JP2018096702A - ガスセンサ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】内側電極における軸線方向の長さの均一性を向上させる
【解決手段】ガスセンサ素子の製造方法では、内側電極となるスラリーを注入するためのノズル131を、ノズル131の一端131bが、素子本体21の内部空間Siに位置するように設置する。また、この製造方法では、素子本体21の内部空間Siに注入されたスラリーを吸引するためのノズル132を、ノズル132の一端132bが、内側電極における後端側の端部の高さと一致する位置、または、素子本体21の後端側に形成された開口部に位置するように設置する。また、この製造方法では、ノズル131から素子本体21の内部空間Siへスラリーを注入する。また、素子本体21の内部空間Siに注入されたスラリーをノズル132から吸引する。
【選択図】図7
【解決手段】ガスセンサ素子の製造方法では、内側電極となるスラリーを注入するためのノズル131を、ノズル131の一端131bが、素子本体21の内部空間Siに位置するように設置する。また、この製造方法では、素子本体21の内部空間Siに注入されたスラリーを吸引するためのノズル132を、ノズル132の一端132bが、内側電極における後端側の端部の高さと一致する位置、または、素子本体21の後端側に形成された開口部に位置するように設置する。また、この製造方法では、ノズル131から素子本体21の内部空間Siへスラリーを注入する。また、素子本体21の内部空間Siに注入されたスラリーをノズル132から吸引する。
【選択図】図7
Description
本開示は、固体電解質体を用いて有底筒状に形成された素子本体を備えるガスセンサ素子の製造方法に関する。
特許文献1のように、固体電解質体を用いて軸線方向に延びて先端が閉じた有底筒状に形成された素子本体内に電極ペーストを注入する工程と、素子本体の内面に付着した電極ペーストを残して素子本体内から電極ペーストを吸引する工程とを備えたガスセンサ素子の製造方法が知られている。
特許文献1に記載された方法で、素子本体の内表面に配置された内側電極を形成する場合には、内側電極における軸線方向の長さを、電極ペーストの重量で管理している。しかし、電極ペーストの粘度が変化すると、素子本体の内部空間に注入された電極ペーストの深さも変化し、これにより、内側電極における軸線方向の長さが変化してしまう恐れがあった。
本開示は、内側電極における軸線方向の長さの均一性を向上させる技術を提供することを目的とする。
本開示の一態様は、固体電解質体を用いて軸線方向に延びて先端が閉じた有底筒状に形成された素子本体と、素子本体の内表面に配置された内側層とを備えるガスセンサ素子の製造方法である。
そして、本開示のガスセンサ素子の製造方法は、注入ノズル設置工程と、吸引ノズル設置工程と、注入工程と、吸引工程とを備える。
注入ノズル設置工程は、内側層となるスラリーを注入するための注入ノズルを、注入ノズルの一端が、軸線方向から見たときに素子本体の後端に形成された開口部と重なるように設置する。
注入ノズル設置工程は、内側層となるスラリーを注入するための注入ノズルを、注入ノズルの一端が、軸線方向から見たときに素子本体の後端に形成された開口部と重なるように設置する。
吸引ノズル設置工程は、素子本体の内部空間に注入されたスラリーを吸引するための吸引ノズルを、吸引ノズルの一端が、素子本体の内部空間における予め設定された設定位置、または、開口部に位置するように設置する。
注入工程は、注入ノズルから素子本体の内部空間へスラリーを注入する。吸引工程は、注入工程中に素子本体の内部空間に注入されたスラリーを吸引ノズルから吸引する。
このように構成された本開示のガスセンサ素子の製造方法では、注入ノズルから素子本体の内部空間に注入されたスラリーが、吸引ノズルの一端が位置する設定位置または開口部まで溜まると、吸引ノズルにより吸引されるため、設定位置または開口部を超えてスラリーが溜まるのを抑制することができる。このため、本開示のガスセンサ素子の製造方法は、内側層における軸線方向の長さの均一性を向上させることができる。
このように構成された本開示のガスセンサ素子の製造方法では、注入ノズルから素子本体の内部空間に注入されたスラリーが、吸引ノズルの一端が位置する設定位置または開口部まで溜まると、吸引ノズルにより吸引されるため、設定位置または開口部を超えてスラリーが溜まるのを抑制することができる。このため、本開示のガスセンサ素子の製造方法は、内側層における軸線方向の長さの均一性を向上させることができる。
そして、本開示の一態様では、注入工程は、更に、吸引ノズルがスラリーを吸引しているか否かを判断するようにしてもよい。これにより、本開示のガスセンサ素子の製造方法は、注入ノズルから素子本体の内部空間に注入されたスラリーが設定位置または開口部まで溜まったか否かを検出することができる。
また、本開示の一態様では、注入工程は、吸引ノズルがスラリーを吸引していると判断した時点から、予め設定された継続時間が経過した後に、注入ノズルによるスラリーの注入を終了するようにしてもよい。
これにより、本開示のガスセンサ素子の製造方法は、吸引ノズルがスラリーを吸引していると判断した後に注入ノズルから排出されたスラリーが素子本体の内表面で吸われる時間を確保して、内側電極の膜厚のばらつきを抑制することができる。また、素子本体の内表面にスラリーが吸われることによる液面低下を抑制することができる。
また、本開示の一態様では、注入ノズルの一端は、吸引ノズルの一端と軸線方向に対して同位置、または、吸引ノズルの一端よりも素子本体の先端に近い位置に設置されているようにしてもよい。
