JP7359745B2 - 放射線検出器及び放射線検出方法 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 296
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 203
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 43
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 25
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/023—Scintillation dose-rate meters
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/026—Semiconductor dose-rate meters
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
- H10K30/211—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions comprising multiple junctions, e.g. double heterojunctions
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図1に示すように、実施形態に係る放射線検出器110は、第1検出部10E及び第2検出部20Eを含む。第1検出部10Eは、第1有機検出層13及び第1層10Lを含む。第2検出部20Eは、第2有機検出層23を含む。第2検出部20Eは、第1層10Lを含まない。この例では、第2検出部20Eは、第2層20Lをさらに含む。後述するように、第2検出部20Eは、第2層20Lを含まなくても良い。
図2に示すように、実施形態に係る放射線検出器111においては、第2検出部20Eは、第2層20Lを含まない。これを除く放射線検出器111の構成は、放射線検出器110の構成と同様で良い。
図3に示すように、実施形態に係る放射線検出器120においては、第1検出部10Eは、第1シンチレータ層10Sを含み、第2検出部20Eは、第2シンチレータ層20Sを含む。これを除く放射線検出器120の構成は、放射線検出器110の構成と同様で良い。
図4に示すように、実施形態に係る放射線検出器121においては、第2検出部20Eは、第2層20Lを含まない。これを除く放射線検出器121の構成は、放射線検出器120の構成と同様で良い。
図5は、第1実施形態に係る放射線検出器の特性を例示するグラフ図である。
図5は、第1検出部10E及び第2検出部20Eに放射線81が入射したときに得られる第1信号S1及び第2信号S2を例示している。図5の横軸は、放射線81を発生する放射線発生装置85に供給される電流Irに対応する。放射線81の線量率は、電流Irに依存する。図5の縦軸は、第1信号S1及び第2信号S2の強度に対応する。第1信号S1は、例えば、第1検出部10Eから得られる検出電流に対応する。第2信号S2は、例えば、第2検出部20Eから得られる検出電流に対応する。図5には、放射線発生装置85に印加される電圧が異なるときの特性が例示されている。図5の例において、第1印加電圧V1は、100kVである。第2印加電圧V2は、300kVである。
図6に示すように、実施形態に係る放射線検出器130は、複数の検出要素60を含む。複数の検出要素60の1つ(例えばそれぞれ)は、第1検出部10E及び第2検出部20Eを含む。複数の検出要素60は、第1有機検出層13から第1層10Lへの第1方向(Z軸方向)と交差する面内(X-Y平面内)で並ぶ。複数の検出要素60が設けられることで、例えば、放射線81の強度(例えば線量率)の面内分布に関する情報が得られる。
第2実施形態は、放射線検出方法に係る。
図7は、第2実施形態に係る放射線検出方法を例示するフローチャート図である。
図7に示すように、実施形態に係る放射線検出方法は、検出対象の放射線81が第1検出部10Eに入射したときに第1検出部10Eから得られる第1信号S1、及び、放射線81が第2検出部20Eに入射したときに第2検出部20Eから得られる第2信号S2を取得する(ステップS110)ことを含む。放射線検出方法は、第1信号S1及び第2信号S2に基づいて、放射線81の強度(例えば線量率)を検出すること(ステップS120)を含む。
(構成1)
第1有機検出層及び第1層を含む第1検出部と、
第2有機検出層を含む第2検出部と、
を備え、
前記第1層は、第1材料及び第1厚さを有し、
前記第2検出部は前記第1層を含まず、
第2検出部は、第2層を含まない、または、前記第2検出部は、第2層を含み、
前記第2層は、前記第1材料とは異なる第2材料、及び、前記第1厚さとは異なる第2厚さの少なくともいずれかを有し、
前記第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含み、前記第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含み、前記第2元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、放射線検出器。
前記第1検出部は、第1電極及び第1対向電極をさらに含み、
前記第1対向電極と前記第1層との間に前記第1電極があり、
前記第1対向電極と前記第1電極との間に前記第1有機検出層があり、
前記第2検出部は、第2電極及び第2対向電極をさらに含み、
前記第2対向電極と前記第2電極との間に前記第2有機検出層がある、構成1記載の放射線検出器。
前記第1検出部は、第1シンチレータ層を含み、前記第1シンチレータ層は、前記第1有機検出層と前記第1層との間にあり、
前記第2検出部は、第2シンチレータ層を含み、前記第2検出部が前記第2層を含む場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と前記第2層との間にあり、前記第2検出部が前記第2層を含まない場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と積層される、構成1記載の放射線検出器。
前記第1検出部は、第1電極及び第1対向電極をさらに含み、
前記第1対向電極と前記第1層との間に前記第1有機検出層があり、
前記第1有機検出層と前記第1層との間に前記第1電極があり、
前記第1電極と前記第1層との間に前記第1シンチレータ層があり、
前記第2検出部は、第2電極及び第2対向電極をさらに含み、
前記第2検出部は前記第2層を含み、
前記第2対向電極と前記第2層との間に前記第2有機検出層があり、
前記第2有機検出層と前記第2層との間に前記第2電極があり、
前記第2電極と前記第2層との間に前記第2シンチレータ層がある、構成3記載の放射線検出器。
前記第1検出部は、第1電極及び第1対向電極をさらに含み、
前記第1対向電極と前記第1層との間に前記第1有機検出層があり、
前記第1有機検出層と前記第1層との間に前記第1電極があり、
前記第1電極と前記第1層との間に前記第1シンチレータ層があり、
前記第2検出部は、第2電極及び第2対向電極をさらに含み、
前記第2検出部が前記第2層を含まず、
前記第2対向電極と前記第2シンチレータ層との間に前記第2有機検出層があり、
前記第2有機検出層と前記第2シンチレータ層との間に前記第2電極がある、構成3記載の放射線検出器。
前記第1シンチレータ層から放出される光の第1ピーク波長に対する前記第1電極の透過率は、前記第1ピーク波長に対する前記第1対向電極の透過率よりも高く、
前記第2シンチレータ層から放出される光の第2ピーク波長に対する前記第2電極の透過率は、前記第2ピーク波長に対する前記第2対向電極の透過率よりも高い、構成4または5に記載の放射線検出器。
前記第1ピーク波長における前記第1対向電極の光透過率は、前記第1ピーク波長における前記第1電極の光反射率よりも高く、
前記第2ピーク波長における前記第2対向電極の光反射率は、前記第2ピーク波長における前記第2電極の光反射率よりも高い、構成6記載の放射線検出器。
前記第1シンチレータ層及び前記第2シンチレータ層は、第3有機材料を含む、構成3~7のいずれか1つに記載の放射線検出器。
前記第1材料は、前記第1有機材料を含み、
前記第1有機材料の屈折率は、前記第3有機材料の屈折率よりも低い、構成8記載の放射線検出器。
検出対象の放射線に対する前記第1検出部の透過率は、80%以上であり、
前記放射線に対する前記第2検出部の透過率は、80%以上である、構成1~9のいずれか1つに記載の放射線検出器。
処理部をさらに備え、
前記処理部は、検出対象の放射線が前記第1検出部に入射したときに前記第1検出部から得られる第1信号、及び、前記放射線が前記第2検出部に入射したときに前記第2検出部から得られる第2信号を取得可能であり、
前記処理部は、前記第1信号及び前記第2信号に基づいて、前記放射線の強度に対応する検出信号を出力可能である、構成1~9のいずれか1つに記載の放射線検出器。
前記第1信号及び前記第2信号の一方の信号、及び、前記第1信号と前記第2信号との差と、前記放射線の線量率と、に関して取得された第1情報と、前記一方の信号と、前記差と、に基づいて、前記処理部は、前記検出信号を導出する、構成11記載の放射線検出器。
前記第1情報は、前記放射線を発生させる放射線発生装置に供給される電流と、前記第1信号及び前記第2信号と、の関係に関する第2情報を含む、構成12記載の放射線検出器。
前記第1情報を記憶可能な記憶部をさらに含む、構成13記載の放射線検出器。
前記放射線は、X線を含む、構成10~14のいずれか1つに記載の放射線検出器。
前記第1検出部と前記処理部とを電気的に接続する第1接続部材と、
前記第2検出部と前記処理部とを電気的に接続する第2接続部材と、
をさらに備え、
前記第1接続部材の少なくとも一部、及び、前記第2接続部材の少なくとも一部の前記放射線に対する透過率は、90%以上である、構成10~15のいずれか1つに記載の放射線検出器。
複数の検出要素を備え、
複数の検出要素の1つは、前記第1検出部及び前記第2検出部を含み、
前記複数の検出要素は、前記第1有機検出層から前記第1層への第1方向と交差する面内で並ぶ、構成1~16のいずれか1つに記載の放射線検出器。
検出対象の放射線が第1検出部に入射したときに前記第1検出部から得られる第1信号、及び、前記放射線が第2検出部に入射したときに前記第2検出部から得られる第2信号を取得し、
前記第1信号及び前記第2信号に基づいて、前記放射線の強度を検出し、
前記第1検出部は、第1有機検出層及び第1層を含み、
前記第2検出部は、第2有機検出層を含み、
前記第1層は、第1材料及び第1厚さを有し、
前記第2検出部は前記第1層を含まず、
第2検出部は、第2層を含まない、または、前記第2検出部は、第2層を含み、
前記第2層は、前記第1材料とは異なる第2材料及び前記第1厚さとは異なる第2厚さの少なくともいずれかを有し、
前記第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含み、前記第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含み、前記第2元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、放射線検出方法。
前記第1信号及び前記第2信号の一方の信号、及び、前記第1信号と前記第2信号との差と、前記放射線の線量率と、に関して取得された第1情報と、前記一方の信号と、前記差と、に基づいて、前記検出信号を導出する、構成18記載の放射線検出方法。
前記第1検出部は、第1シンチレータ層を含み、前記第1シンチレータ層は、前記第1有機検出層と前記第1層との間にあり、
前記第2検出部は、第2シンチレータ層を含み、前記第2検出部が前記第2層を含む場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と前記第2層との間にあり、前記第2検出部が前記第2層を含まない場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と積層される、構成18または19に記載の放射線検出方法。
Claims (5)
- 第1有機検出層及び第1層を含む第1検出部と、
第2有機検出層を含む第2検出部と、
前記第1検出部及び前記第2検出部を支持し有機材料を含む支持体と、
処理部と、
前記第1検出部と前記処理部とを電気的に接続する第1接続部材と、
前記第2検出部と前記処理部とを電気的に接続する第2接続部材と、
を備え、
前記第1層は、第1材料及び第1厚さを有し、
前記第2検出部は前記第1層を含まず、
前記第2検出部は、第2層を含まない、または、前記第2検出部は、前記第2層を含み、
前記第2層は、前記第1材料とは異なる第2材料、及び、前記第1厚さとは異なる第2厚さの少なくともいずれかを有し、
前記第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含み、前記第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含み、前記第2元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記処理部は、検出対象の放射線が前記第1検出部に入射したときに前記第1検出部から得られる第1信号、及び、前記放射線が前記第2検出部に入射したときに前記第2検出部から得られる第2信号を取得可能であり、
前記処理部は、前記第1信号及び前記第2信号に基づいて、前記放射線の強度に対応する検出信号を出力可能であり、
前記第1接続部材の少なくとも一部、及び、前記第2接続部材の少なくとも一部の前記放射線に対する透過率は、90%以上であり、
前記第1接続部材の前記少なくとも一部、及び、前記第2接続部材の前記少なくとも一部は、Al、Mg及びCよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、放射線検出器。 - 前記第1検出部は、第1シンチレータ層を含み、前記第1シンチレータ層は、前記第1有機検出層と前記第1層との間にあり、
前記第2検出部は、第2シンチレータ層を含み、前記第2検出部が前記第2層を含む場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と前記第2層との間にあり、前記第2検出部が前記第2層を含まない場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と積層される、請求項1記載の放射線検出器。 - 前記第1信号及び前記第2信号の一方の信号、及び、前記第1信号と前記第2信号との差と、前記放射線の線量率と、に関して取得された第1情報と、前記一方の信号と、前記差と、に基づいて、前記処理部は、前記検出信号を導出する、請求項1または2に記載の放射線検出器。
- 前記放射線は、X線を含む、請求項1~3のいずれか1つに記載の放射線検出器。
- 前記第1検出部及び前記第2検出部を透過した前記放射線は、被照射体に入射する、請求項1~4のいずれか1つに記載の放射線検出器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020154915A JP7359745B2 (ja) | 2020-09-15 | 2020-09-15 | 放射線検出器及び放射線検出方法 |
US17/184,675 US11493647B2 (en) | 2020-09-15 | 2021-02-25 | Radiation detector and radiation detection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020154915A JP7359745B2 (ja) | 2020-09-15 | 2020-09-15 | 放射線検出器及び放射線検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022048868A JP2022048868A (ja) | 2022-03-28 |
JP7359745B2 true JP7359745B2 (ja) | 2023-10-11 |
Family
ID=80626499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020154915A Active JP7359745B2 (ja) | 2020-09-15 | 2020-09-15 | 放射線検出器及び放射線検出方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11493647B2 (ja) |
JP (1) | JP7359745B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018117097A (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 株式会社東芝 | 光検出器、および検出装置 |
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JP7218257B2 (ja) | 2019-08-20 | 2023-02-06 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
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2020
- 2020-09-15 JP JP2020154915A patent/JP7359745B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-25 US US17/184,675 patent/US11493647B2/en active Active
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JP2018117097A (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 株式会社東芝 | 光検出器、および検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022048868A (ja) | 2022-03-28 |
US20220082711A1 (en) | 2022-03-17 |
US11493647B2 (en) | 2022-11-08 |
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