JP2015225917A - Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造 - Google Patents

Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造 Download PDF

Info

Publication number
JP2015225917A
JP2015225917A JP2014109044A JP2014109044A JP2015225917A JP 2015225917 A JP2015225917 A JP 2015225917A JP 2014109044 A JP2014109044 A JP 2014109044A JP 2014109044 A JP2014109044 A JP 2014109044A JP 2015225917 A JP2015225917 A JP 2015225917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
main surface
emitting element
led module
light emitting
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014109044A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6318004B2 (ja
Inventor
小早川　正彦
Masahiko Kobayakawa
正彦 小早川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2014109044A priority Critical patent/JP6318004B2/ja
Priority to US14/719,783 priority patent/US9659913B2/en
Publication of JP2015225917A publication Critical patent/JP2015225917A/ja
Priority to US15/491,639 priority patent/US10153258B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6318004B2 publication Critical patent/JP6318004B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】歩留まりの向上を図ることのできるＬＥＤモジュールを提供する。
【解決手段】主面２０１、背面、および底面２０３を有する基板２００と、主面２０１に配置された第１発光素子４０１と、基板に形成され、第１発光素子に導通する導電層３００と、第１発光素子および導電層の間に介在している第１導電性接合層と、主面に形成され、導電層の一部を覆う主面絶縁膜６００と、第１ワイヤ５０１と、を備え、主面および背面は、互いに反対方向を向き且つ長矩形状であり、底面は、主面の長辺と背面の長辺とをつないでおり、且つ、実装面であり、導電層は、第１ワイヤがボンディングされた第１ワイヤボンディング部３２３を含み、主面絶縁膜は、第１絶縁部６１０を含み、第１絶縁部は、主面に直交する方向である基板の厚さ方向Ｚ視において、第１発光素子と第１ワイヤボンディング部との間に介在する部位を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、ＬＥＤモジュールと、ＬＥＤモジュールの実装構造と、に関する。
従来から、所望の光を発するＬＥＤモジュールが知られている（たとえば、特許文献１参照）。図１に示すように、同文献に開示されたＬＥＤモジュール９００は、基板９２０と、配線９３０と、ＬＥＤチップ９４０と、ワイヤ９５０と、を備えている。配線９３０は基板９２０に形成されている。配線９３０は、ワイヤ９５０がボンディングされるワイヤボンディングパッド９３１を含む。ＬＥＤチップ９４０は配線９３０に配置されている。
このような従来のＬＥＤモジュール９００においては、ＬＥＤチップ９４０は、たとえば銀ペースト（図１では図示されていない）を介して、配線９３０に配置される。ＬＥＤチップ９４０を配置する際に、銀ペーストがワイヤボンディングパッド９３１に至ると、配線９３０のうちＬＥＤチップ９４０が配置された箇所と、ワイヤボンディングパッド９３１とが短絡してしまう。このことは歩留まりの向上の妨げとなる。
特開２０１２−１６９３２６号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、歩留まりの向上を図ることのできるＬＥＤモジュールを提供することをその主たる課題とする。
本発明の第１の側面によると、主面、背面、および底面を有する基板と、前記主面に配置された第１発光素子と、前記基板に形成され、前記第１発光素子に導通する導電層と、前記第１発光素子および前記導電層の間に介在している第１導電性接合層と、前記主面に形成され、前記導電層の一部を覆う主面絶縁膜と、第１ワイヤと、を備え、前記主面および前記背面は、互いに反対方向を向き且つ長矩形状であり、前記底面は、前記主面の長辺と前記背面の長辺とをつないでおり、且つ、実装面であり、前記導電層は、前記第１ワイヤがボンディングされた第１ワイヤボンディング部を含み、前記主面絶縁膜は、第１絶縁部を含み、前記第１絶縁部は、前記主面に直交する方向である前記基板の厚さ方向視において、前記第１発光素子と前記第１ワイヤボンディング部との間に介在する部位を有する、ＬＥＤモジュールが提供される。
好ましくは、前記第１絶縁部は、前記主面の長手方向視において、前記第１発光素子を横切っている。
好ましくは、前記第１絶縁部は、前記主面の短手方向における前記主面の一端から、前記主面の短手方向における前記主面の他端にわたって形成されている。
好ましくは、前記第１絶縁部は、前記主面の短手方向に沿って延びる帯状である。
好ましくは、前記第１絶縁部は、前記第１ワイヤボンディング部から離間している。
好ましくは、前記第１ワイヤボンディング部は、前記第１発光素子に対し、前記長手方向に離間している。
好ましくは、前記第１ワイヤは、前記第１発光素子にボンディングされている。
好ましくは、前記第１ワイヤは、前記第１絶縁部をまたいでいる。
好ましくは、前記導電層は、前記第１ワイヤボンディング部に導通し、且つ、前記主面の長手方向に沿って延びる第１帯状部を含み、前記第１帯状部は、前記第１発光素子に対し前記主面の短手方向に離間している。
好ましくは、前記第１帯状部は、前記第１ワイヤボンディング部につながっている。
好ましくは、前記導電層は、前記第１発光素子がボンディングされた第１主面個別電極を含み、前記第１帯状部は、前記第１主面個別電極に対し前記主面の短手方向に離間している。
好ましくは、前記第１帯状部と前記第１主面個別電極との離間距離は、０．０４〜０．０８ｍｍである。
好ましくは、前記主面絶縁膜は、前記第１帯状部を覆う第１被覆部を含み、前記第１被覆部は、前記第１帯状部に対し前記第１発光素子の位置する側におよんでいる。
好ましくは、前記第１被覆部は、前記主面の長手方向に沿って延びる帯状である。
好ましくは、前記第１被覆部の幅は、前記第１帯状部の幅よりも、大きい。
好ましくは、前記第１被覆部は、前記第１絶縁部につながっている。
好ましくは、前記導電層は、前記第１発光素子がボンディングされた第１主面個別電極を含み、前記第１被覆部は、前記第１主面個別電極に対し前記主面の短手方向に離間しており、前記第１被覆部と前記第１主面個別電極との離間距離は、０．０２〜０．０６ｍｍである。
好ましくは、第２ワイヤを更に備え、前記導電層は、前記第２ワイヤがボンディングされた第２ワイヤボンディング部を含み、前記主面絶縁膜は、第２絶縁部を含み、前記第２絶縁部は、前記基板の厚さ方向視において、前記第１発光素子と前記第２ワイヤボンディング部との間に介在する部位を有し、前記第１発光素子は、前記第２絶縁部と前記第１絶縁部との間に配置されている。
好ましくは、前記第２絶縁部は、前記主面の長手方向視において、前記第１発光素子を横切っている。
好ましくは、前記第２絶縁部は、前記主面の短手方向における前記主面の一端から、前記主面の短手方向における前記主面の他端にわたって形成されている。
好ましくは、前記第２絶縁部は、前記主面の短手方向に沿って延びる帯状である。
好ましくは、前記第２絶縁部は、前記第２ワイヤボンディング部から離間している。
好ましくは、前記第２ワイヤボンディング部は、前記第１発光素子に対し、前記主面の長手方向に離間している。
好ましくは、前記第２ワイヤボンディング部は、前記第１ワイヤボンディング部に導通している。
好ましくは、前記第２ワイヤボンディング部は、前記第１帯状部につながっている。
好ましくは、前記第２絶縁部は、前記第１被覆部につながっている。
好ましくは、前記第１発光素子は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部と前記第１被覆部とによって、少なくとも三方が前記主面絶縁膜に囲まれている。
