JP2012516573A - 改良された結晶配向性を有する太陽光発電装置 - Google Patents
改良された結晶配向性を有する太陽光発電装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012516573A JP2012516573A JP2011548032A JP2011548032A JP2012516573A JP 2012516573 A JP2012516573 A JP 2012516573A JP 2011548032 A JP2011548032 A JP 2011548032A JP 2011548032 A JP2011548032 A JP 2011548032A JP 2012516573 A JP2012516573 A JP 2012516573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive oxide
- layer
- power generation
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 104
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 67
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 claims description 9
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- FJZMJOPKABSQOK-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) disulfide Chemical compound [S--].[S--].[Cd++].[Cd++] FJZMJOPKABSQOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (83)
- 基板に隣接する透明導電性酸化物層と;
前記透明導電性酸化物層に隣接する半導体の二重層であり、前記二重層は、半導体のウインドウ層と、これに隣接する半導体の吸収層を有し、前記半導体の吸収層は結晶配向性の半導体の吸収層を含む、半導体の二重層と;
前記半導体の二重層に隣接する背面接触部と、を備えた太陽光発電装置。 - 透明導電性酸化物層がスズ酸カドミウムを有する、請求項1記載の太陽光発電装置。
- 透明導電性酸化物層がインジウムをドープした酸化カドミウムを有する、請求項1記載の太陽光発電装置。
- 透明導電性酸化物層がスズをドープした酸化インジウムを有する、請求項1記載の太陽光発電装置。
- 基板がガラスを含む、請求項1記載の太陽光発電装置。
- ガラスがソーダ石灰ガラスを含む、請求項5記載の太陽光発電装置。
- さらに基板および透明導電性酸化物層の間に障壁層を有する、請求項1記載の太陽光発電装置。
- 障壁層が二酸化ケイ素を含む、請求項7記載の太陽光発電装置。
- 障壁層が窒化ケイ素を含む、請求項7記載の太陽光発電装置。
- さらに透明導電性酸化物層に隣接する最上層を有する、請求項1記載の太陽光発電装置。
- さらに透明導電性酸化物層に隣接する最上層を有する、請求項7記載の太陽光発電装置。
- 最上層がスズ酸亜鉛を含有する、請求項10記載の太陽光発電装置。
- 最上層が酸化スズを含有する、請求項10記載の太陽光発電装置。
- 半導体のウインドウ層が硫化カドミウムを含有する、請求項1記載の太陽光発電装置。
- 結晶配向性の半導体の吸収層が、配向性のテルル化カドミウム層を有する、請求項1記載の太陽光発電装置。
- 配向性のテルル化カドミウム層が好ましい配向性を有する、請求項15記載の太陽光発電装置。
- 配向性のテルル化カドミウム層の結晶の約65%から約75%が、層の配置面に対して好ましい配向性を有する、請求項16記載の太陽光発電装置。
- さらに背面接触部に隣接する背面支持部を備えた、請求項1記載の太陽光発電装置。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程と;
前記半導体のウインドウ層に隣接するように配向性半導体の吸収層を配置する工程と
を備える、太陽光発電装置の製造方法。 - 半導体のウインドウ層を配置する前に、さらに透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程を備える、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層がスズ酸カドミウムを含有する、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層がインジウムをドープした酸化カドミウムを含有する、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層がスズをドープした酸化インジウムを含有する、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程が、基板上に硫化カドミウム層を設置する工程を備える、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程が、透明導電性酸化物層上にスズ酸亜鉛をスパッタリングして、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項20記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程が、透明導電性酸化物層上に酸化スズをスパッタリングして、透明導電性酸化物スタック形成する工程を備える、請求項20記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程を備える、請求項25または26に記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、減圧下で透明導電性酸化物スタックを加熱する工程を備える、請求項27記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約400℃から約800℃で加熱する工程を備える、請求項27記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約500℃から約700℃で加熱する工程を備える、請求項29記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約10分間から約25分間加熱する工程を備える、請求項27記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約15分間から約20分間加熱する工程を備える、請求項31記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程が、蒸着工程を備える、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 半導体のウインドウ層に隣接するように配向性半導体の吸収層を配置する工程が、蒸着工程を備える、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 半導体のウインドウ層に隣接するように配向性半導体の吸収層を配置する工程が、基板上にテルル化カドミウム層を設置する工程を備える、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 半導体のウインドウ層に隣接するように配向性半導体の吸収層を配置する工程が、結晶性の半導体の吸収層を好ましい配向性に配向させる工程を備える、請求項19または35に記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 配向性半導体の吸収層の結晶の約65%から約75%が、層の配置面にたいして好ましい配向性を有する、請求項19または35に記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに配向性半導体の吸収層に隣接するように背面接触部を配置する工程を備える、請求項19記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに背面接触部に隣接するように背面支持部を設置する工程を備える、請求項38記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに基板に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程を備える、請求項19に記載された太陽光発電装置の製造方法。
- 基板に隣接するように透明導電性酸化物層を設置する前に、さらに障壁層に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する前に、さらに透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する前に、さらに透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置して、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項41記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程を備える、請求項43記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、減圧下で透明導電性酸化物スタックを加熱する工程を備える、請求項44記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約400℃から約800℃で加熱する工程を備える、請求項44記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約500℃から約700℃で加熱する工程を備える、請求項46記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約10分間から約25分間加熱する工程を備える、請求項44記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約15分間から約20分間加熱する工程を備える、請求項48記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 基板に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、基板上にスズ酸カドミウムを設置する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 基板に隣接するように透明導電性酸化物層の配置する工程が、基板上にインジウムをドープした酸化カドミウムを設置する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 基板に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、基板上にスズをドープした酸化インジウムを設置する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程が、透明導電性酸化物層に隣接するように硫化カドミウムを設置する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 基板に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、ガラス上に透明導電性酸化物層をスパッタリングして、層状構造を形成する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに層状構造をアニーリングする工程を備える、請求項54記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 層状構造をアニーリングする工程が、減圧下で層状構造を加熱する工程を備える、請求項55記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 層状構造をアニーリングする工程が、層状構造を約400℃から約800℃で加熱する工程を備える、請求項55記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 層状構造をアニーリングする工程が、層状構造を約500℃から約700℃で加熱する工程を備える、請求項57記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 層状構造をアニーリングする工程が、層状構造を約10分間から約25分間加熱する工程を備える、請求項55記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 層状構造をアニーリングする工程が、層状構造を約15分間から約20分間加熱する工程を備える、請求項59記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 障壁層に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、二酸化ケイ素層上に透明導電性酸化物層をスパッタリングして、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 障壁層に隣接するように透明導電性酸化物層を配置する工程が、窒化ケイ素層上に透明導電性酸化物層をスパッタリングして、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項41記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程を備える、請求項61または62に記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、減圧下で透明導電性酸化物スタックを加熱する工程を備える、請求項63記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックのアニーリング工程が、透明導電性酸化物スタックを約400℃から約800℃で加熱する工程を備える、請求項63記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックのアニーリング工程が、透明導電性酸化物スタックを約500℃から約700℃で加熱する工程を備える、請求項65記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックのアニーリング工程が、透明導電性酸化物スタックを約10分間から約25分間加熱する工程を備える、請求項63記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックのアニーリング工程が、透明導電性酸化物スタックを約15分間から約20分間加熱する工程を備える、請求項67記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程が、透明導電性酸化物層上にスズ酸亜鉛をスパッタリングして、透明電導性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項42記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように最上層を配置する工程が、透明導電性酸化物層上に酸化スズをスパッタリングして、透明導電性酸化物スタックを形成する工程を備える、請求項42記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程を備える、請求項69または70に記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、減圧下で透明導電性酸化物スタックを加熱する工程を備える、請求項71記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約400℃から約800℃で加熱する工程を備える、請求項71記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約500℃から約700℃で加熱する工程を備える、請求項73記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約10分間から約25分間加熱する工程を備える、請求項71記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物スタックをアニーリングする工程が、透明導電性酸化物スタックを約15分間から約20分間加熱する工程を備える、請求項75記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 透明導電性酸化物層に隣接するように半導体のウインドウ層を配置する工程が、蒸着工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 半導体のウインドウ層に隣接するように配向性半導体の吸収層を配置する工程が、蒸着工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 半導体のウインドウ層に隣接するように配向性半導体の吸収層を配置する工程が、基板上にテルル化カドミウムを設置する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 配向性半導体の吸収層を配置する工程が、結晶性の半導体の吸収層を好ましい配向性となるように配向させる工程を備える、請求項40または79に記載の太陽光発電装置の製造方法。
- 配向性半導体の吸収層の結晶の約65%から約75%が、層の配置面に対して好ましい配向性を有する、請求項80記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに配向半導体の吸収層に隣接するように背面接触部を配置する工程を備える、請求項40記載の太陽光発電装置の製造方法。
- さらに背面接触部に隣接するように背面支持部を配置する工程を備える、請求項82記載の太陽光発電装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14827609P | 2009-01-29 | 2009-01-29 | |
US61/148,276 | 2009-01-29 | ||
PCT/US2010/021052 WO2010088059A1 (en) | 2009-01-29 | 2010-01-14 | Photovoltaic device with improved crystal orientation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012516573A true JP2012516573A (ja) | 2012-07-19 |
JP2012516573A5 JP2012516573A5 (ja) | 2014-03-27 |
Family
ID=42353175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011548032A Pending JP2012516573A (ja) | 2009-01-29 | 2010-01-14 | 改良された結晶配向性を有する太陽光発電装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100186815A1 (ja) |
EP (1) | EP2392025B1 (ja) |
JP (1) | JP2012516573A (ja) |
KR (1) | KR20110107402A (ja) |
CN (1) | CN102365707B (ja) |
AU (1) | AU2010208530A1 (ja) |
TW (1) | TW201034207A (ja) |
WO (1) | WO2010088059A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018509766A (ja) * | 2015-03-12 | 2018-04-05 | ビトロ、エセ.ア.ベ. デ セ.ウベ. | 光電子素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210043743A (ko) | 2009-12-04 | 2021-04-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US20110240115A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Benyamin Buller | Doped buffer layer |
WO2011123528A2 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | First Solar, Inc | Photovoltaic device barrier layer |
WO2012021593A1 (en) * | 2010-08-13 | 2012-02-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device with oxide layer |
US20120042927A1 (en) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Chungho Lee | Photovoltaic device front contact |
WO2012040013A2 (en) * | 2010-09-22 | 2012-03-29 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device containing an n-type dopant source |
US8354586B2 (en) | 2010-10-01 | 2013-01-15 | Guardian Industries Corp. | Transparent conductor film stack with cadmium stannate, corresponding photovoltaic device, and method of making same |
TWI477643B (zh) * | 2011-09-20 | 2015-03-21 | Air Prod & Chem | 用於光伏打鈍化的含氧前驅物 |
US9034686B2 (en) * | 2012-06-29 | 2015-05-19 | First Solar, Inc. | Manufacturing methods for semiconductor devices |
US20140053895A1 (en) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Rosestreet Labs, Llc | Intentionally-doped cadmium oxide layer for solar cells |
US9698285B2 (en) | 2013-02-01 | 2017-07-04 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device including a P-N junction and method of manufacturing |
US11876140B2 (en) * | 2013-05-02 | 2024-01-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
CN104183663B (zh) | 2013-05-21 | 2017-04-12 | 第一太阳能马来西亚有限公司 | 光伏器件及其制备方法 |
US10062800B2 (en) | 2013-06-07 | 2018-08-28 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
US10672925B2 (en) * | 2013-06-14 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thin film solar cell and method of forming same |
US10529883B2 (en) | 2014-11-03 | 2020-01-07 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of manufacturing |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5234391A (en) * | 1975-09-12 | 1977-03-16 | Hitachi Ltd | Production method of transparent electrode film |
JPS63304520A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透明電極の製造方法 |
JPH03120763A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-22 | Ricoh Co Ltd | 光電変換素子 |
JPH10247625A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Matsushita Denchi Kogyo Kk | CdTe膜の形成方法とそれを用いた太陽電池 |
JP2000261013A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付きガラス基板 |
JP2000357810A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | テルル化カドミウム膜の製造方法および太陽電池 |
JP2001504281A (ja) * | 1996-11-18 | 2001-03-27 | ミッドウエスト リサーチ インスティチュート | 光起電力装置とその製造方法 |
JP2001118758A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Sony Corp | 半導体素子の製造方法 |
JP2001223376A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Midwest Research Inst | 多結晶半導体薄膜太陽電池の製造方法およびその方法で製造された太陽電池 |
JP2001237441A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
JP2002524882A (ja) * | 1998-09-08 | 2002-08-06 | ミッドウエスト リサーチ インスティチュート | 亜鉛スズ酸塩緩衝層を含む光電デバイスおよび製造方法 |
JP2008277805A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-11-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4442824C1 (de) * | 1994-12-01 | 1996-01-25 | Siemens Ag | Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht |
US6137048A (en) * | 1996-11-07 | 2000-10-24 | Midwest Research Institute | Process for fabricating polycrystalline semiconductor thin-film solar cells, and cells produced thereby |
US20050009228A1 (en) * | 2001-12-13 | 2005-01-13 | Xuanzhi Wu | Semiconductor device with higher oxygen (02) concentration within window layers and method for making |
US20070111367A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-17 | Basol Bulent M | Method and apparatus for converting precursor layers into photovoltaic absorbers |
US8389852B2 (en) * | 2006-02-22 | 2013-03-05 | Guardian Industries Corp. | Electrode structure for use in electronic device and method of making same |
US20090014055A1 (en) * | 2006-03-18 | 2009-01-15 | Solyndra, Inc. | Photovoltaic Modules Having a Filling Material |
CN101803033B (zh) * | 2008-05-01 | 2013-12-04 | 第一太阳能有限公司 | 含锡酸镉的透明导电材料 |
-
2009
- 2009-12-28 TW TW098145293A patent/TW201034207A/zh unknown
-
2010
- 2010-01-14 AU AU2010208530A patent/AU2010208530A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-14 KR KR1020117019848A patent/KR20110107402A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-14 US US12/687,697 patent/US20100186815A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-14 WO PCT/US2010/021052 patent/WO2010088059A1/en active Application Filing
- 2010-01-14 JP JP2011548032A patent/JP2012516573A/ja active Pending
- 2010-01-14 CN CN201080014178.1A patent/CN102365707B/zh active Active
- 2010-01-14 EP EP10736199.0A patent/EP2392025B1/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5234391A (en) * | 1975-09-12 | 1977-03-16 | Hitachi Ltd | Production method of transparent electrode film |
JPS63304520A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透明電極の製造方法 |
JPH03120763A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-22 | Ricoh Co Ltd | 光電変換素子 |
JP2001504281A (ja) * | 1996-11-18 | 2001-03-27 | ミッドウエスト リサーチ インスティチュート | 光起電力装置とその製造方法 |
JPH10247625A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Matsushita Denchi Kogyo Kk | CdTe膜の形成方法とそれを用いた太陽電池 |
JP2002524882A (ja) * | 1998-09-08 | 2002-08-06 | ミッドウエスト リサーチ インスティチュート | 亜鉛スズ酸塩緩衝層を含む光電デバイスおよび製造方法 |
JP2000261013A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付きガラス基板 |
JP2000357810A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | テルル化カドミウム膜の製造方法および太陽電池 |
JP2001118758A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Sony Corp | 半導体素子の製造方法 |
JP2001223376A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Midwest Research Inst | 多結晶半導体薄膜太陽電池の製造方法およびその方法で製造された太陽電池 |
JP2001237441A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
JP2008277805A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-11-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018509766A (ja) * | 2015-03-12 | 2018-04-05 | ビトロ、エセ.ア.ベ. デ セ.ウベ. | 光電子素子及びその製造方法 |
US10672920B2 (en) | 2015-03-12 | 2020-06-02 | Vitro Flat Glass Llc | Article with buffer layer |
US10672921B2 (en) | 2015-03-12 | 2020-06-02 | Vitro Flat Glass Llc | Article with transparent conductive layer and method of making the same |
US10680123B2 (en) | 2015-03-12 | 2020-06-09 | Vitro Flat Glass Llc | Article with transparent conductive oxide coating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2392025A4 (en) | 2012-07-11 |
US20100186815A1 (en) | 2010-07-29 |
CN102365707A (zh) | 2012-02-29 |
TW201034207A (en) | 2010-09-16 |
KR20110107402A (ko) | 2011-09-30 |
AU2010208530A1 (en) | 2011-08-18 |
WO2010088059A1 (en) | 2010-08-05 |
CN102365707B (zh) | 2015-02-04 |
EP2392025A1 (en) | 2011-12-07 |
EP2392025B1 (en) | 2013-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012516573A (ja) | 改良された結晶配向性を有する太陽光発電装置 | |
US10535791B2 (en) | 2-terminal metal halide semiconductor/C-silicon multijunction solar cell with tunnel junction | |
JP2012516573A5 (ja) | ||
KR101560174B1 (ko) | 광전 변환 장치 및 광전 변환 장치의 제작 방법 | |
US20110259395A1 (en) | Single Junction CIGS/CIS Solar Module | |
US20080251122A1 (en) | Three Dimensional Multi-Junction Photovoltaic Device | |
JP6096790B2 (ja) | 光電池のための導電性基材 | |
JP2009164544A (ja) | 太陽電池のパッシベーション層構造およびその製造方法 | |
KR101103330B1 (ko) | InP의 강제도핑에 의한 고농도 P 도핑 양자점 태양전지 및 제조방법 | |
JP2017526164A (ja) | 改良されたフロント接点ヘテロ接合処理 | |
CN101488529A (zh) | 太阳能电池的钝化层结构及其制造方法 | |
US20110088768A1 (en) | Method of annealing cadmium telluride photovoltaic device | |
US20140014169A1 (en) | Nanostring mats, multi-junction devices, and methods for making same | |
US8652871B2 (en) | Method for depositing an amorphous silicon film for photovoltaic devices with reduced light-induced degradation for improved stabilized performance | |
US20140166091A1 (en) | Photovoltaic device with double-junction | |
KR101643132B1 (ko) | 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법 | |
US9780237B2 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
CN117412616B (zh) | 一种含钙钛矿/TOPCon叠层电池的光伏组件及其制备方法 | |
US9000549B2 (en) | Spatially distributed CdS in thin film photovoltaic devices and their methods of manufacture | |
KR101866384B1 (ko) | 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법 | |
Gordon et al. | Toward Efficient Thin-Film Polycrystalline-Silicon Modules using Interdigitated Top Contacts | |
KR101447433B1 (ko) | 기판형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR20110132927A (ko) | 광전소자 및 그의 제조방법 | |
JP2011086961A (ja) | 光電変換装置 | |
KR20150132787A (ko) | 하이브리드 전면전극층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140729 |