JP2023505610A - 金属インレー及びボトムコンタクトを有する発光デバイスを製造する方法 - Google Patents

金属インレー及びボトムコンタクトを有する発光デバイスを製造する方法 Download PDF

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Abstract

発光デバイスを製造する方法がここに記述される。方法は、パッケージング基板を得ることを含む。パッケージング基板は、埋め込まれた金属インレーと、当該パッケージング基板内のビアと、当該パッケージング基板の底面上の、各々が前記ビアのうちのそれぞれの1つに電気的に結合されたコンタクトとを含む。当該方法はまた、混成デバイスを形成し、混成デバイスの底面を金属インレーの頂面に取り付け、そして、複数の導電コネクタを用いて、混成デバイスの頂面をパッケージング基板の頂面にワイヤボンディングすることを含む。

Description

この出願は、2020年2月6日に出願された米国仮出願第62/970,975号及び2020年7月21日に出願された米国特許出願第16/934,911号の利益を主張するものであり、それらを、あたかも完全に記載されているかのようにここに援用する。
精密制御照明用途は、小型のアドレス指定可能な発光ダイオード(LED)照明システムの生産及び製造を必要とし得る。そのようなシステムのいっそう小さいサイズは、非従来的なコンポーネント及び製造プロセスを必要とし得る。
発光デバイスを製造する方法がここに記述される。方法は、パッケージング基板を得ることを含む。パッケージング基板は、埋め込まれた金属インレーと、当該パッケージング基板内のビアと、当該パッケージング基板の底面上の、各々が前記ビアのうちのそれぞれの1つに電気的に結合されたコンタクトとを含む。当該方法はまた、混成デバイスを形成し、混成デバイスの底面を金属インレーの頂面に取り付け、そして、複数の導電コネクタを用いて、混成デバイスの頂面をパッケージング基板の頂面にワイヤボンディングすることを含む。
添付の図面とともに例として与えられる以下の説明から、より詳細な理解が得られることになる。
LEDアレイの一例の上面図である。 混成デバイスの一例の断面図である。 図2Aの混成デバイス例を組み込んだLED照明システムの一例の断面図である。 図2BのLED照明システムを組み込んだアプリケーションシステムの一例の断面図である。 図2BのLED照明システム例の上面図である。 図5A、5B、5C、及び5Dは、受動コンポーネント、メタライゼーション、及び他の要素のレイアウトの例を示すLED照明システムの他の例の上面図である。 図5A、5B、5C、及び5Dは、受動コンポーネント、メタライゼーション、及び他の要素のレイアウトの例を示すLED照明システムの他の例の上面図である。 図5A、5B、5C、及び5Dは、受動コンポーネント、メタライゼーション、及び他の要素のレイアウトの例を示すLED照明システムの他の例の上面図である。 図5A、5B、5C、及び5Dは、受動コンポーネント、メタライゼーション、及び他の要素のレイアウトの例を示すLED照明システムの他の例の上面図である。 図6A、6B、及び6Cは、4層回路ボードの一例の最も上の層すなわち第1の層、第2の層、及び第3の層の上面図である。 図6A、6B、及び6Cは、4層回路ボードの一例の最も上の層すなわち第1の層、第2の層、及び第3の層の上面図である。 図6A、6B、及び6Cは、4層回路ボードの一例の最も上の層すなわち第1の層、第2の層、及び第3の層の上面図である。 4層回路ボード例の最も下の層すなわち第4の層の下面図である。 図2BのLED照明システムを組み込み得る車両ヘッドランプシステムの一例の図である。 車両ヘッドランプシステムの他の一例の図である。 例えば図2BのLED照明システムなどのLED照明システムを製造する方法の一例のフロー図である。
以下、添付の図面を参照して、複数の異なる光照明システム及び/又は発光ダイオード(“LED”)実装の例がいっそう十分に説明される。これらの例は、相互に排他的なものではなく、更なる実装を達成するために、1つの例に見られる特徴を、1つ以上の他の例に見られる特徴と組み合わせることができる。従って、理解されることには、添付の図面に示される例は、単に例示の目的で提供されており、それらは決して本開示を限定することを意図していない。全体を通して、同様の要素は似通った符号で参照する。
理解されることには、様々な要素を記述するために、ここでは第1、第2、第3などの用語が使用されることがあるが、それらの要素はこれらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、1つの要素を別の要素から区別するために使用され得る。例えば、本発明の範囲から逸脱することなく、第1の要素が第2の要素と称されてもよく、第2の要素が第1の要素と称されてもよい。ここで使用されるとき、用語“及び/又は”は、関連して列挙されるアイテムのうちの1つ以上のアイテムの任意の及び全ての組み合わせを含み得る。
理解されることには、例えば層、領域、又は基板などの要素が他の要素の“上に”ある又は“上へと”延在するとして言及されるとき、それが直に他の要素の上にある又は直にその上へと延在してもよいし、あるいは、介在する要素も存在してもよい。対照的に、或る要素が他の要素の“直上に”ある又は“直に上へと”延在するとして言及されるときには、介在する要素は存在しないとし得る。これまた理解されることには、或る要素が他の要素に“接続される”又は“結合される”として言及されるとき、それは直に他の要素に接続又は結合されてもよいし、及び/又は、1つ以上の介在要素を介して他の要素に接続又は結合されてもよい。対照的に、或る要素が他の要素に“直に接続される”又は“直に結合される”として言及されるときには、その要素と他の要素との間に介在する要素は存在しない。理解されることには、これらの用語は、図に描かれる向きに加えて、異なる向きの要素を包含することが意図される。
ここでは、図に示されるときの、1つの要素、層又は領域と別の要素、層又は領域との関係を記述するために、例えば“下方”、“上方”、“上側”、“下側”、“水平”又は“鉛直”などの相対的な用語が使用されることがある。理解されることには、これらの用語は、図に描かれる向きに加えて、異なる向きのデバイスを包含することが意図される。
また、LED、LEDアレイ、電気コンポーネント、及び/又は電子部品が、1つの、2つの、それともそれより多くのエレクトロニクス基板上に収容されるのかは、設計上の制約及び/又は用途にも依存し得る。
現在利用可能な最も効率的な光源の中に、半導体発光デバイス(LED)、又は例えば紫外線(UV)又は赤外線(IR)の光出力を放つデバイスなどの光出力放射デバイスがある。これらのデバイス(以下、“LED”)は、発光ダイオード、共振器型発光ダイオード、垂直共振器レーザダイオード、端面発光レーザ、又はこれらに類するものを含み得る。LEDは、例えば、それらの小型さ及びより低い電力要求により、数多くの様々な用途にとっての魅力的な候補であり得る。例えば、それらは、カメラ及び携帯電話などの手持ち式の電池駆動装置用の光源(例えば、フラッシュ光及びカメラフラッシュ)として使用され得る。それらはまた、例えば、自動車照明、ヘッドアップディスプレイ(HUD)照明、園芸照明、街路灯、ビデオ用のトーチ、一般照明(例えば、家庭、店舗、オフィス及びスタジオの照明、劇場/舞台の照明、及び建築照明)、拡張現実(AR)照明、仮想現実(VR)照明のために使用され、ディスプレイ用のバックライトとして使用され、また、IR分光法に使用され得る。単一のLEDでは白熱光源よりも明るくない光を提供することになり、従って、もっと明るいことが望まれる又は必要とされる用途では、マルチジャンクションデバイス又はLEDのアレイ(例えば、モノリシックLEDアレイ、マイクロLEDアレイなど)が使用され得る。
LEDは、一部の用途でアレイに配列され得る。例えば、LEDアレイは、細かい粒度での配光の強度、空間、及び時間制御から恩恵を受ける用途をサポートし得る。これは、以下に限られないが、ピクセルブロック又は個々のピクセルからの放射光の精密な空間パターン形成を含み得る。用途に応じて、放射光は、スペクトル的に異なってもよく、経時的に適応的であってもよく、及び/又は環境応答性であってもよい。LEDアレイは、様々な強度、空間又は時間パターンで、予めプログラムされた配向を提供してもよい。放射光は、受信されたセンサデータに少なくとも部分的に基づいてもよく、また、光無線通信に使用されてもよい。付随する電子回路及び光学系が、エミッタレベル、エミッタブロックレベル、又はデバイスレベルにおいて異なってもよい。
LEDアレイは、LED、VCSEL、OLED、又は他の制御可能な発光システムの一次元、二次元、又は三次元アレイから形成され得る。LEDアレイは、モノリシック基板上のエミッタアレイとして形成されることもあるし、基板の部分的又は完全なセグメント化によって形成されることもあるし、フォトリソグラフィ処理、アディティブ処理、若しくはサブトラクティブ処理を用いて形成されることもあるし、あるいは、ピックアンドプレース若しくは他の好適な機械的プレースメントを用いる組み立てを通じて形成されることもある。LEDアレイは、グリッドパターンで均一に配置されることもあるし、あるいは、幾何学的構造、曲線、ランダム、又は不規則なレイアウトを画成するように位置付けられることもある。
図1は、一例のLEDアレイ102の上面図である。図1に示す例において、LEDアレイ102は、エミッタ(発光体)120のアレイである。LEDアレイ102内のエミッタ120は、個々にアドレス指定可能であったり、あるいはグループ/サブセットでアドレス指定可能であったりし得る。
LEDアレイ102の3×3部分の拡大図も図1に示している。3×3拡大図に示すように、LEDアレイ102は、各々が幅wを有する複数のエミッタ120を含み得る。実施形態において、幅wは約100μm以下(例えば、40μm)とし得る。エミッタ120間のレーン122は幅がwの広さとし得る。実施形態において、幅wは約20μm以下(例えば、5μm)とし得る。一部の実施形態において、幅wは1μmほどの小ささとし得る。レーン122は、隣接し合うエミッタ間にエアギャップを提供してもよいし、他の材料を含んでもよい。1つのエミッタ120の中心から隣接するエミッタ120の中心までの距離Dは、約120μm以下(例えば、45μm)とし得る。理解されることには、ここで提供される幅及び距離は単なる例であり、実際の幅及び/又は寸法は様々であり得る。
