JP2018163309A - タッチセンサ内蔵表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】引き出し配線の段切れを抑制することが可能なタッチセンサ内蔵表示装置を提供する。
【解決手段】タッチセンサ内蔵表示装置は、下地絶縁膜と、下地絶縁膜の表示領域を覆う封止膜と、封止膜上の表示領域に2次元的に配列され、第1方向に隣り合う第1電極が第1接続線を介して接続された複数の第1電極と、第1電極と同層又は異層で2次元的に配列され、それぞれが平面視で第1電極に囲まれ、第2方向に隣り合う第2電極が第1接続線と平面視で交差する第2接続線を介して接続された複数の第2電極と、第1接続線と第2接続線との間に介在するとともに、封止膜の外縁と下地絶縁膜とで形成される段差を埋める層間絶縁膜と、第1電極又は第2電極に接続され、層間絶縁膜の段差を埋める部分上を通る引き出し配線と、を備えるタッチセンサ内蔵表示装置。
【選択図】図4

Description

本発明は、タッチセンサ内蔵表示装置に関する。
特許文献1には、隣り合う本体部が接続部を介して接続されたX方向に延びる第1の電極と、隣り合う本体部が接続部を介して接続されたY方向に延びる第2の電極とが封止膜を挟んで配置された静電容量方式タッチセンサを内蔵する表示装置が開示されている。
特開2015−50245号公報
ところで、本願の発明者らは、静電容量方式タッチセンサの電極に接続される引き出し配線を表示領域の外側の周辺領域まで引き出すことを検討している。しかしながら、その場合、引き出し配線は表示装置を封止する封止膜の外縁を超える必要があるため、封止膜の外縁により形成される段差によって引き出し配線が段切れを起こすおそれがある。
本発明の目的は、引き出し配線の段切れを抑制することが可能なタッチセンサ内蔵表示装置を提供することにある。
本発明のタッチセンサ内蔵表示装置は、下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜の表示領域を覆う封止膜と、前記封止膜上の前記表示領域に2次元的に配列された複数の第1電極であって、第1方向に隣り合う第1電極は第1接続線を介して接続され、前記第1方向と交差する第2方向に隣り合う第1電極は接続されない、複数の第1電極と、前記第1電極と同層又は異層で2次元的に配列され、それぞれが平面視で前記第1電極に囲まれた複数の第2電極であって、前記第2方向に隣り合う第2電極は、前記第1接続線と平面視で交差する第2接続線を介して接続され、前記第1方向に隣り合う第2電極は接続されない、複数の第2電極と、前記第1接続線と前記第2接続線との間に介在するとともに、前記封止膜の外縁と前記下地絶縁膜とで形成される段差を埋める層間絶縁膜と、前記第1電極又は前記第2電極に接続され、前記層間絶縁膜の前記段差を埋める部分上を通る引き出し配線と、を備えるタッチセンサ内蔵表示装置。
実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の平面図である。 図1の要部を拡大した図である。 図1に示すIII−III線で切断したときの断面図である。 図3の要部を拡大した図である。 変形例を示す図である。 他の変形例を示す図である。 他の実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の断面図である。 図7の要部を拡大した図である。 実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造工程例を示す図である。 図9に続く図である。 図10に続く図である。 図11に続く図である。 図12に続く図である。 図13に続く図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
図1は、実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置(以下、単に表示装置ともいう)の平面図である。図2は、図1に示す一点鎖線の枠内を拡大した図である。表示装置の例として、有機EL表示装置を挙げる。表示装置1は、例えば赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせてフルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。
表示装置1は、表示パネル10と、表示パネル10の表示領域15上に形成されたタッチセンサ20とを有している。表示パネル10の表示領域15の外側には周辺領域(額縁領域)11が形成されており、周辺領域11には画素を駆動するための集積回路チップ12が搭載され、外部との電気的接続のためのFPC(フレキシブルプリント基板)13が接続されている。以下の説明においては、周辺領域11のFPC13が接続される辺に沿った方向をX方向とし、それと直交する方向をY方向とする。
図3は、図1に示すIII−III線で切断したときの断面図である。図4は、図3における表示領域15と周辺領域11との境界部分を拡大した図である。これらの図では、断面構造を見易くするため、基板30、平坦化膜51及び画素分離膜55などの一部の層のハッチングを省略している。以下の説明では、積層方向を上方向とする。
基板30は、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂からなる。基板30はアンダーコート層31によって覆われている。アンダーコート層31上には半導体層41が形成されており、半導体層41はゲート絶縁膜33によって覆われている。ゲート絶縁膜33上にはゲート電極43が形成されており、ゲート電極43はパシベーション膜35によって覆われている。ドレイン電極45及びソース電極47は、ゲート絶縁膜33とパシベーション膜35とを貫通して半導体層41に接続されている。半導体層41、ゲート電極43、ドレイン電極45及びソース電極47により薄膜トランジスタ40が構成される。薄膜トランジスタ40は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられている。アンダーコート層31、ゲート絶縁膜33及びパシベーション膜35は、例えばSiO、SiN、又はSiON等の無機絶縁材料で形成されている。
パシベーション膜35上には、ドレイン電極45及びソース電極47に加えて、周辺領域11に引き出し配線49が形成されている。図示の引き出し配線49は、タッチセンサ20とFPC13とを電気的に接続するための配線である。ドレイン電極45、ソース電極47及び引き出し配線49は平坦化膜51によって覆われており、平坦化膜51は層間絶縁膜53によって覆われている。ドレイン電極45、ソース電極47及び引き出し配線49は、例えばAl、Ag、Cu、Ni、Ti、Mo等を含む導電性材料で形成されている。平坦化膜51は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成され、平坦な上面を有している。層間絶縁膜53は、例えばSiO、SiN、又はSiON等の無機絶縁材料で形成されている。
層間絶縁膜53上には画素電極61(例えば陽極)が形成されている。画素電極61は、平坦化膜51と層間絶縁膜53とを貫通してソース電極47に接続されている。画素電極61は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられている。画素電極61は反射電極として形成されている。また、周辺領域11には端子67,68が形成されており、平坦化膜51と層間絶縁膜53とを貫通して引き出し配線49の両方の端部にそれぞれ接続されている。画素電極61及び端子67,68は、例えばAl、Ag、Cu、Ni、Ti、Mo等を含む導電性材料で形成されている。また、端子67、68は、工程中に雰囲気に曝される機会が多いため、表面酸化等を生じにくい材料、例えばITO、IZO等の導電性酸化物が用いられてもよい。一方、表示装置1がボトムエミッション方式の場合は、画素電極61は透過電極として形成される必要があり、この場合も前述の導電性酸化物を用いることができる。
画素電極61は画素分離膜55によって覆われている。画素分離膜55はリブ又はバンクとも呼ばれる。画素分離膜55には、画素電極61が底に露出する開口55aが形成されている。開口55aを形成する画素分離膜55の内縁部分は画素電極61の周縁部分に載っており、上方に向かうに従って外方に広がるテーパー形状を有している。なお、画素分離膜55は、周辺領域11のうちの表示領域15との境界近傍に形成されるが、その他の部分には形成されない。画素分離膜55は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。
