JP2018190480A - ランダム・アクセス・メモリ及び関連する回路、方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
非特許文献1:”09/2005, “Logic Gate Design Developing Platform”, New Electronic Technology, 234”
非特許文献2:”10/2005, “Logic Gate Design Developing Platform (2)”, New Electronic Technology, 235”
非特許文献3:”12/2005, “Logic Gate Design Developing Platform (3)”, New Electronic Technology, 237”
非特許文献4:”07/20006, “Spread Pulse Trigger and ADS Simulation Technique”, Electronic and Computer, 87”
非特許文献5:”10/2006, “Memory Design and Exploration”, Electronic and Computer, 90”
非特許文献6:”5/2012, “The technique problem of 3T SRAM has a solution by taking advantage of CMOS”, New Electronic Technology”。
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セル(以後、「SRAMセル」)は、ランダム・アクセス・メモリのメモリ素子である。
セルアクセス及びホールド(CAH)は、一種のアクセス回路であり、前述したメモリ素子とメモリ送信インターフェイスとの間に配置され、ビット値を前述したメモリ素子に書き込む、又は前述したメモリ素子からビット値を読み出すように構成されたホールド回路を含む。また、前述したメモリ素子に記憶されたビット値は、前述したメモリ素子の特性に応じて保持される。
拡散パルス・トリガ(以下、「SPT」と示す)は、電圧変化又はパルスをトリガとみなして、レール間のパルス信号を生成するように構成される。最小電圧変化はゼロに近く、最も狭いパルス幅は、トランジスタの伝搬遅延よりも小さくなり得る。より具体的には、入力ノードの電圧が低電圧レベルからトリガレベルまで増大するか、逆に高電圧からトリガレベルまで低下する。換言すれば、トリガ信号は、入力ノードの電圧レベルが第1の論理レベルから第2の電圧レベルに変化するとトリガされ、次に、出力ノードの論理レベルは迅速且つ大幅に切り替えられる。最後に、レール間のパルス信号が出力される。論理レベルは、デジタル回路の入力電圧レベル又は出力電圧レベルとして規定され、第2の電圧レベルは、第1の論理レベルとは異なる電圧値として規定され、その電圧極性は、第1の論理レベルの極性とは反対である。改良前のSPTの内部回路は、レール間のパルス信号を生成し、回路の出力波形は、トリガ信号の時間を対応するパルス幅に変換することによって生成されるので、「SPT_W」と表示される。例示的な波形は、図21及び図22で参照することができる。改良後、レール間のクロック信号が生成され、回路の出力波形は、トリガ信号の時間に基づいてパルス信号を周期的に発生させることによって生成されるため、「SPT_C」と表示される。例示的な波形は、図23で参照することができる。さらに、当業者であれば、本発明の教示を読んだ後にSPT_WとSPT_Cとの関係を理解しておき、両方の機能を含むように制御信号とスイッチ回路とを追加して、波形幅又は波形周期を選択的に出力することができることを理解すべきであり、「SPT_B」と表示される。詳細な説明と波形は、非特許文献4を参照されたい。
セル電圧レギュレータ(CVR)は、前述したSRAMセル100の動作電圧を供給するために前述したメモリ素子の特性に従って設計される。上記の段落[0042]、[0043],[0050]、[0056]、及び[0120]によって、CAH300は、SPT4 SRAM301を介してわずかな電圧変化を検出することができる。また、段落[0040]は、既に、前述したSRAMセル100の許容可能な動作電圧について説明する。5T/4T/3T1R SRAMセルは、保持安定性が良好であるため、セルの通常電圧は、セル内のトランジスタの閾値電圧以下にすることが可能である。このようにして、リーク電流を大幅に低減することができ、好ましい実施形態では、読出し電圧は通常電圧に等しく、SPT4 SRAM301の協働によって高速読み出しが達成される。3T1D/3T1C SRAMの好ましい実施形態では、読出し電圧は通常電圧に等しく、通常電圧は待機電圧よりも高く、温度によってリーク電流が変化するため、待機電圧は動作温度によって変化する。
