JP2018160586A - 基板処理システムおよび基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理のスループットを向上できる基板処理システムを提供する。【解決手段】基板処理システムは、平流し処理部と、同時処理部４０と、基板搬送部ＴＲ１とを備える。平流し処理部は基板Ｗを搬送方向に沿って順次に搬送させつつ当該基板に対して一枚ずつ処理を行う。同時処理部４０はＮ（２以上の整数）枚の基板Ｗに対して同時に処理を行う。基板搬送部ＴＲ１は平流し処理部によって処理された複数の基板ＷのうちＮ枚の基板Ｗを水平な一方向に並べて保持しつつ、当該Ｎ枚の基板Ｗを一括して同時処理部４０へ搬送する。【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理システムおよび基板処理方法に関する。

複数の処理装置を有するコータ／デベロッパ装置が知られている。例えば、特許文献１に記載のコータ／デベロッパ装置では、インデクサ部に載置されたカセットから取り出された複数の基板が順次、洗浄装置に投入され、その後、脱水ベーク装置、レジスト塗布装置、プリベーク装置、露光装置、現像装置、及び、ポストベーク装置を順番に経由して、再びカセットに収容される。

このコータ／デベロッパ装置には、次の２つのタイプの処理装置が混在する。即ち、平流し処理装置と可変搬送型の処理装置とが混在する。この平流し処理装置には１枚ずつ基板が搬入される。平流し処理装置はこれらの基板を順次に一方向に搬送して基板に対して１枚ずつ処理を行う。この平流し処理装置としては、洗浄装置および現像装置が例示される。

可変搬送型の処理装置にも基板が１枚ずつ搬入される。可変搬送型の処理装置は、複数の処理部と、当該複数の処理部に対して基板を搬送する基板搬送手段とを有する。基板搬送手段は、基板を受け取るハンドと、このハンドを各処理部へ移動させる移動機構とを有する。この基板搬送手段は上流側の装置から基板を１枚ずつ受け取って処理部へと基板を渡す。また基板搬送手段は処理部の相互間で基板を搬送することもできる。この可変搬送型の処理装置としては、例えば脱水ベーク装置が例示される。この脱水ベーク装置では複数の処理部として加熱部および冷却部が設けられる。

特開２０１５−１５６４２６号公報

しかしながら、このような可変搬送型の処理装置には、上流側の装置から基板が１枚ずつ搬送される。また、この可変搬送型の処理装置の内部において、各処理部は基板に対して１枚ずつ処理を行う。よって、基板処理のスループットが低い、という問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板処理のスループットを向上できる基板処理システムおよび基板処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、基板処理システムの第１の態様は、基板を搬送方向に沿って順次に搬送させつつ当該基板に対して一枚ずつ処理を行う平流し処理部と、Ｎ（２以上の整数）枚の基板に対して同時に処理を行う同時処理部と、前記平流し処理部によって処理された複数の基板のうち前記Ｎ枚の基板を水平な一方向に並べて保持しつつ、前記Ｎ枚の基板を一括して前記同時処理部へ搬送する第１基板搬送部と、を備える。

基板処理システムの第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理システムであって、前記平流し処理部にて処理された前記Ｎ枚の基板の間隔を、前記同時処理部にて前記Ｎ枚の基板を同時処理する際の基板の間隔に調整する間隔調整部をさらに備え、前記第１基板搬送部は、間隔調整部にて間隔が調整された前記Ｎ枚の基板を水平な一方向に並べて保持しつつ、前記Ｎ枚の基板を一括して前記同時処理部へ搬送する。

基板処理システムの第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理システムであって、前記間隔調整部は搬送コンベアを有し、当該搬送コンベア上に順次、搬入される前記Ｎ枚の基板の停止位置をそれぞれ制御して前記間隔を調整する。

基板処理システムの第４の態様は、第２の態様にかかる基板処理システムであって、前記間隔調整部は、前記Ｎ枚の基板を水平な配列方向に沿って並べて支持する支持部と、前記支持部によって支持された前記Ｎ枚の基板の前記配列方向における各位置を決めるためのストッパと、前記支持部によって支持された前記Ｎ枚の基板の各々を、対応する前記ストッパへ押圧して当接させる押圧部材とを有する。

基板処理システムの第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理システムであって、前記支持部によって支持された前記Ｎ枚の基板は、前記配列方向において互いに隣り合う第１基板および第２基板を含み、前記間隔調整部は、前記第１基板および前記第２基板の一組を前記配列方向で挟むように対向配置された一対の端部材と、前記第１基板および前記第２基板の間に位置し、水平面において互いに間隔を隔てて配置される一対の中間部材と、前記一対の中間部材を連結する連結部材と、鉛直方向に沿う回転軸を中心に前記連結部材を回転させる回転機構とを備え、前記回転機構による前記連結部材の回転により、前記一対の中間部材が前記第１基板および前記第２基板をそれぞれ一対の端部材へと押圧して前記一対の端部材にそれぞれ当接させることで、前記一対の中間部材および前記一対の端部材をそれぞれ前記押圧部材および前記ストッパとして機能させる。

基板処理システムの第６の態様は、第４の態様にかかる基板処理システムであって、前記支持部によって支持された前記Ｎ枚の基板は、前記配列方向において互いに隣り合う第１基板および第２基板を含み、前記間隔調整部は、前記第１基板および前記第２基板の一組を前記配列方向で挟むように対向配置された一対の端部材と、前記一対の端部材を前記配列方向に進退させる進退機構と、前記第１基板および前記第２基板の間に位置し、水平面において互いに間隔を隔てて配置される一対の中間部材と、前記一対の中間部材を連結する連結部材と、鉛直方向に沿う回転軸を中心に前記連結部材を回転させる回転機構とを備え、前記進退機構により互いに近づく方向に移動する前記一対の端部材が、前記第１基板および前記第２基板を、前記回転機構による前記連結部材の回転により回転位置にある前記一対の中間部材へと押圧して、前記一対の中間部材にそれぞれ当接させることで、前記一対の端部材および前記一対の中間部材をそれぞれ前記押圧部材および前記ストッパとして機能させる、基板処理システム。

基板処理システムの第７の態様は、第５または第６の態様にかかる基板処理システムであって、第２基板搬送部は、前記回転機構が前記一対の中間部材を前記第１基板および前記第２基板から離間させた回転位置で前記連結部材を停止させつつ、前記進退機構が前記一対の端部材を前記第１基板および前記第２基板から離間させた状態で、前記第１基板および前記第２基板を前記支持部から取り出す。

基板処理システムの第８の態様は、第１から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理システムであって、前記同時処理部は、前記Ｎ枚の基板を並べて保持する基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記Ｎ枚の基板と対向する位置にそれぞれスリット状の吐出口を有し、前記吐出口から塗布液を吐出するノズルと、前記基板保持部によって保持された前記Ｎ枚の基板が並ぶ方向に直交し且つ水平な移動方向に沿って、前記ノズルおよび前記基板保持部を相対的に移動させる移動手段とを備える。

基板処理システムの第９の態様は、第１から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理システムであって、前記同時処理部は、前記Ｎ枚の基板を並べて保持する基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記Ｎ枚の基板に対して同時に加熱処理を行う加熱手段とを備える。

基板処理方法の第１０の態様は、基板を処理する方法であって、平流し処理部が基板を搬送方向に沿って順次に搬送させつつ当該基板に対して一枚ずつ処理を行い、基板搬送手段が前記平流し処理部によって処理された複数の基板のうちＮ（Ｎは２以上の整数）を水平な一方向に並べて保持しつつ、前記Ｎ枚の基板を一括して同時処理部へと搬送し、前記同時処理部が前記Ｎ枚の基板に対して同時に処理を行う。

基板処理システムの第１の態様および基板処理方法の第１０の態様によれば、基板搬送部が平流し処理部からのＮ枚の基板を一括で同時処理部へと搬送し、同時処理部がＮ枚の基板に対して同時に処理する。よって、基板を１枚ずつ搬送して１枚ずつ処理する場合に比べて、基板処理のスループットを向上することができる。

基板処理システムの第２の態様によれば、第２基板搬送部は第２処理部において適した間隔で複数の基板を第２処理部へと搬送することができる。

基板処理システムの第３および第４の態様によれば、複数の基板の配列方向の位置を決めることできるので、複数の基板の間隔を調整することができる。

基板処理システムの第５の態様によれば、回転機構を用いて第１基板および第２基板の間隔を広げることができる。

基板処理システムの第６の態様によれば、一対の端部材および一対の中間部材を用いて、第１基板および第２基板の間隔を狭めることができる。

基板処理システムの第７の態様によれば、第１基板および第２基板が一対の端部材および一対の中間部材の全てと離間しているので、第１基板および第２基板を取り出しやすい。

基板処理システムの第８の態様によれば、ノズルを基板保持部に対して移動方向に移動させることにより、複数の基板に対して一括で塗布液を供給することができる。

比較のために、第８の態様とは異なって、複数の基板が並ぶ方向に沿ってノズルを移動させた場合について考慮する。この場合、移動中にノズルが２つの基板の間に位置することがある。このようにノズルが２つの基板の間に位置するときには塗布液の供給を一旦停止し、ノズルが次の基板に位置するときに塗布液の供給を再開する必要がある。しかしながら、塗布液の供給を一旦停止すると、ノズルの吐出口の近傍には不均一に塗布液が残留し得る。この状態で塗布液の供給を再開すると、次の基板に形成される塗膜の膜厚の精度が劣化し得る。

これに対して、第８の態様によれば、ノズルの移動方向は複数の基板が並ぶ方向に直交している。よって、ノズルからの塗布液の供給を中断する必要がない。したがって、このような膜厚の精度の劣化を回避できる。

基板処理システムの第９の態様によれば、Ｎ枚の基板に対して同時に加熱処理を行うことができる。よって加熱処理のスループットを向上できる。

基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。 制御部の構成の一例を概略的に示すブロック図である。 平流し処理部の構成の一例を概略的に示す側面図である。 整列部の構成の一例を概略的に示す平面図である。 同時処理装置の構成の一例を概略的示す平面図である。 同時処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 間隔調整部の構成の一例を示す平面図である。 間隔調整部の構成の一例を示す側面図である。 回転体および回転機構の構成の一例を示す平面図である。 回転体および回転機構の構成の一例を示す平面図である。 基板の間隔を広げたときの間隔調整部の構成の一例を示す平面図である。 基板の間隔を広げたときの間隔調整部の構成の一例を示す側面図である。 間隔調整部の動作の一例を示すフローチャートとである。 レジスト塗布装置の構成の一例を示す側面図である。 間隔調整部の構成の一例を示す平面図である。 間隔調整部の構成の一例を示す側面図である。 基板の間隔を狭めたときの間隔調整部の構成の一例を示す平面図である。 基板の間隔を狭めたときの間隔調整部の構成の一例を示す側面図である。 同時処理装置の構成の一例を概略的に示す側面図である。

以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。また理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

＜１．基板処理システムの全体構成・全体動作＞
図１は、基板処理システム１の構成の一例を概略的に示す図である。なお図１及び以降の各図では、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

図１の例では、基板処理システム１はコータ／デベロッパ装置であり、主として、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、塗布関連装置１４、プリベーク装置１５、現像装置１７及びポストベーク装置１８の各処理装置を備える。また、基板処理システム１の一方側には、基板処理システム１に対して基板を搬入、搬出するインデクサ部１１が配置される。さらに基板処理システム１の他方側に図示しないインターフェイス部を介して露光装置１６が配置される。

インデクサ部１１から露光装置１６までの行きラインには、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、塗布関連装置１４及びプリベーク装置１５等がこの順で配置される。露光装置１６からインデクサ部１１までの帰りラインには、現像装置１７及びポストベーク装置１８等がこの順で配置される。

インデクサ部１１には複数の基板を収納する複数のカセットが載置される。インデクサ部１１には、基板搬送手段としてのインデクサロボットが配置されている。インデクサロボットはカセットから基板を取り出し、この基板を洗浄装置１２へと搬送する。洗浄装置１２においては、基板に洗浄処理が行われる。洗浄処理が行われた基板は、脱水ベーク装置１３に搬送される。脱水ベーク装置１３においては、加熱により脱水処理（脱水ベーク処理）が行われる。脱水ベーク処理が行われた基板は、塗布関連装置１４に搬送され、レジストの塗布処理を含む各種の処理が行われる。この処理が行われた基板は、プリベーク装置１５に搬送され、加熱処理が行われる。加熱処理が行われた基板は、露光装置１６に搬送され、露光処理が行われる。基板は、例えば液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス基板である。

これらの処理が行われた基板は、現像装置１７に搬送され、現像処理が行われる。現像処理が行われた基板は、ポストベーク装置１８に搬送され、加熱処理が行われる。その後、該基板は、インデクサロボットによってインデクサ部１１に載置されるカセットに収容される。これらの一連の処理により、基板の表面にはレジストのパターンが形成される。

また、基板処理システム１は、各処理装置での処理及び基板の搬送を制御する制御部６０を有する。図２は、制御部６０の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。

制御部６０は制御回路であって、図２に示されるように、例えば、ＣＰＵ(Central Processing Unit)６１、ＲＯＭ(Read Only Memory)６２、ＲＡＭ(Random Access Memory)６３及び記憶装置６４等が、バスライン６５を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ＲＯＭ６２は基本プログラム等を格納しており、ＲＡＭ６３はＣＰＵ６１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置６４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。

また、制御部６０では、入力部６６、表示部６７、通信部６８もバスライン６５に接続されている。入力部６６は、各種スイッチ、あるいは、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部６７は、液晶表示装置及びランプ等により構成されており、ＣＰＵ６１による制御のもと各種の情報を表示する。通信部６８は、ＬＡＮ(Local Area Network)等を介したデータ通信機能を有する。

また、制御部６０には、各ロボット（インデクサロボット等の搬送ロボットなど）及び上述の各処理装置が制御対象として接続されている。つまり制御部６０は基板の搬送を制御する搬送制御部として機能できる。

制御部６０の記憶装置６４には、基板処理システム１を構成する各装置の搬送制御についての複数のモードが予め設定されている（設定工程）。制御部６０のＣＰＵ６１が処理プログラムＰを実行することによって、上記複数のモードのうちの１つのモードが選択され、該モードによって基板の搬送動作が制御される（実行工程）。また、処理プログラムＰは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部６０（コンピュータ）に処理プログラムＰをインストールすることができる。また制御部６０が実行する機能の一部または全部は必ずしもソフトウェアによって実現される必要は無く、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。

＜２．処理装置のタイプ＞
この基板処理システム１では、処理装置のタイプとして次の２つのタイプの処理装置が混在している。すなわち、基板を順次に一方向に搬送しつつ当該基板Ｗに対して１枚ずつ処理を行う平流し処理装置と、Ｎ（２以上の整数）枚の基板に対して一括して同時に処理する同時処理装置とが混在する。なお同時処理装置によるＮ枚の基板の処理期間は完全に一致する必要はなく、各処理期間の少なくとも一部が重なっていればよい。要するに、ここでいう同時とは、各処理期間が全く重ならない状態と対比した意味で用いられる。平流し処理装置としては、洗浄装置１２および現像装置１７が例示され、同時処理装置としては、脱水ベーク装置１３、塗布関連装置１４、プリベーク装置１５及びポストベーク装置１８が例示される。

＜２−１．平流し処理装置＞
図３は、平流し処理装置３０の構成の一例を概略的に示す図である。平流し処理装置３０は基板導入部３１と処理装置本体３２と基板導出部３３とを備えている。基板導入部３１は上流の装置から搬送される基板Ｗを受け取る。処理装置本体３２は基板導入部３１から搬送される基板Ｗを受け取り、この基板Ｗを一方向（搬送方向）に沿って搬送させつつ、基板Ｗに対して各種の処理を行う。処理後の基板Ｗは処理装置本体３２から基板導出部３３へと搬送される。基板導出部３３は処理装置本体３２から搬送された基板Ｗを順次に受け取る。基板導出部３３は順次に受け取った基板Ｗを複数（Ｎ枚）保持することができる。複数の基板Ｗは基板導出部３３から一括して取り出されて、下流の装置へと搬送される。

以下では、平流し処理装置３０として洗浄装置１２を例に挙げて説明する。なお、基板導入部３１および基板導出部３３についての以下の説明は他の平流し処理装置３０（例えば現像装置１７）にも共通する。その一方で、処理装置本体３２は実質的な基板の処理を司るブロックであるので、処理装置本体３２の洗浄に関する以下の説明は洗浄装置１２に固有の説明である。

＜２−１−１．基板導入部３１＞
基板導入部３１は搬送コンベアとしての複数のローラ３１１および複数のローラ３１３を有している。ローラ３１１，３１３の断面は円形状を有しており、ローラ３１１，３１３は、その中心軸が基板Ｗの搬送方向Ｄ１に略垂直かつ略水平となる姿勢で設けられる。複数のローラ３１１は搬送方向Ｄ１に沿って間隔を空けて並んで設けられる。各ローラ３１１は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。各ローラ３１１の中心軸における両端は、それぞれ支持板（不図示）に回転可能に固定される。この一対の支持板は搬送方向Ｄ１に沿って延びる板状部材であり、床面に設けられた所定の架台３１２に固定される。複数のローラ３１３は搬送方向Ｄ１に沿って間隔を空けて並んで設けられる。ローラ３１３はローラ３１１よりも下流側に位置しており、ローラ３１１と同じ高さに設けられている。各ローラ３１３は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。各ローラ３１３の中心軸における両端は、それぞれ支持板に回転可能に固定される。

複数のローラ３１１は駆動部（不図示）によって駆動されて、予め定められた同じ方向に略等しい回転速度で回転（同期回転）する。駆動部はモータを有しており、制御部６０によって制御される。複数のローラ３１１の上に基板Ｗが載置される。基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。この状態で、複数のローラ３１１が同じ方向に同期回転することにより、基板Ｗはローラ３１１の上を搬送方向Ｄ１に沿って処理装置本体３２へと移動する。複数のローラ３１３も駆動部（不図示）によって駆動されて同期回転する。ローラ３１１，３１３は独立して制御される。

ローラ３１１，３１３の上には、１枚ずつ基板Ｗが載置されてもよい。例えばインデクサ部１１から２枚の基板Ｗ１がローラ３１１，３１３の上に載置されてもよい。この状態で制御部６０はローラ３１３のみを同期回転させることにより、ローラ３１３上の基板Ｗを処理装置本体３２へと搬送する。次に制御部６０はローラ３１１，３１３の両方を同期回転させることにより、ローラ３１３上の基板Ｗを処理装置本体３２へと搬送する。

＜２−１−２．処理装置本体３２＞
処理装置本体３２は薬液部３４、水洗部３５及び水切り部３６を有している。薬液部３４、水洗部３５及び水切り部３６は上流から下流へ向かってこの順で直列に設けられている。また処理装置本体３２は搬送コンベアとしての複数のローラ３２１も有している。複数のローラ３２１はローラ３１１と同様の形状を有しており、ローラ３１１と同様の姿勢で配置される。複数のローラ３２１は搬送方向Ｄ１に沿って間隔を空けて並んでいる。複数のローラ３２１は基板導入部３１のローラ３１１と同じ高さに設けられており、基板Ｗはローラ３１１からローラ３２１へと移動することができる。また複数のローラ３２１は薬液部３４、水洗部３５及び水切り部３６に亘って設けられている。複数のローラ３２１は駆動部（不図示）によって駆動されて同期回転する。これにより、基板Ｗを搬送方向Ｄ１に搬送して、薬液部３４、水洗部３５及び水切り部３６をこの順で通過させることができる。

薬液部３４は、ローラ３２１上の基板Ｗへと薬液を供給して基板Ｗを洗浄する装置である。薬液部３４は、薬液を吐出する複数のノズル３４１と、薬液を貯留する薬液槽３４２と、薬液槽３４２およびノズル３４１を繋ぐ供給管３４３と、供給管３４３を経由して薬液をノズル３４１へ供給するポンプ３４４とを備えている。ノズル３４１は鉛直方向において基板Ｗの両側に設けられており、基板Ｗの両面へと薬液を供給する。薬液部３４は、基板Ｗをブラッシングするためのブラシ（不図示）などを有していてもよい。薬液を基板Ｗに供給しながらブラッシングを行うことにより、洗浄効果を高めることができる。基板Ｗに供給された薬液は主として基板Ｗの周縁から落ちて、薬液槽３４２へと回収される。

水洗部３５は、基板Ｗに対して洗浄水を供給することで基板Ｗに残留した薬液を洗い流す装置である。水洗部３５は洗浄水を貯留する第１水槽３５５及び第２水槽３５６を有している。また水洗部３５は上流から下流に向かってこの順で配置される低圧水供給部３５１、高圧水供給部３５２、超音波洗浄水供給部３５３及び純水供給部３５４を有している。各部３５１〜３５４は薬液部３４と同様に、基板Ｗに液を吐出するノズルと、当該ノズルに連結された供給管と、当該供給管を経由して当該ノズルに液を供給するポンプとを備えている。低圧水供給部３５１のポンプは低圧ポンプであって、低い圧力で第１水槽３５５から洗浄水を汲み上げてノズルに供給する。これにより、低圧水供給部３５１は低圧で洗浄水を基板Ｗに供給できる。高圧水供給部３５２のポンプは高圧ポンプであって、高い圧力で第１水槽３５５から洗浄水を汲み上げてノズルに供給する。これにより、高圧水供給部３５２は高圧で洗浄水を基板Ｗに供給できる。低圧水供給部３５１及び高圧水供給部３５２によって供給された洗浄水は主として基板Ｗの周縁から落ちて第１水槽３５５へと回収される。

超音波洗浄水供給部３５３のノズルには、第２水槽３５６からの洗浄水に超音波振動を付与する超音波振動子が設けられている。超音波洗浄水供給部３５３は、振動状態の洗浄水を基板Ｗへと供給する。超音波洗浄水供給部３５３によって供給された洗浄水は主として第２水槽３５６へ回収される。純水供給部３５４のノズルからは、純水が基板Ｗに向かって供給される。この純水は主として第２水槽３５６へ回収される。

水切り部３６は基板Ｗへと高圧の気流を流すことで基板Ｗから水を吹き飛ばす装置である。水切り部３６は、基板Ｗに気体を噴射する噴射部３６１と、気体を供給する気体供給部３６２と、噴射部３６１および気体供給部３６２を連結する管路３６３とを有している。気体供給部３６２は工場設備（ユーティリティ）として設けられた気体源である。

以上のように、処理装置本体３２において基板Ｗは搬送方向Ｄ１に沿って搬送されて、各位置において各種の処理が行われる。処理装置本体３２によって全ての処理が行われた基板Ｗは基板導出部３３へと搬送される。

＜２−１−３．基板導出部３３＞
基板導出部３３は、処理装置本体３２から順次に搬送される基板Ｗの複数（Ｎ枚）を保持することができる。基板導出部３３が保持可能な基板Ｗの枚数は、次の同時処理装置４０（例えば脱水ベーク装置１３）で処理される基板Ｗの枚数と同じである。ここでは、一例として、基板導出部３３は２枚の基板Ｗを保持し、同時処理装置４０は２枚の基板Ｗに対して同時に処理を行うものとする。

基板導出部３３は、搬送コンベアとしての複数の第１ローラ３３１および複数の第２ローラ３３２と、センサ３３４，３３５とを備えている。第１ローラ３３１の断面は円形状を有している。第１ローラ３３１は、その中心軸が基板Ｗの搬送方向Ｄ１に垂直かつ水平となる姿勢で搬送方向Ｄ１に沿って間隔を空けて配置される。第２ローラ３３２は第１ローラ３３１よりも下流側に配置される。第２ローラ３３２も第１ローラ３３１と同様の形状を有し、第１ローラ３３１と同様の姿勢で搬送方向Ｄ１に沿って間隔を空けて配置される。複数の第１ローラ３３１は第１駆動部(不図示)によって同期回転し、第２ローラ３３２は第２駆動部（不図示）によって同期回転する。第１ローラ３３１および第２ローラ３３２は互いに異なる第１駆動部および第２駆動部によって駆動されるので、互いに独立して制御可能である。第１駆動部は例えばモータを有し、第２駆動部は例えばモータを有する。第１駆動部および第２駆動部は制御部６０によって制御される。

第１ローラ３３１および第２ローラ３３２は、ローラ３２１と同じ高さに設けられており、これらが同期回転することで、基板Ｗはローラ３２１から第１ローラ３３１へと搬送され、適宜に第１ローラ３３１から第２ローラ３３２へと搬送される。後に説明するように、第１ローラ３３１の上には１枚の基板Ｗが停止し、第２ローラ３３２の上には１枚の基板Ｗが停止する。これにより、基板導出部３３は２枚の基板Ｗを保持することができる。

センサ３３４は第１ローラ３３１上の停止位置に基板Ｗが存在しているか否かを検出する。センサ３３５は第２ローラ３３２上の停止位置に基板Ｗが存在しているか否かを検出する。センサ３３４，３３５は例えば光学式のセンサであって、基板Ｗからの反射光を受光したときに、基板Ｗを検出する。センサ３３４，３３５の検出結果は制御部６０へと出力される。

基板導出部３３は処理装置本体３２から２枚の基板Ｗを順次に受け取り、これらを保持することができる。まず１枚目の基板Ｗは第１ローラ３３１および第２ローラ３３２が同期回転することで、第２ローラ３３２の上の停止位置まで搬送される。具体的には、センサ３３４，３３５の両方が基板Ｗを検出していないときに、制御部６０はローラ３３２、第１ローラ３３１および第２ローラ３３２を同期回転させて、処理装置本体３２からの基板Ｗを基板導出部３３へと搬送する。そしてセンサ３３５が基板Ｗを検出したときに制御部６０は第２ローラ３３２の同期回転を停止する。これにより、１枚目の基板Ｗは第２ローラ３３２上で停止して支持される。２枚目の基板Ｗに対しては、制御部６０は第２ローラ３３２を回転させず、ローラ３２１および第１ローラ３３１を同期回転させることにより、第１ローラ３３１の停止位置まで当該基板Ｗを搬送する。具体的にはセンサ３３４が基板Ｗを検出したときに制御部６０は第１ローラ３３１の同期回転を停止する。つまり、センサ３３４，３３５の両方が基板Ｗを検出しているときに、制御部６０は第１ローラ３３１の同期回転を停止する。これにより、２枚目の基板Ｗは第１ローラ３３１上で停止して支持される。このように基板導出部３３は２枚の基板Ｗを保持することができる。

以下では、２枚の基板Ｗの一方を基板Ｗ１とも呼び、他方を基板Ｗ２とも呼ぶ。ここでは基板Ｗ１は第１ローラ３３１上で停止し、基板Ｗ２は第２ローラ３３２上で停止するものとする。また以下では搬送方向Ｄ１に直交し且つ水平な方向を幅方向Ｄ２とも呼ぶ。

また基板導出部３３は２枚の基板Ｗの間隔を調整することができる。具体的には、基板導出部３３は第１ローラ３３１および第２ローラ３３２の回転を制御することで、この搬送コンベア上に順次、搬入される２枚の基板Ｗの停止位置をそれぞれ制御して、２枚の基板Ｗの間隔を調整できる。基板導出部３３は、この搬入された２枚の基板Ｗの間隔を、直後の脱水ベーク装置１２にて２枚の基板Ｗを同時に処理する際の当該間隔に調整する。後に説明するように、調整後の間隔は、２枚の基板Ｗの両方が脱水ベーク装置１２の基板保持部の上に載置できる程度の間隔である。つまり、２枚の基板Ｗの間隔が広すぎると下流側の基板保持部の上に載置できないので、基板導出部３３は予め間隔を調整しておくのである。

基板導出部３３は２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を整列するための整列部を備えてもよい。図４は、整列部３７の構成の一例を概略的に示す図である。整列部３７は移動体３７Ａ，３７Ｂ，３８Ａ，３８Ｂを備えている。基板Ｗ１，Ｗ２はその一辺（短辺）が搬送方向Ｄ１に沿う姿勢で並んでいる。

移動体３７Ａ，３８Ａは第１ローラ３３１上の基板Ｗ１を幅方向Ｄ２において挟むように対向配置される。移動体３７Ａは当接部材３７１Ａ，３７２Ａおよび連結部材３７３Ａを備えている。当接部材３７１Ａ，３７２Ａは搬送方向Ｄ１に沿って間隔を空けて並んで配置される。当接部材３７１Ａ，３７２Ａは円柱形状を有しており、その中心軸が鉛直方向に沿う姿勢で配置されている。連結部材３７３Ａは当接部材３７１Ａ，３７２Ａの下端を連結する。つまり当接部材３７１Ａ，３７２Ａは連結部材３７３Ａから鉛直上方へと突出している。よって幅方向Ｄ２に沿って見れば、移動体３７Ａは鉛直上方に開口するＵ字形状を有している。当接部材３７１Ａ，３７２Ａは基板Ｗ１の側面と間隔を空けて対向する。

移動体３７Ａには進退機構３７４Ａが連結されている。進退機構３７４Ａは移動体３７Ａを幅方向Ｄ２に沿って進退させる。進退機構３７４Ａは例えばエアシリンダである。エアシリンダは、一端が開口し他端が閉じた筒状のシリンダチューブと、このシリンダチューブの内周面に当接するピストンと、ピストンに連結されてシリンダチューブの長手方向に延びるピストンロッドとを備えている。ピストンロッドはシリンダチューブの一端を貫通して、その外側まで延在する。つまり、ピストンロッドの先端はシリンダチューブの外側に位置している。またシリンダチューブの側面には、その内部の空気を吸排気するための孔が形成されている。この空気の吸排気により、ピストンがシリンダチューブに対して長手方向に移動する。進退機構３７４Ａは、シリンダチューブの長手方向が幅方向Ｄ２に沿う姿勢で配置されている。シリンダチューブの先端は連結部材３７３Ａに固定される。ピストンロッドの先端が幅方向Ｄ２に沿って移動することにより、連結部材３７３Ａおよびこれに連結された当接部材３７１Ａ，３７２Ａが幅方向Ｄ２に沿って移動する。シリンダチューブ内の吸排気は制御部６０によって制御される。

移動体３８Ａは当接部材３８１Ａ，３８２Ａおよび連結部材３８３Ａを備えている。移動体３８Ａの構成は移動体３７Ａと同様である。当接部材３８１Ａは当接部材３７１Ａと幅方向Ｄ２において対向する位置に配置され、当接部材３８２Ａは当接部材３７２Ａと幅方向Ｄ２において対向する位置に配置されている。移動体３８Ａは進退機構３８４Ａに連結されており、この進退機構３８４Ａは移動体３８Ａを幅方向Ｄ２に沿って進退させる。進退機構３８４Ａの構成は進退機構３７４Ａと同様である。

移動体３７Ａ，３８Ａがそれぞれ幅方向Ｄ２における所定位置に移動することにより、当接部材３７１Ａ，３７２Ａの一組と、当接部材３８１Ａ，３８２Ａの一組とが、それぞれ基板Ｗ１の対向する側面に当接し、基板Ｗ１の幅方向Ｄ２の位置を調整する。

移動体３７Ｂ，３８Ｂは第２ローラ３３２上の基板Ｗ２を幅方向Ｄ２において挟むように対向配置される。移動体３７Ｂ，３８Ｂはそれぞれ移動体３７Ａ，３８Ａと同様の構成を有する。移動体３７Ｂ，３８Ｂはそれぞれ進退機構３７４Ｂ，３８４Ｂに連結されている。進退機構３７４Ｂは移動体３７Ｂを幅方向Ｄ２に沿って移動させ、進退機構３８４Ｂは移動体３７Ｂを幅方向Ｄ２に沿って移動させる。進退機構３７４Ｂ，３８４Ｂはそれぞれ進退機構３７４Ａ，３８４Ａと同様の構成を有する。

移動体３７Ｂ，３８Ｂがそれぞれ幅方向Ｄ２における所定位置に移動することにより、移動体３７Ｂ，３８Ｂが、それぞれ基板Ｗ２の対向する側面に当接し、基板Ｗ２の幅方向Ｄ２の位置を調整する。

以上のように、基板Ｗ１，Ｗ２は幅方向Ｄ２における位置が調整されて、整列する。つまり、移動体３７Ａ，３７Ｂが基板Ｗ１を挟むように移動し、移動体３８Ａ，３８Ｂが基板Ｗ２を挟むように移動することで、基板Ｗ１，Ｗ２が整列する。

＜３．同時処理装置４０＞
図５および図６は、同時処理装置４０の構成の一例を概略的に示す図である。ここでは同時処理装置４０として脱水ベーク装置１３および塗布関連装置１４を例に挙げて説明する。図５は、脱水ベーク装置１３の構成の一例を示す概略的な図であり、図６は、塗布関連装置１４の構成の一例を概略的に示す図である。図５および図６においては、基板Ｗの搬送方向がブロック矢印で示されている。

＜３−１．脱水ベーク装置１３＞
脱水ベーク装置１３は加熱部ＨＰおよび冷却部ＣＰを備えている。この脱水ベーク装置１３は、洗浄装置１２によって洗浄処理が行われた２枚の基板Ｗを搬送ロボット（基板搬送手段）ＴＲ１から受け取り、受け取った２枚の基板Ｗに対して処理を行う。

＜３−１−１．搬送ロボットＴＲ１＞
搬送ロボットＴＲ１はハンドＨ１と移動機構５１と昇降機構５２と回転機構５３とを有している。移動機構５１はハンドＨ１を水平面内で移動させることができる。例えば移動機構５１は一対のアームを有している。各アームは長尺状の複数の連結部材を有しており、その連結部材の端部同士が回転可能に連結される。各アームの一端はハンドＨ１に連結され、他端は昇降機構５２に連結される。連結部材の連結角度が制御されることで、ハンドＨ１を水平面内で移動させることができる。昇降機構５２はアームを鉛直方向に沿って昇降させることで、ハンドＨ１を昇降させる。昇降機構５２は例えばボールねじ機構を有している。回転機構５３は鉛直方向に沿う回転軸を中心として昇降機構５２を回転させることができる。これにより、ハンドＨ１は周方向に沿って回動する。この回動により、ハンドＨ１の向きを変えることができる。回転機構５３は例えばモータを有している。移動機構５１、昇降機構５２および回転機構５３は制御部６０によって制御される。

ハンドＨ１には、２枚の基板Ｗが水平な一方向において並んだ状態で載置される。ハンドＨ１は例えば複数本の指状部材Ｆ１と、指状部材Ｆ１の基端を連結する基端部材Ｐ１を有している。この基端部材Ｐ１にはアームの一端が連結される。指状部材Ｆ１は長尺状の形状を有しており、その上面において基板Ｗが載置される。この２枚の基板Ｗは指状部材Ｆ１の長手方向に沿って並んで載置される。よって、指状部材Ｆ１の長手方向の長さは、基板Ｗの２枚分の長さと、基板Ｗの間の間隔とに応じて設定される。

搬送ロボットＴＲ１はハンドＨ１を適宜に移動および回転させることで、ハンドＨ１を加熱部ＨＰ、冷却部ＣＰ、洗浄装置１２の基板導出部３３および次工程の塗布関連装置１４（図５において不図示）の各々へと移動させることができる。搬送ロボットＴＲ１は２枚の基板Ｗを一括して基板導出部３３、加熱部ＨＰおよび冷却部ＣＰの各々から取り出したり、あるいは、２枚の基板Ｗを一括して加熱部ＨＰ、冷却部ＣＰおよび塗布関連装置１４の各々へ渡したりすることができる。

例えば搬送ロボットＴＲ１は次のように基板導出部３３から２枚の基板Ｗを一括して取り出す。すなわち、搬送ロボットＴＲ１は、基板導出部３３で保持された２枚の基板Ｗの下方にハンドＨ１を位置させるべく、ハンドＨ１を基板導出部３３へと移動させる。

なお第１ローラ３３１および第２ローラ３３２は、搬送ロボットＴＲ１のハンドＨ１との衝突を避けるように構成されている。例えば図５においては、複数の第１ローラ３３１は上から見て格子状に配置されている。具体的には、３つの第１ローラ３３１が配列方向Ｄ１に沿って間隔を空けて並んでいる。この３つの第１ローラ３３１を有する組が５つ設けられており、この５つの組が幅方向Ｄ２に沿って間隔を空けて設けられている。幅方向Ｄ２に沿って並ぶ５つの第１ローラ３３１は互いに同一の軸に連結されており、この軸の周りで回転する。第２ローラ３３２も同様に配置される。第１ローラ３３１の各組は第２ローラ３３２の各組と配列方向Ｄ１に沿って並んでいる。指状部材Ｆ１は、第１ローラ３３１および第２ローラ３３２に衝突しないように、第１ローラ３１１の組の相互間および第２ローラ３３２の組の相互間に挿入される。

そして搬送ロボットＴＲ１はハンドＨ１を鉛直上方へと上昇させることで、２枚の基板ＷがハンドＨ１によって持ち上げられる。これにより、２枚の基板Ｗはそれぞれ第１ローラ３３１および第２ローラ３３２から離れる。２枚の基板ＷはハンドＨ１の上において、その長手方向に沿って間隔を空けて並んで載置されることになる。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢でハンドＨ１の上に載置される。また、この搬出動作において２枚の基板Ｗには水平方向の力がほとんど生じないので、基板導出部３３における２枚の基板Ｗの間隔は、搬送ロボットＴＲ１においても実質的に維持される。

次に搬送ロボットＴＲ１はハンドＨ１を基板導出部３３から遠ざけるように移動させることで、基板導出部３３から２枚の基板Ｗを一括して取り出す。

なお指状部材Ｆ１の上面（基板Ｗが載置される面）には、複数の吸引口が形成されていても構わない。この吸引口は２枚の基板Ｗと対向する位置に設けられており、当該吸引口から空気が引き抜かれて基板Ｗを吸引する。これにより、基板Ｗを保持するための保持力を向上できる。

搬送ロボットＴＲ１は上記動作と同様の動作によって加熱部ＨＰおよび冷却部ＣＰの各々から２枚の基板Ｗを一括して取り出す。一方、搬送ロボットＴＲ１は上記動作とは逆の手順で、加熱部ＨＰ、冷却部ＣＰおよび塗布関連装置１４の各々（以下、各部と呼ぶ）へと２枚の基板Ｗを一括して渡す。つまり、搬送ロボットＴＲ１は２枚の基板Ｗが載置されたハンドＨ１を各部の内部へと移動させ、ハンドＨ１を下降させて各部の基板保持部の上面に２枚の基板Ｗを一括して載置する。なお、各部の基板保持部は２枚の基板Ｗの搬出入の際にハンドＨ１と衝突しないように構成されている。そして搬送ロボットＴＲ１はハンドＨ１を各部の内部から外部へと移動させる。これにより、２枚の基板Ｗが各部に一括して渡される。また、この搬入動作においても２枚の基板Ｗには水平方向の力がほとんど生じないので、搬送ロボットＴＲ１における２枚の基板Ｗの間隔は、各部においても実質的に維持される。

以上のように、搬送ロボットＴＲ１は基板導出部３３によって調整された間隔を維持しつつ、２枚の基板Ｗを基板導出部３３から取り出し、この間隔を維持しつつ、２枚の基板Ｗを脱水ベーク装置１２へと渡すことができる。また同様に、搬送ロボットＴＲ１は、各部の相互間においても、間隔を維持しつつ２枚の基板Ｗを搬送することができる。

搬送ロボットＴＲ１はハンドＨ１を２つ有していてもよい。この２つのハンドＨ１は互いに独立して駆動される。例えば、一方のハンドＨ１用の移動機構５１、昇降機構５２および回転機構５３が設けられ、他方のハンドＨ１用にも移動機構５１、昇降機構５２および回転機構５３が設けられてもよい。例えば搬送ロボットＴＲ１は、一方のハンドＨ１を用いて基板導出部３３から２枚の基板Ｗを取り出す。このとき、他方のハンドＨ１は空である。そして搬送ロボットＴＲ１は、加熱部ＨＰによって処理された２枚の基板Ｗをこの他方のハンドＨ１を用いて加熱部ＨＰから取り出し、一方のハンドＨ１の上に載置された２枚の基板Ｗを加熱部ＨＰに渡す。これにより、基板搬送のスループットを向上することができる。以下、２つのハンドＨ１を有する搬送ロボットをダブルハンドタイプの搬送ロボットとも呼び、１つのハンドＨ１を有する搬送ロボットをシングルハンドタイプの搬送ロボットとも呼ぶ。

以上のように、搬送ロボットＴＲ１は、平流し処理部である洗浄装置１２により処理された複数の基板のうちＮ枚（２枚）の基板Ｗを水平な一方向（Ｄ１方向）に並べて保持しつつ、このＮ枚（２枚）の基板を一括して同時処理部である脱水ベーク装置１３へ搬送する。この結果、基板Ｗを１枚ずつ搬送する場合に比べて、搬送処理のスループットを向上することができる。

＜３−１−２．加熱部ＨＰ＞
加熱部ＨＰには、搬送ロボットＴＲ１から２枚の基板Ｗが一括して渡される。この加熱部ＨＰは、この２枚の基板Ｗを水平方向に並べて保持する基板保持部９１と、この２枚の基板Ｗに対して一括して同時に加熱処理を行う加熱手段９２とを備えている。換言すれば、加熱部ＨＰは、２枚の基板に対して同時に加熱処理を行う。

基板保持部は２枚の基板Ｗの下面を支持する部材を有している。２枚の基板Ｗはこの部材の上に載置されることによって保持される。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。例えば基板保持部９１は図示しない複数のリフトピンを備える。この複数のリフトピンは、基板保持部９１の上面より、その先端を突出させた上位置と、前記上面より下に退避した下位置との間で昇降する。搬送ロボットＴＲ１は上方に突出した複数のリフトピンに２枚の基板Ｗを渡した後、退避する。複数のリフトピンは２枚の基板Ｗを支持した状態で下降し、基板保持部９１の上面に２枚の基板Ｗを載置する。なお、２枚の基板Ｗの間隔は洗浄装置１２の基板導出部３３によって適切な間隔に調整されているので、基板保持部９１は適切に２枚の基板Ｗを保持することができる。逆にいえば、基板導出部３３は処理装置本体３２から搬送された２枚の基板Ｗの間隔を、当該２枚の基板Ｗが基板保持部９１に載置できるように調整している。

加熱手段９２は例えばヒータなどであり、基板保持部９１によって保持された２枚の基板Ｗに対して一括して同時に加熱処理を行う。加熱手段９２は制御部６０によって制御される。この加熱処理により、例えば基板Ｗに残留した純水を蒸発させることができる（脱水処理）。２枚の基板Ｗに対して一括して同時に加熱処理を行うので、基板Ｗに対して１枚ずつ加熱処理を行う場合に比べて、加熱処理のスループットを向上することができる。この加熱部ＨＰは、Ｎ枚（例えば２枚）の基板に対して一括して同時に処理を行う同時処理部である、とも言える。

＜３−１−３．冷却部ＣＰ＞
冷却部ＣＰには、加熱部ＨＰによって加熱された２枚の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ１から一括して渡される。つまり、搬送ロボットＴＲ１は、平流し処理部たる洗浄装置１２によって処理された後に加熱部ＨＰによって処理された２枚の基板Ｗを、水平な一方向に並べて保持しつつ、当該２枚の基板Ｗを一括して冷却部ＣＰへと搬送する。この冷却部ＣＰは、この２枚の基板Ｗを水平方向に並べて保持する基板保持部９３と、この２枚の基板Ｗに対して一括して冷却処理を行う冷却手段９４とを備えている。換言すれば、冷却部ＣＰは、２枚の基板に対して同時に冷却処理を行う。

この基板保持部９３は２枚の基板Ｗの下面を支持する部材を有している。２枚の基板Ｗはこの部材の上に載置されることによって保持される。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。基板保持部９３の構造は基板保持部９１と同様である。

冷却手段９４は例えば金属板の内部に形成された液路に冷水を流す冷却板などであり、基板保持部に保持された２枚の基板Ｗに対して一括して冷却処理を行う。冷却手段９４は制御部６０によって制御される。この冷却処理により、２枚の基板Ｗが冷却され、２枚の基板Ｗの温度を下流側の処理装置（塗布関連装置１４）に適した温度とすることができる。２枚の基板Ｗに対して一括して同時に冷却処理を行うので、基板Ｗに対して１枚ずつ冷却処理を行う場合に比べて、冷却処理のスループットを向上することができる。

なお冷却部ＣＰは自然冷却により２枚の基板Ｗを冷却してもよい。自然冷却とは、加熱された基板Ｗに対して動力（電力）を用いた冷却を行わずに、基板Ｗを放置して冷却することである。この場合、冷却板などの構成としての冷却手段９４は不要である。この冷却部ＣＰは、Ｎ枚（２枚）の基板に対して同時に処理を行う同時処理部ある、と言える。

＜３−１−４．脱水ベーク装置の一連の処理＞
次に脱水ベーク装置１３による一連の処理を簡単に説明する。搬送ロボットＴＲ１は上流側の洗浄装置１２の基板導出部３３から２枚の基板Ｗを一括して取り出して、この２枚の基板Ｗを一括して加熱部ＨＰへと渡す。この加熱部ＨＰでも、２枚の基板Ｗは水平方向に並んだ状態で保持される。加熱部ＨＰはこの２枚の基板Ｗに対して一括して加熱処理を行う。加熱処理後の２枚の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって一括して取り出され、冷却部ＣＰへと一括して渡される。冷却部ＣＰでも、２枚の基板Ｗは水平方向に並んだ状態で保持される。冷却部ＣＰはこの２枚の基板Ｗに対して一括して冷却処理を行う。冷却処理が行われた２枚の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって一括して取り出されて、塗布関連装置１４へと一括して搬送される。

＜３−２．塗布関連装置１４＞
図６に示すように、塗布関連装置１４は間隔調整部４１とレジスト塗布装置４２と減圧乾燥装置４３と搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３とを備えている。この塗布関連装置１４においては、２枚の基板Ｗに対して主として次の２つの処理が行われる。即ち、レジスト塗布装置４２が２枚の基板Ｗに対して一括して同時にレジスト塗布処理を行い、次に、減圧乾燥装置４３が２枚の基板Ｗに対して一括して同時に減圧乾燥処理を行う。

ところで、このレジスト塗布装置４２においては、２枚の基板Ｗの間隔が所定の間隔となっていることが望ましい。この所定の間隔（つまりレジスト塗布装置４２にとって適した間隔）については後に詳述する。

しかしながら、上流側の脱水ベーク装置１３から塗布関連装置１４に渡された時点での２枚の基板Ｗの間隔はこの所定の間隔となってない場合もあり得る。そこで、図６の例においては、間隔調整部４１が設けられている。この間隔調整部４１は脱水ベーク装置１３の搬送ロボットＴＲ１から２枚の基板Ｗを一括して受け取り、当該２枚の基板Ｗの間隔をレジスト塗布装置４２に適した間隔へと調整する。

＜３−２−１．間隔調整部＞
図７は、間隔調整部４１の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図８は、間隔調整部４１の構成の一例を示す側面図である。ここでは一例として、搬入された２枚の基板Ｗの間隔を広げる間隔調整部４１について説明する。つまり、ここでは、下流側（例えばレジスト処理装置４２）で同時に処理される際の２枚の基板Ｗの間隔が、上流側（例えば脱水ベーク装置１２）で同時に処理される際の２枚の基板Ｗの間隔よりも広いと仮定する。図７および図８に示すように、間隔調整部４１は複数の支持部４１１と移動体４１２，４１３と回転体４１８，４１９とを備えている。

複数の支持部４１１は、搬送ロボットＴＲ１から渡された２枚の基板Ｗを支持する（図８参照）。２枚の基板Ｗは支持部４１１の上において水平方向に沿って同じ高さに並んで載置される。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。なお支持部４１１は基板Ｗの搬入の際に搬送ロボットＴＲ１のハンドＨ１と衝突しないように構成されている。例えば複数の支持部４１１は例えば鉛直方向に延在するピン形状を有していてもよい。複数の支持部４１１は所定の支持台４１１０の上面から上側に突出しており、支持部４１１の上端が基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持している。基板Ｗの搬出入の際には、搬送ロボットＴＲ１のハンドＨ１は支持部４１１の相互間に挿入され、支持部４１１とは衝突しない。支持部４１１は２枚の基板Ｗを支持する一方で、水平面において２枚の基板Ｗの位置を固定していない。よって、２枚の基板Ｗは後述するように水平方向に沿って移動することができる。

以下では、支持部４１１によって支持された２枚の基板Ｗが並ぶ方向を配列方向Ｄ１１とも呼び、この配列方向Ｄ１１に直交し且つ水平な方向を幅方向Ｄ１２とも呼ぶ。また図７および図８の例においては、紙面左側に位置する基板Ｗが基板Ｗ１として示され、紙面右側に位置する基板Ｗが基板Ｗ２として示されている。

移動体４１２，４１３は基板Ｗ１，Ｗ２の一組を配列方向Ｄ１１において挟むように対向配置されている。移動体４１２は基板Ｗ１側に位置しており、移動体４１３は基板Ｗ２側に位置している。移動体４１２は端部材８１Ａ，８２Ａと連結部材８３Ａとを備えており、移動体４１３は端部材８１Ｂ，８２Ｂと連結部材８３Ｂとを備えている。

端部材８１Ａ，８２Ａは幅方向Ｄ１２において間隔を空けて対向して配置されている。端部材８１Ａ，８２Ａは仮想線Ａ１に対して互いに反対側に位置している。仮想線Ａ１は基板Ｗの中心を通り配列方向Ｄ１１に平行な線である。図７の例においては端部材８１Ａ，８２Ａは仮想線Ａ１に対して対称な位置に配置されている。

端部材８１Ａ，８２Ａは円柱形状を有しており、その中心軸が鉛直方向に沿う姿勢で配置されている。連結部材８３Ａは板状の形状を有しており、端部材８１Ａ，８２Ａの下端を連結している。換言すれば、端部材８１Ａ，８２Ａは連結部材８３から鉛直上方に向かって突出する。よって、配列方向Ｄ１１に沿って見れば、移動体４１２は鉛直上方に開口するＵ字形状を有する。図７の例においては、端部材８１Ａ，８２Ａは配列方向Ｄ１１において基板Ｗ１の側面と間隔を空けて対向している。

端部材８１Ｂ，８２Ｂおよび連結部材８３Ｂはそれぞれ端部材８１Ａ，８２Ｂおよび連結部材８３Ａと同様の構成を有している。端部材８１Ａ，８１Ｂ（一対の端部材）は配列方向Ｄ１１において互いに対向する位置に設けられており、端部材８２Ａ，８２Ｂ（一対の端部材）は配列方向Ｄ１１において互いに対向する位置に設けられている。図７の例においては、端部材８１Ｂ，８２Ｂは配列方向Ｄ１１において基板Ｗ２の側面と間隔を空けて対向している。

移動体４１２，４１３はそれぞれ進退機構８４Ａ，８４Ｂに連結されており、進退機構８４Ａ，８４Ｂはそれぞれ移動体４１２，４１３を配列方向Ｄ１１に沿って進退させる。進退機構８４Ａ，８４Ｂは例えばエアシリンダである。進退機構８４Ａ，８４Ｂはシリンダチューブの長手方向が配列方向Ｄ１１に沿う姿勢で配置される。進退機構８４Ａ，８４Ｂのピストンロッドの先端はそれぞれ連結部材８３Ａ，８３Ｂに固定される。進退機構８４Ａのピストンロッドの先端が配列方向Ｄ１１に沿って移動することにより、連結部材８３Ａおよびこれに連結された端部材８１Ａ，８２Ａが配列方向Ｄ１１に沿って移動する。進退機構８４Ｂも同様である。ここでは、図７に示す移動体４１２，４１３の位置をそれぞれ移動体４１２，４１３の初期位置とする。

進退機構８４Ａ，８４Ｂは制御部６０によって制御される。具体的には、制御部６０は進退機構８４Ａ，８４Ｂを制御して、移動体４１２，４１３を初期位置から互いに遠ざけるように移動させる。

回転体４１８，４１９は、配列方向Ｄ１１において隣り合う２枚の基板Ｗの間に位置している。回転体４１８，４１９は幅方向Ｄ１２に沿って互いに間隔を空けて配置されている。より具体的には回転体４１８，４１９は仮想線Ａ１に対して互いに反対側に位置している。図７の例においては、回転体４１８，４１９は仮想線Ａ１に対して対称な位置に配置されている。

回転体４１８は中間部材７１Ａ，７２Ａと連結部材７３Ａとを備えている。中間部材７１Ａ，７２Ａ（一対の中間部材）は水平面において互いに間隔を空けて配置されており、連結部材７３Ａによって連結されている。中間部材７１Ａ，７２Ａは円柱形状を有しており、その中心軸が鉛直方向に沿う姿勢で配置されている。連結部材７３Ａは板状の形状を有しており、中間部材７１Ａ，７２Ａの下端を連結している。換言すれば、中間部材７１Ａ，７２Ａは連結部材７３Ａから鉛直上方に向かって突出する。

回転体４１９は中間部材７１Ｂ，７２Ｂと連結部材７３Ｂとを備えている。中間部材７１Ｂ，７２Ｂおよび連結部材７３Ｂは中間部材７１Ａ，７２Ａと連結部材７３Ｂと同様の構成を有している。図７の例においては、中間部材７１Ｂ，７２Ｂは幅方向Ｄ１２において対向しており、配列方向Ｄ１１において基板Ｗ１，Ｗ２の側面とそれぞれ間隔を空けて対向している。以下では、図７の回転体４１８，４１９の回転位置を回転体４１８，４１９の初期回転位置とする。初期回転位置では、中間部材７１Ａ，７２Ａが幅方向Ｄ２２に沿う直線上に位置しており、中間部材７１Ｂ，７２Ｂが幅方向Ｄ２２に沿う直線上に位置している。

回転体４１８，４１９はそれぞれ回転機構７４Ａ，７４Ｂに連結される。回転機構７４Ａ，７４Ｂはそれぞれ回転体４１８，４１９を回転させる。具体的には、回転機構７４Ａ，７４Ｂは、鉛直方向に沿う回転軸を中心としてそれぞれ連結部材７３Ａ，７３Ｂを回転させる。つまり、回転機構７４Ａ，７４Ｂはそれぞれ連結部材７３Ａ，７３Ｂを水平面内で回転させる。

次に代表的に、回転体４１８および回転機構７４Ａについて説明する。図９は、回転体４１８および回転機構７４Ａの構成の一例を概略的に示す図である。回転機構７４Ａは支持部７４１とエアシリンダ７４２とを備えている。支持部７４１は板状の形状を有しており、その法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で配置される。連結部材７３Ａはこの支持部７４１の主面に対して回転可能に固定されている。具体的には、この連結部材７３Ａは中間部材７１Ａ，７２Ａの間の中央の位置（回転中心Ｑ）で支持部７４１に対して回転可能に固定されている。よって連結部材７３Ａはこの回転中心Ｑの周りで回転することができる。

エアシリンダ７４２はその長手方向が配列方向Ｄ１１に沿う姿勢で配置されており、支持部７４１に対して微小回転量で回転可能に固定されている。このエアシリンダ７４２のピストンロッド７４２１の先端は回転中心Ｑから少なくとも幅方向Ｄ１２に沿ってずれた位置において連結部材７３Ａに回転可能に連結される。例えば連結部材７３Ａの当該位置には、遊挿孔７３１が形成されている。遊挿孔７３１は連結部材７３Ａを鉛直方向に沿って貫通する。ピストンロッド７４２１の先端には、鉛直方向に突出する突起部７４２２が設けられている。この突起部７４２２は遊挿孔７３１に遊挿される。

このピストンロッド７４２１の先端（突起部７４２２）が配列方向Ｄ１１に沿って移動することにより、連結部材７３Ａのうち遊挿孔７３１を形成する内面が突起部７４２２によって押圧される。この押圧により、連結部材７３Ａは回転中心Ｑの周りで回転する。

図１０は、回転体４１８および回転機構７４Ａの構成の一例を概略的に示す図である。図１０の例においては、ピストンロッド７４２１の先端（突起部７４２２）が配列方向Ｄ１１に沿って紙面左側へと移動している。これにより、突起部７４２２が遊挿孔７３１において連結部材７３Ａを紙面左側へ押圧し、連結部材７３Ａが回転中心Ｑを中心として反時計回り方向に回転する。この回転により、中間部材７１Ａ，７２Ａは周方向に沿って互いに反対側に移動する。

回転機構７４Ａ，７４Ｂが回転体４１８，４１９を初期回転位置（図７）から例えば反時計回り方向に回転させると、中間部材７１Ａ，７１Ｂは基板Ｗ１の側面を押圧し、中間部材７２Ａ，７２Ｂは基板Ｗ２の側面を押圧する。この押圧によって、基板Ｗ１，Ｗ２はその間の間隔を広げるように移動する。基板Ｗ１，Ｗ２は、それぞれ初期位置にある移動体４１２，４１３に当接するまで移動する。このとき中間部材７１Ａ，７１Ｂは基板Ｗ１を押圧する押圧部材として機能し、中間部材７２Ａ，７２Ｂは基板Ｗ２を押圧する押圧部材として機能し、移動体４１２の端部材８１Ａ，８２Ａは、基板Ｗ１の配列方向Ｄ１１の位置を決めるためのストッパとして機能し、移動体４１３の端部材８１Ｂ，８２Ｂは基板Ｗ２の配列方向Ｄ１１の位置を決めるためのストッパとして機能する。基板Ｗ１，Ｗ２の間隔は移動体４１２，４１３の配列方向Ｄ１１の初期位置によって制御できる。

図１１および図１２は、基板Ｗ１，Ｗ１の間隔を広げたときの間隔調整部４１の構成の一例を概略的に示す図である。このとき、基板Ｗ１は、例えば、図７に示す初期位置にある移動体４１２の端部材８１Ａ，８２Ａ、および、反時計回りに回転した回転体４１８，４１９の中間部材７１Ａ，７１Ｂによって挟まれる。また、基板Ｗ２は、同様に初期位置にある移動体４１３の端部材８１Ｂ，８２Ｂ、および、反時計回りに回転した回転体４１８，４１９の中間部材７２Ａ，７２Ｂによって挟まれている。このように、回転体４１８，４１９を初期回転位置（図７）から反時計回り方向に回転させることにより、基板Ｗ１，Ｗ２の間隔を図７の状態よりも広げることができる。

しかも、この間隔調整部４１によれば、基板Ｗ１，Ｗ２の間隔を広げるために回転体４１８，４１９が設けられている。これによれば、例えば回転体４１８の回転により、中間部材７１Ａ，７２Ａがそれぞれ基板Ｗ１，Ｗ２を押圧することができる。よって回転体４１８は基板Ｗ１，Ｗ２の両方を押圧できる。つまり、単一の回転構造によって基板Ｗ１，Ｗ２の両方を押圧できる。回転体４１９も同様である。なお回転機構７４Ａ，７４Ｂを共通化してもよい。例えば単一のピストンロッドの先端と、回転体４１８，４１９の連結部材７３Ａ，７３Ｂとを連結する部材が設けられてもよい。この部材は例えばＹ字状の形状を有しており、その基端部がピストンロッドの先端に連結される。Ｙ字形状の一対の先端部には、それぞれ連結部材７３Ａ，７３Ｂの遊挿孔７３１を遊挿する突出部が設けられている。これによれば、ピストンロットの先端が配列方向Ｄ１１に沿って移動することにより、回転体４１８，４１９は同方向に回転する。

また図７の例では、間隔調整部４１には、基板Ｗ１，Ｗ２を整列させる整列部としての移動体３７Ａ，３７Ｂ，３８Ａ，３８Ｂおよび進退機構３７４Ａ，３７４Ｂ，３８４Ａ，３８４Ｂが設けられている。これらによって、基板Ｗ１，Ｗ２の幅方向Ｄ１２の位置を調整して基板Ｗ１，Ｗ２を整列させることができる。図１１の例においては、移動体３７Ａ，３７Ｂが基板Ｗ１を挟むように移動し、移動体３８Ａ，３８Ｂが基板Ｗ２を挟むように移動しており、これによって基板Ｗ１，Ｗ２が整列している。