好ましくは、前記導電層は、前記第１発光素子がボンディングされた第１主面個別電極を含み、前記導電層は、前記基板を貫通する第１貫通配線を含み、前記第１主面個別電極は、前記第１発光素子がボンディングされた第１ダイボンディング部と、前記第１ダイボンディング部につながり且つ前記第１ダイボンディング部に隣接する第１隣接部と、を有し、前記第１隣接部は、前記厚さ方向視において、前記第１貫通配線に重なっている。
好ましくは、前記第２絶縁部は、前記厚さ方向視において、前記第１隣接部に重なっている。
好ましくは、前記主面に配置された第２発光素子と、前記第２発光素子および前記導電層の間に介在している第２導電性接合層と、を更に備え、前記第１発光素子および前記第２発光素子は、前記主面の長手方向に互いに離間しており、前記第２ワイヤボンディング部は、前記主面の短手方向視において、前記第１発光素子および前記第２発光素子の間に位置している。
好ましくは、前記第２ワイヤは、前記第２発光素子にボンディングされている。
好ましくは、前記導電層は、前記第２発光素子がボンディングされた主面端部個別電極を含み、前記主面端部個別電極と前記第２ワイヤボンディング部との離間距離は、０．０７〜０．１３ｍｍである。
好ましくは、前記主面に配置された第３発光素子と、前記第３発光素子および前記導電層の間に介在している第３導電性接合層と、を更に備え、前記第１発光素子は、前記主面の短手方向視において、前記第２発光素子および前記第３発光素子の間に位置しており、前記主面絶縁膜は、第３絶縁部を含み、前記第３絶縁部は、前記基板の厚さ方向視において、前記第３発光素子と前記第１ワイヤボンディング部との間に介在する部位を有する。
好ましくは、前記導電層は、前記第３発光素子がボンディングされた第２主面個別電極を含み、前記第３絶縁部は、前記第２主面個別電極の一部を覆っている。
好ましくは、前記導電層は、前記基板を貫通する第２貫通配線を含み、前記第２主面個別電極は、前記第３発光素子がボンディングされた第２ダイボンディング部と、前記第２ダイボンディング部につながり且つ前記第２ダイボンディング部に隣接する第２隣接部と、を有し、前記第２隣接部は、前記厚さ方向視において、前記第２貫通配線に重なっている。
好ましくは、前記第３絶縁部は、前記厚さ方向視において、前記第２隣接部に重なっている。
好ましくは、前記導電層は、前記第１ワイヤボンディング部に導通し、且つ、前記主面の長手方向に沿って延びる第２帯状部を含み、前記第２帯状部は、前記第３発光素子に対し前記主面の短手方向に離間している。
好ましくは、前記第２帯状部は、前記第１ワイヤボンディング部につながっている。
好ましくは、前記主面絶縁膜は、前記第２帯状部を覆う第２被覆部を含み、前記第２被覆部は、前記第２帯状部に対し前記第３発光素子の位置する側におよんでいる。
好ましくは、前記第２被覆部は、前記主面の長手方向に沿って延びる帯状である。
好ましくは、前記第２被覆部の幅は、前記第２帯状部の幅よりも、大きい。
好ましくは、前記第２被覆部は、前記第３絶縁部につながっている。
好ましくは、前記基板は、前記主面および前記背面をつなぐ側面を有しており、前記基板には、前記側面および前記底面から凹み、且つ、前記基板の厚さ方向において前記主面および前記背面に達するコーナー溝が形成されており、前記導電層は、前記コーナー溝の内面に形成されたコーナー溝配線を含む。
好ましくは、前記コーナー溝の断面形状は、四半円形状である。
好ましくは、前記導電層は、前記背面に形成された背面電極を更に備える。
好ましくは、前記第１発光素子を覆う透光樹脂を更に備える。
本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるＬＥＤモジュールと、前記底面に対向する回路基板と、を備える、ＬＥＤモジュールの実装構造が提供される。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
従来のＬＥＤモジュールの平面図である。 本発明の第１実施形態にかかるＬＥＤモジュールの平面図である。 図１から透光樹脂を省略した図である。 図３から主面絶縁膜を省略した図である。 図４から発光素子およびワイヤを省略した図である。 図２に示したＬＥＤモジュールの正面図である。 図６とは反対側から見たＬＥＤモジュールの図である。 図２に示したＬＥＤモジュールを下から見た図である。 図３のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。 図３のＸ−Ｘ線に沿う部分拡大断面図である。 図３のＸＩ−ＸＩ線に沿う部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態にかかる実装構造を示す図である。
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
＜第１実施形態＞
図２〜図１２を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。
図２は、本発明の第１実施形態にかかるＬＥＤモジュールの平面図である。図６は、図２に示したＬＥＤモジュールの正面図である。図７は、図６とは反対側から見たＬＥＤモジュールの図である。図８は、図２に示したＬＥＤモジュールを下から見た図である。図９は、図３のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
これらの図に示すＬＥＤモジュールＡ１は、基板２００と、導電層３００と、複数の発光素子（第１発光素子４０１、第２発光素子４０２、および第３発光素子４０３）と、複数の導電性接合層（第１導電性接合層４１１、第２導電性接合層４１２、および第３導電性接合層４１３）と、複数のワイヤ（第１ワイヤ５０１、第２ワイヤ５０２、および第３ワイヤ５０３）と、主面絶縁膜６００と、背面絶縁膜７１０と、透光樹脂７２０と、を備える。
図３は、図１から透光樹脂を省略した図である。図４は、図３から主面絶縁膜を省略した図である。
ＬＥＤモジュールＡ１は、図１２に示す姿勢でたとえば回路基板８０１に実装される、いわゆるサイドビュータイプのＬＥＤモジュールである。
基板２００は、絶縁性の材料よりなる。このような絶縁性の材料としては、たとえばガラスエポキシ樹脂が挙げられる。
基板２００は、主面２０１、背面２０２、底面２０３、および２つの側面２０４，２０５を有する。
主面２０１、背面２０２、底面２０３、および２つの側面２０４，２０５はいずれも平坦である。主面２０１および背面２０２は、互いに反対方向を向き且つ長矩形状である。主面２０１に直交する方向に、基板２００の厚さ方向Ｚが一致する。底面２０３は、主面２０１の長辺と背面２０２の長辺とをつないでおり、且つ、実装面である。側面２０４，２０５は、互いに反対側を向いている。側面２０４，２０５は各々、主面２０１および背面２０２をつないでいる。
基板２００には、２つの第１貫通孔２１１、第２貫通孔２１２と、２つのコーナー溝２２１，２２２とが形成されている。
図３〜図５、図９等に示す第１貫通孔２１１および第２貫通孔２１２は、主面２０１の短手方向Ｙにおいて底面２０３とは反対側寄りに配置されている。第１貫通孔２１１および第２貫通孔２１２は、基板２００を厚さ方向Ｚに貫通しており、主面２０１から背面２０２に達している。
コーナー溝２２１は、側面２０４および底面２０３から凹む。コーナー溝２２１は、基板２００の厚さ方向Ｚにおいて主面２０１および背面２０２に達する。コーナー溝２２２は、側面２０５および底面２０３から凹む。コーナー溝２２２は、基板２００の厚さ方向Ｚにおいて主面２０１および背面２０２に達する。コーナー溝２２１，２２２の断面形状は、四半円形状である。
導電層３００は、第１発光素子４０１、第２発光素子４０２、第３発光素子４０３に電力供給するための経路を構成するものである。導電層３００は、第１発光素子４０１と、第２発光素子４０２と、第３発光素子４０３とに導通している。
図４、図５に示すように、導電層３００は、第１主面個別電極３１０Ａと、第２主面個別電極３１０Ｂと、第１主面共通電極３２０と、主面端部個別電極３３０と、コーナー溝配線３４１，３４２と、第１貫通配線３５１と、第２貫通配線３５２と、背面電極３７０と、を有する。導電層３００は、たとえばＣｕメッキ、Ｎｉメッキ、およびＡｕメッキが積層された構造とされている。
第１主面個別電極３１０Ａには、第１発光素子４０１がボンディングされている。第１主面個別電極３１０Ａは、第１ダイボンディング部３１１Ａと、第１隣接部３１２Ａと、を有する。第１ダイボンディング部３１１Ａには、第１発光素子４０１がボンディングされている。本実施形態では第１ダイボンディング部３１１Ａは矩形状である。第１隣接部３１２Ａは、第１ダイボンディング部３１１Ａにつながり且つ第１ダイボンディング部３１１Ａに隣接している。本実施形態では、第１隣接部３１２Ａは、図３〜図５において第１ダイボンディング部３１１Ａの左方に位置している。第１隣接部３１２Ａは半円形状の部分と矩形状の部分とが結合した形状である。
第２主面個別電極３１０Ｂには、第３発光素子４０３がボンディングされている。第２主面個別電極３１０Ｂは、第２ダイボンディング部３１１Ｂと、第２隣接部３１２Ｂと、を有する。第２ダイボンディング部３１１Ｂには、第３発光素子４０３がボンディングされている。本実施形態では、第２ダイボンディング部３１１Ｂは矩形状である。第２隣接部３１２Ｂは、第２ダイボンディング部３１１Ｂにつながり且つ第２ダイボンディング部３１１Ｂに隣接している。本実施形態では、第２隣接部３１２Ｂは、図３〜図５において第２ダイボンディング部３１１Ｂの左方に位置している。第２隣接部３１２Ｂは半円形状の部分と矩形状の部分とが結合した形状である。
主面端部個別電極３３０は、主面２０１の長手方向Ｘにおける端部に位置している。主面端部個別電極３３０は、主面２０１のうちコーナー溝２２２につながる部分近傍に形成されている。主面端部個別電極３３０には、第２発光素子４０２がボンディングされている。
主面端部個別電極３３０は、基部３３１と、ダイボンディング部３３３と、連結部３３５とを有する。
基部３３１は、主面２０１の長手方向Ｘにおける端部に位置している。基部３３１は、主面２０１のうちコーナー溝２２２につながる部分近傍に形成されている。ダイボンディング部３３３には、第２発光素子４０２がボンディングされている。本実施形態では、ダイボンディング部３３３は矩形状である。ダイボンディング部３３３と、第１ダイボンディング部３１１Ａと、第２ダイボンディング部３１１Ｂとは、長手方向Ｘに沿って配列されている。連結部３３５は基部３３１およびダイボンディング部３３３を連結している。連結部３３５は基部３３１およびダイボンディング部３３３につながっている。連結部３３５は長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。
第１主面共通電極３２０には、第１ワイヤ５０１と第２ワイヤ５０２と第３ワイヤ５０３とがボンディングされている。第１主面共通電極３２０は、基部３２１と、第１ワイヤボンディング部３２３と、第２ワイヤボンディング部３２４と、第１帯状部３２６と、第２帯状部３２７と、を有する。
基部３２１は、主面２０１の長手方向Ｘにおける端部に位置している。基部３２１は、主面２０１のうちコーナー溝２２１につながる部分近傍に形成されている。基部３２１は、四半環状を呈している。
第１ワイヤボンディング部３２３には、第１ワイヤ５０１および第３ワイヤ５０３がボンディングされている。本実施形態では、第１ワイヤボンディング部３２３は矩形状である。第１ワイヤボンディング部３２３は、第１発光素子４０１および第３発光素子４０３に対し、長手方向Ｘに離間している。第１ワイヤボンディング部３２３は、短手方向Ｙ視において、第１発光素子４０１および第３発光素子４０３の間に位置している。第１ワイヤボンディング部３２３は、第１ダイボンディング部３１１Ａおよび第２ダイボンディング部３１１Ｂの間に位置しており、且つ、第１ダイボンディング部３１１Ａおよび第２ダイボンディング部３１１Ｂから離間している。
第２ワイヤボンディング部３２４には、第２ワイヤ５０２がボンディングされている。本実施形態では、第２ワイヤボンディング部３２４は矩形状である。第２ワイヤボンディング部３２４は、第１発光素子４０１および第２発光素子４０２に対し、長手方向Ｘに離間している。第２ワイヤボンディング部３２４は、短手方向Ｙ視において、第１発光素子４０１および第２発光素子４０２の間に位置している。第２ワイヤボンディング部３２４は、長手方向Ｘにおいて、第１ダイボンディング部３１１Ａおよびダイボンディング部３３３の間に位置しており、且つ、第１ダイボンディング部３１１Ａおよびダイボンディング部３３３から離間している。第２ワイヤボンディング部３２４と主面端部個別電極３３０（ダイボンディング部３３３）との離間距離Ｌ５は、たとえば０．０７〜０．１３ｍｍである。第２ワイヤボンディング部３２４の中心は、第１ダイボンディング部３１１Ａの中心、およびダイボンディング部３３３の中心から短手方向Ｙにずれた位置に位置している。
第１帯状部３２６は、第１ワイヤボンディング部３２３および第２ワイヤボンディング部３２４に導通している。第１帯状部３２６は、第１ワイヤボンディング部３２３および第２ワイヤボンディング部３２４につながっている。第１帯状部３２６は、主面２０１の長手方向Ｘに沿って延びている。第１帯状部３２６は、第１発光素子４０１に対し主面２０１の短手方向Ｙに離間している。第１帯状部３２６は、第１主面個別電極３１０Ａに対し主面２０１の短手方向Ｙに離間している、第１帯状部３２６と第１主面個別電極３１０Ａとの離間距離Ｌ１は、たとえば、０．０４〜０．０８ｍｍである。
第２帯状部３２７は、第１ワイヤボンディング部３２３および第２ワイヤボンディング部３２４に導通している。第２帯状部３２７は、第１ワイヤボンディング部３２３および基部３２１につながっている。第２帯状部３２７は、主面２０１の長手方向Ｘに沿って延びている。第２帯状部３２７は、第３発光素子４０３に対し主面２０１の短手方向Ｙに離間している。第２帯状部３２７は、第２主面個別電極３１０Ｂに対し主面２０１の短手方向Ｙに離間している、第２帯状部３２７と第２主面個別電極３１０Ｂとの離間距離Ｌ１は、たとえば、０．０４〜０．０８ｍｍである。
コーナー溝配線３４１，３４２は、基板２００のコーナー溝２２１，２２２の内面をそれぞれ覆うように形成されている。コーナー溝配線３４１，３４２は、主面２０１から背面２０２に達している。
図９に示す第１貫通配線３５１は基板２００を貫通している。第１貫通配線３５１は第１貫通孔２１１の内面に形成されており、円筒形状となっている。第１貫通配線３５１は、主面２０１から背面２０２に達している。厚さ方向Ｚ視において、第１貫通配線３５１には、第１隣接部３１２Ａが重なっている。本実施形態においては、第１貫通配線３５１の内側には、充填樹脂３５１Ａが充填されている。
図９に示す第２貫通配線３５２は基板２００を貫通している。第２貫通配線３５２は第２貫通孔２１２の内面に形成されており、円筒形状となっている。第２貫通配線３５２は、主面２０１から背面２０２に達している。厚さ方向Ｚ視において、第２貫通配線３５２には第２隣接部３１２Ｂが重なっている。本実施形態においては、第２貫通配線３５２の内側には、充填樹脂３５２Ａが充填されている。
図８、図９に示すように、背面電極３７０は、背面２０２に形成されている。本実施形態においては、背面電極３７０は、個別電極３７１，３７２、背面端部個別電極３７４、および端部共通電極３７５を含む。
個別電極３７１，３７２、背面端部個別電極３７４、および端部共通電極３７５は、長手方向Ｘに並列されている。個別電極３７１，３７２は、背面端部個別電極３７４および端部共通電極３７５に挟まれている。個別電極３７１は、厚さ方向Ｚ視において第１貫通孔２１１と重なっており、第１貫通配線３５１とつながっている。個別電極３７２は、厚さ方向Ｚ視において第２貫通孔２１２と重なっており、第２貫通配線３５２とつながっている。背面端部個別電極３７４は、背面２０２の一端に設けられており、コーナー溝配線３４２とつながっている。端部共通電極３７５は、背面２０２の他端に設けられており、コーナー溝配線３４１とつながっている。
なお、導電層３００は底面２０３には、形成されておらず、底面２０３のすべてが露出している。
図３、図９等に示す主面絶縁膜６００は、主面２０１に形成され、導電層３００の一部を覆っている。図３では、主面絶縁膜６００を、ハッチングを付すことにより示している。主面絶縁膜６００はレジスト層と称されることもある。主面絶縁膜６００は、第１絶縁部６１０と、第２絶縁部６２０と、第３絶縁部６３０と、第１被覆部６４０と、第２被覆部６５０と、連絡部６６０と、第１絶縁帯状部６７０と、第２絶縁帯状部６８０と、を含む。
第１絶縁部６１０は、厚さ方向Ｚ視において、第１発光素子４０１と第１ワイヤボンディング部３２３との間に介在する部位を有している。第１絶縁部６１０は、主面２０１の長手方向Ｘ視において、第１発光素子４０１を横切っている。第１絶縁部６１０は、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の一端から、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の他端にわたって形成されている。第１絶縁部６１０は、主面２０１の短手方向Ｙに沿って延びる帯状である。第１絶縁部６１０は、第１ワイヤボンディング部３２３から離間している。
第２絶縁部６２０は、基板２００の厚さ方向Ｚ視において、第１発光素子４０１と第２ワイヤボンディング部３２４との間に介在する部位を有している。第２絶縁部６２０と第１絶縁部６１０との間に第１発光素子４０１が配置されている。第２絶縁部６２０は、主面２０１の長手方向Ｘ視において、第１発光素子４０１を横切っている。第２絶縁部６２０は、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の一端から、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の他端にわたって形成されている。第２絶縁部６２０は、主面２０１の短手方向Ｙに沿って延びる帯状である。第２絶縁部６２０は、第２ワイヤボンディング部３２４から離間している。第２絶縁部６２０は、第１主面個別電極３１０Ａの一部に重なっている。具体的には、第２絶縁部６２０は、第１隣接部３１２Ａの一部に重なっている。
