JP7494300B2 - 表示パネル、表示モジュール、及び移動端末 - Google Patents

表示パネル、表示モジュール、及び移動端末 Download PDF

Info

Publication number
JP7494300B2
JP7494300B2 JP2022530789A JP2022530789A JP7494300B2 JP 7494300 B2 JP7494300 B2 JP 7494300B2 JP 2022530789 A JP2022530789 A JP 2022530789A JP 2022530789 A JP2022530789 A JP 2022530789A JP 7494300 B2 JP7494300 B2 JP 7494300B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
display panel
cut surface
shielding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022530789A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2024503555A (ja
Inventor
文君 周
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from CN202111576368.9A external-priority patent/CN114284327A/zh
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Publication of JP2024503555A publication Critical patent/JP2024503555A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7494300B2 publication Critical patent/JP7494300B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

本願は表示技術分野に関し、特に表示パネル、表示モジュール、及び移動端末に関する。
OLED(Organic Light-Emitting Diode、有機発光ダイオード)パネルは、軽量、薄型、広い視野角、及び省電力などの利点を有するため、将来の発展の主流となっている。
既存のOLED表示パネルにおいて、表示パネルの厚さを薄くするために、偏光片レス技術でOLEDパネルを作製することができ、すなわちカラーレジスト層及びブラックマトリックス層によって既存の偏光片を置き換える。パネルの切断を行うときに、レーザー光Lを利用して表示パネル外周のブラックマトリックスを切断する必要があるため、レーザー光Lの高温に起因してブラックマトリックスを炭化させ、炭化後の炭素屑は表示パネルのエッジギャップに残留し、表示パネルの清浄度に影響を与える可能性がある。
従って、上記技術的課題を解決するための表示パネルが必要とされている。
本願は表示パネル、表示モジュール、及び移動端末を提供することで、既存の表示パネルのエッジギャップに炭素屑が存在するという技術的課題を解決する。
本願は表示パネルを提供し、それは基板と、発光デバイス層と、カラーフィルム層とを含み、
前記発光デバイス層は前記基板上に設置され、
前記カラーフィルム層は前記発光デバイス層上に設置され、前記カラーフィルム層は遮光層と、前記遮光層内に埋め込まれた複数のカラーレジストユニットとを含み、前記遮光層は前記表示パネルの切断面に近接して設置された第1遮光部を含み、
前記第1遮光部は前記切断面に近接する一側に第1エッジを含み、前記基板は前記切断面に近接する一側に第2エッジを含み、前記第1エッジから前記切断面までの間隔は前記第2エッジから前記切断面までの間隔よりも大きい。
本願の表示パネルにおいて、前記第1エッジと前記切断面との間隔は50ミクロン以上で且つ150ミクロン以下である。
本願の表示パネルにおいて、前記遮光層は前記切断面から離れる第2遮光部をさらに含み、前記第2遮光部の厚さは前記第1遮光部の厚さよりも大きい。
本願の表示パネルにおいて、前記表示パネルは前記カラーフィルム層上に設置された第1平坦化層をさらに含み、前記第1平坦化層は前記カラーフィルム層を覆い、
前記第1平坦化層は、前記第1遮光部を覆い、且つ前記切断面に向かって延伸する。
本願の表示パネルにおいて、前記表示パネルは前記カラーフィルム層上に設置された第1平坦化層をさらに含み、前記第1平坦化層は前記カラーフィルム層を覆い、
前記遮光層の、前記表示パネルの切断面に近接する領域に第1切り欠きが設けられ、前記第1平坦化層の前記切断面に近接する領域に第2切り欠きが設けられ、前記第1切り欠き及び前記第2切り欠きは前記切断面に向いている。
本願の表示パネルにおいて、前記第1平坦化層の厚さは前記第2遮光部の厚さ以下である。
本願の表示パネルにおいて、前記基板から前記カラーフィルム層への方向において、前記表示パネルの前記切断面に近接する一側のフィルム層の境界と前記第2エッジとの間隔は徐々に増加する。
本願の表示パネルにおいて、前記切断面と前記基板との鋭角夾角の範囲は60°~80°である。
本願の表示パネルにおいて、前記表示パネルは複数層の有機層を含み、少なくとも1つの前記有機層の前記切断面に近接する一側に黒色材料が設置されている。
本願は表示モジュールをさらに提案し、前記表示モジュールは前記表示パネルと、前記表示パネル上に位置するカバープレート層とを含み、
前記表示パネルの前記カバープレート層上での正投影は前記カバープレート層内に位置する。
本願は移動端末をさらに提案し、前記移動端末は端末本体と、前記表示モジュールとを含み、前記端末本体と前記表示モジュールとは一体に組み合わせられる。
[有益な効果]
本願は、第1エッジから切断面までの間隔を第2エッジから切断面までの間隔よりも大きくすることによって、遮光層と切断面とを分離して設置し、パネルの切断過程においてレーザー光Lの高温に起因して遮光材料が炭化されることを回避し、さらに炭化後の炭素屑が表示パネルのエッジギャップに残留することを回避し、製品の清浄度を向上させる。
既存の表示パネルの断面図である。 既存の表示パネルの異常領域の拡大図である。 本願の表示パネルの切断模式図である。 図3における断面AAの第1の断面図である。 図4における一部のフィルム層の詳細な構造図である。 レーザー光のガウススポットの模式図である。 本願の表示パネルの切断領域での平面構造図である。 本願の表示パネルの切断領域での断面構造図である。 図3における断面AAの第2の断面図である。 図3における断面AAの第3の断面図である。 図3における断面AAの切断前の断面図である。 本願の表示モジュールの構造模式図である。
本願の目的、技術的手段及び効果をより明らかで、明確にするために、以下、図面を参照し且つ実施例を列挙して本願をさらに詳細に説明する。理解すべきであるように、ここで記述される具体的な実施例は本願を解釈するためのものに過ぎず、本願を限定するものではない。
図1に参照されるように、図1は既存の表示パネルが切断された後のフィルム層構造図である。既存のOLED表示パネルにおいて、表示パネルの厚さを薄くするために、偏光片レス技術でOLEDパネルを作製することができる。すなわちカラーレジスト層及びブラックマトリックス層によって既存の偏光片を置き換え、製品の平坦性を確保するために、通常、カラーフィルム層上に第1平坦化層をコーティングし、及び第1平坦化層上に保護層を密着させてフィルム層を保護する。パネル切断を行うときに、レーザー光Lの温度は切断面200に近接する黒色遮光層71を炭化する可能性がある。同時に第1保護層81と第1平坦化層80との間の剥離力が比較的小さいため、炭化された黒色材料が第1保護層81と第1平坦化層80との間のギャップに入って、表示パネルの清浄度に影響を与える。具体的には図2に参照されるように、図面において丸で囲んだ構造は図1における領域BBの黒色の不均一物質である。従って、本願は表示パネルを提案することで上記技術的課題を解決する。
図3~図12に参照されるように、本願は表示パネル100を提供し、それは基板10、発光デバイス層30及びカラーフィルム層70を含んでもよい。上記発光デバイス層30は上記基板10上に設置され、上記カラーフィルム層70は上記発光デバイス層30上に設置され、上記カラーフィルム層70は遮光層71と、上記遮光層71内に埋め込まれた複数のカラーレジストユニット72とを含み、上記遮光層71は上記表示パネル100の切断面200に近接して設置された第1遮光部711を含む。
ここで、上記第1遮光部711は上記切断面200に近接する一側に第1エッジM1を含み、上記基板10は上記切断面200に近接する一側に第2エッジM2を含み、上記第1エッジM1から上記切断面200までの間隔は上記第2エッジM2から上記切断面200までの間隔よりも大きい。
本願は、第1エッジM1から切断面までの間隔を第2エッジM2から切断面までの間隔よりも大きくすることによって、遮光層71と切断面200とを分離して設置し、パネルの切断過程においてレーザー光Lの高温に起因して遮光材料が炭化されることを回避し、さらに炭化後の炭素屑が表示パネル100のエッジギャップに残留することを回避し、製品の清浄度を向上させる。
これより具体的な実施例と併せて本願の技術的手段を記述する。
図3に参照されるように、図3における破線はターゲットパネルの切断線GGであり、切断線GGで囲まれた形状は上記表示パネル100の外周形状である。
図4及び図5に参照されるように、図4は図3における断面AAの第1の断面図であり、図5は図4における一部のフィルム層の詳細な構造図である。
上記表示パネル100は、上記基板10上に設置された薄膜トランジスタアレイ層20、上記薄膜トランジスタアレイ層20上に設置された画素定義層40、上記画素定義層40と同じ層に設置された発光デバイス層30、上記画素定義層40上に設置された封止層50、上記封止層50上に設置されたタッチ制御層60、上記タッチ制御層60上に設置されたカラーフィルム層70、上記カラーフィルム層70上に設置された第1平坦化層80、及び上記第1平坦化層80上に設置された第1保護層81を含んでもよい。
本実施例において、上記基板10の材料はガラス、石英又はポリイミドなどの材料であってもよい。
本実施例において、図5に参照されるように、上記薄膜トランジスタアレイ層20は複数の薄膜トランジスタ21を含んでもよく、上記薄膜トランジスタ21はエッチストップ型、又はバックチャネルエッチ型であってもよく、又はゲート及び活性層の位置に基づいてボトムゲート薄膜トランジスタ、及びトップゲート薄膜トランジスタなどの構造に分けられてもよいが、具体的に限定されない。たとえば、図5に示される薄膜トランジスタ21はトップゲート型薄膜トランジスタであり、該薄膜トランジスタ21は、上記基板10上に設置された遮光金属層211と、上記遮光金属層211上に設置されたバッファ層212と、上記バッファ層212上に設置された活性層213と、上記活性層213上に設置されたゲート絶縁層214と、上記ゲート絶縁層214上に設置されたゲート層215と、上記ゲート層215上に設置された中間絶縁層216と、上記中間絶縁層216上に設置されたソース・ドレイン層217と、上記ソース・ドレイン層217上に設置された第2平坦化層218とを含んでもよい。
本実施例において、図5に参照されるように、上記表示パネル100は、上記第2平坦化層218上に設置された陽極層31、上記陽極層31上に設置された発光層33、及び上記発光層33上に設置された陰極層32をさらに含んでもよい。上記陽極層31は複数の陽極311を含み、上記画素定義層40は複数の上記陽極311と1対1で対応する複数の画素開口を含み、且つ各上記画素開口は1つの上記陽極311の上面を対応して露出させ、上記発光層33は複数の上記陽極311と1対1で対応する複数の発光画素を含んでもよい。
本実施例において、図4に参照されるように、上記封止層50は上記画素定義層40上を覆い、且つ複数の画素開口及び複数の上記発光画素上を連続的に覆う。ここで、上記封止層50は、画素定義層40上に積層設置された第1無機封止層、第1有機封止層及び第2無機封止層を少なくとも含んでもよい。
本実施例において、図4に参照されるように、上記タッチ制御層60は封止層50上に設置された第1タッチ制御金属層と第2タッチ制御金属層、及び第1タッチ制御金属層と第2タッチ制御金属層との間に設置された絶縁層を含んでもよい。
本実施例において、本願の実施例が提供する上記タッチ制御層60は相互容量型又は自己容量型であってもよい。
本実施例において、図4に参照されるように、上記カラーフィルム層70は上記タッチ制御層60上に設置されてもよく、上記カラーフィルム層70は遮光層71と、上記遮光層71内に埋め込まれた複数の異なる色のカラーレジストユニット72とを含んでもよく、1つの上記カラーレジストユニット72は1つの上記発光画素と対応し、上記カラーレジストユニット72の色は対応する上記発光画素が発した光と同じである。
本実施例において、図4に参照されるように、上記発光層33は、第1色で発光する第1発光画素331と、第2色で発光する第2発光画素332と、第3色で発光する第3発光画素333とを含み、上記カラーフィルム層70は第1カラーレジストユニット721、第2カラーレジストユニット722、及び第3カラーレジストユニット723を含み、上記第1発光画素331は上記第1カラーレジストユニット721と対応し、上記第2発光画素332は上記第2カラーレジストユニット722と対応し、上記第3発光画素333は上記第3カラーレジストユニット723と対応する。
本実施例において、上記第1発光画素331は赤色発光画素であり、上記第2発光画素332は緑色発光画素であり、上記第3発光画素333は青色発光画素であり、上記第1カラーレジストユニット721は赤色カラーレジストであり、上記第2カラーレジストユニット722は緑色カラーレジストであり、上記第3カラーレジストユニット723は青色カラーレジストである。
本実施例において、上記第1発光画素331の上記第1カラーレジストユニット721上での正投影は上記第1カラーレジストユニット721内に位置し、上記第2発光画素332の上記第2カラーレジストユニット722上での正投影は上記第2カラーレジストユニット722内に位置し、上記第3発光画素333の上記第3カラーレジストユニット723上での正投影は上記第3カラーレジストユニット723内に位置する。
本実施例において、上記第1平坦化層80の材料は上記第2平坦化層218と同じ有機材料として設置されてもよい。
本実施例において、上記第1保護層81の材料はポリエチレンテレフタレートなどの可撓性材料であってもよい。
本実施例において、上記表示パネル100はバックプレート90と、上記バックプレート90に密着された第2保護層91とをさらに含んでもよく、上記バックプレート90は上記基板10の出光方向に離反する一側に設置され、上記第2保護膜は上記バックプレート90の出光方向に離反する一側に位置する。
本実施例において、上記第2保護層91の作用は上記第1保護層81と同じであり、上記第2保護層91の材料は上記第1保護層81の材料と同じであってもよい。
本実施例において、上記第1保護層81と上記第1平坦化層80との間の剥離力は1~4g/inchであり、上記第2保護層91と上記バックプレート90との間の剥離力は45~55g/inchである。
本実施例において、上記第1保護層81及び上記第2保護層91は、上記表示パネル100の作製過程における中間生産物であり、プロセスの中間過程のみに存在することで、第1平坦化層80及び下方の他のフィルム層構造を保護し、最終的な製品において、上記第1保護層81及び上記第2保護層91は剥離されることになる。
図4に参照されるように、上記表示パネル100は、表示領域300、及び表示領域300の外周に位置する非表示領域400を含んでもよく、同時に非表示領域400から離れる一側に切断領域500及び切断によって残された切断生産物600が設けられる。
表示パネル100の切断過程において、レーザー光Lを利用して表示パネル100を切断する必要があり、たとえば、図4における構造について、切断領域500の左側の生産物がターゲット製品であり、切断領域500の右側の生産物は無用な切断生産物600である。
本実施例において、レーザー光Lのスポットがガウススポットであるため、図6に示すように、上記レーザー光Lは、中間のエネルギーが高く及び周囲のエネルギーが順に逓減するという特性を有する。そのため、レーザー光Lを利用して切断した後のフィルム層の断面は図4に示される逆三角形の形状になる可能性がある。
本願の表示パネル100において、図4に参照されるように、上記基板10から上記カラーフィルム層70への方向において、上記表示パネル100の上記切断面200に近接する一側のフィルム層の境界と上記第2エッジM2との間隔は徐々に増加する。すなわち上記基板10から上記カラーフィルム層70への方向において、各フィルム層のパターン化を考慮しない場合において、上記表示パネル100におけるフィルム層の外輪郭面積は徐々に減少する。
本実施例において、レーザー光L自体の特性以外に、出光方向に近接する一側のフィルム層は比較的多い有機材料、たとえば第1平坦化層80、カラーフィルム層70、有機封止層及び画素定義層40などを有し、レーザー光Lの高温作用は該有機材料を炭化させ、パネルの清浄度に影響を与える炭素屑を生じさせるため、出光方向に近接する一側のフィルム層の面積は出光方向から離れる一側のフィルム層の面積よりも小さくてもよく、すなわち出光方向に近接する一側のフィルム層の境界と第2エッジM2との間隔は出光方向から離れる一側のフィルム層の境界と第2エッジM2との間隔よりも大きく、炭素屑の堆積を回避する。
切断過程において、レーザー光Lが表示パネル100の発光方向に離反して動くことに伴い、表示パネル100の切断面200がレーザー光L自体の特性の影響を受けるため、切断面200は一定の傾斜角度を有する傾斜面となる。
本実施例において、上記切断面200と上記基板10との鋭角夾角mの範囲は60°~80°であってもよく、該鋭角夾角mは上記切断面200と基板10との実際の夾角であってもよい。レーザー光L自体の特性のため、それはレーザー光Lのエネルギーを制御することによって切断面200と上記基板10との夾角を90°にできるだけ近づけることができるが、現状では、プロセスの制限により80°にしか達することができず、後で、エッジ研削又は他の処理によって、表示パネル100の側辺と基板10とを90°に近づけることができる。
本願の表示パネル100において、上記表示パネル100は複数層の有機層を含み、少なくとも1つの上記有機層の上記切断面200に近接する一側に黒色材料が設置されている。
本実施例において、上記表示パネル100において第1平坦化層80、カラーフィルム層70、有機封止層及び画素定義層40などの有機層が含まれ、レーザー光Lの高温は該有機材料を炭化させる可能性があるため、切断が完了した後に、上記フィルム層のエッジ領域に炭化後の炭素屑が残留する可能性があり、後続のエッジ研削プロセスにおいて、該炭素屑は完全に除去できないため、切断面200上に残留する可能性がある。同時に、炭化後の有機層が有機層の側辺に付着し、表示領域300における有機材料に対して、たとえば水及び酸素を遮断するなどの一定の保護作用を果たすことができる。
図7及び図8に示される構造はそれぞれ表示パネルが完全に切断されていない前の平面構造図及び断面構造図であり、既存の表示パネルについて、一般的にレーザー光Lを採用してマザーボードを切断し、レーザー光Lの高温が有機材料に対して一定の炭化作用を有するため、本願は、炭化する可能性がある遮光材料と切断領域500とを分離して設置する。
本願の表示パネル100において、上記遮光層71は上記表示パネル100の切断面200に近接する第1遮光部711を含み、上記第1遮光部711の上記第1エッジM1と上記切断面200との間隔は50ミクロン以上で且つ150ミクロン以下である。
図7及び図8に参照されるように、図面における領域aは上記遮光部の境界と切断線GGの中心との間隔であり、領域bは切断線GGの幅であり、領域dはレーザー光Lの熱影響領域Hであり、すなわち領域bにおける構造は切断され、領域d内の構造はレーザー光Lの高温のため影響が与えられ、従って、遮光材料がレーザー光Lの高温に起因して炭化されることを回避するために、本願は、上記第1遮光部711の境界を、レーザー光Lが影響を与えることができる領域から離す必要があり、すなわちaはdよりも大きい必要がある。
本実施例において、aとbとの差値cの範囲は、50μm≦c≦150μmであってもよい。すなわち、上記第1遮光部711の境界と上記切断線GGの境界との最小間隔は50ミクロンであり、及び最大間隔は150ミクロンである。
本実施例は、第1遮光部711を切断線GGの中心から離れて設置することによって、非表示領域400における遮光材料と切断線GGの中心との間に一定の間隔が存在し、比較的高い温度を有するレーザー光Lが遮光材料を炭化することを回避し、同時に第1保護層81と平坦化層との間の炭素屑の残留を解決する。
