JP7359745B2 - 放射線検出器及び放射線検出方法 - Google Patents

放射線検出器及び放射線検出方法 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、放射線検出器及び放射線検出方法に関する。
例えば、放射線を被照射体に照射して、被照射体の状態の観察、または、治療などが行われる。放射線の強度(例えば線量率など)を検出する放射線検出器において、検出精度の向上が望まれる。
特許第4205789号公報
本発明の実施形態は、検出精度を向上可能な放射線検出器及び放射線検出方法を提供する。
本発明の実施形態によれば、放射線検出器は、第1有機検出層及び第1層を含む第1検出部と、第2有機検出層を含む第2検出部と、を含む。前記第1層は、第1材料及び第1厚さを有する。前記第2検出部は前記第1層を含まない。第2検出部は、第2層を含まない、または、前記第2検出部は、第2層を含む。前記第2層は、前記第1材料とは異なる第2材料、及び、前記第1厚さとは異なる第2厚さの少なくともいずれかを有する。前記第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含み、前記第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。前記第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含み、前記第2元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。
図1は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。 図2は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。 図3は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。 図4は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。 図5は、第1実施形態に係る放射線検出器の特性を例示するグラフ図である。 図6は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的斜視図である。 図7は、第2実施形態に係る放射線検出方法を例示するフローチャート図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図1に示すように、実施形態に係る放射線検出器110は、第1検出部10E及び第2検出部20Eを含む。第1検出部10Eは、第1有機検出層13及び第1層10Lを含む。第2検出部20Eは、第2有機検出層23を含む。第2検出部20Eは、第1層10Lを含まない。この例では、第2検出部20Eは、第2層20Lをさらに含む。後述するように、第2検出部20Eは、第2層20Lを含まなくても良い。
第1有機検出層13から第1層10Lへの方向をZ軸方向とする。Z軸方向に対して垂直な1つの方向をX軸方向とする。Z軸方向及びX軸方向に対して垂直な方向をY軸方向とする。Z軸方向は、例えば、第1有機検出層13及び第1層10Lの積層方向に対応する。
例えば、第1有機検出層13及び第1層10Lは、X-Y平面に対して実質的に平行に広がる。第2有機検出層23及び第2層20Lは、X-Y平面に対して実質的に平行に広がる。
第1層10Lは、第1材料及び第1厚さt1を有する。第1厚さt1は、Z軸方向に沿う長さである。
第2検出部20Eが第2層20Lを含む場合、第2層20Lは、第1材料とは異なる第2材料、及び、第1厚さt1とは異なる第2厚さt2の少なくともいずれかを有する。第2厚さt2は、Z軸方向に沿う長さである。
第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含む。第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。このような第1元素は、例えば、軽金属を含む。
第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含む。第2元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。このような第2元素は、例えば、軽金属を含む。
例えば、放射線発生装置85で放射線81が発生する。放射線81は、第1検出部10E及び第2検出部20Eに入射する。放射線81は、これらの検出部を透過し、被照射体80に入射する。1つの例において、放射線81は、X線を含む。放射線81は、γ線を含んでも良い。被照射体80は、例えば、人体などである。例えば、放射線81が人体などに照射され、人体の状態の観察または治療などが行われる。被照射体80は物体でも良い。放射線81が物体に照射され、物体の状態(例えば傷など)の検出などが行われても良い。
第1検出部10Eにおいて、第1層10Lを介して、放射線81が第1有機検出層13に入射する。第1有機検出層13から放射線81の強度(例えば、線量率など)に対応した第1信号S1が得られる。第1信号S1は、第1層10Lの特性に応じている。
第2検出部20Eにおいて、第2層20Lを介して、放射線81が第2有機検出層23に入射する。第2有機検出層23から放射線81の強度(例えば、線量率など)に対応した第2信号S2が得られる。上記のように、第2層20Lは、第1材料とは異なる第2材料、及び、第1厚さt1とは異なる第2厚さt2の少なくともいずれかを有する。このため、第2信号S2は、第1信号S1と異なる。第2検出部20Eが第2層20Lを含まない場合も、第2信号S2は、第1信号S1と異なる。
このように、互いに異なる複数の信号が得られる。例えば、これらの信号を用いた処理を行うことで、放射線81の強度(例えば、線量率など)を高い精度で検出できる。検出精度を向上可能な放射線検出器が提供できる。実施形態における信号処理の例については、後述する。
図1に示すように、この例では、第1検出部10Eは、第1電極11及び第1対向電極12をさらに含む。第1対向電極12と第1層10Lとの間に第1電極11がある。第1対向電極12と第1電極11との間に第1有機検出層13がある。
図1に示すように、第2検出部20Eは、第2電極21及び第2対向電極22をさらに含む。第2対向電極22と第2電極21との間に第2有機検出層23がある。第2検出部20Eが第2層20Lを含む場合、第2対向電極22と第2層20Lとの間に第2電極21がある。
例えば、放射線81は、第1層10Lを介して、第1電極11、第1有機検出層13及び第1対向電極12に入射する。例えば、放射線81は、第2層20Lを介して、第2電極21、第2有機検出層23及び第2対向電極22に入射する。
例えば、放射線81が有機検出層に入射すると、有機検出層において、放射線81の強度に応じた電荷が生じる。電極及び対向電極との間にバイアス電圧が印加されることで、電荷を電流として取り出すことができる。有機検出層は、例えば、有機半導体層である。検出層が有機材料を含むことで、放射線検出器110を通過する放射線81の強度の低下が抑制できる。
第1電極11、第2電極21、第1対向電極12及び第2対向電極22の少なくともいずれかは、例えば、酸化物導電体、または、軽金属など(例えばAl、Mg及びCよりなる群から選択された少なくとも1つなど)を含むことが好ましい。これにより、放射線検出器110を通過する放射線81の強度の低下が抑制できる。
図1に示すように、この例では、第1検出部10Eは、第1基体15を含む。第1電極11と第1層10Lとの間に第1基体15が設けられる。第1基体15は、第1対向電極12、第1有機検出層13及び第1電極11を支持する。第1基体15は、第1層10Lを支持する。
図1に示すように、この例では、第2検出部20Eは、第2基体25を含む。第2電極21と第2層20Lとの間に第2基体25が設けられる。第2基体25は、第2対向電極22、第2有機検出層23及び第2電極21を支持する。第2基体25は、第2層20Lを支持する。
第1基体15及び第2基体25の少なくともいずれかは、ガラス及び有機材料の少なくともいずれかを含むことが好ましい。これにより、放射線検出器110を通過する放射線81の強度の低下が抑制できる。
放射線検出器110は、支持体65を含んでも良い。支持体65は、第1検出部10E及び第2検出部20Eを支持する。支持体65は、例えば、有機材料を含む。放射線検出器110を通過する放射線81の強度の低下が抑制できる。
放射線検出器110は、検出要素60を含む。検出要素60は、第1検出部10E及び第2検出部20Eを含む。後述するように、複数の検出要素60が設けられても良い。複数の検出要素60は、例えば、X-Y平面内に並ぶ。
図1に示すように、放射線検出器110は、処理部70を含んでも良い。処理部70は、第1検出部10E及び第2検出部20Eと電気的に接続される。この例では、第1接続部材71wにより、処理部70は、第1検出部10Eと電気的に接続される。第2接続部材72wにより、処理部70は、第2検出部20Eと電気的に接続される。第1接続部材71w及び第2接続部材72wの少なくともいずれかの少なくとも一部は、軽金属など(例えば、Al、Mg及びCよりなる群から選択された少なくとも1つなど)を含んでも良い。放射線検出器110を通過する放射線81の強度の低下が抑制できる。第1接続部材71w及び第2接続部材72wの少なくともいずれかの少なくとも一部の、放射線81に対する透過率は、例えば、90%以上である。
この例では、処理部70は、第1検出回路71、第2検出回路72及び処理回路75を含む。第1検出回路71は、例えば、第1対向電極12と第1電極11との間にバイアス電圧を印加可能である。第1検出回路71は、検出対象の放射線81が第1検出部10Eに入射したときに第1検出部10Eに流れる第1電流を検出可能である。第1検出回路71は、第1電流に応じた第1信号S1を出力可能である。第2検出回路72は、例えば、第2対向電極22と第2電極21との間にバイアス電圧を印加可能である。第2検出回路72は、検出対象の放射線81が第2検出部20Eに入射したときに第2検出部20Eに流れる第2電流を検出可能である。第2検出回路72は、第2電流に応じた第2信号S2を出力可能である。
第1信号S1及び第2信号S2は、処理回路75に供給される。処理回路75は、第1信号S1及び第2信号S2に基づいて、検出信号Sdを出力可能である。検出信号Sdは、放射線81の強度(例えば、線量率)に対応する。処理回路75は、例えば、CPU(Central Processing Unit)などを含むコンピュータでも良い。処理回路75は、例えば、電気回路を含む。第1信号S1及び第2信号S2は、アナログ信号でも良く、デジタル信号でも良い。第1信号S1及び第2信号S2は、デジタル情報でも良い。検出信号Sdは、アナログ信号でも良く、デジタル信号でも良い。検出信号Sdは、デジタル情報でも良い。検出信号Sdは、線量率、及び、線量の少なくともいずれかに関する情報を含んでも良い。
処理部70は、記憶部76を含んでも良い。記憶部76は、処理回路75における処理で用いられる情報I1(例えば、検量線及び補正係数などに関するデータなど)を記憶可能である。情報I1は、記憶部76から処理回路75に供給される。記憶部76は、放射線検出器110の外部に設けられても良い。放射線検出器110は、必要な情報I1をクラウドなどの任意の通信経路を介して入手しても良い。
処理部70における処理の例については、後述する。
図2は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図2に示すように、実施形態に係る放射線検出器111においては、第2検出部20Eは、第2層20Lを含まない。これを除く放射線検出器111の構成は、放射線検出器110の構成と同様で良い。
図3は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図3に示すように、実施形態に係る放射線検出器120においては、第1検出部10Eは、第1シンチレータ層10Sを含み、第2検出部20Eは、第2シンチレータ層20Sを含む。これを除く放射線検出器120の構成は、放射線検出器110の構成と同様で良い。
放射線検出器120において、第1シンチレータ層10Sは、第1有機検出層13と第1層10Lとの間にある。この例では、第1検出部10Eが第1電極11及び第1対向電極12をさらに含む。第1対向電極12と第1層10Lとの間に第1有機検出層13がある。第1有機検出層13と第1層10Lとの間に第1電極11がある。第1電極11と第1層10Lとの間に第1シンチレータ層10Sがある。
第2検出部20Eが第2層20Lを含む場合は、第2シンチレータ層20Sは第2有機検出層23と第2層20Lとの間にある。後述するように、第2検出部20Eが第2層20Lを含まない場合は、第2シンチレータ層20Sは第2有機検出層23と積層される。この例では、第2検出部20Eは、第2電極21、第2対向電極22及び第2層20Lを含む。第2対向電極22と第2層20Lとの間に第2有機検出層23がある。第2有機検出層23と第2層20Lとの間に第2電極21がある。第2電極21と第2層20Lとの間に第2シンチレータ層20Sがある。
例えば、放射線81が、第1層10Lを通過して、第1シンチレータ層10Sに入射する。第1シンチレータ層10Sにおいて、放射線81に応じた光(例えば可視光)が発生する。光が、第1電極11を介して第1有機検出層13に入射する。第1有機検出層13において、光に応じた電荷が生じる。第1対向電極12と第1電極11との間にバイアス電圧が印加されることで、生じた電荷が電流として取り出される。第1有機検出層13は、例えば、有機光電変換層である。
例えば、放射線81が、第2層20Lを通過して(または第2層20Lを介さないで)、第2シンチレータ層20Sに入射する。第2シンチレータ層20Sにおいて、放射線81に応じた光(例えば可視光)が発生する。光が、第2電極21を介して第2有機検出層23に入射する。第2有機検出層23において、光に応じた電荷が生じる。第2対向電極22と第2電極21との間にバイアス電圧が印加されることで、生じた電荷が電流として取り出される。第2有機検出層23は、例えば、有機光電変換層である。
シンチレータ層が設けられることで、より高い感度が得られる。
例えば、第1シンチレータ層10Sから放出される光の第1ピーク波長に対する第1電極11の透過率は、第1ピーク波長に対する第1対向電極12の透過率よりも高い。例えば、第2シンチレータ層20Sから放出される光の第2ピーク波長に対する第2電極21の透過率は、第2ピーク波長に対する第2対向電極22の透過率よりも高い。第1電極11及び第2電極21は、例えば、光透過性である。
例えば、第1ピーク波長における第1対向電極12の光透過率は、第1ピーク波長における第1電極11の光反射率よりも高い。例えば、第2ピーク波長における第2対向電極22の光反射率は、第2ピーク波長における第2電極21の光反射率よりも高い。第1電極11及び第2電極21は、例えば、光反射性である。第2ピーク波長は、第1ピーク波長と実質的に同じでも良い。
1つの例において、第1電極11及び第2電極21の少なくともいずれかは、In、Sn、Zn及びTiよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含んでも良い。これらの材料を含む場合に、第1電極11及び第2電極21において、高い光透過率が得られる。例えば、可視光に対して高い透過率が得られる。高い検出感度が得られる。例えば、第1電極11及び第2電極21において、放射線81に対する高い透過率が得られる。
1つの例において、第1対向電極12及び第2対向電極22の少なくともいずれかは、Al、Mg、Be、B及びCよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。例えば、可視光に対して高い反射率が得られる。光が、より効率的に電流に変換される。より高い検出感度が得られる。例えば、第1対向電極12及び第2対向電極22において、放射線81に対する高い透過率が得られる。
例えば、第1シンチレータ層10S及び第2シンチレータ層20Sは、第3有機材料を含んでも良い。例えば、第1層10Lの第1材料は、第1有機材料を含む。例えば、第1有機材料の屈折率は、第3有機材料の屈折率よりも低い。屈折率は、上記の第1ピーク波長における屈折率である。例えば、第2層20Lの第2材料は、第2有機材料を含む。例えば、第2有機材料の屈折率は、第3有機材料の屈折率よりも低い。屈折率は、上記の第2ピーク波長における屈折率である。例えば、全反射により、光が、より効率的に電流に変換される。
実施形態において、検出対象の放射線81に対する第1検出部10Eの透過率は、例えば、80%以上である。透過率は、85%以上でも良い。透過率は、90%以上でも良い。
例えば、放射線81に対する第2検出部20Eの透過率は、80%以上である。透過率は、85%以上でも良い。透過率は、90%以上でも良い。
図4は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図4に示すように、実施形態に係る放射線検出器121においては、第2検出部20Eは、第2層20Lを含まない。これを除く放射線検出器121の構成は、放射線検出器120の構成と同様で良い。
放射線検出器111、120及び121においても、検出精度を向上可能な放射線検出器が提供できる。放射線検出器111、120及び121においても、上記の処理部70が設けられて良い。
以下、処理部70の動作の例について説明する。以下の例において、放射線81は、X線である。
図5は、第1実施形態に係る放射線検出器の特性を例示するグラフ図である。
図5は、第1検出部10E及び第2検出部20Eに放射線81が入射したときに得られる第1信号S1及び第2信号S2を例示している。図5の横軸は、放射線81を発生する放射線発生装置85に供給される電流Irに対応する。放射線81の線量率は、電流Irに依存する。図5の縦軸は、第1信号S1及び第2信号S2の強度に対応する。第1信号S1は、例えば、第1検出部10Eから得られる検出電流に対応する。第2信号S2は、例えば、第2検出部20Eから得られる検出電流に対応する。図5には、放射線発生装置85に印加される電圧が異なるときの特性が例示されている。図5の例において、第1印加電圧V1は、100kVである。第2印加電圧V2は、300kVである。
図5に示すように、第1印加電圧V1及び第2印加電圧V2のいずれのときも、第1信号S1及び第2信号S2は、電流Irに対して線形に変化する。
第2印加電圧V2のときの、第1信号S1及び第2信号S2の、電流Irの変化に対する変化率(傾き)は、第1印加電圧V1のときの、第1信号S1及び第2信号S2の、電流Irの変化に対する変化率(傾き)とは異なる。これは、放射線発生装置85における印加電圧が異なると、発生する放射線81のエネルギー分布が変化することが原因であると考えられる。
図5に示すように、印加電圧が同じときに、第2信号S2は、第1信号S1とは異なる。この例では、第2信号S2は、第1信号S1よりも大きい。処理回路75は、このような第1信号S1及び第2信号S2に基づいて、検出信号Sdを出力可能である。
実施形態において、第1信号S1及び第2信号S2が検出される。検出された第1信号S1及び第2信号S2の組み合わせは、印加電圧及び電流Irが変化したときに、1組み、存在する。
1つの例において、第1信号S1及び第2信号S2の組み合わせと、放射線81の強度(例えば、線量率など)と、の関係に関する情報が、予め記憶部76などに記憶される。処理部70は、検出された第1信号S1の値及び第2信号S2の値と、記憶された情報と、に基づいて、放射線81の強度(例えば、線量率など)を検出しても良い。例えば、検出された第1信号S1及び第2信号S2と、記憶された第1信号S1及び第2信号S2と、の差の絶対値が小さくなるような組み合わせに対応する放射線81の強度(例えば、線量率など)が目的とする強度となる。例えば、印加電圧に関する情報を使わないで、検出された第1信号S1及び第2信号S2の値から、目的とする放射線81の強度を導出できる。例えば、印加電圧が変化した場合でも、放射線81の強度を高い精度で導出できる。記憶部76などに記憶される情報は、第1信号S1及び第2信号S2と、放射線81の強度と、に関する係数を含んでも良い。第1信号S1と第2信号S2の組み合わせから、放射線81が物質に吸収される放射線量を特定することができる。
例えば、図5に例示した特性に関する情報を、複数の印加電圧と複数の電流Irに関して取得して、例えば、記憶しておく。記憶された情報と、検出された第1信号S1及び第2信号S2の組み合わせと、を比較することで、電流Irが決定できる。電流Irに基づいて、放射線81の強度(例えば、線量率など)が得られる。例えば、記憶された情報と、検出された第1信号S1及び第2信号S2の組み合わせと、を比較することで、印加電圧及び電流Irの組み合わせが決定できる。この印加電圧及び電流Irに基づいて、放射線81の強度(例えば、線量率など)が得られる。例えば、印加電圧に対応する係数と、電流Irと、の積が放射線81の強度となる。
例えば、1つの検出部が設けられる第1参考例がある。この場合、検出された信号(例えば第1信号S1)は、印加電圧及び電流Irについての複数の組み合わせで得られる。第1参考例においては、例えば、印加電圧が既知である場合は、検出された信号から電流Irを決定できる。しかしながら、例えば、実際の印加電圧が、設定した印加電圧からシフトすると、第1参考例においては、検出された信号から導出された電流Irにおいて、誤差が生じる。第1参考例においては、検出器から得られる検出信号以外に、印加電圧が測定される。放射線81の照射中に印加電圧が変更されると、放射線81の強度を決めるために必要な、各時刻における、印加電圧の値と検出信号とから導出される電流Irの値は、さらに誤差を含みやすい。第1参考例においては、時間的に変化する放射線81をリアルタイムに高精度で検出することが困難である。
これに対して、実施形態においては、複数の検出部から得られる複数の信号に基づいて、放射線81の強度決定できる。例えば、複数の検出部から得られる複数の信号に基づいて、印加電圧及び電流Irの組み合わせを一意的に決定できる。この組み合わせから求められる放射線81の強度は、正確である。
例えば、実施形態においては、印加電圧の値が、各時刻において、1つの値として決定される。このため、実際の印加電圧が設定された値からシフトした場合も、正確な検出が可能である。実施形態においては、例えば、放射線81の照射中に印加電圧が変更される場合も、印加電圧が設定された値に変化する過程における各時刻における、印加電圧の値及び電流Irが正確に決定される。実施形態においては、時間的に変化する放射線81をリアルタイムに高精度で検出することができる。実施形態によれば、検出精度を向上可能な放射線検出器を提供できる。
このように、実施形態において、処理部70は、検出対象の放射線81が第1検出部10Eに入射したときに第1検出部10Eから得られる第1信号S1、及び、放射線81が第2検出部20Eに入射したときに第2検出部20Eから得られる第2信号S2を取得可能である。処理部70は、第1信号S1及び第2信号S2に基づいて、放射線81の強度に対応する検出信号Sdを出力可能である。例えば、処理部70は、第1信号S1及び第2信号S2の一方の信号、及び、第1信号S1と第2信号S2との差、に基づいて、放射線81の強度に対応する検出信号Sdを出力可能である。
例えば、第1信号S1及び第2信号Sの一方の信号、及び、第1信号S1と第2信号S2との差と、放射線81の線量率と、に関して、第1情報I1が予め取得される。取得された第1情報I1と、上記の一方の信号と、上記の差と、に基づいて、処理部70は、検出信号Sdを導出する。第1情報I1は、例えば、放射線81を発生させる放射線発生装置85に供給される電流Irと、第1信号S1及び第2信号S2と、の関係に関する第2情報を含む。第2情報I2は、例えば、放射線81を発生させる放射線発生装置85に供給される電流Ir及び印加電圧と、第1信号S1及び第2信号S2と、の関係に関する情報を含んでも良い。第2情報は、例えば、係数である。処理部70は、第1信号S1及び第2信号Sの一方の信号、及び、第1信号S1と第2信号S2との差と、係数を含む第1情報I1と、に基づいて、検出信号Sdを算出し、出力する。例えば、複数の検出部から得られる複数の信号に基づいて、適切な係数が選ばれ、複数の信号と、選ばれた係数と、から検出信号Sdが導出される。実施形態に係る放射線検出器は、上記の第1情報I1のすくなくとも一部を記憶する記憶部76を含んでも良い。実施形態によれば、検出精度を向上可能な放射線検出器が提供される。
例えば、検出層として無機材料を含む第2参考例がある。第2参考例において、検出層(半導体層または光電変換層)として、シリコンなどが用いられる。この場合、検出層から得られる信号(検出電流)は、放射線発生装置85の電流Irに対して非線形に変化する。例えば、電流Irが小さいときには、検出電流は高い変化率で変化し、電流Irが大きいときには、変化率は低くなり、検出電流は飽和する。このような第2参考例において、複数の検出部を設けたとしても、検出電流が電流Irに対して非線形に変化するため、複数の検出部のそれぞれから得られる検出電流を用いても、放射線81の強度を正確に導出することが困難である。
これに対して、実施形態においては、検出層は、有機材料を含む。これにより、図5に関して説明したように、複数の検出電流(第1信号S1及び第2信号S2)は、電流Irに対して線形に変化する。これにより、複数の検出電流に基づいて、放射線81の強度を高い精度で導出できる。
例えば、第1信号S1の大きさと第2信号S2の大きさとの差は、被照射体80に照射される放射線81のエネルギー分布における、高いエネルギーを含む部分の割合と関係する。例えば、第1信号S1の大きさと第2信号S2の大きさとの差から得られる情報を用いて、放射線81に含まれる高いエネルギー成分を検出することができる。例えば、高いエネルギー成分を検出して放射線81の照射を制御することで、必要以上に高いエネルギーの放射線が被照射体80に照射されることを抑制できる。
例えば、第1信号S1と第2信号S2の組み合わせから、放射線81が物質に吸収される放射線量を特定することが可能である。例えば、被照射体80の材料または大きさに合わせて、適した放射線照射量を制御するための情報が得られる。
検出される第1信号S1の値(大きさ)及び第2信号S2の値(大きさ)は、互いに異なる。第1信号S1の値及び第2信号S2の値の組み合わせは、被照射体80に照射される前の放射線81に含まれるエネルギー成分の違いの指標として利用することができる。例えば、放射線81が、高いエネルギー分布を多く含む場合において検出される第1信号S1と第2信号S2との差は、低いエネルギー分布を多く含む場合において検出される第1信号S1と第2信号S2との差よりも小さくなる。このような指標を利用することにより、例えば、被照射体80の透過画像をより高精度で得ることが可能になる。
実施形態において、第1検出部10E及び第2検出部20Eに加えて、第3検出部が設けられても良い。例えば、第3検出部は、第1検出部10E及び第2検出部20Eとは異なる構成を有する。第3検出部は、例えば、第3層を含む。第3層は、第1材料及び第2材料とは異なる第3材料、及び、第1厚さt1及び第2厚さt2とは異なる第3厚さの少なくともいずれかを有する。このような第3検出部から得られる第3信号を利用することで、より高い検出精度が得られる。例えば、第3検出部を用いることで、さらに更に高い精度の画像を得ることができる。
図6は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的斜視図である。
図6に示すように、実施形態に係る放射線検出器130は、複数の検出要素60を含む。複数の検出要素60の1つ(例えばそれぞれ)は、第1検出部10E及び第2検出部20Eを含む。複数の検出要素60は、第1有機検出層13から第1層10Lへの第1方向(Z軸方向)と交差する面内(X-Y平面内)で並ぶ。複数の検出要素60が設けられることで、例えば、放射線81の強度(例えば線量率)の面内分布に関する情報が得られる。
実施形態において、第1層10Lの第1材料の第1有機材料及び、第2層20Lの第2材料の第2有機材料の少なくともいずれかは、例えば、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド及びポリエーテルエーテルケトンよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。
第1有機検出層13及び第2有機検出層23の少なくともいずれかは、例えば、p形半導体材料及びn形半導体材料を含んでも良い。p形半導体材料は、例えば、P3HT(Poly(3-hexylthiophene))などを含む。n形半導体材料は、例えば、フラーレンを含む。フラーレンは、例えば、PC61BM([6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester)を含む。
(第2実施形態)
第2実施形態は、放射線検出方法に係る。
図7は、第2実施形態に係る放射線検出方法を例示するフローチャート図である。
図7に示すように、実施形態に係る放射線検出方法は、検出対象の放射線81が第1検出部10Eに入射したときに第1検出部10Eから得られる第1信号S1、及び、放射線81が第2検出部20Eに入射したときに第2検出部20Eから得られる第2信号S2を取得する(ステップS110)ことを含む。放射線検出方法は、第1信号S1及び第2信号S2に基づいて、放射線81の強度(例えば線量率)を検出すること(ステップS120)を含む。
図1などに関して説明したように、第1検出部10Eは、第1有機検出層13及び第1層10Lを含む。第2検出部20Eは、第2有機検出層23を含む。第1層10Lは、第1材料及び第1厚さt1を有する。第2検出部20Eは第1層10Lを含まない。第2検出部20Eは、第2層20Lを含まない。または、第2検出部20Eは、第2層20Lを含む。第2層20Lは、第1材料とは異なる第2材料、及び、第1厚さt1とは異なる第2厚さt2の少なくともいずれかを有する。第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含む。第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含む。第2元素は、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む。
例えば、第1信号S1及び第2信号Sの一方の信号、及び、第1信号S1と第2信号S2との差と、放射線81の線量率と、に関して取得された第1情報I1が用いられても良い。第1情報I1と、上記の一方の信号と、上記の差と、に基づいて、検出信号Sdを導出しても良い。

第2実施形態において、第1検出部10Eは、第1シンチレータ層を含み、第2検出部20Eは、第2シンチレータ層20Sを含んでも良い(図3及び図4参照)。第1シンチレータ層10Sは、第1有機検出層13と第1層10Lとの間にある。第2検出部20Eが第2層20Lを含む場合は、第2シンチレータ層20Sは第2有機検出層23と第2層20Lとの間にある。第2検出部20Eが第2層20Lを含まない場合は、第2シンチレータ層20Sは第2有機検出層23と積層される。シンチレータ層が設けられることで、より高い感度の検出が可能になる。
第2実施形態によれば、検出精度を向上可能な放射線検出方法を提供できる。
実施形態に係る放射線検出器及び放射線検出方法においては、有機検出層が用いられる。有機検出層は、放射線81(例えばX線)に対する高い透過性を有する。有機検出層は、放射線81に対しての広いダイナミックレンジを有する。実施形態によれば、例えば、被ばく管理用のリアルタイム線量率が導出できる。実施形態によれば、例えば、医療用のX線画像を撮影する際に、放射線検知器がX線画像に映ることが抑制できる。
実施形態は、以下の構成(例えば、技術案)を含んでも良い。
(構成1)
第1有機検出層及び第1層を含む第1検出部と、
第2有機検出層を含む第2検出部と、
を備え、
前記第1層は、第1材料及び第1厚さを有し、
前記第2検出部は前記第1層を含まず、
第2検出部は、第2層を含まない、または、前記第2検出部は、第2層を含み、
前記第2層は、前記第1材料とは異なる第2材料、及び、前記第1厚さとは異なる第2厚さの少なくともいずれかを有し、
前記第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含み、前記第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含み、前記第2元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、放射線検出器。
(構成2)
前記第1検出部は、第1電極及び第1対向電極をさらに含み、
前記第1対向電極と前記第1層との間に前記第1電極があり、
前記第1対向電極と前記第1電極との間に前記第1有機検出層があり、
前記第2検出部は、第2電極及び第2対向電極をさらに含み、
前記第2対向電極と前記第2電極との間に前記第2有機検出層がある、構成1記載の放射線検出器。
(構成3)
前記第1検出部は、第1シンチレータ層を含み、前記第1シンチレータ層は、前記第1有機検出層と前記第1層との間にあり、
前記第2検出部は、第2シンチレータ層を含み、前記第2検出部が前記第2層を含む場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と前記第2層との間にあり、前記第2検出部が前記第2層を含まない場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と積層される、構成1記載の放射線検出器。
(構成4)
前記第1検出部は、第1電極及び第1対向電極をさらに含み、
前記第1対向電極と前記第1層との間に前記第1有機検出層があり、
前記第1有機検出層と前記第1層との間に前記第1電極があり、
前記第1電極と前記第1層との間に前記第1シンチレータ層があり、
前記第2検出部は、第2電極及び第2対向電極をさらに含み、
前記第2検出部は前記第2層を含み、
前記第2対向電極と前記第2層との間に前記第2有機検出層があり、
前記第2有機検出層と前記第2層との間に前記第2電極があり、
前記第2電極と前記第2層との間に前記第2シンチレータ層がある、構成3記載の放射線検出器。
(構成5)
前記第1検出部は、第1電極及び第1対向電極をさらに含み、
前記第1対向電極と前記第1層との間に前記第1有機検出層があり、
前記第1有機検出層と前記第1層との間に前記第1電極があり、
前記第1電極と前記第1層との間に前記第1シンチレータ層があり、
前記第2検出部は、第2電極及び第2対向電極をさらに含み、
前記第2検出部が前記第2層を含まず、
前記第2対向電極と前記第2シンチレータ層との間に前記第2有機検出層があり、
前記第2有機検出層と前記第2シンチレータ層との間に前記第2電極がある、構成3記載の放射線検出器。
(構成6)
前記第1シンチレータ層から放出される光の第1ピーク波長に対する前記第1電極の透過率は、前記第1ピーク波長に対する前記第1対向電極の透過率よりも高く、
前記第2シンチレータ層から放出される光の第2ピーク波長に対する前記第2電極の透過率は、前記第2ピーク波長に対する前記第2対向電極の透過率よりも高い、構成4または5に記載の放射線検出器。
(構成7)
前記第1ピーク波長における前記第1対向電極の光透過率は、前記第1ピーク波長における前記第1電極の光反射率よりも高く、
前記第2ピーク波長における前記第2対向電極の光反射率は、前記第2ピーク波長における前記第2電極の光反射率よりも高い、構成6記載の放射線検出器。
(構成8)
前記第1シンチレータ層及び前記第2シンチレータ層は、第3有機材料を含む、構成3~7のいずれか1つに記載の放射線検出器。
(構成9)
前記第1材料は、前記第1有機材料を含み、
前記第1有機材料の屈折率は、前記第3有機材料の屈折率よりも低い、構成8記載の放射線検出器。
(構成10)
検出対象の放射線に対する前記第1検出部の透過率は、80%以上であり、
前記放射線に対する前記第2検出部の透過率は、80%以上である、構成1~9のいずれか1つに記載の放射線検出器。
(構成11)
処理部をさらに備え、
前記処理部は、検出対象の放射線が前記第1検出部に入射したときに前記第1検出部から得られる第1信号、及び、前記放射線が前記第2検出部に入射したときに前記第2検出部から得られる第2信号を取得可能であり、
前記処理部は、前記第1信号及び前記第2信号に基づいて、前記放射線の強度に対応する検出信号を出力可能である、構成1~9のいずれか1つに記載の放射線検出器。
(構成12)
前記第1信号及び前記第2信号の一方の信号、及び、前記第1信号と前記第2信号との差と、前記放射線の線量率と、に関して取得された第1情報と、前記一方の信号と、前記差と、に基づいて、前記処理部は、前記検出信号を導出する、構成11記載の放射線検出器。
(構成13)
前記第1情報は、前記放射線を発生させる放射線発生装置に供給される電流と、前記第1信号及び前記第2信号と、の関係に関する第2情報を含む、構成12記載の放射線検出器。
(構成14)
前記第1情報を記憶可能な記憶部をさらに含む、構成13記載の放射線検出器。
(構成15)
前記放射線は、X線を含む、構成10~14のいずれか1つに記載の放射線検出器。
(構成16)
前記第1検出部と前記処理部とを電気的に接続する第1接続部材と、
前記第2検出部と前記処理部とを電気的に接続する第2接続部材と、
をさらに備え、
前記第1接続部材の少なくとも一部、及び、前記第2接続部材の少なくとも一部の前記放射線に対する透過率は、90%以上である、構成10~15のいずれか1つに記載の放射線検出器。
(構成17)
複数の検出要素を備え、
複数の検出要素の1つは、前記第1検出部及び前記第2検出部を含み、
前記複数の検出要素は、前記第1有機検出層から前記第1層への第1方向と交差する面内で並ぶ、構成1~16のいずれか1つに記載の放射線検出器。
(構成18)
検出対象の放射線が第1検出部に入射したときに前記第1検出部から得られる第1信号、及び、前記放射線が第2検出部に入射したときに前記第2検出部から得られる第2信号を取得し、
前記第1信号及び前記第2信号に基づいて、前記放射線の強度を検出し、
前記第1検出部は、第1有機検出層及び第1層を含み、
前記第2検出部は、第2有機検出層を含み、
前記第1層は、第1材料及び第1厚さを有し、
前記第2検出部は前記第1層を含まず、
第2検出部は、第2層を含まない、または、前記第2検出部は、第2層を含み、
前記第2層は、前記第1材料とは異なる第2材料及び前記第1厚さとは異なる第2厚さの少なくともいずれかを有し、
前記第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含み、前記第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
前記第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含み、前記第2元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、放射線検出方法。
(構成19)
前記第1信号及び前記第2信号の一方の信号、及び、前記第1信号と前記第2信号との差と、前記放射線の線量率と、に関して取得された第1情報と、前記一方の信号と、前記差と、に基づいて、前記検出信号を導出する、構成18記載の放射線検出方法。
(構成20)
前記第1検出部は、第1シンチレータ層を含み、前記第1シンチレータ層は、前記第1有機検出層と前記第1層との間にあり、
前記第2検出部は、第2シンチレータ層を含み、前記第2検出部が前記第2層を含む場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と前記第2層との間にあり、前記第2検出部が前記第2層を含まない場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と積層される、構成18または19に記載の放射線検出方法。
実施形態によれば、検出精度を向上可能な放射線検出器及び放射線検出方法が提供できる。
本願明細書において、「電気的に接続される状態」は、複数の導電体が物理的に接してこれら複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。「電気的に接続される状態」は、複数の導電体の間に、別の導電体が挿入されて、これらの複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。
以上、例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの例に限定されるものではない。例えば、放射線検出器に含まれる電極、層、有機検出層、及び処理部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
各例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
本発明の実施の形態として上述した放射線検出器及び放射線検出方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての放射線検出器及び放射線検出方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10E、20E…第1、第2検出部、 10L、20L…第1、第2層、 10S、20S…第1、第2シンチレータ層、 11、21…第1、第2電極、 12、22…第1、第2対向電極、 13、23…第1、第2有機検出層、 15、25…第1、第2基体、 60…検出要素、 65…支持体、 70…処理部、 71、72…第1、第2検出回路、 71w、72w…第2、第2接続部材、 75…処理回路、 76…記憶部、 80…被照射体、 81…放射線、 85…放射線発生装置、 110、111、120、121、130…放射線検出器、 I1…第1情報、 Ir…電流、 S1、S2…第1、第2信号、 Sd…検出信号、 V1、V2…第1、第2印加電圧、 t1、t2…第1、第2厚さ

Claims (5)

  1. 第1有機検出層及び第1層を含む第1検出部と、
    第2有機検出層を含む第2検出部と、
    前記第1検出部及び前記第2検出部を支持し有機材料を含む支持体と、
    処理部と、
    前記第1検出部と前記処理部とを電気的に接続する第1接続部材と、
    前記第2検出部と前記処理部とを電気的に接続する第2接続部材と、
    を備え、
    前記第1層は、第1材料及び第1厚さを有し、
    前記第2検出部は前記第1層を含まず、
    前記第2検出部は、第2層を含まない、または、前記第2検出部は、前記第2層を含み、
    前記第2層は、前記第1材料とは異なる第2材料、及び、前記第1厚さとは異なる第2厚さの少なくともいずれかを有し、
    前記第1材料は、第1有機材料及び第1元素の少なくともいずれかを含み、前記第1元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、
    前記第2材料は、第2有機材料及び第2元素の少なくともいずれかを含み、前記第2元素は、Al、Mg、Be、B、C、Fe、Co、Ni及びCuよりなる群から選択された少なくとも1つを含
    前記処理部は、検出対象の放射線が前記第1検出部に入射したときに前記第1検出部から得られる第1信号、及び、前記放射線が前記第2検出部に入射したときに前記第2検出部から得られる第2信号を取得可能であり、
    前記処理部は、前記第1信号及び前記第2信号に基づいて、前記放射線の強度に対応する検出信号を出力可能であり、
    前記第1接続部材の少なくとも一部、及び、前記第2接続部材の少なくとも一部の前記放射線に対する透過率は、90%以上であり、
    前記第1接続部材の前記少なくとも一部、及び、前記第2接続部材の前記少なくとも一部は、Al、Mg及びCよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、放射線検出器。
  2. 前記第1検出部は、第1シンチレータ層を含み、前記第1シンチレータ層は、前記第1有機検出層と前記第1層との間にあり、
    前記第2検出部は、第2シンチレータ層を含み、前記第2検出部が前記第2層を含む場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と前記第2層との間にあり、前記第2検出部が前記第2層を含まない場合は前記第2シンチレータ層は前記第2有機検出層と積層される、請求項1記載の放射線検出器。
  3. 前記第1信号及び前記第2信号の一方の信号、及び、前記第1信号と前記第2信号との差と、前記放射線の線量率と、に関して取得された第1情報と、前記一方の信号と、前記差と、に基づいて、前記処理部は、前記検出信号を導出する、請求項1または2に記載の放射線検出器。
  4. 前記放射線は、X線を含む、請求項1~3のいずれか1つに記載の放射線検出器。
  5. 前記第1検出部及び前記第2検出部を透過した前記放射線は、被照射体に入射する、請求項1~4のいずれか1つに記載の放射線検出器。
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