JP2024075588A - 表示基板及びその製造方法、表示装置 - Google Patents

表示基板及びその製造方法、表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】ボンディングプロセスにおいて、表示基板の歩留まりを高め、製造コストを低減させる。【解決手段】表示基板はベース基板、複数のサブ画素、複数のデータ線、複数のデータリード線、少なくとも１組のコンタクトパッド及び第１絶縁層を含み、ベース基板）は表示領域及び表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含み、少なくとも１組のコンタクトパッドはボンディング領域に位置し、少なくとも１組のコンタクトパッドは第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドを含み、第１絶縁層はボンディング領域に位置し、第１絶縁層は複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ複数のコンタクトパッドのエッジを被覆し、複数のコンタクトパッドのベース基板とは反対側の表面が露出するように構成される。【選択図】図５Ａ

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１９年１０月２３日に出願された国際特許出願第ＰＣＴ／ＣＮ２０１９／１１２７９７号の国内段階に基づく日本特許出願２０２１－５７１４７８の分割出願である。上記の特許出願の全ては、参照として本明細書に組み込まれる。
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。
社会の発展と進歩に伴い、電子表示製品の用途はますます広くなり、ユーザーは電子表示製品の品質に対する要件もますます高くなる。電子表示製品は表示基板を含み、表示基板の製造を完了した後に、表示基板を外部回路と信号接続するように、表示基板に対してボンディング（Ｂｏｎｄｉｎｇ）プロセスを行う必要がある。
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、
表示領域及び前記表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含むベース基板と、
前記表示領域に位置する複数のサブ画素と、
前記表示領域に位置し、前記複数のサブ画素にデータ信号を提供するように構成される複数のデータ線と、
前記ボンディング領域に位置し且つ前記複数のデータ線に電気的に接続される複数のデータリード線と、
前記ボンディング領域に位置し、第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドを含み、前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドはそれぞれ複数のコンタクトパッドを含み、前記第２組のコンタクトパッドは前記第１組のコンタクトパッドの前記表示領域から離れる側に位置し、前記複数のデータリード線は前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドに電気的に接続される少なくとも１組のコンタクトパッドと、
前記ボンディング領域に位置し、前記複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドのエッジを被覆し、前記複数のコンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面が露出するように構成される第１絶縁層と、を含む。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１絶縁層の前記ベース基板から離れる側の表面と前記ベース基板との垂直距離は前記複数のコンタクトパッドの前記ベース基板から離れる側の表面と前記ベース基板との垂直距離以上である。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１絶縁層の少なくとも一部は前記第１組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１絶縁層の少なくとも一部は前記第２組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１絶縁層の少なくとも一部は前記第１組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置し、及び前記第２組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１組のコンタクトパッドの複数のコンタクトパッドは少なくとも第１行になるように配置され、前記第２組のコンタクトパッドの複数のコンタクトパッドは少なくとも第２行になるように配置され、前記第１行及び前記第２行の行方向は前記表示領域の前記ボンディング領域に面する側辺の延長方向と平行であり、前記第１絶縁層の少なくとも一部は前記第１行と前記第２行との間の隙間に位置する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１絶縁層の複数の開口のそれぞれは側壁を有し、且つ前記複数の開口のうちの少なくとも１つの側壁は前記ベース基板に対して４０度～６０度の範囲の勾配角を有する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記複数のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つは長さの範囲が６５０マイクロメートル～７５０マイクロメートルであり、幅の範囲が３４マイクロメートル～４２マイクロメートルである。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記複数のサブ画素のうちの少なくとも１つは薄膜トランジスタ、平坦化層及び発光素子を含み、前記平坦化層は、前記薄膜トランジスタを被覆するように、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れる側に位置し、前記発光素子は前記平坦化層の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記平坦化層は第１平坦層ビアを含み、前記薄膜トランジスタは前記ベース基板に位置する活性層と、前記活性層のベース基板から離れる側に位置するゲートと、前記ゲートの前記ベース基板から離れる側に位置するソース及びドレインとを含み、且つ前記ソース及び前記ドレインのうちの一方は前記第１平坦層ビアによって前記発光素子に電気的に接続され、前記第１絶縁層と前記平坦化層とは同じ層に設置される。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記ベース基板に対して、前記ボンディング領域における前記第１絶縁層の厚さが前記表示領域における前記平坦化層の厚さより小さい。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記複数のコンタクトパッドのそれぞれは少なくとも１つの金属層を含み、前記少なくとも１つの金属層が第１金属層を含み、前記第１金属層が前記ソース及び前記ドレインと同じ層に設置される。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記複数のデータリード線は第１組のデータリード線及び第２組のデータリード線を含み、前記第１組のデータリード線が前記第１組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、前記第２組のデータリード線が前記第２組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、且つ前記ベース基板に対して、前記第１組のデータリード線と前記第２組のデータリード線がそれぞれ異なる層に位置する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記複数のサブ画素のうちの前記少なくとも１つはさらに、２つの容量電極を含むストレージコンデンサを含み、前記第１組のデータリード線は前記ゲートと同じ層に設置され、且つ前記第２組のデータリード線は前記ストレージコンデンサの２つの容量電極のうちの一方と同じ層に設置され、又は、前記第２組のデータリード線は前記ゲートと同じ層に設置され、且つ前記第１組のデータリード線は前記ストレージコンデンサの２つの容量電極のうちの一方と同じ層に設置される。
例えば、上記実施例の表示基板はさらに、前記ボンディング領域に位置し、且つ前記複数のコンタクトパッドと前記リード線との間及び前記第１絶縁層と前記ベース基板との間に位置するボンディング領域層間絶縁層と、前記ボンディング領域に位置し、且つ前記ボンディング領域層間絶縁層の前記ベース基板に近接する側に位置するボンディング領域の第１ゲート絶縁層と、前記ボンディング領域に位置し、且つ前記ボンディング領域の第１ゲート絶縁層と前記ボンディング領域層間絶縁層との間に位置し、前記ボンディング領域層間絶縁層と積層されるボンディング領域の第２ゲート絶縁層と、を含み、前記第１組のコンタクトパッドは前記ボンディング領域層間絶縁層における複数の第１コンタクトパッドビアを通過することにより前記第１組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続され、前記第２組のコンタクトパッドは前記第１ボンディング領域層間絶縁層及び前記ボンディング領域の第２ゲート絶縁層における複数の第２コンタクトパッドビアを通過することにより前記第２組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続され、又は、前記第２組のコンタクトパッドは前記第１ボンディング領域層間絶縁層における複数の第２コンタクトパッドビアを通過することにより前記第２組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続され、前記第１組のコンタクトパッドは前記ボンディング領域層間絶縁層及び前記ボンディング領域の第２ゲート絶縁層における複数の第１コンタクトパッドビアを通過することにより前記第１組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続される。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記複数のサブ画素のうちの前記少なくとも１つはさらに表示領域層間絶縁層、表示領域の第１ゲート絶縁層及び表示領域の第２ゲート絶縁層を含み、前記表示領域層間絶縁層、表示領域の第１ゲート絶縁層及び前記表示領域の第２ゲート絶縁層はそれぞれ前記ボンディング領域層間絶縁層、ボンディング領域の第１ゲート絶縁層及び前記ボンディング領域の第２ゲート絶縁層と同じ層に設置され、前記表示領域層間絶縁層は前記ゲートと、前記ソース及び前記ドレインとの間に位置し、前記表示領域の第１ゲート絶縁層は前記表示領域層間絶縁層の前記ベース基板に近接する側に位置し、前記表示領域の第２ゲート絶縁層は前記表示領域層間絶縁層と前記表示領域の第１ゲート絶縁層との間に位置し、前記２つの容量電極は第１容量電極及び第２容量電極を含み、前記第１容量電極が前記ゲートと同じ層に設置され、前記第２容量電極が前記表示領域層間絶縁層と前記表示領域の第２ゲート絶縁層との間に設置される。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１組のデータリード線は前記第１容量電極及び前記ゲートと同じ層に設置され、且つ前記第２組のデータリード線は前記第２容量電極と同じ層に設置され、又は前記第２組のデータリード線は前記第１容量電極及び前記ゲートと同じ層に設置され、且つ前記第１組のデータリード線は前記第２容量電極と同じ層に設置される。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１絶縁層は前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置する表面が凹み部分を有し、又は前記第１絶縁層は前記第１行と前記第２行との間の隙間に位置する表面が凹み部分を有する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第２組のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つのコンタクトパッドに電気的に接続されるデータリード線の前記第１組のコンタクトパッドを通過する部分は、前記第１組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの隙間に位置し且つ前記第１絶縁層によって被覆される。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１組のデータリード線のうちの少なくとも１つのデータリード線は前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、又は前記第２組のデータリード線のうちの少なくとも１つのデータリード線は前記表示基板の前記エッジに対して傾斜して延長する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１組のデータリード線のうちの少なくとも２つのデータリード線は前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ前記第１組のデータリード線のうちの前記少なくとも２つのデータリード線は前記表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第２組のデータリード線のうちの少なくとも２つのデータリード線は前記表示基板の前記エッジに対して傾斜して延長し、且つ前記第２組のデータリード線のうちの前記少なくとも２つのデータリード線は前記表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１組のコンタクトパッドの少なくとも１つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、又は前記第２組のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つは前記表示基板の前記エッジに対して傾斜して延長する。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第１組のコンタクトパッドの少なくとも２つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ前記第１組のコンタクトパッドのうちの前記少なくとも２つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である。
例えば、上記実施例の表示基板において、前記第２組のコンタクトパッドの少なくとも２つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ前記第２組のコンタクトパッドのうちの前記少なくとも２つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である。
本開示の別の実施例は上記いずれか１つの実施例に記載の表示基板を含む表示装置を提供する。
本開示の別の実施例は表示基板の製造方法を提供し、該製造方法は、
表示領域及び前記表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含む前記ベース基板を提供するステップと、
前記表示領域に複数のサブ画素及び複数のデータ線を形成するステップであって、前記複数のデータ線は前記複数のサブ画素にデータ信号を提供するように構成されるステップと、
前記ボンディング領域に複数のデータリード線を形成するステップと、
前記ボンディング領域に少なくとも１組のコンタクトパッドを形成するステップであって、前記少なくとも１組のコンタクトパッドは第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドを含み、前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドはそれぞれ複数のコンタクトパッドを含み、前記第２組のコンタクトパッドは前記第１組のコンタクトパッドの前記表示領域から離れる側に位置し、前記複数のデータリード線は前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続されるステップと、
前記ボンディング領域に第１絶縁層を形成するステップであって、前記第１絶縁層は前記ボンディング領域に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドのエッジを被覆し、前記複数のコンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面が露出するように構成されるステップと、を含む。
本開示の実施例の技術的解決手段をより明確に説明するために、以下では実施例の図面を簡単に説明し、明らかなように、以下では説明される図面は本開示のいくつかの実施例にのみ関連し、本開示を限定するものではない。
図１Ａは本開示のいくつかの実施例による表示基板のボンディング領域の平面図である。 図１Ｂは図１Ａに示される表示基板の線Ｍ１－Ｎ１に沿う断面図である。 図１Ｃは図１Ａに示される表示基板の線Ｍ２－Ｎ２に沿う断面図である。 図１Ｄは別の実施例による、図１Ａに示される表示基板の線Ｍ１－Ｎ１に沿う断面図である。 図２は本開示のいくつかの実施例による表示基板の一部領域の平面図である。 図３は本開示のいくつかの実施例による表示基板の断面図である。 図４は本開示のいくつかの実施例による表示装置の断面図である。 図５Ａは本開示のいくつかの実施例による表示基板の平面図である。 図５Ｂ（１）は図５Ａに示される表示基板のボンディング領域の平面図である。 図５Ｂ（２）は図５Ａに示される表示基板のボンディング領域の平面図である。 図５Ｃは図５Ａに示される表示基板の線Ｍ３－Ｎ３に沿う断面図である。 図５Ｄは図５Ｂ（１）に示される表示基板の線Ｍ４－Ｎ４に沿う断面図である。 図５Ｅは図５Ｂ（１）に示される表示基板の線Ｍ５－Ｎ５に沿う断面図である。 図５Ｆは別の実施例による、図５Ａに示される表示基板の線Ｍ３－Ｎ３に沿う断面図である。 図５Ｇは別の実施例による、図５Ｂ（１）に示される表示基板の線Ｍ４－Ｎ４に沿う断面図である。 図５Ｈは別の実施例による、図５Ｂ（１）に示される表示基板の線Ｍ５－Ｎ５に沿う断面図である。 図６は図５Ｂに示される表示基板の表示領域の断面図である。 図７Ａは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｂは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｃは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｄは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｅは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｆは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｇは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｈは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｉは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｊは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｋは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。 図７Ｌは本開示のいくつかの実施例による表示基板の別の製造方法のフローチャートである。
本開示の実施例の目的、技術的解決手段及び利点をより明確にするために、以下では本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術的解決手段を明確かつ完全に説明する。勿論、説明される実施例は本開示の一部の実施例であり、実施例のすべてではない。説明される本開示の実施例に基づき、当業者が進歩性のある労働を必要とせずに得るすべての他の実施例は、本開示の保護範囲に属する。
別段の定義がない限り、本開示に使用される専門用語又は科学用語は、当業者によって理解される通常の意味を有するものとする。本開示に使用される「第１」、「第２」及び類似する単語は順序、数、または重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためにのみ使用される。「含む」又は「備える」等の類似する単語は該単語の前に示される要素またはアイテムが、該単語の後にリストされる要素またはアイテム及びその同等物をカバーするが、他の要素またはアイテムを除外しないことを意味する。「接続」又は「連結」等の類似する単語は物理的または機械的な接続に限定されず、直接または間接的な電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」などは、相対位置関係を示すためにのみ用いられ、説明される対象の絶対位置が変化すると、該相対位置関係もそれに応じて変化する場合がある。
通常、表示基板の製造プロセスを完了した後、表示過程では、該外部回路によって表示基板を制御又は駆動するように、表示基板を外部回路（例えば制御チップなどの回路）と接続する必要がある。例えば、該外部回路は、制御チップ又は駆動チップなどが設置されるフレキシブル回路（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ、略称ＣＯＦ）基板を含んでもよい。ボンディング（ｂｏｎｄｉｎｇ）プロセスによってフレキシブル回路基板の回路に接続されるように、表示基板にコンタクトパッドが設置される。表示基板のコンタクトパッドとその周辺領域とに段差が存在し、すなわち、コンタクトパッドの高さがその周辺領域より大きい場合、ボンディングプロセスにおいて、圧力を提供するための装置の圧子が基板に印加した圧力は不均一である。例えば、該圧力はコンタクトパッドに集中し且つコンタクトパッドの間の隙間領域に印加しにくい。表示基板は、力受けが不均一であるため、割れる可能性がある。例えば、コンタクトパッドの間の隙間部分の膜層は不均一な力受けによる引張応力の作用で割れ、表示基板の損傷を引き起こす。
例えば、表示基板の製造過程では、表示基板に含まれる膜層（例えば絶縁層）は物理又は化学気相堆積（例えばプラズマ強化化学気相堆積（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略称ＰＥＣＶＤ））によって形成され、該膜層における結晶は通常、微細構造に欠陥がある。実際のプロセスにおいて、コンタクトパッドとその周辺領域とに段差が存在する場合、コンタクトパッドに圧力を印加すると、ボンディング領域は力受けが不均一であるため応力集中の現象が発生する。例えば、応力はコンタクトパッドの先端（例えば隅部）がある領域に集中し、該応力集中は膜層における結晶欠陥を悪化させ、さらに膜層が割れやすくなる。
例えば、実際のプロセスにおいて、検出し及び表示基板に対して力学シミュレーション分析を行うことにより、膜層の２つのコンタクトパッドの間の領域に位置する部分について、ボンディングする時、コンタクトパッドの間の領域に沿ってそれぞれ２つのコンタクトパッドに印加された順方向と逆方向の引張応力が発生し、その結果、該部分の膜層が引っ張られて割れる。例えばコンタクトパッドの間の隙間は５０ｍｍ～１００ｍｍである場合、窒化ケイ素で形成される膜層の、コンタクトパッドの間の隙間に位置する部分で生じた引張応力が約１８２ＭＰａ～７１２ＭＰａである。
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板及びその製造方法、表示装置を提供する。該表示基板はベース基板、複数のサブ画素、複数のデータ線、複数のデータリード線、少なくとも１組のコンタクトパッド及び第１絶縁層を含む。ベース基板は表示領域及び表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含み、複数のサブ画素は表示領域に位置し、複数のデータ線は表示領域に位置し、複数のサブ画素にデータ信号を提供するように構成され、複数のデータリード線はボンディング領域に位置し且つ複数のデータ線に電気的に接続され、少なくとも１組のコンタクトパッドはボンディング領域に位置し、少なくとも１組のコンタクトパッドは第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドを含み、第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドはそれぞれ複数のコンタクトパッドを含み、第２組のコンタクトパッドは第１組のコンタクトパッドの表示領域から離れる側に位置し、複数のデータリード線は第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドに電気的に接続され、第１絶縁層はボンディング領域に位置し、第１絶縁層は複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ複数のコンタクトパッドのエッジを被覆し、複数のコンタクトパッドのベース基板とは反対側の表面が露出するように構成される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ複数のコンタクトパッドのエッジを被覆し、複数のコンタクトパッドのベース基板とは反対側の表面が露出するように構成される。このように、コンタクトパッドの間の隙間に位置する第１絶縁層はコンタクトパッドとコンタクトパッドとの間の隙間の段差を低減又は解消することができるため、ボンディングプロセスにおいて、圧子によって第１絶縁層の表面及びコンタクトパッドの表面に印加された力が分散し、より均一に分布され（例えば単位面積当たりの圧力が等しい）、すなわち、圧子によってコンタクトパッドとコンタクトパッドとの間の隙間に印加された圧力はより均一に分布される。表示基板（そのボンディング領域）は、ボンディングプロセスにおいて、力受けが不均一であるため損傷することがなく、実際の生産において表示基板の歩留まりを高め、製造コストを低減させる。
以下、図面を参照しながら本開示の少なくとも１つの実施例による表示基板及びその製造方法、表示装置を説明する。
本開示の各図面において、表示基板のベース基板に基づいて空間デカルト座標を作成することにより、表示基板における各構造の位置を説明する。該空間デカルト座標において、Ｘ軸及びＹ軸はベース基板がある面に平行であり、Ｚ軸はベース基板がある面に垂直である。
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、以下、該表示基板の構造を詳細に説明する。
例えば、表示基板はベース基板、複数のコンタクトパッド及び第１絶縁層を含む。ベース基板は表示領域及び表示領域を少なくても部分的に囲む周辺領域を含み、該周辺領域はさらに表示領域の少なくとも一側に位置する少なくとも１つのボンディング領域（例えば、複数のボンディング領域）を含み、複数のコンタクトパッドはボンディング領域に位置し且つ相互に隙間をあけており、すなわち、コンタクトパッドは相互に所定の距離をあけている。
図１Ａは本開示のいくつかの実施例による表示基板のボンディング領域の平面図である。１つのボンディング領域を例として、図１Ａに示されるように、複数のコンタクトパッドは少なくとも２行に配置され、第１絶縁層の少なくとも一部はさらに異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する。例示的に、表示基板のボンディング領域において、コンタクトパッド２００ａは、第１行Ｌ１及び第２行Ｌ２の２行に配置され、第１行Ｌ１のコンタクトパッド２００ａと第２行Ｌ２のコンタクトパッド２００ａとの間の隙間に第１絶縁層３１０ａが設置される。実際のプロセスにおいて、プロセス条件などに制限されるため、通常、異なる行のコンタクトパッドの間の隙間は同じ行のコンタクトパッドの間の隙間より大きく、第１絶縁層が設置されていない場合、表示基板は異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分がボンディングプロセスにおいてより割れやすい。このように、第１絶縁層３１０ａは、表示基板の異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分がボンディングプロセスにおいて割れることを防止し、且つ、ボンディング領域に多いコンタクトパッドを設置でき、実際のプロセスにおいて、コンタクトパッドが大きい設計サイズを有することが許可されてもよく、コンタクトパッドの間に大きい隙間があることも許可され、それにより製造プロセスの難度を低減させ、製造コストを低減させる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実例において、前記第１絶縁層のベース基板から離れる側の表面とベース基板との垂直距離は複数のコンタクトパッドのベース基板から離れる側の表面とベース基板との垂直距離以上である。
少なくとも１つの例において、図１Ｂ及び図１Ｃに示されるように、第１絶縁層３１０ａ及びコンタクトパッド２００ａのベース基板１００ａとは反対側の表面はほぼ同じ平面に位置し、すなわち、第１絶縁層３１０ａ及びコンタクトパッド２００ａのベース基板１００ａに対する高さはほぼ同じである。
本開示の実施例において、「高さ」は構造（例えばコンタクトパッド２００ａ）のベース基板とは反対側の表面とベース基板との垂直距離である。なお、本開示の実施例において、第１絶縁層の高さはコンタクトパッドの高さより大きく又は小さくてもよく、例えばコンタクトパッドの高さより僅かに大きく又は小さく、図１Ｂ及び図１Ｃに示される等しい場合に制限されない。
図１Ｂに示される実施例のディスプレイパネルのボンディング領域に比べて、図１Ｄに示されるディスプレイパネルのボンディング領域において、第１絶縁層３１０ａの高さはコンタクトパッド２００ａの高さより大きい。なお、ここでの「高さ」は構造（例えばコンタクトパッド２００ａ）のベース基板とは反対側の表面とベース基板との垂直距離である。第１絶縁層３１０ａの高さは増大し、すなわち第１絶縁層３１０ａの厚さは増大すると、表示基板の異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分の構造強度を増加でき、それにより表示基板は異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分がボンディングプロセスにおいて割れることをさらに防止する。
なお、本開示の少なくとも１つの実施例において、第１絶縁層はコンタクトパッドの間の隙間に位置するだけでなく、図１Ａに示されるように、コンタクトパッドがある領域及びコンタクトパッドの間の隙間に加えて、第１絶縁層はさらにボンディング領域の他の領域を被覆するように設置されてもよく、さらに周辺領域の他の領域を被覆してもよい。このように、Ｘ－Ｙによって決定される平面方向において、各コンタクトパッドは第１絶縁層で囲むことができ、ボンディングプロセスにおいて、表示基板のボンディング領域は力受けが均一であり、コンタクトパッドの間の隙間に割れることを防止するだけでなく、ボンディング領域の他の領域は力受けが不均一であることで割れることも防止できる。
以下、第１絶縁層はコンタクトパッドがある領域以外のボンディング領域のすべての領域を被覆することを例として、本開示の下記少なくとも１つの実施例における表示基板及びその製造方法、表示装置を説明する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、ボンディング領域に位置する複数のデータリード線は複数のコンタクトパッドと１対１で対応でき、且つ各データリード線の一端部が対応するコンタクトパッドに接続され、他端部が表示領域に延長することにより、表示領域の対応する信号線に電気的に接続される。このように、ボンディングプロセスを実行した後、表示領域の素子はフレキシブル回路基板によって制御チップなどと信号接続できる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、リード線がある層はコンタクトパッドがある層とベース基板との間に位置し、例えば、相互に電気的に接続されるリード線とコンタクトパッドについて、リード線のコンタクトパッドに電気的に接続される端部がコンタクトパッドとベース基板に垂直な方向において重なり、且つコンタクトパッドとベース基板との間に位置する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、複数のコンタクトパッドは少なくとも２行に配置される場合、表示領域から離れる行のコンタクトパッドに接続されるデータリード線は表示領域に近接する行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する。このように、ボンディング領域のリード線はすべて同じ層にある場合、異なる行のコンタクトパッドに接続されるリード線が相互に接触することを回避できる。
例示的に、図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃに示されるように、第１行Ｌ１に位置するコンタクトパッド２００ａに接続されるデータリード線４００ａの第２行Ｌ２に位置する部分は、第２行Ｌ２のコンタクトパッド２００ａの隙間に配線され且つ第１絶縁層３１０ａに被覆され、すなわち、表示領域から離れる第１行Ｌ１のコンタクトパッド２００ａに接続されるデータリード線４００ａは、表示領域に近接する第２行Ｌ２のコンタクトパッド２００ａの隙間を貫通し、表示領域に延長して表示領域における信号線に電気的に接続される。
例えば、ベース基板１００において、データリード線及び信号線は、例えば異なる層に形成され、例えば、それらの間に介在する絶縁層における１つ又は複数のビアによって１対１で対応して電気的に接続され、又は、データリード線及び信号線は、例えば同じ層に形成することで、直接電気的に接続される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例による表示基板はさらにコンタクトパッドとデータリード線との間に位置する第２絶縁層を含み、第２絶縁層にビアが設置され、各データリード線はビアによって対応するコンタクトパッドに接続される。
例示的に、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ及び図１Ｄに示されるように、ボンディング領域において、第２絶縁層３２０ａはコンタクトパッド２００ａとデータリード線４００ａとの間に位置し、第２絶縁層３２０ａはデータリード線４００ａを被覆する。コンタクトパッド２００ａは第２絶縁層３２０ａに設置される１つ又は複数のビア３２１ａによってデータリード線４００ａに電気的に接続される。第２行Ｌ２において、第２絶縁層３２０ａは第１行Ｌ１のコンタクトパッドに接続されるデータリード線４００ａを被覆するため、コンタクトパッド２００ａを形成する時、コンタクトパッド２００ａの間の隙間はコンタクトパッド２００ａが相互に間隔をあけるように達成できることのみを考慮すればよく、この場合、コンタクトパッドは大きい設計面積を有してもよい。例えば、実際のプロセスにおいて、第２行Ｌ２において、２つのコンタクトパッド２００ａの間に位置するデータリード線４００ａは第２行Ｌ２のコンタクトパッド２００ａと部分的に重なることができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、ボンディング領域における第１絶縁層、コンタクトパッド、第２絶縁層及びデータリード線は表示領域の対応する構造層と共に形成でき、それにより表示基板の製造プロセスの流れを低減させる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、データリード線及びコンタクトパッドが異なる層に位置する場合、データリード線及びコンタクトパッドはそれぞれ表示領域の異なる導電層と同じ層に設置されるように構成されてもよい。
上記実施例の表示基板はさらに表示領域に位置しサブ画素に用いられる画素構造を含む。該画素構造は画素駆動回路、平坦化層及び発光素子を含み、平坦化層は画素駆動回路のベース基板から離れる側に位置して平坦化表面を提供し且つ第１ビアを含み、発光素子は平坦化表面に位置し且つ第１ビアによって画素駆動回路に電気的に接続され、第１絶縁層と平坦化層とは同じ層に設置される。
該画素駆動回路は、活性層、ゲート絶縁層、ゲート、層間誘電体層、ソース及びドレインなどを含む薄膜トランジスタを含み、該画素駆動回路は、相互に対向する２つの容量電極を含むストレージコンデンサをさらに含んでもよい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図２に示されるように、表示基板は表示領域１０１のサブ画素に位置する薄膜トランジスタ５００及び層間誘電体層６００を含む。例えば、薄膜トランジスタ５００は画素回路における駆動トランジスタ又は発光制御トランジスタであってもよく、ベース基板１００ａに順に位置するゲート５１０、ゲート絶縁層５２０、活性層５３０及びソースドレイン電極層５４０を含んでもよい。ソースドレイン電極層５４０はトランジスタのソース及びドレインを含み、且つソース及びドレインのうちの一方が発光素子に電気的に接続される。層間誘電体層６００は活性層５３０とソースドレイン電極層５４０との間に位置する。データリード線４００ａはゲート５１０と同じ層に設置される。勿論、本実施例は、薄膜トランジスタ５００が画素回路における駆動トランジスタ又は発光制御トランジスタであることに限定されず、表示基板における他のトランジスタ、例えば画素回路の補償機能を実現するためのトランジスタなどであってもよい。
本開示の実施例において、「同じ層に設置される」ことは２つの構造（例えばデータリード線４００ａ及びゲート５１０）が同じ層に同じ材料で形成され、すなわち、該２つの構造が同じ材料層で形成され、例えば、同じ材料層でパターニングプロセスによって形成されてもよいことである。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、第１導電層は薄膜トランジスタのソースドレイン電極層を含み、例えばさらにデータ線を含み、第２導電層は薄膜トランジスタのゲートを含み、例えばさらにゲート線を含む。例示的に、図２に示されるように、コンタクトパッド２００ａ及びソースドレイン電極層５４０は同じ層に設置されるように構成され、第２絶縁層３２０ａ及び層間誘電体層６００は同じ層に設置されるように構成される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、表示領域の素子を製造する過程では、第２導電層を形成した後、絶縁材料層を堆積させ、該絶縁材料層は、１Ｂに示される第２絶縁層３２０ａを形成するように、ボンディング領域に同時に堆積することができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、表示領域には、表示基板の表面を平坦化するように、平坦化層が設置され、第１絶縁層は平坦化層と同じ層に設置されるように構成されてもよい。
例示的に、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ及び図１Ｄに示されるように、ソースドレイン電極層５４０及びコンタクトパッド２００ａを形成した後、表示基板の表面を平坦化するように、絶縁材料（例えば下記実施例における第１材料層）を堆積させることができ、該絶縁材料は、表示領域１０１に位置する部分が平坦化層７００として形成され、ボンディング領域１０２に位置する部分が第１絶縁層３１０ａとして形成される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、ボンディング領域のデータリード線はゲート線、データ線又は他のタイプの信号線に用いられるデータリード線、例えば、データ線に電気的に接続されるデータリード線であってもよい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、表示基板における薄膜トランジスタは図２に示されるボトムゲート型薄膜トランジスタであってもよく、又はトップゲート型薄膜トランジスタ、ダブルゲート型薄膜トランジスタ又は他のタイプの薄膜トランジスタとして設置できる。例えば、図２に示される薄膜トランジスタ５００がボトムゲート型薄膜トランジスタである場合、第２絶縁層３２０ａはゲート絶縁層５２０と同じ層に設置されるように構成されてもよく、それに対応して、ボンディング領域に層間誘電体層６００と同じ層に位置する絶縁層が設置されてもよく設置されなくてもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例において、コンタクトパッド、リード線及び第２絶縁層の厚さを制限せず、具体的なプロセスに応じて設計してもよく、第１絶縁層の厚さはコンタクトパッド、データリード線及び第２絶縁層の厚さに応じて設計されてもよい。例えば、図２に示されるボンディング領域において、データリード線４００ａの厚さは２０００オングストローム～３０００オングストローム、例えば２３００オングストローム、２５００オングストローム、２７００オングストロームなどであってもよく、第２絶縁層３２０ａの厚さは４０００オングストローム～６０００オングストローム、例えば５０００オングストロームなどであってもよく、コンタクトパッド２００ａの厚さは６０００オングストローム～７０００オングストローム、例えば６３００オングストローム、６５００オングストローム、６７００オングストロームなどであってもよい。なお、本開示の実施例において、「厚さ」は該構造（例えばコンタクトパッド）のベース基板とは反対側の表面からベース基板に面する表面までの距離であってもよい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図３に示されるように、表示基板の表示領域１０１に発光構造層８００が設置され、該発光構造層８００は平坦化層７００のベース基板１００とは反対の側に位置する。発光構造層８００はアレイ状に配置される複数のサブ画素に対応する複数の発光素子を含んでもよく、各発光素子は例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）又は量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）であり、第１電極、第２電極及び第１電極と第２電極との間に位置する発光層を含んでもよい。平坦化層７００にビア７０１が設置されてもよく、第１電極及び第２電極のうちの一方は該ビア７０１によって画素構造における第１導電層（例えば薄膜トランジスタのドレイン）に接続される。例えば、第１電極は陽極であり、第２電極は陰極である。
例えば、ＯＬＥＤについては、発光層は小分子有機材料又はポリマー分子有機材料を含んでもよく、蛍光発光材料又はリン光発光材料であってもよく、赤色光、緑色光、青色光を発することができ、又は白色光を発することができ、また、必要に応じて、発光層はさらに電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層などの機能層を含んでもよい。ＱＬＥＤについては、発光層は量子ドット材料、例えば、シリコン量子ドット、ゲルマニウム量子ドット、硫化カドミウム量子ドット、セレン化カドミウム量子ドット、テルル化カドミウム量子ドット、セレン化亜鉛量子ドット、硫化鉛量子ドット、セレン化鉛量子ドット、リン化インジウム量子ドット及びヒ化インジウム量子ドット等を含んでもよく、量子ドットの粒径は２～２０ｎｍである。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図３に示されるように、表示基板は発光構造層８００を被覆するパッケージ層９００を含み、該パッケージ層９００はボンディング領域に延長でき、パッケージ層９００はコンタクトパッド２００ａを被覆していない。
例えば、該パッケージ層９００は単層構造であってもよく、少なくとも２層の複合構造であってもよい。例えば、パッケージ層の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、高分子樹脂などの絶縁材料を含んでもよい。例えば、パッケージ層は発光構造層に順に設置される第１無機パッケージ層、有機パッケージ層及び第２無機パッケージ層を含んでもよい。例えば、第１無機パッケージ層及び第２無機パッケージ層の材料は無機材料、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などを含んでもよく、無機材料は緻密性が高いため、水、酸素などの侵入を防止でき、例えば、有機パッケージ層の材料は乾燥剤を含有する高分子材料又は水蒸気を阻止できる高分子材料などであってもよく、例えば、表示基板の表面に対して平坦化処理を行うとともに第１無機パッケージ層及び第２無機パッケージ層の応力を緩和できるように、高分子樹脂などであり、内部に侵入した水、酸素などの物質を吸収するように、乾燥剤などの吸水性材料を含んでもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例は、上記いずれか１つの実施例の表示基板を含んでもよい表示装置を提供する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図４に示されるように、表示装置はフレキシブル回路基板９１０を含み、フレキシブル回路基板９１０に制御チップ９２０が設置され、フレキシブル回路基板９１０はコンタクトパッド２００ａに電気的に接続される。
例えば、制御チップは中央処理装置、デジタル信号プロセッサ、システムチップ（ＳｏＣ）などであってもよい。例えば、制御チップはさらにメモリを含んでもよく、さらに電源モジュールなどを含んでもよく、且つ別に設置される導線、信号線などによって給電及び信号入出力機能を実現する。例えば、制御チップはさらにハードウェア回路及びコンピューター実行可能なコードなどを含んでもよい。ハードウェア回路は通常の超大規模集積（ＶＬＳＩ）回路又はゲートアレイ及びロジックチップ、トランジスタのような従来の半導体又は他のディスクリート素子を含んでもよく、ハードウェア回路はさらにフィールドプログラマブルゲートアレイ、プログラマブルアレイロジック、プログラマブルロジック装置などを含んでもよい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例による表示装置は携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなど表示機能を有する任意の製品又は部材であってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例はさらに別の表示基板を提供し、図５Ａ、図５Ｂ（１）及び図５Ｂ（２）に示されるように、該表示基板はベース基板を含み、ベース基板は表示領域１１０１及び表示領域１１０１を少なくとも部分的に囲む周辺領域１１０３を含み、該周辺領域１１０３はさらに表示領域１１０１の少なくとも一側に位置する少なくとも１つのボンディング領域１１０２（例えば、図は４つのボンディング領域を示す）を含み、複数のコンタクトパッド１２００は各ボンディング領域１１０２に位置し且つ相互に隙間をあけており、すなわち、コンタクトパッド１２００は相互に所定の距離をあけている。
該実施例において、表示領域１１０１は複数のサブ画素が第１方向（図のＸ軸方向）に沿って延長する信号線１１０１１（例えばゲート線Ｇ）及び第２方向（図のＹ軸方向）に沿って延長する信号線１１０１２（例えばデータ線Ｄ）を含む。表示基板はボンディング領域１１０２に位置する複数のデータリード線１４００を含む。これらの信号線は表示領域１１０１の少なくとも一側に位置するボンディング領域に延長し又は配線され、例えば、信号線１１０１２は対応するデータリード線に電気的に接続されることで、ボンディング領域の駆動チップ、フレキシブル回路基板などに電気的に接続できる。
表示基板の画素アレイの解像度の向上に伴い、表示基板の周辺における表示領域用の信号線の配線はますます密になる。従って、該実施例において、表示基板の周辺領域における隣接するリード線の間に相互干渉や短絡が発生することを回避するために、表示領域の周辺において、隣接する同じ種類のリード線（例えばデータリード線）に用いられる配線を異なる導電層に設置できる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、表示基板は複数のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続される複数のリード線を含み、且つ複数のリード線のそれぞれの一端部が複数のコンタクトパッドのうちの対応する１つに電気的に接続され且つ他端部が前記表示領域に延長し、それにより表示領域における対応する信号線に電気的に接続される。これらのリード線は対応する信号線と同じ層に位置できることで、直接電気的に接続され、又は異なる層に位置することで、それらの間に介在する絶縁層における１つ又は複数のビアによって１対１で対応して電気的に接続される。
該実施例の表示基板において、例えば、複数のコンタクトパッドは少なくとも２行に配置され、第１絶縁層の少なくとも一部は同じ行の複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し、又は少なくとも一部は異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置し、又は少なくとも一部は同じ行の複数のコンタクトパッドの間の隙間及び異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に同時に位置する。且つ、表示基板はさらに複数の絶縁層を含み、ベース基板に垂直な方向において、異なる導電層の間にそれぞれに位置することにより、これらの導電層を相互に隔てる。
本実施例において、図５Ａ、図５Ｂ（１）及び図５Ｂ（２）に示される例では、表示基板の少なくとも１つのボンディング領域において、コンタクトパッド１２００は２行に配置され、すなわち第１行Ｌ３内の第２組のコンタクトパッド１２００及び第２行Ｌ４内の第１組のコンタクトパッド１２００’である。第１行Ｌ３内の第２組のコンタクトパッド１２００の間の隙間、又は第２行Ｌ４内の第１組のコンタクトパッド１２００’の間の隙間、又は第１行Ｌ３の第２組のコンタクトパッド１２００と第２行Ｌ４の第１組のコンタクトパッド１２００’との間の隙間、又は上記すべてのタイプの隙間に第１絶縁層１３１０が設置される。実際のプロセスにおいて、プロセス条件などに制限されるため、異なる行のコンタクトパッドの間の隙間は通常、同じ行のコンタクトパッドの間の隙間より大きく、第１絶縁層１３１０が設置されていない場合、表示基板は異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分がボンディングプロセスにおいてより割れやすい。第１絶縁層１３１０を設置することにより、異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分がボンディングプロセスにおいて割れにくくなり、歩留まりを向上させ、コストを低減させる。
図５Ａ、図５Ｂ（１）及び図５Ｂ（２）に示される例において、データ線Ｄに電気的に接続されるデータリード線を説明する。複数のデータリード線は第１組のデータリード線及び第２組のデータリード線を含み、第１組のデータリード線が第１組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、第２組のデータリード線が第２組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、且つベース基板に対して、第１組のデータリード線及び第２組のデータリード線がそれぞれ異なる層に位置する。
図５Ｃは図５Ａに示される表示基板の線Ｍ３－Ｎ３に沿う断面図である。図５Ｃに示されるように、図５Ｂでは第２行Ｌ４に位置するコンタクトパッド１２０１、１２０３と第１行Ｌ３に位置するコンタクトパッド１２０２、１２０４は同じ層に位置する。しかし、第１組のコンタクトパッドに電気的に接続される第１組のデータリード線と第２組のコンタクトパッドに電気的に接続される第２組のデータリード線はそれぞれ異なる層に位置する。
具体的には、図中の例において、複数のデータリード線１４００は第１組のデータリード線１４０１及び第２組のデータリード線１４０２を含む。第１組のデータリード線１４０１は第１ゲート絶縁層１３２２（すなわち、ボンディング領域の第１ゲート絶縁層）と第２ゲート絶縁層１３２３（すなわち、ボンディング領域の第２ゲート絶縁層）との間に設置され、第１組のデータリード線１４０１はボンディング領域の端部において第２ゲート絶縁層１３２３及び層間絶縁層１３２４（ボンディング領域の層間ゲート絶縁層）を貫通する１つ又は複数のビアによってコンタクトパッド１２０１に電気的に接続される。第２組のデータリード線１４０２は第２ゲート絶縁層１３２３と層間絶縁層１３２４との間に設置され、第２組のデータリード線１４０２はボンディング領域の端部において層間絶縁層１３２４の１つ又は複数のビアによってコンタクトパッド１２０２に電気的に接続される。第１ゲート絶縁層１３２２とベース基板１１００との間にバッファ層１３２１が設置される。ベース基板１１００に垂直な方向において、第１組のデータリード線１４０１と第２組のデータリード線１４０２は同じ層に設置されず、このように、同じ層における隣接するリード線の間の間隔をより大きく製造でき、それにより、リード線を配置する時に同じ層のリード線間の干渉が発生することを低減又は回避する。
本実施例において、図５Ｄは図５Ｂ（１）に示される表示基板の第２行Ｌ４の線Ｍ４－Ｎ４に沿う断面図である。図５Ｄに示されるように、図５Ｂ（１）では第２行Ｌ４に位置するコンタクトパッド１２０１とコンタクトパッド１２０３は同じ層に位置する。第２行Ｌ４におけるコンタクトパッド１２０１とコンタクトパッド１２０３はそれぞれ第１組のデータリード線１４０１のうちの２つに電気的に接続される。且つ、第１組のデータリード線１４０１と異なる層に位置する第２組のデータリード線１４０２の一端は表示領域１１０１に近接する第２行Ｌ４のコンタクトパッド１２０１とコンタクトパッド１２０３との間の隙間を通過して表示領域に延長することで、データ線Ｄに電気的に接続され、第２組のデータリード線１４０２の他端は層間絶縁層１３２４を貫通する１つ又は複数のビアによって第２組のコンタクトパッド１２００に電気的に接続される。従って、上記設置は隣接するリード線間の相互干渉や短絡を回避できる。
本実施例において、図５Ｅは図５Ｂ（１）に示される表示基板の第１行Ｌ３の線Ｍ５－Ｎ５に沿う断面図である。図５Ｅに示されるように、図５Ｂ（１）では第１行Ｌ３に位置するコンタクトパッド１２０２とコンタクトパッド１２０４は同じ層に位置する。第１行Ｌ３におけるコンタクトパッド１２０２とコンタクトパッド１２０４はそれぞれ２つの第２組のデータリード線１４０２に電気的に接続される。第２行Ｌ３に第１組のデータリード線１４０１が配置されていないことで、コンタクトパッドはより大きい配列空間を有する。
本実施例において、第１絶縁層１３１０の高さはコンタクトパッド１２００の高さより大きいため、第１絶縁層１３１０の表面はコンタクトパッド１２００の表面より高い。なお、ここでの「高さ」は同様に、構造（例えばコンタクトパッド１２００）のベース基板とは反対側の表面からベース基板までの距離である。第１絶縁層１３１０の高さが増大し、すなわち第１絶縁層１３１０の厚さが増大すると、表示基板の異なる行のコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分の構造強度を増加でき、それによりコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分がボンディングプロセスにおいて割れるリスクをさらに低減させる。
且つ、第１絶縁層１３１０はコンタクトパッド１２００のエッジを被覆し、コンタクトパッドのベース基板とは反対側の表面が露出するように構成される。図５Ｃ～５Ｅに示されるように、ボンディング領域において、第１絶縁層１３１０は、複数のコンタクトパッドと１対１で対応する複数の開口を有し、すなわち、各開口に１つのコンタクトパッドのベース基板とは反対側の表面が露出する。
例えば、該開口は対応するコンタクトパッドを囲む側壁を有し、該側壁の少なくとも一部又は全部はベース基板に対して鋭角をなす勾配角Ｘ１を有し、該勾配角Ｘ１の範囲は約４０度～６０度であり、例えば、勾配角Ｘ１の範囲を４５度～５５度に選択してもよく、又は勾配角Ｘ１の値を約５０度に選択する。ここで、なお、「約」は数値の範囲が与えられた数値の±５％の範囲内に変動できることを示す。該勾配角Ｘ１によって、第１絶縁層１３１０が適切な厚さを有することで、十分な構造強度を提供できるだけでなく、コンタクトパッドの表面と第１絶縁層１３１０の表面との間の段差を低減できることで、ボンディングプロセスを行う時、異方性導電接着剤が開口に入ってコンタクトパッドと接触しやすくなり、プロセスの歩留まりを高める。
上記実施例の１つの変形例において、図５Ｆ～５Ｈに示されるように、第１絶縁層１３１０はコンタクトパッド１２００のエッジを被覆し、コンタクトパッドのベース基板とは反対側の表面が露出するように構成される。ボンディング領域において、第１絶縁層１３１０は、複数のコンタクトパッドと１対１で対応する複数の開口を有し、すなわち各開口に１つのコンタクトパッドのベース基板とは反対側の表面が露出する。第１行Ｌ３内の第２組のコンタクトパッド１２００の間の隙間、第２行Ｌ４内の第１組のコンタクトパッド１２００’の間の隙間、第１行Ｌ３の第２組のコンタクトパッド１２００と第２行Ｌ４の第１組のコンタクトパッド１２００’との間の隙間において、第１絶縁層１３１０の表面に凹み部分Ｃがある。該凹み部分はボンディングプロセスにおいて異方性導電接着剤が流れることを防止し、それによりボンディングプロセスの歩留まりを高める。
例えば、本実施例の他のいくつかの例において、コンタクトパッド１２００は１行に配置されてもよく、それにより異なる行のコンタクトパッドの間に位置する隙間をなくし、同じ行のコンタクトパッドの間に位置する隙間の問題のみを考慮すればよい。本開示の実施例はボンディング領域のコンタクトパッドがある行の数に制限されない。
少なくとも１つの例において、第１組のデータリード線のうちの少なくとも１つのデータリード線は表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、又は第２組のデータリード線のうちの少なくとも１つのデータリード線は表示基板のエッジに対して傾斜して延長する。
さらに、少なくとも１つの例において、第１組のデータリード線のうちの少なくとも２つのデータリード線は表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ第１組のデータリード線のうちの少なくとも２つのデータリード線は表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角であり、同様に、少なくとも１つの例において、第２組のデータリード線のうちの少なくとも２つのデータリード線は表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ第２組のデータリード線のうちの少なくとも２つのデータリード線は表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である。
本開示の実施例において、リード線（すなわちリード線の延長方向）と表示基板のエッジとの間の夾角はリード線が時計回り方向に回転して表示基板のエッジと重なる角度である。なお、同じ回転方向は時計回り方向を指す。
図５Ａ、図５Ｂ（１）及び図５Ｂ（２）の例に参照されるように、ボンディング領域における第１組のデータリード線１４０１は表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、第１組のデータリード線１４０１と表示基板のエッジとの間の夾角は第１組のデータリード線１４０１が時計回り方向Ｓ（図５Ｂ（２）に示される）に回転して表示基板のエッジと重なる角度である。図の左側の第１組のデータリード線１４０１はいずれも第１リード線夾角α１を有し、図の右側の第１組のデータリード線１４０１はいずれも第２リード線夾角α２を有する。例えば、第１リード線夾角α１と第２リード線夾角α２とは相互に互いに補角である（すなわち相互に加算した和は１８０度である）。同様に、ボンディング領域における第２組のデータリード線１４０２は表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ図の左側の第２組のデータリード線１４０２はいずれも第３リード線夾角β１を有し、図の右側の第２組のデータリード線１４０２はいずれも第４リード線夾角β２を有する。例えば、第３リード線夾角β１と第４リード線夾角β２とは相互に互いに補角である（すなわち相互に加算した和は１８０度である）。
少なくとも１つの例において、第１組のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つのコンタクトパッドは表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、又は、第２組のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つは表示基板のエッジに対して傾斜して延長する。
少なくとも１つの例において、第１組のコンタクトパッドのうちの少なくとも２つのコンタクトパッドは表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ第１組のコンタクトパッドのうちの少なくとも２つのコンタクトパッドは表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角であり、例えば、少なくとも１つの例において、第２組のコンタクトパッドのうちの少なくとも２つのコンタクトパッドは表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ第２組のコンタクトパッドのうちの少なくとも２つのコンタクトパッドは表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である。
５Ａ、図５Ｂ（１）及び図５Ｂ（２）の例に参照されるように、ボンディング領域のＬ４行における第１コンタクトパッドは表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ図の左側の第１組のコンタクトパッドはいずれも第１コンタクトパッド夾角Ａ１を有し、図の右側の第１組のコンタクトパッドはいずれも第２コンタクトパッド夾角Ａ２を有する。例えば、第１コンタクトパッド夾角Ａ１と第２コンタクトパッド夾角Ａ２とは相互に互いに補角である（すなわち相互に加算した和は１８０度である）。同様に、ボンディング領域のＬ３行における第２組のコンタクトパッドは表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ図の左側の第２組のコンタクトパッドはいずれも第３コンタクトパッド夾角Ｂ１を有し、図の右側の第２組のコンタクトパッドはいずれも第４コンタクトパッド夾角Ｂ２を有する。例えば、第３コンタクトパッド夾角Ｂ１と第４コンタクトパッド夾角Ｂ２とは相互に互いに補角である（すなわち相互に加算した和は１８０度である）。
例えば、少なくとも１つの例において、図５Ｂ（２）に示されるように、第１リード線夾角α１と第１コンタクトパッド夾角Ａ１とは同じであり、第３リード線夾角β１と第３コンタクトパッド夾角Ｂ１とは同じである。
例えば、図５Ｂ（２）に示されるように、複数のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つは長さＹ１を有し、長さＹ１の範囲は約６５０マイクロメートル～７５０マイクロメートルであり、例えば、長さＹ１の範囲を約６８０マイクロメートル～７２０マイクロメートルに選択でき、又は長さＹ１の値を約７００マイクロメートルに選択できる。複数のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つはさらに幅Ｚ１を有し、幅Ｚ１の範囲は約３４マイクロメートル～４２マイクロメートルであり、例えば、幅Ｚ１の範囲を約３６マイクロメートル～４０マイクロメートルに選択でき、又は幅Ｚ１の値を約３８マイクロメートルに選択できる。なお、「約」の字は数値の範囲が与えられた数値の±５％範囲内に変動できることを示す。
例えば、バッファ層１３２１の材料は酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの絶縁材料を含んでもよい。第１ゲート絶縁層１３２２、第２ゲート絶縁層１３２３は酸化ケイ素、窒化ケイ素などの絶縁材料を含んでもよい。層間絶縁層１３２４は酸化ケイ素、窒化ケイ素などの絶縁材料を含んでもよい。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、ボンディング領域におけるバッファ層、第１ゲート絶縁層、第２ゲート絶縁層、層間絶縁層、第１組のデータリード線及び第２組のデータリード線は表示領域の対応する構造層と共に形成でき、それにより表示基板の製造プロセスの流れを低減させる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例による表示基板の第１絶縁層１３１０は、第１絶縁層１３１０の被覆範囲がボンディング領域より大きくなるように、ボンディング領域１２００から周りに延長し続け、例えば、第１絶縁層１３１０はボンディング領域以外の一部又は全部の領域を被覆し、図５Ａに示されるように、第１絶縁層１３１０はボンディング領域を囲む周辺領域１１０３を被覆する。図５Ａに示されるように、長さＤは第１絶縁層１３１０の周辺領域１１０３が１つの側辺においてボンディング領域１２００に対して延長する距離を示す。例えば、長さＤは約４０マイクロメートル～６０マイクロメートル、例えば５０マイクロメートルなどであってもよい。ボンディング領域は、ボンディングプロセスにおいてボンディング領域に割れ、亀裂が発生するリスクを低減させるように、第１絶縁層１３１０の被覆領域に位置する。
例えば、図６に示されるように、表示基板の表示領域１１０１の画素アレイは複数のサブ画素１１１０を含み、各サブ画素は画素回路、平坦化層及び発光素子を含んでもよく、画素回路は複数の薄膜トランジスタ及びストレージコンデンサを含み、平坦化層は、薄膜トランジスタ及びストレージコンデンサを被覆するように、薄膜トランジスタのベース基板から離れる側に位置し、発光素子は平坦化層のベース基板から離れる側に位置し、平坦化層は第１平坦層ビアを含み、薄膜トランジスタはベース基板に位置する活性層と、活性層のベース基板から離れる側に位置するゲートと、ゲートのベース基板から離れる側に位置するソース及びドレインとを含み、且つソース及びドレインのうちの一方は第１平坦層ビアによって発光素子に電気的に接続され、第１絶縁層は平坦化層と同じ層に設置される。
発光素子は有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）又は量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）であってもよい。画素回路のタイプは以上の通りであるため、ここで説明を省略し、且つ本開示の実施例はこれを制限しない。
例えば、表示領域の構造の一部とボンディング領域とは同じ層に形成され且つ材料が同じであり、それにより製造プロセスの流れを減少させる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図６のサブ画素１１１０の部分構造模式図に示されるように、表示領域１１０１のバッファ層１３２１はベース基板１１００に設置されることで、画素回路を形成するための平坦表面を提供し及びベース基板に存在する可能性のある不純物が画素回路に拡散することによって画素回路の性能を損なうことを回避する。表示領域のバッファ層１３２１はボンディング領域のバッファ層１３２１と同じ層に設置される。例えば、バッファ層１３２１とベース基板と１１００の間にさらにバリア層が設置されてもよい。
例えば、バッファ層１３２１の材料は酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの絶縁材料を含んでもよい。
例えば、図６に示されるように、表示領域１１０１の半導体層１２１は表示領域のバッファ層１３２１に設置される。半導体層１２１は多結晶シリコン又は酸化物半導体を含んでもよく、酸化物半導体を含む半導体層１２１は単独な保護層（図示せず）で被覆されてもよい。半導体層１２１は不純物がドーピングされていないチャネル領域及びチャネル領域の対向する両側に位置し且つ不純物（Ｎ型不純物又はＰ型不純物）がドーピングされたソース領域とドレイン領域を含む。
例えば、図６に示されるように、表示領域１１０１の第１ゲート絶縁層１３２２（すなわち、表示領域の第１ゲート絶縁層）は半導体層１２１に設置される。表示領域の第１ゲート絶縁層１３２２とボンディング領域の第１ゲート絶縁層１３２２とは同じ層に設置される。ゲート１５１０及び第１容量電極１６０１は第１ゲート絶縁層１３２２に設置される。ゲート１５１０は半導体層１２１のチャネル領域と重なって設けられる。ゲート１５１０と第１容量電極１６０１の材料は同じであり、ゲート１５１０、第１容量電極１６０１及び第１組のデータリード線１４０１は同じ導電層に設置され、該導電層は第２導電層と呼んでもよい。
例えば、図６に示される例において、表示領域１１０１の第２ゲート絶縁層１３２３（すなわち、表示領域の第２ゲート絶縁層）はゲート１５１０及び第１容量電極１６０１に設置されてもよく、第２容量電極１６０２は第２ゲート絶縁層１３２３に設置される。第２容量電極１６０２は第１容量電極１６０１と重なって設けられ、ベース基板１１００に垂直な方向において少なくとも部分的に重なり、第１容量電極１６０１及び第２容量電極１６０２は、ストレージコンデンサを形成するために、誘電体材料として第２ゲート絶縁層１３２３を使用する。表示領域の第２ゲート絶縁層１３２３とボンディング領域の第２ゲート絶縁層１３２３とは同じ層に設置される。第２容量電極１６０２はボンディング領域の第２組のデータリード線１４０２と同じ導電層に設置され、例えば表示基板における例えば図６に示されるトランジスタ以外の他のトランジスタのゲートと同じ層に設置され、また、例えば画素回路に電源電圧を提供する電源線と同じ層に設置され、該導電層は第２ゲート導電層と呼んでもよい。
別の例において、図６に示される例の変形として、ストレージコンデンサの第１容量電極は同様にゲート１５１０と同じ層に設置されるが、ストレージコンデンサの第２容量電極は薄膜トランジスタにおけるソース１５４１及びドレイン１５４２と同じ層に設置される。該例において、第２組のデータリード線１４０２は第２容量電極と同じ層に設置されていない。
さらに別の例において、図６に示される例の変形として、ストレージコンデンサの第１容量電極はゲート１５１０と同じ層に設置されず、第２ゲート絶縁層１３２３と層間絶縁層１３２４（すなわち、表示領域の層間絶縁層）との間に位置し、ストレージコンデンサの第２容量電極は薄膜トランジスタにおけるドレイン１５４１及びソース１５４２と同じ層に設置される。該例において、第２組のデータリード線１４０２は第２容量電極と同じ層に設置されず、第１容量電極と同じ層に設置される。
例えば、いくつの実施例において、ゲートの材料は金属材料又は合金材料、例えばモリブデン、アルミニウム及びチタンなどで形成される金属単層又は多層構造を含んでもよく、例えば、該多層構造は多層金属積層（例えばチタン、アルミニウム及びチタンの３層金属積層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ））である。第１容量電極、第２容量電極の材料は金、銀、銅、ニッケル、白金、アルミニウム及びモリブデンなどのうちの１つ又は複数を含んでもよい。
例えば、図６に示されるように、表示領域１１０１の層間絶縁層１３２４は第２容量電極１６０２に設置されてもよく、ソースドレイン電極層１５４０は層間絶縁層１３２４に設置される。薄膜トランジスタのソースドレイン電極層１５４０はドレイン１５４１及びソース１５４２を含む。表示領域の層間絶縁層１３２４とボンディング領域の層間絶縁層１３２４は同じ層に設置される。ドレイン１５４１及びソース１５４２はモリブデン、アルミニウム及びチタンなどで形成される金属単層又は多層を含んでもよい。ドレイン１５４１及びソース１５４２はボンディング領域のコンタクトパッドと同じ層に設置される。
本実施例において、表示基板における薄膜トランジスタは図６に示されるトップゲート型薄膜トランジスタであってもよいが、ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ダブルゲート型薄膜トランジスタ又は他のタイプの薄膜トランジスタとして設置されてもよく、本実施例はこれを制限しない。
例えば、図６に示されるように、表示領域１１０１の第１絶縁層１３１０は薄膜トランジスタを被覆し且つその上にＯＬＥＤが形成され、表示領域１１０１の第１絶縁層１３１０は平坦化層１３１０とする。第１絶縁層１３１０は有機絶縁材料又は無機絶縁材料を含んでもよく、又は有機絶縁材料と無機絶縁材料の組み合わせで形成されてもよい。表示領域の第１絶縁層１３１０とボンディング領域の第１絶縁層１３１０とは同じ層に形成される。
例えば、図６に示されるように、表示領域１１０１のサブ画素において発光素子とするＯＬＥＤは画素電極１２７、発光層１２８及び共通電極１２９を含む。画素電極１２７は、平坦化層とする第１絶縁層１３１０には各サブ画素に別々に形成され、且つ第１絶縁層１３１０に形成されるビア１２７１によって薄膜トランジスタのドレイン１５４２に接続される。画素定義層（又は隔壁）１１３は第１絶縁層１３１０に設置され且つ画素電極１２７のエッジに位置する。発光層１２８は画素電極１２７に設置され、共通電極１２９は表示領域全体に設置される。画素電極１２７は反射層を含んでもよく、共通電極１２９は透明層又は半透明層を含んでもよい。発光層１２８から発する光は画素電極１２７によって反射され、且つ共通電極１２９を透過して外部環境に放射されることにより、表示機能を実現する。共通電極１２９が半透過層を含む場合、画素電極１２７によって反射される光の一部は共通電極１２９によって再び反射され、従って画素電極１２７及び共通電極１２９は共振構造を形成し、それにより光抽出効率を改善できる。
例えば、画素電極１２７の材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などのうちの少なくとも１つの透明導電酸化物材料を含んでもよい。また、画素電極１２７は反射層として高反射率を有する金属、例えば銀（Ａｇ）を含んでもよい。
例えば、ＯＬＥＤについては、発光層１２８は小分子有機材料又はポリマー分子有機材料を含んでもよく、蛍光発光材料又はリン光発光材料であってもよく、赤色光、緑色光、青色光を発することができ、又は白色光を発することができ、且つ、必要に応じて、発光層はさらに電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層などの機能層を含んでもよい。ＱＬＥＤについては、発光層は量子ドット材料、例えば、シリコン量子ドット、ゲルマニウム量子ドット、硫化カドミウム量子ドット、セレン化カドミウム量子ドット、テルル化カドミウム量子ドット、セレン化亜鉛量子ドット、硫化鉛量子ドット、セレン化鉛量子ドット、リン化インジウム量子ドット及びヒ化インジウム量子ドットなどを含んでもよく、量子ドットの粒径は２～２０ｎｍである。
例えば、共通電極１２９は様々な導電材料を含んでもよい。例えば、共通電極１２９はリチウム（Ｌｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）などの金属材料を含んでもよい。
例えば、画素定義層１１３の材料はポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル酸樹脂、ベンゾシクロブテン又はフェノール樹脂などの有機絶縁材料を含んでもよく、又は酸化ケイ素、窒化ケイ素などの無機絶縁材料を含み、本開示の実施例はこれを限定しない。
例えば、図６に示されるように、表示基板はさらに、発光素子及び画素回路を被覆するパッケージ層１９０を含んでもよい。パッケージ層１９０はＯＬＥＤを密封することにより、環境中の湿気及び／又は酸素によるＯＬＥＤの劣化を軽減又は防止することができる。パッケージ層１９０は無機層及び有機層が積み重なる構造を含んでもよく、例えば、１つの例において、パッケージ層１９０は第１無機層１９１、有機層１９２及び第２無機層１９３を含んでもよい。例えば、該パッケージ層１９０はボンディング領域まで延長できるが、該パッケージ層はコンタクトパッドを被覆していない。
例えば、該パッケージ層の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、高分子樹脂などの絶縁材料を含んでもよい。窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機材料は緻密性が高いため、水、酸素などの侵入を防止でき、有機パッケージ層の材料は乾燥剤を含有する高分子材料又は水蒸気を阻止できる高分子材料などであってもよく、例えば、表示基板の表面に対して平坦化処理を行うとともに第１無機パッケージ層及び第２無機パッケージ層の応力を緩和できるように、高分子樹脂などであり、内部に侵入した水、酸素などの物質を吸収するように、乾燥剤などの吸水性材料を含んでもよい。
本開示の実施例において、「同じ層に設置される」ことは２つの構造（例えばコンタクトパッド１２００及びソースドレイン電極層１５４０）が同じ層に形成され且つ同じ材料で形成され、すなわち、該２つの構造が同じ材料層で形成され、例えば同じ材料層でパターニングプロセスによって形成されることである。
本開示の少なくとも１つの実施例はさらに表示装置を提供し、該表示装置は上記図５Ａ～図５Ｅ及び図６に示されるいずれか１つの実施例の表示基板を含んでもよい。且つ、該表示装置はフレキシブル回路基板を含み、フレキシブル回路基板に制御チップが設置され、該フレキシブル回路基板はコンタクトパッド１２００に電気的に接続される。
例えば、制御チップは中央処理装置、デジタル信号プロセッサ、システムチップ（ＳｏＣ）などであってもよい。例えば、制御チップはさらにメモリを含んでもよく、さらに電源モジュールなどを含んでもよく、且つ別に設置される導線、信号線などによって給電及び信号入出力機能を実現する。例えば、制御チップはさらにハードウェア回路及びコンピューター実行可能なコードなどを含んでもよい。ハードウェア回路は通常の超大規模集積（ＶＬＳＩ）回路又はゲートアレイ及びロジックチップ、トランジスタのような従来の半導体又は他のディスクリート素子を含んでもよく、ハードウェア回路はさらにフィールドプログラマブルゲートアレイ、プログラマブルアレイロジック、プログラマブルロジック装置などを含んでもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板の製造方法を提供し、表示領域及び前記表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含む前記ベース基板を提供するステップと、前記表示領域に複数のサブ画素及び複数のデータ線を形成するステップであって、前記複数のデータ線は前記複数のサブ画素にデータ信号を提供するように構成されるステップと、前記ボンディング領域に複数のデータリード線を形成するステップと、前記ボンディング領域に少なくとも１組のコンタクトパッドを形成するステップであって、前記少なくとも１組のコンタクトパッドは第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドを含み、前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドはそれぞれ複数のコンタクトパッドを含み、前記第２組のコンタクトパッドは前記第１組のコンタクトパッドの前記表示領域から離れる側に位置し、前記複数のデータリード線は前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続されるステップと、前記ボンディング領域に第１絶縁層を形成するステップであって、前記第１絶縁層は前記ボンディング領域に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドのエッジを被覆し、前記複数のコンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面が露出するように構成されるステップと、を含む。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記第１絶縁層は、前記第１絶縁層の前記ベース基板から離れる側の表面と前記ベース基板との垂直距離が前記複数のコンタクトパッドの前記ベース基板から離れる側の表面と前記ベース基板との垂直距離以上であるように形成される。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記ボンディング領域に第１絶縁層を形成するステップは、前記複数のコンタクトパッドを形成した後、前記ベース基板に第１材料層を堆積させることにより、前記表示基板の表面を平坦化するステップと、前記第１材料層に対してパターニングプロセスを行うことにより、前記第１材料層の前記表示領域に位置する部分を平坦化層として形成し、前記第１材料層の複数の前記コンタクトパッドと重なる部分を除去し且つ前記第１材料層の前記ボンディング領域に位置し且つ前記コンタクトパッドの間の隙間に位置する部分を薄くすることにより、前記第１絶縁層を形成するステップと、を含む。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記第１絶縁層は、前記複数のコンタクトパッドのそれぞれのエッジを被覆し、前記複数のコンタクトパッドのそれぞれの前記ベース基板とは反対側の表面をそれぞれ露出させるための複数の開口を含むように形成される。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記した前記第１材料層に対してパターニングプロセスを行うステップは、前記第１材料層にフォトレジストをコーティングするステップと、第１マスクプレートを提供して前記フォトレジストを露光及び現像することにより、前記フォトレジストの前記複数のコンタクトパッドと重なる部分を除去するステップと、残されたフォトレジストをマスクとして前記第１材料層をパターニングすることにより、前記第１材料層の前記複数のコンタクトパッドと重なる部分を除去するステップと、前記ボンディング領域に残されたフォトレジストを除去するステップと、前記ボンディング領域において、前記第１材料層の前記複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ前記ベース基板とは反対側の表面部分をエッチングすることにより、残された前記第１材料層を前記第１絶縁層として形成するステップと、を含む。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記した前記第１材料層に対してパターニングプロセスを行うステップは、前記第１材料層にフォトレジストをコーティングするステップと、グレートーンマスクプレート又はハーフトーンマスクプレートを利用して前記フォトレジストを露光し、露光後のフォトレジストを現像した後、前記フォトレジストの前記複数のコンタクトパッドと重なる部分を除去し且つ前記フォトレジストと前記複数のコンタクトパッドの隙間とが重なる部分を薄くするステップと、前記ボンディング領域において、前記第１材料層をエッチングすることにより、前記第１材料層の前記複数のコンタクトパッドと重なる部分を除去し、アッシングプロセスを行うことにより前記フォトレジストと前記複数のコンタクトパッドの隙間とが重なる部分を除去し、且つ前記複数のコンタクトパッドの隙間と重なる第１材料層の前記ベース基板とは反対側の部分の厚さを除去するステップとを、を含む。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記第１材料層は感光性樹脂材料を含み、前記した前記第１材料層に対してパターニングプロセスを行うステップは、グレートーンマスクプレート又はハーフトーンマスクプレートを使用して前記第１材料層を露光し、露光後のフォトレジストを現像した後、前記第１材料層の前記表示領域に位置する部分を前記平坦化層として成形し、前記第１材料層の前記複数のコンタクトパッドと重なる部分を除去し、且つ前記第１材料層の前記ボンディング領域に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置する部分を薄くすることにより前記第１絶縁層を形成するステップを含む。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記複数のコンタクトパッドのそれぞれは少なくとも１つの金属層を含み、前記複数のコンタクトパッドを形成するステップは、前記ベース基板に第１導電材料薄膜を堆積させ且つ第１導電材料薄膜にパターニングプロセスを行うステップを含み、前記第１導電材料薄膜の前記表示領域に位置する部分は第１導電層として形成され、前記第１導電材料薄膜の前記ボンディング領域に位置する部分は前記複数のコンタクトパッドの少なくとも１つの金属層として形成され、前記複数のサブ画素のうちの少なくとも１つは薄膜トランジスタを含み、前記平坦化層は前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れる側に位置し、前記薄膜トランジスタは前記第１導電層に位置するソース及びドレインを含む。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記複数のデータリード線は第１組のデータリード線及び第２組のデータリード線を含み、前記第１組のデータリード線が前記第１組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、前記第２組のデータリード線が前記第２組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、且つ前記ベース基板に対して、前記第１組のデータリード線と前記第２組のデータリード線がそれぞれ異なる層に位置する。前記ボンディング領域に複数のデータリード線を形成するステップは、前記ベース基板に第１層間絶縁層を形成するステップと、前記ボンディング領域には、第１層間絶縁層に前記第１組のデータリード線を形成し、前記ベース基板に第２層間絶縁層を形成することにより前記第１組のデータリード線を被覆し、前記ボンディング領域には、第２層間絶縁層に前記第２組のデータリード線を形成するステップ、又は、前記ボンディング領域には、第１層間絶縁層に前記第２組のデータリード線を形成し、前記ベース基板に第２層間絶縁層を形成することにより前記第２組のデータリード線を被覆し、前記ボンディング領域には、第２層間絶縁層に前記第１組のデータリード線を形成するステップと、を含み、前記複数のコンタクトパッド及び前記第１絶縁層は前記第２層間絶縁層に形成される。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記ボンディング領域に複数のデータリード線を形成するステップはさらに、前記第１層間絶縁層を貫通する複数の第１コンタクトパッドビアを形成することで、前記第１組のコンタクトパッドは前記複数の第１コンタクトパッドビアによって前記第１組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続され、前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層を貫通する複数の第２コンタクトパッドビアを形成することで、前記第２組のコンタクトパッドは前記複数の第２コンタクトパッドビアによって前記第２組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続されるステップ、又は、前記第１層間絶縁層を貫通する複数の第２コンタクトパッドビアを形成することにより、前記第２組のコンタクトパッドは前記複数の第２コンタクトパッドビアを通過することにより前記第２組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続され、前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層を貫通する複数の第１コンタクトパッドビアを形成することにより、前記第１組のコンタクトパッドは前記複数の第１コンタクトパッドビアによって前記第１組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続されるステップを含む。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記複数のサブ画素のうちの前記少なくとも１つはさらに、２つの容量電極を含むストレージコンデンサを含み、前記薄膜トランジスタはゲートを含み、前記製造方法はさらに、前記第１組のデータリード線を前記ゲートと同じ層に形成し、且つ前記第２組のデータリード線を前記ストレージコンデンサの２つの容量電極のうちの一方と同じ層に形成するステップ、又は、前記第２組のデータリード線を前記ゲートと同じ層に形成し、且つ前記第１組のデータリード線を前記ストレージコンデンサの２つの容量電極のうちの一方と同じ層に形成するステップを含む。
例えば、上記実施例の製造方法において、前記２つの容量電極は第１容量電極及び第２容量電極を含み、前記第１容量電極が前記ゲートと同じ層に設置され、前記表示領域において、前記第２容量電極は前記第１層間絶縁層と前記第２層間絶縁層との間に設置される。
上記図５Ａ～図５Ｅ及び図６に示されるいずれか１つの実施例の表示基板を参照しながら、本開示の少なくとも１つの実施例による製造方法を説明する。
以下、図５Ａ～図５Ｅ及び図６に示されるいずれか１つの実施例の表示基板の製造方法を詳細に説明する。ボンディング領域において、第１絶縁層の高さはボンディング領域の高さより大きく、その製造過程は図７Ａ～図７Ｌに示される。
図７Ａに示されるように、ベース基板１１００を提供し且つベース基板１１００に絶縁材料を堆積させてバッファ層１３２１を形成し、例えば、バッファ層は表示領域１１０１及びボンディング領域１１０２を被覆する。表示領域のバッファ層に半導体材料を堆積させて半導体層１２１を形成し、それは中間部に不純物がドーピングされていないチャネル領域及びチャネル領域の対向する側に位置し且つ不純物（Ｎ型不純物又はＰ型不純物）がドーピングされたソース領域及びドレイン領域を含む。ボンディング領域１１０２及び表示領域１１０１のバッファ層に絶縁材料１１を堆積させて第１ゲート絶縁層を形成する。
例えば、本開示の実施例において、ベース基板はガラス板、石英板、金属板又は樹脂板などであってもよい。例えば、ベース基板の材料は有機材料を含んでもよく、例えば該有機材料はポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレートなどの樹脂類材料であってもよい。例えば、該ベース基板は複数の材料層で形成されてもよく、例えばベース基板はベースを含んでもよく、ベースの材料は上記材料で構成されてもよい。ベースの表面に遷移層としてバッファ層を形成できることで、ベース基板における有害物質が表示基板の内部に侵入することを防止できるだけでなく、表示基板における膜層のベース基板での付着力を増加させることもできる。例えば、バッファ層の材料は酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などであってもよい。
図７Ｂに示されるように、ボンディング領域１１０２及び表示領域１１０１の第１ゲート絶縁層１３２２に第１導電材料を堆積させて第１導電材料層２１を形成する。図７Ｃに示されるように、第１導電材料層に対してパターニングプロセスを行い、第１導電材料層２１の表示領域に位置する部分はゲート１５１０及び第１容量電極１６０１を形成し、第１導電材料層２１のボンディング領域に位置する部分は第１組のデータリード線１４０１を形成する。例えば、第１導電材料層２１は金属又は金属合金であってもよく、他の導電材料であってもよい。例えば、第１導電材料層２１は単層構造であってもよく、複数の膜層で構成される積層、例えば、Ｔｉ－ＡＬ－Ｔｉの３つの金属膜層で構成される積層であってもよい。
該ステップにおいて、いつかの例において、マスクとしてゲート１５１０を使用でき、活性層に対してドーピングを行うことにより導電性ソース領域及びドレイン領域を形成するが、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域はゲートのシールド作用によってドーピングされていない。
図７Ｄに示されるように、表示領域及びボンディング領域に絶縁材料を堆積させることにより表示領域にゲート１５１０を被覆する第２ゲート絶縁層１３２３を形成し、ボンディング領域に第１組のデータリード線１４０１を被覆する第２ゲート絶縁層１３２３を形成する。
図７Ｅに示されるように、ボンディング領域１１０２の第２ゲート絶縁層１３２３に第２導電材料を堆積させて第２導電材料層２２を形成する。例えば、第２導電材料層２２は金属又は金属合金であってもよく、他の導電材料であってもよい。例えば、第２導電材料層２２は単層構造であってもよく、複数の膜層で構成される積層、例えば、Ｔｉ－ＡＬ－Ｔｉの３つの金属膜層で構成される積層であってもよい。
図７Ｆに示されるように、第２導電材料層２２に対してパターニングプロセスを行い、第２導電材料層２２のボンディング領域に位置する部分は第２組のデータリード線１４０２を形成し、第２導電材料層２２の表示領域に位置する部分は第２容量電極１６０２を形成する。
図７Ｇに示されるように、表示領域及びボンディング領域に絶縁材料を堆積させることにより表示領域に第２ゲート絶縁層１３２３を被覆する層間絶縁層１３２４を形成し、ボンディング領域に第２組のデータリード線１４０２を被覆する層間絶縁層１３２４を形成する。
図７Ｈに示されるように、ボンディング領域の第１組のデータリード線１４０１と重なる第２ゲート絶縁層１３２３及び層間絶縁層１３２４に対してパターニングプロセスを行うことにより、第２ゲート絶縁層１３２３及び層間絶縁層１３２４に１つ又は複数のビアを形成する。且つ、ボンディング領域の第２組のデータ線と重なる層間絶縁層１３２４をパターニングすることにより、層間絶縁層１３２４に１つ又は複数のビアを形成する。表示領域における第１ゲート絶縁層１３２２、第２ゲート絶縁層１３２３及び層間絶縁層１３２４に対してパターニングプロセスを行うことにより、第１ゲート絶縁層１３２２、第２ゲート絶縁層１３２３及び層間絶縁層１３２４にビアを形成する。次に、表示領域及びボンディング領域に第３導電材料層２３を堆積させる。第３導電材料層２３はビアによってそれぞれ活性層１２１、第１組のデータリード線１４０１及び第２組のデータリード線１４０２に接続される。例えば、第３導電材料層２３は金属又は金属合金であってもよく、他の導電材料であってもよい。例えば、第３導電材料層２３は単層構造であってもよく、複数の膜層で構成される積層、例えば、Ｔｉ－ＡＬ－Ｔｉの３つの金属膜層で構成される積層であってもよい。
図７Ｉに示されるように、第３導電材料層２３に対してパターニングプロセスを行い、第３導電材料層２３の表示領域に位置する部分はドレイン１５４１及びソース１５４２として形成される。第３導電材料層２３のボンディング領域に位置する部分はコンタクトパッド１２００を形成する。
図７Ｊに示されるように、表示領域及びボンディング領域に第１絶縁材料層１７１０を堆積させることにより表示基板の表面を平坦化し、すなわち、第１絶縁材料層１７１０は薄膜トランジスタを被覆し且つコンタクトパッド１２００を被覆し、且つ第１絶縁材料層１７１０のベース基板１１００とは反対側の表面は平面である。例えば、第１絶縁材料層の製造材料は有機材料、例えば高分子樹脂を含んでもよく、例えばポリイミド、ポリアクリレート、ポリアクリレートポリウレタン、ポリウレア、芳香族ポリエステル類又はその他を含んでもよい。第１絶縁材料層１７１０をフォトレジスト１０４０で被覆する。第３マスクプレート１０４２を提供してフォトレジスト１０４０を露光する。ボンディング領域において、第３マスクプレート１０４２はコンタクトパッド１２０１及びコンタクトパッド１２０２と重なる第１光透過パターン１４２１、及びコンタクトパッド１２０１及びコンタクトパッド１２０２の隙間と重なる第２光透過パターン１４２２を含み、表示領域において、第３マスクプレート１０４２は平坦化層のビアと重なる第１光透過パターン１４２１及び非光透過パターン１４２３を含む。すなわち、第３マスクプレート１０４２はグレートーンマスクプレート又はハーフトーンマスクプレートである。フォトレジストはポジ型フォトレジスト、それに対応して、第１光透過パターン１４２１の光透過率は第２光透過パターン１４２２の光透過率より大きい。露光過程では、フォトレジスト１０４０の第１光透過パターン１４２１に対応する部分は完全に露光される場合、フォトレジスト１０４０の第２光透過パターン１４２２に対応する部分は部分的に露光され、フォトレジスト１０４０の非光透過パターン１４２３に対応する部分は露光されていない。
図７Ｋに示されるように、フォトレジスト１０４０を現像し、フォトレジスト１０４０の露光された部分を除去し、すなわち、ボンディング領域において、コンタクトパッド１２００と重なるフォトレジスト１０４０は除去され、残されたフォトレジスト１０４０は薄くなり、表示領域において、平坦化層のビアと重なるフォトレジストは除去される。現像した後、フォトレジスト１０４０は第３フォトレジストパターン１０４２として形成される。第１絶縁材料層１７１０をエッチングすることによりコンタクトパッドと重なる絶縁材料層を除去し、表示領域にビア１２７１を形成する。
図７Ｌに示されるように、ボンディング領域の第３フォトレジストパターン１０４２を除去し、次に、ボンディング領域に残された第１絶縁材料層１７１０をエッチングし且つエッチング厚さを制御し、前記コンタクトパッドの隙間と重なる絶縁材料層の前記ベース基板とは反対側の部分の厚さを除去し、それにより高さがコンタクトパッドより大きい第１絶縁層１３１０を形成する。次に、表示領域におけるフォトレジスト１０４２を除去し、エッチングし且つエッチング厚さを制御することにより平坦化層としての第１絶縁層１３１０を形成する。ボンディング領域に残された第１絶縁材料層１７１０の厚さに対する制御によって、ボンディング領域に位置する第１絶縁層１３１０を形成し、図５Ｃに示される実施例の表示基板を得ることができる。第１絶縁材料層１７１０に対するエッチング厚さを制御するために、エッチング終点検出装置などを用いてリアルタイムにモニタリングするか、又は実験データに基づいてエッチング液の濃度及び／又はエッチング時間を調整するようにしてもよい。
その後、例えば表示領域の平坦化層上に、発光素子、画素定義層、パッケージ層などを形成する後続の工程を続けてもよく、ここで説明を省略する。
上記製造方法を利用して得られた表示基板において、第１絶縁層はコンタクトパッドとコンタクトパッドとの間の隙間の段差を低減又は解消することができ、ボンディングプロセスにおいて、圧子によって第１絶縁層の表面及びコンタクトパッドの表面に印加された力は均一に分布され（例えば単位面積当たりの圧力が等しい）、すなわち、圧子によってコンタクトパッド及びコンタクトパッドの間の隙間に印加された圧力は均一に分布され、表示基板（そのボンディング領域）はボンディングプロセスにおいて力受けが不均一であるため損傷することがなく、実際の生産において、表示基板の歩留まりを高める。
本開示に記載されている各実施例及び技術的解決手段は以下に記載されている例として説明することができる。
表示基板であって、表示領域及び前記表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含むベース基板と、前記ボンディング領域に位置し且つ相互に隙間をあける複数のコンタクトパッドと、前記コンタクトパッドの間の隙間に位置し、前記コンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面が露出するように構成される第１絶縁層と、を含む。
前記第１絶縁層の前記ベース基板とは反対側の表面は前記コンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面より高く、又は前記コンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面と面一である。
前記複数のコンタクトパッドは少なくとも１行に配置され、前記行の方向は前記表示領域の前記ボンディング領域に面する側辺の延長方向と平行であり、前記第１絶縁層の少なくとも一部は同じ行の複数の前記コンタクトパッドの間の隙間に位置する。
表示基板はさらに複数のリード線を含み、前記複数のリード線は前記複数のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、且つ前記複数のリード線のそれぞれの一端部は前記複数のコンタクトパッドの対応する１つに電気的に接続され且つ他端部は前記表示領域に延長する。
前記複数のコンタクトパッドは少なくとも２行に配置され、前記第１絶縁層の少なくとも一部は異なる行の前記コンタクトパッドの間の隙間に位置する。
前記少なくとも２行は第１行、及び前記第１行と前記表示領域との間に位置する第２行を含み、前記第１行に位置する前記コンタクトパッドに接続されるリード線の前記第２行に位置する部分は、前記第２行の前記コンタクトパッドの隙間に位置し且つ前記第１絶縁層で被覆される。
相互に電気的に接続される前記リード線と前記コンタクトパッドについては、前記リード線の前記コンタクトパッドに電気的に接続される端部が前記コンタクトパッドと重なり且つ前記コンタクトパッドと前記ベース基板との間に位置する。
前記第１行に位置する前記コンタクトパッドに接続されるリード線は相互に隣接する第１組のデータリード線及び第２組のデータリード線を含み、前記第１組のデータリード線及び前記第２組のデータリード線は前記ベース基板に対して異なる層に位置する。
表示基板はさらに前記コンタクトパッドと前記リード線との間に位置する第２絶縁層を含み、前記第２絶縁層にビアが設置され、前記リード線は前記ビアによって対応する前記コンタクトパッドに接続される。
表示基板はさらに前記表示領域のサブ画素に位置する薄膜トランジスタ、発光素子及び層間誘電体層を含み、前記薄膜トランジスタのソース及びドレインのうちの一方は前記発光素子に電気的に接続され、前記層間誘電体層は前記薄膜トランジスタの活性層とソースドレイン電極層との間に位置し、前記第２絶縁層と前記層間誘電体層は同じ層に設置されるように構成される。
表示基板はさらに表示領域のサブ画素に位置する薄膜トランジスタ、発光素子及び前記薄膜トランジスタを被覆する平坦化層を含み、前記薄膜トランジスタのソース及びドレインのうちの一方は前記発光素子に電気的に接続され、前記第１絶縁層と前記平坦化層は同じ層に設置されるように構成される。
表示装置は以上に記載の表示基板を含む。
表示基板の製造方法であって、表示領域及び前記表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含むベース基板を提供するステップと、前記ボンディング領域に相互に間隔をあける複数のコンタクトパッドを形成するステップと、複数の前記コンタクトパッドの隙間に第１絶縁層を形成するステップであって、前記第１絶縁層は前記コンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面が露出するように形成されるステップと、を含む。
前記第１絶縁層は、前記第１絶縁層の前記ベースとは反対側の表面が前記コンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面より高く又は前記コンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面とほぼ面一であるように形成される。
前記した前記コンタクトパッドの間に前記第１絶縁層を形成するステップは、前記コンタクトパッドを形成した後、前記ベース基板に第１材料層を堆積させることにより前記表示基板の表面を平坦化するステップと、前記第１材料層に対してパターニングプロセスを行うことにより、前記第１材料層の前記表示領域に位置する部分を平坦化層として形成し、前記第１材料層の前記コンタクトパッドと重なる部分を除去し、且つ前記第１材料層の前記ボンディング領域に位置し且つ前記コンタクトパッドの間の隙間に位置する部分を薄くすることにより前記第１絶縁層を形成するステップと、を含む。
前記した前記第１材料層に対してパターニングプロセスを行うステップは、前記第１材料層にフォトレジストをコーティングするステップと、第１マスクプレートを提供して前記フォトレジストを露光及び現像することにより、前記フォトレジストの前記コンタクトパッドと重なる部分を除去するステップと、残されたフォトレジストをマスクとして前記第１材料層をパターニングすることにより、前記第１材料層の前記コンタクトパッドと重なる部分を除去するステップと、前記ボンディング領域に残されたフォトレジストを除去するステップと、前記ボンディング領域において、前記第１材料層の前記コンタクトパッドの隙間に位置し且つ前記ベース基板とは反対側の表面部分をエッチングし、残された前記第１材料層を前記第１絶縁層として形成するステップと、を含む。
前記した前記第１材料層に対してパターニングプロセスを行うステップは、前記第１材料層にフォトレジストをコーティングするステップと、グレートーンマスクプレート又はハーフトーンマスクプレートを利用して前記フォトレジストを露光し、露光後のフォトレジストを現像した後、前記フォトレジストの前記コンタクトパッドと重なる部分を除去し且つ前記フォトレジストと前記コンタクトパッドの隙間とが重なる部分を薄くするステップと、前記ボンディング領域において、前記第１材料層をエッチングすることにより、前記第１材料層の前記コンタクトパッドと重なる部分を除去し、アッシングプロセスを行うことにより前記フォトレジストと前記コンタクトパッドの隙間とが重なる部分を除去し、且つ前記コンタクトパッドの隙間と重なる第１材料層の前記ベース基板とは反対側の部分の厚さを除去するステップとを含む。
前記第１材料層は感光性樹脂材料を含み、前記した前記第１材料層に対してパターニングプロセスを行うステップはさらに、グレートーンマスクプレート又はハーフトーンマスクプレートを使用して前記第１材料層を露光し、露光後のフォトレジストを現像した後、前記第１材料層の前記表示領域に位置する部分を前記平坦化層として形成し、前記第１材料層の前記コンタクトパッドと重なる部分を除去し、且つ前記第１材料層の前記ボンディング領域に位置し且つ前記コンタクトパッドの間の隙間に位置する部分を薄くすることにより前記第１絶縁層を形成するステップを含む。
前記コンタクトパッドを形成するステップは、前記ベース基板に第１導電材料薄膜を堆積させ且つ第１導電材料薄膜にパターニングプロセスを行うステップを含み、前記第１導電材料薄膜の前記表示領域に位置する部分は第１導電層として形成され、前記第１導電材料薄膜の前記ボンディング領域に位置する部分は前記コンタクトパッドとして形成される。
製造方法はさらに、前記第１導電材料薄膜を堆積させる前、前記ボンディング領域の一部にリード線を形成するステップを含み、前記リード線の第１端部は前記表示領域まで延長し、前記コンタクトパッドを形成した後、前記リード線の第２端部は前記コンタクトパッドと重なり且つ接続される。
前記ボンディング領域の一部に前記リード線を形成するステップは、前記ボンディング領域には前記ベース基板に対してそれぞれ異なる層に位置する前記第１組のデータリード線及び第２組のデータリード線を別々に形成するステップを含む。
製造方法はさらに、前記リード線を形成した後、且つ前記第１導電材料薄膜を堆積させる前に、前記ベース基板に絶縁材料薄膜を堆積させることにより前記第２導電層及び前記リード線を被覆するステップと、前記ボンディング領域において、前記絶縁材料薄膜をパターニングすることにより前記リード線の前記第２端部を露出するビアを形成するステップと、前記第１導電材料薄膜を堆積させた後、前記第１導電材料薄膜を前記ビアによって前記リード線に接続するステップと、を含み、前記絶縁材料薄膜の前記表示領域に位置する部分は層間誘電体層であり、前記絶縁材料薄膜の前記ボンディング領域に位置する部分は第２絶縁層である。
本開示については、説明する必要がある点は次のとおりである。
（１）本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関する構造のみに関し、他の構造は通常の設計を参照すればよい。
（２）明確にするために、本開示の実施例を説明するための図面において、層又は領域の厚さが拡大または縮小され、すなわち、これらの図面は実際の縮尺に従って描かれるものではない。
（３）矛盾がない場合、本開示の実施例及び実施例の特徴を相互に組み合わせることにより、新しい特徴を得ることができる。
以上の説明は単に本開示の具体的な実施形態であり、本開示の保護範囲を限定するものではなく、本発明の保護範囲は特許請求の範囲に準じるべきである。

Claims (26)

  1. 表示基板であって、
    表示領域及び前記表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含むベース基板と、
    前記表示領域に位置する複数のサブ画素と、
    前記表示領域に位置し、前記複数のサブ画素にデータ信号を提供するように構成される複数のデータ線と、
    前記ボンディング領域に位置し且つ前記複数のデータ線に電気的に接続される複数のデータリード線と、
    前記ボンディング領域に位置し、第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドを含み、前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドはそれぞれ複数のコンタクトパッドを含み、前記第２組のコンタクトパッドは前記第１組のコンタクトパッドの前記表示領域から離れる側に位置し、前記複数のデータリード線は前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドに電気的に接続される少なくとも１組のコンタクトパッドと、
    前記ボンディング領域に位置し、前記複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドのエッジを被覆し、前記複数のコンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面が露出するように構成される第１絶縁層と、を含む、
    表示基板。
  2. 前記第１絶縁層の前記ベース基板から離れる側の表面と前記ベース基板との垂直距離は前記複数のコンタクトパッドの前記ベース基板から離れる側の表面と前記ベース基板との垂直距離以上である、
    請求項１に記載の表示基板。
  3. 前記第１絶縁層の少なくとも一部は前記第１組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置する、
    請求項１又は２に記載の表示基板。
  4. 前記第１絶縁層の少なくとも一部は前記第２組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置する、
    請求項１又は２に記載の表示基板。
  5. 前記第１絶縁層の少なくとも一部は前記第１組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置し、及び前記第２組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置する、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の表示基板。
  6. 前記第１組のコンタクトパッドの複数のコンタクトパッドは少なくとも第１行になるように配置され、前記第２組のコンタクトパッドの複数のコンタクトパッドは少なくとも第２行になるように配置され、
    前記第１行及び前記第２行の行方向は前記表示領域の前記ボンディング領域に面する側辺の延長方向と平行であり、
    前記第１絶縁層の少なくとも一部は前記第１行と前記第２行との間の隙間に位置する、
    請求項１～５のいずれか一項に記載の表示基板。
  7. 前記第１絶縁層の複数の開口のそれぞれは側壁を有し、且つ前記複数の開口のうちの少なくとも１つの側壁は前記ベース基板に対する勾配角の範囲が４０度～６０度である、
    請求項６に記載の表示基板。
  8. 前記複数のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つは長さの範囲が６５０マイクロメートル～７５０マイクロメートルであり、幅の範囲が３４マイクロメートル～４２マイクロメートルである、
    請求項６又は７に記載の表示基板。
  9. 前記複数のサブ画素のうちの少なくとも１つは薄膜トランジスタ、平坦化層及び発光素子を含み、
    前記平坦化層は、前記薄膜トランジスタを被覆するように、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れる側に位置し、
    前記発光素子は前記平坦化層の前記ベース基板から離れる側に位置し、
    前記平坦化層は第１平坦層ビアを含み、
    前記薄膜トランジスタは前記ベース基板に位置する活性層と、前記活性層のベース基板から離れる側に位置するゲートと、前記ゲートの前記ベース基板から離れる側に位置するソース及びドレインとを含み、且つ前記ソース及び前記ドレインのうちの一方は前記第１平坦層ビアによって前記発光素子に電気的に接続され、
    前記第１絶縁層と前記平坦化層とは同じ層に設置される、
    請求項６～８のいずれか一項に記載の表示基板。
  10. 前記ベース基板に対して、前記ボンディング領域における前記第１絶縁層の厚さは前記表示領域における前記平坦化層の厚さより小さい、
    請求項９に記載の表示基板。
  11. 前記複数のコンタクトパッドのそれぞれは少なくとも１つの金属層を含み、前記少なくとも１つの金属層が第１金属層を含み、前記第１金属層が前記ソース及び前記ドレインと同じ層に設置される、
    請求項９又は１０に記載の表示基板。
  12. 前記複数のデータリード線は第１組のデータリード線及び第２組のデータリード線を含み、前記第１組のデータリード線が前記第１組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、前記第２組のデータリード線が前記第２組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続され、前記ベース基板に対して、前記第１組のデータリード線と前記第２組のデータリード線はそれぞれ異なる層に位置する、
    請求項９～１１のいずれか一項に記載の表示基板。
  13. 前記複数のサブ画素のうちの前記少なくとも１つはさらに、２つの容量電極を含むストレージコンデンサを含み、
    前記第１組のデータリード線は前記ゲートと同じ層に設置され、且つ前記第２組のデータリード線は前記ストレージコンデンサの２つの容量電極のうちの一方と同じ層に設置され、又は、前記第２組のデータリード線は前記ゲートと同じ層に設置され、且つ前記第１組のデータリード線は前記ストレージコンデンサの２つの容量電極のうちの一方と同じ層に設置される、
    請求項１２に記載の表示基板。
  14. 前記ボンディング領域に位置し、且つ前記複数のコンタクトパッドと前記リード線との間及び前記第１絶縁層と前記ベース基板との間に位置するボンディング領域層間絶縁層と、
    前記ボンディング領域に位置し、且つ前記ボンディング領域層間絶縁層の前記ベース基板に近接する側に位置するボンディング領域の第１ゲート絶縁層と、
    前記ボンディング領域に位置し、且つ前記ボンディング領域の第１ゲート絶縁層と前記ボンディング領域層間絶縁層との間に位置し、前記ボンディング領域層間絶縁層と積層されるボンディング領域の第２ゲート絶縁層と、をさらに含み、
    前記第１組のコンタクトパッドは前記ボンディング領域層間絶縁層における複数の第１コンタクトパッドビアを通過することにより前記第１組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続され、前記第２組のコンタクトパッドは前記ボンディング領域層間絶縁層及び前記ボンディング領域の第２ゲート絶縁層における複数の第２コンタクトパッドビアを通過することにより前記第２組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続され、又は、前記第２組のコンタクトパッドは前記ボンディング領域層間絶縁層における複数の第２コンタクトパッドビアを通過することにより前記第２組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続され、前記第１組のコンタクトパッドは前記ボンディング領域層間絶縁層及び前記ボンディング領域の第２ゲート絶縁層における複数の第１コンタクトパッドビアを通過することにより前記第１組のデータリード線と１対１で対応して電気的に接続される、
    請求項１２又は１３に記載の表示基板。
  15. 前記複数のサブ画素のうちの前記少なくとも１つはさらに表示領域層間絶縁層、表示領域の第１ゲート絶縁層及び表示領域の第２ゲート絶縁層を含み、
    前記表示領域層間絶縁層、表示領域の第１ゲート絶縁層及び前記表示領域の第２ゲート絶縁層はそれぞれ前記ボンディング領域層間絶縁層、ボンディング領域の第１ゲート絶縁層及び前記ボンディング領域の第２ゲート絶縁層と同じ層に設置され、
    前記表示領域層間絶縁層は前記ゲートと、前記ソース及び前記ドレインとの間に位置し、前記表示領域の第１ゲート絶縁層は前記表示領域層間絶縁層の前記ベース基板に近接する側に位置し、前記表示領域の第２ゲート絶縁層は前記表示領域層間絶縁層と前記表示領域の第１ゲート絶縁層との間に位置し、
    前記２つの容量電極は第１容量電極及び第２容量電極を含み、前記第１容量電極が前記ゲートと同じ層に設置され、前記第２容量電極が前記表示領域層間絶縁層と前記表示領域の第２ゲート絶縁層との間に設置される、
    請求項１４に記載の表示基板。
  16. 前記第１組のデータリード線は前記第１容量電極及び前記ゲートと同じ層に設置され、且つ前記第２組のデータリード線は前記第２容量電極と同じ層に設置され、又は
    前記第２組のデータリード線は前記第１容量電極及び前記ゲートと同じ層に設置され、且つ前記第１組のデータリード線は前記第２容量電極と同じ層に設置される、
    請求項１５に記載の表示基板。
  17. 前記第１絶縁層は前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの間の隙間に位置する表面が凹み部分を有し、又は
    前記第１絶縁層は前記第１行と前記第２行との間の隙間に位置する表面が凹み部分を有する、
    請求項１５に記載の表示基板。
  18. 前記第２組のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つのコンタクトパッドに電気的に接続されるデータリード線の前記第１組のコンタクトパッドを通過する部分は、前記第１組のコンタクトパッドの隣接するコンタクトパッドの隙間に位置し且つ前記第１絶縁層によって被覆される、
    請求項１～１７のいずれか一項に記載の表示基板。
  19. 前記第１組のデータリード線のうちの少なくとも１つのデータリード線は前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、又は
    前記第２組のデータリード線のうちの少なくとも１つのデータリード線は前記表示基板の前記エッジに対して傾斜して延長する、
    請求項１～１８のいずれか一項に記載の表示基板。
  20. 前記第１組のデータリード線のうちの少なくとも２つのデータリード線は前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ前記第１組のデータリード線のうちの前記少なくとも２つのデータリード線は前記表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である、
    請求項１９に記載の表示基板。
  21. 前記第２組のデータリード線のうちの少なくとも２つのデータリード線は前記表示基板の前記エッジに対して傾斜して延長し、且つ前記第２組のデータリード線のうちの前記少なくとも２つのデータリード線は前記表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である、
    請求項１９又は２０に記載の表示基板。
  22. 前記第１組のコンタクトパッドの少なくとも１つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、又は
    前記第２組のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つは前記表示基板の前記エッジに対して傾斜して延長する、
    請求項１～２１のいずれか一項に記載の表示基板。
  23. 前記第１組のコンタクトパッドの少なくとも２つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ前記第１組のコンタクトパッドのうちの前記少なくとも２つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である、
    請求項２２に記載の表示基板。
  24. 前記第２組のコンタクトパッドの少なくとも２つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して傾斜して延長し、且つ前記第２組のコンタクトパッドのうちの前記少なくとも２つのコンタクトパッドは前記表示基板のエッジに対して同じ回転方向の夾角が同じ又は互いに補角である、
    請求項２２又は２３に記載の表示基板。
  25. 請求項１～２４のいずれか一項に記載の表示基板を含む、
    表示装置。
  26. 表示基板の製造方法であって、
    表示領域及び前記表示領域の少なくとも一側に位置するボンディング領域を含む前記ベース基板を提供するステップと、
    前記表示領域に複数のサブ画素及び複数のデータ線を形成するステップであって、前記複数のデータ線は前記複数のサブ画素にデータ信号を提供するように構成されるステップと、
    前記ボンディング領域に複数のデータリード線を形成するステップと、
    前記ボンディング領域に少なくとも１組のコンタクトパッドを形成するステップであって、前記少なくとも１組のコンタクトパッドは第１組のコンタクトパッド及び第２組のコンタクトパッドを含み、前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドはそれぞれ複数のコンタクトパッドを含み、前記第２組のコンタクトパッドは前記第１組のコンタクトパッドの前記表示領域から離れる側に位置し、前記複数のデータリード線は前記第１組のコンタクトパッド及び前記第２組のコンタクトパッドと１対１で対応して電気的に接続されるステップと、
    前記ボンディング領域に第１絶縁層を形成するステップであって、前記第１絶縁層は前記ボンディング領域に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドの間の隙間に位置し且つ前記複数のコンタクトパッドのエッジを被覆し、前記複数のコンタクトパッドの前記ベース基板とは反対側の表面が露出するように構成されるステップと、を含む、
    表示基板の製造方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200110490A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021072596A1 (zh) * 2019-10-14 2021-04-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板以及显示面板
CN116601770A (zh) * 2021-10-29 2023-08-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和显示装置
CN114093277A (zh) * 2021-12-09 2022-02-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 拼接屏

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529377A (ja) * 1991-07-25 1993-02-05 Nec Corp 半導体装置
JP2000315058A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板
JP2008064961A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Mitsubishi Electric Corp 配線構造、及び表示装置
CN101779526A (zh) * 2007-08-10 2010-07-14 夏普株式会社 配线基板和液晶显示装置
KR101248901B1 (ko) * 2008-06-02 2013-04-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN101988994B (zh) * 2009-07-30 2012-12-05 瀚宇彩晶股份有限公司 焊垫、晶片-基板接合的封装构造及液晶显示面板
KR101839954B1 (ko) * 2010-12-17 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
JP5815483B2 (ja) * 2012-07-27 2015-11-17 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置
KR101916130B1 (ko) * 2012-08-29 2018-11-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR102379591B1 (ko) 2014-04-10 2022-03-30 삼성디스플레이 주식회사 전자부품, 이를 포함하는 전자기기 및 전자기기의 본딩 방법
US9472507B2 (en) 2013-06-17 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and organic light-emitting display including the same
KR20150080825A (ko) * 2014-01-02 2015-07-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102415331B1 (ko) * 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR102583831B1 (ko) 2016-11-25 2023-09-27 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 전계발광 표시장치
KR102491224B1 (ko) * 2017-06-01 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 터치표시장치 및 터치패널
KR102370639B1 (ko) 2017-08-31 2022-03-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI648573B (zh) * 2017-09-11 2019-01-21 友達光電股份有限公司 陣列基板
US10312202B2 (en) 2017-11-07 2019-06-04 Texas Instruments Incorporated Zero capacitance electrostatic discharge devices
CN107706156A (zh) 2017-11-13 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
KR102503732B1 (ko) * 2017-11-30 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102652448B1 (ko) 2018-03-13 2024-03-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

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