JP2020019070A - 多層基板を切断する方法及び切断装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ照射を用いた接着層を有する多層基板の切断において、レーザ照射による熱により溶けた接着層が外部に噴出することを抑制する。【解決手段】第１ＰＥＴ層Ｌ２、ＰＩ層Ｌ１、第２ＰＥＴ層Ｌ３、第１接着層Ｌ４、第２接着層Ｌ５からなるフレキシブルＯＬＥＤ（多層基板）を切断する方法は、第１レーザ切断ステップと、第２レーザ切断ステップと、ホイール切断ステップと、を備える。第１レーザ切断ステップでは、レーザ光Ｌの照射により、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４に第１溝Ｇ１を形成する。第２レーザ切断ステップでは、第１レーザ切断ステップ後に、レーザ光Ｌの照射により、第１溝Ｇ１に対応させて第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５に第２溝Ｇ２を形成する。ホイール切断ステップでは、スクライブホイールＳＷを第１溝Ｇ１又は第２溝Ｇ２を通しながら、ＰＩ層Ｌ１に切断ラインＳＬを形成する。【選択図】図３
Description
本発明は、フレキシブルＯＬＥＤ（有機ＬＥＤ）等の多層基板の切断方法及び装置に関する。
ＯＬＥＤ基板のような多層基板を切断する方法としては、従来、一方の面からレーザ光を照射して所望のラインに沿って切断ラインを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
上記の多層基板においては、層毎に異なる材料が用いられていることが多い。この場合、多層基板の層毎に異なる光源を用いて切断ラインを形成する必要があり、多層基板を切断する装置構成が複雑になる。
また、ＯＬＥＤ基板のように、多層基板のうちの１つの樹脂層に電子回路が形成されている場合には、レーザ光で当該樹脂層を切断すると、樹脂層が炭化することがある。樹脂層の炭化により形成されたグラファイトが配線間にわたって延びている場合には、導電性を有するグラファイトが電子回路をショートさせることがある。
上記の多層基板においては、層毎に異なる材料が用いられていることが多い。この場合、多層基板の層毎に異なる光源を用いて切断ラインを形成する必要があり、多層基板を切断する装置構成が複雑になる。
また、ＯＬＥＤ基板のように、多層基板のうちの１つの樹脂層に電子回路が形成されている場合には、レーザ光で当該樹脂層を切断すると、樹脂層が炭化することがある。樹脂層の炭化により形成されたグラファイトが配線間にわたって延びている場合には、導電性を有するグラファイトが電子回路をショートさせることがある。
そこで、多層基板の切断において、一部の層（特に、電子回路が形成された層）についてはスクライブホイールを用いて切断ラインを形成する方法が考えられている。
例えば、発光層が形成されたポリイミド（ＰＩ）層と、ポリイミド層の両表面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層が接着層により接着された構成を有するＯＬＥＤにおいて、一方のＰＥＴ層と接着層とをレーザ光の照射により除去して溝を形成し、当該溝にスクライブホイールを通してＰＩ層に切断ラインを形成する。
例えば、発光層が形成されたポリイミド（ＰＩ）層と、ポリイミド層の両表面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層が接着層により接着された構成を有するＯＬＥＤにおいて、一方のＰＥＴ層と接着層とをレーザ光の照射により除去して溝を形成し、当該溝にスクライブホイールを通してＰＩ層に切断ラインを形成する。
上記の従来の切断方法においては、ＰＩ層の両表面に設けられたＰＥＴ層の一方に溝を形成し、当該溝にスクライブホイールを通してＰＩ層に切断ラインを形成後、さらに、他方のＰＥＴ層に溝を形成していた。そのため、他方のＰＥＴ層に溝を形成する際に、レーザ照射にて発生する熱により接着層が溶けて、溶けた接着層（接着剤）が外部に噴出することがあった。
多層基板は加工テーブルに載置された状態で切断されるが、接着剤が溶けて外部に噴出すると、噴出した接着剤が、加工テーブル表面に付着することが考えられる。
加工テーブル表面に接着剤が付着すると、その接着剤が多層基板にさらに付着してその表面を汚染する、及び／又は、加工テーブル上で多層基板が水平ではない状態で載置され、多層基板を適切に切断できなくなることが考えられる。
加工テーブル表面に接着剤が付着すると、その接着剤が多層基板にさらに付着してその表面を汚染する、及び／又は、加工テーブル上で多層基板が水平ではない状態で載置され、多層基板を適切に切断できなくなることが考えられる。
また、外部への接着剤の噴出による加工テーブルの汚染を抑制するために、従来の切断方法においては、例えば、加工テーブルの多層基板の切断部分に対応する部分をへこませるなど、加工テーブルの構造を工夫する必要があった。
本発明の目的は、レーザ照射を用いた接着層を有するＯＬＥＤ等の多層基板の切断において、レーザ照射の熱により接着層が外部に噴出することを抑制することにある。
以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。
本発明の一見地に係るフレキシブルＯＬＥＤ等の多層基板を切断する方法は、第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、第１接着層、第２接着層、からなる多層基板を切断する方法である。第１接着層は、第１ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する。第２接着層は、第２ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する。多層基板の切断方法は、以下のステップを備える。
◎第１ＰＥＴ層及び第１接着層に、レーザ照射により、第１溝を形成する第１レーザ切断ステップ。
◎第１レーザ切断ステップ後に、レーザ照射により、第１溝に対応させて第２ＰＥＴ層及び第２接着層に第２溝を形成する第２レーザ切断ステップ。
◎第２レーザ切断ステップ後に、ホイール切断手段を第１溝又は第２溝を通しながら、ＰＩ層に切断部を形成するホイール切断ステップ。
本発明の一見地に係るフレキシブルＯＬＥＤ等の多層基板を切断する方法は、第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、第１接着層、第２接着層、からなる多層基板を切断する方法である。第１接着層は、第１ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する。第２接着層は、第２ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する。多層基板の切断方法は、以下のステップを備える。
◎第１ＰＥＴ層及び第１接着層に、レーザ照射により、第１溝を形成する第１レーザ切断ステップ。
◎第１レーザ切断ステップ後に、レーザ照射により、第１溝に対応させて第２ＰＥＴ層及び第２接着層に第２溝を形成する第２レーザ切断ステップ。
◎第２レーザ切断ステップ後に、ホイール切断手段を第１溝又は第２溝を通しながら、ＰＩ層に切断部を形成するホイール切断ステップ。
上記の切断方法では、レーザ照射により、第１ＰＥＴ層及び第２接着層に第１溝を形成し、第２ＰＥＴ層及び第２接着層に第２溝を形成後に、ホイール切断手段によりＰＩ層に切断部が形成される。第１溝又は第２溝の一方を形成後にＰＩ層に切断部が形成されていないので、第１溝又は第２溝の他方をレーザ照射により形成中に溶けた接着層が、例えば切断部を通して外部へ噴出することを抑制できる。すなわち、ＰＩ層が「蓋」となって、溶けた接着層が外部へと噴出することを抑制できる。
第１溝又は第２溝のうち、少なくとも、ホイール切断ステップにおいてホイール切断手段を通す溝の開口角度は、４５〜１００度の範囲であってもよい。
これにより、ホイール切断手段が通される第１溝又は第２溝が「ガイド」として機能して、ホイール切断手段により形成される切断部が本来のラインから大きく外れることを抑制できる。
これにより、ホイール切断手段が通される第１溝又は第２溝が「ガイド」として機能して、ホイール切断手段により形成される切断部が本来のラインから大きく外れることを抑制できる。