これにより、本開示のガスセンサ素子の製造方法では、注入ノズルの一端から排出されて落下しているスラリーが、吸引ノズルの一端に掛かって吸引ノズルに吸引されてしまうという事態の発生を抑制することができる。すなわち、本開示のガスセンサ素子の製造方法は、吸引ノズルの一端が位置する高さまでスラリーが溜まっていないにも関わらず、吸引ノズルの一端が位置する高さまでスラリーが溜まったと判断してしまうという事態の発生を抑制することができ、スラリーの液面高さの制御をより確実に行うことができる。
以下に本開示の実施形態を図面とともに説明する。
本実施形態のガスセンサ1は、例えば自動車およびオートバイ等の車両の排気管に取り付けられ、排気管内の排気ガスに含まれる酸素濃度を検出する。
本実施形態のガスセンサ1は、例えば自動車およびオートバイ等の車両の排気管に取り付けられ、排気管内の排気ガスに含まれる酸素濃度を検出する。
ガスセンサ1は、図1に示すように、ガスセンサ素子3、セパレータ5、閉塞部材7、端子金具9およびリード線11を備える。さらにガスセンサ1は、主体金具13と、プロテクタ15と、外筒16とを備えている。主体金具13、プロテクタ15および外筒16は、ガスセンサ素子3、セパレータ5および閉塞部材7の周囲を覆うように配置される。なお、外筒16は、内側外筒17および外側外筒19を備えている。
ガスセンサ1は、ガスセンサ素子3を加熱するためのヒータを備えていない。すなわち、ガスセンサ1は、排気ガスの熱を利用してガスセンサ素子3を活性化して酸素濃度を検出する。
ガスセンサ素子3は、酸素イオン伝導性を有する固体電解質体を用いて形成されている。ガスセンサ素子3は、図2に示すように、先端部25が閉塞された有底筒形状であり、軸線Oの方向(以下、軸線方向)に延びる円筒状の素子本体21を有している。この素子本体21の外周には、周方向に沿って径方向外向きに突出した素子鍔部23が形成されている。
なお、素子本体21を構成する固体電解質体は、ジルコニア(ZrO2)に安定化剤としてイットリア(Y2O3)またはカルシア(CaO)を添加してなる部分安定化ジルコニア焼結体を用いて構成されている。素子本体21を構成する固体電解質体は、これらに限られることはなく、「アルカリ土類金属の酸化物とZrO2との固溶体」、「希土類金属の酸化物とZrO2との固溶体」などを用いてもよい。さらには、これらにHfO2が含有されたものを、素子本体21を構成する固体電解質体として用いてもよい。
ガスセンサ素子3の先端部25には、素子本体21の外周面に外側電極27が形成されている。外側電極27は、PtあるいはPt合金を多孔質に形成したものである。
素子鍔部23の先端側(すなわち、図2の下方)には、Pt等で形成された環状の環状リード部28が形成されている。
素子鍔部23の先端側(すなわち、図2の下方)には、Pt等で形成された環状の環状リード部28が形成されている。
素子本体21の外周面のうち外側電極27と環状リード部28との間には、Pt等で形成された縦リード部29が軸線方向に延びるように形成されている。縦リード部29は、外側電極27と環状リード部28とを電気的に接続している。
また、図1に示すように、ガスセンサ素子3の内周面には、内側電極30が形成されている。内側電極30は、希土類添加セリアやペロブスカイト相等を含む材料を多孔質に形成したものである。ガスセンサ素子3の先端部25において、外側電極27が排気ガスに晒され、内側電極30が基準ガスに晒されることで、排気ガス中の酸素濃度を検出している。本実施形態では、基準ガスは大気である。
セパレータ5は、電気絶縁性を有する材料(例えばアルミナ)で形成された円筒形状の部材である。セパレータ5は、その軸中心に、リード線11が挿入される貫通孔35が形成されている。セパレータ5は、その外周側を覆う内側外筒17との間に空隙18が設けられるように配置されている。
閉塞部材7は、電気絶縁性を有する材料(例えばフッ素ゴム)で形成された円筒形状のシール部材である。閉塞部材7は、その後端に径方向外向きに突出する突出部36を備える。閉塞部材7は、その軸中心にリード線11が挿入されるリード線挿入孔37を備えている。閉塞部材7の先端面95は、セパレータ5の後端面97に密着し、閉塞部材7のうち突出部36よりも先端側の側方外周面98は、内側外筒17の内面に密着している。すなわち、閉塞部材7は、外筒16の後端側を閉塞している。
閉塞部材7の後端向き面99と、外側外筒19の縮径部19gの先端向き面19aとの間で、リード線保護部材89の鍔部89bが挟まれた状態で、リード線保護部材89が支持される。
このうち、縮径部19gは、閉塞部材7よりも後端側にて、径方向内側に延びており、縮径部19gの先端向き面19aは、ガスセンサ1の先端側に向く面として形成されている。縮径部19gの中央領域には、リード線11およびリード線保護部材89を挿入するためのリード線挿入部19cが形成されている。
リード線保護部材89は、リード線11を収容可能な内径寸法を有する筒状部材であり、可撓性、耐熱性および絶縁性を有する材料(例えば、ガラスチューブおよび樹脂チューブなど)で構成されている。リード線保護部材89は、リード線11を外部からの飛来物(例えば、石や水など)から保護するために取り付けられる。
リード線保護部材89は、先端側端部89aにおいて、軸線方向の垂直方向における外向きに突出する板状の鍔部89bを備える。鍔部89bは、リード線保護部材89の周方向の一部ではなく、全周にわたり形成されている。
リード線保護部材89の鍔部89bは、外側外筒19の縮径部19gの先端向き面19aと閉塞部材7の後端向き面99との間に挟まれている。
端子金具9は、センサ出力を外部に取り出すために、導電性材料で形成される筒状部材である。端子金具9は、リード線11に電気的に接続されるとともに、ガスセンサ素子3の内側電極30に電気的に接触するように配置されている。端子金具9は、その後端側に径方向(すなわち、軸線方向に対して垂直の方向)の外向きに突出するフランジ部77を備えている。フランジ部77は、3枚の板状のフランジ片75を備えている。
端子金具9は、センサ出力を外部に取り出すために、導電性材料で形成される筒状部材である。端子金具9は、リード線11に電気的に接続されるとともに、ガスセンサ素子3の内側電極30に電気的に接触するように配置されている。端子金具9は、その後端側に径方向(すなわち、軸線方向に対して垂直の方向)の外向きに突出するフランジ部77を備えている。フランジ部77は、3枚の板状のフランジ片75を備えている。
リード線11は、芯線65と、芯線65の外周を覆う被覆部67とを備えている。
主体金具13は、金属材料(例えば鉄またはSUS430)で形成された円筒状の部材である。主体金具13には、内周面において径方向内側に向かって張り出した段部39が形成されている。段部39は、ガスセンサ素子3の素子鍔部23を支持するために形成されている。
主体金具13は、金属材料(例えば鉄またはSUS430)で形成された円筒状の部材である。主体金具13には、内周面において径方向内側に向かって張り出した段部39が形成されている。段部39は、ガスセンサ素子3の素子鍔部23を支持するために形成されている。
主体金具13のうち先端側の外周面には、ガスセンサ1を排気管に取付けるためのネジ部41が形成されている。主体金具13のうちネジ部41の後端側には、ガスセンサ1を排気管に着脱する際に取付工具を係合させる六角部43が形成されている。さらに、主体金具13のうち六角部43の後端側には、筒状部45が設けられている。
プロテクタ15は、金属材料(例えばSUS310S)で形成されており、ガスセンサ素子3の先端側を覆う保護部材である。プロテクタ15は、その後端縁が、導電性材料で形成されたパッキン88を介して、ガスセンサ素子3の素子鍔部23と主体金具13の段部39との間に挟まれるようにして固定されている。
ガスセンサ素子3のうち素子鍔部23の後端側領域においては、主体金具13とガスセンサ素子3との間に、先端側から後端側にかけて、滑石で形成されたセラミック粉末47と、アルミナで形成されたセラミックスリーブ49とが配置されている。
さらに、主体金具13の筒状部45の後端部51の内側には、金属材料(例えばSUS430)で形成された金属リング53と、金属材料(例えばSUS304L)で形成された内側外筒17の先端部55とが配置されている。内側外筒17の先端部55は、径方向外向きに広がる形状に形成されている。つまり、筒状部45の後端部51が加締められることで、内側外筒17の先端部55が、金属リング53を介して筒状部45の後端部51とセラミックスリーブ49との間に挟まれて、内側外筒17が主体金具13に固定される。
また、内側外筒17の外周には、樹脂材料(例えばPTFE)で形成された筒状のフィルタ57が配置されるとともに、フィルタ57の外周には、例えばSUS304Lで形成された外側外筒19が配置されている。フィルタ57は、通気は可能であるが水分の侵入は抑制できるものである。
そして、外側外筒19の加締め部19bが外周側から径方向内向きに加締められることにより、内側外筒17とフィルタ57と外側外筒19とが一体に固定される。また、外側外筒19の加締め部19hが外周側から径方向内向きに加締められることにより、内側外筒17と外側外筒19とが一体に固定され、閉塞部材7の側方外周面98が、内側外筒17の内面に密着することとなる。
なお、内側外筒17および外側外筒19は、それぞれ通気孔59および通気孔61を備えている。すなわち、通気孔59,61とフィルタ57を介して、ガスセンサ1の内部と外部との通気が可能である。
図3に示すように、素子本体21は、軸線方向に延びて先端が閉じた有底筒状に形成されている。これにより、素子本体21には、先端が閉塞されるとともに後端が開放された内部空間Siが形成されている。そして、外側電極27と内側電極30は、ガスセンサ素子3の先端部25において、素子本体21を挟み込むように配置されている。素子本体21および一対の電極(すなわち、外側電極27および内側電極30)は、酸素濃淡電池を構成して、排気ガス中の酸素濃度に応じた起電力を発生させる。つまり、ガスセンサ素子3の先端部25において、外側電極27が排気ガスに晒され、内側電極30が基準ガスに晒されることで、ガスセンサ素子3は、排気ガス中の酸素濃度を検出する。
外側電極27は、上述の通り、縦リード部29を介して環状リード部28に電気的に接続されている。環状リード部28は、導電性材料で形成されたパッキン88およびプロテクタ15を介して、主体金具13に電気的に接続されている。なお、外側電極27を覆うように、外側電極27を保護するための不図示の電極保護層を形成してもよい。なお、外側電極27の形状および配置は単なる一例であり、これ以外の種々の形状および配置を採用可能である。
また、ガスセンサ素子3の素子本体21の内周面には、内側電極30が形成されている。内側電極30は、希土類添加セリアやペロブスカイト相等を含む材料を多孔質に形成したものである。内側電極30は、内側検知電極部30aと、内側リード部30bとを備える。
内側検知電極部30aは、素子本体21の先端部25の内表面を覆うように形成されている。内側リード部30bは、内側検知電極部30aの後端側に接続されており、端子金具9と電気的に接続される。素子本体21の内側の全面は、内側検知電極部30aおよび内側リード部30bの少なくとも一方によって覆われている。
つまり、ガスセンサ素子3の素子本体21は、先端側領域F1に外側電極27および内側検知電極部30aが形成され、後端側領域F2に内側リード部30bが形成されている。素子本体21の先端側領域F1は、素子本体21の先端部25に相当する。
