ）ガラスリボン９６の表面より上方、又は（ｂ）ガラスリボン９６の表面、又は（ｃ）ガラスリボン９６の表面より下方、から選択される位置で第２の放出経路と交わる、方法。
（条項３３）
受け皿８３と、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６及び／又は第２の側面１０８に隣接して位置する少なくとも１つの蒸発式成膜装置１００、１０２と、を備える、ドローダウン組立品。例えば、受け皿は、成形トラフ８６、又は放出スロットを有する細長いトラフを備えることができる。
受け皿８３と、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６及び／又は第２の側面１０８に隣接して位置する少なくとも１つの蒸発式成膜装置１００、１０２と、を備える、ドローダウン組立品。例えば、受け皿は、成形トラフ８６、又は放出スロットを有する細長いトラフを備えることができる。
（条項３４）
ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６及び／又は第２の側面１０８に隣接して位置する少なくとも一つの粒子堆積装置１０４を含む、条項３３のドローダウン組立品８１。
ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６及び／又は第２の側面１０８に隣接して位置する少なくとも一つの粒子堆積装置１０４を含む、条項３３のドローダウン組立品８１。
（条項３５）
第２の側面１０８上に位置する蒸発式成膜装置１００と、第１の側面１０６上に位置する他の蒸発式成膜装置１０２と、第１の側面１０６上の蒸発式成膜装置１００の上流に位置する粒子堆積装置１０４と、を含む、条項３３又は３４のドローダウン組立品８１。
第２の側面１０８上に位置する蒸発式成膜装置１００と、第１の側面１０６上に位置する他の蒸発式成膜装置１０２と、第１の側面１０６上の蒸発式成膜装置１００の上流に位置する粒子堆積装置１０４と、を含む、条項３３又は３４のドローダウン組立品８１。
（条項３６）
ドローダウン法で成膜ガラス物品１１０を作製する方法であって、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８に隣接して少なくとも一つの成膜装置１００を位置付けることと、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６に隣接して少なくとも一つの他の成膜装置１０２を位置付けることと、ガラスリボン９６の少なくとも１つの側面上に少なくとも１つの被膜を適用するために成膜装置１００、１０２を使用すること、を備える、方法。
ドローダウン法で成膜ガラス物品１１０を作製する方法であって、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８に隣接して少なくとも一つの成膜装置１００を位置付けることと、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６に隣接して少なくとも一つの他の成膜装置１０２を位置付けることと、ガラスリボン９６の少なくとも１つの側面上に少なくとも１つの被膜を適用するために成膜装置１００、１０２を使用すること、を備える、方法。
（条項３７）
少なくとも１つの成膜装置１００が蒸着装置１００を備える、条項３６の方法。
少なくとも１つの成膜装置１００が蒸着装置１００を備える、条項３６の方法。
（条項３８）
少なくとも１つの他の成膜装置１０２が蒸着装置を備える、条項３６又は３７の方法。
少なくとも１つの他の成膜装置１０２が蒸着装置を備える、条項３６又は３７の方法。
（条項３９）
第２の側面１０８上に位置付けられた少なくとも１つの粒子堆積装置１０４と、任意選択で、第１の側面１０６上に位置付けられた少なくとも一つの粒子堆積装置１０４と、を含む、条項３６〜３８のいずれか一項の方法。
第２の側面１０８上に位置付けられた少なくとも１つの粒子堆積装置１０４と、任意選択で、第１の側面１０６上に位置付けられた少なくとも一つの粒子堆積装置１０４と、を含む、条項３６〜３８のいずれか一項の方法。
（条項４０）
少なくとも１つの粒子堆積装置１０４が、成膜装置１００及び／又は成膜装置１０２の上流に位置付けられる、条項３９の方法。
少なくとも１つの粒子堆積装置１０４が、成膜装置１００及び／又は成膜装置１０２の上流に位置付けられる、条項３９の方法。
（条項４１）
ドローダウン法によって形成される両面成膜物品１１０であって、第１の表面１１４及び対向する第２の表面１１６を有するガラス基板１１２と、第２の表面１１６に隣接した化学気相成長装置１０２によって第２の表面１１６上に形成された第２の被膜１２０と、任意選択で、第１の表面１１４に隣接した別の化学気相成長装置１００によって第１表面１１４上に形成された第１の被膜１１８と、を備える、両面成膜物品。
ドローダウン法によって形成される両面成膜物品１１０であって、第１の表面１１４及び対向する第２の表面１１６を有するガラス基板１１２と、第２の表面１１６に隣接した化学気相成長装置１０２によって第２の表面１１６上に形成された第２の被膜１２０と、任意選択で、第１の表面１１４に隣接した別の化学気相成長装置１００によって第１表面１１４上に形成された第１の被膜１１８と、を備える、両面成膜物品。
（条項４２）
光電子素子１０のためのバッファ層４２であって、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、及びマグネシウムの少なくとも１つと、を含む、バッファ層。
光電子素子１０のためのバッファ層４２であって、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、及びマグネシウムの少なくとも１つと、を含む、バッファ層。
（条項４３）
バッファ層４２が、酸化スズ及び亜鉛を含む、条項４２のバッファ層４２。
