JPH03273687A - 放射線吸収材料および放射線検出器 - Google Patents
放射線吸収材料および放射線検出器Info
- Publication number
- JPH03273687A JPH03273687A JP2075217A JP7521790A JPH03273687A JP H03273687 A JPH03273687 A JP H03273687A JP 2075217 A JP2075217 A JP 2075217A JP 7521790 A JP7521790 A JP 7521790A JP H03273687 A JPH03273687 A JP H03273687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- atomic number
- radiation detector
- semiconductor
- semiconductor material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 title abstract 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 title abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims abstract description 6
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 22
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 101150098822 CD53 gene Proteins 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L mercury diiodide Chemical compound I[Hg]I YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、工業用非破壊検査装置、医療用診断装置等に
用いられる放射線吸収材料および放射線検出器に間する
ものである。
用いられる放射線吸収材料および放射線検出器に間する
ものである。
従来の技術
放射線検出器用の材料としては、一般にＳｉ、Ｇｅ、Ｃ
ｄＴｅ、ＨｇＩ２、ＧａＡｓなどの無機半導体を用いた
もの、Ｎａｌ、Ｇ ｄ Ｗ ０３などのシンチレータ材
料などが知られている。これらのうち、放射線を直接電
気信号に変換する半導体材料を用いた検出器の開発が望
まれている。
ｄＴｅ、ＨｇＩ２、ＧａＡｓなどの無機半導体を用いた
もの、Ｎａｌ、Ｇ ｄ Ｗ ０３などのシンチレータ材
料などが知られている。これらのうち、放射線を直接電
気信号に変換する半導体材料を用いた検出器の開発が望
まれている。
半導体材料を用いた放射線検出器としては、Ｓｉ、Ｇｅ
、ＣｄＴｅを用い、これらの半導体材料に金属によりオ
ーミック、またはショットーキ電極を形成したものが、
一般に用いられている。
、ＣｄＴｅを用い、これらの半導体材料に金属によりオ
ーミック、またはショットーキ電極を形成したものが、
一般に用いられている。
発明が解決しようとする課題
物質による放射線の吸収は、その物質の実効原子番号に
依存し、実効原子番号が大きくなるほど放射線の吸収が
大きくなる。また、放射線のエネルギーが高くなると、
吸収係数は小さくなる。
依存し、実効原子番号が大きくなるほど放射線の吸収が
大きくなる。また、放射線のエネルギーが高くなると、
吸収係数は小さくなる。
したがって、高エネルギーの放射線に対しては、現在の
半導体材料を用いた放射線検出器では、実効原子番号が
比較的小さいため、吸収が小さく、高い感度が得られな
い。
半導体材料を用いた放射線検出器では、実効原子番号が
比較的小さいため、吸収が小さく、高い感度が得られな
い。
本発明は、このような従来の課題を解決する放射線吸収
材料および放射線検出器を提供することを目的とする。
材料および放射線検出器を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
半導体材料中に実効原子番号の高い元素を分散させて放
射線吸収材料を構成する。
射線吸収材料を構成する。
また、この材料を利用して放射線検出器を構成する。
作用
本発明においては、入射した放射線は、半導体材料より
原子番号の大きい元素粒子と相互作用を起こし、高いエ
ネルギーを持った電子がその粒子から半導体に放出され
る。この高エネルギー電子がエネルギーを半導体中で失
う際に、電子−正孔対が生成される。
原子番号の大きい元素粒子と相互作用を起こし、高いエ
ネルギーを持った電子がその粒子から半導体に放出され
る。この高エネルギー電子がエネルギーを半導体中で失
う際に、電子−正孔対が生成される。
そして、この電子−正孔対が電極を通して印加される外
部電界により移動し、電極に誘導電荷を生ずる。この誘
導電荷による電気信号は良好な特性を示す。
部電界により移動し、電極に誘導電荷を生ずる。この誘
導電荷による電気信号は良好な特性を示す。
実施例
