JP6742448B2 - 超音波接合装置、超音波接合検査方法および超音波接合部の製造方法 - Google Patents

超音波接合装置、超音波接合検査方法および超音波接合部の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、被接合部材に接合部材を超音波接合する超音波接合装置及び、被接合部材に超音波接合された接合部材の接合品質を検査する超音波接合検査方法に関する発明である。
特許文献1には、半導体装置に実装された半導体素子の電極とボンディング用のテープとが超音波接合された接合部を検査する接合検査方法が開示されている。特許文献1の接合検査方法は、接合時の波形データ等から直ちに接合不良と判断できないような数μm単位の空隙部などを正確に見分けるための検査方法である。具体的には、特許文献1の接合検査方法は、接合完了後に、接合部近傍に超音波を印加し、超音波印加部から伝わった超音波による振動を熱あるいは音(AE(Acoustic Emission、アコースティックエミッション))で検出し、得られた検出データに基づいて接合状態を把握する検査方法である。
特許文献2には、IGBT素子と配線用端子とを配線で超音波接合し、配線用端子と配線との超音波接合部における接合品質を検査する接合品質検査装置及び接合品質検査方法が開示されている。特許文献2の接合品質検査方法は、接合装置(超音波接合装置)にて得られる接合ツールの押し込み量等の接合波形から接合品質を検査する方法である。
特許文献3には、超音波接合装置により接合部材と被接合部材とを超音波を印加して接合する際に、接合部材または被接合部材の少なくとも一方に亀裂破損または接合剥離異常が発生したかどうかを判定する超音波接合制御装置が開示されている。特許文献3の超音波接合制御装置は被接合部材に当接する振動センサまたは接合部材を押圧する接触子に取り付けられた振動センサからの出力信号に基づいて、接合部材又は被接合部材の接合状態を判定している。
特開2012−83246号公報(0016段〜0027段、図3、図4) 国際公開WO2010/113250号公報(0045段〜0058段、0089段、図1、図4、図5) 特開2012−35299号公報(0044段、0045段、0082段、0083段、図1、図8)
特許文献1の接合検査方法は、接合終了後に超音波を印加するため、超音波を印加する時間が発生し、半導体装置の製造に時間がかかるという課題があった。また、特許文献1の接合検査方法は、接合終了後の超音波印加部の表面に凹凸や異物等が有った場合に、超音波が正常に印加できず、検出データが異常となり接合品質が問題無いにもかかわらず問題があると誤判定する課題があった。
特許文献2の接合品質検査方法は、接合装置にて得られる接合ツールの押し込み量等の接合波形から接合品質を検査する。しかしながら、超音波接合は、印加荷重と印加変位量(押し込み量)が主な接合パラメータであるが、印加変位量はある値を設定した場合でも被接合部材や接合部材の剛性によって実際に印加される変位量は異なってくる。また、接合部界面の異物や酸化膜の影響によっても接合品質は変化する。そのため、特許文献2の接合品質検査方法は、接合装置(超音波接合装置)にて得られる波形のみでは正確に接合品質を検査することができない課題があった。
特許文献3の超音波接合制御装置は、振動センサを被接合部材または接合部材を押圧する接触子に取り付けて振動を検出し接合状態を判別することを目的としている。しかしながら、被接合部材を含む製品に振動センサを当接させたり、接合部材を押圧するリード部材に連結された接触子、すなわち超音波ホーンが接続されたリード部材と、被接合部材または接合部材との間を介在する振動伝達部材に振動センサを取り付けたり必要があり、生産性が低下する課題があった。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、被接合部材に超音波接合された接合部材の接合品質を短時間で正確に良否判定する、超音波接合装置、超音波接合検査方法および超音波接合部の製造方法を得ることを目的とする。
本発明の超音波接合装置は、被接合部材と接合部材とを超音波を用いて接合する超音波接合装置であって、治具に固定された被固定物に実装された被接合部材に、接合部材を押圧しながら超音波を印加する超音波ツールを有する超音波接合機と、被接合部材と接合部材との接合品質を検査する接合検査装置とを備える。被固定物はケース及び回路基板を有し、ケース及び回路基板が固定されている電力用半導体装置であり、被接合部材は回路基板の配線パターンであり、接合部材における被接合部材と接合される接合対象部はケースの内側に配置されている。超音波接合装置の接合検査装置は、治具または治具が搭載された超音波接合機の筐体における被接合部材及び接合部材に接することがない位置に固定されると共に治具または筐体を伝搬する振動を検出するセンサにより振動を検出して、検出信号を出力する接合状態測定装置と、被接合部材と接合部材との接合工程において、接合状態測定装置により出力された検出信号の波形を数値演算処理した演算処理波形から検出された、超音波ツールにより印加された超音波の印加周波数又は印加周波数の自然数倍の周波数と異なる周波数における周波数成分であって印加周波数よりも周波数が高い周波数成分に基づいて、被接合部材と接合部材との接合状態を判定する接合状態判定装置とを備えたことを特徴とする。
本発明の超音波接合装置は、接合工程において接合状態測定装置により出力された検出信号に基づいて被接合部材と接合部材との接合状態を判定するので、接合工程中に接合品質をリアルタイムで検査することができ、品質検査にかかる時間を短縮でき、さらに精度良く品質を良否判定できる。
本発明の実施の形態1による超音波接合装置を示す図である。 図1の接合状態判定装置のブロック図である。 図1の電力用半導体装置の上面図である。 図3の電力用半導体装置の側面図である。 図3のA−A断面における電力用半導体装置の断面図である。 図5における第一の超音波接合部の拡大断面図である。 図5における第二の超音波接合部の拡大断面図である。 接合良好時のAE信号波形の例を示す図である。 接合不良時のAE信号波形の例を示す図である。 本発明の実施の形態1による接合工程の第一例を示すフローチャートである。 図1の他の接合状態判定装置のブロック図である。 接合良好時の演算処理波形の例を示す図である。 接合不良時の演算処理波形の例を示す図である。 図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第一例を示す図である。 図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第二例を示す図である。 本発明の実施の形態1による接合工程の第二例を示すフローチャートである。 図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第三例を示す図である。 図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第四例を示す図である。 本発明の実施の形態1による接合工程の第三例を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態1による接合工程の第四例を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態1による接合工程の第五例を示すフローチャートである。 図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第五例を示す図である。 本発明の実施の形態2による接合状態測定装置を示す図である。 本発明の実施の形態1による他の超音波接合装置を示す図である。 本発明の実施の形態1による更に他の超音波接合装置を示す図である。 本発明の実施の形態3によるワイヤボンド装置に用いるワイヤボンド条件を示す図である。 本発明の実施の形態3による超音波接合検査方法の接合良否判定を説明する図である。 本発明の実施の形態3による超音波接合検査方法で接合良好と判定される場合を説明する図である。 本発明の実施の形態3による超音波接合検査方法で接合不良と判定される場合を説明する図である。 接合状態判定装置の機能ブロックを実現するハードウェア構成例を示す図である。
実施の形態1.
図1は本発明の実施の形態1による超音波接合装置を示す図であり、図2は図1の接合状態判定装置のブロック図である。図3は図1の電力用半導体装置の上面図であり、図4は図3の電力用半導体装置の側面図である。図5は、図3のA−A断面における電力用半導体装置の断面図である。図6は図5における第一の超音波接合部の拡大断面図であり、図7は図5における第二の超音波接合部の拡大断面図である。図8は接合良好時のAE信号波形の例を示す図であり、図9は接合不良時のAE信号波形の例を示す図である。図10は、本発明の実施の形態1による接合工程の第一例を示すフローチャートである。図11は、図1の他の接合状態判定装置のブロック図である。図12は接合良好時の演算処理波形の例を示す図であり、図13は接合不良時の演算処理波形の例を示す図である。図14は図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第一例を示す図である。
超音波接合装置50は、被接合部材に接合部材を超音波接合する超音波接合機20と、被接合部材に超音波接合された接合部材の接合品質を検査する接合検査装置30を備える。超音波接合機20は、筐体28、製品である電力用半導体装置1を搭載するための下治具24、電力用半導体装置1を下治具24に固定するための上治具25、超音波を発振する超音波発振器23、超音波発振器23により発振された超音波を超音波ツール21に効率良く伝達する共振体である超音波ホーン22、実際に接合部材及び被接合部材に超音波を印加する超音波ツール21、下治具24をx方向及びy方向に移動する移動台26、超音波ツール21をz方向に移動する超音波ツール移動装置29、超音波接合機20の各機器を制御する制御部である操作端末27を備える。電力用半導体装置1は治具(下治具24)に固定された被固定物の例である。
接合検査装置30は、被接合部材に超音波接合された接合部材の接合状態を測定する接合状態測定装置31と、接合状態測定装置31により測定された接合状態を含む検出信号sig1に基づいて接合部材と被接合部材との接合品質を判定する接合状態判定装置32を備える。接合状態判定装置32は、判定結果信号sig2を操作端末27に出力する。接合状態測定装置31は、例えば、超音波ツール21から伝わった超音波による振動を音(AE(Acoustic Emission、アコースティックエミッション))で検出するAEセンサ33、AEセンサ33の信号を増幅するプリアンプ34、プリアンプ34で増幅された信号を計測する計測装置35を備える。計測装置35は、AEセンサ33によって検出された信号を検出信号sig1として接合状態判定装置32に出力する。ここで、アコースティックエミッション(AE)とは、数kHzから数MHzの高い周波数成分を持ち、主に材料中を伝播するものである。アコースティックエミッションは、空気中で減衰しやすい高い周波数の信号を検出することに適している。AEセンサは、一般的にPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)などの圧電素子から作られている。
超音波発振器23、超音波ホーン22の発振周波数は固定されている。なお、電力用半導体装置1を固定するために上治具25を例に説明するが、電力用半導体装置1を取り付ける為のネジ穴とネジにより電力用半導体装置1を下治具24に固定しても良い。
まず、接合対象である電力用半導体装置1を説明する。電力用半導体装置1は、回路基板8に搭載された電力用半導体素子であるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)12、FwDi(Free-Wheeling Diode)13が、インサート樹脂形成された樹脂製のケース2、及び蓋3にて覆われている。ケース2には駆動時に放熱するためのヒートシンク(図示せず)を取り付けるための取付孔7が形成されている。また、電力用半導体装置1の上面からは外部との導通を確保するための銅製の端子である、主端子4、信号端子5が形成されている。ケース2の内部はシリコンゲル19にて封止され、ケース2の上部は蓋3で覆われている。取付孔7の内面には、金属製の筒であるブッシュ6が嵌め込まれている。
回路基板8は、絶縁材料である厚さ0.32mmのSi製のセラミック板9、セラミック板9の裏面に形成された放熱用の厚さ0.7mmの銅の配線パターン11、セラミック板9の上面に形成された厚さ0.8mmの銅の配線パターン10a、10b、10c、10dを備える。配線パターンの符号は、総括的に10を用い、区別する場合に10a、10b、10c、10dを用いる。上面側の配線パターン10には、IGBT12、FwDi13がはんだ14にて接合されている。図5では、IGBT12、FwDi13が配線パターン10bに接合された例を示した。回路基板8とケース2とは接着剤16で固定されている。