＜３−２−２．搬送ロボットＴＲ２＞
図６に戻り、搬送ロボットＴＲ２は２枚の基板Ｗを間隔調整部４１から一括して取り出す。この基板Ｗの搬出の際において、搬送ロボットＴＲ２のハンドは支持部４１１の相互間に挿入される。よって搬送ロボットＴＲ２は支持部４１１と衝突しない。搬送ロボットＴＲ２はこの２枚の基板Ｗをレジスト塗布装置４２へと一括して渡す。このとき搬送ロボットＴＲ２は、間隔調整部４１による変更後の間隔を維持しつつ２枚の基板Ｗを取り出し、この間隔を維持しつつ２枚の基板Ｗをレジスト塗布装置４２へ渡す。レジスト塗布装置４２においても、この間隔を維持しつつ２枚の基板Ｗが保持される。

この搬送ロボットＴＲ２は搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を有しており、搬送ロボットＴＲ１と同様の動作を行う。つまり、搬送ロボットＴＲ２は空のハンドを上昇させて２枚の基板Ｗを持ち上げることで２枚の基板Ｗを取り出す。また搬送ロボットＴＲ２は２枚の基板Ｗが載置されたハンドを下降させて当該２枚の基板Ｗを基板保持部に載置する。これらの動作において２枚の基板Ｗには水平方向の力がほとんど生じないので、搬送ロボットＴＲ２による２枚の基板Ｗの搬出入において、２枚の基板Ｗの間隔は実質的に維持される。つまり、搬送ロボットＴＲ２は間隔調整部４１によって変更された間隔を維持しつつ、２枚の基板Ｗを間隔調整部４１から取り出し、この間隔を維持しつつ、２枚の基板Ｗをレジスト塗布装置４２へと渡すことができる。搬送ロボットＴＲ２はシングルハンドタイプの搬送ロボットであってよい。

以上のように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様に、上流工程にて、平流し処理部である洗浄装置１２により処理されたＮ枚（２枚）の基板Ｗを、水平な一方向（Ｄ１方向）に並べて保持しつつ、このＮ枚の基板Ｗを一括して同時処理部であるレジスト塗布装置４２へ搬送する。この結果、基板Ｗを１枚ずつ搬送する場合に比べて、搬送処理のスループットを向上することができる。

なお基板Ｗ１，Ｗ２は移動体４１２，４１３および回転体４１８，４１９と接触していない状態で搬送ロボットＴＲ２によって取り出されることが望ましい。つまり、搬送ロボットＴＲ２は、回転機構７４Ａ，７４Ｂが中間部材７１Ａ，７２Ａ，７１Ｂ，７２Ｂを基板Ｗ１，Ｗ２から離間させた回転位置で連結部材７３Ａ，７３Ｂを停止させつつ、進退機構８４Ａ，８４Ｂが端部材８１Ａ，８２Ａ，８１Ｂ，８２Ｂを基板Ｗ１，Ｗ２から離間させた状態で、基板Ｗ１，Ｗ２を支持部４１１から取り出す。

これによれば、基板Ｗ１と移動体４１２，４１３および回転体４１８，４１９の各々との間では摩擦が生じず、同様に基板Ｗ２と移動体４１２，４１３および回転体４１８，４１９の各々との間にも摩擦が生じない。よって、基板Ｗ１，Ｗ２を取り出しやすい。

図１３は間隔調整部４１の動作の一例を示すフローチャートである。まずステップＳ１にて、脱水ベーク装置１３の搬送ロボットＴＲ１は２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を塗布関連装置１４の間隔調整部４１へと渡す。これにより、基板Ｗ１，Ｗ２は支持部４１１の上に載置することになる。次にステップＳ２にて、制御部６０は進退機構８４Ａ，８４Ｂおよび回転機構７４Ａ，７４Ｂを適宜に制御して基板Ｗ１，Ｗ２の間隔を、下流側の装置（レジスト塗布装置４２）にとって適した間隔に変更する。例えば回転機構７４Ａ，７４Ｂは回転体４１８，４１９に基板Ｗ１，Ｗ２を押圧させて、基板Ｗ１，Ｗ２が、それぞれ初期位置にある移動体４１２，４１３と当接するまで基板Ｗ１，Ｗ２を移動させる。これにより、基板Ｗ１，Ｗ２の間隔が広がる。この状態では、基板Ｗ１は移動体４１２と回転体４１８，４１９とに接触しており、基板Ｗ２は移動体４１３と回転体４１８，４１９とに接触している。

またこのとき、進退機構３７４Ａ，３８４Ａがそれぞれ移動体３７Ａ，３８Ａを幅方向Ｄ１２における所定位置に移動させることにより、移動体３７Ａ，３８Ａがそれぞれ基板Ｗ１の互いに対向する側面に当接し、基板Ｗ１の幅方向Ｄ２の位置を調整する。同様に、進退機構３７４Ｂ，３８４Ｂがそれぞれ移動体３７Ｂ，３８Ｂを幅方向Ｄ１２における所定位置に移動することにより、移動体３７Ｂ，３８Ｂがそれぞれ基板Ｗ２の互いに対向する側面に当接し、基板Ｗ２の幅方向Ｄ２の位置を調整する。これにより、基板Ｗ１，Ｗ２が整列する。

次にステップＳＳ３にて、制御部６０は進退機構８４Ａ，８４Ｂおよび回転機構７４Ａ，７４Ｂを制御して、移動体４１２，４１３および回転体４１８，４１９を基板Ｗ１，Ｗ２から離間させる。具体的には進退機構８４Ａ，８４Ｂはそれぞれ移動体４１２，４１３を初期位置から互いに反対側へ移動させ、回転機構７４Ａ，７４Ｂはそれぞれ回転体４１８，４１９を初期回転位置まで回転させる。

またこのとき、進退機構３７４Ａ，３８４Ａがそれぞれ移動体３７Ａ，３８Ａを互いに反対側に移動させて、基板Ｗ１から離間させる。同様に、進退機構３７４Ｂ，３８４Ｂがそれぞれ移動体３７Ｂ，３８Ｂを互いに反対側に移動させて、基板Ｗ２から離間させる。

次にステップＳ４にて、搬送ロボットＴＲ２は２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を一括して取り出す。

以上のように、ステップＳ４の時点では、基板Ｗ１，Ｗ２は移動体４１２，４１３回転体４１８，４１９および移動体３７Ａ，３７Ｂ，３８Ａ，３８Ｂと離間しているので、搬送ロボットＴＲ２は基板Ｗ１，Ｗ２を取り出しやすい。

＜３−２−３．レジスト塗布装置＞
レジスト塗布装置４２は、間隔調整部４１によって変更された間隔で２枚の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ２から受け取り、受け取った２枚の基板Ｗに対して塗布処理を行う。図１４は、レジスト塗布装置４２の構成の一例を示す側面図である。レジスト塗布装置４２は基板保持部４２１とノズル４２２とノズル移動機構４２３とを備えている。基板保持部４２１は、搬送ロボットＴＲ２から搬送された２枚の基板Ｗを水平方向に並べて保持するための部材である。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で基板保持部４２１の上に載置される。基板保持部４２１は図示しない複数のリフトピンを備える。この複数のリフトピンは、基板保持部４２１の上面より、その先端を突出させた上位置と、前記上面より下に退避した下位置との間で昇降する。搬送ロボットＴＲ２は上方に突出した複数のリフトピンに２枚の基板を渡した後、退避する。複数のリフトピンは２枚の基板を支持した状態で下降し、基板保持部４２１の上面に２枚の基板を載置する。この結果、基板保持部４２１は搬送ロボットＴＲ２において保持されていた２枚の基板Ｗの間隔と同じ間隔で、２枚の基板Ｗを保持することとなる。なお、上述のリフトピントとその昇降機構については、例えば、特開２０１４−１３０８６８号公報に記載された技術を本実施形態に適用させればよい。

以下では、基板保持部４２１において２枚の基板Ｗが並ぶ方向を配列方向Ｄ２１とも呼び、配列方向Ｄ２１に直交し水平な方向を幅方向Ｄ２２とも呼ぶ。図６の例においては、配列方向Ｄ１１，Ｄ２１が互いに同じ方向となるように、間隔調整部４１およびレジスト塗布装置４２が配置されている。

図１４に示すように、ノズル４２２は配列方向Ｄ２１に沿って延在するノズルであって、そのノズル４２２の下端面において、塗布液を吐出するための２つの吐出口４２ａ，４２ｂが形成される。この２つの吐出口４２ａ，４２ｂは配列方向Ｄ２１に沿って延びるスリット状の形状を有する。この２つの吐出口４２ａ，４２ｂはそれぞれ２枚の基板Ｗ１，Ｗ２の表面上の塗布領域Ｒ１，Ｒ２（図６）に対応して形成されている。塗布領域Ｒ１，Ｒ２は塗布液が塗布される領域であって、塗布領域Ｒ１，Ｒ２は平面視で矩形状を有している。塗布領域Ｒ１の一辺は基板Ｗ１の一辺に平行であり、塗布領域Ｒ２の一辺は基板Ｗ２の一辺に平行である。

吐出口４２ａの両端は、基板Ｗ１の塗布領域Ｒ１の配列方向Ｄ２１における両端と鉛直方向で対向する。よって吐出口４２ａの配列方向Ｄ２１の長さは基板Ｗ１の塗布領域Ｒ１の配列方向Ｄ２１の長さとほぼ等しい。同様に吐出口４２ｂの両端は、基板Ｗ２の塗布領域Ｒ２の配列方向Ｄ２１における両端と鉛直方向で対向する。よって吐出口４２ｂの配列方向Ｄ２１の長さは基板Ｗ２の塗布領域Ｒ２の配列方向Ｄ２１の長さとほぼ等しい。基板Ｗ１の塗布領域Ｒ１と基板Ｗ２の塗布領域Ｒ２との間の間隔は吐出口４２ａ，４２ｂの間の間隔とほぼ等しい。

ノズル４２２の内部には、吐出口４２ａ，４２ｂへ塗布液を送液するための流路（不図示）が形成されている。この流路は不図示の塗布液供給管に接続される。塗布液はこの塗布液供給管および流路を経由して吐出口から塗布される。この流路は塗布液供給管から供給された塗布液を配列方向Ｄ２１に広げつつ、２つの吐出口４２ａ，４２ｂからそれぞれ基板Ｗ１，Ｗ２へと塗布液を吐出させる。ノズル４２２からの塗布液の吐出は制御部６０によって制御される。

ノズル４２２はノズル保持部４２４によって支持される。ノズル保持部４２４は、基板保持部４２１の配列方向Ｄ２１における両端を架橋する架橋構造を有している。つまりノズル保持部４２４は２枚の基板Ｗの一組を配列方向Ｄ２１において跨ぐことができる。ノズル保持部４２４は、配列方向Ｄ２１に沿って伸びる本体部４２４１と、本体部４２４１の両端を支持する一対の柱部４２４２とを備えている。ノズル４２２はこの本体部４２４１の下面に固定されている。一対の柱部４２４２は基板保持部４２１に対して幅方向Ｄ２２に沿って移動可能に固定されている。

ノズル移動機構４２３は、ノズル４２２を基板保持部４２１に対して幅方向Ｄ２２に沿って移動させる。ノズル移動機構４２３は２つ設けられており、例えばリニアモータを有している。リニアモータは移動子４２３１と固定子４２３２とを備えている。固定子４２３２は基板保持部４２１の両側面にそれぞれ固定されており、幅方向Ｄ２２に沿って並ぶ複数のコイルを有している。移動子４２３１はそれぞれ固定子４２３２に対向して配置されており、永久磁石を有している。この移動子４２３１はそれぞれ柱部４２４２に固定されている。コイルに電圧が印加されることにより、固定子４２３２は移動子４２３１に対して移動用の磁界を印加する。これにより、移動子４２３１が幅方向Ｄ２２に沿って移動する。ひいては、移動子４２３１に固定された柱部４２４２と、この柱部４２４２に対して本体部４２４１を介して固定されたノズル４２２とが、基板保持部４２１に対して幅方向Ｄ２２に沿って移動する。このノズル移動機構４２３（具体的にはコイルの電圧）は制御部６０によって制御される。

ノズル４２２は、基板保持部４２１に保持された２枚の基板Ｗ１，Ｗ２の上方を幅方向Ｄ２２に沿って移動する。ノズル４２２が２枚の基板Ｗ１，Ｗ２の塗布領域の幅方向Ｄ２２の一端と対向するときに、制御部６０は塗布液の供給を開始し、ノズル４２２が塗布領域の他端と対向するときに、制御部６０は塗布液の供給を終了する。このようにノズル４２２が塗布液を２枚の基板Ｗ１，Ｗ２へと吐出しながら幅方向Ｄ２２に沿って移動することにより、２枚の基板Ｗ１，Ｗ２の塗布領域Ｒ，Ｒ２に塗膜を形成できる。

