JP2018502936A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018502936A5 JP2018502936A5 JP2017523324A JP2017523324A JP2018502936A5 JP 2018502936 A5 JP2018502936 A5 JP 2018502936A5 JP 2017523324 A JP2017523324 A JP 2017523324A JP 2017523324 A JP2017523324 A JP 2017523324A JP 2018502936 A5 JP2018502936 A5 JP 2018502936A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkyl
- hydrogen
- block copolymer
- repeating unit
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims description 6
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 9
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims 3
- 125000005599 alkyl carboxylate group Chemical group 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (-)-propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 claims 1
- 229960004063 Propylene glycol Drugs 0.000 claims 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 claims 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000001264 neutralization Effects 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFEHLDPGIKPNKL-UHFFFAOYSA-N Allyl iodide Chemical compound ICC=C HFEHLDPGIKPNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N Triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000008079 hexane Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXMRGBVLCSYIBO-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;iodide Chemical compound [I-].C[N+](C)(C)C RXMRGBVLCSYIBO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OAEZRJNGCVFHCM-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.C[N+](C)(C)C OAEZRJNGCVFHCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SCHZCUMIENIQMY-UHFFFAOYSA-N tris(trimethylsilyl)silicon Chemical compound C[Si](C)(C)[Si]([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C SCHZCUMIENIQMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
本発明の他の観点の一つでは、上記の該新規ブロックコポリマー調合物を使用するパターン化に有用な誘導自己集合のための一般的な方法は、ステップi)〜iv)を含み、更に、該新規ブロックコポリマー中の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比が5.3〜8の間である。しかし、この例では、シリンダ状ミクロドメインを含むミクロ相分離ドメインが基材に対して平行に配向している配向したブロックコポリマー集合体が調製される、というのもシリコンが豊富なドメインが優先的に基材と結合するからである。基材表面に対して並行に配向したシリンジ状ドメインを有するこれらのミクロ相分離ドメインは、ブロックコポリマーの自己集合の間に並行なライン/スペースパターンを供する。こうして配向したドメインは、後の加工条件下に熱的に安定している。そのため、ベーク及び/またはアニールも含んで該新規ブロックコポリマー及び集合体の層をコーティングした後に、ブロックコポリマーのドメインは、中性表面上に形成しかつそれに対し並行に留まり、そうして基材表面上に高エッチング耐性領域と高エッチング性領域とを与え、これを、更に基材層中にパターン転写することができる。誘導自己組織化ブロックコポリマーパターンは、既知の技術を用いて下にある基材中に転写される。一つの例では、湿式エッチングまたはプラズマエッチングを、任意にUV露光と組み合わせて、使用し得る。湿式エッチングは酢酸を用いたものであることができる。標準的なプラズマエッチングプロセス、例えば酸素を含むプラズマを使用してよく;追加的に、アルゴン、一酸化炭素、二酸化炭素、CF4、CHF3もプラズマ中に存在してよい。図5に示されるようなグラフォエピタキシ法の具体例の一つは、レジストによって予め形成されたパターンであって、レジストパターン表面がヒドロキシ末端ポリスチレンで処理されてポリマーブラシ表面を形成しているパターンを有することによって、ライン及びスペースを描画するのに使用し得る。