SRAMのアクセス・システムは、任意の種類のSRAMセルをコア素子として受け取り、周辺アクセス回路及び制御回路と組み合わせ、次にデータ送信インターフェイス及び制御インターフェイスと協働して、独立した完全なメモリ機能を完成させる。アクセス・システムの製品は、メモリチップ、キャッシュメモリ、コンピュータシステムのメインメモリ、及びデジタル信号プロセッサのメモリ等のチップ又はモジュールである。
DRAMのアクセス・システムは、任意の種類のDRAMセルをコア素子として受け取り、周辺アクセス回路及び制御回路と組み合わされ、次に、データ送信インターフェイス及び制御インターフェイスと協働して、独立した完全なメモリ機能を完成させる。
非特許文献1:”09/2005, “Logic Gate Design Developing Platform”, New Electronic Technology, 234”
非特許文献2:”10/2005, “Logic Gate Design Developing Platform (2)”, New Electronic Technology, 235”
非特許文献3:”12/2005, “Logic Gate Design Developing Platform (3)”, New Electronic Technology, 237”
非特許文献4:”07/2006, “Spread Pulse Trigger and ADS Simulation Technique”, Electronic and Computer, 87”
非特許文献5:”10/2006, “Memory Design and Exploration”, Electronic and Computer, 90”
非特許文献6:”5/2012, “The technique problem of 3T SRAM has a solution by taking advantage of CMOS”, New Electronic Technology”。
Claims (19)
- スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)セルに属するメモリ素子であって、
前記SRAMセルの回路が、データ送信ノードと、送信制御ノードと、セル電源終点と、記憶セルとを有しており、当該メモリ素子がアクセスを実行するとき、前記記憶セルは、データをラッチする能力を急速に失い、前記メモリ素子にアクセスがないとき、記憶状態を維持する期間でもあり、前記記憶セル内の素子が、第1のインバータと第2のインバータから構成される等価回路を構成し、第1のインバータ及び第2のインバータインバータは、フィードバック接続によってデータをラッチするように構成され、
前記記憶状態を維持する期間において、第1のインバータの最大電流が、第1のインバータの内部のリーク電流によって制限され、第2のインバータの最大電流が、第2のインバータの内部の弱電流によって制限され、
前記弱電流は、純粋な抵抗電流でも動的に制御される動作電流でもなく、逆電流を含むものであり、静的に制御される電流又はリーク電流に直接的に浸透する、
メモリ素子。 - 第1のインバータは、第1のトランジスタと第3のトランジスタとを含み、第2のインバータは、第2のトランジスタと第1のリーク電流回路とを含み、
第1のリーク電流回路は、前記弱電流を発生するように構成され、第1のリーク電流回路の実体構造は、純粋な抵抗器でも動的に制御されるトランジスタでもなく、ダイオード、コンデンサ、遮断領域で動作するトランジスタ、又は、直列又は並列に接続されたこれら素子の組合せを含む、請求項1に記載のメモリ素子。 - 請求項1に記載のメモリ素子を適用し、動作電圧を供給するように構成された電源供給方法において、前記動作電圧は、通常電圧、書込み電圧、読出し電圧、及び待機電圧に分割され、前記読出し電圧は前記通常電圧以上であり、前記通常電圧は前記待機電圧以上であり、前記待機電圧は前記書込み電圧以上である、
電源供給方法。 - 請求項1に記載のSRAMセルを適用し、前記弱電流が含まれないそれらメモリ素子に動作電圧を供給するように構成された電源供給方法において、前記動作電圧は、通常電圧、書込み電圧、読出し電圧、及び待機電圧に分割され、前記読出し電圧は前記通常電圧に等しく、前記通常電圧は前記書込み電圧以上であり、前記書込み電圧は前記待機電圧以上であり、前記通常電圧は前記SRAMセル内のトランジスタの閾値電圧以下である、
電源供給方法。 - 請求項3又は4に記載の電源供給方法に適用される切替え方法であって、当該切替え方法は、前記動作電圧を、前記通常電圧又は前記書込み電圧又は前記読出し電圧又は前記待機電圧に切り替える、
切替え方法。 - 請求項1に記載のメモリ素子に適用されるアクセス及びホールド方法であって、該アクセス及びホールド方法は、セル書込み機能、セル読出し機能、及びセル・ホールド機能を完了するように構成され、それぞれを独立して完了させることができ、前記セル書込み機能は、データを前記メモリ素子に書き込むように構成され、前記セル読出し機能は、前記メモリ素子からデータを読み出すように構成され、前記セル・ホールド機能は、少なくとも1つのメモリ素子の前記記憶状態を保持するように構成される、
アクセス及びホールド方法。 - 請求項1に記載のメモリ素子に適用され、前記メモリ素子の記憶状態にアクセスするように構成されたアクセス方法であって、当該アクセス方法は、書込み方法及び読出し方法を含み、
前記書込み方法は、最初に、セル書込み動作を行わずに前記セル・ホールドの動作フェーズに留まり、前記セル・ホールド動作を継続的又は断続的に実行するステップと、ステップ1において、前記セル・ホールド動作を停止した後に、前記セル書込み動作を実行し、前記セル書込みの動作フェーズに留まるステップと、ステップ2において、データを前記メモリ素子に書き込んだ後に、前記セル書込み動作を完了するステップと、ステップ3において、前記セル書込み動作を停止した後に、前記セル・ホールド動作を実行し、前記セル・ホールドの動作フェーズに留まるステップと、を含み、
前記読出し方法は、最初に、セル読出し動作が実行されていないときに、前記セル・ホールド動作を継続的又は断続的に実行し、セル・ホールドの動作フェーズに留まるステップと、ステップ1において、セル読み出しの動作フェーズに入った後に、セル・ホールド動作を停止するステップと、ステップ2において、前記メモリ素子からデータを読み出し、前記セル読出し動作を完了するステップと、ステップ3において、前記セル読出し動作が完了した後に、前記セル・ホールド動作を実行し、セル・ホールドの動作フェーズに留まるステップと、を含む、
アクセス方法。 - ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)セルに属するメモリ素子であって、前記DRAMセルの回路が、データ送信ノードと、送信制御ノードと、記憶セルとを有しており、前記記憶セルは、トランジスタと、1つ又は複数のP−N接合ダイオードによって形成される空乏容量とを含み、前記DRAMセルが第1の論理レベルに書き込まれたときに、前記DRAMセルの記憶状態が第1の論理レベルに維持され、前記DRAMセルが第2の論理レベルに書き込まれたときに、前記DRAMセルの前記記憶状態が第1の論理レベルに徐々に変化する、
メモリ素子。 - 請求項8に記載のDRAMセルに適用されるアクセス及びホールド方法であって、当該アクセス及びホールド方法は、セル書込み機能、セル読出し機能、及びセル・ホールド機能を完了するように構成され、それぞれを独立して完了させることができ、前記セル書込み機能は、データを前記DRAMセルに書き込むように構成され、前記セル読出し機能は、前記DRAMセルからデータを読み出すように構成され、前記セル・ホールド機能は、少なくとも1つのメモリ素子の前記記憶状態を保持するように構成される、
アクセス及びホールド方法。 - 請求項8に記載のDRAMセルに適用され、前記DRAMセルの記憶状態にアクセスするように構成されたアクセス方法であって、前記アクセス方法は、書込み方法及び読出し方法を含み、
前記書込み方法は、最初に、前記セル書込み動作を行わずに、前記セル・ホールドの動作フェーズに留まり、前記セル・ホールド動作を継続的又は断続的に実行するステップと、ステップ1において、前記セル・ホールド動作を停止した後に、前記セル書込み動作を実行し、前記セル書込みの動作フェーズに留まるステップと、ステップ2において、データを前記DRAMセルに書き込んだ後に、前記セル書込み動作を完了するステップと、ステップ3において、前記セル書込み動作を停止した後に、前記セル・ホールド動作を実行し、前記セル・ホールドの動作フェーズに留まるステップと、を含み、
