JP2019175788A

JP2019175788A - 表示装置

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Publication number: JP2019175788A
Application number: JP2018065207A
Authority: JP
Inventors: 裕介多田; Yusuke Tada; 秋元　肇; Hajime Akimoto; 秋元　　肇
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2018-03-29
Filing date: 2018-03-29
Publication date: 2019-10-10
Also published as: WO2019187456A1

Abstract

【課題】第１の無機封止層及び第２の無機封止層の境界面に形成される溝によるタッチパネル上部電極層の段切れを防ぐ表示装置を提供する。【解決手段】表示領域の外側であって、平坦化層の端部、及びリブ層の端部よりも外側に端部を有する第１無機封止層６１と、第１無機封止層上に設けられ、平坦化層４６の端部、及びリブ層の端部よりも外側に端部を有する第２無機封止層６３と、基板３０と第２無機封止層との間の積層構造に、平坦化層、リブ層を含む有機層を含まず、表示領域を囲むように設けられた水分遮断領域と、第１無機封止層及び第２無機封止層の端部の少なくとも一部を覆う絶縁層８２と、表示領域に重畳して設けられると共に、水分遮断領域及び絶縁層を乗り越えて周辺領域まで延在する電極層と、第１無機封止層及び第２無機封止層の端部よりも外側において、電極層と電気的に接続される引き出し配線４５と、を備える表示装置。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置に関する。

特許文献１には、表示パネルの表示領域上にタッチセンサを有する表示装置が開示されているこの表示装置では、表示パネルの表示領域への水分進入を防止するため、表示領域から端子領域の一部に及ぶ領域を封止構造が覆っている。そして、この封止構造の上側にタッチセンサが配置されている。

また、こうして設けられたタッチセンサを駆動するため、タッチセンサの上部電極層は、端子領域側でＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）と接続される。ここで、タッチセンサの上部電極層が接続するＦＰＣと、表示パネルの表示領域を駆動させるＦＰＣとは、異なるものである。そのため、従来の表示装置には２枚のＦＰＣが必要となる。

特開２０１５−５０２４５号公報

これに対して、本願の発明者らは、タッチセンサの上部電極層を表示領域の外側の領域（端子領域）まで延伸させて、表示パネルの表示領域の駆動と、タッチセンサの駆動とを、１枚のＦＰＣで行うことを検討している。そのためには、タッチセンサの上部電極層を端子領域の引き出し配線と接続させるため、端子領域に存在する封止構造の端部を上部電極層が乗り越える必要がある。

しかしながら、封止構造の端部は無機封止層の積層構造を有している場合があり、それら無機封止層の境界部分はエッチングの影響で大きく抉られ、溝となっている場合がある。そのため、封止構造の端部を乗り越える場合、タッチセンサの上部電極層は、こうして形成された溝で段切れを起こすおそれがある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、封止構造の端部に形成された溝においてタッチパネル上部電極層が段切れすることを防ぐ表示装置を提供することにある。

本発明の表示装置の一態様は、複数の発光素子を有する表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域とが基板上に設けられ、前記複数の発光素子はそれぞれ、画素電極と、前記画素電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた対向電極と、を有し、前記基板と前記画素電極との間に設けられ、前記表示領域に亘って設けられると共に、前記表示領域の外側に端部を有する平坦化層と、前記画素電極上に設けられ、前記画素電極の端部を覆うと共に前記画素電極の上面の一部を露出し、前記表示領域に亘って設けられると共に、前記表示領域の外側に端部を有するリブ層と、前記複数の発光素子、前記リブ層、及び前記平坦化層を覆うと共に、前記表示領域の外側であって、前記平坦化層の端部、及び前記リブ層の端部よりも外側に端部を有する第１無機封止層と、前記第１無機封止層上に設けられ、前記複数の発光素子、前記リブ層、及び前記平坦化層を覆うと共に、前記表示領域の外側であって、前記平坦化層の端部、及び前記リブ層の端部よりも外側に端部を有する第２無機封止層と、前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とが互いに接すると共に、前記基板と前記第２無機封止層との間の積層構造に、前記平坦化層、前記リブ層を含む有機層を含まず、前記表示領域を囲むように設けられた水分遮断領域と、前記第１無機封止層及び前記第２無機封止層の端部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、前記表示領域に重畳して設けられると共に、前記水分遮断領域及び前記絶縁層を乗り越えて前記周辺領域まで延在する電極層と、前記第１無機封止層及び前記第２無機封止層の端部よりも外側において、前記電極層と電気的に接続される引き出し配線と、を備えることを特徴とする。

