CN114354749B - 键合界面缺陷检测方法及装置 - Google Patents
键合界面缺陷检测方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114354749B CN114354749B CN202111639615.5A CN202111639615A CN114354749B CN 114354749 B CN114354749 B CN 114354749B CN 202111639615 A CN202111639615 A CN 202111639615A CN 114354749 B CN114354749 B CN 114354749B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- detection
- image
- bonding interface
- fluid
- detection image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 315
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 58
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 72
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 17
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 15
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
本发明涉及一种键合界面缺陷检测方法及装置。所述键合界面缺陷检测方法包括如下步骤:放置键合结构于一容纳有流体的处理腔内,使得所述键合结构中的键合界面浸没于所述流体内;控制一探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像;根据所述第一检测图像判断所述流体内是否存在干扰物,若是,则控制所述探测源在所述流体内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像;合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像。本发明减少甚至是避免了因干扰物的存在而造成的键合界面缺陷检测的误判或者漏检问题,提高了键合界面缺陷检测的准确度和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种键合界面缺陷检测方法及装置。
背景技术
随着平面型闪存存储器的发展,半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年,平面型闪存的发展遇到了各种挑战:物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下,为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本,各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生,例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
其中,3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点,将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念,生产出高单位面积存储密度,高效存储单元性能的存储器,已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
目前,在对3D NAND存储器等三维存储器的界面进行缺陷检测的过程中,容易出现误判和漏检的问题。
发明内容
本发明提供一种键合界面缺陷检测方法及装置,用于解决现有的键合界面缺陷检测方法易出现误判和漏检的问题,以提高键合界面缺陷检测的准确度和可靠性。
为了解决上述问题,本发明提供了一种键合界面缺陷检测方法,包括如下步骤:
放置键合结构于一容纳有流体的处理腔内,使得所述键合结构中的键合界面浸没于所述流体内;
控制一探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像;
根据所述第一检测图像判断所述流体内是否存在干扰物,若是,则控制所述探测源在所述流体内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像;
合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像。
可选的,放置键合结构于一容纳有流体的处理腔内,使得所述键合结构中的键合界面浸没于所述流体内的具体步骤包括:
提供一容纳有流体的处理腔;
浸没包括所述键合界面的所述键合结构于所述流体内。
可选的,所述流体为去离子水。
可选的,控制一探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像的具体步骤包括:
控制所述探测源在所述流体内沿所述第一预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第一检测信号;
根据所述第一检测信号的反射信号获取所述键合界面的第一检测图像。
可选的,根据所述第一检测图像判断所述流体内是否存在干扰物的具体步骤包括:
判断所述第一检测图像中是否存在第一异常区域,若是,则确认所述流体内存在干扰物。
可选的,控制所述探测源在所述流体内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像的具体步骤包括:
控制所述探测源在所述流体内沿所述第二预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第二检测信号;
根据所述第二检测信号的反射信号获取所述键合界面的第二检测图像。
可选的,合并所述第一检测图像和所述第二检测图像的具体步骤包括:
判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若是,则判断所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置是否相同;
