JP7065160B2 - ケイ素含有下層を使用する方法 - Google Patents

ケイ素含有下層を使用する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7065160B2
JP7065160B2 JP2020157442A JP2020157442A JP7065160B2 JP 7065160 B2 JP7065160 B2 JP 7065160B2 JP 2020157442 A JP2020157442 A JP 2020157442A JP 2020157442 A JP2020157442 A JP 2020157442A JP 7065160 B2 JP7065160 B2 JP 7065160B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
silicon
moiety
alkyl
polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020157442A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020204047A (ja
Inventor
リー・カイ
ポール・ジェイ・ラボーム
シャルロット・エイ・カットラー
スザンヌ・エム・コーリー
ヤマダ シンタロウ
ジェームス・エフ・キャメロン
ウィリアム・ウィリアムズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of JP2020204047A publication Critical patent/JP2020204047A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7065160B2 publication Critical patent/JP7065160B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10Esters
    • C08F20/12Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F20/16Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F20/18Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F30/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F30/04Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
    • C08F30/08Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/42Introducing metal atoms or metal-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D151/00Coating compositions based on graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D151/003Coating compositions based on graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers grafted on to macromolecular compounds obtained by reactions only involving unsaturated carbon-to-carbon bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D187/00Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds, obtained otherwise than by polymerisation reactions only involving unsaturated carbon-to-carbon bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D187/00Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds, obtained otherwise than by polymerisation reactions only involving unsaturated carbon-to-carbon bonds
    • C09D187/005Block or graft polymers not provided for in groups C09D101/00 - C09D185/04
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C08F212/22Oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/32Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing two or more rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/283Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing one or more carboxylic moiety in the chain, e.g. acetoacetoxyethyl(meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/30Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/303Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety and one or more carboxylic moieties in the chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/14Esterification