例2 PS−b−PAMA(ポリ(スチレン−ブロック−アリルメタクリレート))の製造
上記で調製した12gのPS−b−PMAAを、磁石棒を含む250mlフラスコ中で、110gの1,4−ジオキサン及び36gのTHF中に溶解した。この溶液に、30gのメタノール中に溶解した6gのテトラメチルアンモニウム5水和物を加えた。混合物を7時間室温で攪拌した後、13gのヨウ化アリルを加えた。この反応混合物を2日間室温で攪拌した。生じたヨウ化テトラメチルアンモニウムを濾別した。この濾液を攪拌しながらメタノール中に注ぎ入れた。生じたポリマーを濾過して単離し、そしてメタノールで徹底的に洗浄した。真空中で乾燥した後、11.2gのPS−b−PAMAが得られた。このポリマーは、34484g/モルのMw、33091g/モルのMn及び1.04のPDIを有していた。
上記で調製した12gのPS−b−PMAAを、磁石棒を含む250mlフラスコ中で、110gの1,4−ジオキサン及び36gのTHF中に溶解した。この溶液に、30gのメタノール中に溶解した6gのテトラメチルアンモニウム5水和物を加えた。混合物を7時間室温で攪拌した後、13gのヨウ化アリルを加えた。この反応混合物を2日間室温で攪拌した。生じたヨウ化テトラメチルアンモニウムを濾別した。この濾液を攪拌しながらメタノール中に注ぎ入れた。生じたポリマーを濾過して単離し、そしてメタノールで徹底的に洗浄した。真空中で乾燥した後、11.2gのPS−b−PAMAが得られた。このポリマーは、34484g/モルのMw、33091g/モルのMn及び1.04のPDIを有していた。
例3 シリコン含有ブロックコポリマーであるポリ(スチレン−ブロック−3−(トリス(トリメチルシリル)シリル)プロピルメタクリレート)(SiBCP)の製造
上述のように調製した2.3gのPS−b−PAMAをトルエン中に溶解して、10重量%の溶液を調製した。トルエン中5重量%のドデカンチオール3.25g及びトリス(トリメチルシリル)シラン11.6gを加えた。氷浴中で混合物を0℃に冷却した後に、ヘキサン中1Mのトリエチルボラン3.2gを、2時間かけて少しづつ加えた。添加後、氷浴を取り除き、反応混合物を室温で一晩攪拌した。この混合物を攪拌しながらメタノール中に注ぎ入れた。生じたポリマーを濾過して単離しそしてメタノールで徹底的に洗浄した。このポリマーをTHF中に溶解し、そしてDI水中に析出することによって精製した。最後に、ポリマーを、重量が一定となるまで、50℃の減圧炉中で乾燥した。2.5gのSiBCPが得られた。このポリマーは、38032g/モルのMw、36280g/モルのMn及び1.04のPDIを有していた。
上述のように調製した2.3gのPS−b−PAMAをトルエン中に溶解して、10重量%の溶液を調製した。トルエン中5重量%のドデカンチオール3.25g及びトリス(トリメチルシリル)シラン11.6gを加えた。氷浴中で混合物を0℃に冷却した後に、ヘキサン中1Mのトリエチルボラン3.2gを、2時間かけて少しづつ加えた。添加後、氷浴を取り除き、反応混合物を室温で一晩攪拌した。この混合物を攪拌しながらメタノール中に注ぎ入れた。生じたポリマーを濾過して単離しそしてメタノールで徹底的に洗浄した。このポリマーをTHF中に溶解し、そしてDI水中に析出することによって精製した。最後に、ポリマーを、重量が一定となるまで、50℃の減圧炉中で乾燥した。2.5gのSiBCPが得られた。このポリマーは、38032g/モルのMw、36280g/モルのMn及び1.04のPDIを有していた。
Claims (21)
- ブロックコポリマーが、1.2〜0.8の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項1に記載の組成物。
- R 1 が水素であり、R 2 が水素またはC 1 〜C 4 アルキルであり、R 3 がC 1 〜C 4 アルキルまたはC 1 〜C 4 フルオロアルキルであり、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 、R 8 、R 9 、R 10 、R 11 、及びR 12 がそれぞれメチルであり、そしてnが2〜6である、請求項1または2に記載の組成物。
- R1が水素であり、R2が水素であり、R3がC1〜C4アルキルであり、そしてR4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12がそれぞれメチルであり、そしてnは2〜6である、請求項1〜3のいずれか一つに記載の組成物。
- R 1 が水素であり、R 2 が水素であり、R 3 がメチルであり、そしてR 4 、R 5 、R 6 、R 7 、R 8 、R 9 、R 10 、R 11 及びR 12 がそれぞれメチルであり、そしてnが3である、請求項1〜4のいずれか一つに記載の組成物。
- ブロックコポリマーが、5.3〜8.0の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項1〜5のいずれか一つに記載の組成物。
- ブロックコポリマーが、7.3〜6.0の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項1〜6のいずれか一つに記載の組成物。
- 溶剤中でのブロックコポリマーの濃度が全組成物の0.5〜5重量%である、請求項1〜7のいずれか一つに記載の組成物。
- 溶剤が、1,2−プロパンジオールC1〜C4アルキルエーテルC1〜C4アルキルカルボキシレート、C1〜C4アルキルC1〜C4アルキルカルボキシレート及びこれらの混合物から選ばれる群から選択される、請求項1〜8のいずれか一つに記載の組成物。
- 誘導自己集合パターン化のための方法であって、
i)請求項1〜9のいずれか一つに記載のブロックコポリマー組成物を基材上にコーティングしブロックコポリマーフィルムを形成するステップ;
ii)ブロックコポリマーフィルムにフローベークを施用するステップ;
iii)アニールベークを施用して、ブロックコポリマーの自己集合化を起こすステップ;及び
iv)自己集合したポリマー構造を現像してパターンアレイを形成するステップ、
を含む、前記方法。 - ステップiv)において、現像が、酸素含有プラズマを用いた乾式プラズマエッチングによって行われる、請求項10に記載の方法。