バッファ層４２が、酸化スズ及び亜鉛を含む、条項４２のバッファ層４２。
（条項４４）
バッファ層４２が、酸化スズ及びマグネシウムを含む、条項４２のバッファ層４２。
バッファ層４２が、酸化スズ及びマグネシウムを含む、条項４２のバッファ層４２。
（条項４５）
第１の表面１４及び第２の表面１６を有する第１の基板１２と、第２の表面１６上に位置する下層１８と、下層１８上の第１の導電層２０と、第１の導電層２０上の上層２２と、第１の導電層２０上の半導体層２４と、半導体層２４上の第２の導電層２６と、を備える、光電子素子１０。上層１８は、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つとを含むバッファ層４２を備える。
第１の表面１４及び第２の表面１６を有する第１の基板１２と、第２の表面１６上に位置する下層１８と、下層１８上の第１の導電層２０と、第１の導電層２０上の上層２２と、第１の導電層２０上の半導体層２４と、半導体層２４上の第２の導電層２６と、を備える、光電子素子１０。上層１８は、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つとを含むバッファ層４２を備える。
（条項４６）
バッファ層が、酸化スズ及び亜鉛を含む、条項４５の光電子素子１０。
バッファ層が、酸化スズ及び亜鉛を含む、条項４５の光電子素子１０。
（条項４７）
バッファ層４２が、酸化スズ及びマグネシウムを含む、条項４５の光電子素子１０。
バッファ層４２が、酸化スズ及びマグネシウムを含む、条項４５の光電子素子１０。
（条項４８）
基板１２の第１の表面１４上の機能層３２、を含み、機能層３２は、反射防止層３３及び外部光抽出層３５からなる群から選択される、条項４５〜４７のいずれか一項の光電子素子１０。
基板１２の第１の表面１４上の機能層３２、を含み、機能層３２は、反射防止層３３及び外部光抽出層３５からなる群から選択される、条項４５〜４７のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項４９）
第１の表面１４上の少なくとも１つの層及び第２の表面１６上の少なくとも１つの層が、ガラスリボン経路９８の対向した側面に位置した少なくとも１つの成膜装置１００、１０２、１０４を有するガラスドローダウン法で形成される、条項４５〜４８のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の表面１４上の少なくとも１つの層及び第２の表面１６上の少なくとも１つの層が、ガラスリボン経路９８の対向した側面に位置した少なくとも１つの成膜装置１００、１０２、１０４を有するガラスドローダウン法で形成される、条項４５〜４８のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５０）
第１の導電層２０は、導電性酸化物、並びにタングステン、モリブデン、ニオブ及び／又はフッ素からなる群から選択された少なくとも１つのドーパントを含む、条項４５〜４９のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の導電層２０は、導電性酸化物、並びにタングステン、モリブデン、ニオブ及び／又はフッ素からなる群から選択された少なくとも１つのドーパントを含む、条項４５〜４９のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５１）
第１の基板１２が、低濃度鉄含有ガラスを含む、条項４５〜５０のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の基板１２が、低濃度鉄含有ガラスを含む、条項４５〜５０のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５２）
下層１８は、酸化シリコンを含むナトリウムイオンバリヤー層３８を備える、条項４５〜５１のいずれか一項の光電子素子１０。
下層１８は、酸化シリコンを含むナトリウムイオンバリヤー層３８を備える、条項４５〜５１のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５３）
下層１８が、スズ、亜鉛、シリコン、アルミニウム、チタン、及び／又はこれらの混合物の酸化物を含む底部光学層３６を備える、条項４５〜５２のいずれか一項の光電子素子１０。
下層１８が、スズ、亜鉛、シリコン、アルミニウム、チタン、及び／又はこれらの混合物の酸化物を含む底部光学層３６を備える、条項４５〜５２のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５４）
下層１８が、酸化シリコンを含むナトリウムバリヤー層３８と、スズ及び亜鉛の酸化物を含む底部光学層３６とを備える、条項４５〜５３のいずれか一項の光電子素子１０。
下層１８が、酸化シリコンを含むナトリウムバリヤー層３８と、スズ及び亜鉛の酸化物を含む底部光学層３６とを備える、条項４５〜５３のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５５）
第１の導電層２０が、酸化スズ及びタングステンを含む、条項４５〜５４のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の導電層２０が、酸化スズ及びタングステンを含む、条項４５〜５４のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５６）
第１の導電層２０が、酸化スズ及びタングステンを含む第１の層と、酸化スズ及びフッ素を含む第２の層とを備える、条項４５〜５５のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の導電層２０が、酸化スズ及びタングステンを含む第１の層と、酸化スズ及びフッ素を含む第２の層とを備える、条項４５〜５５のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５７）
上層２２が、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４を備える、条項４５〜５６のいずれか一項の光電子素子１０。
上層２２が、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４を備える、条項４５〜５６のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５８）
上層２２が、酸化スズと、亜鉛及び／又はマグネシウムとを含むバッファ層４２と、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４とを備える、条項４５〜５７のいずれか一項の光電子素子１０。
上層２２が、酸化スズと、亜鉛及び／又はマグネシウムとを含むバッファ層４２と、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４とを備える、条項４５〜５７のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項５９）
半導体層２４が、テルル化カドミウムを含む、条項４５〜５８のいずれか一項の光電子素子１０。
半導体層２４が、テルル化カドミウムを含む、条項４５〜５８のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項６０）
第２の導電層２６が、金属層を備える、条項４５〜５９のいずれか一項の光電子素子１０。
第２の導電層２６が、金属層を備える、条項４５〜５９のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項６１）
第２の導電層２６が、銀を含む、条項４５〜６０のいずれか一項の光電子素子１０。
第２の導電層２６が、銀を含む、条項４５〜６０のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項６２）
第２の導電層２６上の第２の基板２８を含み、第２の基板２８がガラスを備える、条項４５〜６１のいずれか一項の光電子素子１０。
第２の導電層２６上の第２の基板２８を含み、第２の基板２８がガラスを備える、条項４５〜６１のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項６３）
基板１２の第２の表面１６上の及び／又はこれに隣接した内部光抽出領域３４を含み、内部光抽出領域３４は、ナノ粒子４０を含む、条項４５〜６２のいずれか一項の光電子素子１０。
基板１２の第２の表面１６上の及び／又はこれに隣接した内部光抽出領域３４を含み、内部光抽出領域３４は、ナノ粒子４０を含む、条項４５〜６２のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項６４）
基板１２の第１の表面１４上の機能層３２を含み、機能層３２は、反射防止層３３及び外部光抽出層３５からなる群から選択される、条項４５〜６３のいずれか一項の光電子素子１０。
基板１２の第１の表面１４上の機能層３２を含み、機能層３２は、反射防止層３３及び外部光抽出層３５からなる群から選択される、条項４５〜６３のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項６５）
反射防止層３３が、チタン、ジルコニウム、亜鉛、スズ及びこれらの混合物からなる群から選択される材料の酸化物を含む、条項６４の光電子素子１０。
反射防止層３３が、チタン、ジルコニウム、亜鉛、スズ及びこれらの混合物からなる群から選択される材料の酸化物を含む、条項６４の光電子素子１０。
（条項６６）
外部光抽出層３５が、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、条項６４又は６５の光電子素子１０。
外部光抽出層３５が、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、条項６４又は６５の光電子素子１０。
（条項６７）
第１の導電層２０が、第１の前駆体材料から堆積された第１の領域及び第２の前駆体材料から堆積された第２の領域を備える、条項４５〜６６のいずれか一項の光電子素子１０。
第１の導電層２０が、第１の前駆体材料から堆積された第１の領域及び第２の前駆体材料から堆積された第２の領域を備える、条項４５〜６６のいずれか一項の光電子素子１０。
（条項６８）
第１の前駆体材料がＭＢＴＣを含み、第２の前駆体材料が、ＴＴＣ及びＤＢＴＡからなる群から選択される、条項６７の光電子素子１０。
第１の前駆体材料がＭＢＴＣを含み、第２の前駆体材料が、ＴＴＣ及びＤＢＴＡからなる群から選択される、条項６７の光電子素子１０。
（条項６９）
電子デバイスのための透明な導電性酸化物層２０であって、タングステン、モリブデン及びニオブからなる群から選択される材料をドープされた酸化スズ層を含む、透明な導電性酸化物層。
電子デバイスのための透明な導電性酸化物層２０であって、タングステン、モリブデン及びニオブからなる群から選択される材料をドープされた酸化スズ層を含む、透明な導電性酸化物層。
（条項７０）
透明な導電性酸化物層２０が、酸化スズ及びタングステンを含む、条項６９の透明な導電性酸化物層２０。
透明な導電性酸化物層２０が、酸化スズ及びタングステンを含む、条項６９の透明な導電性酸化物層２０。
（条項７１）
電子デバイスが、太陽電池、有機発光ダイオード、及び発光ダイオードからなる群から選択され、好ましくは太陽電池である、条項６９又は７０の透明な導電性酸化物層２０。
電子デバイスが、太陽電池、有機発光ダイオード、及び発光ダイオードからなる群から選択され、好ましくは太陽電池である、条項６９又は７０の透明な導電性酸化物層２０。
（条項７２）
第１の表面１１４及び第２の表面１１６を有する基板１１２と、第１の表面１１４上の第１の被膜１１８と、第２の表面１１６上の第２の被膜１２０と、を備える、成膜物品１１０。第２の被膜１２０は、タングステン、モリブデン、及びニオブからなる群から選択される材料をドープされた酸化スズを含む第１の導電層２０を備える。
第１の表面１１４及び第２の表面１１６を有する基板１１２と、第１の表面１１４上の第１の被膜１１８と、第２の表面１１６上の第２の被膜１２０と、を備える、成膜物品１１０。第２の被膜１２０は、タングステン、モリブデン、及びニオブからなる群から選択される材料をドープされた酸化スズを含む第１の導電層２０を備える。
（条項７３）
第１の導電層２０が、タングステンをドープされた酸化スズを備える、条項７２の成膜物品１１０。
第１の導電層２０が、タングステンをドープされた酸化スズを備える、条項７２の成膜物品１１０。
（条項７４）
第１の表面１１４上の少なくとも１つの層及び第２の表面１１６上の少なくとも１つの層が、ガラスリボン経路９８の対向した側面上に少なくとも１つの成膜装置１００、１０２、１０４を有するガラスドローダウン法で形成される、条項７２又は７３の成膜物品１１０。
第１の表面１１４上の少なくとも１つの層及び第２の表面１１６上の少なくとも１つの層が、ガラスリボン経路９８の対向した側面上に少なくとも１つの成膜装置１００、１０２、１０４を有するガラスドローダウン法で形成される、条項７２又は７３の成膜物品１１０。
（条項７５）
成膜物品１１０が、太陽電池、光起電力電池、有機発光ダイオード及び発光ダイオードからなる群から選択される、条項７２〜７４のいずれか一項の成膜物品１１０。
成膜物品１１０が、太陽電池、光起電力電池、有機発光ダイオード及び発光ダイオードからなる群から選択される、条項７２〜７４のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項７６）
第２の被膜１２０が、第２の表面１１６上に位置する下層１８と、下層１８上の第１の導電層２０と、第１の導電層２０上の上層２２と、第１の導電層２０上の半導体層２４と、半導体層２４上の第２の導電層２６と、を備える、条項７２〜７５のいずれか一項の成膜物品１１０。
第２の被膜１２０が、第２の表面１１６上に位置する下層１８と、下層１８上の第１の導電層２０と、第１の導電層２０上の上層２２と、第１の導電層２０上の半導体層２４と、半導体層２４上の第２の導電層２６と、を備える、条項７２〜７５のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項７７）
基板１１２が、低濃度鉄含有ガラス１２を含む、条項７６の成膜物品１１０。
基板１１２が、低濃度鉄含有ガラス１２を含む、条項７６の成膜物品１１０。
（条項７８）
下層１８は、酸化シリコンを含むナトリウムイオンバリヤー層３８を備える、条項７６又は７７の成膜物品１１０。
下層１８は、酸化シリコンを含むナトリウムイオンバリヤー層３８を備える、条項７６又は７７の成膜物品１１０。
（条項７９）
下層１８が、スズ、亜鉛、シリコン、アルミニウム、チタン、及び／又はこれらの混合物の酸化物を含む底部光学層３６を備える、条項７６〜７８のいずれか一項の成膜物品１１０。
下層１８が、スズ、亜鉛、シリコン、アルミニウム、チタン、及び／又はこれらの混合物の酸化物を含む底部光学層３６を備える、条項７６〜７８のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８０）
下層１８が、酸化シリコンを備えているナトリウムバリヤー層３８と、スズ及び亜鉛の酸化物を備えている底部光学層３６とを備える、条項７６〜７９のいずれか一項の成膜物品１１０。
下層１８が、酸化シリコンを備えているナトリウムバリヤー層３８と、スズ及び亜鉛の酸化物を備えている底部光学層３６とを備える、条項７６〜７９のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８１）
第１の導電層２０が、酸化スズ及びタングステンを備える、条項７６〜８０のいずれか一項の成膜物品１１０。
第１の導電層２０が、酸化スズ及びタングステンを備える、条項７６〜８０のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８２）
第１の導電層２０が、酸化スズ及びタングステンを含む第１の層と、酸化スズ及びフッ素を含む第２の層とを備える、条項７６〜８１のいずれか一項の成膜物品１１０。
第１の導電層２０が、酸化スズ及びタングステンを含む第１の層と、酸化スズ及びフッ素を含む第２の層とを備える、条項７６〜８１のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８３）
上層２２が、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、マグネシウム及び窒素の少なくとも１つとを含むバッファ層４２を備える、条項７６〜８２のいずれか一項の成膜物品１１０。
上層２２が、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、マグネシウム及び窒素の少なくとも１つとを含むバッファ層４２を備える、条項７６〜８２のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８４）
上層２２が、酸化スズ及び亜鉛を含むバッファ層４２を備える、条項７６〜８３のいずれか一項の成膜物品１１０。
上層２２が、酸化スズ及び亜鉛を含むバッファ層４２を備える、条項７６〜８３のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８５）
上層２２が、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４を備える、条項７６〜８４のいずれか一項の成膜物品１１０。