第１溝又は第２溝のうち、少なくとも、ホイール切断ステップにおいてホイール切断手段を通す溝の幅は、４０〜２００μｍの範囲であってもよい。
これにより、ホイール切断手段が通される第１溝又は第２溝が「ガイド」として機能して、ホイール切断手段により形成される切断部が本来のラインから大きく外れることを抑制できる。
これにより、ホイール切断手段が通される第１溝又は第２溝が「ガイド」として機能して、ホイール切断手段により形成される切断部が本来のラインから大きく外れることを抑制できる。
本発明の他の見地に係る多層基板の切断装置は、第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、第１ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する第１接着層、第２ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する第２接着層、からなる多層基板を切断する装置である。切断装置は、レーザ切断手段と、ホイール切断手段と、を備える。
レーザ切断手段は、レーザ照射により、第１ＰＥＴ層及び第１接着層に第１溝を形成し、第１溝に対応させて、第２ＰＥＴ層及び第２接着層に第２溝を形成する。
ホイール切断手段は、第１溝及び第２溝の形成後に、第１溝又は第２溝を通しながら、ＰＩ層に切断部を形成する。
レーザ切断手段は、レーザ照射により、第１ＰＥＴ層及び第１接着層に第１溝を形成し、第１溝に対応させて、第２ＰＥＴ層及び第２接着層に第２溝を形成する。
ホイール切断手段は、第１溝及び第２溝の形成後に、第１溝又は第２溝を通しながら、ＰＩ層に切断部を形成する。
上記の切断装置では、レーザ切断手段により、第１ＰＥＴ層及び第２接着層に第１溝を形成し、第２ＰＥＴ層及び第２接着層に第２溝を形成後に、ホイール切断手段により、ＰＩ層に切断部が形成される。第１溝又は第２溝の一方を形成後にＰＩ層に切断部が形成されていないので、第１溝又は第２溝の他方をレーザ照射により形成中に溶けた接着層が、例えば切断部を通して外部へ噴出することを抑制できる。すなわち、ＰＩ層が「蓋」となって、溶けた接着層が外部へと噴出することを抑制できる。
レーザ照射により多層基板のＰＥＴ層に溝を形成する際に、レーザ照射による熱により溶けた接着層が外部に噴出することを抑制できる。
１．第１実施形態
（１）フレキシブルＯＬＥＤの構造
以下、本発明の一実施形態による多層基板の切断方法について説明する。本実施形態では、切断する対象である多層基板の一例として、フレキシブルＯＬＥＤ（以下、ＯＬＥＤ基板Ｐ１と呼ぶ）を採用する。
従って、最初に、図１を用いて、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の構成を説明する。図１は、ＯＬＥＤ基板の断面構造を示す図である。
図１に示すように、ＯＬＥＤ基板Ｐ１は、三層構造を有し、ＰＩ層Ｌ１と、第１ＰＥＴ層Ｌ２と、第２ＰＥＴ層Ｌ３と、を有している。
（１）フレキシブルＯＬＥＤの構造
以下、本発明の一実施形態による多層基板の切断方法について説明する。本実施形態では、切断する対象である多層基板の一例として、フレキシブルＯＬＥＤ（以下、ＯＬＥＤ基板Ｐ１と呼ぶ）を採用する。
従って、最初に、図１を用いて、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の構成を説明する。図１は、ＯＬＥＤ基板の断面構造を示す図である。
図１に示すように、ＯＬＥＤ基板Ｐ１は、三層構造を有し、ＰＩ層Ｌ１と、第１ＰＥＴ層Ｌ２と、第２ＰＥＴ層Ｌ３と、を有している。
ＰＩ層Ｌ１は、ポリイミド（ＰＩ）製の基板であり、一方の表面にＯＬＥＤ（有機ＬＥＤ）が形成されている。具体的には、例えば、発光層と、発光層による発光を制御するための駆動用素子（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ））と、ＯＬＥＤの配線と、が形成されている。
第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第２ＰＥＴ層Ｌ３は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムであり、ＰＩ層Ｌ１の表面に形成されたＯＬＥＤを保護する。
第１ＰＥＴ層Ｌ２は、第１接着層Ｌ４により、ＰＩ層Ｌ１の一方の表面に接着されている。第１接着層Ｌ４は、例えば、アクリル系又はウレタン系の接着剤により形成される。
一方、第２ＰＥＴ層Ｌ３は、第２接着層Ｌ５により、ＰＩ層Ｌ１の他方の表面に接着されている。第２接着層Ｌ５は、例えば、アクリル系又はウレタン系の接着剤により形成される。
第１ＰＥＴ層Ｌ２は、第１接着層Ｌ４により、ＰＩ層Ｌ１の一方の表面に接着されている。第１接着層Ｌ４は、例えば、アクリル系又はウレタン系の接着剤により形成される。
一方、第２ＰＥＴ層Ｌ３は、第２接着層Ｌ５により、ＰＩ層Ｌ１の他方の表面に接着されている。第２接着層Ｌ５は、例えば、アクリル系又はウレタン系の接着剤により形成される。
第１ＰＥＴ層Ｌ２又は第２ＰＥＴ層Ｌ３のうち、スクライブホイールＳＷ（後述）を挿入する溝が形成される側のＰＥＴ層がＯＬＥＤ基板Ｐ１の裏側、それとは反対側のＰＥＴ層がＯＬＥＤ基板Ｐ１の発光面側となる。
（２）切断装置
次に、図２を用いて、本実施形態の切断装置１の構成を説明する。図２は、切断装置の全体構成を示す図である。切断装置１は、レーザ照射及びスクライブホイールを用いて、上記構成を有するＯＬＥＤ基板Ｐ１を切断するための装置である。
切断装置１は、レーザ装置３（レーザ切断手段の一例）と、スクライブホイール切断装置５と、機械駆動系７と、制御部９と、を備える。
次に、図２を用いて、本実施形態の切断装置１の構成を説明する。図２は、切断装置の全体構成を示す図である。切断装置１は、レーザ照射及びスクライブホイールを用いて、上記構成を有するＯＬＥＤ基板Ｐ１を切断するための装置である。
切断装置１は、レーザ装置３（レーザ切断手段の一例）と、スクライブホイール切断装置５と、機械駆動系７と、制御部９と、を備える。
レーザ装置３は、ＯＬＥＤ基板Ｐ１にレーザ光Ｌを照射するための装置である。レーザ装置３は、レーザ光Ｌを出力するレーザ発振器と、当該レーザ光Ｌを後述する機械駆動系７に伝送する伝送光学系と、を有している（いずれも図示せず）。伝送光学系は、例えば、図示しないが、集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等を有する。また、伝送光学系は、例えば、レーザ発振器及び他の光学系が組み込まれたレーザ照射ヘッド（図示せず）をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構（図示せず）を有している。レーザ装置３のレーザ発振器は、例えば、ＣＯ２レーザである。
スクライブホイール切断装置５は、スクライブホイールＳＷ（ホイール切断手段の一例）を転動させて基板を切断する装置である。本実施形態では、スクライブホイール切断装置５は、ＯＬＥＤ基板Ｐ１のＰＩ層Ｌ１に切断ライン（切断部の一例）を形成するために用いられる。
スクライブホイールＳＷは、外周部分がＶ字形に形成された円板状の部材である。スクライブホイールＳＷの上記外周部分が、ＰＩ層Ｌ１に切断ラインを形成する刃となる。スクライブホイールＳＷは、例えば、直径が５〜１５ｍｍであり、Ｖ字形の刃先の頂角が２０〜５０°とされている。
スクライブホイールＳＷは、外周部分がＶ字形に形成された円板状の部材である。スクライブホイールＳＷの上記外周部分が、ＰＩ層Ｌ１に切断ラインを形成する刃となる。スクライブホイールＳＷは、例えば、直径が５〜１５ｍｍであり、Ｖ字形の刃先の頂角が２０〜５０°とされている。
機械駆動系７は、ベッド１１と、ＯＬＥＤ基板Ｐ１が載置される加工テーブル１３と、加工テーブル１３をベッド１１に対して水平方向に移動させる移動装置１５とを有している。移動装置１５は、ガイドレール、移動テーブル、モータ等を有する公知の機構である。
制御部９は、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ）と、記憶装置（例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ、ＳＳＤなど）と、各種インターフェース（例えば、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、通信インターフェースなど）を有するコンピュータシステムである。制御部９は、記憶部（記憶装置の記憶領域の一部又は全部に対応）に保存されたプログラムを実行することで、各種制御動作を行う。