本発明の一実施形態に係る表示装置の平面図である。図１の要部を拡大した図である。本発明の一実施形態に係る表示装置について、図１に示すＡ−Ａ線で切断したときの断面図である。図３の要部を拡大した図である。本発明の一実施形態に係る表示装置について、図１に示すＡ−Ａ線で切断したときの断面図である。図５の要部を拡大した図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物との位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上又は直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１の平面図である。図２は、図１に示す一点鎖線の枠内を拡大した図である。図３は、図１及び図２に示すＡ−Ａ断面の詳細を示す図である。表示装置１の例として、タッチセンサを内蔵した有機ＥＬ表示装置を挙げる。表示装置１は、例えば赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせてフルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示する。

表示装置１は、表示パネル１０と、表示パネル１０の表示領域１５上に形成されたタッチセンサ２０とを有する。表示パネル１０の表示領域１５の外側には、端子領域１１と額縁領域１２が形成される。額縁領域１２とは、表示領域１５の周囲に設けられた領域を指し、端子領域１１は額縁領域１２の一部である。表示領域１５と隣接する端子領域１１には、画素を駆動するための集積回路チップ１３が搭載され、外部との電気的接続のためのＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）１４が接続される。以下の説明においては、端子領域１１のＦＰＣ１４が接続される辺に沿った方向をＸ方向とし、それと直交する方向をＹ方向とする。

タッチセンサ２０は、タッチセンサ上部電極層８１を有する。タッチセンサ上部電極層８１は、２次元的に配列された複数の第１の電極２１、複数の第２の電極２２、第１の接続線２３、第２の接続線２４を有する。第１の電極２１と第２の電極２２とは、それぞれ静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する。

図１及び図２に示されるように、第１の電極２１と第２の電極２２のそれぞれは、菱形状（ダイヤモンド形状）で形成される。この菱形状（ダイヤモンド形状）とは、Ｘ方向（第１の方向）とこれに交差（例えば直交）するＹ方向（第２の方向）とを対角方向とする矩形状である。また、第１の電極２１と第２の電極２２のそれぞれは、例えばＩＴＯ等の透明導電材料で形成されるが、これに限られず、金属等の導電性材料を用いて形成されてもよい。この場合、発光素子６０から出る光を遮蔽しないように、第１の電極２１及び第２の電極２２のそれぞれにおいて、発光素子５０に重畳する箇所に開口を設けた網目状配線（メッシュ配線）で形成されてもよい。

複数の第１の電極２１は、Ｘ方向とＹ方向とにそれぞれ並んで２次元的に配列される。これらの第１の電極２１のうち、Ｘ方向に隣り合う第１の電極２１は、第１の接続線２３を介して接続されており、Ｙ方向に隣り合う第１の電極２１は接続されていない。すなわち、複数の第１の電極２１は、Ｘ方向に隣り合う第１の電極２１が第１の接続線２３を介して接続される。そのため、Ｘ方向に延びる複数の電極列は、Ｙ方向に延びる複数の電極列と電気的に分離される。

同様に、複数の第２の電極２２も、Ｘ方向とＹ方向とにそれぞれ並んで２次元的に配列される。これらの第２の電極２２のうち、Ｙ方向に隣り合う第２の電極２２は、第１の接続線２３と平面視で交差する第２の接続線２４を介して接続されており、Ｘ方向に隣り合う第２の電極２２は接続されていない。すなわち、複数の第２の電極２２は、Ｙ方向に隣り合う第２の電極２２が第２の接続線２４を介して接続される。そのため、Ｙ方向に延びる複数の電極列は、Ｘ方向に延びる複数の電極列と電気的に分離される。

それぞれの第２の電極２２は、平面視で第１の電極２１に囲まれるよう配置される。例えば、それぞれの第２の電極２２は、Ｘ方向とＹ方向の両方に交差する方向（例えば４５度又は−４５度の方向）に隣り合う第１の電極２１の間に配置されており、４つの第１の電極２１に囲まれる。第１の電極２１と第２の電極２２とは、互いに接触しないように間隔を空けることで電気的に分離される。

第２の電極２２と、第１の接続線２３との間には、第２の層間絶縁層８０が設けられており、第２の電極２２と、第１の接続線２３とが交差する領域は互いに絶縁される。第２の層間絶縁層８０は、パターニング性、絶縁性及び透過性を有する材料であれば、無機膜であっても有機膜であってもよい。無機膜であれば、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成される。有機膜であれば、例えばアクリル樹脂又はポリイミド等の有機絶縁材料で形成される。また、第２の層間絶縁層８０は、例えば２００ｎｍの厚さで形成される。

本実施形態では、複数の第１の電極２１と複数の第２の電極２２とは、第２の層間絶縁層８０上の同層に配置されているが、これに限られず、互いに異なる層に配置されてもよい。すなわち、第１の電極２１と第２の電極２２との一方が第２の層間絶縁層８０下に配置され、他方が第２の層間絶縁層８０上に配置されてもよい。また、第１の電極２１と第２の電極２２との両方が第２の層間絶縁層８０下に配置されてもよい。

第１の接続線２３と第２の接続線２４とは平面視で交差している。平面視で交差する第１の接続線２３と第２の接続線２４との間には第２の層間絶縁層８０が介在しており、両者は電気的に分離される。

本実施形態では、第２の接続線２４が第２の層間絶縁層８０上に配置された、いわゆるブリッジ配線である。第１の接続線２３は、第２の層間絶縁層８０に形成されたスルーホールを通じて、第１の電極２１に接続されている。第１の接続線２３は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成される。一方、第２の接続線２４は、第２の層間絶縁層８０上で第２の電極２２と連続的に形成される。

これに限られず、第１の接続線２３がブリッジ配線として第２の接続線２４と交差する交差部と、第２の接続線２４がブリッジ配線として第１の接続線２３と交差する交差部とが混在してもよい。

また、表示領域１５の辺縁部に設けられた第１の電極２１及び第２の電極２２を延伸して、タッチセンサ上部電極層８１が設けられる。このタッチセンサ上部電極層８１が、表示領域１５から端子領域１１の一部にかけて設けられる、封止層６０（図３を参照）を乗り越えてＦＰＣ１４と電気的に接続される。タッチセンサ上部電極層８１は、第１の電極２１及び第２の電極２２と同様の材料で形成される。例えばタッチセンサ上部電極層８１は、ＩＴＯ等の透明導電材料で形成されてもよく、金属等の導電性材料を用いて形成されてもよい。

［第１の実施形態］
以下、図３及び４を参照して、本発明の一実施形態について説明する。図４は、図３における端子領域１１の一部を拡大した図である。これらの図では、断面構造を見易くするため、基板３０、第１の層間絶縁層４７及びリブ４８などの一部の層のハッチングを省略する。また以下の説明では、積層方向を上方向とする。

基板３０は、例えばガラス等の硬質材料、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂材料からなる。基板３０は下地絶縁層３１によって覆われる。下地絶縁層３１上には半導体層４１が形成され、半導体層４１はゲート絶縁層３２によって覆われる。ゲート絶縁層３２上にはゲート電極４２が形成され、ゲート電極４２はパシベーション膜３３によって覆われる。ドレイン電極４３及びソース電極４４は、ゲート絶縁層３２とパシベーション膜３３とを貫通して半導体層４１に接続される。半導体層４１、ゲート電極４２、ドレイン電極４３及びソース電極４４により、薄膜トランジスタ４０が構成される。薄膜トランジスタ４０は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられる。下地絶縁層３１、ゲート絶縁層３２及びパシベーション膜３３は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成される。

パシベーション膜３３上には、上述のドレイン電極４３及びソース電極４４に加えて、端子領域１１に引き出し配線４５が形成される。図示の引き出し配線４５は、タッチセンサ上部電極層８１とＦＰＣ１３とを電気的に接続するための配線である。ドレイン電極４３、ソース電極４４及び引き出し配線４５は、平坦化層４６によって覆われ、平坦化層４６は第１の層間絶縁層４７によって覆われる。ドレイン電極４３、ソース電極４４及び引き出し配線４５は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成される。平坦化層４６は、例えばアクリル樹脂又はポリイミド等の有機絶縁材料で形成され、平坦な上面を有する。第１の層間絶縁層４７は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成される。

第１の層間絶縁層４７上には画素電極５１（例えば陽極）が形成される。画素電極５１は、平坦化層４６と第１の層間絶縁層４７とを貫通してソース電極４４に接続される。画素電極５１は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられる。表示装置１がトップエミッション方式の場合は、画素電極５１は反射電極として形成される。また、端子領域１１では、平坦化層４６と第１の層間絶縁層４７とを貫通して、タッチセンサ上部電極層８１と引き出し配線４５が電気的に接続される。画素電極５１は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ等を含む導電性材料で形成される。一方、表示装置１がボトムエミッション方式の場合は、画素電極５１は透過電極として形成される必要がある。この場合、画素電極５１は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性酸化物で形成されてもよい。

画素電極５１は、リブ４８によって覆われる。リブ４８は、バンクとも呼ばれる。リブ４８には、画素電極５１が底に露出する開口４９が形成される。開口４９を形成するリブ４８の内縁部分は、画素電極５１の周縁部分に載っており、上方に向かうに従って外方に広がるテーパー形状を有する。なお、リブ４８は、端子領域１１のうちの表示領域１５との境界近傍にも形成されるが、その他の部分には形成されない。リブ４８は、例えばアクリル樹脂又はポリイミド等の有機絶縁材料で形成される。

リブ４８の開口４９の底に露出した画素電極５１上には、発光層５２が互いに離れて個別に形成されている。発光層５２は、複数の単位画素のそれぞれに対応して、例えば赤、緑及び青からなる複数色で発光する。発光層５２とともに、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子輸送層の少なくとも１層が形成されてもよい。発光層５２は、表示領域１５の全体に広がる一様な膜（いわゆるベタ膜）として形成されてもよい。この場合、発光層５２は単色（例えば白色）で発光し、カラーフィルタや色変換層によって、例えば赤、緑及び青からなる複数色のそれぞれの成分が取り出される。また、発光層５２はマスクを用いて個別に蒸着されて形成されるが、別の方法として、塗付によって形成されてもよい。

発光層５２及びリブ４８は、対向電極５３（例えば陰極）によって覆われる。対向電極５３は、表示領域１５の全体に広がる一様な膜（いわゆるベタ膜）として形成される。発光層５２、並びに発光層５２を挟む画素電極５１及び対向電極５３によって、発光素子５０が構成される。発光層５２は、画素電極５１と対向電極５３との間を流れる電流によって発光する。対向電極５３は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料又はＭｇＡｇ等の金属薄膜で形成される。表示装置１がトップエミッション方式の場合は、対向電極５３は透過電極として形成される必要があり、金属薄膜を用いる場合は、光が透過する程度に膜厚を小さくする必要がある。一方、表示装置１がボトムエミッション方式の場合は、対向電極５３は反射電極として形成される必要がある。

リブ４８及び対向電極５３は、封止層（パシベーション膜）６０によって覆われることで封止され、水分から遮断される。封止層６０は、図３に示すように、例えば第１の無機封止層６１、有機封止層６２及び第２の無機封止層６３を下からこの順に含む３層積層構造を有する。有機封止層６２は、例えばアクリル樹脂又はポリイミド等の有機絶縁材料で形成されており、封止層６０の上面の平坦化させる。

第１の無機封止層６１及び第２の無機封止層６３は、例えばそれぞれ１μｍの厚さで設けられる。また、第１の無機封止層６１及び第２の無機封止層６３は、例えば４００℃以下のＣＶＤ法（化学気相蒸着法）で製膜された、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、又はＳｉＯＮ等の無機絶縁材料で形成される。このように形成された第１の無機封止層６１及び第２の無機封止層６３は、２段構造化する。具体的には、上層側のみ酸化され、下層側は酸化されない。酸化される上層側の厚さと、酸化されない下層側の厚さの比は、おおよそ２：１である。例えば、厚さが１μｍの無機層の場合、表面から６００から７００ｎｍが酸化される。