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、一般に下層及びそれらを使用する方法に関し、特に、湿式剥離性ケイ素含有下層及び電子デバイスの製造におけるそれらの使用に関する。
従来のフォトリソグラフィー法では、レジストパターンは、適切なエッチング方法によって、例えば反応性イオンエッチング(RIE)によって、基板へのパターン転写のためのマスクとして使用される。使用されるレジストの厚さが連続的に減少すると、レジストパターンは、RIE法によるパターン転写のためのマスクとして不適切なものとなる。その結果、パターン転写のためのマスクとして3層、4層またはそれ以上の層を使用する別の方法が開発されてきた。例えば、3層法では、ケイ素含有反射防止層が、下層/有機平坦化層とレジスト層との間に配設される。これらの層が有するフッ素及び酸素含有RIE化学作用に対する交互選択性のため、この3層スキームは、Si含有層の上部のレジストパターンから下層下の基板への高度に選択的なパターン転写を提供する。
酸化物エッチング化学作用に対するケイ素含有下層の耐性により、この層はエッチングマスクとして機能することができる。このようなケイ素含有下層は架橋シロキサン網状構造からなる。これらの材料のエッチング耐性は、ケイ素含量に起因し、ケイ素含量が高いほど、より良好なエッチング耐性を提供する。現在の193nmのリソグラフィー法においては、このようなケイ素含有下層は≧40%のケイ素を含有する。これらの材料におけるこのような高ケイ素含量及びシロキサン網状構造はこれらの除去を困難なものにしている。フッ素含有プラズマ及びフッ化水素酸(HF)は、両方ともに、これらのケイ素含有層を除去する(または剥離する)ために使用することができる。しかしながら、Fプラズマ及びHFは両方とも、これらのケイ素含有材料のみならず、基板などのそのまま残留することが望まれる他の材料をも除去する。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を、≧5重量%などのより高濃度で用いる湿式剥離を使用して、これらのケイ素含有層の少なくともいくつかを除去することができるが、これらのより高濃度のTMAHは基板を損傷するリスクもある。比較的低量のケイ素(≦17%)を有するケイ素含有層は、「ピラニア酸」(濃HSO+30% H)を使用して時に除去することができるが、そのようなアプローチは、より高いケイ素含量を有するケイ素含有材料では成功していない。
Cao et al.,Langmuir,2008,24,12771-12778は、N-イソプロピルアクリルアミドと3-(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートとをフリーラジカル共重合させ、次いでメトキシシリル基の加水分解及び縮合による架橋によって形成されたミクロゲルを報告している。Caoらは、制御された薬物放出材料、バイオセンサー及び組織工学のような生物学的用途において有用な材料を記載している。米国特許第9,120,952号は、化学的機械的平坦化処理で使用するために、Caoらの参考文献で開示されたものと同様な材料を用いている。
米国公開特許出願第2016/0229939号は、上部レジストパターンとの改善された接着性を有するケイ素含有レジスト下層を形成するための組成物を開示している。この参考文献で開示されている組成物は、ポリマー主鎖からペンダントしているフェニル、ナフタレンまたはアントラセン基を有する繰り返し単位であって、そのフェニル、ナフタレンまたはアントラセン基が、
Figure 0007065160000001
によって置換され、式中、LはH、1~10個の炭素原子を有する脂肪族1価炭化水素、または1価の芳香族基を表し、*はフェニル、ナフタレンまたはアントラセン基に対する結合点を示している、繰り返し単位と、ケイ素に結合されたヒドロキシまたはアルコキシの1つ以上を含有するペンダントケイ素基を有する繰り返し単位とを含むケイ素含有ポリマーを使用する。ケイ素含有ポリマーは、シラン化合物と組み合わせ、その混合物は、加水分解または縮合させることができる。この参考文献によれば、芳香族環に直接結合された炭素上にOL基が存在していて、これは、膜表面を変化させる脱離基として働き、その結果としてパターン接着性が改善される。これらの組成物の利点は、微細パターンの形成においてパターンの崩壊がほとんど起こらない点にある。この参考文献は、湿式剥離によって除去することができるケイ素含有下層の必要性に言及していない。
本発明は、組成物であって、(a)1つ以上の溶媒と、(b)(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを含む、1つ以上のポリマーであって、縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上のポリマーと、(ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーとの1つ以上の縮合物及び/または加水分解物を含む、ポリマー組成物とを含み、1つ以上のポリマーが、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
Figure 0007065160000002
式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、芳香族環への結合点を示す、組成物を提供する。このような縮合性ケイ素モノマーは、縮合性ケイ素含有部分を有する第1の不飽和モノマーとは異なる。本ポリマーは、好ましくは、2つ以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーの繰り返し単位を有していない。好ましくは、本ポリマーはフルオロアルキル置換基を有していない。
さらに、本発明は、組成物であって、(a)1つ以上の溶媒と、(b)ペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有する1つ以上の縮合ポリマーと、を含み、1つ以上の縮合ポリマーは、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
Figure 0007065160000003
式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、芳香族環への結合点を示す、組成物を提供する。
本発明は、(a)上記の組成物で基板をコーティングして、コーティング層を形成することと、(b)コーティング層を硬化して、ポリマー下層を形成することと、(c)ポリマー下層にフォトレジストの層を配設することと、(d)フォトレジスト層をパターン状に露光して、潜像を形成することと、(e)潜像を現像して、中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)レリーフ画像を基板に転写することと、(g)湿潤剥離によってポリマー下層を除去することとを含む、方法をさらに提供する。本ポリマー下層は、ポリマーケイ素含有下層である。
本発明によって、(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを含む、1つ以上のポリマーであって、縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上のポリマーと、(ii)電子デバイス基板上の1つ以上の縮合性ケイ素モノマーとの縮合物及び/または加水分解物のコーティング層を含むコーティングされた基板であって、1つ以上のポリマーは、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
Figure 0007065160000004
式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、芳香族環への結合点を示す、コーティングされた基板もまた提供される。
なおさらに、本発明は、電子デバイス基板上のペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有する1つ以上の縮合ポリマーのコーティング層を含む、コーティングされた基板であり、1つ以上の縮合ポリマーは、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
Figure 0007065160000005
式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、芳香族環への結合点を示す、コーティングされた基板である。
ある要素が、他の要素に対して「隣接して」または「上に」存在すると言及されるとき、それは、他の要素に対して直接隣接しているかまたは上に存在することができるか、またはそれらの間に介在要素が存在し得ることが理解される。対照的に、ある要素が、他の要素に「直接隣接して」または「直接上に」存在すると言及されるとき、介在要素は存在しない。第1、第2、第3などの用語は、様々な要素、成分、領域、層及び/またはセクションを記述するために使用することができるが、これらの要素、成分、領域、層及び/またはセクションは、これらの用語によって限定されるべきではないことが理解されよう。これらの用語は、1つの要素、成分、領域、層、またはセクションを、他の要素、成分、領域、層またはセクションと区別するためにのみ使用される。したがって、以下で考察される第1の要素、成分、領域、層、またはセクションは、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、成分、領域、層またはセクションと呼ぶことができる。
本明細書全体にわたって使用されるとき、以下の略語は、文脈からそうでないことが明確に示されていない限り、以下の意味を有するものとする。℃=摂氏度、g=グラム、mg=ミリグラム、ppm=特に明記しない限り重量百万分率、μm=ミクロン=マイクロメータ、nm=ナノメータ、Å=オングストローム、L=リットル、mL=ミリリットル、sec.=秒、min.=分、hr.=時間、及びDa=ダルトン。すべての量は、重量パーセントであり、すべての比は、特に明記しない限り、モル比である。そのような数値範囲が最大100%に制限されることが明らかである場合を除き、すべての数値範囲は、包括的であり、任意の順序で組み合わせ可能である。「重量%」は、特に明記しない限り、参照組成物の総重量を基準とした重量パーセントを意味する。冠詞「a」、「an」及び「the」は単数形及び複数形を意味する。本明細書で使用されるとき、用語「及び/または」は、関連する列挙された項目のうちの1つ以上の任意及びすべての組み合わせを包含する。Mは重量平均分子量を意味し、ポリスチレン標準を使用したゲル透過クロマトグラフィー(GPC)によって決定される。
本明細書全体にわたって使用されるとき、用語「アルキル」は、直鎖、分枝及び環状アルキルを包含する。用語「アルキル」は、アルカンラジカルを指し、アルカンモノラジカル、ジラジカル(アルキレン)、及びより高級なラジカルを包含する。いずれのアルキルまたはヘテロアルキルに関しても炭素数が示されていない場合、1~12個の炭素が企図される。用語「ヘテロアルキル」は、例えばエーテルまたはチオエーテルにおいて、ラジカル内の1個以上の炭素原子を置換している1個以上のヘテロ原子、例えば窒素、酸素、硫黄、リンを有するアルキル基を指す。用語「アルケニル」は、アルケンラジカルを指し、アルケンモノラジカル、ジラジカル(アルケニレン)、及びより高級なラジカルを包含する。「アルケニル」は、特に明記しない限り、直鎖、分枝及び環状アルケンラジカルを指す。用語「アルキニル」は、アルキンラジカルを指し、アルキンモノラジカル、ジラジカル、及びより高級なラジカルを包含する。「アルキニル」は直鎖及び分枝のアルキンラジカルを指す。いずれのアルケニルまたはアルキニルに関して炭素数が示されない場合、2~12個の炭素が考えられる。「有機残基」とは、任意の有機部分のラジカルを指し、それは、炭素及び水素に加えて、酸素、窒素、ケイ素、リン及びハロゲンのような1個以上のヘテロ原子を任意に含むことができる。有機残基は、1つ以上のアリールまたは非アリールの環またはアリール及び非アリールの環の両方を含むことができる。用語「ヒドロカルビル」は、任意の炭化水素のラジカルを指し、それは、脂肪族、環式、芳香族またはそれらの組み合わせであってもよく、またそれは、炭素及び水素に加えて、酸素、窒素、ケイ素、リン及びハロゲンのような1個以上のヘテロ原子を任意に含むことができる。ヒドロカルビル部分は、アリールもしくは非アリールの環またはアリール及び非アリールの環の両方、例えば、1つ以上の脂環式環、または芳香族環、または脂環式環及び芳香族環の両方を含むことができる。ヒドロカルビル部分が2つ以上の脂環式環を含むとき、そのような脂環式環は、単離されてもよく、融合されてもよく、またはスピロ環であってもよい。脂環式ヒドロカルビル部分は、単一脂環式環、例えばシクロペンチル及びシクロヘキシル、ならびに二環式環、例えばジシクロペンタジエニル、ノルボルニル、及びノルボルネニルを含む。ヒドロカルビル部分が2つ以上の芳香族環を含むとき、そのような環は、単離または融合され得る。用語「硬化」は、材料または組成物の分子量を増加させる重合または縮合のような任意の方法を意味する。「硬化性」とは、特定の条件下で硬化され得る任意の材料を指す。用語「オリゴマー」は、ダイマー、トリマー、テトラマー及びさらなる硬化が可能な他の比較的低分子量の材料を指す。用語「ポリマー」は、オリゴマーを包含し、ホモポリマー、コポリマー、ターポリマー、テトラポリマーなどを指す。本明細書で使用されるとき、用語「(メタ)アクリレート」はアクリレート及びメタクリレートの両方を指す。同様に、用語「(メタ)アクリル酸」、「(メタ)アクリロニトリル」及び「(メタ)アクリルアミド」は、アクリル酸及びメタクリル酸、アクリロニトリル及びメタアクリロニトリル、ならびにアクリルアミド及びメタクリルアミドをそれぞれ指す。
本発明において有用な組成物は、縮合ケイ素含有ポリマー(本明細書では「縮合ポリマー」とも呼ぶ)を含む。本発明の縮合ポリマー、及びそれらから形成される膜及び下層は、湿式剥離性である。本明細書で使用されるとき、用語「縮合ポリマー」は、(a)(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを含む、1つ以上のポリマーであって、縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上のポリマーと、(ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーとの縮合物及び/または加水分解物、あるいは代替的に、(b)ペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有するポリマーを指す。本明細書で使用するとき、用語「縮合物及び/または加水分解物」は、縮合生成物、加水分解生成物、加水分解-縮合生成物、または前述のいずれかの組み合わせを指す。本縮合ポリマーは、重合単位として、ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを含み、モノマーは、不飽和の部位を介して重合され、かつケイ素含有部分を介して、ならびに縮合性ケイ素モノマーを介して、縮合される。本発明のポリマーは、任意に、及び好ましくは、1つ以上の第2の不飽和モノマーを含み得る。好ましくは、不飽和モノマーは、1つのラジカル重合性の二重または三重結合、より好ましくはラジカル重合性の炭素-炭素二重または三重結合、さらにより好ましくはラジカル重合性の炭素-炭素二重結合を含む。本縮合ポリマーは、好ましくは、2つ以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーの繰り返し単位を有していない。好ましくは、本縮合ポリマーは、フルオロアルキル置換基を有していない。
縮合性ケイ素含有部分を有する任意の不飽和モノマーは、本縮合ポリマーを形成するための第1の不飽和モノマーとして使用するのに適切である。1つ以上の第1の不飽和モノマーを使用することができる。縮合性ケイ素含有部分を有するエチレン性不飽和モノマーが好ましい。好ましい不飽和モノマーは、式(1)の縮合性ケイ素含有部分を有するものであり、
Figure 0007065160000006
式中、Lは、単結合または2価の連結基であり、各Rは、H、C1-10-アルキル、C2-20-アルケニル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択され、各Yは、ハロゲン、C1-10-アルコキシ、C5-10-アリールオキシ、及びC1-10-カルボキシから独立して選択され、bは、0~2の整数であり、*は、モノマーへの結合点を示す。Lは2価の連結基であることが好ましい。2価の連結基は、酸素及びケイ素から選択される1個以上のヘテロ原子を含むことはさらに好ましい。適切な2価の連結基は、1~20個の炭素原子及び任意に1個以上のヘテロ原子を有する有機ラジカルである。好ましい2価の連結基は、式-C(=O)-O-L-を有し、式中、Lは、単結合、または1~20個の炭素原子を有する有機ラジカルである。好ましくは、各Rは、C1-10-アルキル、C2-20-アルケニル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択される。各Yは、ハロゲン、C1-6-アルコキシ、C5-10-アリールオキシ、C1-6-カルボキシから、より好ましくはハロゲン、C1-6-アルコキシ、及びC1-6-カルボキシから独立して選択されることが好ましい。好ましくは、bは0または1であり、より好ましくはb=0である。
少なくとも1つの第1の不飽和モノマーは、式(2)を有することが好ましく、
Figure 0007065160000007