理解されることには、図1には対称なマトリクスに配置された正方形のエミッタが示されているが、ここに記載される実施形態には任意の形状及び配置のエミッタが適用され得る。例えば、図1のLEDアレイ102は、例えば200×100マトリクス、対称マトリクス、非対称マトリクス、又はこれらに類するものなど、任意の適用可能な配置で20,000個を超えるエミッタを含み得る。これまた理解されることには、ここに記載される実施形態を実装するために、複数組のエミッタ、マトリクス、及び/又は基板が任意の適用可能な形態で配置されてもよい。
上述のように、例えばLEDアレイ102などのLEDアレイは、20,000個以上に至るエミッタを含み得る。そのようなアレイは、90mm以上の表面積を持つことができ、また、例えば60ワットなど、それらに電力供給するためにかなりの電力を必要とし得る。例えばこれなどのLEDアレイは、マイクロLEDアレイ又は単にマイクロLEDと称されることがある。一部の実施形態において、マイクロLEDは、センチメートルスケールの基板又はそれより小さい基板上に共に配置された数百、数千、又は更には数百万ものLED又はエミッタを含み得る。マイクロLEDは、基板上に提供される個々のエミッタのアレイを含んでいてもよく、あるいは、エミッタを形成するセグメントに部分的に又は完全に分割された単一のシリコンウエハ又はダイであってもよい。
コントローラは、異なる光ビームパターンを提供するために、LEDアレイ内のエミッタのサブグループに選択的に電力供給するように結合され得る。LEDアレイ内のエミッタのうちの少なくとも一部が、接続された電気配線を介して個別に制御され得る。他の実施形態において、エミッタのグループ又はサブグループが一緒に制御され得る。一部の実施形態において、エミッタは、異なる白色以外の色を有してもよい。例えば、エミッタのうち少なくとも4つが、エミッタのRGBYグループであってもよい。
LEDアレイ照明器具は、選択的なエミッタ活性化及び強度制御に基づいて異なる照明パターンを投影するようにプログラムされ得るものである光フィクスチャを含み得る。そのような照明器具は、可動部分を用いずに単一の照明装置から複数の制御可能なビームパターンを届け得る。典型的に、これは、1D又は2Dアレイ内の個々のLEDの輝度を調節することによって行われる。光学系が、共有であろうと個別であろうと、オプションで、光を特定のターゲット領域に向け得る。一部の実施形態において、LED、それらの支持基板及び電気配線、並びに付随するマイクロ光学系の高さは、5ミリメートル未満であり得る。
LEDアレイ又はμLEDアレイを含め、LEDアレイは、改善された視覚表示のため、又は照明コストを低減するために、建物又は領域を選択的且つ適応的に照明するように使用され得る。また、そのようなLEDアレイは、装飾的なモーションエフェクト又はビデオエフェクトのためにメディアファサードを投影するのに使用されてもよい。追跡センサ及び/又はカメラと共に、歩行者の周囲の領域の選択的照明が可能であり得る。照明の色温度を調節するため、及び波長が特有の園芸照明をサポートするために、スペクトル的に異なるエミッタが使用され得る。
街路照明は、LEDアレイの使用から大きに恩恵を受け得る重要な用途である。単一タイプのLEDアレイを用いて様々な街灯タイプを模倣することができ、選択されたエミッタの適切な活性化又は非活性化によって、例えば、タイプIの直線状の街灯とタイプIVの半円状の街灯との間での切り換えを可能にし得る。さらに、環境条件又は使用時間に従って光ビームの強度又は分布を調節することにより、街路照明コストを低下させ得る。例えば、歩行者が存在しないときに光の強さ及び分布面積を小さくし得る。エミッタがスペクトル的に異なる場合、昼光、夕暮れ、又は夜間の条件に従って光のそれぞれの色温度を調節し得る。
LEDアレイはまた、直接的な又は投影的な表示を必要とする用途をサポートするのに良く適している。例えば、警告標識、緊急標識、又は情報標識は全て、LEDアレイを用いて表示又は投影されることができる。これは、例えば、色が変化する又は点滅する出口標識が投影されることを可能にする。LEDアレイが多数のエミッタを含む場合、テキスト又は数値の情報が提示されてもよい。指示の矢印又は類似のインジケータも提供され得る。
車両ヘッドランプは、多数のピクセル及び高いデータリフレッシュレートを必要とするLEDアレイ用途である。道路の選択された部分のみを能動的に照らす自動車ヘッドライトは、対向する運転者のまぶしさ又は目の眩みに関連する問題を軽減するために使用されることができる。赤外線カメラをセンサとして用いて、LEDアレイは、歩行者又は対向車の運転者の目を眩ませてしまい得るエミッタを非活性化しながら、道路を照らすのに必要なエミッタのみを活性化することができる。また、運転者の環境認知を高めるために、道路外の歩行者、動物、又は標識を選択的に照明することができる。エミッタがスペクトル的に異なる場合、昼光、夕暮れ、又は夜間の条件に従って光のそれぞれの色温度を調節してもよい。一部のエミッタを、光無線車両対車両通信のために使用してもよい。
アレイ内の個々のLED又はエミッタを個別に駆動又は制御するために、シリコンバックプレーンがLEDアレイに近接して設けられ得る。一部の実施形態において、シリコンバックプレーンは、以下を含むことができ、すなわち、当該シリコンバックプレーンの様々な部分に電力供給するために1つ以上のソースから電力を受けるための回路、LEDアレイを介して像を表示するために1つ以上のソースから画像入力を受信する回路、当該シリコンバックプレーンと外部コントローラ(例えば、車両ヘッドランプ制御装置、一般照明制御装置など)との間での通信のための回路、例えば受信した画像入力及び外部ソースから受信した通信に基づいてアレイ内の個々のLED又はエミッタの動作を制御するために例えばパルス幅変調(PWM)信号などの信号を生成するための回路、及び生成された信号に基づいてアレイ内のLED又はエミッタを個別に駆動するための多数のLEDドライバを含むことができる。実施形態において、シリコンバックプレーンは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)バックプレーンとすることができ、これは、対応するLEDアレイ内のLED又はエミッタと同数のドライバを含み得る。一部の実施形態において、シリコンバックプレーンは特定用途向け集積回路(ASIC)であってもよい。一部の実施形態において、何らかの数のLED又はエミッタのグループごとに1つのドライバが設けられてもよく、制御は、個別ではなく、LED又はエミッタのグループのものであってもよい。各ドライバが個別に、対応するLED若しくはエミッタ又は複数のLED若しくはエミッタのグループに電気的に結合され得る。特定の回路に関してシリコンバックプレーンを上述しているが、当業者が理解することには、ここに記載されるようなLEDアレイを駆動するのに使用されるシリコンバックプレーンは、ここに記載される実施形態から逸脱することなく、異なる機能を潜在的に実行する、より多い、より少ない、又は異なるコンポーネントを含み得る。
上述のように、シリコンバックプレーン内の個々のドライバが、LEDアレイ内の個々のLED若しくはエミッタ又は複数のLED若しくはエミッタのグループに電気的に結合され得る。従って、LEDアレイは、シリコンバックプレーンに近接して配置されなければならない。実施形態において、これは、LEDアレイの表面上の銅ピラーバンプ又はコネクタのアレイ内の銅ピラーバンプ又は他のコネクタを、シリコンバックプレーンの対向表面上の対応するコネクタに個別に結合することによって達成され得る。上述のようなシリコンバックプレーンは、特にそれがLEDアレイに近接していることを所与とすると、動作中に非常に極めて熱くなり得る。従って、そのようなデバイスでは放熱が難題となり得る。半導体デバイスの放熱のための幾つかのソリューションが知られているが、そのようなソリューションは、デバイスの頂部を通じて熱を放散する構造を含むことが多い。しかしながら、LEDアレイからの発光に起因して、デバイスの頂部を通じての放熱は実用的でなかったり可能でなかったりすることがある。ここに記載される実施形態は、デバイスの底面を通じた効果的で効率的な放熱を可能にし得る構造を提供する。
さらに、例えばLEDアレイ102などのLEDアレイ及び付随するシリコンバックプレーンは、例えば抵抗、キャパシタ、及び水晶などの多数の受動素子がシリコンバックプレーンに近接して回路ボード上に配置されることを必要とし得る。デバイスの底面を通じた放熱を提供することに加えて、ここに記載される実施形態はまた、バックプレーン及びLEDアレイに近接して回路ボードの頂面上に多数の受動コンポーネント(例えば、27個以上)を配置することも可能にするLEDパッケージを提供し得る。また、ここに記載される実施形態は、1つ以上の受動素子を収容し得るとともに、シリコンバックプレーン及びLEDアレイによって生成される熱の放散を可能にし得る低背のLEDアレイパッケージを提供し得る。
図2Aは、混成デバイス200の一例の断面図である。図2Aに示す例において、混成デバイス200はシリコンバックプレーン204を含んでいる。例えばμLEDなどのLEDアレイ202の第1の表面203が、シリコンバックプレーン204の第1の表面205上に取り付けられ得る。説明を簡単にするために、シリコンバックプレーン204の第1の表面205ここでは頂面と称することもあり、また、LEDアレイ202の第1の表面203をここでは底面と称することもある。しかしながら、当業者が理解することには、第1の表面205は、混成デバイス200がひっくり返された場合には底面となることができ、混成デバイス200が横向きにされた場合には側面となることでき、等々である。同様に、第1の表面203は、混成デバイス200がひっくり返された場合には頂面となることができ、混成デバイス200が横向きにされた場合には側面となることでき、等々である。上述のように、シリコンバックプレーン204の第1の表面205上のコネクタのアレイ(図示せず)が、LEDアレイ202の底面上のコネクタのアレイにはんだ付けされ、リフローされ、又はその他の方法で電気的且つ機械的に結合され得る。コネクタのアレイは、例えば銅ピラーバンプのアレイなど、任意のコネクタのアレイとし得る。LEDアレイ202は深さD1を持ち得る。実施形態において、深さD1は、例えば、5μmと250μmとの間とし得る。シリコンバックプレーン204は深さD2を持ち得る。実施形態において、深さD2は、例えば、100μmと1mmとの間とし得る。混成デバイス200を混成ダイと称することもある。
図2Bは、図2Aの混成デバイス200の例を組み込んだLED照明システム250の一例の断面図である。図2Bに示す例において、混成デバイス200は、パッケージング基板208内にパッケージングされている。
図2Bに示す例では、シリコンバックプレーン204の第2の表面207が、金属インレー210の第1の表面209にマウントされ得る。シリコンバックプレーン204の第2の表面207を、ここでは底面と称することもあり、また、金属インレー210の第1の表面209を、ここでは頂面と称することもある。しかしながら、当業者が理解することには、第2の表面207は、混成デバイス200がひっくり返されると頂面になることができ、混成デバイス200が横向きにされると側面になることができ、等々である。同様に、第1の表面209は、混成デバイスをひっくり返されると底面になることができ、混成デバイス200が横向きにされると側面になることができ、等々である。図2Bに示す例では、シリコンバックプレーン204の第2の表面207と金属インレー210の第1の表面209とが、金属層206によって接続されている。金属層206は、シリコンバックプレーン204と金属インレー210との間での熱伝達を可能にする良好な熱特性を有する任意の金属とし得る。実施形態において、金属層206は銀とし得る。金属層206は、シリコンバックプレーン204を金属インレー210に熱的に結合する。
金属インレー210は、良好な熱特性を有する一種類以上の金属の1つ以上の層とし得る。実施形態において、金属インレー210は、銅又はアルミニウムの部材又は塊などの単一の金属片である。金属インレー210は、他の回路ボード、ヒートシンク、又は他の金属インレー若しくは金属片(これらの例については後述する)と接触し得る第2の表面211を有して、金属インレー210を介したLEDアレイ202及びシリコンバックプレーン204からその回路ボード、ヒートシンク、又は他のインレー若しくは金属片への熱伝達を支援し得る。金属インレー210の第2の表面211を、ここでは底面と称することもある。しかしながら、当業者が理解することには、第2の表面211は、混成デバイス200がひっくり返されると頂面になることができ、混成デバイス200が横向きにされると側面になることができ、等々である。金属インレー210は側面も含み得る。形状に応じて、金属インレー210は、複数の側面又は単一の側面を持つことができ、それらは、混成デバイス200の向きに応じて頂面、底面、などになり得る。金属インレー210の第1及び/又は第2の表面209/211の一部を導電パッドにしたり該一部に導電パッドを結合したり、第1及び/又は第2の表面209/211の一部を導電パッドで覆ったり、第1及び/又は第2の表面209/211の全部を導電パッドで覆ったり、第1及び/又は第2の表面209/211を越えて導電パッドが延在したり、のうちの1つ以上であってもよい。
金属インレー210は基板208に埋め込まれ得る。より具体的には、図示した実施形態において、金属インレー210は、金属層206、シリコンバックプレーン204、及びLEDアレイ202が基板208の第1の表面213を突き出てその上まで延在するように、基板208に埋め込まれている。第1の表面213を、ここでは頂面と称することもあるが、LED照明システム250の向きに応じて側面又は底面となり得る。一部の実施形態において、金属層206及び/又はシリコンバックプレーン204の全部又は一部が基板208に埋め込まれてもよい。基板208は、基板208の内面217a、217bを露出させる開口を有し得る。該開口は、基板208の厚さT全体を完全に貫いて延在し得る。形状に応じて、該開口は、複数の内面又は単一の内面217を持つことができ、それらは、LED照明システム250の向きに応じて頂面、底面、などになり得る。図2Bに示す例において、混成デバイス200は、少なくとも金属インレー210が開口内にあって側面を基板208の内面217a、217bに接触させるように配置されている。このような実施形態において、混成デバイス200は、好適な接着剤を介して基板208の内面217a、217bに固定され得る。他の実施形態において、基板208は、少なくとも金属インレー210の側面が基板208の内面217a、217bと直接接触するように、混成デバイス200の周りに成形されてもよい。他の実施形態において、開口を混成デバイス200よりも幅広にして、内面217a、217bと少なくとも金属インレー210の側面との間に空間を残してもよい。
図示のLED照明システム250はまた、金属インレー210の第2の表面211に熱的に結合された金属パッド218を含み得る。金属パッド218は、金属インレー210と、他の回路ボード、他の金属インレー及び/又はヒートシンクとの接続を容易にし得る。実施形態において、金属パッド218は含められなくてもよく、金属インレー210が他の回路ボード、他の金属インレー及び/又はヒートシンクと直接接触して配置され得る。図示の実施形態において、金属パッド218は金属インレー210の第2の表面211を完全に覆って、基板208の第2の表面215の一部と重なっている。第2の表面211を、ここでは底面と称することもあるが、LED照明システム250の向きに応じて葉面、側面などになり得る。当業者が理解することには、金属パッド218は、金属インレー210の第2の表面211を部分的にのみ覆ってもよいし、基板の第2の表面215と重なることなく金属インレー210の第2の表面211を完全に覆ってもよいし、基板208の第2の表面215のもっと大きい領域を覆うように更に延びてもよい。
基板208の第1の表面213に受動コンポーネント216がマウントされ得る。図2Bに示す例において、受動コンポーネント216は、第1の表面213上の金属パッド221にマウントされている。基板208の第2の表面215上にも、ボトム金属パッド又はコンタクト220が設けられ得る。受動コンポーネント216の各々が、それぞれのビア219によって、基板208の第2の表面215上のそれぞれの金属パッド又はコンタクト220に結合され得る。ビア219は、他の回路ボード(図3に示す)への電気接続のために、受動コンポーネント216と基板208の底面上の金属パッド又はコンタクト220との間に電気接続をなすよう、ライニングされ、充填され、又はその他の方法で、金属パッド221と金属パッド又はコンタクト220との間に電気的に結合された金属材料を含むことができる。シリコンバックプレーン204も、導電コネクタ212を介して受動コンポーネント216に電気的に結合され得る。図2Bには示していないが、基板208の第1の表面213上のメタライゼーションが、導電コネクタ212とそれぞれの受動コンポーネント216との間の電気接続を完成させ得る。メタライゼーションの例については、図4に関連して以下にて図示及び説明する。
図2Bには2つの導電コネクタ212のみが示されているが、任意の数の導電コネクタ212が含められ得る。例えば、LED照明システム250は、27個以上の受動コンポーネント216と同数の導電コネクタ212とを含み得る。図示の実施形態において、導電コネクタ212は例えばリボンワイヤなどのワイヤである。しかしながら、導電コネクタ212は、例えばフレキシブル回路など、好適な任意のタイプの導電コネクタとし得る。導電コネクタは、封入体214によって完全に覆われ得る。封入体214は、導電コネクタ212を保護することができ、実施形態において、例えばLEDアレイ202によって表示される画像のために、コントラストを提供する機能も果たすことができる。実施形態において、封入体は、暗色又は黒色の外観を作り出し得る炭素フィラーを有するエポキシ又はシリコーン材料とし得る。この封入材料を、ここでは遮光封入体と称することもある。
図3は、図2BのLED照明システム250を組み込んだアプリケーションシステム300の断面図である。アプリケーションシステム300は、第1の表面301上に多数の金属パッド(図示せず)を有する回路ボード224を含み得る。金属パッドは、LED照明システム250の対応する金属パッド218及び220の位置に対応する位置にあるとし得る。回路ボード224はまた、LED照明システム250の金属パッド218に対応するように配置された金属パッドを含み得るものである金属インレー226を含み得る。LED照明システム250の金属パッド218及び220が、回路ボード224上の対応する金属パッドにはんだ付けされ得る。はんだ222の層が、基板208の第2の表面211と回路ボード224の第1の表面301との間の均一な層として示されている。しかしながら、実施形態において、はんだ222は、対応し合う金属パッドの間のみに配置されてもよく、且つ/或いは、金属パッドの上に僅かに広がったり金属パッドを完全には覆わなかったりしてもよい。LED照明システム250の金属インレー210の、回路ボード224に近接し且つそれと熱結合しての配置、特に、含まれる場合に、回路ボード224内の金属インレー226に近接し且つそれに熱結合しての配置は、LEDアレイ202、シリコンバックプレーン204、及び金属インレー210の第2の表面すなわち底面203、207、及び211を介した混成デバイス200から回路ボード224への良好な熱伝達を可能にし得る。基板224の第1の表面301を、ここでは頂面と称することもあるが、アプリケーションシステム300の向きに応じて、底面、側面などとなり得る。
さらに、金属パッド220と回路ボード224上の対応する金属パッドとの間の電気結合は、受動コンポーネント216、シリコンバックプレーン204、及び回路ボード224の間の電気結合を可能にし得る。回路ボード224は、例えば車両照明又はフラッシュアプリケーションなどの特定のアプリケーション(車両照明システムの例を、図7及び図8に関連して後述する)で使用される更に大きいシステムの一部とし得る。回路ボード224は、ヒートシンク230に加えて、その更に大きいシステムに必要な他の回路要素を含み得る。
実施形態において、金属インレー226は、LED照明システム250の金属インレー210に関して上述した方式のいずれかで回路ボード224内に配置され得る。また、回路ボード224は、更なる放熱のためにヒートシンク230に熱的に結合され得る。回路ボード224の第2の表面303が、熱インタフェース材料(thermal interface material;TIM)228を介してヒートシンク230の第1の表面305に取り付けられ得る。ここでは、第2の表面303を底面とも称することがあり、また、第1の表面305を頂面と称することがあるが、アプリケーションシステム300の向きに応じて、それらは各々、底面、上面、側面などとなり得る。
図4は、図2BのLED照明システム250の頂面400を示す上面図である。この上面図は、LEDアレイ202の第1の表面すなわち頂面と、シリコンバックプレーン204の第1の表面すなわち頂面205のうちLEDアレイ202によって覆われていない部分と、導電コネクタ212を覆う封入体214と、受動コンポーネント216と、導電コネクタ212を受動コンポーネント216のうちのそれぞれの1つに電気的に結合するメタライゼーション232と、基板208の第1の表面又すなわち頂面213のうちシリコンバックプレーン204、封入体214、メタライゼーション232、及び受動コンポーネント216によって覆われていない部分と、を示している。図4には示していないが、導電コネクタ212は、基板208の第1の表面213上の金属パッドに電気的に結合されることができ、メタライゼーション232は、金属パッド(図示せず)と受動コンポーネント216との間の電気接続を形成するようにパターニング又はエッチングされた金属の層とすることができる。
図4に示すように、LED照明システム250は、長さl及び幅wを持つ。実施形態において、長さlは約30mmとすることができ、幅wは約22mmとすることができる。シリコンバックプレーン204は、長さl及び幅wを持ち得る(明瞭さのためにラベルを付していない)。実施形態において、長さlは約15.5mmとすることができ、幅wは約6.5mmとすることができる。LEDアレイ202は、長さl及び幅wを持ち得る。実施形態において、長さlは約11mmとすることができ、幅wは約4.4mmとすることができる。
これらの寸法例を所与として、比較的大きい表面積(上の例では660mm)を持ち、該表面積のうち比較的大きい量がLEDアレイ(上の例では約100mmの表面積を持つ)によって占められないLEDアレイパッケージが提供され得る。従って、この設計は、LEDアレイパッケージ上に受動電子コンポーネントの取り付けのための十分なスペースを提供する。
上述のように、シリコンバックプレーンは、以下を含むことができ、すなわち、当該シリコンバックプレーンの様々な部分に電力供給するために1つ以上のソースから電力を受けるための回路、LEDアレイを介して像を表示するために1つ以上のソースから画像入力を受信する回路、当該シリコンバックプレーンと外部コントローラ(例えば、車両ヘッドランプ制御装置、一般照明制御装置など)との間での通信のための回路、例えば受信した画像入力及び外部ソースから受信した通信に基づいてアレイ内の個々のLED又はエミッタの動作を制御するために例えばパルス幅変調(PWM)信号などの信号を生成するための回路、及び生成された信号に基づいてアレイ内のLED又はエミッタを個別に駆動するための多数のLEDドライバを含むことができる。通信のために、シリコンバックプレーンは多数のデジタルインタフェースを持つことがあり、そのため、基板208上の受動コンポーネント、又は例えば制御ボードなどの外部回路ボード、のいずれかに接続するための多数(例えば、100以上)の物理的な接続入力/出力(I/O)ピンを必要とし得る。一部の実施形態において、外部のボード又は装置は、制御信号を受信するために自動車内の様々な制御モジュールに通信的に結合され得るものである車両ヘッドランプとし得る。
さらに、シリコンバックプレーンは、混成デバイスに電力供給するために複数の外部電源(例えば、2つ以上)を必要とすることがある。実施形態において、混成デバイスは、例えばデジタル電源、アナログ電源、及びLED電源などの、2つ以上の電源に対応するI/Oピンのグループを含み得る。各外部電源が、対応するI/Oピンに近接して配置(例えば、I/Oピンのうちの少なくとも1つの10mm以内)された1つ以上の受動コンポーネントを必要とし得る。実施形態において、そのような受動コンポーネントは、少なくとも1つの個別のデカップリングキャパシタを含み、場合によっては5つ以上のデカップリングキャパシタを含み得る。さらに、シリコンバックプレーンは、LED電流を正確に設定するための抵抗、デカップリングキャパシタ以外のキャパシタ、及び/又は汎用非同期送受信器(universal asynchronous receiver-transmitter;UART)用の周波数を設定するための水晶を必要とすることがある。これらの受動コンポーネントの多く又は全てが、シリコンバックプレーンのピンに対して可能な限り近く配置されるべきである(例えば、I/Oピンのうちの少なくとも1つの10mm以内)。例えば、UART用の周波数を設定するのに使用される水晶は、非常に高い周波数を持つことができ、それはノイズに敏感なものであり得る。さらに、これらの受動コンポーネントの各々がシリコンバックプレーンに電気的に結合される必要があり得る。これは、基板208上のスペースを困難にし得る。
実施形態において、シリコンバックプレーンのI/Oピンに近接して配置される必要がある受動コンポーネントは、パッケージング基板208の頂面上にマウントされ得る。実施形態では、シリコンバックプレーンをサポートする全ての受動コンポーネントがパッケージング基板208にマウントされ得るが、他の実施形態では、一部の受動コンポーネント(例えば、シリコンバックプレーンのI/Oピンからもっと間隔を空けられることができるもの)は、例えば制御ボードなどの他の回路ボードにマウントされてもよい。上述のように、シリコンバックプレーン204は、シリコンバックプレーン204と基板208との間に場合によって多数の電気接続をなすために、例えばリボンワイヤ又はフレキシブル回路などの導電コネクタ212を使用し得る。これは、更に詳細に後述するように、受動コンポーネント自体のため及び他のルーティングのために使用されることができる基板208上のスペースを節約する。さらに、マイクロLEDの場合、例えば17Aなどの大キイ電流が必要とされ得る。このような大電流のルーティングには、大きいトレースを必要とし得る。受動コンポーネント用のルーティングを収容するとともに、受動コンポーネント用のパッケージング基板上のスペースを節約するために、層の各々が異なる機能を持つ多層基板構造を以下に説明する。これは、例えば、大電流をルーティングするための大きいトレースの使用を可能にするとともに、アナログとデジタルのグランドを別々の層に適切に分離することを可能にする。
図5A、5B、5C、及び5Dは、受動コンポーネント、メタライゼーション、及び他の要素のレイアウトの例を示すLED照明システムの他の例の上面図500A、500B、500C、及び500Dである。図5Dは、受動コンポーネント216、並びに表面メタライゼーション及びボード貫通接続(例えば、ビア)の一部のレイアウトの一例を示している。
図5Dに示す例では、基板208の第1の表面213に27個の受動コンポーネント216a-216zzがマウントされている。しかしながら、当業者が理解することには、ここに記載される実施形態から逸脱することなく、より多数又は少数の受動コンポーネント216が基板上にマウントされてもよい。上述のように、例えば、シリコンバックプレーンをサポートする受動コンポーネントの全てが基板208の第1の表面213上に配置されてもよいし、シリコンバックプレーンをサポートする受動コンポーネントのうちの一部が基板208の第1の表面213上に配置される一方で、他のものが例えば制御ボードなどの他の回路ボードにマウントされてもよい。受動コンポーネントは、例えば、上述のようなキャパシタ(デカップリング又は非デカップリング)、抵抗及び/又は水晶を含むことができ、あるいは、特には言及しない他のタイプの受動コンポーネントを含んでもよい。基板208の中央領域に、シリコンバックプレーン204上にマウントされたLEDアレイ202が示されている。
明瞭さのため、導電コネクタ212は図5Dに示されていない。しかし、導電コネクタ212がはんだ付け又はその他の方法で電気的に結合されるピン506は示されている。換言すれば、ピン506は、シリコンバックプレーン204の対応するI/Oピン(図示せず)に電気的に結合され得る。シリコンバックプレーンのI/Oピンは図5Dに示されていないが、それらは、例えば、導電コネクタ212がシリコンバックプレーン204の頂面に付着しているところの図2A-2C中の位置に対応し得る。図5Dに示すように、ピン506は、メタライゼーション232によって受動コンポーネント216a-216zzへとルーティングされることができ、また、メタライゼーション502によって他のコンポーネント又は層にルーティングされることができる。受動コンポーネント216a-216zzのうち少なくとも一部は、シリコンバックプレーン204のI/Oピン(図示せず)に近接しているべきである。例えば、受動コンポーネントの216a-216zzは、シリコンバックプレーン204のI/Oピンのうちの少なくとも1つの10mm以内にあるとし得る。
図5Dでは、1つのメタライゼーション502がラベル付けられてビア504に電気的に結合され、1つのメタライゼーション232がラベル付けられて受動コンポーネントのうちの1つ216zzに電気的に結合されている。ビア504のルーティングを、以下の図6A、6B、6C、及び6Dの4層回路ボード構造例の4つの層の各々に示している。3つの電源例から受けるためのピン506のグループの位置の例も図5Dにラベル付けされており、例えば、デジタル電源位置又はグループ508、LED電源位置又はグループ510、及びアナログ電源位置又はグループ512と、対応する受動コンポーネント又は受動コンポーネントグループ(例えば、受動コンポーネント216y、216z、216zz、216a、216b、216c、216d、216e、216f、216g、及び216hであるが、これらの受動コンポーネントのうちのより多数又は少数が様々な電源に使用され得る)とを含む。ピン506のグループは、シリコンバックプレーン上のI/Oピン(図示せず)の対応するグループに対応し得る。
図5A、5B、及び5Cは、ルーティングに使用され得る更なる表面メタライゼーションを示している。図5Aは、正電源トレース520を、対応する金属パッドを含めて示している。図5Bは、(別の層に位置する)デジタルグランドのためのグランドトレース530を示している。図5Cは、別の層にあるデジタルグランドとは分離されたアナロググランド540を示している。特定のレイアウトが図5A、5B、5C、及び5Dに示されているが、当業者が認識することには、ここに記載される実施形態と一致して、複数の異なるレイアウトが可能である。