本願の表示パネル100において、図9に参照されるように、上記遮光層71は上記切断面200から離れる第2遮光部712をさらに含み、上記第2遮光部712の厚さは上記第1遮光部711の厚さよりも大きい。
本実施例において、上記遮光層71は、表示領域300内に設置された第2遮光部712と、非表示領域400内に設置された第1遮光部711とを含んでもよく、上記第1遮光部711が切断面200に近接して設置されるため、すなわち表示パネル100が切断されるときに、上記第1遮光部711の境界と比較的高い温度を有するレーザー光Lとの間隔が比較的小さく、レーザー光Lが上記第1遮光部711の境界を炭化する可能性が存在し、本願は、上記第1遮光部711の厚さを減少させることによって、上記第1遮光部711が炭化される場合において、炭素屑の生成を減少させ、第1保護層81と平坦化層との間の炭素屑の残留量を軽減させることができる。
本願の表示パネル100において、上記表示パネル100は、上記カラーフィルム層70上に設置された第1平坦化層80をさらに含み、上記第1平坦化層80は上記カラーフィルム層70を覆い、上記第1平坦化層80は、上記第1遮光部711を覆い、且つ上記切断面200に向かって延伸することができる。
図9及び図10に参照されるように、上記遮光層71の上記表示パネル100の切断面200に近接する領域に第1切り欠き710が設けられ、上記第1切り欠き710は上記切断面200に向いており、同時に、上記第1平坦化層80の上記切断面200に近接する領域に第2切り欠き810が設けられ、上記第2切り欠き810は上記切断面200に向いている。
図9及び10に参照されるように、カラーレジストユニット72と遮光層71との厚さが一致しないため、カラーフィルムのプロセスが完了した後に、カラーフィルム層70の平坦度が比較的低くなる。従ってカラーフィルム層70上に上記第1平坦化層80を設置する必要がある。同時に、上記第1平坦化層80が有機材料で構成されるため、レーザー光Lが切断するときに、平坦化層の材料が同様に炭化されて黒色の炭素屑を形成することがある。、従って、上記第1平坦化層80の切断面200に近接する一側に平坦化層材料を設置してはならない。
図11に参照されるように、図11は本願の表示パネル100の切断前の断面AAの断面構造図である。上記表示パネル100及び上記第1平坦化層80の切断線GGに近接する一側は中空化され、第1平坦化層80及び遮光層71はいずれもフォトレジスト有機材料で構成され得るため、該中空化された領域はマスクプロセスによって形成することができる。たとえば、露光及び現像プロセスによって、上記第1平坦化層80及び上記遮光層71のエッジに対して中空化処理を行って、上記第1平坦化層80及び上記遮光層71の境界を上記切断線GGから離す。
本実施例において、上記第2切り欠き810は上記第1切り欠き710と対応し、上記第2切り欠き810の面積は上記第1切り欠き710の面積以上であってもよく、それによって、さらに上記第2切り欠き810の境界と上記切断面200との間隔を大きくする。
本願は、上記第1平坦化層80の切断面200に近接する領域に第2切り欠き810を形成することによって、上記第1平坦化層80の境界を上記切断面200から離す。すなわち上記第1平坦化層80の境界を切断線GGから離し、上記第1平坦化層80を構成する有機材料がレーザー光Lの高温で炭化されることを回避し、且つ炭化後の炭素屑が第1平坦化層80と第1保護層81との間に残留することを回避する。
本願の表示パネル100において、図4に参照されるように、上記第1平坦化層80の厚さは上記第2遮光部712の厚さ以下であってもよい。上記第1平坦化層80が上記切断面200に近接して設置されるため、上記第1平坦化層80がレーザー光Lで炭化される割合を回避するために、本願は、上記第1平坦化層80の厚さを減少させることができる。
本実施例において、上記第1平坦化層80が主に凹凸のあるカラーフィルム層70の表面を平坦化することに用いられるため、上記第1平坦化層80はカラーフィルム層70の表面の平坦度を確保すればよい。すなわち上記第1平坦化層80の最小厚さはカラーレジストユニット72と遮光層71との厚さの差値であり、それによって、遮光層71に対応する領域の厚さとカラーレジストユニット72に対応する領域の厚さとが同じであることを確実にする。
本願は表示モジュール700をさらに提案し、図12に参照されるように、上記表示モジュール700は上記表示パネル100、及び上記表示パネル100上に位置するカバープレート層CGを含み、上記表示パネル100の上記カバープレート層上での正投影は上記カバープレート層CG内に位置する。
本実施例において、図4における構造と比べて、図12における構造は、図4における第1保護層81及び第2保護層91を除去している。同時に、表示パネル100は、光学接着剤によって上記第1平坦化層80と上記カバープレート層CGとを密着させることができる。
本実施例において、カバープレート層CGは主に下方のパネル構造に対して保護作用を果たすため、上記表示モジュール700の平面図方向に、カバープレート層CGの外境界を表示パネル100の外境界よりも大きくするべきである。
本願は移動端末をさらに提案し、それは端末本体と、上記表示モジュールとを含み、上記端末本体と上記表示モジュールとは一体に組み合わせられる。該端末本体は表示モジュールにボンディングされた回路基板などのデバイスなどであってもよい。上記移動端末は携帯電話、テレビ、及びノートパソコンなどの電子機器を含んでもよい。
本願は、表示パネル、表示モジュール、及び移動端末を開示し、該表示パネルは、基板と、基板上に設置された発光デバイス層と、発光デバイス層上に設置されたカラーフィルム層とを含み、カラーフィルム層は遮光層と、遮光層内に埋め込まれた複数のカラーレジストユニットとを含み、遮光層は表示パネルの切断面に近接して設置された第1遮光部を含み、第1遮光部は切断面に近接する一側に第1エッジを含み、基板は切断面に近接する一側に第2エッジを含み、本願は、第1エッジから切断面までの間隔を第2エッジから切断面までの間隔よりも大きくすることによって、遮光層と切断面とを分離して設置し、パネルの切断過程においてレーザー光Lの高温に起因して遮光材料が炭化されることを回避し、さらに炭化後の炭素屑が表示パネルのエッジギャップに残留することを回避し、製品の清浄度を向上させる。
理解できるように、当業者にとっては、本願の技術的手段及びその発明構想に基づいて均等物への置換又は変更を行うことができ、全てのこれらの変更又は置換はいずれも本願の添付の特許請求の範囲に属するべきである。
10 基板
20 薄膜トランジスタアレイ層
21 薄膜トランジスタ
30 発光デバイス層
31 陽極層
32 陰極層
33 発光層
40 画素定義層
50 封止層
60 タッチ制御層
70 カラーフィルム層
71 遮光層
72 カラーレジストユニット
80 第1平坦化層
81 第1保護層
90 バックプレート
91 第2保護層
100 表示パネル
200 切断面
211 遮光金属層
212 バッファ層
213 活性層
214 ゲート絶縁層
215 ゲート層
216 中間絶縁層
217 ソース・ドレイン層
218 第2平坦化層
300 表示領域
311 陽極
331 第1発光画素
332 第2発光画素
333 第3発光画素
400 非表示領域
500 切断領域
600 切断生産物
700 表示モジュール
711 第1遮光部
712 第2遮光部
721 第1カラーレジストユニット
722 第2カラーレジストユニット
723 第3カラーレジストユニット

Claims (10)

  1. 表示パネルであって、
    基板と、発光デバイス層と、カラーフィルム層とを含み、
    前記発光デバイス層は前記基板上に設置され、
    前記カラーフィルム層は前記発光デバイス層上に設置され、前記カラーフィルム層は遮光層と、前記遮光層内に埋め込まれた複数のカラーレジストユニットとを含み、前記遮光層は前記表示パネルの切断面に近接して設置された第1遮光部を含み、
    前記第1遮光部は前記切断面に近接する一側に第1エッジを含み、前記基板は前記切断面に近接する一側に第2エッジを含み、前記第1エッジから前記切断面までの間隔は前記第2エッジから前記切断面までの間隔よりも大きく、
    前記第1エッジと前記切断面との間隔は50ミクロン以上で且つ150ミクロン以下であり、
    前記遮光層は前記切断面から離れる第2遮光部をさらに含み、前記第2遮光部の厚さは前記第1遮光部の厚さよりも大きく、
    前記第2遮光部は表示領域内に設置され、前記第1遮光部は非表示領域内に設置される、ことを特徴とする表示パネル。
  2. 前記表示パネルは前記カラーフィルム層上に設置された第1平坦化層をさらに含み、前記第1平坦化層は前記カラーフィルム層を覆う、ことを特徴とする請求項に記載の表示パネル。
  3. 前記第1平坦化層は、前記第1遮光部を覆い、且つ前記切断面に向かって延伸する、ことを特徴とする請求項に記載の表示パネル。
  4. 前記遮光層の、前記表示パネルの切断面に近接する領域に第1切り欠きが設けられ、前記第1平坦化層の前記切断面に近接する領域に第2切り欠きが設けられ、前記第1切り欠き及び前記第2切り欠きは前記切断面に向いている、ことを特徴とする請求項に記載の表示パネル。
  5. 前記第1平坦化層の厚さは前記第2遮光部の厚さ以下である、ことを特徴とする請求項に記載の表示パネル。
  6. 前記基板から前記カラーフィルム層への方向において、前記表示パネルの前記切断面に近接する一側のフィルム層の境界と前記第2エッジとの間隔は徐々に増加する、ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  7. 前記切断面と前記基板との鋭角夾角の範囲は60°~80°である、ことを特徴とする請求項に記載の表示パネル。
  8. 前記表示パネルは複数層の有機層を含み、少なくとも1つの前記有機層の前記切断面に近接する一側に黒色材料が設置されている、ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。
  9. 表示モジュールであって、前記表示モジュールは、請求項1~8のいずれか一項に記載の表示パネルと、前記表示パネル上に位置するカバープレート層とを含み、前記表示パネルの前記カバープレート層上での正投影は前記カバープレート層内に位置する、ことを特徴とする表示モジュール。
  10. 移動端末であって、前記移動端末は端末本体と、請求項に記載の表示モジュールとを含み、前記端末本体と前記表示モジュールとは一体に組み合わせられる、ことを特徴とする移動端末。
JP2022530789A 2021-12-22 2021-12-23 表示パネル、表示モジュール、及び移動端末 Active JP7494300B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111576368.9A CN114284327A (zh) 2021-12-22 2021-12-22 显示面板及显示模组、移动终端
CN202111576368.9 2021-12-22
PCT/CN2021/140907 WO2023115465A1 (zh) 2021-12-22 2021-12-23 显示面板及显示模组、移动终端

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2024503555A JP2024503555A (ja) 2024-01-26
JP7494300B2 true JP7494300B2 (ja) 2024-06-03

Family

ID=86769622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022530789A Active JP7494300B2 (ja) 2021-12-22 2021-12-23 表示パネル、表示モジュール、及び移動端末

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230200122A1 (ja)
JP (1) JP7494300B2 (ja)
KR (1) KR20230098087A (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017128083A (ja) 2016-01-22 2017-07-27 大日本印刷株式会社 積層体の製造方法、表示装置の製造方法および積層体
JP2017220459A (ja) 2016-06-10 2017-12-14 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 表示装置及びその製造方法
JP2018093169A (ja) 2016-08-31 2018-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2019124745A (ja) 2018-01-12 2019-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
US20190355927A1 (en) 2018-05-15 2019-11-21 Samsung Display Co., Ltd. Foldable display device
JP2020019070A (ja) 2018-07-30 2020-02-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 多層基板を切断する方法及び切断装置
JP2020088217A (ja) 2018-11-28 2020-06-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板小片の切り出し方法及び切出装置
US20200301474A1 (en) 2019-03-21 2020-09-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2021124574A (ja) 2020-02-04 2021-08-30 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6911772B2 (en) * 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
CN115811899A (zh) * 2020-12-29 2023-03-17 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20230001031A (ko) * 2021-06-25 2023-01-04 삼성디스플레이 주식회사 타일형 표시 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017128083A (ja) 2016-01-22 2017-07-27 大日本印刷株式会社 積層体の製造方法、表示装置の製造方法および積層体
JP2017220459A (ja) 2016-06-10 2017-12-14 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 表示装置及びその製造方法
JP2018093169A (ja) 2016-08-31 2018-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2019124745A (ja) 2018-01-12 2019-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
US20190355927A1 (en) 2018-05-15 2019-11-21 Samsung Display Co., Ltd. Foldable display device