第３絶縁部６３０は、基板２００の厚さ方向Ｚ視において、第３発光素子４０３と第１ワイヤボンディング部３２３との間に介在する部位を有している。第３絶縁部６３０と第１絶縁部６１０との間に第１ワイヤボンディング部３２３が配置されている。第３絶縁部６３０は、主面２０１の長手方向Ｘ視において、第３発光素子４０３を横切っている。第３絶縁部６３０は、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の一端から、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の他端にわたって形成されている。第３絶縁部６３０は、主面２０１の短手方向Ｙに沿って延びる帯状である。第３絶縁部６３０は、第１ワイヤボンディング部３２３から離間している。第３絶縁部６３０は、第２主面個別電極３１０Ｂの一部に重なっている。具体的には、第３絶縁部６３０は、第２隣接部３１２Ｂの一部に重なっている。
第１被覆部６４０は、第１帯状部３２６を覆っている。第１被覆部６４０は、主面２０１の長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。第１被覆部６４０の幅は、第１帯状部３２６の幅よりも、大きい。そのため、第１被覆部６４０は、第１帯状部３２６に対し第１発光素子４０１の位置する側におよんでいる。第１被覆部６４０は、第１絶縁部６１０および第２絶縁部６２０につながっている。第１被覆部６４０は、第１主面個別電極３１０Ａに対し主面２０１の短手方向Ｙに離間している。第１被覆部６４０と第１主面個別電極３１０Ａとの離間距離Ｌ２は、離間距離Ｌ１より小さく、たとえば、０．０２〜０．０６ｍｍである。
第２被覆部６５０は、第２帯状部３２７を覆っている。第２被覆部６５０は、主面２０１の長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。第２被覆部６５０の幅は、第２帯状部３２７の幅よりも、大きい。そのため、第２被覆部６５０は、第２帯状部３２７に対し第３発光素子４０３の位置する側におよんでいる。第２被覆部６５０は、第３絶縁部６３０および第２絶縁帯状部６８０につながっている。第２被覆部６５０は、第２主面個別電極３１０Ｂに対し主面２０１の短手方向Ｙに離間している。第２被覆部６５０と第２主面個別電極３１０Ｂとの離間距離Ｌ２は、離間距離Ｌ１より小さく、たとえば、０．０２〜０．０６ｍｍである。
連絡部６６０は、第１ワイヤボンディング部３２３を覆っている。連絡部６６０は、主面２０１の長手方向Ｘに沿って延びる帯状である。連絡部６６０は、第３絶縁部６３０および第１絶縁部６１０につながっている。
第１絶縁帯状部６７０は、主面２０１の長手方向Ｘの端部寄りの位置に形成されている。第１絶縁帯状部６７０と第２絶縁部６２０との間に第２発光素子４０２が配置されている。第１絶縁帯状部６７０は、主面２０１の長手方向Ｘ視において、第２発光素子４０２を横切っている。第１絶縁帯状部６７０は、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の一端から、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の他端にわたって形成されている。第１絶縁帯状部６７０は、主面２０１の短手方向Ｙに沿って延びる帯状である。第１絶縁帯状部６７０は、主面端部個別電極３３０の一部に重なっている。具体的には、第１絶縁帯状部６７０は、基部３３１の一部と連結部３３５の一部とに重なっている。第１絶縁帯状部６７０は、ハンダ８０２（後述）を形成する際にハンダ８０２が主面２０１と透光樹脂７２０との間に侵入することを防止するためのものである。
第２絶縁帯状部６８０は、主面２０１の長手方向Ｘの端部寄りの位置に形成されている。第２絶縁帯状部６８０と第３絶縁部６３０との間に第３発光素子４０３が配置されている。第２絶縁帯状部６８０は、主面２０１の長手方向Ｘ視において、第３発光素子４０３を横切っている。第２絶縁帯状部６８０は、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の一端から、主面２０１の短手方向Ｙにおける主面２０１の他端にわたって形成されている。第２絶縁帯状部６８０は、主面２０１の短手方向Ｙに沿って延びる帯状である。第２絶縁帯状部６８０は、第１主面共通電極３２０の一部に重なっている。具体的には、第２絶縁帯状部６８０は、基部３２１の一部と第２帯状部３２７の一部とに重なっている。第２絶縁帯状部６８０は、ハンダ８０２（後述）を形成する際にハンダ８０２が主面２０１と透光樹脂７２０との間に侵入することを防止するためのものである。
図８、図９等に示す背面絶縁膜７１０は、背面２０２に形成され、導電層３００の一部を覆っている。図８では、背面絶縁膜７１０は仮想線を用いて示しており、背面絶縁膜７１０の占める領域にはハッチングを付している。背面絶縁膜７１０はレジスト層と称されることもある。背面絶縁膜７１０は、背面２０２のうち背面電極３７０から露出した部分、および個別電極３７１，３７２の一部ずつを覆っている。
第１発光素子４０１、第２発光素子４０２、および第３発光素子４０３は、ＬＥＤモジュールＡ１の光源であり、主面２０１に配置されている。第１発光素子４０１、第２発光素子４０２、および第３発光素子４０３は各々、たとえばｐ型半導体層、ｎ型半導体層、およびこれらに挟まれた活性層が積層された構造となっている。
第１発光素子４０１は、たとえば赤色光を発する。第１発光素子４０１は、第１絶縁部６１０と第２絶縁部６２０と第１被覆部６４０とによって、少なくとも三方が主面絶縁膜６００に囲まれている。第２発光素子４０２は、たとえば緑色光を発する。第３発光素子４０３は、たとえば青色光を発する。第３発光素子４０３は、第３絶縁部６３０と第２絶縁帯状部６８０と第２被覆部６５０とによって、少なくとも三方が主面絶縁膜６００に囲まれている。
図９に示す第１導電性接合層４１１は、第１発光素子４０１および導電層３００の間に介在している。第１導電性接合層４１１は、たとえば銀ペーストに由来する。第１導電性接合層４１１の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第１主面個別電極３１０Ａと第１帯状部３２６の間に侵入した場合、第１導電性接合層４１１は、第１主面個別電極３１０Ａと第１帯状部３２６の間の隙間にも形成されている場合がある（図１０参照）。また、第１導電性接合層４１１は、第１絶縁部６１０と第２絶縁部６２０と第１被覆部６４０とに接している場合がある。
第２導電性接合層４１２は、第２発光素子４０２および導電層３００の間に介在している。第２導電性接合層４１２は、たとえば銀ペーストに由来する。
第３導電性接合層４１３は、第３発光素子４０３および導電層３００の間に介在している。第３導電性接合層４１３は、たとえば銀ペーストに由来する。第３導電性接合層４１３の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第２主面個別電極３１０Ｂと第２帯状部３２７との間に侵入した場合、第３導電性接合層４１３は、第２主面個別電極３１０Ｂと第２帯状部３２７との間の隙間にも形成されている場合がある（図１１参照）。また、第３導電性接合層４１３は、第３絶縁部６３０と第２絶縁帯状部６８０と第２被覆部６５０とに接している場合がある。
図３、図４に示す第１ワイヤ５０１は、第１発光素子４０１および第１ワイヤボンディング部３２３にボンディングされている。第１ワイヤ５０１は、第１絶縁部６１０をまたいでいる。第２ワイヤ５０２は、第２発光素子４０２および第２ワイヤボンディング部３２４にボンディングされている。第３ワイヤ５０３は、第３発光素子４０３および第１ワイヤボンディング部３２３にボンディングされている。第３ワイヤ５０３は、第３絶縁部６３０をまたいでいる。
透光樹脂７２０は、基板２００の主面２０１に設けられており、第１発光素子４０１と第２発光素子４０２と第３発光素子４０３とを覆っている。透光樹脂７２０は、たとえばエポキシ樹脂などの透明な樹脂よりなる。または、透光樹脂７２０は、第１発光素子４０１と第２発光素子４０２と第３発光素子４０３とからの光を透過可能な樹脂よりなる。本実施形態においては、透光樹脂７２０の短手方向Ｙ視形状は、台形状となっており、長手方向Ｘ視形状は長方形となっている。
図１２に示すように、ＬＥＤモジュールＡ１は、ハンダ８０２を介して回路基板８０１に実装される。ＬＥＤモジュールＡ１と、回路基板８０１と、ハンダ８０２と、によってＬＥＤモジュールの実装構造Ｂ１が構成される。上述のように底面２０３が実装面となるので、実装構造Ｂ１においては、回路基板８０１には底面２０３が対向している。ハンダ８０２は、個別電極３７１，３７２と、回路基板８０１における電極パッド（図示略）とに接する。また、ハンダ８０２は、背面端部個別電極３７４、端部共通電極３７５と、回路基板８０１における電極パッド（図示略）とに接する。コーナー溝２２１，２２２には、ハンダ８０２の一部が充填される。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、主面絶縁膜６００は、第１絶縁部６１０を含む。第１絶縁部６１０は、主面２０１に直交する方向である基板２００の厚さ方向Ｚ視において、第１発光素子４０１と第１ワイヤボンディング部３２３との間に介在する部位を有する。このような構成によると、第１導電性接合層４１１の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第１主面個別電極３１０Ａと第１帯状部３２６の間に侵入したとしても、当該流体が流れ、第１ワイヤボンディング部３２３に至ることを、防止できる。これにより、第１導電性接合層４１１が第１ワイヤボンディング部３２３に接触することを防止できる。その結果、第１導電性接合層４１１と第１ワイヤボンディング部３２３とが短絡する不都合を回避できる。このことは、ＬＥＤモジュールＡ１の歩留まりの向上を図るのに適する。
本実施形態においては、第１帯状部３２６と第１主面個別電極３１０Ａとの離間距離Ｌ１は、０．０４〜０．０８ｍｍであり、非常に小さい。このような構成では、第１導電性接合層４１１の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第１主面個別電極３１０Ａと第１帯状部３２６の間に侵入した場合、毛細管現象（あるいは毛細管現象と類似の現象）により、当該流体が第１ワイヤボンディング部３２３に向かって流れて行きやすい。そのため、第１導電性接合層４１１が第１ワイヤボンディング部３２３に接触することを防止できる本実施形態の構成は、第１導電性接合層４１１と第１ワイヤボンディング部３２３とが短絡する不都合を回避するのに非常に好適である。
本実施形態においては、主面絶縁膜６００は、第１帯状部３２６を覆う第１被覆部６４０を含む。第１被覆部６４０は、第１帯状部３２６に対し第１発光素子４０１の位置する側におよんでいる。このような構成によると、第１導電性接合層４１１が第１帯状部３２６に接触することを防止できる。その結果、第１導電性接合層４１１と第１帯状部３２６とが短絡する不具合を回避できる。このことは、ＬＥＤモジュールＡ１の歩留まりの向上を図るのに適する。
本実施形態においては、主面絶縁膜６００は、第２絶縁部６２０を含む。第２絶縁部６２０は、基板２００の厚さ方向Ｚ視において、第１発光素子４０１と第２ワイヤボンディング部３２４との間に介在する部位を有する。第１発光素子４０１は、第２絶縁部６２０と第１絶縁部６１０との間に配置されている。このような構成によると、第１導電性接合層４１１の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第１主面個別電極３１０Ａと第１帯状部３２６の間に侵入したとしても、当該流体が流れ、第２ワイヤボンディング部３２４に至ることを、防止できる。これにより、第１導電性接合層４１１が第２ワイヤボンディング部３２４に接触することを防止できる。その結果、第１導電性接合層４１１と第２ワイヤボンディング部３２４とが短絡する不都合を回避できる。このことは、ＬＥＤモジュールＡ１の歩留まりの向上を図るのに適する。
本実施形態においては、第１発光素子４０１および第２発光素子４０２は、主面２０１の長手方向Ｘに互いに離間している。第２ワイヤボンディング部３２４は、主面２０１の短手方向Ｙ視において、第１発光素子４０１および第２発光素子４０２の間に位置している。このような構成によると、第１ワイヤボンディング部３２３と第２ワイヤボンディング部３２４とを連結する第１帯状部３２６を、長手方向Ｘにおいて第２発光素子４０２と重なる位置に設ける必要がない。よって、第２導電性接合層４１２の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第１帯状部３２６を伝って第２ワイヤボンディング部３２４に至ることを回避できる。これにより、第２導電性接合層４１２が第２ワイヤボンディング部３２４に接触することを防止できる。その結果、第２導電性接合層４１２と第２ワイヤボンディング部３２４とが短絡する不都合を回避できる。このことは、ＬＥＤモジュールＡ１の歩留まりの向上を図るのに適する。
本実施形態においては、第２ワイヤボンディング部３２４と主面端部個別電極３３０（ダイボンディング部３３３）との離間距離Ｌ５は、たとえば０．０７〜０．１３ｍｍであり、比較的大きい。離間距離Ｌ５は、第２導電性接合層４１２の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第２ワイヤボンディング部３２４に至ることを防止するのに好適な寸法である。
本実施形態においては、主面絶縁膜６００は、第３絶縁部６３０を含む。第３絶縁部６３０は、主面２０１に直交する方向である基板２００の厚さ方向Ｚ視において、第３発光素子４０３と第１ワイヤボンディング部３２３との間に介在する部位を有する。このような構成によると、第３導電性接合層４１３の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第２主面個別電極３１０Ｂと第２帯状部３２７の間に侵入したとしても、当該流体が流れ、第１ワイヤボンディング部３２３に至ることを、防止できる。これにより、第３導電性接合層４１３が第１ワイヤボンディング部３２３に接触することを防止できる。その結果、第３導電性接合層４１３と第１ワイヤボンディング部３２３とが短絡する不都合を回避できる。このことは、ＬＥＤモジュールＡ１の歩留まりの向上を図るのに適する。
本実施形態においては、第２帯状部３２７と第２主面個別電極３１０Ｂとの離間距離Ｌ１は、０．０４〜０．０８ｍｍであり、非常に小さい。このような構成では、第３導電性接合層４１３の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第２主面個別電極３１０Ｂと第２帯状部３２７の間に侵入した場合、毛細管現象により、当該流体が第１ワイヤボンディング部３２３に向かって流れて行きやすい。そのため、第３導電性接合層４１３が第１ワイヤボンディング部３２３に接触することを防止できる本実施形態の構成は、第３導電性接合層４１３と第１ワイヤボンディング部３２３とが短絡する不都合を回避するのに非常に好適である。
本実施形態においては、主面絶縁膜６００は、第２帯状部３２７を覆う第２被覆部６５０を含む。第２被覆部６５０は、第２帯状部３２７に対し第３発光素子４０３の位置する側におよんでいる。このような構成によると、第３導電性接合層４１３が第２帯状部３２７に接触することを防止できる。その結果、第３導電性接合層４１３と第２帯状部３２７とが短絡する不具合を回避できる。このことは、ＬＥＤモジュールＡ１の歩留まりの向上を図るのに適する。
本実施形態においては、主面絶縁膜６００は、第２絶縁帯状部６８０を含む。第２絶縁帯状部６８０は、基板２００の厚さ方向Ｚ視において、第３発光素子４０３と基部３２１との間に介在する部位を有する。第３発光素子４０３は、第２絶縁帯状部６８０と第３絶縁部６３０との間に配置されている。このような構成によると、第３導電性接合層４１３の硬化前の流体（たとえば銀ペースト）が第２主面個別電極３１０Ｂと第２帯状部３２７の間に侵入したとしても、当該流体が流れ、基部３２１に至ることを、防止できる。これにより、第３導電性接合層４１３が基部３２１に接触することを防止できる。その結果、第３導電性接合層４１３と基部３２１とが短絡する不都合を回避できる。このことは、ＬＥＤモジュールＡ１の歩留まりの向上を図るのに適する。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
なお、上述の実施形態では、主面絶縁膜６００が第１絶縁部６１０と第２絶縁部６２０と第３絶縁部６３０のいずれをも含む例を示したが、本発明はこれに限定されない。たとえば、主面絶縁膜６００が第２絶縁部６２０や第３絶縁部６３０を含んでいなくてもよい。
２００ 基板
２０１ 主面
２０２ 背面
２０３ 底面
２０４ 側面
２０５ 側面
２１１ 第１貫通孔
２１２ 第２貫通孔
２２１ コーナー溝
２２２ コーナー溝
３００ 導電層
３１０Ａ 第１主面個別電極
３１０Ｂ 第２主面個別電極
３１１Ａ 第１ダイボンディング部
３１１Ｂ 第２ダイボンディング部
３１２Ａ 第１隣接部
３１２Ｂ 第２隣接部
３２０ 第１主面共通電極
３２１ 基部
３２３ 第１ワイヤボンディング部
３２４ 第２ワイヤボンディング部
３２６ 第１帯状部
３２７ 第２帯状部
３３０ 主面端部個別電極
３３１ 基部
３３３ ダイボンディング部
３３５ 連結部
３４１ コーナー溝配線
３４２ コーナー溝配線
３５１ 第１貫通配線
３５１Ａ 充填樹脂
３５２ 第２貫通配線
３５２Ａ 充填樹脂
