JP2017203654A - チップの選別方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 不良デバイスを出荷してしまうことを低減可能なチップの選別方法を提供することである。
【解決手段】 板状被加工物を分割して形成されたチップの良品と不良品とを選別するチップの選別方法であって、チップに超音波振動を付与する超音波振動付与ステップと、該超音波振動付与ステップでチップが破損するか否かを確認する破損確認ステップと、該破損確認ステップで破損していないチップを良品として選別する選別ステップと、を備え、該超音波振動付与ステップでチップに付与される超音波振動は、微小破損を内包しないチップは破損しないが微小破損を内包するチップは破損する値に設定されることを特徴とする。
【選択図】図2

Description

本発明は、チップの良品と不良品とを選別するチップの選別方法に関する。
例えば、表面弾性波デバイス(SAWデバイス)を製造する場合、リチウムタンタレイト(LT)からなるウェーハ上に複数の表面弾性波素子を形成し、この板状被加工物であるウェーハをダイシング装置やレーザー加工装置を用いて分割し、複数の表面弾性波チップを形成する。その後、表面弾性波チップをパッケージングして表面弾性波デバイスを製造している。
ウェーハを分割して形成したチップには、分割に際して微小な欠けやクラック等の破損が生じ易い。これらの破損を内包したチップから製造されたデバイスは所定の性能を発揮できないばかりか、標準的な条件下における使用でもデバイス自体が劣化、破損しかねない。
そこで、例えばパッケージングする前のチップに破損が生じていないか外観検査を実施して良品のみをパッケージングしたり、パッケージング後のデバイスに対して抜き取り試験(熱サイクルテストや衝撃テスト等の信頼性試験)を実施している。
特開2013−065997号公報
しかし、破損が微小であったり破損が素子やチップの内部に発生している場合には、外観検査において破損を検出するのは難しいという問題がある。破損を内包する不良デバイスを外観検査で不良と判別できずに良品として出荷してしまい、デバイスが所定の性能を発揮できなかったり、標準的な条件下における使用でデバイス自体が劣化、破損してしまう恐れがある。
また、信頼性試験の種類によっては試験を実施したことによりチップが破損してしまったり、破損しなくとも試験に起因するダメージが残存しているため良品として選別しないことが望ましい。つまり、試験の種類によっては全てのチップに試験を実施できず、試験を実施しなかったチップが不良品である恐れがある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、不良デバイスを出荷してしまうことを低減可能なチップの選別方法を提供することである。
本発明によると、板状被加工物を分割して形成されたチップの良品と不良品とを選別するチップの選別方法であって、チップに超音波振動を付与する超音波振動付与ステップと、該超音波振動付与ステップでチップが破損するか否かを確認する破損確認ステップと、該破損確認ステップで破損していないチップを良品として選別する選別ステップと、を備え、該超音波振動付与ステップでチップに付与される超音波振動は、微小破損を内包しないチップは破損しないが微小破損を内包するチップは破損する値に設定されることを特徴とするチップの選別方法が提供される。
好ましくは、超音波振動付与ステップでチップに付与される超音波振動は、微小破損を内包しないチップは破損しない温度にチップを加熱する値に設定される。
本発明のチップの選別方法によると、微小な破損を内包したチップは超音波振動付与ステップで破損してしまうため、良品として選別されたチップにおいてデバイスが所定の性能を発揮できなかったり、標準的な条件下における使用でデバイス自体が劣化、破損してしまう恐れを低減でき、不良デバイスを出荷してしまう恐れを低減可能である。
超音波振動付与ステップにおいて、物理的衝撃に加えて超音波振動によりチップを加熱することで、一度の超音波振動付与ステップで複数種類の負荷を与えることが可能となる。よって、良品として選別されたチップにおいてデバイスが所定の性能を発揮できなかったり、標準的な条件下における使用でデバイス自体が劣化、破損してしまう恐れをより一層低減できる。
超音波振動付与ステップを示す模式的斜視図である。 チップ毎に超音波振動を付与する超音波振動付与ステップを示す断面図である。 ウェーハ毎に超音波振動を付与する超音波振動付与ステップの断面図である。 破損確認ステップを示す断面図である。 選別ステップを示す断面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、超音波振動付与ステップの模式的斜視図が示されている。チップ11は、リチウムタンタレイト(LT)からなるウェーハ上に複数の表面弾性波素子(SAW素子)を形成し、このウェーハをダイシング装置やレーザー加工装置を用いて個々のSAWチップに分割されたものである。しかし、チップ11はベアチップに限定されるものではなく、パッケージングされたチップも含むものである。
