CN102365707A - 具有改善的晶体取向的光伏装置 - Google Patents
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Abstract
一种光伏装置，包括具有改善的碲化镉取向的半导体吸收层。
Description
本申请要求于2009年1月29日提交的序列号为61/148,276号美国临时专利申请的优先权，该申请通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及光伏装置及生产的方法。
背景技术
光伏装置包括沉积在基底上的半导体材料，例如，具有用作窗口层的第一层和用作吸收层的第二层。半导体窗口层可以允许太阳辐射穿透至诸如碲化镉层的吸收层，吸收层将太阳能转换成电。光伏装置也可以包含一个或多个透明导电氧化物层，透明导电氧化物层通常也是电荷的导体。
附图说明
图1是具有多层的光伏装置的示意图。
图2是具有多层的光伏装置的示意图。
图3是具有多层的光伏装置的示意图。
图4是具有多层的光伏装置的示意图。
图5描述了具有多层的光伏装置的显微结构分析的结果。
具体实施方式
包含具有改善的晶体取向的碲化镉材料的光伏装置可以赋予光伏装置具有改善的载流子迁移率和提高的装置性能。
光伏装置可以包括与基底和半导体材料层相邻的透明导电氧化物层。半导体材料层可以包括双层，该双层可以包括n型半导体窗口层和p型半导体吸收层。n型窗口层和p型吸收层可以定位为彼此接触以产生电场。光子在接触n型窗口层时可以使电子-空穴对获得自由，将电子发送至n侧并将空穴发送至p侧。电子可以通过外部电流通路流回p侧。产生的电子流提供电流，该电流结合由电场产生的电压而产生电力。结果为光能转换成电能。
通过使用用于p型吸收层的具有改善取向的碲化镉层可以提高光伏装置的性能。改善取向的碲化镉可以获得更大的晶粒尺寸，更大的晶粒尺寸的结果是更高的载流子迁移率。
光伏装置可以包括位于基底和透明导电氧化物层之间的阻挡层以防止钠的扩散，钠的扩散在使用钠石灰玻璃基底时是常见的并可以导致装置的劣化和分层。该阻挡层可以是透明导电氧化物堆叠的部分。装置可以包括与透明导电氧化物层相邻的顶部缓冲层，顶部缓冲层也可以是透明导电氧化物堆叠的部分。装置可以包括与半导体双层相邻的背部接触。装置可以包括与背部接触相邻的背部支撑以保护光伏装置免受外部元件影响。
制造光伏装置的方法可以包括沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层和沉积与半导体窗口层相邻的半导体吸收层。为了实现提高的性能，可以将具有改善的晶体取向的碲化镉层用作半导体吸收层。为防止钠的扩散，该方法可以包括在透明导电氧化物层和基底之间沉积阻挡层以形成透明导电氧化物堆叠。可以将顶部缓冲层沉积成与透明导电氧化物层相邻以形成透明导电氧化物堆叠。该方法可以包括对透明导电氧化物堆叠退火。例如，可以在任何合适的温度范围内加热透明导电氧化物堆叠任何合适的时间。该方法可以包括沉积与半导体吸收层相邻的背部接触。该方法可以包括沉积与背部接触相邻的背部支撑以保护光伏装置免受外部元件影响。
光伏装置可以包括与基底相邻的透明导电氧化物层、与透明导电氧化物层相邻的半导体双层和与半导体双层相邻的背部接触。半导体双层可以包括与半导体窗口层相邻的半导体吸收层。半导体吸收层可以包括取向晶化的半导体吸收层。透明导电氧化物层可以包括锡酸镉、铟掺杂氧化镉或锡掺杂氧化铟。基底可以包括玻璃，所述玻璃可以包括钠石灰玻璃。
光伏装置可以包括位于基底和透明导电氧化物层之间的阻挡层。阻挡层可以包括二氧化硅或氮化硅。
光伏装置可以包括与透明导电氧化物层相邻的顶部层。光伏装置可以包括位于基底与透明导电氧化物层之间的阻挡层和与透明导电氧化物层相邻的顶部层二者。顶部层可以包含锡酸锌或氧化锡。半导体窗口层可以包含硫化镉。
光伏装置的取向晶化的半导体吸收层可以包括取向的碲化镉层。取向的碲化镉层可以具有优选的取向。取向的碲化镉层的大约65％至大约75％的晶体可以具有相对层的沉积平面的优选取向。光伏装置可以包括与背部接触相邻的背部支撑。
用于制造光伏装置的方法可以包括沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层和沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层。
该方法包括在沉积半导体窗口层之前沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层。透明导电氧化物层可以包括锡酸镉、铟掺杂氧化镉或锡掺杂氧化铟。沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层可以包括沉积硫化镉层。沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层可以包括向透明导电氧化物层上溅射锡酸锌或氧化锡以形成透明导电氧化物堆叠。该方法可以包括对透明导电氧化物堆叠退火。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括以大约400℃至大约800℃或以大约500℃至大约700℃对透明导电氧化物堆叠加热。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括加热透明导电氧化物堆叠大约10分钟至大约25分钟或大约15分钟至大约20分钟。
沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层可以包括传输气相。沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层可以包括传输气相。沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层可以包括将碲化镉层置于基底上。沉积取向半导体吸收层可以包括使晶化的半导体吸收层取向成优选取向。取向半导体吸收层的大约65％至大约75％的晶体可以具有相对于层的沉积平面的优选的取向。
所述方法可以包括沉积与取向半导体吸收层相邻的背部接触。所述方法可以包括设置与背部接触相邻的背部支撑。
所述方法可以包括沉积与基底相邻的透明导电氧化物层。所述方法可以包括在沉积与基底相邻的透明导电氧化物层之前沉积与阻挡层相邻的透明导电氧化物层。所述方法可以包括在沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层之前沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层。所述方法可以包括在沉积与基底相邻的透明导电氧化物层之前沉积与阻挡层相邻的透明导电氧化物层以及在沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层之前沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层以形成透明导电氧化物堆叠。该方法可以包括对透明导电氧化物堆叠退火。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括以大约400℃至大约800℃或以大约500℃至大约700℃加热透明导电氧化物堆叠。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括加热透明导电氧化物堆叠大约10分钟至大约25分钟或大约15分钟至大约20分钟。
沉积与基底相邻的透明导电氧化物层可以包括将锡酸镉、铟掺杂氧化镉或锡掺杂氧化铟置于基底上。沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层可以包括设置与透明导电氧化物层相邻的硫化镉层。沉积与基底相邻的透明导电氧化物层可以包括将透明导电氧化物层溅射到玻璃上以形成层结构。所述方法可以包括对层结构退火。对层结构退火可以包括在减小的压力下加热层结构。对层结构退火可以包括以大约400℃至大约800℃或以大约500℃至大约700℃加热层结构。对层结构退火可以包括加热层状结构大约10分钟至大约25分钟或大约15分钟至大约20分钟。
沉积与阻挡层相邻的透明导电氧化物层可以包括将透明导电氧化物层溅射到二氧化硅层或氮化硅层上以形成透明导电氧化物堆叠。所述方法可以包括对透明导电氧化物堆叠退火。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括以大约400℃至大约800℃或以大约500℃至大约700℃加热透明导电氧化物堆叠。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括加热透明导电氧化物堆叠大约10分钟至大约25分钟或大约15分钟至大约20分钟。
沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层可以包括将锡酸锌或氧化锡溅射到透明导电氧化物层上以形成透明导电氧化物堆叠。所述方法可以包括对透明导电氧化物堆叠退火。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括以大约400℃至大约800℃或以大约500℃至大约700℃加热透明导电氧化物堆叠。对透明导电氧化物堆叠退火可以包括加热透明导电氧化物堆叠大约10分钟至大约25分钟或大约15分钟至大约20分钟。
沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层可以包括传输气相。沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层可以包括传输气相。
沉积取向半导体吸收层包括将碲化镉层置于基底上。沉积取向半导体吸收层可以包括使晶化的半导体吸收层取向成优选的取向。取向半导体吸收层的大约65％至大约75％的晶体可以具有相对于层的沉积平面的优选取向。
所述方法可以包括沉积与取向半导体吸收层相邻的背部接触。所述方法可以包括沉积与背部接触相邻的背部支撑。
参照图1，光伏装置10可以包括被沉积成与基底100相邻的透明导电氧化物层120。可以将透明导电氧化物层120沉积在基底100上。可以将透明导电氧化物层120沉积在诸如阻挡层110的中间层上。基底100可以包括诸如钠石灰玻璃的玻璃。可以通过溅射或通过任何已知的材料沉积技术来沉积透明导电氧化物层120。透明导电氧化物层120可以包含包括锡酸镉、铟掺杂氧化镉或锡掺杂氧化铟在内的任何合适的透明导电氧化物材料。
继续参照图1，阻挡层110可以防止钠从钠石灰玻璃基底100扩散到透明导电氧化物层120中。可以通过包括溅射的任何已知的沉积技术来沉积阻挡层110，阻挡层110可以包含包括二氧化硅或氮化硅在内的任何合适的阻挡材料。可以将诸如缓冲层130的顶部层沉积成与透明导电氧化物层120相邻。缓冲层130可以提供与透明导电氧化物层120相邻的后续层沉积在其上的表面。可以通过包括溅射的任何已知的沉积技术来沉积缓冲层130，缓冲层130可以包含诸如锡酸锌或氧化锡的任何合适材料。透明导电氧化物层120可以形成透明导电氧化物堆叠140。阻挡层110和缓冲层130可以是透明导电氧化物堆叠140的部分。