端子領域１１には、第１の層間絶縁層４７と第１の無機封止層６１との間に、リブ４８が設けられる。このリブ４８が設けられることで、嵩上げ部７０が形成される。図３、４には示していないが、第１の電極２１、第２の電極２２を有するタッチセンサ表面を保護するために樹脂層が形成される。その際、この嵩上げ部７０がダムのような役割を担い、樹脂層が端子領域１１側に流れ出さないように堰き止める。

ここで、図４に示す、端子領域１１の積層構造及び各層の構成について説明する。封止層６０の第２の無機封止層６３は、まず、画素分離層５５の外縁よりも外側、かつ有機封止層６３の外側で第１の無機封止層６１と接する。この領域において、積層構造に有機絶縁層を含まない領域が設けられる。外部からの水分は、主に有機材料の層を伝わって侵入するため、ここで水分の侵入を食い止めることができる。図４では、有機封止層６２の端部と嵩上げ部７０との間に設けられており、この領域を水分遮断領域と呼ぶ。互いに接した第１の無機封止層６１及び第２の無機封止層６３は、嵩上げ部７０を乗り越える。そして、第１の無機封止層６１は引き出し配線４５上に設けられた平坦化層４６と接する。これにより、第１の無機封止層６１及び第２の無機封止層６３の端面と平坦化層４６とが段差を形成している。第１の実施形態において、上述の段差は、第１の無機封止層６１及び第２の無機封止層６３の端面と第１の層間絶縁層４７によって形成される。なお、第１の実施形態では、第１の無機封止層６１の端面と第２の無機封止層６３の端面が同一面上にある場合を示しているが、この場合に限られるものではない。また、平坦化層４６上に第１の層間絶縁層４７が設けられていてもよい。

平坦化層４６上に設けられた第１の無機封止層６１及び第２の無機封止層６３は、タッチセンサ上部電極層８１が設けられる前にエッチングされる。この結果、図４で示すように、第２の無機封止層６３の端面がエッチングによって削られ、溝が形成される。具体的に、第２の無機封止層６３の端面のうち、酸化されていない下層側が削られることで、溝が形成される。なお、第１の無機封止層６１の端面のうち、上面側も僅かにエッチングにより削られる。

絶縁層８２は、第２の無機封止層６３の端面を覆うように設けられる。これにより、上述のようにして形成された溝を埋めている。絶縁層８２は、有機絶縁材料によって形成されてもよく、又は無機絶縁材料によって形成されてもよい。

絶縁層８２を有機絶縁材料で形成する場合、感光性樹脂等を用いて塗付、露光現像による形成を行ってもよい。又は、インクジェット法などにより、有機絶縁材料を直接描画形成してもよい。

絶縁層８２を無機絶縁材料で形成する場合、ＣＶＤ法により成膜を行う。その後、フォトリソグラフィ等を用いたエッチングによって絶縁層８２を形成する。なお、このエッチングの際に、第２の無機封止層６３の表面の一部が削られる。しかし、第２の無機封止層６３の厚さ≫絶縁層８２の厚さとなるように膜厚を設定すればよい。例えば、第２の無機封止層６３の厚さが１μｍの場合、絶縁層８２の厚さは２００ｎｍ以下とすれば、第２の無機封止層６３の上面において削られる厚さは、無視できる厚さとなる。

エッチング後、タッチセンサ上部電極層８１は、封止層６０及び絶縁層８２を乗り越えるように延伸して設けられる。具体的に、表示領域１５上のタッチセンサ上部電極層８１は、まず第２の層間絶縁層８０上に設けられる。その後、端子領域１１では第２の層間絶縁層８０が無くなるため、タッチセンサ上部電極層８１は、第２の無機封止層６３上に設けられる。この際、タッチセンサ上部電極層８１は、嵩上げ部７０を乗り越える。図４に示すように、上述の絶縁層８２が、既に第２の無機封止層６３に形成された溝を埋めるように設けられている。そのため、タッチセンサ上部電極層８１は、引き続き絶縁層８２を乗り越えるように延伸して設けられることで、上述の溝部分での段切れがショートに対する懸念がなくなる。以上より、タッチセンサ上部電極層８１は、表示領域１５から第２の無機封止層６３の端面の外側まで、絶縁層８２を乗り越えて延伸される。絶縁層８２を乗り越えたタッチセンサ上部電極層８１は、第２の無機封止層６３の端面の外側において、引き出し配線４５と電気的に接続される。