超音波振動子10は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウム、チタン酸鉛等の圧電セラミックス、又は水晶振動子から構成される。超音波振動子10は図示しないエアシリンダのピストンロッド18に支持されており、超音波振動子10の先端には振動伝達部材12が連結されている。
チップ11に超音波振動を付与するには、エアシリンダを駆動してピストンロッド18を伸長し、振動伝達部材12をチップ11に接触させる。この状態で電力供給手段14を作動して、超音波振動子10に所定周波数及び所定振幅の超音波を発生させる。
この超音波は振動伝達部材12を介してチップ11に伝達され、チップ11が所定周波数及び所定振幅で振動する。超音波振動子10の発振周波数はチップ11の材質、サイズ、厚みに応じて適宜変更し、微小破損を内包しないチップ11が破損しない値に設定される。
チップ11が、例えば3×3×0.15(厚さ)mmのSAWチップ等のリチウムタンタレイト(LT)チップの場合には、電力供給手段14により超音波振動子10に20kHz〜40kHzの周波数、好ましくは25kHz〜30kHzの周波数、10W〜15Wの交流電力を供給し、超音波振動子10を10〜20μmの振幅で超音波振動させる。この周波数及び交流電力のパワーでは微小破損を内包しないチップ11は破損しないが微小破損を内包するチップ11は超音波振動により破損する。
次に、図2を参照して、チップ毎に超音波振動を付与する超音波振動付与ステップについて説明する。チップ11は例えばリチウムタンタレイト(LT)ウェーハ9を分割して得られたLTチップであり、外周部が環状フレームFに貼着された粘着テープであるダイシングテープTにその裏面が貼着されている。
LTウェーハ9は、例えばレーザー加工装置により分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝又は改質層が形成された後、環状フレームFがエキスパンド装置15の環状支持部材20上にセットされ、クランプ22により環状フレームFがクランプされて固定される。
環状支持部材20はエアシリンダ24のピストンロッド26に連結されている。エキスパンド装置15はダイシングテープTに貼着されたLTウェーハ9の直径よりも大きな内径を有する拡張ドラム28を有している。
拡張ドラム28の上端にダイシングテープTが接触するように環状フレームFを環状支持部材20上に載置し、エアシリンダ24を作動してピストンロッド26を下方に引き込むと、ピストンロッド26に連結された環状支持部材20が下方に移動され、ダイシングテープTは拡張ドラム28の上端縁に当接して半径方向に拡張される。
その結果、ダイシングテープTに貼着されているLTウェーハ9には放射状に引っ張り力が作用する。このようにLTウェーハ9に放射状に引っ張り力が作用すると、分割予定ラインに沿って形成されたレーザー加工溝又は改質層が分割起点となってLTウェーハ9は分割予定ラインに沿って割断され、個々のチップ11に分割される。
図2に示した状態は、LTウェーハ9をエキスパンド装置15により個々のLTチップ11に分割した状態を示している。拡張ドラム28内には、LTチップ11に超音波振動を付与する際にLTチップ11をダイシングテープTを介して下方から支持する支持プレート30が配設されている。
支持プレート30はエアシリンダ32のピストンロッド34に連結されており、LTウェーハ9をエキスパンド装置15により個々のLTチップ11に分割する際には、エアシリンダ32により支持プレート30はダイシングテープTに接触しない下方位置に引き落とされている。
チップ11に超音波振動を付与する際には、支持プレート30はエアシリンダ32によりチップ11をダイシングテープTを介して下方から支持する支持位置に上昇される。この状態で、エアシリンダ16を駆動して超音波振動子10に連結された振動伝達部材12をチップ11に上方から接触させ、超音波振動子10に例えば25kHzの周波数で10Wの交流電力を印加して超音波振動子10を10〜20μmの振幅で振動させる。この振幅は振動伝達部材12を介してチップ11に伝達され、チップ11が10〜20μmの振幅で超音波振動する。
超音波振動子10によるチップ11に付与する超音波振動は、微小破損を内包しないチップは破損しないが微小破損を内包するチップは破損する値、本実施形態では25kHzの周波数で10〜20μmの振幅の超音波振動に設定される。
1つのチップ11に対する超音波振動の付与が終了すると、エアシリンダ16を横方向に移動して隣接するチップ11に振動伝達部材12を接触させて、このチップに対する超音波振動付与ステップを実施する。振動伝達部材12を大きめに形成し、複数チップ同時に超音波を付与するようにしてもよい。
ここで、超音波振動子10は、所定の条件で超音波振動の発生と同時に加熱されるため、例えば25kHzの周波数で20Wの交流電力が供給されると30〜40μmの振幅で振動すると共に加熱されるので、この熱を振動伝達部材12を介してチップ11に供給し、チップ11に超音波振動の物理的衝撃と熱を同時に加えて微小破損を内包する不良チップを破損させるが微小破損を内包しないチップは破損しないようにしてもよい。
図3を参照すると、ウェーハ9全体に超音波振動を同時に付与する実施形態の断面図が示されている。本実施形態で使用する超音波振動付与装置35は、先端の直径がウェーハ9の直径とほぼ等しい直径の円錐形状のホーン42と、ホーン42を支持する支持部材40と、支持部材40内に配設された超音波振動子44と、超音波振動子44とホーン42の基端部との間に配設された振動伝達部材46と、ホーン42の拡張先端部に固定された振動伝達部材48とを含んでいる。超音波振動付与装置35は更に、ピストンロッド38が支持部材40に連結されたエアシリンダ36を含んでいる。
エキスパンド装置15の構成及びウェーハエキスパンド時の作用は図2に示した実施形態と同様であるので、その説明を省略する。本実施形態の超音波振動付与ステップでは、エアシリンダ36を駆動してホーン42の先端に固定された振動伝達部材48を個々のチップ11に分割されたLTウェーハ9の全体に接触させる。
そして、超音波振動子44に所定周波数及び所定パワーの交流電力を印加して、超音波振動子44を所定周波数及び所定振幅で振動させる。この所定周波数及び所定振幅は、図2を参照して説明した実施形態と同様な値に設定される。
ウェーハ9を分割して形成された全てのチップ11はホーン42の拡張端部により覆われているため、この所定周波数及び所定振幅の超音波振動は振動伝達部材48を介して全てのチップ11に同時に印加され、全てのチップ11が約同一条件で超音波振動する。この超音波振動の周波数及び振幅は、微小破損を内包しないチップ11は破損しないが微小破損を内包するチップ11は破損する値に設定される。
図2を参照して説明した実施形態と同様に、超音波振動と共に熱をチップ11に付与するような値に超音波振動子40に印加する交流電力を設定するようにしてもよい。例えば、電力供給手段で25kHzの周波数及び20Wの電力を超音波振動子44に印加すると、超音波振動子44は約30〜40μmの振幅で超音波振動すると共に熱が発生する。この超音波振動及び熱は振動伝達部材46、ホーン42及び振動伝達部材48を介して各チップ11に伝達され、チップ11が振動すると共に加熱される。
この超音波振動及び加熱により、微小破損を内包しないチップ11は破損しないが微小破損を内包するチップ11は破損する。尚、超音波振動に加えてチップ11を加熱する場合には、ハードプレートから形成された支持プレート30に替えてゴム等から形成された支持プレートを採用するのが望ましい。
超音波振動付与ステップを実施した後、超音波振動によりチップ11が破損したか否かを確認する確認ステップを実施する。この確認ステップは、例えば図4に示すように、顕微鏡及びカメラを内蔵した撮像ユニット50でチップ11を撮像し、取得した撮像画像を基にチップ11が破損したか否かを確認する。代替実施形態として、目視でチップ11の破損の有無を確認してもよいし、各チップ11に導通テストを行ってチップの破損の有無を確認するようにしてもよい。
破損確認ステップを実施した後、破損確認ステップで破損していないチップ11を良品として選別する選別ステップを実施する。この選別ステップでは、例えば図5に示すように、良品チップ11aのみをピックアップコレット52でピックアップして次工程に搬送し、不良チップ11bはダイシングテープTに貼着されたまま残すようにする。
9 LTウェーハ
10,44 超音波振動子
11 LTチップ
12,46,48 超音波伝達部材
14 電力供給手段
15 エキスパンド装置
30 支持部材
35 超音波振動装置
42 ホーン
50 撮像ユニット
52 ピックアップコレット

Claims (2)

  1. 板状被加工物を分割して形成されたチップの良品と不良品とを選別するチップの選別方法であって、
    チップに超音波振動を付与する超音波振動付与ステップと、
    該超音波振動付与ステップでチップが破損するか否かを確認する破損確認ステップと、
    該破損確認ステップで破損していないチップを良品として選別する選別ステップと、を備え、
    該超音波振動付与ステップでチップに付与される超音波振動は、微小破損を内包しないチップは破損しないが微小破損を内包するチップは破損する値に設定されることを特徴とするチップの選別方法。
  2. 前記超音波振動付与ステップでチップに付与される超音波振動は、微小破損を内包しないチップは破損しない温度にチップを加熱する値に設定される請求項1記載のチップの選別方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020009827A (ja) * 2018-07-04 2020-01-16 株式会社ディスコ デバイスチップの検査方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08320359A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nec Corp 超音波加熱を用いた半導体集積回路配線系の検査法および装置
