JP2018039979A - 組成物、硬化膜および有機el・液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
Description
[7]表示素子または照明素子用である前記[6]に記載の硬化膜。
[8]前記[6]の硬化膜を有する有機EL素子。
[9]前記[6]の硬化膜を有する液晶表示素子。
本発明の組成物は、後述する樹脂(A)と、反応開始剤(B)と、多官能重合性化合物(C)とを含有する。前記組成物は、さらに、密着助剤(D)、重合禁止剤(E)、およびその他の成分から選択される少なくとも1種を含有することができる。前記各成分をそれぞれ成分(A)、成分(B)、成分(C)、成分(D)、成分(E)とも記載する。
樹脂(A)は、式(A1)に示す構造単位(A1)と、環状エーテル基を含む構造単位(A2)とを有する。成分(A)において、構造単位(A1)の含有量は全構造単位100質量%中30質量%以上である。
脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプタニル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、シクロヘキサデカニル基、シクロイコサン基に代表されるシクロアルキル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロデケニル基、シクロドデケニル基に代表されるシクロアルケニル基等の単環炭化水素基;ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2−エニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基等の飽和又は不飽和の橋かけ環炭化水素基;スピロビシクロペンタニル基等の飽和又は不飽和のスピロ炭化水素基が挙げられる。これらの中でも、単環炭化水素基および橋かけ環炭化水素基が好ましい。
鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、n−ラウリル基、n−ステアリル基等の鎖状アルキル基が挙げられる。
構造単位(A1)を導く不飽和化合物としては、例えば、シクロペンチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロオクチルアクリレート等のシクロアルキルアクリレート;シクロヘキセニルアクリレート等のシクロアルケニルアクリレート;ノルボルニルアクリレート、アダマンチルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルアクリレート等の橋かけ環炭化水素基含有アクリレート;フェニルアクリレート等のアリールアクリレート;ベンジルアクリレート等のアラルキルアクリレート;メチルアクリレート、ブチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、n−ラウリルアクリレート、n−ステアリルアクリレート等のC1-20アルキルアクリレートが挙げられる。
構造単位(A2)は、好ましくは式(A2)で表される。
構造単位(A2)を導く不飽和化合物としては、例えば、環状エーテル基含有(メタ)アクリレートが挙げられ、具体的には、グリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デシル(メタ)アクリレート等のエポキシ環含有(メタ)アクリレート;(3−メチルオキセタン−3−イル)メチル(メタ)アクリレート、(3−エチルオキセタン−3−イル)(メタ)アクリレート、(オキセタン−3−イル)メチル(メタ)アクリレート、(3−エチルオキセタン−3−イル)メチル(メタ)アクリレート等のオキセタン環含有(メタ)アクリレートが挙げられる。
構造単位(A4)を導く不飽和化合物としては、例えば、メチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、n−ラウリルメタクリレート、n−ステアリルメタクリレート等のC1-20アルキルメタクリレート;シクロペンチルメタアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、シクロオクチルメタクリレート等のシクロアルキルメタクリレート;シクロヘキセニルメタクリレート等のシクロアルケニルメタクリレート;ノルボルニルメタクリレート、アダマンチルメタクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルメタクリレート等の橋かけ環炭化水素基含有メタクリレート;フェニルメタクリレート等のアリールメタクリレート;ベンジルメタクリレート等のアラルキルメタアクリレート;イタコン酸ジエチル等の不飽和ジカルボン酸ジエステル;N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド等のマレイミド化合物;スチレン、α−メチルスチレン、o,m又はp−メチルスチレン、p−メトキシスチレン等の不飽和芳香族化合物;1,3−ブタジエン、イソプレン等の共役ジエン化合物;その他、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニルが挙げられる。