- ステップii)において、フローベークが100℃〜160℃の範囲である、請求項10または11に記載の方法。
- ステップiii)において、アニールベークが150℃〜200℃の範囲でありかつ空気中で行われる、請求項10〜12のいずれか一つに記載の方法。
- ステップiii)において、アニールベークが150℃〜250℃の範囲でありかつ窒素中で行われる、請求項10〜13のいずれか一つに記載の方法。
- 5.3〜8.0の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項15に記載のブロックコポリマー。
- 7.3〜6.0の範囲の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項15または16に記載のブロックコポリマー。
- R1が水素であり、R2が水素またはC1〜C4アルキルであり、R3がC1〜C4アルキルまたはC1〜C4フルオロアルキルであり、そしてR4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12がそれぞれメチルであり、そしてnが2〜6である、請求項15〜17のいずれか一つに記載のブロックコポリマー。
- 1.2〜0.8の、繰り返し単位(2)に対する繰り返し単位(1)のモル比を有する、請求項15〜18のいずれか一つに記載のブロックコポリマー。
- R 1 が水素であり、R 2 が水素またはC 1 〜C 4 アルキルであり、R 3 がC 1 〜C 4 アルキルまたはC 1 〜C 4 フルオロアルキルであり、R 4 、R 5 、R 6 、R 7 、R 8 、R 9 、R 10 、R 11 、及びR 12 がそれぞれメチルであり、そしてnが3〜6である、請求項15〜19のいずれか一つに記載のブロックコポリマー。
- i)構造(1)の繰り返し単位及び構造(2)の繰り返し単位を含むブロックコポリマー;ここでR 1 は水素またはC 1 〜C 4 アルキルであり、R 2 は、水素、C 1 〜C 4 アルキル、C 1 〜C 4 アルコキシ及びハライドから選ばれる群から選択され、R 3 は、水素、C 1 〜C 4 アルキル及びC 1 〜C 4 フルオロアルキルから選ばれる群から選択され、そしてR 4 、R 5 、R 6 、R 7 、R 8 、R 9 、R 10 、R 11 、及びR 12 は独立してC 1 〜C 4 アルキルから選択され、そしてnは3〜6である、及び
を含む、誘導自己集合に使用される組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/527,939 | 2014-10-30 | ||
US14/527,939 US9505945B2 (en) | 2014-10-30 | 2014-10-30 | Silicon containing block copolymers for direct self-assembly application |
PCT/EP2015/074980 WO2016066684A1 (en) | 2014-10-30 | 2015-10-28 | Silicon containing block copolymers for direct self-assembly application |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019192457A Division JP6810782B2 (ja) | 2014-10-30 | 2019-10-23 | 誘導自己集合体施与のためのケイ素含有ブロックコポリマー |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018502936A JP2018502936A (ja) | 2018-02-01 |
JP2018502936A5 true JP2018502936A5 (ja) | 2018-11-01 |
JP6782695B2 JP6782695B2 (ja) | 2020-11-11 |
Family
ID=54541022
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017523324A Active JP6782695B2 (ja) | 2014-10-30 | 2015-10-28 | 誘導自己集合体施与のためのケイ素含有ブロックコポリマー |
JP2019192457A Active JP6810782B2 (ja) | 2014-10-30 | 2019-10-23 | 誘導自己集合体施与のためのケイ素含有ブロックコポリマー |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019192457A Active JP6810782B2 (ja) | 2014-10-30 | 2019-10-23 | 誘導自己集合体施与のためのケイ素含有ブロックコポリマー |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9505945B2 (ja) |
EP (1) | EP3212714B1 (ja) |
JP (2) | JP6782695B2 (ja) |
KR (1) | KR102226229B1 (ja) |
CN (1) | CN107075057B (ja) |
IL (1) | IL250995A0 (ja) |
SG (1) | SG11201701937RA (ja) |
TW (1) | TWI677526B (ja) |
WO (1) | WO2016066684A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9738765B2 (en) * | 2015-02-19 | 2017-08-22 | International Business Machines Corporation | Hybrid topographical and chemical pre-patterns for directed self-assembly of block copolymers |
KR102096272B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2020-04-02 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
US11155666B2 (en) * | 2016-11-30 | 2021-10-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
KR102353786B1 (ko) | 2016-12-21 | 2022-01-19 | 리지필드 액퀴지션 | 블록 공중합체의 자기-조립을 위한 신규한 조성물 및 방법 |
JP7076701B2 (ja) * | 2018-03-05 | 2022-05-30 | 東京応化工業株式会社 | ブロック共重合体及びその製造方法、ならびに相分離構造を含む構造体の製造方法 |
FR3089982A1 (fr) * | 2018-12-12 | 2020-06-19 | Arkema France | Procédé de fabrication d’un copolymère à blocs contenant du silicium |
CN117321096A (zh) | 2021-05-18 | 2023-12-29 | 默克专利股份有限公司 | 用于ps-b-pmma型嵌段共聚物的图案化定向自组装的具有改进的干蚀刻能力的疏水性可交联钉扎底层 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910005881B1 (ko) * | 1987-05-21 | 1991-08-06 | 휴우즈 에어크라프트 캄파니 | 실리콘 함유 네가티브 레지스트 재료 및 기판을 패터닝함에 있어서 이 재료의 사용방법 |
US5985524A (en) * | 1997-03-28 | 1999-11-16 | International Business Machines Incorporated | Process for using bilayer photoresist |
US6210856B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-04-03 | International Business Machines Corporation | Resist composition and process of forming a patterned resist layer on a substrate |
JP3963623B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2007-08-22 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US6291696B2 (en) * | 2000-01-06 | 2001-09-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of tris (trimethylsilyl) silylethyl esters |
JP3858968B2 (ja) * | 2000-01-06 | 2006-12-20 | 信越化学工業株式会社 | トリス(トリメチルシリル)シリルエチルエステルの製造方法 |
US6444408B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-09-03 | International Business Machines Corporation | High silicon content monomers and polymers suitable for 193 nm bilayer resists |
JP3781960B2 (ja) | 2000-09-29 | 2006-06-07 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料およびパターン形成方法 |
JP3912512B2 (ja) | 2002-07-02 | 2007-05-09 | 信越化学工業株式会社 | 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4040392B2 (ja) | 2002-08-22 | 2008-01-30 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US8696918B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-04-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of utilizing block copolymer to form patterns |
US8691925B2 (en) * | 2011-09-23 | 2014-04-08 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Compositions of neutral layer for directed self assembly block copolymers and processes thereof |
US8697810B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Block copolymer and methods relating thereto |
US8710150B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-04-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Blended block copolymer composition |
US8961918B2 (en) | 2012-02-10 | 2015-02-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Thermal annealing process |
JP5745439B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2015-07-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜及び電子デバイスの製造方法 |
EP2832807A4 (en) * | 2012-03-27 | 2015-10-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | SINGLE-LAYER-FORMING COMPOSITION FOR SELF-BUILDING FILMS |
US8822619B1 (en) * | 2013-02-08 | 2014-09-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Directed self assembly copolymer composition and related methods |
JP5956370B2 (ja) | 2013-03-12 | 2016-07-27 | 信越化学工業株式会社 | 珪素含有下層膜材料及びパターン形成方法 |
-
2014
- 2014-10-30 US US14/527,939 patent/US9505945B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-28 SG SG11201701937RA patent/SG11201701937RA/en unknown
- 2015-10-28 EP EP15794100.6A patent/EP3212714B1/en active Active
- 2015-10-28 WO PCT/EP2015/074980 patent/WO2016066684A1/en active Application Filing
- 2015-10-28 KR KR1020177014791A patent/KR102226229B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-28 JP JP2017523324A patent/JP6782695B2/ja active Active
- 2015-10-28 CN CN201580057241.2A patent/CN107075057B/zh active Active
- 2015-10-30 TW TW104135931A patent/TWI677526B/zh active
-
2017
- 2017-03-07 IL IL250995A patent/IL250995A0/en unknown
-
2019
- 2019-10-23 JP JP2019192457A patent/JP6810782B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018502936A5 (ja) | ||
CN104334588B (zh) | 用于定向自组装的中性层聚合物组合物及其方法 | |
TWI466926B (zh) | 基於矽之抗反射塗覆組合物 | |
JP5581225B2 (ja) | シルセスキオキサン樹脂 | |
TWI545398B (zh) | 硬罩幕組成物、使用硬罩幕組成物形成圖案的方法、含有圖案的半導體積體電路裝置 | |
JP6431129B2 (ja) | ブロックコポリマーを製造するための方法およびそれから製造される物品 | |
JP6810782B2 (ja) | 誘導自己集合体施与のためのケイ素含有ブロックコポリマー | |
KR100913058B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체소자 | |
JP7065160B2 (ja) | ケイ素含有下層を使用する方法 | |
TWI753112B (zh) | 嵌段共聚物及含有相分離結構之結構體的製造方法 | |
KR20170034879A (ko) | 블록 코폴리머의 어닐링 방법 및 그로부터 제조된 물품 | |
KR101711919B1 (ko) | 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 | |
JP6328946B2 (ja) | 誘導自己組織化共重合組成物および関連方法 | |
JP2006265514A (ja) | 共重合体およびその製造方法 | |
JP2007026889A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法 | |
JP2914852B2 (ja) | 回路保護用膜 | |
KR102191958B1 (ko) | 2블록 공중합체의 자가-어셈블리에 의한 나노계측 구조의 제작 방법 | |
TWI798753B (zh) | 形成相分離構造用之樹脂組成物、含相分離構造之構造體之製造方法,及嵌段共聚物 | |
WO2024034311A1 (ja) | 半導体基板の製造方法及び膜形成用組成物 | |
KR20170134401A (ko) | 패턴 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
TWI295309B (en) | Silica based coating film forming coating liquid | |
JP2001139684A (ja) | 多層配線用層間絶縁膜並びにそれに用いる樹脂及びその製造方法 | |
JP2014001296A (ja) | ホールシュリンク用のパターン形成用樹脂組成物 | |
JP2006131863A (ja) | シラン化合物の重合体、密着層形成用組成物、密着層の製造方法、密着層および絶縁膜付基板の製造方法 | |
JP2006104375A (ja) | 絶縁膜形成用塗布液、絶縁膜の製造方法および絶縁膜 |