若确认所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置不同,则合并所述第一检测图像和所述第二检测图像。
可选的,合并所述第一检测图像和所述第二检测图像的具体步骤包括:
判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若否,则合并所述第一检测图像和所述第二检测图像。
可选的,合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像的具体步骤包括:
于所述第二检测图像中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像;
采用所述截取图像替换所述第一检测图像中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像。
可选的,所述探测源为超声波探测源。
为了解决上述问题,本发明还提供了一种键合界面缺陷检测装置,包括:
处理腔,用于容纳流体,所述流体用于浸没一键合结构的键合界面;
探测源;
控制器,用于控制所述探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像,并在根据所述第一检测图像确认所述流体内存在干扰物之后,控制所述探测源在所述流体内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像;
图像处理器,用于合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像。
可选的,所述控制器用于控制所述探测源在所述流体内沿所述第一预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第一检测信号,并根据所述第一检测信号的反射信号获取所述键合界面的第一检测图像。
可选的,所述控制器还用于判断所述第一检测图像中是否存在第一异常区域,若是,则确认所述流体内存在干扰物。
可选的,所述控制器还用于控制所述探测源在所述流体内沿所述第二预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第二检测信号,并根据所述第二检测信号的反射信号获取所述键合界面的第二检测图像。
可选的,所述控制器还用于判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若是,则判断所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置是否相同,在确认所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置不同之后,控制所述图像处理器合并所述第一检测图像和所述第二检测图像。
可选的,所述控制器还用于判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若否,则控制所述图像处理器合并所述第一检测图像和所述第二检测图像。
可选的,所述图像处理器用于在所述第二检测图像中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像,并采用所述截取图像替换所述第一检测图像中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像。
可选的,所述探测源为超声波探测源。
本发明提供的键合界面缺陷检测方法及装置,通过初次探测扫描获得第一检测图像并根据所述第一检测图像确认流体中存在干扰物之后,再次对键合界面进行探测扫描,获得第二检测图像,由于流体的流动性,流体中的干扰物的位置会随着探测源的运动而发生改变,因此,通过合并所述第一检测图像和所述第二检测图像得到的第三检测图像能够避开干扰物的影响,从而减少甚至是避免了因干扰物的存在而造成的键合界面缺陷检测的误判或者漏检问题,提高了键合界面缺陷检测的准确度和可靠性。
附图说明
附图1是本发明具体实施方式中键合界面缺陷检测方法的流程图;
附图2是本发明具体实施方式在检测键合界面缺陷时的结构示意图;
附图3A-3B是本发明具体实施方式中第一检测信号的反射信号的波形图的两种情况;
附图4是本发明具体实施方式中第一检测图像的一示意图;
附图5是本发明具体实施方式中合并第一检测图像和第二检测图像的一示意图;
附图6是本发明具体实施方式中合并第一检测图像和第二检测图像的另一示意图;
附图7是本发明具体实施方式中键合界面缺陷检测装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的键合界面缺陷检测方法及装置的具体实施方式做详细说明。
键合工艺是3D NAND存储器等半导体器件制造过程中的一种重要的工艺步骤。在键合工艺执行之后,键合界面处不可避免的会存在一些气泡等缺陷。对键合界面处的起泡等缺陷进行检测,对评估键合性能以及改进制程工艺具有重要的作用。
当前对键合界面缺陷检测的方式是通过向键合界面发送检测信号,并通过收集键合界面的反射信号来形成检测图像,通过对检测图像的分析,来判断键合界面是否存在气泡等缺陷。当前多采用流体作为检测信号的传输介质,但是流体中不可避免的会存在一些杂质(例如颗粒物、气泡等)。当流体中存在杂质时,检测信号在杂质位置会发生反射,从而使得检测信号无法到达键合界面,此时得到的检测图像中会出现一块异常区域(即检测信号无法达到的区域)。若与异常区域对应的键合界面位置存在气泡等缺陷,则不能通过所述检测图像检测到,造成了键合界面缺陷的误判和漏检,降低了键合界面缺陷检测的准确度和可靠性。
为了减少键合界面缺陷的误判和漏检情况,提高键合界面缺陷检测的准确度和可靠性,本具体实施方式提供了一种键合界面缺陷检测方法,附图1是本发明具体实施方式中键合界面缺陷检测方法的流程图,附图2是本发明具体实施方式在检测键合界面缺陷时的结构示意图。如图1和图2所示,所述键合界面缺陷检测方法,包括如下步骤:
步骤S11,放置键合结构22于一容纳有流体21的处理腔20内,使得所述键合结构22中的键合界面浸没于所述流体21内。
具体来说,所述键合结构22包括相互键合的第一晶圆221和第二晶圆222,所述第一晶圆221与所述第二晶圆222相接触的表面即为键合界面。其中,所述键合结构22可以是但不限于3D NAND存储器。当所述键合结构22为3DNAND存储器时,一种实施例中,所述第一晶圆221和所述第二晶圆222中的一个可以为外围电路晶圆、另一个相应为存储阵列晶圆,所述外围电路晶圆用于向所述存储阵列晶圆传输控制信号,所述存储阵列晶圆用于信息的存储。
可选的,放置键合结构22于一容纳有流体21的处理腔20内,使得所述键合结构22中的键合界面浸没于所述流体21内的具体步骤包括:
提供一容纳有流体21的处理腔20;
浸没包括所述键合界面的所述键合结构22于所述流体21内。
具体来说,在所述第一晶圆221和所述第二晶圆222完成键合、形成所述键合结构22之后,将所述键合结构22放置于所述处理腔20内,使得所述键合结构22整体浸没于所述流体21内部,从而确保所述键合界面能够整体浸没于所述流体21内,以提高后续探测的准确性。
为了避免对所述键合结构22、尤其是所述键合结构22中的所述键合界面造成污染,可选的,所述流体21为去离子水。
步骤S12,控制一探测源23在所述流体21内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像。
所述探测源23的具体类型,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,只要能探测到所述键合界面的图像即可。可选的,所述探测源23为超声波探测源。
可选的,控制一探测源23在所述流体21内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像的具体步骤包括:
控制所述探测源23在所述流体内沿所述第一预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第一检测信号;
根据所述第一检测信号的反射信号获取所述键合界面的第一检测图像。
以下以所述探测源23位超声波探测源为例进行说明。放置所述探测源23于所述流体21表面,例如使得所述探测源23浮于所述流体21表面,且所述探测源23的信号发射端和信号接收端均浸没于所述流体21内部,避免所述探测源23发射的所述第一检测信号和接收的反射信号受到所述流体21外部环境的影响。所述键合结构22中可以包括多个像素单元,且多个所述像素单元呈阵列排布,形成像素阵列。所述像素阵列中包括多行和多列。所述第一预设轨迹可以是沿所述像素阵列中一特定行的方向。所述探测源23在沿所述第一预设轨迹运动的过程中,持续朝向所述键合界面发射所述第一检测信号,并接收所述第一检测信号的反射信号,以根据所述反射信号形成所述键合界面的第一检测图像。
步骤S13,根据所述第一检测图像判断所述流体21内是否存在干扰物24,若是,则控制所述探测源23在所述流体21内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像。
可选的,根据所述第一检测图像判断所述流体21内是否存在干扰物24的具体步骤包括:
判断所述第一检测图像中是否存在第一异常区域,若是,则确认所述流体21内存在干扰物24。
附图3A-3B是本发明具体实施方式中第一检测信号的反射信号的波形图的两种情况。具体来说,当所述键合结构22浸没于所述流体21内时,若所述流体21内不存在所述干扰物24,则所述探测源23发出的所述第一检测信号和接收到的反射信号的波形如图3A所示:所述探测源23发出的所述第一检测信号形成第一检测波W1,当所述第一检测波W1传输至所述第二晶圆222与所述流体21的接触界面时,形成第一反射波W2,当所述第一检测波W1传输至所述键合结构22的所述键合界面时,形成第二反射波W3。根据所述键合界面不同位置的所述第二反射波W3的信号强弱,形成所述第一检测图像。
附图4是本发明具体实施方式中第一检测图像的一示意图。若所述流体21内存在所述干扰物24(例如所述流体21为去离子水,所述干扰物24为气泡),则所述探测源23发出的所述第一检测信号和接收到的发射信号的波形如图3B所示:所述探测源23发出的所述第一检测信号形成第一检测波W1,当所述第一检测波W1在所述干扰物24表面发生全反射,从而形成第三反射波W4。由于所述第一检测波W1在所述干扰物表面发射了全发射,所以没有所述第一检测波W1达到所述第二晶圆222与所述流体21的接触界面、也没有所述第一检测波W1达到所述键合结构22的键合界面,因而在预形成所述第一反射波W2和预形成所述第二反射波W3的位置没有波峰信号出现。此时,得到的所述键合界面的所述第一检测图像如图4所示,即在圆形的所述键合界面的内部出现一黑块区域(即所述第一异常区域)。
可选的,控制所述探测源23在所述流体21内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像的具体步骤包括:
控制所述探测源23在所述流体内沿所述第二预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第二检测信号;
根据所述第二检测信号的反射信号获取所述键合界面的第二检测图像。
具体来说,所述探测源23在沿所述第二预设轨迹运动的过程中,持续朝向所述键合界面发射所述第二检测信号,并接收所述第二检测信号的反射信号,以根据所述反射信号形成所述键合界面的第二检测图像。所述第二检测信号可以与所述第一检测信号相同,例如均为超声波信号,以简化后续图形合并的操作。所述键合界面中与所述第一异常区域对应的位置为待复核位置,所述第二检测图像至少包括所述键合界面中所述待复核位置的图像,以便于后续进行合图处理。为了使得所述第二检测图像至少包括所述键合界面中所述待复核位置的图像,所述第二预设轨迹至少覆盖所述第一预设轨迹,例如所述第二预设轨迹与所述第一预设轨迹重合。
步骤S14,合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像。
可选的,合并所述第一检测图像和所述第二检测图像的具体步骤包括:
判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域(即由于所述干扰物24的遮挡所造成的黑块区域),若是,则判断所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置是否相同;
若确认所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置不同,则合并所述第一检测图像和所述第二检测图像。
可选的,合并所述第一检测图像和所述第二检测图像的具体步骤包括:
判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域(即由于所述干扰物24的遮挡所造成的黑块区域),若否,则合并所述第一检测图像和所述第二检测图像。
可选的,合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像的具体步骤包括:
于所述第二检测图像中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像;
采用所述截取图像替换所述第一检测图像中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像。
具体来说,由于在所述流体21中所述干扰物24的位置会随所述探测源23的运动(例如所述探测源23沿所述第一预设轨迹运动、以及所述探测源23沿所述第二轨迹运动)而发生改变,因此,通过合并所述第一检测图像和所述第二检测图像得到的第三检测图像能够避开干扰物的影响,从而减少甚至是避免了因干扰物的存在而造成的键合界面缺陷检测的误判或者漏检问题,提高了键合界面缺陷检测的准确度和可靠性。
附图5是本发明具体实施方式中合并第一检测图像和第二检测图像的一示意图。举例来说,如图5所示,所述第一检测图像51中具有第一异常区域,所述第二检测图像52中具有第二异常区域,且所述第一异常区域在所述第一检测图像51中的位置与所述第二异常区域在所述第二检测图像中的位置不同。此时,可以于所述第二检测图像52中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像,采用所述截取图像替换所述第一检测图像51中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像53。所述第三检测图像53避免了所述干扰物24的存在对所述键合界面探测图像的影响,从而提高了后续采用所述第三检测图像53分析所述键合界面缺陷的准确度和可靠性。
附图6是本发明具体实施方式中合并第一检测图像和第二检测图像的另一示意图。举例来说,所述第一检测图像51中具有第一异常区域,所述第二检测图像52中没有所述第二异常区域。此时,可以于所述第二检测图像52中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像,采用所述截取图像替换所述第一检测图像51中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像53。所述第三检测图像53避免了所述干扰物24的存在对所述键合界面探测图像的影响,从而提高了后续采用所述第三检测图像53分析所述键合界面缺陷的准确度和可靠性。
在获取所述第三检测图像之后,可以对所述第三检测图像进行分析,以判断所述键合界面中是否存在缺陷、以及所述缺陷的位置。举例来说,当所述探测源23位超声波探测源,所述第三检测图像为超声波检测图像时,若所述键合界面存在气泡,由于所述气泡的反射波信号强,因此会在所述第三检测图像中出现高色阶图像点(例如白点)。因此,根据所述第三检测图像中是否存在高色阶图像点以及高色阶图像点的位置可以判断所述键合界面的缺陷情况。
不仅如此,本具体实施方式还提供了一种键合界面缺陷检测装置。附图7是本发明具体实施方式中键合界面缺陷检测装置的结构示意图。本具体实施方式提供的键合界面缺陷检测装置可以采用如图1-图2、图3A-图3B、以及图4-图6所示的键合界面的缺陷检测方法对所述键合结构22的键合界面进行缺陷检测。如图1-图2、图3A-图3B、以及图4-图7所示,所述键合界面缺陷检测装置,包括:
处理腔20,用于容纳流体21,所述流体21用于浸没一键合结构22的键合界面;
探测源23;
控制器70,用于控制所述探测源23在所述流体21内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像,并在根据所述第一检测图像确认所述流体21内存在干扰物之后,控制所述探测源23在所述流体内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像;
图像处理器71,用于合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像。
可选的,所述控制器70用于控制所述探测源23在所述流体21内沿所述第一预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第一检测信号,并根据所述第一检测信号的反射信号获取所述键合界面的第一检测图像。
可选的,所述控制器70还用于判断所述第一检测图像中是否存在第一异常区域,若是,则确认所述流体内存在干扰物。
可选的,所述控制器70还用于控制所述探测源23在所述流体内沿所述第二预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第二检测信号,并根据所述第二检测信号的反射信号获取所述键合界面的第二检测图像。
可选的,所述控制器70还用于判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若是,则判断所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置是否相同,在确认所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置不同之后,控制所述图像处理器71合并所述第一检测图像和所述第二检测图像。
可选的,所述控制器70还用于判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若否,则控制所述图像处理器71合并所述第一检测图像和所述第二检测图像。
可选的,所述图像处理器71用于在所述第二检测图像中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像,并采用所述截取图像替换所述第一检测图像中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像。
可选的,所述探测源23为超声波探测源。
本具体实施方式提供的键合界面缺陷检测方法及装置,通过初次探测扫描获得第一检测图像并根据所述第一检测图像确认流体中存在干扰物之后,再次对键合界面进行探测扫描,获得第二检测图像,由于流体的流动性,流体中的干扰物的位置会随着探测源的运动而发生改变,因此,通过合并所述第一检测图像和所述第二检测图像得到的第三检测图像能够避开干扰物的影响,从而减少甚至是避免了因干扰物的存在而造成的键合界面缺陷检测的误判或者漏检问题,提高了键合界面缺陷检测的准确度和可靠性。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种键合界面缺陷检测方法,其特征在于,包括如下步骤:
