JP2017531210A - 誘電性シロキサン粒子フィルム及びそれを有するデバイス - Google Patents

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Abstract

シロキサン出発材料を堆積させる基板と、粒子とを含む誘電性フィルムの製造方法において、前記シロキサン出発材料は、シロキサンポリマー、シロキサンオリゴマー、及び/又はシランモノマーを有し、前記粒子の平均粒子径は400nm未満である。堆積後、前記シロキサン粒子層に熱及び/又は電磁エネルギーを適用して該シロキサン粒子層を硬化させ、前記基板上に誘電性フィルムを形成する。形成される前記フィルムは、可視光に対して光学的に透過性であり、入射する可視光の少なくとも80%を透過し、電気絶縁性であり、1000Ω/sq以上のシート抵抗を有する。

Description

本発明は、誘電体フィルムに関する。特に、本発明は、粒子を含有するシロキサンフィルム、そのようなフィルムを製造する方法、該フィルムを含むディスプレイ、及びそのようなディスプレイを製造する方法に関する。
LED及びLCDは、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、コンピュータモニタ、テレビ、ディスプレイ、消費者製品及び家庭のタッチスクリーン等、照明器具(LED)からディスプレイ(LED及びLCDの両方)まで幅広い製品に使用されています又はビジネス等で
LED及びLCDの両方のデバイスに誘電体層を組み込むことができます。そのような誘電体層は、LED又はLCDデバイス内のパッシベーション層、封止剤、厚膜又は薄膜誘電体等と見なすことができる。ディスプレイの1つの領域は、ディスプレイのタッチスクリーン部分の2つの導電層の間にある。
誘電体フィルム材料は、米国特許第2011051064号、米国特許第5645901号、及び第20120119020号に開示されている。安定性及び貯蔵寿命の特性を有する改良された材料が依然として必要である。
US2011051064 US5645901 KR20120119020
本発明の目的は、既知の材料に関する問題の少なくとも一部を排除することである。
本発明の目的は、シロキサンポリマーと、シロキサンポリマー内の粒子とを含む誘電体フィルムを提供することである。
本発明の別の目的は、シロキサンポリマーフィルムの製造方法を提供することである。
本発明の第3の目的は、ディスプレイを提供することである。
本発明の第4の目的は、ディスプレイを作製する方法を提供することである。
本発明の第5の目的は、[−Si−O−Si−O]n繰り返し主鎖及び粒子を有するシロキサンポリマーを含む組成物を提供することである。
本発明の第6の目的は、タッチパネルを提供することである。
本発明によれば、支持基材上に形成されたシロキサンポリマーとシロキサンポリマーを含み、平均粒子径が1μm未満である誘電体層と、誘電体層は、可視光に対して光学的に透過性であり、その上に入射する光の少なくとも75%を透過する。そして
誘電体層は電気絶縁性である。1000Ω/sq以上のシート抵抗を有する。
典型的には、シロキサンポリマーは、300〜10,000g/molの分子量を有する。そして
前記組成物は、5rpm粘度計及び25℃で1000〜75,000mPa・secの粘度を有し、実質的に−OH基を含まない。
より具体的には、本発明は、独立請求項に記載されていることを特徴とする。
かなりの利点が達成される。したがって、光学的に透明な電気絶縁性のナノ粒子−シロキサン複合誘電体が、それを組み込んだデバイスと共に開示される。球状、分枝状、フレーク状又はワイヤー状とすることができる非導電性粒子は、シロキサン複合体の内部に堆積されるか、又はシロキサン複合体で取り囲まれる。いずれの場合も、屈折率が1.2と2.0の間で高い光透過率が達成されます。
コーティングはまた、本明細書で開示される様々なパターニングプロセスに従ってパターニングされ得る。形成された透明電気絶縁誘電体は、好ましくは、高アスペクト比の粒子等の少なくとも1つのタイプの電気絶縁性粒子を含む。フレーク、及び少なくとも1種類のシロキサンポリマーを含む。所望であれば、追加の低アスペクト比の粒子、例えば、フィルムの屈折率、熱伝導率、電気伝導率、機械的特性、熱安定性又は化学的耐性を調整するために、ナノ粒子を含めることができる。
本明細書で開示するように、透明絶縁誘電体は、タッチセンサ、ディスプレイ、OLEDデバイス、垂直エミッタInGaN LED、IMEシールド、又は電気絶縁性及び透明性フィルムから利益を得ることができる他のデバイスの一部であってもよい。
例示的な実施形態は、添付の図面と併せて以下の詳細な説明からより明確に理解されるであろう。
オンセルタッチ容量型パネル表示装置の断面図である。 セル内容量式タッチパネル表示装置の断面図である。 タッチパネルディスプレイ装置の簡略図である。 オンガラス容量式タッチパネル表示装置の断面図である。 a〜dは、絶縁性シロキサン粒子膜をパターニングするための1つの方法を示す。 a〜dは、絶縁性シロキサン粒子膜をパターニングするための別の方法を示す図である。 異なる粒子装填量に対する屈折率対波長のグラフを示す。 透過率対粒子負荷のグラフである。 熱誘導重合中のシロキサンポリマーの質量変化を示す図である。そして 堆積及び重合後のシロキサン材料の熱安定性を示す。
様々な例示的な実施形態は、いくつかの例示的な実施形態が示されている添付の図面を参照して、以下により完全に記載される。しかしながら、本発明の概念は、多くの異なる形態で具体化されてもよく、本明細書に記載された例示的な実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、これらの例示的な実施形態は、この説明が完全かつ完全であり、本発明の概念の範囲を当業者に完全に伝えるように提供される。図面において、層及び領域のサイズ及び相対的なサイズは、明確にするために誇張されている場合がある。
ある要素又は層が別の要素又は層の「上に」ある、「接続されている」又は「結合している」と言及されている場合、他の要素又は層に直接的に接続されているか、要素又は層が存在してもよい。対照的に、要素が他の要素又は層に「直接的に」、「直接接続されて」又は「直接結合されている」と言及される場合、介在要素又は層は存在しない。全体を通して同じ参照番号は同様の要素を指す。本明細書で使用される場合、用語「及び/又は」は、1つ又は複数の関連するリストされたアイテムの任意の及びすべての組み合わせを含む。
また、第1、第2、第3等の用語は、様々な要素、構成要素、領域、層及び/又はセクションを記述するために本明細書で使用されるが、これらの要素、構成要素、領域、層及び/これらの用語によって制限されるものではありません。これらの用語は、ある要素、コンポーネント、領域、層、又はセクションを他の要素、コンポーネント、領域、層又はセクションと区別するためにのみ使用される。したがって、以下に説明する第1の要素、構成要素、領域、層又はセクションは、本発明の概念から逸脱することなく、第2の要素、構成要素、領域、層又はセクションと呼ぶことができる。
本明細書で使用される用語は、特定の実施形態のみを説明するためのものであり、限定することを意図するものではない。本明細書で使用されるように、単数形「a」、「an」及び「the」は、文脈上他に明白に示さない限り、複数形も含むことが意図される。本明細書で使用される場合、用語「含む」及び/又は「含む」又は「含む」及び/又は「含む」は、記載された特徴、領域、整数、ステップ、操作、要素の存在を特定する領域、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、及び/又はそれらのグループの存在又は追加を排除するものではないことを理解されたい。
さらに、図に示すように、「下」又は「下」及び「上」又は「上」等の相対用語を、別の要素との1つの要素の関係を説明するために使用することができる。相対的な用語は、図面に描かれている向きに加えて、装置の異なる向きを包含することが意図されていることが理解されるであろう。例えば、図の1つの装置がひっくり返された場合、他の要素の「下側」にあると記載された要素は、他の要素の「上側」側に向けられる。したがって、例示的な用語「より低い」は、図の特定の向きに応じて、「下」及び「上」の向きの両方を包含することができる。同様に、図の1つの装置がひっくり返された場合、他の要素の「下」又は「下」に記載された要素は、他の要素の「上」に向けられる。したがって、「下」又は「下」の例示的な用語は、上及び下の両方の方向を含むことができる。
本明細書で使用するように、単数形の「a」、「an」及び「the」は、文脈上他に明確に指示しない限り、複数の指示対象を含むことに留意されたい。本明細書で使用される場合、用語「含む(comprises)」及び/又は「含む(comprising)」は、記載された特徴、ステップ、操作、要素及び/又は構成要素の存在を特定するが、ステップ、動作、要素、コンポーネント、及び/又はそれらのグループを含むが、それらに限定されない。
モノマー及びポリマーのための以下の式で使用される小文字は、特に整数を表す。
他に定義されない限り、本明細書で使用される全ての用語(技術用語及び科学用語を含む)は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。一般的に使用される辞書に定義された用語のような用語は、関連する技術及び本開示の文脈における意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、理想化された又は過度に正式な意味で使用することはできません。
本明細書で開示されるように、可視スペクトルにおいて光学的に透過性であり、電気的に絶縁性である新規なシロキサン粒子組成物は、ディスプレイ(例えば、OLED/AMOLED又はLCDディスプレイ等のLEDディスプレイ)等の半導体デバイス及びマイクロエレクトロニクス及びオプトエレクトロニックデバイス、電気絶縁層を全体にわたって利用する。特に、これに限定されるものではないが、スマートフォン、タブレット、ラップトップ及びノートブックのための抵抗性又は容量性のタッチスクリーン、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯ゲーム装置、パーソナルマルチメディアプレーヤー、プリンター、自動車用ディスプレイ、GPS/PNDナビゲーションデバイス等、小売、商業、及び産業環境におけるタッチスクリーン等、幅広い用途に使用されています。
しかしながら、このような製品の非タッチスクリーン版はまた、本明細書に開示されているようなシロキサン粒子絶縁及び光透過性材料から利益を得ることができる。
上述のように、LED及びLCDデバイスの両方は、誘電体層を組み込むことができる。そのような誘電体層は、LED又はLCDデバイス内のパッシベーション層、封止剤、厚膜又は薄膜誘電体等と見なすことができる。ディスプレイの1つの領域は、ディスプレイのタッチスクリーン部分の2つの導電層の間にある。以下の例は、タッチスクリーンディスプレイに関するものであるが、本明細書で開示されるような誘電材料は、特に透明絶縁材料が望ましいオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、誘電材料が必要とされる場所で使用することができる。
抵抗式タッチスクリーンでは、フレキシブルで透明な上部基板(例えば、ポリエステルのようなプラスチックフィルム)が、より剛性の下部基板(例えば、ガラス基板)から空気間隔をおいて間隔をおいて配置される。ユーザの指が可撓性のトップ基板に接触すると、ユーザの指は、下方の基板と接触するように撓む。接触点の電圧を測定し、接触点の位置を計算することができる。容量性タイプのタッチパネルでは、ディスプレイ(例えば、LCD又はLED画素のアレイ)上に、追加の基板が接続され、ガラス、ポリエステル、アクリル等の任意の適切な材料とすることができる。基板は、それらの間に誘電体層を有する導電性ラインのマトリックスを含む。上部カバーレンズは、アセンブリ全体を囲うように結合される。ユーザの指がカバー基板に接触すると、接触点に最も近い電極の測定された静電容量が増加し、静電容量の変化を測定してタッチの位置を計算することができる。表面容量性又は投影容量性の例は、本明細書で開示されるような導電性材料を両方とも組み込むことができる。カラーフィルタが形成された基板、TFTアレイが形成された基板、カバー基板等、様々な基板がディスプレイの一部であり、好ましくは絶縁性であり、可視光に対して高透過性である接着剤。層が、キャパシタ、パッシベーション層又は封入層、接着剤等として作用する2つの導電層の間の誘電体であるかどうかにかかわらず、本明細書で開示されるシロキサン粒子の透明性及び絶縁性フィルムは有用であり得る。
イチジク。図1は、オンセルのタッチスクリーン容量型ディスプレイの断面図である。この図から分かるように、ガラス又はポリマー等の適切な透明基板とすることができる基板2は、その上に偏光層1を有する。ガラス上には薄膜トランジスタアレイ3と液晶セル4のアレイが形成されている。その中にVCOM層5(共通電極)とカラーフィルタ6がガラス基板7上に配置されている。パターン化された導電層8、絶縁層9、及びパターン化された導電層10を含む。パターン化層10において、パターン線はページから出ているが、層8では、パターンは層10の線に対して直交するページ上の左右方向)。2つの導電層8と10の間には誘電体層9が配置されている。第2の偏光子は層11として示され、カバーガラス13は接着層12を介して構造体の残りの部分に接合されている。
Fig。図1に示すように、誘電体層9及び接着剤層12の両方は、同じ又は異なる配合で、以下に開示されるようなシロキサン粒子の透明及び絶縁層とすることができる。誘電体層は、粒子を含まなくてもよいが、好ましくは、1μm未満の平均粒子径を有するセラミック粒子等の粒子を含む。選択されたシロキサン材料及び粒子材料及びサイズ(以下に説明する)に応じて、透明度及び屈折率を調整することができる。パターン化された層8及び10のような、デバイスの導電性部分もまた、以下でより詳細に説明するように、シロキサン粒子材料で作製されることも可能である。デバイス内の複数の層(電気絶縁性と導電性の両方)に同じ又は同様の材料を使用することで、CTEと屈折率のマッチングが助けられ、デバイスの全体的な光学的及び寿命特性を改善することができる。
イチジク。図2は、セル内タッチスクリーン容量型ディスプレイの断面図である。図2に示すように、図2に示すように、ガラス基板22上には、偏光層21と薄膜トランジスタアレイ23とが設けられている。ディスプレイの容量性タッチスクリーン部分には、導電層24と導電層26との間に絶縁層25この例では、層26内のパターン化された電気ラインはページから出ているのに対して、層24のパターン化ラインはページ上で左から右へ水平に走っている。また、透明基板29上のLCDセル27及びカラーフィルタ28の層が図示されている。追加の透明基板32を上部に接合するための偏光層30及び接着剤層31がさらに設けられている。図1及び図2の透明基板は、1及び2は、ガラス又はポリマー(ポリエステル/ポリエチレンテレフタレート、アクリル/ポリメチルメタクリレート等)又は他の適切な光透過性基材から独立して作製することができる。図2と同様に、図1に示すように、接着層31及び絶縁層25は、絶縁性及び光透過性であるシロキサン粒子材料から作製することができる。また、導電層24及び26は、シロキサン粒子材料で形成することもできるが、導電性であるが、好ましくは可視光に対して高い透過性を有するものである。
図2に示すように、図3を参照すると、例示的な静電容量式タッチディスプレイ1の断面が増幅された形で示されている。図2に示すように、図3,9は、液晶表示層(液晶材料、カラーフィルタ、支持基板等)の簡略図である。その上には、ガラス、ポリエステル、アクリル等の任意の適切な材料とすることができる光透過性基板8が配置されている。基板8上には、図3の平面外に延びる導電パターン7があり、導電性シロキサン粒子材料を含む。これらの導電性バンドは、ディスプレイの全長にわたって延びている。導電性バンド上に形成されるのは、導電性バンド7の間の空間を充填して上に絶縁層を形成するように堆積され得る絶縁層6であるコンデンサ層である。この絶縁層は、好ましくは、セラミック粒子(例えば、酸化物又は窒化物粒子)及び可視スペクトルにおける光透過性のような、電気絶縁層を提供するように選択された粒子を有する、上記のようなシロキサン粒子材料である。導電性バンド7及び誘電体層6の両方は、好ましくは少なくとも80%、より好ましくは少なくとも90%、少なくとも92.5%、より好ましくは少なくとも80%、より好ましくは少なくとも90%、又は少なくとも95%である。
別ウィンドウ(タブ)の大きな表示で見る図3に示すように、パターニングされた導電性バンド5の追加の層が設けられている。この場合、導電性バンドは、誘電体層5の反対側のバンド7に垂直に(又は平行ではない)延在するストリップとして形成される。導電性ライン5は、ディスプレイの駆動ラインとすることができ、導電性ライン7は、センシングライン。ガラス、ポリエステル、アクリル、又は可視スペクトルの光に対して透過性の他の適切な材料とすることができる上部光透過性基板3も示されている。基板3は、接着剤4を介して接着され、可視光に対して透過性であるべきであり、本明細書に開示されるようなシロキサン材料を用いて、粒子を含むか含まないで作製されてもよい。デバイス内の複数の層に同じ又は類似の材料を利用することは、CTE及び屈折率を一致させるのに役立ち、デバイスの全体の光学的及び寿命の品質を改善することができる。