図6A、6B、及び6Cは、4層回路ボード例の最も上の層すなわち第1の層、第2の層、及び第3の層の上面図600A、600B、及び600Cである。図6Dは、4層回路ボード例の最も下の層すなわち第4の層の下面図600Dである。
図6Aは、4層回路ボード例の最も上の層すなわち第1の層の上面図600Aである。この頂部層すなわち第1の層は、図5A、5B、5C、及び5Dに示した基板208の第1の表面213と同様とし得る。図6Aは、特に、LEDアレイ202、シリコンバックプレーン204、及び様々な表面ルーティングを示している。ボード貫通接続(例えば、ビア)504も図6Aでラベル付けられており、図6A、6B、6C、及び6Dのボード貫通接続504同士の間の対応を示している。
図6Bは、4層回路ボード例の第2の層の上面図600Bである。上述のように、多層回路ボードの各層が異なる機能を果たし得る。実施形態において、図6Bに示す第2の層は、制御信号ルーティング用とすることができ、その機能を実行し得るトレース550を含むことができる。ボード貫通接続504もラベル付けられている。図6Bに示すように、金属インレー210の一部が、図6Bに示す第2の層の例を貫いて延在し得る。
図6Cは、4層回路ボード例の第3の層の上面図600Cである。実施形態において、第3の層は、デジタルグランドプレーン560を含むことができ、これは、上述のように、最も上の層すなわち第1の層のアナロググランド540から分離されることができる。デジタルグランドプレーン560は、シリコンバックプレーンのデジタルブロックのグランド接続として、及びEMCシールドとして機能し得る。これは、さもなければ電磁適合性(EMC)問題及び回路誤動作を生じ得るものであるアナログ回路とデジタル回路との間でのグランドバウンシングを回避し得る。ボード貫通接続504もラベル付けられている。図6Cに示すように、金属インレー210の一部が、図6Cに示す第3の層の例を貫いて延在し得る。
図6Dは、4層回路ボード例の最も下の層すなわち第4の層の下面図600Dである。最も下の層すなわち第4の層は、図2Bの基板208の第2の表面215を表し得る。図6Dはまた、金属インレー210の第2の表面211も示している。金属インレー210のこの表面に金属パッド218が取り付けられ得る(図6Dには示していない)。図6Dは金属トレース570を示しており、これは、図2Bの実施形態の金属コンタクト220を含み得る。これらは、ボード貫通接続504又は場合により他のビアによって、受動コンポーネント216に電気的に結合されることができ、場合により、最も上の層すなわち第1の層上の他のトレース又はコンポーネントに電気的に結合されることができる。
図6A-6Dは4層回路ボードを具体的に示しているが、4層回路ボードは、例えば、含まれる外部電源、デジタルインタフェース、受動コンポーネント、又は潜在的な他の機構の数に応じて、4つよりも少ない又は多い数の層を持つ多層回路ボードとして実装され得る。
図7は、例えば図2BのLED照明システム250を組み込み得る車両ヘッドランプシステム700の一例の図である。図7に示す車両ヘッドランプシステム700の例は、電力ライン702、データバス704、入力フィルタ及び保護モジュール706、バストランシーバ708、センサモジュール710、LED直流-直流(DC/DC)モジュール712、ロジック低ドロップアウト(LDO)モジュール714、マイクロコントローラ716、及びアクティブヘッドランプ718を含んでいる。実施形態において、アクティブヘッドランプ718は、例えば図2BのLED照明システム250などのLED照明システムを含み得る。
電力ライン702は、車両から電力を受け取る入力を持つことができ、データバス704は、それを介して車両と車両ヘッドランプシステム700との間でデータが交換され得る入力/出力を持つことができる。例えば、車両ヘッドランプシステム700は、車両内の他の場所から、例えば方向指示を点灯させたりヘッドランプを点灯させたりするための命令などの命令を受信し得るとともに、望まれる場合に車両内の他の場所にフィードバックを送信し得る。センサモジュール710は、データバス704に通信可能に結合されることができ、例えば、環境条件(例えば、時刻、雨、霧、又は周辺光レベル)、車両状態(例えば、駐車中、移動中、移動速度、又は移動方向)、及び他の物体(例えば、車両又は歩行者)の存在/位置に関連する追加データを、車両ヘッドランプシステム700又は車両内の他の場所に提供することができる。車両データバスに通信可能に結合された車両コントローラとは別のヘッドランプコントローラも、車両ヘッドランプシステム700に含められ得る。図7において、ヘッドランプコントローラは、例えばマイクロコントローラ(μc)716などのマイクロコントローラとし得る。マイクロコントローラ716は、データバス704に通信可能に結合され得る。
入力フィルタ及び保護モジュール706は、電力ライン702に電気的に結合されることができ、例えば、伝導性放射を低減させて電力耐性を提供する様々なフィルタをサポートし得る。さらに、入力フィルタ及び保護モジュール706は、静電放電(ESD)保護、負荷ダンプ保護、オルタネータフィールド減衰保護、及び/又は逆極性保護を提供し得る。
LED DC/DCモジュール712は、フィルタ及び保護モジュール706とアクティブヘッドランプ718との間に結合されて、フィルタリングされた電力を受け取り、アクティブヘッドランプ718のLEDアレイ内のLEDに電力供給するための駆動電流を提供することができる。LED DC/DCモジュール712は、約13.2ボルトの公称電圧の、7ボルトと18ボルトとの間の入力電圧と、LEDアレイに関する最大電圧(例えば、工場若しくは現地での較正、及び負荷、温度若しくは他の要因による動作条件調整)によって決定される)よりも僅かに(例えば、0.3ボルト)高いとし得る出力電圧とを持ち得る。
ロジックLDOモジュール714は、フィルタ及び保護モジュール706に結合されて、フィルタリングされた電力を受け取り得る。ロジックLDOモジュール714はまた、マイクロコントローラ716及びアクティブヘッドランプ718に結合されて、マイクロコントローラ716及び/又はアクティブヘッドランプ718内のシリコンバックプレーン(例えば、CMOSロジック)に電力を提供し得る。
バストランシーバ708は、例えば、汎用非同期送受信器(UART)又はシリアルペリフェラルインタフェース(SPI)を有し得るとともに、マイクロコントローラ716に結合され得る。マイクロコントローラ716は、センサモジュール710からのデータに基づく又はそれを含む車両入力を翻訳し得る。翻訳された車両入力は、アクティブヘッドランプモジュール718内の画像バッファに転送可能なビデオ信号を含み得る。さらに、マイクロコントローラ716は、起動時にデフォルト画像フレームをロードしてオープン/ショートピクセルを検査し得る。実施形態において、SPIインタフェースが画像バッファをCMOSにロードし得る。画像フレームは、フルフレーム、差分フレーム、又は部分フレームとし得る。マイクロコントローラ716の他の機能は、ダイ温度を含むCMOS状態及びロジックLDO出力の制御インタフェースモニタリングを含み得る。実施形態において、LED DC/DC出力は、ヘッドルームを最小化するように動的に制御され得る。画像フレームデータを提供することに加えて、例えば車幅灯若しくは方向指示灯と併せた補助的使用、及び/又は日中走行灯の作動などの、他のヘッドランプ機能も制御され得る。
図8は、他の一例の車両ヘッドランプシステム800の図である。図8に示す車両ヘッドランプシステム800の例は、アプリケーションプラットフォーム802と、2つのLED照明システム806及び808と、光学系810及び812とを含んでいる。2つのLED照明システム806及び808は、例えば図2BのLED照明システム250などのLED照明システムであってもよいし、あるいは、LED照明システム250に付け加えて、図7の車両ヘッドランプシステム700内のその他のモジュールの一部又は全てを含んでもよい。後者の実施形態において、LED照明システム806及び808は車両ヘッドランプサブシステムとし得る。
LED照明システム808は、光ビーム814(図8の矢印814aと814bとの間に示される)を放射し得る。LED照明システム806は、光ビーム816(図8の矢印816aと816bとの間に示される)を放射し得る。図8に示す実施形態では、二次光学系810がLED照明システム808に隣接しており、LED照明システム808から放射された光が二次光学系810を通り抜ける。同様に、二次光学系812がLED照明システム806に隣接しており、LED照明システム806から放射された光が二次光学系812を通り抜ける。代わりの実施形態では、二次光学系810/812は車両ヘッドランプシステムに設けられなくてもよい。
含まれるとき、二次光学系810/812は、1つ以上のライトガイドであるか、それを含むかし得る。該1つ以上のライトガイドは、エッジリット型であってもよいし、ライトガイドの内縁を画成する内部開口を有してもよい。該1つ以上のライトガイドの内部開口にLED照明システム808及び806(又は車両ヘッドランプサブシステムのアクティブヘッドランプ)が挿入されて、それらが該1つ以上のライトガイドの内縁(内側開口型ライトガイド)又は外縁(エッジリット型ライトガイド)に光を注入するようにし得る。実施形態において、該1つ以上のライトガイドは、LED照明システム808及び806によって放射される光を、例えば、勾配、面取り分布、狭い分布、広い分布、又は角度分布を持つようになど、所望のように整形し得る。
アプリケーションプラットフォーム802は、図7の電力ライン702及びデータバス704のうちの1つ以上又は一部を含み得るものであるライン804を介して、LED照明システム806及び/又は808に電力及び/又はデータを提供し得る。アプリケーションプラットフォーム802の筐体の内部又は外部に1つ以上のセンサ(車両ヘッドランプシステム例700内のセンサ又は他の追加のセンサとし得る)があり得る。代わりに、又は加えて、図7の車両ヘッドランプシステム例700に示したように、各LED照明システム808及び806は、それ自身のセンサモジュール、接続・制御モジュール、電力モジュール、及び/又はLEDアレイを含んでもよい。
実施形態において、車両ヘッドランプシステム800は、可動光ビームを備えた自動車を表すことができ、可動ビームを提供するようにLEDが選択的に動作され得る。例えば、LEDのアレイ(例えば、LEDアレイ102)を使用して、ある形状又はパターンを画成又は投影したり、道路の選択されたセクションのみを照らしたりすることができる。一実施形態例において、LED照明システム806及び808内の赤外線カメラ又は検出器ピクセルが、照明を必要とするシーンの部分(例えば、道路又は横断歩道)を特定するセンサ(例えば、図7のセンサモジュール710内のセンサと同様)であるとし得る。
図9は、例えば図2BのLED照明システム250などのLED照明システムを製造する方法900の一例のフロー図である。
図9の方法900の例では、第1の基板に熱伝導インレーが埋め込まれ得る(902)。実施形態において、これは、第1の基板の開口内に熱伝導インレーを配置することによって行われ得る。一部の実施形態において、熱伝導インレーは、基板の露出した内側面に接着剤を用いて接着されることができ、あるいは圧入されることができる。一部の実施形態において、熱伝導インレーの周りに基板が成形されてもよい。第1の基板上に受動コンポーネントが表面実装され得る(904)。実施形態において、第1の基板の第1の表面すなわち頂面上の多数の金属コンタクトのうちの少なくとも一部に、例えばはんだ付けによって、受動コンポーネントがマウントされ得る。実施形態において、熱伝導インレーが埋め込まれるときに第1の基板に既にビア及び他の表面メタライゼーションが形成されていてもよく、あるいは、後にビア及び他の表面メタライゼーションが形成されてもよい。
シリコンバックプレーンの第1の表面すなわち頂面に、例えばマイクロLEDアレイなどのLEDアレイが取り付けられ得る(906)。実施形態において、LEDアレイは、例えば銅ピラーバンプなどのコネクタのアレイを含むことができ、それらは、はんだ付け、リフロー、又は他の方法によって、シリコンバックプレーン内のドライバに個別に結合され得る。第1の基板上に熱伝導材料がディスペンスされ得る(908)。実施形態において、熱伝導材料は、少なくとも、熱伝導インレーに取り付けられた又は熱伝導インレーの一部である金属パッド上にディスペンスされ得る。他の実施形態において、熱伝導材料は、少なくとも熱伝導インレー上に直接ディスペンスされてもよい。一部の実施形態において、熱伝導材料は、第1の基板の第1の表面すなわち頂面の全体を覆い得る。実施形態において、熱伝導材料は銀とし得る。LEDアレイが取り付けられたバックプレーンは、例えばそれを熱伝導材料の上に置き、それが硬化することを可能にすることによって、第1の基板にダイ取り付けされ得る(910)。
バックプレーンが第1の基板にワイヤボンド取り付けされ得る(912)。これは、例えば、リボンワイヤ、フレキシブル回路、又は他のコネクタを用いて、バックプレーン上の金属コンタクト、パッド又はピンを、第1の基板の第1の表面すなわち頂面上の金属コンタクト、パッド又はピンにはんだ付けする又はその他の方法で電気的に結合することによって行われ得る。上に例えば詳細に上述したような封入材料が、ワイヤボンド(例えば、リボンワイヤ、フレキシブル回路、又は他の導電コネクタ)上にディスペンスされるか、あるいはその周りに成形されるかし得る(914)。実施形態において、これは、封入材料によってワイヤボンドが完全に覆われることをもたらし得る。
第1の基板が第2の基板上に表面実装され得る(916)。実施形態において、第1の基板の第2の表面すなわち底面上の金属パッド又はコンタクトが、第2の基板の第1の表面すなわち頂面上の金属パッド又はコンタクトにはんだ付けされ又はその他の方法で電気的に結合され得る。さらに、一部の実施形態において、第2の基板に埋め込まれた熱伝導インレーが、第1の基板に埋め込まれた熱伝導インレーに、例えば、両方の熱伝導インレー上のパッド又はそれらの一部を一緒にはんだ付けすること、又はこれらの熱伝導インレーを一緒に直接はんだ付けすることによって熱的に結合され得る。第2の基板が、例えば熱インタフェース材料(TIM)を用いて、ヒートシンクの第1の表面すなわち頂面に取り付けられ得る(918)。
実施形態を詳細に説明してきたが、当業者が理解することには、ここに記載された実施形態には、本明細書を所与として、発明概念の精神から逸脱することなく、変更が為され得る。従って、発明の範囲が、図示して記述した特定の実施形態に限定されるという意図はない。

Claims (20)

  1. パッケージング基板を取得し、当該パッケージング基板は、埋め込まれた金属インレーと、当該パッケージング基板内の複数のビアと、当該パッケージング基板の底面上の、各々が前記複数のビアのうちのそれぞれの1つに電気的に結合された複数のコンタクトとを有し、
    混成デバイスを形成し、
    前記混成デバイスの底面を前記金属インレーの頂面に取り付け、
    複数の導電コネクタを用いて、前記混成デバイスの頂面を前記パッケージング基板の停止面にワイヤボンディングする、
    ことを有する方法。
  2. 前記複数の導電コネクタを覆って遮光封入材をディスペンスする、ことを更に有する請求項1に記載の方法。
  3. 前記複数の導電コネクタを覆って遮光封入体を成形する、ことを更に有する請求項1に記載の方法。
  4. 前記混成ダイを前記形成することは、セグメント化されたモノリシック発光アレイの底面をシリコンバックプレーンの頂面に取り付けることを有する、請求項1に記載の方法。
  5. 前記セグメント化されたモノリシック発光アレイの前記底面を前記シリコンバックプレーンの前記頂面に前記取り付けることは、前記セグメント化されたモノリシック発光アレイの複数の発光セグメントの各々に、又は前記セグメント化されたモノリシック発光アレイの前記複数の発光セグメントの各サブセットに、個々のドライバを電気的に結合することを有する、請求項4に記載の方法。
  6. 前記電気的に結合することは、前記シリコンバックプレーン上の銅ピラーバンプのアレイを、前記セグメント化されたモノリシック発光アレイの前記底面に銅ピラーバンプ取り付けすることを有する、請求項5に記載の方法。
  7. 前記混成ダイの前記底面を前記金属インレーの前記頂面に前記取り付けることは、
    前記金属インレーの前記頂面上に熱伝導性材料の層をディスペンスし、
    前記熱伝導性材料の前記層に前記混成ダイをダイ取り付けする、
    ことを有する、請求項1に記載の方法。
  8. 前記パッケージング基板の前記頂面上に、前記複数の導電コネクタと前記複数のビアとの間に電気的に結合される少なくとも1つのメタライゼーション層を形成する、ことを更に有する請求項1に記載の方法。
  9. パッケージング基板に金属インレーを埋めこみ、
    前記パッケージング基板内に複数のビアを形成し、
    前記パッケージング基板の底面上に、各々が前記複数のビアのうちの1つに電気的に結合された複数のコンタクトを形成し、
    混成デバイスを形成し、
    前記混成デバイスの底面を前記金属インレーの頂面に取り付け、
    複数の導電コネクタを用いて、前記混成デバイスの頂面を前記パッケージング基板の頂面にワイヤボンディングする、
    ことを有する方法。
  10. 前記複数の導電コネクタを覆って遮光封入材をディスペンスする、ことを更に有する請求項9に記載の方法。
  11. 前記複数の導電コネクタを覆って遮光封入体を成形する、ことを更に有する請求項9に記載の方法。
  12. 前記混成ダイを前記形成することは、セグメント化されたモノリシック発光アレイの底面をシリコンバックプレーンの頂面に取り付けることを有する、請求項9に記載の方法。
  13. 前記セグメント化されたモノリシック発光アレイの前記底面を前記シリコンバックプレーンの前記頂面に前記取り付けることは、前記セグメント化されたモノリシック発光アレイの複数の発光セグメントの各々に、又は前記セグメント化されたモノリシック発光アレイの前記複数の発光セグメントの各サブセットに、個々のドライバを電気的に結合することを有する、請求項12に記載の方法。
  14. 前記電気的に結合することは、前記シリコンバックプレーン上の銅ピラーバンプのアレイを、前記セグメント化されたモノリシック発光アレイの前記底面に銅ピラーバンプ取り付けすることを有する、請求項13に記載の方法。
  15. 前記混成ダイの前記底面を前記金属インレーの前記頂面に前記取り付けることは、
    前記金属インレーの前記頂面上に熱伝導性材料の層をディスペンスし、
    前記熱伝導性材料の前記層に前記混成ダイをダイ取り付けする、
    ことを有する、請求項9に記載の方法。
  16. 前記パッケージング基板の前記頂面上に、前記複数の導電コネクタと前記複数のビアとの間に電気的に結合される少なくとも1つのメタライゼーション層を形成する、ことを更に有する請求項9に記載の方法。
  17. パッケージング基板上にマウントされた混成ダイを有する発光パッケージを取得し、前記パッケージング基板は、埋め込まれた第1の金属インレーと、前記パッケージング基板内の複数のビアと、前記パッケージング基板の底面上の、各々が前記複数のビアのうちのそれぞれの1つに電気的に結合された複数のコンタクトとを有し、
    埋め込まれた第2の金属インレーを有する制御ボードを取得し、
    前記埋め込まれた第1の金属インレーを前記埋め込まれた第2の金属インレーに隣接させて、前記発光パッケージを前記制御ボードの頂面にマウントし、
    前記パッケージング基板の前記頂面上の前記複数の導電コンタクトを前記制御ボードの頂面にワイヤボンディングする、
    ことを有する方法。
  18. 前記発光パッケージを前記制御ボードの前記頂面に前記マウントすることは、前記第1の埋め込まれた金属インレーを前記第2の埋め込まれた金属インレーにはんだ付けすることを有する、請求項17に記載の方法。
  19. 前記発光パッケージを前記制御ボードの前記頂面に前記マウントすることは更に、前記パッケージング基板の前記底面上の前記複数のコンタクトを前記制御ボードの頂面上の複数の対応するコンタクトにはんだ付けすることを有する、請求項17に記載の方法。
  20. 前記制御ボードの底面をヒートシンクの頂面に取り付ける、ことを更に有する請求項17に記載の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018006625A1 (de) * 2018-08-22 2020-02-27 Gentherm Gmbh Schaltungsmodell aus mehreren elektrisch leitend miteinander verbundenen Komponenten sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Schaltungsmoduls
JP7445854B2 (ja) * 2021-10-27 2024-03-08 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
JP7458582B2 (ja) * 2022-05-24 2024-04-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010177224A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Oki Data Corp 光源装置及びそれを有するヘッドアップディスプレイ装置
JP2011192682A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Panasonic Corp 光半導体パッケージおよび光半導体装置
JP2013243649A (ja) * 2012-03-16 2013-12-05 Luxtera Inc 光インターポーザのための方法及びシステム
JP2013250416A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Nippon Mektron Ltd 光電気混載フレキシブルプリント配線板の製造方法、及び光電気混載フレキシブルプリント配線板
JP2015216396A (ja) * 2015-07-16 2015-12-03 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光装置
JP2015225917A (ja) * 2014-05-27 2015-12-14 ローム株式会社 Ledモジュール、ledモジュールの実装構造
US20150369661A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-24 Shanghai Oxi Technology Co., Ltd Multi-purpose Thin Film Optoelectric Sensor
JP2016510502A (ja) * 2013-01-11 2016-04-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス半導体チップ
US20170194533A1 (en) * 2015-12-30 2017-07-06 Rayvio Corporation Package for ultraviolet emitting devices
JP2017531210A (ja) * 2014-06-19 2017-10-19 インクロン オサケユキチュアInkron Oy 誘電性シロキサン粒子フィルム及びそれを有するデバイス
US20180190563A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 Stmicroelectronics S.R.L. Semiconductor device, corresponding circuit and method
US20180211899A1 (en) * 2017-01-26 2018-07-26 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Efficient Heat Removal From Component Carrier With Embedded Diode
JP2019530234A (ja) * 2016-09-19 2019-10-17 アップル インコーポレイテッドApple Inc. シリコン制御バックプレーン上に一体化された垂直エミッタ
US10453827B1 (en) * 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
US20210111318A1 (en) * 2019-10-10 2021-04-15 Tslc Corporation Uv led package
US20210141154A1 (en) * 2019-11-07 2021-05-13 Cisco Technology, Inc. Wafer-scale fabrication of optical apparatus

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6169329B1 (en) 1996-04-02 2001-01-02 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices having interconnections using standardized bonding locations and methods of designing
US6005649A (en) 1998-07-22 1999-12-21 Rainbow Displays, Inc. Tiled, flat-panel microdisplay array having visually imperceptible seams
US7176506B2 (en) 2001-08-28 2007-02-13 Tessera, Inc. High frequency chip packages with connecting elements
US20080043444A1 (en) 2004-04-27 2008-02-21 Kyocera Corporation Wiring Board for Light-Emitting Element
JP2006245057A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Sony Corp ハイブリットモジュール及びその製造方法並びにハイブリット回路装置
JPWO2006095834A1 (ja) 2005-03-09 2008-08-21 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイス及び光デバイスの製造方法
EP1861876A1 (en) 2005-03-24 2007-12-05 Tir Systems Ltd. Solid-state lighting device package
JP2009502024A (ja) 2005-06-27 2009-01-22 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
DE102006015335B4 (de) * 2006-04-03 2013-05-02 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle sowie Lichthärtgerät
TW200820455A (en) 2006-10-18 2008-05-01 Young Lighting Technology Corp LED package and manufacture method thereof
KR101320514B1 (ko) 2007-08-21 2013-10-22 삼성전자주식회사 칩-온-보드 방식에 의한 led 패키지
US20090095971A1 (en) 2007-10-16 2009-04-16 Andrew Glovatsky Wire bond led lighting unit
TW200928203A (en) 2007-12-24 2009-07-01 Guei-Fang Chen LED illuminating device capable of quickly dissipating heat and its manufacturing method
US9076951B2 (en) 2008-08-26 2015-07-07 Albeo Technologies, Inc. Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby
US8431423B2 (en) 2009-07-16 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reflective substrate for LEDS
US9887338B2 (en) 2009-07-28 2018-02-06 Intellectual Discovery Co., Ltd. Light emitting diode device
JP2011109002A (ja) 2009-11-20 2011-06-02 Citizen Holdings Co Ltd 集積デバイスおよび集積デバイスの製造方法
JP2011113989A (ja) 2009-11-24 2011-06-09 Oki Data Corp 表示パネル及び投射型表示装置
JP2011181754A (ja) 2010-03-02 2011-09-15 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
KR20120086394A (ko) 2011-01-26 2012-08-03 이정훈 발광 다이오드 모듈 및 조명 장치
JP5647028B2 (ja) 2011-02-14 2014-12-24 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
TWI451605B (zh) 2011-03-08 2014-09-01 Lextar Electronics Corp 具有金屬反射面與散熱塊之發光二極體結構
KR101785645B1 (ko) 2011-05-30 2017-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명 시스템
CN103782400A (zh) 2011-07-25 2014-05-07 克里公司 包括多组发光二极管的单片多结发光装置
US8878221B2 (en) 2011-08-19 2014-11-04 Lg Innotex Co., Ltd. Light emitting module
US8704433B2 (en) 2011-08-22 2014-04-22 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit
DE102012108107A1 (de) 2012-08-31 2014-03-27 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
US9496247B2 (en) 2013-08-26 2016-11-15 Optiz, Inc. Integrated camera module and method of making same
US20160035924A1 (en) 2014-01-23 2016-02-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Configurable backplane interconnecting led tiles
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
JP6318844B2 (ja) 2014-05-20 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
KR102520094B1 (ko) 2016-02-02 2023-04-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
US10546796B2 (en) 2016-02-18 2020-01-28 Apple Inc. Backplane structure and process for microdriver and micro LED
US10132478B2 (en) 2016-03-06 2018-11-20 Svv Technology Innovations, Inc. Flexible solid-state illumination devices
US10403792B2 (en) 2016-03-07 2019-09-03 Rayvio Corporation Package for ultraviolet emitting devices
JP2019511838A (ja) 2016-04-04 2019-04-25 グロ アーベーGlo Ab ダイ移送用のバックプレーン通過レーザ照射
DE102016107495B4 (de) * 2016-04-22 2022-04-14 Tdk Electronics Ag Vielschicht-Trägersystem, Verfahren zur Herstellung eines Vielschicht-Trägersystems und Verwendung eines Vielschicht-Trägersystems
US20180090467A1 (en) 2016-09-27 2018-03-29 Intel Corporation Package with thermal coupling
US11011555B2 (en) 2016-10-12 2021-05-18 Shaoher Pan Fabricating integrated light-emitting pixel arrays for displays
CN106876406B (zh) 2016-12-30 2023-08-08 上海君万微电子科技有限公司 基于iii-v族氮化物半导体的led全彩显示器件结构及制备方法
GB2574160B (en) 2017-03-13 2022-04-27 Mitsubishi Electric Corp Microwave device and antenna
CN106847801B (zh) 2017-03-28 2023-09-15 山东捷润弘光电科技有限公司 一种表面贴装式rgb-led封装模组及其制造方法
KR20180035206A (ko) 2018-03-29 2018-04-05 이정훈 발광 다이오드 모듈 및 조명 장치
US11024220B2 (en) * 2018-05-31 2021-06-01 Invensas Corporation Formation of a light-emitting diode display
US10796627B2 (en) 2018-07-27 2020-10-06 Shaoher Pan Integrated laser arrays based devices
WO2020054004A1 (ja) 2018-09-12 2020-03-19 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線
US10700041B2 (en) * 2018-09-21 2020-06-30 Facebook Technologies, Llc Stacking of three-dimensional circuits including through-silicon-vias
JP7074872B2 (ja) 2018-10-03 2022-05-24 シチズン電子株式会社 インレイ基板及びそれを用いた発光装置
FR3090200B1 (fr) 2018-12-13 2021-01-15 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d’un dispositif a diodes photo-emettrices et/ou photo-receptrices et a grille de collimation auto-alignee
US11101191B2 (en) 2019-11-22 2021-08-24 International Business Machines Corporation Laminated circuitry cooling for inter-chip bridges
CN112204760B (zh) 2020-01-02 2022-05-27 厦门市三安光电科技有限公司 发光装置及发光设备

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010177224A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Oki Data Corp 光源装置及びそれを有するヘッドアップディスプレイ装置
JP2011192682A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Panasonic Corp 光半導体パッケージおよび光半導体装置
JP2013243649A (ja) * 2012-03-16 2013-12-05 Luxtera Inc 光インターポーザのための方法及びシステム
JP2013250416A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Nippon Mektron Ltd 光電気混載フレキシブルプリント配線板の製造方法、及び光電気混載フレキシブルプリント配線板
JP2016510502A (ja) * 2013-01-11 2016-04-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス半導体チップ
JP2015225917A (ja) * 2014-05-27 2015-12-14 ローム株式会社 Ledモジュール、ledモジュールの実装構造
JP2017531210A (ja) * 2014-06-19 2017-10-19 インクロン オサケユキチュアInkron Oy 誘電性シロキサン粒子フィルム及びそれを有するデバイス
US20150369661A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-24 Shanghai Oxi Technology Co., Ltd Multi-purpose Thin Film Optoelectric Sensor
JP2015216396A (ja) * 2015-07-16 2015-12-03 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光装置
US20170194533A1 (en) * 2015-12-30 2017-07-06 Rayvio Corporation Package for ultraviolet emitting devices
JP2019530234A (ja) * 2016-09-19 2019-10-17 アップル インコーポレイテッドApple Inc. シリコン制御バックプレーン上に一体化された垂直エミッタ
US20180190563A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 Stmicroelectronics S.R.L. Semiconductor device, corresponding circuit and method
US20180211899A1 (en) * 2017-01-26 2018-07-26 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Efficient Heat Removal From Component Carrier With Embedded Diode
US10453827B1 (en) * 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
US20210111318A1 (en) * 2019-10-10 2021-04-15 Tslc Corporation Uv led package
US20210141154A1 (en) * 2019-11-07 2021-05-13 Cisco Technology, Inc. Wafer-scale fabrication of optical apparatus

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