反応開始剤(B)は、樹脂および多官能重合性化合物等を重合するために用いられる成分である。反応開始剤(B)としては、特に限定されるものではないが、例えば、ラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤等の重合開始剤が挙げられる。反応開始剤(B)の種類は、多官能重合性化合物(C)の重合形態に応じて適宜選択することができる。本発明の組成物としては、感放射線性硬化型でも熱硬化型でもよいが、パターン形成の観点および素子の劣化防止の観点から、感放射線性硬化型が好ましい。このように、本発明の組成物は、放射線感度および解像性に優れている。
多官能重合性化合物(C)とは、通常、複数の重合性基を有する化合物である。重合性基としては、例えば、ビニル基、(メタ)アクリロイルオキシ基等の、炭素−炭素不飽和二重結合を含む基が挙げられる。
密着助剤(D)は、硬化膜と基板との密着性を向上させる成分である。成分(D)としては、カルボキシ基、メタクリロキシ基、ビニル基、イソシアネート基、オキシラニル基等の反応性官能基を有する官能性シランカップリング剤が好ましい。官能性シランカップリング剤としては、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、リン酸2−(メタクリロキシ)エチルが挙げられる。
重合禁止剤(E)は、本発明の組成物の保存安定性を高める成分である。成分(E)としては、例えば、硫黄、キノン類、ヒドロキノン類、ポリオキシ化合物、アミン、ニトロニトロソ化合物が挙げられ、より具体的には、2,5−ジ−t−ブチルヒドロキノン、p−メトキシフェノール、N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアルミニウムが挙げられる。
本発明の組成物は、上述した成分(A)〜(E)以外のその他の成分をさらに含有することができる。このような他の成分としては、例えば、成分(A)以外の重合体、酸化防止剤、界面活性剤、連鎖移動剤が挙げられる。
本発明の組成物は、成分(A)〜(C)、および必要に応じて成分(D)〜(E)、その他の成分を所定の割合で混合し、好ましくは適当な溶媒に溶解して調製することができる。調製した組成物は、例えば孔径0.2μm程度のフィルタで濾過することが好ましい。
本発明の組成物の固形分濃度は、例えば10〜60質量%、好ましくは20〜40質量%である。ここで固形分濃度とは、前記溶媒を除く全成分の合計濃度である。
本発明の硬化膜は、上述した本発明の組成物より形成される。前記硬化膜は、アウトガスの発生量が少ないという特徴を有しており、また一実施態様において、光透過性、耐熱性、耐薬品性、発泡耐性、電圧保持率および基板に対する密着性に優れる。
本工程では、本発明の組成物を用いて、基板上に塗膜を形成する。具体的には、前記組成物を基板表面に塗布し、好ましくはプレベークを行うことにより溶媒を除去して塗膜を形成する。
本工程では、前記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する。具体的には、工程(1)で形成した塗膜に所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射する。放射線としては、例えば、紫外線、遠紫外線、可視光線、X線、電子線等の荷電粒子線が挙げられる。これらの中でも紫外線が好ましく、紫外線としては、例えば、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)が挙げられる。放射線の露光量としては、0.1〜20,000J/m2が好ましい。
本工程では、放射線が照射された塗膜を現像する。本方法では、通常、ネガ型現像となる。具体的には、工程(2)で放射線が照射された塗膜に対し、現像液により現像を行って放射線の非照射部分を除去する。
本工程では、現像された塗膜を加熱する。例えばオーブンやホットプレート等の加熱装置を用いて加熱することができる。加熱温度は、例えば120〜250℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレート上で加熱処理を行う場合には5〜40分、オーブン中で加熱処理を行う場合には10〜80分である。以上のようにして、目的とする、パターニングされた硬化膜(パターン)を基板上に形成することができる。
本発明の表示素子および照明素子は、上述した本発明の硬化膜を有する。前記素子としては、例えば、有機EL表示素子、有機EL照明素子等の有機EL素子;液晶表示素子が挙げられる。これらの素子において、前記硬化膜は、例えば、平坦化膜、層間絶縁膜、隔壁、スペーサー、保護膜およびカラーフィルタ用接着剤層から選択される少なくとも1種として用いられる。
以下、有機EL素子の一実施態様として、図1および図2に基づき説明する。有機EL素子1は、トップエミッション構造(図1参照)またはボトムエミッション構造(図2参照)とすることができ、各構成材料の材質は、前記構造に応じて適宜選択することができる。図1および2の有機EL素子1は、マトリクス状に形成された複数の画素を有するアクティブマトリクス型である。
パッシベーション膜10は、水分や酸素の浸入を抑制する。このパッシベーション膜10は、陰極9上に設けられている。
図1および図2において、カラーフィルタ13を設けず、例えば赤緑青等の各色を画素ごとに塗り分けて、凹部70に赤緑青の各色画素が形成されていてもよい。
以下、液晶表示素子の一実施態様として、図3に基づき説明する。液晶表示素子は、例えば,対向配置された2枚の基板、この基板の少なくともいずれかの内面側に積層された表示画素、および前記基板間に配置された液晶層を有しており、これが液晶セルとなる。
液晶表示素子1aは、アクティブマトリクス型である。液晶表示素子1aは、表示素子用基板であるアレイ基板15と、アレイ基板15に対向配置されたカラーフィルタ基板90とを有し、両基板15、90の周囲に設けられたシール材により両基板15、90間に液晶が封止されることによって液晶層16が形成されている。
カラーフィルタ基板90は、画素領域において、絶縁性の基板91上に、各画素間に設けられた遮光部材からなるブラックマトリクス92と、画素毎に設けられた赤、緑および青のカラーフィルタ93と、透明導電膜からなる共通電極94と、配向膜95とが基板91側からこの順に形成されている。
樹脂のMwおよびMnは、東ソー社のGPCカラム(G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用い、下記分析条件でゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC法)により測定した。分散度(Mw/Mn)は、MwおよびMnの測定結果から算出した。
(分析条件)
溶出溶媒:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
カラム温度:40℃
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
13C−NMR分析は、測定溶媒を重クロロホルムとし、分析機器(日本電子社の「JNM−EX400」)を用いて行った。樹脂の各構造単位の含有割合は、13C−NMR分析で得られたスペクトルにおける各構造単位に対応するピークの面積比から質量%として算出した。
[合成例1]
冷却管および攪拌機を備えたフラスコに、2,2'−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)10部および3−メトキシプロピオン酸メチル200部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸10部、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート25部、およびシクロへキシルアクリレート65部を仕込んだ。窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を75℃に上昇させ、この温度を5時間保持することによってアルカリ可溶性樹脂(A−1)を含む溶液を得た。前記溶液の固形分濃度は34.2質量%であり、樹脂(A−1)のMwは8,300、Mw/Mnは2.0であった。
モノマーとして表1に示す種類および配合量の各成分を用いたこと以外は合成例1と同様に操作して、アルカリ可溶性樹脂(A−2)〜(A−12)を含む溶液を得た。結果を表1に示す。
[実施例1]
樹脂(A−1)を含有する溶液に、樹脂(A−1)100部(固形分)に相当する量に対して、反応開始剤(B−1)4部、反応開始剤(B−2)5部、多官能重合性化合物(C−1)50部、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(東レ・ダウコーニング社の「XIAMETER(R) OFS−6030 SILANE」)3部、および2,5−ジ−t−ブチルヒドロキノン(和光純薬工業社)0.1部を混合し、得られた混合物を固形分濃度が30質量%となるように3−メトキシプロピオン酸メチルとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとの混合溶媒(質量比50:50)に溶解させた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過して、樹脂組成物(S−1)を調製した。