以上のように、レジスト塗布装置４２によれば、ノズル４２２の一度の移動によって２枚の基板Ｗ１，Ｗ２に対して一括して同時に塗布処理を行うことができる。これにより、塗布処理のスループットを向上することができる。このレジスト塗布装置４２はＮ枚（２枚）の基板Ｗに対して同時に処理を行う同時処理部である、とも言える。

しかも間隔調整部４１は、洗浄装置１２側から搬入された２枚の基板Ｗ１，Ｗ２の間隔を、レジスト塗布装置４２にとって適した間隔に調整する。具体的には、基板Ｗ１の塗布領域Ｒ１と基板Ｗ２の塗布領域Ｒ２との間隔がノズル４２２の吐出口４２ａ，４２ｂの間隔と一致するように、基板Ｗ１，Ｗ２の間隔が調整される。これにより、基板Ｗ１，Ｗ２に対して高い位置精度で塗布領域Ｒ１，Ｒ２に塗布液を塗布することができる。

またレジスト塗布装置４２によれば、ノズル４２２は幅方向Ｄ２２に沿って移動する。比較例として、幅方向Ｄ２２に沿って延びる吐出口を有するノズルを、基板Ｗ１，Ｗ２に対して配列方向Ｄ２１に沿って移動させる態様を想定する。この場合、ノズルは塗布領域Ｒ１の直上に位置する期間において塗布液を吐出し、塗布領域Ｒ１，Ｒ２の間に位置する期間において塗布液の吐出を一旦停止し、塗布領域Ｒ２の直上に位置する期間において塗布液の吐出を再開する。しかしながら、塗布液の吐出を一旦停止すると、ノズルの吐出口の近傍には不均一に塗布液が残留し得る。この状態で塗布液の吐出を再開すると、塗布領域Ｒ２に形成される塗膜の膜厚の精度が劣化し得る。

これに対して、レジスト塗布装置４２によれば、ノズル４２２の移動方向（幅方向Ｄ２２）は基板Ｗ１，Ｗ２が並ぶ配列方向Ｄ２１に直交している。よって、ノズル４２２からの塗布液の供給を中断する必要がない。したがって、このような膜厚の精度の劣化を回避できる。

＜３−２−４．搬送ロボットＴＲ３＞
図６を参照して、搬送ロボットＴＲ３はレジスト塗布装置４２に対して搬送ロボットＴＲ２とは反対側に配置されている。搬送ロボットＴＲ３は塗布処理が行われた２枚の基板Ｗをレジスト塗布装置４２から一括して取り出す。搬送ロボットＴＲ３の構造は搬送ロボットＴＲ１と同様である。レジスト塗布装置４２は、塗布処理を終えた２枚の基板Ｗを複数のリフトピンによって、基板保持部４２１の上面より上に持ち上げる。搬送ロボットＴＲ３は複数のリフトピンにより支持された２枚の基板Ｗを一括して取り出し、この２枚の基板Ｗを一括して減圧乾燥装置４３へと渡す。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で搬送ロボットＴＲ３に載置される。この搬送ロボットＴＲ３も搬送ロボットＴＲ１と同様に、上流工程にて、平流し処理部である洗浄装置１２により処理されたＮ枚（２枚）の基板Ｗを、水平な一方向に並べて保持しつつ、この複数の基板を一括して同時処理部である減圧乾燥装置４３へ搬送する。この結果、基板Ｗを１枚ずつ搬送する場合に比べて、搬送処理のスループットを向上することができる。搬送ロボットＴＲ３はダブルハンドタイプの搬送ロボットであってもよい。

また搬送ロボットＴＲ３は減圧乾燥処理が行われた２枚の基板Ｗを水平な一方向（Ｄ２１又はＤ２２）に並べて保持しつつ、減圧乾燥装置４３から一括して取り出し、この２枚の基板Ｗを下流側の装置（プリベーク装置１５）へと搬送することができる。

＜３−２−５．減圧乾燥装置＞
減圧乾燥装置４３は例えば特開２０１４−１２６２６３号公報に記載されるような基板保持部と吸引装置とを備えている。この基板保持部は、搬送ロボットＴＲ３から２枚の基板Ｗを一括して受け取り、これらを保持する。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢でこの基板保持部の上に載置される。この基板保持部は搬送ロボットＴＲ３のハンドと衝突しないように構成されている。この基板保持部においても、２枚の基板Ｗは水平方向に並んで保持されており、その２枚の基板Ｗの間隔は搬送ロボットＴＲ３における２枚の基板Ｗの間隔と同じである。基板保持部は例えばチャンバ内に配置されており、吸引装置はこのチャンバ内の気体を吸引して、チャンバ内の圧力を低減させる。具体的には例えばチャンバ内の圧力を塗布液の溶剤の蒸気圧まで低減させる。これにより、塗布液の溶剤が蒸発し、塗膜をプリベーク装置１５によるプリベーキング処理に先立って、塗膜を適度に乾燥させることができる。つまり減圧乾燥処理が行われる。

この減圧乾燥装置４３においても、２枚の基板Ｗに対して一括して同時に減圧乾燥処理が行われるので、基板Ｗに対して１枚ずつ減圧乾燥処理を行う場合に比べて、減圧乾燥処理のスループットを向上できる。

＜４．変形例＞
＜４−１．間隔調整部＞
上述の間隔調整部４１は２枚の基板Ｗの間隔を広げた。しかるに、２枚の基板Ｗの間隔が広い上流側の処理装置と、２枚の基板Ｗの間隔が狭い下流側の処理装置とが設けられる場合、両処理装置の間には、２枚の基板Ｗの間隔を狭める間隔調整部４１Ａが設けられることが望ましい。図１５および図１６は、間隔調整部４１Ａの構成の一例を概略的に示す図である。間隔調整部４１Ａの構成は間隔調整部４１と同様であるものの、回転体４１８，４１９の初期回転位置において、連結部材７３Ａ、７３Ｂは幅方向Ｄ１２に沿う位置から所定角度だけ反時計回りに回転した位置で停止している。

移動体４１２，４１３がそれぞれ初期位置で停止し、回転体４１８，４１９が初期回転位置で停止している場合には、２枚の基板Ｗは移動体４１２，４１３および回転体４１８，４１９のいずれとも離間している。

回転機構７４Ａ，７４Ｂは回転体７３Ａ，７３Ｂをそれぞれ時計回りに回転させる。また進退機構８４Ａ，８４Ｂはそれぞれ移動体４１２，４１３を初期位置から互いに近づけるように移動させる。この状態で、進退機構８４Ａ，８４Ｂが移動体４１２，４１３を初期位置（図１５）から互いに近づくように移動させると、移動体４１２，４１３がそれぞれ基板Ｗ１，Ｗ２の側面を、回転機構７４Ａ，７４Ｂによる連結部材７３Ａ，７３Ｂの回転により初期回転位置にある回転体４１８，４１９へと押圧する。この押圧によって、基板Ｗ１，Ｗ２はその間の間隔を狭めるように移動する。基板Ｗ１，Ｗ２は、初期回転位置にある回転体４１８，４１９に当接するまで移動する。図１７および図１８は、基板Ｗ１，Ｗ２の間隔を狭めたときの間隔調整部４１の構成の一例を概略的に示す図である。基板Ｗ１は、基板Ｗ１側に移動した移動体４１２と、図１５の初期回転位置にある回転体４１８，４１９の一組とによって挟まれ、基板Ｗ２は、基板Ｗ２側に移動した移動体４１３と、初期回転位置にある回転体４１８，４１９の一組とによって挟まれている。移動体４１２，４１３を初期位置（図１５）から互いに近づくように移動させることにより、基板Ｗ１，Ｗ２の間隔を図１５の状態よりも狭くできる。基板Ｗ１，Ｗ２の間隔は、図１５の回転体４１８，４１９の初期回転位置によって制御される。

このとき、移動体４１２の端部材８１Ａ，８２Ａは基板Ｗ１を押圧する押圧部材として機能し、移動体４１３の端部材８１Ｂ，８２Ｂは基板Ｗ２を押圧する押圧部材として機能し、中間部材７１Ａ，７１Ｂ，７２Ａ，７２Ｂは基板Ｗ１，Ｗ２の配列方向Ｄ１１の位置を決めるためのストッパとして機能する。

間隔調整部４１Ａの動作の一例は図１３と同様である。ただし、回転体４１８，４１９は図１３の動作前において初期回転位置にある。また、ステップＳ２においては、進退機構８４Ａ，８４Ｂはそれぞれ移動体４１２，４１３を初期位置から互いに近づくように移動させる。これにより、２枚の基板Ｗの間隔が狭まる。ステップＳ３においては進退機構８４Ａ，８４Ｂはそれぞれ移動体４１２，４１３を初期位置まで移動させる。これにより、移動体４１２，４１３の各々は基板Ｗ１，Ｗ２の両方と離間する。ステップＳ３では、回転機構７４Ａ，７４Ｂはそれぞれ回転体４１８，４１９を初期回転位置から時計回りに回転させて、例えば連結部材７２Ａ，７２Ｂが幅方向Ｄ１２に沿う回転位置まで回転させる）。これにより、回転体４１８，４１９の各々は基板Ｗ１，Ｗ２の両方と離間する。また、進退機構３７４Ａ，３８４Ａはそれぞれ移動体３７Ａ，３８Ａを互いに反対側に移動させて、基板Ｗ１から離間させ、進退機構３７４Ｂ，３８４Ｂはそれぞれ移動体３７Ｂ，３８Ｂを互いに反対側に移動させて、基板Ｗ２から離間させる。ステップＳ４においては、基板Ｗ１，Ｗ２は、移動体４１２，４１３、回転体４１８，４１９および移動体３７Ａ，３８Ａ，３７Ｂ，３８Ｂの全てと離間した状態で、搬送ロボットＴＲ２によって搬出される。よって、搬送ロボットＴＲ２は基板Ｗ１，Ｗ２を搬出しやすい。

以上のように、間隔調整部４１，４１Ａについて説明したが、間隔調整部４１，４１Ａの各々は上流側における基板Ｗの間隔と下流側における基板の間隔とが異なる場合に、これらの間に適宜に配置されればよい。

また上述の例では、間隔調整部４１，４１Ａには、２枚の基板Ｗを整列するための移動体３７Ａ，３７Ｂ，３８Ａ，３８Ｂが設けられている。しかるに、基板Ｗの整列が不要である場合には、これらは不要である。

＜４−２．整列部＞
図４に例示する整列部３７が各処理装置の間で適宜に設けられてもよい。

＜４−３．塗布関連装置１４Ａ＞
図１７は、塗布関連装置１４の他の一例たる塗布関連装置１４Ａの構成を概略的に示す図である。塗布関連装置１４Ａは間隔調整部４１とレジスト塗布装置４２Ａと減圧乾燥装置４３と搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３とを備えている。つまり塗布関連装置１４Ａはレジスト塗布装置の構成を除いて、塗布関連装置１４と同一の構成を有している。

上述のレジスト塗布装置４２は、ノズル４２２が幅方向Ｄ２２に沿って移動する構成を有するのに対して、レジスト塗布装置４２Ａでは、２枚の基板Ｗが幅方向Ｄ２２に沿って移動する。具体的には、レジスト塗布装置４２Ａは、コロコンベア４２３Ａ、移載ユニット４２４Ａ、一対の基板チャック部４２５Ａ、浮上ステージ４２１Ａ、ノズル４２２Ａおよび進退機構４２３Ａを備えている。レジスト塗布装置４２Ａは、例えば、特開２０１１−２１０９８５号公報に記載されるような基板浮上式の塗布装置である。

コロコンベア４２３Ａは搬送ロボットＴＲ２から２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を受け取る。このコロコンベア４２３Ａにおいても、搬送ロボットＴＲ２における基板Ｗ１，Ｗ２の間隔が維持されつつ、基板Ｗ１，Ｗ２が載置される。基板Ｗ１，Ｗ２はその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。コロコンベア３０は図示しない複数のコロの外周面の最上部が２枚の基板Ｗの下面に接触することで、基板Ｗに推進力を与え、幅方向Ｄ２２沿って移動させる接触式の搬送装置である。

移載ユニット４２４Ａはコロコンベア４２３Ａと浮上ステージ４２１Ａとの間に設置されている。移載ユニット４２４Ａは図示しない複数のコロおよび浮上パッドを備える。浮上パッドは基板Ｗ１，Ｗ２の下面に圧縮気体、例えば空気を噴出して基板Ｗを浮上させ、基板Ｗ１，Ｗ２を非接触状態で支持する浮上機構である。浮上パッドはその上面に複数の噴出口が形成されている。この噴出口は気体供給経路を介して気体供給部（気体源）に接続されている。気体供給部からの気体がこの噴出口から噴出される。

移載ユニット４２４Ａの複数のコロは昇降可能に形成されている。上昇時の位置は、浮上パッドによる圧縮気体の噴射中であっても、複数のコロの外周面の最上部が２枚の基板Ｗの下面に接触する位置である。よってこのとき移載ユニット４２３Ａの複数のコロも基板Ｗ１，Ｗ２に推進力を与え、幅方向Ｄ２２に沿って基板Ｗ１，Ｗ２を移動させることができる。下降時の位置は、浮上パッドによる圧縮気体の噴射中において移載ユニット４２３Ａの複数のコロが基板Ｗ１，Ｗ２と離れる位置である。つまり、複数のコロが下降しているときには、基板Ｗ１，Ｗ２は浮上パッドからの圧縮気体によって支持される。

浮上ステージ４２１Ａは幅方向Ｄ２２に沿って延在している。この浮上ステージ４２１Ａの上面（２枚の基板Ｗが載置される面）には複数の噴出口が形成されている。この噴出口は、浮上ステージ４２１Ａの内部に形成された気体供給経路を介して気体供給部(気体源)に接続されている。気体供給部からの気体は浮上ステージ４２１Ａの上面の噴出口から噴出し、これにより、基板Ｗ１，Ｗ２を浮上ステージ４２１Ａの上面から浮上させる。浮上ステージ４２１Ａには移載ユニット４２３Ａから基板Ｗが搬送される。

基板チャック部４２５Ａは、移載ユニット４２３Ａの複数のコロが下降して基板Ｗ１，Ｗ２が浮上した状態において、基板Ｗ１，Ｗ２の各端面を保持することができる。具体的には、基板チャック部４２５Ａは基板Ｗ１のうち基板Ｗ２とは反対側の端面を保持し、基板Ｗ２のうち基板Ｗ１とは反対側の端面を保持する。基板チャック部４２５Ａは、昇降可能に形成されており、基板チャック部４２５Ａが上昇することにより、基板Ｗ１，Ｗ２の下面（端面）に吸着する。

進退機構４２６Ａは基板チャック部４２５Ａを幅方向Ｄ２２に沿って移動させる。例えば進退機構４２６Ａはリニアモータなどである。基板チャック部４２５Ａは移載ユニット４２３Ａから浮上ステージ４２３Ａへと基板Ｗ１，Ｗ２を移動させる。

ノズル４２２Ａは基板Ｗ１，Ｗ２の移動経路の途中において、基板Ｗ１，Ｗ２の上方に設けられている。ノズル４２２Ａはノズル４２２と同様の構成を有する。つまりノズル４２２Ａの下端面には、基板Ｗ１，Ｗ２の塗布領域Ｒ１，Ｒ２にそれぞれ対応した吐出口４２ａ，４２ｂが形成されている。なお図１７においては、模式的にノズル４２２Ａのみ、その側面が示されているものの、実際には、吐出口４２ａ，４２ｂはノズル４２２Ａの下面に形成されるので、平面視においては現れない。

ノズル４２２Ａは、図１５に例示するノズル保持部４２４と同様のノズル保持部によって、浮上ステージ４２１Ａに固定されている。

基板Ｗ１，Ｗ２の初期位置は、ノズル４２２Ａと鉛直方向において対向しない位置である。基板チャック部４２５Ａが基板Ｗ１，Ｗ２を幅方向Ｄ２２に沿って移動させることで、基板Ｗ１，Ｗ２はノズル４２２Ａの直下を横切って移動する。基板Ｗ１，Ｗ２の塗布領域Ｒ１，Ｒ２がノズル４２２Ａの直下にいる期間において、適宜にノズル４２２Ａの吐出口４２ａ，４２ｂから塗布液がそれぞれ基板Ｗ１，Ｗ２に対して吐出される。これにより、基板Ｗ１，Ｗ２の塗布領域Ｒ１，Ｒ２には塗膜が形成される。

そして、基板移動機構４２３Ａは基板Ｗ１，Ｗ２がノズル４２２Ａと鉛直方向で対向しない位置まで幅方向Ｄ２２に沿って移動させる。つまり、基板Ｗ１，Ｗ２の停止位置はノズル４２２Ａに対して基板Ｗ１，Ｗ２の初期位置とは反対側に位置している。

このようなレジスト塗布装置４２Ａによっても、２枚の基板Ｗの一度の移動により、２枚の基板Ｗに対して一括して同時に塗布処理が行われる。よって２枚の基板Ｗに対して１枚ずつ塗布処理を行う場合に比して、塗布処理のスループットを向上できる。

搬送ロボットＴＲ３は、この停止位置で停止した２枚の基板Ｗを一括して取り出して、水平な一方向（Ｄ２１又はＤ２２）に並べて保持しつつ、この２枚の基板Ｗを減圧乾燥装置４３へと一括して渡す。また搬送ロボットＴＲ３は減圧乾燥処理が行われた後の２枚の基板Ｗを水平な一方向（Ｄ２１又はＤ２２）に並べて保持しつつ、減圧乾燥装置４３から一括して取り出して、この２枚の基板Ｗを下流側の装置へ一括して渡す。

なお上述の一例では、各搬送ロボットは２枚の基板Ｗを一括して搬送し、各同時処理装置は２枚の基板Ｗに対して同時に処理を行っているものの、搬送ロボットは３枚以上の基板を一括して搬送してもよく、同時処理装置は３枚以上の基板に対して同時に処理を行ってもよい。

１ 基板処理システム
３０ 平流し処理部（平流し処理装置）
４０ 同時処理部（同時処理装置）
４１，４１Ａ 間隔調整部
１３ 第１処理部（脱水ベーク装置）
４２ 第２処理部（レジスト塗布装置）
７１，７２ 中間部材
７３ 連結部材
７４ 回転機構
８１Ａ，８１Ｂ 端部材
８２Ａ，８２Ｂ 端部材
８４Ａ，８４Ｂ 進退機構
９２ 加熱手段
４１１ 支持部
９１，４２１ 基板保持部
４２２，４２２Ａ ノズル
４２ａ，４２ｂ 吐出口
４２３，４２３Ａ 移動手段（ノズル移動機構、基板移動機構）
ＴＲ１ 第１基板搬送部（搬送ロボット）
ＴＲ２ 第２基板搬送部（搬送ロボット）

Claims (10)

1. 基板を搬送方向に沿って順次に搬送させつつ当該基板に対して一枚ずつ処理を行う平流し処理部と、
   Ｎ（２以上の整数）枚の基板に対して同時に処理を行う同時処理部と、
   前記平流し処理部によって処理された複数の基板のうち前記Ｎ枚の基板を水平な一方向に並べて保持しつつ、前記Ｎ枚の基板を一括して前記同時処理部へ搬送する第１基板搬送部と、
   を備える、基板処理システム。
2. 請求項１に記載の基板処理システムであって、
   前記平流し処理部にて処理された前記Ｎ枚の基板の間隔を、前記同時処理部にて前記Ｎ枚の基板を同時処理する際の基板の間隔に調整する間隔調整部をさらに備え、
   前記第１基板搬送部は、間隔調整部にて間隔が調整された前記Ｎ枚の基板を水平な一方向に並べて保持しつつ、前記Ｎ枚の基板を一括して前記同時処理部へ搬送する、基板処理システム。
3. 請求項２に記載の基板処理システムであって、
   前記間隔調整部は搬送コンベアを有し、当該搬送コンベア上に順次、搬入される前記Ｎ枚の基板の停止位置をそれぞれ制御して前記間隔を調整する、基板処理システム。
4. 請求項２に記載の基板処理システムであって、
   前記間隔調整部は、
   前記Ｎ枚の基板を水平な配列方向に沿って並べて支持する支持部と、
   前記支持部によって支持された前記Ｎ枚の基板の前記配列方向における各位置を決めるためのストッパと、
   前記支持部によって支持された前記Ｎ枚の基板の各々を、対応する前記ストッパへ押圧して当接させる押圧部材と
   を有する、基板処理システム。
5. 請求項４に記載の基板処理システムであって、
   前記支持部によって支持された前記Ｎ枚の基板は、前記配列方向において互いに隣り合う第１基板および第２基板を含み、
   前記間隔調整部は、
   前記第１基板および前記第２基板の一組を前記配列方向で挟むように対向配置された一対の端部材と、
   前記第１基板および前記第２基板の間に位置し、水平面において互いに間隔を隔てて配置される一対の中間部材と、
   前記一対の中間部材を連結する連結部材と、
   鉛直方向に沿う回転軸を中心に前記連結部材を回転させる回転機構と
   を備え、
   前記回転機構による前記連結部材の回転により、前記一対の中間部材が前記第１基板および前記第２基板をそれぞれ一対の端部材へと押圧して前記一対の端部材にそれぞれ当接させることで、前記一対の中間部材および前記一対の端部材をそれぞれ前記押圧部材および前記ストッパとして機能させる、基板処理システム。
6. 請求項４に記載の基板処理システムであって、
   前記支持部によって支持された前記Ｎ枚の基板は、前記配列方向において互いに隣り合う第１基板および第２基板を含み、
   前記間隔調整部は、
   前記第１基板および前記第２基板の一組を前記配列方向で挟むように対向配置された一対の端部材と、
   前記一対の端部材を前記配列方向に進退させる進退機構と、
   前記第１基板および前記第２基板の間に位置し、水平面において互いに間隔を隔てて配置される一対の中間部材と、
   前記一対の中間部材を連結する連結部材と、
   鉛直方向に沿う回転軸を中心に前記連結部材を回転させる回転機構と
   を備え、
   前記進退機構により互いに近づく方向に移動する前記一対の端部材が、前記第１基板および前記第２基板を、前記回転機構による前記連結部材の回転により回転位置にある前記一対の中間部材へと押圧して、前記一対の中間部材にそれぞれ当接させることで、前記一対の端部材および前記一対の中間部材をそれぞれ前記押圧部材および前記ストッパとして機能させる、基板処理システム。
7. 請求項５または請求項６に記載の基板処理システムであって、
   第２基板搬送部は、前記回転機構が前記一対の中間部材を前記第１基板および前記第２基板から離間させた回転位置で前記連結部材を停止させつつ、前記進退機構が前記一対の端部材を前記第１基板および前記第２基板から離間させた状態で、前記第１基板および前記第２基板を前記支持部から取り出す、基板処理システム。
8. 請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理システムであって、
   前記同時処理部は、
   前記Ｎ枚の基板を並べて保持する基板保持部と、
   前記基板保持部によって保持された前記Ｎ枚の基板と対向する位置にそれぞれスリット状の吐出口を有し、前記吐出口から塗布液を吐出するノズルと、
   前記基板保持部によって保持された前記Ｎ枚の基板が並ぶ方向に直交し且つ水平な移動方向に沿って、前記ノズルおよび前記基板保持部を相対的に移動させる移動手段と
   を備える、基板処理システム。
9. 請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理システムであって、
   前記同時処理部は、
   前記Ｎ枚の基板を並べて保持する基板保持部と、
   前記基板保持部によって保持された前記Ｎ枚の基板に対して同時に加熱処理を行う加熱手段と
   を備える、基板処理システム。
10. 基板を処理する方法であって、
    平流し処理部が基板を搬送方向に沿って順次に搬送させつつ当該基板に対して一枚ずつ処理を行い、
    基板搬送手段が前記平流し処理部によって処理された複数の基板のうちＮ（Ｎは２以上の整数）を水平な一方向に並べて保持しつつ、前記Ｎ枚の基板を一括して同時処理部へと搬送し、
    前記同時処理部が前記Ｎ枚の基板に対して同時に処理を行う、基板処理方法。

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