前記読出し方法は、最初に、前記セル読出し動作が実行されていないときに、前記セル・ホールドの動作フェーズに留まり、前記セル・ホールド動作を継続的又は断続的に実行するステップと、ステップ1において、前記セル読出し動作に入った後に、前記セル・ホールド動作を停止するステップと、ステップ2において、前記DRAMセルからデータを読み出し、前記セル読出し動作を完了するステップと、ステップ3において、前記セル読出し動作が完了した後に、前記セル・ホールド動作を実行し、前記セル・ホールドの動作フェーズに留まるステップと、を含む、
アクセス方法。 - 電圧変化又はパルス幅をトリガ信号として受け取り、レール間の出力電圧を生成し、且つ前記トリガ信号の時間を対応する出力波形に変換するように構成された拡散パルスの方法であって、最小電圧変化がゼロに近い一方、最も狭いパルス幅がトランジスタの伝搬遅延よりも小さく、当該方法は、論理レベルを切り替えるレベル切替え方法を含み、該レベル切替え方法は、前記トリガ信号に従って別の論理レベルに切り替わり、前記トリガ信号の時間及び遅延信号に従って初期論理レベルに戻るように構成される、
方法。 - 請求項11に記載の方法を適用するレベル切替え器あって、当該レベル切替え器は、少なくとも第1の動作ノードと第1のポイズ(poise)ノードとを含み、当該レベル切替え器は、
最初に、第1の動作ノード上の第1の論理レベルによって当該レベル切替え器がイネーブルにされ、このとき、第1のポイズノードは第3の論理レベルを保持すること、
ステップ1において、第1の動作ノードは徐々に第2の論理レベルになり、当該レベル切替え器をディスエーブルにし、このとき、第1のポイズノードは、第1のポイズノードに入力された第4の論理レベルに従って、第3の論理レベルから徐々にエスケープし、第1の動作ノード上の電圧変化がトリガレベルに達した後に、第1のポーズノード上の電圧値が、第1のポイズノードに入力された第4の論理レベルに従って第3の論理レベルをエスケープすること、
ステップ2において、第1の動作ノードは、第1の論理レベルに戻り、当該レベル切替え器をイネーブルにすること、
ステップ3において、第1のポイズノードに入力された前記電圧値が依然として第4の論理レベルである場合に、第1のポイズノードは依然として第4の論理レベルを保持すること、
ステップ4において、第1のポイズノードに入力された前記電圧値が第3の論理レベルである場合に、第1のポイズノードは第3の論理レベルに戻ること、を行う、
レベル切替え器。 - 少なくとも刺激レベルノードと、第1の動作ノードと、第1の出力ノードとを含む、請求項11に記載のレベル切替え方法を適用するレベル切替え器であって、当該レベル切替え器は、
最初に、第1の動作ノードによって当該レベル切替え器をディスエーブルにし、第1の出力ノードは前記刺激レベルノードの電圧値を出力すること、
ステップ1において、第1の動作ノードは当該レベル切替え器を徐々にイネーブルにし、第1の出力ノードは前記刺激レベルノードの前記電圧値を徐々にエスケープし、第1の動作ノード上の電圧変化がトリガレベルに達した後に、第1の出力ノード上の前記論理レベルは第2の論理レベルになること、
ステップ2において、第1の動作ノードによって当該レベル切替え器をディスエーブルにすること、
ステップ3において、第1の出力ノードは、第2の論理レベルから徐々にエスケープし、前記刺激レベルノードの前記電圧値に徐々に戻ること、を行う、
レベル切替え器。 - 請求項11に記載の方法を適用し、対応するパルス幅を生成するように構成された拡散パルス・トリガであって、
レール間の前記出力電圧はレール間のパルス信号であり、前記出力波形は、前記トリガ信号の時間に基づいて対応するパルス幅に変換され、当該拡散パルス・トリガは、少なくともレベル切替え器と、第1の入力ノードと、第1の出力ノードとを含み、当該拡散パルス・トリガは、
最初に、第1の入力ノードは第1の論理レベルを保持し、前記レベル切替え器は第1の論理レベルを出力し、第1の出力ノードは第3の論理レベルを保持すること、
ステップ1において、第1の入力ノードは、第1の論理レベルから第2の電圧値に変化する、又は第2の電圧値に変化した後の所定の期間内に第1の論理レベルに戻ること、
ステップ2において、第1の入力ノード上の変化が検出されたときに、前記レベル切替え器は、第1の論理レベルから第2の論理レベルに変わり、第2の論理レベルを出力すること、
ステップ3において、第1の出力ノードは、第3の論理レベルから第4の論理レベルに変わること、
ステップ4において、第1の入力ノードが第2の論理レベルを保持する場合に、第1の出力ノードは第4の論理レベルを保持すること、
ステップ5において、第1の入力ノードが第1の論理レベルに戻った後であって、前記レベル切替え器が第1の論理レベルに戻った後に、第1の出力ノードは第3の論理レベルを出力し、その後、拡散パルス幅の機能が完了すること、を行う、
拡散パルス・トリガ。 - 請求項11に記載の方法を適用し、パルス信号を周期的に出力するように構成された拡散パルス・トリガであって、レール間の前記出力電圧はレール間のクロック信号であり、前記出力波形は、前記トリガ信号の時間に基づいてパルス信号を周期的に発生させることによって生成され、当該拡散パルス・トリガは、少なくともレベル切替え器と、第1の入力ノードと、第1の出力ノードとを含み、当該拡散パルス・トリガは、
最初に、第1の入力ノードは第1の論理レベルを保持し、前記レベル切替え器は第1の論理レベルを出力し、第1の出力ノードは第3の論理レベルを保持すること、
ステップ1において、第1の入力ノードは、第1の論理レベルから第2の電圧値に変化するか、又は第2の電圧値に変化した後の所定の期間内に第1の論理レベルに戻ること、
ステップ2おいて、第1の入力ノード上の変化が検出されたときに、前記レベル切替え器は第1の論理レベルから第2の論理レベルに変わり、第2の論理レベルを出力すること、
ステップ3において、第1の出力ノードは、第3の論理レベルと第4の論理レベルとの間で交互に変化すること、
ステップ4において、第1の出力ノードは、第1の入力ノードが第2の論理レベルを保持するときに、パルス信号を周期的に発生させること、
ステップ5において、第1の入力ノードが第1の論理レベルに戻った後であって、前記レベル切替え器が第1の論理レベルに戻った後に、第1の出力ノードは第3の論理レベルを出力し、前記パルス信号の生成を停止すること、を行う、
拡散パルス・トリガ。 - メモリ素子とメモリ送信インターフェイスとの間に配置され、前記メモリ素子の特性に従って設計されたアクセス及びホールド回路であって、当該アクセス及びホールド回路は少なくとも第1の制御ノードと、第2の制御ノードと、第1のデータ・ノードと、第2のデータ・ノードと、データ送信ノードと、第1の機能回路と、第2の機能回路とを含み、選択的に第3の機能回路を含み、
第1の機能回路は、請求項11に記載の方法が適用され、前記アクセス期間における前記データ送信ノード上の電圧レベルを検出し、対応するレール間電圧を出力するように構成され、
第2の機能回路は、前記データ送信ノードに状態保存電流を供給するように構成され、
選択的に、第3の機能回路は、前記アクセス期間における前記データ送信ノード上の電圧変化に従って強電圧を供給するように構成される、
アクセス及びホールド回路。 - ランダム・アクセス・メモリ・セルをコア素子として受け取り、周辺アクセス回路及び制御回路と組み合わせ、次にデータ送信インターフェイス及び制御インターフェイスと協働して独立した完全なメモリ機能を完成させるアクセス・システムであって、
当該アクセス・システムは、請求項16に記載のアクセス及びホールド回路を含むアクセスコントローラを少なくとも含む、
アクセス・システム。 - 請求項1に記載のメモリ素子を適用するアクセス・システムであって、前記メモリ素子は、周辺アクセス回路及び制御回路と組み合わせられるコア素子として受け取られ、少なくともメモリアレイ及びアクセスコントローラを含む、
アクセス・システム。 - 請求項8に記載のDRAMセルを適用するアクセス・システムであって、前記DRAMセルは、周辺アクセス回路及び制御回路と組み合わせられるコア素子として受け取られ、当該アクセス・システムは、少なくともアクセスコントローラと、メモリアレイと、リフレッシュコントローラとを含み、
アクセスコントローラは複数のセルアクセス及びホールド回路を含み、前記メモリアレイは複数のセルを含み、
前記セルアクセス及びホールド回路の数は、前記メモリアレイに含まれる前記DRAMセルのデータ幅に等しく、前記セルアクセス及びホールド回路のそれぞれのデータ送信ノードは、前記メモリアレイに含まれる前記DRAMセルのそれぞれのデータ送信ノードに対応し、
前記リフレッシュコントローラは、リフレッシュを実行するように前記アクセスコントローラを制御し、前記アクセスコントローラは、読出し期間に書き換え動作を行う、
アクセス・システム。
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