図4に示すように、内側検知電極部30aは、素子本体21に近い側から順に、反応防止層31、電極層32および先端リード層33aが積層された構造を有する。
先端リード層33aは、後述する後端リード層33bとともにリード層33を形成する。つまり、リード層33は、先端リード層33aと後端リード層33bとを備える。
先端リード層33aは、後述する後端リード層33bとともにリード層33を形成する。つまり、リード層33は、先端リード層33aと後端リード層33bとを備える。
反応防止層31は、希土類添加セリアで形成された酸化物層である。希土類添加セリアは、セリア以外の希土類酸化物が添加されたセリアである。「セリア以外の希土類酸化物」としては、La2O3、Gd2O3、Sm2O3、Y2O3等を利用することができる。このような希土類酸化物における希土類元素REの含有割合は、セリウムと希土類元素REのモル分率{RE/(Ce+RE)}に換算して、例えば、10mol%以上であり且つ50mol%以下である範囲とすることができる。このような希土類添加セリアは、低温(すなわち、室温)では絶縁体であり、高温(すなわち、ガスセンサ1の使用温度)では酸素イオン伝導性を有する固体電解質体である。このため、反応防止層31は、ガスセンサ1の使用時には、電極層32と素子本体21を電気的に接続するための層として機能する。なお、反応防止層31は、ガスセンサ素子3を製造するための焼成時には、電極層32のLaと素子本体21のZrO2との反応を生じ難くする機能を有し、この反応によりランタンジルコネート層が形成されるのを抑制することができる。
電極層32とリード層33は、以下の組成式(1)を満たすペロブスカイト型酸化物結晶構造を有する結晶相(すなわち、ペロブスカイト相)を含んで構成されている。
LaaMbNicOx ・・・(1)
ここで、元素MはCoとFeのうちの一種以上を表し、a+b+c=1であり、1.25≦x≦1.75である。係数a,b,cはそれぞれ、以下の関係式(2a),(2b),(2c)を満たすことが好ましい。
LaaMbNicOx ・・・(1)
ここで、元素MはCoとFeのうちの一種以上を表し、a+b+c=1であり、1.25≦x≦1.75である。係数a,b,cはそれぞれ、以下の関係式(2a),(2b),(2c)を満たすことが好ましい。
0.459≦a≦0.535 ・・・(2a)
0.200≦b≦0.475 ・・・(2b)
0.025≦c≦0.350 ・・・(2c)
上記の関係式(2a)〜(2c)で表される組成を有するペロブスカイト型導電性酸化物は、室温(例えば25℃)での導電率が250S/cm以上で且つB定数が600K以下となり、上記の関係式(2a)〜(2c)を満たさない場合に比べて導電率が高くB定数が小さいという良好な特性を有する。また、このペロブスカイト型導電性酸化物は、貴金属電極に比べて界面抵抗の活性化エネルギーが小さいので、低温においても界面抵抗を十分に小さくすることができる。なお、Pt電極は、大気中において約600℃の環境で放置されると、酸化して界面抵抗が上昇する。一方、ペロブスカイト型導電性酸化物は、このような経時変化が起こり難い。
0.200≦b≦0.475 ・・・(2b)
0.025≦c≦0.350 ・・・(2c)
上記の関係式(2a)〜(2c)で表される組成を有するペロブスカイト型導電性酸化物は、室温(例えば25℃)での導電率が250S/cm以上で且つB定数が600K以下となり、上記の関係式(2a)〜(2c)を満たさない場合に比べて導電率が高くB定数が小さいという良好な特性を有する。また、このペロブスカイト型導電性酸化物は、貴金属電極に比べて界面抵抗の活性化エネルギーが小さいので、低温においても界面抵抗を十分に小さくすることができる。なお、Pt電極は、大気中において約600℃の環境で放置されると、酸化して界面抵抗が上昇する。一方、ペロブスカイト型導電性酸化物は、このような経時変化が起こり難い。
係数b,cはそれぞれ、上記の関係式(2b),(2c)の代わりに下記の関係式(3b),(3c)を満たすようにしてもよい。この場合には、導電率を更に高くするとともにB定数を更に小さくすることができる。
0.200≦b≦0.375 ・・・(3b)
0.125≦c≦0.300 ・・・(3c)
上記の組成式(1)におけるOの係数xは、上記の組成を有する導電性酸化物が全てペロブスカイト相からなる場合には、理論上は1.5となる。但し、酸素が量論組成からずれることがあるため、典型的な例として、係数xの範囲を1.25≦x≦1.75と規定している。
0.125≦c≦0.300 ・・・(3c)
上記の組成式(1)におけるOの係数xは、上記の組成を有する導電性酸化物が全てペロブスカイト相からなる場合には、理論上は1.5となる。但し、酸素が量論組成からずれることがあるため、典型的な例として、係数xの範囲を1.25≦x≦1.75と規定している。
電極層32は、上記のペロブスカイト相および希土類添加セリアを含んで構成されている。このような電極層32は、高温(すなわち、ガスセンサ1の使用時)においてイオン導電性と電子導電性の両方の性質を有しているため、十分に低い界面抵抗値を示す。
リード層33は、上記のペロブスカイト相を主成分とし、希土類添加セリアを含まないで構成されている。
内側リード部30bは、後端リード層33bとランタンジルコネート層34とを含む多層構造を有する。ランタンジルコネート層34は、後端リード層33bよりも素子本体21に近い側に配置されている。
内側リード部30bは、後端リード層33bとランタンジルコネート層34とを含む多層構造を有する。ランタンジルコネート層34は、後端リード層33bよりも素子本体21に近い側に配置されている。