第１の実施形態では、第１の無機封止層６１の端面と第２の無機封止層６３の端面が同一面上にあるため、タッチセンサ上部電極層８１と引き出し配線４５が電気的に接続する箇所まで、タッチセンサ上部電極層８１が平坦化層４６上に設けられる。しかし、この構成に限らず、第２の無機封止層６３の端面の外側に、タッチセンサ上部電極層８１と引き出し配線４５とが電気的に接続するためのコンタクトホールを設ける構成としてもよい。

［第２の実施形態］
以下、図５及び６を参照して、本発明の一実施形態について説明する。図５は、図１に示す、端子領域１１と表示領域１５との境界部分について、Ａ−Ａ線で切断したときの断面図である。図６は、図５における端子領域１１の一部を拡大した図である。これらの図においても、基板３０、第１の層間絶縁層４７及びリブ４８などの一部の層のハッチングを省略する。また以下の説明では、積層方向を上方向とする。なお、第１の実施形態に記載の構成と同一の構成については、説明が重複するため、記載を省略する。

第１の実施形態において、第２の層間絶縁層８０は、第２の無機封止層６３の端面の外側まで延伸して設けられる。つまり、第２の層間絶縁層８０は、第２の無機封止層６３の端面を覆うように設けられる絶縁層８２としての機能も果たす。このように、絶縁層８２は、第２の層間絶縁層８０が延伸されて設けられてもよく、上述のように第２の層間絶縁層８０とは別の層が設けられてもよい。

第１の実施形態において、封止層６０を構成する第２の無機封止層６３の端面は、第１の無機封止層６１の端面と同一面上にない構成である。このように、第２の無機封止層６３は、嵩上げ部７０よりも外側において、前記第１の無機封止層６１に接し、かつその端面が前記第１の無機封止層６１の端面を超えないように設けられていればよい。

なお、絶縁層８２は、第２の無機封止層６３の端面を覆えば、絶縁層８２の端面をいずれの箇所に位置させてもよい。具体的に、第２の無機封止層６３の端面が第１の無機封止層６１上にある場合は、第２の無機封止層６３の端面を覆った絶縁層８２の端面が、第１の無機封止層６１上に位置してもよい。又は、第２の無機封止層６３の端面を覆った絶縁層８２の端面が、第１の無機封止層６１の端面と同一面上にあってもよく、第１の無機封止層６１の端面の外側に位置してもよい。第２の無機封止層６３の端面が第１の無機封止層６１の端面と同一面上にある場合は、第２の無機封止層６３の端面を覆った絶縁層８２の端面が、第１の無機封止層６１の端面の外側に位置する。

絶縁層８２としての機能を果たすように、延伸して設けられた第２の層間絶縁層８０の端面の位置についても、上述の絶縁層８２の端面の位置と同様に位置してもよい。そのため、第２の実施形態で、第２の層間絶縁層８０の端面は、第１の無機封止層６１上に位置しているが、上記に限られるものではない。

以上のように、本実施形態では、封止層６０を構成する第１の無機封止層６１の端面と第２の無機封止層６３の端面を覆う絶縁層８２又は第２の層間絶縁層８０を乗り越えるように、タッチセンサ上部電極層８１が設けられる。これにより、上述のように、溝が形成される第２の無機封止層６３を絶縁層８２又は第２の層間絶縁層８０で覆わない場合と比べて、タッチセンサ上部電極層８１の段切れやショートを抑制することが可能である。

