JP2013243649A - 光インターポーザのための方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン光インターポーザに結合した光源アセンブリ又は光ファイバーのいずれかの外部光源から1以上の連続波(CW)光信号をシリコン光インターポーザ内で受信することを含む。受信したCW光信号が、電子ダイから受信した電気信号に基づいて処理される。シリコン光インターポーザに結合した光ファイバーからの変調光信号がシリコン光インターポーザ内で受信される。受信した変調光信号に基づいて電気信号がシリコン光インターポーザ内で生成され、次に、銅ピラーを介して電子ダイへ通信される。光信号が、グレーティング結合器を用いてシリコン光インターポーザの内及び/又は外へ通信される。電子ダイが、プロセッサコア、スイッチコア、又はルーターの1つ以上を備える。
【選択図】なし
Description
本出願は、2009年9月4日に出願された米国出願シリアルNo.12/554,449の一部継続であり、また2011年3月30日に出願された米国仮出願61/516,226に基づく優先権を主張し、これらの各内容は、その全体において参照により本明細書に組み込まれる。
[不適用]
[不適用]
Claims (20)
- シリコン光インターポーザに結合した1以上の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)電子ダイを備える集積光通信システムにおける通信方法であって、
前記シリコン光インターポーザの外部の光源から1以上の連続波(CW)光信号を前記シリコン光インターポーザ内で受信し、
前記1以上のCMOS電子ダイから受信した電気信号に基づいて前記1以上の受信したCW光信号を処理し、
前記シリコン光インターポーザに結合した1以上の光ファイバーから変調された光信号を前記シリコン光インターポーザ内で受信し、
前記受信した変調光信号に基づいて前記シリコン光インターポーザ内で電気信号を生成し、
前記1以上のCMOS電子ダイへ前記生成した電気信号を通信する、方法。 - 銅ピラーを介して前記1以上のCMOS電子ダイへ前記生成した電気信号を通信する、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン光インターポーザに結合した光源アセンブリから前記1以上のCW光信号を前記シリコン光インターポーザ内で受信する、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン光インターポーザに結合した1以上の光ファイバーから前記1以上のCW光信号を受信する、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン光インターポーザ内の1以上の光変調器を用いて前記1以上の受信したCW光信号を処理する、請求項1に記載の方法。
- 前記1以上の光変調器がマッハツェンダー干渉計変調器を備える、請求項5に記載の方法。
- 前記シリコン光インターポーザに集積化された1以上の光検出器を用いて前記シリコン光インターポーザ内で前記電気信号を生成する、請求項1に記載の方法。
- グレーティング結合器を用いて前記シリコン光インターポーザの内及び/又は外へ光信号を通信する、請求項1に記載の方法。
- 前記1以上の電子ダイが、プロセッサコア、スイッチコア、又はルーターの1つ以上を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記集積光通信システムが複数のトランシーバを備える、請求項1に記載の方法。
- 通信システムであって、当該システムが、シリコン光インターポーザに結合した1以上の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)電子ダイを備える集積光通信システムを備え、
前記集積光通信システムが、
前記シリコン光インターポーザの外部の光源から1以上の連続波(CW)光信号を前記シリコン光インターポーザ内で受信し、
前記1以上のCMOS電子ダイから受信した電気信号に基づいて前記1以上の受信したCW光信号を処理し、
前記シリコン光インターポーザに結合した1以上の光ファイバーから変調された光信号を前記シリコン光インターポーザ内で受信し、
前記受信した変調光信号に基づいて前記シリコン光インターポーザ内で電気信号を生成し、
前記1以上のCMOS電子ダイへ前記生成した電気信号を通信するように動作可能である、システム。 - 前記集積光通信システムは、銅ピラーを介して前記1以上のCMOS電子ダイへ前記生成した電気信号を通信するように動作可能である、請求項11に記載のシステム。
- 前記ハイブリッド集積光通信システムは、前記シリコン光インターポーザに結合した光源アセンブリから前記1以上のCW光信号を前記シリコン光インターポーザ内で受信するように動作可能である、請求項11に記載のシステム。
- 前記ハイブリッド集積光通信システムは、前記シリコン光インターポーザに結合した1以上の光ファイバーから前記1以上のCW光信号を受信するように動作可能である、請求項11に記載のシステム。
- 前記ハイブリッド集積光通信システムは、前記シリコン光インターポーザ内の1以上の光変調器を用いて前記1以上の受信したCW光信号を処理するように動作可能である、請求項11に記載のシステム。
- 前記1以上の光変調器がマッハツェンダー干渉計変調器を備える、請求項15に記載のシステム。
- 前記ハイブリッド集積光通信システムは、前記シリコン光インターポーザに集積化された1以上の光検出器を用いて前記シリコン光インターポーザ内で前記電気信号を生成するように動作可能である、請求項11に記載のシステム。
- 前記ハイブリッド集積光通信システムは、グレーティング結合器を用いて前記シリコン光インターポーザの内及び/又は外へ光信号を通信するように動作可能である、請求項11に記載のシステム。
- 前記1以上の電子ダイが、プロセッサコア、スイッチコア、又はルーターの1つ以上を備える、請求項11に記載のシステム。
- 通信システムであって、当該システムが、シリコン光インターポーザに結合した1以上の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)電子ダイを備える集積光通信システムを備え、
前記集積光通信システムが、
1以上の光ファイバーを介して前記シリコン光インターポーザに結合した光源から1以上の連続波(CW)光信号を前記フォトニクスダイ内で受信し、
前記1以上のCMOS電子ダイから受信した電気信号に基づいて前記1以上の受信したCW光信号を処理し、
前記シリコン光インターポーザに結合した1以上の光ファイバーから変調光信号を前記シリコン光インターポーザ内で受信し、
前記受信した変調光信号に基づいて前記シリコン光インターポーザ内で電気信号を生成し、
前記1以上のCMOS電子ダイへ前記生成した電気信号を通信するように動作可能である、システム。
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