導電性バンド5(及び/又は導電性バンド7)の間の領域は、本明細書で開示される粒子を有するシロキサン材料であり得、電気的に絶縁性であり、かつ光学的に透過性である。領域9は、LCD画素(プラズマ、LED等)以外の表示画素であってもよく、導電領域は、上述したようなセル内タッチ表示のような液晶ディスプレイ9内に組み込まれてもよい。オンセル、インセル及びアウトセルタッチディスプレイは、その中に誘電性フィルムを利用する非タッチスクリーンディスプレイと同様に、本明細書で開示される電気絶縁性シロキサン粒子材料をすべて使用することができる。
ガラス上のタッチスクリーンディスプレイが図2の断面図に示されている。図4に示すように、図4に示すように、透光性基板50上には、透明導電層51、導電性ジャンパ52、及び誘電体層53(例えば、UV硬化絶縁層)が配置されている。また、金属トレース54、導電性パターン55、パッシベーション層56、及び追加の誘電体オーバーコート57が示されている。層52は高温で堆積され、層55は低温で堆積される。導電性層は、本明細書に開示するシロキサンポリマーとして提供することができるが、熱硬化後に導電性層を形成するように金属粒子で提供することができ、誘電体層は、酸化物又は窒化物粒子として形成され、熱又はUV処理によって硬化される。
非常に薄い層が望まれる場合には、シロキサン組成物の適用に溶剤は必要ないが、低極性シロキサン材料を提供するために、有機溶剤、非極性又は極性(プロトン性又は非プロトン性)を添加することが望ましい場合がある堆積された層の厚さを最小にするために低粘度の液体である。組成物の一部であるシロキサンポリマーの分子量を低下させるか、又は組成物中のシロキサンポリマーの代わりにモノマー(例えば、第1、第2及び/又は第3の化合物)を使用することにより、粘度を低下させ、所望であれば、厚さ(したがって、光透過率を増加させる)。シロキサン組成物がUV光に暴露されると反応することを可能にする界面活性剤及びUV感受性添加剤を加えることができる。アクリレートとしての官能性反応性基の選択は、UV光下での重合を助けることができる。
図1及び図2に示すように、図5a〜図5dを参照すると、UVパターニング可能な堆積方法が示されている。Fig。図5aに示すように、ガラス、石英、サファイア、ポリマー、半導体、セラミック、金属等の任意の適切な基板である基板70を提供することができる。シロキサン粒子組成物は、流体として堆積させることができる。液体又はゲルであり、好ましくはシリンジ堆積又はスクリーン印刷のようなプロセスによって分配される。スピンオン、ディップ、インクジェット、カーテン、ドリップ、ローラー、グラビア、逆オフセット、押出コーティング、スリットコーティング、スプレーコーティング、フレキソグラフィック等の他の堆積方法を使用することもできる。ウエハから個片化されていなくてもよいが、代わりに表示パネル、太陽電池等に使用される大きなガラスシートのような大きなシートから切断されたウエハ全体であってもよい。ロールツーロールプロセスで大きなシートに堆積することが可能である。さらに、基板70は、ウェハレベルで支持基板に接着させることができ、両方の基板を個々のダイに個別化する。ディスプレイ又は光電池の場合、ロールツーロールプロセスに組み込むことができる堆積方法が好ましい。
図2に示すように、図5bでは、マスク75がシロキサン層に隣接して配置され、UV光がマスクの開口を介してシロキサン層に供給される。UV光は、露光された領域72a内のシロキサン層を硬化させ、硬化させるが、未露光領域72bは、図7に示すように、柔らかいままである。5c。図2に示すように、図5dでは、パターン72aを残した未露光領域72bを除去するために現像液が使用される。シロキサン材料72を最初に塗布した後のソフトベークや、未露光領域72bを除去した後のハードベーク等、様々なベーク又は乾燥ステップを使用することができる。
上記のようにシロキサン材料を直接パターン形成するためにマスクを使用する代わりに、その上に堆積されたフォトレジスト層を介してシロキサン材料をパターン化することも可能である。そのようなプロセスでは、シロキサン層の堆積及びソフトベークの後に、フォトレジスト層がその上に堆積される。フォトレジストは、光に曝されるフォトレジストの部分がフォトレジスト現像液に対して可溶性になり、光に露光されないフォトレジストの部分が現像液に不溶性のままであるポジ型フォトレジストを含む、任意の好適なフォトレジスト材料とすることができる。あるいは、露光されたフォトレジストの部分が現像液に対して不溶性になり、フォトレジストの未露光部分が現像液に対して可溶性である場合に、ネガ型フォトレジストを使用することができる。SU−8、PMMA、DNQ/Novolac、PMGI等の任意の適切なフォトレジストを使用することができる。使用されるフォトレジストの種類にかかわらず、パターンがフォトレジスト材料内に形成される場合、パターンは、最終的にパターン形成されたシロキサン層を形成するために、下にあるシロキサン材料を選択的にUV露光するためのマスクとして働く
上述したように、シロキサン粒子層は、好ましくは、電気的に絶縁性であり、光学的に透過性であり、パターニング可能である。しかしながら、消費者及び他のデバイスにおける発熱の一般的な問題の観点から、放熱のためのシロキサン粒子層を提供することも可能である。したがって、シロキサン層は、光学的に透過性であり、パターン化されていてもいなくてもよく、電気的に絶縁性であるか、又は熱伝導性でないような熱伝導性層として提供することができる。電気的に絶縁性の材料(本明細書で述べるような種々の窒化物、酸化物等)の粒子は、その熱伝導性であるが電気的に絶縁性であるために選択することができる。もちろん、基板が光学的に透過性でないか、又はデバイス内の位置が可視スペクトルにおける高い光透過率を必要としない場合、熱伝導性で電気的に絶縁性の層は、粒子(タイプ、数量とサイズ)を選択します。また、誘電体シロキサン層は、パターン化されていない固体フィルムとして提供することができるが、連続フィルムとして硬化のためにUV光に単に露光される。このフィルムは、熱を加えることなくUVのみで架橋することができ、又は熱に敏感な装置の場合には熱が120℃未満又は100℃未満の場合等、UVと熱の組み合わせで硬化することができる。いくつかの場合には、UV誘導ラジカル又は光酸発生剤が誘電性フィルム中で横方向に非露光領域に移動して、非UV透明カバーガラスフレーム等の非露光領域で架橋及び硬化を引き起こすことが望ましい場合がある。
シロキサン組成物は、本明細書で開示されるようなカップリング剤、硬化剤、酸化防止剤、接着促進剤等を含み得る。特に、シロキサン材料は、入射UV光の照射時に反応するSi−O骨格上の反応性基を含む。現像液は、TMAH、KOH、NaOH等の任意の適切な現像液とすることができる。紫外光の代わりにレーザーパターニングを用いてシロキサン材料をパターン化することも可能である。
図2に示すように、図6を参照すると、電気絶縁材料のパターンを提供するための別のプロセスが示されている。図2に示すように、図6aを参照すると、基板80上に導電層82が堆積されている。導電層は、任意の好適な導電膜であることができるが、ここに開示されたシロキサン材料が好ましい。粒子が存在する場合、それらは導電性を付与するものでなければならない。金属粒子。図2に示すように、図6bに示すように、層82は、UV光等でパターン化される。パターニングは、レーザーパターニング又はホットエンボスのような他の適切なプロセスを用いてもよい。一旦、層82がマスク85を介してUV光86に露光されると、図8に示すように、図6cに示すように、未露光部分を除去して、基板80上に空の領域又は溝82b及び導電部分82aを残す(図6d)。その後、本明細書で開示されるような電気絶縁材料が空の領域に提供され、基板80上に電気絶縁パターンを提供する。
Fig。図6に示すように、形成された溝又はラインに堆積された電気絶縁材料は、好ましくは本明細書に開示されるシロキサン粒子材料であり、好ましくは、シリカ、石英、アルミナ、硫酸バリウム、アルミナ三水和物、窒化ホウ素、又はチタン、タンタル、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム又はセレンの酸化物である。シロキサン粒子材料は、導電性部分及び電気絶縁性部分の両方に使用することができ、一例では、両方のシロキサンが類似の、又は好ましくは同じ有機置換基(例えば、第1の化合物SiR1aR24−aのR2基であり、aは1〜3であり、R1は反応性基であり、R2はアルキル基又はアリール基である)、又は同じモノマーSiR1aR24−aが導電性材料及び電気絶縁性材料の両方のシロキサンポリマーを製造するために使用される。また、導電性材料が導電性材料とは異なる層に配置されている例では、例えば、カアクティブ・タッチ・スクリーンにおけるパターニングされた導電層の間のキャパシタ部分同じR2基及び/又は同じ出発モノマーを使用することができる。
パターニングされた導電層を形成する別の方法では、シロキサン材料とは別に基板上に最初に粒子を堆積させることが可能である。そのような場合、粒子は、有機溶媒又は水性溶媒溶液又は他の担体中に堆積されて、基材上にナノワイヤ「マトリックス」を形成することができる。乾燥又は溶剤を除去するための他の適切な方法の後、粒子「フィルム」が残る。その上に、本明細書に開示されるようなシロキサン材料が堆積される。シロキサン材料は、シロキサンを更に乾燥及び重合(例えば、熱及び/又はUV光の適用)して、最終的に硬化したシロキサンナノワイヤ層を形成するために溶媒で堆積することができる。又は、シロキサンは、所望の粘度を提供する所望の分子量で溶媒を添加せずに堆積され、続いてシロキサン材料を硬化及び硬化させるために熱又はUV光を適用することができる。この段階でケイ素含有モノマーを提供することも可能である(例えば、第1の化合物、第2の化合物、又は任意の第3の化合物、カップリング剤等)。その後、熱及び/又はUV光を、粒子及び重合したシロキサン。
本明細書で開示される電気絶縁層は、第1のパターン化電気絶縁性シロキサン粒子層及び第2の電気絶縁性層(パターン化されていてもいなくてもよい)のような、デバイス内の複数の層として提供することができる。同一又は類似のシロキサン材料であるが導電性を提供する粒子を有する同じ層内の電気絶縁部分の間の領域を有することも可能である。また、介在する導電層を、複数の電気絶縁性シロキサン層の間に設けることもできる。本明細書で開示されているものと同じ又は同様のシロキサン材料から作られた導電性部分及び電気絶縁性部分の両方で、CTEミスマッチの問題を低減することができる。
より詳細には、上記で言及したシロキサン粒子組成物に関して、シロキサンポリマーが提供される組成物が製造される。好ましくは、ポリマーは、アリール(又はアルキル)置換基及び官能性架橋置換基を有する酸化ケイ素骨格を有する。フィラー材料は、シロキサンポリマーと混合される。充填材料は、好ましくは、100μm以下、好ましくは10μm以下の平均粒子径を有する粒子を含む粒状材料である。加熱又はUV光(又は他の活性化方法)が組成物に与えられるとき、シロキサンポリマー中の官能性架橋基と反応する触媒が添加される。
モノマー(又はオリゴマー)カップリング剤が組成物に含まれ、好ましくはシロキサンポリマーの場合と同様に熱又は光の適用時に反応性である官能性架橋基を有する。組成物の最終用途に応じて、安定剤、酸化防止剤、分散剤、接着促進剤、可塑剤、軟化剤、及び他の潜在的成分等の追加の材料も加えることができる。好ましい実施形態では、溶媒を添加することができるが、組成物は溶媒を含まず、そのように貯蔵及び輸送される溶媒を含まない粘性流体である。
上述のように、本明細書に開示されるように製造される組成物は、シロキサンポリマーを含む。シロキサンポリマーを製造するために、化学式SiR1aR24−a(式中、aは1〜3であり、R1は反応性基であり、R2はアルキル基又はアリール基である)を有する第1の化合物が提供される。化学式SiR3bR4cR54−(b+c)(式中、R3は架橋官能基であり、R4は反応性基であり、R5はアルキル又はアリール基であり、b=1〜2である)を有する第2の化合物も提供される。、c=1〜(4−b)である。任意の第3の化合物が、第1及び第2の化合物と一緒に重合されるように提供される。第3の化合物は、R9が反応性基であり、f=1〜4であり、R10がアルキル基又はアリール基であり、g=4−fである化学式SiR9fR10gを有することができる。第1、第2及び第3の化合物は、任意の順序で提供することができ、これらモノマーの代わりにこれらの化合物のオリゴマー部分重合形態を提供することができる。
このような化合物が複数のアリール基又はアルキル基のような単一のタイプの「R」基又は複数の反応性基又は複数の反応基を有する場合、第1、第2及び第3の化合物、複数のR基は、それぞれの存在で同じであるか又は異なっているように独立して選択される。例えば、第1の化合物がSiR12R22である場合、複数のR1基は、互いに同一又は異なるように独立して選択される。同様に、複数のR2基は、互いに同じ又は異なるように独立して選択される。他に明記されていない限り、本明細書に記載の他の化合物についても同様である。
触媒もまた提供される。触媒は、後述するように、塩基触媒又は他の触媒であってもよい。提供される触媒は、第1及び第2の化合物を一緒に重合させることができるべきである。上記のように、化合物及び触媒の添加の順序は、任意の所望の順序であり得る。一緒に提供される種々の成分は、所望の分子量及び粘度を有するシロキサンポリマー材料を生成するために重合される。重合後、カップリング剤、触媒、安定剤、接着促進剤等の他の任意成分と一緒に、微粒子、ナノ粒子又は他の所望の粒子のような粒子が添加される。組成物の成分の組み合わせは、任意の所望の順序で行うことができる。
より具体的には、一例では、シロキサンポリマーは、第一の化合物が1〜3である化学式SiR1aR24−Aを有し、第一及び第二の化合物を重合することによって作製され、R1は、反応性基であり、R2はアルキル基でありますアリール基、及び第二の化合物は、化学式SiR3bR4cR54−R3は、架橋性官能基は、(B+C)を有し、R4は、反応性基であり、R5は、アルキル又はアリール基であり、ここで、b=12、c=1〜(4−b)である。
第1の化合物は、化合物中のケイ素に結合した1〜3個のアルキル基又はアリール基(R2)を有することができる。異なるアルキル基、異なるアリール基の組み合わせ、又はアルキル基とアリール基の両方の組み合わせが可能である。アルキル基の場合、アルキルは好ましくは1〜18個、より好ましくは1〜14個、特に好ましくは1〜12個の炭素原子を含有する。より短いアルキル基、例えば1〜6個の炭素(例えば、2〜6個の炭素原子)が想定される。アルキル基は、1つ以上、好ましくは2つのC1〜C6アルキル基でα位又はβ位で分岐していてもよい。特に、アルキル基は、メチル及びハロゲンから選択される1〜3個の置換基を有していてもよい、1〜6個の炭素原子を含む低級アルキルである。メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、i−ブチル及びt−ブチルが特に好ましい。シクロヘキシル、アダマンチル、ノルボルネン又はノルボルニルのような環状アルキル基も可能である。
R2がアリール基である場合、アリール基は、環上のハロゲン、アルキル又はアルケニルから選択される1〜5個の置換基を任意に有するフェニルであってもよく、又は場合によりハロゲンアルキル又はアルケニルから選択される1〜置換基は任意にフッ素化されている(過フッ素化又は部分フッ素化を含む)。アリール基がポリ芳香族基である場合、ポリ芳香族基は、例えばアントラセン、ナフタレン、フェナントレン、場合により1〜8個の置換基を有していてもよいテトラアルキル又はアルキル、アルケニル、アルキニル又は炭素数1〜12のアリール基。このようにして、フェニル等の単一環構造もシリコン原子から離間していてもよい。
シロキサンポリマーは、重合反応、好ましくは第1の化合物と第2の化合物との間の塩基触媒重合反応を実施することによって製造される。以下に示すように、任意の追加の化合物を重合反応の一部として含めることができる。
第1の化合物は、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシル、アミン又はアシルオキシ基等の任意の適切な反応性基R1を有することができる。例えば、第1の化合物の反応性基が−OH基である場合、第1の化合物のより具体的な例は、ジフェニルシランジオール、ジメチルシランジオール、ジイソプロピルシランジオール、ジ−n−プロピルシランジオール、ジ−n−ブチルシランジオール、ジ−t−ブチルシランジオール、ジ−イソブチルシランジオール、フェニルメチルシランジオール及びジシクロヘキシルシランジオールが挙げられる。
第2の化合物は、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシル、アミン又はアシルオキシ基等の任意の適切な反応性基R4を有することができ、第1の化合物の反応性基と同じでも異なっていてもよい。基R5は、第2化合物中に存在する場合、第1化合物中の基R2のような独立してアルキル基又はアリール基である。アルキル又はアリール基R5は、第1の化合物の基R2と同じであっても異なっていてもよい。
第2の化合物の架橋反応性基R3は、酸、塩基、ラジカル又は熱触媒反応によって架橋することができる任意の官能基であり得る。これらの官能基は、例えば、任意のエポキシド、オキセタン、アクリレート、アルケニル又はアルキニル基であり得る。
エポキシド基の場合、それは、酸、塩基及び熱触媒反応を用いて架橋することができる3つの環原子を有する環状エーテルであり得る。これらのエポキシド含有架橋基の例は、グリシドキシプロピル基及び(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基であり、
オキセタン基の場合、それは、酸、塩基及び熱触媒反応を用いて架橋することができる4つの環原子を有する環状エーテルであり得る。このようなオキセタン含有シランとしては、3−(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)プロピルトリエトキシシラン、3−(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)プロピルトリエトキシシラン、3−(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)プロピルトリメトキシシラン又は3−−メチル−3−オキセタニルメトキシ)プロピルトリメトキシシランを挙げることができる。
アルケニル基の場合、そのような基は、好ましくは2〜18個、より好ましくは2〜14個、特に好ましくは2〜12個の炭素原子を有することができる。エチレン性、すなわち二重結合で結合した2個の炭素原子は、好ましくは分子中のSi原子に関連して2位以上に位置する。分枝鎖アルケニルは、好ましくは、1つ以上、好ましくは2つのC1〜C6アルキル、アルケニル又はアルキニル基、場合によりフッ素化又はペルフルオロアルキル、アルケニル又はアルキニル基でα位又はβ位で分岐している。
アルキニル基の場合、好ましくは2〜18個、より好ましくは2〜14個、特に好ましくは2〜12個の炭素原子を有することができる。エチル基、すなわち三重結合で結合した2個の炭素原子は、好ましくは分子中のSi又はM原子に関連して2位以上に位置する。分枝状アルキニルは、好ましくは1つ以上、好ましくは2つのC1〜C6アルキル、アルケニル又はアルキニル基、場合により過フッ素化アルキル、アルケニル又はアルキニル基でアルファ又はベータ位で分岐している。
チオール基であれば、炭素結合スルフヒドリル基を含む有機硫黄化合物であればよい。チオール含有シランの例は、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン及び3−メルカプトプロピルトリエトキシシランである。
第2の化合物の反応性基は、アルコキシ基であってもよい。アルコキシ基のアルキル残基は、直鎖であっても分枝鎖であってもよい。好ましくは、アルコキシ基は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ及びt−ブトキシ基等の炭素原子数1〜6の低級アルコキシ基を含む。第2の化合物の特定の例は、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート、3−(トリメトキシシリル)プロピルアクリレート、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、又は3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
第3の化合物は、第1及び第2の化合物と一緒に重合されるように提供されてもよい。第3の化合物は、R9が反応性基であり、f=1〜4であり、R10がアルキル基又はアリール基であり、g=4−fである化学式SiR9fR10gを有することができる。このような例の1つはテトラメトキシシランである。他の例としては、フェニルメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジメトキシシランシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、プロピルエチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランが挙げられる。
第1及び第2の化合物の重合は、酸触媒を用いて行うことができるが、塩基触媒が好ましい。第1の化合物と第2の化合物との間の塩基触媒重合において使用される塩基触媒は、任意の適切な塩基性化合物であり得る。これらの塩基性化合物の例は、トリエチルアミン及び水酸化バリウム、水酸化バリウム一水和物、水酸化バリウム八水和物等の任意のバリウム水酸化物のような任意のアミンである。他の塩基性触媒としては、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、アンモニア、過塩素酸アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、イミダゾール又はn−ブチルアミンが挙げられる。1つの特定の例において、塩基触媒はBa(OH)2である。塩基触媒は、第1及び第2の化合物と一緒に、0.5%未満の重量パーセントで、又は0.1%未満の重量パーセント等のより低い量で提供することができる。
重合は、溶融相又は液体媒体中で行うことができる。温度は約20〜200℃、典型的には約25〜160℃、特に約40〜120℃の範囲である。一般に、重合は周囲圧力で行われ、最高温度は使用される溶媒の沸点によって設定される。重合は還流条件で行うことができる。他の圧力及び温度も可能である。第1の化合物対第2の化合物のモル比は、95:5〜5:95、特に90:10〜10:90、好ましくは80:20〜20:80であることができる。好ましい例では、第1の化合物と第2の化合物のモル比(又は重合反応に関与する他の化合物+第2の化合物)は、少なくとも40:60、さらには45:55又はそれ以上である。
一例では、第1の化合物は反応性基として−OH基を有し、第2の化合物は反応性基としてアルコキシ基を有する。好ましくは、添加される第1の化合物の量に対する−OH基の総数は、反応基の総数以下である。第2の化合物(又は第2の化合物+アルコキシ基が付加された任意の他の化合物、例えば添加されたテトラメトキシシラン又は重合反応に関与する他の第3の化合物)中の反応性基の総数よりも少ない、広告)。アルコキシ基がヒドロキシル基の数を上回ると、−OH基の全て又は実質的に全てが反応し、アルコキシシランがメトキシシランであればメタノールのようなシロキサンから、アルコキシシランがエトキシシランであればエタノールから除去される。−OH基と第2の化合物(好ましくは−OH基以外)の反応性基の数とは実質的に同じであることができるが、第2の化合物中の反応性基の総数は、−OH基を10%以上、好ましくは25%以上含むことができる。いくつかの実施形態では、第2の化合物反応性基の数は、第1の化合物−OH基の数よりも40%以上、又は60%以上、75%以上、又は100%以上高い。選択された化合物に依存する重合反応のメタノール、エタノール又は他の副生成物は、重合後に除去され、好ましくは乾燥室で蒸発される。
得られたシロキサンポリマーは、所望の(重量平均)分子量、例えば500〜100,000g/モルを有する。分子量は、この範囲の下限(例えば、500〜10,000g/mol、又はより好ましくは500〜8,000g/mol)であり得るか、又はオルガノシロキサン材料は、この範囲の上端に分子量を有し得る10,000〜100,000g/mol、より好ましくは15,000〜50,000g/mol等)である。低分子量のポリマーオルガノシロキサン材料を、より高分子量のオルガノシロキサン材料と混合することが望ましい場合がある。
得られたシロキサンポリマーは、ポリマーの所望の最終用途に応じて追加の構成要素と組み合わせることができます。 好ましくは、シロキサンポリマーは、20ミクロン未満などの100ミクロン未満、好ましくは50ミクロン未満の平均粒径を有する粒子を有する粒子状の充填剤として、組成物を形成するために充填剤と組み合わされます。 追加の成分は、シロキサン材料の所望の最終用途に応じて触媒や硬化剤、一つ以上のカップリング剤、分散剤、酸化防止剤、安定剤、接着促進剤、および/または他の所望の成分として、組成物の一部であってもよいです。 一例では、その金属形態への酸化表面を低減することができる還元剤が含まれています。 還元剤は、それらが表面酸化を有する金属粒子である場合、粒子から酸化を除去し、及び/又はシロキサン粒子材料との間の電気的接続を向上させるために、例えば金属ボンディング・パッドまたは他の金属又は酸化している導電性領域から酸化除去することができますそれが堆積または付着される表面。低減または安定化剤がエチレングリコールを含むことができ、β-D-グルコース、ポリエチレンオキシド、グリセロール、1,2-プロピレングリコール、N、N-ジメチルホルムアミド、ポリナトリウムacyrylate(PSA)、polyacyrylic酸とβシクロデキストリン、ジヒドロキシベンゼン、ポリビニルアルコール、1,2 - プロピレングリコール、ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウム、アスコルビン酸、ハイドロキノンファミリー、没食子酸、ピロガロール、グリオキサール、アセトアルデヒド、グルタルアルデヒド、脂肪族ジアルデヒドファミリー、パラホルムアルデヒド、錫粉末、亜鉛粉末、ギ酸。 このような安定化剤として添加剤、例えば例えば、イルガノックスなどの抗酸化剤(以下に記載のように)またはジアジン誘導体を添加することもできます。
架橋シリコンまたは非シリコン系樹脂およびオリゴマーは、シロキサンポリマーの間の架橋を増強するために使用することができます。 追加された架橋オリゴマー又は樹脂の機能は、シロキサンポリマーの機能により選択されます。 例えば、エポキシ系アルコキシシランは、シロキサンポリマーの重合の間に使用された場合には、エポキシ官能性オリゴマー又は樹脂を用いることができます。エポキシオリゴマーまたは樹脂は、任意のジ、トリ、テトラ、またはより高い官能性のエポキシオリゴマー又は樹脂であることができます。 これらのエポキシオリゴマー又は樹脂の例としては、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-bis2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチル基、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-bisglycidoxypropylすることができビス(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、1,4-シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ジグリシジル1,2-シクロヘキサン、いくつかを言及します。
硬化剤は、最終製剤に添加すると、開始および/またはシロキサンポリマー中の官能基の硬化プロセスを加速することができる任意の化合物です。 これらの硬化剤は、熱及び/又はUV活性化のいずれかであり得ます。 上述したように、シロキサンポリマー中の架橋基は、好ましくは、エポキシド、オキセタン、アクリレート、アルケニルまたはアルキニル基です。 硬化剤は、シロキサンポリマー中の架橋性基に基づいて選択されます。
一実施形態では、エポキシおよびオキセタン基のための硬化剤は、このような活性を遮断または減少を示し、一次および/または二級アミン等の硬化剤を含有する窒素から選択することができます。 定義は、「ブロックまたは反応性の減少を表示する第一級又は第二級アミン」は、化学的または物理的障壁のために不可能であるか、または唯一の樹脂成分と反応し、非常に低い能力を有するこれらのアミンを意味するが、の解放後に、その反応性を再生することができますアミン、例えば圧力または超音波のまたは他のエネルギータイプの作用によって、シース又はコーティングを除去することにより、上昇した温度でそれを溶融し、樹脂成分の硬化反応が開始します。
熱活性化可能な硬化剤の例としては、少なくとも1つの有機ボラン又はボランと少なくとも1つのアミンとの錯体が挙げられる。アミンは、有機ボラン及び/又はボランを錯化し、必要に応じて錯体化して有機ボラン又はボランを遊離させることができる任意のタイプのアミンであり得る。アミンは、様々な構造、例えば任意の第1級アミン又は第2級アミン又は第1級アミン及び/又は第2級アミンを含有するポリアミンを含むことができる。有機ボランは、アルキルボランから選択することができる。これらの熱活性化可能な特に好ましいボラン化合物の例は、三フッ化ホウ素である。適切なアミン/(有機)ボラン錯体は、King Industries、AiRProducts、及びATO−Tech等の商業的供給元から入手可能である。
エポキシ基のための他の熱活性化硬化剤は、エポキシの架橋反応を触媒するために高温で強酸を放出することができる熱酸発生剤である。これらの熱酸発生剤は、例えば、BF4−、PF6−、SbF6−、CF3SO3−及び(C6F5)4B−のタイプの錯陰イオンを有するスルホニウム及びヨードニウム塩のような任意のオニウム塩であり得る。これらの熱酸発生剤の市販品としては、キングインダストリーズ社製のK−PURE CXC−1612及びK−PURE CXC−1614が挙げられる。
さらに、エポキシ及び/又はオキセタン含有ポリマーに関して、例えば、無水物、アミン、イミダゾール、チオール等のような接着剤配合物の硬化に関与するか又は硬化を促進するように設計された硬化剤、共硬化剤、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩、トリ−アリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、ジアゾニウム塩等の無機塩、に使える。
アクリレート、アルケニル及びアルキニル架橋基の場合、硬化剤は、熱活性化又はUV活性化のいずれかであり得る。熱活性化の例は、過酸化物及びアゾ化合物である。過酸化物は、不安定な酸素−酸素単結合を含有する化合物であり、溶血性切断によって反応性基に容易に分割される。アゾ化合物は、窒素ガスと2つの有機ラジカルに分解することができるR−N=n−R官能基を有する。これらの場合の両方において、基はアクリレート、アルケニル及びアルキニル結合の重合を触媒することができる。過酸化物及びアゾ化合物の例は、過酸化ジ−tert−ブチル、過酸化ジ−t−ブチル、過酸化tert−ブチル、過酸化tert−ブチル、過酸化tert−ブチル、(4−シアノペンタン酸)、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩、ジフェニルジアゼイン、アゾジカルボン酸ジエチル(ジエチルアゾジカルボキシレート)、ジエチルアゾジカルボキシレート及び1,1’−アゾビス(シクロヘキサンカルボニトリル)を挙げることができる
光開始剤は、光に暴露されるとフリーラジカルに分解し、したがって、アクリレート、アルケニル及びアルキニル化合物の重合を促進することができる化合物である。これらの光開始剤の市販品としては、イルガキュア149、イルガキュア184、イルガキュア369、イルガキュア500、イルガキュア651、イルガキュア784、イルガキュア819、イルガキュア907、イルガキュア1700、イルガキュア1800、イルガキュア1850、イルガキュア2959、イルガキュア1173、。
硬化剤を系に組み込む1つの方法は、硬化剤として作用することができる硬化剤又は官能基をシランモノマーに結合させることである。従って、硬化剤は、シロキサンポリマーの硬化を促進する。3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−(トリエトキシシリル)プロピルコハク酸無水物、3−(トリメトキシシリル)プロピルコハク酸無水物、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランモノマーに結合したこれらの種類の硬化剤の例は、γ−イミダゾリルプロピルトリエトキシシラン、γ−イミダゾリルプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
接着促進剤は、組成物の一部であってもよく、硬化生成物と、製品が塗布された表面との間の接着性を高めることができる任意の適切な化合物であり得る。最も一般的に使用される接着促進剤は、アルコキシシラン及び1〜3個の官能基を有する官能性シランである。(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート、3−(トリメトキシシリル)プロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3−メトキシプロピルトリメトキシシラン、)プロピルアクリレート、(3−グリシジルオキシプロピル)トリメトキシシラン、又は3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン及び3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン。
形成された重合シロキサンは、ケイ素含有出発物質に依存してその上に有機官能基を有する[Si−O−Si−O]n反復主鎖を有する。しかしながら、[Si−O−Si−C]n又は[Si−O−Me−O]n(Meは金属である)骨格を達成することも可能である。
[Si−O−Si−C]骨格を得るために、式

R23−aR1aSiR11SiR1bR23−b

ここで
aは1〜3であり、
bは1〜3であり、
R1は上記のような反応基であり、
R2は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコール、カルボン酸、ジカルボン酸、アリール、ポリアリール、多環式アルキル、ヘテロ環式脂肪族、ヘテロ環式芳香族基であり、
R11は独立してアルキル基又はアリール基であり、
又は1000g/mol未満の分子量を有するそれらのオリゴマー、
上述したように、第1、第2及び第3の化合物又はこれらの任意の組み合わせと一緒に重合させることができる。
これらの化合物の例は、1,2−ビス(ジメチルヒドロキシルシリル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(メトキシジメチルシリル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)プロパン、1,3−ビス(メトキシジメチルシリル)プロパン、1,3−ビス(メトキシジメチルシリル)プロパン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)プロパン、1,3−ビス(トリエトキシシリル)プロパン、1,4−ビス(ジメチルヒドロキシルシリル)ブタン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ブタン、1,4−ビス(ジメトキシメチルシリル)ブタン、1,4−ビス(メトキシジメチルシリル)ブタン、1,4−ビス1,5−ビス(ジメチルヒドロキシルシリル)ペンタン、1,5−ビス(トリメトキシシリル)ペンタン、1,5−ビス(ジメトキシメチルシリル)ペンタン、1,5−ビス(メトキシジメチルシリル)ペンタン、1,5−ビス(トリエトキシシリル)ヘキサン、1,6−ビス(メトキシジメチルシリル)ヘキサン、1,6−ビス(メトキシジメチルシリル)ヘキサン、1,6−ビスビス(トリエトキシシリル)フェナントレン、ビス(トリメトキシシリル)ノルボルネン、1,4−ビス(ジメチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(メトキシジメチルシリル)ベンゼン及び1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼンが挙げられる。
[Si−O−Si−C]骨格を得るための一実施形態では、式

R53−(c+d)R4dR3cSiR11SiR3eR4fR53−(e+f)

ここで
R3は架橋官能基であり、
R4は反応性基であり、
アリール基、ポリアリール基、多環式アルキル基、ヘテロ環式脂肪族基、ヘテロ環式芳香族基、複素環式芳香族基、複素環式芳香族基、
R12は独立してアルキル基又はアリール基であり、
c=1〜2、d=1〜(3−c)、e=1〜2、f=1〜(3−e)
又は1000g/mol未満の分子量を有するそれらのオリゴマー、
本明細書に記載の第1、第2、第3の化合物、又はこれらの任意の組み合わせと一緒に重合される。
これらの化合物の例は、1,2−ビス(エテニルジメトキシシリル)エタン、1,2−ビス(エチニルジメトキシシリル)エタン、1,2−ビス(エチニルジメトキシ)エタン、1,2−ビス(3−グリシドキシプロピルジメトキシシリル)エタン、1,2 1,2−ビス(プロピルメタクリル化メトキシシリル)エタン、1,4−ビス(エテニルジメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(エチニルジメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス1,4−ビス[2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルジメトキシシリル]ベンゼン、1,4−ビス(プロピルメタクリル化メトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス言及しない。
一実施形態では、分子式

(a+b)Si−O−SiR22−O−SiRaRbR33−(a+b)

ここで
R1は上記のような反応基であり、
R2は、上で説明したようなアルキル又はアリールであり、
R3は上記のような架橋性官能基であり、
a=0〜3、b=0〜3、
先に言及したシランと重合させるか、又は最終配合物に添加剤として添加する。
これらの化合物の例は、1,1,5,5−テトラメトキシ−1,5−ジメチル−3,3−ジフェニルトリシロキサン、1,1,5,5−テトラメトキシ−1,3,3,5−テトラフェニルトリシロキサン、1,1、5,5−テトラエトキシ−3,3−ジフェニルトリシロキサン、1,1,5,5−テトラメトキシ−1,5−ジビニル−3,3−ジフェニルトリシロキサン、1,1,5,5−テトラメトキシ−1,5−ジメチル−3,3−ジイソプロピルトリシロキサン、1,1,1,5,5,5−ヘキサメトキシ−3,3−ジフェニルトリシロキサン、1,5−ジメチル−1,5−ジエトキシ−3,3−ジフェニルトリシロキサン、1,5−ビス(メルカプトプロピル)−1,1,5,5−テトラメトキシ−3,3−ジフェニルトリシロキサン、1,5−ジビニル−1,1,5,5−テトラメトキシ−3−フェニル−3−メチルトリシロキサン、1,5−ジビニル−1,3,5−トリメチル−1,1,5,5−テトラメトキシ−3−シクロヘキシル−3−メチルトリシロキサン、1,1,7,7−テトラメトキシ−1,7−ジビニル−3,3,5,5−テトラメチルテトラシロキサン、1,1,7,7−テトラエトキシ−3,3,5,5−テトラメチルテトラシロキサン、1,1,5,5−テトラエトキシ−3,3−ジメチルトリシロキサン、1,1,1,2−テトラエトキシ−3,3−ジメチルトリシロキサン、5,5−テトラメトキシ−1,5−[2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]−3,3−ジフェニルトリシロキサン、1,1,5,5−テトラメトキシ−1,5−(3−グリシドキシプロピル)−3、3−ジフェニルトリシロキサン、1,5−ジメチル−1,5−ジメトキシ−1,5−[2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]−3,3−ジフェニルトリシロキサン、1,5−ジメチル−1,5−1,5−(3−グリシドキシプロピル)−3,3−ジフェニルトリシロキサンを挙げることができる。
組成物に添加される添加剤(上記のようなシロキサン材料の重合後)は、式

R1aR2bSiR34−(a+b)

ここで
R1はヒドロキシル、アルコキシ又はアセチルオキシのような反応性基であり、
R2はアルキル又はアリール基であり、
R3は、エポキシ、オキセタン、アルケニル、アクリレート又はアルキニル基のような架橋化合物であり、
a=0〜1、b=0〜1である。
このような添加剤の例は、トリ−(3−グリシドキシプロピル)フェニルシラン、トリ−[2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]フェニルシラン、トリ−(3−メタクリロキシプロピル)フェニルシラン、トリ−(3−アクリロキシプロピル)フェニルシラン、(3−グリシドキシプロピル)シラン、テトラ−[2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]シラン、テトラ−(3−メタクリロキシプロピル)シラン、テトラ−(3−アクリロキシプロピル)シラン、(3−メタクリルオキシプロピル)p−トリルシラン、トリ−(3−アクリロキシプロピル)p−トリルシラン、トリ−(3−グリシドキシプロピル)ヒドロキシルシラン、トリ−[2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]ヒドロキシルシラン、トリ−(3−メタクリロキシプロピル)ヒドロキシルシラン、トリ−(3−アクリロキシプロピル)ヒドロキシルシラン。
添加剤は、主ポリマーマトリックスと反応するか又は反応しないので、可塑剤、軟化剤、又はシリコーンのようなマトリックス改質剤として作用する任意の有機又はシリコーンポリマーであってもよい。添加剤は、SiOx、TiOx、AlOx、TaOx、HfOx、ZrOx、SnOx、ポリシラザン等の無機重縮合物であってもよい。
シロキサン組成物に添加される粒子は、シリカ、石英、アルミナ、窒化アルミニウム、シリカで被覆された窒化アルミニウム、硫酸バリウム、三水和アルミナ、窒化ホウ素、窒化ホウ素等の非導電性材料から形成することができるフィラーは、粒子又はフレークの形態であってよく、マイクロサイズ又はナノサイズであり得る。フィラーは、金属又は半金属の窒化物、酸窒化物、炭化物及びオキシ炭化物であるセラミック化合物粒子を含むことができる。特に、ケイ素、亜鉛、アルミニウム、イットリウム、イッテルビウム、タングステン、チタンシリコン、チタン、アンチモン、サマリウム、ニッケル、ニッケルコバルト、モリブデン、マグネシウム、マンガン、ランタニドの酸化物であるセラミック粒子、鉄、インジウムスズ、銅、コバルトアルミニウム、クロム、セシウム又はカルシウムである。粒子は、窒化アルミニウム、窒化タンタル、窒化ホウ素、窒化チタン、窒化銅、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化鉄、窒化ケイ素、窒化インジウム、窒化ガリウム又は窒化炭素のような窒化物粒子であってもよい。
カーボンブラック、グラファイト、グラフェン、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウム等の導電性材料(同じデバイス内の導電性又は他の層用等)で粒子フィラーを形成することもできる。銀めっきされた銅、銀めっきされた銅、金めっきされた銅、金及びニッケルめっきされた銅、又は金、銀−金、銀、ニッケル、スズ、白金、ポリアクリレート、ポリスチレン又はシリコーンのようなチタンメッキされたポリマーが挙げられるが、これらに限定されない。充填材は、シリコン、n型又はp型ドープシリコン、GaN、InGaN、GaAs、InP、SiC等の半導体材料であってもよいが、これらに限定されない。さらに、充填剤は、量子ドット又は表面プラズモン粒子又は燐光体粒子であってもよい。Ge、GaP、InAs、CdSe、ZnO、ZnSe、TiO2、ZnS、CdS、CdTe等の他の半導体粒子又は量子ドットも可能である。
あるいは、充填剤は、例えば、導電層は、金、銀、銅、白金、パラジウム、インジウム、鉄、ニッケル、アルミニウム、炭素、コバルト、ストロンチウム、亜鉛、モリブデン、チタン銀メッキされたアルミニウム、ビスマス、スズ、ビスマス−スズ合金、銀メッキされた繊維、又はこれらの合金又はこれらの組み合わせからなる群から選択される。半金属及びメタロイドと同様に、遷移金属粒子である金属粒子(初期の遷移金属であろうと遅い遷移金属であろうと)が想定される。ヒ素、アンチモン、テルル、ゲルマニウム、シリコン、及びビスマス等の半金属又はメタロイド粒子が想定される。
炭素を含み、カーボンブラック、グラファイト、グラフェン、ダイヤモンド、炭窒化ケイ素、炭窒化チタン、カーボンナノバッド及びカーボンナノチューブから選択される粒子も可能である。充填剤の粒子は、炭化鉄、炭化ケイ素、炭化コバルト、炭化タングステン、炭化ホウ素、炭化ジルコニウム、炭化クロム、炭化チタン又は炭化モリブデンのような炭化物粒子であってもよい。
最終用途に応じて、任意の適切なサイズの粒子を使用することができる。多くの場合、100μm未満、好ましくは50未満又は20μm未満の平均粒子径を有する小粒子が使用される。しかし、より高い光透過率を得るためには、1μm未満のサブμm粒子、例えば、1〜500nm、例えば200nm未満、例えば1〜100nm、又はさらに10nm未満であることも想定される。他の例では、5〜50nm、又は15〜75nm、100nm未満、又は50〜500nmの平均粒子径を有する粒子が提供される。50nm未満の平均粒子径を有するナノ粒子が望ましい。25nm未満である。一般に、改善された光透過率のために、それを通過する電磁放射線の波長よりも小さい平均粒子径を有する粒子を提供することが望ましい場合がある。可視光線が400〜700nmの範囲内にある可視光線装置(ディスプレイ、ランプ等)の場合、粒子は700nm未満、より好ましくは400nm未満の平均粒子径を有することが好ましい。
細長い粒子、例えば、円滑なエッジ又は粗いエッジを有する平らな円盤状の外観を有するフレークが可能であり、細長いウィスカー、シリンダー、ワイヤ及び他の細長い粒子(アスペクト比が5:1又はそれ以上であるもの等)も可能である、又は10:1以上である。非常に長いアスペクト比を有するナノワイヤ及びナノチューブのような非常に細長い粒子も可能であるが、光透過性の目的のために、400nm未満の最大平均寸法が好ましい。ナノワイヤ又はナノチューブの高アスペクト比は、25:1以上、50:1以上、又は100:1以上であってもよい。ナノワイヤ又はナノチューブの平均粒子径は、長さが非常に長く、長さがセンチメートルまでであっても、最小寸法(幅又は直径)を基準にしています。本明細書で使用される「平均粒子径」という用語は、粒子の50体積%がその値よりも小さい直径を有する累積体積分布曲線のD50値を指す。
充填剤及びシロキサンポリマーとのカップリングを高めるために、カップリング剤を使用することができる。このカップリング剤は、フィラーとポリマーとの間の接着力を増加させ、したがって最終製品の熱伝導率及び/又は電気伝導率を高めることができる。カップリング剤は、式

R13hR14iSiR15j

ここで
R13は、ハロゲン、ヒドロキシル、アルコキシ、アセチル又はアセチルオキシのような反応性基であり、
R14はアルキル基又はアリール基であり、
R15は、エポキシ、無水物、シアノ、オキセタン、アミン、チオール、アリル、アルケニル又はアルキニルを含む官能基であり、
h=0〜4、I=0〜4、j=0〜4、h+i+j=4である。
カップリング剤は、最終生成物が調製されるときに充填剤、シロキサンポリマー、硬化剤及び添加剤と直接混合され得るか、又は充填剤粒子が粒子と混合される前にカップリング剤によって処理され得る。
粒子は、表面処理の有無にかかわらず、シロキサン材料に提供することができる。表面を最初に処理する場合、表面はカルボン酸、PVPまたはPVAのような有機材料でコーティングすることができ、アミン、チオール、シラン又はそれらの組み合わせであり得る。
粒子を最終処方で使用する前にカップリング剤で処理する場合、アルコール溶液からの沈着、水溶液からの沈着、充填剤へのバルク沈着及び無水液相沈着のような異なる方法を用いることができる。アルコール溶液からの析出では、アルコール/水溶液が調製され、溶液のpHはわずかに酸性(pH4.5−5.5)に調整される。この溶液にシランを加え、数分間混合して部分的に加水分解させる。次に、充填剤粒子を添加し、溶液を室温から還流温度まで種々の時間混合する。混合後、粒子を濾過し、エタノールでリンスし、オーブン中で乾燥させてカップリング剤により表面処理された粒子を得る。水溶液からの堆積は、アルコール溶液からの堆積と同様であるが、アルコールの代わりに、純粋な水が溶媒として使用される。官能化されたアミンを使用しない場合は、酸によりpHを再び調節する。粒子を水/シラン混合物と混合した後、粒子を濾過し、すすぎ、乾燥させる。
バルクデポジション法とは、シランカップリング剤を水やpHを調整することなく溶媒と混合する方法です。充填剤粒子は、スプレーコーティングのような異なる方法を用いてシランアルコール溶液でコーティングされ、次いでオーブン中で乾燥される。
無水液相析出では、シランをトルエン、テトラヒドロフラン又は炭化水素のような有機溶媒と混合し、充填剤粒子をこの溶液中で還流させ、余分な溶媒を真空又は濾過によって除去する。その後、オーブン中で粒子を乾燥させることもできるが、時には、還流条件下で粒子と充填剤との間の直接反応のために必要でない。
このようなシランカップリング剤の例は、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシランである。(p−トリメチルシリルプロピル)ポリエチレンイミン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、1−トリメトキシシリル−2(p、m−クロロメチル)フェニルエタン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−トリメトキシシリルプロピルトリエトキシシラン、3−(トリエトキシシリル)プロピル]テトラスルフィド、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、2−(ジフェニルホスフィノ)エチルトリエトキシシラン、1,3−ジビニルテトラメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン、3−(N−スチリルメチル(トリエトキシシリルプロピル)尿素、1,3−ジビニルテトラメチルジシラザン、ビニルトリエトキシシラン及びビニルトリメトキシシランが挙げられるが、これらに限定されない。
添加される粒子のタイプに依存して、シロキサン粒子硬化最終生成物は、最終的な熱又は紫外線硬化後の熱伝導率が0.5ワット/メートルケルビン(W/(m・K))である。選択された粒子の種類に応じて、より高い熱伝導率の材料が可能である。シロキサン組成物中の金属粒子は、2.0W/(m・K)より大きい、例えば4.0W/(m・K)より大きい、又はさらに10.0W/mより大きい熱伝導率を有する硬化最終フィルム・K)。しかし、他の用途では、粒子は、所望であれば、本明細書に開示されるような透明誘電体層のような低い熱伝導率を有する材料になるように選択することができる。
抵抗率が高い誘電体層の場合、より大きい。また、所望であれば、最終的な硬化生成物は、1×10 3Ω/平方以上、好ましくは1×10 3Ω/平方以上、例えば1×10 5Ω/平方以上、例えば、より高い1×10 5Ω/平方以上である。本明細書で述べるように、絶縁層は、シロキサン粒子導電層と併せて使用することもでき、この場合、このような層は好ましくは200Ω/平方以下、好ましくは100Ω/50Ω/スクエア。
場合によっては、最終的に硬化したシロキサンが光学的吸収特性又は光学的反射特性を有することが望ましい場合があるが、ディスプレイ等のLED又はLCDデバイス、又は絶縁性シロキサン組成物が光学特性を必要とするデバイスに適用される場合もあるその材料は、望ましくは、可視スペクトル(又は最終デバイスが動作するスペクトル)において光に対して高度に透過性である可能性が高い。透明材料の例として、厚さ1〜50μmの最終硬化層は、それに垂直に入射する可視光の少なくとも85%を透過するか、好ましくは少なくとも90%、より好ましくは少なくとも92.5%透過し、最も好ましくは少なくとも95%である。反射層の一例として、最終硬化層は、その上に入射する光の少なくとも85%を反射することができ、好ましくはその上に入射する光の少なくとも95%を90°の角度で反射する。
本発明の材料はまた、安定剤及び/又は酸化防止剤を含有してもよい。これらの化合物は、熱、光、又は原料からの残留触媒等によって誘発された酸素との反応によって引き起こされる分解から材料を保護するために添加される。
本明細書に含まれる適用可能な安定剤又は酸化防止剤の中には、高分子量ヒンダードフェノール及び硫黄及びリン含有フェノールのような多官能性フェノールがある。ヒンダードフェノールは当業者に周知であり、そのフェノール性ヒドロキシル基のすぐ近くに立体的に嵩高い基をも含有するフェノール化合物として特徴付けることができる。特に、tert−ブチル基は、一般に、フェノール性ヒドロキシル基に対してオルト位の少なくとも1つにおいてベンゼン環に置換されている。これらの立体的に嵩高い置換基がヒドロキシル基の近くに存在すると、その伸長頻度が遅くなり、それに応じてその反応性が低下する。この障害はフェノール化合物にその安定化特性を提供する。代表的なヒンダードフェノールには、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス−(3,5−ジ−第三ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−ベンゼン;ペンタエリスリチルテトラキス−3(3,5−ジ−第三ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオネート;n−オクタデシル−3(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロピオネート;4,4’−メチレンビス(2,6−tert−ブチル−フェノール)。4,4’−チオビス(6−tert−ブチル−o−クレゾール);2,6−ジ−第三ブチルフェノール;6−(4−ヒドロキシフェノキシ)−2,4−ビス(n−オクチル−チオ)−1,3,5トリアジン;ジ−n−オクチルチオ)エチル3,5−ジ−第三ブチル−4−ヒドロキシ−ベンゾエート;ソルビトールヘキサ[3−(3,5−ジ−第三ブチル−4−ヒドロキシ−フェニル)−プロピオネート]。酸化防止剤の市販の例は、例えばBASF社製のIrganox 1035、Irganox 1010、Irganox 1076、Irganox 1098、Irganox 3114、Irganox PS800、Irganox PS802、Irgafos 168である。
シロキサンポリマーと充填剤との間の重量比は、製品の最終用途に応じて100:0〜5:95の間である。シロキサンポリマーと架橋シリコン又は非シリコン系樹脂又はオリゴマーとの間の比は、100:0〜75:25の間である。シロキサンポリマー量から計算した硬化剤の量は0.1〜20%である。配合物の総量に基づく接着促進剤の量は、0〜10%である。製剤の全重量に基づく抗酸化剤の量は、0〜5%である。
シロキサン−粒子組成物は、様々な分野で使用することができる。エレクトロニクスやオプトエレクトロニクスパッケージング、LED/OLEDフロントエンド/バックエンドプロセッシング、3D、光起電/ディスプレイパッシベーション、絶縁、パッケージング、プリントエレクトロニクス、パワーエレクトロニクス、EMI、タッチセンサ、他のディスプレイ、ならびに熱又はUV硬化性封入剤又は誘電体を含む。
硬化機構のタイプ及び触媒の活性化に応じて、最終配合物は、通常、材料をより高い温度に加熱することによって硬化される。例えば、熱酸発生剤が使用される場合、材料は特定の時間オーブン中に置かれる。UV光のような電磁放射線による硬化も可能である。
第1及び第2の化合物の重合から形成されるシロキサンポリマーの分子量は、約300〜10,000g/mol、好ましくは約400〜5000g/mol、より好ましくは約500〜2000g/molである。ポリマーは、好ましくは100μm未満、より好ましくは50μm未満、又はさらには20μm未満の平均粒子径を有する、任意の所望のサイズの粒子と組み合わされる。シロキサンポリマーは10〜90%の重量パーセントで添加され、粒子は1〜90%の重量パーセントで添加される。シロキサン材料の最終用途が光学的透明性を必要とする場合、粒子は、より低い重量パーセント、例えば1〜20重量%で添加されたセラミック粒子であってもよい。しかしながら、粒子が可視光の波長よりも小さい平均粒子径を有する場合、例えば、好ましくは400nm未満(例えば200nm未満、さらには100nm未満又は50nm未満の平均粒子径)、より高い重量パーセントの装填、例えば20〜50%、又は50%(例えば、75%の負荷でさえも、可視光線に対して90%より大きい、又は95%より大きい光透過率であっても)、所望の光学的透明性を達成しながら、例えば、75%よりも大きく、又は90%よりも大きくすることができる。
第1及び第2の化合物の重合を行い、粒子を混合して粘度が50〜100,000mPa・sec、好ましくは1000〜75,000mPa・sec、より好ましくは5000〜50,000mPa・sの粘性流体を形成する−sec。粘度は、流体試料中の円盤又は円柱を回転させ、誘起された運動に対する粘性抵抗に打ち勝つために必要なトルクを測定するブルックフィールド又はコール・パーマー(Cole−Parmer)粘度計のような粘度計で測定することができる。回転は、1〜30rpm、好ましくは5rpm等の任意の所望の速度であり得、好ましくは測定される材料は25℃である。
重合後、任意の追加の所望の成分、例えば粒子、カップリング剤、硬化剤等を組成物に添加することができる。組成物は、容器内の粘性材料として顧客に出荷され、冷却又は凍結のためのものである。最終製品として、材料は、典型的には熱硬化又はUV硬化されて、固体硬化ポリマーシロキサン層を形成する、上記の様々な用途で適用することができる。
本明細書に開示される組成物は、好ましくは、実質的な溶媒を含まない。硬化剤又は他の添加剤を重合した粘性材料と混合するために、溶剤を一時的に添加することができる。このような場合には、例えば、硬化剤を溶剤と混合して粘性シロキサンポリマーと混合することができる流体材料を形成する。しかしながら、実質的に溶媒を含まない組成物は、時には顧客への出荷に望ましく、後に顧客の装置に塗布すると、一時的に添加された溶媒が乾燥チャンバ内で除去される。しかし、組成物は実質的に溶媒を含まないが、乾燥プロセス中に除去することができなかった微量の溶媒が残っていることがある。この溶媒除去は、最終硬化プロセスの間の収縮を減少させるとともに、デバイスの寿命中の経時的な収縮を最小限に抑えることによって、本明細書に開示された組成物の堆積を助け、ならびに寿命の間の材料の熱安定性を助ける。デバイス。しかし、上述したように、シロキサン組成物の塗布には溶媒は必要ないが、非常に薄い層が望ましい場合には、有機溶媒、非極性又は極性(プロトン性又は非プロトン性)を添加して、堆積された層の厚さを最小にするためにシロキサン材料を低粘度液体として使用する。
組成物の最終用途、組成物の所望の粘度、及び含まれるべき粒子を知ることにより、シロキサンポリマー(出発化合物、分子量、粘度等)を微調整して、粒子及び他の成分を有する組成物の場合には、その後の顧客への送達のために所望の最終特性が達成される。組成物の安定性のために、顧客が最終使用までの製造から1週間、又は1ヶ月の期間後でさえも、分子量又は粘度の実質的な変化なしに周囲温度で組成物を輸送することが可能である。
以下のシロキサンポリマーの例は、説明のために与えられており、限定することを意図するものではない
シロキサンポリマーの粘度をブルックフィールド粘度計(スピンドル14)によって測定した。ポリマーの分子量は、Agilent GPCにより測定した。
シロキサンポリマーi:ジフェニルシランジオール(60g、45mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]トリメトキシシラン(55,67g、36.7mol%)を充填した撹拌棒及び還流冷却器を備えた500mL丸底フラスコに、)及びテトラメトキシシラン(17.20g、18.3mol%)を得た。フラスコを窒素雰囲気下で80℃に加熱し、メタノール1mLに溶解した水酸化バリウム一水和物0.08gをシラン混合物に滴下した。アルコキシシランと反応したジフェニルシランジオールの間、シラン混合物を80℃で30分間攪拌した。30分後、形成されたメタノールを真空下で蒸発させた。シロキサンポリマーは1000mPasの粘度及び1100のMwを有していた。
シロキサンポリマーii:撹拌棒及び還流冷却器を備えた250mL丸底フラスコに、ジフェニルシランジオール(30g、45mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]トリメトキシシラン(28.1g、37mol%)及びジメチルジメトキシシラン(6.67g、18mol%)を得た。フラスコを窒素雰囲気下で80℃に加熱し、メタノール1mLに溶解した水酸化バリウム一水和物0.035gをシラン混合物に滴下した。アルコキシシランと反応したジフェニルシランジオールの間、シラン混合物を80℃で30分間攪拌した。30分後、形成されたメタノールを真空下で蒸発させた。シロキサンポリマーは2750mPasの粘度及び896のMwを有していた。
シロキサンポリマーiii:撹拌棒及び還流冷却器を備えた250mL丸底フラスコに、ジフェニルシランジオール(24.5g、50mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]トリメトキシシラン(18.64g、33.4mol%)及びテトラメトキシシラン(5.75g、16.7mol%)を得た。フラスコを窒素雰囲気下で80℃に加熱し、メタノール1mLに溶解した水酸化バリウム一水和物0.026gをシラン混合物に滴下した。アルコキシシランと反応したジフェニルシランジオールの間、シラン混合物を80℃で30分間攪拌した。30分後、形成されたメタノールを真空下で蒸発させた。このシロキサンポリマーは7313mPasの粘度及び1328のMwを有していた。
シロキサンポリマーiv:撹拌棒及び還流冷却器を備えた250mL丸底フラスコに、ジフェニルシランジオール(15g、50mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]トリメトキシシラン(13.29g、38.9mol%)及びビス(トリメトキシシリル)エタン(4.17g、11.1mol%)を得た。フラスコを窒素雰囲気下で80℃に加熱し、メタノール1mLに溶解した水酸化バリウム一水和物0.0175gをシラン混合物に滴下した。アルコキシシランと反応したジフェニルシランジオールの間、シラン混合物を80℃で30分間攪拌した。30分後、形成されたメタノールを真空下で蒸発させた。シロキサンポリマーは、1788mPasの粘度及び1590のMwを有していた。
シロキサンポリマーv:撹拌棒及び還流冷却器を備えた250mL丸底フラスコに、ジフェニルシランジオール(15g、45mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]トリメトキシシラン(13.29g、35mol%)及びビニルトリメトキシシラン(4.57g、20mol%)を得た。フラスコを窒素雰囲気下で80℃に加熱し、メタノール1mLに溶解した水酸化バリウム一水和物0.018gをシラン混合物に滴下した。アルコキシシランと反応したジフェニルシランジオールの間、シラン混合物を80℃で30分間攪拌した。30分後、形成されたメタノールを真空下で蒸発させた。。シロキサンポリマーは、1087mPas及び1004のMwの粘度を有していた。
シロキサンポリマーvi:撹拌棒及び還流冷却器を備えた250mL丸底フラスコに、ジイソプロピルシランジオール(20.05g、55.55mol%)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]トリメトキシシラン(20.0g、33.33mol%)及びビス(トリメトキシシリル)エタン(7.3g、11.11mol%)を得た。フラスコを窒素雰囲気下で80℃に加熱し、1mLのメタノールに溶解した0.025gの水酸化バリウム一水和物をシラン混合物に滴下した。アルコキシシランと反応したジフェニルシランジオールの間、シラン混合物を80℃で30分間攪拌した。30分後、形成されたメタノールを真空下で蒸発させた。シロキサンポリマーは150mPasの粘度及び781のMwを有していた。
シロキサンポリマーvii:撹拌棒及び還流冷却器を備えた250mL丸底フラスコに、ジイソブチルシランジオール(18.6g、60mol%)及び2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル]トリメトキシシラン(17.32g、40mol%)。フラスコを窒素雰囲気下で80℃に加熱し、1mLのメタノールに溶解した0.019gの水酸化バリウム一水和物をシラン混合物に滴下した。アルコキシシランと反応したジフェニルシランジオールの間、シラン混合物を80℃で30分間攪拌した。30分後、形成されたメタノールを真空下で蒸発させた。。シロキサンポリマーは75mPasの粘度及び710のMwを有していた。
エンドキャップ材料の例:
実施例1
メタノール中のジフェニルシランジオール(100.0g、0.46mol)、3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(62.6g、0.25mol)、メチルトリメトキシシラン(17.2g、0.13mol)及びBaO(0.1g)を500mLフラスコに入れ、1時間。揮発性物質を減圧下で蒸発させ、透明な樹脂を得た。
ポリマーの重量平均分子量(Mw)は、Agilent GPCにより測定した。ポリシロキサンE1のMwは1530g/molである。OH基及びメトキシ基を検出するためにFTIR分析を行った。ポリシロキサンE1は実質的に−OH基を含まず(ピークは観察されなかった。
3390cm−1のSi−OHバンド)。残りのアルコキシ基は、2840cm−1のSi−OCH3バンドとして観察することができる。
実施例2
実施例1から得られたポリマー樹脂25gをアセトン50gに溶解した。溶液が濁るまで0.01M HClを添加した。撹拌を室温で8時間続けた。過剰の水を加えてポリマーを沈殿させ、その後、得られたポリマーを分離し、乾燥させた。ポリマーを30gのメチルtert−ブチルエーテル(MTBE)に溶解し、5gのヘキサメチルジシラザン、続いて0.05gのピリジン塩酸塩を添加した。撹拌を室温で24時間続けた。未反応成分を減圧留去し、得られた樹脂をMTBE水抽出法で洗浄した。溶媒を減圧下で蒸発させ、透明な樹脂(22.9g)を得た。
ポリシロキサンE2のMwは1670g/molである。OH基及びメトキシ基を検出するためにFTIR分析を行った。FTIR分析において、ポリシロキサンE2は実質的に−OH基を含まず、2840cm−1のSi−OCH3ピークは消失した。
構成例
以下の組成物の例は、例示のために与えられたものであり、本発明を限定するものではない。
比較例1銀充填接着剤:架橋官能基としてエポキシを有するシロキサンポリマー(18.3g、18.3%)、平均サイズ(D50)が4μmの銀フレーク(81g、81%)、3−メタクリレートプロピルトリメトキシシラン(0.5g、0.5%)及びKing Industries K−PURE CXC−1612熱酸発生剤(0.2%)を用い、ここで高せん断ミキサーを用いて混合した。この組成物は15000mPasの粘度を有する。
比較例2アルミナ充填接着剤:架橋官能基としてエポキシ(44.55g、44.45%)、平均粒子径(D50)0.9μm(53g、53%)の酸化アルミニウム、3−メタクリレートプロピルトリメトキシシランキログラムインダストリーズK−PURE CXC−1612熱酸発生剤(0.45g、0.45%)を3本のロールミルを用いて一緒に混合した。組成物の粘度は20000mPasである。
比較例3、BN充填接着剤:架橋官能基としてエポキシを有するシロキサンポリマー(60g、60%)、15μmの平均サイズ(D50)を有する窒化ホウ素板状体(35g、35%)、Irganox 1173(1.3(0.3g、0.3%)を用いて混合し、ここで3本ロールミルを用いて混合した。。組成物の粘度は25000mPasである。
比較例4:半透明材料:官能基としてのメタクリレートを有するシロキサンポリマー(89g、89%)、平均サイズ(D50)が0.007μm(5g、5%)のヒュームドシリカ、イルガノックス1173(2g、2%)及びイルガキュア(Irgacure)917光開始剤(4g、4%)を添加した。この組成物の粘度は25,000mPasである。
比較例5透明物質:メタノール中のジフェニルシランジオール(20.0g、92mmol)、9−フェナントレニルトリメトキシシラン(16.6g、56mmol)、3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン(9.2g、37mmol)及びBaO(25mg)100mLフラスコに入れ、1時間還流した。揮発性物質を減圧下で蒸発させた。透明ポリマー樹脂(37g)が得られた。
比較例6、高屈折率材料:実施例X1に記載したように調製した高屈折率ポリマー樹脂8.6gを、固体を有する1,2−プロパンジオールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)中のZrO2ナノ粒子溶液5.7gとブレンドした50%の含有量。接着促進剤としてオリゴマー状の3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン0.4g、及び界面活性剤(BYK Chemie製のBYK−307)0.26gを溶液に添加した。
得られた材料を100mmのシリコンウェハ上に2000rpmでスピンコートした。フィルムを80℃で5分間ホットプレート上で焼き付け、3000mJ/cm2の線量でUV硬化させた。屈折率は、ポリマー樹脂とZrO 2ナノ粒子の重量比を変えることによって調整した。
望むならば、屈折率は、選択されたシロキサン粒子材料に基づいて選択することができる。1.25〜2.0の屈折率を提供することができる。1.4〜1.7、又は他の所望の数(1.5〜1.9,1.5〜1.65等)であり、屈折率は波長632.8nmで測定される)。より高い屈折率、例えば。1.6〜2.0のようなガラスよりも高いものは、重合される金属含有モノマーをシロキサンポリマーに供給することによって達成することができる。上述のように、[Si−O−Me−O]n(Meは金属である)骨格を達成することが可能である。とりわけ、チタン、タンタル、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム又はセレン等の金属を含む金属含有モノマーは、屈折率を高めるのを助けることができる。このような金属含有モノマーは、上記の第1、第2又は第3の化合物の代わりに、又はそれに加えて使用することができる。
また、粒子の選択に基づいて屈折率を増加させることも可能である(あるいは、上記のようにシロキサンポリマーに金属を組み込むことに加えて)。とりわけ、チタン、タンタル、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム又はセレンの酸化物等の特定の酸化物粒子は、屈折率を高めるのを助けることができる。さらに、シロキサンポリマーへの粒子の取り込みを改善するカップリング剤を選択して、屈折率の増加を助けることができる。一例として、化学式(R16Ar)iSiR1j(式中、i=1又は2、j=4−1)を有するカップリング剤(式中、R16は、熱を加えるとシロキサンポリマーと架橋する官能性架橋基である)Arはアリール基であり、R1はヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシル、アミン又はアシルオキシ基等の反応性基である。したがって、化合物は、1つ又は2つのアリール基(アリール置換基は架橋置換基を有する)に結合したケイ素原子を含み、ケイ素原子は2つ又は3つの反応基、好ましくはアルコキシ基に結合する。アリール基は、フェニル、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン等であり得、R16官能性架橋基は、エポキシ、アクリレート、ビニル、アリル、アセチレン、アルコール、アミン、チオール、シラノール等であり得る。ケイ素の代わりにチタン、タンタル、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム又はセレン等の金属原子を有するように選択される。
図2に示すように、図7に示すように、本明細書に開示される硬化シロキサン粒子材料の屈折率は光の波長に対してプロットされ、シロキサン材料の一部として異なる量の粒子を有する各グラフでは、読み込み中。図2に示すように、図7から分かるように、可視スペクトルにおける屈折率1.60以上の屈折率は粒子なしで達成することができ、この実施例では粒子で1.70以上の可視スペクトルの屈折率を達成することができる。図2に示すように、図8において、シロキサン材料の%透過率が光の波長に対してプロットされている。この図に示されているように、粒子がない状態から75%までの粒子の異なる装填量がプロットされ、可視スペクトルにおける可視光の透過率は90%より大きい(実際には95%より大きい)。このように、シロキサン材料は、粒子の高い割合で充填されていても、非常に透明であり、様々な光学用途に有用である。
開示された方法及び材料を考慮して、安定な組成物が形成される。組成物は、その上にアルキル基又はアリール基を有する主鎖を繰り返した[−Si−O−Si−O]n及びその上に官能性架橋基を有するシロキサンポリマーと、好ましくはセラミック粒子、例えば窒化物粒子又は酸化物粒子、及び好ましくは平均粒子径が100μm未満の平均粒子径を有するナノ粒子を含むシロキサン材料を含む。可視光線−例えば400nm未満である。顧客に出荷される組成物は、300〜10,000g/molの分子量及び5rpm粘度計で1000〜75,000mPa・secの粘度を有することができる。
粘性(又は液体)シロキサンポリマーは、−OH基を実質的に含まず、したがって貯蔵寿命を延長し、必要に応じて周囲温度で保存又は出荷することを可能にする。好ましくは、シロキサン材料は、そのFTIR分析から検出可能な−OHピークを有さない。形成されたシロキサン材料の安定性の増加は、貯蔵中の粘度(架橋)の最小限の増加、例えば2週間の期間にわたって25%未満、好ましくは15%未満の使用前の貯蔵を可能にし、より好ましくは室温で保存された2週間にわたって10%未満である。また、顧客の保管、出荷、及び後での適用は、溶媒の不在下で(溶媒を除去するために乾燥後に残っている可能性のある痕跡残渣を除く)すべて実行することができ、後に形成される層における溶媒捕捉の問題を回避する重合中の収縮、装置使用中の時間の経過による質量損失等が挙げられる。好ましくは、100℃又はUV光よりも大きな熱を加えることなく、輸送及び貯蔵中に実質的な架橋は起こらない。この組成物及び最終的には実質的にSi−H結合が存在しない。
組成物が堆積され、重合されると、例えば、熱又は紫外線の照射により、非常に小さい収縮又は質量の減少が観察される。Fig。図9において、x軸は時間(分)であり、左側のy軸は出発質量の%での層の質量であり、右側のy軸は摂氏温度である。図9に見られるように、本明細書に開示されるシロキサン粒子混合物は、150℃まで急速に加熱され、次いで、約30分間150℃で保持される。この例では、シロキサン粒子は、フェニル基及びエポキシ基を有するSi−O骨格を有し、粒子は銀粒子である。この時間の間、熱硬化後の質量損失は1%未満である。望ましくは、質量損失は典型的には4%未満であり、一般に2%未満であるが、多くの場合、硬化前と硬化後のシロキサン粒子組成物の質量の差は1%未満である。硬化温度は一般に175℃未満ですが、より高い硬化温度が可能です。典型的には、硬化温度は160℃以下、より典型的には150℃以下である。しかし、125℃以下のようなより低い硬化温度が可能である。
図2に示すように、上述した組成物が、接着剤、熱伝導層、封止剤、パターニングされた導電層、パターニングされた誘電体層、透明層、光反射層等として使用されるかどうかにかかわらず、シロキサン粒子層又は塊は熱的に非常に安定である。一例として、600℃までの昇温速度10℃/分での加熱又はUV重合による硬化後の現場材料を4.0%未満、好ましくは2.0%未満の質量損失で加熱する。200℃と300℃の両方で1.0%未満が観測されます(通常200℃では0.5%未満の質量損失が、図10の例では200℃で0.2%未満の質量損失が見られます)観察される)。300℃では、図1の例では1%未満の質量損失が観察されます。10、又は特に0.6%未満である。重合した材料を200℃又は300℃で1時間加熱するだけで同様の結果が得られます。重合した堆積材料を375℃以上で少なくとも1時間加熱することにより、1%未満の質量損失の結果が可能です。図2に示すように、図10に示すように、500℃を超える温度であっても、5%以下の質量損失が観察される。そのような熱的に安定な材料、特に、低温(例えば、175℃未満、好ましくは150℃未満、又は例えば30分間の硬化/焼成時間で130℃未満)で堆積させることができる、UV光により重合させることができる。
上記は例示的な実施形態を例示するものであり、本発明を限定するものとして解釈されるべきではない。いくつかの例示的な実施形態について説明したが、当業者であれば、新規な教示及び利点から実質的に逸脱することなく、多くの変更が例示的な実施形態において可能であることを容易に理解するであろう。したがって、そのような変更のすべては、特許請求の範囲に規定される本発明の範囲内に含まれることが意図される。したがって、前述は、様々な例示的な実施形態を例示するものであり、開示された特定の実施形態に限定されるものと解釈されるべきではなく、開示された実施形態に対する変更及び他の実施形態が、添付の特許請求の範囲の範囲内である。
本発明の組成物は、ディスプレイ、例えば、OLED/AMOLED等のLEDディスプレイ、及びLCDディスプレイ等の半導体デバイス及びマイクロエレクトロニクス及びオプトエレクトロニクスデバイスに使用することができる。例としては、スマートフォン、タブレット、ラップトップ及びノートブック、コンピュータモニタ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯ゲーム機器、パーソナルマルチメディアプレーヤー、電子ブックリーダー、プリンタ、自動車ディスプレイのタッチスクリーン等のタッチスクリーンディスプレイ、GPS/PNDナビゲーションデバイス等、ならびに小売、商業及び産業環境におけるタッチスクリーンを含む。しかしながら、非タッチスクリーン型は、本明細書に開示されるようなシロキサン粒子絶縁及び光透過性材料から恩恵を受ける。
1 偏光子層
2 基板
3 薄膜トランジスタアレイ
4 液晶セルのアレイ
5 VCOM層5(電極)
6 カラーフィルタ
7 ガラス基板
8 パターン化導電層
9 絶縁層
10 パターニングされた導電層
11 第2の偏光子
12 接着層
13 カバーガラス
21 偏光層
22 ガラス基板
23 薄膜トランジスタアレイ
24,26 導電層
25 絶縁層
27 個のLCDセル
28 個のカラーフィルタ
29 透明基板
30 偏光層
31 接着層
32 追加透明基板
50 透過性基板
51 透明導電層
52 導電性ジャンパ
53 誘電体層
54 金属トレース
55 導電パターン
56 パッシベーション層
57 追加の誘電体オーバーコート
70 基板
72a 露出領域
72b 未露光領域
75 マスク
80 基板
82 導電層
82a 導電部
82b 溝
85 マスク
86 UV光

Claims (115)

  1. 誘電体フィルムであって、
    シロキサンポリマー及びシロキサンポリマーを含み、平均粒子径が1μm未満である誘電体層と、
    誘電体層は、可視光に対して光学的に透過性であり、その上に入射する光の少なくとも75%を透過する、
    誘電体層は電気絶縁性である、1000Ω/sq以上のシート抵抗を有する、誘電体フィルム。
  2. シート抵抗が1×10 5Ω/sq以上である請求項1に記載の誘電体フィルム。
  3. 前記シート抵抗が1×10 7Ω/sq以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の誘電体フィルム。
  4. ヘイズが5%未満である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  5. 2%未満のヘイズを有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  6. 1.5〜2.0の屈折率を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  7. 前記粒子がセラミック粒子である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  8. 前記セラミック粒子が酸化物粒子である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  9. 前記セラミック粒子が窒化物粒子である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  10. 粒子が400nm以下の平均粒子径を有するナノ粒子である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  11. 前記ナノ粒子の平均粒子径が200nm以下である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  12. 前記ナノ粒子が、50nm未満の平均粒子径を有する、請求項1〜11のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  13. 前記粒子が25nm以下の平均粒子径を有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  14. 亜鉛、アルミニウム、イットリウム、イッテルビウム、タングステン、チタンシリコン、チタン、アンチモン、サマリウム、ニッケル、ニッケルコバルト、モリブデン、マグネシウム、マンガン、ランタニド、鉄、インジウムスズ、銅、コバルトアルミニウム、クロム、セシウム、又はカルシウムの酸化物を含む、請求項1〜13のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  15. 前記粒子が、窒化アルミニウム、窒化タンタル、窒化ホウ素、窒化チタン、窒化銅、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化鉄、窒化ケイ素、窒化インジウム、窒化ガリウム又は窒化炭素である、請求項1〜14のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  16. シロキサンポリマー中に実質的に−OH基を有さない、請求項1〜15のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  17. 前記シロキサンポリマー中のSiに直接結合した−H基を実質的に有さない、請求項1〜16のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  18. 前記フィルムが、電気絶縁部分及び導電部分を含む光パターン形成されたフィルムである、請求項1〜17のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  19. 前記粒子が、400nm未満の平均粒子径を有するナノ粒子であり、前記ナノ粒子が、チタン、タンタル、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、又はセレンの酸化物である、請求項1〜18のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  20. 前記粒子が、シリカ、中空シリカZrO2、ZrO、TiO2、Ta2O5、アンチモンスズ酸化物、又はSnO2である、請求項1〜19のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  21. 入射する可視光の少なくとも85%を透過する、請求項1〜20のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  22. 入射する可視光の少なくとも90%を透過させる、請求項1〜21のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  23. 入射する可視光の少なくとも95%を透過させる、請求項1〜22のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  24. 前記基板が、ガラス、石英、サファイア、有機ポリマー、又はハイブリッド有機−無機ポリマーを含む、請求項1〜23のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  25. 前記基板が、ポリエチレンテレフタレート又はポリメチルメタクリレートを含む、請求項1〜24のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  26. ディスプレイの一部である、請求項1〜25のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  27. タッチスクリーンディスプレイの一部である、請求項1〜26のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  28. OLEDデバイスの一部である、請求項1〜27のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  29. LCDディスプレイの一部である、請求項1〜27のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  30. 前記基板が可撓性基板である、請求項1〜29のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  31. 前記シロキサンポリマーが有機アリール基を含む、請求項1〜30のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  32. 前記アリール基がフェニル基である、請求項1〜31のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  33. 屈折率が1.6〜1.9であることを特徴とする請求項1〜32のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  34. 前記フィルムが熱的に安定であり、少なくとも200℃に加熱された場合、質量損失が4%未満である、請求項1〜33のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  35. 前記フィルムが熱的に安定であり、少なくとも200℃に加熱された場合、質量損失が2%未満である、請求項1〜34のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  36. 前記フィルムが熱的に安定であり、少なくとも200℃に加熱された場合、質量損失が1%未満である、請求項1〜35のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  37. 接着剤である、請求項1〜36のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  38. タッチスクリーンディスプレイにおける接着剤である、請求項1〜37のいずれか一項に記載の誘電体フィルム。
  39. 誘電体フィルムの製造方法であって、
    基板を提供するステップと、
    基材上にシロキサン出発材料及び粒子を有する組成物を付着させるステップと
    を含み、
    シロキサン出発材料が、シロキサンポリマー、シロキサンオリゴマー、及び/又はシランモノマーを含み、
    該粒子の平均粒子径が400nm未満であり、
    前記シロキサン粒子層に熱及び/又は電磁エネルギーを印加して前記層を硬化させ、前記基板上に誘電体フィルムを形成し、
    前記フィルムは、可視光に対して光学的に透過性であり、入射する可視光の少なくとも80%を透過し、
    前記フィルムは電気絶縁性であり、1000Ω/sq以上のシート抵抗を有する、方法。
  40. 前記シロキサン出発材料が、溶媒の不存在下で前記基板上に前記粒子と共に堆積される、請求項39に記載の方法。
  41. 前記粒子が200nm未満の平均粒子径を有する酸化物ナノ粒子であり、前記フィルムが1.6〜1.9の屈折率を有する、請求項39又は40に記載の方法。
  42. シロキサン出発材料が、シリコンに直接結合した水素を実質的に含まない、請求項39〜41のいずれか一項に記載の方法。
  43. シロキサン出発物質が実質的に−OH基を含まない、請求項39〜42のいずれか一項に記載の方法。
  44. シロキサン出発材料が、シロキサン主鎖中のSiに結合したアリール基及び/又はアルキル基から選択される有機基を含む、請求項39〜43のいずれか一項に記載の方法。
  45. 硬化前及び硬化後のシロキサン組成物の質量損失が4%未満である、請求項39〜44のいずれか一項に記載の方法。
  46. 硬化前及び硬化後のシロキサン組成物の質量損失が2%未満である、請求項39〜45のいずれか一項に記載の方法。
  47. 硬化前及び硬化後のシロキサン組成物の質量損失が1%未満である、請求項39〜45のいずれか一項に記載の方法。
  48. シロキサン出発材料が光架橋性ポリマーである、請求項39〜47のいずれか一項に記載の方法。
  49. 前記シロキサン出発材料が、シロキサンポリマー、シランモノマー、及び添加剤を含む、請求項39〜48のいずれか一項に記載の方法。
  50. 前記添加剤が、還元剤、安定剤、界面活性剤、安定剤、接着促進剤、及び/又は酸化防止剤である、請求項39〜49のいずれか一項に記載の方法。
  51. 前記添加剤が、熱硬化剤又は光開始剤である、請求項39〜50のいずれか一項に記載の方法。
  52. 基板上のシロキサン出発材料が、マスク又はパターン形成されたフォトレジスト層を介してUV光に暴露されて、UV光に暴露された硬化領域を形成するようにされている、パターン化された誘電体フィルムを形成するために非露光領域を選択的に除去することを含む、請求項39〜51のいずれか一項に記載の方法。
  53. 亜鉛、アルミニウム、イットリウム、イッテルビウム、タングステン、チタンシリコン、チタン、アンチモン、サマリウム、ニッケル、ニッケルコバルト、モリブデン、マグネシウム、マンガン、ランタニド、鉄、インジウムスズ、銅、コバルトアルミニウム、クロム、セシウム、又はカルシウムの酸化物を含む、請求項39〜52のいずれか一項に記載の方法。
  54. 前記粒子が、チタン、タンタル、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム又はセレンの酸化物を含み、屈折率が1.6〜1.9である、請求項39〜53のいずれか一項に記載の方法。
  55. 前記粒子が50nm未満の平均粒子径を有する、請求項39〜54のいずれか一項に記載の方法。
  56. 前記粒子が25nm未満の平均粒子径を有する、請求項39〜55のいずれか一項に記載の方法。
  57. 前記シロキサン出発物質がフェニル及びメタクリレート官能基を含み、前記粒子がセラミック酸化物ナノ粒子であり、400nm未満の平均粒子径を有する、請求項39〜56のいずれか一項に記載の方法。
  58. 組成物が光開始剤を含む、請求項39〜57のいずれか一項に記載の方法。
  59. 前記組成物が、熱により誘導される硬化剤を含む、請求項39〜58のいずれか一項に記載の方法。
  60. 前記シロキサン出発材料がソフトベークされ、続いてUV光に選択的に曝され、続いて選択された領域が現像液で除去される、請求項39〜59のいずれか一項に記載の方法。
  61. フィルムが1000Ω/sq以上のシート抵抗を有する、請求項39〜60のいずれか一項に記載の方法。
  62. 前記電極が10000Ω/sq以上のシート抵抗を有する、請求項39〜61のいずれか一項に記載の方法。
  63. 前記電極は、その上に入射する可視光の少なくとも85%を透過させる、請求項39〜62のいずれか一項に記載の方法。
  64. 前記電極が、そこに入射する前記可視光の少なくとも95%を透過させる、請求項39〜63のいずれか一項に記載の方法。
  65. シロキサン出発材料が120℃未満の温度で熱硬化される、請求項39〜64のいずれか一項に記載の方法。
  66. シロキサン出発材料が110℃未満の温度で熱硬化される、請求項39〜65のいずれか一項に記載の方法。
  67. シロキサン出発材料が125℃未満の温度で熱硬化され、紫外線で硬化される、請求項39〜66のいずれか一項に記載の方法。
  68. 硬化後、200℃の温度で30分間加熱すると、4%未満の質量損失が生じる、請求項39〜67のいずれか一項に記載の方法。
  69. 硬化後、200℃の温度で30分間加熱すると、2%未満の質量損失が生じる、請求項39〜68のいずれか一項に記載の方法。
  70. 硬化後、200℃の温度で30分間加熱すると、1%未満の質量損失が生じる、請求項39〜69のいずれか一項に記載の方法。
  71. シロキサン出発材料が、独立してアルケン、アルキン、エポキシ、オキセタン又はアクリレート基である官能性架橋基を含む、請求項39〜70のいずれか一項に記載の方法。
  72. シロキサン出発材料が、シロキサンポリマー又はオリゴマー内又はシランモノマー内にフェニル基及びエポキシ基を有する、請求項39〜71のいずれか一項に記載の方法。
  73. シロキサン出発材料が、シロキサンポリマー又はオリゴマー内又はシランモノマー内にフェニル及びメタクリレート基を有する、請求項39〜72のいずれか一項に記載の方法。
  74. シロキサン出発材料が、シラノール及びアルコキシシランから選択されるモノマーを含む、請求項39〜73のいずれか一項に記載の方法。
  75. 前記シロキサン出発材料が、100℃未満の温度で、紫外線の照射なしに熱硬化される、請求項39〜74のいずれか一項に記載の方法。
  76. ディスプレイであって、
    マトリクス内の複数の画素であって、
    液晶層及び/又は発光ダイオード層と、
    可視光に対して光学的に透過性である複数の基板と、
    第1の基板を第2の基板に接合するための接着剤であって、1000Ω/sqより大きいシート抵抗を有し、シロキサン材料と平均粒子径が400nm未満の粒子とを含む導電性材料を形成するための接着剤とを備え、
    電気絶縁材料は熱的に安定であり、少なくとも200℃に加熱すると質量損失が2%未満となる、ディスプレイ。
  77. 前記電気絶縁材料は、その上に入射する可視光の少なくとも85%を透過する光学的に透過性の層である、請求項76に記載のディスプレイ。
  78. 前記電気絶縁材料が、その上に入射する可視光の少なくとも90%を透過する、請求項76又は77に記載のディスプレイ。
  79. 前記電気絶縁材料が1000Ω/sq以上のシート抵抗を有する、請求項76〜78のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  80. 前記導電性材料が、シート抵抗が10000Ω/sq以上である、請求項76〜79のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  81. 前記粒子が、窒化アルミニウム、窒化タンタル、窒化ホウ素、窒化チタン、窒化銅、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化鉄、窒化ケイ素、窒化インジウム、窒化ケイ素、窒化ガリウム、又は窒化炭素から選択される窒化物粒子である、請求項76〜80のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  82. 前記粒子が、ケイ素、亜鉛、アルミニウム、イットリウム、イッテルビウム、タングステン、チタンシリコン、チタン、アンチモン、サマリウム、ニッケル、ニッケルコバルト、モリブデン、モリブデン、マグネシウム、マンガン、ランタニド、鉄、インジウムスズ、銅、コバルトアルミニウム、クロム、セシウム、又はカルシウムの酸化物を含む酸化物ナノ粒子である、請求項76〜81のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  83. 前記粒子が、チタン、タンタル、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム又はセレンの酸化物を含み、屈折率が1.6〜1.9である、請求項76〜82のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  84. 前記シロキサン材料が、アリール又はアルキル基を含み、前記粒子が遷移金属酸化物を含み、100nm未満の平均粒子径を有するシロキサンポリマーである、請求項76〜83のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  85. 前記平均粒子径が50nm未満である、請求項76〜84のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  86. 平均粒子径が25nm未満である、請求項76〜85のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  87. 前記複数の基板は、その上に液晶素子を有する第1の基板と、カバー基板である第2の基板とを含む、請求項76〜86のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  88. 前記複数の基板は、その上に液晶素子を有する第1の基板と、その上に容量性タッチセンサを含む第2の基板と、カバー基板である第3の基板とを含む、請求項76〜87のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  89. 前記LCD画素がねじれネマティック液晶である、請求項76〜88のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  90. 前記第1及び第2の基板を一緒に結合するために第1の接着層が設けられ、前記第2及び第3の基板を互いに結合するために第2の接着層が設けられ、前記第1及び第2の基板の両方が、接着剤層は前記シロキサン粒子出発材料からなる、請求項76〜89のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  91. 前記ピクセルは、発光ダイオード(LED)ピクセルである、請求項76〜90のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  92. 前記ピクセルがOLEDピクセルである、請求項76〜91のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  93. 前記ピクセルがAMOLEDピクセルである、請求項76〜92のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  94. 前記第1の基板が可撓性ポリマー基板であり、前記ディスプレイがOLEDディスプレイである、請求項76〜93のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  95. タッチパネルディスプレイである、請求項76〜94のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  96. ディスプレイを製造する方法であって、
    その上にピクセル要素のアレイを有する第1の基板を提供するステップであって、前記ピクセル要素のそれぞれは、液晶材料及び/又は発光ダイオード材料を含むステップと、
    カバー基板である第2の基板を提供するステップと、
    第1及び第2の基材を接着剤と一緒に接着するステップと
    を含み、
    前記接着剤は、1000Ω/sq以上の電気抵抗率を有し、シロキサン材料と、400nm未満の平均粒子径を有する粒子とを含む電気絶縁材料からなり、
    熱及び/又はUV光を印加することにより前記第1基板と前記第2基板との間に前記シロキサン材料を硬化させて硬化させる、方法。
  97. 硬化後の質量損失が2%未満である、請求項96に記載の方法。
  98. 硬化後の質量損失が1%未満である、請求項96又は97に記載の方法。
  99. 硬化が、紫外線の適用下である、請求項96〜98のいずれか一項に記載の方法
  100. 前記硬化が、120℃〜150℃の熱の下で行われる、請求項96〜99のいずれか一項に記載の方法。
  101. 前記硬化は、前記シロキサン粒子材料をソフトベーキングし、前記シロキサン粒子材料をUVパターニングし、前記シロキサン粒子材料の一部を選択的に除去して電気絶縁パターンを残すことを含む、請求項96〜100のいずれか一項に記載の方法。
  102. 硬化が、マスク又はレジスト層を介してUV光を照射することによってシロキサン粒子材料をUVパターン化することを含む、請求項96〜101のいずれか一項に記載の方法。
  103. ロールツーロールプロセスであり、前記第1の基板は、ロールから提供される可撓性基板である、請求項96〜102のいずれか一項に記載の方法。
  104. 第2のロールから提供され、前記第1の基板に接合するための可撓性基板である第2の基板をさらに含む、請求項96〜103のいずれか一項に記載の方法。
  105. 前記第1及び第2の基材が透明ポリマー材料である、請求項96〜104のいずれか一項に記載の方法。
  106. シロキサン出発物質が実質的に−OH基を含まない、請求項96〜105のいずれか一項に記載の方法。
  107. シロキサン出発材料がSi−H結合を実質的に含まない、請求項96〜106のいずれか一項に記載の方法。
  108. 硬化後、硬化したシロキサン材料を200℃に加熱すると、2%未満の質量損失が生じる、請求項96〜107のいずれか一項に記載の方法。
  109. シロキサン材料が有機アリール又はアルキル基を含む、請求項96〜108のいずれか一項に記載の方法。
  110. シロキサン材料がアリール基を含むがアルキル基を含まない、請求項96〜109のいずれか一項に記載の方法。
  111. アリール基が、シロキサン材料中のケイ素に直接結合したフェニル基である、請求項96〜110のいずれか一項に記載の方法。
  112. 組成物であって、
    a)アルキル又はアリール基をその上に有する、[−Si−O−Si−O]n反復骨格を有するシロキサンポリマー、及びb)その上の官能性架橋基と、
    平均粒子径が400nm未満の酸化物又は窒化物ナノ粒子である粒子と
    を備え、
    前記シロキサンポリマーが300〜10,000g/molの分子量を有し、
    前記組成物は、5rpm粘度計及び25℃で1000〜75,000mPa・secの粘度を有し、
    シロキサンポリマーはその中に−OH基を実質的に含まない、組成物。
  113. シロキサンポリマーがSi−H結合を実質的に含まない、請求項112に記載の組成物。
  114. 前記粒子が25nm以下の平均粒子径を有する、請求項112又は113に記載の組成物。
  115. タッチパネルであって、
    透明基板と、
    第1の導電層と、
    シロキサンポリマーと平均粒子径が400nm以下の粒子とを含む誘電体層と、
    第2の導電層と
    を備え、
    シロキサンポリマーはアリール基を含み、実質的に−OH基を含まず、
    シロキサンポリマーが200℃に加熱されると、質量損失は1%未満であり、
    前記誘電体層の電気抵抗率が1000Ω/sq以上であり、
    誘電体層の光学的透過率は可視光に対して少なくとも85%である、タッチパネル。
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