式中、Lは、単一の共有結合または2価の連結基であり、各Rは、H、C1-10-アルキル、C2-20-アルケニル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択され、R及びRの各々は、H、C1-4-アルキル、C1-4-ハロアルキル、ハロ、C5-20-アリール、C6-20-アラルキル、及びCNから独立して選択され、Rは、H、C1-10-アルキル、C1-10-ハロアルキル、ハロ、C5-20-アリール、C6-20-アラルキル、及びC(=O)R5から選択され、Rは、OR及びN(Rから選択され、Rは、H、C1-20アルキル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから選択され、各Rは、H、C1-20-アルキル、及びC5-20-アリールから独立して選択され、各Yは、ハロゲン、C1-10-アルコキシ、C5-10-アリールオキシ、及びC1-10-カルボキシから独立して選択され、bは、0~2の整数である。Lは2価の連結基であることが好ましい。2価の連結基は、酸素及びケイ素から選択される1個以上のヘテロ原子を含むことはさらに好ましい。適切な2価の連結基は、1~20個の炭素原子及び任意に1個以上のヘテロ原子を有する有機ラジカルである。好ましい2価の連結基は、式-C(=O)-O-L-を有し、式中、Lは、単一の共有結合、または1~20個の炭素原子を有する有機ラジカルである。好ましくは、各Rは、C1-10-アルキル、C2-20-アルケニル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択される。各Yは、ハロゲン、C1-6-アルコキシ、C5-10-アリールオキシ、及びC1-6-カルボキシから、より好ましくはハロゲン、C1-6-アルコキシ、及びC1-6-カルボキシから独立して選択されることが好ましい。好ましくは、bは0または1であり、より好ましくはb=0である。各R及びRは、H、C1-4-アルキル、C1-4-ハロアルキル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから、より好ましくはH、C1-4-アルキル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択されることが好ましい。さらにより好ましくは、各R及びRは、H、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ナフチル、ベンジル、及びフェネチルから独立して選択される。Rは、好ましくは、H、C1-10-アルキル、C1-10-ハロアルキル、C5-20-アリール、C6-20-アラルキル、及びC(=O)Rから、より好ましくはH、C1-10-アルキル、C5-20-アリール、C6-20-アラルキル、及びC(=O)Rから選択される。Rは、ORであることが好ましい。Rは、好ましくは、H、C1-10-アルキル、C5-10-アリール、及びC6-15-アラルキルから選択される。好ましくは、各Rは、H、C1-10-アルキル、及びC6-20-アリールから独立して選択される。
縮合性ケイ素含有部分を有する適切な第1の不飽和モノマーは、一般に、Sigma-Aldrich(St.Louis,Missouri)などの様々な供給元から市販されているものか、または当技術分野で知られている方法によって調製することができる。そのようなモノマーは、そのまま使用することができ、またはさらに精製することができる。例示的な第1の不飽和モノマーとしては、アリルジメトキシシラン、アリルジクロロシラン、(トリメトキシシリル)メチル(メタ)アクリレート、(トリメトキシシリル)エチル(メタ)アクリレート、(トリメトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、(トリメトキシシリル)ブチル(メタ)アクリレート、(トリエトキシシリル)メチル(メタ)アクリレート、(トリエトキシシリル)エチル(メタ)アクリレート、(トリエトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、(トリエトキシシリル)ブチル(メタ)アクリレート、(トリクロロシリル)メチル(メタ)アクリレート、(トリクロロシリル)エチル(メタ)アクリレート、(トリクロロシリル)プロピル(メタ)アクリレート、(トリクロロシリル)ブチル(メタ)アクリレート、(メチルジメトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、ビニルトリアセトキシシラン、(トリアセトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、4-((トリメトキシシリル)プロピル)スチレン、4-(トリメトキシシリル)スチレン、及びビニルトリメトキシシランが挙げられるが、それらに限定されない。
本発明の縮合ポリマーは、1つ以上の第2の不飽和モノマーをさらに含み得、このような第2のモノマーは、縮合性ケイ素含有部分を有していない。好ましくは、縮合ポリマーは、式(3)の1つ以上の第2の不飽和モノマーを重合単位としてさらに含み、
Figure 0007065160000008
式中、Zは、1~30個の炭素原子及び-5~13の水中pKaを有する酸性プロトンを有する有機残基、C5-30-アリール部分、置換C5-30-アリール部分、CN、ならびに-C(=O)R13から選択され、R10は、H、C1-10-アルキル、C1-10-ハロアルキル、ハロ、及び-C(=O)R14から選択され、R11及びR12の各々は、H、C1-4-アルキル、C1-4-ハロアルキル、ハロ、及びCNから独立して選択され、R13及びR14の各々は、OR15及びN(R16から独立して選択され、R15は、H、C1-20-アルキル、C5-30-アリール、C6-20-アラルキル、及びラクトン部分を有する1価の有機残基から選択され、各R16は、H、C1-20-アルキル、及びC6-20-アリールから独立して選択され、Z及びR10は、一緒になって5~7員の不飽和環を形成することができる。本明細書で使用するとき、用語「アリール」は、芳香族炭素環及び芳香族複素環を指す。アリール部分は芳香族炭素環であることが好ましい。「置換アリール」は、ハロゲン、C1-6-アルキル、C1-6-ハロアルキル、C1-6-アルコキシ、C1-6-ハロアルコキシ、フェニル、及びフェノキシから、好ましくはハロゲン、C1-6-アルキル、C1-6-アルコキシ、フェニル、及びフェノキシから、より好ましくはハロゲン、C1-6-アルキル、及びフェニルから選択される、1つ以上の置換基で置換される、その水素の1つ以上を有するあらゆるアリール(または芳香族)部分を指す。好ましくは、置換アリールは1~3つの置換基を有し、より好ましくは1または2つの置換基を有する。例示的なエチレン性不飽和モノマーとしては、ビニル芳香族モノマー、例えばスチレン、α-メチルスチレン、β-メチルスチレン、スチルベン、ビニルナフチレン、アセナフタレン、及びビニルピリジン;ヒドロキシ置換ビニル芳香族モノマー、例えばヒドロキシスチレン、o-クマル酸(courmaric acid)、m-クマル酸、p-クマル酸、及びヒドロキシビニルナフタレン;カルボキシル置換ビニル芳香族モノマー、例えばビニル安息香酸;エチレン性不飽和カルボン酸、例えばケイ皮酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、シトラコン酸、イタコン酸、3-ピリジン(メタ)アクリル酸、2-フェニル(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸、2-メチレンマロン酸、シクロペンテンカルボン酸、メチルシクロペンテンカルボン酸、シクロヘキセンカルボン酸、及び3-ヘキセン-1,6-ジカルボン酸;エチレン性不飽和カルボン酸のヒドロキシアリールエステル、例えばヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、ヒドロキシナフチル(メタ)アクリレート、及びヒドロキシアントラセニル(メタ)アクリレート;エチレン性不飽和無水モノマー、例えば無水マレイン酸、無水シトラコン酸、及び無水イタコン酸、エチレン性不飽和イミドモノマー、例えばマレイミド;エチレン性不飽和カルボン酸エステル、例えばクロトン酸エステル、イタコン酸エステル、及び(メタ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリロニトリル;(メタ)アクリルアミド;などが挙げられるが、それらに限定されない。適切な(メタ)アクリレートエステルモノマーとしては、C7-10-アラルキル(メタ)アクリレート、C1-10-ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、C1-10-メルカプトアルキル、及びC1-10-アルキル(メタ)アクリレートが挙げられるが、それらに限定されない。例示的な(メタ)アクリレートエステルモノマーとしては、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、メルカプトプロピルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、メチルアクリレート、及びメチルメタクリレートが挙げられるが、それらに限定されない。
好ましい第2の不飽和モノマーは、式(4)のモノマーであり、
Figure 0007065160000009
式中、ADGは酸分解性基であり、R20は、H、C1-4-アルキル、C1-4-ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択される。R20は、好ましくはH、C1-4-アルキル、C1-4-フルオロアルキル、フルオロ、及びCNから選択され、より好ましくはH、C1-4-アルキル、トリフルオロメチル、フルオロ、及びCNから選択され、さらにより好ましくはH、メチル、トリフルオロメチル、フルオロ、及びCNから選択され、最も好ましくはR20は、Hまたはメチルである。式(4)では、ADGは2~30個の炭素原子を有する酸分解性基である。本明細書で使用するとき、用語「酸分解性基」は、酸によって分解されて、酸分解性基と比較して増大した水性塩基溶解度を有する異なる官能基を形成することができる任意の官能基を指す。適切な酸分解性基としては、C4-30-ヒドロカルビル部分が第三級炭素原子を介して酸素原子に結合される-O-C4-30-ヒドロカルビル部分、無水物部分を有するC2-30-ヒドロカルビル部分、イミド部分を有するC2-30-ヒドロカルビル部分、及びアセタール官能基を含むC4-30-有機残基が挙げられるが、それらに限定されない。好ましい酸分解性基は、C4-30-ヒドロカルビル部分が第三級炭素原子を介して酸素原子に結合される-O-C4-30-ヒドロカルビル部分、及びアセタール官能基を含むC4-30-有機残基であり、より好ましくはC4-20-ヒドロカルビル部分が第三級炭素原子を介して酸素原子に結合される-O-C4-30-ヒドロカルビル部分、及びアセタール官能基を含むC4-20-有機残基である。例示的な酸分解性基としては、限定するものではないが、-NR2122、-OR23、及び-O-C(=O)-R24が挙げられ、式中、R21及びR22は、各々、H、C1-20-アルキル、及びC5-10-アリールから独立して選択され;R23は、第三級炭素(すなわち3個の他の炭素に結合されている炭素)を介して酸素に結合されるC4-30-有機残基、またはアセタール官能基を含むC4-30-有機残基であり;R24は、H、C1-30-アルキル、及びC5-30-アリールから選択される。好ましくは、R23は、4~20個の炭素原子を有する。R23は、分枝または環状部分であることがさらに好ましい。R23が環状部分を含有するとき、そのような環状部分は、典型的には環中に4~8個の原子、好ましくは環中に5または6個の原子を有する。R23は、酸素などの1個以上のヘテロ原子を任意に含有することができる。好ましくは、R23は、1個以上のヘテロ原子を任意に含有する分枝脂肪族部分または脂環式部分である。
式(4)の好ましい化合物は、式(4a)の化合物であり、
Figure 0007065160000010
式中、R23は、第三級炭素を介して酸素に結合されるC4-20-有機残基またはアセタール官能基を含むC4-20-有機残基から選択され、R20は、H、C1-4-アルキル、C1-4-ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択される。より好ましくは、R23は、式(5a)または(5b)で示される構造を有し、
Figure 0007065160000011
式中、R24、R25、及びR26の各々は、独立して、1~6個の炭素原子を有する有機残基であり、R24及びR25は、一緒になって4~8員環を形成することができ、Lは、2価の連結基または単一の共有結合であり、Aは、アセタール官能基を表し、*は、エステル酸素に対する結合点を示す。R24、R25、及びR26の各々は、C1-6-アルキルから独立して選択されることが好ましい。R24及びR25が一緒になって4~8員環を形成するとき、そのような環は脂環式であることが好ましい。そのような環は、単環であっても二環であってもよく、酸素、硫黄及び窒素、好ましくは酸素及び硫黄、より好ましくは酸素から選択される1個以上のヘテロ原子を任意に含有することができる。好ましくは、R24及びR25は、一緒になって5~8員環を形成することができる。適切な4~8員環としては、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、ノルボルニル、及びオキサビシルコ[2.2.1]ヘプチル、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、及びオキサビシルコ[2.2.1]ヘプチル、より好ましくはシクロペンチル及びシクロヘキシルが挙げられるが、それらに限定されない。適切な2価の連結基としては、C1-10-アルキレン、好ましくはC1-5-アルキレンが挙げられる。好ましくは、アセタール官能基は、5または6員環の環状ケタールであり、より好ましくはアセトンから形成される環状ケタールである。R23に関する例示的な部分としては、tert-ブチル、2,3-ジメチル-2-ブチル、2,3,3-トリメチル-2-ブチル、2-メチル-2-ブチル、2-メチル-2-ペンチル、3-メチル-3-ペンチル、2,3,4-トリメチル-3-ペンチル、2,2,3,4,4-ペンタメチル-3-ペンチル、1-メチル-1-シクロペンチル、1-エチル-1-シクロペンチル、1,2-ジメチル-1-シクロペンチル、1,2,5-トリメチル-1-シクロペンチル、1,2,2-トリメチル-シクロペンチル、1,2,2,5-テトラメチル-1-シクロペンチル、1,2,2,5,5-ペンタメチル-1-シクロペンチル、1-メチル-1-シクロヘキシル、1-エチル-1-シクロヘキシル、1,2-ジメチル-1-シクロヘキシル、1,2,6-トリメチル-1-シクロヘキシル、1,2,2,6-テトラメチル-1-シクロヘキシル、1,2,2,6,6-ペンタメチル-1-シクロヘキシル、2,4,6-トリメチル-4-ヘプチル、3-メチル-3-ノルボルニル、3-エチル-3-ノルボルニル、6-メチル-2-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-6-イル、2-メチル-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルが挙げられるが、それらに限定されない。好ましくは、R5は、tert-ブチル、2,3-ジメチル-2-ブチル、2,3,3-トリメチル-2-ブチル、2-メチル-2-ブチル、2-メチル-2-ペンチル、3-メチル-3-ペンチル、2,3,4-トリメチル-3-ペンチル、2,2,3,4,4-ペンタメチル-3-ペンチル、1-メチル-1-シクロペンチル、1-エチル-1-シクロペンチル、1,2-ジメチル-1-シクロペンチル、1,2,5-トリメチル-1-シクロペンチル、1,2,2-トリメチル-シクロペンチル、1,2,2,5-テトラメチル-1-シクロペンチル、1,2,2,5,5-ペンタメチル-1-シクロペンチル、1-メチル-1-シクロヘキシル、1-エチル-1-シクロヘキシル、1,2-ジメチル-1-シクロヘキシル、1,2,6-トリメチル-1-シクロヘキシル、1,2,2,6-テトラメチル-1-シクロヘキシル、1,2,2,6,6-ペンタメチル-1-シクロヘキシル、及び2,4,6-トリメチル-4-ヘプチルから選択される。Lは、好ましくは2価の連結基である。Lに対する適切な2価の連結基は、1~20個の炭素原子、より好ましくは1~20個の炭素原子を有する有機残基を有する。任意に、Lの2価の連結基は、酸素、窒素またはそれらの組み合わせなどの1個以上のヘテロ原子を含有することができる。式(3)、(4)、及び(4a)の適切なモノマーは、市販されているか、または米国特許第6,136,501号、第6,379,861号、及び第6,855,475号で開示されているような当該技術分野で知られている様々な方法によって製造することができる。
式(4)の他の好ましいモノマーは、式(6)のモノマーであり、
Figure 0007065160000012
式中、R20は、H、C1-4-アルキル、C1-4-ハロアルキル、ハロ、及びCNから独立して選択され、R30は、ラクトン部分を有する1価の有機残基である。式(6)では、R30は、ラクトン部分を含むC4-20-1価の有機残基である。R30は、任意の適切なラクトン部分を含むことができ、好ましくは、任意に置換され得る5~7員のラクトンを含む。ラクトン環上の適切な置換基は、C1-10-アルキル部分である。R30に対する適切なラクトン部分は、式(7)を有するものであり、
Figure 0007065160000013
式中、Eは、5~7員環ラクトンであり、各R31は、C1-10-アルキルから独立して選択され、pは、0~3の整数であり、Yは、単一の共有結合であるか、または1~10個の炭素原子を有する2価の連結残基であり、*は、エステルの酸素原子に対する結合点を示す。各R31は、C1-6-アルキルから独立して選択されることが好ましく、より好ましくはC1-4-アルキルである。R31の例は、メチル、エチル、n-プロピル、イソ-プロピル、n-ブチル、sec-ブチル、及びイソ-ブチルである。好ましくは、P=0または1である。Yのための適切な2価の連結残基としては、1~20個の炭素原子を有する2価の有機残基が挙げられるが、それらに限定されない。Yに対する適切な2価の有機残基としては、C1-20-ヒドロカルビル部分、C1-20-ヘテロ原子含有ヒドロカルビル部分、及び置換C1-20-ヒドロカルビル部分が挙げられるが、それらに限定されない。用語「C1-20-ヘテロ原子含有ヒドロカルビル部分」は、ヒドロカルビル鎖内に、1個以上のヘテロ原子、例えば窒素、酸素、硫黄、リンを有するヒドロカルビル部分を指す。例示的なヘテロ原子としては、-O-、-S-、-N(H)-、-N(C1-20-ヒドロカルビル)-、-C(=O)-O-、-S(=O)-、-S(=O)-、-C(=O)-NH-などが挙げられるが、それらに限定されない。「置換C1-20-ヒドロカルビル部分」は、ハロゲン、シアノ、ヒドロキシ、アミノ、メルカプトなどの1つ以上の置換基で置換された1個以上の水素を有する任意のヒドロカルビル部分を指す。R30は、ガンマ-ブチロラクトン(GBLO)、ベータ-ブチロラクトン、ガンマ-バレロラクトン、デルタ-バレロラクトン、及びカプロラクトンから選択されることが好ましく、より好ましくはR30は、GBLOである。式(6)のモノマーは、一般に市販されているものか、または当該技術分野で知られている方法によって調製することができる。
