JP2017223815A - アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法および表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法および表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017223815A JP2017223815A JP2016118475A JP2016118475A JP2017223815A JP 2017223815 A JP2017223815 A JP 2017223815A JP 2016118475 A JP2016118475 A JP 2016118475A JP 2016118475 A JP2016118475 A JP 2016118475A JP 2017223815 A JP2017223815 A JP 2017223815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- oxide semiconductor
- semiconductor layer
- electrode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 143
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 158
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 19
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】このアクティブマトリクス基板は、基板と、基板上に形成されると共に、チャネル領域としての第1領域を含む酸化物半導体層と、酸化物半導体層の第1領域に第1の絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極と、酸化物半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極と同層であって薄膜トランジスタとは異なる領域に設けられた電極層と、基板と電極層との間に設けられ、電極層の第1の端部よりも後退した位置に第2の端部を有する第2の絶縁膜とを備える。酸化物半導体層は、第1領域よりも低抵抗な第2領域を含み、電極層は、第1の端部において、酸化物半導体層の第2領域に電気的に接続される。
【選択図】図3
Description
・実施の形態(TFTの酸化物半導体層のうちの低抵抗領域に容量素子の上部電極が電気的に接続されたアクティブマトリクス基板および表示装置の例)
1.構成
2.製造方法
3.作用および効果
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る表示装置(表示装置1)の全体構成を表すブロック図である。この表示装置1は、例えばR(赤),G(緑),B(青)の混色によりカラーの映像表示を行う有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等である。
図3は、アクティブマトリクス基板10の断面構成を表したものである。図3では、書き込みトランジスタWsTrに相当するTFT12と、保持容量Csに相当する保持容量13とを含む領域を示している。図4は、アクティブマトリクス基板10の要部の平面構成を表したものである。尚、図4のIA−IA線における断面の構成が、図3に相当する。
図5は、コンタクト部14付近の構成を拡大したものである。コンタクト部14では、絶縁膜16bの端部e2が、上部電極17bの端部e1よりも後退した位置に形成されている。上部電極17bは、酸化物半導体層15の低抵抗領域15bの一部に、オーバーラップして(重なって)形成されている。換言すると、低抵抗領域15bは、チャネル領域15aと反対側の端部に、上部電極17bの端部e1と重なるオーバーラップ領域15b1を有している。この例では、上部電極17bと、低抵抗領域15bとが直に接して形成されている。
上記のようなアクティブマトリクス基板10は、例えば次のようにして製造することができる。図6〜図13は、アクティブマトリクス基板10の製造工程を工程順に表したものである。
本実施の形態の表示装置1では、図1に示した走査線駆動部3から各画素pr,pg,pbの書き込みトランジスタWsTrへ選択パルスが供給されることで、画素pr,pg,pbが選択される。この選択された画素pr,pg,pbに、信号線駆動部4から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Csに保持される。この保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタDsTrがオンオフ制御され、有機EL素子20R,20G,20Bに駆動電流が注入される。これにより、有機EL素子20R,20G,20Bが発光し、各画素pr,pg,pbから色光が取り出される。これらの色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。
(1)
基板と、
前記基板上に形成されると共に、チャネル領域としての第1領域を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の第1領域に第1の絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、
前記ゲート電極と同層であって前記薄膜トランジスタとは異なる領域に設けられた電極層と、
前記基板と前記電極層との間に設けられ、前記電極層の第1の端部よりも後退した位置に第2の端部を有する第2の絶縁膜と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記第1領域よりも低抵抗な第2領域を含み、
前記電極層は、前記第1の端部において、前記酸化物半導体層の前記第2領域に電気的に接続されている
アクティブマトリクス基板。
(2)
前記電極層は、前記酸化物半導体層の一部に重なって形成されている
上記(1)に記載のアクティブマトリクス基板。
(3)
前記酸化物半導体層は、前記第1領域に隣接して前記第2領域を含み、
前記第2領域は、前記第1領域とは反対側の端部に、前記電極層と重なるオーバーラップ領域を有する
上記(2)に記載のアクティブマトリクス基板。
(4)
前記ゲート電極と、前記電極層と、前記酸化物半導体層の前記第2領域とのそれぞれの上面を覆って、金属酸化物を含む高抵抗膜が形成されている
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載のアクティブマトリクス基板。
(5)
前記薄膜トランジスタでは、前記ゲート電極と前記第1の絶縁膜とが平面視的に同一形状を有する
上記(1)ないし(4)のいずれか1つに記載のアクティブマトリクス基板。
(6)
前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層と同層に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に前記第2の絶縁膜を間にして形成された、前記電極層としての第2の電極層と
を有する容量素子を更に備えた
上記(1)ないし(5)のいずれか1つに記載のアクティブマトリクス基板。
(7)
前記第1の電極層は、前記酸化物半導体層と同一の酸化物半導体を含んで構成され、
前記第2の電極層は、前記ゲート電極と同一材料を含んで構成されている
上記(6)に記載のアクティブマトリクス基板。
(8)
基板上に、チャネル領域としての第1領域を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の第1領域に第1の絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート電極と同層であって前記薄膜トランジスタとは異なる領域に電極層を形成し、
前記基板と前記電極層との間に、前記電極層の第1の端部よりも後退した位置に第2の端部を有する第2の絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体層は、前記第1領域よりも低抵抗な第2領域を含み、
前記電極層は、前記第1の端部において、前記酸化物半導体層の前記第2領域に電気的に接続される
アクティブマトリクス基板の製造方法。
(9)
前記電極層は、前記酸化物半導体層の一部に重なって形成される
上記(8)に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
(10)
前記電極層と前記ゲート電極とを形成した後、金属膜を形成して熱処理を行うことにより、前記第2領域を形成する
上記(9)に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
(11)
前記薄膜トランジスタを形成する際に、前記ゲート電極と前記第1の絶縁膜とを同一工程において連続的に加工する
上記(8)ないし(10)のいずれか1つに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
(12)
基板と、
前記基板上に形成されると共に、チャネル領域としての第1領域を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層のうちの第1領域に第1の絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、
前記ゲート電極と同層であって前記薄膜トランジスタとは異なる領域に設けられた電極層と、
前記基板と前記電極層との間に設けられ、前記電極層の第1の端部よりも後退した位置に第2の端部を有する第2の絶縁膜と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記第1領域よりも低抵抗な第2領域を含み、
前記電極層は、前記第1の端部において、前記酸化物半導体層の前記第2領域に電気的に接続されている
アクティブマトリクス基板を有する表示装置。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に形成されると共に、チャネル領域としての第1領域を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の第1領域に第1の絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、
前記ゲート電極と同層であって前記薄膜トランジスタとは異なる領域に設けられた電極層と、
前記基板と前記電極層との間に設けられ、前記電極層の第1の端部よりも後退した位置に第2の端部を有する第2の絶縁膜と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記第1領域よりも低抵抗な第2領域を含み、
前記電極層は、前記第1の端部において、前記酸化物半導体層の前記第2領域に電気的に接続されている
アクティブマトリクス基板。 - 前記電極層は、前記酸化物半導体層の一部に重なって形成されている
請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記酸化物半導体層は、前記第1領域に隣接して前記第2領域を含み、
前記第2領域は、前記第1領域とは反対側の端部に、前記電極層と重なるオーバーラップ領域を有する
請求項2に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記ゲート電極と、前記電極層と、前記酸化物半導体層の前記第2領域とのそれぞれの上面を覆って、金属酸化物を含む高抵抗膜が形成されている
請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記薄膜トランジスタでは、前記ゲート電極と前記第1の絶縁膜とが平面視的に同一形状を有する
請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層と同層に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に前記第2の絶縁膜を間にして形成された、前記電極層としての第2の電極層と
を有する容量素子を更に備えた
請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記第1の電極層は、前記酸化物半導体層と同一の酸化物半導体を含んで構成され、
前記第2の電極層は、前記ゲート電極と同一材料を含んで構成されている
請求項6に記載のアクティブマトリクス基板。 - 基板上に、チャネル領域としての第1領域を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の第1領域に第1の絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ゲート電極と同層であって前記薄膜トランジスタとは異なる領域に電極層を形成し、
前記基板と前記電極層との間に、前記電極層の第1の端部よりも後退した位置に第2の端部を有する第2の絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体層は、前記第1領域よりも低抵抗な第2領域を含み、
前記電極層は、前記第1の端部において、前記酸化物半導体層の前記第2領域に電気的に接続される
アクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記電極層は、前記酸化物半導体層の一部に重なって形成される
請求項8に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記電極層と前記ゲート電極とを形成した後、金属膜を形成して熱処理を行うことにより、前記第2領域を形成する
請求項9に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記薄膜トランジスタを形成する際に、前記ゲート電極と前記第1の絶縁膜とを同一工程において連続的に加工する
請求項8に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成されると共に、チャネル領域としての第1領域を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層のうちの第1領域に第1の絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、
前記ゲート電極と同層であって前記薄膜トランジスタとは異なる領域に設けられた電極層と、
前記基板と前記電極層との間に設けられ、前記電極層の第1の端部よりも後退した位置に第2の端部を有する第2の絶縁膜と
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記第1領域よりも低抵抗な第2領域を含み、
前記電極層は、前記第1の端部において、前記酸化物半導体層の前記第2領域に電気的に接続されている
アクティブマトリクス基板を有する表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016118475A JP6563367B2 (ja) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法および表示装置 |
US15/615,834 US10551704B2 (en) | 2016-06-15 | 2017-06-07 | Active matrix substrate method of manufacturing active matrix substrate, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016118475A JP6563367B2 (ja) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法および表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017223815A true JP2017223815A (ja) | 2017-12-21 |
JP2017223815A5 JP2017223815A5 (ja) | 2018-11-01 |
JP6563367B2 JP6563367B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=60659513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016118475A Active JP6563367B2 (ja) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法および表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10551704B2 (ja) |
JP (1) | JP6563367B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020202286A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7284613B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-05-31 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015762A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置とその製造方法 |