３７０ 背面電極
３７１ 個別電極
３７２ 個別電極
３７４ 背面端部個別電極
３７５ 端部共通電極
４０１ 第１発光素子
４０２ 第２発光素子
４０３ 第３発光素子
４１１ 第１導電性接合層
４１２ 第２導電性接合層
４１３ 第３導電性接合層
５０１ 第１ワイヤ
５０２ 第２ワイヤ
５０３ 第３ワイヤ
６００ 主面絶縁膜
６１０ 第１絶縁部
６２０ 第２絶縁部
６３０ 第３絶縁部
６４０ 第１被覆部
６５０ 第２被覆部
６６０ 連絡部
６７０ 第１絶縁帯状部
６８０ 第２絶縁帯状部
７１０ 背面絶縁膜
７２０ 透光樹脂
８０１ 回路基板
８０２ ハンダ
Ａ１ ＬＥＤモジュール
Ｂ１ 実装構造
Ｌ１ ，Ｌ２，Ｌ５ 離間距離
Ｘ 長手方向
Ｙ 短手方向
Ｚ 厚さ方向

Claims (47)

  1. 主面、背面、および底面を有する基板と、
    前記主面に配置された第１発光素子と、
    前記基板に形成され、前記第１発光素子に導通する導電層と、
    前記第１発光素子および前記導電層の間に介在している第１導電性接合層と、
    前記主面に形成され、前記導電層の一部を覆う主面絶縁膜と、
    第１ワイヤと、を備え、
    前記主面および前記背面は、互いに反対方向を向き且つ長矩形状であり、前記底面は、前記主面の長辺と前記背面の長辺とをつないでおり、且つ、実装面であり、
    前記導電層は、前記第１ワイヤがボンディングされた第１ワイヤボンディング部を含み、
    前記主面絶縁膜は、第１絶縁部を含み、前記第１絶縁部は、前記主面に直交する方向である前記基板の厚さ方向視において、前記第１発光素子と前記第１ワイヤボンディング部との間に介在する部位を有する、ＬＥＤモジュール。
  2. 前記第１絶縁部は、前記主面の長手方向視において、前記第１発光素子を横切っている、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
  3. 前記第１絶縁部は、前記主面の短手方向における前記主面の一端から、前記主面の短手方向における前記主面の他端にわたって形成されている、請求項１または請求項２に記載のＬＥＤモジュール。
  4. 前記第１絶縁部は、前記主面の短手方向に沿って延びる帯状である、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  5. 前記第１絶縁部は、前記第１ワイヤボンディング部から離間している、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  6. 前記第１ワイヤボンディング部は、前記第１発光素子に対し、前記長手方向に離間している、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  7. 前記第１ワイヤは、前記第１発光素子にボンディングされている、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  8. 前記第１ワイヤは、前記第１絶縁部をまたいでいる、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  9. 前記導電層は、前記第１ワイヤボンディング部に導通し、且つ、前記主面の長手方向に沿って延びる第１帯状部を含み、
    前記第１帯状部は、前記第１発光素子に対し前記主面の短手方向に離間している、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
  10. 前記第１帯状部は、前記第１ワイヤボンディング部につながっている、請求項９に記載のＬＥＤモジュール。
  11. 前記導電層は、前記第１発光素子がボンディングされた第１主面個別電極を含み、
    前記第１帯状部は、前記第１主面個別電極に対し前記主面の短手方向に離間している、請求項９または請求項１０に記載のＬＥＤモジュール。
  12. 前記第１帯状部と前記第１主面個別電極との離間距離は、０．０４〜０．０８ｍｍである、請求項１１に記載のＬＥＤモジュール。
  13. 前記主面絶縁膜は、前記第１帯状部を覆う第１被覆部を含み、
    前記第１被覆部は、前記第１帯状部に対し前記第１発光素子の位置する側におよんでいる、請求項９に記載のＬＥＤモジュール。
  14. 前記第１被覆部は、前記主面の長手方向に沿って延びる帯状である、請求項１３に記載のＬＥＤモジュール。
  15. 前記第１被覆部の幅は、前記第１帯状部の幅よりも、大きい、請求項１４に記載のＬＥＤモジュール。
  16. 前記第１被覆部は、前記第１絶縁部につながっている、請求項１３ないし請求項１５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  17. 前記導電層は、前記第１発光素子がボンディングされた第１主面個別電極を含み、
    前記第１被覆部は、前記第１主面個別電極に対し前記主面の短手方向に離間しており、
    前記第１被覆部と前記第１主面個別電極との離間距離は、０．０２〜０．０６ｍｍである、請求項１３ないし請求項１６のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  18. 第２ワイヤを更に備え、
    前記導電層は、前記第２ワイヤがボンディングされた第２ワイヤボンディング部を含み、
    前記主面絶縁膜は、第２絶縁部を含み、前記第２絶縁部は、前記基板の厚さ方向視において、前記第１発光素子と前記第２ワイヤボンディング部との間に介在する部位を有し、
    前記第１発光素子は、前記第２絶縁部と前記第１絶縁部との間に配置されている、請求項１３に記載のＬＥＤモジュール。
  19. 前記第２絶縁部は、前記主面の長手方向視において、前記第１発光素子を横切っている、請求項１８に記載のＬＥＤモジュール。
  20. 前記第２絶縁部は、前記主面の短手方向における前記主面の一端から、前記主面の短手方向における前記主面の他端にわたって形成されている、請求項１８または請求項１９に記載のＬＥＤモジュール。
  21. 前記第２絶縁部は、前記主面の短手方向に沿って延びる帯状である、請求項１８ないし請求項２０のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  22. 前記第２絶縁部は、前記第２ワイヤボンディング部から離間している、請求項１８ないし請求項２１のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  23. 前記第２ワイヤボンディング部は、前記第１発光素子に対し、前記主面の長手方向に離間している、請求項１８ないし請求項２２のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  24. 前記第２ワイヤボンディング部は、前記第１ワイヤボンディング部に導通している、請求項１８ないし請求項２３のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  25. 前記第２ワイヤボンディング部は、前記第１帯状部につながっている、請求項１８ないし請求項２４のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  26. 前記第２絶縁部は、前記第１被覆部につながっている、請求項１８ないし請求項２５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  27. 前記第１発光素子は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部と前記第１被覆部とによって、少なくとも三方が前記主面絶縁膜に囲まれている、請求項２６に記載のＬＥＤモジュール。
  28. 前記導電層は、前記第１発光素子がボンディングされた第１主面個別電極を含み、
    前記導電層は、前記基板を貫通する第１貫通配線を含み、
    前記第１主面個別電極は、前記第１発光素子がボンディングされた第１ダイボンディング部と、前記第１ダイボンディング部につながり且つ前記第１ダイボンディング部に隣接する第１隣接部と、を有し、
    前記第１隣接部は、前記厚さ方向視において、前記第１貫通配線に重なっている、請求項１８に記載のＬＥＤモジュール。
  29. 前記第２絶縁部は、前記厚さ方向視において、前記第１隣接部に重なっている、請求項２８に記載のＬＥＤモジュール。
  30. 前記主面に配置された第２発光素子と、
    前記第２発光素子および前記導電層の間に介在している第２導電性接合層と、を更に備え、
    前記第１発光素子および前記第２発光素子は、前記主面の長手方向に互いに離間しており、
    前記第２ワイヤボンディング部は、前記主面の短手方向視において、前記第１発光素子および前記第２発光素子の間に位置している、請求項１８に記載のＬＥＤモジュール。
  31. 前記第２ワイヤは、前記第２発光素子にボンディングされている、請求項３０に記載のＬＥＤモジュール。
