KR20120028568A - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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KR20120028568A
KR20120028568A KR1020100090494A KR20100090494A KR20120028568A KR 20120028568 A KR20120028568 A KR 20120028568A KR 1020100090494 A KR1020100090494 A KR 1020100090494A KR 20100090494 A KR20100090494 A KR 20100090494A KR 20120028568 A KR20120028568 A KR 20120028568A
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은,
서로 대향하는 제 1 및 제 2 주면을 가지며, 두께 방향으로 하나 이상의 관통홀이 형성되고, 상기 제 2 주면에 형성된 배선 구조를 갖는 기판과, 상기 기판의 제 1 주면의 상부 또는 상기 관통홀 내부에 배치되는 발광 소자와, 상기 관통홀 및 상기 기판의 제 2 주면 중 적어도 일부 영역을 덮도록 형성되는 반사수지부 및 상기 기판의 제 1 주면 중 적어도 일부 영역 상에 상기 발광 소자를 덮도록 형성된 투명수지부를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.
본 발명에서 제안하는 발광 소자 패키지를 사용할 경우, 기존의 반도체 패키지의 BOC (Board on Chip)구조와 비슷하게 LED 패키지 구조에 응용하여 LED의 양 전극을 모두 같은 방향이 되도록 형성하여 사용하는 방식의 높은 광효율을 얻으면서, 와이어 본딩 방식을 그대로 적용하여 칩 단가를 줄이는 효과를 가져올 수 있다. 나아가, 본 발명에 따르면 발광 소자의 GaN층이 기판면과 접촉하도록 하는 구조를 채용하여 열 방출 효율이 우수한 발광 소자 패키지를 얻을 수 있다.

Description

발광 소자 패키지 {Light Emitting Device Package}
본 발명은 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
반도체 광원의 일종인 발광 다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 발광 다이오드는 필라멘트에 기초한 광원에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 III족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
이와 같은 LED를 이용한 LED 패키지의 광효율을 높이기 위한 방법 중 LED의 양 전극을 모두 같은 방향이 되도록 형성하여 사용하는 방법이 있다. 그러나 이 경우 칩에 UMB(Under Bump Metallization)공정과 범프 형성 공정이 별도로 필요하여 LED chip 단가가 올라가게 된다.
또한, 기존 와이어 본딩 방식의 LED 패키지는 사파이어 기판을 통하여 열 방출이 되는데, 사파이어 기판은 열전도율이 낮아 열 방출이 용이하지 못하다.
따라서, 저가의 패키지를 구현함과 동시에, 보다 높은 열방출 효과를 얻을 수 있도록 설계할 수 있는 방안이 요구된다.
본 발명은 일 목적은 우수한 광효율 및 열 방출 효율을 가지면서도 생산비용이 저렴한 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 실현하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
서로 대향하는 제 1 및 제 2 주면을 가지며, 두께 방향으로 하나 이상의 관통홀이 형성되고, 상기 제 2 주면에 형성된 배선 구조를 갖는 기판과, 상기 기판의 제 1 주면의 상부 또는 상기 관통홀 내부에 배치되는 발광 소자와, 상기 관통홀 및 상기 기판의 제 2 주면 중 적어도 일부 영역을 덮도록 형성되는 반사수지부 및 상기 기판의 제 1 주면 중 적어도 일부 영역 상에 상기 발광 소자를 덮도록 형성된 투명수지부를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 와이어는 상기 관통홀을 통하여 상기 발광 소자와 상기 배선 구조를 연결할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광 소자는 상기 관통홀을 완전히 덮도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광 소자는 하나 이상의 전극을 포함하며, 상기 전극은 제 2 주면 방향으로 배치되어 있을 수 있다. 이 경우, 상기 전극은 상기 관통홀을 통하여 제 2 주면 방향으로 노출되어 있을 수 있으며, 상기 전극은 상기 와이어와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 반사수지부는 상기 와이어를 봉지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투명수지부는 내부에 적어도 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제 1 주면 중 상기 발광 소자가 배치된 영역을 포함하는 일부 영역을 제외한 영역상에 형성되는 패키지 본체를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 투명수지부는 상기 패키지 본체가 형성되지 않은 영역 내부에 충진될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 패키지 본체가 형성되지 않은 영역은 발광 소자를 둘러싸면서 위로 갈수로 폭이 넓어지는 캐비티 형태일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판은 제 1 주면에도 배선 구조가 형성되어 있을 수 있다.
본 발명에서 제안하는 발광 소자 패키지를 사용할 경우, 기존의 반도체 패키지의 BOC (Board on Chip)구조와 비슷하게 LED 패키지 구조에 응용하여 LED의 양 전극을 모두 같은 방향이 되도록 형성하여 사용하는 방식의 높은 광효율을 얻으면서, 와이어 본딩 방식을 그대로 적용하여 칩 단가를 줄이는 효과를 가져올 수 있다. 나아가, 본 발명에 따르면 발광 소자의 GaN층이 기판면과 접촉하도록 하는 구조를 채용하여 열 방출 효율이 우수한 발광 소자 패키지를 얻을 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 사시도로서, 도 1(a)는 상부 면에서 본 사시도이고, 도 1(b)는 하부 면에서 바라본 사시도이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 구성하는 구성 요소들이 완전히 결합되기 전의 상태를 하부 면에서 바라본 사시도이다.
도 3 및 도 4 는 본 발명의 각각 다른 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 길이방향으로 절단하여 본 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 저면도이다.
도 6 은 본 발명의 또 다른 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 7 은 도 6 에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1 내지 도 2 는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 것으로서, 각각 도 1 및 도 2 는 사시도이다.
먼저 도 1(a) 및 도 1(b)를 참조하면, 기판(14)은 서로 대향하는 제 1 및 제 2 주면(14A, 14B)을 가지며, 제 1 및 제 2 주면을 관통하여 두께 방향으로 하나 이상의 관통홀(H)이 형성되는 구조로 제공된다. 또한, 상기 기판 상에는 기판(14)에 형성된 관통홀(H)보다 큰 면적을 가지는 발광 소자(11)가 배치되는데, 본 실시예에서는 관통홀을 완전히 덮어 가리는 위치에 배치되는 형태로 제공된다. 또한 상기 발광 소자(11)에 형성되어 있는 한 쌍의 전극(12)은 모두 발광 소자의 하면에 배치된다. 즉, 상기 한 쌍의 전극(12)은 상기 기판(14)의 제 2 주면 방향으로 배치되어, 상기 관통홀(H)을 통하여 기판(14)에 가리지 않고 외부로 노출된다. 이와 같이 관통홀(H)을 통하여 노출된 전극(12)은 와이어(16)와 연결되며, 상기 와이어(16)는 상기 기판(14)의 하면에 형성된 배선 구조(15)와 다시 연결되어, 결국 발광 소자(11)와 배선구조(15)는 전기적으로 연결될 수 있는 구조로 제공된다.
즉, 본 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자(11), 기판(14), 배선 구조(15) 및 상기 발광 소자(11)와 배선 구조(15)를 연결하는 와이어(16)로 이루어지는 기본 구성을 갖는다.
또한, 상기 발광 소자(11)는, 상기 관통홀(H)의 내부에 형성될 수도 있다. 즉, 도시하지는 않았으나, 별도의 제 2 기판을 제 1 주면(14A)상에 배치하되, 관통홀(H)을 완전히 덮어 가리도록 하고, 제 2 기판의 하면 중 관통홀(H)에 대응하는 영역에 발광 소자(11)의 상면이 접합되도록 하며, 관통홀(H)을 충분히 크게 형성하여 발광 소자(11)가 완전히 통과될 수 있도록 한다면, 결과적으로 발광 소자(11)가 기판(14)에 전혀 접촉하지 않고 제 2 기판에만 부착되어 관통홀을 통과하여 제 2 주면(14B) 방향으로 노출되며, 기판(14)과 제 2 기판 사이에 적절한 전기적 연결이 이루어 질 수 있도록 구성할 수 있다.
또한, 도 2 를 참조하면, 우선 기판(14)은 직사각형의 넓은 판 형태로 제공되며, 판의 양 면, 즉 제 1 및 제 2 주면(14A, 14B)을 갖는다. 이 경우, 양 면은 서로 평행하며, 제 1 주면(14A)은 발광 소자(11)를 향하는 면이고, 이와 대향하는 제 2 주면(14B)은 배선 구조(15)가 배치되는 면이다.
또한, 양 면을 관통하는 관통홀(H)이 형성된다. 본 실시 형태에서는 관통홀(H)이 직사각형 형태로 형성되며 기판(11)의 중앙부에 형성되는 것으로 제공된다. 그러나, 반드시 이러한 형태에 한정될 필요는 없으며, 실시 형태에 따라 다양한 형태의 관통홀(H)을 형성하는 것이 가능하다. 다만, 관통홀을 통하여 발광 소자의 전극(12) 또는 와이어(16)가 노출되거나 통과하는 기능을 수행하는데에는 문제가 없어야 하므로, 충분히 큰 크기로 형성되는 것이 좋다. 하지만, 관통홀(H)의 크기를 크게 형성하면 그만큼 기판(14)의 전체 면적은 작아지게 된다. 따라서 기판(14)을 지나치게 크게 형성할 경우, 기판(14)의 제 1 주면(14A)상에 배치되는 발광 소자(11)를 지탱하여 견고하게 고정될 만큼의 면적을 확보하지 못하거나, 나아가, 발광 소자(11)를 기판(14) 의 제 1 주면(14A)상에 관통홀(H)이 완전히 덮이도록 배치하고자 하는 경우 발광 소자(11)보다 큰 크기의 관통홀(H)이 형성된다면 발광 소자(11)를 배치할 공간을 확보하지 못하게 되는 경우가 발생할 수도 있으므로, 적절한 크기 및 형태를 정하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판(14)은, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(PCB) 일 수 있으며, 양면 인쇄 회로 기판일 수 있고 연성회로기판(FPCB)일 수 있다.
또한, 상기 기판(14)의 제 2 주면(14B)에는 배선 구조(16)가 형성된다. 상술한 바와 같이, 상기 기판(14)는 인쇄회로기판일 수 있으므로, 다양한 배선의 형태가 가능하다. 본 실시 형태에서는, 간단한 배선의 형태로서 기판(14)의 제 2 주면(14B)을 정면으로 하여 보았을 때, 관통홀(H)을 중심으로 하여 좌, 우측으로 대칭이 되도록 형성되되, 기판(14)의 좌우측 가장자리부, 즉 관통홀(H)에서 떨어진 부분의 배선 구조(16)는 폭이 넓고, 반대로 기판(14)의 중심부, 즉 관통홀(H)에 접한 부분은 상대적으로 폭이 좁은 형태로 형성되는 형태로 제공된다.
상기 기판(14)의 제 1 주면(14A)에 배치되는 발광 소자(11)는, 한 쌍의 전극(12)이 모두 상기 기판(14)을 향하고 있는 형태로 배치된다. 이와 같은 구성은 발광 소자(11)의 설계 단계에서부터 정하여지는 것으로, 당업자 수준에서 공지기술을 이용하여 형성할 수 있을 것이다. 예를 들어, 사파이어 기판 상에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 순차 적층한 후, 상기 p형 반도체층과 상기 활성층의 일부가 제거되어 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 형성하고 상기 p 및 n형 반도체층 상에 n 전극, p전극을 같은 방향으로 형성한다. 이후 발광 소자 전체를 반전하여 전극이 아래쪽을 향하도록 구성하면, 본 발명의 일 실시예에서 제시하는 바와 같이 발광 소자(11)가 한 쌍의 전극(12)이 모두 상기 기판(14)을 향하고 있는 형태로 배치하는 것이 가능하다.
종래에는 이와 같은 발광 소자의 구조를 채용하는 경우에 있어서도, 반드시 전극과 기판 사이의 전기적 접촉을 위하여 범프를 형성해야 하는 등의 문제가 존재하였으나, 본원의 경우 기판에 형성된 배선 구조와 발광 소자의 전극은 와이어로 연결되므로 범프 형성등이 불필요하므로, 생산비용 측면에서 개선된 효과를 기대할 수 있다.
이와 같이 구성된 상기 기판(14) 및 상기 발광 소자(11)가, 도 2 에서 알 수 있는 바와 같이 결합되며, 상기 기판(14)에 직사각형 형태로 형성된 관통홀(H)을 완전히 덮어 가리되, 상기 전극(12)이 관통홀(H)이 형성된 위치에 대응하도록 제 1 주면(14A)상에 배치된다. 이 경우, 상기 전극(12)은 관통홀(H)이 형성된 길이 방향과 상응하는 방향으로 배치되는 구조로 제공된다. 즉, 본 실시 형태의 경우, 전극(12)은 한 쌍이 형성된 것으로 제공되며, 발광 소자(11)의 하면에 배치되면 반드시 어느 한 쪽의 길이방향으로 배열되는 형태가 되므로, 이 길이 방향이 직사각형 형태의 관통홀(H)의 길이방향과 일치하도록 배치된다. 이와 같이 함으로서, 전극(12)이 노출되도록 하기 위하여 관통홀(H)을 불필요하게 크게 형성할 필요가 없게 되고, 따라서 발광 소자(11)와 기판(14)의 접촉면을 크게 할 수 있어 발광 소자 패키지 전체의 구조를 견고하게 할 수 있을 뿐만 아니라 방열 효과를 우수하게 할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 상기와 같은 구조를 통하여 결합된 발광 소자(11)에 형성된 전극(12)은, 관통홀(H)에 대응되는 영역에 형성, 배치되므로, 관통홀(H)을 통하여 제 1 주면(14A)으로부터 제 2 주면(14B)방향으로 노출된다. 즉, 기판의 제 2 주면(14B) 방향에서 제 1 주면 방향(14A)으로 볼 때, 기판(14)에 가리지 않고 관통홀(H)을 통하여 전극(12)이 직접 노출되는 것이 가능하도록 제공된다.
또한, 상기와 같은 구조를 취하는 경우, 발광 소자의 반도체층(본 실시예의 경우 p형 반도체층)이 기판과 접하는 형태로 제공되므로, 발광 소자(11)에서 발생한 열이 기판을 통하여 효과적으로 방출될 수 있다. 이에 대하여, 종래 발광 소자 패키지 구조의 경우 발광 소자를 사파이어기판면이 기판과 접하도록 형성하였으나, 사파이어 기판은 열전도율이 반도체층보다 낮아 효과적인 방열에 한계가 있었다.
또한, 도 1 을 다시 참조하면, 상기 전극(12)은, 상기 배선 구조(15)와, 와이어를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 발광 소자(11)를 구동하는 전원은, 기판(14)의 제 2 주면(14B)에 형성된 좌우측의 배선 구조로부터 인가되고, 관통홀(H)을 통과하여 발광 소자(11)와 이어지는 와이어를 통하여 발광 소자(11)를 동작시키는 구성으로 제공된다. 이와 같이 함으로서, 와이어(16)는, 발광 소자(11)의 발광면인 제 1 주면(14A)방향이 아니라, 반대편인 제 2 주면(14B)방향에 형성된다. 따라서, 활성층에서 나온 빛이 와이어(16)에 의해서 소실되거나 원하지 않는 방향으로 반사되는 일 없이, 지향각 범위 내에서 출사되도록 제공되며, 궁극적으로는 발광 소자 패키지의 발광 효율 상승이라는 효과를 얻을 수 있다. 이에 대하여, 종래 발광 소자 패키지 구조의 경우 전극면이 기판의 반대방향, 즉 빛 방출방향과 같은 방향을 향하도록 형성되어 활성층에서 발생된 빛의 일부가 와이어에 흡수되어 소멸되거나 반사되어 광효율의 손실을 가져온다.
도 3 및 도 4 는 본 발명의 각각 다른 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 이 경우, 도 3 은 발광 소자(31)와 기판(34)사이에 접착층(33)이 형성된 구성을, 도 4 는 상기 접착층(43)의 구성과 더불어 기판(44)의 제 1 주면에 배선 구조(45A)가 형성된 구성을 각각 나타낸다.
먼저, 도 3 을 참조하면, 이와 같이 배치된 기판(34) 및 발광 소자(31)는, 접착층(33)에 의하여 견고하게 고정될 수 있는데, 발광 소자(31)과 기판(34)의 제 1 주면 사이에 접착층(33)이 형성되어 있으며, 상기 관통홀(H)및 이에 대응하는 발광 소자(31)의 표면 및 전극(32)에는 형성되지 않는다. 이와 같이 형성하여야 전극(32)이 불필요하게 접착층(33)에 둘러싸여 절연되는 일을 방지할 수 있다. 접착층(33)은, 이에 제한되지는 않지만, 스텐실 인쇄, 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 또는 그밖의 유사한 인쇄, 스프레딩, 디스펜싱, 또는 분무법을 포함하는, 유동가능한 접착제가 활용되는 임의의 방법을 이용하여 발광 소자(31) 또는 기판(34)에 적용될 수 있다. 접착층(33)의 양 및 발광 소자(31)를 커버하는 데 필요한 특정한 인쇄 패턴은 접착제 유동, 본딩 압력 및 그밖의 유사한 변수에 의존하며, 과도한 실험을 거치지 않고도 당업자가 결정할 수 있다.
또한, 도 4 를 참조하면, 접착층(43)이 형성되어 있다는 점은 도 3 에 도시한 발광 소자 패키지의 구성과 동일하나, 기판(41)의 제 1 주면 상에 배선 구조(45A)가 형성되어 있다. 즉, 이 경우는 양면 인쇄 회로 기판이 채용될 수 있으며, 제 1 주면 상에 형성된 배선 구조(45A)는 제 2 주면 상에 형성된 배선 구조(45)와 같은 형태를 취할 필요는 없다. 즉, 실시 형태에 따라 알맞은 형태의 배선을 적용하면 족하다.
도 5 는 본 발명에서 제공하는 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 저면도이다. 도 5 를 참조하면, 관통홀(H)과, 관통홀을 통하여 노출된 발광 소자(11)의 하면, 배선 구조(55) 및, 전극(52)에서 연장되어 좌우측의 배선 구조(55)와 전기적으로 연결시키는 와이어(56)의 구조를 알 수 있다.
도 6 은 본 발명에서 제공하는 또 다른 일 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이며, 도 7 은 도 6 에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도이다.
먼저 도 6 을 참조하면, 기본적인 구조는 상술한 실시예들과 같으나, 다만 상기 관통홀(H) 및 상기 기판(64)의 제 2 주면 중 적어도 일부 영역을 덮도록 형성되는 반사수지부(67), 상기 제 1 주면 중 상기 발광 소자(61)가 배치된 영역을 포함하는 일부 영역을 제외한 영역상에 형성되는 패키지 본체(68) 및, 상기 패키지 본체(68)가 형성되지 아니한 영역에 충진되어 상기 발광 소자를 덮도록 형성된 투명수지부(69)를 포함한다는 점이 다르다.
이를 도 5 및 도 6 을 참조하여 상세하게 설명하면, 반사수지부(67)는 상기 관통홀(H) 및 관통홀(H) 주변의 제 2 주면의 일부를 덮도록 형성된다. 이와 같이 함으로서, 전극(62)과 와이어(66) 및 발광소자(61)의 노출된 면을 둘러싸서 봉지하며, 기판의 제 2 주면 방향으로 방출되는 광을 반사하여 광효율을 개선할 수 있다.또한, 패키지 본체(68)는 기판(64)의 제 1 주면 및 제 1 주면상에 형성된 배선 구조(65)상에 형성되되, 발광 소자(61)가 배치된 영역 및 그 주변의 일부 영역을 제외하고 형성된다. 즉, 발광소자(61)에서 발광된 빛의 진행을 방해하지 않는 영역에 형성된다. 또한, 상기 패키지 본체(68)가 형성되지 않은 영역은 발광 소자(61)를 둘러싸면서 위로 갈수로 폭이 넓어지는 캐비티 형태를 취하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로서, 발광 소자에서 방출된 빛 중 측면으로 진행하는 빛이 패키지 본체(68)의 경사진 측면에서 반사되어 전방으로 진행하도록 하는 것이 가능하다. 또한, 상기 패키지 본체(68)가 형성되지 않은 영역에 투명수지부(69)가 형성되며, 상기 투명수지부(69) 내부에는 적어도 한 종류 이상의 형광체가 포함될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자가 청색 발광 다이오드인 경우, 황색 및 적색 형광체를 적절히 분산하여 백색광을 방출하도록 하는 구성이 가능하다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
11, 31, 41, 51, 61: 발광 소자 12, 32, 42, 52, 62: 전극
43, 63: 접착층 14, 34, 44, 54, 64: 기판
14A: 제 1 주면 14B: 제 2 주면
15, 45, 45A, 65: 배선 구조 16, 36, 46, 56, 66: 와이어
67: 반사수지부 68: 패키지 본체
69: 투명수지부

Claims (12)

  1. 서로 대향하는 제 1 및 제 2 주면과, 두께 방향으로 형성된 하나 이상의 관통홀 및, 상기 제 2 주면에 형성된 배선 구조를 갖는 기판;
    상기 기판의 제 1 주면의 상부 또는 상기 관통홀 내부에 배치되는 발광 소자;
    상기 관통홀 및 상기 기판의 제 2 주면 중 적어도 일부 영역을 덮도록 형성되는 반사수지부; 및
    상기 기판의 제 1 주면 중 적어도 일부 영역 상에 상기 발광 소자를 덮도록 형성된 투명수지부;
    를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 관통홀을 통하여 상기 발광 소자와 상기 배선 구조를 연결하는 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 상기 관통홀을 완전히 덮도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 하나 이상의 전극을 포함하며, 상기 전극은 제 2 주면 방향으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 관통홀을 통하여 제 2 주면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 와이어와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사수지부는 상기 와이어를 봉지하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명수지부는 내부에 적어도 한 종류 이상의 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 주면 중 상기 발광 소자가 배치된 영역을 포함하는 일부 영역을 제외한 영역상에 형성되는 패키지 본체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 투명수지부는 상기 패키지 본체가 형성되지 않은 영역 내부에 충진되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 패키지 본체가 형성되지 않은 영역은 발광 소자를 둘러싸면서 위로 갈수로 폭이 넓어지는 캐비티 형태인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 제 1 주면에도 배선 구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
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