JP2018101753A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態の発光装置(100)は、赤色発光する第1発光素子(20R)と、緑色発光する第2発光素子(20G)と、青色発光する第3発光素子(20B)と、前記第3発光素子(20B)の光を吸収して発光する波長変換物質(30)を含み、前記第1乃至第3発光素子(20R,20G,20B)を覆う透光性部材(40)と、を備え、前記第1発光素子(20R)、前記第2発光素子(20G)、及び第3発光素子(20B)が直列接続されており、同一順電流値における前記第3発光素子(20B)の放射束が前記第1発光素子(20R)の放射束及び前記第2発光素子(20G)の放射束より大きく、前記波長変換物質(30)が緑色乃至赤色発光する蛍光体であることを特徴とする。
【選択図】図1A
Description
図1Aは、実施の形態1に係る発光装置100の概略上面図である。図1Bは、図1AのA−A断面における概略断面図である。図1Cは、発光装置100における波長変換物質の構成の別の例を示す概略断面図である。図1Dは、発光装置100の概略下面図である。
図2Aは、実施の形態2に係る発光装置200の概略上面図である。図2Bは、図2AのB−B断面における概略断面図である。図2Cは、発光装置200の概略下面図である。
発光装置100,200は、例えば、発光ダイオード(LED)である。発光装置100,200は、外部接続端子の配置によって、上面発光型(「トップビュー型」とも呼ばれる)にすることも、側面発光型(「サイドビュー型」とも呼ばれる)にすることもできる。上面発光型の発光装置は、実装方向と主発光方向が互いに平行である。側面発光型の発光装置は、実装方向と主発光方向が互いに垂直である。上記実施の形態1,2の発光装置100,200は、上面発光型であって、下方が実装方向となっている。発光装置100,200の上面視形状は、適宜選択できるが、矩形状が量産性において好ましい。また、正方形状でもよいが、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bの配置を考慮すれば、長手方向と短手方向を有する長方形状が好ましい。その場合、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bの並置方向を長手方向とするのが良い。
基体10は、主として、パッケージ又は配線基板である。基体10は、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bを収容する凹部を有してもよいし、平板状でもよい。凹部の上面視形状は、矩形、角が丸みを帯びた矩形、円形、楕円形などが挙げられる。なかでも、凹部の上面視形状は、凹部開口が大きく設けられやすく、発光素子及び波長変換物質の光を効率良く取り出しやすい、矩形状又は角が丸みを帯びた矩形状であることが好ましい。凹部の側壁面は、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20B及び波長変換物質30の光を効率良く取り出すために、底面から開口側に向かって口径が大きくなるように傾斜(湾曲を含む)していることが好ましい。凹部の側壁面の傾斜角は、適宜選択できるが、凹部底面から95°以上135°以下が好ましく、100°以上120°以下がより好ましい。凹部の深さは、適宜選択できるが、0.1mm以上1mm以下が好ましく、0.25mm以上0.5mm以下がより好ましい。
第1リード電極11a及び第2リード電極11cは、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bに導電可能な金属部材(ここでいう「金属」は合金を含む)を用いることができる。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、パラジウム、クロム、チタン、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、若しくはこれらの合金、又は燐青銅、鉄入り銅などが挙げられる。第1リード電極11a及び第2リード電極11cの諸形状は、上記金属の板材(母体)に、プレス、圧延、エッチングなどの加工を施すことで形成することができる。また、その表面に、銀、アルミニウム、ロジウム又はこれらの合金などの光反射膜が設けられていてもよく、なかでも光反射性に優れる銀又は銀合金が好ましい。なお、第1リード電極11a及び第2リード電極11cは、配線基板の配線であってもよい。この場合の第1リード電極11a及び第2リード電極11cは、めっき、スパッタ、蒸着、印刷、コファイア法、ポストファイア法などにより形成することができる。
第1配線膜13a,第2配線膜13c,第3配線膜13eは、上記第1リード電極11a及び第2リード電極11cと同じ金属部材を用いることができる。第1配線膜13a,第2配線膜13c,第3配線膜13eは、単層膜でもよいが、多層膜であることが好ましい。多層膜の例としては、ニッケル/金、ニッケル/パラジウム/金、ニッケル/パラジウム/金/銀などが挙げられる。第1配線膜13a,第2配線膜13c,第3配線膜13eは、めっき、スパッタ、蒸着、印刷などにより形成することができる。
樹脂成形体15,17の母材は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、以下に示す樹脂は、その変性樹脂(ハイブリッド樹脂を含む)も含むものとする。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステルのうちのいずれか1つが好ましい。熱可塑性樹脂としては、脂肪族ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリフタルアミド樹脂、ポリシクロへキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂などが挙げられる。なかでも、芳香族ポリフタルアミド樹脂、脂肪族ポリアミド樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート、ポリシクロへキシレンジメチレンテレフタレートのうちのいずれか1つが好ましい。また、これらの母材中に、充填剤(強化繊維を含む)又は着色顔料として、ガラス、酸化珪素、酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、ワラストナイト、マイカ、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、炭化珪素、酸化アンチモン、スズ酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラックなどの粒子又は繊維を混入させることができる。なかでも、充填剤として酸化珪素を、着色顔料(反射材)として酸化チタン又は酸化亜鉛を用いることが好ましい。樹脂成形体15,17中の着色顔料の含有量は、適宜選択でき、樹脂成形体15,17の光学的機能の観点では多いほうが良いが、流動性への影響を考慮して、20wt%以上70wt%以下が好ましく、30wt%以上60wt%以下がより好ましい。なお、「wt%」は、重量パーセントであり、全構成材料の総重量に対する当該材料の重量の比率を表す。樹脂成形体15,17は、前方への光取り出し効率の観点から、第3発光素子20Bの発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがよりいっそう好ましい。さらに、樹脂成形体15,17は、白色であることが好ましい。樹脂成形体15,17は、硬化若しくは固化前には流動性を有する状態つまり液状(ゾル状又はスラリー状を含む)を経る。樹脂成形体15,17は、トランスファ成形又は射出成形により成形することができる。なお、基体10が配線基板である場合の母体の材料としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム若しくはこれらの混合物を含むセラミックス、又はエポキシ樹脂、BTレジン、ポリイミド樹脂などの樹脂若しくはこれらの繊維強化樹脂(強化繊維はガラスなど)が挙げられる。