  32. 前記導電層は、前記第２発光素子がボンディングされた主面端部個別電極を含み、
    前記主面端部個別電極と前記第２ワイヤボンディング部との離間距離は、０．０７〜０．１３ｍｍである、請求項３０に記載のＬＥＤモジュール。
  33. 前記主面に配置された第３発光素子と、
    前記第３発光素子および前記導電層の間に介在している第３導電性接合層と、を更に備え、
    前記第１発光素子は、前記主面の短手方向視において、前記第２発光素子および前記第３発光素子の間に位置しており、
    前記主面絶縁膜は、第３絶縁部を含み、前記第３絶縁部は、前記基板の厚さ方向視において、前記第３発光素子と前記第１ワイヤボンディング部との間に介在する部位を有する、請求項３０に記載のＬＥＤモジュール。
  34. 前記導電層は、前記第３発光素子がボンディングされた第２主面個別電極を含み、
    前記第３絶縁部は、前記第２主面個別電極の一部を覆っている、請求項３３に記載のＬＥＤモジュール。
  35. 前記導電層は、前記基板を貫通する第２貫通配線を含み、
    前記第２主面個別電極は、前記第３発光素子がボンディングされた第２ダイボンディング部と、前記第２ダイボンディング部につながり且つ前記第２ダイボンディング部に隣接する第２隣接部と、を有し、
    前記第２隣接部は、前記厚さ方向視において、前記第２貫通配線に重なっている、請求項３４に記載のＬＥＤモジュール。
  36. 前記第３絶縁部は、前記厚さ方向視において、前記第２隣接部に重なっている、請求項３５に記載のＬＥＤモジュール。
  37. 前記導電層は、前記第１ワイヤボンディング部に導通し、且つ、前記主面の長手方向に沿って延びる第２帯状部を含み、
    前記第２帯状部は、前記第３発光素子に対し前記主面の短手方向に離間している、請求項３３に記載のＬＥＤモジュール。
  38. 前記第２帯状部は、前記第１ワイヤボンディング部につながっている、請求項３７に記載のＬＥＤモジュール。
  39. 前記主面絶縁膜は、前記第２帯状部を覆う第２被覆部を含み、
    前記第２被覆部は、前記第２帯状部に対し前記第３発光素子の位置する側におよんでいる、請求項３７に記載のＬＥＤモジュール。
  40. 前記第２被覆部は、前記主面の長手方向に沿って延びる帯状である、請求項３９に記載のＬＥＤモジュール。
  41. 前記第２被覆部の幅は、前記第２帯状部の幅よりも、大きい、請求項４０に記載のＬＥＤモジュール。
  42. 前記第２被覆部は、前記第３絶縁部につながっている、請求項３９に記載のＬＥＤモジュール。
  43. 前記基板は、前記主面および前記背面をつなぐ側面を有しており、
    前記基板には、前記側面および前記底面から凹み、且つ、前記基板の厚さ方向において前記主面および前記背面に達するコーナー溝が形成されており、
    前記導電層は、前記コーナー溝の内面に形成されたコーナー溝配線を含む、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
  44. 前記コーナー溝の断面形状は、四半円形状である、請求項４３に記載のＬＥＤモジュール。
  45. 前記導電層は、前記背面に形成された背面電極を更に備える、請求項１ないし請求項４４のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  46. 前記第１発光素子を覆う透光樹脂を更に備える、請求項１ないし請求項４５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  47. 請求項１ないし請求項４６のいずれかに記載のＬＥＤモジュールと、
    前記底面に対向する回路基板と、を備える、ＬＥＤモジュールの実装構造。
JP2014109044A 2014-05-27 2014-05-27 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造 Active JP6318004B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014109044A JP6318004B2 (ja) 2014-05-27 2014-05-27 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造
US14/719,783 US9659913B2 (en) 2014-05-27 2015-05-22 LED module and LED module packaging structure
US15/491,639 US10153258B2 (en) 2014-05-27 2017-04-19 LED package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014109044A JP6318004B2 (ja) 2014-05-27 2014-05-27 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018070923A Division JP2018142708A (ja) 2018-04-02 2018-04-02 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015225917A true JP2015225917A (ja) 2015-12-14
JP6318004B2 JP6318004B2 (ja) 2018-04-25

Family

ID=54702688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014109044A Active JP6318004B2 (ja) 2014-05-27 2014-05-27 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9659913B2 (ja)
JP (1) JP6318004B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018182062A (ja) * 2017-04-13 2018-11-15 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2019096645A (ja) * 2017-11-17 2019-06-20 ローム株式会社 電子装置
JP2020161697A (ja) * 2019-03-27 2020-10-01 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2023505610A (ja) * 2020-02-06 2023-02-09 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 金属インレー及びボトムコンタクトを有する発光デバイスを製造する方法
WO2023204073A1 (ja) * 2022-04-22 2023-10-26 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180047585A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치
US10559723B2 (en) * 2017-08-25 2020-02-11 Rohm Co., Ltd. Optical device
WO2021136186A1 (zh) * 2019-12-31 2021-07-08 苏州欧普照明有限公司 发光组件和灯具

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090032826A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Lustrous Technology Ltd. Multi-chip light emitting diode package
JP2009040884A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Hitachi Ltd 光反射部形成用樹脂組成物、その組成物の皮膜を有する配線基板とその製造方法、光半導体パッケージ、および照明装置
JP2013026510A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの実装構造
JP2013534733A (ja) * 2010-07-15 2013-09-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体モジュール
JP2013258399A (ja) * 2012-05-16 2013-12-26 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ光源モジュールおよびｌｅｄ光源モジュールの製造方法
JP2014029970A (ja) * 2012-03-26 2014-02-13 Rohm Co Ltd 光源装置、光源ユニットおよび液晶表示装置
JP2014093464A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Apic Yamada Corp Ｌｅｄ実装品の製造方法、ｌｅｄ実装品の樹脂モールド方法、およびｌｅｄ製造装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8900893B2 (en) * 2010-02-11 2014-12-02 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Vertical LED chip package on TSV carrier
KR101028329B1 (ko) * 2010-04-28 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US8236584B1 (en) * 2011-02-11 2012-08-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method of forming a light emitting diode emitter substrate with highly reflective metal bonding
US8653542B2 (en) * 2011-01-13 2014-02-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-interconnects for light-emitting diodes
JP5748496B2 (ja) * 2011-02-10 2015-07-15 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP5865859B2 (ja) * 2013-03-22 2016-02-17 株式会社東芝 光結合装置
US9478583B2 (en) * 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090032826A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Lustrous Technology Ltd. Multi-chip light emitting diode package
JP2009040884A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Hitachi Ltd 光反射部形成用樹脂組成物、その組成物の皮膜を有する配線基板とその製造方法、光半導体パッケージ、および照明装置
JP2013534733A (ja) * 2010-07-15 2013-09-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体モジュール
JP2013026510A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの実装構造
JP2014029970A (ja) * 2012-03-26 2014-02-13 Rohm Co Ltd 光源装置、光源ユニットおよび液晶表示装置
JP2013258399A (ja) * 2012-05-16 2013-12-26 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ光源モジュールおよびｌｅｄ光源モジュールの製造方法
JP2014093464A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Apic Yamada Corp Ｌｅｄ実装品の製造方法、ｌｅｄ実装品の樹脂モールド方法、およびｌｅｄ製造装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018182062A (ja) * 2017-04-13 2018-11-15 ローム株式会社 半導体発光装置
JP7089343B2 (ja) 2017-04-13 2022-06-22 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2019096645A (ja) * 2017-11-17 2019-06-20 ローム株式会社 電子装置
JP7010547B2 (ja) 2017-11-17 2022-01-26 ローム株式会社 電子装置
JP2020161697A (ja) * 2019-03-27 2020-10-01 ローム株式会社 半導体発光装置
US11532773B2 (en) 2019-03-27 2022-12-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP7283938B2 (ja) 2019-03-27 2023-05-30 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2023505610A (ja) * 2020-02-06 2023-02-09 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 金属インレー及びボトムコンタクトを有する発光デバイスを製造する方法
JP7286884B2 (ja) 2020-02-06 2023-06-05 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 金属インレー及びボトムコンタクトを有する発光デバイスを製造する方法
WO2023204073A1 (ja) * 2022-04-22 2023-10-26 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10153258B2 (en) 2018-12-11
JP6318004B2 (ja) 2018-04-25
US20170221864A1 (en) 2017-08-03
US9659913B2 (en) 2017-05-23
US20150348949A1 (en) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6318004B2 (ja) Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造
JP5748496B2 (ja) Ｌｅｄモジュール
JP2011171739A5 (ja)
JP2008544540A5 (ja)
US11605765B2 (en) LED module
JP2012186450A (ja) Ｌｅｄモジュール
TW454310B (en) Semiconductor device
JP2020522117A5 (ja)
US20150162456A1 (en) Semiconductor device
US8841172B2 (en) Method for forming package substrate
US9543279B2 (en) Method of manufacturing a single light-emitting structure
TWI550918B (zh) 發光二極體模組及其製造方法
JP5913432B2 (ja) チップ型発光素子
JP2018142708A (ja) Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの実装構造
KR102016019B1 (ko) 고열전도성 반도체 패키지
JP6543391B2 (ja) 半導体装置
KR20120061655A (ko) 발광 소자 패키지
JP2018032796A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2019186583A (ja) 発光装置
TWI445209B (zh) 半導體發光裝置
JP2013225690A (ja) 半導体発光装置
KR20120068393A (ko) 발광소자 패키지
KR20150077088A (ko) 발광 장치
KR20120028568A (ko) 발광 소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170419

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180306

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180402

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6318004

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250