画素分離膜55の開口55aの底に露出した画素電極61上には、発光層63が互いに離れて個別に形成されている。発光層63は、複数の単位画素のそれぞれに対応して例えば赤、緑及び青からなる複数色で発光する。発光層63とともに、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子輸送層の少なくとも一層が形成されてもよい。発光層63はマスクを用いて個別に蒸着形成される。発光層63は、表示領域15の全体に広がる一様な膜(いわゆるベタ膜)として蒸着形成されてもよく、その場合、発光層63は単色(例えば白色)で発光し、カラーフィルタや色変換層によって例えば赤、緑及び青からなる複数色のそれぞれの成分が取り出される。なお、発光層63は蒸着形成に限らず、塗布形成されてもよい。
発光層63及び画素分離膜55は対向電極65(例えば陰極)によって覆われている。対向電極65は、表示領域15の全体に広がる一様な膜(いわゆるベタ膜)として形成されている。発光層63並びに発光層63を挟む画素電極61及び対向電極65によって発光素子60が構成され、発光層63は画素電極61と対向電極65との間を流れる電流によって発光する。対向電極65は、例えばITO等の透明導電材料又はMgAg等の金属薄膜で形成される。表示装置1がトップエミッション方式の場合は、対向電極65は透過電極として形成される必要があり、金属薄膜を用いる場合は、光が透過する程度に膜厚を小さくする必要がある。
画素分離膜55及び対向電極65は、封止膜(パシベーション膜)70によって覆われることで封止され、水分から遮断される。封止膜70は、例えば無機膜71、有機膜73及び無機膜75を下からこの順に含む三層積層構造を有している。無機膜71,75は、例えばSiO、SiN、又はSiON等の無機絶縁材料で形成されている。有機膜73は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されており、封止膜70の上面の平坦化させる。
封止膜70の無機膜71,75の外縁は、画素分離膜55の外縁よりも外側で層間絶縁膜53と接しており、これにより、無機膜71,75の外縁と層間絶縁膜53(下地絶縁膜の例)とが段差7sを形成している。これに限られず、層間絶縁膜53が省略され、無機膜71,75の外縁と平坦化膜51とが接してもよい。
表示装置1は、封止膜70上にタッチセンサ20を有している。具体的には、封止膜70上に保護絶縁膜81が形成されており、保護絶縁膜81上に2次元的に配列された複数の第1電極21と複数の第2電極22とが形成されており、第1電極21及び第2電極22上に層間絶縁膜83が形成されている。第1電極21と第2電極22とは、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する。保護絶縁膜81と層間絶縁膜83とは、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。
本実施形態では、保護絶縁膜81の外縁は、封止膜70の無機膜71,75の外縁と一致している。これは、保護絶縁膜81が無機膜71,75のうち、周辺領域11を覆う部分を選択的に除去する際のマスクとして利用されるためである。無機膜71,75の外縁と保護絶縁膜81の外縁とが一致することにより、段差7sがより高く、より急峻になっている。なお、保護絶縁膜81は省略されてもよい。
図1及び図2に示されるように、第1電極21と第2電極22のそれぞれは、X方向(第1方向)とこれに交差(例えば直交)するY方向(第2方向)とを対角方向とする矩形状、いわゆる菱形状(ダイヤモンド形状)で形成されている。また、第1電極21と第2電極22のそれぞれは、例えばITO等の透明導電材料で形成されている。これに限られず、第1電極21と第2電極22とは、金属等の導電性材料を用いて形成されてもよい。この場合、発光素子60から出る光を遮蔽しないように、網目状配線(メッシュ配線)で形成されてもよい。
複数の第1電極21はX方向とY方向とにそれぞれ並んで2次元的に配列されている。これらの第1電極21のうち、X方向に隣り合う第1電極21は第1接続線23を介して接続されており、Y方向に隣り合う第1電極21は接続されていない。すなわち、複数の第1電極21は、X方向に隣り合う第1電極21が第1接続線23を介して接続されることでX方向に延びる複数の電極列をそれぞれ形成しており、それぞれの電極列はY方向には電気的に分離されている。
複数の第2電極22もX方向とY方向とにそれぞれ並んで2次元的に配列されている。これらの第2電極22のうち、Y方向に隣り合う第2電極22は第1接続線23と平面視で交差する第2接続線24を介して接続されており、X方向に隣り合う第2電極22は接続されていない。すなわち、複数の第2電極22は、Y方向に隣り合う第2電極22が第2接続線24を介して接続されることでY方向に延びる複数の電極列を形成しており、それぞれの電極列はX方向には電気的に分離されている。
それぞれの第2電極22は、平面視で第1電極21に囲まれるよう配置されている。例えば、それぞれの第2電極22は、X方向とY方向の両方に交差する方向(例えば45度又は−45度の方向)に隣り合う第1電極21の間に配置されており、4つの第1電極21に囲まれている。第1電極21と第2電極22とは、互いに接触しないように間隔を空けることで電気的に分離されている。
本実施形態では、複数の第1電極21と複数の第2電極22とは、封止膜70と層間絶縁膜83との間の同層に配置されているが、これに限られず、互いに異なる層に配置されてもよい。すなわち、第1電極21と第2電極22との一方が層間絶縁膜83下に配置され、他方が層間絶縁膜83上に配置されてもよい。また、第1電極21と第2電極22との両方が層間絶縁膜83上に配置されてもよい。
第1接続線23と第2接続線24とは平面視で交差している。平面視で交差する第1接続線23と第2接続線24との間には層間絶縁膜83が介在しており、両者は電気的に分離されている。以下、層間絶縁膜83のうち、第1接続線23と第2接続線24との間に介在する部分を「介在部831」という。
本実施形態では、第1接続線23が、層間絶縁膜83上に配置されたいわゆるブリッジ配線である。第1接続線23は、層間絶縁膜83に形成されたスルーホールを通じて第1電極21に接続されている。第1接続線23は、例えばAl、Ag、Cu、Ni、Ti、Mo等を含む導電性材料で形成されている。一方、第2接続線24は、層間絶縁膜83下で第2電極22と連続的に形成されている。
これに限られず、第2接続線24が層間絶縁膜83上にブリッジ配線として配置され、第1接続線23が層間絶縁膜83下で第1電極21と連続的に形成されてもよい。また、第1接続線23がブリッジ配線として第2接続線24と交差する交差部と、第2接続線24がブリッジ配線として第1接続線23と交差する交差部とが混在していてもよい。
図3及び図4に示されるように、層間絶縁膜83は、封止膜70の無機膜71,75の外縁と層間絶縁膜53とで形成された段差7sを埋めている。以下、層間絶縁膜83のうち、段差7sを埋める部分を「段差埋部835」という。このように段差埋部835が段差7sを埋めることにより、段差埋部835の上面は段差7sよりも平坦化される。
層間絶縁膜83は、表示領域15の全体に広がる一様な膜(いわゆるベタ膜)として形成されており、第1接続線23と第2接続線24との間に介在する介在部831と、封止膜70側の段差7sを埋める段差埋部835とが連続して形成されている。
層間絶縁膜83は、端子67の外縁と層間絶縁膜53とで形成された段差6sも埋めている。以下、層間絶縁膜83のうち、段差6sを埋める部分を「段差埋部836」という。このように段差埋部836が段差6sを埋めることにより、段差埋部836の上面は段差6sよりも平坦化される。
端子67側の段差6sを埋める段差埋部836は、封止膜70側の段差7sを埋める段差埋部835と連続して形成されている。このように2つの段差埋部835,836が連続して形成されることで、段差埋部835,836の上面はより平坦化されている。段差埋部835,836の上面は、外側に向かってなだらかに傾斜している。
層間絶縁膜83は、端子67を覆っている。以下、層間絶縁膜83のうち、端子67を覆う部分を「端子被覆部837」という。端子被覆部837には、端子67を露出させる開口837aが形成されている。端子被覆部837は、端子67側の段差6sを埋める段差埋部836と連続して形成されている。
図2〜図4に示されるように、タッチセンサ20は、表示領域15の周縁部から周辺領域11に引き出された複数の引き出し配線25を有している。引き出し配線25は、層間絶縁膜83上の第1接続線23と同時に形成される。それぞれの引き出し配線25は、層間絶縁膜83に形成された開口83aを通じて第1電極21又は第2電極22に接続されており、層間絶縁膜83の周縁部上を通る。
具体的には、引き出し配線25は、層間絶縁膜83の周縁部において段差埋部835,836上を通って端子被覆部837上まで到り、端子被覆部837に形成された開口837aを通じて端子67に接続されている。端子67は、周辺領域11に埋め込まれた引き出し配線49に接続された2つの端子67,68のうちの、表示領域15に近い端子67(第1端子)である。
一方、表示領域15から離れた端子68(第2端子)には、異方導電部材139を介してFPC13が接続されている。また、周辺領域11には発光素子60に電気的に接続された不図示の端子(第3端子)も設けられており、この不図示の端子にも異方導電部材139を介してFPC13が接続されている。この不図示の端子は、例えば薄膜トランジスタ40及び集積回路チップ12等を介して発光素子60に電気的に接続されている。
以上に説明した実施形態では、封止膜70の無機膜71,75の外縁と層間絶縁膜53とで形成された段差7sを層間絶縁膜83の一部(段差埋部835)で埋めて、その上に引き出し配線25を形成している。このため、段差7sを段差埋部835で埋めない場合と比べて、引き出し配線25の段切れやショートを抑制することが可能である。
すなわち、段差7sを段差埋部835で埋めない場合、段差7sによって引き出し配線25が段切れやショートを生じるおそれがあるが、本実施形態では、段差7sを段差埋部835で埋めることで、段差埋部835の上面を段差7sと比べて平坦化しているので、引き出し配線25のプロセス尤度を向上させ、タッチセンサ20の信頼性及び歩留まりを向上させることが可能である。
また、本実施形態では、端子67の外縁と層間絶縁膜53とで形成された段差6sも層間絶縁膜83の一部(段差埋部836)で埋めて、その上に引き出し配線25を形成している。このため、段差6sを段差埋部836で埋めない場合と比べて、引き出し配線25の段切れを抑制することが可能である。
ここで、封止膜70側の段差7sを埋める段差埋部835と、端子67側の段差6sを埋める段差埋部836とは連続して形成されており、段差埋部835,836の上面はより平坦化されている。このため、引き出し配線25の段切れを抑制する効果をより向上させることが可能である。
また、本実施形態では、表示領域15に近い端子67を層間絶縁膜83の一部(端子被覆部837)で覆って、そこに形成された開口837aを通じて引き出し配線25を端子67に接続している。これによると、引き出し配線25の端部が全て層間絶縁膜83上に存在するので、引き出し配線25をエッチングにより形成する際に、レジストパターンからの後退量を均一化することができ、引き出し配線25を安定して形成することが可能である。
さらに、本実施形態では、FPC13は、タッチセンサ20に電気的に接続された端子68(第2端子)と、発光素子60に電気的に接続された不図示の端子(第3端子)との両方に接続されている。このため、1枚のFPC13によってタッチセンサ20と発光素子60との両方に外部から信号を供給することが可能である。
なお、上記実施形態に限られず、図5に示されるように段差埋部835と段差埋部836とが分離して形成されてもよい。この場合、引き出し配線25は、段差埋部835上から層間絶縁膜53上に移り、層間絶縁膜53上から段差埋部836上に移る。また、図5と図6に示されるように、端子67の全部を覆う端子被覆部837が形成されなくてもよい。この場合、段差埋部836が、端子67の封止膜70側の一部を覆う。
図7は、他の実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の断面図である。図8は、図7における表示領域15と周辺領域11との境界部分を拡大した図である。本実施形態では、層間絶縁膜83は、第1接続線23と第2接続線24とが平面視で交差するそれぞれの位置に分離して形成されており、第1電極21及び第2電極22を覆っていない。すなわち、第1接続線23と第2接続線24とが平面視で交差するそれぞれの位置に介在部831が分離して形成されている。また、介在部831と段差埋部835も分離して形成されている。
段差埋部835が段差7sを埋めることにより、段差埋部835の上面は、保護絶縁膜81の上面に近づき、全体として平坦化される。段差埋部835の上面は、保護絶縁膜81の上面と揃えられてもよいし、それより低くても高くてもよい。引き出し配線25は、第1電極21又は第2電極22上から保護絶縁膜81上に移り、保護絶縁膜81上から段差埋部835上に移る。
以上に説明した実施形態においても、引き出し配線25の段切れを抑制することが可能である。特に、層間絶縁膜83の介在部831と段差埋部835とを分離して、段差埋部835を段差7sに限定的に形成することで、段差埋部835の高さを下げて傾斜をより緩やかにすることが可能である。また、層間絶縁膜83が1電極21及び第2電極22を覆わないことで、外部量子効率をより向上させることも可能である。
図9〜図14は、実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の製造工程例を示す図である。