制御部９は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
制御部９は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
制御部９には、図示しないが、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の大きさ、形状及び位置を検出するセンサ、各装置の状態を検出するためのセンサ及びスイッチ、並びに情報入力装置が接続されている。
この実施形態では、制御部９は、レーザ装置３を制御できる。また、制御部９は、スクライブホイール切断装置５を制御できる。さらに、制御部９は、移動装置１５を制御できる。
この実施形態では、制御部９は、レーザ装置３を制御できる。また、制御部９は、スクライブホイール切断装置５を制御できる。さらに、制御部９は、移動装置１５を制御できる。
（３）ＯＬＥＤ基板の切断方法
図３を用いて、レーザ光Ｌ及びスクライブホイールＳＷによるＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断動作を説明する。図３は、ＯＬＥＤ基板の切断動作を模式的に示す図である。
まず、図３の（ａ）に示すように、ＯＬＥＤ基板Ｐ１を第１ＰＥＴ層Ｌ２を上にして、加工テーブル１３上に配置する。その後、レーザ装置３が、第１ＰＥＴ層Ｌ２に向けて、レーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌを照射しながらレーザ装置３及び／又はＯＬＥＤ基板Ｐ１を移動させて、レーザ光Ｌを所望のラインに沿って照射する。これにより、レーザ光Ｌが照射された箇所の第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４が除去され、当該所望のラインに沿って第１溝Ｇ１が形成される（第１レーザ切断ステップ）。
図３を用いて、レーザ光Ｌ及びスクライブホイールＳＷによるＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断動作を説明する。図３は、ＯＬＥＤ基板の切断動作を模式的に示す図である。
まず、図３の（ａ）に示すように、ＯＬＥＤ基板Ｐ１を第１ＰＥＴ層Ｌ２を上にして、加工テーブル１３上に配置する。その後、レーザ装置３が、第１ＰＥＴ層Ｌ２に向けて、レーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌを照射しながらレーザ装置３及び／又はＯＬＥＤ基板Ｐ１を移動させて、レーザ光Ｌを所望のラインに沿って照射する。これにより、レーザ光Ｌが照射された箇所の第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４が除去され、当該所望のラインに沿って第１溝Ｇ１が形成される（第１レーザ切断ステップ）。
第１溝Ｇ１を第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４に形成後、図３の（ｂ）に示すように、ＯＬＥＤ基板Ｐ１を反転させる。これにより、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の第２ＰＥＴ層Ｌ３が上に向く。
さらに、図３の（ｃ）に示すように、第２ＰＥＴ層Ｌ３の表面に、第１溝Ｇ１に対応するようにレーザ光Ｌを照射する。これにより、レーザ光Ｌが照射された箇所の第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５が除去され、第１溝Ｇ１に対応するように第２溝Ｇ２が形成される（第２レーザ切断ステップ）。
このとき、第１溝Ｇ１の形成痕が第２ＰＥＴ層Ｌ３側から視認できるので、この第１溝Ｇ１の形成痕に沿ってレーザ光Ｌを照射する。これにより、切断ラインＳＬと対応する（重複する）第２溝Ｇ２を形成できる。
さらに、図３の（ｃ）に示すように、第２ＰＥＴ層Ｌ３の表面に、第１溝Ｇ１に対応するようにレーザ光Ｌを照射する。これにより、レーザ光Ｌが照射された箇所の第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５が除去され、第１溝Ｇ１に対応するように第２溝Ｇ２が形成される（第２レーザ切断ステップ）。
このとき、第１溝Ｇ１の形成痕が第２ＰＥＴ層Ｌ３側から視認できるので、この第１溝Ｇ１の形成痕に沿ってレーザ光Ｌを照射する。これにより、切断ラインＳＬと対応する（重複する）第２溝Ｇ２を形成できる。
本実施形態では、第２レーザ切断ステップにおいて第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５にレーザ光Ｌを照射する際に、レーザ光Ｌの焦点をできうる限り小さくし、当該焦点の位置を第２ＰＥＴ層Ｌ３の表面上に設定する。
これにより、図３の（ｃ）に示すように、開口角度θ及び溝幅Ｗが小さい第１溝Ｇ１を形成できる。具体的には、例えば、開口角度θが４５°〜１００°の範囲にあり、及び／又は、溝幅が４０μｍ〜２００μｍの範囲にある第２溝Ｇ２を形成できる。
これにより、図３の（ｃ）に示すように、開口角度θ及び溝幅Ｗが小さい第１溝Ｇ１を形成できる。具体的には、例えば、開口角度θが４５°〜１００°の範囲にあり、及び／又は、溝幅が４０μｍ〜２００μｍの範囲にある第２溝Ｇ２を形成できる。
なお、開口角度θは、図４の（ａ）に示すように、ＰＥＴ層の溝を形成する２つの側壁のなす角度と定義される。一方、溝幅Ｗは、図４の（ｂ）に示すように、第１溝Ｇ１のエッジ間の距離と定義される。図４は、溝の開口角度及び溝幅の定義を示す図である。
また、レーザ光Ｌの焦点の位置（ＯＬＥＤ基板Ｐ１の高さ方向の位置）を調整することにより、第１溝Ｇ１の開口角度θ及び／又は溝幅Ｗを調整することもできる。
また、第２溝Ｇ２を形成する際のレーザ光Ｌの照射条件（焦点位置）は、第１溝Ｇ１の形成時の照射条件（焦点位置）と同一としてもよいし、異なっていてもよい。
第２溝Ｇ２を形成する際のレーザ光Ｌの照射条件を、第１溝Ｇ１の形成時の照射条件と同一とすることにより、第１溝Ｇ１とほぼ同一形状（開口角度θ及び溝幅Ｗが第１溝Ｇ１とほぼ等しい）の第２溝Ｇ２を形成できる。
また、レーザ光Ｌの照射条件を同一とすることにより、溝の形成毎に照射条件を変更する必要がないので、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断効率を向上できる。
第２溝Ｇ２を形成する際のレーザ光Ｌの照射条件を、第１溝Ｇ１の形成時の照射条件と同一とすることにより、第１溝Ｇ１とほぼ同一形状（開口角度θ及び溝幅Ｗが第１溝Ｇ１とほぼ等しい）の第２溝Ｇ２を形成できる。
また、レーザ光Ｌの照射条件を同一とすることにより、溝の形成毎に照射条件を変更する必要がないので、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断効率を向上できる。
図３に戻り、第２溝Ｇ２を形成後、図３の（ｄ）に示すように、第２溝Ｇ２内にスクライブホイールＳＷを通し、所定の荷重をかけてスクライブホイールＳＷの刃先をＰＩ層Ｌ１に押し込んだ状態で、スクライブホイール切断装置５及び／又はＯＬＥＤ基板Ｐ１を移動させて、スクライブホイールＳＷを転動させる（ホイール切断ステップ）。
スクライブホイールＳＷからＰＩ層Ｌ１にかける荷重としては、例えば、０．１５ＭＰａ〜０．２０ＭＰａの荷重を用いることができる。
スクライブホイール切断装置５及び／又はＯＬＥＤ基板Ｐ１を移動させて、スクライブホイールＳＷを転動させながら第１溝Ｇ１に沿って移動させることで、図３の（ｄ）に示すように、ＰＩ層Ｌ１に、第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２に沿って切断ラインＳＬを形成できる。
スクライブホイールＳＷからＰＩ層Ｌ１にかける荷重としては、例えば、０．１５ＭＰａ〜０．２０ＭＰａの荷重を用いることができる。
スクライブホイール切断装置５及び／又はＯＬＥＤ基板Ｐ１を移動させて、スクライブホイールＳＷを転動させながら第１溝Ｇ１に沿って移動させることで、図３の（ｄ）に示すように、ＰＩ層Ｌ１に、第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２に沿って切断ラインＳＬを形成できる。
上記のように、少なくとも、スクライブホイールＳＷを通す第２溝Ｇ２は、例えば、開口角度θが４５°〜１００°の範囲にあり、及び／又は、溝幅が４０μｍ〜２００μｍの範囲にある。
これにより、スクライブホイールＳＷが通される第２溝Ｇ２が「ガイド」として機能して、スクライブホイールＳＷにより形成される切断ラインＳＬが本来のラインから大きく外れることを抑制できる。
これにより、スクライブホイールＳＷが通される第２溝Ｇ２が「ガイド」として機能して、スクライブホイールＳＷにより形成される切断ラインＳＬが本来のラインから大きく外れることを抑制できる。
切断ラインＳＬが形成されると、ＯＬＥＤ基板Ｐ１に、所定のライン（例えば、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の切り出し線）上に第１溝Ｇ１、第２溝Ｇ２、切断ラインＳＬが重複して形成される。その結果、当該所定のラインに沿って、ＯＬＥＤ基板Ｐ１が切断される。
このように、本実施形態に係るＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断方法では、レーザ光Ｌの照射により、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４に第１溝Ｇ１を形成し、第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５に第２溝Ｇ２を形成後に、スクライブホイールＳＷによりＰＩ層に切断ラインＳＬが形成される。
第１溝Ｇ１又は第２溝Ｇ２の一方を形成後にＰＩ層に切断ラインＳＬが形成されないので、第１溝Ｇ１又は第２溝Ｇ２の他方をレーザ光Ｌの照射により形成中に溶けた接着層（第１接着層Ｌ４、第２接着層Ｌ５）が、例えば切断ラインＳＬを通して加工テーブル１３に噴出することを抑制できる。すなわち、ＰＩ層Ｌ１が「蓋」となって、溶けた接着層が加工テーブル１３へと噴出することを抑制できる。
第１溝Ｇ１又は第２溝Ｇ２の一方を形成後にＰＩ層に切断ラインＳＬが形成されないので、第１溝Ｇ１又は第２溝Ｇ２の他方をレーザ光Ｌの照射により形成中に溶けた接着層（第１接着層Ｌ４、第２接着層Ｌ５）が、例えば切断ラインＳＬを通して加工テーブル１３に噴出することを抑制できる。すなわち、ＰＩ層Ｌ１が「蓋」となって、溶けた接着層が加工テーブル１３へと噴出することを抑制できる。
上記の切断方法では、加工テーブル１３に溶けた接着層（接着剤）が噴出して付着することがない。そのため、切断中のＯＬＥＤ基板Ｐ１及び他のＯＬＥＤ基板Ｐ１に接着剤が付着することにより、付着した接着剤によりＯＬＥＤ基板Ｐ１の発光面が汚染される、及び／又は、加熱により炭化した接着剤が配線間に付着して配線間を短絡することを抑制できる。その結果、ＯＬＥＤ素子の歩留まりを向上できる。
また、上記の切断方法では、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断中における接着剤の加工テーブル１３への噴出が抑制されるので、加工テーブル１３において、ＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断部分に対応する部分をへこませるなどの加工を必要としない。
２．他の実施形態
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
上記のＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断方法は、ＯＬＥＤ基板Ｐ１以外の、複数の樹脂層にて形成された多層基板に対しても適用できる。また、樹脂層以外の層（例えば、金属層）を有する多層基板に対しても、上記の切断方向を適用できる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
上記のＯＬＥＤ基板Ｐ１の切断方法は、ＯＬＥＤ基板Ｐ１以外の、複数の樹脂層にて形成された多層基板に対しても適用できる。また、樹脂層以外の層（例えば、金属層）を有する多層基板に対しても、上記の切断方向を適用できる。
スクライブホイールＳＷを用いたＰＩ層Ｌ１の切断は、第２溝Ｇ２の形成後に再度ＯＬＥＤ基板Ｐ１を反転して第１溝Ｇ１を上に向け、第１溝Ｇ１にスクライブホイールＳＷを通しながら、ＰＩ層Ｌ１に切断ラインＳＬを形成することもできる。
