TWI434442B - 發光二極體封裝 - Google Patents

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Description

發光二極體封裝
本發明是關於一種發光二極體封裝，特別是關於一種可在高電壓狀況下工作的高壓發光二極體封裝。
具有發光二極體的發光裝置例如發光二極體封裝，因其能夠實現多種不同顏色，被廣泛使用在例如導航燈具、電子記分板及顯示器等用途，且因其具有能夠實現白光的能力，亦被使用於一般用途的照明。發光二極體的優勢例如高效率、長的工作壽命、及環境友善度等，使它逐漸普及使用於各種領域。
白光發光裝置一般由藍光發光二極體及一黃磷光體之組合所組成。然而，該由藍光發光二極體及一黃磷光體之組合所組成之白光發光裝置因缺少紅色區域而會發出高色溫的白光，因此不適合用於一般性照明。
雖然紅磷光體可用來實現具有低色溫的暖白光，紅磷光體的使用因其低光學效率而仍有侷限。此外，磷光體會與吸收自外界的濕氣反應且隨時間而使效率弱化，因此使發光裝置的工作壽命減短，特別是紅磷光體的效率弱化速率較黃磷光體及綠磷光體快，會進一步縮短發光裝置的工作壽命。
另一方面，為了可使用家用電源或類似物來驅動發光裝置以用於一般照明，需要提供一種可在高電壓狀況下運作的發光二極體封裝。由於一般發光二極體晶片之工作電 壓為2至4V，在高壓狀況下操作單一發光二極體裝置相當困難。因此，數個發光二極體晶片以串聯方式連接，以便在高電壓下操作。然而，使用發光二極體晶片需要使用較多的接線(wire-bonding)步驟及較大的封裝體積。另外，當該發光裝置是在高電壓狀況下操作時，其必須具有散熱元件，以處理大量產生的熱，並防止高電壓造成的漏電流。特別是當使用紅色光發光二極體晶片而非紅色磷光體及藍色發光二極體晶片之組合時，使用複合(compound)半導體基板例如GaAs或InP的紅色發光二極體晶片會有基板漏電流的問題。漏電流會破壞電氣穩定性因而限制發光二極體的應用。
本發明的目的是提供一種體積最小化的高電壓發光二極體封裝。
本發明提供一種可實現白光，特別是暖白光的發光二極體封裝。
本發明提供一種可藉由避免可能發生在發光二極體晶片的漏電流而維持電氣穩定性的發光二極體封裝。
本發明提供一種可避免溼氣滲透的發光二極體封裝。
本發明提供一種低的光損失、高散熱效率的發光二極體封裝，其可減少發光二極體的安裝及/或接線的限制。
依據本發明的一方面，本發明提供一種發光二極體封 裝，其包含：一具有一空腔的封裝本體；一具有複數個相互串聯連接的發光單元(cells)的發光二極體晶片；磷光體，其對由所述發光二極體晶片所發出的光之頻率進行轉換；以及一對鉛電極。該等發光單元可為串聯連接於該對鉛電極之間。藉此，可提供一種高電壓發光二極體封裝，其能緩解因裝配具有該發光二極體單元的該發光二極體晶片而造成的封裝體積增大的問題。
一種著陸墊(landing pad)可置於該空腔的底表面，而該發光二極體晶片可裝配於該著陸墊上。進一步而言，複數個連接墊(bonding pad)可與位在該空腔的該底表面上的該著陸墊分離並具有連接至該等連接墊的複數條導線(wires)。其中兩個連接墊可分別連接至該對鉛電極。
進一步言，該發光二極體封裝可進一步包含多個齊納二極體(Zener diode)。該等齊納二極體可與該發光二極體晶片並聯。該等齊納二極體可分別裝配於該兩個連接墊上。該等齊納二極體可以相反極性而與該發光二極體晶片並聯。因此，可避免正向或反向的靜電放電。
該著陸墊可以具有高反射性的金屬材料製成。因此，可使用該著陸墊來反射由該發光二極體晶片所發射出來的光，從而提供一種高效率的發光二極體晶片封裝。
該發光二極體封裝可進一步包含至少一個發光二極體晶片，其發出的光的頻率與該具有複數個發光單元的發光二極體晶片所發出的光的頻率不同。可藉由這些發光二極體晶片及磷光體的各種不同組合來實現多種顏色，例如白色。
模製部(molding portion)可以覆蓋具有複數個發光單元的該發光二極體晶片及至少另一個發光二極體晶片，且該磷光體可散佈於該模製部上。
該發光二極體封裝可包含複數個相互分離的位於該空腔的底表面上的著陸墊，且具有該複數個發光單元的該發光二極體晶片及至少另一個發光二極體晶片可分別裝配於該等著陸墊上。這些發光二極體晶片可相互串聯於該對鉛電極之間。
該具有該複數個發光單元的發光二極體晶片可發出藍光，而該至少另一個發光二極體晶片可發出紅光。
因此，一種發光二極體封裝可以藉由串聯連接一發出藍光的發光二極體晶片(其具有複數個相互串聯連接的發光單元)及複數個發出紅光的發光二極體晶片於該發光二極體封裝內而在高電壓下工作。又，藉由裝配該等發光二極體晶片於相互分離的著陸墊上可避免自該等發光二極體晶片流失的漏電流。又，可經由發出藍光的二極體晶片、多個發出紅光的二極體晶片、和磷光體之組合而在高電壓下實現暖白光。
該磷光體可以佈置於藍色光發光二極體晶片和紅色光發光二極體晶片之上，以改變自該藍色光發光二極體晶片發出的光的頻率，並在使自該藍色光發光二極體晶片及紅色光發光二極體晶片發射出來的光發生散射的同時，將該些光均勻地混合。
在某些實施例中，該空腔包含一第一空腔及第二空 腔，並有一階梯(step)部形成於期間。此處，該第一空腔可位於第二空腔之下，且該著陸墊可被配置於該第一空腔的底表面上。
該高壓發光二極體封裝可進一步在該第一空腔中包含一覆蓋該等發光二極體晶片的模製部，一在該第二空腔的底表面及該模製部上形成的接合劑，以及一透過該接合劑而連接至該封裝本體的透鏡。該透鏡可調整所射出的光的角度。
該磷光體可分佈於該模製部。該模製部可為一矽凝膠(Gel)，且該接合劑可為一具有高硬度的矽膠，其蕭氏(Durometer Shore)硬度為等於或大於60。該模製部及該接合劑間或是該接合劑及該透鏡間的介面特性可被改善提升，特別是避免介面剝落(delamination)及溼氣滲透，這是利用該矽凝膠模製部及該高硬度的矽膠接合劑來達成。較佳為該透鏡是一玻璃透鏡，以避免溼氣滲透。
在一實施例中，該封裝本體可包含：一封裝下部，具有一基板疊層結構；及一封裝上部，堆疊於該封裝下部上並在內部具有一空腔。此處，鉛電極可電氣連接至多個佈置於該封裝上部與封裝下部之間的導電圖案，且鉛電極可經由該封裝本體的一側表面而延伸至該封裝本體的下表面。進一步而言，該封裝本體可具有多個形成於該封裝本體之一側緣上的溝道(grooves)，該等鉛電極可分別沿著該等溝道而延伸至該封裝本體的該下表面。此處，該等溝道可形成於該封裝本體的側邊角。該封裝下部可包含多個陶 瓷基板，以兩層或更多層疊置著。該等鉛電極可固定地圍繞著該兩層或更多層疊置著的陶瓷基板。該等鉛電極可相互分離並在該封裝下部的該下表面有一寬大面積，且一種金屬散熱部可形成於該下表面上的該等鉛電極之間。
在一實施例中，該封裝本體可包含一個下介電基板及一個疊置於該下介電基板上的上介電基板。此處，複數個上(upper)導電圖案可形成於該上介電基板的一個上表面上，複數個中(middle)導電圖案可形成於該上介電基板及該下介電基板間並透過複數個上導通孔而連接至該等上導電圖案，且複數個下(lower)導電圖案可形成於該下介電基板的一個下表面上並透過複數個下導通孔而連接至該等中導電圖案。用以散熱的複數個散熱座(heat sink)圖案可形成於該上介電基板及該下介電基板之間及形成在該下介電基板的該下表面上，且可透過穿越該下介電基板的導熱通孔而相互連接。
根據本發明的另一實施例，本發明提供一種發光二極體封裝，包含一封裝本體，及一裝配於該封裝本體上的發光二極體晶片。該發光二極體封裝的封裝本體包含一具有複數個形成於上介電基板之上表面上的上導電圖案的上介電基板，一具有複數個形成於下介電基板之下表面上的下導電圖案的下介電基板，複數個中導電圖案夾於該上介電基板及下介電基板之間，複數個上導通孔形成於該上介電基板中以分別連接該些上導電圖案至該些中導電圖案，以及複數個下導通孔形成於該下介電基板中以分別將該些中 導電圖案連接至該些下導電圖案。
在一實施例中，該發光二極體封裝可進一步包含一透明包覆部，其形成於該上介電基板的該上表面以覆蓋該發光二極體晶片及該些上導電圖案。該透明包覆部可包含一透鏡，其中央與該發光二極體晶片的中央重合。該複數個中導電圖案的至少一個可延伸至該上介電基板或該下介電基板的一側表面以曝露於外界。在一實施例中，該上介電基板的一側表面及該下介電基板的一側表面是位於同一切面，該複數個中導電圖案的至少一個延伸至同一切面以暴露於外部，且所有的上導電圖案及下導電圖案形成於一有限的區域中以避免到達該同一切面。至少一個該等上通孔及至少一個該等下通孔可連接於至少一個中導電圖案，且上通孔和下通孔為彼此交錯安排著。該上介電基板可具有兩個形成於其上表面上的上導電圖案。一第一散熱座圖案可形成於該上介電基板及該下介電基板之間，一第二散熱座圖案可形成於該下介電基板的該下表面上。且一導熱通孔可以形成於該下介電圖案中以將該第一散熱座圖案連接至該第二散熱座圖案。該等上導電圖案可包含一位於該上介電基板的中央之第一上導電圖案，及複數個位於該上介電基板的相對兩側上的第二及第三導電圖案。發光二極體晶片之一校準標記可配置於至少一個上導電圖案上並局部性地使該上導電圖案內的該上介電基板的上表面暴露出來。該上介電基板上可以形成一界定標記，用以界定該透鏡的位置。該複數個上導電圖案、該複數個中導電圖案及 該複數個下導電圖案可以藉由局部性的金屬電鍍而形成。
在本發明的另一方面，本發明提供一種發光二極體封裝，包含一封裝本體及一裝配於該封裝本體上的發光二極體晶片。該封裝本體可包含複數個上導電圖案，藉由金屬電鍍而形成於一介電基板的上表面，該些上導電圖案透過晶粒接合(die attachment)或接線而電性連接至該發光二極體晶片；複數個下導電圖案，藉由金屬電鍍而形成於該介電基板的下表面，導電材料分別穿越該介電基板的內部而自該些上導電圖案延伸至該些下導電圖案；以及一散熱座圖案，藉由金屬電鍍而形成於該介電基板的該下表面，並與該些上導電圖案形成電性分離。該介電基板可包含一單一陶瓷基板，其於上表面上具有上導電圖案且於下表面上具有下導電圖案。在一實施例中，該介電基板可包含上陶瓷基板及下陶瓷基板的疊層結構，其中該上陶瓷基板於上表面上具有上導電圖案，而該下陶瓷基板於下表面上具有下導電圖案。
依據本發明的又另一方面，本發明提供一種發光二極體封裝，其包含：一封裝本體，包含：第一陶瓷基板，其具有包括一已形成的著陸墊的導電圖案；至少一第二陶瓷基板，其配置於第一陶瓷基板之下；一發光二極體晶片，裝配於該著陸墊上；以及多個鉛電極，其連接於至少一些導電圖案，並同時通過該封裝本體的一側表面而延伸至該封裝本體的該下表面。在一實施例中，該發光二極體晶片可包含複數個發光單元，其為相互串聯連接。各個鉛電極可 以沿著該封裝本體的各邊角而延伸至該封裝本體的該下表面。進一步而言，該封裝本體的該些邊角可以溝道來形成以分別容納該等鉛電極。
根據一實施例，該發光二極體封裝可以在高電壓下操作，並避免因容納一具有複數個發光單元的發光二極體晶片所造成的體積增加。進一步言，藉由一具有串聯連接的發光單元的發光二極體晶片及另一發出不同的頻率的光的發光二極體晶片之組合，可實現多種不同顏色。進一步言，該等發光二極體晶片為裝配於相互分離的著陸墊上，因此可避免自該等發光二極體晶片流失的漏電流。該等著陸墊可以將熱從該等發光二極體晶片排出，因此可以提升該發光二極體封裝的散熱效果。此外，藉由一藍光發光二極體晶片、複數個紅光發光二極體晶片及一磷光體的組合，可以在高電壓的狀況下實現高輸出的白光，特別是暖白光。進一步言，其亦可藉由一矽凝膠模製部、一高硬度矽膠接合劑以及一玻璃透鏡的組合，避免外界溼氣的滲透。
在另一實施例中，該封裝本體包含一封裝下部以及一封裝上部，以及一包含導電圖案(例如一(或多)個著陸墊或連接墊)的中層係位於該封裝下部以及該封裝上部之間，其中至少一些導電圖案沿著該封裝本體的一側表面而延伸至該封裝本體的下側，以暴露於外部而改善該發光二極體封裝的散熱。進一步言，該等導電圖案係固定地圍繞該封裝下部，特別是圍繞兩層或多層的介電基板(或陶瓷 基板)，因而能更加穩固該封裝下部。
在一實施例中，一發光二極體晶片是直接裝配於一具有散熱座結構的封裝本體的上表面，於其上以接線而設置一個或多個發光二極體晶片及/或一個或多個齊納二極體，因而能使該一個或多個發光二極體晶片及/或一個或多個齊納二極體的裝配及/或接線所造成的空間上的限制減輕。進一步，因為該基板形狀的封裝本體包含一個上介電基板及一個下介電基板，多個以不同的方向而額外設置的散熱路徑，其形成於該上介電基板及該下介電基板之間，因此可改良散熱效率。進一步言，可經由中導電圖案而增加散熱路徑或增大散熱路徑的面積。該些中導電圖案可避免熱集中於一導通孔或該導通孔附近的介電基板。上導通孔及下導通孔通過單一的中導電圖案而相互連接且互相交錯著，因而可增加散熱路徑的數量或使通過中導電圖案的散熱路徑的面積增大。該些中導電圖案可延伸至該上或下介電基板的側面以暴露於外部，因而可改善對流的散熱效果。此處，該封裝本體的該散熱基板結構可以利用將單一的大基板切割成數個基板的方式而產生。在此情況下，該些上與下導電圖案的面積必須受限制使未到達一由切割所形成的切面，以避免該等導電圖案被傷害或避免由該封裝本體剝離。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