US20040051035A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-18 Siemens Westinghouse Power Corporation Reference standard systems for thermosonic flaw detection
JP2008098348A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Yamaha Corp 半導体チップの検査方法
JP2012099543A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Sanyo Electric Co Ltd 半導体ウェハのクラック検査方法及び半導体素子の製造方法
JP2012182356A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2014072396A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Sharp Corp 検出装置、異常検出方法及び光電池セルの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6957581B2 (en) * 2003-10-29 2005-10-25 Infineon Technologies Richmond, Lp Acoustic detection of mechanically induced circuit damage
US7973547B2 (en) * 2008-08-13 2011-07-05 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for detecting a crack in a semiconductor wafer, and a wafer chuck
EP2444999A4 (en) * 2009-06-18 2012-11-14 Rohm Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE
US20120153444A1 (en) * 2009-06-18 2012-06-21 Rohm Co., Ltd Semiconductor device
JP5827845B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-02 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 弾性表面波装置およびその製造方法
US20140208850A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Geun-Woo Kim Apparatus and method of detecting a defect of a semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08320359A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nec Corp 超音波加熱を用いた半導体集積回路配線系の検査法および装置
US20040051035A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-18 Siemens Westinghouse Power Corporation Reference standard systems for thermosonic flaw detection
JP2008098348A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Yamaha Corp 半導体チップの検査方法
JP2012099543A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Sanyo Electric Co Ltd 半導体ウェハのクラック検査方法及び半導体素子の製造方法
JP2012182356A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2014072396A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Sharp Corp 検出装置、異常検出方法及び光電池セルの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020009827A (ja) * 2018-07-04 2020-01-16 株式会社ディスコ デバイスチップの検査方法

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