樹脂(A)およびその他の樹脂、反応開始剤(B)ならびに多官能重合性化合物(C)について、表2に示す種類および配合量の各成分を用いたこと以外は実施例1と同様に操作して、樹脂組成物(S−2)〜(S−10)および(CS−1)〜(CS−3)を調製した。
表2中の各記号の意味は以下のとおりである。
A−1〜A〜12:合成例1〜12でそれぞれ合成した樹脂
反応開始剤(B)
B−1:ADEKA社の「NCI−930」
B−2:1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)](BASF社の「イルガキュアOXE01」)
多官能重合性化合物(C)
C−1:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエリスリトールペンタアクリレートとの混合物(日本化薬社の「KAYARAD DPHA」)
C−2:1,9−ノナンジオールジアクリレート
(共栄社化学社の「ライトアクリレート1,9ND−A」)
実施例および比較例で得られた樹脂組成物から絶縁膜を形成し、以下に説明する手法に従って低アウトガス性、ネガ型放射線感度、ネガ型解像性、現像密着性、化学薬品耐性、光透過性および耐熱光透過性を評価した。評価結果を表2に示す。
実施例および比較例で得られた樹脂組成物をシリコン基板上にスピンナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベークして、塗膜を形成した。次いで、露光機(キヤノン社の「PLA−501F」:超高圧水銀ランプを使用)を用いて、露光量を400J/m2で塗膜の露光を行った。次いで、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(現像液)を用い、液盛り法によって25℃で現像処理を行った。現像処理の時間は100秒であった。現像処理後、超純水で1分間、塗膜の流水洗浄を行い、乾燥させてシリコン基板上にパターンを形成した。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて230℃で30分加熱して、膜厚2.0μmの絶縁膜を得た。
(評価基準)
A:200ng/cm2未満
B:200ng/cm2以上600ng/cm2未満
C:600ng/cm2以上
実施例および比較例で得られた樹脂組成物をガラス基板(コーニング社の「コーニング7059」)上にスピンナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベークして、膜厚4.0μmの塗膜を形成した。
絶縁膜の膜厚について、下記式で表される残膜率(パターン状薄膜が適正に残存する比率)が85%以上になる露光量を感度として求め、以下の基準に従って感度を評価した。
残膜率(%)=(現像後膜厚/現像前膜厚)×100
(評価基準)
A:400J/m2以下
B:400J/m2を超えて600J/m2以下
露光量を400J/m2としたこと以外は放射線感度の評価と同様にして貫通孔を有する絶縁膜を形成し、この絶縁膜の貫通孔の最小径を光学顕微鏡にて観察した。解像性は、以下の基準に従って評価した。
(評価基準)
A:貫通孔の最小径が10μm以上
B:貫通孔の最小径が8μm以上10μm未満
C:貫通孔の最小径が5μm以上8μm未満
ライン・アンド・スペース比(L/S)が1:1(5〜40μmのライン幅と同サイズのスペース幅)のマスクを用い、露光量を400J/m2としたこと以外は放射線感度の評価と同様にして絶縁膜を形成した。この絶縁膜について、現像後に剥離せずに残るラインの最小幅を光学顕微鏡にて観察し、以下の基準に従って現像密着性を評価した。
(評価基準)
A:最小幅が10μm未満
B:最小幅が10μm以上30μm未満
実施例および比較例で得られた樹脂組成物をシリコン基板上にスピンナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベークして、塗膜を形成した。次いで、露光機(キヤノン社の「PLA−501F」:超高圧水銀ランプを使用)を用いて、露光量を400J/m2で塗膜の露光を行った。次いで、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(現像液)を用い、液盛り法によって25℃で現像処理を行った。現像処理の時間は100秒であった。現像処理後、超純水で1分間、塗膜の流水洗浄を行い、乾燥させた。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて230℃で30分加熱して、膜厚4.0μmの絶縁膜を得た。これを65℃に加熱したN−メチル−2−ピロリドンに6分間浸漬し、浸漬の後超純水で5秒間、絶縁膜の流水洗浄を行い、乾燥させた。処理後の絶縁膜の膜厚を、触針式膜厚計を用いて測定した。下記式に従ってN−メチル−2−ピロリドン膨潤率(%)を算出し、下記基準に従って化学薬品耐性を評価した。
N−メチル−2−ピロリドン膨潤率(%)
=100×(浸漬後の残膜(μm)/浸漬前の残膜(μm)率(%)−1)
(評価基準)
A:3%未満
B:3%以上5%未満
C:5%以上
実施例および比較例で得られた樹脂組成物をガラス基板(コーニング社の「コーニング7059」)上にスピンナーを用いて塗布した後、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベークして、塗膜を形成した。
[発泡耐性の評価]
本実施例では、適宜公知の方法を利用し、図3の液晶表示素子1aと同様の構造を有するアクティブマトリクス型のVAモードのカラー液晶表示素子を製造した。
始めに、液晶表示素子を構成するアレイ基板の製造を行った。製造されるアレイ基板が上述した図3のTFT29と同様のTFTを有するように、先ずは、公知の方法に従い、無アルカリガラスからなる絶縁性のガラス基板上に、p−Siからなる半導体層を有するTFTや電極、配線等、およびSiNからなる無機絶縁膜を配置して、TFTを有する基板を準備した。したがって、本実施例において、アレイ基板のTFTは、ガラス基板上で、通常の半導体膜成膜および公知の絶縁層形成等と、フォトリソグラフィ法によるエッチングを繰り返す等して、公知の方法に従って形成されたものである。
以上のようにして、アレイ基板を製造した。
その後、真空中で、重合性液晶組成物が滴下されたアレイ基板にカラーフィルタ基板を貼り合わせた。次に、シール材の塗布領域に沿ってUV光源を移動させながらUV光をシール材に照射し、シール材を硬化させた。このようにして、対向するアレイ基板とカラーフィルタ基板との間に重合性液晶組成物を充填および封止して、重合性液晶組成物の層を形成した。
以上のようにして、VAモードのカラー液晶表示素子を製造した。
表面にナトリウムイオンの溶出を防止するSiO2膜が形成され、さらにITO(インジウム−酸化錫合金)電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、実施例および比較例で得られた樹脂組成物をスピンコートした後、90℃のクリーンオーブン内で10分間プレベークを行って、膜厚2.0μmの塗膜を形成した。次いで、フォトマスクを介さずに、塗膜に400J/m2の露光量で露光した。その後、230℃で30分間ポストベークを行い塗膜を硬化させた。次いで、この画素を形成した基板とITO電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、0.8mmのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせたのち、メルク製液晶MLC6608を注入して、液晶セルを作製した。さらに、液晶セルを60℃の恒温層に入れて、液晶セルの電圧保持率を、液晶電圧保持率測定システム(VHR−1A型、東陽テクニカ社)により測定した。このときの印加電圧は5.5Vの方形波、測定周波数は60Hzである。電圧保持率(%)とは、下記式から求められる値である。
電圧保持率(%)
=(16.7ミリ秒後の液晶セル電位差/0ミリ秒で印加した電圧)×100
(評価基準)
A:95%未満
B:90%以上95%未満
C:90%未満
2…支持基板
3…薄膜トランジスタ(TFT)
4…平坦化膜
5…第1電極としての陽極
6…スルーホール
7…隔壁
8…有機発光層
9…第2電極としての陰極
10…パッシベーション膜
11…封止基板
12…封止層
13…カラーフィルタ
14…ブラックマトリクス
70…凹部
1a 液晶表示素子
15 アレイ基板
16 液晶層
21、91 基板
22 ベースコート膜
23 半導体層
24 ゲート絶縁膜
25 ゲート電極
29 TFT
31f,31g コンタクトホール
34 ソース電極
35 ドレイン電極
36 画素電極
37、95 液晶配向膜
41 無機絶縁膜
52 層間絶縁膜
61 第一配線層
90 カラーフィルタ基板
92 ブラックマトリクス
93 カラーフィルタ
94 共通電極
Claims (9)
- 前記式(A1)中のR2が、置換基を有してもよい環状炭化水素基である請求項1の組成物。
- 前記環状炭化水素基が、単環炭化水素基、橋かけ環炭化水素基およびスピロ炭化水素基から選ばれる少なくとも1種の脂環式炭化水素基である請求項2の組成物。
- 前記構造単位(A2)中の環状エーテル基が、エポキシ環およびオキセタン環から選ばれる少なくとも1種である請求項1〜3のいずれか1項の組成物。
- 前記樹脂(A)が、アルカリ可溶性樹脂である請求項1〜4のいずれか1項の組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項の組成物より形成された硬化膜。
- 表示素子または照明素子用である請求項6に記載の硬化膜。
- 請求項6の硬化膜を有する有機EL素子。
- 請求項6の硬化膜を有する液晶表示素子。
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