第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bは、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を用いることができる。第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bは、種々の半導体で構成される素子構造と、正負一対の電極と、を有するものであればよい。第1発光素子20Rは、砒化ガリウム乃至燐化ガリウム系半導体の発光素子が好ましい。砒化ガリウム乃至燐化ガリウム系半導体は、可視域における長波長の高効率発光が可能である。第1発光素子20Rの発光ピーク波長は、適宜選択できるが、620nm以上660nm以下が好ましく、620nm以上640nm以下がより好ましい。第1発光素子20Rの上面視における大きさは、第2発光素子20G及び第3発光素子20Bより小さいことが多い。また、同一順電流値における第1発光素子20Rの順電圧は、第2発光素子20Gの順電圧及び第3発光素子20Bの順電圧より小さいことが多い。第2発光素子20G及び第3発光素子20Bは、窒化ガリウム系半導体(InxAlyGa1−x−yN、0<x、0<y、x+y<1)の発光素子が好ましい。窒化ガリウム系半導体は、可視域における短波長の高効率発光が可能である。第2発光素子20Gの発光ピーク波長は、適宜選択できるが、520nm以上560nm以下が好ましく、540nm以上560nm以下がより好ましい。第3発光素子20Bの発光ピーク波長は、適宜選択できるが、435nm以上465nm以下が好ましく、440nm以上460nm以下がより好ましい。第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bは、多くの場合、基板を有する。基板は、透光性であることが好ましいが、これに限定されない。基板の母材としては、サファイア、スピネル、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、砒化ガリウム、燐化ガリウム、燐化インジウム、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bは、正負一対の電極が同一面側に設けられている場合、各電極をワイヤでリード電極と接続する「フェイスアップ実装」を採用することができる。また、各電極を導電性の接着部材でリード電極と接着する「フェイスダウン(フリップチップ)実装」を採用することもできる。正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられている対向電極構造の場合、下面電極が導電性の接着部材でリード電極に接着され、上面電極がワイヤでリード電極と接続される。
波長変換物質30は、第3発光素子20Bが発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色光)を発する発光装置とすることができる。波長変換物質30は、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
第1蛍光体30Rは、赤色発光する。第1蛍光体30Rの発光ピーク波長は、適宜選択できるが、620nm以上660nm以下が好ましく、620nm以上640nm以下がより好ましい。具体的には、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)などが挙げられる。また、マンガン賦活フッ化物蛍光体(一般式A2[M1−aMnaF6]で表される蛍光体(但し、上記一般式中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH4からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が可能であり、色再現性の観点において好ましい。このマンガン賦活フッ化物蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばK2SiF6:Mn)がある。
第2蛍光体30Gは、緑色発光する。第2蛍光体30Gの発光ピーク波長は、適宜選択できるが、520nm以上560nm以下が好ましく、540nm以上560nm以下がより好ましい。具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY3(Al,Ga)5O12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu3(Al,Ga)5O12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb3(Al,Ga)5O12:Ce)系蛍光体、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)2SiO4:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCa8Mg(SiO4)4Cl2:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6−zAlzOzN8−z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa2S4:Eu)などが挙げられる。
第3蛍光体30Yは、黄色発光する。具体的には、αサイアロン系蛍光体(例えばMz(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)などが挙げられる。このほか、上記第2蛍光体30Gの中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光体もある。
透光性部材40,42は、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bを覆い、これらが発する光を装置外部へ透過させる部材である。透光性部材40,42は、電気的絶縁性を有し、第1発光素子20R、第2発光素子20G、第3発光素子20B、及び波長変換物質30が発する光に対して透光性(第3発光素子20Bの発光ピーク波長における光透過率が60%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましく、80%以上であることがよりいっそう好ましい)を有する部材であればよい。実施の形態1の透光性部材40は、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bを、封止して、埃や水分、外力などから保護する封止部材でもある。
ワイヤ50は、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bの電極どうし、又はこれら発光素子の電極とリード電極と、を接続する導線である。また、ワイヤ50は、保護素子70の電極と、リード電極と、の接続にも用いることができる。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム又はこれらの合金の金属線(ここでいう「金属」は合金を含む)を用いることができる。特に、透光性部材40からの応力による破断が生じにくく、熱抵抗などに優れる金線又は金合金線が好ましい。また、光反射性を高めるために、少なくとも表面が銀又は銀合金で構成されていてもよい。ワイヤ50の線径は、適宜選択できるが、5μm以上50μm以下が好ましく、10μm以上40μm以下がより好ましく、15μm以上30μm以下がよりいっそう好ましい。