上層２２が、硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４を備える、条項７６〜８４のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８６）
上層２２が、酸化スズと、亜鉛及び／又はマグネシウムとを含むバッファ層４２、並びに硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４を備える、条項７６〜８５のいずれか一項の成膜物品１１０。
上層２２が、酸化スズと、亜鉛及び／又はマグネシウムとを含むバッファ層４２、並びに硫化カドミウム及び／又は硫酸カドミウムを含む絶縁層４４を備える、条項７６〜８５のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８７）
半導体層２４が、テルル化カドミウムを備える、条項７６〜８６のいずれか一項の成膜物品１１０。
半導体層２４が、テルル化カドミウムを備える、条項７６〜８６のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８８）
第２の導電層２６が、金属層を備える、条項７６〜８７のいずれか一項の成膜物品１１０。
第２の導電層２６が、金属層を備える、条項７６〜８７のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項８９）
第２の導電層２６が、銀を含む、条項７６〜８８のいずれか一項の成膜物品１１０。
第２の導電層２６が、銀を含む、条項７６〜８８のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項９０）
第２の導電層２６上の第２の基板２８を含み、第２の基板２８がガラスを備える、条項７６〜８９のいずれか一項の成膜物品１１０。
第２の導電層２６上の第２の基板２８を含み、第２の基板２８がガラスを備える、条項７６〜８９のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項９１）
基板１１２の第２の表面１１６内の及び／又はその上の内部光抽出領域３４を含み、内部光抽出領域３４は、ナノ粒子４０を含む、条項７６〜９０のいずれか一項の成膜物品１１０。
基板１１２の第２の表面１１６内の及び／又はその上の内部光抽出領域３４を含み、内部光抽出領域３４は、ナノ粒子４０を含む、条項７６〜９０のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項９２）
第１の被膜１１８が、基板１１２の第１の表面１１４上の機能層３２を含み、機能層３２は、反射防止層３３及び外部光抽出層３５からなる群から選択される、条項７６〜９１のいずれか一項の成膜物品１１０。
第１の被膜１１８が、基板１１２の第１の表面１１４上の機能層３２を含み、機能層３２は、反射防止層３３及び外部光抽出層３５からなる群から選択される、条項７６〜９１のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項９３）
反射防止層３３が、チタン、ジルコニウム、亜鉛、スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択される材料の酸化物を備える、条項９２の成膜物品１１０。
反射防止層３３が、チタン、ジルコニウム、亜鉛、スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択される材料の酸化物を備える、条項９２の成膜物品１１０。
（条項９４）
外部光抽出層３５が、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、条項９２又は９３の成膜物品１１０。
外部光抽出層３５が、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、条項９２又は９３の成膜物品１１０。
（条項９５）
第１の導電層２０が、第１の前駆体材料から堆積された第１の領域及び第２の前駆体材料から堆積された第２の領域を備える、条項７６〜９４のいずれか一項の成膜物品１１０。
第１の導電層２０が、第１の前駆体材料から堆積された第１の領域及び第２の前駆体材料から堆積された第２の領域を備える、条項７６〜９４のいずれか一項の成膜物品１１０。
（条項９６）
第１の前駆体材料がＭＢＴＣを含み、第２の前駆体材料がＴＴＣ及びＤＢＴＡからなる群から選択される、条項９５の成膜物品１１０。
第１の前駆体材料がＭＢＴＣを含み、第２の前駆体材料がＴＴＣ及びＤＢＴＡからなる群から選択される、条項９５の成膜物品１１０。
（条項９７）
ガラスドローダウン法で、光電子素子１０などの、物品１１０の構成を作製する方法であって、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８に隣接して少なくとも１つの成膜装置１００を位置付けることと、任意選択で、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６に隣接して少なくとも１つの他の成膜装置１０２を位置付けることと、ガラスリボン９６の第２の表面１１６上に第２の被膜１２０を適用することと、を備え、第２の被膜１２０が、（ｉ）酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも１つの材料とを含むバッファ層４２、並びに（ｉｉ）タングステン、モリブデン、及びニオブからなる群から選択される材料をドープされた酸化スズを含む透明な導電性酸化物層２０、の少なくとも１つを備える、方法。
ガラスドローダウン法で、光電子素子１０などの、物品１１０の構成を作製する方法であって、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８に隣接して少なくとも１つの成膜装置１００を位置付けることと、任意選択で、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６に隣接して少なくとも１つの他の成膜装置１０２を位置付けることと、ガラスリボン９６の第２の表面１１６上に第２の被膜１２０を適用することと、を備え、第２の被膜１２０が、（ｉ）酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも１つの材料とを含むバッファ層４２、並びに（ｉｉ）タングステン、モリブデン、及びニオブからなる群から選択される材料をドープされた酸化スズを含む透明な導電性酸化物層２０、の少なくとも１つを備える、方法。
（条項９８）
バッファ層４２が、酸化スズ及び亜鉛を含む、条項９７の方法。
バッファ層４２が、酸化スズ及び亜鉛を含む、条項９７の方法。
（条項９９）
バッファ層４２が、酸化スズ及びマグネシウムを含む、条項９７の方法。
バッファ層４２が、酸化スズ及びマグネシウムを含む、条項９７の方法。
（条項１００）
透明な導電性酸化物層２０が、タングステンをドープされた酸化スズを含む、条項９７〜９９のいずれか一項の方法。
透明な導電性酸化物層２０が、タングステンをドープされた酸化スズを含む、条項９７〜９９のいずれか一項の方法。
（条項１０１）
放出面５１と、少なくとも１つの注入口プレナム５２、５４、５６と流体連通した少なくとも１つの放出チャネル６２、６６、７０とを備えるノズルブロック５０、を備える、蒸着装置４６、４７。少なくとも１つの放出チャネル６２、６６、７０の角度は、放出面５１に対して調整可能である。
放出面５１と、少なくとも１つの注入口プレナム５２、５４、５６と流体連通した少なくとも１つの放出チャネル６２、６６、７０とを備えるノズルブロック５０、を備える、蒸着装置４６、４７。少なくとも１つの放出チャネル６２、６６、７０の角度は、放出面５１に対して調整可能である。
（条項１０２）
第１の放出チャネル６２と、第２の放出チャネル６６と、第３の放出チャネル７０とを含み、放出チャネル６２、６６、７０の少なくとも１つが放出面５１対して角度を付けられ、放出チャネル６２、６６、７０の少なくとも１つが放出面５１に対して垂直である、条項１０１の蒸着装置４６、４７。
第１の放出チャネル６２と、第２の放出チャネル６６と、第３の放出チャネル７０とを含み、放出チャネル６２、６６、７０の少なくとも１つが放出面５１対して角度を付けられ、放出チャネル６２、６６、７０の少なくとも１つが放出面５１に対して垂直である、条項１０１の蒸着装置４６、４７。
（条項１０３）
第１の放出チャネル６２が第１の放出口６４を有し、第２の放出チャネル６６が第２の放出口６８を有し、第３の放出チャネル７０が第３の放出口７２を有し、第１の放出口６４、第２の放出口６６、及び第３の放出口７２は、放出面５１上に位置する、条項１０１又は１０２の蒸着装置４６、４７。
第１の放出チャネル６２が第１の放出口６４を有し、第２の放出チャネル６６が第２の放出口６８を有し、第３の放出チャネル７０が第３の放出口７２を有し、第１の放出口６４、第２の放出口６６、及び第３の放出口７２は、放出面５１上に位置する、条項１０１又は１０２の蒸着装置４６、４７。
（条項１０４）
第１の放出チャネル６２が第１の放出口６４を有し、第２の放出チャネル６６が第２の放出口６８を有し、第３の放出チャネル７０が第３の放出口７２を有し、第２の放出口６８が放出面５１上に位置し、第１の放出口６４及び第３の放出口７２が、放出面５１より上で第２の放出チャネル６６と流体連通している、条項１０１又は１０２の蒸着装置４６、４７。
第１の放出チャネル６２が第１の放出口６４を有し、第２の放出チャネル６６が第２の放出口６８を有し、第３の放出チャネル７０が第３の放出口７２を有し、第２の放出口６８が放出面５１上に位置し、第１の放出口６４及び第３の放出口７２が、放出面５１より上で第２の放出チャネル６６と流体連通している、条項１０１又は１０２の蒸着装置４６、４７。
（条項１０５）
ガラス製造法においてガラス基板上に被膜層を形成する方法であって、選択された被膜層の第１の成膜領域を形成するために、選択された被膜層組成物のための第１の成膜前駆体材料を、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置４６、４７に提供することと、第１の領域上に選択された被膜層の第２の成膜領域を形成するために、選択された被膜層組成物のための第２の成膜前駆体材料を、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置４６、４７に提供することと、を備える、方法。第１の成膜前駆体材料は、第２の前駆体成膜材料とは異なる。
ガラス製造法においてガラス基板上に被膜層を形成する方法であって、選択された被膜層の第１の成膜領域を形成するために、選択された被膜層組成物のための第１の成膜前駆体材料を、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置４６、４７に提供することと、第１の領域上に選択された被膜層の第２の成膜領域を形成するために、選択された被膜層組成物のための第２の成膜前駆体材料を、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置４６、４７に提供することと、を備える、方法。第１の成膜前駆体材料は、第２の前駆体成膜材料とは異なる。
（条項１０６）
ガラス製造法は、フロートガラス法であり、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置４６、４７は、フロート浴に位置している、条項１０５の方法。
ガラス製造法は、フロートガラス法であり、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置４６、４７は、フロート浴に位置している、条項１０５の方法。
（条項１０７）
ガラス製造法は、ガラスドローダウン法であり、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置４６、４７は、ガラスリボン経路９８に隣接して位置する、条項１０５の方法。
ガラス製造法は、ガラスドローダウン法であり、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置４６、４７は、ガラスリボン経路９８に隣接して位置する、条項１０５の方法。
（条項１０８）
ガラス製造法は、第１の側面１０６及び第２の側面１０８を備えているガラスリボン経路９８を有するガラスドローダウン法であり、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置１００が、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８に隣接して位置し、少なくとも１つの他のマルチスロット成膜装置１０２が、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６に隣接して位置する、条項１０７の方法。
ガラス製造法は、第１の側面１０６及び第２の側面１０８を備えているガラスリボン経路９８を有するガラスドローダウン法であり、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置１００が、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８に隣接して位置し、少なくとも１つの他のマルチスロット成膜装置１０２が、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６に隣接して位置する、条項１０７の方法。
（条項１０９）
ガラス製造法は、第１の側面１０６及び第２の側面１０８を備えているガラスリボン経路９８を有するガラスドローダウン法であり、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置１００が、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８に隣接して位置し、少なくとも１つの他のマルチスロット成膜装置１０２が、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６に隣接して位置する、条項１０７の方法。
ガラス製造法は、第１の側面１０６及び第２の側面１０８を備えているガラスリボン経路９８を有するガラスドローダウン法であり、少なくとも１つのマルチスロット成膜装置１００が、ガラスリボン経路９８の第２の側面１０８に隣接して位置し、少なくとも１つの他のマルチスロット成膜装置１０２が、ガラスリボン経路９８の第１の側面１０６に隣接して位置する、条項１０７の方法。
（条項１１０）
ガラス製造法においてガラス基板上に被膜を形成する方法であって、第１の放出経路を有する第１の放出チャネル６２、６６、７０に第１の成膜前駆体材料を提供することと、第２の放出経路を有する第２の放出チャネル６２、６６、７０に第２の成膜前駆体材料を提供することと、を備える、方法。第１の放出経路は、（ａ）ガラスリボン９６の表面より上方、又は（ｂ）ガラスリボン９６の表面、又は（ｃ）ガラスリボン９６の表面より下方、から選択される位置で第２の放出経路と交わる。
ガラス製造法においてガラス基板上に被膜を形成する方法であって、第１の放出経路を有する第１の放出チャネル６２、６６、７０に第１の成膜前駆体材料を提供することと、第２の放出経路を有する第２の放出チャネル６２、６６、７０に第２の成膜前駆体材料を提供することと、を備える、方法。第１の放出経路は、（ａ）ガラスリボン９６の表面より上方、又は（ｂ）ガラスリボン９６の表面、又は（ｃ）ガラスリボン９６の表面より下方、から選択される位置で第２の放出経路と交わる。
（条項１１１）
光電子素子１０が、太陽電池、発光ダイオード及び有機発光ダイオードからなる群から選択され、好ましくは太陽電池である、請求項１〜２１又は４５〜６８のいずれか一項の光電子素子１０。
光電子素子１０が、太陽電池、発光ダイオード及び有機発光ダイオードからなる群から選択され、好ましくは太陽電池である、請求項１〜２１又は４５〜６８のいずれか一項の光電子素子１０。
先の記述に開示される概念から逸脱することなく、本発明に対して改変がなされ得ることは当業者には容易に理解されるであろう。従って、本明細書に詳細に記載された具体的な実施形態は、例示に過ぎず、添付の特許請求の範囲並びにその任意の及び全ての均等物の全範囲が与えられるべきである本発明の範囲を限定するものではない。
Claims (14)
- 第１の表面（１４）及び第２の表面（１６）を有する第１の基板（１２）と、
前記第２の表面（１６）上の光電子被膜（１７）であって、
前記第２の表面（１６）上に位置付けられる下層（１８）と、
前記下層（１８）の上の第１の導電層（２０）と、
前記第１の導電層（２０）の上の上層（２２）と、
前記第１の導電層（２０）の上の半導体層（２４）と、
前記半導体層（２４）の上の第２の導電層（２６）と、を備え、（ｉ）前記第１の導電層（２０）が、導電性酸化物と、タングステン、モリブデン、ニオブ、及びフッ素からなる群から選択された少なくとも１つのドーパントとを備え、及び／又は（ｉｉ）前記上層（２２）が、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、及びマグネシウムからなる群から選択された少なくとも１つの材料とを含むバッファ層（４２）を備える、
光電子被膜（１７）と、
を備える光電子素子（１０）。 - 前記下層（１８）が酸化シリコンを含むナトリウムバリヤー層（３８）を備え、及び／又は前記下層（１８）がスズ、亜鉛、シリコン、アルミニウム、チタン、及び／又はこれらの混合物の少なくとも一つの酸化物を含む底部光学層（３６）を備える、請求項１に記載の光電子素子（１０）。
- 前記第１の導電層（２０）が、酸化スズとタングステンとを含む第１の層を備え、及び／又は、前記第１の導電層（２０）が、酸化スズとフッ素とを含む第２の層を備える、請求項１又は２に記載の光電子素子（１０）。
- 前記上層（２２）が、酸化スズと、亜鉛及び／又はマグネシウムとを含むバッファ層（４２）を備え、及び／又は、前記上層（２２）が、硫化カドミウム又は硫酸カドミウムを含む絶縁層（４４）を備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光電子素子（１０）。
- 前記半導体層（２４）が、テルル化カドミウムを備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電子素子（１０）。
- 前記第２の導電層（２６）が、金属層、好ましくは金属銀を備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光電子素子（１０）。
- 前記第１の基板（１２）の前記第２の表面（１６）上の及び／又はこれに隣接した内部光抽出領域（３４）を含み、前記内部光抽出領域（３４）は、ナノ粒子を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光電子素子（１０）。
- 前記第１の基板１２の前記第１の表面１４上の機能層３２を含み、前記機能層（３２）が、チタン、ジルコニウム、亜鉛、スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択された材料の酸化物を含む反射防止層（３３）を備え、及び／又は、前記機能層（３２）が、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及びこれらの混合物を含む外部光抽出層（３５）を備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の光電子素子（１０）。
- 前記第１の導電層（２０）は、第１の前駆体材料から堆積された第１の領域と、第２の前駆体材料から堆積された第２の領域とを備え、好ましくは、前記第１の前駆体材料がＭＢＴＣを含み、前記第２の前駆体材料がＴＴＣ及びＤＢＴＡからなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光電子素子（１０）。
- 前記第１の基板（１２）が、低濃度鉄含有ガラスを備え、前記下層（１８）が、酸化シリコンを含むナトリウムバリヤー層（３８）とスズ及び亜鉛の酸化物を含む底部光学層（３６）とを備え、前記第１の導電層（２０）が、酸化スズとタングステンとを含み、前記上層（２２）が、酸化スズと亜鉛とを含むバッファ層（４２）を備え、前記半導体層（２４）が、テルル化カドミウムを含み、前記第２の導電層（２６）が、金属銀を含み、前記光電子素子（１０）が、前記第１の基板（１２）の前記第２の表面（１６）の上に及び／又はこれに隣接して、ナノ粒子を含む内部光抽出領域（３４）を備え、前記光電子素子（１０）が、前記第１の基板（１２）の前記第１の表面（１４）上の機能層（３２）を備え、前記機能層（３２）が、（ｉ）チタン、ジルコニウム、亜鉛、スズ、及びこれらの混合物からなる群から選択された材料の酸化物を含む反射防止層（３３）、及び／又は（ｉｉ）シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、及び／又はこれらの混合物を含む外部光抽出層（３５）を備える前記機能層（３２）を備える、請求項１に記載の光電子素子（１０）。
- 前記光電子素子（１０）が、太陽電池、発光ダイオード、及び有機発光ダイオードからなる群から選択され、好ましくは太陽電池である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光電子素子（１０）。
- ガラスドローダウン法で物品（１１０）の構成を作製する方法であって、
任意選択で、ガラスリボン経路（９８）の第１の側面（１０６）上に位置する、少なくとも１つの成膜装置（１０２）によって、ガラスリボン（９６）の第１の表面（１１４）上に、第１の被膜（１１８）を適用することと、
前記ガラスリボン経路（９８）の第２の側面（１０８）上に位置する、少なくとも１つの成膜装置（１００）によって、前記ガラスリボン（９６）の第２の表面（１１６）上に、第２の被膜（１２０）を適用することであって、当該第２の被膜は、（ｉ）酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム、及びマグネシウムからなる群から選択された少なくとも１つの材料とを含むバッファ層（４２）、及び／又は、（ｉｉ）タングステン、モリブデン、及びニオブからなる群から選択された材料をドープされた酸化スズを含む透明な導電性酸化物層（２０）、を備える、第２の被膜（１２０）を適用することと、
を備える方法。 - 受け皿（８３）と、
ガラスリボン経路（９８）の第１の側面（１０６）及び／又は第２の側面（１０８）の上に位置付けられた少なくとも１つの蒸着装置（１００、１０２）と、
前記ガラスリボン経路（９８）の前記第１の側面（１０６）及び／又は第２の側面（１０８）に位置付けられた少なくとも１つの粒子堆積装置（１０４）と、
を備えるガラスドローダウン組立品（８１）。 - 少なくとも１つの注入口プレナム（５２、５４、５６）と少なくとも１つの排出口プレナム（５８、６０）とを備えるプレナム組立品（４８）と、
放出面（５１）を備えるノズルブロック（５０）と、
前記少なくとも１つの注入口プレナム（５２、５４、５６）と流体連通した少なくとも１つの放出チャネル（６２、６６、７０）と、
前記少なくとも１つの排出口プレナム（５８、６０）と流体連通した少なくとも一つの排出口導管（７６）と、
を備え、少なくとも１つの放出チャネル（６２、６６、７０）が、前記ノズルブロック（５０）の前記放出面（５１）に対して角度を付けられている、蒸着装置（４６、４７）。
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