US20050101066A1 (en) * | 2001-05-18 | 2005-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2007123555A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP2009010362A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2009122256A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2013175710A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
WO2014147964A1 (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-25 | パナソニック株式会社 | 薄膜半導体基板、発光パネル及び薄膜半導体基板の製造方法 |
JP2015122417A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置および電子機器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1843194A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
JP5708910B2 (ja) | 2010-03-30 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
US8409979B2 (en) * | 2011-05-31 | 2013-04-02 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming interconnect structure with conductive pads having expanded interconnect surface area for enhanced interconnection properties |
TW201338173A (zh) * | 2012-02-28 | 2013-09-16 | Sony Corp | 電晶體、製造電晶體之方法、顯示裝置及電子機器 |
-
2016
- 2016-06-15 JP JP2016118475A patent/JP6563367B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-07 US US15/615,834 patent/US10551704B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015762A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置とその製造方法 |
US20050101066A1 (en) * | 2001-05-18 | 2005-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2007123555A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP2009010362A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2009122256A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2013175710A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
WO2014147964A1 (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-25 | パナソニック株式会社 | 薄膜半導体基板、発光パネル及び薄膜半導体基板の製造方法 |
JP2015122417A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置および電子機器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020202286A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10551704B2 (en) | 2020-02-04 |
JP6563367B2 (ja) | 2019-08-21 |
US20170363926A1 (en) | 2017-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6561386B2 (ja) | トランジスタ、表示装置および電子機器 | |
US9721977B2 (en) | Display device and electronic unit | |
JP5368381B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
CN107017287B (zh) | 薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法 | |
JP5708910B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 | |
JP5685989B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP5766481B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US20150162399A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, display unit, and electronic apparatus | |
US9362312B2 (en) | Semiconductor device, display unit, and electronic apparatus | |
JP2012015436A (ja) | 薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
JP5609989B2 (ja) | 表示装置、及び表示装置の製造方法 | |
JP6334979B2 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 | |
JP6142136B2 (ja) | トランジスタの製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法 | |
US20150179681A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, display unit, and electronic apparatus | |
JP6563367B2 (ja) | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法および表示装置 | |
JP7030285B2 (ja) | 半導体装置、表示装置、半導体装置の製造方法及び表示装置の製造方法 | |
CN107818987B (zh) | 半导体装置及其制造方法和显示设备及其制造方法 | |
US20160149042A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and display unit and electronic apparatus | |
JP6019331B2 (ja) | トランジスタ、半導体装置、表示装置および電子機器、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2015159132A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP7055285B2 (ja) | 半導体装置、表示装置、半導体装置の製造方法及び表示装置の製造方法 | |
JP2018101681A (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
JP2016103605A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器 | |
JP2006032630A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2022077412A (ja) | 薄膜トランジスタ回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180828 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190625 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190724 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6563367 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |