JP2018037783A - 集積回路および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】消費電力を抑制することのできる集積回路および電子機器を提供する。【解決手段】第1配線1351に接続された第1端子と第2配線1331に接続された第2端子とを有する第1スイッチ素子1011と、第1配線に接続された第3端子と第3配線1332に接続された第4端子を有する第2スイッチ素子1012と、ソースおよびドレインの一方が第1配線に接続された第1トランジスタ201と、第2制御端子Vbst1に接続された第5端子と第2配線に接続された第6端子と第1制御端子Weに接続された第7端子と第8端子と、を有する。第1制御端子からの第1制御信号に応じて第5および第6端子のうちの一方と第8端子を接続する選択回路271と、第8端子に接続された第9端子と第1配線に接続される第10端子と出力端子に接続される第11端子とを有する論理回路231とを備えている。【選択図】図11
Description
本発明の実施形態は、集積回路および電子機器に関する。
FPGA(Field Programmable Gate Array)は任意の論理機能を実現することができる集積回路である。FPGAは、任意の論理演算を行う論理ブロック(LB(Logic Block))と、論理ブロック間の配線の接続を切り替えるスイッチブロック(SB(Switches Block))とを有している。論理ブロックは少なくとも1つのルックアップテーブル回路(以下、LUT(Look Up Table)回路とも云う)を有し、このLUT回路は入力に応じてメモリに記憶された値を出力する。このメモリを書き換えることで、LUT回路に配線の切り替え機能を実装することができる。
スイッチブロックは配線間の接続の切り替えを行い、機能としてはマルチプレクサ回路(以下、MUX回路とも云う)である。MUX回路は入力端子のうちの1つの入力端子を選択して出力端子に接続する機能を持つ。スイッチブロックは、少なくとも1つのMUX回路を有する。全ての入力端子が全ての出力端子に接続可能であるスイッチブロックは、クロスポイント型スイッチブロックと呼ばれる。
このクロスポイント型スイッチブロックは、後述するように、トランジスタのゲートリークによる消費電力が大きいという課題がある。
本実施形態は、消費電力を抑制することのできる集積回路および電子機器を提供する。
本実施形態による集積回路は、第1配線と、前記第1配線と交差する第2および第3配線と、前記第2配線に接続された第1入力端子と、前記第3配線に接続された第2入力端子と、第1制御端子と、第2制御端子と、出力端子と、前記第1配線と前記第2配線との交差領域に設けられ、前記第1配線に接続された第1端子と、前記第2配線に接続された第2端子とを有する第1スイッチ素子と、前記第1配線と前記第3配線との交差領域に設けられ、前記第1配線に接続された第3端子と、前記第3配線に接続された第4端子とを有する第2スイッチ素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1配線に接続された第1トランジスタと、前記第2制御端子に接続された第5端子と、前記第2配線に接続された第6端子と、前記第1制御端子に接続された第7端子と、第8端子と、を有し、前記第1制御端子からの第1制御信号に応じて前記第5および第6端子のうちの一方と前記第8端子を接続する選択回路と、前記第8端子に接続された第9端子と、前記第1配線に接続される第10端子と、前記出力端子に接続される第11端子と、を有する論理回路と、を備えている。
発明の実施形態を説明する前に、本発明に至った経緯について説明する。
まず、一般的なFPGAの構成について説明する。図1に示すように、一般に、FPGA100は、アレイ状に配置された複数の基本ブロック110を有している。各基本ブロック110は、隣接する基本ブロック110と配線で接続される。各基本ブロック110は、論理ブロック120と、スイッチブロック130と、を備えている。論理ブロック120は論理演算を行うブロックであり、その基本構成は真理値表を実装したルックアップテーブルを用いて行う。各スイッチブロック130は、隣接する基本ブロック110に接続される配線の接続/非接続を制御し、任意の方向へ信号を伝達することを可能にする。
また、各スイッチブロック130は、論理ブロック120との接続も行う。論理ブロック120およびスイッチブロック130はそれぞれのコンフィグレーションメモリに記憶されたデータに基づいて接続の制御を行うことができる。
論理ブロック120は、図2に示すように、ルックアップテーブル回路122(以下、LUT回路122ともいう)と、メモリ124と、を有し、これらLUT回路122は入力に応じて上記メモリ124に記憶された情報を出力する。このメモリ124に記憶された情報を書き換えることで、LUT回路122に任意の機能を実装することができる。
その他に、論理ブロック120は、フリップフロップ回路126a,126bと、ハードマクロ128と、を含むこともある。フリップフロップ回路126aはLUT回路122の出力端子に接続され、フリップフロップ回路126bは論理ブロック120の入力端子に直接接続される。ここで、ハードマクロ128とは、予め設計された回路群のことである。例えば、図3Aに示すように、ハードマクロ128の一例として、ANDゲート129aと、XORゲート129bとで構成された半加算器128aが挙げられる。また他の例として、半加算器128a、128b、ORゲート129cとで構成された全加算器128bが挙げられる。
スイッチブロック130は、複数のマルチプレクサ回路(以下、MUX回路ともいう)を含む。スイッチブロック130の一例を図4に示す。このスイッチブロック130は、2個のMUX回路131a、131bを有し、これらのMUX回路131a、131bはそれぞれ、複数の配線1331〜13310に接続された複数の入力端子のうち1つの入力端子を選択し、この選択した入力端子を配線1351,1352に接続された出力端子にそれぞれ接続する機能を持つ。このように、スイッチブロック130は出力端子を複数有する。
他の例のスイッチブロック130を図5に示す。この図5に示すスイッチブロック130は、マトリクス状に配列されたスイッチ回路140を有し、同一行に配置されたスイッチ回路140は1つの出力配線に接続される。例えば、図5において、上から第2i−1(i=1,・・・,6)行に配列された複数のスイッチ回路140は、左に向かって信号が出力される行配線1352i−1に接続され、第2i行に配列された複数のスイッチ回路140は、右に向かって信号が出力される行配線1352iに接続される。また、左から第2j−1(j=1,・・・,5)に配置されたスイッチ回路140は、列配線1332j−1に接続され、第2j列に配置されたスイッチ回路140は、列配線1332jに接続される。すなわち、スイッチ回路140は、配線1331〜13310と、行配線1351〜13512との交差領域に設けられる。各スイッチ回路140は、列配線1331〜13310のうちの対応する一つの配線と、行配線1351〜13512のうちの対応する一つの配線との接続の有無を決定する。なお、例えば、上から第1行に配列されたスイッチ回路140と、第2行に配列されたスイッチ1回路40は、図4に示すMUX回路131a、131bと同じ機能を有する。
このように、図5に示すスイッチブロック130は、全ての入力が全ての出力に任意に接続可能である。このように配線と配線との交差領域に配置され、スイッチ回路を有し、全ての入力が全ての出力に任意に接続可能であるスイッチブロックをクロスポイント型スイッチブロックと呼ぶ。
また、CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)トランジスタを用いたMUX回路も知られている。しかし、このMUX回路は、入力数の増加に対する面積増加が大きいため、全てのスイッチブロックへの入力を、MUX回路を介して入力せず、間引いて入力するアーキテクチャを採用している場合もある。
2端子スイッチ素子として、例えば抵抗変化素子またはアンチヒューズ素子を用いることで、面積の増加を抑えることが可能になる。抵抗変化素子としては、例えばMTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子、酸化還元型抵抗変化素子、イオン伝導型抵抗変化素子、または相変化素子などが挙げられる。また、アンチヒューズ素子として、例えばゲート酸化膜破壊型トランジスタなどのOTP(One Time Programmable)素子が挙げられる。
2端子スイッチ素子をスイッチ回路として用いたクロスポイント型スイッチブロックの一具体例を図6に示す。このスイッチブロック130は、2端子スイッチ素子10ij(i、j=1,2,3,4)と、pチャネルトランジスタ201〜204と、インバータ221〜224と、インバータ241〜244と、nチャネルトランジスタ251〜254と、nチャネルトランジスタ261〜264と、インバータ24j(j=1,2,3,4)に入力する入力端子Injと、インバータ22i(i=1,2,3,4)から出力される出力端子Outiと、を有する。
入力端子Inj(j=1,2,3,4)はインバータ24jおよびトランジスタ25jを介して列配線133jに接続される。出力端子Outi(i=1,2)はインバータ22iを介して行配線135iに接続される。
また、2端子スイッチ素子10ij(i、j=1,2,3,4)は、列配線133jと行配線135iとの交差領域に設けられ、2つの端子のうちの一方の端子が列配線133jに接続され、他方の端子が行配線135iに接続される。
トランジスタ20i(i=1,2,3,4)は、ソースおよびドレインの一方が行配線135iに接続され、他方に信号VRiが印加され、ゲートに行選択信号Rselectiを受ける。トランジスタ25j(j=1,2,3,4)は、ゲートに信号Vbst1を受ける。トランジスタ26j(j=1,2,3,4)は、ソースおよびドレインの一方が列配線133jに接続され、他方が信号VCjに接続され、ゲートに列選択信号Cselectjを受ける。
このように構成されたスイッチブロックの書き込みの例について図7を参照して説明する。この書き込みは、スイッチ素子1011に書き込みを行う場合の例である。行選択信号Rselect1にトランジスタ201がオン状態になる電圧、例えばVssを与え、列選択信号Cselect1にトランジスタ261がオン状態になる電圧、例えばVddを与える。続いて、オン状態になっているトランジスタ201のソースに書き込み電圧VR1を与え、オン状態になっているトランジスタ261のソースに電圧VC1を与える。この電圧VC1は、スイッチ素子1011の両端子間に印加される電圧(=VR1−VC1)がスイッチ素子1011に書き込みを行うための閾値電圧より大きくなる電圧である。すなわち、
閾値電圧<VR1−VC1
となる。これにより、スイッチ素子1011への書き込みを行うことができる。それ以外のスイッチ素子の両端子には書き込み防止電圧Vinhibitを与え、書き込みを行う以外のスイッチ素子への誤書込みを防止する。ここで、書き込み防止電圧Vinhibitは、
閾値電圧>VR1−Vinhibit、かつ、
閾値電圧>Vinhibit−VC1
を満たす。
閾値電圧<VR1−VC1
となる。これにより、スイッチ素子1011への書き込みを行うことができる。それ以外のスイッチ素子の両端子には書き込み防止電圧Vinhibitを与え、書き込みを行う以外のスイッチ素子への誤書込みを防止する。ここで、書き込み防止電圧Vinhibitは、
閾値電圧>VR1−Vinhibit、かつ、
閾値電圧>Vinhibit−VC1
を満たす。
なお、入力側のインバータ241〜244からはこれらの電圧がリークしてしまうため、トランジスタ251〜254が必要であり、書き込み時は、これらのトランジスタ251〜254をオフ状態としてインバータ241〜244から分離する。出力側のインバータ221〜224は、これらのインバータを構成するトランジスタのゲートが行配線1351〜1354に接続されているため、電圧がリークする心配はない。ただし、書き込み電圧VR1〜VR4が上記インバータを構成するトランジスタのゲート破壊電圧よりも高電圧であった場合、書き込み動作でインバータ221〜224が破壊されてしまう。
そこで、図8に示すように行配線135i(i=1,2,3,4)とインバータ22iとの間にカットオフトランジスタ21iが設けられる。カットオフトランジスタ21i(i=1,2,3,4)は、ゲートに与えられた信号Vbst2と、書き込み電圧VRiとの電位差がゲート破壊電圧より低ければ、カットオフトランジスタ21iのゲートの破壊を防ぐことができる。更に、カットオフトランジスタ21i(i=1,2,3,4)の閾値電圧をVthとすると、インバータ22iには
Vbst2-Vth
までしか電圧が印加されないため、Vbst2がインバータ22i(i=1,2,3,4)を構成するトランジスタのゲート破壊電圧より低ければ、インバータ22i(i=1,2,3,4)の破壊も防ぐことができる。
Vbst2-Vth
までしか電圧が印加されないため、Vbst2がインバータ22i(i=1,2,3,4)を構成するトランジスタのゲート破壊電圧より低ければ、インバータ22i(i=1,2,3,4)の破壊も防ぐことができる。
この2端子スイッチ素子周辺の回路構成に関しては知られている。この回路構成には2つの問題点がある。1つはカットオフトランジスタの消費電力である。カットオフトランジスタはnチャネルMOSFET(以下、nMOSともいう)である必要がある。これは、pチャンネルMOSFET(以下pMOSとも云う)においては、ソース/ドレインと基板が順方向ダイオードであるため、書き込み時に基板電圧以上の電圧がソース/ドレインに印加されると基板方向で電流が流れ、書き込み電圧が低下してしまうため、pMOSは用いることができない。しかし、nMOSにおいては、ゲート電圧−Vthまでしか電圧を伝搬できない。このため、動作速度の劣化とインバータの貫通リークを防ぐために、カットオフトランジスタのゲートには通常の動作電圧Vddよりも高い電圧をかけなければならない。これにより、ゲートとソース/ドレインとの間およびゲートと基板との間に印加される高電圧が、ゲートリーク電流を増大させる。
2つ目はクロスポイント型スイッチブロック周辺の回路のテストが困難ということである。特に上述したアンチヒューズ型素子を用いた場合、ユーザーが書き込むまでは周辺のCMOS回路の動作は確認できない。また、抵抗変化メモリを用いた場合であっても、既存のFPGAで使用されているSRAMメモリに比較すれば書き込み/消去の動作速度はかなり遅いことが予想され、チップテストの時間コストを増大させる可能性がある。
そこで、本発明者達は、鋭意研究に勤めた結果、リーク電流を抑制し、低消費電力が可能な集積回路を得ることができた。この集積回路を以下に実施形態として説明する。
(第1実施形態)
第1実施形態による集積回路を図9に示す。この第1実施形態の集積回路は、例えば、FPGAに用いられるスイッチブロック130を含む。このスイッチブロック130は、図8に示すスイッチブロック130において、カットオフトランジスタ211〜214およびインバータ221〜224の代わりに論理回路231〜234を設けた構成を有している。以下の実施形態では、論理回路231〜234としては、例えばNANDゲートが用いられる。しかし、ANDゲート等を用いてもよい。
第1実施形態による集積回路を図9に示す。この第1実施形態の集積回路は、例えば、FPGAに用いられるスイッチブロック130を含む。このスイッチブロック130は、図8に示すスイッチブロック130において、カットオフトランジスタ211〜214およびインバータ221〜224の代わりに論理回路231〜234を設けた構成を有している。以下の実施形態では、論理回路231〜234としては、例えばNANDゲートが用いられる。しかし、ANDゲート等を用いてもよい。
このように構成された第1実施形態のスイッチブロック130は、2端子スイッチ素子10ij(i、j=1,2,3,4)と、pチャネルトランジスタ201〜204と、NANDゲート231〜234と、インバータ241〜244と、nチャネルトランジスタ251〜254と、nチャネルトランジスタ261〜264と、インバータ24j(j=1,2,3,4)に入力する入力端子Injと、NANDゲート23i(i=1,2,3,4)から出力される出力端子Outiと、を有する。
NANDゲート23i(i=1,2,3,4)は、2つの入力端子のうちの一方の入力端子が書き込みイネーブル信号Weを受け、他方の入力端子が行配線135iに接続される(図9および図10の左側参照)。このNANDゲート23i(i=1,2,3,4)は、図10の右側に示すように、直列に接続されたpチャネルトランジスタ23a、nチャネルトランジスタ23b、23cと、pチャネルトランジスタ23dと、を備えている。トランジスタ23cのゲートとトランジスタ23dのゲートは、書き込みイネーブル信号Weを受け、トランジスタ23aのゲートとトランジスタ23bのゲートは、行配線135iから書き込み電圧Vwriteを受ける。トランジスタ23dのドレインは、トランジスタ23aのドレインに接続される。
このように構成されたNANDゲート23i(i=1,2,3,4)において、書き込みイネーブル信号WeがLowレベル(“0”レベル)のとき、電源電圧Vddより大きな電圧である書き込み電圧Vwriteがゲートに印加されるトランジスタ23a、23bの共通接続ノードに、トランジスタ23dを介して電圧、例えば電源電圧Vddが印加される。トランジスタ23bは書き込み電圧Vwriteによってオンしてチャネルが形成されるため、トランジスタ23bのソースおよびドレインは同電位となる。トランジスタ23aのソースには常に電源Vddが供給されており、基板電位も電源Vddが供給されている。これにより、書き込み電圧Vwriteがゲートに印加されるトランジスタ23bとトランジスタ23aのゲート酸化膜は上述した印加電圧により書き込みに必要な電位差を下回ることになり、破壊を防ぐことができる。動作時は書き込みイネーブル信号WeをHighレベル(“1”レベル)にすることで、NANDゲート23i(i=1,2,3,4)はインバータ動作する。
以上説明したことから、トランジスタ23a、23bにおいては、ゲートリークが発生するのを抑制することが可能となり、消費電力を増加させることなく、高電圧からトランジスタ23a、23bを保護することができる。すなわち、第1実施形態の集積回路においては、消費電力を抑制することができる。
(第2実施形態)
第2実施形態による集積回路を図11に示す。この第2実施形態の集積回路は、図9に示す第1実施形態の集積回路130において、テスト回路271〜274を新たに設けた構成を有している。テスト回路27i(i=1,2,3,4)は、マルチプレクサ(選択回路)であって、2つの入力端子のうちの一方の入力端子が信号Vbst1を受け、他方の入力端子が例えば配線133iに接続され、出力端子がNANDゲート23iの2つの入力端子のうちの一つに接続される。なお、テスト回路27i(i=1,2,3,4)の上記他方の入力端子は、列配線133i以外の他の3個の列配線1332〜1334のうちの1つの配線に接続されてもよい。この場合、テスト回路271〜274の上記他方の入力端子は、列配線1331〜1334のうちの互いに異なる配線に接続される。そして、テスト回路27i(i=1,2,3,4)は、書き込みイネーブル信号Weに基づいて、2つの入力端子のうちの1つの入力端子を選択し、この選択した入力端子を出力端子に接続する。このため、テスト回路27i(i=1,2,3,4)を設けることにより、上記他方の入力端子と、この入力端子に接続された配線、例えば列配線133iとを接続する配線137iは、バイパスとなり、上記列配線133iに接続されたスイッチ素子を通過しない短絡線137iとなる。このようにテスト回路271〜274を設けることにより、スイッチ素子に書き込みが行われない状態でも、スイッチ素子の周辺回路のテストを行うことができる。
第2実施形態による集積回路を図11に示す。この第2実施形態の集積回路は、図9に示す第1実施形態の集積回路130において、テスト回路271〜274を新たに設けた構成を有している。テスト回路27i(i=1,2,3,4)は、マルチプレクサ(選択回路)であって、2つの入力端子のうちの一方の入力端子が信号Vbst1を受け、他方の入力端子が例えば配線133iに接続され、出力端子がNANDゲート23iの2つの入力端子のうちの一つに接続される。なお、テスト回路27i(i=1,2,3,4)の上記他方の入力端子は、列配線133i以外の他の3個の列配線1332〜1334のうちの1つの配線に接続されてもよい。この場合、テスト回路271〜274の上記他方の入力端子は、列配線1331〜1334のうちの互いに異なる配線に接続される。そして、テスト回路27i(i=1,2,3,4)は、書き込みイネーブル信号Weに基づいて、2つの入力端子のうちの1つの入力端子を選択し、この選択した入力端子を出力端子に接続する。このため、テスト回路27i(i=1,2,3,4)を設けることにより、上記他方の入力端子と、この入力端子に接続された配線、例えば列配線133iとを接続する配線137iは、バイパスとなり、上記列配線133iに接続されたスイッチ素子を通過しない短絡線137iとなる。このようにテスト回路271〜274を設けることにより、スイッチ素子に書き込みが行われない状態でも、スイッチ素子の周辺回路のテストを行うことができる。
これらのテスト回路271〜274を備えた第2実施形態の集積回路における書き込み時、通常動作時、およびテスト時の動作について、図12を参照して説明する。図12は、書き込み時、動作時、およびテスト時における各端子に印加される信号を示す図である。
(書き込み)
まず書き込み時は、書き込みイネーブル信号WeをLow(0)とする。書き込み時なので信号Vbst1もLow(0)となる。行選択信号Rselecti(i=1,2,3,4)を全てLow(0)とし、列選択信号Cselecti(i=1,2,3,4)を全てHigh(1)とし、書き込みを行うスイッチ素子が接続される行配線135iに与える信号VRiを書き込み電圧Vwriteとし、他の行配線に与える信号VRを書き込み防止電圧Vinhibitとし、書き込みを行うスイッチ素子が接続される列配線に与える信号VCは電圧Vssとし、他の列配線に与える信号VCは書き込み防止電圧Vinhibitとする(図12)。
まず書き込み時は、書き込みイネーブル信号WeをLow(0)とする。書き込み時なので信号Vbst1もLow(0)となる。行選択信号Rselecti(i=1,2,3,4)を全てLow(0)とし、列選択信号Cselecti(i=1,2,3,4)を全てHigh(1)とし、書き込みを行うスイッチ素子が接続される行配線135iに与える信号VRiを書き込み電圧Vwriteとし、他の行配線に与える信号VRを書き込み防止電圧Vinhibitとし、書き込みを行うスイッチ素子が接続される列配線に与える信号VCは電圧Vssとし、他の列配線に与える信号VCは書き込み防止電圧Vinhibitとする(図12)。
これにより、テスト回路27i(i=1,2,3,4)はNANDゲート23iに信号Vbst1すなわち信号「0」を送り、図10に示す第1実施形態で説明した回路保護状態となる。ここで、書き込み時は入力端子In1〜In4からの信号を遮断しなければならず信号Vbst1が0となるので、この信号Vbst1を利用しているが、別の信号を用いてもよい。
(通常動作)
次に通常動作時は、信号Vbst1をHigh(1)とし、書き込みイネーブル信号WeをLow(0)とする。行選択信号Rselecti(i=1,2,3,4)を全てHigh(1)とし、列選択信号Cselecti(i=1,2,3,4)を全てLow(0)とし、信号VR1〜VR4を電源電圧Vddとし、信号VC1〜VC4を電圧Vssとする(図12)。
次に通常動作時は、信号Vbst1をHigh(1)とし、書き込みイネーブル信号WeをLow(0)とする。行選択信号Rselecti(i=1,2,3,4)を全てHigh(1)とし、列選択信号Cselecti(i=1,2,3,4)を全てLow(0)とし、信号VR1〜VR4を電源電圧Vddとし、信号VC1〜VC4を電圧Vssとする(図12)。
これにより、テスト回路27i(i=1,2,3,4)はNANDゲート23iに信号Vbst1すなわち信号「1」を送り、NANDゲート23iが配線135iからの信号を出力するようにする。すなわち、NANDゲート231〜234は、図10に示す第1実施形態で説明したインバータ動作状態となり、入力端子In1〜In4からの信号がスイッチ素子を介してNANDゲート231〜234に入力される。
(テスト)
テスト時は、書き込みイネーブル信号WeをHigh(1)とし、信号Vbst1をHigh(1)とし、行選択信号Rselecti(i=1,2,3,4)は全てLow(0)とし、列選択信号Cselecti(i=1,2,3,4)は全てLow(0)とし、信号VR1〜VR4には電源電圧Vddを印加し、信号VC1〜VC4には電圧Vssを印加する(図12)。
テスト時は、書き込みイネーブル信号WeをHigh(1)とし、信号Vbst1をHigh(1)とし、行選択信号Rselecti(i=1,2,3,4)は全てLow(0)とし、列選択信号Cselecti(i=1,2,3,4)は全てLow(0)とし、信号VR1〜VR4には電源電圧Vddを印加し、信号VC1〜VC4には電圧Vssを印加する(図12)。
書き込みイネーブル信号WeをHigh(1)としたことにより、テスト回路271〜274は、短絡線を選択する。そして、全ての行選択線Rselect1〜Rselect4をLow(0)にし、全ての信号VR1〜VR4から電源Vddすなわち信号「1」がNANDゲート231〜234に供給されることでNANDゲート231〜234が短絡線に対してインバータ動作するようになる。
以上により、スイッチ素子を書き込まずに入力端子In1〜In4からの信号を出力端子Out1〜Out4から出力することが可能となり、クロスポイント型スイッチブロック周辺の回路のテストを行うことができる。
次に、上記第2実施形態の集積回路において書き込み回路を含む構成を図13に示す。図13に示す集積回路は、図11に示すスイッチブロック130と、行選択ドライバ210と、行書き込み電源選択回路(電源回路)212と、列選択ドライバ220と、列書き込み電源選択回路(電源回路)222と、を備えている。
行書き込み電源選択回路212はトランジスタ201〜204のゲートに接続され、選択信号に応じてトランジスタ201〜204のゲートの1つに書き込み電圧Vwriteを与え、他のゲートに書き込み防止電圧Vinhibitを与える。
列書き込み電源選択回路222は、トランジスタ261〜264のゲートに接続され、選択信号に応じてトランジスタ261〜264のゲートの1つにVssを、残りゲートに書き込み防止電圧Vinhibitを与える。
行選択ドライバ210および列選択ドライバ220の出力は、スイッチ素子が、MTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子、酸化還元型抵抗変化素子、イオン伝導型抵抗変化素子、相変化素子などの抵抗変化素子であれば、同一のスイッチブロック内はそれぞれ同電位の信号が入力される。すなわち、書き込みを行いたいスイッチブロックの行選択ドライバ210の出力は全てLow(0)、列選択ドライバ220の出力は全てHigh(1)となり、書き込みを行わないスイッチブロックの行選択ドライバの出力は全てHigh(1)、列選択ドライバの出力は全てLow(0)となる。これらの切り替えは選択信号に応じて行われる。
実際のテストの例について図14乃至図16を参照して説明する。スイッチブロック130は複数の入出力端子を有している。例えば図14に示すように、スイッチブロック130は、複数の入力端子InW1、InE1、InN1、InS1と、複数の出力端子OutW1、OutE1、OutN1、OutS1と、を有している。それぞれの入出力端子は他のスイッチブロックの入出力端子と接続される。なお、図14においては、説明を簡単にするため、図13に示すトランジスタ201〜204およびトランジスタ251〜254を省略している。
このような入出力端子に対して、図15に示すように信号がパスする。例えば、信号が入力端子InW1を介してインバータ242に入力すると、矢印に示すように、列配線1332、配線1372、テスト回路272、NANDゲート232を介して信号が出力端子OutE1から出力される。この信号を受けた別の第2スイッチブロックがまた別の第3スイッチブロックに信号をパスすることを繰り返す。これを図16に示すように、観測可能なパッド60a、60b、60c、60d間で信号を観測し、その動作を確認することが可能となる。複数の配線に関しては、それぞれの配線に対してパッドを接続できない場合は、図16に示すようにマルチプレクサ回路50a、50b、50c、50dによって切り替えを行う。
(第1変形例)
上述の場合は、スイッチブロックについて説明したが、スイッチブロックに接続されたロジックは、例えば図17に示す第1変形例の集積回路のように、ルックアップテーブル回路122と、このルックアップテーブル回路122の出力端子に接続されたスキャン機能つきフリップフロップ126がある。この図17に示す第1変形例の集積回路は、図15に示す集積回路において、行配線1355〜1357と、短絡線1375〜1377と、テスト回路275〜277と、NANDゲート235〜237と、行配線1355〜1357と列配線1331〜1334との交差領域に設けられたスイッチ素子1051〜1074と、新たに設けた構成を有している。
上述の場合は、スイッチブロックについて説明したが、スイッチブロックに接続されたロジックは、例えば図17に示す第1変形例の集積回路のように、ルックアップテーブル回路122と、このルックアップテーブル回路122の出力端子に接続されたスキャン機能つきフリップフロップ126がある。この図17に示す第1変形例の集積回路は、図15に示す集積回路において、行配線1355〜1357と、短絡線1375〜1377と、テスト回路275〜277と、NANDゲート235〜237と、行配線1355〜1357と列配線1331〜1334との交差領域に設けられたスイッチ素子1051〜1074と、新たに設けた構成を有している。
短絡線137i(i=5,6,7)は、一端が列配線133iに接続される。テスト回路27i(i=5,6,7)は、2つの入力端子の一方が図13に信号Vbst1を受け、他方の入力端子が短絡線137iの他端に接続され、出力端子がNANDゲート23iの2つの入力端子の一つに接続される。NANDゲート23i+4(i=1,2,3)は、他方の入力端子が行配線135i+4に接続され、出力端子から信号LUTiniが出力される。
このように構成したことにより、スキャン機能付きフリップフロップ126を用いて、ルックアップテーブル回路122の動作を確認することができる。図17に示す短絡線137i(i=1,2,3,4,5,6,7)は列配線133iに接続されていたが、他の列配線に接続されていてもよい。この場合、短絡線1371〜1377は、互いに異なる列配線に接続される。
(第2変形例)
もし、スイッチ素子の書き込み電圧が周辺回路を破壊する電圧未満であれば、図18に示す第2変形例の集積回路のように、NANDゲート231〜234の代わりにインバータ221〜224を用いても良い。
もし、スイッチ素子の書き込み電圧が周辺回路を破壊する電圧未満であれば、図18に示す第2変形例の集積回路のように、NANDゲート231〜234の代わりにインバータ221〜224を用いても良い。
(第3変形例)
書き込み防止電圧Vinhibitとしてもし電源電圧を用いることが可能である場合、図19に示す第3変形例の集積回路のように構成してもよい。この第3変形例の集積回路は、図11に示す第2実施形態の集積回路において、トランジスタ251〜254およびトランジスタ261〜264を削除するとともに、トランスファゲート321〜324と、pチャネルトランジスタ341〜344と、インバータ361〜364と、を新たに設けた構成を有している。
書き込み防止電圧Vinhibitとしてもし電源電圧を用いることが可能である場合、図19に示す第3変形例の集積回路のように構成してもよい。この第3変形例の集積回路は、図11に示す第2実施形態の集積回路において、トランジスタ251〜254およびトランジスタ261〜264を削除するとともに、トランスファゲート321〜324と、pチャネルトランジスタ341〜344と、インバータ361〜364と、を新たに設けた構成を有している。
トランスファゲート32j(j=1,2,3,4)は、入力端子Iniとインバータ24iの入力端子との間に配置される。トランジスタ34j(j=1,2,3,4)は、ゲートにイネーブル信号We2を受け、ソースに電源Vddが接続される。インバータ36j(j=1,2,3,4)は、トランジスタ34jのドレインからの信号に基づいて動作し、入力端子に列選択信号Cselectjを受け、出力端子がインバータ24jの入力端子に接続される。
このように構成された第3変形例の集積回路における書き込み時、通常動作時、およびテスト時の動作について、図20を参照して説明する。図20は、書き込み時、動作時、およびテスト時における各端子に印加される信号を示す図である。
(書き込み)
書き込み時は、まずイネーブル信号We1をLow(0)、イネーブル信号We2をLow(0)、行選択信号Rselect1〜Rselect4をLow(0)、書き込みを行うスイッチ素子が接続される行配線135iに与える信号VRiを書き込み電圧Vwriteとし、他の行配線に与える信号VRを書き込み防止電圧Vinhibitとし、書き込みを行うスイッチ素子の列選択信号CselectはLow(0)とし、他の列選択信号はHigh(1)とする(図20)。
書き込み時は、まずイネーブル信号We1をLow(0)、イネーブル信号We2をLow(0)、行選択信号Rselect1〜Rselect4をLow(0)、書き込みを行うスイッチ素子が接続される行配線135iに与える信号VRiを書き込み電圧Vwriteとし、他の行配線に与える信号VRを書き込み防止電圧Vinhibitとし、書き込みを行うスイッチ素子の列選択信号CselectはLow(0)とし、他の列選択信号はHigh(1)とする(図20)。
イネーブル信号We1をLow(0)とすることで、テスト回路27i(i=1,2,3,4)はNANDゲート23iに信号We2すなわち信号「0」を送り、図11に示す第2実施形態で説明した回路保護状態となる。
イネーブル信号We2は上述した図11における信号Vbst1と同様にLow(0)となるためここでは兼用しているが、これは別信号を用いても良い。
(通常動作)
次に通常動作時は、イネーブル信号We1をLow(0)、イネーブル信号We2をHigh(1)、全ての行選択信号Rselect1〜Rselect4をHigh(1)、全ての信号VR1〜VR4をVdd、全ての列選択信号Cselect1〜Cselect4をVssとする(図20)。
次に通常動作時は、イネーブル信号We1をLow(0)、イネーブル信号We2をHigh(1)、全ての行選択信号Rselect1〜Rselect4をHigh(1)、全ての信号VR1〜VR4をVdd、全ての列選択信号Cselect1〜Cselect4をVssとする(図20)。
イネーブル信号We2をHigh(1)とすることで、テスト回路27i(i=1,2,3,4)はNANDゲート23iに信号「0」を送り、NANDゲート23iが配線135iからの信号を出力するようにする。すなわち、NANDゲート231〜234は、図10に示す第1実施形態で説明したインバータ動作状態となり、入力端子In1〜In4からの信号がスイッチ素子を介してNANDゲート231〜234に入力される。
また、書き込み信号を受けるインバータ36j(j=1,2,3,4)の電源側をトランジスタ34jで遮断するため、列選択信号CselectjがLow(0)であればこのインバータ36jはフローティング状態となり入力信号を妨げない。
(テスト)
テスト時は、イネーブル信号We1をHigh(1)、イネーブル信号We2をHigh(1)、全ての行選択信号Rselect1〜Rselect4をLow(0)、全ての信号VR1〜VR4をVdd、全ての列選択信号Cselect1〜Cselect4をVssとする(図20)。
テスト時は、イネーブル信号We1をHigh(1)、イネーブル信号We2をHigh(1)、全ての行選択信号Rselect1〜Rselect4をLow(0)、全ての信号VR1〜VR4をVdd、全ての列選択信号Cselect1〜Cselect4をVssとする(図20)。
イネーブル信号We1をHigh(1)にすることで短絡線1371〜1374が選択される。このとき、全ての行選択信号Rselect1〜Rselect4をLow(0)にし、全ての信号VR1〜VR4から電源電圧Vddすなわち信号「1」を供給する。これにより、図11に示す第2実施形態と同様に、NANDゲート231〜234が短絡線1371〜1374に対してインバータ動作するようになる。
以上により、スイッチ素子を書き込まずに入力端子In1〜In4からの信号を出力端子Out1〜Out4から出力することが可能となり、クロスポイント型スイッチブロック周辺の回路のテストを行うことができる。
この第3変形例の集積回路において書き込み回路を含む構成を図21に示す。図21に示す集積回路は、図19に示す集積回路と、行選択ドライバ210と、行書き込み電源選択回路212と、列選択ドライバ220と、を備えている。行選択ドライバ210は、トランジスタ201〜204のゲートに接続される。行書き込み電源選択回路212は、トランジスタ201〜204のソースに接続される。列選択ドライバ220は、インバータ361〜364の入力端子に接続され、列選択信号Cselect1〜Cselect4を出力する。
行書き込み電源選択回路212は選択信号に応じて出力端子のうち1つに書き込み電圧Vwriteを、残り出力端子に書き込み防止電圧Vinhibitを与える。行選択ドライバ210および列選択ドライバ220の出力は、スイッチ素子1011〜1044が、MTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子、酸化還元型抵抗変化素子、イオン伝導型抵抗変化素子、相変化素子などの抵抗変化素子であれば、同一のスイッチブロック内はそれぞれ同電位の信号が入力される。すなわち、書き込みを行いたいスイッチブロックの行選択ドライバの出力は全てLow(0)、列選択ドライバ220の出力は全てHigh(1)となり、書き込みを行わないスイッチブロックの行選択ドライバ210の出力は全てHigh(1)、列選択ドライバ220の出力は全てLow(0)となる。これらの切り替えは選択信号に応じて行われる。
一方、スイッチ素子がアンチヒューズ型である場合、誤った書き込みが行われる可能性が低いため、書き込み防止電圧Vinhibitを与えずフローティング状態とすることも考えられる。すなわち、行書込み電源選択回路212は全ての出力端子に書き込み電源を印加しておき、行選択ドライバ210にて、選択する行配線をLow(0)、非選択の行配線をHigh(1)とする。書き込み防止電圧Vinhibitを使用しないことで、電源の種類が減ることにより、回路構成の単純化が可能となる。
以上説明したように、第2実施形態も第1実施形態と同様に、消費電力を抑制することができる。
(第3実施形態)
第3実施形態による電子機器を図22に示す。この第3実施形態の電子機器は、第1および第2実施形態およびそれらの変形例のいずれかの集積回路を含む回路300と、マイクロプロセッサ(以下、MPU(Micro-Processing Unit)とも云う)320と、メモリ340と、インターフェイス(I/F)360とを備えており、これらの構成要素は、バス線380を介して接続されている。
第3実施形態による電子機器を図22に示す。この第3実施形態の電子機器は、第1および第2実施形態およびそれらの変形例のいずれかの集積回路を含む回路300と、マイクロプロセッサ(以下、MPU(Micro-Processing Unit)とも云う)320と、メモリ340と、インターフェイス(I/F)360とを備えており、これらの構成要素は、バス線380を介して接続されている。
MPU320はプログラムに従い動作する。メモリ340は、MPU320が動作するためのプログラムが予め記憶される。また、メモリ340はMPU320が動作する際のワークメモリとしても用いられる。I/F360は、MPU320の制御に従い外部の機器と通信を行う。
この第3実施形態も第1および第2実施形態およびそれらの変形例と同様の効果を奏することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1011〜1044・・・2端子スイッチ素子、201〜204・・・トランジスタ、211〜214・・・カットオフトランジスタ、221〜224・・・インバータ、231〜234・・・NANDゲート(論理回路)、241〜244・・・インバータ、251〜254・・・トランジスタ、261〜264・・・トランジスタ、271〜277・・・テスト回路(マルチプレクサ)、50a〜50d・・・マルチプレクサ回路、60a〜60d・・・パッド、100・・・FPGA、110・・・基本ブロック、120・・・論理ブロック、122・・・LUT、124・・・メモリ、126,126a,126b・・・FF、128・・・ハードマクロ、128a,128a1,128a2・・・半加算器、128b・・・全加算器、129a・・・ANDゲート、129b・・・XORゲート、129c・・・ORゲート、130・・・スイッチブロック、131a,131b・・・MUX回路、1331〜1334・・・列配線、1351〜1357・・・行配線、In1〜In4・・・入力端子、Out1〜Out4・・・出力端子、210・・・行選択ドライバ、212・・・行書き込み電源選択回路、220・・・列選択ドライバ、222・・・列書き込み電源選択回路
Claims (10)
- 第1配線と、
前記第1配線と交差する第2および第3配線と、
前記第2配線に接続された第1入力端子と、
前記第3配線に接続された第2入力端子と、
第1制御端子と、
第2制御端子と、
出力端子と、
前記第1配線と前記第2配線との交差領域に設けられ、前記第1配線に接続された第1端子と、前記第2配線に接続された第2端子とを有する第1スイッチ素子と、
前記第1配線と前記第3配線との交差領域に設けられ、前記第1配線に接続された第3端子と、前記第3配線に接続された第4端子とを有する第2スイッチ素子と、
ソースおよびドレインの一方が前記第1配線に接続された第1トランジスタと、
前記第2制御端子に接続された第5端子と、前記第2配線に接続された第6端子と、前記第1制御端子に接続された第7端子と、第8端子と、を有し、前記第1制御端子からの第1制御信号に応じて前記第5および第6端子のうちの一方と前記第8端子を接続する選択回路と、
前記第8端子に接続された第9端子と、前記第1配線に接続される第10端子と、前記出力端子に接続される第11端子と、を有する論理回路と、
を備えた集積回路。 - 第1配線と、
前記第1配線と交差する第2および第3配線と、
前記第2配線に接続された第1入力端子と、
前記第3配線に接続された第2入力端子と、
第1制御端子と、
出力端子と、
前記第1配線と前記第2配線との交差領域に設けられ、前記第1配線に接続された第1端子と、前記第2配線に接続された第2端子とを有する第1スイッチ素子と、
前記第1配線と前記第3配線との交差領域に設けられ、前記第1配線に接続された第3端子と、前記第3配線に接続された第4端子とを有する第2スイッチ素子と、
ソースおよびドレインの一方が前記第1配線に接続された第1トランジスタと、
前記第2配線に接続された第5端子と、前記第1配線に接続された第6端子と、前記出力端子に電気的に接続された第7端子と、を有し、前記第1制御端子からの第1制御信号に応じて前記第5および第6端子のうちの一方と前記第7端子を接続する選択回路と、
を備えた集積回路。 - 第1配線と、
前記第1配線と交差する第2および第3配線と、
前記第2配線に接続された第1入力端子と、
前記第3配線に接続された第2入力端子と、
第1制御端子と、
出力端子と、
前記第1配線と前記第2配線との交差領域に設けられ、前記第1配線に接続された第1端子と、前記第2配線に接続された第2端子とを有する第1スイッチ素子と、
前記第1配線と前記第3配線との交差領域に設けられ、前記第1配線に接続された第3端子と、前記第3配線に接続された第4端子とを有する第2スイッチ素子と、
ソースおよびドレインの一方が前記第1配線に接続された第1トランジスタと、
前記第1制御端子に接続された第5端子と、前記第1配線に接続された第6端子と、前記出力端子に電気的に接続された第7端子と、を有する論理回路と、
を備えた集積回路。 - ソースおよびドレインの一方が前記第2配線に接続された第2トランジスタと、
ソースおよびドレインの一方が前記第3配線に接続された第3トランジスタと、
を更に備えた請求項1乃至3のいずれかに記載の集積回路。 - 前記第1トランジスタのゲートに接続された第1ドライバと、
前記第1トランジスタのソースおよびドレインの他方に接続され電源を供給する第1電源回路と、
前記第2および第3トランジスタのそれぞれのゲートに接続された第2ドライバと、
前記第2および第3トランジスタのそれぞれのソースおよびドレインの他方に接続され、前記ソースおよびドレインの他方に電源を供給する第2電源回路と、
を備えた請求項4記載の集積回路。 - 前記第1入力端子に電気的に接続された入力端子と、前記第2配線に電気的に接続された出力端子と、を有する第1インバータと、
前記第2入力端子に電気的に接続された入力端子と、前記第3配線に電気的に接続された出力端子と、を有する第2インバータと、
前記第1インバータの入力端子と前記第1入力端子との間に配置された第1トランスファゲートと、
前記第2インバータの入力端子と前記第2入力端子との間に配置された第2トランスファゲートと、
前記第2配線を選択する信号を受ける入力端子と、前記第1インバータの入力端子に接続された出力端子を有し、第2制御信号に応じて動作する第3インバータと、
前記第3配線を選択する信号を受ける入力端子と、前記第2インバータの入力端子に接続された出力端子を有し、前記第2制御信号に応じて動作する第4インバータと、
を備えた請求項1乃至3のいずれかに記載の集積回路。 - 前記第1トランジスタのゲートに接続された第1ドライバと、
前記第1トランジスタのソースおよびドレインの他方に接続され電源を供給する第1電源回路と、
前記第3および第4インバータの入力端子に接続された第2ドライバと、
を備えた請求項6記載の集積回路。 - 前記論理回路はNANDゲートである請求項1乃至7のいずれかに記載の集積回路。
- 前記第1および第2スイッチ素子は、抵抗変化素子またはアンチヒューズ素子である請求項1乃至7のいずれかに記載の集積回路。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の集積回路と、
プログラムを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたプログラムにしたがって、前記集積回路に対して処理を実行するプロセッサと、
を備えた電気機器。
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