1つの好ましい実施形態では、本縮合ポリマーは、重合単位として、発色団を含む1つ以上の不飽和モノマーを含む。適切な発色団は、目的の波長において放射線を吸収する任意の芳香族(またはアリール)部分である。そのような発色団は、フェニル、ベンジル、ナフチル、アントラセニルなどの非置換芳香族部分であるか、またはヒドロキシル、C1-10-アルキル、C2-10-アルケニル、C2-10-アルキニル、及びC5-30-アリールの1つ以上で置換されていてもよく、好ましくは置換されていないかまたはヒドロキシル置換されている。好ましくは、縮合ポリマーは、発色団部分を有する式(3)の1つ以上の不飽和モノマーを重合単位として含む。好ましい発色団部分は、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、アクリジニルなどから選択され、より好ましくはフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリル、ベンジルなどから選択される。本発明で使用される発色団は、構造*--C(Rx)-O-Lgの置換基を有する遊離芳香族環であり、式中、各Rxは独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは一緒になって脂肪族環を形成してもよく、LgはH、炭素数1~10個の炭素を有する脂肪族で1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、*は芳香族環に対する結合点を示している。すなわち、発色団は、sp3混成炭素が芳香族環及びオキシ基に対して直接結合される置換基を有する芳香族環を有していない。
本発明の縮合ポリマーは、重合単位として、式(2)の1つ以上のモノマー及び式(3)の1つ以上のモノマー、好ましくは式(2)の1つ以上のモノマー及び式(3)の2つ以上のモノマー、さらにより好ましくは式(2)の1つ以上のモノマー及び式(6)の1つ以上のモノマー、なおさらに好ましくは式(2)の1つ以上のモノマー、式(6)の1つ以上のモノマー、及び発色団部分を有する式(3)の1つ以上のモノマーを含むことが好ましい。本縮合ポリマーが、重合単位として、式(2)の1つ以上のモノマー及び式(3)の1つ以上のモノマーを含むとき、そのようなモノマーは、(2)の全モノマー対式(3)の全モノマーのモル比1:99~99:1で存在する。好ましくは、式(2)の全モノマー対式(3)の全モノマーのモル比は、95:5~5:95、より好ましくは90:10~10:90、さらにより好ましくは50:50~5:95である。1つ以上の任意のエチレン性不飽和の第3のモノマーは、式(1)及び(2)の全モノマーのモル量の0~3倍の量で使用することができる。すべての任意の第3のモノマー対式(1)及び(2)の全モノマーのモル比は、0:100~75:25、好ましくは10:90~75:25、より好ましくは25:70~75:25である。本縮合ポリマーが、重合単位として、発色団を含有するモノマーを比較的より高い割合で含むとき、そのようなポリマーは湿式剥離によって除去される性能が低下する。本縮合ポリマーは、重合単位として、発色団を含有するモノマーを0~50mol%含むことが好ましい。本縮合ポリマーが、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有していないことはさらに好ましく、
Figure 0007065160000014
式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、芳香族環への結合点を示す。
任意の縮合性ケイ素モノマーを使用して、本縮合ポリマーを形成することができるが、縮合性ケイ素モノマーは、縮合性ケイ素部分を有する第1の不飽和モノマーとは異なること、及び縮合性ケイ素モノマーは、ポリマー主鎖からペンダントしている縮合性ケイ素部分と縮合することを条件とする。本明細書で使用されるとき、用語「主鎖」は、主要なポリマー鎖を指す。本明細書で使用されるとき、「縮合性ケイ素モノマー」は、1つ以上の縮合性または加水分解性部分を有する、ケイ素モノマーを指す。本明細書で使用されるとき、「縮合性部分」または「加水分解性部分」は、本縮合ポリマーを形成するために使用される条件下で縮合または加水分解されることが可能な任意の部分を指す。例示的な縮合性または加水分解性部分としては、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシレート、ヒドロキシ、エノキシ、オキシイミノ、アミノなどが挙げられるが、これらに限定されない。適切な縮合性ケイ素モノマーは、式(8)のモノマーであり、
Si(R50(X)4-p (8)
式中、pは、0~3の整数であり、各R50は、C1-30ヒドロカルビル部分及び置換C1-30ヒドロカルビル部分から独立して選択され、各Xは、ハロ、C1-10アルコキシ、-OH、-O-C(O)-R50、及び-(O-Si(R51p2-Xから独立して選択され、Xは、ハロ、C1-10アルコキシ、-OH、-O-C(O)-R50から独立して選択され、各R51は、R50及びXから独立して選択され、p2は、1~10の整数である。好ましくは、pは、0~2の整数、より好ましくは0~1、さらにより好ましくはp=0である。Xは、好ましくは、C1-10アルコキシ、-OH、-O-C(O)-R50、及び-(O-Si(R51p2-Xから、より好ましくはC1-10アルコキシ及び-OHから選択される。Xは、好ましくは、C1-10アルコキシ及び-OHから選択される。R50の置換C1-30ヒドロカルビル部分は、ヒドロキシ、メルカプト、C1-20アルコキシ、アミノ、C1-20アルキルアミノ、ジ-C1-20アルキルアミノ、シアノ、ハロゲン、エポキシド、-C(=O)O-R17、-C(=O)-N(R17、及び-C(=O)-O-C(=O)-R17から選択される、1つ以上の置換基で置換される、その水素の1つ以上を有する、任意のC1-30ヒドロカルビル部分を指し、各R17は、H及びC1-20アルキルから選択される。R50の適切なC1-30ヒドロカルビル部分としては、C1-30アルキル、C2-30アルケニル、C2-30アルキニル、C3-30シクロアルキル、及びC6-30アリールが挙げられるが、これらに限定されず、好ましくはC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、C3-20シクロアルキル、及びC6-25アリールである。ケイ素モノマーは、しばしば、モノマーにおけるケイ素に結合される加水分解性部分の数によって言及される。例えば、「Mモノマー」は、式(R50SiXのモノマー等の1つの加水分解性部分を有するケイ素モノマーを指し、「Dモノマー」は、式(R50SiXのモノマー等の2つの加水分解性部分を有するケイ素モノマーを指し、「Tモノマー」は、式R50SiXのモノマー等の3つの加水分解性部分を有するケイ素モノマーを指し、「Qモノマー」は、式SiXのモノマー等の4つの加水分解性部分を有するケイ素モノマーを指し、式中、各モノマーにおけるX及びR50は、上記のとおりである。本縮合ポリマーを調製するために、M、D、T、及びQモノマーのうちのいずれも、個々に使用されてもよく、または前述のうちのいずれかの混合物が、使用されてもよい。好ましくは、縮合性ケイ素モノマーは、式(8a)、(8b)、(8c)、及び(8d)から選択される、1つ以上のモノマーであり、
50 SiX(8a)
50 SiX(8b)
50SiX(8c)
SiX(8d)
式中、各X及びR50は、式(8)に関する上記のとおりである。1つ以上のQモノマー、つまり、式(8d)のモノマーが、本縮合ポリマーを調製するために使用されることが好ましい。そのような縮合性ケイ素モノマーは、一般的に市販されており、そのまま使用されてもよく、またはさらに精製されてもよい。
本縮合ポリマーを形成する際に有用な縮合性ケイ素モノマーとしては、メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリクロロシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、プロピルトリクロロシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリクロロシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリアセトキシシラン、メルカプトプロピルトリクロロシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン、メルカプトプロピルトリアセトキシ-シラン、シクロペンチルトリクロロシラン、シクロペンチルトリメトキシシラン、シクロペンチルトリエトキシシラン、シクロペンチルトリアセトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ビフェニルトリクロロシラン、ビフェニルトリメトキシシラン、ビフェニルトリエトキシシラン、ビフェニルトリアセトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジエチルジクロロシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジアセトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジメトキシ-シラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、メチルフェニルジクロロシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジアセトキシシラン、メチルビニルジクロロシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、メチルビニルジアセトキシシラン、ジビニルジクロソ(dichloso)シラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジアセトキシシラン、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、及びテトラアセトキシシランが挙げられるが、これらに限定されない。好ましい硬化性ケイ素モノマーは、テトラメトキシシラン及びテトラエトキシシランである。
任意に、1つ以上のエッチング選択性改善剤もまた、1つ以上の縮合性シランモノマー及び上記の1つ以上のポリマーと縮合されてもよい。適切なエッチング選択性改善剤は、式(9)のものであり、
G(Xm4 (9)
式中、Gは、炭素及びケイ素を除く、周期表の13~15族からの元素であり、各Xは、ハロ及びOR52から独立して選択され、各R52は、独立して、H、または1~30個の炭素原子を有する有機基であり、m4は、Gの原子価である。好ましくは、R52は、H、C1-10-アルキル、-C(O)-C1-10-アルキル、及びC6-10-アリールから、より好ましくはH、C1-10-アルキル、及びC(O)-C1-10-アルキルから選択される。Gは、好ましくは、ボロン、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ゲルマニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、スズ、リン、バナジウム、ヒ素、アンチモン、ニオブ、及びタンタルから、より好ましくはボロン、アルミニウム、及びゲルマニウムから選択される元素であり、さらにより好ましくは、Gは、ボロンである。式(9)の適切な化合物としては、ボロンメトキシド、ボロンエトキシド、ボロンプロポキシド、ボロンブトキシド、ボロンアミロキシド、ボロンヘキシルオキシド、ボロンシクロペントキシド、ボロンシクロヘキシルオキシド(cyclohexloxide)、ボロンアリルオキシド、ボロンフェノキシド、ボロンメトキシエトキシド、ホウ酸、ボロンオキシド;アルミニウムメトキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウムプロポキシド、アルミニウムブトキシド、アルミニウムアミロキシド、アルミニウムヘキシルオキシド、アルミニウムシクロペントキシド、アルミニウムシクロヘキシルオキシド、アルミニウムアリルオキシド、アルミニウムフェノキシド、アルミニウムメトキシエトキシド、アルミニウムエトキシエトキシド、アルミニウムジプロポキシエチル-アセトアセテート、アルミニウムジブトキシエチル-アセトアセテート、アルミニウムプロポキシ-ビス-エチル-アセトアセテート、アルミニウムブトキシ-ビス-エチル-アセトアセテート、アルミニウム2,4-ペンタンジオネート、アルミニウム2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート、ゲルマニウムメトキシド、ゲルマニウムエトキシド、ゲルマニウムプロポキシド、ゲルマニウムブトキシド、ゲルマニウムアミロキシド、ゲルマニウムヘキシルオキシド、ゲルマニウムシクロペントキシド、ゲルマニウムシクロヘキシルオキシド、ゲルマニウムアリルオキシド、ゲルマニウムフェノキシド、ゲルマニウムメトキシエトキシド、及びゲルマニウムエトキシエトキシドが挙げられるが、これらに限定されない。適切なエッチング選択性改善剤は、米国特許第8,951,917号に開示されるものである。
本発明の縮合ポリマーは、当業において良く知られている方法に従って、1つ以上の第1の不飽和モノマーといずれかの任意の第2の不飽和モノマーとをまず最初に重合させて縮合していないポリマーを形成することによって、調製することができる。好ましくは、本発明のモノマーは、フリーラジカル重合、例えば(メタ)アクリレートまたはスチレンポリマーを調製するために使用される手順などによって重合される。広範な種類のフリーラジカル開始剤及び条件のいずれかを使用することができる。ポリマーを調製する他の適切な重合方法としては、ディールス・アルダー、リビングアニオン、縮合、交差カップリング、RAFT、ATRPなどが挙げられるが、それらに限定されない。次に、1つ以上の縮合していないポリマーを、縮合性ケイ素含有部分を縮合及び/または加水分解する条件に曝して本縮合ポリマーを形成する。そのような縮合及び/または加水分解条件は、当業において良く知られており、典型的には、1つ以上の縮合していないポリマーを水性酸または水性塩基、好ましくは水性酸と接触させることを含む。例えば、本縮合していないポリマーの1つ以上を、水、酸、及び任意に1つ以上の有機溶媒を含む組成物と、任意に加熱して接触させることができる。好ましい酸は、鉱酸、例えばHClである。本発明の縮合ポリマーは、部分的に縮合していてもよいか、または完全に縮合していてもよい。「部分的に縮合した」とは、ポリマー中に存在する縮合性ケイ素含有部分の一部が縮合または加水分解反応を受けていることを意味している。「完全に縮合した」とは、ポリマー中に存在するすべての縮合性ケイ素含有部分が縮合または加水分解反応を受けていることを意味している。本ポリマーは、典型的には1000~10000Da、好ましくは2000~8000Da、より好ましくは2500~6000DaのMを有する。縮合ポリマーの混合物が本発明の方法において適切に使用され得ることは、当業者には理解されよう。
本発明の組成物は、(1)(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを含む、1つ以上のポリマーであって、縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上のポリマーと、(ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーとの1つ以上の縮合物及び/または加水分解物と、(2)1つ以上の溶媒と、を含む。あるいは、本発明の組成物は、(a)1つ以上の溶媒、及び(b)ペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有する1つ以上の縮合ポリマーを含む。
好ましい組成物は、(1)重合単位として、(i)縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーであって、縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上の第1の不飽和モノマー、及び(ii)縮合性ケイ素含有部分を有していない、1つ以上の第2の不飽和モノマーであって、少なくとも1つの第2の不飽和モノマーが、酸分解性基、ラクトン部分を有する1価の有機残基、またはこれらの組み合わせから選択される、ペンダント部分を含む、1つ以上の第2の不飽和モノマー、(iii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーを含む、1つ以上のポリマーの縮合物及び/または加水分解物と、(2)1つ以上の溶媒と、を含む。好ましくは、1つ以上の縮合物及び/または加水分解物は、重合単位として、式(4)の少なくとも1つの追加の不飽和モノマーをさらに含み、
Figure 0007065160000015
式中、ADGは酸分解性基であり、R20は、H、C1-4-アルキル、C1-4-ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択される。本発明の組成物が下層として使用されるとき、縮合ポリマーの1つ以上は1つ以上の発色団部分を含むことが好ましく、少なくとも1つの発色団部分はポリマー主鎖からペンダントしていることがより好ましい。適切な発色団は、アリール部分、置換アリール部分、アラルキル部分、またはアラルケニル部分、例えば、C6-20アリール、置換C6-20アリール、C6-20アラルキル、及びC8-30アラルケニルである。そのような発色団の選択は、所望される反射防止特性によって決定され、当業者の能力の範囲内である。別の好ましい実施形態では、1つ以上の縮合物及び/または加水分解物は、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、及びアクリジニルから選択される、発色団部分を含む、少なくとも1つの追加の不飽和モノマーをさらに含む。好ましい代替の実施形態では、少なくとも1つの縮合性ケイ素モノマーは、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、及びアクリジニルから選択される、発色団部分をさらに含む。