後端リード層33bは、上述した内側検知電極部30aの先端リード層33aと同様の組成で形成されている。但し、内側検知電極部30aを構成する先端リード層33aにおけるペロブスカイト相の含有割合は、内側リード部30bを構成する後端リード層33bにおけるペロブスカイト相の含有割合と同じか、それよりも多くてもよい。
ランタンジルコネート層34は、内側リード部30bの焼成時に、後端リード層33bに含まれるランタン(La)と、素子本体21に含まれるZrO2とが反応して形成された層である。このようなランタンジルコネート層34を、以下、反応層34ともいう。ランタンジルコネート層34が形成されると、ランタンジルコネート層34と後端リード層33bとの間との密着性と、ランタンジルコネート層34と素子本体21との密着性とが高まるため、機械的な耐衝撃性が向上する。したがって、内側リード部30bが存在する部分では、後端リード層33bと素子本体21との間にランタンジルコネート層34が形成されることで、機械的な耐衝撃性を向上させることができる。
次に、ガスセンサ素子3の製造方法を説明する。
第1工程では、未焼結成形体を作製する。具体的には、まず、素子本体21の材料である固体電解質体の粉末として、ジルコニア(ZrO2)に安定剤としてイットリア(Y2O3)を5mol%添加したもの(以下、5YSZともいう)に対して、さらにアルミナ粉末を添加したものを用意する。素子本体21の材料粉末全体を100質量%としたとき、5YSZの含有量は99.6質量%であり、アルミナ粉末の含有量は0.4質量%である。この粉末をプレス加工した後に、筒形となるように切削加工を実施することで、未焼結成形体を得る。
第1工程では、未焼結成形体を作製する。具体的には、まず、素子本体21の材料である固体電解質体の粉末として、ジルコニア(ZrO2)に安定剤としてイットリア(Y2O3)を5mol%添加したもの(以下、5YSZともいう)に対して、さらにアルミナ粉末を添加したものを用意する。素子本体21の材料粉末全体を100質量%としたとき、5YSZの含有量は99.6質量%であり、アルミナ粉末の含有量は0.4質量%である。この粉末をプレス加工した後に、筒形となるように切削加工を実施することで、未焼結成形体を得る。
次に、第2工程では、電極層32のスラリーと、リード層33のスラリーと、反応防止層のスラリーを作製する。
電極層32のスラリーの作製においては、例えば、導電性酸化物の原料粉末を秤量した後、湿式混合して乾燥することにより、原料粉末混合物を調整する。このとき、ペロブスカイト相の原料粉末としては、例えば、La(OH)3又はLa2O3、並びに、Co3O4、Fe2O3、及びNiOを用いることができる。また、希土類添加セリアの原料粉末としては、CeO2の他に、La2O3、Gd2O3、Sm2O3、Y2O3等を用いることができる。これらの原料粉末混合物を、大気雰囲気下、700〜1200℃で1〜5時間仮焼して仮焼粉末を作製する。そして、この仮焼粉末を、湿式ボールミル等による粉砕を行い所定の粒度に調整した後、ターピネオールやブチルカルビトール等の溶媒に、エチルセルロース等のバインダとともに溶解することにより、スラリーを作製する。
電極層32のスラリーの作製においては、例えば、導電性酸化物の原料粉末を秤量した後、湿式混合して乾燥することにより、原料粉末混合物を調整する。このとき、ペロブスカイト相の原料粉末としては、例えば、La(OH)3又はLa2O3、並びに、Co3O4、Fe2O3、及びNiOを用いることができる。また、希土類添加セリアの原料粉末としては、CeO2の他に、La2O3、Gd2O3、Sm2O3、Y2O3等を用いることができる。これらの原料粉末混合物を、大気雰囲気下、700〜1200℃で1〜5時間仮焼して仮焼粉末を作製する。そして、この仮焼粉末を、湿式ボールミル等による粉砕を行い所定の粒度に調整した後、ターピネオールやブチルカルビトール等の溶媒に、エチルセルロース等のバインダとともに溶解することにより、スラリーを作製する。
なお、本実施形態では、ペロブスカイト相の原料粉末としては、比表面積が8.0[m2/g]のLFN(LaFe0.5Ni0.5O3)粉末を用い、希土類添加セリアの原料粉末としては、比表面積が30.0[m2/g]のGDC(20mol%Gd−CeO2)粉末を用いた。また、本実施形態では、LFN粉末およびGDC粉末がそれぞれ50体積%となるように調合した原料粉末混合物を用いた。
リード層33のスラリーの作製工程は、電極層32のスラリーの作製工程と比べて、少なくとも希土類添加セリアの原料粉末を混合しない点と、造孔材を添加する点が異なる。リード層33のスラリーの作製においては、例えば、導電性酸化物の原料粉末を秤量した後、湿式混合して乾燥することにより、原料粉末混合物を調整する。本実施形態では、ペロブスカイト相の原料粉末として、比表面積が1.5[m2/g]のLFN(LaFe0.5Ni0.5O3)粉末を用いた。この粉末に対してカーボンを30体積%添加したものを、ターピネオールやブチルカルビトール等の溶媒に、エチルセルロース等のバインダとともに溶解することにより、スラリーを作製した。
反応防止層のスラリーの作製においては、希土類添加セリアの原料粉末を、ターピネオールやブチルカルビトール等の溶媒に、エチルセルロース等のバインダとともに溶解することにより、スラリーを作製する。希土類添加セリアの原料粉末としては、CeO2の他に、La2O3、Gd2O3、Sm2O3、Y2O3等を利用することができる。本実施形態では、希土類添加セリアとして、比表面積が10[m2/g]のGDC(20mol%Gd−CeO2)粉末を用いた。上述したように、反応防止層31は、希土類添加セリアで形成されている。
次に、第3工程では、未焼結成形体のうち、外側電極27、内側検知電極部30aおよび内側リード部30bの形成部分に、それぞれのスラリーを塗布する。
まず、外側電極27の形成部分にPtペースト等の貴金属のスラリーを塗布し、反応防止層31の形成部分に希土類添加セリアのスラリーを塗布する。反応防止層31のスラリーの塗布の後に、電極層32のスラリーを塗布し、その後、リード層33のスラリーを塗布する。
まず、外側電極27の形成部分にPtペースト等の貴金属のスラリーを塗布し、反応防止層31の形成部分に希土類添加セリアのスラリーを塗布する。反応防止層31のスラリーの塗布の後に、電極層32のスラリーを塗布し、その後、リード層33のスラリーを塗布する。
次の第4工程では、各スラリーが塗布された未焼結成形体について、乾燥を行った後、所定の焼成温度で焼成する。この焼成温度は、例えば、1250℃以上であり且つ1450℃以下であり、1350±50℃が好ましい。この焼成工程では、内側リード部30bの後端リード層33bと素子本体21との間に、反応層34が形成される。しかし、内側検知電極部30aの電極層32と素子本体21との間には、反応防止層31が形成されているため、反応層34は形成されない。
次に、第3工程において反応防止層31、電極層32およびリード層33のスラリーを塗布する処理を説明する。
スラリーを塗布するために、図5に示すように、注入・吸引装置100を用いる。注入・吸引装置100は、その内部にスラリーを収容する不図示のタンクを備える。
スラリーを塗布するために、図5に示すように、注入・吸引装置100を用いる。注入・吸引装置100は、その内部にスラリーを収容する不図示のタンクを備える。
注入・吸引装置100は、CPU、ROMおよびRAM等を備えて注入・吸引装置100を制御する不図示のマイクロコンピュータを備える。マイクロコンピュータの各種機能は、CPUが非遷移的実体的記録媒体に格納されたプログラムを実行することにより実現される。この例では、ROMが、プログラムを格納した非遷移的実体的記録媒体に該当する。また、このプログラムの実行により、プログラムに対応する方法が実行される。なお、注入・吸引装置100を構成するマイクロコンピュータの数は1つでも複数でもよい。また、マイクロコンピュータが実行する機能の一部または全部を、一つあるいは複数のIC等によりハードウェア的に構成してもよい。
注入・吸引装置100は、その構成要素を収納する筐体101に設けられた開口部102,103,104を備える。注入・吸引装置100は、不図示のタンクに収容されているスラリーを開口部102から排出することができるように構成されている。さらに注入・吸引装置100は、注入・吸引装置100の外部のスラリーを開口部103,104から吸引することができるように構成されている。
開口部102,103,104にはそれぞれ、可撓性を有するホース111,112,113の一端が接続される。さらに、ホース111,112,113の他端は、継手121,122,123を介して、ノズル131,132,133の他端131a,132a,133aに接続される。ノズル131,132,133は、円筒軸に沿って延びる円筒状に形成されている。
これにより、注入・吸引装置100が開口部102からスラリーを排出する動作を実行すると、開口部102から排出されたスラリーは、ホース111、継手121およびノズル131の内部を通過して、ノズル131の一端131bから排出される。また、注入・吸引装置100が開口部103からスラリーを吸引する動作を実行すると、ノズル132の一端132bの付近に存在するスラリーは、ホース112、継手122およびノズル132の内部を通過して、開口部103から注入・吸引装置100の内部へ吸引される。同様に、注入・吸引装置100が開口部104からスラリーを吸引する動作を実行すると、ノズル133の一端133bの付近に存在するスラリーは、ホース113、継手123およびノズル133の内部を通過して、開口部104から注入・吸引装置100の内部へ吸引される。
ホース112には、ホース112の内部の圧力を検出する圧力センサ140が取り付けられている。圧力センサ140は、ホース112の内部の圧力を検出した結果を示す圧力信号を注入・吸引装置100へ出力する。
反応防止層31のスラリーを塗布する場合には、図6に示すように、まずS10にて、ノズル131を設置する。具体的には、ノズル131は、図7に示すように、その一端131bが、先端部25の近傍に位置するように素子本体21の内部空間Siに挿入される。
ノズル131の設置が終了すると、図6に示すように、S20にて、ノズル132を設置する。具体的には、ノズル132は、図7に示すように、その一端132bが反応防止層31における後端側の端部の高さと一致するように素子本体21の内部空間Siに挿入される。図7に記載されている3つの図のうち最も左側の図は、ノズル131,132が素子本体21の内部空間Siに挿入された状態を示している。なお、ノズル131は、その一端131bがノズル132の一端132bよりも素子本体21の先端に近くなるように設置される。
ノズル131,132の設置が完了すると、図6に示すように、S30にて、ノズル131から素子本体21の内部空間Siにスラリーを注入し、ノズル132から素子本体21の内部のスラリーを吸引する。具体的には、注入・吸引装置100は、開口部102から反応防止層31のスラリーを排出する動作と、開口部103からスラリーを吸引する動作とを開始する。これにより、素子本体21の内部空間Siに挿入されているノズル131の一端131bからスラリーが排出され、素子本体21の内部空間Siに反応防止層31のスラリーが注入される。図7における最も左側の図は、素子本体21の内部空間Siに反応防止層31のスラリーSLが注入されている状態を示している。
そして、ノズル132の一端132bが位置する高さまで反応防止層31のスラリーが注入されると、反応防止層31のスラリーがノズル132の一端132bから吸引される。図7における中央の図は、スラリーSLがノズル132の一端132bの高さまで注入された状態を示している。
これにより、ホース112の内部の圧力が上昇する。注入・吸引装置100は、圧力センサ140からの圧力信号を繰り返し取得している。このため、圧力センサ140からの圧力信号により、ホース112の内部の圧力の上昇を検知することができる。注入・吸引装置100は、ホース112の内部の圧力の上昇が予め設定された注入停止判定値以上であるか否かを判断する。
そして注入・吸引装置100は、ホース112の内部の圧力の上昇が注入停止判定値以上であると判断した場合に、予め設定された継続時間が経過した後に、スラリーの排出動作と、スラリーの吸引動作とを停止する。本実施形態では、上記の継続時間は、例えば5秒に設定されている。この継続時間は、反応防止層31の膜厚を担保するのに必要な時間に設定される。
スラリーの排出動作と吸引動作が停止すると、図6に示すように、S40にて、ノズル131,132を素子本体21の内部空間Siから引き抜く。
ノズル131,132が引き抜かれると、S50にて、ノズル133を設置する。具体的には、ノズル133は、図7に示すように、その一端133bが、先端部25の近傍に位置するように素子本体21の内部空間Siに挿入される。
ノズル131,132が引き抜かれると、S50にて、ノズル133を設置する。具体的には、ノズル133は、図7に示すように、その一端133bが、先端部25の近傍に位置するように素子本体21の内部空間Siに挿入される。
ノズル133の設置が終了すると、図6に示すように、S60にて、ノズル133から素子本体21の内部空間Siのスラリーを吸引する。具体的には、注入・吸引装置100は開口部104から反応防止層31のスラリーを吸引する動作を開始する。これにより、素子本体21の内部空間Siに溜まっている反応防止層31のスラリーが吸引される。これにより、素子本体21の内側の面に反応防止層31のスラリーが付着した状態となる。図7における最も右側の図は、素子本体21の内側の面に反応防止層31のスラリーSLが付着した状態を示している。
そして、反応防止層31のスラリーの吸引が終了すると、図6に示すように、S70にて、ノズル133を素子本体21の内部空間Siから引き抜き、反応防止層31のスラリーを塗布する処理を終了する。
反応防止層31のスラリーを塗布する処理が終了すると、次に、電極層32のスラリーを塗布する処理を実行する。電極層32のスラリーを塗布する処理は、反応防止層31のスラリーを塗布する処理と同様であるため、説明を省略する。
電極層32のスラリーを塗布する処理が終了すると、リード層33のスラリーを塗布する処理を実行する。リード層33のスラリーを塗布する処理は、S20においてノズル132を設置するときの一端132bの高さが、反応防止層31のスラリーを塗布する処理と異なる。
すなわち、S20において、ノズル132は、その一端132bが素子本体21の後端側の端部の高さと一致する状態で、且つ、ノズル132の一端132bを通って軸線方向沿って延びる直線が素子本体21の後端側の開口部の内部を通過するように設置される。図8に記載されている3つの図のうち最も左側の図は、リード層33のスラリーを塗布する処理において、ノズル131が素子本体21の内部空間Siに挿入されるとともに、ノズル132の一端132bが、素子本体21の後端側の端部の高さと一致する状態で、且つ、ノズル132の一端132bを通って軸線方向沿って延びる直線が素子本体21の後端側の開口部の内部を通過するように設置されている状態を示している。さらに、図8における最も左側の図は、素子本体21の内部空間Siにリード層33のスラリーSLが注入されている状態を示している。
また、図8における中央の図は、リード層33のスラリーがノズル132の一端132bの高さまで注入された状態を示している。図8における最も右側の図は、素子本体21の内側の面にリード層33のスラリーSLが付着した状態を示している。
このように構成されたガスセンサ素子3の製造方法では、内側電極30(すなわち、反応防止層31、電極層32、リード層33)となるスラリーを注入するためのノズル131を、ノズル131の一端131bが、軸線方向から見たときに、素子本体21の後端に形成された開口部と重なるように設置する。
また、ガスセンサ素子3の製造方法では、素子本体21の内部に注入されたスラリーを吸引するためのノズル132を、ノズル132の一端132bが、反応防止層31および電極層32における後端側の端部の高さと一致する位置、または、素子本体21の後端に形成された開口部に位置するように設置する。
また、ガスセンサ素子3の製造方法では、ノズル131から素子本体21の内部空間Siへスラリーを注入する。また、ガスセンサ素子3の製造方法では、ノズル131から素子本体21の内部空間Siへスラリーを注入する工程中に、素子本体21の内部空間Siに注入されたスラリーをノズル132から吸引する。
このように構成されたガスセンサ素子3の製造方法では、ノズル131から素子本体21の内部空間Siに注入されたスラリーが、反応防止層31および電極層32における後端側の端部の高さと一致する位置または開口部まで溜まると、ノズル132により吸引されるため、反応防止層31および電極層32における後端側の端部または開口部を超えてスラリーが溜まるのを抑制することができる。このため、ガスセンサ素子3の製造方法は、内側電極30における軸線方向の長さの均一性を向上させることができる。また、ノズル132の一端132bが素子本体21の開口部に位置するように設置されている場合には、ガスセンサ素子3の製造方法は、ノズル131から素子本体21の内部空間Siに注入されたスラリーが素子本体21の開口部から溢れてしまう事態の発生を抑制することができる。
また、ガスセンサ素子3の製造方法では、ノズル131から素子本体21の内部空間Siへスラリーを注入する工程は、更に、ノズル132がスラリーを吸引しているか否かを判断する。これにより、ガスセンサ素子3の製造方法は、ノズル131から素子本体21の内部空間Siに注入されたスラリーが、反応防止層31および電極層32における後端側の端部の高さと一致する位置、または、素子本体21の後端側に形成された開口部まで溜まったか否かを検出することができる。
また、ガスセンサ素子3の製造方法では、ノズル132がスラリーを吸引していると判断した時点から、予め設定された継続時間が経過した後に、ノズル131によるスラリーの注入を終了する。
これにより、ガスセンサ素子3の製造方法は、ノズル132がスラリーを吸引していると判断した後にノズル131から排出されたスラリーが素子本体21の内表面で吸われる時間を確保して、内側電極30の膜厚のばらつきを抑制することができる。また、素子本体21の内表面にスラリーが吸われることによる液面低下を抑制することができる。
また、ガスセンサ素子3の製造方法では、ノズル131の一端131bは、ノズル132の一端132bと軸線方向に対して同位置、または、ノズル132の一端132bよりも素子本体21の先端に近い位置に設置されている。
これにより、ノズル131の一端131bから排出されて落下しているスラリーが、ノズル132の一端132bに掛かってノズル132に吸引されてしまうという事態の発生を抑制することができる。すなわち、ノズル132の一端132bが位置する高さまでスラリーが溜まっていないにも関わらずホース112の内部の圧力が上昇してしまうという事態の発生を抑制することができ、スラリーの液面高さの制御をより確実に行うことができる。
以上説明した実施形態において、S10は注入ノズル設置工程に相当し、S20は吸引ノズル設置工程に相当し、S30は注入工程および吸引工程に相当する。
また、内側電極30、反応防止層31、電極層32、リード層33は内側層に相当し、ノズル131は注入ノズルに相当し、ノズル132は吸引ノズルに相当し、反応防止層31および電極層32における後端側の端部の位置は設定位置に相当する。
また、内側電極30、反応防止層31、電極層32、リード層33は内側層に相当し、ノズル131は注入ノズルに相当し、ノズル132は吸引ノズルに相当し、反応防止層31および電極層32における後端側の端部の位置は設定位置に相当する。
以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、種々変形して実施することができる。
例えば上記実施形態では、ホース112の内部の圧力の上昇を圧力センサ140により検知するものを示した。しかし、ホース112の内部を液体が流れた場合、または、ホース112の内部の色が変化した場合に、ノズル132がスラリーを吸引していると判断するようにしてもよい。
例えば上記実施形態では、ホース112の内部の圧力の上昇を圧力センサ140により検知するものを示した。しかし、ホース112の内部を液体が流れた場合、または、ホース112の内部の色が変化した場合に、ノズル132がスラリーを吸引していると判断するようにしてもよい。
上記各実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
3…ガスセンサ素子、21…素子本体、27…外側電極、30…内側電極、100…注入・吸引装置、131…ノズル、131b…一端、132…ノズル、132b…一端、Si…内部空間
Claims (4)
- 固体電解質体を用いて軸線方向に延びて先端が閉じた有底筒状に形成された素子本体と、前記素子本体の内表面に配置された内側層とを備えるガスセンサ素子の製造方法であって、
前記内側層となるスラリーを注入するための注入ノズルを、前記注入ノズルの一端が、前記軸線方向から見たときに前記素子本体の後端に形成された開口部と重なるように設置する注入ノズル設置工程と、
前記素子本体の内部空間に注入された前記スラリーを吸引するための吸引ノズルを、前記吸引ノズルの一端が、前記素子本体の前記内部空間における予め設定された設定位置、または、前記開口部に位置するように設置する吸引ノズル設置工程と、
前記注入ノズルから前記素子本体の前記内部空間へ前記スラリーを注入する注入工程と、
前記注入工程中に前記素子本体の前記内部空間に注入された前記スラリーを前記吸引ノズルから吸引する吸引工程と
を備えるガスセンサ素子の製造方法。 - 請求項1に記載のガスセンサ素子の製造方法であって、
前記注入工程は、更に、前記吸引ノズルが前記スラリーを吸引しているか否かを判断するガスセンサ素子の製造方法。 - 請求項2に記載のガスセンサ素子の製造方法であって、
前記注入工程は、前記吸引ノズルが前記スラリーを吸引していると判断した時点から、予め設定された継続時間が経過した後に、前記注入ノズルによる前記スラリーの注入を終了するガスセンサ素子の製造方法。 - 請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の製造方法であって、
前記注入ノズルの前記一端は、前記吸引ノズルの前記一端と前記軸線方向に対して同位置、または、前記吸引ノズルの前記一端よりも前記素子本体の先端に近い位置に設置されているガスセンサ素子の製造方法。
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