JP2018145024A - 線引き用光ファイバ母材の製造方法および製造装置 - Google Patents

線引き用光ファイバ母材の製造方法および製造装置 Download PDF

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Abstract

【課題】加熱された光ファイバ母材から発生するSi化合物微粒子の再付着を防止する。【解決手段】光ファイバ母材をヒータで加熱して、端部に絞り形状部を有する線引き用光ファイバ母材の製造する製造方法であって、光ファイバ母材の長手方向についてヒータに隣接する整流部材を配置して、ヒータに加熱された光ファイバ母材から発生したSi化合物を含む気体が光ファイバ母材の表面に沿って流れることを阻止するガス流を維持しつつ、軟化した光ファイバ母材の一部を引き取って絞り形状部を形成する。【選択図】図3

Description

本発明は、線引き用光ファイバ母材の製造方法および製造装置に関する。
線引きしても光ファイバにならない非有効部を含む光ファイバ母材を加工して、端部の絞り形状部にもコアとなる部分が含まれる線引き用光ファイバ母材を製造する製造方法がある(特許文献1参照)。
[特許文献1]特開平5−24877号公報
光ファイバ母材を加熱して端部に絞り形状部を形成する加工をする場合、光ファイバ母材から発生したSi化合物微粒子が光ファイバ母材表面に再付着して、光ファイバ母材の表面を粗面化する場合がある。
本発明の第一の態様においては、光ファイバ母材をヒータで加熱して、端部に絞り形状部を有する線引き用光ファイバ母材の製造する製造方法であって、光ファイバ母材の長手方向についてヒータに隣接する整流部材を配置して、ヒータに加熱された光ファイバ母材から発生したSi化合物を含む気体が光ファイバ母材の表面に沿って流れることを阻止するガス流を維持しつつ、軟化した光ファイバ母材の一部を引き取って絞り形状部を形成する製造方法が提供される。
本発明の第二の態様においては、光ファイバ母材を加熱するヒータと、光ファイバ母材の長手方向についてヒータに隣接して配置され、ヒータに加熱された光ファイバ母材から発生したSi化合物を含む気体が光ファイバ母材の表面に沿って流れることを阻止するガス流を維持する整流部材と、ヒータにより加熱されて軟化した光ファイバ母材の一部を引き取る引き取り部とを備え、端部に絞り形状部を有する線引き用光ファイバ母材の製造する製造装置が提供される。
上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。これら特徴群のサブコンビネーションもまた発明となり得る。
光ファイバ母材200の模式的面図である。 製造装置100の模式的断面図である。 製造装置100の模式的断面図である。 製造装置100の模式的断面図である。 線引き用光ファイバ母材300の模式的断面図である。 製造装置100の模式的部分拡大断面図である。 製造装置100の模式的部分拡大断面図である。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明する。下記の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。下記の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。
図1は、光ファイバ母材200の模式的断面図である。図示の光ファイバ母材200は、後述する絞り加工により線引き用光ファイバ母材になる前の段階にある。
光ファイバ母材200は、少なくとも長手方向の中央に円柱状の部分を有し、径方向中央に配されたコア材210と、コア材210を周囲から包囲するクラッド材220とを有する。コア材210は、透明度が高く、屈折率が高い材料で形成される。クラッド材220は、コア材210に対して相対的に屈折率が低い材料で形成される。
光ファイバ母材200を加工する場合は、図中に点線で示すように、長手方向の両端部にダミー部230を結合する。ダミー部230は、例えばガラス材料で形成され、溶着により光ファイバ母材200に結合する。これにより、一方のダミー部230を把持して、光ファイバ母材200に接触することなく、光ファイバ母材200を支持、固定できる。また、他方のダミー部230を把持して引き取ることにより、光ファイバ母材200自体に接触することなく、光ファイバ母材200に張力を作用させることができる。