放置键合结构于一容纳有流体的处理腔内,使得所述键合结构中的键合界面浸没于所述流体内;
控制一探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像,所述探测源为超声波探测源;
判断所述第一检测图像中是否存在第一异常区域,若是,则确认所述流体内存在干扰物,并在确认所述流体内存在干扰物之后,控制所述探测源在所述流体内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像;
合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像;
合并所述第一检测图像和所述第二检测图像的具体步骤包括:
判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若是,则判断所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置是否相同,若确认所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置不同,则于所述第二检测图像中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像;采用所述截取图像替换所述第一检测图像中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像。
2.根据权利要求1所述的键合界面缺陷检测方法,其特征在于,放置键合结构于一容纳有流体的处理腔内,使得所述键合结构中的键合界面浸没于所述流体内的具体步骤包括:
提供一容纳有流体的处理腔;
浸没包括所述键合界面的所述键合结构于所述流体内。
3.根据权利要求2所述的键合界面缺陷检测方法,其特征在于,所述流体为去离子水。
4.根据权利要求3所述的键合界面缺陷检测方法,其特征在于,控制一探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像的具体步骤包括:
控制所述探测源在所述流体内沿所述第一预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第一检测信号;
根据所述第一检测信号的反射信号获取所述键合界面的第一检测图像。
5.根据权利要求4所述的键合界面缺陷检测方法,其特征在于,控制所述探测源在所述流体内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像的具体步骤包括:
控制所述探测源在所述流体内沿所述第二预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第二检测信号;
根据所述第二检测信号的反射信号获取所述键合界面的第二检测图像。
6.根据权利要求4所述的键合界面缺陷检测方法,其特征在于,合并所述第一检测图像和所述第二检测图像的具体步骤包括:
判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若否,则合并所述第一检测图像和所述第二检测图像;
合并所述第一检测图像和所述第二检测图像的具体步骤包括:
于所述第二检测图像中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像;
采用所述截取图像替换所述第一检测图像中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像。
7.一种键合界面缺陷检测装置,其特征在于,包括:
处理腔,用于容纳流体,所述流体用于浸没一键合结构的键合界面;
探测源,所述探测源为超声波探测源;
控制器,用于控制所述探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第一检测图像,所述控制器还用于判断所述第一检测图像中是否存在第一异常区域,若是,则确认所述流体内存在干扰物,并在确认所述流体内存在干扰物之后,控制所述探测源在所述流体内沿第二预设轨迹运动,以获得所述键合界面的第二检测图像;
图像处理器,用于合并所述第一检测图像和所述第二检测图像,以获取所述键合界面的第三检测图像;
所述控制器还用于判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若是,则判断所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置是否相同,在确认所述第二异常区域与所述第一异常区域的位置不同之后,控制所述图像处理器在所述第二检测图像中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像,并采用所述截取图像替换所述第一检测图像中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像。
8.根据权利要求7所述的键合界面缺陷检测装置,其特征在于,所述控制器用于控制所述探测源在所述流体内沿所述第一预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第一检测信号,并根据所述第一检测信号的反射信号获取所述键合界面的第一检测图像。
9.根据权利要求8所述的键合界面缺陷检测装置,其特征在于,所述控制器还用于控制所述探测源在所述流体内沿所述第二预设轨迹运动的同时向所述键合界面发射第二检测信号,并根据所述第二检测信号的反射信号获取所述键合界面的第二检测图像。
10.根据权利要求9所述的键合界面缺陷检测装置,其特征在于,所述控制器还用于判断所述第二检测图像中是否存在第二异常区域,若否,则控制所述图像处理器在所述第二检测图像中截取与所述第一异常区域相同位置的图像,作为截取图像,并采用所述截取图像替换所述第一检测图像中所述第一异常区域,形成所述键合界面的第三检测图像。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111639615.5A CN114354749B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 键合界面缺陷检测方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111639615.5A CN114354749B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 键合界面缺陷检测方法及装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114354749A CN114354749A (zh) | 2022-04-15 |
