JP2015165533A5 - - Google Patents

Description

以下の開示の一観点によれば、絶縁層が非感光性樹脂からなる第１の多層配線層と、前記第１の多層配線層の上面側に形成され、複数の外部接続パッドを含む第１配線層と、前記第１の多層配線層の上に形成され、絶縁層が感光性樹脂からなり、前記第１の多層配線層よりも配線ピッチが狭い第２の多層配線層とを有し、前記第２の多層配線層の絶縁層は前記外部接続パッドを露出するように形成されている配線基板が提供される。

また、その開示の他の観点によれば、非感光性樹脂から形成された第１絶縁層にレーザによって第１ビアホールを形成する手法を含む方法により、上面側に外部接続パッドを含む第１配線層を備えた第１の多層配線層を形成する工程と、感光性樹脂をフォトリソグラフィでパターニングすることよって、第２ビアホールを備えた第２絶縁層を形成する手法を含む方法により、前記第１の多層配線層の上に、第２絶縁層から前記外部接続パッドが露出するように、第２の多層配線層を形成する工程とを有し、前記第２の多層配線層の配線ピッチが前記第１の多層配線層の配線ピッチよりも狭く設定される配線基板の製造方法が提供される。

続いて、図９（ｃ）に示すように、前述した図７（ｃ）の工程と同様に、シード層２４ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト層１８の開口部１８ａに金属めっき層２４ｂを形成する。その後に、図９（ｄ）に示すように、めっきレジスト層１８を除去する。

以上により、シード層２４ｂ及び金属めっき層２４ａにより第４配線層２４が形成される。第４配線層２４は、前述した第３配線層２３の形成方法と同様なセミアディティブ法で形成されるため、ライン（幅）：スペース（間隔）が２μｍ：２μｍ〜３μｍ：３μｍ程度の微細配線として形成される。

以上により、図１０に示すように、実施形態の配線基板１が製造される。配線基板１は、前述した図５の第１の多層配線層５とその上に積層された第２の多層配線層６とを有する。第１の多層配線層５では、前述した図２のコア基板１０の両面側に第１配線層２１に到達する第１ビアホールＶＨ１が配置された第１層間絶縁層３１がそれぞれ形成されている。

また、図１３に示すように、図１２において、第１半導体チップ４０と第２半導体チップ４２との間の領域にも外部接続パッドＰを配置してもよい。そして、図１２と同様に、第１半導体チップ４０及び第２半導体チップ４２の周りの外部接続パッドＰが第２の多層配線層６から一括で露出するようにしてもよい。

そして、上側配線基板６０の下側接続パッドＰｘにはんだボール２８を搭載する。続いて、第１の多層配線層５の外部接続パッドＰ上に上側配線基板６０のはんだボール２８が配置されるようにして、配線基板１及び第１、第２半導体チップ４０，４２の上に上側配線基板６０を配置する。

はんだボール２８は第１の多層配線層５の外部接続パッドＰの上に搭載してもよいし、はんだボール２８の代わりに、はんだバンプを印刷などによって形成してもよい。

Claims (13)

1. 絶縁層が非感光性樹脂からなる第１の多層配線層と、
   前記第１の多層配線層内の上面側に備えられ、複数の外部接続パッドを含む第１配線層と、
   前記第１の多層配線層の上に形成され、絶縁層が感光性樹脂からなり、前記第１の多層配線層よりも配線ピッチが狭い第２の多層配線層とを有し、
   前記第２の多層配線層の絶縁層は前記外部接続パッドを露出するように形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記第１配線層は、前記第１配線層の上面と前記第１の多層配線層の絶縁層の上面とが同一面となるように、前記第１の多層配線層の絶縁層に埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第２の多層配線層は、前記第１の多層配線層の絶縁層の上面に形成されると共に、前記第１配線層の上面に接続される第２配線層を有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
4. 前記第１配線層の上面と前記第１の多層配線層の絶縁層の上面とは研磨面であることを特徴とする請求項２又は３に記載の配線基板。
5. 前記第２の多層配線層の絶縁層は、各々の前記外部接続パッドに対応する複数の接続ホールを備え、前記接続ホールの底面に前記外部接続パッドが露出していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
6. 前記外部接続パッドは、前記第１の多層配線層の周縁部に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
7. 絶縁層が非感光性樹脂からなる第１の多層配線層と、
   前記第１の多層配線層内の上面側に備えられ、複数の外部接続パッドを含む第１配線層と、
   前記第１の多層配線層の上に形成され、絶縁層が感光性樹脂からなり、前記第１の多層配線層よりも配線ピッチが狭い第２の多層配線層とを有し、
   前記第２の多層配線層の絶縁層は前記外部接続パッドを露出するように形成されている配線基板と、
   前記第２の多層配線層の上にフリップチップ接続された半導体チップと
   を有することを特徴とする半導体装置。
8. 前記配線基板及び前記半導体チップの上に配置され、前記第１の多層配線層の外部接続パッドにバンプ電極を介して接続された上側配線基板を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 複数の前記半導体チップが前記第２の多層配線層の上に並んで配置されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置。
10. 非感光性樹脂から形成された第１絶縁層にレーザによって第１ビアホールを形成する手法を含む方法により、上面側に外部接続パッドを含む第１配線層を備えた第１の多層配線層を形成する工程と、
    感光性樹脂をフォトリソグラフィでパターニングすることよって、第２ビアホールを備えた第２絶縁層を形成する手法を含む方法により、前記第１の多層配線層の上に、前記第２絶縁層から前記外部接続パッドが露出するように、第２の多層配線層を形成する工程とを有し、
    前記第２の多層配線層の配線ピッチが前記第１の多層配線層の配線ピッチよりも狭く設定されることを特徴とする配線基板の製造方法。
11. 前記第１の多層配線層を形成する工程において、前記第２の多層配線層を形成する工程の前に、
    前記第１の多層配線層の第１絶縁層の上面を研磨することにより、前記第１配線層は、前記第１配線層の上面と前記第１絶縁層の上面とが同一面となるように、前記第１絶縁層に埋め込まれて形成されることを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
12. 前記第２の多層配線層を形成する工程において、
    前記外部接続パッドの上の前記第２の多層配線層の第２絶縁層に接続ホールを配置することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。
13. 前記第２の多層配線層を形成する工程は、前記第１の多層配線層の第１配線層の上面に接続される第２配線層を形成する工程を含み、
    前記第２配線層を形成する工程は、
    前記第２の多層配線層の前記第２絶縁層の上及び前記第２ビアホールの内面にシード層を形成する工程と、
    前記ビアホールを含む領域に開口部が設けられためっきレジスト層を前記シード層の上に形成する工程と、
    前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記第２ビアホール及び前記めっきレジスト層の開口部に金属めっき層を形成する工程と、
    前記めっきレジスト層を除去する工程と、
    前記金属めっき層をマスクにして前記シード層を異方性ドライエッチングにより除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。