様々な有機溶媒及び水を本組成物において使用することができるが、但し溶媒が組成物の成分を溶解する場合に限る。好ましくは、本組成物は、1つ以上の有機溶媒を含み、場合によっては水を含む。有機溶媒は単独で使用してもよくまたは有機溶媒の混合物を使用してもよい。適切な有機溶媒としては、ケトン、例えばシクロヘキサノン及びメチル-2-n-アミルケトン;アルコール、例えば3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、及び1-エトキシ-2-プロパノール;エーテル、例えばプロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールエチルエーテル(PGEE)、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、及びジエチレングリコールジメチルエーテル;エステル、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルラクテート(EL)、メチルヒドロキシイソブチレート(HBM)、エチルピルベート、ブチルアセテート、メチル3-メトキシプロピオネート、エチル3-エトキシプロピオネート、tert-ブチルアセテート、tert-ブチルプロピオネート、及びプロピレングリコールモノ-tert-ブチルエーテルアセテート;ラクトン、例えばガンマ-ブチロラクトン;及びそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。好ましい溶媒は、PGME、PGEE、PGMEA、EL、HBM、及びそれらの組み合わせである。
本発明の組成物は、1つ以上の任意の成分、例えば硬化触媒、コーティング促進剤、1つ以上の安定剤などを含むことができる。本発明の組成物で使用されるこのような任意の成分の量は十分に当業者の能力の範囲内にある。
適切な硬化触媒には、熱酸発生剤、光酸発生剤、及び第四級アンモニウム塩、好ましくは熱酸発生剤及び第四級アンモニウム塩、より好ましくは第四級アンモニウム塩が挙げられるが、それらに限定されない。熱酸発生剤は、熱に曝露されると酸を遊離する任意の化合物である。熱酸発生剤は当技術分野で良く知られており、例えばKing Industries(Norwalk,Connecticut)から一般に市販されている。例示的な熱酸発生剤としては、アミンでブロックされた強酸、例えばアミンでブロックされたドデシルベンゼンスルホン酸のようなアミンでブロックされたスルホン酸が挙げられるが、それらに限定されない。広範な種類の光酸発生剤もまた、当技術分野で知られており、例えばWako Pure Chemical Industries,Ltd.及びBASF SEから一般に市販されている。適切な第四級アンモニウム塩は、第四級アンモニウムハリド、第四級アンモニウムカルボキシレート、第四級アンモニウムスルホネート、第四級アンモニウムビスルフェートなどである。好ましい第四級アンモニウム塩としては、ベンジルトリアルキルアンモニウムハリド、例えばベンジルトリメチルアンモニウムクロリド及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド;テトラアルキルアンモニウムハリド、例えばテトラメチルアンモニウムハリド、テトラエチルアンモニウムハリド、及びテトラブチルアンモニウムハリド;テトラアルキルアンモニウムカルボキシレート、例えばテトラメチルアンモニウムホルメート、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムトリフレート、テトラブチルアンモニウムアセテート、及びテトラブチルアンモニウムトリフレート;テトラアルキルアンモニウムスルホネート、例えばテトラメチルアンモニウムスルホネート及びテトラブチルアンモニウムスルホネート;などが挙げられる。好ましい硬化触媒は、テトラアルキルアンモニウムハリド、より好ましくはテトラアルキルアンモニウムクロリドである。そのような第四級アンモニウム塩は、例えばSigma-Aldrichから一般に市販されているものか、または当技術分野で知られている手順によって調製することができる。そのような任意の硬化触媒は、本組成物において、全固形分の0~10%、好ましくは全固形分の0.01~7%、より好ましくは全固形分の0.05~5%の量で使用される。
基板上にコーティングされる組成物の膜または層の品質を改善するために、コーティング促進剤が本組成物に任意に添加される。そのようなコーティング促進剤は、可塑剤、表面レベリング剤などとして機能することができる。そのようなコーティング促進剤は、当業者に良く知られており、一般に市販されている。例示的なコーティング促進剤は、長鎖アルカノール、例えばオレイルアルコール、セチルアルコールなど;グリコール、例えばトリプロピレングリコール、テトラエチレングリコールなど;及び界面活性剤である。任意の適切な界面活性剤をコーティング促進剤として使用することができるが、このような界面活性剤は、典型的には非イオン性である。例示的な非イオン性界面活性剤は、アルキレンオキシ結合を含有するものであり、例えばエチレンオキシ、プロピレンオキシ、またはエチレンオキシとプロピレンオキシ結合の組み合わせである。本組成物では、1つ以上のコーティング促進剤が使用されることが好ましい。コーティング促進剤は、本組成物において、典型的には全固形分の0~10%、好ましくは全固形分の0.5~10%、より好ましくは全固形分の1~8%の量で使用される。
1つ以上の安定剤を本組成物に任意に添加することができる。そのような安定剤は、貯蔵中のケイ素含有部分の望ましくない加水分解または縮合を防止するのに有用である。種々のそのような安定剤が知られており、好ましくはケイ素含有ポリマー安定剤は酸である。シロキサンポリマーに適切な酸安定剤としては、カルボン酸、カルボン酸無水物、鉱酸などが挙げられるが、それらに限定されない。例示的な安定剤としては、シュウ酸、マロン酸、無水マロン酸、リンゴ酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、グルタル酸、無水グルタル酸、アジピン酸、コハク酸、無水コハク酸、及び硝酸が挙げられる。驚くべきことに、式(1b)の1つ以上のモノマーを重合単位として含む有機ブレンドポリマーは、そのようなケイ素含有ポリマー酸安定剤の存在下で、本コーティング組成物において安定であることを見出した。そのような安定剤は、全固形分の0~20%、好ましくは全固形分の0.1~15%、より好ましくは全固形分の0.5~10%、さらにより好ましくは全固形分の1~10%の量で使用される。
本発明の組成物は、1つ以上の本縮合ポリマー、1つ以上の溶媒、及びいずれかの任意の成分を、任意の順序で組み合わせることによって調製される。本組成物は、そのまま使用することができるか、または例えばろ過によってさらに精製することができる。
本発明のプロセスは、(a)組成物であって、(1)重合単位として、(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを含む、1つ以上のポリマーであって、縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしており、ポリマーが、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
Figure 0007065160000016
式中、各Rxは、独立して、H、または1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、芳香族環への結合点を示す、1つ以上のポリマーと、(ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーと、を含む、ポリマーの縮合物及び/または加水分解物と、(2)1つ以上の溶媒と、を含む、組成物で、基板をコーティングして、コーティング層を形成することと、(b)コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、(c)ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設することと、(d)フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成することと、(e)潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)レリーフ画像を基板に転写することと、(g)湿潤剥離によってポリマー下層を除去することと、を含む。
本組成物のいずれかを含むコーティング層は、任意の適切な手段によって、例えばスピンコーティング、スロットダイコーティング、ドクターブレードコーティング、カーテンコーティング、ローラーコーティング、スプレーコーティング、浸漬コーティングなどによって、電子デバイス基板上にコーティングすることができる。スピンコーティングが好ましい。典型的なスピンコーティング法では、本発明の組成物は、500~4000rpmの速度で15~90秒間、スピンしている基板に塗布され、基板上において所望の縮合ポリマーの層が得られる。縮合ポリマー混合物層の厚さは、スピン速度ならびに組成物の固形分を変化させることによって調整され得ることは当業者には理解されよう。
本発明では、例えば、マルチチップモジュールなどのパッケージング基板、フラットパネルディスプレイ基板、集積回路基板、有機発光ダイオード(OLED)を含む発光ダイオード(LED)のための基板、半導体ウェーハ、多結晶シリコン基板などの広範な種類の電子デバイス基板を使用することができる。そのような基板は、典型的には、ケイ素、ポリシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、アルミニウム、サファイア、タングステン、チタン、チタン-タングステン、ニッケル、銅、及び金の1つ以上から構成される。適切な基板は、集積回路、光センサ、フラットパネルディスプレイ、集積光回路、及びLEDの製造で使用されるようなウェーハの形態であり得る。本明細書で使用するとき、用語「半導体ウェーハ」は、「電子デバイス基板」、「半導体基板」、「半導体デバイス」、及び様々なレベルの相互接続のための様々なパッケージ、例えばシングルチップウェーハ、マルチチップウェーハ、様々なレベルのパッケージ、またははんだ接続を必要とする他のアセンブリを包含することが意図されている。そのような基板は任意の適切なサイズであり得る。好ましいウェーハ基板直径は200mm~300mmであるが、より小さい直径やより大きい直径を有するウェーハを本発明に従って適切に使用することができる。本明細書で使用されるとき、用語「半導体基板」は、半導体デバイスの能動部分または動作部分を任意に含むことができる1つ以上の半導体層または構造を有する任意の基板を含む。半導体デバイスとは、少なくとも1つのマイクロ電子デバイスが上にバッチ作製されているかまたはこれからバッチ作製される半導体基板を指す。
基板上にコーティングされた後、そのコーティング層を比較的低温で任意にソフトベークして、溶媒及び他の比較的揮発性の成分を下層から除去する。典型的には、基板は、≦200℃、好ましくは100~200℃、より好ましくは100~150℃の温度でベークされる。ベーキング時間は、典型的には10秒~10分、好ましくは30秒~5分、より好ましくは60~90秒である。基板がウェーハであるとき、そのようなベーキングステップは、ホットプレート上でウェーハを加熱することによって行うことができる。そのようなソフトベーキングステップは、コーティング層の硬化の一部として行ってもよく、または完全に省略してもよい。
次いで、本縮合ポリマーを含むコーティング層を硬化させて下層を形成する。コーティング層は、コーティング層上に直接配設されたフォトレジストまたは他の有機層などのその後に塗布される有機層と膜が混ざり合わないように十分に硬化させ、所望の反射防止特性(n値及びk値)及び下層膜のエッチング選択性をなお維持する。コーティング層は、酸素含有雰囲気、例えば空気中または不活性雰囲気、例えば窒素中において、硬化された下層を提供するのに十分な条件下、例えば加熱下で硬化させることができる。この硬化ステップは、好ましくはホットプレート型装置で行われるが、オーブン硬化を用いて同等の結果を得ることができる。典型的には、そのような硬化は、≦350℃、好ましくは200~250℃の硬化温度で、縮合ポリマー層を加熱することによって行われる。あるいは、2段階硬化法または傾斜温度硬化法を使用してもよい。そのような2段階及び傾斜温度硬化条件は当業者に良く知られている。選択される硬化温度は、酸を遊離させるために使用される任意の熱酸発生剤が縮合ポリマー膜の硬化を助けるのに十分であるべきである。硬化時間は、10秒~10分、好ましくは30秒~5分、より好ましくは45秒~5分、さらにより好ましくは45~90秒であり得る。最終硬化温度の選択は、主として所望の硬化速度に従って決まり、より高い硬化温度はより短い硬化時間を必要とする。この硬化ステップの後、下層表面は、任意に、ヘキサメチルジシラザンなどのジシラザン化合物のような不動態化剤による処理によって、またはあらゆる吸着水を除去するための脱水ベークステップによって、任意に不動態化することができる。そのようなジシラザン化合物による不動態化処理は、典型的には120℃で行われる。
縮合ポリマーを含むコーティング層を硬化させて下層を形成した後、1つ以上の処理層、例えばフォトレジスト、ハードマスク層、底面反射防止コーティング(またはBARC)層などを下層上に配設することができる。例えば、フォトレジスト層は、例えばスピンコーティングによって、下層の表面上に直接配設してもよい。あるいは、BARC層を下層の上に直接塗布し、続いてBARC層を硬化させ、その硬化したBARC層上に直接フォトレジスト層をコーティングしてもよい。別の選択肢では、最初に有機下層を基板上にコーティングして硬化させ、次いで本発明の縮合ポリマー層を、硬化した有機下層上にコーティングし、次いでそのコーティング層を硬化させて下層を形成し、その下層上に任意のBARC層を直接コーティングすることができ、続いてその任意のBARC層を硬化させ、その硬化したBARC層上に直接フォトレジスト層をコーティングする。広範な様々なフォトレジスト、例えば193nmのリソグラフィーで使用されるフォトレジスト、例えばDow Electronic Materials(Marlborough,Massachusetts)から市販されているEpic(商標)ブランドで販売されているフォトレジストを適切に使用することができる。適切なフォトレジストは、ポジ型現像またはネガ型現像レジストのいずれかであってもよく、または従来のネガ型レジストであってもよい。次いで、フォトレジスト層を、パターン化された化学線を使用して画像化(露光)し、その露光されたフォトレジスト層を、適切な現像剤を使用して現像してパターン化されたフォトレジスト層を提供する。次に、そのパターンは、適切なプラズマによるドライエッチングなどの適切なエッチング技術によって、フォトレジスト層から、いずれかの任意のBARC層へと、次いで下層へと転写される。典型的には、そのようなエッチングステップ中にフォトレジストも除去される。次に、適切な技術、例えばOプラズマによるドライエッチングを用いて存在する任意の有機下層へとパターンは転写され、次いで基板へと必要に応じて転写される。これらのパターン転写ステップの後、下層及びいずれかの任意の有機下層は、従来の技術を使用して除去される。次いで、電子デバイス基板は、従来の手段に従ってさらに処理される。
本発明の組成物は、良好な耐エッチング性及び高いケイ素含量(≦45%Si、好ましくは0.5~30%Si)を有する下層を提供する。本明細書に記載の、本縮合ポリマーを含むコーティング層及び下層は湿式剥離性である。「湿式剥離性」とは、本発明のコーティング層及び下層が、そのコーティング層または下層を、従来の湿式剥離組成物と、例えば、(1)水性塩基組成物、例えば水性アルカリ(典型的には約5%)または水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(典型的には≧5重量%)、(2)水性フッ化物イオン剥離剤、例えばフッ化アンモニウム/二フッ化アンモニウム混合物、(3)鉱酸、例えば硫酸または塩酸と、過酸化水素との混合物、または(4)アンモニア、水及び任意に過酸化水素の混合物と接触させることによって除去され、好ましくは実質的に除去される(膜厚の≧95%)ことを意味している。本ポリマー、特に、本下層の特定の利点は、それらがアンモニアと過酸化水素の混合物と接触するとき湿式剥離性である点にある。硫酸と過酸化水素との適切な混合物は濃硫酸+30%過酸化水素である。広範なアンモニアと水との混合物を使用することができる。アンモニアと、水と、過酸化水素との適切な混合物は、1:1:5~1:10:50の重量比、例えば1:1:10、1:1:40、1:5:40または1:1:50の比のアンモニア+過酸化水素+水の混合物である。好ましくは、ポリマー層または下層の膜厚の≧97%、より好ましくは≧99%が、ポリマー層またはシロキサン下層を、(i)硫酸と過酸化水素との混合物、または(ii)水酸化アンモニウムと過酸化水素との混合物のいずれかと接触することによって除去される。
本縮合ポリマー層の別の利点は、それらが容易に除去されて、ウェーハなどの基板の再加工が可能になる点にある。そのような再加工法では、本発明の1つ以上の縮合ポリマーを含む上記の組成物は基板上にコーティングされる。次いで、コーティングされたポリマー層は、任意にソフトベークされ、次いで硬化されて下層を形成する。次に、下層上にフォトレジスト層が塗布され、レジスト層が画像化され現像される。次いで、そのパターン化されたレジスト層及び下層はそれぞれ除去され、ウェーハを再加工できるようにする。下層を、適切な温度で、上記の湿式剥離組成物、例えば水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド組成物(典型的には≧5重量%)及び水性フッ化物イオン剥離剤、例えばフッ化アンモニウム/二フッ化アンモニウム混合物のいずれかと接触させて下層を除去して、下層を有してない、または実質的に有していない基板を提供し、必要に応じて追加の再加工を容易に行うことができる。そのような再加工は、本縮合ポリマーの別の層を基板上にコーティングし、上記ポリマーコーティングを加工することを含む。
本発明によって提供されるさらなる利点は、基板上のケイ素含有下層であり、ケイ素含有下層は、1つ以上の本縮合ポリマーを含み、ケイ素含有下層は、70℃で5分間、30% NHOH/30% H/水の1/1/40重量/重量/重量の混合物と接触されるとき、100Å/秒超の除去速度を有する。好ましくは、そのようなケイ素含有下層は、少なくとも125、より好ましくは少なくとも150、なおより好ましくは少なくとも200、さらにより好ましくは少なくとも250Å/分の除去速度を有する。好ましくは、本縮合ポリマーは、重合単位として、上記のような1つ以上の第2の不飽和モノマーを有する。より好ましくは、そのような縮合ポリマーは、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
Figure 0007065160000017
式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、芳香族環への結合点を示す。
比較実施例1.水(156g)中の塩酸(6.15gの12.1N)を、メチルトリメトキシシラン(99.80g)、フェニルトリメトキシシラン(50.41g)、ビニルトリメトキシシラン(62.75g)、テトラエチルオルトシリケート(294g)、及び2-プロパノール(467g)の混合物に10分かけて加えた。その反応混合物を室温で1時間撹拌し、24時間加熱して還流し、室温まで冷却した。その溶液をプロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)(800g)で希釈し、低沸点の反応混合物成分を減圧下で除去した。得られた溶液をPGEEで希釈して、比較ポリマー1(M=9000Da)の最終10重量%溶液を得た。
実施例1:ポリマー1調製.1,3-ジオキソラン(304g)中に溶解されたtert-ブチルメタクリレート(tBMA)、(173g)、ガンマ-ブチロラクトン(GBLMA)、(166g)、及び3-(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(TMSPMA)、(60.6g)の溶液と、2:1v/vテトラヒドロフラン/アセトニトリル(60.6g)中に溶解されたV-65開始剤(60.6g)の溶液の両方を、窒素ブランケット下、75℃で、3-ジオキソラン(710g)に対して2時間かけて滴加した。添加後、その反応溶液を75℃でさらに2時間保持し、室温まで冷却し、ヘプタン:MTBE(1:1v/v、14L)中に沈殿させた。沈殿したポリマーを真空ろ過により回収し、24時間真空オーブンで乾燥させて、ポリマー1(tBMA/GBLMA/TMSPMA50/40/10)を白色固体(271g、68%)として得た。Mはポリスチレン標準に対するGPCにより決定され、5700Daであることが判明した。
実施例2.以下の表2に報告するポリマー2~12及び比較ポリマー2~4を、以下の表1に掲げたモノマーを使用して実施例1の手順に従って合成した。使用された各モノマーの量を表2にmol%で報告する。ポリマー2~12は、20~99%の収率で単離され、表2に報告したMを有していた。
Figure 0007065160000018
Figure 0007065160000019
実施例3.実施例2の手順を繰り返し、表3に報告したポリマー13~18を提供することが予想される。表3に報告したモノマー数は、実施例2の表1のモノマーを指す。
Figure 0007065160000020
実施例4.水(25.9g)中の塩酸(水中37重量%、7.76g)の溶液を、10分にわたって、THF(270g)中のTEOS(63.5g、50mol%)と実施例1からのポリマー1(50.0g、50mol%)との混合物に添加し、室温で1時間撹拌した。反応混合物を63℃まで20時間加熱し、次いで、室温まで冷却した。PGEE(200g)を添加し、揮発性種を減圧下で除去し、得られた溶液を、PGEEで希釈して、縮合ポリマー1(PGEE中10重量%、600g)を透明な溶液として得た。Mは、ポリスチレン標準(28,100Da)に対するGPCにより決定された。
実施例5.以下の表5に報告する縮合ポリマー2~26を、実施例1及び2からのポリマー1~12、及び以下の表4に掲げたモノマーを使用して、実施例4の手順に従って合成した。使用された各モノマーの量を表5にmol%で報告する。縮合ポリマー2~12は、20~99%の収率で単離され、表5に報告したMを有していた。
Figure 0007065160000021
Figure 0007065160000022
Figure 0007065160000023
実施例6.以下の成分を組み合わせた:成分1としての3.277gの縮合ポリマー2;成分2としてのPGEE中のテトラブチルアンモニウムクロリドの0.77gの0.1重量%溶液;成分3としての4.325gのPGEE;及び成分4としての8.85gの2-ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル。混合物を0.2μmのポリテトラフルオロエチレン注射器を介してろ過して、配合物1を得た。
実施例7.実施例6の手順を繰り返し、表6に報告した配合物2~26を調製した。表6では、成分1は、各配合物に添加されたポリマーを指し、成分2は、PGEE中のテトラブチルアンモニウムクロリドの0.1重量%溶液であり、成分3は、PGEEであり、成分4は、2-ヒドロキシイソ酪酸メチルエステルである。成分5は、有機溶媒中の任意の比較ポリマーの10重量%溶液である。
Figure 0007065160000024
Figure 0007065160000025
実施例8.実施例7からの配合物を、ベア200mmシリコンウェーハ上に1500rpmでスピンコートし、ACT-8クリーントラック(Tokyo Electron Co.)を使用して240℃で60秒間ベークした。ベーキング後の各コーティングされた膜の厚さは、Therma-wave CoのOptiProbe(商標)装置で測定した。次いで、30% NHOH/30% H/水の1/1/40重量/重量/重量混合物を使用して、各コーティングされたサンプルを、SC-1湿式剥離性について評価した。SC-1混合物を70℃まで加熱し、各コーティングされたウェーハのクーポンを、溶液に5分間浸漬した。そのクーポンをSC-1混合物から取り出し、脱イオン水ですすぎ、その膜厚を再び測定した。各サンプルの膜厚損失を、剥離剤との接触前と後の膜厚の差として計算した。上記のように調製した別個の膜を、エッチング後に、SC-1剥離性について任意に試験した。酸素ガス、25sscmの流量、電力180W、及び圧力6mTorrでPlasma-Therm Co.のRIE790を使用して、60秒間、エッチングを行った。Å/分の膜除去速度として得られる、剥離結果を、表7に報告する。0~1Å/分の剥離速度は、「エッチングなし」と見なされた。表7では、
Figure 0007065160000026
>1~10Å/分の剥離速度を示し、「■」は、>10~50Å/秒の剥離速度を示し、「□」は、>50~100Å/分の剥離速度を示し、「▲」は、>100~250Å/分の剥離速度を示し、
Figure 0007065160000027
>250Å/分の剥離速度を示す。
Figure 0007065160000028
比較実施例2.1,3-ジオキソラン(304g)中に溶解されたtert-ブチルメタクリレート(tBMA)、(173g)、ガンマ-ブチロラクトン(GBLMA)、(166g)、及び3-(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(TMSPMA)、(60.6g)の溶液と、2:1v/vテトラヒドロフラン/アセトニトリル(60.6g)中に溶解されたV-65開始剤(60.6g)の溶液の両方を、窒素ブランケット下、75℃で、3-ジオキソラン(710g)に対して2時間かけて滴加した。添加後、その反応溶液を75℃でさらに2時間保持し、室温まで冷却し、ヘプタン:MTBE(1:1v/v、14L)中に沈殿させた。沈殿したポリマーを真空ろ過により回収し、24時間真空オーブンで乾燥させて、白色固体(271g、68%)として比較ポリマー5(tBMA/GBLMA/TMSPMA 50/40/10)を得た。Mはポリスチレン標準に対するGPCにより決定され、5700Daであることが判明した。
比較ポリマー5(15g、91.5mmol)及び35gのテトラヒドロフラン(THF)を、熱電対、オーバーヘッドスターラー、水冷コンデンサー、添加漏斗、N供給ライン、バブラー、及び加熱マントルを備えた250mLの三つ口丸底フラスコに添加した。その混合物を、すべてのポリマーが溶解するまで室温で撹拌した。別の容器では、塩酸(0.122g、1.235mmol)及びDI水(0.816g、45.2mmol)を一緒に混合した。その酸性水溶液を周囲温度で10分かけて添加漏斗を介して反応器に入れた。その混合物を室温で1時間撹拌した。次いで、温度を63±2℃に30分間にわたって調整して還流を開始した。その溶液を還流温度で4時間撹拌した。その反応混合物を、撹拌を続けながら一晩室温まで冷却した。次に、その溶液を、PGEEで希釈し、減圧下、ロータリーエバポレーターで濃縮して、縮合比較ポリマー5を得た。その溶液を、1時間ローリングすることによって、Amberlite IRN150イオン交換樹脂(最終重量の10重量%)で処理し、0.2μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)フィルターを使用してろ過し、-10℃のプラスチック容器中に保存した。縮合比較ポリマー5を分析すると、Mは51,000Da及びPDIは4.3であった。
実施例9.膜A~Eは、以下の表8に示される組成物を、別個の3インチのアルミニウムパンに分注することによって調製した。比較実施例2からの縮合比較ポリマー5は、別個の縮合性ケイ素モノマーを含有しない。膜C及びEは、パンに分注される前に、ポリマーと縮合されていなかった、オルトケイ酸テトラエチル(「TEOS」)を含有する組成物から形成された。膜C及びWの配合物において使用されるTEOSは、原位置で膜を硬化するためのものであった。膜は、コーティング品質に関して、目視検査された。膜のコーティング品質も、表8に報告する。膜C及びEは、不均質であり、相分離及び非均一性を示し、そのような膜を、下層用途に対して不適切なものにした。
Figure 0007065160000029
目視検査後、膜A~Eを含むパンの各々を、110℃まで60分間加熱し、乾燥させた膜を剥がし、FTIRによって分析した。膜の各々に対する1770~1850cm-1及び1769~1650cm-1の総FTIRピーク面積を積分した。表9は、総ピーク面積のパーセンテージとしてのこれらの面積を表す。これらは、IRスペクトルにおけるC=O結合伸長領域であり、膜構造を示す。これらのパーセンテージの相違は、膜の相違を示す。表9のデータは、膜A~C及びEが、それらが両方の領域において、類似のパーセンテージのピーク面積を有しているため、構造において互いに類似しているが、しかしながら、膜Dは、1769~1650cm-1範囲の著しくより高いパーセンテージのピーク面積を有することを明確に示し、膜Dが、他の膜とは異なる膜構造を示す。膜Dはまた、他の膜のスペクトルでは欠如しているシラノールに対応する3000~3500cm-1の伸長を有する。膜の質、C=O積分、及び3000~3500cm-1の伸長から、膜Dが、膜A~C及びEとは異なることが明確である。
Figure 0007065160000030
実施例10.表10に報告する配合物は、実施例7の手順に従って調製し、成分2、3、及び4は、実施例7に定義されるとおりである。加えて、各配合物は、0.6gのコーティング促進剤及び0.38gのカルボン酸を含有していた。比較ポリマー5(米国特許第8,932,953号からの)は、第1の成分対第2の成分の1:1の比における、第1の成分としてのt-ブトキシスチレン/TMSPMA(90/10)の縮合生成物、及び第2の成分としてのTEOSの縮合生成物である。ポリマー27は、tBMA/GBLMA/HEMA/BzMA/TMSPMA(50/25/5/10/10)であり、実施例1の一般手順に従って調製し、ここでは、HEMA=ヒドロキシエチルメタクリレートであり、BzMA=ベンジルメタクリレートである。ポリマー27は、4010のM及び1.7のPDIを有すると判定された。縮合ポリマー27は、50/50モル量のポリマー27及びTEOSを使用して、実施例4の手順に従って調製され、50,000のMw及び4.1のPDIを有すると判定された。
配合物27及び28、ならびに比較配合物5を、実施例8の手順に従うエッチングの前に剥離性について評価した。Å/分単位の膜除去の速度として得られる剥離結果を表10に報告し、ここでは、負の数字は、膜の膨張を示す。
Figure 0007065160000031
本発明の組成物及び方法は以下の形態及び態様を含む。
(1)組成物であって、(a)1つ以上の溶媒と、(b)(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを含む、1つ以上のポリマーであって、前記縮合性ケイ素含有部分が、前記ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上のポリマーと、(ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーとの縮合物及び/または加水分解物と、を含み、前記1つ以上のポリマーが、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
Figure 0007065160000032
式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、前記芳香族環への結合点を示す、組成物。
(2)少なくとも1つの縮合性ケイ素モノマーが、式(8)を有し、
Si(R50(X)4-p (8)
式中、pは、0~3の整数であり、各R50は、C1-30ヒドロカルビル部分及び置換C1-30ヒドロカルビル部分から独立して選択され、各Xは、ハロ、C1-10アルコキシ、-OH、-O-C(O)-R50、及び-(O-Si(R51p2-Xから独立して選択され、Xは、ハロ、C1-10アルコキシ、-OH、-O-C(O)-R50から独立して選択され、各R51は、R50及びXから独立して選択され、p2は、1~10の整数である、(1)に記載の組成物。
(3)前記縮合性ケイ素含有部分が、下式を有し、
Figure 0007065160000033
式中、Lは、単一の共有結合または2価の連結基であり、各Rは、H、C1-10-アルキル、C2-20-アルケニル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択され、各Yは、ハロゲン、C1-10-アルコキシ、C5-10-アリールオキシ、C1-10-カルボキシから独立して選択され、bは、0~2の整数であり、*は、前記ポリマー主鎖への結合点を示す、(1)に記載の組成物。
(4)Lが、2価の連結基である、(3)に記載の組成物。
(5)前記2価の連結基が、酸素及びケイ素から選択される1個以上のヘテロ原子を含む、(4)に記載の組成物。
(6)前記2価の連結基が、1~20個の炭素原子、及び任意に1個以上のヘテロ原子を有する有機ラジカルである、(4)に記載の記載の組成物。
(7)前記2価の連結基が、式-C(=O)-O-L-を有し、式中、Lは、単一の共有結合、または1~20個の炭素原子を有する有機ラジカルである、(3)に記載の組成物。
(8)少なくとも1つの第1の不飽和モノマーが、式(1)を有し、
Figure 0007065160000034
式中、Lは、単一の共有結合または2価の連結基であり、各Rは、H、C1-10-アルキル、C2-20-アルケニル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択され、R及びRの各々は、H、C1-4アルキル、C1-4ハロアルキル、ハロ、C5-20-アリール、C6-20アラルキル、及びCNから独立して選択され、Rは、H、C1-10アルキル、C1-10ハロアルキル、ハロ、C5-20-アリール、C6-20アラルキル、及びC(=O)Rから選択され、Rは、OR及びN(Rから選択され、Rは、H、及びC1-20アルキルから選択され、各Rは、H、C1-20アルキル、及びC6-20アリールから独立して選択され、各Yは、ハロゲン、C1-10-アルコキシ、C5-10-アリールオキシ、C1-10-カルボキシから独立して選択され、bは、0~2の整数である、(1)に記載の組成物。
(9)前記縮合物及び/または加水分解物が、重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有していない1つ以上の第2の不飽和モノマーをさらに含む、(1)に記載の組成物。
(10)少なくとも1つの第2の不飽和モノマーが、酸性プロトンを有し、-5~13の水中pKaを有する、(9)に記載の組成物。
(11)少なくとも1つの第2の不飽和モノマーが、式(2)を有し、
Figure 0007065160000035
式中、Zは、酸分解性基、第三級炭素を介して酸素に結合されるC4-30有機残基、アセタール官能基を含むC4-30有機残基、及びラクトン部分を有する1価の有機残基から選択され、R10は、H、C1-4アルキル、C1-4ハロアルキル、ハロ、及びCNから独立して選択される、(9)に記載の組成物。
(12)前記縮合物及び/または加水分解物が、重合単位として、発色団部分を有する1つ以上の不飽和モノマーをさらに含む、(1)に記載の組成物。
(13)前記発色団部分が、前記ポリマー主鎖からペンダントしている、(12)に記載の組成物。
(14)前記発色団部分が、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、及びアクリジニルから選択される、(13)に記載の組成物。
(15)方法であって、(a)組成物であって、(1)(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを含む、1つ以上のポリマーであって、前記縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上のポリマーと、(ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーとの縮合物及び/または加水分解物であって、前記1つ以上のポリマーが、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
Figure 0007065160000036
式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、前記芳香族環への結合点を示す、縮合物及び/または加水分解物、ならびに(2)1つ以上の溶媒を含む、組成物で、基板をコーティングして、コーティング層を形成することと、(b)前記コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、(c)前記ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設することと、(d)前記フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成することと、(e)前記潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)前記レリーフ画像を前記基板に転写することと、(g)湿潤剥離によって前記ポリマー下層を除去することと、を含む、方法。
(16)前記ポリマー下層が、湿潤剥離によって除去される、(15)に記載の方法。