【最佳模式】
以下，本發明將依據適當的實施形式且參照圖面來說明。又，實施形式不是用來限定本發明，實施形式中所述的全部的特徵或其組合未必限於發明的本質，且可對系統、過程或機構作出改變而未脫離本發明的範圍。同樣，各圖式未依正確比例繪出且一些尺寸，例如，寬度、長度、厚度和類似物，為了清楚之故而在圖中予以放大。各圖面中所示的同一或同等的構成要素、構件是以同一符號來表示。
圖1係繪示本發明第一實施例之高壓發光二極體封裝之平面圖。圖2係繪示圖1之沿著線A-A的橫斷面圖。圖3係繪示相當於圖1之發光二極體封裝之等效電路圖。
請見圖1及圖2，該發光二極體封裝包含一封裝本體21，複數個著陸墊23，一藍光發光二極體晶片30a，複數個紅光發光二極體晶片30b，一磷光體，以及一對鉛電極29a及29b。該發光二極體封裝可進一步包括多個連接墊25、25a、25b，多條導線，一模製部31，一接合劑33以及一透鏡35。
封裝本體21可以陶瓷或塑膠為材料製成。更佳是該封裝本體21可以陶瓷製成以確保抗熱性及電氣穩定性。該封裝本體21可包含一第一空腔21a及一第二空腔21b，其兩者間並形成有一階梯結構。
該著陸墊23為置於封裝本體21的第一空腔21a的底 表面上。如圖所示，一著陸墊被置於第一空腔21a的中央，且其他著陸墊被置於該著陸墊的周圍。該等著陸墊是位於該第一空腔21a的該底表面上並相互分離。著陸墊23可由金屬材料如銀、鋁或銅製成，其具有高反射性。
連接墊25可被設置於該第一空腔21a的底表面上。連接墊25是與各著陸墊23分離並位於該些著陸墊23之間。連接墊25可以與著陸墊23相同的材料製成，但並不限於此。連接墊25可以與著陸墊23不同的材料製成。至少兩個連接墊25a及25b是電性連接至暴露於封裝本體外的鉛電極29a及29b。
鉛電極29a及29b可位於該封裝本體21的底表面上以接收由外部電源而來的功率。又，鉛電極29a及29b可連接至橋式整流器。
藍光發光二極體晶片30a可具有多個位於單一基板上的互相串聯的發光單元30d。藍光發光二極體晶片30a可具有例如12個發光單元。接線用的墊可設置於互相串聯連接的發光單元的相對側。在藍光發光二極體晶片30a中，該等發光單元為以氮化鋁銦鎵(AllnGaN)半導體化合物製成並以導線相互串聯連接。該等發光單元可具有一活性區域，其具有一氮化銦鎵層以發出藍光。藍光發光二極體晶片30a是裝配於位於第一空腔21a中央的著陸墊23上。
紅光發光二極體晶片30b是分別裝配於環繞位於第一空腔21a中央的著陸墊的著陸墊23上。因此，紅光發光二極體晶片30b是設置於藍光發光二極體晶片30a的周圍。 紅光發光二極體晶片30b可具有一活性層，其係以磷化鋁銦鎵或砷化鋁鎵為主的半導體化合物製成，用以發出紅光。
藍光發光二極體晶片及紅光發光二極體晶片30a及30b透過導線而互相串聯連接於連接墊25a及25b之間。此處，串聯連接係指發光二極體晶片30a及30b互相連接而使得當電壓施於該發光二極體晶片的相對端時，正向電流得以流動。換句話說，發光二極體晶片30a及30b及連接墊25、25a及25b相互連接，以使發光二極體晶片30a及30b在正向電壓施加於連接墊25a及25b時得以操作。
進一步而言，齊納二極體30c可被裝配以保護發光二極體晶片30a及30b。齊納二極體30c可並聯於發光二極體晶片30a及30b以保護其免於靜電放電。如圖3所示，兩個齊納二極體30c以相反極性而並聯於該等發光二極體晶片。此處，齊納二極體30c可裝配於連接墊25a及25b。由於齊納二極體30c具有垂直結構，其中連接有導線的多個墊係位於不同平面，一單一的墊連接至一連接墊。因此，可藉由導線而相互連接位於上側的墊而提供多個以相反極性而連接的齊納二極體。
模製部31覆蓋第一空腔21a內的發光二極體晶片30a及30b。模製部31可以透明材料製成，例如以環氣樹脂或矽樹脂製成。在高電壓下操作時，大量的熱可能產生於發光二極體晶片30a及30b，並對模製部31帶來熱應力。因此，模製部31可由例如矽凝膠製成，以承受熱應力。
該磷光體可分布於模製部31中。該磷光體轉換某些自 藍色發光二極體晶片30a發出的光的頻率。進一步，該磷光體會將自藍光和紅光發光二極體晶片30a及30b發出的光散射以將光混合。進一步言，一擴散劑可散佈於模製部31中以進行光的混合。
透鏡35是藉由接合劑33而接合至模製部31。接合劑33可為一種高硬度矽膠以提升模製部31及透鏡35之間的介面(interface)特性。例如，該高硬度矽膠可以具有大於或等於60的蕭氏硬度。一般而言，一矽膠的硬度不超過100的蕭氏硬度。
雖然塑膠透鏡亦可被作為透鏡35，較佳仍是使用玻璃透鏡作為透鏡35以避免溼氣滲透。透鏡35是接合至第二空腔21b，而透鏡35的一側表面亦設有接合劑33以避免溼氣滲透。接合劑33填入至第二空腔21b內壁與透鏡35之間的空間，並沿著透鏡的圓形上表面而將一些接合劑33施加於透鏡35的上部。藉此，溼氣透過第二空腔21b內壁與透鏡35之間的空隙而滲透的問題可被避免，並可穩定地固定該透鏡35至封裝本體21上。
在本實施例中，紅光發光二極體晶片30b展現一種雙接合晶粒構造(2-bonding die structure)，其中連接有導線的連接墊為位於同一側，但其亦可具有單一接合晶粒構造，其中連接有導線之連接墊為分別位於不同側。在這種情況下，連接墊25可省略，且導線可將著陸墊連接至紅光發光二極體晶片30b。
在本實施例中，該磷光體是散佈於模製部31，但本發 明並不限於此。例如，該磷光體可配置於模製部31上。
在本實施例中，藍光及紅光發光二極體晶片30a及30b係用以說明，但本發名不限於此。換句話說，任何發出不同頻率的光的發光二極體晶片的組合均可用來實現特定的顏色。進一步言，亦可使用一具有多個串聯連接的發光單元之單一色光的發光二極體晶片。
圖3為圖1之發光二極體封裝之等效電路圖。
請見圖3，藍光及紅光發光二極體晶片30a及30b串聯連接於鉛電極29a及29b之間。藍光發光二極體晶片30a具有複數個相互串聯連接之發光單元30d。例如12個發光單元30d串聯連接於一單一基板上且藍光發光二極體晶片30a的一側串聯連接三個紅光發光二極體晶片30b。此處，發光單元的數目及紅光發光二極體晶片的數目並不限於特定的數目，且具有更多發光單元的藍光發光二極體晶片、及紅光發光二極體晶片可裝配於該封裝上。為了實現暖白光，考慮當前發光二極體晶片的光學效率及磷光體的轉換效率，發光單元的數目與紅光發光二極體晶片的數目之比可約為2：1。
