JP2018117097A - 光検出器、および検出装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、光検出器10について説明する。
光検出器10Aは、第1光電変換素子20Aと、吸収層26と、第2光電変換素子20Bと、基板28と、を備える。
なお、光検出器10の構成は、図2に示す光検出器10Aに限定されない。例えば、第2光電変換素子20Bが、基板28の機能を兼ね備えた構成であってもよい。
なお、吸収層26は、第1光電変換素子20Aにおける、第2光電変換素子20Bの反対側に、更に配置されていてもよい。
なお、吸収層26は、第1光電変換素子20Aにおける第2光電変換素子20Bの反対側、および、第2光電変換素子20Bにおける第1光電変換素子20Aの反対側、の少なくとも一方に更に配置されていてもよい。また、光検出器10は、3つ以上の光電変換素子20を備えた構成であってもよい。
なお、光検出器10は、更に、シンチレータを備えた構成であってもよい。
なお、光検出器10における吸収層26を、複数の領域Eから構成してもよい。
なお、複数の領域E間における、吸収層26の構成は同じであってもよいし、異なっていてもよい。具体的には、光検出器10の吸収層26は、受光面Sに沿って、厚み、構成材料、および密度の少なくとも1つの異なる複数の領域Eから構成されていてもよい。
なお、光検出器10は、可撓性および屈曲性を有するように構成することが好ましい。光検出器10に吸収層26を用いることで、積層する光電変換層22の数および光電変換層22の厚みの少なくとも一方を、より少なく(より薄く)した構成で、可撓性および屈曲性を有する光検出器10を実現することができる。
図1に戻り、説明を続ける。次に、信号処理部12について説明する。
次に、上記実施の形態の検出装置1000のハードウェア構成について説明する。図17は、上記実施の形態の検出装置1000のハードウェア構成例を示すブロック図である。
12 信号処理部
12A 算出部
12B 特定部
14 記憶部
14A 第1換算テーブル
20 光電変換素子
20A 第1光電変換素子
20B 第2光電変換素子
22A 第1光電変換層
22B 第2光電変換層
24、24A1、24A2、24B1、24B2、24C1、24C2 電極
26、26A、26B 吸収層
1000 検出装置
Claims (9)
- 放射線のエネルギーを電荷に変換する第1光電変換層を含む第1光電変換素子と、
放射線のエネルギーを電荷に変換する第2光電変換層を含む第2光電変換素子と、
前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子との間に配置され、閾値以下のエネルギーの放射線を吸収する吸収層と、
を備える光検出器。 - 前記吸収層は、有機材料を含む、請求項1に記載の光検出器。
- 前記吸収層の厚みは、7μm以上30mm以下である、請求項1または請求項2に記載の光検出器。
- 前記吸収層の吸収するエネルギーの前記閾値は、
前記吸収層より放射線の入射方向の上流側に配置された前記第1光電変換素子が光電変換可能な、放射線のエネルギーの最大値より大きく、且つ、前記吸収層より放射線の入射方向の下流側に配置された前記第2光電変換素子が光電変換可能な、放射線のエネルギーの最大値より小さい値である、
請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の光検出器。 - 前記吸収層は、
前記放射線の受光面に沿って、厚み、構成材料、および密度、の少なくとも1つの異なる複数領域からなる、
請求項1〜請求項4の何れか1項に記載の光検出器。 - 前記第1光電変換素子は、前記第1光電変換層に接する電極を有し、
前記第2光電変換素子は、前記第2光電変換層に接する電極を有する、
請求項1〜請求項5の何れか1項に記載の光検出器。 - 前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子の少なくとも一方は、放射線をシンチレーション光へ変換するシンチレータを更に備える、
請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の光検出器。 - 前記放射線は、β線である、請求項1〜請求項7の何れか1項に記載の光検出器。
- 請求項1〜請求項8の何れか1項に記載の光検出器と、
前記第1光電変換素子で変換された電荷による第1出力信号と、前記第2光電変換素子で変換された電荷による第2出力信号と、の信号比を、入射した放射線の評価値として算出する算出部と、
前記評価値と、放射線の入射エネルギーと、を対応づけた換算テーブルにおける、算出された前記評価値に対応する入射エネルギーを、放射線の検出エネルギーとして特定する特定部と、
を備える、検出装置。
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