図9は、発光素子60が完成した状態を示している。周辺領域11には、端子67,68が設けられており、端子67の外縁と層間絶縁膜53とで段差6sが形成されている。なお、同図の切断面では、タッチセンサ20に接続される引き出し配線49及び端子67,68を示しているが、異なる位置では、発光素子60の対向電極65が引き出し配線49及び端子67,68に接続される。
図10は、封止膜70を形成する工程を示している。ここで、有機膜73は表示領域15に形成され、周辺領域11には形成されない。有機膜73は、有機膜73の外縁よりも外側で2層の無機膜71,75が密着することによって封止されている。このため、周辺領域11は2層の無機膜71,75によって覆われている。以下、周辺領域11を覆う2層の無機膜71,75を「周辺部76」という。無機膜71,75は例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)により形成され、有機膜73は例えばインクジェットにより形成される。
図11は、保護絶縁膜81を形成する工程を示している。ここで、保護絶縁膜81は表示領域15に形成され、周辺領域11には形成されない。詳しくは、保護絶縁膜81の外縁は、画素分離膜55の外縁よりも外側に位置している。保護絶縁膜81は、有機絶縁材料で形成されており、表示領域15における平坦度を向上させるとともに、次工程の周辺部76の除去に利用される。
図12は、周辺部76を除去する工程を示している。周辺部76の除去は、保護絶縁膜81をマスクとして、例えばドライエッチングにより行われる。詳しくは、2層の無機膜71,75は、保護絶縁膜81の外縁の位置で切断される。なお、周辺部76下の層間絶縁膜53も無機膜71,75と同じ無機絶縁材料で形成されているので、周辺部76の除去によって層間絶縁膜53の一部又は全部も同時に除去されることがある。この場合、段差6sがより急峻となる。なお、周辺部76を除去した後、保護絶縁膜81を除去してもよい。
なお、封止膜70を形成する工程において、無機膜71,75を、例えばマスクを用いたCVDにより選択的に成長させることで、保護絶縁膜81を形成する工程と周辺部76を除去する工程とを省略してもよい。
図13は、タッチセンサ20を形成する工程を示している。詳しくは、保護絶縁膜81上に第1電極21、第2電極22及び第2接続線24が形成され、その上に層間絶縁膜83が形成され、その上に第1接続線23及び引き出し配線25が形成される。無機膜71,75の外縁により形成された段差7sと、端子67の外縁により形成された段差6sとは、層間絶縁膜83の一部である段差埋部835,836によって埋められる。引き出し配線25は、段差埋部835,836上を通るように形成され、端子被覆部837に形成された開口837aを通じて端子67に接続される。層間絶縁膜83は、例えばインクジェット又はフォトリソグラフィプロセスにより形成される。
図14は、タッチセンサ20を覆う保護膜85等を形成する工程を示している。ここでは、タッチセンサ20の全部、さらには引き出し配線25及び端子67を覆うように保護膜85が形成される。保護膜85は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。保護膜85上には円偏光フィルム87が配置されてもよい。円偏光フィルム87上にはカバーフィルム89が配置されてもよい。また、保護膜85に覆われない端子68には、異方導電部材139を介してFPC13が接続される。
以上に説明した実施形態においては、タッチセンサ20は、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する第1電極21と第2電極22とを備える場合を例示したが、タッチセンサ20は、これらの電極に加えて、感圧機能を実現するための電極をさらに備えてもよい。
本実施形態においては、開示例として有機EL表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
1 タッチセンサ内蔵表示装置、10 表示パネル、11 周辺領域、12 集積回路チップ、13 FPC、15 表示領域、20 タッチセンサ、21 第1電極、22 第2電極、23 第1接続線、24 第2接続線、25 引き出し配線、30 基板、31 アンダーコート層、33 ゲート絶縁膜、35 パシベーション膜、40 薄膜トランジスタ、41 半導体層、43 ゲート電極、45 ドレイン電極、47 ソース電極、49 引き出し配線、51 平坦化膜、53 層間絶縁膜、55 画素分離膜、60 発光素子、61 画素電極、63 発光層、65 対向電極、67,68 端子、70 封止膜、71 無機膜、73 有機膜、75 無機膜、83 層間絶縁膜、83a 開口、831 介在部、835,836 段差埋部、837 端子被覆部、85 保護膜、87 円偏光フィルム、89 カバーフィルム、139 異方導電部材。