進一步，雖然藍光發光二極體晶片30a在此展示為連接於紅光發光二極體晶片30b之間，但這些晶片30a及30b的位置並不限於此，只要其為串聯連接即可。
齊納二極體30c並聯連接於發光二極體晶片30a及30b。此處，齊納二極體30c為以相反極性而連接。因此，即使一高電壓突然暫時正向地或反向地施加於發光二極體 晶片30a及30b，齊納二極體30c仍可保護該發光二極體封裝免於靜電放電。
這些發光二極體晶片的相對端為相互串聯連接，即，鉛電極29a及29b可電性連接至一橋式整流器(未圖示)，以使該發光二極體封裝可以在高的交流電壓下工作。
圖4為根據第二實施例之高電壓發光二極體封裝所繪示的平面圖，圖5為圖4之高電壓發光二極體封裝的橫斷面圖，而圖6為圖4之高電壓發光二極體封裝的詳細橫斷面圖。
請參閱圖4，本實施例的發光二極體封裝包含一封裝本體121，複數個著陸墊123，一藍光發光二極體晶片30a，複數個紅光發光二極體晶片30b，一磷光體(未顯示)，以及一對鉛電極129a及129b。該發光二極體封裝可進一步包含連接墊125、125a及125b，以及多條導線W。雖然未顯示於圖中，但本實施例的發光二極體封裝可進一步包含一模製部31、一接合劑33及一透鏡35，如同前一實施例。
在本實施例中，該封裝本體121具有一陶瓷堆疊結構。該封裝本體121的陶瓷堆疊結構的最佳態樣顯示於圖5。
請參閱圖5，該封裝本體121包含封裝下部1212，封裝上部1214，且一中層1215夾於該封裝上部1212及封裝下部1214之間並具有導電圖案及介電材料。該封裝下部1212具有一種雙層結構，由第一陶瓷基板1212a及一第二陶瓷基板1212b構成。很明顯地，該封裝下部1212可由一單一介電基板構成或可具有一由三個或三個以上的介電基板疊 合而成的多層結構。該封裝上部1214包含第三陶瓷基板1214a及堆疊於第三陶瓷基板1214a的第四陶瓷基板1214b。該第三陶瓷基板1214a包含一位於中央的空腔且作為腔室壁以容納發光二極體晶片於空腔中。腔室壁的內表面R是傾斜的且具有反射部，金屬反射層特別是形成於該反射部上。
第四陶瓷基板1214b具有一比第三陶瓷基板1214a還小的空腔，因空腔的大小不同，一階梯(step)S形成於第三陶瓷基板1214a及第四陶瓷基板1214b之間，而該透鏡(未示出)可穩固地裝置於該階梯S上。
中層1215的導電圖案包含多個著陸墊123及連接墊125、125a及125b，如圖4所示。鉛電極129a及129b分別延伸至封裝下部1214的下表面，即，封裝本體121的下表面，以沿著封裝下部1214的側緣，特別是封裝下部1214的邊角，而提供廣大的面積，同時連接至封裝下部1214上的對應之導電圖案。
請見圖6，該對鉛電極129a及129b可相互分離並可在該封裝本體的下表面上形成為具有廣大的面積，並以焊接而連結至例如一印刷電路板(未顯示)的導電式著陸圖案。在本實施例中，該對鉛電極129a及129b可位於該封裝本體的下表面上的左側和右側，且一散熱部120形成於鉛電極129a及129b之間的金屬圖案中，即，位於封裝本體的下表面的中央區域。散熱部120是與該對位於封裝本體121的下表面上的鉛電極129a及129b分離。
請參見圖4及圖6，封裝本體121的在四個角形成有角溝g，其為垂直地伸展，而使該對鉛電極129a及129b自封裝下部1212的上表面透過角溝g而延伸至封裝上部1214的下表面。鉛電極129a及129b在角溝g內暴露於封裝本體的側表面，以增加發光二極體封裝的散熱效果。又，鉛電極129a及129自封裝下部1212的上表面延伸至封裝上部1214的下表面延伸以環繞該包含有陶瓷基板1212a及1212b的封裝下部1212，因而能夠更可靠地穩固構成該封裝下部的陶瓷基板1212a及1212b。
在封裝本體121中，空腔的下表面可位於封裝下部1212與封裝上部1214之間的一介面上，該處並可具有一中層1215。如前所述，該中層1215包含多個導電圖案，其包含多個著陸墊123及連接墊125、125a及125b，因此該些著陸墊123及連接墊125、125a及125b是位於封裝本體121的空腔的底表面上。
圖4最佳圖示了一著陸墊123可定位於空腔C的底表面的中央區域，且其他著陸墊123可配置於該著陸墊123的周圍。這些著陸墊123為相互分離並位於空腔C的底表面上。這些著陸墊123可以具有高反射率的金屬材料形成，例如銀，鋁或銅。
如同第一實施例所示，連接墊125、125a及125b可配置於空腔C的底表面上。連接墊125、125a及125b為與著陸墊123分離並位於這些著陸墊之間。連接墊125、125a及125b可以與著陸墊123相同的材料來形成，然而並不限 於此。連接墊125、125a及125b可以與著陸墊123不同的導電材料來形成。至少兩個連接墊125a及125b在電性上連接至暴露於封裝本體121側表面及下表面的鉛電極129a及129b。
如第一實施例所述，鉛電極129a及129b為定位於該封裝本體121的下表面以接受一由外接電源而來的電力。進一步言，鉛電極129a及129b可連接至一橋式整流器。
此處，如同第一實施例，該藍光發光二極體晶片30a可於單一基板上包含複數個串聯連接的發光單元30d(見圖3)。接線連接用的墊為設置於相互串聯連接的發光單元的相對側。在這種藍光發光二極體晶片30a中，這些發光單元可以AlInGaN為主的化合物半導體形成且以導線而相互串聯連接。這些發光單元可具有一包含InGaN層的活性區以發出藍光。如圖4所示，該藍光發光二極體晶片30a可裝配於位於空腔之中央的著陸墊125上。
紅光發光二極體晶片30b可分別裝配於環繞位於空腔中央的著陸墊的著陸墊125上。因此，紅光發光二極體晶片30b設置於藍光發光二極體晶片30a的周圍。這些紅光發光二極體晶片30b可具有活性區，其由AlGaInP或AlGaAS為主的化合物半導體形成以發出紅光。
該藍光及紅光發光二極體晶片30a及30b為以導線串聯連接於連接墊125a及125b之間。此處，串聯連接意指發光二極體晶片30a及30b為互相連接以在施加電壓於這些發光二極體晶片的相對端時容許正向電流流過。換句話 說，發光二極體晶片30a及30b及連接墊125、125a及125b相互連接以使發光二極體晶片30a及30b在正向電壓施加於連接墊125a及125b的狀況下工作(圖3)。
