JP2018133387A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

ウエーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018133387A
JP2018133387A JP2017024829A JP2017024829A JP2018133387A JP 2018133387 A JP2018133387 A JP 2018133387A JP 2017024829 A JP2017024829 A JP 2017024829A JP 2017024829 A JP2017024829 A JP 2017024829A JP 2018133387 A JP2018133387 A JP 2018133387A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
cutting
wafer
cutting blade
blade
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017024829A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6837859B2 (ja
Inventor
関家　一馬
Kazuma Sekiya
一馬 関家
成規 原田
Shigenori Harada
成規 原田
泉季 石川
Senki Ishikawa
泉季 石川
井上　高明
Takaaki Inoue
高明 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2017024829A priority Critical patent/JP6837859B2/ja
Priority to US15/892,493 priority patent/US10562207B2/en
Publication of JP2018133387A publication Critical patent/JP2018133387A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6837859B2 publication Critical patent/JP6837859B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/02—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by sawing
    • B28D1/04—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by sawing with circular or cylindrical saw-blades or saw-discs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
    • B28D7/02—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups for removing or laying dust, e.g. by spraying liquids; for cooling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
    • B28D7/04—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups for supporting or holding work or conveying or discharging work
    • B28D7/046—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups for supporting or holding work or conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Abstract

【課題】切削ブレードが腐食することや摩耗することを防ぐとともに、デバイスの静電破壊の発生を防止する。【解決手段】ウエーハの加工方法は、チャックテーブル７にダイシングテープＴを介してウエーハＷを保持する保持ステップと、切削ブレード２１でウエーハＷを分割予定ラインＳに沿って切削する分割ステップとを備え、分割ステップでは、ウエーハＷの表面Ｗａには純水に二酸化炭素を混合させた洗浄水７０を供給し、切削ブレード２１には純水または洗浄水７０よりも低い濃度の二酸化炭素を混合させた純水からなる切削水７１を供給するため、ウエーハＷの切削中は常に洗浄水７０と切削水７１とが互いに遮断し合う状態となり、洗浄水７０により切削ブレード２１が腐食したり過度に摩耗したりするのを防止できるとともに、切削水７１がウエーハＷの表面Ｗａに接触してデバイスＤの静電破壊を起こすのを防止できる。【選択図】図１０

Description

本発明は、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
切削装置において、切削ブレードによってウエーハを切削する際に使用される切削水、洗浄水として純水を用いると、抵抗率（比抵抗値）が高くウエーハに静電気が生じやすいことから、通常は、純水と二酸化炭素とを混合させて純水よりも抵抗率を小さくした混合水が用いられる。この混合水は、適宜の混合装置を用いて純水と二酸化炭素との流量を制御して混合比率が調整されて生成されるもので、静電気が生じない程度の抵抗率の混合水を生成してウエーハと切削ブレードとの接触部位に供給することによって、分割時にウエーハに静電気が生ずるのを防止することができる（例えば、下記の特許文献１を参照）。
特開平１１−３００１８４号公報
しかし、上記のような混合装置を用いて、二酸化炭素を純水に混合させ静電気が生じない程度の抵抗率の混合水を生成し、これを切削水、洗浄水として使用する場合、混合水中の二酸化炭素の濃度が高くなり、混合水の酸性が強くなって切削ブレードの基台部分（金属）を腐食させたり、切削ブレードが溶けて摩耗量が多くなったりするという問題がある。
本発明の目的は、切削ブレードの腐食することや摩耗することを防ぐとともに、デバイスの静電破壊の発生を防止することができるウエーハの加工方法を提供することである。
本発明は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、切削装置に備えるチャックテーブルにダイシングテープを介してウエーハを保持する保持ステップと、切削ブレードでウエーハを該分割予定ラインに沿って切削する分割ステップと、を備え、該分割ステップでは、ウエーハの表面には純水に二酸化炭素を混合させた洗浄水を供給し、切削ブレードには該純水または該洗浄水よりも低い濃度で二酸化炭素を混合させた純水からなる切削水を供給することを特徴とする。
上記切削ブレードは、ブレードカバーによって覆われ、該ブレードカバーは、底部に該切削ブレードの先端を突出させるスリット状の開口部と、上記切削水を該切削ブレードに供給する切削水噴出口と、該切削水を排出する排出手段と、を少なくとも備えることが望ましい。
上記洗浄水は、上記チャックテーブルの移動経路に交差する方向に配設されるノズルによってウエーハの表面に供給されることが望ましい。
本発明に係るウエーハの加工方法は、切削装置に備えるチャックテーブルにダイシングテープを介してウエーハを保持する保持ステップと、切削ブレードでウエーハを該分割予定ラインに沿って切削する分割ステップとを備え、分割ステップでは、ウエーハの表面には純水に二酸化炭素を混合させた洗浄水を供給し、切削ブレードには該純水または該洗浄水よりも低い濃度の二酸化炭素を混合させた純水からなる切削水を供給するように構成したため、ウエーハの表面に供給された洗浄水により切削水がウエーハの表面に接触するのを遮るとともに切削ブレードに供給された切削水により洗浄水が切削ブレードに接触するのを遮って、ウエーハの切削中は常に洗浄水と混合水とが互いに遮断し合う状態となる。これにより、洗浄水が切削ブレードに接触して切削ブレードが腐食したり過度に摩耗したりするのを防止することができるとともに、切削水がウエーハの表面に接触してデバイスの静電破壊を起こすことを防止することができる。
上記切削ブレードは、ブレードカバーによって覆われ、ブレードカバーは、底部に切削ブレードの先端を突出させるスリット状の開口部と、上記切削水を切削ブレードに供給する切削水噴出口と、切削水を排出する排出手段と、を少なくとも備えているため、上記分割ステップを実施する際に、切削ブレードに向けて供給された切削水がブレードカバーの外側へ排出され切削水がウエーハの表面に接触するのを極力防ぐことができる。また、切削ブレードは、開口部のみから先端を突出させて切削ブレードを挟み込むようにブレードカバーで覆われていることから、切削ブレードの露出部分が小さくなり、ウエーハに供給された洗浄水が切削ブレードに接触するのを極力防ぐことができる。
上記洗浄水は、上記分割ステップを実施する際に、上記チャックテーブルの移動経路に交差する方向に配設されるノズルによってウエーハの表面に供給されるため、コンタミなどの切削屑が混入した切削水をウエーハの全面から効率よく除去することができる。
切削装置の一例の構成を示す斜視図である。 洗浄水供給手段の構成を示す斜視図である。 切削手段の構成を示す斜視図である。 ブレードカバーの構成を示す斜視図である。 ブレードカバーの構成を示す底面図である。 ブレードカバーの構成を示す図５のＡ−Ａ線断面図である。 ブレードカバーの構成を示す図５のＢ−Ｂ線断面図である。 ブレードカバーの構成を示す図５のＣ−Ｃ線断面図である。 混合水生成装置の構成の一例を示す説明図である。 ウエーハの切削加工の状態を示す断面図である。
１ 切削装置
図１に示す切削装置１は、被加工物であるウエーハＷに切削を施す切削装置の一例である。切削装置１は、装置ベース２を有しており、装置ベース２の前部には、複数の被加工物であるウエーハＷを収容するカセット３が配設されている。装置ベース２の上面２ａには、カセット３から切削前のウエーハＷを搬出するとともにカセット３に切削後のウエーハＷを搬入する搬入出手段４と、ウエーハＷが仮置きされる仮置き領域５と、ウエーハＷを保持するチャックテーブル７とが配設されている。カセット３の近傍には、仮置き領域５とチャックテーブル７との間でウエーハＷを搬送する第１の搬送手段６ａが配設されている。
チャックテーブル７の上面は、ウエーハＷを吸引保持する保持面７ａとなっている。チャックテーブル７には、図示しない吸引源に接続され保持面７ａでウエーハＷを吸引保持することができる。また、チャックテーブル７には、環状のフレームＦを保持する複数（図示の例では４つ）のクランプ部７ｂが配設されている。チャックテーブル７の周囲は、移動基台８によってカバーされており、チャックテーブル７は、移動基台８とともに装置ベース２の内部に配設された切削送り手段９によって駆動されて切削送り方向（Ｘ軸方向）に移動することができる。図１に示すチャックテーブル７が位置している領域は、チャックテーブル７に対するウエーハＷの搬入または搬出が行われる搬入出領域Ｐ１となっている。
切削装置１は、チャックテーブル７の移動経路の方向である切削送り方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に配設されウエーハＷに洗浄水を供給する洗浄水供給手段１０と、チャックテーブル７の保持面７ａに保持されたウエーハＷに切削加工を行う切削手段２０とが配設されている。図１に示す切削手段２０が配設された領域は、ウエーハＷに対して切削を行う切削領域Ｐ２となっている。
