JP2018015783A - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
複層樹脂基板を切断する装置として、レーザ加工装置が用いられる(例えば、特許文献1を参照)。複層樹脂基板は、レーザ加工装置によって、上側の層だけが切断されたり(ハーフカット加工)、全ての層が切断されたりする(フルカット加工)。
第1レーザ装置は、第1樹脂層を切断するための第1レーザ光を発生する装置である。第1レーザ光は、第1樹脂層に対するよりも第2樹脂層に対して吸収率が低い。
第2レーザ装置は、第2樹脂層を切断するための第2レーザ光を発生する装置である。第2レーザ光は、第1樹脂層に対するよりも第2樹脂層に対して吸収率が高い。
第1樹脂層が切断された後に、第2レーザ光によって第2樹脂層が切断される。このときに発生するデブリは、第1樹脂層の切断部分から外部に出ていく。したがって、第2樹脂層加工時に発生するデブリが第1樹脂層内に止まることがない。
◎第1樹脂層に対するよりも第2樹脂層に対して吸収率が低い第1レーザ光を発生することで、第1樹脂層を切断する第1切断ステップ
◎第1切断ステップの後に、第1樹脂層に対するよりも第2樹脂層に対して吸収率が高い第2レーザ光を発生して第1樹脂層の切断部分に照射することで、第2樹脂層を切断する第2切断ステップ
第1樹脂層が切断された後に、第2レーザ光によって第2樹脂層が切断される。このときに発生するデブリは、第1樹脂層の切断部分から外部に出ていく。したがって、第2樹脂層加工時に発生するデブリが第1樹脂層内に止まることがない。
(1)全体構成
図1に、本発明の一実施形態による樹脂基板切断用のレーザ加工装置1の全体構成を示す。図1は、本発明の第1実施形態のレーザ加工装置の模式図である。
レーザ加工装置1は、樹脂基板Pをフルカット加工する装置である。樹脂基板とは、樹脂シート、樹脂フィルムともいわれるものである。
レーザ装置3は、レーザ光を後述する機械駆動系に伝送する伝送光学系11を有している。伝送光学系11は、例えば、図示しないが、集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等を有する。また、伝送光学系11は、例えば、第1レーザ発振器9A、第2レーザ発振器9B及び他の光学系が組み込まれたレーザ照射ヘッド(図示せず)をX軸方向に移動させるためのX軸方向移動機構(図示せず)を有している。
伝送光学系11は、第1レーザ発振器9Aと第2レーザ発振器9Bでそれぞれ別の光学機構を有していてもよいし、共有の光学機構を切り換えて使用可能であってもよい。
制御部7は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
この実施形態では、制御部7は、第1レーザ発振器9A及び第2レーザ発振器9Bを制御できる。また、制御部7は、移動装置17を制御できる。さらに、制御部7は、伝送光学系11を制御できる。
一例として、第1樹脂層L1は、PETを含む。第2樹脂層L2は、PIを含む。第3樹脂層L3は、PETを含む。
一例として、各樹脂層は接着層により互いに接着されている。
一例として、第2樹脂層L2の上面には、回路が形成されている。
図2〜図4を用いて、レーザ光による樹脂基板Pの加工動作を説明する。図2は、フルカット加工の制御動作を示すフローチャートである。図4は、樹脂基板の加工状態を示す模式的断面図である。
制御部7が、レーザ発振器9を駆動して、樹脂基板Pの切断を実行する。以下、切断動作を具体的に説明する。
第1レーザ光R1によって第1樹脂層L1が切断されるときに、第2樹脂層L2は加工されない。なぜなら、第1レーザ光R1は、第1樹脂層L1に対するよりも第2樹脂層L2に対して吸収率が低いからである。その結果、第1樹脂層L1の切断時に、第2樹脂層L2の加工による不具合が生じにくい。
具体例として、CO2レーザのPIに対する吸収率は、9.4μ波長帯の場合は30%程度である。
ステップS3では、第3樹脂層L3を切断する。このとき、第2レーザ発振器9BつまりUVレーザが用いられる。
実施例:第1樹脂層がPET、第2樹脂層がPI、レーザ装置はCO2レーザである。
比較例:第1樹脂層がPET、第2樹脂層がPI、レーザ装置はUVレーザである。
いずれの場合も、第1樹脂層のみを切断して、その状態で観察を行った。
図6に示すように、比較例(例えば、第1層を切断するためにUVレーザを用いた場合)では、切断部19に対してデブリが広がっているよう領域の幅Zが極端に長くなっている。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
前記基板は全て樹脂層で構成されていたが、2層の樹脂層の下に他の層(例えば、金属層、セラミック層)が設けられていてもよい。
レーザ装置、機械駆動系の具体的な構成は、前記実施形態に限定されない。
樹脂基板の形状、切断部の形状は特に限定されない。
3 :レーザ装置
5 :機械駆動系
7 :制御部
9 :レーザ発振器
9A :第1レーザ発振器
9B :第2レーザ発振器
11 :伝送光学系
13 :ベッド
15 :加工テーブル
17 :移動装置
19 :切断部
L1 :第1樹脂層
L2 :第2樹脂層
L3 :第3樹脂層
P :樹脂基板
Claims (5)
- 表面側から第1樹脂層と第2樹脂層とを有する複層樹脂基板を切断するためのレーザ加工装置であって、
前記第1樹脂層を切断するための第1レーザ光を発生する装置であって、前記第1レーザ光は前記第1樹脂層に対するよりも前記第2樹脂層に対して吸収率が低い、第1レーザ装置と、
前記第2樹脂層を切断するための第2レーザ光を発生する装置であって、前記第2レーザ光は第1樹脂層に対するよりも前記第2樹脂層に対して吸収率が高い、第2レーザ装置と、
を備えたレーザ加工装置。 - 前記第1レーザ光の前記第2樹脂層に対する吸収率は30%以下である、請求項1に記載のレーザ加工装置。
- 前記第2レーザ光の前記第2樹脂層に対する吸収率は70%以上である、請求項1又は2に記載のレーザ加工装置。
- 前記第2樹脂層はPIを含み、
前記第1レーザ装置はCO2レーザであり、
前記第2レーザ装置はUVレーザである、請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ加工装置。 - 表面側から第1樹脂層と第2樹脂層とを有する複層樹脂基板を切断するレーザ加工方法であって、
前記第1樹脂層に対するよりも前記第2樹脂層に対して吸収率が低い第1レーザ光を発生することで、前記第1樹脂層を切断する第1切断ステップと、
前記第1切断ステップの後に、前記第1樹脂層に対するよりも前記第2樹脂層に対して吸収率が高い第2レーザ光を発生して前記第1樹脂層の切断部分に照射することで、前記第2樹脂層を切断する第2切断ステップと、
を備えたレーザ加工方法。
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