接着部材60,65は、第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bをリード電極に接着する部材である。接着部材65は、保護素子70のリード電極への接着にも用いることができる。電気的絶縁性の接着部材60は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、又はこれらの変性樹脂(ハイブリッド樹脂を含む)などを用いることができる。導電性の接着部材65は、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストのほか、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系の半田などを用いることができる。
保護素子70は、静電気、高電圧サージなどから第1発光素子20R、第2発光素子20G、及び第3発光素子20Bを保護するための素子である。具体的な保護素子70としては、例えばツェナーダイオードが挙げられる。保護素子70は、必ずしも要るとは限らず、発光装置に要求される信頼性に応じて備えられればよい。
突起電極80は、バンプ又はピラーなどとも呼ばれる。突起電極80は、金属又は合金の小片で構成することができる。具体的には、例えば、金、銀、銅、鉄、錫、白金、亜鉛、ニッケル、アルミニウム、タングステン、又はこれらの合金が挙げられる。なかでも、銅は、熱伝導性に優れ、比較的安価であるため、銅又は銅合金が特に好適である。また、金は、また化学的に安定であり表面酸化が少なく接合しやすい性質を有するため、金又は金合金も好ましい。突起電極80は、接合性の観点から、表面に金又は銀などの被膜を有してもよい。
実施例1の発光装置は、図1A,1B,1Dに示す例の発光装置100の構造を有する、略直方体状の上面発光型且つ表面実装型の発光ダイオードである。
11a…第1リード電極、11c…第2リード電極
13a…第1配線膜、13c…第2配線膜、13e…第3配線膜
15,17…樹脂成形体
20R…第1発光素子(赤色発光の発光素子)
20G…第2発光素子(緑色発光の発光素子)
20B…第3発光素子(青色発光の発光素子)
30…波長変換物質
30R…赤色発光の蛍光体(第1蛍光体)
30G…緑色発光の蛍光体(第2蛍光体)
30Y…黄色発光の蛍光体(第3蛍光体)
40,42…透光性部材
50…ワイヤ
60,65…接着部材
70…保護素子
80…突起電極
100,200…発光装置
Claims (6)
- 赤色発光する第1発光素子と、
緑色発光する第2発光素子と、
青色発光する第3発光素子と、
前記第3発光素子の光を吸収して発光する波長変換物質を含み、前記第1乃至第3発光素子を覆う透光性部材と、を備え、
前記第1発光素子、前記第2発光素子、及び第3発光素子が直列接続されており、
同一順電流値における前記第3発光素子の放射束が前記第1発光素子の放射束及び前記第2発光素子の放射束より大きく、
前記波長変換物質が緑色乃至赤色発光する蛍光体である、発光装置。 - 同一順電流値における、前記第3発光素子の放射束が前記第2発光素子の放射束より大きく、且つ前記第2発光素子の放射束が前記第1発光素子の放射束より大きく、
前記波長変換物質が、赤色発光する蛍光体であるか、又は赤色発光する蛍光体と緑色発光する蛍光体の組み合わせであるか、又は黄色発光する蛍光体である、請求項1に記載の発光装置。 - 同一順電流値における、前記第3発光素子の放射束が前記第1発光素子の放射束より大きく、且つ前記第1発光素子の放射束が前記第2発光素子の放射束より大きく、
前記波長変換物質が、緑色発光する蛍光体であるか、又は赤色発光する蛍光体と緑色発光する蛍光体の組み合わせであるか、又は黄色発光する蛍光体である、請求項1に記載の発光装置。 - 前記赤色発光する蛍光体が、マンガン賦活フッ化物蛍光体である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子、前記第3発光素子、前記第2発光素子が、この記載順に並置されている、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 第1リード電極と第2リード電極を備え、
前記第1発光素子が前記第1リード電極に載置され、前記第2発光素子及び前記第3発光素子が前記第2リード電極に載置されている、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019107385A1 (ja) | 2017-11-28 | 2019-06-06 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 新規微細藻類、及びその使用 |
US20220187660A1 (en) * | 2019-03-29 | 2022-06-16 | Sony Group Corporation | Light Emitting Device, Display, And Electronic Apparatus |
US11749777B2 (en) | 2019-04-27 | 2023-09-05 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light-emitting module |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI800538B (zh) * | 2018-10-08 | 2023-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
CN109669297A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-23 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
CN111463193B (zh) * | 2019-01-21 | 2021-11-12 | 光宝光电(常州)有限公司 | 芯片级发光二极管封装结构 |
JP7231450B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2023-03-01 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
CN110119225B (zh) * | 2019-05-20 | 2022-05-10 | 业成科技(成都)有限公司 | 触控面板 |
EP4124793A1 (en) * | 2021-07-28 | 2023-02-01 | Chongyi Jingyi Lighting Products Co., Ltd. | Led lamp manufactured by injection molding process |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114854A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置 |
JP2007043179A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 光発生ユニット、それを有する表示装置及びそれの駆動方法 |
JP2008028384A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード封止構造 |
JP2008041699A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Showa Denko Kk | Ledパッケージ |
JP2008172152A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造 |
JP2008300386A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Iwatani Internatl Corp | 半導体発光装置 |
JP2009016153A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Yohohama Electron Kk | 照明用ledランプ |