光ファイバ母材200は、MCVD法(Metal organic Chemical Vapor Deposition method)、PCVD法(Plasma−activated Chemical Vapor Deposition method)、VAD法(Vapor−phase Axial Deposition method)、OVD法(Outside Vapor Deposition method)、ロッドインチューブ法等、種々の方法で製造される。いずれの製造方法で製造された場合でも、光ファイバ母材200の両端には非有効部201が形成される。
非有効部201には、クラッド材220の内部にコア材210が存在しない。このため、非有効部201は、線引きしても、光を閉じ込めて伝送する光ファイバを形成しない。そこで、光ファイバを製造する場合は、線引きに先立って光ファイバ母材200から非有効部201を除去して、端部までコア材210が存在する状態にする。
また、光ファイバを線引きする場合、光ファイバ母材200は、外径が連続的に減少して端部で細径になる絞り形状をなすことが好ましい。そこで、線引きに先立って、光ファイバ母材200の端部に絞り形状を形成する絞り加工も、非有効部201の除去と併せて実施される。
図2は、製造装置100の構造を示す模式的断面図である。この製造装置100は、光ファイバ母材200から非有効部201を除去し、絞り形状の形成する加工に使用される。製造装置100は、縦長の炉体110により形成された炉体の内部に配された断熱材120、ヒータ130、および整流部材140と、炉体の外部下方に配された引き取りローラ150とを備える。
炉体110は、全体として縦長の筒をなす。炉体110は、下部炉壁111、蓋部炉壁112、および上部炉壁113を順次積み上げて形成される。
下部炉壁111は、上面が開いた円筒状の形状を有し、底部中央に、光ファイバ母材200の下端を引き出す穴を有する。下部炉壁111の底部内面および側壁内面は、順次積み上げられた底部断熱材121および下部断熱材122により覆われる。
下部炉壁111の上端は、下部炉壁111の上に重ねられた蓋部炉壁112により封止される。蓋部炉壁112は、光ファイバ母材200を挿通できる穴を中央に有する。また、蓋部炉壁112の内面も、下部断熱材122に積み上げられた蓋部断熱材123により覆われる。蓋部炉壁112および蓋部断熱材123は、炉体110内部のヒータ130を交換する場合に、炉体110から取り外すことができる。
更に、蓋部炉壁112の上面には、下部炉壁111よりも径が小さい上部炉壁113が積み重ねられる。上部炉壁113は、上端に、光ファイバ母材に連結されたダミー部230の上端を挿通する穴を有する。上部炉壁113および上部断熱材124は、炉体110の内部に光ファイバ母材を装入する場合に、炉体110から取り外すことができる。
上部炉壁113の上端近傍の側面には、炉体110の内部に外部から不活性ガスを供給する供給口119が設けられる。供給口119を通じて炉体110内部に、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガスを充満させることにより、カーボン等により形成される底部断熱材121、下部断熱材122、蓋部断熱材123、および上部断熱材124を含む断熱材120の酸化による劣化を防止できる。また、カーボン製のヒータ130の酸化による劣化も抑制される。
ヒータ130は、炉体110の下部炉壁111の内部において、底部断熱材121、下部断熱材122、および蓋部断熱材123の内側に配される。なお、近年、光ファイバ母材200は大径化されており、外径は約200mmに達している。このような大径の光ファイバ母材を絞り加工する場合には、ガスバーナーで全体を均一に加熱することが困難である。そこで、製造装置100のヒータ130としては、外部から電力の供給を受ける電気ヒーターが用いられる。
このため、ヒータ130は、外部から電力を供給する接続端子となる電極部材132を有する。電極部材132は、ヒータ130の電源が単相電源の場合は2本、三相電源の場合は3本、ヒータ130の周方向に等間隔に配される。電極部材132の上端は、炉体110の径方向について外側に向かって水平に延在して、電力供給部134の一端に結合される。このため、整流部材140は、電極部材132が存在する区間に配置されているともいえる。
電力供給部134は、炉体110に対して固定されると共に、炉体110の径方向外側に向かって延在し、下部炉壁111および下部断熱材122を水平に貫通する。これにより、電力供給部134の一端は、炉体110の外部に一端を露出させる。電力供給部134は、水等の冷媒が内部を循環する構造を有し、炉体110の外部側が極端に高温になることを防止している。
電極部材132は、その上端を電力供給部134の内側端部に載せることにより、ヒータ130を炉体110の内部に吊り下げて位置決めでされる。また、電力供給部134および電極部材132を通じて、炉体110内部のヒータ130に、炉体110の外部から電力を供給できる。
炉体110の内部において、ヒータ130の上方には、ヒータ130に隣接して整流部材140が配される。整流部材140は、フランジ部141および筒状部142を有する。整流部材140は、例えば、断熱材120等と同様にカーボンで形成してもよい。
整流部材140の筒状部142は、内径および外径が略一定の円筒状で、炉体110の下部断熱材122および蓋部断熱材123の内側に配される。また、筒状部142の配置は、ヒータ130の電極部材132の内側でもある。筒状部142は、光ファイバ母材200に接触することなく、光ファイバ母材200貫通させる内径を有する。これにより、炉体110内で、光ファイバ母材200は、筒状部142により包囲される。
整流部材140のフランジ部141は、筒状部142の上端から、径方向外側に向かって拡がる。フランジ部141は、蓋部断熱材123の穴の内径よりも広い。よって、製造装置100の内部において、フランジ部141の外縁は、蓋部断熱材123の上面と、上部断熱材124の下端との間に挟まれる。これにより、整流部材140は、炉体110の内部で位置決めされる。
整流部材140は、炉体110の上部炉壁113および上部断熱材124を取り外ずした場合に、蓋部断熱材123から持ち上げて交換できる。よって、整流部材140が劣化した場合に交換することができる。また、製造装置100の稼働条件、製造装置100に挿入する光ファイバ母材200の外径等に応じて、互いに内径が異なる複数の整流部材140から適切なものを選択して使用できる。
更に、製造装置100は、炉体110の外部上方に配されたチャック160を備える。チャック160は、炉体110の内部に収容した光ファイバ母材200の上端に結合されたダミー部230を把持して光ファイバ母材200を吊り下げる場合に使用される。
また、製造装置100は、炉体110の外部下方に配された引き取りローラ150を備える。引き取りローラ150は、炉体110の内部で加熱された光ファイバ母材200に結合されたダミー部230を挟んで回転することにより、炉体110内に収容された光ファイバ母材に張力を作用させて、光ファイバ母材200を下端から引き取る。これにより、光ファイバ母材200に張力を作用させて、光ファイバ母材200の下端側端部を除去し、また、絞り形状を形成できる。
図3は、製造装置100を用いた絞り加工を説明する模式的断面図である。図3は、絞り加工を開始する前の状態を示し、非有効部201を含む光ファイバ母材200が製造装置100の内部に装填されている。
光ファイバ母材200の図中上端には、ダミー部230の図中下端に溶着により結合されている。ダミー部230の上部は、炉体110の外側で、チャック160に把持されている。これにより、光ファイバ母材200は、周囲の炉壁に接触することなく、炉体110の内部に収容される。
炉体110内に収容された光ファイバ母材200の下端近傍は、ヒータ130の内側に位置する。これにより、ヒータ130が加熱を開始した場合、光ファイバ母材200の下端近傍に位置する非有効部201が加熱される。
また、製造装置100においては、ヒータ130による光ファイバ母材200の加熱に先立って、供給口119から不活性ガスが炉体110内に供給される。供給された不活性ガスは、当初は、上部炉壁113の内部に充填され、やがて、下部炉壁111に向かって押し出される。これにより、炉体110内に不活性ガスが充満し、断熱材120およびヒータ130が酸素を含む大気から遮断される。よって、断熱材120およびヒータ130の温度が上昇しても、これら部材の酸化による劣化が抑制される。
図4は、製造装置100の模式的断面図である。図4には、製造装置100において、光ファイバ母材200から非有効部201を引き取る様子が示される。
まず、炉体110内に不活性ガスが充満した状態から、不活性ガスを更に炉体110内に供給しつつ、ヒータ130に電力を供給して光ファイバ母材200を加熱する。ヒータ130の内側で一部を加熱された光ファイバ母材200は、ヒータ130に包囲された非有効部201を含む領域が軟化する。
この状態で、下側のダミー部230を挟んだ引き取りローラ150を、図中に矢印で示すように回転させることにより、光ファイバ母材200を下端側から引き取ることができる。また、光ファイバ母材200の一部が引き取りローラ150に引き取られるのに合わせて、チャック160を下降させて、ヒータ130による光ファイバ母材200の加熱位置を徐々に移動させる。これにより、光ファイバ母材200は、図中下端側から順次、下方に引き取られる。
やがて、コア材210を有する有効部202の一部が引き取りローラ150に引き取られる状態になる。こうして、光ファイバ母材200の下端側から非有効部201は除去され、光ファイバ母材200の下端側は、下端までコア材210を有する有効部202となる。また、光ファイバ母材200の下端では、有効部202に絞り形状が形成される。
図5は、上記のようにして製造された線引き用光ファイバ母材300を示す模式的断面図である。線引き用光ファイバ母材300においては、少なくとも図中下側において、短文までコア材210が存在する有効部となっている。
また、線引き用光ファイバ母材300の下端側においては、引き取りローラ150に挟まれていた部分が切り取られ、有効部202の図中下端に絞り形状が形成される。このように、コア材210を有し、且つ、絞り形状を有する線引き用光ファイバ母材300の端部は、光ファイバを線引きする場合に、光ファイバの引き取りを開始する口出し部203となる。
図6は、図3に破線で示す示す円Pが囲んだ領域を拡大して示す部分拡大断面図である。図6に示すように、整流部材140の筒状部142は、光ファイバ母材200の外形よりも大きな一定の内径を有し、光ファイバ母材200の長手方向について、ヒータ130に隣接して配される。よって、整流部材140に対して図中上側に供給された不活性ガスは、光ファイバ母材200と筒状部142との間を流れるガス流を形成する。
また、整流部材140の図中上端に設けられたフランジ部141は、筒状部142から外側に拡がって、蓋部断熱材123と上部断熱材124との間に挟まれている。よって、筒状部142の外側と下部断熱材122および蓋部断熱材123との間は、フランジ部141により封鎖されている。よって、整流部材140は、光ファイバ母材200の表面から離れた位置において、光ファイバ母材200の長手方向に流れる不活性ガスのガス流を遮断する。
このため、製造装置100において、供給口119から供給された不活性ガスは、図中に矢印で示すように、光ファイバ母材200の表面に沿って流れる。また、光ファイバ母材200と整流部材140の筒状部142との間隔は、光ファイバ母材200の長手方向について一定なので、光ファイバ母材200と整流部材140との間で、不活性ガスの線速は略一定になる。
図7は、図6に示すA−A'断面を示す部分水平断面図である。なお、図7には、本来A−A'断面には表れないヒータ130を、位置関係を示すために破線で示している。
図示のように、ヒータ130の上部近傍においては、電極部材132および電力供給部134が存在する位置と、存在しない位置とで、光ファイバ母材200の周囲の空間の大きさが異なる。しかしながら、整流部材140の筒状部142が電極部材132の内側に位置しているので、電極部材132等の有無に関わりなく、整流部材140が存在する断面においては、不活性ガスのガス流が形成される空間の厚さが光ファイバ母材200の周方向について一定になる。
このように、製造装置100においては、光ファイバ母材200の表面に沿って、光ファイバ母材200の長手方向についても、周方向についても、一定の幅を有する不活性ガスの流路が形成される。これにより、炉体110の上部に位置する供給口119から不活性ガスを供給することにより、不活性ガスの流れに対してヒータ130の上流側に、光ファイバ母材200の表面に沿って均一なガス流を形成できる。
ところで、製造装置100において口出し部203を有する線引き用光ファイバ母材300を製造する過程で、ヒータ130により加熱された光ファイバ母材200からは、Si化合物が揮散する。揮散したSi化合物が、光ファイバ母材200の表面においてヒータ130から離れた領域、すなわち、相対的に温度が低い領域に到達すると、SiO微粒子、SiO微粒子等として当該領域に付着する。
Si化合物微粒子が光ファイバ母材200の表面に付着した場合、当該領域の表面粗度が高くなり、汚れが付着しやすくなる。光ファイバ母材200に汚れが付着したまま線引きすると、線引きのための加熱で曇り部分の結晶化が亢進し、光ファイバの強度が著しく低下したり、外径変動が生じる場合がある。
光ファイバ母材200に生じた曇りは、ウエス等で拭き取るだけでは除去することが難しく、例えば、フッ化水素酸による洗浄で除去できる。しかしながら、フッ化水素酸の使用は、環境負荷が大きくなると共に、光ファイバ母材の製造コストを上昇させる。
しかしながら、製造装置100においては、ヒータ130に隣接する整流部材140により、不活性ガスの流通方向について上流側からヒータ130に向かって流れるガス流が形成される。このガス流は、供給口119から不活性ガスを供給し続けることにより維持される。よって、揮散したSi化合物を含む気体が、光ファイバ母材200の表面に沿って流れることが阻止される。また、整流部材140の内側に形成された流路が均一な幅を有するので、不活性ガスに乱流が生じ難く、揮散したSi化合物を含む雰囲気を、光ファイバ母材200の低温側に巻き上げることが防止される。
なお、ヒータ130と光ファイバ母材200との間に整流部材140を配置した場合は、整流部材140により輻射熱が遮断され、ヒータ130が光ファイバ母材200を加熱する効率が低下する。この効率低下を補う目的でヒータ130の出力を上昇させると、ヒータ130の寿命が短くなる。よって、ヒータ130と光ファイバ母材200との間には、整流部材140を配置しないことが好ましい。
また、製造装置100において、光ファイバ母材200揮散したSi化合物を含む気体の一部は、整流部材の外側に位置する領域Q(図6および図7を参照)に滞留しつつ、徐々に下降して炉体110の下端から炉外に排出される。領域Qから炉体110下端までの領域では、光ファイバ母材200の表面が高温なので、これらの領域に、Si化合物微粒子の付着による曇りが生じることはない。
製造装置100における光ファイバ母材200および整流部材140の間の不活性ガス流の線速は、毎秒1.3m以上、且つ、毎秒10m未満であることが好ましい。線速が1.3m/s未満の場合は、光ファイバ母材200の表面からのSi化合物を含む気体の排除が十分ではなく、曇りが生じる場合があった。一方、線速が毎秒10m程度あれば、曇りを防止でき、線速をそれ以上に増加させなくともよい。よって、線速を毎秒10m以上にすると、不活性ガスの消費が徒に増加するので、工業的に好ましくない。なお、不活性ガスの上記線速は、不活性ガスが流れる流路の断面積と不活性ガスの供給量とに基づいて算出した線速を、ヒーター温度に基づいて算出した不活性ガスの体積の変化により補正したヒータ温度換算値である。
なお、光ファイバ母材200の長手方向について、ヒータ130と整流部材140の間隔は狭い方が好ましい。しかしながら、加熱前の段階で、ヒータ130とカーボン製の整流部材140との間隔を3mm以下にすると、加熱された整流部材140とヒータ130との間隔が熱膨張により狭くなり、ヒータ130からスパークが生じる場合がある。一方、光ファイバ母材200の長手方向について、ヒータ130と整流部材140の間隔が80mmを超えると、ヒータ130と整流部材140との間で、光ファイバ母材200にSi化合物微粒子による曇りが生じる場合がある。
また、整流部材140の形状は、流路の断面積を狭くして流速を上昇させるという観点からは、筒型に限らない。ただし、不活性ガス流が乱流を生じると、光ファイバ母材200から揮散したSi化合物を含む気体を図中上方に巻き込む場合がある。よって、整流部材140の形状は、光ファイバ母材200の周囲に沿って均等な、あるいは対称な形状であることが好ましい。また、整流部材140の形状は、光ファイバ母材200の長手方向に沿って、乱流を生じない滑らかな形状をなすことが好ましい。