Claims (11)

  1. 下地絶縁膜と、
    前記下地絶縁膜の表示領域を覆う封止膜と、
    前記封止膜上の前記表示領域に2次元的に配列された複数の第1電極であって、第1方向に隣り合う第1電極は第1接続線を介して接続され、前記第1方向と交差する第2方向に隣り合う第1電極は接続されない、複数の第1電極と、
    前記第1電極と同層又は異層で2次元的に配列され、それぞれが平面視で前記第1電極に囲まれた複数の第2電極であって、前記第2方向に隣り合う第2電極は、前記第1接続線と平面視で交差する第2接続線を介して接続され、前記第1方向に隣り合う第2電極は接続されない、複数の第2電極と、
    前記第1接続線と前記第2接続線との間に介在するとともに、前記封止膜の外縁と前記下地絶縁膜とで形成される段差を埋める層間絶縁膜と、
    前記第1電極又は前記第2電極に接続され、前記層間絶縁膜の前記段差を埋める部分上を通る引き出し配線と、
    を備えるタッチセンサ内蔵表示装置。
  2. 前記層間絶縁膜は、前記第1接続線と前記第2接続線との間に介在する部分と、前記段差を埋める部分とが連続して形成された膜である、
    請求項1に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  3. 前記層間絶縁膜は、前記第1接続線と前記第2接続線との間に介在する部分と、前記段差を埋める部分とが分離して形成された膜である、
    請求項1に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  4. 前記下地絶縁膜と前記封止膜との間に形成され、前記下地絶縁膜上の前記表示領域に配置された画素電極と、
    前記画素電極の周縁部を覆うと共に、前記画素電極の上面を底とする開口が形成された画素分離膜をさらに備え、
    前記封止膜の外縁は、前記画素分離膜の外縁よりも外側で前記下地絶縁膜と接する、
    請求項1に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  5. 前記封止膜と前記第1電極又は前記第2電極との間に形成された保護絶縁膜をさらに備え、
    前記封止膜の外縁は、前記保護絶縁膜の外縁と一致する、
    請求項1に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  6. 前記引き出し配線は、前記下地絶縁膜の前記表示領域の外側の周辺領域に設けられた第1端子に接続される、
    請求項1に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  7. 前記層間絶縁膜は、前記第1端子の外縁と前記下地絶縁膜とで形成される別の段差も埋め、
    前記引き出し配線は、前記層間絶縁膜の前記別の段差を埋める部分上も通る、
    請求項6に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  8. 前記層間絶縁膜の前記段差を埋める部分と、前記層間絶縁膜の前記別の段差を埋める部分とが連続している、
    請求項7に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  9. 前記層間絶縁膜は、前記第1端子を覆い、
    前記引き出し配線は、前記層間絶縁膜の前記第1端子を覆う部分に形成された開口を通じて前記第1端子に接続される、
    請求項6に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  10. 前記周辺領域に設けられ、前記第1端子と電気的に接続された第2端子に接続されるフレキシブル基板をさらに備える、
    請求項6に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  11. 前記フレキシブル基板は、前記周辺領域に設けられ、前記表示領域に配置された画素電極に電気的に接続された第3端子にも接続される、
    請求項10に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

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