JP2018020514A - 凸状金型の製造方法 - Google Patents
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Abstract
高い寸法・形状精度の樹脂成形が可能であると共に、成形物の離型性が良い凸状金型、およびその簡単で低コストの製造方法を提供する。
【解決手段】
フォトリソグラフィ―法と電解めっき法により、凹状金型を作製した後、キャビティ外の、樹脂成形に供さない周辺の部分をエッチングで溶解することで、凸状金型を得る。さらに、この凸状金型は、樹脂成形に供さない部分が粗面であるため、光沢面である場合に比べ、成形物の離形性が良い。
【選択図】図1
Description
また、請求項2に記載の発明は、樹脂成形に供される凸状金型の製造方法であって、導電性材料よりなるめっき基材の表面に、フォトレジストを被覆し、フォトリソグラフィ―法により、前記フォトレジストで高さ20〜100μmの所定のパターンを形成して母型を作製する工程と、前記母型の前記めっき基材上に、オーバーハングめっきをして、めっき皮膜により、前記パターンに対応する凹パターンを有する凹型を形成する工程と、前記凹型をめっき基材から剥離する工程と、前記凹型をエッチング用フォトレジストで被覆し、フォトリソグラフィ―法により、前記凹パターンをエッチング用フォトレジスト膜で覆い、それ以外を露出させる工程と、前記凹型にエッチング処理を施して、前記凹パターンが形成された面の露出している部分を前記フォトレジストの厚さ以上溶解して、当該部分の厚さを150μm以上とし、表面粗さをRa≧0.5μmとする工程と、前記エッチング用フォトレジスト膜を除去する工程からなる、ことを特徴とする。
また、請求項3に記載の発明は、樹脂成形に供される凸状金型の製造方法であって、導電性材料よりなるめっき基材の表面に、フォトレジストを被覆し、フォトリソグラフィー法により、前記フォトレジストで高さ20〜100μmの所定のパターンを形成する工程と、前記めっき基材上に、前記パターンと略同じ高さまで電解めっきをして第1めっき層を形成する工程と、前記第1めっき層の、前記パターンの領域外に、離型剤を塗布して、離型処理を行う工程と、前記第1めっき層の上に、オーバーハングめっきをして、第2めっき層を形成して凹型を形成する工程と、前記凹型をめっき基材から剥離する工程と、前記凹型における前記第1めっき層の前記密着阻害処理をした領域のみを、前記第2めっき層から剥離する工程からなり、前記電解めっきのうち、少なくとも第1めっき層を形成する工程が粗面めっきである、ことを特徴とする。
図1は、実施の形態1に係る、凸状金型1の概略側面図である。
エッチングは、塩化第二鉄水溶液を主成分としたエッチング液を、凹型にスプレー噴射することで行った。この際、樹脂成形時に、成形部11が成形材料に十分に押圧されるように、非成形部12の厚さdを成形部11における、凸形状111を除いた厚さf以下とするため、感光性ドライフィルム22の厚さ以上の量を溶解する。さらに、非成形部12の厚さdは成形時の剛性を確保するために、150μm以上、より好ましくは200μm以上であり、樹脂成形後の成形物の離型性を確保するために、表面粗さがRa≧0.5になるように、エッチング液の圧力や、処理時間などの条件を調整する。
次に、図4(a)〜(f)に基づいて、本発明に係る凸状金型1の製造方法について説明する。ここで、実施の形態1との違いは、本実施の形態2は、エッチング工程を用いない代わりに、電解めっきを2段階で行うことである。その他、実施の形態1と同様の構成については、図面と説明を省略する。
11 成形部
111 凸形状
12 非成形部
21 めっき基材
22 感光性ドライフィルム(フォトレジスト)
25 母型
26 レジストパターン(パターン)
27、43 凹型
28 凹パターン
29 エッチング用感光性ドライフィルム(エッチング用フォトレジスト膜)
41 第1めっき層
42 第2めっき層
また、請求項2に記載の発明は、樹脂成形に供される凸状金型の製造方法であって、導電性材料よりなるめっき基材の表面に、フォトレジストを被覆し、フォトリソグラフィー法により、前記フォトレジストで高さ20〜100μmの所定のパターンを形成する工程と、前記めっき基材上に、前記パターンと略同じ高さまで電解めっきをして第1めっき層を形成する工程と、前記第1めっき層の、前記パターンの領域外に、離型剤を塗布して、離型処理を行う工程と、前記第1めっき層の上に、オーバーハングめっきをして、第2めっき層を形成して凹型を形成する工程と、前記凹型をめっき基材から剥離する工程と、前記凹型における前記第1めっき層の前記密着阻害処理をした領域のみを、前記第2めっき層から剥離する工程からなり、前記電解めっきのうち、少なくとも第1めっき層を形成する工程が粗面めっきである、ことを特徴とする。
Claims (3)
- 樹脂成形に供される凸状金型であって、
所定のデザインで凸形状が形成され、樹脂成形に供する成形部と、
前記成形部の周辺にあり、前記凸形状が形成されておらず、樹脂成形をしない非成形部と、を有し、
前記成形部の樹脂成形に供するコア側の表面粗さは、Ra≦0.2μmであるとともに、前記非成形部の厚さは、前記成形部の最低厚さ以下であり、前記コア側の表面粗さはRa≧0.5μmである、
ことを特徴とする凸状金型。 - 樹脂成形に供される凸状金型の製造方法であって、
導電性材料よりなるめっき基材の表面に、フォトレジストを被覆し、フォトリソグラフィ―法により、前記フォトレジストで高さ20〜100μmの所定のパターンを形成して母型を作製する工程と、
前記母型の前記めっき基材上に、オーバーハングめっきをして、めっき皮膜により、前記パターンに対応する凹パターンを有する凹型を形成する工程と、
前記凹型をめっき基材から剥離する工程と、
前記凹型の前記凹パターンが形成された面を新たなフォトレジストで被覆し、フォトリソグラフィ―法により、前記凹パターンをエッチング用フォトレジスト膜で覆い、それ以外を露出させる工程と、
前記凹型にエッチング処理を施して、前記凹パターンが形成された面の露出している部分を前記フォトレジストの厚さ以上溶解して、当該部分の厚さを150μm以上とし、表面粗さをRa≧0.5μmとする工程と、
前記エッチング用フォトレジスト膜を除去する工程からなる、
ことを特徴とする凸状金型の製造方法。 - 樹脂成形に供される凸状金型の製造方法であって、
導電性材料よりなるめっき基材の表面に、フォトレジストを被覆し、フォトリソグラフィー法により、前記フォトレジストで高さ20〜100μmの所定のパターンを形成する工程と、
前記めっき基材上に、前記パターンと略同じ高さまで電解めっきをして第1めっき層を形成する工程と、
前記第1めっき層の、前記パターンの領域外に対して、離型剤を塗布して、離型処理を行う工程と、
前記第1めっき層の上に、オーバーハングめっきをして、第2めっき層を形成して凹型を形成する工程と、
前記凹型をめっき基材から剥離する工程と、
前記凹型における前記第1めっき層の、前記離型処理をした領域のみを、前記第2めっき層から剥離する工程からなり、
前記電解めっきのうち、少なくとも第1めっき層を形成する工程が粗面めっきである、
ことを特徴とする凸状金型の製造方法。
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