IGBT12、FwDi13、配線パターン10のそれぞれは、直径200〜400μmの複数本のAlの接続ワイヤ15a、15b、15cが超音波接合によりワイヤボンディングにより接続されている。接続ワイヤの符号は、総括的に15を用い、区別する場合に15a、15b、15cを用いる。図5では、IGBT12とFwDi13とが接続ワイヤ15bで接続され、配線パターン10aと配線パターン10dとが接続ワイヤ15aで接続され、配線パターン10bと配線パターン10cとが接続ワイヤ15cで接続されている例を示した。なお、IGBT12の制御電極であるゲートと配線パターン10dとは、図示しない接続ワイヤ15で接続されている。また、外部との導通を確保するための接合部材である銅端子、すなわち主端子4、信号端子5は、被接合部材である配線パターン10に超音波により接合されている。主端子4、信号端子5は、それぞれ板厚が0.8mmであり、配線パターン10に接続される超音波接合部18、17の面積がそれぞれ3mm×5mmの領域となる。主端子4は、信号端子5よりも大きな電流が流れる端子であり、電力用半導体素子の主電極、例えばIGBT12の主電極であるエミッタ、コレクタに接続される。配線パターン10の板厚は0.2〜1.5mmであり、幅は1mmから50mm程度を用いることが一般的である。
主端子4の超音波接合部18は、図7に示すように、超音波ツール21により押圧される部分であり、破線52a、52bの間の部分である。信号端子5の超音波接合部17は、図6に示すように、超音波ツール21により押圧される部分であり、破線51a、51bの間の部分である。
接合部材である信号端子5と被接合部材である配線パターン10との超音波接合工程について、図1の模式図を用いて説明する。まず、超音波接合装置50内の下治具24に電力用半導体装置1を、上治具25を用いて固定する。そして、信号端子5上に超音波ツール21を押し当て、加圧しながら、超音波ホーン22にて超音波振動を与え、接合界面に形成されている酸化膜や、付着している汚れを除去し、新生面どうしを密着させて接合層を形成する。超音波接合で用いる周波数は10〜40kHzであり、印可する振幅は片振幅で10〜50μmとなる。なお、加圧時の荷重は数百N程度となり、部材の強度やサイズ(特に部材の厚さ)の小さいAlワイヤ(接続ワイヤ15)やAlテープ(リボンボンディング時)と比較しても荷重は非常に大きくなる。さらに、接合後には超音波ツール21の先端と信号端子5とが食い込んだ状態となるため、超音波ツール21を上昇させる際に超音波振動を与えながら超音波ツール21を上昇させることで、食い込みを解消し、次の信号端子5の接合へとスムーズに移行できるようにしている。超音波印加条件は荷重、変位量、エネルギー、接合時間等があり、適切な接合品質が得られるように予め条件出しされている。これらの条件は接合中全体に渡って同じ値で設定することもあるが、例えば、図14に示すように、超音波印加中に徐々に荷重を上げるような接合条件に設定することもある。図14は超音波印加条件の一例であり、超音波印加エネルギー77と印加力78を同時に記載している。図14の横軸は時間であり、縦軸は印加エネルギー又は印加力である。図14では、時間ta1まで荷重を上げて、接合が終了する接合終了時間te1まで同じ荷重を印加する例を示した。
超音波接合装置50内の下治具24にAEセンサ33が取り付けられている。AEセンサ33を取り付け方法は、ネジ止めまたは接着剤であることが望ましい。AEセンサ33の検出部と下治具24間にはゲル等の音を通しやすいインサート材が塗布されていることが望ましい。
AEセンサ33を介してAE信号を検出する方法を説明する。AEセンサ33はケーブルを介してプリアンプ34に接続されおり、AEセンサ33にて検出された信号はプリアンプ34で増幅された後、計測装置(メインアンプ)35で更に増幅され、検出信号sig1として出力される。検出信号sig1は電圧のアナログ信号である。検出信号sig1は接合状態判定装置32に出力され、接合状態判定装置32は検出信号sig1の電圧自体あるいは電圧信号を数値演算処理し、接合部材と被接合部材との接合品質の良否を判定する。接合状態判定装置32は、検出信号sig1を入力する信号入力部36と、検出信号sig1を信号処理する信号処理部37と、接合品質の良否を判定する判定部39と、判定部39にて判定された結果情報を含む判定結果信号sig2を出力する判定結果出力部40とを備える。信号処理部37は、検出信号sig1の電圧自体あるいは電圧信号を数値演算処理する。信号処理部37は、例えば、検出信号sig1における各時間の正の最大電圧及び負の最大電圧をプロットした波形、すなわち図8、図9の外周形状を抽出する。使用するAEセンサ33は、超音波ホーン22の周波数範囲を測定可能であることが望ましい。
実施の形態1の超音波接合装置50は、超音波接合の際のAE信号を検出し接合品質を良否判定すること及び、AEセンサ33を製品や超音波ホーン22に取り付けることなく、AEセンサ33を超音波接合装置の下治具24に取り付けて検査することが特徴(特徴1)である。
接合状態測定装置31にて測定されたAE信号、すなわち検出信号sig1を、図8、図9に示した。図8、図9は、それぞれ接合良好時のAE信号波形、接合不良時のAE信号波形の一例を示したものである。図8、図9の縦軸は電圧であり、横軸は時間である。図8、図9における電圧の振幅が大きい区間は、超音波が印加されている状態のAE信号波形である。接合良好時のAE信号波形71は超音波印加中においてほぼ一定である。これに対して、接合不良時のAE信号波形72は超音波印加中の波形が一定とならず、破線枠73で示したようにところどころで高い値を示している。
図10を用いて、実施の形態1による接合工程を説明する。ステップS001にて、製品投入を行う。主端子4、信号端子5を接続する前の中間製品を、超音波接合装置50の超音波接合機20に投入する(製品投入手順)。超音波接合機20に投入する電力用半導体装置1の中間製品は、蓋3、シリコンゲル19、主端子4、信号端子5がないものである。具体的には、電力用半導体装置1の中間製品を下治具24に搭載し、上治具25で下治具24に固定する。ステップS002にて、第一番目の端子、例えば図3の右上の信号端子5の超音波接合を行うと共に、接合状態測定装置31により検出信号sig1のモニターを行う(検出信号モニター手順)。
ステップS003にて、接合状態判定装置32が検出信号sig1に基づいて、接合部材である第一番目の端子(信号端子5)と被接合部材の配線パターン10との接合状態を判定する(接合状態判定手順)。ステップS003にて、接合状態が良いと判定された場合はステップS004に進み、接合状態が良くない(悪い)と判定された場合は終了する。ステップS004にて、作業中の端子接合を終了し(超音波印加終了手順)、ステップS005に進む。ステップS004では、作業中の端子に対する接合条件の超音波印加及び超音波ツール21の押圧を終了する。具体的には、超音波ツール21を作業中の端子から離れるように移動させる、例えば上昇させる。この超音波ツール21を上昇させる際に、端子(信号端子5)との食い込みを解消させる離脱条件の超音波印加を行う。離脱条件の超音波は、例えば接合条件の超音波よりもエネルギーが低い。
ステップS005にて、全ての端子接合が完了したかを判定する。ステップS005にて、まだ接合すべき接合部材である端子が残っている、すなわち未完了であると判定した場合はステップS002に戻り、接合すべき端子が残っていない、すなわち全ての端子接合が完了したと判定した場合はステップS006に進む。図3に示した例では、端子は7つあるので、ステップS002〜ステップS005を7回実行する。7つの端子は、4つの信号端子5と、3つの主端子4である。ステップS006にて、製品を排出し(製品排出手順)、終了する。ステップS006では、上治具25を外し電力用半導体装置1の中間製品を超音波接合機20から排出する。1つの電力用半導体装置1の中間製品に対する接合工程が終了したら、次の電力用半導体装置1の中間製品に対する接合工程を実行する。
接合状態判定装置32は、検出信号モニター手順において接合状態測定装置31が出力した検出信号sig1に基づいて、接合状態判定手順を実行する。接合状態判定装置32は、信号入力部36により検出信号sig1を入力し、信号処理部37により検出信号sig1の信号処理、例えば外周形状を抽出して、検出信号モニター手順における検出信号sig1の判定前処理を行う。判定部39は、検出信号sig1の波形(検出波形)の外周形状において図9の破線枠73で示したように高い電圧値が発生しているかを判定する。検出信号sig1の波形の外周形状において図9の破線枠73で示したように高い電圧値が発生している場合、すなわち高い電圧値が発生している等の基準波形にはない特異情報が検出された場合は、接合不良と判定し、検出信号sig1の波形の外周形状において図9の破線枠73で示したように高い電圧値が発生していない場合、すなわち高い電圧値が発生している等の基準波形にはない特異情報が検出されない場合は、接合良好を判定する。判定結果出力部40は、判定部39により判定された判定結果を示す結果情報を含む判定結果信号sig2を出力する。
接合状態判定手順において、接合状態の良否判定を行う際の基準となる検出信号sig1の波形(基準検出信号の波形、基準波形)は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)とを接合する超音波接合条件にて接合工程を予め実行して、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態が良いと判定された場合において接合状態測定装置31により予め測定された検出信号sig1の波形、又は外周形状を抽出する等の前処理した波形である。接合工程を予め実行して取得した接合良好時のAE信号波形71は、基準検出信号の波形(基準波形)である。接合状態の良否判定を行う際に検出した、接合良好時のAE信号波形71又は接合不良時のAE信号波形72は、接合状態判定手順において判定する対象である検出信号の波形である。
前述した特徴1のようにする理由を説明する。特許文献1の接合検査方法では、接合部から空気層を介した気中でAE信号を検出していたため、AEセンサ先端に信号を伝えやすいシリコンゴムや樹脂シートなどの柔らかい材料を配置したとしても、空気層を介することによるノイズが課題であった。また、製造現場では、同じ部屋の中には他の工程で使用される設備も配置されており、それら設備により発生する音や振動(環境ノイズ)が発生しており、これらの音や振動が気中を伝搬し、これらがAEセンサで検出するAE信号の大きなノイズとなってしまう。特許文献1の接合検査方法は、AE信号に大きなノイズが重畳されてしまうので、通常の製造現場において使用が不可能であった。特許文献1の接合検査方法と異なり、実施の形態1の超音波接合装置50では、下治具24上にAEセンサ33を取り付けるため、このようなAEセンサ33の検出面に空気層を介して侵入する音や振動が無く、したがって、特許文献1の接合検査方法で生じるノイズがAEセンサ33によって検出されることは無い。すなわち、実施の形態1の超音波接合装置50では、環境ノイズの侵入が少ないので、高精度にAE信号を検出することができる。
さらにAE信号におけるノイズを最小限に抑えるためには、超音波ホーン22の周波数を検出でき、ノイズの発生する周波数は検出しない特定周波数範囲で使用可能なAEセンサ33を用いることが効果的である。
また、特許文献1の接合検査方法は、半導体チップにAEセンサを近接させて配置してAE信号を検出する方法である。特許文献1の接合検査方法を用いると、以下のように解消すべき課題が多く発生する。この方法を用いると、AEセンサを繰り返し使用する場合に異物がAEセンサに付着する場合がある。また、製品内にAEセンサを取り付けるとその異物が落下し、特性に影響を与える可能性がある。また、個々の製品内でAE信号を検出しようとすると、製品毎にAEセンサの取り付け、取り外し(AEセンサの移動)が必要となり、超音波接合時間に対して、取り付け及び取り外し時間を含む検査時間が増大してしまう課題がある。さらに、ノイズを極力少なくしてAE信号を取得しようとすると、測定物とAEセンサ間は隙間が少ないことが望ましいので、測定物とAEセンサ33間にはゲルや接着剤で隙間を埋めることが一般的である。しかし、製品にゲルや接着剤が付着すると製品が所望の特性を発揮することができなくなる可能性がある。また、半導体チップ(半導体素子)にAEセンサを接触させてAE信号を取得する場合、超音波接合時の印加エネルギーでAEセンサと半導体チップとの界面が摩擦し、この摩擦がノイズの因子となる課題もある。特許文献1の接合検査方法はこのような課題が生じるので、AEセンサは超音波接合時の振動の影響がより少ない製品以外の箇所において取り付けることが望ましい。特に図1に示したように、信号の検出精度が高くできる位置である、製品を固定する下治具24に取り付けることが望ましい。
製品に接触させずに検査する方法としては、特許文献1の図3に示された赤外線カメラと同様、サーモグラフィを用いた温度測定も一つの可能性として考えられる。しかし、電力用半導体装置1は大電流を取り扱うがゆえに、効率良く放熱できるように設計されている。そのため、超音波接合時の熱は接合中に放熱されてしまい、温度での検査は精度が良くない。また、電力用半導体装置1の端子形状は、一般的に端子毎に異なるため、放熱量は端子毎に異なる。従って、接合品質による温度差以上に、端子形状による差分が大きくなり、この点からも温度による検査は適切ではない。さらに、電力用半導体装置1内はケース2で囲まれ、内部では端子に、配線パターン10や接続ワイヤ15が複雑に接続されており、放熱し易くなっている。このことから、端子接合部(超音波接合部17、18)の温度を直接サーモビューワで確認することが難しいという問題もある。
また、AEセンサ33を取り付ける位置については、製品(電力用半導体装置1)外であれば、超音波ツール21も候補にあがる。しかし、超音波ツール21上にAEセンサ33を取り付けると、AEセンサ33の自重により超音波ホーン22から発振される振動状態が変化するため、例えばAEセンサ33の自重により減衰するため、適切ではない。さらに、端子(主端子4、信号端子5)の超音波接合では非常に大きい振幅を端子に与えるため、取り付けたAEセンサ33が外れてしまう問題もある。
また、特に、端子(主端子4、信号端子5)と配線パターン10との固定状態を検出したい場合、超音波ツール21に配置されたAEセンサ33でのAE信号は主に超音波ホーン22からの信号成分が大きくなり、相対的に超音波接合部17、18からの信号成分が小さくなる。超音波接合部17、18からの信号成分を検出するには、固定治具(下治具24)上に配置されたAEセンサ33でのAE信号を検出する方がより高精度となる。
なお、下治具24の材質については、AE信号を伝えやすく、超音波接合時の荷重で変形せず、また、接合中の熱による劣化が少ないことが望ましい。樹脂やセラミック材料を用いると、加圧力による劣化や、AE信号の音源からAEセンサ33までの距離で信号が減衰してしまう問題がある。下治具24の材質は、樹脂材料等ではなく、ステンレスやアルミ合金等の金属材料を用いることが望ましい。下治具24の材料については、音速を用いて定義することもできる。すなわち、下治具24を伝搬する超音波の音速が3000m/s以上の材料は、AE信号をより伝えやすく、下治具24の材料として適切である。
実施の形態1の超音波接合装置50は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を非破壊によって検査するので、抜取品を破壊検査する場合と比べて、検査時間を短縮できる特徴がある。また、特許文献1の接合検査方法のように、接合後に接合良否検査するだけのための超音波印加を必要としないため、実施の形態1の超音波接合装置50は、接合状態の検査に必要な追加時間は発生しないという特徴がある。また、実施の形態1の超音波接合装置50では、超音波接合時のAE信号を検出するため、特許文献1の接合検査方法で課題となる検査用の超音波印加時のばらつき(超音波印加部の凹凸、異物、超音波ツールの摩耗及び欠け等)による影響を受けなくすることができる。
さらに、実施の形態1の超音波接合装置50は、接合工程中に接合良否を判定できるため、万が一、ある接合箇所で接合不良が発生した場合、すなわち接合状態判定手順で接合状態が悪いと判定された場合は、廃棄又は後述する接合不良の手直しが可能となる。このため、実施の形態1の超音波接合装置50は、不良品であるにも関わらず次工程以降への製造工程が進み、接合不良の手直しが不可となることを防ぐことができ、継続してしまった余計な製造時間を排除することができ、結果として余計なコストが発生することを抑止することができる。接合不良の手直しは、接合未完了の場合、例えば接合面積が足りない不良の場合における追加の押圧及び超音波印加等である。
また、実施の形態1の超音波接合装置50は、接合状態が悪いと判定された接合部材の数、すなわち不良検査値を保存して、この不良検査値を用いて超音波接合装置50の状態を把握するこができる。例えば、不良検査値を製品台数あるいは製造日等で整理し、不良検査値の推移を確認することで、不良検査値が予め定めた判定値を超えた場合に装置のメンテナンスをすることができ、接合不良の未然防止にも繋げることができる。
実施の形態1の超音波接合装置50は、下治具24の下部(下治具24と移動台26との間)又は及び、設備の下部(超音波接合機20とこれを設置する床との間)に、AE信号を伝達し難いシリコンゴム層を設けることで、超音波接合装置50が設置された部屋における他の設備から発生されたノイズをさらに抑制することができ、より高精度に接合良否を検出することが可能となる。
さらに、接合状態測定装置31にて検出したAE信号すなわちAE信号波形71、72に対して、数値演算処理、例えばFFT(Fast Fourier Transform、高速フーリエ変換)により特定周波数での数値を含む検出信号sig1を生成することで、接合状態判定装置32において、高度な接合状態の良否判定を行うことができる。図11は、接合状態測定装置31にて検出したAE信号すなわちAE信号波形71、72に対して数値演算処理を行う接合状態判定装置32である。図11の接合状態判定装置32は、図2の接合状態判定装置32の構成に演算処理部38が追加されたものである。接合状態判定装置32における信号入力部36、信号処理部37、判定結果出力部40の動作は、図2の接合状態判定装置32の動作と同様である。演算処理部38は、信号処理部37で処理した検出信号sig1の信号をFFTのような数値演算処理を行う。判定部39の動作は後述する。
図12は接合良好時の演算処理波形の例であり、図8の接合良好時のAE信号波形を数値演算処理した演算処理波形である。図13は接合不良時の演算処理波形の例であり、図9の接合不良時のAE信号波形を数値演算処理した演算処理波形である。図12、図13において、縦軸は電圧であり、横軸は周波数である。
図12に示すように、接合良好時の演算処理波形74には、超音波ホーン22の周波数と同じ周波数f1、その2倍の周波数f2、3倍の周波数f3の各成分が検出される。これに対して、図13に示すように、接合不良時の演算処理波形75には、超音波ホーン22の周波数と同じ周波数f1及びその自然数倍の周波数成分に加えて、その他の周波数成分が検出される。その他の周波数成分は、破線円76a、76bで示した成分である。この、超音波ホーン22の周波数及びその自然数倍の周波数以外で検出された周波数成分は、例えば、超音波接合時の振動により製品の治具への固定が緩んだ場合又は、製品の反りが大きい場合等に製品の治具への固定が緩くなった場合に、製品(電力用半導体装置1)の裏面と治具(下治具24、上治具25)とが摩擦した際に発生するAE信号における周波数成分である。すなわち、この超音波ホーン22の周波数及びその自然数倍の周波数とは異なる周波数帯で検出されたAE信号の電圧値を数値化し、閾値を設けることで、良否判定することができる(第一の演算処理波形判定)。この閾値は、前述した基準検出信号の波形を数値演算処理した波形(基準演算処理波形)と判定対象である演算処理波形とを比較して、基準演算処理波形にはない特異情報が検出できる数値を設定する。
また、第一の演算処理波形判定と異なる第二の演算処理波形判定を行うことができる。接合良好時の演算処理波形74と比較すると、接合不良時の演算処理波形75では、超音波ホーン22の周波数と同じ周波数及びその自然数倍の周波数で検出されるAE信号の電圧値に違いが生じている。例えば、製品の治具への固定が緩かった場合に、製品の裏面と治具とが摩擦した際に発生するAE信号が重畳されたAE信号となる。超音波ホーン22の周波数と同じ周波数及びその自然数倍の周波数で検出されるAE信号は、固定が緩かった場合は電圧値が小さくなる。すなわち、この超音波ホーン22の周波数及びその自然数倍の周波数と同じ周波数帯で検出されたAE信号の電圧値を数値化し、閾値を設けることで、良否判定することができる。この閾値は、前述した基準検出信号の波形を数値演算処理した波形(基準演算処理波形)と判定対象である演算処理波形とを比較して、基準演算処理波形にはない特異情報が検出できる数値を設定する。
この第二の演算処理波形判定を行う場合は、超音波ホーン22の周波数と同じ周波数帯で検出されたAE信号のみで判定を行ってもよい。接合良好と接合不良との電圧値差が最も大きい周波数帯で検出されAE信号のみで判定をすれば、十分に良否判定を行うことができる。超音波ホーン22の周波数f1と同じ周波数帯で検出されたAE信号の電圧値の変化が最も大きいので、この周波数帯で検出されたAE信号のみで判定を行っても十分に良否判定を行うことができる。
第一の演算処理波形判定、第二の演算処理波形判定において、接合状態の良否を区別する閾値は、前述した基準検出信号の波形を数値演算処理した波形を基準にして設定しているので、基準検出信号の波形を数値演算処理した数値演算波形は、第一の演算処理波形判定、第二の演算処理波形判定に行う際の基準となる検出信号sig1の数値演算処理波形(基準演算処理波形)ということもできる。接合工程を予め実行して取得した接合良好時のAE信号波形71を数値演算処理した波形である演算処理波形74は、基準演算処理波形である。接合状態の良否判定を行う際に検出した、接合良好時のAE信号波形71を数値演算処理した演算処理波形74又は接合不良時のAE信号波形72を数値演算処理した演算処理波形75は、接合状態判定手順において判定する対象である演算処理波形である。
演算処理波形74、75を用いて接合状態判定手順を実行する場合の接合状態判定装置32は、次のように動作する。接合状態判定装置32は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)とを接合する超音波接合条件にて接合工程を予め実行して、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態が良いと判定された場合において接合状態測定装置31により予め測定された基準検出信号の波形(予め測定されたAE信号波形71)を数値演算処理した基準演算処理波形(予め測定された演算処理波形74)と、接合工程において接合状態測定装置31により測定された検出信号sig1の波形(現在のAE信号波形71、72)を数値演算処理した演算処理波形(現在の演算処理波形74、75)と、に基づいて、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定する。
実施の形態1の超音波接合装置50は、接合状態判定装置32において検出したAE信号をFFT解析することで、接合部によるAE信号と製品固定が弱いことによるAE信号とを切り分けでき、接合部材と被接合部材との接合状態の良否判定と共に、さらに原因まで掴むことができる。なお、製品の治具への固定が緩くなる要因としては複数考えられるが、例えば、ネジを用いて製品を固定する場合に、製品の反りの影響でネジ固定部直下の製品と下治具24間に隙間が発生し、超音波接合中の振動によりネジが緩む場合が考えられる。
固定によるAE信号と接合によるAE信号の切り分けは、周波数の違いで切り分ける方法が有用である。周波数の切り分け方法については、1つのAEセンサ33を用いて測定した信号波形に対してFFT分析し、周波数成分を切り分ける方法、または、特定の周波数で検出精度の高いAEセンサ33を複数用いて、それぞれのAEセンサ33で検出された信号の大小で切り分ける方法が有る。
被接合部材と接合部材との接合条件は図14で示した超音波印加条件と異なる条件でもよい。例えば、図15に示すように、端子(主端子4、信号端子5)の接合条件を段階化させてもよい。図15は、図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第二例を示す図である。図15の横軸は時間であり、縦軸は印加エネルギー又は印加力である。図15では、超音波印加エネルギー77と印加力79を同時に記載している。図15では、時間t1まで弱い荷重を印加し、その後時間ta1まで徐々に荷重を上げて、接合が終了する接合終了時間te1まで同じ荷重を印加する例を示した。端子(主端子4、信号端子5)の接合条件を段階化し、時間t1までの超音波印加初期に接合が進展しないような弱い荷重で超音波を印加した際のAE信号を検査することで、次の効果を発揮する。接合が開始される直前のAE信号、すなわち時間t1までのAE信号から、接合部材(主端子4、信号端子5)と被接合部材(配線パターン10)との摩擦を検出することができ、接合界面の表面状態(凹凸や異物)や超音波ツール21の摩耗又は欠け等を接合する前に検査することができる。
また、検査結果、すなわち接合状態の判定結果を、超音波接合装置50にフィードバックすることもできる。接合状態の判定結果を超音波接合装置50にフィードバックすることで、例えば接合面積が目標に到達していない場合は、接合時間を長くしたり、接合面積が目標に到達した場合は接合時間を短くしたり、接合状態の判定結果により接合条件を適切に調整することが可能となる。これにより、安定した接合品質を得られるようになる。さらに、接合が完了して直ぐに接合を止めることで余計なエネルギーを製品に与えることが無くなる。これは、大きな荷重を与える超音波接合では、接合時の熱が銅製の配線パターン10又は及び端子(主端子4、信号端子5)を伝って周辺部材へ熱ダメージを与えることを抑制することができる。また、配線パターン10及び端子(主端子4、信号端子5)のダメージ等を抑制することができる。
図16は、本発明の実施の形態1による接合工程の第二例を示すフローチャートである。図17は図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第三例を示す図であり、図18は図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第四例を示す図である。図16に示したフローチャートは、図10のフローチャートにステップS007、S008を追加して接合状態の判定結果をフィードバックする例である。図10のフローチャートと異なる部分を説明する。ステップS003の接合状態判定手順を実行するタイミングは、予定の接合終了時間よりも短い時間から条件変更可能な最大時間までの複数のタイミングで行う。なお、最初の判定実行タイミングで、接合状態が良いと判定される場合もある。
ステップS003にて、接合状態判定装置32が検出信号sig1に基づいて、接合部材である第一番目の端子(信号端子5)と被接合部材の配線パターン10との接合状態を判定する(接合状態判定手順)。ステップS003にて、接合状態が良いと判定された場合はステップS004に進む。ステップS003にて、接合状態が良くない(悪い)と判定された場合はステップS007に進む。ステップS007にて、条件変更が可能かを判定し(接合条件判定手順)、可能と判定した場合はステップS008にて、接合条件を変更し(接合条件変更手順)、ステップS002に戻る。ステップS007にて、条件変更が不可能と判定した場合は終了する(接合不良終了手順)。なお、ステップS008の接合条件変更手順が実行された場合に、接合条件変更手順で変更された超音波接合条件にて、ステップS002の検出信号モニター手順及びステップS003の接合状態判定手順を実行する手順は、接合継続手順である。ステップS004の超音波印加終了手順は、ステップS003の接合状態判定手順において、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態が良いと判定された場合に、被接合部材と接合部材とに対する作業中の当該接合工程を終了する接合良好終了手順でもある。
例えば、変更する接合条件を接合時間とした場合を説明する。ステップS007では、条件変更可能な最大時間に達しているかを判定する。具体的には、最大時間に達していなければ条件変更可能と判定し、最大時間に達していれば条件変更不可能と判定する。図17は予定の接合終了時間よりも長い時間まで接合時間を延長する例であり、図18は予定の接合終了時間よりも短い時間で接合を終了する例である。図17、図18において、横軸は時間であり、縦軸は印加エネルギー又は印加力である。図17、図18では、超音波印加エネルギー77と印加力78を同時に記載している。時間te1は、予定の接合終了時間である。時間te1aは延長した接合終了時間であり、時間te1bは短縮した接合終了時間である。図18に示すように予定の接合終了時間(時間te1)よりも短い時間でステップS004へ進む場合は接合時間が短くなっており、図17に示すように予定の接合終了時間(時間te1)よりも長い時間でステップS004へ進む場合は接合時間が長くなっている。接合状態の判定結果をフィードバックする実施の形態1の超音波接合装置50は、このように接合条件を適切に調整することができる。
接合が完了した後にも超音波を印加し続ける場合には、端子(主端子4、信号端子5)と超音波ツール21とが摩耗し、異物が発生することがある。しかし、接合状態の判定結果により接合条件を適切に調整することで、すなわち接合状態が良好と判定された場合に速やかに超音波の印加を停止することで、異物の発生を防ぐことも可能となる。さらに、摩耗による超音波ツール21の劣化を抑え、超音波ツール21を高寿命化することにもつながる。これまで電力用半導体装置1内部の複数の端子のうち1本でも接合面積が足りなければ不良判定するか、または全端子の検査後に手直しをする必要があった。しかし、実施の形態1の超音波接合装置50は、このように超音波接合工程中に接合状態の判定結果をフィードバックすることで、接合面積が足りない不良をほとんど撲滅することが可能となる。超音波接合装置50へのフィードバックによる接合条件調整は、超音波接合中に検査する場合のみでしか得ることのできない格段のメリットとなる。
電力用半導体装置1は、一般的な半導体装置と比較してサイズが大きいため、一般的な半導体装置と比較して、相対的に製品の反りは大きくなる。超音波接合時の製品の固定力はある一定の値で管理することが一般的である。しかし、例えば、製品の反りが大きい場合、接合時に製品が振動し、超音波接合エネルギーが超音波接合部17、18に適切に印加されない場合がある。この製品振動はAE信号で検出することができる。図19は、本発明の実施の形態1による接合工程の第三例を示すフローチャートである。図19に示したフローチャートは、図10のフローチャートにステップS010を追加して製品振動を検出し、その結果を超音波接合装置50にフィードバックする例である。
ステップS010にて、超音波接合開始後直ぐにAE信号にて製品振動を検出して、製品の固定状態を確認する(製品固定状態確認手順)。ステップS010にて、製品の固定状態が良い場合は、ステップS003に進む。ステップS010にて、製品の固定状態が良くない場合は、一旦中断して製品の固定力を高める。再開する際は、ステップS002から行う。固定力を高める方法については、製品をネジ締めして固定する場合はネジ締めトルクを増す方法が有用である。また、上治具25で固定する場合は、上治具25のクランプ力を高めるために、圧力を高める方法が有用となる。
図19のフローチャートに示す接合工程を実行する、実施の形態1の超音波接合装置50は、製品の固定状態を確認して、接合開始後直ぐに製品の固定力を高めることができ、正常に接合をすることが可能となる。なお、ステップS010は、図16のフローチャートにおけるステップS002とステップS003の間に追加しても構わない。この場合にも、接合開始後直ぐに製品の固定力を高めることができ、正常に接合をすることが可能となる。
製品の個体差が接合品質に影響を与えないようにするには次の方法もある。超音波接合前に、配線パターン10上における製品機能上必要の無い領域に超音波ツール21を押し付け、振幅し、その際のAE信号を検出することで、製品の固定状態を接合前に検出するようにしてもよい。図20は、本発明の実施の形態1による接合工程の第四例を示すフローチャートである。図20に示したフローチャートは、図10のフローチャートにステップS011を追加して製品振動を検出し、その結果を超音波接合装置50にフィードバックする例である。ステップS011は、図19のフローチャートのステップS010と同様の動作を行う。
ステップS011にて、超音波接合前にAE信号にて製品振動を検出して、製品の固定状態を確認する(製品固定状態確認手順)。ステップS011にて、製品の固定状態が良い場合は、ステップS002に進む。ステップS011にて、製品の固定状態が良くない場合は、一旦中断して製品の固定力を高める。再開する際は、ステップS011から行う。製品の固定力を高める方法は、図19のフローチャートにおいて説明した方法と同じである。図20のフローチャートに示す接合工程を実行する、実施の形態1の超音波接合装置50は、接合前に製品の固定状態を確認して、接合前に固定力を調整することができ、均一な接合品質の製品を得ることが可能となる。
さらに、この事前に超音波ツール21を押し付け、振動を検出する方法は、同一製品の配線パターン10上の複数の箇所で行うことで、精度を上げることができる。特に、製品固定部である回路基板8の四隅の近くで行うことで、ケース2における4カ所の固定部(取付孔7が形成された部分)のどの固定部を調整すればよいかを瞬時に判断することができ、更に精度を上げることができるようになる。このようにすれば、超音波接合を開始する前に製品の固定状態を判定することができ、超音波接合前に製品の固定力を高めて超音波接合を行うことができる。ステップS003の接合状態判定手順において接合不良と判定される割合を低減することができる。また、ステップS011にて、製品の固定状態が良くない場合に、一旦終了して製品の固定力を高めてから、同じ製品を再度接合工程に投入する(開始から実行)ことでも構わない。
なお、ステップS011は、図16のフローチャートにおけるステップS001とステップS002の間に追加しても構わない。この場合にも、接合前に製品の固定状態を確認して、接合前に固定力を調整することができ、均一な接合品質の製品を得ることが可能となる。
今まで超音波接合工程における接合時の超音波印加中のAE信号を用いる例に説明をした。しかし、接合終了後の超音波ツール21と端子との食い込みを解消するために、前述したように超音波ツール21の離脱時(ツール離脱時)に超音波印加を行う場合があり、このツール離脱時の超音波印加によるAE信号を用いた判定結果を超音波接合装置50にフィードバックすることもできる。図21は、本発明の実施の形態1による接合工程の第五例を示すフローチャートである。図21に示したフローチャートは、図10のフローチャートにステップS012を追加して接合状態を判定し、その結果を超音波接合装置50にフィードバックする例である。図10のフローチャートと異なる部分を説明する。
ステップS004にて、作業中の端子に対する超音波の印加及び超音波ツール21の押圧を終了する。その後、ステップS012にて、接合終了後の超音波ツール21と端子との食い込みを解消するために、超音波印加を行う。接合工程の第一例から第四例におけるステップS004の離脱条件の超音波印加と超音波ツールの離脱を、接合工程の第五例ではステップS012にて行う。そして、離脱条件の超音波印加中に接合状態測定装置31により検出信号sig1のモニターを行う(終了時検出信号モニター手順)。接合状態判定装置32は、信号入力部36により検出信号sig1を入力し、信号処理部37により検出信号sig1の信号処理、例えば外周形状を抽出して、検出信号モニター手順における検出信号sig1のモニターを行う。
判定部39は、検出信号sig1の外周形状において、接合不良ではない低い電圧値で図9の破線枠73で示した形状に似た形状(低品質形状)等が発生しているかを判定する。検出信号sig1の外周形状に低品質形状等が発生している場合は、接合条件不適切と判定し、接合条件の変更(接合条件更新)を行う。検出信号sig1の外周形状に低品質形状等が発生していない場合は、接合条件適切と判定し、接合条件の変更(接合条件更新)を行わない、すなわち現在の接合条件を維持する。ステップS012は、接合条件判定及び接合条件更新手順である。
この方法で検査する場合、例えば、前の端子の超音波接合後のAE信号から、同じ条件で超音波接合した際の接合品質を予め予測することができる。そうすると、前の端子のAE信号で次の端子の接合品質が低下することが予測された場合は、次の端子の条件を変化させて接合品質の低下を抑制することが可能となる。例えば、前の端子の接合後に接合状態が低下していた場合には、図22に示すように次の端子の接合荷重(印加力)を高くしたり、超音波印加時間を長くする等の接合条件を変更するフィードバックを行うことで、接合品質の低下を防ぎ、接合品質を維持することができる。
図22は、図1の超音波接合装置による超音波印加条件の第五例を示す図である。図22において、横軸は時間であり、縦軸は印加エネルギー又は印加力である。図22では、超音波印加エネルギー77と印加力78、78aを同時に記載している。印加力78aの大きさ(荷重)は、印加力78の大きさ(荷重)よりも高くなっている。なお、接合条件判定において、FFT等の数値演算処理された演算処理波形を用いて判定してもよい。また、ステップS012は、図16のフローチャートにおけるステップS004とステップS005の間に追加しても構わない。この場合にも、前の端子のAE信号で次の端子の接合品質が低下することが予測された場合は、次の条件を変化させて接合品質の低下を抑制することが可能となる。
複数のAEセンサ33を用いて接合状態等の検査を行うこともできる。複数のAEセンサ33を用いて検査をする場合、次のような効果を発揮する。複数のAEセンサ33がそれぞれ検出周波数領域のピークが異なる場合、FFT解析をしなくても、個々のAEセンサ33で検出した信号の大小を相対的に比較することで発生した信号の周波数帯を検出することができる。これにより、信号の発生源の切り分けが容易となる。
複数のAEセンサ33がそれぞれの検出周波数領域のピークが同じまたはほぼ同等である場合は、それぞれのAEセンサ33で検出した信号が発生している時間を細かく区切って確認することで、複数存在する製品固定箇所の中で緩んだ固定箇所を特定あるいは絞り込むことが可能となる。すなわち、AE信号の下治具24中の伝達には時間がかかるため、最も信号の検出が早かったAEセンサ33近傍の固定部が緩んだという判定をすることができる。
複数のAEセンサ33の固定位置は、検出周波数領域の違いから発生源の切り分けをする場合は、下治具24上であれば位置は問わない。発生した時間から固定が緩んだ箇所を特定するためには、等間隔あるいは規則的にAEセンサ33を配置することが望ましい。例えば、製品の四隅をネジ固定する場合は、ネジ近傍にそれぞれのAEセンサ33を配置することで検出が可能となる。
今まで銅製の端子(主端子4、信号端子5)の超音波接合工程を例に説明したが、同様に超音波を印加する工程であるワイヤボンディング工程、すなわち接続ワイヤ15を接部材とした超音波接合工程においても同様の効果を発揮する。また、本実施の形態で示した電力用半導体装置1とは異なる構造でも、超音波接合される構造であれば同様の効果を発揮する。本実施の形態では金属同士の超音波接合を例に説明したが、金属以外の材料を接合又は接着する場合においても同様の効果を発揮する。
以上のように、実施の形態1の超音波接合装置50は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)とを超音波を用いて接合する超音波接合装置であって、治具(下治具24)に固定された被固定物(電力用半導体装置1)に実装された被接合部材(配線パターン10)に、接合部材(主端子4、信号端子5)を押圧しながら超音波を印加する超音波ツール21を有する超音波接合機20と、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合品質を検査する接合検査装置30とを備えることを特徴とする。超音波接合装置50の接合検査装置30は、治具(下治具24)に固定されると共に治具(下治具24)を伝搬する音を検出して、検出信号sig1を出力する接合状態測定装置31と、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合工程において、接合状態測定装置31により出力された検出信号sig1に基づいて、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定する接合状態判定装置32とを備えたことを特徴とする。実施の形態1の超音波接合装置50は、これらの特徴により、接合工程において接合状態測定装置31により出力された検出信号sig1に基づいて被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定するので、接合工程中に接合品質をリアルタイムで検査することができ、品質検査にかかる時間を短縮でき、さらに精度良く品質を良否判定できる。
実施の形態1の超音波接合検査方法は、治具(下治具24)に固定された被固定物(電力用半導体装置1)に実装されている被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)とを超音波を用いて接合された接合部の接合品質を検査する超音波接合検査方法である。実施の形態1の超音波接合検査方法は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合工程において、治具(下治具24)を伝搬する音を検出して、検出信号sig1を出力する検出信号モニター手順と、検出信号モニター手順にて出力された検出信号sig1に基づいて、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定する接合状態判定手順とを含むことを特徴とする。実施の形態1の超音波接合検査方法は、この特徴により、接合工程において実行される検出信号モニター手順により出力された検出信号sig1に基づいて被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定するので、接合工程中に接合品質をリアルタイムで検査することができ、品質検査にかかる時間を短縮でき、さらに精度良く品質を良否判定できる。
また、実施の形態1の超音波接合装置50は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)とを超音波を用いて接合する超音波接合装置であって、治具(下治具24)に固定された被固定物(電力用半導体装置1)に実装された被接合部材(配線パターン10)に、接合部材(主端子4、信号端子5)を押圧しながら超音波を印加する超音波ツール21を有する超音波接合機20と、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合品質を検査する接合検査装置30とを備えることを特徴とする。超音波接合装置50の接合検査装置30は、治具(下治具24)または治具(下治具24)が搭載された超音波接合機20の筐体28における被接合部材(配線パターン10)及び接合部材(主端子4、信号端子5)に接することがない位置に固定されると共に治具(下治具24)または筐体28を伝搬する振動を検出するセンサ(AEセンサ33)により振動を検出して、検出信号sig1を出力する接合状態測定装置31と、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合工程において、接合状態測定装置31により出力された検出信号sig1に基づいて、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定する接合状態判定装置32とを備えたことを特徴とする。実施の形態1の超音波接合装置50は、これらの特徴により、接合工程において接合状態測定装置31により出力された検出信号sig1に基づいて被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定するので、接合工程中に接合品質をリアルタイムで検査することができ、品質検査にかかる時間を短縮でき、さらに精度良く品質を良否判定できる。
また、実施の形態1の超音波接合検査方法は、治具(下治具24)に固定された被固定物(電力用半導体装置1)に実装されている被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)とを超音波を用いて接合された接合部の接合品質を検査する超音波接合検査方法である。実施の形態1の超音波接合検査方法は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合工程において、治具(下治具24)または治具(下治具24)が搭載された超音波接合機20の筐体28を伝搬する振動を検出して、検出信号sig1を出力する検出信号モニター手順と、検出信号モニター手順にて出力された検出信号sig1に基づいて、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定する接合状態判定手順とを含むことを特徴とする。実施の形態1の超音波接合検査方法は、この特徴により、接合工程において実行される検出信号モニター手順により出力された検出信号sig1に基づいて被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定するので、接合工程中に接合品質をリアルタイムで検査することができ、品質検査にかかる時間を短縮でき、さらに精度良く品質を良否判定できる。
超音波接合時の印加エネルギーにより製品が振動し、AEセンサ等の振動センサが容易に外れてしまうため、特許文献3のように製品に含まれる被接合部材または接合部材に当接させたり、被接合部材または接合部材を押圧する超音波ツール21と被接合部材または接合部材との間を介在する振動伝達部材を設けて、この振動伝達部材に振動センサを取り付けたりするのは困難である。ネジなどを用いて振動センサを機械的に取り付ける場合、被接合部材または接合部材とセンサが片当たりし、空間ができることにより検出精度が低下する。接着などで取り付ける場合、取り付ける際に使用した材料が製品内部に残渣することが課題であった。また、パワーモジュールの内部に接合部が存在する場合、パワーモジュールの外部を覆うインサートケースが障害となり、振動センサを取り付けることが難しかった。本実施の形態のAEセンサ33の取り付け方法を用いれば、被接合部材や接合部材を含む製品全体にセンサを取り付けることが不要になる。また、特許文献3のように、被接合部材または接合部材を押圧する超音波ツール21と被接合部材または接合部材との間を介在する振動伝達部材を設けて、この振動伝達部材に振動センサを取り付けるのは困難である。超音波接合時の印加エネルギーにより振動伝達部材が強く振動するので、振動センサが容易に外れてしまうためである。
AEセンサ33の取り付け位置は、接合対象物が固定されている治具と連なっていれば良い。例えば、図24に示すように、設備の筐体、すなわち超音波接合機20の筐体28にAEセンサ33が設置された場合においても十分なAE信号を検出することができる。また、図25に示すように、超音波接合機20の移動台26の上面または裏面にAEセンサ33が設置された場合においても十分なAE信号を検出することができる。図24は本発明の実施の形態1による他の超音波接合装置を示す図であり、図25は本発明の実施の形態1による更に他の超音波接合装置を示す図である。図25では、AEセンサ33を筐体28における天板80の裏面、すなわち電力用半導体装置1が配置される面と逆側の面に取り付けた例を示した。図24では、AEセンサ33を移動台26の側面に取り付けた例を示した。AEセンサ33の取り付け位置が治具と連なっていれば良い理由は、治具と連なっている材料内部ではアコースティックエミッションがほとんど減衰しないためである。特に、治具と連なっている材料が金属の場合はアコースティックエミッションの減衰が極めて小さいので、設備の筐体等の材料は金属であることが望ましい。AEセンサ33が移動台26の上面、側面に設置された場合には、移動台26の材質は金属材料を用いることが望ましい。図25のようにAEセンサ33と移動台26との間に筐体28の一部である天板80が介在する場合には、天板80の材質は金属材料を用いることが望ましい。ただし、超音波を発生させる超音波ホーンが設備の筐体に取り付けられている場合には、そちらからのアコースティックエミッションを検出する可能性もある。この場合であっても、超音波ホーンが取り付けられている筐体における位置からAEセンサ33までの距離よりも、治具が固定されている筐体における位置からAEセンサ33までの距離を小さくすることで、治具からのアコースティックエミッションを精度よく検出できる。
また、上治具25の表面にAEセンサ33を取り付けることによっても十分なAE信号を検出することができる。上治具は製品の両側2箇所あるいは、上下両側面または四隅の4箇所に設けることが一般的である。複数のAEセンサ33をそれぞれの治具に取り付け、超音波振動の印加開始からそれぞれのセンサにAE信号が到達する時間または振幅をモニターすることで、固定不足となっている治具の位置を特定することができる。すなわち、固定不足の場合、製品と治具の間の固定面積が小さくなるため、信号の到達に時間がかかったり、振幅が減衰するため、それらを元に良否判定するとともに、固定不足となった上治具の位置を瞬時に特定することができる。
また、設備が設置された地面の近くにAEセンサ33を取り付けると、他の設備などからのノイズを拾うことがある。この場合は、設備の設置面(底面)にゴムなどを取り付けることで、他の設備などからの信号を減衰させることができるようになる。また、検出信号sig1を判定する際に、バンドパスフィルタを備えることで、外部からのノイズとなる周波数を除去することができる。なお、超音波接合時の振動によるエネルギーが大きい場合には、AEセンサ33が外れたり、破壊されたりすることから、超音波ツール21にAEセンサ33を取り付けることはできない。
被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合において、十分な接合強度を得るためには、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合界面に超音波エネルギーを印加する必要がある。治具(下治具24、上治具25)での製品(電力用半導体装置1)の固定が不足していたり、超音波ツール21の取り付けが緩い場合には、十分な接合強度が得られない。治具での固定不足については、製品の反りや治具の反り、劣化、固定するネジの劣化やトルク不足などが考えられる。製品(電力用半導体装置1)の固定のために上治具25を用いる場合は、接触面の片当たりや、接触面の劣化などが考えられる。AE信号は、これらは要因別に発生するAE信号の周波数が異なることが特徴である。AEセンサ33を用いて、超音波接合の際のAE信号を検出し、AE信号の周波数を時間軸でモニターすることで、強度を低下させる要因を瞬時に見極めることができる。周波数の違いが微小で判別が難しい場合は、下治具24の複数の位置にAEセンサを設置し、それぞれで検出するAE信号の位相差や振幅の大小により、要因を特定することができる。
また、印加する超音波波形とAE信号の波形の位相の違い(位相差)により、接合の良否判定をすることができる。すなわち、位相差が少ない場合は、超音波接合時の印加エネルギーが正常に接合界面に印可され、その際のAE信号が正常に治具からAEセンサ33に伝わっていることを示す。一方で位相差が大きい場合は、接合部直下の製品と治具との間に隙間があるなどにより、AE信号が伝わる経路が大きくなり、AEセンサ33に伝わるまでの時間が増加することが原因である。従って位相差が大きい場合は超音波エネルギーが正常に接合界面に印加されていないことを示している。
実施の形態2.
本発明の実施の形態2の超音波接合装置50を説明する。実施の形態2の超音波接合装置50は、接合状態測定装置31が実施の形態1と異なっている。図23は、本発明の実施の形態2による接合状態測定装置を示す図である。実施の形態2の超音波接合装置50は、接合状態測定装置31以外は同じなので、接合状態測定装置31について説明する。
実施の形態1と異なる点は、非接触振動計であるレーザドップラ振動計56を用いて、測定対象(モニター対象)となる超音波ツール21にレーザを照射し、振動を測定することである。実施の形態2の接合状態測定装置31は、レーザドップラ振動計56と、レーザ反射ミラー57と、レーザドップラ振動計56で検出された信号(測定対象の振動情報を含む信号)を計測する計測装置55と、計測装置55が計測したデータを記録するデータロガー58を備える。レーザドップラ振動計56は、レーザを照射した点における振動の速度と変位を検出する。計測装置55は、レーザドップラ振動計56で検出された信号(測定対象の振動情報を含む信号)を、検出信号sig1として接合状態判定装置32に出力する。
レーザドップラ振動計56を用いて、超音波ツール21にレーザを照射し、振動を測定することで、接合部材(主端子4、信号端子5)と被接合部材(配線パターン10)との接合品質の良否を判定することができる。具体的には、接合部材(主端子4、信号端子5)と被接合部材(配線パターン10)との接合面積における、必要接合面積に対応する振動の変位量(基準変位量)と、測定した振動の変位量(測定変位量)との差分から接合品質の良否を判定することができる。基準変位量と測定変位量との差分が、閾値以内の場合に接合状態が良いと判定する。基準変位量と測定変位量との差分が、閾値を超えた場合に接合状態が良くない(悪い)と判定する。このように、実施の形態2の超音波接合装置50は、変位量を測定するので、実施の形態1の超音波接合装置50より定量的に振動状態を捉えることができる点に特徴がある。実施の形態2の超音波接合装置50は、実施の形態1の超音波接合装置50と同様に、接合状態測定装置31の検出器(レーザドップラ振動計56)を非接触で製品の接合状態の検査を行うので、製品に取り付ける必要がなく、検査器を製品に接触させて検査するよりも検査時間を短時間化することができる。
超音波ツール21と共に超音波接合する端子(主端子4、信号端子5)をモニターすることで次の効果を得ることができる。例えば、超音波ツール21のモニター後に、端子(主端子4、信号端子5)をモニターする。超音波ツール21と端子とが同じ振動状態であれば、超音波ツール21が端子に対して適切に超音波振動を印加できていることが確認できる。超音波ツール21よりも端子の振動が小さければ、超音波ツール21の先端と端子の間で摩耗が発生しており、適切に超音波振動を印加できていないことが確認できる。この摩耗により、銅屑が発生する場合があり、振動のモニター結果により銅屑の除去工程の必要可否を判断することができるようになる。また端子の反り等の製品の個体差の影響で超音波ツール21よりも端子の振動が小さくなる場合は、このモニター結果をフィードバックし、例えば印加荷重を強める等、振動状態が同じになるに超音波接合中に接合条件を変化させ、銅屑の発生を最小限に抑えつつ、適切な接合品質を得ることができるようになる。また、回路基板8の振動をもモニターし、超音波ツール21の振動に対して、端子と回路基板8の振動を同時にモニターすることで同様の効果を発揮することができる。
製品において、レーザを照射して振動を測定する測定箇所は、超音波ツール21でなく、被接合部材(配線パターン10)、又は接合部材(主端子4、信号端子5)、又は製品(電力用半導体装置1)を固定する治具(下治具24、上治具25)であっても同様の効果を発揮する。実施の形態1で示したAE信号との併用で、次に示す新たな効果を発揮する。実施の形態1で説明したAEセンサ33によるAE信号と、実施の形態2で説明したレーザドップラ振動計による振動信号の両方を用いて検査することで、より高精度に接合品質の良否を判定することができる。すなわち、レーザドップラ振動計で超音波ツール21の振動が正常に超音波接合部17、18に伝わっているかを検査し、さらに、AEセンサ33で検出したAE信号を用いて、被接合部材と接合部材の界面の摩擦が正常であるかどうか、製品の固定が正常であるかどうかを検査することができるので、接合品質の良否判定の精度がより高くなるメリットがある。
以上のように、実施の形態2の超音波接合装置50は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)とを超音波を用いて接合する超音波接合装置であって、治具(下治具24)に固定された被固定物(電力用半導体装置1)に実装された被接合部材(配線パターン10)に、接合部材(主端子4、信号端子5)を押圧しながら超音波を印加する超音波ツール21を有する超音波接合機20と、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合品質を検査する接合検査装置30とを備えることを特徴とする。超音波接合装置50の接合検査装置30は、超音波により振動する被測定物の振動を検出して、検出信号sig1を出力する接合状態測定装置31と、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合工程において、接合状態測定装置31により出力された検出信号sig1に基づいて、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定する接合状態判定装置32とを備えたことを特徴とする。実施の形態2の超音波接合装置50は、これらの特徴により、接合工程において接合状態測定装置31により出力された検出信号sig1に基づいて被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定するので、接合工程中に接合品質をリアルタイムで検査することができ、品質検査にかかる時間を短縮でき、さらに精度良く品質を良否判定できる。
実施の形態2の超音波接合検査方法は、治具(下治具24)に固定された被固定物(電力用半導体装置1)に実装されている被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)とを超音波を用いて接合された接合部の接合品質を検査する超音波接合検査方法である。実施の形態2の超音波接合検査方法は、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合工程において、超音波により振動する被測定物の振動を検出して、検出信号sig1を出力する検出信号モニター手順と、検出信号モニター手順にて出力された検出信号sig1に基づいて、被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定する接合状態判定手順とを含むことを特徴とする。実施の形態2の超音波接合検査方法は、この特徴により、接合工程において実行される検出信号モニター手順により出力された検出信号sig1に基づいて被接合部材(配線パターン10)と接合部材(主端子4、信号端子5)との接合状態を判定するので、接合工程中に接合品質をリアルタイムで検査することができ、品質検査にかかる時間を短縮でき、さらに精度良く品質を良否判定できる。
実施の形態3.
実施の形態3では、実施の形態1又は実施の形態2の超音波接合装置及び超音波接合検査法を、製品(電力用半導体装置1)における接続ワイヤ15を接合するワイヤボンド装置と、接合された超音波接合部であるワイヤ接合部を検査するワイヤ接合検査方法に適用する例を説明する。ワイヤボンド装置は超音波振動による圧着により、被接合対象物(被接合部材に相当)にワイヤ(接部材に相当)を接合する装置である。ワイヤは、直径100〜500μmのAlや直径10〜50μmのAu、Agからなる。概略の構成や検出信号sig1の分析、検出信号sig1に基づく装置へのフィードバック方法は実施の形態1に示す超音波接合装置50とほぼ同様である。周波数には実施の形態1又は実施の形態2の超音波接合装置50の超音波接合機20よりも高い40〜120kHzが用いられる。振幅は実施の形態1又は実施の形態2の超音波接合機20よりも小さい1〜5μm程度である。すなわち、ワイヤボンド装置に用いる周波数が高く、振幅が小さい。このように周波数が高く、小さい振幅の超音波による被接合部材と接合部材(接続ワイヤ15)との接合部の振動を検出するためには、AE信号が好適である。実施の形態3の超音波接合装置50であるワイヤボンド装置は、例えば、図5に示した接続ワイヤ15a、15b、15cを被接合部材(配線パターン10a、10b、10d、IGBT12の電極、FwDi13の電極)に超音波接合する。
ワイヤボンド装置を用いたワイヤボンド工程、すなわち実施の形態3の超音波接合装置50を用いた超音波接合工程において、ワイヤ接合の検査、ワイヤボンド装置の状態の確認には、AE信号が好適な理由を説明する。なぜなら、ワイヤボンドで用いる超音波ツールの幅は主端子4、信号端子5の超音波接合で使用する超音波ツールの幅(5〜10mm)と比較して小さい。100〜500μmのAlワイヤをワイヤボンドする超音波ツールは、幅は1〜2mmである。また、10〜50μmのAuやAgのワイヤをワイヤボンドする超音波ツールは1mm以下である。従って、ワイヤの直径が小さく、ワイヤの断面が円形となっているため、超音波ツールの幅が小さいワイヤボンド装置では、レーザドップラ振動計を用いる場合のレーザを狙った位置に照射するのが難しい。また、レーザを照射できたとしても、垂直にレーザを反射させることが難しく、反射されたレーザを検出することが困難である。さらに、超音波ツールに使用される材料は金属やセラミックなど様々であるが、これらの超音波ツールの材料は被接合対象物とワイヤとの接合性の観点から適正な材料が選ばれるため、そもそもレーザを反射することができない場合が多い。これらの理由より、レーザドップラ振動計以外の方法で、ワイヤボンド工程における被接合対象物とワイヤとの超音波接合部の振動を検出する必要がある。このような場合に、例えば治具上、すなわち治具の外面に、AEセンサ33を取り付けてAE信号を検出することが好適である。
実施の形態3の超音波接合装置50であるワイヤボンド装置に用いるワイヤボンド条件を図26に示す。図26は、本発明の実施の形態3によるワイヤボンド装置に用いるワイヤボンド条件を示す図である。主要な条件は、荷重(印加力の大きさ)、パワー(印加エネルギー)と時間である。一般的に、荷重とパワーは2段階に可変し、接合初期において低い荷重、パワーで初期接合部(核となる部分)を形成し、接合後期において荷重、パワーを高くし接合面積を増加させる。図26では、時間t1まで弱い荷重、低いパワーを印加し、その後時間ta1まで徐々に荷重、パワーを上げるワイヤボンド条件の例を示した。この際、設備、すなわち超音波接合機20で印加する超音波の周波数をモニターしフィードバック制御しており、印加する超音波の周波数が接合後期において、接合初期よりも数kHz高くなる。ワイヤボンド工程は、超音波接合機20の超音波ツール21により被接合部材(配線パターン10a、10b、10d、IGBT12の電極、FwDi13の電極)及び接合部材(接続ワイヤ15a、15b、15c)に印加する超音波の印加周波数を高くする印加周波数変更手順を含んでいる。
配線パターン10の上に異物(油分など目に見えないものを含む)が存在する場合、最終的に超音波接合部の接合面積が小さくなる。このように接合の進展が遅い場合、接合後期において印加される超音波の周波数が変化するタイミングが通常よりも遅くなる。AEセンサ33を用いてこの周波数が変化するタイミングを検出することで、超音波接合部の接合の良否を容易に判断できるようになる。
図27〜図29を用いて、実施の形態3の超音波接合検査方法における接合良否判定を説明する。図27は、本発明の実施の形態3による超音波接合検査方法の接合良否判定を説明する図である。図28は本発明の実施の形態3による超音波接合検査方法で接合良好と判定される場合を説明する図であり、図29は本発明の実施の形態3による超音波接合検査方法で接合不良と判定される場合を説明する図である。図27では、印加する超音波の印加周波数波形81とAEセンサ33で検出された検出周波数波形82を示した。検出周波数は、例えば数値演算処理された超音波ホーン22の周波数と同じ周波数f1である。図27の横軸は時間であり、縦軸は印加周波数又は検出周波数である。印加周波数波形81は、図26の印加力、印加エネルギーと同様に、時間t1まで弱い周波数の第一周波数であり、その後時間ta1まで徐々に周波数が上がって、時間ta1で高い周波数の第二周波数になっている例である。AEセンサ33で検出された検出周波数波形82は、時間t2まで弱い周波数の第一周波数であり、時間t2から周波数が上がり始め、時間ta2まで徐々に周波数が上がり、時間ta2で高い周波数の第二周波数になっている例である。図28の検出周波数波形82aは超音波接合部が接合良好である場合の検出周波数波形であり、図29の出周波数波形82bは超音波接合部が接合不良である場合の検出周波数波形である。
時間t1と時間t2との時間差、すなわち時間t2から時間t1を引いた遅延時間であるΔt1は、周波数の変化初期の時間差(遅延時間)である。時間ta1と時間ta2との時間差、すなわち時間ta2から時間ta1を引いた遅延時間であるΔt2は、周波数の変化終期の時間差(遅延時間)である。超音波接合部の接合良否判定は、周波数の変化初期の時間差Δt1、又は周波数の変化終期の時間差Δt2を用いて判定することができる。超音波接合部の接合良否判定は、図10、図16、図19、図20、図21のステップS003の接合状態判定手順にて実行される。
まず、周波数の変化初期の時間差Δt1を用いる例を説明する。超音波接合部の接合良否判定、すなわち超音波接合部の接合状態を判定する接合状態判定手順において、接合状態判定装置32はAEセンサ33で測定された検出信号sig1の波形から演算した検出周波数波形82(周波数波形)を生成する。接合状態判定装置32は、検出周波数波形82(図29の検出周波数波形82b)における周波数が変化するタイミング(時間t2)と、印加周波数波形81における周波数が変化するタイミング(時間t1)との差(時間差Δt1)が予め定められた閾値である判定値tr1よりも大きい場合に、超音波接合部の接合状態が悪いと判定する。また、接合状態判定装置32は、検出周波数波形82(図28の検出周波数波形82a)における周波数が変化するタイミング(時間t2)と、印加周波数波形81における周波数が変化するタイミング(時間t1)との差(時間差Δt1)が予め定められた判定値tr1以下の場合に、超音波接合部の接合状態が良いと判定する。
次に、周波数の変化終期の時間差Δt2を用いる例を説明する。超音波接合部の接合良否判定、すなわち超音波接合部の接合状態を判定する接合状態判定手順において、接合状態判定装置32はAEセンサ33で測定された検出信号sig1の波形から演算した検出周波数波形82(周波数波形)を生成する。接合状態判定装置32は、検出周波数波形82(図29の検出周波数波形82b)における周波数が変化するタイミング(時間ta2)と、印加周波数波形81における周波数が変化するタイミング(時間ta1)との差(時間差Δt2)が予め定められた閾値である判定値tr2よりも大きい場合に、超音波接合部の接合状態が悪いと判定する。また、接合状態判定装置32は、検出周波数波形82(図28の検出周波数波形82a)における周波数が変化するタイミング(時間ta2)と、印加周波数波形81における周波数が変化するタイミング(時間ta1)との差(時間差Δt2)が予め定められた判定値tr2以下の場合に、超音波接合部の接合状態が良いと判定する。
更に、検出周波数波形82の変化するタイミングを検出し、フィードバックすることで接合時間を長くしたり短くしたりすることができ、このようにすることで、良好な接合強度の超音波接合部を得ることが可能となる。このように、超音波接合部の接合の良否に基づいて、接合条件を変更して接合工程を実行する方法は、図16に示したフローチャートと同様である。ワイヤボンド装置を用いたワイヤボンド工程では、図16に示したフローチャートにおける端子接合はワイヤ端接合に読み替えればよい。このように読み替えた図16に示したフローチャートを説明する。ステップS001にて、製品投入を行う。ステップS002にて、第一番目のワイヤ端、例えば図5の接続ワイヤ15aにおける右側ワイヤ端の超音波接合を行うと共に、接合状態測定装置31により検出信号sig1のモニターを行う(検出信号モニター手順)。
ステップS003にて、接合状態判定装置32が検出信号sig1に基づいて、接合部材である第一番目のワイヤ端と被接合部材の配線パターン10との接合状態を判定する(接合状態判定手順)。ステップS003にて、接合状態が良いと判定された場合はステップS004に進む。ステップS003にて、接合状態が良くない(悪い)と判定された場合はステップS007に進む。ステップS007にて、条件変更が可能かを判定し(接合条件判定手順)、可能と判定した場合はステップS008にて、接合条件を変更し(接合条件変更手順)、ステップS002に戻る。ステップS007にて、条件変更が不可能と判定した場合は終了する(接合不良終了手順)。なお、ステップS008の接合条件変更手順が実行された場合に、接合条件変更手順で変更された超音波接合条件にて、ステップS002の検出信号モニター手順及びステップS003の接合状態判定手順を実行する手順は、接合継続手順である。
ステップS004にて、作業中のワイヤ端接合を終了し(超音波印加終了手順)、ステップS005に進む。なお、ステップS004の超音波印加終了手順は、ステップS003の接合状態判定手順において、被接合部材(配線パターン10a、10b、10d、IGBT12の電極、FwDi13の電極)と接合部材(接続ワイヤ15a、15b、15c)との接合状態が良いと判定された場合に、被接合部材と接合部材とに対する作業中の当該接合工程を終了する接合良好終了手順でもある。ステップS005にて、全てのワイヤ端接合が完了したかを判定する。ステップS005にて、まだ接合すべき接合部材であるワイヤ端が残っている、すなわち未完了であると判定した場合はステップS002に戻り、接合すべきワイヤ端が残っていない、すなわち全てのワイヤ端接合が完了したと判定した場合はステップS006に進む。図5に示した例では、ワイヤ端は6つあるので、ステップS002〜ステップS005を6回実行する。ステップS006にて、製品を排出し(製品排出手順)、終了する。ステップS006では、上治具25を外し電力用半導体装置1の中間製品を超音波接合機20から排出する。1つの電力用半導体装置1の中間製品に対する接合工程が終了したら、次の電力用半導体装置1の中間製品に対する接合工程を実行する。
なお、図10、図19、図20、図21のフローチャートにおいても、端子接合はワイヤ端接合に読み替えることで、各フローチャートのワイヤボンド装置を用いたワイヤボンド工程を実行することができる。
また、十分な接合強度の超音波接合部を得るためには、超音波エネルギーを配線パターン10と接続ワイヤ15との接合界面に印加する必要がある。治具による製品の固定が不足していたり、超音波ツールの取り付けが緩い場合には、十分な接合強度の超音波接合部が得られない。治具による固定不足については、製品の反りや治具の反り、劣化、固定するネジの劣化やトルク不足などが考えられる。上治具25を用いて製品(電力用半導体装置1)を固定する場合は、接触面の片当たりや、接触面の劣化などが考えられる。AE信号は、これらは要因別に発生するAE信号の周波数が異なることが特徴である。AEセンサ33を用いて、ワイヤボンドの際のAE信号を検出し、AE信号の周波数を時間軸でモニターすることで、超音波接合部の強度を低下させる要因を瞬時に見極めることができる。周波数の違いが微小で判別が難しい場合は、下治具24における複数の位置や超音波ホーン22の外面のそれぞれにAEセンサ33を設置し、それぞれで検出するAE信号の位相差や振幅の大小により、要因を特定することができる。ワイヤボンド装置の場合には、印加する超音波の印加エネルーが実施の形態1、2の超音波接合装置50よりも低いので、超音波ホーン22の外面にAEセンサ33を設置することが可能である。なお、AEセンサ33をワイヤボンド装置の超音波ツールに取り付けることはできない。なぜなら、軽い超音波ツールにAEセンサ33を取り付けると重量が変化し、超音波ツールの振動状態が変化するためである。
また、印加する超音波波形とAE信号の波形の位相の違い(位相差)により、接合の良否判定をすることができる。すなわち、位相差が少ない場合は、超音波接合時の印加エネルギーが正常に接合界面に印可され、その際のAE信号が正常に治具からAEセンサ33に伝わっていることを示す。一方で位相差が大きい場合は、接合部直下の製品と治具との間に隙間があるなどにより、AE信号が伝わる経路が大きくなり、AEセンサ33に伝わるまでの時間が増加することが原因である。従って位相差が大きい場合は超音波エネルギーが正常に接合界面に印加されていないことを示している。
なお、各実施の形態においては、電力用半導体装置1に搭載される電力用半導体素子は、スイッチング素子のIGBT、整流素子のFwDiを例として説明したが、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等のスイッチング素子、SBD(Schottky Barrier Diode)等の整流素子でもよい。また、電力用半導体装置1に搭載される電力用半導体素子は、シリコンウエハを基材とした一般的な素子でも良いが、炭化珪素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)系材料、またはダイヤモンドといったシリコンと較べてバンドギャップが広い、いわゆるワイドバンドギャップ半導体材料を用いることができる。例えば、スイッチング素子として機能するIGBT12や、整流素子として機能するFwDi13に、炭化珪素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)系材料又はダイヤモンドを用いた場合、従来から用いられてきたシリコン(Si)で形成された素子よりも電力損失が低いため、電力用半導体装置1の高効率化が可能となる。また、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、電力用半導体装置1の小型化が可能となる。さらにワイドバンドギャップ半導体素子は、耐熱性が高いので、高温動作が可能であり、ヒートシンクの小型化や、水冷部の空冷化も可能となるので、ヒートシンクを備えた電力用半導体装置の一層の小型化が可能になる。
前述したように、電力用半導体装置1は大電流を取り扱うがゆえに、効率良く放熱できるように設計されており、ワイドバンドギャップ半導体材料を用いた電力用半導体装置1も効率良く放熱できるように設計されている。本発明の実施の形態1、実施の形態2及び実施の形態3の超音波接合装置50は、端子接合部の温度を直接サーモビューワでモニターせずに、AEセンサ33又は及び、レーザドップラ振動計56の検出信号に基づいて接合工程中に接合品質をリアルタイムで検査することができるので、ワイドバンドギャップ半導体材料を用いた電力用半導体装置1の超音波接合の検査を適切に行うことができる。
なお、接合状態判定装置32の機能ブロックである、信号入力部36、信号処理部37、演算処理部38、判定部39、判定結果出力部40は、図30に示すプロセッサ98、メモリ99により機能が実現されてもよい。図30は、接合状態判定装置の機能ブロックを実現するハードウェア構成例を示す図である。この場合、信号入力部36、信号処理部37、演算処理部38、判定部39、判定結果出力部40は、プロセッサ98がメモリ99に記憶されたプログラムを実行することにより、実現される。また、複数のプロセッサ98および複数のメモリ99が連携して各機能を実行してもよい。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
1…電力用半導体装置(被固定物)、4…主端子(接合部材)、5…信号端子(接合部材)、10、10a、10b、10c、10d…配線パターン(被接合部材)、15、15a、15b、15c…接続ワイヤ(接合部材)、20…超音波接合機、21…超音波ツール、24…下治具、25…上治具、28…筐体、30…接合検査装置、31…接合状態測定装置、32…接合状態判定装置、33…AEセンサ、37…信号処理部、38…演算処理部、56…レーザドップラ振動計(非接触振動計)、50…超音波接合装置、71…AE信号波形、72…AE信号波形、74…演算処理波形、75…演算処理波形、81…印加周波数波形、82、82a、82b…検出周波数波形、sig1…検出信号、sig2…判定結果信号(判定結果)、Δt1、Δt2…時間差、tr1、tr2…判定値

Claims (21)

  1. 被接合部材と接合部材とを超音波を用いて接合する超音波接合装置であって、
    治具に固定された被固定物に実装された前記被接合部材に、前記接合部材を押圧しながら前記超音波を印加する超音波ツールを有する超音波接合機と、
    前記被接合部材と前記接合部材との接合品質を検査する接合検査装置とを備え、
    前記被固定物はケース及び回路基板を有し、前記ケース及び前記回路基板が固定されている電力用半導体装置であり、前記被接合部材は前記回路基板の配線パターンであり、前記接合部材における前記被接合部材と接合される接合対象部は前記ケースの内側に配置されており、
    前記接合検査装置は、
    前記治具または前記治具が搭載された前記超音波接合機の筐体における前記被接合部材及び前記接合部材に接することがない位置に固定されると共に前記治具または前記筐体を伝搬する振動を検出するセンサにより前記振動を検出して、検出信号を出力する接合状態測定装置と、
    前記被接合部材と前記接合部材との接合工程において、前記接合状態測定装置により出力された前記検出信号の波形を数値演算処理した演算処理波形から検出された、前記超音波ツールにより印加された前記超音波の印加周波数又は前記印加周波数の自然数倍の周波数と異なる周波数における周波数成分であって前記印加周波数よりも周波数が高い周波数成分に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定する接合状態判定装置とを備えたことを特徴とする超音波接合装置。
  2. 被接合部材と接合部材とを超音波を用いて接合する超音波接合装置であって、
    治具に固定された被固定物に実装された前記被接合部材に、前記接合部材を押圧しながら前記超音波を印加する超音波ツールを有する超音波接合機と、
    前記被接合部材と前記接合部材との接合品質を検査する接合検査装置とを備え、
    前記被固定物はケース及び回路基板を有し、前記ケース及び前記回路基板が固定されている電力用半導体装置であり、前記被接合部材は前記回路基板の配線パターンであり、前記接合部材における前記被接合部材と接合される接合対象部は前記ケースの内側に配置されており、
    前記接合検査装置は、
    前記治具または前記治具が搭載された前記超音波接合機の筐体における前記被接合部材及び前記接合部材に接することがない位置に固定されると共に前記治具または前記筐体を伝搬する振動を検出するセンサにより前記振動を検出して、検出信号を出力する接合状態測定装置と、
    前記被接合部材と前記接合部材との接合工程において、前記接合状態測定装置により出力された前記検出信号に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定する接合状態判定装置とを備え、
    前記治具は当該治具を伝搬する前記超音波の音速が3000m/s以上の材料で形成されていることを特徴とする超音波接合装置。
  3. 前記接合状態判定装置は、
    前記被接合部材と前記接合部材とを接合する超音波接合条件にて前記接合工程を予め実行して、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が良いと判定された場合において前記接合状態測定装置により予め測定された基準検出信号の波形と、
    前記接合工程において前記接合状態測定装置により測定された前記検出信号の波形と、に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定することを特徴とする請求項2記載の超音波接合装置。
  4. 前記接合状態判定装置は、
    前記基準検出信号の波形である基準波形及び前記検出信号の波形である検出波形を生成する信号処理部を備えることを特徴とする請求項3記載の超音波接合装置。
  5. 前記接合状態判定装置は、
    前記被接合部材と前記接合部材とを接合する超音波接合条件にて前記接合工程を予め実行して、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が良いと判定された場合において前記接合状態測定装置により予め測定された基準検出信号の波形を数値演算処理した基準演算処理波形と、
    前記接合工程において前記接合状態測定装置により測定された前記検出信号の波形を数値演算処理した演算処理波形と、に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定することを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の超音波接合装置。
  6. 前記接合状態判定装置は、
    前記被接合部材と前記接合部材とを接合する超音波接合条件にて前記接合工程を予め実行して、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が良いと判定された場合において前記接合状態測定装置により予め測定された基準検出信号の波形及び前記基準検出信号の波形を数値演算処理した基準演算処理波形と、
    前記接合工程において前記接合状態測定装置により測定された前記検出信号の波形及び前記検出信号の波形を数値演算処理した演算処理波形と、に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定することを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の超音波接合装置。
  7. 前記センサは前記治具に固定されており、
    前記接合状態測定装置は、前記治具を伝搬する振動を検出することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の超音波接合装置。
  8. 前記振動はアコースティックエミッションであり、
    前記接合状態測定装置は、前記アコースティックエミッションを検出する前記センサであるAEセンサを備えたことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の超音波接合装置。
  9. 前記接合状態測定装置は、前記超音波により振動する被測定物の振動を検出する非接触振動計を更に備え、
    前記非接触振動計は、前記被接合部材、前記接合部材、前記超音波ツール、前記治具の少なくとも1つの振動を検出して、検出信号を出力することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の超音波接合装置。
  10. 前記超音波接合機は、前記接合状態判定装置に判定された判定結果に基づいて、前記接合工程における超音波接合条件を変更して、前記被接合部材と前記接合部材とを接合することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の超音波接合装置。
  11. 被接合部材と接合部材とを超音波を用いて接合された接合部の接合品質を検査する超音波接合検査方法であって、
    前記被接合部材は、治具に固定された被固定物に実装されており、
    前記被固定物はケース及び回路基板を有し、前記ケース及び前記回路基板が固定されている電力用半導体装置であり、前記被接合部材は前記電力用半導体装置における前記回路基板の配線パターンであり、前記接合部材における前記被接合部材と接合される接合対象部は前記ケースの内側に配置されており、
    前記被接合部材と前記接合部材との接合工程において、前記治具または前記治具が搭載された超音波接合機の筐体を伝搬する振動を検出して、検出信号を出力する検出信号モニター手順と、
    前記検出信号モニター手順にて出力された前記検出信号に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定する接合状態判定手順とを含むことを特徴とする超音波接合検査方法。
  12. 前記検出信号モニター手順において、前記振動を前記被接合部材及び前記接合部材に接することがない位置にて検出することを特徴とする請求項11記載の超音波接合検査方法。
  13. 前記検出信号モニター手順において、更に、前記被接合部材、前記接合部材、前記超音波を印加する超音波ツールの少なくとも1つの振動を非接触で検出して、検出信号を出力することを特徴とする請求項11または12に記載の超音波接合検査方法。
  14. 前記接合状態判定手順において、
    前記被接合部材と前記接合部材とを接合する超音波接合条件にて前記接合工程を予め実行して、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が良いと判定された場合において予め測定された基準検出信号の波形と、
    測定された前記検出信号の波形と、に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定することを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載の超音波接合検査方法。
  15. 前記接合状態判定手順において、
    前記被接合部材と前記接合部材とを接合する超音波接合条件にて前記接合工程を予め実行して、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が良いと判定された場合において予め測定された基準検出信号の波形を数値演算処理した基準演算処理波形を生成し、
    測定された前記検出信号の波形を数値演算処理した演算処理波形を生成し、
    前記基準演算処理波形と前記演算処理波形とに基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定することを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載の超音波接合検査方法。
  16. 前記接合状態判定手順において、
    前記被接合部材と前記接合部材とを接合する超音波接合条件にて前記接合工程を予め実行して、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が良いと判定された場合において予め測定された基準検出信号の波形と、測定された前記検出信号の波形とを生成し、
    前記基準検出信号の波形を数値演算処理した基準演算処理波形を生成し、
    前記検出信号の波形を数値演算処理した演算処理波形を生成し、
    前記基準検出信号の波形及び前記基準演算処理波形と、前記検出信号の波形及び前記演算処理波形とに基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定することを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載の超音波接合検査方法。
  17. 被接合部材と接合部材とを超音波を用いて接合された接合部の接合品質を検査する超音波接合検査方法であって、
    前記被接合部材は、治具に固定された被固定物に実装されており、
    前記被固定物は電力用半導体装置であり、前記被接合部材は前記電力用半導体装置の配線パターンであり、
    前記被接合部材と前記接合部材との接合工程において、前記治具または前記治具が搭載された超音波接合機の筐体を伝搬する振動を検出して、検出信号を出力する検出信号モニター手順と、
    前記検出信号モニター手順にて出力された前記検出信号に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定する接合状態判定手順とを含み、
    前記接合部材は金属の接続ワイヤであり、
    前記接合工程は、超音波接合機の超音波ツールにより前記被接合部材及び前記接合部材に印加する前記超音波の印加周波数を高くする印加周波数変更手順を含んでおり、
    前記接合状態判定手順において、
    測定された前記検出信号の波形から演算した周波数波形を生成し、
    前記周波数波形における周波数が変化するタイミングと、前記印加周波数変更手順における前記印加周波数が変化するタイミングとの差が予め定められた判定値よりも大きい場合に、前記接合状態が悪いと判定し、
    前記周波数波形における周波数が変化するタイミングと、前記印加周波数変更手順における前記印加周波数が変化するタイミングとの差が予め定められた判定値以下の場合に、前記接合状態が良いと判定することを特徴とする超音波接合検査方法。
  18. 前記検出信号モニター手順において、前記振動を前記被接合部材及び前記接合部材に接することがない位置にて検出することを特徴とする請求項17記載の超音波接合検査方法。
  19. 被接合部材と接合部材とを超音波を用いて接合する超音波接合部を製造する超音波接合部の製造方法であって、
    治具に固定された被固定物に実装された前記被接合部材に、前記接合部材を押圧しながら前記超音波を印加して前記超音波接合部を形成する接合工程を含み、
    前記接合工程は、
    請求項11から16のいずれか1項に記載の超音波接合検査方法における前記検出信号モニター手順及び前記接合状態判定手順と、
    前記接合状態判定手順において、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が悪いと判定された場合に、前記被接合部材と前記接合部材との超音波接合条件が変更可能かを判定し、前記超音波接合条件が変更可能な場合に、前記被接合部材と前記接合部材との前記超音波接合条件を変更する接合条件変更手順と、
    前記接合条件変更手順が実行された場合に、前記接合条件変更手順にて変更された超音波接合条件にて、前記検出信号モニター手順及び前記接合状態判定手順を実行する接合継続手順と、
    前記接合状態判定手順において、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が良いと判定された場合に、前記被接合部材と前記接合部材とに対する作業中の当該接合工程を終了する接合良好終了手順と、
    前記接合条件変更手順において、前記超音波接合条件が変更不可能と判定された場合に、前記被接合部材と前記接合部材とに対する作業中の当該接合工程を終了する接合不良終了手順と、を含むことを特徴とする超音波接合部の製造方法。
  20. 被接合部材と接合部材とを超音波を用いて接合する超音波接合部を製造する超音波接合部の製造方法であって、
    前記被接合部材は、治具に固定された被固定物に実装されており、
    前記被固定物は電力用半導体装置であり、前記被接合部材は前記電力用半導体装置の配線パターンであり、
    前記接合部材は金属の接続ワイヤであり、
    治具に固定された被固定物に実装された前記被接合部材に、前記接合部材を押圧しながら前記超音波を印加して前記超音波接合部を形成する接合工程を含み、
    前記接合工程は、
    超音波接合機の超音波ツールにより前記被接合部材及び前記接合部材に印加する前記超音波の印加周波数を高くする印加周波数変更手順と、
    前記被接合部材と前記接合部材との接合工程において、前記治具または前記治具が搭載された超音波接合機の筐体を伝搬する振動を検出して、検出信号を出力する検出信号モニター手順と、
    前記検出信号モニター手順にて出力された前記検出信号に基づいて、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態を判定する接合状態判定手順と、
    前記接合状態判定手順において、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が悪いと判定された場合に、前記被接合部材と前記接合部材との超音波接合条件が変更可能かを判定し、前記超音波接合条件が変更可能な場合に、前記被接合部材と前記接合部材との前記超音波接合条件を変更する接合条件変更手順と、
    前記接合条件変更手順が実行された場合に、前記接合条件変更手順にて変更された超音波接合条件にて、前記検出信号モニター手順及び前記接合状態判定手順を実行する接合継続手順と、
    前記接合状態判定手順において、前記被接合部材と前記接合部材との接合状態が良いと判定された場合に、前記被接合部材と前記接合部材とに対する作業中の当該接合工程を終了する接合良好終了手順と、
    前記接合条件変更手順において、前記超音波接合条件が変更不可能と判定された場合に、前記被接合部材と前記接合部材とに対する作業中の当該接合工程を終了する接合不良終了手順と、を含み、
    前記接合状態判定手順において、
    測定された前記検出信号の波形から演算した周波数波形を生成し、
    前記周波数波形における周波数が変化するタイミングと、前記印加周波数変更手順における前記印加周波数が変化するタイミングとの差が予め定められた判定値よりも大きい場合に、前記接合状態が悪いと判定し、
    前記周波数波形における周波数が変化するタイミングと、前記印加周波数変更手順における前記印加周波数が変化するタイミングとの差が予め定められた判定値以下の場合に、前記接合状態が良いと判定することを特徴とする超音波接合部の製造方法。
  21. 前記検出信号モニター手順において、前記振動を前記被接合部材及び前記接合部材に接することがない位置にて検出することを特徴とする請求項20記載の超音波接合部の製造方法。
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