この場合には、少なくとも、スクライブホイールＳＷを通す第１溝Ｇ１において、開口角度θが４５°〜１００°の範囲にあり、及び／又は、溝幅が４０μｍ〜２００μｍの範囲にあることが好ましい。
これにより、スクライブホイールＳＷが通される第１溝Ｇ１が「ガイド」として機能して、スクライブホイールＳＷにより形成される切断ラインＳＬが本来のラインから大きく外れることを抑制できる。
この場合には、少なくとも、スクライブホイールＳＷを通す第１溝Ｇ１において、開口角度θが４５°〜１００°の範囲にあり、及び／又は、溝幅が４０μｍ〜２００μｍの範囲にあることが好ましい。
これにより、スクライブホイールＳＷが通される第１溝Ｇ１が「ガイド」として機能して、スクライブホイールＳＷにより形成される切断ラインＳＬが本来のラインから大きく外れることを抑制できる。
上記において、ＯＬＥＤ基板Ｐ１は３つの層（ＰＩ層Ｌ１、第１ＰＥＴ層Ｌ２、第２ＰＥＴ層Ｌ３）を有していたが、２層を有する基板、及び、４層以上の層を有する基板に対しても、上記の切断方法を適用できる。
レーザ装置３、スクライブホイール切断装置５、機械駆動系７の構成は、上記の実施形態にて説明した構成に限定されない。
ＯＬＥＤ基板Ｐ１の形状は、特に限定されない。
ＯＬＥＤ基板Ｐ１の形状は、特に限定されない。
本発明は、フレキシブルＯＬＥＤの切断に広く適用できる。
１ 切断装置
３ レーザ装置
５ スクライブホイール切断装置
ＳＷ スクライブホイール
７ 機械駆動系
１１ ベッド
１３ 加工テーブル
１５ 移動装置
９ 制御部
Ｌ レーザ光
Ｐ１ ＯＬＥＤ基板
Ｌ１ ＰＩ層
Ｌ２ 第１ＰＥＴ層
Ｌ３ 第２ＰＥＴ層
Ｌ４ 第１接着層
Ｌ５ 第２接着層
Ｇ１ 第１溝
Ｇ２ 第２溝
ＳＬ 切断ライン
Ｗ 溝幅
θ 開口角度
３ レーザ装置
５ スクライブホイール切断装置
ＳＷ スクライブホイール
７ 機械駆動系
１１ ベッド
１３ 加工テーブル
１５ 移動装置
９ 制御部
Ｌ レーザ光
Ｐ１ ＯＬＥＤ基板
Ｌ１ ＰＩ層
Ｌ２ 第１ＰＥＴ層
Ｌ３ 第２ＰＥＴ層
Ｌ４ 第１接着層
Ｌ５ 第２接着層
Ｇ１ 第１溝
Ｇ２ 第２溝
ＳＬ 切断ライン
Ｗ 溝幅
θ 開口角度
Claims (4)
- 第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、前記第１ＰＥＴ層を前記ＰＩ層に接着する第１接着層、前記第２ＰＥＴ層を前記ＰＩ層に接着する第２接着層、からなる多層基板を切断する方法であって、
前記第１ＰＥＴ層及び前記第１接着層に、レーザ照射により、第１溝を形成する第１レーザ切断ステップと、
前記第１レーザ切断ステップ後に、レーザ照射により、前記第１溝に対応させて前記第２ＰＥＴ層及び前記第２接着層に第２溝を形成する第２レーザ切断ステップと、
前記第２レーザ切断ステップ後に、ホイール切断手段を前記第１溝又は前記第２溝を通しながら、前記ＰＩ層に切断部を形成するホイール切断ステップと、
を備えた多層基板を切断する方法。 - 前記第１溝又は前記第２溝のうち、少なくとも、前記ホイール切断ステップにおいて前記ホイール切断手段を通す溝の開口角度は、４５〜１００度の範囲にある、請求項１に記載の多層基板を切断する方法。
- 前記第１溝又は前記第２溝のうち、少なくとも、前記ホイール切断ステップにおいて前記ホイール切断手段を通す溝の幅は、４０〜２００μｍの範囲にある、請求項１又は２に記載の多層基板を切断する方法。
- 第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、前記第１ＰＥＴ層を前記ＰＩ層に接着する第１接着層、前記第２ＰＥＴ層を前記ＰＩ層に接着する第２接着層、からなる多層基板を切断する装置であって、
レーザ照射により、前記第１ＰＥＴ層及び前記第１接着層に第１溝を形成し、前記第１溝に対応させて、前記第２ＰＥＴ層及び前記第２接着層に第２溝を形成するレーザ切断手段と、
前記第１溝及び前記第２溝の形成後に、前記第１溝又は前記第２溝を通しながら、前記ＰＩ層に切断部を形成するホイール切断手段と、
を備えた多層基板の切断装置。
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