JP2018502936A5 - - Google Patents

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図1a〜1cは、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)の比率が1.2〜0.8であり、中性層に対し垂直に配向している、該新規ブロックコポリマーの自己整列プロセスを示す。 図2a〜2iは、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)の比率が1.2〜0.8であり、中性層に対し垂直に配向している、該新規ブロックコポリマーのネガトーンライン増加プロセスを示す。 図3a〜3gは、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)の比率が1.2〜0.8であり、中性層に対し垂直に配向している、該新規ブロックコポリマーのポジトーン増加プロセスを示す。 図4a〜4dは、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)の比率が1.2〜0.8であり、中性層に対し垂直に配向している、該新規ブロックコポリマーのためのコンタクトホール増加プロセスを示す。 図5a〜5eは、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)の比率が5.3〜8であり、基材に対し並行に配向している、該新規ブロックコポリマーのためのシリンダグラフォエピタキシ増加プロセスを示す。 図5f〜5gは、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)の比率が5.3〜8であり、基材に対し並行に配向している、該新規ブロックコポリマーのためのシリンダグラフォエピタキシ増加プロセスを示す。
本発明の他の観点の一つでは、上記の該新規ブロックコポリマー調合物を使用するパターン化に有用な誘導自己集合のための一般的な方法は、ステップi)〜iv)を含み、更に、該新規ブロックコポリマー中の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比が5.3〜8の間である。しかし、この例では、シリンダ状ミクロドメインを含むミクロ相分離ドメインが基材に対して平行に配向している配向したブロックコポリマー集合体が調製される、というのもシリコンが豊富なドメインが優先的に基材と結合するからである。基材表面に対して並行に配向したシリンジ状ドメインを有するこれらのミクロ相分離ドメインは、ブロックコポリマーの自己集合の間に並行なライン/スペースパターンを供する。こうして配向したドメインは、後の加工条件下に熱的に安定している。そのため、ベーク及び/またはアニールも含んで該新規ブロックコポリマー及び集合体の層をコーティングした後に、ブロックコポリマーのドメインは、中性表面上に形成しかつそれに対し並行に留まり、そうして基材表面上に高エッチング耐性領域と高エッチング性領域とを与え、これを、更に基材層中にパターン転写することができる。誘導自己組織化ブロックコポリマーパターンは、既知の技術を用いて下にある基材中に転写される。一つの例では、湿式エッチングまたはプラズマエッチングを、任意にUV露光と組み合わせて、使用し得る。湿式エッチングは酢酸を用いたものであることができる。標準的なプラズマエッチングプロセス、例えば酸素を含むプラズマを使用してよく;追加的に、アルゴン、一酸化炭素、二酸化炭素、CF、CHFもプラズマ中に存在してよい。図5に示されるようなグラフォエピタキシ法の具体例の一つは、レジストによって予め形成されたパターンであって、レジストパターン表面がヒドロキシ末端ポリスチレンで処理されてポリマーブラシ表面を形成しているパターンを有することによって、ライン及びスペースを描画するのに使用し得る。
例2 PS−b−PAMA(ポリ(スチレン−ブロック−アリルメタクリレート))の製造
上記で調製した12gのPS−b−PMAAを、磁石棒を含む250mlフラスコ中で、110gの1,4−ジオキサン及び36gのTHF中に溶解した。この溶液に、30gのメタノール中に溶解した6gのテトラメチルアンモニウム5水和物を加えた。混合物を7時間室温で攪拌した後、13gのヨウ化アリルを加えた。この反応混合物を2日間室温で攪拌した。生じたヨウ化テトラメチルアンモニウムを濾別した。この濾液を攪拌しながらメタノール中に注ぎ入れた。生じたポリマーを濾過して単離し、そしてメタノールで徹底的に洗浄した。真空中で乾燥した後、11.2gのPS−b−PAMAが得られた。このポリマーは、34484g/モルのMw、33091g/モルのMn及び1.04のPDIを有していた。
例3 シリコン含有ブロックコポリマーであるポリ(スチレン−ブロック−3−(トリス(トリメチルシリル)シリル)プロピルメタクリレート)(SiBCP)の製造
上述のように調製した2.3gのPS−b−PAMAをトルエン中に溶解して、10重量%の溶液を調製した。トルエン中5重量%のドデカンチオール3.25g及びトリス(トリメチルシリル)シラン11.6gを加えた。氷浴中で混合物を0℃に冷却した後に、ヘキサン中1Mのトリエチルボラン3.2gを、2時間かけて少しづつ加えた。添加後、氷浴を取り除き、反応混合物を室温で一晩攪拌した。この混合物を攪拌しながらメタノール中に注ぎ入れた。生じたポリマーを濾過して単離しそしてメタノールで徹底的に洗浄した。このポリマーをTHF中に溶解し、そしてDI水中に析出することによって精製した。最後に、ポリマーを、重量が一定となるまで、50℃の減圧炉中で乾燥した。2.5gのSiBCPが得られた。このポリマーは、38032g/モルのMw、36280g/モルのMn及び1.04のPDIを有していた。

Claims (21)

  1. i)構造(1)の繰り返し単位及び構造(2)の繰り返し単位を含むブロックコポリマー;ここでRは水素またはC〜Cアルキルであり、Rは、水素、C〜Cアルキル、C〜Cアルコキシ及びハライドから選ばれるから選択され、Rは、水素、C〜Cアルキル及びC〜Cフルオロアルキルから選ばれるから選択され、そしてR、R、R、R、R、R、R10、R11、及びR12は独立してC〜Cアルキルから選択され、そしてnは1〜6である、及び
    Figure 2018502936
    ii)溶剤
    を含む、誘導自己集合に使用される組成物。
  2. ブロックコポリマーが、1.2〜0.8の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項1に記載の組成物。
  3. が水素であり、R が水素またはC 〜C アルキルであり、R がC 〜C アルキルまたはC 〜C フルオロアルキルであり、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 10 、R 11 、及びR 12 がそれぞれメチルであり、そしてnが2〜6である、請求項1または2に記載の組成物。
  4. が水素であり、Rが水素であり、RがC〜Cアルキルであり、そしてR、R、R、R、R、R、R10、R11及びR12がそれぞれメチルであり、そしてnは2〜6である、請求項1〜3のいずれか一つに記載の組成物。
  5. が水素であり、R が水素であり、R がメチルであり、そしてR 、R 、R 、R 、R 、R 、R 10 、R 11 及びR 12 がそれぞれメチルであり、そしてnが3である、請求項1〜4のいずれか一つに記載の組成物。
  6. ブロックコポリマーが、5.3〜8.0の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項1〜のいずれか一つに記載の組成物。
  7. ブロックコポリマーが、7.3〜6.0の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項1〜6のいずれか一つに記載の組成物。
  8. 溶剤中でのブロックコポリマーの濃度が全組成物の0.5〜5重量%である、請求項1〜のいずれか一つに記載の組成物。
  9. 溶剤が、1,2−プロパンジオールC〜CアルキルエーテルC〜Cアルキルカルボキシレート、C〜CアルキルC〜Cアルキルカルボキシレート及びこれらの混合物から選ばれるから選択される、請求項1〜のいずれか一つに記載の組成物。
  10. 誘導自己集合パターン化のための方法であって、
    i)請求項1〜のいずれか一つに記載のブロックコポリマー組成物を基材上にコーティングしブロックコポリマーフィルムを形成するステップ;
    ii)ブロックコポリマーフィルムにフローベークを施用するステップ;
    iii)アニールベークを施用して、ブロックコポリマーの自己集合化を起こすステップ;及び
    iv)自己集合したポリマー構造を現像してパターンアレイを形成するステップ、
    を含む、前記方法。
  11. ステップiv)において、現像が、酸素含有プラズマを用いた乾式プラズマエッチングによって行われる、請求項10に記載の方法。
  12. ステップii)において、フローベークが100℃〜160℃の範囲である、請求項10または11に記載の方法。
  13. ステップiii)において、アニールベークが150℃〜200℃の範囲でありかつ空気中で行われる、請求項10〜12のいずれか一つに記載の方法。
  14. ステップiii)において、アニールベークが150℃〜250℃の範囲でありかつ窒素中で行われる、請求項10〜13のいずれか一つに記載の方法。
  15. 繰り返し単位(1)及び繰り返し単位(2)を含み、Rが水素またはC〜Cアルキルであり、Rが水素、C〜Cアルキル、C〜Cアルコキシ及びハライドから選ばれるから選択され、Rが水素、C〜Cアルキル及びC〜Cフルオロアルキルから選ばれるから選択され、そしてR、R、R、R、R、R、R10、R11及びR12が独立してC〜Cアルキルから選択され、そしてnが1〜6である、ブロックコポリマー。
    Figure 2018502936
  16. 5.3〜8.0の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項15に記載のブロックコポリマー。
  17. 7.3〜6.0の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項15または16に記載のブロックコポリマー。
  18. が水素であり、Rが水素またはC〜Cアルキルであり、RがC〜CアルキルまたはC〜Cフルオロアルキルであり、そしてR、R、R、R、R、R、R10、R11及びR12がそれぞれメチルであり、そしてnが2〜6である、請求項15〜17のいずれか一つに記載のブロックコポリマー。
  19. 1.2〜0.8の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項15〜18のいずれか一つに記載のブロックコポリマー。
  20. が水素であり、R が水素またはC 〜C アルキルであり、R がC 〜C アルキルまたはC 〜C フルオロアルキルであり、R 、R 、R 、R 、R 、R 、R 10 、R 11 、及びR 12 がそれぞれメチルであり、そしてnが3〜6である、請求項15〜19のいずれか一つに記載のブロックコポリマー。
  21. i)構造(1)の繰り返し単位及び構造(2)の繰り返し単位を含むブロックコポリマー;ここでR は水素またはC 〜C アルキルであり、R は、水素、C 〜C アルキル、C 〜C アルコキシ及びハライドから選ばれる群から選択され、R は、水素、C 〜C アルキル及びC 〜C フルオロアルキルから選ばれる群から選択され、そしてR 、R 、R 、R 、R 、R 、R 10 、R 11 、及びR 12 は独立してC 〜C アルキルから選択され、そしてnは3〜6である、及び
    Figure 2018502936
    ii)溶剤
    を含む、誘導自己集合に使用される組成物。
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