本実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１表示装置、１０表示パネル、１１端子領域、１２額縁領域、１３集積回路チップ、１４ＦＰＣ、１５表示領域、２０タッチセンサ、２１第１の電極、２２第２の電極、２３第１の接続線、２４第２の接続線、３０基板、３１アンダーコート層、３２ゲート絶縁層、３３パシベーション膜、４０薄膜トランジスタ、４１半導体層、４２ゲート電極、４３ドレイン電極、４４ソース電極、４５引き出し配線、４６平坦化層、４７第１の層間絶縁層、４８リブ、４９開口、５０発光素子、５１画素電極、５２発光層、５３対向電極、６０封止層、６１第１の無機封止層、６２有機封止層、６３第２の無機封止層、７０嵩上げ部、８０第２の層間絶縁層、８１タッチセンサ上部電極層、８２絶縁層。

Claims

複数の発光素子を有する表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域とが基板上に設けられ、
前記複数の発光素子はそれぞれ、
画素電極と、前記画素電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた対向電極と、を有し、
前記基板と前記画素電極との間に設けられ、前記表示領域に亘って設けられると共に、前記表示領域の外側に端部を有する平坦化層と、
前記画素電極上に設けられ、前記画素電極の端部を覆うと共に前記画素電極の上面の一部を露出し、前記表示領域に亘って設けられると共に、前記表示領域の外側に端部を有するリブ層と、
前記複数の発光素子、前記リブ層、及び前記平坦化層を覆うと共に、前記表示領域の外側であって、前記平坦化層の端部、及び前記リブ層の端部よりも外側に端部を有する第１無機封止層と、
前記第１無機封止層上に設けられ、前記複数の発光素子、前記リブ層、及び前記平坦化層を覆うと共に、前記表示領域の外側であって、前記平坦化層の端部、及び前記リブ層の端部よりも外側に端部を有する第２無機封止層と、
前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とが互いに接すると共に、前記基板と前記第２無機封止層との間の積層構造に、前記平坦化層、前記リブ層を含む有機層を含まず、前記表示領域を囲むように設けられた水分遮断領域と、
前記第１無機封止層及び前記第２無機封止層の端部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、
前記表示領域に重畳して設けられると共に、前記水分遮断領域及び前記絶縁層を乗り越えて前記周辺領域まで延在する電極層と、
前記第１無機封止層及び前記第２無機封止層の端部よりも外側において、前記電極層と電気的に接続される引き出し配線と、を備えることを特徴とする表示装置。
前記絶縁層は、絶縁性を有する、無機材料又は有機材料からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第１の無機封止層及び前記第２の無機封止層は、４００℃以下の気相法で製膜された酸化シリコン、窒化シリコン又は窒酸化シリコンからなる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
前記端子領域において、前記第２の無機封止層の前記端面の外側に、前記タッチセンサ上部電極層と前記引き出し配線とが電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられる、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の表示装置。
前記第２の無機封止層上に設けられる第２の層間絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記第２の層間絶縁層を延在することで設けられる、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の表示装置。
前記第２の層間絶縁層は、絶縁性及び光透過性を有する、無機材料又は有機材料からなる、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
前記電極層は、前記第２の無機封止層上の前記表示領域に２次元的に配列された、複数の第１電極と複数の第２電極を有し、
前記複数の第１電極のうち、第１の方向に隣り合う第１電極は第１の接続線を介して接続され、前記第１の方向と交差する第２の方向に隣り合う第１電極とは接続されず、
前記複数の第２電極は、前記第１電極と同層又は異層で２次元的に配列され、それぞれが平面視で前記第１電極に囲まれており、
前記複数の第１電極のうち、前記第２の方向に隣り合う第２電極は、前記第１の接続線と平面視で交差する第２の接続線を介して接続され、前記第１の方向に隣り合う第２電極は接続されない、
ことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の表示装置。
前記第１の無機封止層の端面及び前記第２の無機封止層の端面は、同一面上にある、
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の表示装置。
前記第１の無機封止層と前記第２の無機封止層との間で前記表示領域を覆うと共に、その端部が前記第１無機封止層及び前記第２無機封止層の端部よりも内側となるように設けられる有機封止層をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の表示装置。
前記表示領域、及び前記水分遮断領域を囲むように、前記平坦化層、又は前記リブ層と同層に形成された嵩上げ部をさらに備え、
前記嵩上げ部の端部は、前記第１無機封止層及び前記第２無機封止層の端部よりも内側となるように設けられる、
ことを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の表示装置。