Claims (13)

  1. 組成物であって、(a)1つ以上の溶媒と、(b)(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーであって、前記縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上の第1の不飽和モノマーと、発色団部分を有し、かつ縮合性ケイ素含有部分を有さない1つ以上の不飽和モノマーと、縮合性ケイ素含有部分を有さず、かつ式(3)を有し、
    Figure 0007065160000037
    式中、Zは、酸分解性基、第三級炭素を介して酸素に結合されるC4-30有機残基、アセタール官能基を含むC4-30有機残基、及びラクトン部分を有する1価の有機残基から選択され、R10は、H、C1-4アルキル、C1-4ハロアルキル、ハロ、及びCNから独立して選択される、1つ以上の第2の不飽和モノマーと、を含む、1つ以上のポリマーと、
    (ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーとの縮合物及び/または加水分解物と、を含み、前記1つ以上のポリマーが、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
    Figure 0007065160000038
    式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、前記芳香族環への結合点を示す、組成物。
  2. 少なくとも1つの縮合性ケイ素モノマーが、式(8)を有し、
    Si(R50(X)4-p (8)
    式中、pは、0~3の整数であり、各R50は、C1-30ヒドロカルビル部分及び置換C1-30ヒドロカルビル部分から独立して選択され、各Xは、ハロ、C1-10アルコキシ、-OH、-O-C(O)-R50、及び-(O-Si(R51p2-Xから独立して選択され、Xは、ハロ、C1-10アルコキシ、-OH、-O-C(O)-R50から独立して選択され、各R51は、R50及びXから独立して選択され、p2は、1~10の整数である、請求項1に記載の組成物。
  3. 前記縮合性ケイ素含有部分が、下式を有し、
    Figure 0007065160000039
    式中、Lは、単一の共有結合または2価の連結基であり、各Rは、H、C1-10-アルキル、C2-20-アルケニル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択され、各Yは、ハロゲン、C1-10-アルコキシ、C5-10-アリールオキシ、C1-10-カルボキシから独立して選択され、bは、0~2の整数であり、*は、前記ポリマー主鎖への結合点を示す、請求項1に記載の組成物。
  4. Lが、2価の連結基である、請求項3に記載の組成物。
  5. 前記2価の連結基が、酸素及びケイ素から選択される1個以上のヘテロ原子を含む、請求項4に記載の組成物。
  6. 前記2価の連結基が、1~20個の炭素原子、及び任意に1個以上のヘテロ原子を有する有機ラジカルである、請求項4に記載の組成物。
  7. 前記2価の連結基が、式-C(=O)-O-L-を有し、式中、Lは、単一の共有結合、または1~20個の炭素原子を有する有機ラジカルである、請求項3に記載の組成物。
  8. 少なくとも1つの第1の不飽和モノマーが、式(1)を有し、
    Figure 0007065160000040
    式中、Lは、単一の共有結合または2価の連結基であり、各Rは、H、C1-10-アルキル、C2-20-アルケニル、C5-20-アリール、及びC6-20-アラルキルから独立して選択され、R及びRの各々は、H、C1-4アルキル、C1-4ハロアルキル、ハロ、C5-20-アリール、C6-20アラルキル、及びCNから独立して選択され、Rは、H、C1-10アルキル、C1-10ハロアルキル、ハロ、C5-20-アリール、C6-20アラルキル、及びC(=O)Rから選択され、Rは、OR及びN(Rから選択され、Rは、H、及びC1-20アルキルから選択され、各Rは、H、C1-20アルキル、及びC6-20アリールから独立して選択され、各Yは、ハロゲン、C1-10-アルコキシ、C5-10-アリールオキシ、C1-10-カルボキシから独立して選択され、bは、0~2の整数である、請求項1に記載の組成物。
  9. 前記(i)の1つ以上のポリマーが、酸性プロトンを有し、-5~13の水中pKaを有し、かつ縮合性ケイ素含有部分を有しない、少なくとも1つの不飽和モノマーを重合単位としてさらに含む、請求項1~8のいずれか1項に記載の組成物。
  10. 前記発色団部分が、前記ポリマー主鎖からペンダントしている、請求項1~9のいずれか1項に記載の組成物。
  11. 前記発色団部分が、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、及びアクリジニルから選択される、請求項10に記載の組成物。
  12. (a)(1)(i)重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーであって、前記縮合性ケイ素含有部分が、ポリマー主鎖にペンダントしている、1つ以上の第1の不飽和モノマーと、発色団部分を有し、かつ縮合性ケイ素含有部分を有さない1つ以上の不飽和モノマーと、縮合性ケイ素含有部分を有さず、かつ式(3)を有し、
    Figure 0007065160000041
    式中、Zは、酸分解性基、第三級炭素を介して酸素に結合されるC4-30有機残基、アセタール官能基を含むC4-30有機残基、及びラクトン部分を有する1価の有機残基から選択され、R10は、H、C1-4アルキル、C1-4ハロアルキル、ハロ、及びCNから独立して選択される、1つ以上の第2の不飽和モノマーと、を含む、1つ以上のポリマーと、
    (ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーとの縮合物及び/または加水分解物であって、前記1つ以上のポリマーが、下式の置換基を有するペンダント芳香族環を有しておらず、
    Figure 0007065160000042
    式中、各Rxは、独立して、Hまたは1~15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは、一緒になって脂肪族環を形成してもよく、Lgは、H、1~10個の炭素を有する脂肪族の1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、a1=0または1であり、*は、前記芳香族環への結合点を示す、縮合物及び/または加水分解物、ならびに(2)1つ以上の溶媒を含む、組成物で、基板をコーティングして、コーティング層を形成することと、
    (b)前記コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、
    (c)前記ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設することと、
    (d)前記フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成することと、
    (e)前記潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、
    (f)前記レリーフ画像を前記基板に転写することと、
    (g)湿潤剥離によって前記ポリマー下層を除去することと、
    を含む、方法。
  13. 底面反射防止コーティング層を前記ポリマー下層上に直接配設し、次いで前記反射防止コーティング層を硬化させ、次いで前記フォトレジスト層を前記硬化した反射防止コーティング層上に直接配設することをさらに含む、請求項12に記載の方法。
JP2020157442A 2016-12-14 2020-09-18 ケイ素含有下層を使用する方法 Active JP7065160B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662434072P 2016-12-14 2016-12-14
US62/434,072 2016-12-14