JP2020019070A (ja) 2018-07-30 2020-02-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 多層基板を切断する方法及び切断装置
JP2020088217A (ja) 2018-11-28 2020-06-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板小片の切り出し方法及び切出装置
US20200301474A1 (en) 2019-03-21 2020-09-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2021124574A (ja) 2020-02-04 2021-08-30 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024503555A (ja) 2024-01-26
KR20230098087A (ko) 2023-07-03
US20230200122A1 (en) 2023-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200006704A1 (en) Display panel motherboard, display panel and method of manufacturing the same
WO2020047978A1 (zh) 显示面板及其制作方法
CN105304679B (zh) 一种底发光型oled显示面板
US10707449B2 (en) Array substrate, method of preparing the same and display panel
WO2020206721A1 (zh) 显示面板及制作方法、显示模组
CN107968110B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法
US9799713B2 (en) Organic light-emitting diode display with barrier layer
TW202327085A (zh) 顯示裝置
EP2713398B1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, oled display device
WO2020056803A1 (zh) 显示面板及其制作方法、显示模组
WO2016056515A1 (ja) 蒸着用マスク及び有機el表示装置
KR20140087630A (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치
CN109037277B (zh) 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板、显示装置
US20140134770A1 (en) Methods of manufacturing optical filters and methods of manufacturing organic light emitting display devices having optical filters
JP2016018734A (ja) 表示装置及びその製造方法
CN110098237B (zh) 显示面板及制作方法
WO2023115504A1 (zh) 显示面板及显示模组、移动终端
US20240244932A1 (en) Display substrates and their manufacturing methods, and display devices
JP2024075588A (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
US10797118B2 (en) Touch panel, method for fabricating the same and display device
CN109192762B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
WO2023115465A1 (zh) 显示面板及显示模组、移动终端
JP7494300B2 (ja) 表示パネル、表示モジュール、及び移動端末
JP7541093B2 (ja) ディスプレイパネル、ディスプレイモジュール、および移動端末
EP3276659B1 (en) Display device including white light-emitting layer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220525

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20231002

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20231109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240522

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7494300

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150