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１１Ｍに本発明の第１の実施例を示す。本実施例は放
射線吸収材料に間するものである。有機半導体ｌに実効
原子番号が７４のＷ粒子２を分散させたものである。有
機半導体ｌとしては、金属フタロシアニン化合物を用い
た。Ｗ粒子は実効原子番号が大きいため、高エネルギー
の放射線に対しても大きな吸収係数が得られる。たとえ
ば、１００ ｋｅＶのγ線にたいしては、Ｓｌにくらべ
て質量減弱係数は３倍大きくなる。有機半導体としては
、比較的移動度が大きい無金属フタロシアニン、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール／トリニト
ロフルオレノンなども用いることが出来る。また、分散
させる元素は、原子番号５０以上のものが望ましく、Ｗ
のほかにもＰｂ、Ｔａや、希土類金属などが用いられる
。これらの元素を数種類あわせて分散させてもよい。
射線吸収材料に間するものである。有機半導体ｌに実効
原子番号が７４のＷ粒子２を分散させたものである。有
機半導体ｌとしては、金属フタロシアニン化合物を用い
た。Ｗ粒子は実効原子番号が大きいため、高エネルギー
の放射線に対しても大きな吸収係数が得られる。たとえ
ば、１００ ｋｅＶのγ線にたいしては、Ｓｌにくらべ
て質量減弱係数は３倍大きくなる。有機半導体としては
、比較的移動度が大きい無金属フタロシアニン、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール／トリニト
ロフルオレノンなども用いることが出来る。また、分散
させる元素は、原子番号５０以上のものが望ましく、Ｗ
のほかにもＰｂ、Ｔａや、希土類金属などが用いられる
。これらの元素を数種類あわせて分散させてもよい。
第２図に、本発明の他の実施例を示す。本発明は半導体
材料として、無機半導体を用いた場合に間するものであ
る。半導体材料として、Ｃｄ５３を用い、分散元素はｐ
ｂ粒子４とした。無機半導体であるＣｄＳは有機半導体
より、移動度が大きく、有機半導体より厚い膜、大きな
面積を得ることができる。無機半導体材料としては、Ｃ
ｄＴｅ、ＧａＡｓ、Ｃａ５ｅ、 ＣｄＳｅ、 Ｓｉ
、 Ｇｅなどがある。無機半導体においても、放射線
を出来る限り吸収した方が感度は高くなるため、実効原
子番号の高い化合物半導体を用いるのがよい。分散させ
る元素としては、Ｐｂのほかに実施例１で述べた元素が
同様に適用できる。
材料として、無機半導体を用いた場合に間するものであ
る。半導体材料として、Ｃｄ５３を用い、分散元素はｐ
ｂ粒子４とした。無機半導体であるＣｄＳは有機半導体
より、移動度が大きく、有機半導体より厚い膜、大きな
面積を得ることができる。無機半導体材料としては、Ｃ
ｄＴｅ、ＧａＡｓ、Ｃａ５ｅ、 ＣｄＳｅ、 Ｓｉ
、 Ｇｅなどがある。無機半導体においても、放射線
を出来る限り吸収した方が感度は高くなるため、実効原
子番号の高い化合物半導体を用いるのがよい。分散させ
る元素としては、Ｐｂのほかに実施例１で述べた元素が
同様に適用できる。
第３図に本発明の放射線検出器の構造図を示す。
基板２０上のＷ粒子２を分散させた有機半導体ｌよりな
る放射線吸収材料１０の両面にＡｕ薄膜により電極５．
６を形成した。電極５．６は真空蒸着法により形成した
。また、有機半導体ｌとして、金属フタロシアニンを用
いた。なお、有機半導体および分散元素は実施例１で述
べた他の材料でも同様に構成できる。
る放射線吸収材料１０の両面にＡｕ薄膜により電極５．
６を形成した。電極５．６は真空蒸着法により形成した
。また、有機半導体ｌとして、金属フタロシアニンを用
いた。なお、有機半導体および分散元素は実施例１で述
べた他の材料でも同様に構成できる。
以上のような構造の放射線検出器の特性を第４図に示す
構成で測定した。電極５はプリアンプ７に接続されてお
り、また、この電極を通して有機半導体ｌに電圧を印加
した。電極６は接地した。
構成で測定した。電極５はプリアンプ７に接続されてお
り、また、この電極を通して有機半導体ｌに電圧を印加
した。電極６は接地した。
γ線８は電極５側から照射した。入射したγ線は、分散
させたＷ粒子と相互作用を起こし、高いエネルギーを持
った電子がＷ粒子から有機半導体に放出される。Ｗ粒子
は電子がＷ粒子内で吸収されない大きさにした。この高
エネルギー電子がエネルギーを有機半導体中で失う際に
、電子−正孔対が生成される。この電子−正孔対が電極
５．６を通して印加される外部電界により移動し、電極
に誘導電荷を生ずる。誘導電荷による電気信号はプリア
ンプ７により増幅され、さらにリニアアンプ１５、マル
チチャネルアナライザ１６に入力される。
させたＷ粒子と相互作用を起こし、高いエネルギーを持
った電子がＷ粒子から有機半導体に放出される。Ｗ粒子
は電子がＷ粒子内で吸収されない大きさにした。この高
エネルギー電子がエネルギーを有機半導体中で失う際に
、電子−正孔対が生成される。この電子−正孔対が電極
５．６を通して印加される外部電界により移動し、電極
に誘導電荷を生ずる。誘導電荷による電気信号はプリア
ンプ７により増幅され、さらにリニアアンプ１５、マル
チチャネルアナライザ１６に入力される。
２” Ａ ｖａによる６ ０ ｋｅＶのγ線にたいする
パルス波高分析の結果を第５図に示す。６０ ｋｅＶの
光子に対するパルスが明瞭に見られ、良好な特性を示す
ことがわかる。
パルス波高分析の結果を第５図に示す。６０ ｋｅＶの
光子に対するパルスが明瞭に見られ、良好な特性を示す
ことがわかる。
第６図に本発明の他の放射線検出器の構造図を示す。放
射線を半導体材料として無機半導体を用いた場合である
。無機半導体としては、吸収係数の比較的大きい化合物
半導体であるＣｄＴｅ１７を用いた。分散元素として、
原子番号８２のｐｂ粒子４を用いた。ＣｄＴｅ１７上に
ｐｔにより電極５．６を形成した。
射線を半導体材料として無機半導体を用いた場合である
。無機半導体としては、吸収係数の比較的大きい化合物
半導体であるＣｄＴｅ１７を用いた。分散元素として、
原子番号８２のｐｂ粒子４を用いた。ＣｄＴｅ１７上に
ｐｔにより電極５．６を形成した。
この構成の放射線検出器の電極に第７図に示すように波
高弁別回路１８を接続した。ｐｔ電極６には高圧電源が
、ｐｔ電極５にはプリアンプ７が接続される。
高弁別回路１８を接続した。ｐｔ電極６には高圧電源が
、ｐｔ電極５にはプリアンプ７が接続される。
プリアンプ出力はパルス波高弁別回路に人力され、パル
ス波高スペクトルを測定出来る。
ス波高スペクトルを測定出来る。
電極５．６間に管電圧８０ｋＶのＸ線１９を照射し、パ
ルス波高スペクトルを測定した。この結果、従来のＣｄ
Ｔｅのみの放射線検出器より、高エネルギー領域のカウ
ントの割合が増加し、入射Ｘ線スペクトルにより近い特
性が得られた。
ルス波高スペクトルを測定した。この結果、従来のＣｄ
Ｔｅのみの放射線検出器より、高エネルギー領域のカウ
ントの割合が増加し、入射Ｘ線スペクトルにより近い特
性が得られた。
同様の効果は実施例１．２で述べた他の材料でも得られ
た。
た。
本発明の他の実施例の放射線検出器を第８図に示す。本
実施例はマルチチャンネル型放射線検出器に間するもの
である。ｐｂ粒子を分散させた半導体材料からなる放射
線吸収材料１０の一方の面に共通電極１２、他の面に分
割電極１３が形成されている。各々の分割電極からは、
接続リードによってプリアンプに信号が送られ、放射線
を検出する。
実施例はマルチチャンネル型放射線検出器に間するもの
である。ｐｂ粒子を分散させた半導体材料からなる放射
線吸収材料１０の一方の面に共通電極１２、他の面に分
割電極１３が形成されている。各々の分割電極からは、
接続リードによってプリアンプに信号が送られ、放射線
を検出する。
分割電極１３と共通電極１２は、第９図に示すように半
導体材料１１の同一面に配置してもよい。
導体材料１１の同一面に配置してもよい。
本発明の他の実施例の放射線検出器を第１０図に示す。
基板２１上に電極２２と原子番号の高い元素を分散させ
た半導体材料２３を交互に積層した。
た半導体材料２３を交互に積層した。
電極２２は第８図に示すように１つおきに互いに接続し
た。このような構成により、高いエネルギーのγ線に対
してもより、多くのフォトンを吸収することができ、感
度が向上する。
た。このような構成により、高いエネルギーのγ線に対
してもより、多くのフォトンを吸収することができ、感
度が向上する。
次に、本発明の放射線検出器の製造方法を示す。
半導体材料として無金属フタロシアニンを、分散元素と
してＷを用いた場合について説明する。
してＷを用いた場合について説明する。
ガラス基板上に電極をＡｕの真空蒸着法により形とした
のち、無金属フタロシアニンとＷ粉末およびバインダー
としてテトラヒドロフラン溶媒を混合した溶液をガラス
基板上にスピンコーターまたは刷毛等により塗布し、こ
れをアニールする。この結果、基板上に無金属フタロシ
アニン中にＷ粒子２が分散した放射線吸収材料が形成で
きる。さらに、金属電極としてＡｕ電極を蒸着により構
成する。以上の方法により、半導体層が１層の放射線検
出器が形成される。本方法では、さらに放射線吸収材料
を同様の方法で容易に行なうことができ、積層型の放射
線検出器が構成できる。
のち、無金属フタロシアニンとＷ粉末およびバインダー
としてテトラヒドロフラン溶媒を混合した溶液をガラス
基板上にスピンコーターまたは刷毛等により塗布し、こ
れをアニールする。この結果、基板上に無金属フタロシ
アニン中にＷ粒子２が分散した放射線吸収材料が形成で
きる。さらに、金属電極としてＡｕ電極を蒸着により構
成する。以上の方法により、半導体層が１層の放射線検
出器が形成される。本方法では、さらに放射線吸収材料
を同様の方法で容易に行なうことができ、積層型の放射
線検出器が構成できる。
無機半導体材料に原子番号の大きい元素を分散させた放
射線吸収材料の場合も同様に、無機半導材料の溶媒中に
元素粉末を混合させ、スクリーン印刷などにより基板に
塗布した後、焼結したのち電極を構成することが出来る
。
射線吸収材料の場合も同様に、無機半導材料の溶媒中に
元素粉末を混合させ、スクリーン印刷などにより基板に
塗布した後、焼結したのち電極を構成することが出来る
。
発明の詳細
な説明したように、本発明は、半導体材料中に半導体材
料より原子番号の大きい元素が少なくとも１種類分散さ
れているので、放射線に対して吸収の大きい放射線吸収
材料が得られる。
料より原子番号の大きい元素が少なくとも１種類分散さ
れているので、放射線に対して吸収の大きい放射線吸収
材料が得られる。
また、この材料を用いることにより高いエネルギーの放
射線にまで、感度の高い放射線検出器を得ることが出来
た。
射線にまで、感度の高い放射線検出器を得ることが出来
た。
第１図は本発明の第１の実施例の放射線吸収材料の構造
を示す断面図、第２図は本発明の第２の実施例の放射線
吸収材料の構造を示す描図、第３図は本発明の第３の実
施例の放射線検出器を示す断面図、第４図は本発明の特
性測定系の構成を示す断面図、第５図は本発明の一実施
例にかかる放射線検出器のパルス波高分析を示すグラフ
、第６図は本発明の第４の実施例の放射線検出器を示す
断面図、第７図は本発明の他の測定系の構成を示す断面
図、第８図は本発明の他の放射線検出器を示す断面図、
第９図は本発明の他の放射線検出器を示す斜視図、第１
０図は本発明の他の放射線検出器を示す断面図である。 ｌ・・・有機半導体、２・・・元素（Ｗ粒子）、３・・
・ＣｄＳ、 ４・・・ｐｂ粒子、 ５、６・・・電極
、 １０・・・放射線吸収材料、８・・・γ線、７・・
・プリアンプ、１２・・・共通電極、１３・・・分割電
極、１５・・・リニアアンプ、１６・・・マルチチャネ
ルアナライザ、１７・・・ＣｄＴｅ、１８・・・波高弁
別回路、１９・・・Ｘ線、２０・・・基板。
を示す断面図、第２図は本発明の第２の実施例の放射線
吸収材料の構造を示す描図、第３図は本発明の第３の実
施例の放射線検出器を示す断面図、第４図は本発明の特
性測定系の構成を示す断面図、第５図は本発明の一実施
例にかかる放射線検出器のパルス波高分析を示すグラフ
、第６図は本発明の第４の実施例の放射線検出器を示す
断面図、第７図は本発明の他の測定系の構成を示す断面
図、第８図は本発明の他の放射線検出器を示す断面図、
第９図は本発明の他の放射線検出器を示す斜視図、第１
０図は本発明の他の放射線検出器を示す断面図である。 ｌ・・・有機半導体、２・・・元素（Ｗ粒子）、３・・
・ＣｄＳ、 ４・・・ｐｂ粒子、 ５、６・・・電極
、 １０・・・放射線吸収材料、８・・・γ線、７・・
・プリアンプ、１２・・・共通電極、１３・・・分割電
極、１５・・・リニアアンプ、１６・・・マルチチャネ
ルアナライザ、１７・・・ＣｄＴｅ、１８・・・波高弁
別回路、１９・・・Ｘ線、２０・・・基板。
Claims (9)
- （１）半導体材料中に前記半導体材料より原子番号の大
きい元素が少なくとも１種類分散されていることを特徴
とする放射線吸収材料。 - （２）半導体材料が無機半導体材料より構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の放射線吸収材料。 - （３）半導体材料が有機半導体材料より構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の放射線吸収材料。 - （４）有機半導体材料がフタロシアニン化合物、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール／トリニト
ロフルオレノンの少なくとも一種類より構成されること
を特徴とする請求項３記載の放射線吸収材料。 - （５）無機半導体材料が、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ
ＧａＳｅ、ＣｄＳｅ、Ｓｉ、Ｇｅの少なくとも一種類か
ら構成されることを特徴とする請求項２記載の放射線吸
収材料。 - （６）放射線吸収材料と、前記放射線吸収材料の表面に
取り付けられた少なくとも一対の電極対とを備えたこと
を特徴とする放射線検出器。 - （７）電極対が同一平面上にあることを特徴とする請求
項６記載の放射線検出器。 - （８）電極対が前記放射線吸収材料の異なる表面上にあ
ることを特徴とする請求項６記載の放射線検出器。 - （９）放射線吸収材料と前記電極対が複数積層されてい
ることを特徴とする請求項６、７又は８記載の放射線検
出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2075217A JPH03273687A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 放射線吸収材料および放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2075217A JPH03273687A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 放射線吸収材料および放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03273687A true JPH03273687A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13569829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2075217A Pending JPH03273687A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 放射線吸収材料および放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03273687A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001094980A1 (en) * | 2000-06-03 | 2001-12-13 | The University Of Liverpool | Ionising radiation detector comprising polymer semiconductor material |
| US6507026B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar X-ray detector |
| US7081210B2 (en) * | 2002-04-22 | 2006-07-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic semiconductor composition |
| JP2010527453A (ja) * | 2007-05-15 | 2010-08-12 | エアロフレックス コロラド スプリングス インコーポレイテッド | エネルギーに対して感度を有する、直接変換型放射線検出器 |
| JP2018091680A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
| JP2018105864A (ja) * | 2016-12-23 | 2018-07-05 | 同方威視技術股▲分▼有限公司 | デュアル・エネルギー検出器及び放射線検査システム |
| JP2018146336A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
| US10209373B2 (en) | 2017-01-20 | 2019-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photodetector and detection device |
-
1990
- 1990-03-22 JP JP2075217A patent/JPH03273687A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507026B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar X-ray detector |
| WO2001094980A1 (en) * | 2000-06-03 | 2001-12-13 | The University Of Liverpool | Ionising radiation detector comprising polymer semiconductor material |
| US7081210B2 (en) * | 2002-04-22 | 2006-07-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic semiconductor composition |
| JP2010527453A (ja) * | 2007-05-15 | 2010-08-12 | エアロフレックス コロラド スプリングス インコーポレイテッド | エネルギーに対して感度を有する、直接変換型放射線検出器 |
| JP2018091680A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
| JP2018105864A (ja) * | 2016-12-23 | 2018-07-05 | 同方威視技術股▲分▼有限公司 | デュアル・エネルギー検出器及び放射線検査システム |
| US10386502B2 (en) | 2016-12-23 | 2019-08-20 | Nuctech Company Limited | Dual energy detector and radiation inspection system |
| US10209373B2 (en) | 2017-01-20 | 2019-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photodetector and detection device |
| JP2018146336A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2309097C (en) | A method and a device for planar beam radiography and a radiation detector | |
| US6316773B1 (en) | Multi-density and multi-atomic number detector media with gas electron multiplier for imaging applications | |
