JP2018081303A - レジスト用剥離組成物 - Google Patents
レジスト用剥離組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018081303A JP2018081303A JP2017202351A JP2017202351A JP2018081303A JP 2018081303 A JP2018081303 A JP 2018081303A JP 2017202351 A JP2017202351 A JP 2017202351A JP 2017202351 A JP2017202351 A JP 2017202351A JP 2018081303 A JP2018081303 A JP 2018081303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- acid
- stripping composition
- amine
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
無機アルカリ水溶液では、フォトレジストの剥離を行う場合には、硬化したフォトレジストが金属表面よりフイルム状に剥離し、金属パターンの表面上に、剥離したフイルム状のフォトレジストが付着し、残存する問題が生じている。この問題を解決するためには、剥離時のスプレー圧を上昇する等の物理的手段を講じているが、スプレー圧を上昇することにより金属パターンの変形を生じさせる等の、二次的なトラブルを発生する(特許文献2参照)。電子部品の小型化・高容量化に伴う配線パターンの微細化に対応するため、レジスト材料の低膨潤化が進められた結果、レジスト材料自体が剥離しにくいものになったこと、また、狭い配線パターンの間にレジストが挟まれて存在することが相まって、従来の無機アルカリ水溶液によるレジストの剥離が困難になった。
本発明は、レジストフィルムの剥離性が良好で、狭いピッチのパターン間にもレジストフィルムの残渣を残さないレジスト用剥離組成物を提供することである。さらに、テトラメチルアンモニウム水酸化物を含まないため、安全衛生及び廃液処理のコスト低減に寄与するレジスト用剥離組成物を提供することである。
なお、本発明のレジスト用剥離組成物は、求核性パラメーターNの値が12.7〜23.5である少なくとも1種のアミンを含んでいればよく、求核性パラメーターNの値が12.7未満のアミン及び求核性パラメーターNの値が23.5を超えるアミンを併用することも出来る。
求核性パラメーターNの値が12.7〜23.5である1級アミンとしては、ベンジルアミン(N=13.4)、n−プロピルアミン(N=13.3)、n−ブチルアミン(N=15.3)、1,3−ジアミノプロパン(N=14.0)、2−フェニルエチレンアミン(N=13.4)、エチレンジアミン(N=13.3)及びアリルアミン(N=13.2)等が挙げられる。
求核性パラメーターNの値が12.7〜23.5である2級アミンとしては、ジエチルアミン(N=14.7)、ジメチルアミン(N=17.1)、メチルアミン(N=13.9)、ジエタノールアミン(N=13.0)、ピペリジン(N=18.1)、ピロリジン(N=17.2)、ピペラジン(N=17.2)、パーヒドロアゼピン(N=18.3)及びモルホリン(N=15.6)等が挙げられる。
求核性パラメーターNの値が12.7〜23.5である3級アミンとしては、トリエチレンジアミン(N=18.8)及びトリメチルアミン(N=23.1)等が挙げられる。
これらは、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いても良い。
なお、2種以上のアミンを組み合わせて用いる場合、レジスト用剥離組成物が含むアミンのそれぞれの求核性パラメーターNの値が12.7〜23.5であれば良い。
これらのうち剥離速度の観点から、好ましくは1級アミン、2級アミン又はこれらの混合物であり、更に好ましくは1級アミン及び1級アミンと2級アミンの混合物であり、特に好ましくは1級アミンである。
アルカリ金属水酸化物としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム及び水酸化セシウム等を挙げることができる。これらのうち狭ピッチの剥離性の観点から、好ましくは水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムであり、更に好ましくは水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムである。
これらは、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いても良い。
50重量%以下だとレジスト用剥離組成物は低粘度でありかつ浸透性が高く、0.5重量%以上だと狭ピッチの剥離性が向上する。
可溶化剤(C)としては、芳香族スルホン酸、芳香族カルボン酸、アニオン界面活性剤及びノニオン界面活性剤等が挙げられる。
芳香族スルホン酸としては、べンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸及びp−フェノールスルホン酸等が挙げられる。
芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸、メリト酸及びケイ皮酸等が挙げられる。
アニオン界面活性剤としては、オクタン酸ナトリウム、デカン酸ナトリウム、ラウリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、パルミチン酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、ドデシルべンゼンスルホン酸ナトリウム及びラウリル硫酸エステルナトリウム等が挙げられる。
ノニオン界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル及びしょ糖脂肪酸エステル等が挙げられる。
これらのうち、溶解性の観点から好ましくは芳香族スルホン酸、アニオン界面活性剤及びノニオン界面活性剤であり、更に好ましくはべンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、p−フェノールスルホン酸、ラウリン酸ナトリウム及びポリオキシエチレンアルキルエーテルである。
15.0以下だと基板上金属が水酸化物や酸化物を形成しにくく、6.0以上だと基板上金属を溶解しにくい。
本発明のレジスト用剥離組成物のpHは、25℃下でpHメーターを用いて、希釈を行わず測定した。
また、これらのレジスト剥離液には、pHを調整するために別途酸を添加しても良い。
防食剤(D)としては、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、3−アミノトリアゾール、5−アミノテトラゾール、テトラヒドロベンゾトリアゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、イミダゾール、亜硝酸ナトリウム、クロム酸アンモニウム、ソルビトール、キシリトール、スクロース、マンニトール、マルチトール及びラクチトール等が挙げられる。
分散剤(E)としては、プロピレングリコールの両末端ポリエチレンオキサイド付加物、ポリビニルアルコール及びその誘導体、ポリエチレングリコール(メタ)アクリル酸エステル重合体及びその重合体、ポリアクリル酸に代表される(メタ)アクリル酸(塩)重合体及びその共重合体、スチレンとマレイン酸共重合体のナトリウム塩、ジイソブチレンとマレイン酸共重合体のナトリウム塩に代表されるマレイン酸(塩)重合体及びその共重合体、β―ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩に代表されるポリナフタレンスルフォン酸(塩)、ポリメラミンスルフォン酸(塩)、スルホン化スチレン(塩)重合体及びその共重合体、(メタ)アクリル酸と(メタ)アクリロイルオキシエチル燐酸の共重合体に代表される(メタ)アクリロイルオキシエチル燐酸の重合体、アルギン酸ナトリウム、カルボキシメチルセルロースに代表されるアニオン性基を有する多糖類及びその誘導体、4級アンモニウム単量体の重合体及びその共重合体、(メタ)アクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド類の重合体及びその共重合体、カチオン変性や、カルボキシル変性したポリビニルアルコールに代表される親水基変性ポリビニルアルコール、アクリルアミド/アクリル酸共重合体に代表される親水基単量体と(メタ)アクリル酸(塩)の共重合体及びアクリル酸/塩化ジメチルジアリルアンモニウム共重合体等に代表される親水基単量体と4級アンモニウム単量体の共重合体等が挙げられる。
なお、「(メタ)アクリル酸」の表記は、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。 「(メタ)アクリロイル」の表記は、アクリロイル又はメタクリロイルを意味する。
上記(塩)としては、例えばアルカリ金属塩(ナトリウム塩、カリウム塩等)、アルカリ土類金属塩(カルシウム塩、マグネシウム塩等)、アンモニウム塩、アミン塩もしくは4級アンモニウム塩が挙げられる。
活性剤(F)としては、水の表面張力を低下させるものであれば良く、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤等が挙げられ、アニオン界面活性剤が特に好ましい。
アニオン界面活性剤としては、脂肪酸(塩)、アルキルベンゼンスルホン酸(塩)、アルキルナフタレンスルホン酸(塩)、アルキルエーテルカルボン酸(塩)、アルキル硫酸エステル(塩)、アルキルエーテルスルホン酸(塩)、アルキルリン酸(塩)、アルキルエーテルリン酸(塩)等が挙げられる。
表1及び表2に記載したアミン(A)、アルカリ(B)、可溶化剤(C)、防食剤(D)、分散剤(E)、活性剤(F)及び水をポリプロピレン製の容器中で混合して、本発明の剥離液と比較のための剥離液を得た。
レジスト用剥離組成物のpHは、25℃下でpHメーター(堀場製作所製)を用いて測定した。
レジストフィルムの剥離時間を、以下の操作方法でレジストフィルムが基板から除去されるまでの時間を測定し、評価した。
(1)厚さ50μmのレジストフィルムでパターニングされた銅配線プリント基板(銅シード層上に銅めっき配線幅30μm/レジストフィルム幅20μm)を10mm角の正方形に切断してテストピースを作成した。
(2)剥離液を試験管に入れて、水浴で50℃に温調した後、この中に上記のテストピースを浸漬し、静置した。
(3)浸漬後からテストピースを目視で観察し、レジストフィルムが基板からなくなるまでの時間(分)を測定した。この目的で使用される剥離液においては、レジストフィルムの消失時間が30分未満であることが好ましく、下記の判定基準で評価した。
◎◎:20分未満
◎:20分以上30分未満
○:30分以上45分未満
△:45分以上60分未満
×:60分以上
狭ピッチ剥離性を、以下の操作方法で観察し、評価した。
(1)厚さ50μmのレジストフィルムでパターニングされた銅配線プリント基板(銅シード層上に銅めっき配線幅30μm/レジストフィルム幅20μm)を10mm角の正方形に切断してテストピースを作成した。
(2)剥離液を試験管に入れて、水浴で50℃に温調した後、この中に上記のテストピースを浸漬し、静置した。
(3)浸漬後からテストピースを目視で観察し、レジストフィルムが基板からなくなった時点からさらに5分浸漬を継続したのち、テストピースをピンセットで引き揚げ、すぐにイオン交換水にて洗浄した。
(4)デジタルマイクロスコープ(キーエンス社製VH−6300)で、浸漬後のテストピースのパターニング面を観察し、プリント基板全浸漬面積のうちレジストフィルム塗布部分の面積に対して、浸漬後にレジストフィルムで被覆された(剥離残渣)面積割合(%)を算出する。
下記の判定基準で評価した。
◎:1%未満
○:1%以上3%未満
△:3%以上10%未満
×:10%以上
Claims (4)
- 求核性パラメーターNの値が12.7〜23.5であるアミン(A)、無機アルカリ性化合物(B)及び水を含むレジスト用剥離組成物。
- レジスト用剥離組成物の重量に基づいて、前記(A)を0.5〜50重量%含み、前記(B)を0.1〜10重量%含む請求項1記載のレジスト用剥離組成物。
- 前記(B)が、アルカリ金属水酸化物である請求項1又は2記載のレジスト用剥離組成物。
- レジスト用剥離組成物のpHが6.0〜15.0である請求項1〜3いずれか記載のレジスト剥離組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016219902 | 2016-11-10 | ||
JP2016219902 | 2016-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018081303A true JP2018081303A (ja) | 2018-05-24 |
JP6764845B2 JP6764845B2 (ja) | 2020-10-07 |
Family
ID=62198901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017202351A Active JP6764845B2 (ja) | 2016-11-10 | 2017-10-19 | レジスト用剥離組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6764845B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014157339A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Lion Corp | レジスト剥離剤組成物 |
WO2015156123A1 (ja) * | 2014-04-07 | 2015-10-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基材及びその製造方法、並びに、積層体、レジスト剥離液 |
-
2017
- 2017-10-19 JP JP2017202351A patent/JP6764845B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014157339A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Lion Corp | レジスト剥離剤組成物 |
WO2015156123A1 (ja) * | 2014-04-07 | 2015-10-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基材及びその製造方法、並びに、積層体、レジスト剥離液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6764845B2 (ja) | 2020-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2527268B2 (ja) | レジスト用剥離剤組成物 | |
KR100714951B1 (ko) | 수성 박리 및 세정 조성물 | |
JP5318773B2 (ja) | 剥離液組成物、それを用いた樹脂層の剥離方法 | |
JP6470239B2 (ja) | 洗浄配合物 | |
JP2001523356A (ja) | レジスト剥離および洗浄用の非腐食性組成物 | |
JP2014078009A (ja) | 厚いフィルム・レジストを除去するための剥離及びクリーニング用組成物 | |
JP2002523546A (ja) | 非腐食性のストリッピングおよびクリーニング組成物 | |
JP2005043874A (ja) | フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法 | |
WO2009023675A2 (en) | Improved metal conservation with stripper solutions containing resorcinol | |
WO2007068176A1 (fr) | Systeme d'inhibiteur de corrosion pour le nettoyage de plaquettes a semi-conducteurs | |
JPH09197681A (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
CN103713476A (zh) | 用于除去厚膜抗蚀剂的剥离和清除组合物 | |
WO2009021400A1 (fr) | Composition de nettoyage pour retirer une réserve | |
JP2005043873A (ja) | フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法 | |
WO2018047631A1 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
JP2008541426A (ja) | エッチングおよび灰化後のフォトレジスト残渣およびバルクのフォトレジストを除去するための組成物 | |
KR20070035722A (ko) | 포토레지스트 박리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의제조방법 | |
US20020068684A1 (en) | Stripping and cleaning compositions | |
JP6764845B2 (ja) | レジスト用剥離組成物 | |
WO2020022491A1 (ja) | 洗浄方法 | |
KR101341701B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
KR20190083545A (ko) | 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법 | |
JPH0764297A (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
JP2011028146A (ja) | レジスト除去剤 | |
KR101341746B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200825 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200914 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6764845 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |