JP2018018567A - 磁性細線素子、その記録再生方法およびその記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このようなディスクにおいて記録および再生を高速化するためには、ディスクの回転速度を速くすることが挙げられるが、回転速度の高速化には限界がある。
これは、磁性体を細線状に形成すると、その長さ方向に磁区が形成され、さらにその長さ方向に駆動電流を供給すると長さ方向に配列された磁区がすべて磁性細線の長さ方向にそのままシフト移動する特性を利用したものである。すなわち、磁性細線素子メモリは、図9に示すように、磁性体を細線状に形成してなる複数の磁性細線101を、データの記録領域として基板(図示されていない)上に備えている。また、磁性細線素子110において、隣接する磁性細線101は、基板上方から見て、互いに絶縁層を挟み、微小距離だけ離間して配設される。
これにより、磁性細線素子110では、所望の磁区を記録ヘッド123や再生ヘッド124の位置まで移動させて、情報の記録(書込み)や読出しを行うように構成されている。
する記録系制御部125、各再生ヘッド124で得られた再生情報の出力を行なうために、各再生ヘッド124で同時に得られた情報信号(図1においてはスーパーハイビジョン信号(SHV信号)が出力される)を合成して信号を復元し、外部に出力する再生系制御部
126を備えている。
そのため、従来は、各磁性細線に等間隔で括れ状のトラップサイトを形成し、磁区の移動距離を一定にする工夫が必要であった。
しかし、磁区がトラップサイトに捕捉されると、そこから脱出するためには、より大きなパルス電流を細線方向に印加する必要があり、それに要する消費電力が大幅に増加するという不都合があった。
また、トラップからの脱出に必要な電流量が増加すると、この電流によって発生するジュール熱が増加し、磁区に熱が加わることとなり、状況によっては、磁区が消磁状態になるという不都合もあった。
基板上に、磁性体を細線状に形成してなる磁性細線を設けてなり、該磁性細線において、2値の情報からなるデータが互いに異なる磁化方向となるように各々の情報単位毎に記録される磁区が形成されてなる磁性細線素子において、
前記磁性細線は、情報を記録されるべき磁区の前後に、情報記録が禁止される領域であるガードバンドを設けたことを特徴とするものである。
基板上に、磁性体を細線状に形成してなる磁性細線について、2値の情報が互いに異なる磁化方向となるように各々の情報単位毎に記録される磁区を形成する磁性細線素子を記録再生する方法において、
前記磁性細線に対する、前記情報の記録は、各磁性細線の情報記録位置に対向した位置において、記録ヘッドから、入力された情報信号に応じた方向の磁界を発生することによりなし、他方、前記磁性細線に対する、前記情報の再生は、磁性細線の情報読取位置に対向した位置において、再生ヘッドにより、所望の磁区に記録されている磁気記録情報によ
り発生した磁界の方向を読み取ることによりなし、
前記磁区の移動は、前記磁性細線の端部から細線方向に駆動電流を入力することによりなし、
前記情報の記録時において、前記情報が記録されるべき磁区へは所望の情報を記録するように、かつ前記磁区の前後に設けたガードバンドの領域には情報記録を禁止するように、情報の記録処理を制御することを特徴とするものである。
前記2値の情報のうちの一方の情報を記録する場合には前記第1の磁性細線の所定位置に、前記2値の情報のうちの他方の情報を記録する場合には前記第2の磁性細線の、該第1の磁性細線の所定位置と対応する所定位置に、各々択一的に情報を記録する情報記録工程を行い、この後、前記第1および第2の磁性細線に対し、互いに同期した駆動電流を細線方向に入力させ、これら各磁性細線の磁区を同一方向に、かつ同一距離だけ移動させる磁区移動工程を行い、この後、前記情報記録工程と前記磁区移動工程を交互に繰返し行うことが好ましい。
基板上に、磁性体を細線状に形成してなる磁性細線を設け、該磁性細線は、2値の情報が互いに異なる磁化方向となるように各々の情報単位毎に記録される磁区が形成されてなる磁性細線素子の記録再生装置において、
前記磁性細線の情報記録位置に対向した位置に配され、入力された情報信号に応じた方向の磁界を発生して、該磁性細線に該情報信号を記録する記録ヘッド手段と、
前記磁性細線の情報読取位置に対向した位置に配され、所望の磁区に記録されている磁気記録情報により発生した磁界の方向を読み取る再生ヘッド手段と、
前記磁性細線の細線方向に駆動電流を入力して、記録または再生すべき磁区を、前記磁性細線の情報記録位置または情報読取位置に移動させる磁区移動手段と、
前記磁性細線が、情報を記録されるべき磁区の前後に、ガードバンド領域を備えている場合に、前記情報を記録されるべき磁区へは所望の情報を記録するように、かつ前記磁区の前後に設けたガードバンドの領域には情報記録を禁止する情報記録/記録禁止制御手段
と、を備えていることを特徴とするものである。
これにより、トラップサイトや余分な回路を用いることなく、安定性が確保された情報再生(さらには情報記録)を行うことができる。
いて、情報を記録禁止としており、磁区の長さ(磁区長)にいわゆる“ゆらぎ”が発生したとしても、ガードバンドの領域の範囲内で磁壁の移動速度のバラツキを吸収することができ、情報読取時に、隣接する磁区の情報同士がオーバーラップすることを阻止することができる。
これにより、トラップサイトや余分な回路を用いることなく、安定性が確保された情報再生(さらには情報記録)を行うことができる。
記録する“0”記録用の磁性細線とし、他方の磁性細線は、“1”のみを 記録する“1
” 記録用の磁性細線とすることが好ましい。
のみであり、他方の磁性細線から読み取られた情報は“1” のみであるため、2値の信号のいずれであるかを確実に読み取ることができ、ストレージとしての安定性を大幅に高めることができる。
まず、本実施形態に係る磁性細線素子について、図1を用いて説明する。
、21Bは、2値のうちの“0”のみを記録し“1”は非記録とされる“0”記録用磁性細線21Aと、“1”のみを記録し、“0”は非記録とされる“1”記録用磁性細線21Bからなる(以下においては、これら“0”記録用磁性細線21Aと“1”記録用磁性細線21Bを併せて磁性細線対21A、21Bと称することがある)。
このことを、図7(A)、(B)を用いて説明する。なお、これら図7(A)、(B)は、磁性細線素子101の従来品サンプルの表面を、磁気力顕微鏡(MFM)にて画像化して観察したものである。これら図7(A)、(B)に示すMFM像写真において、磁性細線101の磁区の磁化方向が紙面に対して上向きの場合は白、磁区の磁化方向が紙面下向きの場合は黒のコントラストで表されている。また、図7(A)は初期状態(磁区の移動がない状態)であり、図7(B)はパルス電流入力後(初期状態から磁区が移動した状態)である。
前述したように、このようなばらつきをなくすため、トラップサイトを設ける従来技術が知られているが、トラップサイトを用いた場合には、量子井戸から抜けだすために、過大電流を入力する必要がある。
このことを、図8(A)、(B)を用いて説明する。なお、これら図8(A)、(B)は、磁性細線素子の従来品サンプルの表面を、磁気力顕微鏡(MFM)にて画像化して観察したものである。これら図8(A)、(B)に示すMFM像写真において、磁性細線の磁区の磁化方向が紙面に対して上向きの場合は白、磁区の磁化方向が紙面下向きの場合は黒のコントラストで表されている。また、図8(A)は初期状態(過大電流が入力されていない状態)を示すものであり、図8(B)はパルス電流入力後の状態(過大電流が入力された状態)を示すものである。
その一方、図8(B)のMFM像写真から明らかなように、過大電流が磁性細線素子に入力された状態では、細線方向の白黒の明暗が消えており、磁気記録が保持されていない。
