JP2018078363A - 電流保護回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】回路面積の増加を抑制しつつ、逆流から回路を保護する。【解決手段】電流保護回路11は、トランジスタT1、バックゲート制御部7、電流検出部8およびオフ駆動部9を備える。トランジスタT1は、入力電圧AVDDを入力するための電源入力端子Piおよび入力電圧AVDDよりも低い出力電圧VOUTを出力するための電源出力端子Poの間に直列接続されている。電流検出部8は、電源入力端子Piおよび電源出力端子Poの間に流れる電流を検出し、その検出した電流の向きを表す検出信号Scを出力する。オフ駆動部9は、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる電流の向きである第1方向を表す検出信号Scが出力されると、トランジスタT1をオフ駆動する。バックゲート制御部7は、少なくとも第1方向を表す検出信号が出力される期間、トランジスタT1のドレイン側の電圧をトランジスタT1のバックゲートに与える。【選択図】図1

Description

本発明は、出力端子から入力端子へと流れる逆流から回路を保護する電流保護回路に関する。
例えばシリーズレギュレータ形式の電源回路には、出力端子から入力端子へと流れる逆流から回路を保護するための電流保護回路を備えるものがある。このような逆流保護回路としては、主トランジスタと直列に逆流保護用のトランジスタを設ける構成(例えば、特許文献1参照)を挙げることができる。この場合、入出力端子の電位関係をコンパレータで検出し、コンパレータの出力に基づいて入出力端子の電位関係が逆転したことを検出すると、逆流保護用のトランジスタをオフ駆動することで、逆流の防止を実現している。
特開2004−312231号公報
上記した従来技術の構成では、電源回路の入力端子から出力端子に至る電源供給経路に対し、2つのトランジスタが直列に介在している。電源供給経路は、損失低減などの目的から低抵抗化が必要であるため、これらのトランジスタのサイズを大きくしなければならず、その結果、回路面積が増加することになる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路面積の増加を抑制しつつ、逆流から回路を保護することができる電流保護回路を提供することにある。
請求項1に記載の電流保護回路(11、24、34、44)は、MOSトランジスタ(T1、T31)、電流検出部(8、42)、オフ駆動部(9、23)およびバックゲート制御部(7、32)を備える。MOSトランジスタは、入力電圧を入力するための入力端子および入力電圧よりも低い出力電圧を出力するための出力端子の間に直列接続されている。なお、一般に、このような箇所に接続されるMOSトランジスタは、Nチャネル型であれば、そのドレインが入力端子側に接続されるとともに、そのソースが出力端子側に接続される。また、Pチャネル型であれば、そのソースが入力端子側に接続されるとともに、そのドレインが出力端子側に接続される。
電流検出部は、入力端子および出力端子の間に流れる電流を検出し、その検出した電流の向きを表す検出信号を出力する。オフ駆動部は、出力端子から入力端子へと流れる電流の向きである第1方向を表す検出信号が出力されると、MOSトランジスタをオフ駆動する。バックゲート制御部は、少なくとも電流検出部から第1方向を表す検出信号が出力される期間、MOSトランジスタのドレイン側の電圧をMOSトランジスタのバックゲートに与える。
このような構成において、出力端子から入力端子へと流れる逆流が発生すると、電流検出部は、出力端子から入力端子へと流れる電流の向きである第1方向(=逆方向)を表す検出信号を出力する。オフ駆動部は、電流検出部から第1方向を表す検出信号が出力されると、MOSトランジスタをオフ駆動する。これにより、MOSトランジスタのチャネルを介した経路による逆流が阻止される。
また、このとき、バックゲート制御部は、MOSトランジスタのドレイン側の電圧をMOSトランジスタのバックゲートに与える。このようにすれば、MOSトランジスタがNチャネル型である場合、MOSトランジスタのドレイン・ソース間に、ドレイン側つまり入力端子側をアノードとしたボディダイオードが形成された状態となる。また、MOSトランジスタがPチャネル型である場合、MOSトランジスタのソース・ドレイン間に、ソース側つまり入力端子側をアノードとしたボディダイオードが形成された状態となる。そのため、MOSトランジスタのボディダイオードを介した経路による逆流も阻止される。
このように、上記構成では、入力端子から出力端子に至る経路に直列に設けられた1つのMOSトランジスタの駆動を制御するとともに、バックゲートを制御することにより、出力端子から入力端子へと流れる逆流の発生を防止している。したがって、上記構成によれば、回路面積の増加を抑制しつつ、逆流から回路を保護することができるという優れた効果が得られる。