更に、不活性ガスの供給口119は、炉体110上部の1カ所に限るわけではなく、整流部材140よりも上流側であれば、光ファイバ母材200の長手方向についても、周方向についても、複数設けてもよい。また、整流部材140によるガス流の形成には寄与しないが、主に、断熱材120およびヒータ130を酸化から保護する目的で、整流部材140よりも下流側に、更に、不活性ガスを導入する供給口119を設けてもよい。
また更に、上記の例に係る製造装置100は、光ファイバ母材200の上端を固定して、下端から非有効部201を引き取る構造とした。しかしながら、光ファイバ母材200の下端を固定して、上端を引き取る構造として、ヒータ130の下側に整流部材140を配し、更に、その下側から不活性ガスを供給する構造で製造装置100を形成してもよい。
[実験例]
図2に示したように整流部材140を備えた製造装置100を、図3および図4に示したように稼働させて、口出し部203を有する線引き用光ファイバ母材300を製造した。また、比較のために、口出し部203を形成する段階で、供給口119からの不活性ガスの供給量を変更して、整流部材140の内側で形成されるガス流の流速を変えた状態で口出し部203を形成して、作製された線引き用光ファイバ母材300の品質を評価した。
ただし、稼働中の製造装置100の内部において、整流部材140の内側を流れる不活性ガスの線速を直接に測定する事は困難である。そこで、整流部材140に対して上流側に当たる供給口119から炉体110内部に供給した不活性ガスの量と、整流部材140および光ファイバ母材200の間に形成された不活性ガスの流路の空間断面積と、ヒータ130による加熱温度とに基づいて、整流部材140の内側における不活性ガスの線速を近似的に算出した。
ヒータ温度2040℃、整流部材140の内径220mm、光ファイバ母材200の外径195mmの場合に、上部炉壁内に供給した不活性ガスの量を毎分30NLから毎分500NLまで変化させて、光ファイバ母材200の表面に生じた曇りの状態を観察した。その結果、ガス流量が毎分75NL(2040℃換算で1.30m/sに相当)以上では曇りが発生しなかったが、毎分60NL(2040℃換算で1.04m/sに相当)以下では曇りの発生が確認された。
このように、光ファイバ母材の表面に沿って流れる不活性ガス流を形成した状態で口出し部203を作製することにより、線引き用光ファイバ母材300における曇りの発生を防止し、延いては、炉体110の寿命を長くすることができる。よって、光ファイバの品質を向上できる。また、光ファイバの生産効率を向上させ、光ファイバのコストダウンにも寄与する。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
100 製造装置、110 炉体、111 下部炉壁、112 蓋部炉壁、113 上部炉壁、119 供給口、120 断熱材、121 底部断熱材、122 下部断熱材、123 蓋部断熱材、124 上部断熱材、130 ヒータ、132 電極部材、134 電力供給部、140 整流部材、141 フランジ部、142 筒状部、150 ローラ、160 チャック、200 光ファイバ母材、201 非有効部、202 有効部、203 口出し部、210 コア材、220 クラッド材、230 ダミー部、300 線引き用光ファイバ母材

Claims (22)

  1. 光ファイバ母材をヒータで加熱して、端部に絞り形状部を有する線引き用光ファイバ母材の製造する製造方法であって、
    前記光ファイバ母材の長手方向について前記ヒータに隣接する整流部材を配置して、前記ヒータに加熱された前記光ファイバ母材から発生したSi化合物を含む気体が前記光ファイバ母材の表面に沿って流れることを阻止するガス流を維持しつつ、軟化した前記光ファイバ母材の一部を引き取って前記絞り形状部を形成する製造方法。
  2. 前記整流部材が、前記整流部材が配された部分において、毎秒1.3m以上、且つ、毎秒10m未満の線速で、前記光ファイバ母材に沿って前記ヒータに向かって流れるガス流を維持する請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記ガス流が、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を含む不活性ガスのガス流である請求項1または2に記載の製造方法。
  4. 前記整流部材が、前記光ファイバ母材を包囲する筒型の部分を含む請求項1から3のいずれか一項に記載の製造方法。
  5. 前記整流部材を、前記光ファイバ母材の長手方向について、前記ヒータに対して、3mm以上、且つ、80mm未満の間隔をおいて配置する請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。
  6. 前記整流部材を、前記ヒータに対して前記ガス流の上流側であって、前記ヒータに電力を供給する部材が存在する区間に配置する請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。
  7. 前記整流部材を、前記光ファイバ母材の径方向外側に向かって延在して前記ヒータに電力を供給する部材と、前記光ファイバ母材との間に配置する請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。
  8. 前記整流部材は、前記光ファイバ母材の表面から離れた位置において、前記光ファイバ母材の長手方向に流れる前記ガス流を遮断する請求項1から7のいずれか一項に記載の製造方法。
  9. 前記整流部材は、交換可能である請求項1から8のいずれか一項に記載の製造方法。
  10. 前記整流部材は、互いに内径が異なる複数の前記整流部材から、前記光ファイバ母材の外径に応じて選択される請求項9に記載の製造方法。
  11. 前記ヒータおよび前記整流部材を、前記光ファイバ母材を包囲する断熱材と、前記光ファイバ母材の表面との間に配置する請求項1から10のいずれか一項に記載の製造方法。
  12. 光ファイバ母材を加熱するヒータと、
    前記光ファイバ母材の長手方向について前記ヒータに隣接して配置され、前記ヒータに加熱された前記光ファイバ母材から発生したSi化合物を含む気体が前記光ファイバ母材の表面に沿って流れることを阻止するガス流を維持する整流部材と、
    前記ヒータにより加熱されて軟化した前記光ファイバ母材の一部を引き取る引き取り部と
    を備え、端部に絞り形状部を有する線引き用光ファイバ母材の製造する製造装置。
  13. 前記整流部材は、前記整流部材が配された部分において、毎秒1.3m以上、且つ、毎秒10m未満の線速で、前記光ファイバ母材に沿って前記ヒータに向かって流れるガス流を維持する請求項12に記載の製造装置。
  14. 前記ガス流は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を含む不活性ガスのガス流である請求項12または13に記載の製造装置。
  15. 前記整流部材は、前記光ファイバ母材を包囲する筒型の部分を含む請求項12から14のいずれか一項に記載の製造装置。
  16. 前記整流部材は、前記光ファイバ母材の長手方向について、前記ヒータに対して、3mm以上、且つ、80mm未満の間隔をおいて配置される請求項12から15のいずれか一項に記載の製造装置。
  17. 前記整流部材は、前記ヒータに対して前記ガス流の上流側であって、前記ヒータに電力を供給する部材が存在する区間に配置される請求項12から16のいずれか一項に記載の製造装置。
  18. 前記整流部材は、前記光ファイバ母材の径方向外側に向かって延在して前記ヒータに電力を供給する部材と、前記光ファイバ母材との間に配置される請求項12から17のいずれか一項に記載の製造装置。
  19. 前記整流部材は、前記光ファイバ母材の表面から離れた位置において、前記光ファイバ母材の長手方向に流れる前記ガス流を遮断する請求項12から18のいずれか一項に記載の製造装置。
  20. 前記整流部材は、交換可能である請求項12から19のいずれか一項に記載の製造装置。
  21. 前記整流部材は、互いに内径が異なる複数の前記整流部材から、前記光ファイバ母材の外径に応じて選択されたひとつである請求項20に記載の製造装置。
  22. 前記ヒータおよび前記整流部材は、前記光ファイバ母材を包囲する断熱材と、前記光ファイバ母材の表面との間に配置される請求項12から21のいずれか一項に記載の製造装置。
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