JP2017212271A5 - - Google Patents

Description

以下の開示の一観点によれば、表面に突出部を備えた絶縁層と、前記突出部の上面に設けられた接続パッドとを有し、前記接続パッドの上面および側面が前記絶縁層から露出し、前記接続パッドの下面の周縁部が前記突出部から露出している配線基板が提供される。

次いで、図１０（ｂ）に示すように、接続パッドＰが配置される領域に開口部３５ａが設けられためっきレジスト層３５をシード層２４の上に形成する。

続いて、図１１（ｂ）に示すように、めっきレジスト層３５を除去する。さらに、金属めっき層２６をマスクにしてシード層２４をエッチングして除去する。シード層２４の銅層２４ｂはウェットエッチングにより除去される。

このようにして、チタン層２４ａ及び銅層２４ｂからなるシード層２４と、シード層２４の上に配置された金属めっき層２６とにより接続パッドＰが形成される。接続パッドＰとビア導体ＶＣとが金属めっき層２６により一体的に形成される。

接続パッドＰの大きさは、突出部３３ａの上面の大きさよりも大きく形成される。具体的には、接続パッドＰの径が突出部３３ａの上面の径より大きく設定される。また、接続パッドＰの下面の周縁部と第３絶縁層３３の表面とが離間した状態となる。

接続パッドＰの下角部Ｅでは、接続パッドＰ及びアンダーフィル樹脂３８の２つの異なる材料が接しているだけである。これに対して、予備的事項で説明した図１の構造の接続パッドＰの下角部Ｅでは、接続パッドＰ、樹脂層３００及びアンダーフィル樹脂５００との３つの異なる材料が接している。

Claims (12)

1. 表面に突出部を備えた絶縁層と、
   前記突出部の上面に設けられた接続パッドと
   を有し、
   前記接続パッドの上面および側面が前記絶縁層から露出し、
   前記接続パッドの下面の周縁部が前記突出部から露出していることを特徴とする配線基板。
2. 前記接続パッドの大きさは、前記突出部の上面の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記接続パッドの下面の周縁部と前記絶縁層の表面とが離間していることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記突出部を貫通するビア導体が配置されており、前記接続パッドは前記ビア導体を介して前記絶縁層の下に配置された配線層に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
5. 前記絶縁層は、感光性樹脂から形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
6. 表面に突出部を備えた絶縁層と、
   前記突出部の上面に設けられた接続パッドと
   を有し、前記接続パッドの上面および側面が前記絶縁層から露出し、前記接続パッドの下面の周縁部が前記突出部から露出している配線基板と、
   前記配線基板の接続パッドにフリップチップ接続された電子部品と、
   前記配線基板と前記電子部品との間に充填されたアンダーフィル樹脂と
   を有することを特徴とする電子部品装置。
7. 絶縁層の上に接続パッドを形成する工程と、
   前記接続パッドをマスクにして前記絶縁層を厚みの途中まで除去することにより、前記接続パッドの下面に前記絶縁層の突出部を設けると共に、前記接続パッドの下面の周縁部を前記突出部から露出させることを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 前記接続パッドを形成する工程の前に、
   配線層の上に、前記配線層に到達するビアホールを備えた前記絶縁層を形成する工程を有し、
   前記接続パッドを形成する工程において、
   前記接続パッドは、前記ビアホール内のビア導体を介して前記配線層に接続されることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記接続パッドの大きさは、前記突出部の上面の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。
10. 前記絶縁層を除去する工程において、
    前記接続パッドの下面の周縁部と前記絶縁層の表面とが離間することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
11. 前記絶縁層は、感光性樹脂から形成されることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
12. 前記絶縁層は樹脂から形成され、
    前記絶縁層を除去する工程は、等方性ドライエッチングで行われ、前記等方性ドライエッチングは、酸素ガス又はフッ素系ガス、あるいは、酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを使用することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。