進一步言，多個齊納二極體30c可被安裝以保護發光二極體晶片30a及30b。這些齊納二極體30c為與發光二極體晶片30a及30b並聯連接以保護發光二極體晶片得以避免靜電放電。如上一個實施例所述，兩個齊納二極體30c以相反的極性而與發光二極體晶片並聯(見圖3)。此處，齊納二極體30可裝配於連接墊125a及125b上。因齊納二極體30c具有一垂直結構，其中連接有導線的多個墊位於不同的平面，一單一墊連接至一連接墊。因此，可提供多個以相反極性連接的齊納二極體，這是藉由將位於上側上的多個墊以導線互相連接而達成。
【發明的模式】
圖7圖示了根據第三實施例的一發光二極體封裝的橫斷面圖，圖8為根據第三實施例的一發光二極體封裝的平面圖，其包覆部分已被移除。圖9(a)及9(b)繪示根據第三實施例的發光二極體封裝的金屬圖案及鉛電極。
請參閱圖7，本實施例的發光二極體封裝包含一當作散熱基板而使用的封裝本體210，以及一裝配於封裝本體210的發光二極體晶片220。該發光二極體封裝包含一覆蓋封裝本體210的整個上表面的透明包覆部231。該透明包覆部231可以矽膠樹脂模製而成。或是，該透明包覆部231可以其他種類的透明樹脂(例如環氧樹脂或類似物) 來形成。透明包覆部231可具有一凸面鏡形狀，其中央是與發光二極體晶片220之中央一致。
封裝本體210包含：一個上基板211(下稱上介電基板)，其以一介電陶瓷材料形成；以及一個下基板212(下稱下介電基板)，其以介電陶瓷材料形成。該上介電基板211及下介電基板212為相互在垂直方向中疊合。一接合材料可用於疊合這些介電基板。一第一上導電圖案213a及一第二上導電圖案213b形成於上介電基板211的上表面，以作為著陸墊，。第一導電圖案213a及第二導電圖案213b可以金屬電鍍(如金或銀)而形成於上介電基板的上表面。
在本實施例中，發光二極體晶片包含一垂直結構，其包含上下兩端處的電極。發光二極體晶片220為以晶粒接合方式而接合至第一上導電層圖案213a，以使位於發光二極體晶片220下端的電極連接至第一上導電圖案213a。位於發光二極體晶片220上端的電極是以接合導線W而電性連接至第二上導電圖案213b。發光二極體晶片220可為橫向(lateral)型，其在上側包含p型電極及n型電極。在此狀況下，需要複數條接合導線以分別將發光二極體晶片220的p型電極及n型電極連接至上導電圖案。
請見圖8，該上導電圖案213a及213b共同在上介電基板211的上表面形成以定義一圓形區域。進一步言，多個界定標記2112形成於該圓形區域周圍以確認或標定該包覆部的透鏡231已被形成的位置。該些界定標記2112可藉由印製一黑色絲於該上介電基板上而形成。
進一步，一個對準標記2132形成於第一上導電圖案213a上以便精確對準發光二極體晶片或在發光二極體封裝的製造過程中準確偵測到發光二極體晶片的對準誤差(alignment error)。該對準標記2132是以刻意避免電鍍在第一上導電圖案213a中的部分區域並暴露該介電基板的未電鍍的區域於外部。例如，當電鍍是透過一覆蓋該對準標記2132將形成的區域的光罩而進行時，未電鍍的區域將形成該對準標記2132。在本實施例中，齊納二極體222裝配於第一上導電圖案213a上並透過多條接合導線W而連接至第二上導電圖案213b。雖然圖示有兩條接合導線W,W來將發光二極體晶片220的兩電極連接至第二上導電圖案213b，但應理解的是接合導線的數量不會對本發明的範圍造成限制。
請參閱圖7，下介電基板212具有第一及第二下導電圖案215a及215b，其形成於其下表面並作為鉛電極的終端。較佳為該第一及第二下導電圖案215a及215b是以銀電鍍而形成。然而，很明顯地第一及第二下導電圖案215a及215b可以由其他任何金屬形成。進一步，第一及第二中導電圖案214a及214b形成於上介電基板211及下介電基板212之間。第一中導電圖案214a及第二中導電圖案214b可以金或銀電鍍而形成。
第一上導電圖案213a及第二中導電圖案214a透過一垂直地穿透上介電基板211的第一上導通孔216a而相互連接，且第一中導電圖案214a及第一下導電圖案215a是透 過一垂直地穿透第一下介電基板212的第一下導通孔217a而相互連接。進一步，第二上導電圖案213b及第二中導電圖案214b是透過一垂直地穿透上介電基板211的第二上導通孔216b而相互連接，第二中導電圖案214b及第二下導電圖案215b是透過一垂直地穿透下介電基板212的第二下導通孔217b而互相連接。第一上導通孔216a和第二上導通孔216b以及第一下導通孔217a及第二下導通孔217b可以鎢來形成，其具有良好的導熱性及導電性且具有高熔點，但也可以使用其他金屬材料來形成。本實施例中使用的術語與第一及第二實施例相比，第一上導電圖案214a及第二上導電圖案214b可分別對應於著陸墊及連接墊。又，上導通孔216a及216b、中導電圖案214a及214b、下導通孔217a及217b及第一下導電圖案215a及第二下導電圖案215b可對應於第一及第二實施例的鉛電極。
在第二實施例中，鉛電極沿著封裝本體的側緣而延伸至封裝本體的下表面，而本實施例的鉛電極是穿越封裝本體而延伸至封裝本體的下表面。
另一方面，發光二極體封裝可裝配於PCB(印刷電路板，未圖示)上，其中第一及第二下導電圖案215a及215b可以透過焊接而連接至PCB的電極墊(未圖示)上。
第一及第二中導電圖案214a及214b延伸至上介電基板211及下介電基板212的側表面，即，封裝本體210的最外緣以暴露於封裝本體之外部。導電圖案及導通孔的導熱性是比介電基板優越。因此，因第一中導電圖案及第二中 導電圖案214a及214b為暴露在封裝本體210的側表面上的外界空氣中，使封裝本體210的散熱特性因對流而進一步提升。
在本實施例中，封裝本體210為數種散熱基板之一，其藉由切割一單一大型基板而成，大型基板包括疊合的介電基板，導電圖案，導通孔等以形成複數個封裝。更詳細地說，發光二極體封裝或封裝本體210包含一透過切割而成的切面，其包括上介電基板211的側表面及下介電基板212的側表面。第一及第二中導電圖案214a及214b延伸至該切面以在該切面上暴露於外部。相反而言，所有的該上導電圖案213a及213b及所有的下導電圖案215a及215b是形成於有限的區域中以避免到達該切面，亦即，上介電基板211及下介電基板212的側表面。
請參閱圖9(a)，第一及第二中導電圖案214a及214b的每一個都具有三個對齊於下介電基板212的上表面上的外側表面的邊，亦即，位於上及下介電基板之間。進一步言，請參閱圖9(b)，第一及第二下導電圖案215a及215b並不具有對齊於下介電基板212的側表面的邊且形成於下介電基板212的內部的有限的區域中。請參閱圖8，第一及第二導電圖案213a及213b亦被形成於下介電基板212的內部的有限區域中。
請參閱圖7，第一上和下導通孔216a,217a連接至第一中導電圖案214a且互相交錯著。又，第二上和下導通孔216b,217b連接至第二中導電圖案214b且互相交錯著。使 經由一中導電圖案214a或214b而互相連接的上和下導通孔216a,216b互相交錯地放置著，則可使散熱路徑的數目增加，同時可使上和下介電基板211，212內的散熱路徑的面積增大。又，在與上和下導通孔之直線配置比較下，上導通孔216a或216b以及下導通孔217a或217b之交錯配置可使由上導通孔216a或216b經由中導電圖案214a或214b而延伸至下導通孔217a或217b之散熱路徑之總長度增加，使熱可更均勻地分佈至該封裝本體211且更有效地發散至外部。
請參閱圖7和圖9(a)、圖9(b)，本實施例的發光二極體封裝更包括作為散熱部用的第一和第二散熱座圖案218a、218b、以及熱傳送通孔219。第一散熱座圖案218a插接於上和下介電基板211，212之間，且第二散熱座圖案218b形成在該下介電基板212之下表面上。
第一散熱座圖案218a配置在下介電基板212之上表面上的第一中導電圖案214a和第二中導電圖案214b之間，且可使用與第一和第二中導電圖案214a，214b相同的金屬材料以藉由相同的電鍍過程而形成。又，第二散熱座圖案218b配置在下介電基板212之下表面上的第一下導電圖案215a和第二下導電圖案215b之間，且可使用與第一和第二下導電圖案215a，215b相同的金屬材料以藉由相同的電鍍過程而形成。
增加了第一和第二散熱座圖案218a、218b以及熱傳送通孔219，以使靠近該封裝本體210之中央的散熱性增強， 且藉由如上所述的中導電圖案、下導通孔、下導電圖案來補償主要在該封裝本體之周圍所獲得的散熱性。
依據第三實施例，作為著陸墊用的單一第一上導電圖案213a和作為連接墊213b用的單一第二上導電圖案出現在該封裝本體210上。然而，依據另一實施例，發光二極體封裝可包括多個發光二極體晶片，其安裝在多個著陸墊上且互相串聯，其中該多個著陸墊配置於包含上和下介電基板的封裝本體，各介電基板上形成有中導電圖案、導通孔和下導電圖案，如第一和第二實施例所述。此處，發光二極體封裝顯然可包括多個連接墊。
其次，將描述該封裝本體之可應用至本發明的其它實施例。如上所述的重複之元件之詳細描述將省略。類似的元件以類似的參考數字來表示。
圖10係繪示根據本發明之另一實施例的封裝本體之橫斷面圖。圖11(a)、圖11(b)及圖11(c)係繪示該封裝本體之各層示意圖。
請參閱圖10，本實施例之封裝本體210包括上介電基板211和下介電基板212，如上述各實施例之封裝本體所示。然而，本實施例中，散熱座圖案和熱傳送通孔已省略，且設有不同數目和配置方式的導電圖案和可作為散熱座用的上或下導通孔。這將詳述於下。
請參閱圖10和圖11(a)，上介電基板211包括形成於中央的第一上導電圖案213a以及形成於相對側的第二和第三上導電圖案213b,213c。垂直型的發光二極體晶片或橫 向型的發光二極體晶片可藉由晶粒接合而設置在上導電圖案213a上。當橫向型的發光二極體晶片藉由晶粒接合而設置在上導電圖案213a上時，第一上導電圖案213a在電性上未連接至發光二極體晶片且因此只與如上所述的第一中導電圖案214a、第一下導電圖案215a、第一上導通孔216a和第一下導通孔217a一起用作散熱座。另一方面，當垂直型的發光二極體晶片藉由晶粒接合而設置在上導電圖案213a上時，垂直的發光二極體晶片之下電極電性連接至第一上導電圖案213a。因此，第一上導電圖案213a將用作使功率提供至發光二極體晶片之路徑且亦用作散熱座。雖然未圖示，但第一及/或第二上導電圖案213b及/或213c經由接合導線而在電性上連接至發光二極體晶片之電極。第一、第二和第三上導電圖案213a、213b及213c未到達上介電基板211之側表面且形成在該上介電基板211內部中的有限區域中。設置此種組態以防止該基板被切割時圖案受損或脫離，如上述實施例所述。
請參閱圖10和圖11(a)，第一、第二、和第三中導電圖案214a,214b,214c形成在下介電基板212之上表面上或上介電基板211之下表面上，即，位於上和下介電基板211、212之間。第一中導電圖案214a經由第一上導通孔216a而連接至第一上導電圖案213a，第二中導電圖案214b經由第二上導通孔216b而連接至第二上導電圖案213b，且第三中導電圖案214c經由第三上導通孔216c而連接至第三上導電圖案213c。最佳是如圖11(b)所示，第一中導電 圖案214a具有二個對齊於下介電基板212之側表面之邊以暴露於該封裝本體之外部，且每一個第二和第三中導電圖案214b,214c都具有三個對齊於下介電基板212之側表面之邊以暴露於該封裝本體之外部。
請參閱圖10和圖11(c)，第一、第二、和第三下導電圖案215a,215b,215c形成在下介電基板212之下表面上。第一下導電圖案215a經由第一下導通孔217a而連接至第一中導電圖案214a，第二下導電圖案215b經由第二下導通孔217b而連接至第二中導電圖案214b，且第三下導電圖案215c經由第三下導通孔217c而連接至第三中導電圖案214c。第一、第二和第三下導電圖案215a、215b及215c未到達下介電基板212之側邊且形成在該下介電基板212內部中的有限區域中。設置此種組態以防止該基板被切割時圖案受損或脫離。
最佳是如圖10所示，第一上導通孔216a和第一下導通孔217a連接至第一中導電圖案214a且互相交錯著，第二上導通孔216b和第二下導通孔217b連接至第二中導電圖案214b且互相交錯著，第三上導通孔216c和第三下導通孔217c連接至第三中導電圖案214c且互相交錯著。
圖12係繪示本發明又一實施例之封裝本體之橫斷面圖。圖13(a)、圖13(b)係繪示圖12之封裝本體的平面圖及下視圖。
請參閱圖12和圖13(a)、圖13(b)，本實施例之封裝本體210包括單一陶瓷介電基板211’。此陶瓷介電基板211’ 具有第一和第二上導電圖案213a,213b，其藉由金屬(例如，銀或金)電鍍而形成在陶瓷介電基板211’的上表面上。又，陶瓷介電基板211’具有第一下導電圖案215a,215b。第一上導電圖案213a和第一下導電圖案215a經由第一導通孔2170a而互相連接，第一上導電圖案213b和第一下導電圖案215b經由第二導通孔2170b而互相連接。陶瓷介電基板211’形成在具有下散熱座圖案2180之封裝本體210之下表面上。
請參閱圖13(b)，陶瓷介電基板211’形成在具有上散熱座圖案2130之封裝本體210之上表面上。上散熱座圖案2130可經由熱傳送通孔(未圖示)而連接至下散熱座圖案2180。此處，上散熱座圖案2130及其所連接的熱傳送通孔亦可由具有下散熱座圖案2180之陶瓷介電基板211’中省略，其中該下散熱座圖案2180形成在該陶瓷介電基板211’之下表面上。
【產業上的可利用性】
本發明之多個實施例已詳述如上。此處，應理解的是，雖然施加至本發明之一實施例的特定元件未施加至其它實施例，但該特定元件不是受限制地施加至該實施例，且施加至一實施例的(多個)元件可取代施加至其它實施例的(多個)元件或另外施加至其它實施例。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
21‧‧‧封裝本體
21a‧‧‧第一空腔
21b‧‧‧第二空腔
23‧‧‧著陸墊
25、25a、25b‧‧‧連接墊
29a、29b‧‧‧鉛電極
30a、30b‧‧‧發光二極體晶片
30c‧‧‧齊納二極體
30d‧‧‧發光單元
31‧‧‧模製部
33‧‧‧接合劑
35‧‧‧透鏡
W‧‧‧導線
圖1係繪示本發明一實施例之高壓發光二極體封裝之平面圖。
圖2係繪示圖1之沿著線A-A的橫斷面圖。
圖3係繪示圖1之高壓發光二極體封裝之等效電路圖。
圖4係繪示本發明第二實施例之高壓發光二極體封裝之平面圖。
圖5係繪示圖4之高壓發光二極體封裝之橫斷面圖。
圖6係繪示圖4之高壓發光二極體封裝之詳細橫斷面圖。
圖7係繪示本發明第三實施例之高壓發光二極體封裝之橫斷面圖。
圖8係繪示本發明第三實施例之高壓發光二極體封裝之平面圖，其包覆部被移除。
圖9(a)係繪示圖7之發光二極體封裝之下介電基板之平面圖，顯示其上形成有中導電圖案及下導電圖案。
圖9(b)係繪示圖7之發光二極體封裝之下介電基板之下視圖，顯示其上形成有中導電圖案及下導電圖案。
圖10係繪示根據本發明之另一實施例的封裝本體之橫斷面圖。
圖11(a)、圖11(b)及圖11(c)係繪示該封裝本體之各層示意圖。
圖12係繪示本發明又一實施例之封裝本體之橫斷面圖。
圖13(a)、圖13(b)係繪示圖12之封裝本體的平面圖及下視圖。
21‧‧‧封裝本體
21a‧‧‧第一空腔
21b‧‧‧第二空腔
23‧‧‧著陸墊
29a、29b‧‧‧鉛電極
30a、30b‧‧‧發光二極體晶片
31‧‧‧模製部
33‧‧‧接合劑
35‧‧‧透鏡

Claims (34)

  1. 一種發光二極體封裝，包括：一具有一空腔的封裝本體；一具有相互串聯連接的多個發光單元的發光二極體晶片；磷光體，其對由所述發光二極體晶片所發出的光之頻率進行轉換；多個著陸墊，互相分離地配置於所述空腔的底表面；以及一對鉛電極，其中所述多個發光單元串聯連接於該對鉛電極之間，其中所述發光二極體晶片裝配於所述著陸墊上，其中所述多個著陸墊由具有高反射性的金屬材料形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其更包括：多個連接墊，與所述多個著陸墊互相分離且具有接合至所述多個著陸墊之導線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝，其中所述多個連接墊中之二個連接墊分別連接至該對鉛電極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝，其更包括：多個齊納二極體，分別安裝在所述二個連接墊上，所 述多個齊納二極體以相反的極性並聯至所述發光二極體晶片。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其更包括：至少一發光二極體晶片，其所發出的光的頻率不同於具有所述多個發光單元之所述發光二極體晶片所發出的光的頻率；以及一模製部，覆蓋具有所述多個發光單元之所述發光二極體晶片以及至少另一發光二極體晶片，其中所述磷光體分佈在所述模製部中。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝，其中具有所述多個發光單元之所述發光二極體晶片發出藍光，且所述至少一發光二極體晶片發出紅光。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其中所述空腔包括第一空腔和第二空腔，此二空腔之間形成一階梯。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝，其更包括：一模製部，覆蓋所述第一空腔中的所述發光二極體晶片；一接合劑，形成在所述第二空腔的底表面及所述模製部上；以及一透鏡，透過所述接合劑而連接至所述封裝本體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝，其 中所述磷光體分佈在所述模製部中。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝，其中所述模製部包括矽凝膠，且所述接合劑包括高硬度的矽膠，其蕭氏硬度為等於或大於60。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝，其中所述透鏡是玻璃透鏡。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其中所述封裝本體包括：一封裝下部，具有一基板疊層結構；及一封裝上部，堆疊於所述封裝下部上並在內部具有所述空腔，其中所述鉛電極在電性上連接至多個佈置於所述封裝上部與所述封裝下部之間的導電圖案，且所述鉛電極經由所述封裝本體的一側表面而延伸至所述封裝本體的下表面。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其中所述封裝本體具有多個形成於所述封裝本體之一側緣上的溝道，所述鉛電極沿著每一溝道而延伸至所述封裝本體的所述下表面。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體封裝，其中所述溝道形成在所述封裝本體之側邊角。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體封裝，其中所述封裝下部包括多個陶瓷基板，其以兩層或更多層疊置著，且所述鉛電極固定地圍繞著兩層或更多層疊置著的所述陶瓷基板。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體封裝， 其中所述封裝下部是以一對鉛電極來形成，所述鉛電極相互分離並在所述封裝下部的下表面有一寬大面積，且一種金屬散熱部形成於所述下表面上的所述鉛電極之間。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝，其中所述封裝本體包括：一個下介電基板、一個疊置於所述下介電基板上的上介電基板、多個形成於所述上介電基板的上表面上的上導電圖案、多個形成於所述上介電基板及所述下介電基板之間並透過複數個上導通孔而連接至所述上導電圖案的中導電圖案、以及多個形成於所述下介電基板的下表面上並透過複數個下導通孔而連接至所述中導電圖案的下導電圖案。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體封裝，其中用以散熱的多個散熱座圖案形成於所述上介電基板及所述下介電基板之間及形成在所述下介電基板的下表面上，且可透過穿越所述下介電基板的導熱通孔而相互連接。
  19. 一種發光二極體封裝，包含一封裝本體及一裝配於所述封裝本體上的發光二極體晶片，所述封裝本體包含：上介電基板，具有複數個形成於所述上介電基板之上表面上的上導電圖案；下介電基板，具有複數個形成於所述下介電基板之下表面上的下導電圖案；複數個中導電圖案夾於所述上介電基板及下介電基板之間；複數個上導通孔形成於所述上介電基板中以分別將所 述上導電圖案連接至所述中導電圖案；以及複數個下導通孔形成於所述下介電基板中以將所述中導電圖案分別連接至所述下導電圖案，其中所述複數個中導電圖案的至少一個延伸至所述上介電基板或所述下介電基板的一側表面以曝露於外界。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝，其更包括：透明包覆部，其形成於所述上介電基板的上表面以覆蓋所述發光二極體晶片及所述上導電圖案。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之發光二極體封裝，其中所述透明包覆部包含一透鏡，其中央與所述發光二極體晶片的中央重合。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝，其中所述上介電基板的一側表面及所述下介電基板的一側表面是位於同一切面，所述複數個中導電圖案的至少一個延伸至所述同一切面以暴露於外部，且所有的所述上導電圖案及所述下導電圖案形成於一有限的區域中以避免到達所述同一切面。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝，其中至少一個上通孔及至少一個下通孔連接於至少一個中導電圖案且所述上通孔和下通孔為彼此交錯安排著。
  24. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝，其中所述上介電基板可具有兩個形成於其上表面上的上導電圖案。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體封裝，其中第一散熱座圖案形成於所述上介電基板及所述下介電基板之間，第二散熱座圖案形成於所述下介電基板的所述下表面上，且一導熱通孔形成於所述下介電圖案中以將所述第一散熱座圖案連接至所述第二散熱座圖案。
  26. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝，其中所述上導電圖案包含位於所述上介電基板的中央之第一上導電圖案，以及複數個位於所述上介電基板的相對兩側上的第二及第三導電圖案。
  27. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝，其中所述發光二極體晶片之一校準標記可配置於至少一個上導電圖案上並局部性地使所述上導電圖案內的所述上介電基板的上表面暴露出來。
  28. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝，其中所述上介電基板上形成一界定標記，用以界定所述透鏡的位置。
  29. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝，其中所述複數個上導電圖案、所述複數個中導電圖案及所述複數個下導電圖案藉由局部性的金屬電鍍而形成。
  30. 一種發光二極體封裝，包含一封裝本體及一裝配於該封裝本體上的發光二極體晶片，所述封裝本體包含：複數個上導電圖案，藉由金屬電鍍而形成於一介電基板的上表面，所述上導電圖案透過晶粒接合或接線而電性 連接至所述發光二極體晶片；複數個下導電圖案，藉由金屬電鍍而形成於所述介電基板的下表面；導電材料分別穿越所述介電基板的內部而自所述上導電圖案延伸至所述下導電圖案；以及散熱座圖案，藉由金屬電鍍而形成於所述介電基板的下表面，並與所述上導電圖案形成電性分離，其中所述介電基板包含一單一陶瓷基板，其於上表面上具有上導電圖案且於下表面上具有下導電圖案。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之發光二極體封裝，其中所述介電基板包含上陶瓷基板及下陶瓷基板的疊層結構，其中所述上陶瓷基板於上表面上具有上導電圖案，而所述下陶瓷基板於下表面上具有下導電圖案。
  32. 一種發光二極體封裝，其包含：一封裝本體，包含：第一陶瓷基板，其具有包括一已形成的著陸墊的導電圖案；至少一第二陶瓷基板，其配置於第一陶瓷基板之下；一發光二極體晶片，裝配於所述著陸墊上；多個齊納二極體以相反的極性並聯至所述發光二極體晶片；以及多個鉛電極，其連接於至少一些導電圖案，並同時通過所述封裝本體的一側表面而延伸至所述封裝本體的下表面，其中所述發光二極體晶片包含複數個發光單元，其為 相互串聯連接。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之發光二極體封裝，其中所述多個鉛電極的每一個都沿著所述封裝本體的每一邊角而延伸至所述封裝本體的下表面。
  34. 如申請專利範圍第32項所述之發光二極體封裝，其中所述封裝本體的所述邊角以溝道來形成以分別容納所述多個鉛電極。
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