また、隣接する磁区に記録された異なる種類の情報同士が、仮にガードバンドの領域の範囲を超えて、オーバーラップするようなタイミングで情報の読取りが行われるような場合であっても、“0”記録用磁性細線21Aと、 “1”記録用磁性細線21Bとからな
る磁性細線対21A、21Bを形成しているので、2値の情報のうちいずれであるかを確実に読み取ることができ、ストレージとしての安定性を大幅に高めることができる。
上記磁性細線素子10は、矩形状(ディスク状であってもよい)の基板(図示せず)上に“0”記録用磁性細線21Aと“1”記録用磁性細線21Bが直線状に、かつ互いに平行に配列されている。また、“0”記録用磁性細線21Aと“1”記録用磁性細線21Bは、互いに絶縁層を挟んで配置されている。なお、磁性細線21A、21Bは、基板がディスク形状とされた場合等において、厚さおよび幅方向長に対して十分に緩やかな曲線とすることも可能である。
するように構成されている。これにより、ストレージとしてのメモリ容量の大幅増大およびメモリ記録処理および再生処理の高速化を図ることができる。
なお、図1においては、同一のデータが連続する場合には、連続した長さ分の磁区31、32が存在するように表されているが、実際には、図2に示すように、各磁区31、32の前後に、前述したように、情報記録の禁止領域であるガードバンド33が配されている。
すなわち、図2に示すように、各磁区31、32の前後にガードバンド33を配置してなる記録ブロックは、例えば、磁区21A、21Bの長さが10〜200nm程度に設定され、ガードバンド33は、磁区21A、21Bの長さの例えば1/3〜1/1程度の長さ、例えば、3〜200nm程度に設定される。
また、磁壁は、隣接する磁区31、32同士の間、さらに詳しくいえば隣接するガード
バンド同士の間にあって、一般に、磁壁の厚み(細線方向長さ)は磁区に対して極めて短く、例えば、5〜25nm程度に設定される。
すなわち、図2(A)に示す“0”記録用磁性細線21Aの楕円領域A1内においては、図面左側から右側に向けて、非記録領域32、記録領域31(斜線領域)、非記録領域32、非記録領域32、記録領域31(斜線領域)、記録領域31(斜線領域)、記録領域31(斜線領域)、記録領域31(斜線領域)、非記録領域32、非記録領域32、という順に配列された構成とされている。この記録領域31(斜線領域)には、2値データのうちの0が記録されており、非記録領域32には情報が記録されずブランク領域とされている。
これら図2(A)、(B)からも明らかなように、“0”記録用磁性細線21Aと“1”記録用磁性細線21Bの対応する磁区同士は、記録磁区31(斜線領域)と非記録磁区32が互いに反転した形で配列されることになる。すなわち、一時に記録される領域は、磁性細線21A、21Bのいずれか一方の領域であり、0の情報記録の場合には“0”記録用磁性細線21Aのみに、1の情報記録の場合には“1”記録用磁性細線21Bのみに記録処理がなされる。
そして、“0”記録用磁性細線21Aであっても “1”記録用磁性細線21Bであっ
ても、各磁区31、32の前後のガードバンド33は情報記録の禁止領域とされている。
記録がなされていない状態(初期状態)では磁化方向が上向きとされている)または下向きのいずれかの矢印で示されている。
さらに、1対の磁性細線21A、21Bの間、あるいは他の磁性細線対21A、21Bの間等には、図示されない絶縁層が設けられている。絶縁層は、例えばSiO2、Si3N4あるいはAl2O3等の公知の絶縁材料を用いることができる。
本実施形態に係る磁性細線素子10の記録再生装置は、図1に示すように、磁性細線21A、21Bの情報記録位置に対向した位置に配され、入力された情報記録信号に応じた磁化方向の磁界を発生する記録ヘッド23A、23Bと、磁性細線の情報読取位置に対向した位置に配され、所望の磁区に記録されている磁気記録情報により発生する磁界の方向を読取り、読み取った磁界の方向に応じた電流を発生する再生ヘッド24A、24Bを備えている。
すなわち、磁性細線21A、21Bに対する、情報の記録は、各磁性細線21A、21Bの情報記録位置に対向した位置において、入力された情報に応じて、記録ヘッド23A、23Bから所定方向の磁界を発生することにより行い、一方、磁性細線21A、21Bに対する情報の再生は、磁性細線21A、21Bの情報読取位置に対向した位置において、再生ヘッド24A、24Bにより、所望の磁区31に記録されている情報に係る磁界の方向を読み取ることにより行っている。
また、この場合において、上記磁性細線21A、21Bは、0データが記録され、1データが非記録とされる“0”記録用磁性細線21Aと、1データが記録され、0データが非記録とされる“1”記録用磁性細線21Bとが、ペアとされた磁性細線対21A、21Bを備えており、0データを記録する場合には“0”記録用磁性細線21Aの所定位置に、1データを記録する場合には、“0”記録用磁性細線21Aの所定位置と対応する“1”記録用磁性細線21Bの所定位置に各々択一的に情報を記録する情報記録工程を行う。続いて、磁性細線21A、21Bに対し、互いに同期したパルス電流を細線の左方向へ入力させ、これら各磁性細線21A、21Bの磁区31、32を同一右方向へ、かつ同一距
離だけ移動させる磁区移動工程を行う。この後、上記情報記録工程と上記磁区移動工程を交互に繰返し行って、入力された2値データ列の全データについて情報の記録を行う。
細線21A、21Bの記録磁区31への情報記録は許容するが、各磁性細線21A、21Bの記録磁区31および非記録磁区32の前後に位置するガードバンド33は非記録状態に維持するために、そのガードバンド33への情報記録は禁止する、という制御を行う。
勿論、上記情報記録/記録禁止制御手段によって、各磁性細線21A、21Bの記録磁
区31への情報記録の許容、および非記録磁区32への情報の非記録を、制御することが好ましい。
本実施形態においては、前述したように“0”と“1”の2値データのうち、“0”の
データ列は“0”記録用磁性細線21Aに記録し、“1”のデータ列は“1”記録用磁性細線21Bに記録する。各情報記録は、各記録ブロック内の磁区の期間(図1の記録磁区31に対応)に収まるように行われ、この磁区の期間の前後両側に情報の記録禁止期間であるガードインターバルの期間(図2のガードバンドに対応)が付加されている。
このような0、1データ復号部42における2値データのいずれであるかを判定する処理としては、種々の公知の手段を用いることができるが、本実施形態においては図5に示すような2つの積分手段からの各出力を比較器29において比較する回路を用いている。
ク期間の切替タイミング毎に、クロックタイマ27からのパルス信号に同期させてON状態にし、積分コンデンサC1の電荷を放電させて鋸歯状波を生成している。
このような回路とすることにより、上述したように磁区31、32の前後にガードインターバルを設けた態様においても、2値データのいずれであるかを、良好に判定することができる。
また、上記実施形態においては、ガードバンドは各磁区毎に、その前後に設けられているが、隣接する磁区同士の間に必ずガードバンドが設けられるようになっていれば、各磁区の、前側のみに設けたり、後側のみに設けるようにすることも可能である。
また、磁区とガードバンドの幅の比率は上記実施形態の中で記載されたものに限られない。磁性細線のサイズや磁性細線対の数も、状況に応じ適宜選択することが可能である。
21A “0”記録用磁性細線
21B “1”記録用磁性細線
23A、23B、123 記録ヘッド
24A、24B、124 再生ヘッド
27 クロックタイマ
28A、28B オペアンプ
29 比較器
31 記録磁区
32 非記録磁区
33 ガードバンド
41 0、1データ分離部
42 0、1データ復号部