WO2009069671A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Nichia Corporation | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010212508A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sony Corp | 発光素子実装用パッケージ、発光装置、バックライトおよび液晶表示装置 |
US20110089810A1 (en) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | Intematix Technology Center Corp. | Light Emitting Diode Apparatus and Manufacturing Method Thereof |
JP2011249807A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びこれを含むライトユニット |
WO2012046661A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光装置、及び表示装置 |
JP2012527088A (ja) * | 2009-05-15 | 2012-11-01 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | モジュール式led照明電球 |
JP2014232826A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 亞徳光機股▲ふん▼有限公司 | 発光デバイス |
JP2015233048A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 船井電機株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002329587A (ja) | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledランプ |
JP5192811B2 (ja) | 2004-09-10 | 2013-05-08 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ |
JP2007207834A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード光源 |
KR100828891B1 (ko) | 2006-02-23 | 2008-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | Led 패키지 |
JP5220381B2 (ja) | 2007-10-16 | 2013-06-26 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置 |
JP4780203B2 (ja) | 2009-02-10 | 2011-09-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5506531B2 (ja) | 2010-05-13 | 2014-05-28 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6107510B2 (ja) | 2013-07-25 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
KR20150064463A (ko) | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 이를 광원으로 갖는 표시장치 |
-
2016
- 2016-12-21 JP JP2016248524A patent/JP6583247B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-20 US US15/848,695 patent/US10014449B1/en active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114854A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置 |
JP2007043179A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 光発生ユニット、それを有する表示装置及びそれの駆動方法 |
JP2008028384A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード封止構造 |
JP2008041699A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Showa Denko Kk | Ledパッケージ |
JP2008172152A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造 |
JP2008300386A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Iwatani Internatl Corp | 半導体発光装置 |
JP2009016153A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Yohohama Electron Kk | 照明用ledランプ |
WO2009069671A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Nichia Corporation | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010212508A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sony Corp | 発光素子実装用パッケージ、発光装置、バックライトおよび液晶表示装置 |
JP2012527088A (ja) * | 2009-05-15 | 2012-11-01 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | モジュール式led照明電球 |
US20110089810A1 (en) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | Intematix Technology Center Corp. | Light Emitting Diode Apparatus and Manufacturing Method Thereof |
JP2011249807A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びこれを含むライトユニット |
WO2012046661A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光装置、及び表示装置 |
JP2014232826A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 亞徳光機股▲ふん▼有限公司 | 発光デバイス |
JP2015233048A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 船井電機株式会社 | 発光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019107385A1 (ja) | 2017-11-28 | 2019-06-06 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 新規微細藻類、及びその使用 |
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