参照图1和图2，可以对图1的透明导电氧化物堆叠140退火来形成退火透明导电氧化物堆叠200。退火可以发生在任何合适条件下。可以以任何合适压力对透明导电氧化物堆叠退火。可以在减小的压力下对透明导电氧化物堆叠140退火，减小的压力是诸如基本真空之类的比大气压力小的压力。可以以任何合适的温度或温度范围对透明导电氧化物堆叠140退火。例如，可以以大约400℃至大约800℃对透明导电氧化物堆叠140退火。可以以大约5()0℃至大约700℃对透明导电氧化物堆叠140退火。可以在选择的气体的存在下进行退火以控制退火的方面。可以对透明导电氧化物堆叠140退火任何合适的时间。可以对透明导电氧化物堆叠140退火大约10分钟至大约25分钟。可以对透明导电氧化物堆叠140退火大约15分钟至大约20分钟。对图1中的透明导电氧化物堆叠140退火可以提供图2中的退火透明导电氧化物堆叠140。
参照图3，可以将半导体双层300形成为与退火透明导电氧化物堆叠200相邻。半导体双层300可以形成在退火透明导电氧化物堆叠200上。半导体双层300可以包括半导体窗口层310和取向半导体吸收层320。可以将半导体双层300的半导体窗口层310沉积成与退火透明导电氧化物堆叠200相邻。半导体窗口层310可以包含诸如硫化镉的任何合适的窗口材料，并可以通过诸如气相传输沉积的任何合适的沉积方法形成。取向半导体吸收层320可以沉积成与半导体窗口层310相邻。取向半导体吸收层320可以沉积在半导体窗口层310上。取向半导体吸收层320可以是诸如碲化镉的任何合适的吸收材料，并可以通过诸如气相传输沉积的任何合适的方法形成。
光伏装置10中的取向半导体吸收层320可以具有包括大晶粒的取向结晶显微结构。取向半导体吸收层320可以具有优选取向。例如，优选取向的半导体吸收层320可以具有与任意取向相对的优选的取向，诸如平面内取向、与层的沉积平面垂直的取向或与生长平面垂直的取向。取向半导体吸收层320可以具有使取向半导体吸收层的晶体在层的沉积平面内取向的显微结构。取向半导体吸收层320的大约65％至大约75％的晶体可以具有相对于层的沉积平面的优选取向。获得的晶粒可以是大的。例如，晶粒可以具有大约1.4μm或更大的平均尺寸。晶粒可以具有大约1.8μm或更大的平均尺寸，例如，可以具有1.88μm的平均尺寸。
参照图4，可以将背部接触400沉积成与取向半导体吸收层320相邻。可以将背部接触400沉积成与半导体双层300相邻。背部接触400可以包含包括金属在内的任何合适的材料。可以将背部支撑410设置成与背部接触400相邻。
参照图5，将如上所述制造的两个光伏装置与已知的光伏装置结构进行比较。传统的装置包括形成在玻璃上的硫化镉-碲化镉的双层。第一实验装置包括根据本发明的透明导电氧化物堆叠，该透明导电氧化物堆叠包括氮化硅阻挡层、锡酸镉透明导电氧化物层和双层氧化锡缓冲层。硫化镉-碲化镉的双层形成在该透明导电氧化物堆叠上。第二实验装置包括根据本发明的透明导电氧化物堆叠，该透明导电氧化物堆叠包括氧化锡阻挡层、锡酸镉透明导电氧化物层和掺杂锡的氧化物缓冲层。硫化镉-碲化镉的双层形成在该透明导电氧化物堆叠上。
在两个实验装置中，通过在线溅射系统在室温下层层地沉积透明导电氧化物堆叠，然后在真空系统中在600℃左右退火大约17分钟。然后用硫化镉窗口层和碲化镉吸收层涂覆该堆叠。图5的取向图示出了实验装置的碲化镉晶体与传统试样的晶体(为具有任意取向的多晶)相比具有强的<111>取向。取向图还表明第一实验装置和第二实验装置的晶粒尺寸(分别为1.88μm和1.45μm)比传统试样的晶粒尺寸(1.39μm)大。图5中极图的图示出了对于实验装置沿<111>方向的强取向。
以上描述的实施例以举例说明和示例的方式提供。应该理解的是，以上提供的示例可以在某些方面进行改变，并仍然在权利要求的范围内。应该理解的是，虽然已参照以上的优选实施例描述了发明，但其他实施例仍在权利要求的范围内。
Claims (83)
1.一种光伏装置，所述光伏装置包括：
透明导电氧化物层，与基底相邻；
半导体双层，与透明导电氧化物层相邻，半导体双层包括与半导体窗口层相邻的半导体吸收层，其中，半导体吸收层包括取向晶化的半导体吸收层；
背部接触，与半导体双层相邻。
2.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包含锡酸镉。
3.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包含铟掺杂氧化镉。
4.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包含锡掺杂氧化铟。
5.如权利要求1所述的光伏装置，其中，基底包括玻璃。
6.如权利要求5所述的光伏装置，其中，玻璃包括钠石灰玻璃。
7.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述光伏装置还包括位于基底和透明导电氧化物层之间的阻挡层。
8.如权利要求7所述的光伏装置，其中，阻挡层包含二氧化硅。
9.如权利要求7所述的光伏装置，其中，阻挡层包含氮化硅。
10.如权利要求1所述的光伏装置，所述光伏装置还包括与透明导电氧化物层相邻的顶部层。
11.如权利要求7所述的光伏装置，所述光伏装置还包括与透明导电氧化物层相邻的顶部层。
12.如权利要求10所述的光伏装置，其中，顶部层包含锡酸锌。
13.如权利要求10所述的光伏装置，其中，顶部层包含氧化锡。
14.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体窗口层包含硫化镉。
15.如权利要求1所述的光伏装置，其中，取向晶化的半导体吸收层包括取向的碲化镉层。
16.如权利要求15所述的光伏装置，其中，取向的碲化镉层具有优选的取向。
17.如权利要求16所述的光伏装置，其中，取向的碲化镉层的大约65％至大约75％的晶体具有相对于层的沉积平面的优选取向。
18.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述光伏装置还包括与背部接触相邻的背部支撑。
19.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括以下步骤：
沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层；
沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层。
20.如权利要求19所述的方法，所述方法还包括在沉积半导体窗口层之前沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层。
21.如权利要求19所述的方法，其中，透明导电氧化物层包含锡酸镉。
22.如权利要求19所述的方法，其中，透明导电氧化物层包含铟掺杂的氧化镉。
23.如权利要求19所述的方法，其中，透明导电氧化物层包含锡掺杂的氧化铟。
24.如权利要求19所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层包括将硫化镉层置于基底上。
25.如权利要求20所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层包括向透明导电氧化物层上溅射锡酸锌以形成透明导电氧化物堆叠。
26.如权利要求20所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层包括向透明导电氧化物层上溅射氧化锡以形成透明导电氧化物堆叠。
27.如权利要求25或26所述的方法，所述方法还包括对透明导电氧化物堆叠退火。
28.如权利要求27所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。
29.如权利要求27所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括以大约400℃至大约800℃加热透明导电氧化物堆叠。
30.如权利要求29所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括以大约500℃至大约700℃加热透明导电氧化物堆叠。
31.如权利要求27所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括加热透明导电氧化物堆叠大约10分钟至大约25分钟。
32.如权利要求31所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括加热透明导电氧化物堆叠大约15分钟至大约20分钟。
33.如权利要求19所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层包括传输气相。
34.如权利要求19所述的方法，其中，所述沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层包括传输气相。
35.如权利要求19所述的方法，其中，所述沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层包括将碲化镉层置于基底上。
36.如权利要求19或35所述的方法，其中，所述沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层包括使晶化的半导体吸收层取向成优选的取向。
37.如权利要求19或35所述的方法，其中，取向的半导体吸收层的大约65％至大约75％的晶体具有相对于层的沉积平面的优选取向。
38.如权利要求19所述的方法，所述方法还包括沉积与取向半导体吸收层相邻的背部接触。
39.如权利要求38所述的方法，所述方法还包括设置与背部接触相邻的背部支撑。
40.如权利要求19所述的方法，所述方法还包括沉积与基底相邻的透明导电氧化物层。
41.如权利要求40所述的方法，所述方法还包括在设置与基底相邻的透明导电氧化物层之前沉积与阻挡层相邻的透明导电氧化物层。
42.如权利要求40所述的方法，所述方法还包括在沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层之前沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层。
43.如权利要求41所述的方法，所述方法还包括在沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层之前，沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层来形成透明导电氧化物堆叠。
44.如权利要求43所述的方法，所述方法还包括对透明导电氧化物堆叠退火。
45.如权利要求44所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。
46.如权利要求44所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括以大约400℃至大约800℃加热透明导电氧化物堆叠。
47.如权利要求46所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括以大约500℃至大约700℃加热透明导电氧化物堆叠。
48.如权利要求44所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括加热透明导电氧化物堆叠大约10分钟至大约25分钟。
49.如权利要求48所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括加热透明导电氧化物堆叠大约15分钟至大约20分钟。
50.如权利要求40所述的方法，其中，所述沉积与基底相邻的透明导电氧化物层包括将锡酸镉置于基底上。
51.如权利要求40所述的方法，其中，所述沉积与基底相邻的透明导电氧化物层包括将掺杂铟的氧化镉置于基底上。
52.如权利要求40所述的方法，其中，所述沉积与基底相邻的透明导电氧化物层包括将掺杂锡的氧化铟置于基底上。
53.如权利要求40所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层包括设置硫化镉层与透明导电氧化物层相邻。
54.如权利要求40所述的方法，其中，所述沉积与基底相邻的透明导电氧化物层包括将透明导电氧化物层溅射到玻璃上以形成层结构。
55.如权利要求54所述的方法，所述方法还包括对所述层结构退火。
56.如权利要求55所述的方法，其中，所述对所述层结构退火包括在减小的压力下加热所述层结构。
57.如权利要求55所述的方法，其中，所述对所述层结构退火包括以大约400℃至大约800℃加热所述层结构。
58.如权利要求57所述的方法，其中，所述对所述层结构退火包括以大约500℃至大约700℃加热所述层结构。
59.如权利要求55所述的方法，其中，所述对所述层结构退火包括加热所述层结构大约10分钟至大约25分钟。
60.如权利要求59所述的方法，其中，所述对所述层结构退火包括加热所述层结构大约15分钟至大约20分钟。
61.如权利要求41所述的方法，其中，所述沉积与所述阻挡层相邻的透明导电氧化物层包括将透明导电氧化物层溅射到二氧化硅层上以形成透明导电氧化物堆叠。
62.如权利要求41所述的方法，其中，所述沉积与所述阻挡层相邻的透明导电氧化物层包括将透明导电氧化物层溅射到氮化硅层上以形成透明导电氧化物堆叠。
63.如权利要求61或62所述的方法，所述方法还包括对透明导电氧化物堆叠退火。
64.如权利要去63所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。
65.如权利要求63所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括以大约400℃至大约800℃加热透明导电氧化物堆叠。
66.如权利要求65所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括以大约500℃至大约700℃加热透明导电氧化物堆叠。
67.如权利要求63所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括加热透明导电氧化物堆叠大约10分钟至大约25分钟。
68.如权利要求67所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括加热透明导电氧化物堆叠大约15分钟至大约20分钟。
69.如权利要求42所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层包括将锡酸锌溅射到透明导电氧化物层上以形成透明导电氧化物堆叠。
70.如权利要求42所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层包括将氧化锡溅射到透明导电氧化物层上以形成透明导电氧化物堆叠。
71.如权利要求69或70所述的方法，所述方法还包括对透明导电氧化物堆叠退火。
72.如权利要去71所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。
73.如权利要求71所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括以大约400℃至大约800℃加热透明导电氧化物堆叠。
74.如权利要求73所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括以大约500℃至大约700℃加热透明导电氧化物堆叠。
75.如权利要求71所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括加热透明导电氧化物堆叠大约10分钟至大约25分钟。
76.如权利要求75所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火包括加热透明导电氧化物堆叠大约15分钟至大约20分钟。
77.如权利要求40所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层包括传输气相。
78.如权利要求40所述的方法，其中，所述沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层包括传输气相。
79.如权利要求40所述的方法，其中，所述沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层包括将碲化镉层置于基底上。
80.如权利要求40或79所述的方法，其中，所述沉积取向半导体吸收层包括使晶化的半导体吸收层取向成优选的取向。
81.如权利要求80所述的方法，其中，取向半导体吸收层的大约65％至大约75％的晶体具有相对于层的沉积平面的优选取向。
82.如权利要求40所述的方法，所述方法还包括沉积与取向半导体吸收层相邻的背部接触。
83.如权利要求82所述的方法，所述方法还包括沉积与背部接触相邻的背部支撑。
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