CN114354749B true CN114354749B (zh) | 2024-02-13 |
Family
ID=81103230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111639615.5A Active CN114354749B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 键合界面缺陷检测方法及装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114354749B (zh) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4366713A (en) * | 1981-03-25 | 1983-01-04 | General Electric Company | Ultrasonic bond testing of semiconductor devices |
JPH01109485A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 液体混入異物検査装置 |
US6870610B1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-03-22 | Dcs Corporation | Method and apparatus for detecting defects in a material in a liquid bath |
JP2008215828A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Jfe Steel Kk | 超音波計測装置および方法 |
CN104081200A (zh) * | 2011-09-02 | 2014-10-01 | 凯米罗总公司 | 用于表征存在于液体中的固体物质的设备和方法 |
JP2016102665A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 日本精工株式会社 | 超音波探傷装置 |
CN109216223A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-01-15 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆键合能检测装置以及晶圆键合能的测量方法 |
CN109406626A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-03-01 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 超声波扫描检测装置及采用其固定待测样品的方法 |
JP6498341B1 (ja) * | 2018-06-19 | 2019-04-10 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 超音波検査装置、制御装置及び検査方法 |
CN110672731A (zh) * | 2018-07-02 | 2020-01-10 | 株式会社日立电力解决方案 | 超声波影像系统 |
CN113267562A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-17 | 复旦大学 | 冶金材料水浸超声波检测中干扰气泡的去除方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160054268A1 (en) * | 2013-03-28 | 2016-02-25 | Atomic Energy Of Canada Limited | Passive bubble minimization in ultrasonic testing |
DE112018000674T5 (de) * | 2017-02-03 | 2019-12-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Ultraschall-Bondvorrichtung, Ultraschall-Bond-Untersuchungsverfahren sowie Herstellungsverfahren für ultraschall-gebondeten Bereich |
US20190361103A1 (en) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | Pva Tepla Analytical Systems Gmbh | Ultrasonic Microscope and Carrier for carrying an acoustic Pulse Transducer |
-
2021
- 2021-12-29 CN CN202111639615.5A patent/CN114354749B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4366713A (en) * | 1981-03-25 | 1983-01-04 | General Electric Company | Ultrasonic bond testing of semiconductor devices |
JPH01109485A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 液体混入異物検査装置 |
US6870610B1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-03-22 | Dcs Corporation | Method and apparatus for detecting defects in a material in a liquid bath |