第1実施形態に係る電源回路の構成を模式的に示す図 第2実施形態に係る電源回路の構成を模式的に示す図 第3実施形態に係る電源回路の構成を模式的に示す図 第4実施形態に係る電源回路の構成を模式的に示す図
以下、本発明の複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図1を参照して説明する。
図1に示す電源回路1は、例えば車両に搭載される電子制御装置(以下、ECUとも呼ぶ)において用いられる。電源回路1は、電源入力端子Piを通じて与えられる入力電圧AVDDを降圧して電源出力端子Poから所望の電圧値を持つ出力電圧VOUTとして出力するシリーズレギュレータ形式の電源回路である。なお、入力電圧AVDDは、車載のバッテリ(図示略)から出力されるバッテリ電圧、または、そのバッテリ電圧を入力とする別の電源回路から出力される直流電圧である。
この場合、入力電圧AVDDの定常値は例えば12Vであり、出力電圧VOUTの目標値は例えば5Vである。つまり、定常時、入力電圧AVDDおよび出力電圧VOUTは、「AVDD>VOUT」という関係になっている。そのため、定常時、電源回路1では、電源入力端子Piから電源出力端子Poへと順方向に電流が流れる。
また、電源出力端子Poは、例えば配線などを通じてECUの外部に導出されており、その配線などが外部に存在する高電圧部分とショートする可能性がある。電源出力端子Poが高電圧部分とショートする故障が生じたとき(以下、異常時とも呼ぶ)、入力電圧AVDDおよび出力電圧VOUTは、「AVDD<VOUT」という関係となる。そのため、異常時、電源回路1では、電源出力端子Poから電源出力端子Piへと逆方向に電流が流れるおそれがある。詳細は後述するが、本実施形態の電源回路1は、このような逆方向の電流(以下、逆流とも呼ぶ)から回路を保護するための保護機能を備えている。
電源回路1は、トランジスタT1、T2、プリドライバ2、シャント抵抗Rs、コンパレータCP1、反転バッファ3、4、電圧検出回路5、誤差アンプ6、バックゲート制御部7などを備えている。トランジスタT1は、Nチャネル型のパワーMOSトランジスタである。
トランジスタT1のドレインは、シャント抵抗Rsを介して電源入力端子Piに接続されている。トランジスタT1のソースは、電源出力端子Poに接続されている。つまり、トランジスタT1は、電源入力端子Piおよび電源出力端子Poの間に直列に介在するものであり、主トランジスタに相当する。トランジスタT1のゲートには、プリドライバ2から出力されるゲート駆動信号Sgが与えられている。なお、この場合、電源入力端子Piは入力端子に相当し、電源出力端子Poは出力端子に相当する。
電源入力端子Piおよび電源出力端子Poの間に直列に介在するシャント抵抗Rsの一方の端子電圧(=入力電圧AVDD)は、コンパレータCP1の非反転入力端子に与えられる。シャント抵抗Rsの他方の端子電圧(=トランジスタT1のドレイン電圧)は、コンパレータCP1の反転入力端子に与えられる。コンパレータCP1の出力信号は、電源入力端子Piおよび電源出力端子Poの間を流れる電流の検出信号Scとして反転バッファ3、4に与えられる。
上記構成において、検出信号Scは、シャント抵抗Rsの各端子電圧の大小関係に応じたレベルとなる。具体的には、検出信号Scは、シャント抵抗Rsの一方の端子電圧が他方の端子電圧よりも大きい場合にはハイレベル(例えば5V)となり、シャント抵抗Rsの他方の端子電圧が一方の端子電圧よりも大きい場合にはロウレベル(例えば0V)となる。このように、本実施形態では、シャント抵抗RsおよびコンパレータCP1により、電源入力端子Piおよび電源出力端子Poの間に流れる電流を検出し、その検出した電流の向きを表す検出信号Scを出力する電流検出部8が構成されている。
本実施形態では、電源出力端子Poから電源出力端子Piへと流れる電流の向き、つまり逆方向の電流(逆電流)の向きを第1方向とし、電源入力端子Piから電源出力端子Poへと流れる電流の向き、つまり順方向の電流(順電流)の向きを第2方向とする。そのため、ロウレベルの検出信号Scが第1方向(逆方向)を表す検出信号に相当し、ハイレベルの検出信号Scが第2方向(順方向)を表す検出信号に相当する。
電圧検出回路5は、抵抗R1およびR2の直列回路により構成されている。その直列回路は、トランジスタT1のソース、つまり電源出力端子Poと、回路の基準電位GND(0V)が与えられるグランド端子Pgとの間に接続されている。抵抗R1、R2の共通接続点の電圧、つまり出力電圧VOUTを抵抗R1、R2により分圧して得られる検出電圧Vdは、誤差アンプ6の反転入力端子に与えられている。
誤差アンプ6の非反転入力端子には、出力電圧VOUTの目標値に対応した基準電圧Vrが与えられている。誤差アンプ6は、基準電圧Vrおよび検出電圧Vdの差に応じた誤差信号Sdを出力する。誤差信号Sdは、プリドライバ2に与えられている。プリドライバ2の制御端子P1とグランド端子Pgとの間には、トランジスタT2が接続されている。トランジスタT2は、Nチャネル型のMOSトランジスタである。
トランジスタT2のゲートには、反転バッファ3の出力信号が与えられている。そのため、トランジスタT2は、検出信号Scがロウレベルのときにオンされ、検出信号Scがハイレベルのときにオフされる。制御端子P1は、プリドライバ2の内部においてプルアップされている。したがって、制御端子P1の電圧レベルは、検出信号ScがハイレベルとなってトランジスタT2がオフされるとハイレベルとなり、検出信号ScがロウレベルとなってトランジスタT2がオンされるとロウレベルとなる。
プリドライバ2は、制御端子P1の電圧レベルがハイレベルである場合、誤差信号Sdに対応したゲート駆動信号Sgを出力する。これにより、出力電圧VOUTが目標値に一致するようにトランジスタT1の駆動がフィードバック制御される。また、プリドライバ2は、制御端子P1の電圧レベルがロウレベルである場合、例えば0Vのゲート駆動信号Sgを出力することにより、トランジスタT1をオフ駆動する。本実施形態では、プリドライバ2、反転バッファ3およびトランジスタT2により、オフ駆動部9が構成されている。
バックゲート制御部7は、電流検出部8から出力される検出信号Scに応じてトランジスタT1のバックゲートに与える電圧を制御する。具体的には、バックゲート制御部7は、ハイレベルの検出信号Scが出力される期間、トランジスタT1のバックゲートをソース側、つまり電源出力端子Poに接続する。これにより、電源入力端子Piから電源出力端子Poへと流れる向きに電流が流れているとき、つまり定常時、トランジスタT1のバックゲートにはソース側の電圧、つまり出力電圧VOUTが与えられる。
また、バックゲート制御部7は、ロウレベルの検出信号Scが出力される期間、トランジスタT1のバックゲートをドレイン側、つまり電源入力端子Piに接続する。これにより、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる向きに電流が流れているとき、つまり逆流時、トランジスタT1のバックゲートにはドレイン側の電圧、つまり入力電圧AVDDが与えられる。
バックゲート制御部7の具体的な構成としては、例えば図1に示すような構成を採用することができる。すなわち、バックゲート制御部7は、トランジスタT3〜T6および電流源10を備えている。トランジスタT3は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、そのソースはグランド端子Pgに接続されている。トランジスタT3のドレインは、電流源10を介して電源入力端子Piに接続されている。トランジスタT3のゲートには、反転バッファ4の出力信号が与えられている。
トランジスタT4は、Pチャネル型のMOSトランジスタであり、そのソースは電源入力端子Piに接続されている。トランジスタT4のゲートは、トランジスタT3のドレインに接続されている。トランジスタT4のドレインは、ノードN1に接続されている。ノードN1は、トランジスタT1のバックゲートに接続されている。
トランジスタT5、T6は、いずれもNチャネル型のMOSトランジスタであり、それらのソースはノードN1に接続されている。トランジスタT5、T6の各ドレインは、電源出力端子Poに接続されている。トランジスタT5のゲートは、電源入力端子Piに接続されている。
トランジスタT6は、プリドライバ2によりオンオフ駆動される。具体的には、プリドライバ2は、制御端子P1の電圧レベルがハイレベルであるときに、トランジスタT6をオン駆動する。また、プリドライバ2は、制御端子P1の電圧レベルがロウレベルであるときに、トランジスタT6をオフ駆動する。
このような構成によれば、電流検出部8からハイレベルの検出信号Scが出力されると、トランジスタT3がオフすることによりトランジスタT4がオフされる。また、このとき、トランジスタT6はプリドライバ2によりオン駆動される。そして、これに伴い、トランジスタT5もオンされる。このような動作により、ノードN1が電源出力端子Poに接続され、トランジスタT1のバックゲートに出力電圧VOUTが与えられる。
また、電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力されると、トランジスタT3がオンすることによりトランジスタT4がオンされる。また、このとき、トランジスタT6はプリドライバ2によりオフ駆動される。そして、これに伴い、トランジスタT5がオフされる。このような動作により、ノードN1が電源入力端子Piに接続され、トランジスタT1のバックゲートに入力電圧AVDDが与えられる。
上記構成において、トランジスタT1、バックゲート制御部7、電流検出部8およびオフ駆動部9により、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる逆流から電源回路1などの回路を保護するための保護機能を実現する電流保護回路11が構成されている。
次に、上記構成の電源回路1の動作について説明する。
[1]入力電圧AVDD>出力電圧VOUTのとき
定常時、入力電圧AVDDおよび出力電圧VOUTは、「AVDD>VOUT」という関係になる。このような場合、電流検出部8からハイレベルの検出信号Scが出力される。これに伴い、バックゲート制御部7は、トランジスタT1のバックゲートを電源出力端子Poに接続する。そして、オフ駆動部9を構成するプリドライバ2は、出力電圧VOUTが目標値に一致するようにトランジスタT1を駆動する。
[2]入力電圧AVDD<出力電圧VOUTのとき
異常時、入力電圧AVDDおよび出力電圧VOUTは、「AVDD<VOUT」という関係になる。このような場合、電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力される。これに伴い、バックゲート制御部7は、トランジスタT1のバックゲートを電源入力端子Piに接続する。そして、オフ駆動部9を構成するプリドライバ2は、トランジスタT1をオフ駆動する。
以上説明した本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
上記構成の電源回路1では、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる逆流が発生すると、電流検出部8は、ロウレベルの検出信号Scを出力する。オフ駆動部9を構成するプリドライバ2は、電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力されると、誤差アンプ6から出力される誤差信号Sdに関係なく、トランジスタT1を強制的にオフ駆動する。これにより、トランジスタT1のチャネルを介した経路による逆流が阻止される。
また、電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力されている期間、バックゲート制御部7は、トランジスタT1のドレイン側の電圧である入力電圧AVDDをトランジスタT1のバックゲートに与える。このようにすれば、トランジスタT1のドレイン・ソース間に、ドレイン側つまり電源入力端子Pi側をアノードとしたボディダイオードが形成された状態となる。そのため、トランジスタT1のボディダイオードを介した経路による逆流も阻止される。
このように、上記構成では、電源入力端子Piから電源出力端子Poに至る経路に直列に設けられた1つのトランジスタT1の駆動を制御するとともに、そのバックゲートを制御することにより、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる逆流の発生を防止している。したがって、本実施形態によれば、電源回路1の回路面積の増加を抑制しつつ、逆流から回路を保護することができるという優れた効果が得られる。
上述したように、上記構成では、異常時、プリドライバ2によりトランジスタT1がオフ駆動されることで逆流が流れなくなる。そうすると、電流検出部8から出力される検出信号Scがハイレベルに転じるため、プリドライバ2によりトランジスタT1がオン駆動されて再び逆流が流れ得る状態となる。そして、再び逆流が流れると、電流検出部8から出力される検出信号Scがロウレベルに転じるため、プリドライバ2によりトランジスタT1がオフ駆動される。上記構成では、異常時、つまり電源出力端子Poから電源入力端子Piへと逆流が流れ得る状態のとき、このようにトランジスタT1のオンオフが繰り返されることにより、その逆流から電源回路1を保護するようになっている。
バックゲート制御部7は、少なくとも電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力される期間、トランジスタT1のドレイン側の電圧をバックゲートに与えればよい。例えば、バックゲート制御部7は、常時、トランジスタT1のドレイン側の電圧をバックゲートに与えるようにしてもよい。このような構成によっても、上述した逆流を阻止する効果を得ることができる。ただし、この場合、トランジスタT1のドレイン・ソース間に、ドレイン側をアノードとしたボディダイオードが、常に形成された状態となる。そのため、定常時、トランジスタT1のボディダイオードを介した経路でも電流(順方向の電流)が流れることになり、その分だけ損失が増加する。
そこで、本実施形態では、バックゲート制御部7は、電流検出部8からハイレベルの検出信号Scが出力される期間、トランジスタT1のバックゲートをソース側、つまり電源出力端子Poに接続する。このようにすれば、電源入力端子Piから電源出力端子Poへと順電流が流れる定常時には、トランジスタT1のドレイン・ソース間に、ソース側をアノードとしたボディダイオードが形成された状態となる。そのため、定常時、トランジスタT1のボディダイオードを介した経路で順方向の電流が流れることがなくなるため、損失が増加することを防止することができる。
(第2実施形態)
以下、第2実施形態について図2を参照して説明する。
図2に示すように、本実施形態の電源回路21は、第1実施形態の電源回路1に対し、コンパレータCP21およびD型のフリップフロップ22が追加されている点が異なる。コンパレータCP21の反転入力端子には出力電圧VOUTが与えられ、その非反転入力端子には入力電圧AVDDが与えられている。
そのため、コンパレータCP21の出力信号Saは、入力電圧AVDDが出力電圧VOUTよりも高い場合にはハイレベルとなり、出力電圧VOUTが入力電圧AVDDよりも高い場合にはロウレベルとなる。コンパレータCP21は、入力電圧AVDDおよび出力電圧VOUTを検出する電圧検出部に相当する。
コンパレータCP21の出力信号Saは、フリップフロップ22のクロック端子に与えられている。フリップフロップ22の入力端子Dには、ハイレベル(例えば+5V)の信号が与えられている。フリップフロップ22のリセット端子Rバーには、電流検出部8から出力される検出信号Scが与えられている。なお、図2では、リセット端子Rバーは、Rの上に「−」を付して示している。フリップフロップ22の出力端子Qから出力される出力信号Sfは、反転バッファ3、4に与えられている。
このような構成により、フリップフロップ22は、電流検出部8から出力される検出信号Scがロウレベルになると、ロウレベルの出力信号Sfを出力する。そして、その出力状態は、クロック端子に与えられるコンパレータCP21の出力信号Saがロウレベルからハイレベルに転じるまで継続される。
この場合、プリドライバ2の制御端子P1の電圧レベルは、出力信号Sfがハイレベルのときにハイレベルとなり、出力信号Sfがロウレベルのときにロウレベルとなる。そのため、プリドライバ2は、出力信号Sfがハイレベルである場合、誤差信号Sdに対応したゲート駆動信号Sgを出力することでトランジスタT1を駆動する。また、プリドライバ2は、出力信号Sfがロウレベルである場合、誤差信号Sdに関係なく、トランジスタT1を強制的にオフ駆動する。
また、この場合、バックゲート制御部7は、フリップフロップ22の出力信号Sfに応じてトランジスタT1のバックゲートに与える電圧を制御する。具体的には、バックゲート制御部7は、ハイレベルの出力信号Sfが出力される期間、トランジスタT1のバックゲートを電源出力端子Poに接続することにより、トランジスタT1のバックゲートに出力電圧VOUTを与える。また、バックゲート制御部7は、ロウレベルの出力信号Sfが出力される期間、トランジスタT1のバックゲートを電源入力端子Piに接続することにより、トランジスタT1のバックゲートに入力電圧AVDDを与える。
本実施形態では、プリドライバ2、反転バッファ3、トランジスタT2およびフリップフロップ22によりオフ駆動部23が構成されている。オフ駆動部23は、ロウレベルの検出信号Scが出力された後、コンパレータCP21の出力信号Saがロウレベルからハイレベルに転じることがなければトランジスタT1のオフ駆動を継続し、出力信号Saがロウレベルからハイレベルに転じるとトランジスタT1のオフ駆動を解除するようになっている。また、本実施形態では、トランジスタT1、バックゲート制御部7、電流検出部8およびオフ駆動部23により電流保護回路24が構成されている。
次に、上記構成の電源回路21の動作について説明する。
[1]入力電圧AVDD>出力電圧VOUTのとき
定常時、入力電圧AVDDおよび出力電圧VOUTは、「AVDD>VOUT」という関係になる。このような場合、電流検出部8からハイレベルの検出信号Scが出力されるとともにコンパレータCP21の出力信号Saがハイレベルとなる。これに伴い、フリップフロップ22の出力信号Sfがハイレベルとなるため、バックゲート制御部7は、トランジスタT1のバックゲートを電源出力端子Poに接続する。そして、オフ駆動部23を構成するプリドライバ2は、出力電圧VOUTが目標値に一致するようにトランジスタT1を駆動する。
[2]入力電圧AVDD<出力電圧VOUTのとき
異常時、入力電圧AVDDおよび出力電圧VOUTは、「AVDD<VOUT」という関係になる。このような場合、電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力されるとともにコンパレータCP21の出力信号Saがロウレベルとなる。これに伴い、フリップフロップ22の出力信号Sfがロウレベルとなるため、バックゲート制御部7は、トランジスタT1のバックゲートを電源入力端子Piに接続する。そして、オフ駆動部23を構成するプリドライバ2は、トランジスタT1をオフ駆動する。