43 切替SW
101 磁性細線
121 正電極(パルス電流源)
122 負電極(アース)
125 記録系制御部
126 再生系制御部
Claims (5)
- 基板上に、磁性体を細線状に形成してなる磁性細線を設けてなり、該磁性細線において、2値の情報からなるデータが互いに異なる磁化方向となるように各々の情報単位毎に記録される磁区が形成されてなる磁性細線素子において、
前記磁性細線は、情報を記録されるべき磁区の前後に、情報記録が禁止される領域であるガードバンドを設けたことを特徴とする磁性細線素子。 - 前記磁性細線は、前記2値の情報のうちの一方の情報が記録され、他方の情報が非記録とされる第1の磁性細線と、前記2値の情報のうちの他方の情報が記録され、一方の情報が非記録とされる第2の磁性細線が磁性細線対を有していることを特徴とする請求項1記載の磁性細線素子。
- 基板上に、磁性体を細線状に形成してなる磁性細線について、2値の情報が互いに異なる磁化方向となるように各々の情報単位毎に記録される磁区を形成する磁性細線素子を記録再生する方法において、
前記磁性細線に対する、前記情報の記録は、各磁性細線の情報記録位置に対向した位置において、記録ヘッドから、入力された情報信号に応じた方向の磁界を発生することによりなし、他方、前記磁性細線に対する、前記情報の再生は、磁性細線の情報読取位置に対向した位置において、再生ヘッドにより、所望の磁区に記録されている磁気記録情報により発生した磁界の方向を読み取ることによりなし、
前記磁区の移動は、前記磁性細線の端部から細線方向に駆動電流を入力することによりなし、
前記情報の記録時において、前記情報が記録されるべき磁区へは所望の情報を記録するように、かつ前記磁区の前後に設けたガードバンドの領域には情報記録を禁止するように、情報の記録処理を制御することを特徴とする磁性細線素子の記録再生方法。 - 前記磁性細線は、前記2値の情報のうちの一方の情報が記録され、他方の情報が非記録とされる第1の磁性細線と、前記2値の情報のうちの他方の情報が記録され、一方の情報が非記録とされる第2の磁性細線とを磁性細線対として有し、
前記2値の情報のうちの一方の情報を記録する場合には前記第1の磁性細線の所定位置に、前記2値の情報のうちの他方の情報を記録する場合には前記第2の磁性細線の、該第1の磁性細線の所定位置と対応する所定位置に、各々択一的に情報を記録する情報記録工程を行い、この後、前記第1および第2の磁性細線に対し、互いに同期した駆動電流を細線方向に入力させ、これら各磁性細線の磁区を同一方向に、かつ同一距離だけ移動させる磁区移動工程を行い、この後、前記情報記録工程と前記磁区移動工程を交互に繰返し行うことを特徴とする請求項3記載の磁性細線素子の記録再生方法。 - 基板上に磁性体を細線状に形成してなる該磁性細線について、2値の情報が互いに異なる磁化方向となるように各々の情報単位毎に記録される磁区が形成されてなる磁性細線素子の記録再生装置において、
前記磁性細線の情報記録位置に対向した位置に配され、入力された情報信号に応じた方向の磁界を発生して、該磁性細線に該情報信号を記録する記録ヘッド手段と、
前記磁性細線の情報読取位置に対向した位置に配され、所望の磁区に記録されている磁気記録情報により発生した磁界の方向を読み取る再生ヘッド手段と、
前記磁性細線の細線方向に駆動電流を入力して、記録または再生すべき磁区を、前記磁性細線の情報記録位置または情報読取位置に移動させる磁区移動手段と、
前記磁性細線が、情報を記録されるべき磁区の前後に、ガードバンド領域を備えている場合に、前記情報を記録されるべき磁区へは所望の情報を記録するように、かつ前記磁区の前後に設けたガードバンドの領域には情報記録を禁止する情報記録/記録禁止制御手段
と、を備えていることを特徴とする磁性細線素子の記録再生装置。
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