装置ベース２の中央には、搬入出領域Ｐ１に位置づけられたチャックテーブル７から切削後のウエーハＷの洗浄を行う洗浄領域Ｐ３に切削後のウエーハＷを搬送する第２の搬送手段６ｂが配設されている。
洗浄水供給手段１０は、装置ベース２から立設された一対の支持片１１と、支持片１１によって回転可能に支持されたノズル１２とを備えている。ノズル１２は、チャックテーブル７の移動方向と交差する交差方向（Ｙ軸方向）を長手方向としており、図２に示すように、その一端部にはツマミ１３が形成され、他端部には固定接続部１４が連結されている。
各支持片１１にはＹ軸方向に貫通する貫通孔１６が形成されており、一方の支持片１１の貫通孔１６にはノズル１２の一端側が回転可能に挿通され、他方の支持片１１の貫通孔１６には固定接続部１４が固定されて挿通されている。ノズル１２は、固定接続部１４に対して回転可能に連結されており、ツマミ１３を回すことにより、Ｙ軸方向の回転軸を中心としてノズル１２を回転させることができる。
ノズル１２には、例えば混合水生成装置５０において純水に二酸化炭素を混合させた洗浄水をチャックテーブル７に保持されたウエーハＷに向けて噴出させる複数の洗浄水噴出口１７が形成されている。複数の洗浄水噴出口１７は、ノズル１２の長手方向に沿って整列している。洗浄水噴出口１７は、固定接続部１４に形成された流体供給孔１５を介して混合水生成装置５０に接続されている。ツマミ１３を回してノズル１２を回転させることにより、洗浄水噴出口１７を所望の方向に向かせることができる。なお、洗浄水噴出口１７が形成される位置や数は、本実施形態に示す構成に限られない。したがって、切削対象となるウエーハＷのサイズ（直径）に応じて、ノズル１２の周面において複数形成されていればよい。
図３に示すように、切削手段２０は、ウエーハＷを切削する切削ブレード２１と、切削ブレード２１を回転可能に支持するスピンドルユニット２２とを少なくとも備えている。スピンドルユニット２２は、切削ブレード２１が装着され回転可能なスピンドル２２０と、スピンドル２２０を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング２２１とを少なくとも有しており、図示しないモータによってスピンドル２２０を回転させることにより、切削ブレード２１を所定の回転速度で回転させることができる。切削ブレード２１の構成は特に限定されないが、例えば砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードによって構成される。
切削ブレード２１は、中央に開口部を有するハブ基台ボス部２１０とこれに連接したハブ基台テーパー部２１１の外周部２１２に切り刃２１３が装着されて構成されている。この切削ブレード２１は、マウント固定ナット２１４によってスピンドル２２０と一体化した状態で固定される。
切削ブレード２１は、図４に示すブレードカバー３０によって回転可能に覆われている。ブレードカバー３０は、切削ブレード２１を覆う箱状のカバー本体３００を有している。図４の例におけるカバー本体３００は、スピンドルハウジング２２１に取り付けられる後部側カバー３００ａと、後部側カバー３００ａに対面して取り付けられる前部側カバー３００ｂとから構成されている。ブレードカバー３０には、切削ブレード２１に対して切削水を供給する切削水供給手段４０が配設され、切削水供給手段４０は混合水生成装置５０に接続されている。
ブレードカバー３０の具体的な構成について説明する。図５に示すように、カバー本体３００の底部３０１には、図３で示した切削ブレード２１の切り刃２１３の厚さ方向に所定の幅Ｌを有し、切削ブレード２１の先端を突出させるスリット状の開口部３１が形成されている。カバー本体３００の内部に切削ブレード２１を収容すると、開口部３１から切り刃２１３の刃先２１３ａが僅かに突出するようになっている。開口部３１の幅Ｌは、切り刃２１３の先端形状よりも僅かに大きい幅を有してればよく、例えば１ｍｍ以下の幅となっている。
カバー本体３００の底部３０１には、開口部３１に連通してエアー取り込み路３２が形成されている。エアー取り込み路３２は、切削ブレード２１の回転方向と逆方向側（上流側）にブレードカバー３０の外側にむけて伸張しており、図４で示したカバー本体３００の底部３０１の一端に至るまで形成されている。すなわち、エアー取り込み路３２は、底部３０１の一端において開口している。
図６に示すように、カバー本体３００の内部には、一端が開口部３１に連通するとともに他端が排出口３５を介して吸引源３７に連通する排出路３４が形成されている。排出路３４は、カバー本体３００の底部３０１に対して傾斜を設けて図３で示した切削ブレード２１の回転方向における先頭側に形成されている。排出路３４の吸引源３７側の先端にはパイプからなる排出手段３６が挿入されており、その排出手段３６の露出部分がカバー本体３００の外側に突出している。排出路３４に排出手段３６が挿入されていることにより、図４に示した後部側カバー３００ａと前部側カバー３００ｂとの合わせ面からエアーが漏れて吸引圧力が低下するのを防止している。
開口部３１の一端で、かつ排出路３４の延長線上には吸引開口部３３が形成されている。吸引開口部３３は、図５に示す開口部３１の幅Ｌよりも広い幅を有している。図５の例における吸引開口部３３は楕円形に形成されているが、この形状には限定されない。このように、開口部３１の一端に幅広の吸引開口部３３を形成することにより、切削時に使用される切削水を排出路３４に効率よく取り込むことができる。
図７に示すように、切削手段２０を構成するスピンドル２２０の先端にはマウントフランジ２１５が連結されている。切削ブレード２１は、マウントフランジ２１５に装着されるとともに、マウントフランジ２１５とマウントフランジ２１５の先端に螺着したマウント固定ナット２１４とによって挟持されている。一方、カバー本体３００の中央には、スピンドル２２０をカバー本体３００の内部に挿入させるスピンドル用挿入孔３８が形成されている。また、カバー本体３００には、スピンドル用挿入孔３８に連通してマウントフランジ収容部３９が形成されている。マウントフランジ収容部３９は、スピンドル２２０の先端に連結されたマウントフランジ２１５と、マウント固定ナット２１４によってマウントフランジ２１５に固定された切削ブレード２１とを収容できるスペースを有している。このようにブレードカバー３０は、カバー本体３００の内部において、ウエーハＷに接触する切削ブレード２１の切り刃２１３の一部分だけを開口部３１から突出させ、突出部分以外の切削ブレード２１を覆うようにして収容できる構成となっている。
図８に示すように、切削水供給手段４０は、カバー本体３００の側部に取り付けられた供給部４１と、カバー本体３００の底部３０１に形成された複数の切削水噴出口４２と、一端が切削水噴出口４２に接続されるとともに他端が供給部４１を介して混合水生成装置５０に接続された切削水供給路４３とを備えている。
複数の切削水噴出口４２は、図５に示す開口部３１の伸張方向と平行に一直線上に整列し、当該一直線上に複数の切削水噴出口４２が整列した部分が切削水供給領域４５ａ、４５ｂとして構成されている。この切削水供給領域４５ａ、４５ｂは、カバー本体３００の底部３０１において開口部３１を挟んで少なくとも２つ形成されている。なお、切削水噴出口４２の個数や形状は特に限定されるものではない。また、切削水供給領域４５ａ，４５ｂは、２組以上配設されていてもよい。
切削水供給路４３には、カバー本体３００の内部を紙面垂直方向にのびるとともに、図５に示すカバー本体３００の底部３０１に形成された２つの切削水供給領域４５ａ、４５ｂのそれぞれに向けて切削水を供給するための接続供給路４４が接続されている。図４で示されているように、供給部４１を後部側カバー３００ａに配設して、混合水生成装置５０からブレードカバー３０への外配管を１箇所とすることで、例えば切削ブレード２１を交換するにあたって前部側カバー３００ｂを取り外す際に前部側カバー３００ｂには外配管がないため、切削ブレード２１の交換の作業性が良好となる。
次に、混合水生成装置５０の具体的な構成について説明する。図９に示すように、混合水生成装置５０は、純水が蓄えられた純水供給源５１と、純水供給源５１から２本に分岐した第一の供給経路５２と第二の供給経路５３とを備えている。第一の供給経路５２には、純水供給源５１から送出される純水と二酸化炭素（炭酸ガス）とを混合させる第一の混合手段５４が配設されており、純水供給源５１と第一の混合手段５４との間には、所望の濃度に混合した洗浄水の逆流を防止するためのキャッチ弁５５が介在している。
第一の混合手段５４において混合する二酸化炭素は、タンク５６に蓄えられており、タンク５６は、ストップ弁５７、ガス流量調整弁５８、キャッチ弁５９を介して第一の混合手段５４に接続されている。ガス流量調整弁５８により二酸化炭素の流量を調整しながら二酸化炭素を第一の混合手段５４に供給することで、第一の混合手段５４において所望の濃度の二酸化炭素が純水に混合された混合水を生成することができる。
第一の混合手段５４は、フィルタ６０、第一の濃度測定手段６１、貯水タンク６２、第一の流量調整弁６３を介して洗浄水噴出口１７に接続されている。第一の混合手段５４において混合された混合水は、フィルタ６０によってゴミ等が取り除かれてから第一の濃度測定手段６１によって二酸化炭素の濃度が測定される。測定された混合水が所望の濃度に達していると確認されたら、貯水タンク６２に貯水される。そして、第一の流量調整弁６３は、混合水を所望の流量に調整して、洗浄水として洗浄水噴出口１７へ送出することができる。
第二の供給経路５３には、純水供給源５１から送出される純水と貯水タンク６２に貯水された混合水とを混同させる第二の混合手段６４が配設されている。純水供給源５１と第二の混合手段６４との間には、純水の逆流を防止するためのキャッチ弁６５、純水の流量を調整する第二の流量調整弁６６が介在している。また、貯水タンク６２と第二の混合手段６４との間には、混合水の流量を調整する第三の流量調整弁６７が介在している。
第二の混合手段６４は、第二の濃度測定手段６８、第四の流量調整弁６９を介して切削水噴出口４２に接続されている。第二の混合手段６４では、第二の供給経路５３を通じて第二の混合手段６４に送出される純水と、貯水タンク６２から第二の混合手段６４に送出される混合水とを混合させることにより、純水または上記洗浄水よりも二酸化炭素の濃度が低い混合水を生成することができる。第二の混合手段６４おいて混合された混合水は、第二の濃度測定手段６８によって二酸化炭素の濃度が測定され、所望の濃度に達していたら、第四の流量調整弁６９は混合水を所望の流量に調整して、切削水として切削水噴出口４２へ送出することができる。
２ ウエーハの加工方法
次に、切削装置１を用いて、図１に示すウエーハＷを切削して個々のデバイスＤに分割するウエーハの加工方法について説明する。ウエーハＷは、円形板状の被加工物の一例であって、例えばシリコンウエーハである。ウエーハＷの表面Ｗａには、格子状に形成された複数の分割予定ラインＳによって区画された複数の領域にデバイスＤが形成されている。ウエーハＷの表面Ｗａと反対側にある裏面Ｗｂは、例えばダイシングテープＴに貼着される。そして、ウエーハＷは、ダイシングテープＴを介して環状のフレームＦと一体となっており、この状態でカセット３に複数収容されている。
（１）保持ステップ
まず、搬入出手段４は、ダイシングテープＴを介してフレームＦと一体となったウエーハＷをカセット３から引き出して仮置き領域５に仮置きする。次いで、第１の搬送手段６ａが、仮置き領域５に仮置きされたウエーハＷを搬出し、ダイシングテープＴ側から搬入出領域Ｐ１で待機するチャックテーブル７の保持面７ａに載置する。そして、図示しない吸引源の吸引力の作用を受けた保持面７ａにおいてウエーハＷを吸引保持するとともに、クランプ部７ｂによってフレームＦを固定する。
（２）分割ステップ
次に、切削送り手段９によってチャックテーブル７を切削領域Ｐ２に向けて移動させる。ブレードカバー３０が装着された切削手段２０の下方にチャックテーブル７が移動してきたら、図３で示したスピンドル２２０が回転し、切削ブレード２１を所定の回転速度で回転させるとともに、切削手段２０をＺ軸方向に下降させ、切削ブレード２１の切り刃２１３によってウエーハＷの表面Ｗａに対して切削を行う。
図１０は、切削ブレード２１によってウエーハＷを切削加工している状態を示している。分割ステップでは、図９で示した混合水生成装置５０で所望の混合水（洗浄水及び切削水）を生成しておき、洗浄水供給手段１０によってウエーハＷの表面Ｗａには純水に二酸化炭素を混合させた洗浄水７０を供給し、図８で示した切削水供給手段４０によって切削ブレード２１には純水または洗浄水７０よりも低い濃度の二酸化炭素を混合させた純水からなる切削水７１を供給する。
混合水生成装置５０において、所望の混合水を生成する流れについて説明する。本実施形態では、純水供給源５１に蓄えられている純水の抵抗率としては、例えば１〜１８ＭΩ・ｃｍとなっているものとする。第一の混合手段５４では、純水供給源５１から第一の混合手段５４に送出された純水と、タンク５６からガス流量調整弁５８によって所望の流量に調整され第一の混合手段５４に送出された二酸化炭素とを混合させることにより、所望の混合水を生成する。ここで、混合水の抵抗率を小さくするほど導電性が高くなるとともに二酸化炭素の濃度が高くなる。つまり、二酸化炭素が混合された洗浄水７０によってウエーハＷに静電気を生じさせないためには、洗浄水７０の抵抗率を純水よりも小さくすることが好ましく、例えば０．１ＭΩ・ｃｍに設定される。第一の混合手段５４によって生成された混同水は、フィルタ６０を通過する際に不純物が取り除かれた後、第一の濃度測定手段６１によって二酸化炭素の濃度が測定され所望の値に達していたら、混合水は貯水タンク６２に貯水されて洗浄水７０として利用することが可能となる。
一方、第二の混合手段６４では、純水供給源５１から第二の混合手段６４に送出された純水と、貯水タンク６２から第二の混合手段６４に送出された混合水とを所定の割合で混合することにより、洗浄水７０よりも二酸化炭素の濃度が低い混合水を生成する。ここで、混合水の抵抗率を大きくするほど導電性が低くなるとともに二酸化炭素の濃度が低くなる。つまり、二酸化炭素が混合された切削水７１の酸性が増すのを抑えるためには、切削水７１の抵抗率を少なくとも洗浄水７０よりも大きくすることが好ましく、例えば０．６ＭΩ・ｃｍに設定される。第二の混合手段６４によって混合された混合水は、第二の濃度測定手段６８によって二酸化炭素の濃度が測定され所望の値に達していたら、切削水７１として利用することが可能となる。また、純水供給源５１から送出される純水を切削水７１として用いてもよい。
上記した第一の濃度測定手段６１及び第二の濃度測定手段６８の構成は特に限定されないが、例えば比抵抗値測定器を用いて、所望の抵抗率に基づき、切削中に使用される洗浄水７０や切削水７１の二酸化炭素の濃度を管理することが好ましい。もっとも、加工対象となるウエーハＷの材質や使用される切削ブレード２１の材質に応じて、洗浄水７０や切削水７１の抵抗率を適宜変更して、最適な濃度の二酸化炭素を混合させた混合水を生成するとよい。
図８で示した切削水供給手段４０は、回転する切削ブレード２１に向けて切削水７１を直接供給しないが、図５で示した複数の切削水噴出口４２から構成される一対の切削水供給領域４５ａ、４５ｂにおいて切削水７１をウエーハＷの表面Ｗａに供給するとともに、図１０に示す吸引源３７の吸引力が排出路３４及び吸引開口部３３で作用することにより、切削水７１が開口部３１及び吸引開口部３３に向けて流れるため、切削ブレード２１とウエーハＷとが接触する部分（加工点）に切削水７１を集め、その部分を冷却することができる。そして、吸引源３７の吸引力によって、吸引開口部３３に集まった切削水７１を排出路３４に吸引し、排出口３５からブレードカバー３０の外側に排出することができる。
切削手段２０に対してウエーハＷをＸ軸方向に相対移動させながら切り刃２１３によってウエーハＷの表面Ｗａを切削する際、ウエーハＷの表面Ｗａに供給され溜まった切削水７１は、ブレードカバー３０の内部で回転する切り刃２１３の回転に伴って連れ回り、その回転方向に流れやすくなる。そのため、切削時に発生する切削屑４６を含んだ切削水７１は、開口部３１及び吸引開口部３３を介して排出路３４に取り込まれやすい。このとき、エアー取り込み路３２からブレードカバー３０の内部において回転する切り刃２１３に向けてエアーが取り込まれるため、吸引源３７の吸引力が排出路３４で安定して作用し、切削水７１を排出路３４に確実に吸引することができる。
さらに、ウエーハＷの表面Ｗａに供給される切削水７１の流量が多くなっても、吸引開口部３３で効率よく吸引することができる。また、切削屑４６が図５に示す開口部３１の幅Ｌよりも大きい場合であっても、吸引開口部３３を通過できる大きさであれば、開口部３１にコンタミなどの切削屑４６が挟まってしまうことを防止できる。このようにして、切削中に発生する切削屑４６は切削水７１とともに排出口３５を通じてブレードカバー３０の外部へ排出される。洗浄水７０は、図１に示したチャックテーブル７の移動経路に交差する方向（Ｙ軸方向）に配設されたノズル１２からウエーハＷの表面Ｗａに供給されるため、切削屑４６が混入した切削水７１をウエーハＷの表面Ｗａ全面から効率よく除去することができる。
ウエーハＷの切削中は、図１０に示すように、ノズル１２の洗浄水噴出口１７から洗浄水７０をウエーハＷの表面Ｗａに供給し続けるとともに、切削水噴出口４２から切削水７１を上記加工点に供給し続けることが望ましい。洗浄水噴出口１７から噴出された洗浄水７０は、ウエーハＷの表面Ｗａにおいて流動し、切削水７１がウエーハＷの表面Ｗａに接触するのを遮ることができる。一方、切削水噴出口４２から噴出された切削水７１は、開口部３１から突出した切り刃２１３の周囲を覆いつつ上記加工点に流れていくため、たとえ洗浄水７０がブレードカバー３０の内側に浸入してきても、切削水７１によって洗浄水７０が切削ブレード２１に接触するのを遮ることができる。その結果、ウエーハＷの表面Ｗａにおいて静電気が発生するのを防止しつつ、切削ブレード２１が溶けるのを防止して切削ブレード２１の状態を良好に保つことができる。
このようにして、切削ブレード２１によって図１に示すウエーハＷを分割予定ラインＳに沿って切削することにより、ウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する。その後、第２の搬送手段６ｂによって切削後のウエーハＷが洗浄領域Ｐ３に搬送されて洗浄された後、第１の搬送手段６ａによって仮置き領域５にウエーハＷが仮置きされ、洗浄後のウエーハＷは搬入出手段４によってカセット３に収容される。
以上のとおり、本発明に係るウエーハの加工方法では、分割ステップを実施するときに、ウエーハＷの表面Ｗａには純水に二酸化炭素を混合させた洗浄水７０を供給し、切削ブレード２１には純水または洗浄水７０よりも低い濃度の二酸化炭素を混合させた純水からなる切削水７１を供給するため、ウエーハＷの表面Ｗａを流動する洗浄水７０によって切削水７１が表面Ｗａに接触するのを遮るとともに切削水７１によって切削ブレード２１に洗浄水７０が接触するのを遮って、ウエーハＷの切削中は常に洗浄水７０と切削水７１とが互いに遮断し合う状態となる。これにより、洗浄水７０により切削ブレード２１が腐食したり過度に摩耗したりするのを防ぐことができるとともに、切削水７１がウエーハＷの表面Ｗａに接触してデバイスＤの静電破壊を起こすことを防ぐことができる。
また、本発明に係る切削ブレード２１は、排出機能を有するブレードカバー３０によって全体が覆われているため、上記分割ステップを実施する際に、切削ブレード２１とウエーハＷとの接触する部分に供給された切削水７１がブレードカバー３０の外側へ排出され切削水７１がウエーハＷの表面Ｗａに接触するのを極力防ぐことができる。また、切削ブレード２１は、開口部３１のみから先端を突出させて切削ブレード２１を挟み込むようにブレードカバー３０で覆われていることから、切削ブレード２１の露出部分が小さくなり、ウエーハＷに供給された洗浄水７０が切削ブレード２１に接触するのを極力防ぐことができる。
１：切削装置 ２：装置ベース ２ａ：上面 ３：カセット ４：搬入出手段
５：仮置き領域 ６ａ：第１の搬送手段 ６ｂ：第２の搬送手段
７：チャックテーブル ７ａ：保持面 ７ｂ：クランプ部 ８：移動基台
９：切削送り手段 １０：洗浄水供給手段 １１：支持片 １２：ノズル １３：ツマミ
１４：固定接続部 １５：流体供給孔 １６：貫通孔 １７：洗浄水噴出口
２０：切削手段 ２１：切削ブレード ２１０：ハブ基台ボス部
２１１：ハブ基台テーパー部 ２１２：外周部 ２１３：切り刃
２１３ａ：刃先 ２１４：マウント固定ナット ２１５：マウントフランジ
２２：スピンドルユニット ２２０：スピンドル ２２１：スピンドルハウジング
３０：ブレードカバー ３００：カバー本体 ３００ａ：後部側カバー
３００ｂ：前部側カバー ３０１：底部 ３１：開口部
３２：エアー取り込み路 ３３：吸引開口部 ３４：排出路 ３５：排出口
３６：排出手段 ３７：吸引源 ３８：スピンドル用挿入孔
３９：マウントフランジ収容部
４０：切削水供給手段 ４１：供給部 ４２：切削水供給口 ４３：切削水供給路
４４：接続供給路 ４５ａ，４５ｂ：切削水供給領域 ４６：切削屑
５０：混合水生成装置 ５１：純水供給源 ５２：第一の供給経路
５３：第二の供給経路 ５４：第一の混合手段 ５５：キャッチ弁 ５６：タンク
５７：ストップ弁 ５８：ガス流量調整弁 ５９：キャッチ弁
６０：フィルタ ６１：第１の濃度測定手段 ６２：貯水タンク
６３：第一の流量調整弁 ６４：第二の混合手段 ６５：キャッチ弁
６６：第二の流量調整弁 ６７：第三の水流量調整弁 ６８：第二の濃度測定手段
６９：第四の流量調整弁 ７０：洗浄水 ７１：切削水

Claims (3)

  1. 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
    切削装置に備えるチャックテーブルにダイシングテープを介してウエーハを保持する保持ステップと、
    切削ブレードでウエーハを該分割予定ラインに沿って切削する分割ステップと、を備え、
    該分割ステップでは、ウエーハの表面には純水に二酸化炭素を混合させた洗浄水を供給し、切削ブレードには該純水または該洗浄水よりも低い濃度の二酸化炭素を混合させた純水からなる切削水を供給することを特徴とするウエーハの加工方法。
  2. 前記切削ブレードは、ブレードカバーによって覆われ、
    該ブレードカバーは、底部に該切削ブレードの先端を突出させるスリット状の開口部と、
    前記切削水を該切削ブレードに供給する切削水噴出口と、
    該切削水を排出する排出手段と、を少なくとも備えることを特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
  3. 前記洗浄水は、前記チャックテーブルの移動経路に交差する方向に配設されるノズルによってウエーハの表面に供給されることを特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
JP2017024829A 2017-02-14 2017-02-14 ウエーハの加工方法 Active JP6837859B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017024829A JP6837859B2 (ja) 2017-02-14 2017-02-14 ウエーハの加工方法
US15/892,493 US10562207B2 (en) 2017-02-14 2018-02-09 Wafer processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017024829A JP6837859B2 (ja) 2017-02-14 2017-02-14 ウエーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018133387A true JP2018133387A (ja) 2018-08-23
JP6837859B2 JP6837859B2 (ja) 2021-03-03

Family

ID=63106665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017024829A Active JP6837859B2 (ja) 2017-02-14 2017-02-14 ウエーハの加工方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10562207B2 (ja)
JP (1) JP6837859B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7428519B2 (ja) 2020-01-10 2024-02-06 株式会社ディスコ 切削装置、及び、切削方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110867501B (zh) * 2018-08-28 2020-11-27 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基发光二极管芯片的切割方法
US11081334B2 (en) * 2019-08-07 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Particle prevention in wafer edge trimming
CN112077746A (zh) * 2020-09-28 2020-12-15 德清之家纺织有限公司 一种工艺品打磨装置用粉尘吸收结构

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62123738A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Hitachi Ltd ダイシング装置
JPH02215505A (ja) * 1989-02-16 1990-08-28 Mitsubishi Electric Corp ダイシング装置
JPH11300184A (ja) * 1998-04-21 1999-11-02 Disco Abrasive Syst Ltd 混合水生成装置
JP2001030170A (ja) * 1999-07-16 2001-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工水生成装置及び切削装置
JP2006187834A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2007242726A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2014210303A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 株式会社ディスコ 切削装置
JP2015082646A (ja) * 2013-10-24 2015-04-27 株式会社ディスコ 切削装置
JP2015139860A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 株式会社ディスコ 切削方法
JP2016159376A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 株式会社ディスコ 切削装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4210462B2 (ja) * 2002-03-29 2009-01-21 株式会社ディスコ 切削装置
US6582983B1 (en) * 2002-07-12 2003-06-24 Keteca Singapore Singapore Method and wafer for maintaining ultra clean bonding pads on a wafer
JP2004214588A (ja) * 2002-11-15 2004-07-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4860113B2 (ja) * 2003-12-26 2012-01-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
KR101413380B1 (ko) * 2007-08-28 2014-06-30 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 반도체 다이의 제조방법, 상기 방법으로 제조된 반도체다이를 포함하는 반도체 소자
JP5935323B2 (ja) * 2010-07-09 2016-06-15 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、感光性接着剤フィルムおよびこれらを用いた半導体装置
JP2013161998A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
US9842798B2 (en) * 2012-03-23 2017-12-12 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming a PoP device with embedded vertical interconnect units
JP5887633B1 (ja) * 2014-10-02 2016-03-16 富士ゼロックス株式会社 半導体片の製造方法
US9627259B2 (en) * 2014-11-14 2017-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Device manufacturing method and device
SG11201903703WA (en) * 2016-10-27 2019-05-30 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Method for manufacturing electronic apparatus, adhesive film for manufacturing electronic apparatus, and electronic component testing apparatus

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62123738A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Hitachi Ltd ダイシング装置
JPH02215505A (ja) * 1989-02-16 1990-08-28 Mitsubishi Electric Corp ダイシング装置
JPH11300184A (ja) * 1998-04-21 1999-11-02 Disco Abrasive Syst Ltd 混合水生成装置
JP2001030170A (ja) * 1999-07-16 2001-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工水生成装置及び切削装置
JP2006187834A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2007242726A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2014210303A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 株式会社ディスコ 切削装置
JP2015082646A (ja) * 2013-10-24 2015-04-27 株式会社ディスコ 切削装置
JP2015139860A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 株式会社ディスコ 切削方法
JP2016159376A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 株式会社ディスコ 切削装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7428519B2 (ja) 2020-01-10 2024-02-06 株式会社ディスコ 切削装置、及び、切削方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6837859B2 (ja) 2021-03-03
US10562207B2 (en) 2020-02-18
US20180229396A1 (en) 2018-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018133387A (ja) ウエーハの加工方法
JP6255238B2 (ja) 切削装置
JP2016122854A (ja) ダイシング装置
JP2007216377A (ja) ダイシング装置及びダイシング方法
JP2009158768A (ja) 研削装置
JP5415184B2 (ja) 切削装置
WO2008004365A1 (fr) Appareil et procédé de découpage en dés
CN110576522B (zh) 切削装置
JP2003203884A (ja) ダイシングマシンの洗浄装置及び洗浄方法
JP2019055446A (ja) 切削ブレードの装着機構
JP6847525B2 (ja) 切削装置
CN112847082A (zh) 保持面清洗装置
JP6267977B2 (ja) 切削方法
JP7068098B2 (ja) 研削装置
JP4880244B2 (ja) 切削装置
JP6305750B2 (ja) 静電気除去装置を備えた加工機
JP2000015622A (ja) 外周刃切断加工法および加工装置
JP2003133259A (ja) ダイシング装置
KR102353199B1 (ko) 절삭 장치
JP7096733B2 (ja) 切削装置
JP7161415B2 (ja) 加工装置
TW201841713A (zh) 切削刀、安裝凸緣
JP6887722B2 (ja) ウェーハの加工方法及び切削装置
JP2004136397A (ja) ウォータージェット加工装置
JP2023071329A (ja) 切削装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201030

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210119

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210210

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6837859

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250