この場合、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと逆流が流れ得る状態、つまり出力電圧VOUTが入力電圧AVDDより大きい状態が継続している場合、出力信号Saがロウレベルからハイレベルに転じることがないため、プリドライバ2によるトランジスタT1のオフ駆動も継続される。一方、逆流が流れ得る状態が解消されると、つまり入力電圧AVDDが出力電圧VOUTより大きい状態になると、出力信号Saがロウレベルからハイレベルに転じるため、プリドライバ2によるトランジスタT1のオフ駆動が解除される。
本実施形態によっても第1実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態では、オフ駆動部23は、ロウレベルの検出信号Scが出力された後、コンパレータCP21の出力信号Saがロウレベルからハイレベルに転じることがなければトランジスタT1のオフ駆動を継続し、出力信号Saがロウレベルからハイレベルに転じるとトランジスタT1のオフ駆動を解除するようになっている。そのため、逆流が流れ得る状態、つまり「AVDD<VOUT」の状態になってトランジスタT1がオフ駆動された場合、逆流が流れ得る状態が解消されない限り、トランジスタT1のオフ駆動が継続される。したがって、本実施形態では、逆流から回路を保護する際、トランジスタT1のオンオフが繰り返されることがないため、出力電圧VOUTの変動を抑制することができる。
(第3実施形態)
以下、第3実施形態について図3を参照して説明する。
図3に示すように、本実施形態の電源回路31は、第1実施形態の電源回路1に対し、トランジスタT1に代えてトランジスタT31を備えている点と、バックゲート制御部7に代えてバックゲート制御部32を備えている点と、反転バッファ4が省かれている点と、が異なる。
トランジスタT31は、Pチャネル型のパワーMOSトランジスタである。トランジスタT31のソースは、シャント抵抗Rsを介して電源入力端子Piに接続されている。トランジスタT31のドレインは、電源出力端子Poに接続されている。つまり、トランジスタT31は、電源入力端子Piおよび電源出力端子Poの間に直列に介在するものであり、主トランジスタに相当する。トランジスタT31のゲートには、プリドライバ2から出力されるゲート駆動信号Sgが与えられている。
バックゲート制御部32は、電流検出部8から出力される検出信号Scに応じてトランジスタT31のバックゲートに与える電圧を制御する。具体的には、バックゲート制御部32は、ハイレベルの検出信号Scが出力される期間、トランジスタT31のバックゲートをソース側、つまり電源入力端子Piに接続する。これにより、電源入力端子Piから電源出力端子Poへと流れる向きに電流が流れているとき、つまり定常時、トランジスタT31のバックゲートにはソース側の電圧、つまり入力電圧AVDDが与えられる。
また、バックゲート制御部32は、ロウレベルの検出信号Scが出力される期間、トランジスタT31のバックゲートをドレイン側、つまり電源出力端子Poに接続する。これにより、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる向きに電流が流れているとき、つまり逆流時、トランジスタT31のバックゲートにはドレイン側の電圧、つまり出力電圧VOUTが与えられる。
バックゲート制御部32の具体的な構成としては、例えば図2に示すような構成を採用することができる。すなわち、バックゲート制御部32は、トランジスタT33〜T36および電流源33を備えている。トランジスタT33は、Pチャネル型のMOSトランジスタであり、そのソースは電源入力端子Piに接続されている。トランジスタT33のドレインは、電流源33を介してグランド端子Pgに接続されている。トランジスタT33のゲートには、検出信号Scが与えられている。
トランジスタT34は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、そのソースは電源出力端子Poに接続されている。トランジスタT34のゲートは、トランジスタT33のドレインに接続されている。トランジスタT34のドレインは、ノードN31に接続されている。ノードN31は、トランジスタT31のバックゲートに接続されている。
トランジスタT35、T36は、いずれもPチャネル型のMOSトランジスタであり、それらのソースはノードN31に接続されている。トランジスタT35、T36の各ドレインは、電源入力端子Piに接続されている。トランジスタT35のゲートは、電源出力端子Poに接続されている。
トランジスタT36は、プリドライバ2によりオンオフ駆動される。具体的には、プリドライバ2は、制御端子P1の電圧レベルがハイレベルであるときに、トランジスタT36をオン駆動する。また、プリドライバ2は、制御端子P1の電圧レベルがロウレベルであるときに、トランジスタT36をオフ駆動する。
このような構成によれば、電流検出部8からハイレベルの検出信号Scが出力されると、トランジスタT33がオフすることによりトランジスタT34がオフされる。また、このとき、トランジスタT36はプリドライバ2によりオン駆動される。そして、これに伴い、トランジスタT35もオンされる。このような動作により、ノードN31が電源入力端子Piに接続され、トランジスタT31のバックゲートに入力電圧AVDDが与えられる。
また、電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力されると、トランジスタT33がオンすることによりトランジスタT34がオンされる。また、このとき、トランジスタT36はプリドライバ2によりオフ駆動される。そして、これに伴い、トランジスタT35がオフされる。このような動作により、ノードN31が電源出力端子Poに接続され、トランジスタT31のバックゲートに出力電圧VOUTが与えられる。
上記構成において、トランジスタT31、バックゲート制御部32、電流検出部8およびオフ駆動部9により、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる逆流から電源回路31などの回路を保護するための保護機能を実現する電流保護回路34が構成されている。
以上説明した本実施形態の構成によっても、第1実施形態と同様の作用および効果が得られる。すなわち、上記構成の電源回路31では、第1実施形態の電源回路1と同様、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる逆流が発生すると、電流検出部8は、ロウレベルの検出信号Scを出力する。オフ駆動部9を構成するプリドライバ2は、電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力されると、誤差アンプ6から出力される誤差信号Sdに関係なく、トランジスタT31を強制的にオフ駆動する。これにより、トランジスタT31のチャネルを介した経路による逆流が阻止される。
また、電流検出部8からロウレベルの検出信号Scが出力されている期間、バックゲート制御部32は、トランジスタT31のドレイン側の電圧である出力電圧VOUTをトランジスタT31のバックゲートに与える。このようにすれば、トランジスタT31のドレイン・ソース間に、ソース側つまり電源入力端子Pi側をアノードとしたボディダイオードが形成された状態となる。そのため、トランジスタT31のボディダイオードを介した経路による逆流も阻止される。
このように、上記構成では、電源入力端子Piから電源出力端子Poに至る経路に直列に設けられた1つのトランジスタT31の駆動を制御するとともに、そのバックゲートを制御することにより、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる逆流の発生を防止している。したがって、本実施形態によっても、第1実施形態と同様、電源回路31の回路面積の増加を抑制しつつ、逆流から回路を保護することができるという優れた効果が得られる。
(第4実施形態)
以下、第4実施形態について図4を参照して説明する。
図4に示すように、本実施形態の電源回路41は、第1実施形態の電源回路1に対し、電流検出部8に代えて電流検出部42を備えている点が異なる。電流検出部42は、電流検出部8が備える構成に加え、さらにトランジスタT41および電流源43を備えている。
この場合、トランジスタT1のドレインは、直接、電源入力端子Piに接続されている。トランジスタT41は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、そのドレインはシャント抵抗Rsを介して電源入力端子Piに接続されている。トランジスタT41のソースおよびゲートは共通接続されており、それら共通接続されたソースおよびゲートは、トランジスタT1のゲートに接続されるとともに電流源43を介してグランド端子Pgに接続されている。トランジスタT41のバックゲートは、グランド端子Pgに接続されている。
上記構成において、トランジスタT1およびトランジスタT41は、カレントミラー回路を構成している。そのため、トランジスタT41には、トランジスタT1に流れる電流に応じた電流(以下、検出電流と呼ぶ)が流れる。なお、検出電流は、トランジスタT1とトランジスタT41のサイズ比などによって定まる。したがって、トランジスタT41は、トランジスタT1に流れる電流に応じた検出電流を流す電流検出用トランジスタに相当する。つまり、本実施形態の電流検出部42は、トランジスタT41に流れる検出電流に基づいてトランジスタT1に流れる電流を検出するようになっている。
上記構成において、トランジスタT1、バックゲート制御部7、電流検出部42およびオフ駆動部9により、電源出力端子Poから電源入力端子Piへと流れる逆流から電源回路41などの回路を保護するための保護機能を実現する電流保護回路44が構成されている。
本実施形態によっても第1実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態では、電源入力端子Piから電源出力端子Poへと至る電源供給経路にシャント抵抗Rsが介在しない構成となっている。したがって、本実施形態によれば、電源供給経路の更なる低抵抗化を実現することが可能となり、その結果、電力損失を一層低減することができるとともに、電圧制御の精度を向上することができるといった効果が得られる。
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で任意に変形、組み合わせ、あるいは拡張することができる。
バックゲート制御部7、32の具体的な構成としては、図1、図3などに示した構成に限らずともよく、所望する動作を実現可能な構成であれば適宜変更することができる。
本発明は、車両に搭載される電子制御装置が備える電源回路に限らず、入力電圧を入力するための入力端子および入力電圧よりも低い出力電圧を出力するための出力端子を有する回路であって、出力端子から入力端子へと逆流が流れる可能性のある回路全般に適用することができる。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
1、21、31、41…電源回路、7、32…バックゲート制御部、8、42…電流検出部、9、23…オフ駆動部、11、24、34、44…電流保護回路、CP21…コンパレータ、Pi…電源入力端子、Po…電源出力端子、Rs…シャント抵抗、T1、T31…トランジスタ、T41…トランジスタ。

Claims (6)

  1. 入力電圧を入力するための入力端子(Pi)および前記入力電圧よりも低い出力電圧を出力するための出力端子(Po)の間に直列接続されたMOSトランジスタ(T1、T31)と、
    前記入力端子および前記出力端子の間に流れる電流を検出し、その検出した電流の向きを表す検出信号を出力する電流検出部(8、42)と、
    前記出力端子から前記入力端子へと流れる電流の向きである第1方向を表す前記検出信号が出力されると、前記MOSトランジスタをオフ駆動するオフ駆動部(9、23)と、
    少なくとも前記電流検出部から前記第1方向を表す前記検出信号が出力される期間、前記MOSトランジスタのドレイン側の電圧を前記MOSトランジスタのバックゲートに与えるバックゲート制御部(7、32)と、
    を備える電流保護回路。
  2. 前記バックゲート制御部は、
    前記入力端子から前記出力端子へと流れる電流の向きである第2方向を表す前記検出信号が出力される期間、前記MOSトランジスタのソース側の電圧を前記MOSトランジスタのバックゲートに与える請求項1に記載の電流保護回路。
  3. さらに、前記入力電圧および前記出力電圧を検出する電圧検出部(CP21)を備え、
    前記オフ駆動部(23)は、前記第1方向を表す前記検出信号が出力された後、前記電圧検出部の検出値に基づいて前記出力電圧が前記入力電圧よりも高いことを検出すると前記MOSトランジスタのオフ駆動を継続し、前記入力電圧が前記出力電圧よりも高いことを検出すると前記MOSトランジスタのオフ駆動を解除する請求項1または2に記載の電流保護回路。
  4. 前記電流検出部(8)は、前記入力端子および前記出力端子の間に直列に介在するシャント抵抗(Rs)を備え、前記シャント抵抗の端子電圧に基づいて前記電流を検出する請求項1から3のいずれか一項に記載の電流保護回路。
  5. 前記電流検出部(42)は、前記MOSトランジスタに流れる電流に応じた検出電流を流す電流検出用トランジスタ(T41)を備え、前記電流検出用トランジスタに流れる検出電流に基づいて前記電流を検出する請求項1から3のいずれか一項に記載の電流保護回路。
  6. 前記入力端子は、入力電圧を所望の出力電圧に降圧して出力する電源回路(1)における前記入力電圧を入力するための電源入力端子(Pi)であり、
    前記出力端子は、前記電源回路における前記出力電圧を出力するための電源出力端子(Po)であり、
    前記MOSトランジスタは、前記電源回路における前記電源入力端子および前記電源出力端子の間に直列に介在する主トランジスタとしても機能する請求項1から5のいずれか一項に記載の電流保護回路。
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