| US6333504B1 (en) | Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection | |
| US6069360A (en) | Method and apparatus for electron-only radiation detectors from semiconductor materials | |
| US20080283764A1 (en) | Energy sensitive direct conversion radiation detector | |
| US3890506A (en) | Fast response time image tube camera | |
| CA2615827A1 (en) | Method and apparatus for single-polarity charge sensing for semiconductor radiation detectors deposited by physical vapor deposition techniques | |
| Mainprize et al. | Direct conversion detectors: The effect of incomplete charge collection on detective quantum efficiency | |
| US6556650B2 (en) | Method and a device for radiography and a radiation detector | |
| AU2001242943A1 (en) | A method and a device for radiography and a radiation detector | |
| JPH03273687A (ja) | 放射線吸収材料および放射線検出器 | |
| RU2248013C2 (ru) | Детектор на основе множества плотностей и множества атомных чисел с газовым электронным умножителем для формирования изображения | |
| Tsutsui et al. | Fabrication and characteristics of a submillimeter detector element formed on a CdTe single-crystal wafer as a multichannel detector array applicable to diagnostic imaging with energy information | |
| Tsutsui et al. | X-ray energy separation method using a CdTe semiconductor X-ray imaging sensor and photon counting method | |
| Rossington et al. | A direct comparison of Ge and Si (Li) detectors in the 2-20 keV range | |
| Schieber et al. | Evaluation of mercuric iodide ceramic semiconductor detectors | |
| WO2002067271A2 (en) | Imaging systems and particle detectors using silicon enriched by heavier elements | |
| Iwanczyk | Advances in room-temperature solid-state gamma-ray spectrometry | |
| Schieber et al. | Polycrystalline mercuric iodide detectors | |
| JP2561468B2 (ja) | 放射線検出器 | |
| Glasser et al. | X-ray imaging performances of a 2D hybrid cadmium telluride structure | |
| Ohtsuchi et al. | Evaluation of K X-ray escape and crosstalk in CdTe detectors and multi-channel detectors | |
| Allison | Cadmium telluride matrix gamma camera | |
| CA2507684A1 (en) | Amorphous selenium detector for tomotherapy and other image-guided radiotherapy systems | |
| Olschner | Silicon drift photodiode array detectors |