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017236579A Division JP2018115313A (ja) 2016-12-14 2017-12-11 ケイ素含有下層を使用する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020204047A JP2020204047A (ja) 2020-12-24
JP7065160B2 true JP7065160B2 (ja) 2022-05-11

Family

ID=62489136

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017236579A Pending JP2018115313A (ja) 2016-12-14 2017-12-11 ケイ素含有下層を使用する方法
JP2020157442A Active JP7065160B2 (ja) 2016-12-14 2020-09-18 ケイ素含有下層を使用する方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017236579A Pending JP2018115313A (ja) 2016-12-14 2017-12-11 ケイ素含有下層を使用する方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11506979B2 (ja)
JP (2) JP2018115313A (ja)
KR (1) KR102023387B1 (ja)
CN (1) CN108227383A (ja)
TW (1) TWI678386B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180164685A1 (en) * 2016-12-14 2018-06-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method using silicon-containing underlayers
US11360387B2 (en) * 2017-08-04 2022-06-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silicon-containing underlayers
JP6950662B2 (ja) * 2018-10-30 2021-10-13 信越化学工業株式会社 基板保護膜形成用材料及びパターン形成方法
WO2022234804A1 (ja) * 2021-05-06 2022-11-10 日本化薬株式会社 硬化性樹脂組成物の硬化物の分解方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005146131A (ja) 2003-11-17 2005-06-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2013067799A (ja) 2011-09-21 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc フォトリソグラフィのための組成物および反射防止コーティング
JP2013083964A (ja) 2011-09-30 2013-05-09 Jsr Corp レジストパターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060280A (ja) * 1996-08-14 1998-03-03 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 水系分散体
JP4146221B2 (ja) * 2002-12-17 2008-09-10 オリヱント化学工業株式会社 反応性ケイ素含有基を有する共重合体、及び有機・無機ハイブリッド高分子材料
JP4517229B2 (ja) 2004-08-03 2010-08-04 ナガセケムテックス株式会社 シルセスキオキサン含有化合物及びその製造方法
JP4784784B2 (ja) * 2006-08-28 2011-10-05 日産化学工業株式会社 液状添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物
JP2008076889A (ja) 2006-09-22 2008-04-03 Jsr Corp レジスト下層膜用組成物及びその製造方法
US9120952B2 (en) 2006-10-27 2015-09-01 University Of South Florida Polymeric microgels for chemical mechanical planarization (CMP) processing
KR20080085522A (ko) 2007-03-20 2008-09-24 엘지전자 주식회사 감광성 격벽 재료, 그 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마디스플레이 패널의 제조방법
KR20100109111A (ko) 2009-03-31 2010-10-08 삼성전자주식회사 네거티브형 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조방법
CN102460301B (zh) * 2009-06-02 2014-08-06 日产化学工业株式会社 含有带硫醚键的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
TWI401263B (zh) * 2009-12-31 2013-07-11 Far Eastern New Century Corp 增進聚矽氧水膠潤濕性之共聚物、包含其之聚矽氧水膠組成物及由此製得之眼用物件
KR101833208B1 (ko) * 2010-10-22 2018-04-13 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 플루오르계 첨가제를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물
JP5859466B2 (ja) * 2013-01-08 2016-02-10 信越化学工業株式会社 チタン含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
TWI541610B (zh) 2013-07-25 2016-07-11 Chi Mei Corp Photosensitive polysiloxane compositions and their use
JP6297992B2 (ja) 2015-02-05 2018-03-20 信越化学工業株式会社 ケイ素含有重合体、ケイ素含有化合物、レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
US9442377B1 (en) 2015-06-15 2016-09-13 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Wet-strippable silicon-containing antireflectant
US20180164685A1 (en) * 2016-12-14 2018-06-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method using silicon-containing underlayers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005146131A (ja) 2003-11-17 2005-06-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2013067799A (ja) 2011-09-21 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc フォトリソグラフィのための組成物および反射防止コーティング
JP2013083964A (ja) 2011-09-30 2013-05-09 Jsr Corp レジストパターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物

Also Published As

Publication number Publication date
CN108227383A (zh) 2018-06-29
JP2020204047A (ja) 2020-12-24
KR102023387B1 (ko) 2019-09-20
TW201821485A (zh) 2018-06-16
KR20180068875A (ko) 2018-06-22
JP2018115313A (ja) 2018-07-26
TWI678386B (zh) 2019-12-01
US20180164686A1 (en) 2018-06-14
US11506979B2 (en) 2022-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7065160B2 (ja) ケイ素含有下層を使用する方法
KR101916096B1 (ko) 실리콘-함유 하부 층
JP7269904B6 (ja) ケイ素含有下層
JP7139469B2 (ja) ケイ素含有下層
TWI680354B (zh) 使用含矽底層之方法以及用於形成含矽底層之組合物
TWI661013B (zh) 使用含矽墊層之方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200918

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210903

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20211130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220401

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220425

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7065160

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150