JP2008215828A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Jfe Steel Kk | 超音波計測装置および方法 |
CN104081200A (zh) * | 2011-09-02 | 2014-10-01 | 凯米罗总公司 | 用于表征存在于液体中的固体物质的设备和方法 |
JP2016102665A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 日本精工株式会社 | 超音波探傷装置 |
JP6498341B1 (ja) * | 2018-06-19 | 2019-04-10 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 超音波検査装置、制御装置及び検査方法 |
CN110672731A (zh) * | 2018-07-02 | 2020-01-10 | 株式会社日立电力解决方案 | 超声波影像系统 |
CN109216223A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-01-15 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆键合能检测装置以及晶圆键合能的测量方法 |
CN109406626A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-03-01 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 超声波扫描检测装置及采用其固定待测样品的方法 |
CN113267562A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-17 | 复旦大学 | 冶金材料水浸超声波检测中干扰气泡的去除方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
3D集成中晶圆键合缺陷的成像检测;Shari Farrens;Sumant Sood;Ray Thomas;;集成电路应用(11);第38-40页 * |
Potential of Acoustic Imaging in the Detection of Nanometer Gaps;Hironori Tohmyoh 等;《ieee transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control》;第2481-2483页 * |
Si/Si键合界面的超声显微成像(英文);Tom Adams;微纳电子技术(02);第38-40、45页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114354749A (zh) | 2022-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7305885B2 (en) | Method and apparatus for phased array based ultrasonic evaluation of rail | |
CN110148569B (zh) | 一种键合结构的缺陷扫描方法及设备 | |
KR102399076B1 (ko) | 초음파 프로브를 이용한 불량 소자 자동 검사 장치 및 이를 이용한 검사방법 | |
CN1261760C (zh) | 电器开关触头结合质量的超声成像无损检测方法及检测系统 | |
KR102143460B1 (ko) | 초음파 검사 장치, 제어 장치 및 검사 방법 | |
US10209203B2 (en) | Wafer inspection apparatus and wafer inspection method | |
CN104267102A (zh) | 一种超声相控阵检测搅拌摩擦焊焊缝的方法 | |
CN108318800B (zh) | 一种GaN基半导体激光芯片检测装置与方法 | |
KR102552909B1 (ko) | 초음파검사시스템 및 이를 이용한 초음파 검사 방법 | |
US9267903B2 (en) | Methods and apparatuses for inspecting semiconductor devices using electron beams | |
US8055057B2 (en) | Method for detecting defects in a substrate having a semiconductor device thereon | |
CN114354749B (zh) | 键合界面缺陷检测方法及装置 | |
CN110364461B (zh) | 晶圆状态检测设备、方法及晶圆装卸载腔室 | |
JP4431926B2 (ja) | 超音波探傷装置及び超音波探傷方法 | |
CN109324068B (zh) | 低密度材料透视成像方法及系统 | |
CN113075297A (zh) | 钛合金相控阵线阵超声检测声场模型构建方法 | |
JP3513500B2 (ja) | 基板検査方法及び基板検査装置 | |
CN111426495B (zh) | 验证化学机械研磨装置性能的方法 | |
JPH03257363A (ja) | 超音波探傷装置 | |
KR102548831B1 (ko) | 초음파 검사 장치 및 이를 이용한 초음파 검사 방법 | |
KR101437125B1 (ko) | X선을 이용한 회로소자 검사 시스템 및 방법 | |
KR102526911B1 (ko) | 초음파 검사 장치 및 이를 이용한 초음파 검사 방법 | |
KR102535534B1 (ko) | 초음파 검사 장치 및 이를 이용한 초음파 검사 방법 | |
KR102614954B1 (ko) | 해양 구조물 내부 탐사용 초음파 스캐너 및 이를 포함하는 선박 | |
JPH11211701A (ja) | 超音波検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |